KR101277504B1 - Apparatus for etching a substrate - Google Patents

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Abstract

기판 식각 장치는 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버, 챔버 내에 설치되고, 기판의 이면에 식각 가스를 공급하기 위하여 개구가 형성된 몸체 및 개구와 연통된 가스 공급 라인을 구비하는 가스 공급부 및 기판의 이면의 중심부를 제외한 상기 기판의 일부를 지지하는 지지 부재를 포함한다. 따라서, 기판의 이면에 플라즈마가 생성되고, 그 결과 기판의 이면에 흡착된 이물질이 제거된다.The substrate etching apparatus includes a chamber providing a space for processing a substrate, a gas supply unit installed in the chamber, the body having an opening for supplying an etching gas to the rear surface of the substrate, and a gas supply unit having a gas supply line in communication with the opening; And a support member for supporting a portion of the substrate except for the central portion of the substrate. Thus, plasma is generated on the back side of the substrate, and as a result, foreign matter adsorbed on the back side of the substrate is removed.

Description

기판 식각 장치{APPARATUS FOR ETCHING A SUBSTRATE}Substrate Etching Equipment {APPARATUS FOR ETCHING A SUBSTRATE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100, 200, 300 : 기판 식각 장치 110, 210, 310 : 챔버100, 200, 300: substrate etching apparatus 110, 210, 310: chamber

120, 220, 230 : 가스 공급부 140, 240, 340 : 상부 전극120, 220, 230: gas supply unit 140, 240, 340: upper electrode

150, 250 : 지지 부재 170 : 제1 가스 공급부150, 250: support member 170: first gas supply portion

237 : 홀 341 : 몸체237: hole 341: body

343 : 홀더부 345 : 제2 가스 공급부343: holder portion 345: second gas supply portion

본 발명은 식각 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 반도체 기 판의 이면에 흡착된 이물질을 제거하기 위한 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an etching apparatus. More particularly, the present invention relates to an etching apparatus for removing foreign matter adsorbed on the back surface of a semiconductor substrate.

일반적으로, 반도체 소자의 제조에서 반도체 기판 상에 박막을 적층할 때 반도체 기판의 이면에 불필요하게 상기 박막이 적층되는 상황이 빈번하게 발생한다. 여기서, 상기 반도체 기판의 이면에 적층된 박막은 이물질로서 상기 반도체 기판 상에 박막을 적층한 후, 상기 박막을 패터닝하기 위한 식각 공정에서 오염원으로 작용한다.In general, in the manufacture of a semiconductor device, when the thin film is laminated on the semiconductor substrate, a situation in which the thin film is unnecessarily laminated on the back surface of the semiconductor substrate frequently occurs. Here, the thin film laminated on the back surface of the semiconductor substrate serves as a source of contamination in the etching process for patterning the thin film after laminating the thin film on the semiconductor substrate as a foreign material.

그러므로, 상기 반도체 소자의 제조에서는 상기 반도체 기판 상에 박막을 적층한 후, 상기 반도체 기판의 이면에 잔류하는, 즉 흡착된 이물질을 식각하는 공정을 수행한다.Therefore, in the fabrication of the semiconductor device, a thin film is deposited on the semiconductor substrate, and then a process of etching foreign matter remaining on the back surface of the semiconductor substrate, that is, adsorbed.

상기 반도체 소자의 제조에서는 상기 반도체 기판의 이면에 흡착된 이물질 각각을 개별 공간에서 케미컬을 이용하는 세정 공정 또는 기계적 화학적 연마 공정을 이용하는 반도체 기판의 이면에 잔류하는 이물질을 제거하고 있다.In the manufacturing of the semiconductor device, foreign substances adsorbed on the back surface of the semiconductor substrate are removed from the back surface of the semiconductor substrate using a chemical cleaning process or a mechanical chemical polishing process in a separate space.

따라서, 종래에는 반도체 기판의 가장자리 부분에 흡착된 이물질과 반도체 기판의 이면에 흡착된 이물질을 식각하는 공정에 소요되는 시간이 연장되고, 그 결과 반도체 소자의 제조에 따른 생산성이 현저하게 저하되는 문제점이 있다.Therefore, in the related art, the time required for etching the foreign matter adsorbed on the edge portion of the semiconductor substrate and the foreign matter adsorbed on the back surface of the semiconductor substrate is prolonged, and as a result, the productivity of the semiconductor device is significantly reduced. have.

본 발명의 일 목적은 반도체 기판의 이면에 흡착된 이물질을 제거할 수 있는 식각 장치를 제공하는데 있다.One object of the present invention is to provide an etching apparatus capable of removing foreign matter adsorbed on the back surface of a semiconductor substrate.

상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 식각 장치 는 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판의 이면에 식각 가스를 공급하기 위하여 개구가 형성된 몸체 및 상기 개구와 연통된 가스 공급 라인을 구비하는 가스 공급부 및 상기 기판의 이면의 중심부를 제외한 상기 기판의 일부를 지지하는 지지 부재를 포함한다. 여기서, 상기 지지 부재는 상기 가스 공급부와 상부로 이격되어 배치되며, 상기 기판의 주변부의 이면과 부분적으로 접촉하여 상기 기판을 지지할 수 있다. 또한, 상기 지지 부재는 상기 기판의 상면의 기류가 상기 기판의 이면의 기류보다 높은 속도를 갖도록 하여 베르누이 정리에 의하여 상기 반도체 기판의 상면을 비접촉 상태에서 홀딩할 수 있다. 또한, 상기 몸체는 절연성 물질을 포함하고, 그 내부에 고주파 에너지를 인가받을 수 있는 도전성 패턴이 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 몸체는 고주파 에너지를 인가받을 수 있도록 도전성 물질을 포함하고, 상기 몸체에 대향하며, 상기 몸체에 상기 고주파 에너지가 인가될 때 접지되어 플라즈마를 생성하는 상부 전극을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 상부 전극에 대하여 하방으로 이격되어 배치되며 상기 기판의 전면에 인접하여 플라즈마의 발생을 억제하기 위하여 절연체를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 절연체에는 퍼지 가스를 상기 기판의 전면으로 공급하기 위하여 복수의 홀이 형성될 수 있다.Etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object is a chamber for providing a space for processing a substrate, the body is installed in the chamber, the opening is formed to supply an etching gas to the back surface of the substrate and And a gas supply unit having a gas supply line communicating with the opening, and a support member supporting a part of the substrate except for the central portion of the rear surface of the substrate. The support member may be disposed to be spaced apart from the gas supply part, and to partially contact the back surface of the peripheral part of the substrate to support the substrate. In addition, the support member may hold the upper surface of the semiconductor substrate in a non-contact state by Bernoulli theorem such that the airflow of the upper surface of the substrate is higher than the airflow of the rear surface of the substrate. In addition, the body may include an insulating material, and a conductive pattern may be formed therein to receive high frequency energy. Alternatively, the body may further include an upper electrode including a conductive material so as to receive high frequency energy, facing the body, and grounded to generate a plasma when the high frequency energy is applied to the body. In an exemplary embodiment, the insulator may further include an insulator spaced downward from the upper electrode to suppress generation of plasma adjacent to the front surface of the substrate. Here, a plurality of holes may be formed in the insulator to supply a purge gas to the front surface of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 식각 장치는 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판의 이면에 식각 가스를 공급하기 위하여 개구가 형성된 몸체 및 상기 개구와 연통된 가스 공급 노즐을 구비하는 가스 공급부, 상기 기판의 이면의 제1부를 지지하는 제1 지지 부재 및 상기 제1부를 제 외한 상기 기판의 이면의 제2부를 지지하는 제2 지지 부재를 포함한다.In one embodiment of the present invention, the etching apparatus is a chamber for providing a space for processing the substrate, the body is installed in the chamber, the body formed with an opening for supplying the etching gas to the back surface of the substrate and the gas in communication with the opening And a gas supply part having a supply nozzle, a first support member supporting a first part of the back side of the substrate, and a second support member supporting a second part of the back side of the substrate excluding the first part.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 식각 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 설치되고, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가되며 식각 가스가 상방으로 상기 챔버 내로 공급될 수 있는 개구가 형성된 가스 공급부, 상기 가스 공급부의 상부에 위치하며, 상기 가스 공급부에 고주파 에너지가 인가될 때 상기 고주파 에너지가 인가되거나 접지되는 하부 전극 및 상기 가스 공급부와 마주보도록 배치되며, 상기 가스 공급부에 고주파 에너지가 인가될 때 전기적으로 접지되는 상부 전극을 포함한다. 식각 장치는 상기 하부 전극의 상부에 이격되어 배치되며, 상기 기판의 주변부의 이면과 접촉하여 상기 기판을 지지하는 지지 부재를 더 포함할 수 있다. 또한, 식각 장치는 상기 하부 전극의 상부에 위치하며, 상기 식각 가스를 상기 기판의 이면 상에 고르게 공급하는 샤워 헤드를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 하부 전극은 상기 가스 공급부와 이격되어 플라즈마 형성 공간을 제공하며, 상기 공정 가스가 상기 기판으로 유동할 수 있는 복수의 홀이 형성된 메쉬 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 상부 전극은 상기 기판의 상면의 기류가 상기 기판의 이면의 기류보다 높은 속도를 갖도록 하여 베르누이 정리에 의하여 상기 기판을 비접촉 상태에서 홀딩할 수 있다. 여기서, 상기 상부 전극은, 회전 가능한 몸체, 상기 몸체의 단부로부터 상기 전극과 마주보도록 연장되어, 상기 몸체가 회전할 때 상기 기판의 상면 주위의 기류 속도를 증가시키는 홀더부 및 상기 기판의 상면에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 불활성 가스는, 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스 또는 수소 가스를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the etching apparatus is a gas supply unit is installed in the chamber, the chamber, the high frequency energy for generating a plasma and the opening for the etching gas can be supplied into the chamber upwards, the gas It is located above the supply part and is disposed to face the lower electrode to which the high frequency energy is applied or grounded when the high frequency energy is applied to the gas supply part and the gas supply part, and is electrically grounded when the high frequency energy is applied to the gas supply part. And an upper electrode. The etching apparatus may further include a support member disposed to be spaced apart from an upper portion of the lower electrode and supporting the substrate by contacting a rear surface of the peripheral portion of the substrate. In addition, the etching apparatus may further include a shower head positioned on the lower electrode and supplying the etching gas evenly on the back surface of the substrate. The lower electrode may be spaced apart from the gas supply part to provide a plasma formation space, and may have a mesh structure having a plurality of holes through which the process gas may flow to the substrate. In addition, the upper electrode may hold the substrate in a non-contact state by Bernoulli theorem such that the airflow of the upper surface of the substrate has a higher velocity than the airflow of the rear surface of the substrate. Here, the upper electrode, the rotatable body, extending from the end of the body to face the electrode, inert to the upper surface of the substrate and the holder portion to increase the air flow rate around the upper surface of the substrate when the body rotates It may include a gas supply unit for supplying a gas. Here, the inert gas may include nitrogen gas, argon gas, helium gas or hydrogen gas.

이와 같이, 언급한 본 발명의 식각 장치를 이용할 경우 반도체 기판의 이면에 흡착된 이물질을 용이하게 식각할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 식각 장치는 반도체 소자의 제조에 적극적으로 활용할 수 있다.As described above, when the etching apparatus of the present invention mentioned above is used, foreign substances adsorbed on the back surface of the semiconductor substrate may be easily etched. Therefore, the etching apparatus of the present invention can be actively utilized in the manufacture of semiconductor devices.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 아울러, 도면들에 있어서, 챔버, 가스 제공부, 상부 전극, 메인 하부 전극, 보조 하부 전극 등은 그 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어진 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으 로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 기판을 대상으로 한정하고 있지만, 유리 기판 등에도 본 발명의 실시예를 확장시킬 수도 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are being provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the chamber, the gas providing unit, the upper electrode, the main lower electrode, the auxiliary lower electrode, etc. are somewhat exaggerated for clarity. The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "immediately between," or "neighboring to," and "directly neighboring to" should be interpreted as well. In addition, although the Example of this invention limits a semiconductor substrate, the Example of this invention can also be extended also to a glass substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치(100)는 챔버(110), 가스 공급부(120) 및 지지 부재(150)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the etching apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 110, a gas supply unit 120, and a support member 150.

챔버(110)는 반도체 기판(W)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 따라서, 챔버(110) 내에는 반도체 기판(W)이 배치된다.The chamber 110 provides a space for processing the semiconductor substrate W. Therefore, the semiconductor substrate W is disposed in the chamber 110.

가스 공급부(120)는 챔버(110) 내에 설치된다. 예를 들면, 가스 공급부(120)는 챔버(110)의 하부에 배치될 수 있다. 가스 공급부(120)에는 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가된다. 따라서, 후술하는 상부 전극(140) 사이에 유입된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기할 수 있다.The gas supply unit 120 is installed in the chamber 110. For example, the gas supply unit 120 may be disposed below the chamber 110. The high frequency energy for generating the plasma is applied to the gas supply unit 120. Therefore, the process gas introduced between the upper electrodes 140 described later can be excited in a plasma state.

가스 공급부(120)는 가스가 기판으로 유동할 수 있는 몸체(121) 및 가스 공급 라인(123)을 포함한다. The gas supply unit 120 includes a body 121 and a gas supply line 123 through which gas may flow to the substrate.

몸체(121)에는 공정 가스가 챔버(110) 외부로부터 챔버(110) 내부로 유입될 수 있도록 복수의 개구(125)가 형성된다. 상기 복수의 개구(125)를 통하여 공정 가스가 상방으로 이동하여 챔버(110) 내부로 유입된다. A plurality of openings 125 are formed in the body 121 to allow the process gas to flow into the chamber 110 from the outside of the chamber 110. The process gas moves upward through the plurality of openings 125 and flows into the chamber 110.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 가스 공급부(120)는 전체적으로 도전성 물질 을 포함할 수 있다. 따라서, 가스 공급부(120)에는 고주파 에너지가 인가될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 가스 공급부(120)는 절연성 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 가스 공급부(120)의 내부에는 고주파 에너지가 인가될 수 있는 도전성 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the gas supply unit 120 may include a conductive material as a whole. Therefore, high frequency energy may be applied to the gas supply unit 120. In another embodiment of the present invention, the gas supply unit 120 may include an insulating material. In this case, a conductive pattern (not shown) to which high frequency energy may be applied may be formed in the gas supply unit 120.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 식각 장치(100)는 가스 공급부(120)와 연결되어 공정 가스를 제공하는 가스 제공부(170)를 더 포함할 수 있다. 가스 제공부(170)는 공정 가스를 수용하는 가스 탱크(미도시), 상기 가스 탱크로부터 공정 가스가 이동할 수 있는 가스 제공 라인(171) 및 가스 제공 라인(171)의 일부에 공정 가스의 유량을 제어하는 밸브(173)를 포함한다.In one embodiment of the present invention, the etching apparatus 100 may further include a gas providing unit 170 connected to the gas supply unit 120 to provide a process gas. The gas providing unit 170 supplies a flow rate of the process gas to a gas tank (not shown) containing the process gas, a gas providing line 171 through which the process gas can move, and a part of the gas providing line 171. And a valve 173 for controlling.

상부 전극(140)은 가스 공급부(120)와 마주보도록 배치된다. 상부 전극(140)은 가스 공급부(120)에 고주파 에너지가 인가될 경우, 전기적으로 접지된다. 따라서, 가스 공급부(120) 및 상부 전극(140) 사이에 개재된 기판(W) 및 가스 공급부(120) 사이에는 플라즈마 상태로 여기된 공정 가스가 형성된다.The upper electrode 140 is disposed to face the gas supply unit 120. The upper electrode 140 is electrically grounded when high frequency energy is applied to the gas supply unit 120. Therefore, a process gas excited in the plasma state is formed between the gas supply unit 120 and the substrate W interposed between the gas supply unit 120 and the upper electrode 140.

지지 부재(150)는 가스 공급부(120)의 상부에 이격되어 배치되며, 상기 반도체 기판(W)의 이면과 접촉하여 상기 반도체 기판(W)을 지지한다. 지지 부재(150)는 챔버(110)의 양 측벽들로부터 연장되거나 상기 측벽들에 체결될 수 있다. 지지 부재(150)는, 예를 들면, 반도체 기판(W)의 주변부와 접촉하여 반도체 기판(W)을 접촉한다. 한편, 지지 부재(150)는 상하로 이동하여 반도체 기판(W)을 상하로 리프트시킬 수 있다.The support member 150 is spaced apart from the upper portion of the gas supply part 120, and contacts the rear surface of the semiconductor substrate W to support the semiconductor substrate W. The support member 150 may extend from both sidewalls of the chamber 110 or may be fastened to the sidewalls. The support member 150 is in contact with the peripheral portion of the semiconductor substrate W, for example, to contact the semiconductor substrate W. On the other hand, the support member 150 may move up and down to lift the semiconductor substrate W up and down.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 식각 장치(100)는 기판의 이면 중 제1 부를 지지하는 제1 지지 부재(미도시) 및 상기 제1 부를 제외한 기판의 이면의 제2 부를 지지하는 제2 지지 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 서로 다른 기판의 이면을 각각 지지하는 제1 및 제2 지지 부재들을 포함함으로써, 식각 장치(100)는 제1 지지 부재가 제1 부를 지지하는 동안 제1 부를 제외한 기판의 이면을 식각할 수 있으며, 제2 지지 부재가 제2 부를 지지하는 동안, 제2 부를 제외하고 제1 부를 포함하는 기판의 이면을 식각할 수 있다. 따라서, 식각 장치(100)는 기판의 이면을 전체적으로 식각하여, 기판의 이면에 잔류하는 이물질을 제거할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the etching apparatus 100 is a first support member (not shown) for supporting the first portion of the back surface of the substrate and the second support for supporting the second portion of the back surface of the substrate except the first portion It may further include a member (not shown). By including first and second support members respectively supporting the back surfaces of different substrates, the etching apparatus 100 may etch the back surface of the substrate except the first portion while the first support member supports the first portion, While the second support member supports the second portion, the back surface of the substrate including the first portion except the second portion may be etched. Thus, the etching apparatus 100 may etch the entire back surface of the substrate to remove foreign substances remaining on the back surface of the substrate.

한편, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 식각 장치(100)는 가스 공급부(120)의 상부에 배치되며, 상기 공정 가스를 상기 반도체 기판(W)의 이면 주위에 고르게 공급하는 샤워 헤드(미도시)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, in an embodiment of the present invention, the etching apparatus 100 is disposed above the gas supply unit 120, and shower head (not shown) for evenly supplying the process gas around the rear surface of the semiconductor substrate W. ) May be further included.

상기 샤워 헤드는, 예를 들면, 디스크 형상을 가질 수 있다. 또한, 샤워 헤드에는 그 내부에 형성된 복수의 노즐들(미도시)이 형성된다. 가스 공급부(120)에 형성된 개구(125)를 경유하여 상기 복수의 노즐들을 통하여 외부로부터 공정 가스가 반도체 기판(W)의 이면에 고르게 공급된다.The shower head may have a disk shape, for example. In addition, a plurality of nozzles (not shown) formed therein are formed in the shower head. The process gas is evenly supplied from the outside to the rear surface of the semiconductor substrate W via the plurality of nozzles via the opening 125 formed in the gas supply part 120.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 식각 장치(100)는 기판을 상하로 리프팅할 수 있는 승강 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 승강 부재는 반도체 기판(W)을 지지 부재(150)로부터 이격시키거나 지지 부재(150)에 안착시킨다.In one embodiment of the present invention, the etching apparatus 100 may further include a lifting member (not shown) that can lift the substrate up and down. The elevating member spaces the semiconductor substrate W from the supporting member 150 or seats the supporting member 150.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 식각 장치(100)는 상부 전극(140) 및 반도체 기판(W) 사이에 상호 이격되어 배치되며 반도체 기판(W)의 전면 주위에 플라즈마 생성을 억제하기 위한 절연체(미도시)를 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the etching apparatus 100 is spaced apart from each other between the upper electrode 140 and the semiconductor substrate (W) and the insulator for suppressing the generation of plasma around the front surface of the semiconductor substrate (W) Not shown) may be further included.

상기 절연체는 반도체 기판(W)의 전면 주위에 플라즈마 생성을 억제함으로써, 반도체 기판(W)의 전면에 형성된 박막 패턴이 식각 공정에 의하여 생성된 플라즈마 식각 가스에 의하여 식각되는 것이 억제된다. 또한, 상기 절연체에는 복수의 홀이 형성되어 상기 홀들을 통하여 불활성 가스등의 퍼지 가스가 공급되어, 반도체 기판(W)의 전면 주위에 식각 가스가 잔류하는 것이 억제된다.The insulator suppresses plasma generation around the front surface of the semiconductor substrate W, thereby suppressing etching of the thin film pattern formed on the front surface of the semiconductor substrate W by the plasma etching gas generated by the etching process. In addition, a plurality of holes are formed in the insulator, and a purge gas such as an inert gas is supplied through the holes to suppress the etching gas from remaining around the front surface of the semiconductor substrate W.

상술한 식각 장치(100)는 가스 공급부(120)에 형성된 개구들(125)을 통하여 상방으로 유동하여 챔버(110) 내부로 공급된 공정 가스를 이용하여 반도체 기판(W)의 이면을 식각한다.The etching apparatus 100 described above etches the back surface of the semiconductor substrate W by using a process gas supplied upwardly through the openings 125 formed in the gas supply part 120 and supplied into the chamber 110.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 식각 장치를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view for describing an etching apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치(200)는 챔버(210), 가스 공급부(220), 하부 전극(230) 및 상부 전극(240)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the etching apparatus 200 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 210, a gas supply unit 220, a lower electrode 230, and an upper electrode 240.

챔버(210)는 반도체 기판(W)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 따라서, 챔버(210) 내에는 반도체 기판(W)이 배치된다.The chamber 210 provides a space for processing the semiconductor substrate W. Therefore, the semiconductor substrate W is disposed in the chamber 210.

가스 공급부(220)는 챔버(210) 내에 설치된다. 예를 들면, 가스 공급부(220)는 챔버(210)의 하부에 배치될 수 있다. 가스 공급부(220)에는 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가된다. The gas supply unit 220 is installed in the chamber 210. For example, the gas supply unit 220 may be disposed below the chamber 210. The high frequency energy for generating the plasma is applied to the gas supply unit 220.

가스 공급부(220)에는 공정 가스가 챔버(210) 외부로부터 챔버(210) 내부로 유입될 수 있도록 통로(225)가 형성된다. 상기 통로(225)를 통하여 공정 가스가 상 방으로 이동하여 챔버(210) 내부로 유입된다. In the gas supply unit 220, a passage 225 is formed to allow the process gas to flow into the chamber 210 from the outside of the chamber 210. The process gas moves upward through the passage 225 and flows into the chamber 210.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 식각 장치(200)는 가스 공급부(210)의 내부로 공정 가스를 제공하는 가스 제공부(270)를 더 포함할 수 있다. 가스 제공부(270)는 공정 가스를 수용하는 가스 탱크(미도시), 상기 가스 탱크로부터 공정 가스를 이동시키는 가스 제공 라인(271) 및 가스 제공 라인(271)의 일부에 공정 가스의 유량을 제어하는 밸브(273)를 포함한다.In one embodiment of the present invention, the etching apparatus 200 may further include a gas providing unit 270 for providing a process gas into the gas supply unit 210. The gas providing unit 270 controls a flow rate of the process gas in a gas tank (not shown) containing a process gas, a gas providing line 271 for moving the process gas from the gas tank, and a part of the gas providing line 271. And a valve 273.

하부 전극(230)은 가스 공급부(220) 상에 배치된다. 하부 전극(230)은 반도체 기판(W)의 형상에 대응되는 형상을 가진다. 예를 들면, 하부 전극(230)은 원판형 디스크 형상을 가질 수 있다. 또한, 하부 전극(230)에는 공정 가스를 유출시킬 수 있는 복수의 홀(235)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(230)은 복수의 홀(235)이 형성된 메쉬 구조를 가질 수 있다. 따라서, 공정 가스는 메쉬 구조를 갖는 하부 전극(230)에 형성된 복수의 홀(235)을 통하여 반도체 기판(W)의 이면으로 전달된다. The lower electrode 230 is disposed on the gas supply part 220. The lower electrode 230 has a shape corresponding to the shape of the semiconductor substrate W. For example, the lower electrode 230 may have a disc shape. In addition, a plurality of holes 235 may be formed in the lower electrode 230 to allow the process gas to flow out. For example, the lower electrode 230 may have a mesh structure in which a plurality of holes 235 are formed. Therefore, the process gas is transferred to the back surface of the semiconductor substrate W through the plurality of holes 235 formed in the lower electrode 230 having the mesh structure.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 메쉬 구조를 갖는 하부 전극(230)은 모따기 형태를 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 메쉬 구조를 갖는 하부 전극(230)은 라운딩 형태 등으로도 형성할 수 있다. 이때, 상기 메쉬 구조를 갖는 하부 전극(230)의 홀(235)들은 그 직경이 최소 0.1mm인 것이 적절하다. 그리고, 상기 메쉬 타입의 구조를 갖는 하부 전극(230)의 직경은 상기 반도체 기판(W)의 직경을 기준으로 약 95%의 범위로 제한하는 것이 적절하다. 예를 들면, 상기 반도체 기판(W)이 약 300mm의 직경을 가질 경우 상기 하부 전극(230)은 약 285mm의 직경을 갖는 것이 적절하다. 이와 같이, 상기 하부 전극(230)의 직경을 언급한 바와 같이 제한하는 것은 상술한 지지 부재(250)를 사용하여 상기 반도체 기판(W)을 상부로 용이하게 리프팅시키기 위함이다. In one embodiment of the present invention, the lower electrode 230 having a mesh structure may have a chamfered shape. In another embodiment of the present invention, the lower electrode 230 having a mesh structure may be formed in a rounded form or the like. In this case, the diameter of the holes 235 of the lower electrode 230 having the mesh structure is preferably at least 0.1mm. In addition, the diameter of the lower electrode 230 having the structure of the mesh type is appropriately limited to about 95% of the range based on the diameter of the semiconductor substrate (W). For example, when the semiconductor substrate W has a diameter of about 300 mm, the lower electrode 230 may have a diameter of about 285 mm. As described above, the diameter of the lower electrode 230 is limited as mentioned above in order to easily lift the semiconductor substrate W to the upper portion by using the support member 250 described above.

한편, 상기 메쉬 타입의 구조를 갖는 하부 전극(230)은 약 0.1 내지 300mm의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 하부 전극(230)은 알루미늄, 구리 등과 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다.Meanwhile, the lower electrode 230 having the mesh type structure may have a thickness of about 0.1 mm to 300 mm. In addition, the lower electrode 230 may be formed of a conductive material such as aluminum or copper.

상부 전극(240)은 가스 공급부(220)와 마주보도록 배치된다. 상부 전극(240)은 상기 가스 공급부(220)에 고주파 에너지가 인가될 경우, 전기적으로 접지된다. 따라서, 상부 및 하부 전극들(230, 240) 사이에 개재된 반도체 기판(W)과 하부 전극(230) 사이에는 공정 가스가 유입된다.The upper electrode 240 is disposed to face the gas supply unit 220. The upper electrode 240 is electrically grounded when high frequency energy is applied to the gas supply unit 220. Therefore, a process gas is introduced between the semiconductor substrate W and the lower electrode 230 interposed between the upper and lower electrodes 230 and 240.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 식각 장치(200)는 하부 전극(230)의 상부에 이격되어 배치되며, 상기 반도체 기판(W)의 이면과 접촉하여 상기 반도체 기판(W)을 지지하는 지지 부재(250)를 더 포함할 수 있다. 지지 부재(250)는 챔버(210)의 양 측벽들로부터 연장된다. 지지 부재(250)는 예를 들면, 반도체 기판(W)의 주변부와 접촉하여 반도체 기판(W)을 지지한다.In one embodiment of the present invention, the etching apparatus 200 is spaced apart from the upper electrode 230, the support member for supporting the semiconductor substrate (W) in contact with the back surface of the semiconductor substrate (W) 250 may further include. The support member 250 extends from both sidewalls of the chamber 210. The support member 250 contacts the peripheral portion of the semiconductor substrate W to support the semiconductor substrate W, for example.

상술한 식각 장치는 가스 공급부에 형성된 개구들을 통하여 상방으로 유동하여 챔버 내부로 공급된 공정 가스를 이용하여 기판의 이면을 식각한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치는 공정 챔버 내부를 대기압과 동일한 상태에서 기판을 식각하는 대기압 플라즈마 식각 장치 및 대기압보다 낮은 압력에서 기판을 식각하는 저기압 플라즈마 식각 장치를 포함한다.The etching apparatus described above etches the back surface of the substrate using a process gas supplied upwardly through the openings formed in the gas supply unit and supplied into the chamber. An etching apparatus according to an embodiment of the present invention includes an atmospheric pressure plasma etching apparatus for etching a substrate in a process chamber in the same state as atmospheric pressure and a low pressure plasma etching apparatus for etching a substrate at a pressure lower than atmospheric pressure.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 식각 장치를 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view for describing an etching apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참고하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 식각 장치(300)는 챔버(310), 가스 공급부(320), 하부 전극(330) 및 상부 전극(340)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the etching apparatus 300 according to another embodiment of the present invention includes a chamber 310, a gas supply part 320, a lower electrode 330, and an upper electrode 340.

챔버(310), 가스 공급부(320) 및 하부 전극(330)은 도2를 참조로 설명한 식각 장치(100)의 챔버(110), 가스 공급부(120) 및 하부 전극(130)과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The chamber 310, the gas supply part 320, and the lower electrode 330 are substantially the same as the chamber 110, the gas supply part 120, and the lower electrode 130 of the etching apparatus 100 described with reference to FIG. 2. Detailed description thereof will be omitted.

상부 전극(340)은 회전 가능한 몸체(341), 상기 몸체(341)의 단부로부터 상기 하부 전극(330)과 마주보도록 연장된 홀더부(343) 및 상기 몸체를 통하여 기판의 상면에 불활성 가스를 공급하는 제2 가스 제공부(345)를 포함한다. 상부 전극(340)은 상하로 이동할 수 있다. 따라서, 상부 전극(340)은 구동부(미도시)와 연결될 수 있다.The upper electrode 340 supplies an inert gas to the upper surface of the substrate through the rotatable body 341, the holder 343 extending from the end of the body 341 to face the lower electrode 330, and the body. It includes a second gas providing unit 345. The upper electrode 340 may move up and down. Thus, the upper electrode 340 may be connected to the driver (not shown).

몸체(341)가 회전할 때 홀더부(343)가 함께 회전하면서 반도체 기판(W)의 상면을 따라 흐르면서 상면 주위의 기류 속도를 증가시킨다. 따라서, 반도체 기판(W) 상면 주위의 기류 속도는 반도체 기판(W) 하면 주위의 기류 속도보다 높게 된다. 그 결과, 하기 식1과 같은 베르누이 정리에 따라 반도체 기판(W)의 상면 및 하면의 기류 속도의 차이에 의하여 반도체 기판(W)의 상면 및 하면간의 압력차가 발생한다.As the body 341 rotates, the holder portion 343 rotates together and flows along the upper surface of the semiconductor substrate W to increase the airflow velocity around the upper surface. Therefore, the airflow velocity around the upper surface of the semiconductor substrate W is higher than the airflow velocity around the lower surface of the semiconductor substrate W. As shown in FIG. As a result, the pressure difference between the upper surface and the lower surface of the semiconductor substrate W is generated by the difference in the airflow rates of the upper surface and the lower surface of the semiconductor substrate W according to Bernoulli's theorem as shown in Equation 1 below.

[식1][Equation 1]

p+ρgh+(1/2)ρv2= 일정p + ρgh + (1/2) ρv 2 = constant

(p는 압력, ρ는 밀도, g는 중력가속도, h는 유체의 높이, v는 유체의 속도를 각각 나타낸다.)(p is the pressure, ρ is the density, g is the acceleration of gravity, h is the height of the fluid, and v is the speed of the fluid, respectively.)

따라서, 발생된 압력차는 반도체 기판(W)을 상승시키는 힘을 발생시킨다. 그 결과, 홀더부(343)는 반도체 기판(W)과 접촉하지 않은 상태에서 반도체 기판(W)을 홀딩하여, 반도체 기판(W)이 하부 전극(330)으로부터 일정한 높이로 이격된다.Therefore, the generated pressure difference generates a force for raising the semiconductor substrate W. As a result, the holder part 343 holds the semiconductor substrate W in a state of not being in contact with the semiconductor substrate W, so that the semiconductor substrate W is spaced apart from the lower electrode 330 by a constant height.

제2 가스 공급부(345)는 반도체 기판(W)의 상면을 향하여 질소 가스, 헬륨 가스, 수소 가스, 아르곤 가스와 같은 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스가 반도체 기판(W)의 상면에 유입되고 상부 전극(340)이 회전함에 따라, 반도체 기판(W)의 상면에 반도체 기판(W)의 하면보다 높은 가스의 기류 속도가 발생한다. 따라서, 반도체 기판(W)의 상면 및 하면의 기류 속도 차이에 의하여 반도체 기판(W)의 상면 및 하면의 압력차이 발생한다. 그 결과, 상부 전극(340)이 반도체 기판(W)을 홀딩할 수 있다.The second gas supply unit 345 supplies an inert gas such as nitrogen gas, helium gas, hydrogen gas, and argon gas toward the upper surface of the semiconductor substrate W. As the inert gas flows into the upper surface of the semiconductor substrate W and the upper electrode 340 rotates, a gas flow rate higher than that of the lower surface of the semiconductor substrate W is generated on the upper surface of the semiconductor substrate W. Therefore, the pressure difference between the upper surface and the lower surface of the semiconductor substrate W is generated by the difference in the airflow speed between the upper surface and the lower surface of the semiconductor substrate W. As a result, the upper electrode 340 may hold the semiconductor substrate W. As shown in FIG.

한편, 제2 가스 공급부(345)가 불활성 가스를 배출함에 따라, 반도체 기판(W)의 상면이 플라즈마 상태로 여기된 공정 가스에 의하여 식각되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 불활성 가스는 반도체 기판(W)의 상면에 형성된 박막이 플라즈마 상태로 여기된 공정 가스와 접촉을 방지하여 상기 박막의 손상을 억제할 수 있다.On the other hand, as the second gas supply unit 345 discharges the inert gas, the upper surface of the semiconductor substrate W can be suppressed from being etched by the process gas excited in the plasma state. Therefore, the inert gas can prevent the thin film formed on the upper surface of the semiconductor substrate W from contacting the process gas excited in the plasma state, thereby suppressing damage to the thin film.

본 발명의 실시예에서는 상기 반도체 반도체 기판(W)의 가장자리 부분에 흡 착된 이물질을 식각한 후, 상기 반도체 기판(W)의 이면에 흡착된 이물질을 식각하는 방법에 대해서 설명하고 있지만, 다른 실시예로서 상기 반도체 기판(W)의 이면에 흡착된 이물질을 식각한 후, 상기 반도체 기판(W)의 가장자리 부분에 흡착된 이물질을 식각하는 방법에 대해서도 설명할 수 있다. In the exemplary embodiment of the present invention, a method of etching the foreign matter adsorbed on the edge portion of the semiconductor semiconductor substrate W and then etching the foreign matter adsorbed on the back surface of the semiconductor substrate W is described. As an example, a method of etching the foreign matter adsorbed on the back surface of the semiconductor substrate W and then etching the foreign matter adsorbed on the edge portion of the semiconductor substrate W may be described.

언급한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 식각 장치는 반도체 기판의 이면에 흡착된 이물질을 용이하게 식각한다. 그러므로, 본 발명의 식각 장치가 반도체 소자의 제조에 적용할 경우 반도체 기판의 이면에 흡착된 이물질에 의하여 반도체 기판이 상기 이물질에 의하여 오염되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 반도체 소자의 생산 효율이 개선될 수 있다.As mentioned, the etching apparatus according to the embodiment of the present invention easily etches foreign substances adsorbed on the back surface of the semiconductor substrate. Therefore, when the etching apparatus of the present invention is applied to the manufacture of a semiconductor device, it is possible to suppress the contamination of the semiconductor substrate by the foreign matter adsorbed on the back surface of the semiconductor substrate. As a result, the production efficiency of the semiconductor device can be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

Claims (15)

기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버;A chamber providing a space for processing the substrate; 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 기판의 이면에 식각 가스를 공급하기 위하여 개구가 형성된 몸체 및 상기 개구와 연통된 가스 공급 라인을 구비하는 가스 공급부; 및A gas supply unit installed in the chamber, the gas supply unit including a body having an opening formed therein to supply an etching gas to a rear surface of the substrate, and a gas supply line communicating with the opening; And 상기 기판의 이면의 중심부를 제외한 상기 기판의 일부를 지지하는 지지 부재를 포함하고,A support member for supporting a portion of the substrate except for a central portion of the rear surface of the substrate, 상기 지지 부재는 상기 기판의 상면의 기류가 상기 기판의 이면의 기류보다 높은 속도를 갖도록 하여 베르누이 정리에 의하여 상기 기판의 상면을 비접촉 상태에서 홀딩하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.And the support member holds the upper surface of the substrate in a non-contact state by Bernoulli's theorem such that the airflow of the upper surface of the substrate is higher than the airflow of the rear surface of the substrate. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 몸체는 절연성 물질을 포함하고, 그 내부에 고주파 에너지를 인가받을 수 있는 도전성 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 식각 장치.The etching apparatus of claim 1, wherein the body comprises an insulating material, and a conductive pattern capable of receiving high frequency energy is formed therein. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 몸체는 고주파 에너지를 인가받을 수 있도록 도전성 물질을 포함하고,The body includes a conductive material to receive high frequency energy, 상기 몸체에 대향하며, 상기 몸체에 상기 고주파 에너지가 인가될 때 접지되어 플라즈마를 생성하는 상부 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.And an upper electrode facing the body and grounded to generate a plasma when the high frequency energy is applied to the body. 제5항에 있어서, 상기 상부 전극에 대하여 하방으로 이격되어 배치되며 상기 기판의 전면에 인접하여 플라즈마의 발생을 억제하기 위하여 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.The etching apparatus of claim 5, further comprising an insulator disposed downwardly spaced apart from the upper electrode and adjacent to a front surface of the substrate to suppress generation of plasma. 제6항에 있어서, 상기 절연체에는 퍼지 가스를 상기 기판의 전면으로 공급하기 위하여 복수의 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 식각 장치.The etching apparatus of claim 6, wherein a plurality of holes are formed in the insulator to supply a purge gas to the front surface of the substrate. 삭제delete 챔버;chamber; 상기 챔버 내에 설치되고, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가되며 식각 가스가 상방으로 상기 챔버 내로 공급될 수 있는 개구가 형성된 가스 공급부;A gas supply unit installed in the chamber, to which high frequency energy for generating plasma is applied, and which has an opening through which an etching gas can be supplied into the chamber; 상기 가스 공급부의 상부에 위치하며, 상기 가스 공급부에 고주파 에너지가 인가될 때 상기 고주파 에너지가 인가되거나 접지되는 하부 전극; 및A lower electrode positioned above the gas supply part and configured to apply the high frequency energy or ground when high frequency energy is applied to the gas supply part; And 상기 가스 공급부와 마주보도록 배치되며, 상기 가스 공급부에 고주파 에너지가 인가될 때 전기적으로 접지되는 상부 전극을 포함하고,An upper electrode disposed to face the gas supply part and electrically grounded when high frequency energy is applied to the gas supply part; 상기 상부 전극은 기판의 상면의 기류가 상기 기판의 이면의 기류보다 높은 속도를 갖도록 하여 베르누이 정리에 의하여 상기 기판을 비접촉 상태에서 홀딩하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.And the upper electrode holds the substrate in a non-contact state by Bernoulli's theorem such that the airflow on the upper surface of the substrate has a higher velocity than the airflow on the rear surface of the substrate. 삭제delete 제9항에 있어서, 상기 하부 전극의 상부에 위치하며, 상기 식각 가스를 상기 기판의 이면 상에 고르게 공급하는 샤워 헤드를 더 포함하는 것을 식각 장치. The etching apparatus of claim 9, further comprising a shower head positioned on the lower electrode and supplying the etching gas evenly on the back surface of the substrate. 제9항에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 가스 공급부와 이격되어 플라즈마 형성 공간을 제공하며, 공정 가스가 상기 기판으로 유동할 수 있는 복수의 홀이 형성된 메쉬 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 식각 장치.The etching apparatus of claim 9, wherein the lower electrode is spaced apart from the gas supply part to provide a plasma formation space, and has a mesh structure in which a plurality of holes are formed in which a process gas may flow to the substrate. 삭제delete 제9항에 있어서, 상기 상부 전극은,The method of claim 9, wherein the upper electrode, 회전 가능한 몸체;Rotatable body; 상기 몸체의 단부로부터 상기 전극과 마주보도록 연장되어, 상기 몸체가 회전할 때 상기 기판의 상면 주위의 기류 속도를 증가시키는 홀더부; 및A holder portion extending from an end of the body to face the electrode to increase the airflow velocity around the upper surface of the substrate when the body rotates; And 상기 기판의 상면에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.Etching apparatus comprising a gas supply for supplying an inert gas to the upper surface of the substrate. 제14항에 있어서, 상기 불활성 가스는, 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스 또는 수소 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.The etching apparatus of claim 14, wherein the inert gas comprises nitrogen gas, argon gas, helium gas, or hydrogen gas.
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