KR101279015B1 - Athermal awg module and manufacturing method thereof - Google Patents
Athermal awg module and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR101279015B1 KR101279015B1 KR1020120119392A KR20120119392A KR101279015B1 KR 101279015 B1 KR101279015 B1 KR 101279015B1 KR 1020120119392 A KR1020120119392 A KR 1020120119392A KR 20120119392 A KR20120119392 A KR 20120119392A KR 101279015 B1 KR101279015 B1 KR 101279015B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- waveguide
- subchip
- temperature
- chip
- cut
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
- G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
- G02B6/12026—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides characterised by means for reducing the temperature dependence
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
- G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
- G02B6/12014—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides characterised by the wavefront splitting or combining section, e.g. grooves or optical elements in a slab waveguide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
- G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
- G02B6/12019—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides characterised by the optical interconnection to or from the AWG devices, e.g. integration or coupling with lasers or photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 온도 무의존형 AWG 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 온도 변화에 따른 회전 이동으로 온도에 관계없이 파장이 일정하게 유지되는 온도 무의존형 AWG 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a temperature independent AWG module and a manufacturing method thereof. More specifically, the present invention relates to a temperature-independent AWG module and a method of manufacturing the same, in which the wavelength is kept constant regardless of temperature by rotational movement according to temperature change.
파장분할 다중화 통신 시스템의 수신단에는 여러 개의 파장을 갖는 광신호를 각각 분리하기 위해 AWG(Arrayed Waveguide Grating) 모듈을 사용한다. The receiving end of the wavelength division multiplexing communication system uses an arrayed waveguide grating (AWG) module to separate optical signals having multiple wavelengths.
AWG모듈은 도 1에 도시된 바와 같이 입력 도파로(1), 입력 슬랩 도파로(2), 어레이 도파로(3), 출력 슬랩 도파로(4), 출력 도파로(5)로 구성되어 있으며, 입력 도파로로 입력된 광신호가 파장별로 분리되어 출력 도파로로 출력된다.As shown in FIG. 1, the AWG module is composed of an
이러한 AWG모듈의 도파로는 주로 실리카계 유리로 이루어지며, 온도에 따라 굴절률이 변화하기 때문에 굴절률 변화에 따라 선형적으로 AWG의 파장도 변화한다. 따라서 온도에 따라 AWG 파장값이 변화하지 않도록 히터를 설치하여 AWG모듈의 온도를 일정하게 유지시키는 방법이 사용되어 왔다.The waveguide of the AWG module is mainly made of silica glass, and since the refractive index changes with temperature, the wavelength of the AWG also changes linearly with the change of the refractive index. Therefore, a method of maintaining a constant temperature of the AWG module has been used by installing a heater so that the AWG wavelength value does not change with temperature.
그러나 가격 경쟁력에 따른 원가하락, 모듈 크기의 소형화, 히터 상시 사용에 따른 소비 전력 문제, 고온 유지에 따른 모듈의 노후화 등의 문제를 해결하기 위해 AWG 모듈 자체에서 온도에 관계없이 파장이 일정하게 유지되는 온도 무의존형 AWG모듈 구조가 요구되었으며, 이러한 온도 무의존형 AWG모듈을 구현하는 방법으로 재료적인 광학특성을 이용하여 파장을 이동시키는 방법과 물리적으로 파장을 이동시키는 방법이 있다.However, in order to solve such problems as cost reduction due to price competitiveness, miniaturization of module size, power consumption problem due to constant use of heater, and aging of module due to high temperature maintenance, the wavelength of the AWG module itself is kept constant regardless of temperature. There is a need for a temperature independent AWG module structure, and there are two methods for realizing such a temperature independent AWG module by using a material optical property to shift wavelengths and physically shifting wavelengths.
전자의 방법은 도파로를 구성하는 실리카 재료와 반대 방향으로 굴절률이 변하는 폴리머 재료를 도입하여 굴절률에 따른 파장 변화를 서로 상쇄시키는 방법이다. 그러나 이 방법은 이종 물질을 대입함에 따라 삽입손실, 편광의존 손실 등 AWG의 다른 특성에 영향을 주는 많은 단점을 가지고 있다.The former method is to introduce a polymer material whose refractive index changes in the opposite direction to the silica material constituting the waveguide to cancel the wavelength change according to the refractive index. However, this method has many disadvantages that affect other characteristics of AWG such as insertion loss and polarization dependent loss.
후자의 방법은 도 2에 도시된 바와 같이 AWG 모듈의 입력 도파로(1)와 입력 슬랩 도파로(2)의 연결부위를 직선으로 절단하고, 알루미늄과 같이 온도에 따라 선형적으로 열팽창과 수축을 하는 재료로 연결하여 온도에 따라 입력 도파로를 절단 라인을 따라 직선 이동시켜 출력 도파로에서 일정한 파장을 유지할 수 있도록 하는 방법이다. In the latter method, as shown in FIG. 2, the connection portion between the
후자의 방법은 전자의 방법에 비해 하나의 칩에서 분리 가공되기 때문에 패키징 과정에서 광정렬 문제를 해결하는데 용이한 장점이 있다. 그러나 도 3에 도시된 바와 같이 AWG모듈이 직선 라인으로 절개되어 이동되기 때문에 포컬 포인트(focal point)가 이상적인 형태의 곡선 배열을 갖지 못하고 직선으로 형성되는 v포컬 포인트 에러가 발생하며, 그 만큼 출력 파장이 일정한 간격을 갖지 못하고 일정하게 넓어지거나 좁아지는 현상이 나타나는 문제가 있다.The latter method is advantageous in solving the optical alignment problem in the packaging process because it is separated and processed in one chip compared to the former method. However, as shown in FIG. 3, since the AWG module is cut and moved in a straight line, a focal point does not have an ideal curved arrangement and a v focal point error is formed in a straight line. There is a problem in that the phenomenon of having a constant widening or narrowing does not occur at regular intervals.
이러한 파장 간격의 변화가 AWG 제품으로 요구되는 허용 기준치(specification)을 넘어가게 되면 불량이 되고, 넓은 파장 간격, 넓은 대역폭(band width), 고 채널로 갈수록 공정에 더 문제점이 드러나게 되어 허용 기준치를 넘어서지 않는 온도 구간에서만 사용할 수 있는 구동 온도 범위의 한계를 갖는다.
This change in wavelength spacing becomes a failure if it exceeds the tolerance specification required for AWG products, and the process becomes more problematic as the wider wavelength spacing, the wider bandwidth, and the higher the channel becomes. There is a limit of the drive temperature range that can only be used in temperature ranges.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 AWG 모듈을 곡선으로 절개하고 온도 변화에 따라 절단된 면을 따라 회전 이동하게 하는 온도 무의존형 AWG 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a temperature-independent AWG module and a method for manufacturing the AWG module to cut the curve in a curve and to rotate along the cut surface according to the temperature change.
본 발명의 다른 목적은 온도에 따른 이동에도 AWG 모듈의 이상적인 포컬 포인티를 유지할 수 있는 온도 무의존형 AWG 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a temperature-independent AWG module and a method for manufacturing the same, which can maintain an ideal focal point of the AWG module even when moving with temperature.
본 발명의 또 다른 목적은 이상적인 포컬 포인트를 유지함으로써 모든 온도 범위에서 사용 가능한 온도 무의존형 AWG 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a temperature independent AWG module and a method of manufacturing the same that can be used in all temperature ranges by maintaining an ideal focal point.
본 발명의 또 다른 목적은 이상적인 포컬 포인트를 유지함으로써 파장 간격, 대역폭, 채널수에 관계없이 사용 가능한 온도 무의존형 AWG 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a temperature independent AWG module and a method of manufacturing the same, which can be used regardless of wavelength spacing, bandwidth, and number of channels by maintaining an ideal focal point.
본 발명의 또 다른 목적은 곡선으로 절개된 AWG 모듈을 회전 이동시킬 수 있는 여러 가지 이송부재 형태를 제공하는 것이다.
Still another object of the present invention is to provide various types of transfer members capable of rotating a curved AWG module.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈은 적어도 도파로와 슬랩 도파로 사이 또는 상기 슬랩 도파로가 곡선으로 절개되도록 AWG칩을 절개하여 형성한 2개의 서브 칩으로서 상기 도파로를 포함하는 제1 서브 칩과 상기 슬랩 도파로를 포함하는 제2 서브 칩; 상기 제1 서브 칩과 제2 서브 칩의 도파로와 슬랩 도파로가 광정렬되어 위치하는 정렬 기판; 및 외부 온도 변화에 따라 상기 정렬 기판 위의 제1 서브 칩과 상기 제2 서브 칩 중 적어도 하나를 회전 이동시키는 이송 부재를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a temperature-independent AWG module according to an embodiment of the present invention includes at least two sub-chips formed by cutting an AWG chip such that at least the waveguide and the slab waveguide or the slab waveguide are cut in a curved line. A first sub chip including a second sub chip including the slab waveguide; An alignment substrate on which the waveguides and the slab waveguides of the first subchip and the second subchip are optically aligned; And a transfer member for rotating and moving at least one of the first subchip and the second subchip on the alignment substrate according to an external temperature change.
본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈은 적어도 도파로와 슬랩 도파로 사이 또는 상기 슬랩 도파로가 곡선으로 절개되도록 AWG칩을 절개하여 형성한 2개의 서브 칩이 온도 변화에 따라 절개된 상기 곡선을 따라 회전 이동하는 것을 특징으로 한다.According to another embodiment of the present invention, a temperature-independent AWG module has a curve in which two sub-chips formed by cutting an AWG chip such that at least the waveguide and the slab waveguide or the slab waveguide are cut in a curved line are cut in accordance with a temperature change. It is characterized by moving along the rotation.
본 발명의 일 실시예에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈 제조 방법은 적어도 도파로와 슬랩 도파로 사이 또는 슬랩 도파로가 곡선으로 절개되도록 AWG칩을 절개하여 상기 도파로를 포함하는 제1 서브 칩과 슬랩 도파로를 포함하는 제2 서브 칩을 형성하는 칩 다이싱 단계; 정렬 기판 위에 상기 제1 서브 칩의 도파로와 상기 제2 서브 칩의 슬랩 도파로가 광정렬되도록 정렬하는 서브칩 정렬 단계; 및 외부 온도 변화에 따라 상기 정렬 기판 위의 제1 서브 칩과 상기 제2 서브 칩 중 적어도 하나를 회전시키는 이송부재를 설치하는 이송부재 설치 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a temperature-independent AWG module according to an embodiment of the present invention includes a first sub-chip and a slab waveguide including the waveguide by cutting the AWG chip so that at least the waveguide and the slab waveguide are cut in a curved line or between the slab waveguide. A chip dicing step of forming a second sub chip; A subchip alignment step of aligning the waveguide of the first subchip and the slab waveguide of the second subchip so as to be optically aligned on the alignment substrate; And a transfer member installing step of installing a transfer member for rotating at least one of the first subchip and the second subchip on the alignment substrate according to an external temperature change.
본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈 제조 방법은 적어도 도파로와 슬랩 도파로 사이 또는 슬랩 도파로가 곡선으로 절개되도록 AWG칩을 절개하여 입력 도파로를 포함하는 제1 서브 칩과 입력 슬랩 도파로를 포함하는 제2 서브 칩을 형성하는 칩 다이싱 단계; 및 회전부를 갖는 정렬 기판에 상기 제1 서브 칩과 상기 제2 서브칩이 광정렬 되되 상기 절개된 곡선을 따라 상대적으로 회전할 수 있도록 상기 정렬 기판에 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to another embodiment of the present invention, a method of manufacturing a temperature-independent AWG module includes a first subchip and an input slab waveguide including an input waveguide by cutting an AWG chip so that at least the waveguide and the slab waveguide or the slab waveguide are cut in a curved line. A chip dicing step of forming a second sub chip; And positioning the first sub chip and the second sub chip on the alignment substrate having a rotation part so that the first sub chip and the second sub chip are optically aligned and rotate relatively along the cut curve.
본 발명은 AWG 모듈을 곡선으로 절개하고 온도 변화에 따라 분리된 AWG 모듈을 절개된 곡선면을 따라 상대적으로 회전시킴으로써 온도에 따른 이동에도 AWG 모듈의 이상적인 포컬 포인트를 유지하여 모든 온도 범위, 채널수, 대역폭, 파장 간격에 적용될 수 있는 온도 무의존형 AWG 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 효과를 갖는다.
In the present invention, by cutting the AWG module in a curve and rotating the separated AWG module relatively along the cut curve according to the temperature change, the temperature range, the number of channels, There is an effect of providing a temperature-independent AWG module and a method of manufacturing the same that can be applied to bandwidth, wavelength spacing.
제1도는 일반적인 AWG칩 구조를 보여주는 평면도이다.
제2도는 종래 온도 무의존형 AWG 모듈을 보여주는 평면도이다.
제3도는 도파로와 슬랩 도파로 사이의 포컬 포인트와 종래 온도 무의존형 AWG 모듈의 절개라인을 보여주는 도면이다.
제4도는 본 발명에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈을 제조하기 위한 예시적인 절개라인들을 보여주는 도면이다.
제5도는 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈의 절개라인을 보여주는 평면도이다.
제6도는 도 5의 절개 라인을 따라 AWG칩을 2개의 서브칩으로 절개한 것을 보여주는 도면이다.
제7도는 도 6의 절개된 2개의 서브칩을 광정렬한 후 온도 변화에 따라 회전 이동시키는 것을 보여주는 도면이다.
제8도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈의 절개라인을 보여주는 평면도이다.
제9도는 도 8의 절개 라인을 따라 AWG칩을 2개의 서브칩으로 절개한 것을 보여주는 도면이다.
제10도는 도 9의 절개된 2개의 서브칩을 광정렬한 후 온도 변화에 따라 회전 이동시키는 것을 보여주는 도면이다.
제11도는 본 발명에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈의 절개면이 경사를 갖도록 절개한 후 광정렬시키는 과정을 보여주는 도면들이다.
제12도 내지 제18도는 서브칩을 회전시키기 위한 예시적인 이송부재들을 보여주는 도면들이다.1 is a plan view showing a general AWG chip structure.
2 is a plan view showing a conventional temperature independent AWG module.
3 is a diagram showing a focal point between a waveguide and a slab waveguide and a cut line of a conventional temperature independent AWG module.
4 is a diagram showing exemplary incision lines for fabricating a temperature independent AWG module in accordance with the present invention.
5 is a plan view showing a cutting line of a temperature independent AWG module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view illustrating cutting of an AWG chip into two subchips along the cutting line of FIG. 5.
FIG. 7 is a view illustrating the two subchips of FIG. 6 rotated in accordance with a temperature change after photoalignment.
8 is a plan view showing a cutting line of a temperature independent AWG module according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a view illustrating cutting of an AWG chip into two subchips along the cutting line of FIG. 8.
FIG. 10 is a view illustrating the two subchips of FIG. 9 being rotated in accordance with a temperature change after photoalignment.
11 is a view showing a process of photoalignment after cutting the incision surface of the temperature-independent AWG module according to the invention to have a slope.
12 to 18 show exemplary transfer members for rotating the subchip.
본 발명의 일 실시예에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈은 적어도 도파로와 슬랩 도파로 사이 또는 상기 슬랩 도파로가 곡선으로 절개되도록 AWG칩을 절개하여 형성한 2개의 서브 칩으로서 상기 도파로를 포함하는 제1 서브 칩과 상기 슬랩 도파로를 포함하는 제2 서브 칩; 상기 제1 서브 칩과 제2 서브 칩의 도파로와 슬랩 도파로가 광정렬되어 위치하는 정렬 기판; 및 외부 온도 변화에 따라 상기 정렬 기판 위의 제1 서브 칩과 상기 제2 서브 칩 중 적어도 하나를 회전 이동시키는 이송 부재를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a temperature-independent AWG module includes two sub-chips formed by cutting an AWG chip such that at least the waveguide and the slab waveguide are cut or the slab waveguide is cut in a curved line, and the first sub-chip includes the waveguide. A second sub chip including the slab waveguide; An alignment substrate on which the waveguides and the slab waveguides of the first subchip and the second subchip are optically aligned; And a transfer member for rotating and moving at least one of the first subchip and the second subchip on the alignment substrate according to an external temperature change.
이러한 온도 무의존형 AWG 모듈을 제조하기 위해 우선, 도 1에 도시된 바와 같은 하나의 AWG칩(10)을 2개의 서브 칩으로 분할하는 칩 다이싱 단계(S100)를 진행한다.In order to manufacture such a temperature-independent AWG module, first, a chip dicing step S100 of dividing one
본 발명에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈은 2개의 서브 칩으로 분할함에 있어서 적어도 도파로와 슬랩 도파로 사이 또는 슬랩 도파로가 곡선이 되도록 분할하며, 이러한 곡선의 예가 도 4에 도시되어 있다.The temperature-independent AWG module according to the present invention divides at least between the waveguide and the slab waveguide or the slab waveguide to be curved in dividing into two sub-chips, an example of such a curve is shown in FIG. 4.
도 4의 라인 A는 입력 도파로(1) 쪽에 위치한 임의의 중심으로부터 동일한 거리에 있는 호(arc)의 형태이다.Line A in FIG. 4 is in the form of an arc at the same distance from any center located towards the
라인 B, C, D는 라인 A와 달리 어레이 도파로(3) 쪽에 위치한 임의의 중심으로부터 동일한 거리에 있는 호의 형태이다.Lines B, C and D, unlike line A, are in the form of arcs that are equidistant from any center located on the
이 중 라인 B는 포컬 포인트와 일치하는 라인이다. 입력 도파로와 연결되는 입력 슬랩 도파로 라인은 정확한 포컬 포인트를 계산하여 만들어지기 때문에 포컬포인트를 따라 절개하고자 할 경우 입력 도파로와 연결되는 입력 슬랩 도파로 라인을 따라 절개하면 된다.Of these, line B is the line corresponding to the focal point. Since the input slab waveguide line connected with the input waveguide is made by calculating the exact focal point, when the incision is to be made along the focal point, the input slab waveguide line is cut along the input slab waveguide line connected with the input waveguide.
라인 C와 D는 포컬 포인트와 일치하지 않으나 포컬 포인트와 동일한 곡률반경을 갖는 라인이다. 본 발명에 따른 온도 무의존성 AWG 모듈을 제조하기 위한 절개 라인은 라인 B와 같이 포컬 포인트와 일치하는 라인뿐만 아니라 포컬 포인트와 동일한 곡률반경을 갖는다면 슬랩 도파로의 어느 부분을 절개하여도 무방하다.Lines C and D are lines that do not coincide with the focal point but have the same radius of curvature as the focal point. The cutting line for manufacturing the temperature-independent AWG module according to the present invention may cut any portion of the slab waveguide as long as it has the same radius of curvature as the focal point as well as the line coinciding with the focal point as in line B.
이와 같이 본 발명에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈은 입력 또는 출력 슬랩 도파로(2 또는 4)를 포컬 포인트와 동일한 곡률 반경을 갖는 곡선으로 절개함으로써 절개 라인을 따라 서브 칩이 회전 이동하더라도 어레이 도파로에서 포컬 포인트(focal point)까지의 거리(focal length)가 일정하게 유지되어 파장 간격이 변하지 않게 된다. As described above, the temperature-independent AWG module according to the present invention cuts the input or output slab waveguide (2 or 4) into a curve having the same radius of curvature as the focal point, so that the focal point in the array waveguide even if the subchip rotates along the incision line. The focal length is kept constant so that the wavelength spacing does not change.
따라서 AWG칩을 직선으로 절개하여 이동시키는 종래 방법이 약 60도 구간(-5~55℃정도) 이내에서만 파장 간격의 오차 허용치를 만족하는데 반해 본 발명에 따른 AWG 모듈은 채널수, 대역폭, 파장 간격에 관계없이 모든 AWG에서 온도에 무관하게 적용될 수 있다.Therefore, while the conventional method of cutting and moving the AWG chip in a straight line satisfies the tolerance of the wavelength gap only within a range of about 60 degrees (about -5 to 55 ° C), the AWG module according to the present invention has the number of channels, bandwidth, and wavelength gap. Regardless of temperature, it can be applied regardless of temperature in all AWGs.
비록 도 4에는 입력 도파로(1)와 입력 슬랩 도파로(2)가 도시되어 있으나 본 발명에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈을 구현하기 위해 출력 슬랩 도파로(4)와 출력 도파로(5) 사이 또는 출력 슬랩 도파로(4)를 도 4에 도시된 바와 같이 곡선으로 분할하여도 무방하다.Although the
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같은 라인을 따라 AWG칩(10)을 2개의 서브칩(10a, 10b)으로 분할하는 방법을 도 5 내지 도 10을 참고로 설명한다.Next, a method of dividing the AWG
본 발명의 일 실시예에 따라 AWG칩을 분할하는 방법은 도 5에 도시된 바와 같이 입력 도파로(1)와 입력 슬랩 도파로(2) 사이 또는 입력 슬랩 도파로(2)가 곡선으로 절개되도록 임의의 점(O1)을 중심으로 원을 그리며 절개하며, 나머지 영역은 AWG칩의 다른 패턴에 영향을 미치지 않도록 직선 내지 곡선으로 절개하여 AWG칩(10)을 분할하는 방법이다(이하 "방법 1").According to an embodiment of the present invention, a method of dividing an AWG chip may be performed at an arbitrary point so that an
온도 보정을 위해 이동하는 거리는 매우 미세하기 때문에 미세하게 이동 및 꼭 접촉이 필요한 부분(입력 도파로(1)와 입력 슬랩 도파로(2) 사이 또는 입력 슬랩 도파로)만 임의의 점(O1)을 중심으로 원형으로 절개되면 되고, 나머지 영역은 곡선 내지 직선이어도 무방하다.The distance traveled for temperature correction is very fine, so only the parts that need to be moved and tightly contacted (between the
입력 도파로(1)와 입력 슬랩 도파로(2) 사이 또는 입력 슬랩 도파로의 곡선 절개 라인은 포컬 포인트와 동일한 곡률반경을 갖도록 하는 것이 바람직하다.It is preferable that the curved cut line between the
이렇게 분리된 2개의 서브칩(10a, 10b)은 다시 끼워맞춰져 광정렬된 후 온도에 따라 상대적으로 회전하는 방식으로 온도에 관계없이 파장을 일정하게 조절할 수 있다.The two sub-chips 10a and 10b separated in this way may be refitted and aligned so that the wavelength may be constantly adjusted regardless of the temperature in a manner of relatively rotating according to the temperature.
방법 1에 따라 2개로 분할된 서브칩(10a, 10b)은 도 6에 도시된 바와 같은 직선(또는 곡선) 경계면에 의해 반시계 방향(또는 시계 방향)으로 회전할 수 없는 경우가 발생할 수 있다. 이 경우 경계 부분, 즉 제1 서브칩의 P1부분 또는 제2 서브칩의 P2부분을 추가로 절개하여 갭을 형성하면, 도 7에 도시된 바와 같이 제1 서브칩(10a) 또는 제2 서브칩(10b)이 자유롭게 회전할 수 있다.According to the
비록 도 5 내지 도 7이 도 4의 라인 B 내지 D를 따라 AWG칩을 분할하는 방식으로 도시되어 있으나 라인 A를 따라 AWG칩을 분할하는 경우에도 방법 1을 사용할 수 있다.Although FIGS. 5 to 7 are shown in a manner of dividing the AWG chip along the lines B to D of FIG. 4, the
본 발명의 다른 실시예에 따라 AWG칩을 분할하는 방법은 도 8에 도시된 바와 같이 입력 도파로(1)와 입력 슬랩 도파로(2) 사이 또는 입력 슬랩 도파로(2)가 곡선으로 절개되도록 임의의 점(O2)을 중심으로 원을 그리며 절개하는 방법이다(이하 "방법 2").According to another embodiment of the present invention, a method of dividing an AWG chip may include an arbitrary point such that an
방법 2는 방법 1에 비해 한 번의 공정으로 AWG칩 분할을 완성할 수 있어 공정면에서 장점을 갖는 방법이다.
도 9에 도시된 바와 같이 방법 2에 의해 분할된 제1 서브칩(10a)과 제2 서브칩(10b)은 온도 무의존형 AWG 모듈을 형성하기 위해 다시 광정렬된다. 그리고 도 10에 도시된 바와 같이 온도 변화에 따라 절개된 라인을 따라 제1 서브칩(10a) 및/또는 제2 서브칩(10b)이 회전되도록 함으로써 온도 변화에 관계없이 파장이 일정하게 유지되는 본 발명에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈이 구현된다.As shown in FIG. 9, the
비록 도 8 내지 도 10이 도 4의 라인 A를 따라 AWG칩을 분할하는 방식으로 도시되어 있으나 라인 B 내지 D를 따라 AWG칩을 분할하는 경우에도 포컬 포인트의 곡률 반경이 큰 경우 방법 2를 사용할 수 있다.Although FIGS. 8 to 10 are shown in a manner of dividing the AWG chip along the line A of FIG. 4, the
또한 도 5 내지 도 10에서 임의의 점(O1, O2)은 AWG칩 위에 위치하지만 반드시 AWG칩 위에 위치할 필요는 없다.Also, in FIGS. 5 to 10, arbitrary points O 1 and O 2 are located on the AWG chip, but are not necessarily located on the AWG chip.
또한 비록 도 5 내지 도 10에는 AWG칩 분할에 의해 AWG칩 패턴 중 입력 도파로(1)와 입력 슬랩 도파로(2) 사이 또는 입력 슬랩 도파로(2)가 절개되는 것으로 도시되어 있으나 출력 도파로(5)와 출력 슬랩 도파로(4) 사이 또는 출력 슬랩 도파로(4)가 절개되도록 분할되어도 된다.In addition, although FIGS. 5 to 10 show that the
이러한 AWG칩 분할을 위해 도 11(a)에 도시된 바와 같은 레이저 절단 장비 또는 기계적 절단 장비를 이용할 수 있다. For such AWG chip splitting, laser cutting equipment or mechanical cutting equipment as shown in FIG. 11 (a) may be used.
이 때 AWG칩과 수직이 되도록 분할할 수도 있으나 도 11(a)에 도시된 바와 같이 절단 장비의 각도를 기울여 도 11(b)에 도시된 바와 같이 절개면이 경사면이 되도록 하는 것이 보다 바람직하다.At this time, it may be divided so as to be perpendicular to the AWG chip, but as shown in FIG. 11 (a), it is more preferable to incline the cutting equipment so that the cut surface becomes an inclined surface as shown in FIG. 11 (b).
즉, 절개면이 경사면이 되도록 할 경우 굴절률이 다른 매질을 광이 수직으로 통과할 때 반사되어 발생하는 반사 손실을 해결할 수 있다. 또한 도 11(c)에 도시된 바와 같이 제2 서브칩(10b)에 제1 서브칩(10a)을 끼워넣을 때 광정렬이 매우 용이하고 우수하게 이루어질 수 있다.That is, when the incision surface is an inclined surface, it is possible to solve the reflection loss generated when the light passes vertically through a medium having a different refractive index. In addition, as shown in FIG. 11C, when the
이러한 절개면은 도 11(a)에 도시된 바와 같이, AWG칩 바닥면에 수직한 법선과 8°~15°의 경사를 이루는 것이 바람직하다.As shown in Figure 11 (a), it is preferable to form an inclination of 8 ° ~ 15 ° with a normal perpendicular to the bottom surface of the AWG chip.
이렇게 분할된 두 개의 서브 칩(10a, 10b)은 제1 서브칩의 입력 도파로(또는 슬랩 도파로)와 제2 서브칩의 슬랩 도파로가 광정렬되도록 도 11(c)에 도시된 바와 같이 정렬 기판(20) 위에 정렬된다. The two sub-chips 10a and 10b thus divided are arranged as shown in FIG. 11 (c) so that the input waveguide (or slab waveguide) of the first subchip and the slab waveguide of the second subchip are optically aligned. 20) aligned above.
정렬 기판은 분할된 서브 칩을 재정렬하기 위한 별도의 기판일 수도 있으며, 모듈 케이스가 될 수도 있다.The alignment substrate may be a separate substrate for realigning the divided subchips, or may be a module case.
본 발명에 따른 온도 무의존형 AWG칩 모듈은 원형(곡선)부분을 포함하고 있기 때문에 종래 직선으로 절개한 AWG칩에서 광정렬을 위해 정밀히 슬라이딩 시켜야하는 문제 없이 끼워넣기 식으로 훨씬 용이하게 광정렬 할 수 있다. 특히 도 11(b)와 같이 절개면이 경사면이 될 경우 더욱 광정렬이 용이하다.Since the temperature-independent AWG chip module according to the present invention includes a circular (curved) portion, it is possible to perform optical alignment much more easily by inserting without the problem of precisely sliding for optical alignment in the conventionally cut AWG chip. have. In particular, when the incision surface becomes an inclined surface as shown in FIG.
또한 광신호가 제1 서브칩에서 제2 서브칩으로 입사되는 과정에서 굴절률이 다른 매질을 통과함에 따라 광 손실이나 반사 손실 등이 발생한다. 이 때 광 손실이나 반사 손실 등의 문제를 해결하기 위해 굴절률 보정용 인덱스 매칭 젤(Index Matching Gel) 또는 오일을 사용할 수도 있으며, 앞서 설명한 바와 같이 절개면이 경사면이 되도록하여 반사 손실을 해소할 수도 있다. In addition, when an optical signal is incident from the first subchip to the second subchip, light loss or reflection loss occurs as the refractive index passes through a medium having different refractive indices. In this case, in order to solve problems such as light loss or reflection loss, an index matching gel or an oil for refractive index correction may be used, and as described above, the reflection loss may be eliminated by making the incision plane become an inclined plane.
본 발명에 따른 온도 무의존형 AWG모듈은 제1 서브칩 및/또는 제2 서브칩을 온도 변화에 따라 회전시켜 온도에 따라 변화하는 굴절률에 AWG의 파장이 변하는 문제를 해결하며, 이를 위해 제1 서브칩 및/또는 제2 서브칩을 회전시켜주는 이동부재(30)를 구비해야한다. The temperature-independent AWG module according to the present invention solves the problem of changing the wavelength of the AWG to the refractive index which changes with temperature by rotating the first sub-chip and / or the second sub-chip according to the temperature change. A moving
본 발명에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈에서는 이동부재로 도12a 및 도12b와 같이 온도에 따라 구부러지는 각도가 달라지는 바이메탈을 이용할 수 있다. 도12a와 도 12b에는 AWG칩을 절개한 원형의 중심에 바이메탈을 연결시켜 제1 서브칩 또는 제2 서브칩을 회전시키도록 하고 있으나 부착되는 위치는 변동이 가능하다.In the temperature-independent AWG module according to the present invention, as the moving member, as shown in FIGS. 12A and 12B, a bimetal whose bending angle varies according to temperature may be used. 12A and 12B, the bimetal is connected to the center of the circle in which the AWG chip is cut to rotate the first sub chip or the second sub chip, but the attachment position may vary.
본 발명에 사용될 수 있는 다른 이동부재로서 도 13에 도시된 바와 같은 이동부재가 사용될 수 있다. 이러한 이동부재는 일측이 고정된 벤치마크(bench mark)(33), 온도 변화에 따라 팽창 또는 수축하는 열 팽창 조절 부재(31), 및 열 팽창 조절 부재의 팽창 또는 수축에 따라 상기 제1 서브 칩 또는 제2 서브 칩을 회전시키기 위해 회전축에 연결된 회전 부재(32)를 포함하여 이루어진다.As another moving member that can be used in the present invention, a moving member as shown in FIG. 13 may be used. The movable member has a benchmark 33 fixed to one side, a thermal
또한 본 발명에 사용될 수 있는 또 다른 이동부재로서 도 14에 도시된 바와 같은 이동부재가 사용될 수 있다. 이러한 이동부재는 도 13에 도시된 이동부재와 달리 열 팽창 부재(31')에 제1 톱니부가 형성되어 있으며, 회전 부재(32')에 회전축을 중심으로 상기 제1 톱니부에 맞물려 돌아가는 제2 톱니부가 형성되어 있도록 구성하여 서브칩이 회전되도록 구성한다.In addition, a moving member as shown in FIG. 14 may be used as another moving member that may be used in the present invention. Unlike the movable member illustrated in FIG. 13, the movable member has a first toothed portion formed in the
또한 본 발명에 사용될 수 있는 또 다른 이동부재로서 도 15에 도시된 바와 같은 이동부재가 사용될 수 있다. 이러한 이동부재는 도 13 및 도 14의 이동부재와 달리 열 팽창 조절 부재(31)와 회전 부재(32)가 서로 고정되지 않은 채 접촉되어 있으며, 회전 부재를 열 팽창 조절 부재 쪽으로 밀어주는 스프링(35)과 열 팽창 조절 부재(31)를 이용하여 팽창과 복원을 통해 회전을 제어한다.In addition, a moving member as shown in FIG. 15 may be used as another moving member that may be used in the present invention. Unlike the movable members of FIGS. 13 and 14, the movable member has a
도 12 내지 도 15에는 제1 서브칩 또는 제2 서브칩이 회전하는 것으로 도시되어 있으나 제1 서브칩과 제2 서브칩이 모두 회전하도록 구현할 수도 있다.12 to 15 illustrate that the first subchip or the second subchip rotates, but the first subchip and the second subchip may both rotate.
또한 도 12 내지 도 15에는 이동부재가 서브칩과 외부부재(예를 들어 정렬기판) 사이에 위치하도록 도시하고 있으나 도 16과 같이 이동부재를 2개의 서브칩 사이에 온도에 따라 선형적으로 팽창과 수축을 하는 재료(일반적으로 가공이 쉽고 저렴한 알루미늄이 적당함)로 만든 부재(31)를 위치시킬 수도 있다.12 to 15 illustrate that the movable member is positioned between the subchip and the external member (for example, the alignment substrate), but as shown in FIG. It is also possible to position the
본 발명에 따른 일 실시예에 따른 온도 무의존형 AWG 모듈 제조 방법을 정리하면, 도 17에 도시된 바와 같이 우선 AWG칩(10)을 절개하고, 절개된 서브칩을 정렬기판(20)에 광정렬되도록 위치시키고, 제1 서브칩 및/또는 제2 서브칩이 회전할 수 있도록 이동부재를 설치하는 단계로 이루어진다.Arranging a method of manufacturing a temperature-independent AWG module according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 17, first, the
이 때 회전하지 않는 서브칩은 이동부재에 접착되도록 고정시킬 수 있으며, 회전하는 서브칩이 들뜨지 않도록 도 17에 도시된 바와 같이 이동부재를 서브칩 쪽으로 눌러주는 탄성부재(35)를 이동부재가 구비할 수도 있다.At this time, the non-rotating subchip can be fixed to be bonded to the moving member, the moving member is provided with an
또 다른 실시예로서 도 18a와 도 18b와 같이 정렬기판(20)이 서브칩을 회전시키는 구성요소를 구비하도록 할 수도 있다.In another embodiment, as shown in FIGS. 18A and 18B, the
예를 들어 정렬기판의 일부가 회전되도록 하거나 정렬기판에 회전판을 부착하여 구현할 수 있다.For example, a part of the alignment substrate may be rotated or a rotating plate may be attached to the alignment substrate.
이 때 AWG 모듈을 제조하는 방법은 AWG칩을 절개하고 회전부를 구비한 정렬기판에 서브칩을 위치시키는 단계로 이루어진다.In this case, the method for manufacturing the AWG module consists of cutting the AWG chip and placing the subchip on an alignment substrate having a rotating part.
이 때 서브칩을 정렬기판에 위치시킨 후 한 번의 연삭 또는 밀링 가공을 수행하여 서브칩이 동일한 높이를 확보하여 광 정렬이 용이하게 되도록 할 수 있다.In this case, the subchip may be positioned on the alignment substrate and then subjected to one grinding or milling process to ensure the same height of the subchip to facilitate light alignment.
비록 지금까지 구체적인 실시예를 참고로 본 발명을 상세히 설명하였으나 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 당업자에 의해 수정 및 변형되어 실시될 수 있으며, 그러한 수정 및 변형 역시 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be modified or altered by those skilled in the art without departing from the gist of the invention. Modifications and variations should also be regarded as falling within the scope of the following claims.
1: 입력 도파로 2: 입력 슬랩 도파로
3: 어레이 도파로 4: 출력 슬랩 도파로
5: 출력 도파로 10: AWG 칩1: input waveguide 2: input slab waveguide
3: array waveguide 4: output slab waveguide
5: output waveguide 10: AWG chip
Claims (10)
Two sub-chips formed by cutting an AWG chip such that at least the waveguide and the slab waveguide or the slab waveguide are cut in a curved line are formed by optical alignment, and at least one of the two sub-chips changes in refractive index of the waveguide according to temperature change. Temperature-independent AWG module, characterized in that the rotational movement along the curve cut to cancel.
상기 2개의 서브 칩은
상기 도파로를 포함하는 제1 서브 칩과 상기 슬랩 도파로를 포함하는 제2 서브 칩; 또는
상기 도파로와 일부 슬랩 도파로를 포함하는 제1 서브칩과 나머지 슬랩 도파로를 포함하는 제2 서브 칩;
으로 구성되며,
상기 제1 서브 칩과 제2 서브 칩의 도파로와 슬랩 도파로가 광정렬되어 위치하는 정렬 기판; 및
외부 온도 변화에 따라 상기 정렬 기판 위의 제1 서브 칩과 상기 제2 서브 칩 중 적어도 하나를 회전 이동시키는 이송 부재;
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 온도 무의존형 AWG 모듈.
The method of claim 1,
The two sub-chips
A first sub chip including the waveguide and a second sub chip including the slab waveguide; or
A first subchip including the waveguide and some slab waveguides, and a second subchip including the remaining slab waveguides;
Lt; / RTI >
An alignment substrate on which the waveguides and the slab waveguides of the first subchip and the second subchip are optically aligned; And
A transfer member for rotating and moving at least one of the first subchip and the second subchip on the alignment substrate according to an external temperature change;
Temperature-independent AWG module, characterized in that comprises a.
상기 도파로와 슬랩 도파로 사이, 또는 상기 슬랩 도파로의 곡선 절개면은 상기 도파로와 만나는 상기 슬랩 도파로의 곡면 또는 포컬 포인트에 대응하거나, 포컬 포인트와 동일한 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 온도 무의존형 AWG 모듈.
The method of claim 2,
The curved cutaway between the waveguide and the slab waveguide, or the slab waveguide corresponds to the curved surface or focal point of the slab waveguide that meets the waveguide, or has the same radius of curvature as the focal point.
상기 제1 서브 칩과 제2 서브 칩의 절개면은 임의의 축을 중심으로 동일한 반경으로 절개된 형상인 것을 특징으로 하는 온도 무의존형 AWG 모듈.
The method of claim 2,
The incision surface of the first sub-chip and the second sub-chip is a temperature-independent AWG module, characterized in that the shape cut in the same radius around an axis.
상기 제1 서브 칩과 제2 서브 칩의 절개면은 임의의 축을 중심으로 동일한 반경으로 절개된 제1 영역과 직선 또는 곡선으로 절개된 제2 영역으로 이루어진 것을 특징으로 하는 온도 무의존형 AWG 모듈.
The method of claim 2,
The incision surface of the first sub-chip and the second sub-chip is a temperature-independent AWG module, characterized in that consisting of a first region cut in the same radius around an axis and a second region cut in a straight line or curve.
상기 제1 서브 칩의 제2 영역과 제2 서브 칩의 제2 영역 사이에는 회전시 제1 서브 칩과 제2 서브 칩이 중첩되지 않기 위한 갭이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 무의존형 AWG 모듈.
The method of claim 5,
A temperature independent AWG module, wherein a gap is formed between the second region of the first subchip and the second region of the second subchip so that the first subchip and the second subchip do not overlap during rotation. .
상기 이송 부재는 온도 변화에 따라 팽창 또는 수축하여 상기 임의의 축을 중심으로 제1 서브 칩과 상기 제2 서브 칩 중 적어도 하나를 회전 이동시키는 것을 특징으로 하는 온도 무의존형 AWG 모듈.
7. The method according to any one of claims 4 to 6,
And the transfer member expands or contracts in response to a temperature change to rotate at least one of the first subchip and the second subchip about the arbitrary axis.
정렬 기판 위에 상기 제1 서브 칩의 도파로와 상기 제2 서브 칩의 슬랩 도파로가 광정렬되도록 정렬하는 서브칩 정렬 단계; 및
외부 온도 변화에 따른 굴절률 변화가 상쇄되도록 상기 정렬 기판 위의 제1 서브 칩과 상기 제2 서브 칩 중 적어도 하나를 절개된 곡선을 따라 회전시키는 이송부재를 설치하는 이송부재 설치 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 무의존형 AWG 모듈 제조 방법.
A chip dicing step of dividing the AWG chip into two subchips so that at least the waveguide and the slab waveguide are cut in a curved line between at least the opposite waveguide and the slab waveguide;
A subchip alignment step of aligning the waveguide of the first subchip and the slab waveguide of the second subchip so as to be optically aligned on the alignment substrate; And
A transfer member installation step of installing a transfer member for rotating at least one of the first subchip and the second subchip on the alignment substrate along the cut curve such that a change in refractive index due to an external temperature change is canceled;
Temperature-independent AWG module manufacturing method comprising a.
회전부를 갖는 정렬 기판에 상기 제1 서브 칩과 상기 제2 서브칩이 광정렬 되되 상기 절개된 곡선을 따라 상대적으로 회전할 수 있도록 상기 정렬 기판에 위치시키는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 무의존형 AWG 모듈 제조 방법.
A chip dicing step of dividing the AWG chip into two subchips so that at least the waveguide and the slab waveguide are cut in a curved line between at least the opposite waveguide and the slab waveguide; And
Positioning the first subchip and the second subchip on the alignment substrate having a rotation part so that the first subchip and the second subchip are optically aligned and relatively rotate along the cut curve;
Temperature-independent AWG module manufacturing method comprising a.
상기 칩 다이싱 단계에서 도파로와 슬랩 도파로 사이 또는 슬랩 도파로의 곡선 절개면이 상기 도파로와 만나는 상기 슬랩 도파로의 곡면 또는 포컬 포인트 라인을 따라 절개되거나 포컬 포인트와 동일한 곡률반경을 갖도록 절개되는 것을 특징으로 하는 온도 무의존형 AWG 모듈 제조 방법.
10. The method according to claim 8 or 9,
In the chip dicing step, the curved incision between the waveguide and the slab waveguide or the slab waveguide is cut along the curved or focal point line of the slab waveguide that meets the waveguide or cut to have the same curvature radius as the focal point. Method for manufacturing temperature independent AWG module.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20120113842 | 2012-10-12 | ||
KR1020120113842 | 2012-10-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101279015B1 true KR101279015B1 (en) | 2013-07-02 |
Family
ID=48996108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120119392A KR101279015B1 (en) | 2012-10-12 | 2012-10-26 | Athermal awg module and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101279015B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113703092A (en) * | 2021-07-02 | 2021-11-26 | 浙江大学 | Temperature-insensitive flat-field type array waveguide grating router |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100518935B1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-10-05 | 주식회사 옵테론 | Arrayed waveguide grating device |
KR100763790B1 (en) * | 2005-01-07 | 2007-10-08 | (주)포인테크 | Temperature Insensitive Arrayed Waveguide Grating Module and Manufacturing Method Thereof |
KR101084991B1 (en) | 2009-03-26 | 2011-11-21 | (주)웨이옵틱스 | Arrayed waveguide grating and manufacturing method thereof |
US20120002918A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Wavelength multiplexer/demultiplexer and method of manufacturing the same |
-
2012
- 2012-10-26 KR KR1020120119392A patent/KR101279015B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100518935B1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-10-05 | 주식회사 옵테론 | Arrayed waveguide grating device |
KR100763790B1 (en) * | 2005-01-07 | 2007-10-08 | (주)포인테크 | Temperature Insensitive Arrayed Waveguide Grating Module and Manufacturing Method Thereof |
KR101084991B1 (en) | 2009-03-26 | 2011-11-21 | (주)웨이옵틱스 | Arrayed waveguide grating and manufacturing method thereof |
US20120002918A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Wavelength multiplexer/demultiplexer and method of manufacturing the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113703092A (en) * | 2021-07-02 | 2021-11-26 | 浙江大学 | Temperature-insensitive flat-field type array waveguide grating router |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100942070B1 (en) | Array waveguide diffraction grating | |
US8369666B2 (en) | Optical wavelength multiplexing/ de-multiplexing circuit | |
US8867873B2 (en) | Arrayed waveguide grating | |
US6954566B2 (en) | Apparatus for thermal compensation of an arrayed waveguide grating | |
US7756376B2 (en) | Optical functional waveguide, optical modulator, arrayed waveguide grating, and dispersion compensation circuit | |
WO2018036035A1 (en) | Athermal arrayed wavelength grating with temperature compensation and manufacturing method thereof | |
RU2596176C2 (en) | Temperature-compensated grating units based on set of waveguides | |
JPWO2002033462A1 (en) | Arrayed waveguide type diffraction grating and method of correcting center wavelength of light transmission thereof | |
JP5351522B2 (en) | Temperature-independent arrayed waveguide grating multiplexer / demultiplexer and its fabrication method for optical property compensation | |
JP4385168B2 (en) | Diffraction grating and dispersion compensation circuit | |
US11092741B2 (en) | Athermal arrayed waveguide grating using precise parallel movement module, and manufacturing method therefor | |
KR101279015B1 (en) | Athermal awg module and manufacturing method thereof | |
WO2009104664A1 (en) | Waveguide type optical device | |
JP6389443B2 (en) | Hybrid integrated optical device and manufacturing method thereof | |
WO2012002368A1 (en) | Arrayed waveguide grating optical division multiplexing module | |
US20130101252A1 (en) | Arrayed-waveguide grating having tailored thermal-shift characteristics and an optical assembly employing the same | |
WO2012026524A1 (en) | Mach-zehnder interferometer arrayed waveguide grating and planar lightwave circuit chip | |
US6947636B2 (en) | Optical module | |
JP2002131566A (en) | Optical part having optical waveguide interval converting part, optical circuit and method for manufacturing optical circuit | |
KR101327158B1 (en) | Device for arrayed waveguide grating | |
JP5066494B2 (en) | Optical multiplexer / demultiplexer | |
WO2012039142A1 (en) | Optical waveguide circuit | |
JP2014035474A (en) | Array waveguide diffraction grating type optical multiplexer/demultiplexer | |
KR101341940B1 (en) | Athermal arrayed waveguide grating module | |
JP2001324629A (en) | Array waveguide type diffraction grating |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180531 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190528 Year of fee payment: 7 |