KR101277201B1 - Substrate unit and Light emitting diode package using the same - Google Patents

Substrate unit and Light emitting diode package using the same Download PDF

Info

Publication number
KR101277201B1
KR101277201B1 KR1020110038567A KR20110038567A KR101277201B1 KR 101277201 B1 KR101277201 B1 KR 101277201B1 KR 1020110038567 A KR1020110038567 A KR 1020110038567A KR 20110038567 A KR20110038567 A KR 20110038567A KR 101277201 B1 KR101277201 B1 KR 101277201B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ceramic
metal
light emitting
metal member
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020110038567A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110118597A (en
Inventor
한규진
Original Assignee
주식회사 코스텍시스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코스텍시스 filed Critical 주식회사 코스텍시스
Publication of KR20110118597A publication Critical patent/KR20110118597A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101277201B1 publication Critical patent/KR101277201B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 발광소자가 실장되는 금속 부재를 마련하고, 전극 패턴이 형성되는 세라믹 부재에 금속 접합부재로 접합시켜 열방출 효율을 향상시키는 동시에 금속 부재와 세라믹 부재의 열팽창 계수 차이를 상쇄시킬 수 있도록 하는 기판 유닛 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 특히 본 발명에 일실시예에 따른 기판 유닛은 발광소자가 실장되는 기판 유닛으로서, 몸체의 상부에는 상기 발광소자가 실장되는 실장영역이 형성되고, 몸체의 하부에는 몸체의 실장영역보다 직경이 크게 형성되어 외측방향으로 돌출되는 하부 접합부가 형성되는 금속 부재와; 몸체의 내부에는 금속 부재의 실장영역을 노출시키는 관통공이 형성되고, 상기 금속 부재의 하부 접합부에 대응하여 내측방향으로 돌출되는 상부 접합부가 형성되는 세라믹 부재와; 상기 금속 부재의 하부 접합부와 상기 세라믹 부재의 상부 접합부를 접합시키는 금속 접합부재를 포함한다.The present invention provides a metal member on which a light emitting device is mounted, and is bonded to a ceramic member on which an electrode pattern is formed by a metal bonding member to improve heat dissipation efficiency and to offset the difference in thermal expansion coefficient between the metal member and the ceramic member. The present invention relates to a substrate unit and a light emitting diode package using the same. In particular, the substrate unit according to an embodiment of the present invention is a substrate unit on which a light emitting device is mounted. A lower portion of the metal member having a diameter larger than that of the mounting area of the body to form a lower junction protruding outwardly; A ceramic member having a through hole for exposing a mounting area of the metal member and having an upper junction protruding inwardly corresponding to the lower junction of the metal member; And a metal joining member joining a lower joining portion of the metal member and an upper joining portion of the ceramic member.

Description

기판 유닛 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지{Substrate unit and Light emitting diode package using the same}Substrate unit and light emitting diode package using the same

본 발명은 기판 유닛 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광소자가 실장되는 금속 부재를 마련하고, 전극 패턴이 형성되는 세라믹 부재에 금속 접합부재로 접합시켜 열방출 효율을 향상시키는 동시에 금속 부재와 세라믹 부재의 열팽창 계수 차이를 상쇄시킬 수 있도록 하는 기판 유닛 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate unit and a light emitting diode package using the same. More particularly, a metal member on which a light emitting device is mounted is provided, and a metal bonding member is bonded to a ceramic member on which an electrode pattern is formed to improve heat dissipation efficiency. At the same time, the present invention relates to a substrate unit and a light emitting diode package using the same to offset the difference in thermal expansion coefficient between the metal member and the ceramic member.

일반적으로 발광 소자로서 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기 에너지를 광 에너지로 변환하는 발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 상기 발광 소자는 높은 출력의 광을 얻기 위해서 전류를 많이 흘리게 될 때에 많은 열이 발생하여, 최근에는 상기 발광 소자의 방열 기술이 크게 발전하고 있다.In general, a light emitting diode (LED) that converts electrical energy into light energy using characteristics of a compound semiconductor is widely used as a light emitting device. The light emitting device generates a lot of heat when a large amount of current flows in order to obtain high output light. Recently, the heat dissipation technology of the light emitting device has been greatly developed.

근래에는 발광 소자에서 발생되는 열의 효과적인 방출을 위하여 열전도율이 높은 금속 소재를 발광 소자가 실장되는 기판에 포함시키고, 발광소자를 금속 소재에 직접 또는 간접적으로 접촉시키는 기술이 개발되었다.In recent years, in order to effectively release heat generated from a light emitting device, a technology in which a metal material having high thermal conductivity is included in a substrate on which the light emitting device is mounted and the light emitting device is in direct or indirect contact with the metal material has been developed.

하지만, 기판에 포함되는 금속 소재는 단순히 기판에 형성되는 홈이나 관통홀에 슬러그와 같은 형태로 충진되는 것으로서, 기판과 금속 소재 사이에 접합성이 좋지 않아 기판에서 금속 소재가 손쉽게 분리되는 문제점이 있었다.However, the metal material included in the substrate is simply filled in the form of slugs in the grooves or through-holes formed in the substrate, and there is a problem in that the metal material is easily separated from the substrate due to poor adhesion between the substrate and the metal material.

또한, 기판을 구성하는 세라믹 소재와 금속 소재는 열팽창계수의 차이가 상당하여 발광소자에서 고열이 발생되는 경우에 소재 간의 팽창 정도가 상이하여 세라믹 소재가 변형 또는 손상되거나, 세라믹 소재와 금속 소재가 분리되는 문제가 발생되었다.
In addition, the ceramic material and the metal material constituting the substrate have a significant difference in coefficient of thermal expansion, and when high heat is generated in the light emitting device, the degree of expansion between the materials is different so that the ceramic material is deformed or damaged, or the ceramic material and the metal material are separated. There was a problem.

본 발명의 실시형태는 발광 소자가 실장되는 기판 유닛에 열전도율이 좋은 금속 소재를 포함시키고, 발광 소자의 실장영역 및 반사면을 금속 소재에 직접 형성함에 따라 금속 소재의 부피를 증가시켜 열방출 효과를 향상시킬 수 있는 기판 유닛 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지를 제공한다.Embodiment of the present invention includes a metal material having a good thermal conductivity in the substrate unit on which the light emitting device is mounted, and the volume of the metal material is increased by directly forming the mounting area and the reflecting surface of the light emitting device to the metal material to improve the heat dissipation effect. Provided are a substrate unit and a light emitting diode package using the same.

또한, 기판 유닛을 구성하는 금속 부재와 세라믹 부재의 접합 부위에 금속 부재와 세라믹 부재 사이의 열팽창계수 차이를 상쇄시키는 버퍼 부재를 개재하여 금속 부재와 세라믹 부재의 열팽창에 따른 손상과 분리현상을 방지할 수 있는 기판 유닛 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
In addition, damage and separation due to thermal expansion of the metal member and the ceramic member can be prevented through a buffer member that cancels the difference in coefficient of thermal expansion between the metal member and the ceramic member at the junction between the metal member and the ceramic member constituting the substrate unit. Provided are a substrate unit and a light emitting diode package using the same.

본 발명에 일실시예에 따른 기판 유닛은 발광소자가 실장되는 기판 유닛으로서, 몸체의 상부에는 상기 발광소자가 실장되는 실장영역이 형성되고, 몸체의 하부에는 몸체의 실장영역보다 직경이 크게 형성되어 외측방향으로 돌출되는 하부 접합부가 형성되는 금속 부재와; 몸체의 내부에는 금속 부재의 실장영역을 노출시키는 관통공이 형성되고, 상기 금속 부재의 하부 접합부에 대응하여 내측방향으로 돌출되는 상부 접합부가 형성되는 세라믹 부재와; 상기 금속 부재의 하부 접합부와 상기 세라믹 부재의 상부 접합부를 접합시키는 금속 접합부재를 포함한다.The substrate unit according to an embodiment of the present invention is a substrate unit on which a light emitting device is mounted, and a mounting area in which the light emitting device is mounted is formed on an upper portion of the body, and a diameter is formed larger than a mounting area of the body on a lower portion of the body. A metal member having a lower joint portion protruding outwardly; A ceramic member having a through hole for exposing a mounting area of the metal member and having an upper junction protruding inwardly corresponding to the lower junction of the metal member; And a metal joining member joining a lower joining portion of the metal member and an upper joining portion of the ceramic member.

상기 금속 부재의 하부 접합부 상면과 상기 세라믹 부재의 상부 접합부 하면 사이 구비되어 상기 금속 부재와 세라믹 부재의 열팽창계수 차이를 상쇄시키는 버퍼 부재를 더 포함하고, 상기 금속 접합부재는 상기 금속 부재의 하부 접합부와 상기 버퍼 부재 사이, 상기 버퍼 부재와 상기 세라믹 부재의 상부 접합부 사이를 각각 접합시키는 것을 특징으로 한다.And a buffer member disposed between an upper surface of the lower junction of the metal member and a lower surface of the upper junction of the ceramic member to offset a difference in coefficient of thermal expansion between the metal member and the ceramic member. It is characterized in that the bonding between the buffer member and the upper junction of the ceramic member and the buffer member, respectively.

상기 버퍼 부재의 열팽창계수와 금속 부재의 열팽창계수의 평균값은 상기 세라믹 부재의 열팽창계수보다 크고, 상기 금속 부재의 열팽창계수와 같거나 작은 것을 특징으로 한다.The average value of the thermal expansion coefficient of the buffer member and the thermal expansion coefficient of the metal member is larger than that of the ceramic member, and is equal to or smaller than that of the metal member.

상기 버퍼 부재의 재질은 코바(Kovar), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴(Mo)합금, 텅스텐(W), 텅스텐(W)합금, 구리(Cu)합금 및 니켈(Ni)합금 중 어느 하나 또는 그 합금인 것을 특징으로 한다.The material of the buffer member may be any one of Kovar, molybdenum (Mo), molybdenum (Mo) alloy, tungsten (W), tungsten (W) alloy, copper (Cu) alloy, and nickel (Ni) alloy or alloys thereof. It is characterized by that.

상기 금속 부재의 상면에는 상기 발광소자의 광 지향각을 결정하는 반사면이 상기 실장영역의 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 한다.The upper surface of the metal member is characterized in that the reflective surface for determining the light directing angle of the light emitting device is formed on the edge of the mounting area.

상기 금속 부재는 구리(Cu) 또는 구리(Cu)합금인 것을 특징으로 한다.The metal member is characterized in that the copper (Cu) or copper (Cu) alloy.

상기 세라믹 부재는 내부에 상기 관통공의 하부영역이 형성되는 제 1 세라믹과; 상기 제 1 세라믹에 적층되고, 내부에 상기 관통공의 상부영역이 형성되며, 상기 상부 접합부가 형성되는 제 2 세라믹과; 상기 제 2 세라믹에 적층되고, 내부에는 상기 관통공과 연통되며 상기 금속 부재의 상단면 직경과 같거나 크게 충진공이 형성되는 제 3 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The ceramic member may include a first ceramic having a lower region of the through hole formed therein; A second ceramic stacked on the first ceramic and having an upper region of the through hole formed therein and the upper junction formed thereon; It is laminated to the second ceramic, it is characterized in that it is made of a third ceramic in communication with the through hole and the filling hole is formed the same or larger than the diameter of the top surface of the metal member.

상기 제 2 세라믹의 상면에는 적어도 한 쌍 이상의 전극 패턴이 형성되고, 상기 제 1 세라믹의 하면 및 상기 제 3 세라믹의 상면 중 적어도 어느 한면에는 상기 전극 패턴이 각각 연장되는 적어도 한 쌍 이상의 연장 패턴이 형성되는 것을 특징으로 한다.At least one pair of electrode patterns are formed on an upper surface of the second ceramic, and at least one pair of extension patterns, each of which extends the electrode pattern, is formed on at least one of a lower surface of the first ceramic and an upper surface of the third ceramic. It is characterized by.

상기 제 1 내지 제 3 세라믹의 측면에는 상기 전극 패턴과 연장 패턴을 각각 통전시키는 적어도 한 쌍 이상의 통전 비아(via)가 형성되는 것을 특징으로 한다.At least one pair of energizing vias through which the electrode pattern and the extension pattern are energized are formed on side surfaces of the first to third ceramics, respectively.

상기 제 3 세라믹의 내주부에는 상기 전극 패턴이 형성되는 영역을 제외한 영역이 상기 상부 접합부에 대응되도록 연장되어 돌출되는 보강부가 형성되는 것을 특징으로 한다.Reinforcement portions are formed on the inner circumferential portion of the third ceramic so that a region excluding the region where the electrode pattern is formed extends to correspond to the upper junction portion.

상기 금속 접합부재는 은(Ag) 및 구리(Cu) 중 선택되는 어느 하나 또는 그 합금인 것을 특징으로 한다.The metal joining member may be any one selected from silver (Ag) and copper (Cu) or an alloy thereof.

상기 금속 부재의 상면은 상기 실장영역을 포함하면서 평탄하게 형성되고, 상기 세라믹 부재 및 금속 접합부재의 내벽 중 적어도 세라믹 부재의 내벽에는 상기 발광소자에서 발광되는 광을 반사시키는 도금층이 형성되는 것을 특징으로 한다.The upper surface of the metal member is formed to be flat while including the mounting area, and at least an inner wall of the ceramic member of the inner wall of the ceramic member and the metal bonding member is formed with a plating layer for reflecting light emitted from the light emitting device. do.

상기 금속 부재는 복수의 금속층이 적층된 구조를 갖고, 상기 금속층 중 최상위 금속층과 최하위 금속층은 구리(Cu)로 형성되고, 상기 최상위 금속층과 최하위 금속층 사이에 형성되는 중간층은 몰리브덴(Mo)으로 형성되거나, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다.The metal member has a structure in which a plurality of metal layers are stacked, and a top metal layer and a bottom metal layer of the metal layers are formed of copper (Cu), and an intermediate layer formed between the top metal layer and the bottom metal layer is formed of molybdenum (Mo) or , Molybdenum (Mo), copper (Cu) and molybdenum (Mo) is characterized in that formed by sequentially stacked.

본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 적어도 하나 이상의 발광소자와; 상기 발광소자가 실장되는 금속 부재가 구비되고, 상기 발광소자와 연결되는 적어도 한 쌍 이상의 전극 패턴이 형성되며 상기 금속 부재를 둘러싸도록 금속 접합부재에 의해 접합되는 세라믹 부재가 구비되는 기판 유닛을 포함한다.A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes at least one light emitting device; And a substrate unit having a metal member on which the light emitting element is mounted, and having at least one pair of electrode patterns connected to the light emitting element, and having a ceramic member joined by a metal bonding member to surround the metal member. .

상기 기판 유닛의 금속 부재와 세라믹 부재의 접합부위에는 상기 금속 부재와 세라믹 부재의 열팽창계수 차이를 상쇄시키는 버퍼 부재가 개재되는 것을 특징으로 한다.The junction between the metal member and the ceramic member of the substrate unit is characterized in that the buffer member for canceling the difference in the coefficient of thermal expansion between the metal member and the ceramic member.

상기 금속 부재의 상면에는 상기 발광소자가 실장되는 실장영역이 형성되고, 상기 세라믹 부재의 상부영역에는 상기 금속 부재에 형성된 실장영역의 직경과 같거나 크게 충진공이 형성되고, 상기 충진공 및 상기 금속 부재의 실장영역에는 상기 발광소자를 봉지하는 몰딩부재가 충진되는 것을 특징으로 한다.
A mounting region in which the light emitting device is mounted is formed on an upper surface of the metal member, and a filling hole is formed in the upper region of the ceramic member equal to or larger than the diameter of the mounting region formed in the metal member. The molding region is filled with a molding member for encapsulating the light emitting device.

본 발명의 실시예에 따르면, 열전도율이 좋은 금속 부재에 발광소자를 직접 실장하고, 금속 부재에 발광소자를 둘러싸는 실장영역 및 반사면을 모두 형성하여 금속 부재의 부피를 증가시키는 동시에 발광소자에서 발생되는 열을 효과적으로 포집하여 발광소자의 열방출 효과를 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the light emitting device is directly mounted on a metal member having good thermal conductivity, and both the mounting area and the reflective surface surrounding the light emitting device are formed on the metal member, thereby increasing the volume of the metal member and simultaneously occurring in the light emitting device. It is possible to effectively collect the heat to improve the heat dissipation effect of the light emitting device.

또한, 기판 유닛을 구성하는 금속 부재와 세라믹 부재의 접합 부위에 버퍼 부재를 개재함에 따라 발광소자에서 고열이 발생하더라도 금속 부재와 세라믹 부재 사이의 열팽창계수 차이를 상쇄시키는 효과를 얻을 수 있다. 이에 따라 금속 부재와 세라믹 부재의 서로 다른 열팽창 정도에 의해 세라믹 부재에 작용하는 응력을 버퍼 부재에서 저하시켜 세라믹 부재가 손상되거나 세라믹 부재와 금속 부재의 접합부위가 분리되는 현상을 방지할 수 있다.
In addition, since the buffer member is interposed between the metal member constituting the substrate unit and the ceramic member, even if high heat is generated in the light emitting device, an effect of canceling the difference in thermal expansion coefficient between the metal member and the ceramic member can be obtained. Accordingly, the stress acting on the ceramic member by the different degree of thermal expansion of the metal member and the ceramic member can be lowered in the buffer member, thereby preventing the ceramic member from being damaged or the junction between the ceramic member and the metal member.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 사시도이고,
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 분해 사시도이며,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이고,
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 사시도이며,
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이며,
도 6은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 사시도이고,
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이며,
도 8은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 사시도이고,
도 9는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이며,
도 10은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 금속 부재의 변형예를 보여주는 단면도이고,
도 11은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 금속 부재의 다른 변형예를 보여주는 단면도이며,
도 12는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이다.1 is a perspective view showing a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention,
2 is an exploded perspective view showing a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention;
4 is a perspective view showing a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention;
5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention;
6 is a perspective view showing a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention;
7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to a fifth embodiment of the present invention;
9 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to a fifth embodiment of the present invention;
10 is a cross-sectional view showing a modification of the metal member according to the fifth embodiment of the present invention;
11 is a cross-sectional view showing another modified example of the metal member according to the fifth embodiment of the present invention;
12 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a sixth embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 분해 사시도로서, 상부 및 하부 분해 사시도를 (a) 및 (b)로 구분하였으며, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이다. 1 is a perspective view showing a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view showing a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention, the upper and lower exploded perspective view (a) And (b), Figure 3 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 적어도 하나 이상의 발광소자(100)와; 상기 발광소자(100)가 실장되는 기판 유닛(200)을 포함한다.As shown in the drawing, the LED package according to the first embodiment of the present invention comprises at least one light emitting device 100; It includes a substrate unit 200 on which the light emitting device 100 is mounted.

발광소자(100)는 소비전력이 낮으면서 고휘도를 발현시키는 광원으로서, 발광 다이오드(light emitting diode；LED)를 사용한다. LED는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광되는 현상을 이용한 소자가 사용된다. LED는 소비 전력이 적고 수명이 길며 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 월등하다. 또한 협소한 공간에 설치 가능하고, 진동에 강한 특성을 갖는다. 이러한 LED는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있어 에너지 효율면에서도 효과적이다. 상기 발광소자는 원하는 만큼의 밝기를 제공하기 위하여 하나 또는 다수개가 구비된다. 본 실시예에서는 3 개의 발광소자(100)를 사용하였다.The light emitting device 100 uses a light emitting diode (LED) as a light source that exhibits high brightness while having low power consumption. LED is used to create a small number of carriers (electrons or holes) injected by using the p-n junction structure of the semiconductor, and the device using the phenomenon that the light emitted by the recombination thereof is used. LEDs consume less power, have a longer lifespan, and offer superior power consumption and durability. Further, it can be installed in a narrow space and has a characteristic of being resistant to vibration. Such LEDs are effective in terms of energy efficiency because they can irradiate light with high efficiency at low voltage. One or more light emitting devices are provided to provide as much brightness as desired. In the present embodiment, three light emitting devices 100 are used.

기판 유닛(200)은 상기 발광소자(100)가 실장되고, 상기 발광소자(100)의 작동시 발생되는 고열을 효과적으로 방출시킬 수 있는 구조를 갖는 수단으로서, 발광소자(100)가 실장되는 금속 부재(210)와, 발광소자(100)와 연결되는 전극 패턴(227)이 형성되는 세라믹 부재(220)를 포함한다. 또한, 상기 금속 부재(210)와 세라믹 부재(220)의 접합부위에 구비되는 버퍼 부재(240)와, 상기 금속 부재(210), 버퍼 부재(240) 및 세라믹 부재(220) 사이를 접합시키는 금속 접합부재(230a,230b)를 더 포함한다.The substrate unit 200 is a means having a structure in which the light emitting device 100 is mounted and capable of effectively dissipating high heat generated when the light emitting device 100 is operated, and a metal member on which the light emitting device 100 is mounted. And a ceramic member 220 having an electrode pattern 227 connected to the light emitting device 100. In addition, a metal joint for joining the buffer member 240 provided at the junction between the metal member 210 and the ceramic member 220 and the metal member 210, the buffer member 240, and the ceramic member 220. It further includes members 230a and 230b.

상기 금속 부재(210)는 몸체의 상부에 상기 발광소자(100)가 실장되는 실장영역(211) 및 상기 실장영역(211)의 가장자리에서 상기 발광소자(100)의 광 지향각을 결정하는 반사면(213)이 형성된다. 예를 들어 상기 금속 부재(210)의 상단면 중심은 평탄한 실장영역(211)이 형성되고, 상기 실장영역(211)의 가장자리에는 하부가 좁고 상부가 넓은 직경을 갖도록 경사지게 반사면(213)이 형성되는 것이 바람직하다. 물론 상기 실장영역(211) 및 반사면(213)의 형상은 제시된 형상에 한정되지 않고, 상기 발광소자(100)가 안정적으로 실장되면서 발광소자(100)에서 발광된 광의 지향각을 결정할 수 있는 다양한 형상으로 변형이 가능하다.The metal member 210 may include a mounting area 211 on which the light emitting device 100 is mounted, and a reflective surface for determining the light directing angle of the light emitting device 100 at an edge of the mounting area 211. 213 is formed. For example, a flat mounting area 211 is formed at the center of the top surface of the metal member 210, and a reflective surface 213 is formed at an edge of the mounting area 211 so as to be inclined to have a narrow bottom and a wide diameter at the top. It is preferable to be. Of course, the shapes of the mounting area 211 and the reflecting surface 213 are not limited to the shapes shown, and the light emitting device 100 may be stably mounted to determine various orientation angles of the light emitted from the light emitting device 100. Deformation is possible in shape.

그리고, 상기 금속 부재(210)는 몸체의 하부에 몸체의 상부면에 형성된 상기 실장영역(211)보다 직경이 크게 형성되어 외측방향으로 돌출되는 하부 접합부(215)가 형성된다. 상기 하부 접합부(215)는 상기 세라믹 부재(220)와 접합하는 영역을 제공하는 동시에 발광소자(100)에서 발생된 고열을 효과적으로 방출시키기 위하여 몸체의 상부보다 넓게 형성되는 바람직하다. 본 실시예에서는 하부 접합부(215)의 형상을 몸체의 상부보다 직경이 큰 원판형상으로 구현함에 따라 하부 접합부(215)의 상면은 상기 세라믹 부재(220)와 접합되는 면을 제공하고, 하부 접합부(215)의 하면은 외부로 노출되어 발광소자에서 발생된 고열을 공기 또는 별도의 냉각수단으로 방출시키는 기능을 수행한다.In addition, the metal member 210 is formed at a lower portion of the body than the mounting area 211 formed on the upper surface of the body has a larger diameter is formed with a lower junction portion 215 protruding outward. The lower junction part 215 is preferably formed to be wider than the upper part of the body in order to provide a region to be bonded to the ceramic member 220 and to effectively release the high heat generated by the light emitting device 100. In the present embodiment, the shape of the lower junction portion 215 is implemented as a disk shape having a larger diameter than the upper portion of the body, so that the upper surface of the lower junction portion 215 provides a surface to be bonded to the ceramic member 220, and the lower junction portion ( The lower surface of the 215 is exposed to the outside to discharge the high heat generated in the light emitting device to the air or a separate cooling means.

상기 금속 부재(210)는 효과적인 열방출을 위하여 열전도가 높은 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 경제적인 측면과 열방출 효율을 고려하여 금속 부재(210)로 구리(Cu) 또는 구리(Cu)합금을 사용할 수 있으며, 본 실시예에서는 구리(Cu)를 사용하였다.The metal member 210 preferably uses a metal having high thermal conductivity for effective heat dissipation. For example, in consideration of economical aspects and heat dissipation efficiency, copper (Cu) or copper (Cu) alloy may be used as the metal member 210, and copper (Cu) was used in the present embodiment.

상기 세라믹 부재(220)는 몸체의 내부에 상기 금속 부재(210)의 실장영역(211)을 노출시키는 관통공(221)이 형성되고, 상기 금속 부재(210)의 하부 접합부(215)에 대응하여 내측방향으로 돌출되는 상부 접합부(223)가 형성되어 상기 금속 부재(210)의 실장영역(211) 및 반사면(213)이 형성된 영역이 상기 관통공(221)의 하부 방향에서 상부 방향으로 인입되어 접합 된다. 그리고, 상기 세라믹 부재(220)에는 상기 발광소자(100)에 연결되는 전극 패턴(227)이 형성된다. 본 실시예에서는 세라믹 부재(220)에 전극 패턴(227)을 원하는 패턴으로 용이하게 형성하기 위하여 상기 세라믹 부재(220)를 다수의 층으로 구분하여 제작한 다음 각 층을 적층한 후 소결시켜 고정하였다. 본 실시예에서는 세라믹 부재(220)를 3층의 세라믹으로 구현하였다.The ceramic member 220 has a through hole 221 exposing the mounting area 211 of the metal member 210 in the body, and corresponds to the lower junction portion 215 of the metal member 210. An upper junction portion 223 protruding inwardly is formed, and a region where the mounting region 211 and the reflective surface 213 of the metal member 210 are formed is led upward from the downward direction of the through hole 221. Are bonded. In addition, an electrode pattern 227 connected to the light emitting device 100 is formed on the ceramic member 220. In the present embodiment, in order to easily form the electrode pattern 227 in the desired pattern on the ceramic member 220, the ceramic member 220 is divided into a plurality of layers and manufactured, and then laminated and fixed by sintering each layer. . In this embodiment, the ceramic member 220 is implemented with three layers of ceramics.

상세하게 설명하자면, 상기 세라믹 부재(220)는 대략 사각의 평판 형상이고, 내부에 상기 관통공(221)의 하부영역(225a)이 대략 원형으로 형성되는 제 1 세라믹(220a)과; 상기 제 1 세라믹(220a)의 외형과 대응되도록 대략 사각의 평판 형상으로 구비되어 상기 제 1 세라믹(220a)의 상부에 적층되고, 내부에 상기 관통공(221)의 상부영역(225b)이 대략 원형으로 형성되며, 내주부에 상기 상부 접합부(223)가 형성되는 제 2 세라믹(220b)과; 상기 제 2 세라믹(220b)의 외형과 대응되도록 대략 사각의 평탄 형상으로 구비되어 상기 제 2 세라믹(220b)에 적층되고, 내부에는 상기 관통공(221)과 연통되며 상기 금속 부재(210)의 상단면 직경과 같거나 크도록 충진공(225)이 대략 원형으로 형성되는 제 3 세라믹(220b)으로 이루어진다.In detail, the ceramic member 220 may include a first ceramic 220a having a substantially rectangular flat plate shape and having a lower area 225a of the through hole 221 formed in a substantially circular shape therein; It is provided in a substantially rectangular flat plate shape so as to correspond to the outer shape of the first ceramic 220a, and is stacked on the first ceramic 220a, and the upper region 225b of the through hole 221 is approximately circular inside. A second ceramic 220b formed at the inner circumference thereof and having the upper junction 223 formed therein; It is provided in a substantially rectangular flat shape so as to correspond to the outer shape of the second ceramic 220b, and is stacked on the second ceramic 220b, and communicates with the through hole 221 therein, and an upper end of the metal member 210. The filling hole 225 is formed of a third ceramic 220b having a substantially circular shape to be equal to or larger than the surface diameter.

이때 상기 제 2 세라믹(220b)의 상면에는 발광소자(100)의 개수에 대응하여 적어도 한 쌍 이상의 전극 패턴(227)이 형성된다. 그리고 상기 제 1 세라믹(220a)의 하면 및 상기 제 3 세라믹(220b)의 상면 중 어느 한면 또는 모든 면에는 상기 전극 패턴(227)의 형성 개수에 대응하여 상기 전극 패턴(227)이 각각 연장되는 적어도 한 쌍 이상의 연장 패턴이 형성된다.In this case, at least one pair of electrode patterns 227 are formed on the top surface of the second ceramic 220b corresponding to the number of light emitting devices 100. At least one of the lower surface of the first ceramic 220a and the upper surface of the third ceramic 220b may have at least one electrode pattern 227 extending in correspondence to the number of formations of the electrode pattern 227. One or more pairs of extension patterns are formed.

또한 상기 제 2 세라믹(220b)의 하면, 바람직하게는 상기 상부 접합부의 하면을 포함하는 영역에, 후술되는 금속 접합부재(230a)가 용이하게 접합되도록 메탈라이징(metalizing) 처리한 영역(220b1)을 형성할 수 있다.In addition, a region 220b1 which is metallized (metalized) so that the metal bonding member 230a to be described later is easily bonded to a lower surface of the second ceramic 220b, preferably a region including the lower surface of the upper bonding portion. Can be formed.

본 실시예에서는 상기 발광소자(100)의 개수에 대응하여 제 2 세라믹(220b)의 상면에 3 쌍의 전극 패턴(227)을 형성하고, 제 1 세라믹(220a)의 하면 및 상기 제 3 세라믹(220b)의 상면에 각각 3 쌍의 연장 패턴(228a,228b)을 형성하였다. 상기 전극 패턴(227)은 상기 발광소자(100)와 와이어(110)로 연결되고, 상기 연장 패턴(228a,228b)은 본 패키지를 별도의 기판 또는 별도의 기기에 연결시킨다.In the present exemplary embodiment, three pairs of electrode patterns 227 are formed on the upper surface of the second ceramic 220b corresponding to the number of the light emitting devices 100, and the lower surface of the first ceramic 220a and the third ceramic ( Three pairs of extension patterns 228a and 228b were formed on the upper surface of 220b). The electrode pattern 227 is connected to the light emitting device 100 and the wire 110, and the extension patterns 228a and 228b connect the package to a separate substrate or a separate device.

그리고, 상기 제 1 내지 제 3 세라믹(220a,220b,220c)의 측면에는 상기 전극 패턴(227)과 연장 패턴(228a,228b)을 각각 통전시키는 적어도 한 쌍 이상의 통전 비아(via)(229)가 형성된다. 상기 통전 비아(229)는 상기 세라믹 부재(220)의 측면에 요홈부를 형성하고, 요홈부에 도전성 물질을 도포하여 상기 전극 패턴(227)과 연장 패턴(228a,228b)을 연결시키는 것이 바람직하다. 그래서, 상기 연장 패턴(228a,228b)과 상기 발광소자(100)는 상기 통전 비아(229) 및 전극 패턴(227)에 의해 통전되는다.In addition, at least one pair of conductive vias 229 for energizing the electrode patterns 227 and the extension patterns 228a and 228b may be formed on side surfaces of the first to third ceramics 220a, 220b and 220c, respectively. Is formed. The conductive via 229 may have grooves formed on side surfaces of the ceramic member 220, and a conductive material may be coated on the grooves to connect the electrode patterns 227 and the extension patterns 228a and 228b. Thus, the extension patterns 228a and 228b and the light emitting device 100 are energized by the conductive vias 229 and the electrode patterns 227.

본 실시예에서는 3 쌍의 전극 패턴(227) 및 연장 패턴(228a,228b)을 연결하기 위하여 상기 세라믹 부재(220)의 서로 대향되는 양 측면에 각각 3 쌍의 통전 비아(229)를 형성하였다. 물론 상기 통전 비아(229)의 형상은 세라믹 부재(220)의 측면에 형성되는 요홈부 형상에 한정되지 않고, 세라믹 부재(220)를 관통하는 홀과 같은 다양한 형상으로 구현될 수 있다.In this embodiment, in order to connect the three pairs of electrode patterns 227 and the extension patterns 228a and 228b, three pairs of conductive vias 229 are formed on both side surfaces of the ceramic member 220 facing each other. Of course, the shape of the conductive via 229 is not limited to the shape of the recess formed on the side of the ceramic member 220, and may be implemented in various shapes such as a hole penetrating through the ceramic member 220.

상기 버퍼 부재(240)는 상기 금속 부재(210)와 세라믹 부재(220)의 접합부위에 구비되어 상기 금속 부재(210)와 세라믹 부재(220)의 열팽창계수 차이를 상쇄시키는 수단으로서, 상기 금속 부재(210)의 하부 접합부(215) 상면과 상기 세라믹 부재(220)의 상부 접합부(223) 하면 사이 구비된다. 본 실시예에서 금속 부재(210)로 사용된 구리합금의 열팽창 계수는 대략 17×10-6/K 이고, 세라믹 부재(220)의 열팽창 계수는 대략 6×10-6/K 이다. 따라서 상기 금속 부재(210)와 세라믹 부재(220) 사이에 개재되는 상기 버퍼 부재(240)의 열팽창계수는 상기 금속 부재(210)와 세라믹 부재(220)의 열팽창 계수 차이를 상쇄시키기 위하여 다음의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. 조건은 버퍼 부재(240)의 열팽창계수와 금속 부재(210)의 열팽창계수의 평균값이 상기 세라믹 부재(220)의 열팽창계수보다 크고, 상기 금속 부재(210)의 열팽창계수과 같거나 작은 것이다. 다만, 세라믹 부재(220)에 발생되는 응력을 보다 효과적으로 감소시키기 위하여 세라믹 부재(220)의 열팽창 계수와 유사한 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 따라 상기 버퍼 부재(240)는 열팽창 계수가 대략 4 ×10-6/K ~ 17×10-6/K인 재료가 사용될 수 있고, 바람직하게는 4 ×10-6/K ~ 8×10-6/K 인 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 코바(Kovar), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴(Mo)합금, 텅스텐(W), 텅스텐(W)합금, 구리(Cu)합금 및 니켈(Ni)합금 중 어느 하나 또는 그 합금이 선택적으로 사용될 수 있다. 상기 코바(KOVAR)는 세라믹과 유리(glass)의 열팽창특성과 적합한 소재로서 다양한 반도체 부품 및 전자 제품의 실링 및 접합 소재로 적용되고 재료이다.The buffer member 240 is provided at the junction between the metal member 210 and the ceramic member 220 to cancel the difference in coefficient of thermal expansion between the metal member 210 and the ceramic member 220. An upper surface of the lower junction 215 of the 210 and a lower surface of the upper junction 223 of the ceramic member 220 may be provided. In this embodiment, the thermal expansion coefficient of the copper alloy used as the metal member 210 is approximately 17 × 10 −6 / K, and the thermal expansion coefficient of the ceramic member 220 is approximately 6 × 10 −6 / K. Therefore, the coefficient of thermal expansion of the buffer member 240 interposed between the metal member 210 and the ceramic member 220 is a condition to cancel the difference in the coefficient of thermal expansion between the metal member 210 and the ceramic member 220 It is desirable to satisfy. The condition is that the average value of the thermal expansion coefficient of the buffer member 240 and the thermal expansion coefficient of the metal member 210 is greater than the thermal expansion coefficient of the ceramic member 220 and is equal to or smaller than the thermal expansion coefficient of the metal member 210. However, in order to more effectively reduce the stress generated in the ceramic member 220, it is preferable to use a material similar to the thermal expansion coefficient of the ceramic member 220. Accordingly, the buffer member 240 may be a material having a coefficient of thermal expansion of approximately 4 × 10 −6 / K to 17 × 10 −6 / K, preferably 4 × 10 −6 / K to 8 × 10 − Preference is given to using materials which are 6 / K. For example, Kovar, molybdenum (Mo), molybdenum (Mo) alloy, tungsten (W), tungsten (W) alloy, copper (Cu) and nickel (Ni) alloys or alloys thereof selectively Can be used. The KOVAR is a material suitable for the thermal expansion characteristics of ceramics and glass and is used as a sealing and bonding material for various semiconductor parts and electronic products.

상기 금속 접합부재(230a,230b)는 상기 금속 부재(210), 세라믹 부재(220) 및 버퍼 부재(240)를 접합시키는 수단으로서, 블레이징(brazing)과 같은 용접방법으로 접합된다. 이때 사용되는 금속 접합부재는 은(Ag) 및 구리(Cu) 중 선택되는 어느 하나 또는 그 합금이 사용되는데, 약 500 ~ 900℃의 열에 용융되면서 상기 금속 부재(210)의 하부 접합부(215) 상면과 버퍼 부재(240)의 하면 사이, 상기 세라믹 부재(220)의 상부 접합부(223) 하면과 버퍼 부재(240)의 상면 사이를 접합한다. The metal bonding members 230a and 230b are means for joining the metal member 210, the ceramic member 220, and the buffer member 240, and are joined by a welding method such as brazing. At this time, the metal joining member used is any one selected from silver (Ag) and copper (Cu) or an alloy thereof, and the upper surface of the lower joining portion 215 of the metal member 210 may be melted at a temperature of about 500 to 900 ° C. The lower surface of the buffer member 240 is bonded to the lower surface of the upper junction portion 223 of the ceramic member 220 and the upper surface of the buffer member 240.

상기 몰딩 부재(250)는 상기 발광소자(100) 및 와이어(110)를 봉지하여 보호하는 수단으로서, 상기 세라믹 부재(220), 정확하게는 제 3 세라믹(220b)에 형성되는 충진공(225) 및 상기 금속 부재(210)의 반사면(213) 내부에 충진되어 상기 발광소자(100) 및 와이어(110)를 밀봉한다. 상기 몰딩 부재(250)는 비교적 경도가 높고, 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 형성할 수 있다. 하지만 이에 한정되지 않고, 발광 다이오드 패키지의 용도에 따라 광이 투과될 수 있을 정도로 투명한 수지라면 어떠한 재료가 사용되어도 무방할 것이다. 또한, 상기 몰딩 부재(250)에는 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 전환시켜 다양한 색상을 구현하기 위하여 다양한 종류의 형광체(미도시)가 혼합될 수 있다. 그리고, 몰딩 부재(250)의 표면은 발광소자(100)에서 발광되는 광의 지향각을 조절 또는 분산하기 위하여 다양한 형상으로 설계되어 구현될 수 있다.
The molding member 250 is a means for encapsulating and protecting the light emitting device 100 and the wire 110, and the filling hole 225 formed in the ceramic member 220, precisely, the third ceramic 220b, and The light is filled in the reflective surface 213 of the metal member 210 to seal the light emitting device 100 and the wire 110. The molding member 250 may have a relatively high hardness and be formed of a transparent silicone resin or an epoxy resin. However, the present invention is not limited thereto, and any material may be used as long as the resin is transparent enough to transmit light according to the use of the LED package. In addition, various types of phosphors (not shown) may be mixed in the molding member 250 to realize various colors by switching wavelengths of light emitted from the light emitting device 100. In addition, the surface of the molding member 250 may be designed and implemented in various shapes in order to adjust or disperse the directivity angle of the light emitted from the light emitting device 100.

한편, 도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 사시도이며, 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이다.4 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 전술된 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 구성이 유사하다. 다만, 세라믹 부재의 제 2 세라믹(320b)에 형성되는 상부 접합부(323)의 손상을 방지하기 위하여 보강부(322)가 더 형성된다.As shown in the figure, the LED package according to the second embodiment of the present invention is similar in configuration to the LED package according to the first embodiment described above. However, the reinforcement part 322 is further formed to prevent damage to the upper junction part 323 formed on the second ceramic 320b of the ceramic member.

제 2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제 1 실시예와 마찬가지로 적어도 하나 이상의 발광소자(100)와; 금속 부재(310), 세라믹 부재(320), 버퍼 부재(340), 금속 접합부재(330a,330b) 및 몰딩 부재(350)로 이루어지는 기판 유닛을 포함한다.The light emitting diode package according to the second embodiment includes at least one light emitting device 100 as in the first embodiment; The substrate unit may include a metal member 310, a ceramic member 320, a buffer member 340, metal bonding members 330a and 330b, and a molding member 350.

이때 상기 발광소자(100), 금속 부재(310), 버퍼 부재(340), 금속 접합부재(330a,330b) 및 몰딩 부재(350)는 제 1 실시예에 설명된 구성요소와 동일한 구성 및 작용을 하는 구성요소이기 때문에 중복되는 설명은 생략하기로 한다.In this case, the light emitting device 100, the metal member 310, the buffer member 340, the metal bonding members 330a and 330b and the molding member 350 have the same configuration and operation as those described in the first embodiment. Duplicate explanations will be omitted since it is a component.

상기 세라믹 부재(320)는 제 1 실시예와 마찬가지로 제 1 내지 제 3 세라믹(320a,320b,320c)으로 이루어진다. 이때 상기 제 2 세라믹(320b)에는 전극 패턴(327)이 형성되고, 상기 금속 부재(310)와 접합이 이루어지는 상부 접합부(323)가 형성된다. 그리고 상기 제 3 세라믹(320c)에는 그 내주부에 상기 전극 패턴(327)이 형성되는 영역을 제외한 영역이 상기 상부 접합부(323)에 대응되도록 연장되어 돌출되는 보강부(322)가 형성된다. 이때 상기 보강부(322)의 형상은 특정 형상에 한정되지 않고, 상기 상부 접합부(323)의 상면에 접하면서 상기 상부 접합부(323)가 응력에 의해 변형되거나 손상되는 것을 방지할 수 있다면 어떠한 형상으로 구현되어도 무방하다.
The ceramic member 320 is made of first to third ceramics 320a, 320b, and 320c as in the first embodiment. In this case, an electrode pattern 327 is formed on the second ceramic 320b, and an upper junction 323, which is bonded to the metal member 310, is formed. In addition, a reinforcement part 322 is formed on the inner circumference of the third ceramic 320c such that an area except for the area where the electrode pattern 327 is formed is extended to correspond to the upper junction part 323. In this case, the shape of the reinforcement part 322 is not limited to a specific shape, and if the upper junction part 323 is prevented from being deformed or damaged by stress while being in contact with the upper surface of the upper junction part 323, in any shape. It may be implemented.

그리고, 도 6은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 사시도이다.6 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 전술된 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 구성이 유사하다. As shown in the figure, the LED package according to the third embodiment of the present invention is similar in configuration to the LED package according to the first and second embodiments described above.

제 3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제 1 및 제 2 실시예와 마찬가지로 발광소자(100)와; 금속 부재, 세라믹 부재(420), 버퍼 부재, 금속 접합부재 및 몰딩 부재(450)로 이루어지는 기판 유닛을 포함한다.The light emitting diode package according to the third embodiment includes a light emitting device 100 as in the first and second embodiments; The substrate unit includes a metal member, a ceramic member 420, a buffer member, a metal bonding member, and a molding member 450.

다만, 상기 발광소자(100)가 한 개 실장되고, 이에 대응하여 상기 세라믹 부재(420)에 형성되는 전극 패턴(427) 및 연장 패턴(428a)의 개수를 한 쌍으로 한정한 것이다. 도시하지 않았지만 상기 세라믹 부재(420)의 하면에 형성되는 연장 패턴의 개수도 한 쌍으로 한정한다. 도시된 바와 같이 발광소자(100)의 개수가 한 개인 경우에는 발광소자(100)의 개수에 대응하여 전극 패턴(427) 및 연장 패턴(428a)도 한 쌍이 형성되는 것이 바람직하다.However, one light emitting device 100 is mounted, and the number of electrode patterns 427 and extension patterns 428a formed in the ceramic member 420 is limited to one pair. Although not shown, the number of extension patterns formed on the bottom surface of the ceramic member 420 is limited to one pair. As illustrated, when the number of light emitting devices 100 is one, a pair of electrode patterns 427 and extension patterns 428a may also be formed corresponding to the number of light emitting devices 100.

이때 상기 발광소자(100), 금속 부재, 버퍼 부재, 금속 접합부재 및 몰딩 부재(450)는 제 1 및 제 2 실시예에 설명된 구성요소와 동일한 구성 및 작용을 하는 구성요소이기 때문에 중복되는 설명은 생략하기로 한다.In this case, since the light emitting device 100, the metal member, the buffer member, the metal bonding member, and the molding member 450 are components that have the same configuration and function as those described in the first and second embodiments, the overlapping descriptions will be described. Will be omitted.

상기 세라믹 부재(420)는 제 1 및 제 2 실시예와 마찬가지로 제 1 내지 제 3 세라믹(420a,420b,420c)으로 이루어진다. 이때 상기 제 2 세라믹(420b)에는 상기 발광소자(100)의 개수에 대응하여 한 쌍의 전극 패턴(427)이 형성된다. 그리고 상기 제 1 세라믹(420a)의 하면 및 제 3 세라믹(420c)의 상면에는 상기 전극 패턴(427)과 연결되는 연장 패턴(428a)이 한 쌍씩 형성된다. 그리고, 상기 제 1 내지 제 3 세라믹(420a,420b,420c)의 측면에는 상기 전극 패턴(427)과 연장 패턴(428a)을 각각 통전시키는 적어도 한 쌍 이상의 통전 비아(429)가 형성된다. 상기 통전 비아(429)의 개수는 발광소자(100)의 개수와는 무관하며 상기 전극 패턴(427)과 연장 패턴(428a)을 각각 통전시킬 수 있는 다양한 방법으로 구현이 가능할 것이다.
The ceramic member 420 is made of first to third ceramics 420a, 420b, and 420c similarly to the first and second embodiments. In this case, a pair of electrode patterns 427 are formed in the second ceramic 420b to correspond to the number of the light emitting devices 100. In addition, a pair of extension patterns 428a connected to the electrode pattern 427 are formed on the bottom surface of the first ceramic 420a and the top surface of the third ceramic 420c. In addition, at least one pair of conductive vias 429 are formed on side surfaces of the first to third ceramics 420a, 420b, and 420c to energize the electrode pattern 427 and the extension pattern 428a, respectively. The number of conductive vias 429 is independent of the number of light emitting devices 100 and may be implemented in various ways to energize the electrode pattern 427 and the extension pattern 428a, respectively.

그리고, 도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a fourth embodiment of the present invention.

제 4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 전술된 실시예와 마찬가지로 발광소자(100)와; 금속 부재(510), 세라믹 부재(520), 금속 접합부재(530) 및 몰딩 부재(550)로 이루어지는 기판 유닛을 포함한다. 다만, 금속 부재(510)와 세라믹 부재(520) 사이의 열팽창 계수 차이를 상쇄시키는 버퍼 부재가 생략된다. 그래서, 상기 금속 부재(510)와 세라믹 부재(520)가 금속 접합부재(530)에 의해 직접 접합된다. 하지만, 금속 접합부재(530)의 사용에 의해서 금속 부재(510)와 세라믹 부재(520) 사이가 견고하게 접합되고, 금속 부재(510)의 형상에 따라 열방출 효과가 증대되기 때문에 일정 온도수준까지는 세라믹 부재(520)의 변형, 손상 및 분리를 방지할 수 있다.
The light emitting diode package according to the fourth embodiment includes a light emitting device 100 as in the above-described embodiment; The substrate unit may include a metal member 510, a ceramic member 520, a metal bonding member 530, and a molding member 550. However, a buffer member that cancels the difference in thermal expansion coefficient between the metal member 510 and the ceramic member 520 is omitted. Thus, the metal member 510 and the ceramic member 520 are directly bonded by the metal bonding member 530. However, since the metal joining member 530 is firmly bonded between the metal member 510 and the ceramic member 520, and the heat dissipation effect is increased according to the shape of the metal member 510, the temperature of the metal joining member 530 is increased to a predetermined temperature level. Deformation, damage, and separation of the ceramic member 520 can be prevented.

또한, 도 8은 내지 도 9는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 도면으로서, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 사시도이고, 도 9는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이다.8 to 9 are views showing a light emitting diode package according to a fifth embodiment of the present invention, a perspective view showing a light emitting diode package according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment.

제 5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 전술된 실시예와 마찬가지로 발광소자(100)와; 금속 부재(610), 세라믹 부재(620), 버퍼 부재(640), 금속 접합부재(630a,630b) 및 몰딩 부재(650)로 이루어지는 기판 유닛을 포함한다.The LED package according to the fifth embodiment includes a light emitting device 100 as in the above-described embodiment; The substrate unit includes a metal member 610, a ceramic member 620, a buffer member 640, metal bonding members 630a and 630b, and a molding member 650.

다만, 상기 금속 부재(610)는 상면에 반사면이 형성되지 않고, 상기 발광소자(100)이 실장되는 실장영역을 포함하면서 평탄하게 형성된다. 그리고, 상기 세라믹 부재(620)의 내벽에는 상기 발광소자(100)에서 발광되는 광을 반사시키는 도금층(660)이 형성된다. 이때 상기 도금층(660)은 상기 세라믹 부재(620)의 내벽을 메탈라이징 처리한 다음 광을 반사시키는 기능을 갖는 재료를 도금하여 형성한다. 예를 들어 상기 도금층(660)은 은(Ag) 또는 은(Ag)합금 등을 사용하여 형성할 수 있다. 물론 상기 도금층(660)의 재료는 제시된 재료에 한정되지 않고 발광소자(100)에서 발광되는 광을 반사시키는 기능을 수행하는 다양한 재료로 변경하여 구현할 수 있다.However, the reflective member is not formed on the upper surface of the metal member 610 and is formed to be flat while including a mounting area in which the light emitting device 100 is mounted. In addition, a plating layer 660 reflecting light emitted from the light emitting device 100 is formed on an inner wall of the ceramic member 620. In this case, the plating layer 660 is formed by plating a material having a function of reflecting light after metallizing the inner wall of the ceramic member 620. For example, the plating layer 660 may be formed using silver (Ag) or silver (Ag) alloy. Of course, the material of the plating layer 660 is not limited to the materials presented, and may be changed to various materials that perform a function of reflecting light emitted from the light emitting device 100.

이때 상기 도금층(660)은 상기 세라믹 부재(620)에 형성되는 전극 패턴(627) 및 연장 패턴(628a)과 연결되지 상호간에 통전되지 않는 것이 바람직하다.In this case, the plating layer 660 may be connected to the electrode pattern 627 and the extension pattern 628a formed on the ceramic member 620, and may not be electrically energized with each other.

그리고, 상기 도금층(660)은 세라믹 부재(620)의 내벽뿐만이 아니라 금속 접합부재(630a,630b)의 내벽 중 외부로 노출되는 영역에 함께 형성될 수 있다.In addition, the plating layer 660 may be formed not only on the inner wall of the ceramic member 620 but also on a region exposed to the outside among the inner walls of the metal bonding members 630a and 630b.

상기 몰딩 부재(650)는 상기 세라믹 부재(620)에 의해 형성되는 충진공 및 상기 금속 부재(610)의 실장영역에 충진된다.The molding member 650 is filled in the filling hole formed by the ceramic member 620 and the mounting region of the metal member 610.

한편, 상기 발광소자(100), 버퍼 부재(640), 금속 접합부재(630a,630b) 및 몰딩 부재(450)는 제 1 및 제 2 실시예에 설명된 구성요소와 동일한 구성 및 작용을 하는 구성요소이기 때문에 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, the light emitting device 100, the buffer member 640, the metal bonding members 630a and 630b, and the molding member 450 have the same configuration and function as the components described in the first and second embodiments. Since it is an element, duplicate description will be omitted.

그리고, 상기 발광소자(100)가 한 개 실장되고, 이에 대응하여 상기 세라믹 부재(620)에 형성되는 전극 패턴(627) 및 연장 패턴(628a)의 개수를 한 쌍으로 한정한 것이다. 이때 상기 세라믹 부재(620) 중 제 3 세라믹()에는 그 내주부에 상기 전극 패턴(627)이 형성되는 영역에 홈부를 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 도시하지 않았지만 상기 세라믹 부재(620)의 하면에 형성되는 연장 패턴의 개수도 한 쌍으로 한정한다. 도시된 바와 같이 발광소자(100)의 개수가 한 개인 경우에는 발광소자(100)의 개수에 대응하여 전극 패턴(627) 및 연장 패턴(628a)도 한 쌍이 형성되는 것이 바람직하다.
In addition, one light emitting device 100 is mounted, and the number of electrode patterns 627 and extension patterns 628a formed in the ceramic member 620 is limited to one pair. In this case, it is preferable to form a groove in the third ceramic () of the ceramic member 620 in a region in which the electrode pattern 627 is formed in the inner circumference thereof. Although not shown, the number of extension patterns formed on the bottom surface of the ceramic member 620 is limited to one pair. As illustrated, when the number of light emitting devices 100 is one, a pair of electrode patterns 627 and extension patterns 628a may also be formed corresponding to the number of light emitting devices 100.

한편, 도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 금속 부재의 변형예를 보여주는 도면으로서, 도 10은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 금속 부재의 변형예를 보여주는 단면도이고, 도 11은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 금속 부재의 다른 변형예를 보여주는 단면도이다.10 and 11 are views showing a modification of the metal member according to the present invention, FIG. 10 is a sectional view showing a modification of the metal member according to the fifth embodiment of the present invention, and FIG. It is sectional drawing which shows the other modified example of the metal member which concerns on 5th Example.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 변형예 에따른 금속 부재(610)는 열팽창계수의 제어를 위하여 복수의 금속층이 적층된 구조로 형성할 수 있다.As shown in the figure, the metal member 610 according to the modification of the present invention may be formed in a structure in which a plurality of metal layers are stacked to control the thermal expansion coefficient.

예를 들어 도 10에 도시된 바와 같이 금속 부재(610)는 금속층 중 최상위 금속층(611)과 최하위 금속층(612)은 구리(Cu)로 형성되고, 상기 최상위 금속층(611)과 최하위 금속층(612) 사이에 형성되는 중간층(613)은 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수 있다.For example, as illustrated in FIG. 10, the uppermost metal layer 611 and the lowermost metal layer 612 of the metal layers are formed of copper (Cu), and the uppermost metal layer 611 and the lowermost metal layer 612. The intermediate layer 613 formed therebetween may be formed of molybdenum (Mo).

또한, 도 11에 도시된 바와 같이 금속 부재(610)는 금속층 중 최상위 금속층(611)과 최하위 금속층(612)은 구리(Cu)로 형성되고, 상기 최상위 금속층(611)과 최하위 금속층(613) 사이에 형성되는 중간층(613,614,615)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)이 순차적으로 적층시켜 형성될 수 있다.
In addition, as shown in FIG. 11, the metal member 610 is formed of copper (Cu), the uppermost metal layer 611 and the lowermost metal layer 612, and between the uppermost metal layer 611 and the lowermost metal layer 613. The intermediate layers 613, 614, and 615 may be formed by sequentially depositing molybdenum (Mo), copper (Cu), and molybdenum (Mo).

한편, 도 12는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 보여주는 단면도이다.12 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a sixth embodiment of the present invention.

제 6 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 전술된 실시예와 마찬가지로 발광소자(100)와; 금속 부재(710), 세라믹 부재(720), 버퍼 부재(740), 금속 접합부재(730a,730b) 및 몰딩 부재(750)로 이루어지는 기판 유닛을 포함한다.The LED package according to the sixth embodiment includes a light emitting device 100, as in the above-described embodiment; The substrate unit may include a metal member 710, a ceramic member 720, a buffer member 740, metal bonding members 730a and 730b, and a molding member 750.

다만, 상기 세라믹 부재(720)에 형성되는 전극패턴(770)을 제 3 세라믹(720c)의 상면으로 연장하지 않고, 제 1 세라믹(720a)의 하면으로 연장할 수 있다.However, the electrode pattern 770 formed on the ceramic member 720 may extend to the bottom surface of the first ceramic 720a without extending to the top surface of the third ceramic 720c.

한편, 상기 발광소자(100), 금속 부재(710), 버퍼 부재(740), 금속 접합부재(730a,730b) 및 몰딩 부재(750)는 제 1 및 제 2 실시예에 설명된 구성요소와 동일한 구성 및 작용을 하는 구성요소이기 때문에 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
Meanwhile, the light emitting device 100, the metal member 710, the buffer member 740, the metal bonding members 730a and 730b and the molding member 750 are the same as the components described in the first and second embodiments. Duplicate descriptions will be omitted since the components are components that function and function.

본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms. In other words, the above-described embodiments are provided so that the disclosure of the present invention is complete, and those skilled in the art will fully understand the scope of the invention, and the scope of the present invention should be understood by the appended claims .

100: 발광소자 200: 기판 유닛
210: 금속 부재 220: 세라믹 부재
230: 금속 접합부재 240: 버퍼 부재
250: 몰딩 부재100: light emitting element 200: substrate unit
210: metal member 220: ceramic member
230: metal bonding member 240: buffer member
250: molding member

Claims (16)

발광소자가 실장되는 기판 유닛으로서,
몸체의 상부에는 상기 발광소자가 실장되는 실장영역이 형성되고, 몸체의 하부에는 몸체의 실장영역보다 직경이 크게 형성되어 외측방향으로 돌출되는 하부 접합부가 형성되는 금속 부재와;
몸체의 내부에는 금속 부재의 실장영역을 노출시키는 관통공이 형성되고, 상기 금속 부재의 하부 접합부에 대응하여 내측방향으로 돌출되는 상부 접합부가 형성되는 세라믹 부재와;
상기 금속 부재의 하부 접합부와 상기 세라믹 부재의 상부 접합부를 접합시키는 금속 접합부재를 포함하는 기판 유닛.A substrate unit on which a light emitting element is mounted,
A metal member having a mounting area in which the light emitting device is mounted on an upper portion of the body, and a lower junction portion protruding outward from a lower diameter of the body than a mounting area of the body;
A ceramic member having a through hole for exposing a mounting area of the metal member and having an upper junction protruding inwardly corresponding to the lower junction of the metal member;
And a metal joining member joining a lower joining portion of the metal member and an upper joining portion of the ceramic member. 청구항 1에 있어서,
상기 금속 부재의 하부 접합부 상면과 상기 세라믹 부재의 상부 접합부 하면 사이 구비되어 상기 금속 부재와 세라믹 부재의 열팽창계수 차이를 상쇄시키는 버퍼 부재를 더 포함하고,
상기 금속 접합부재는 상기 금속 부재의 하부 접합부와 상기 버퍼 부재 사이, 상기 버퍼 부재와 상기 세라믹 부재의 상부 접합부 사이를 각각 접합시키는 기판 유닛.The method according to claim 1,
A buffer member disposed between an upper surface of a lower junction portion of the metal member and a lower surface of an upper junction portion of the ceramic member to offset a difference in thermal expansion coefficient between the metal member and the ceramic member,
And the metal bonding member bonds between the lower bonding portion of the metal member and the buffer member and between the buffer bonding member and the upper bonding portion of the ceramic member. 청구항 2에 있어서,
상기 버퍼 부재의 열팽창계수와 금속 부재의 열팽창계수의 평균값은 상기 세라믹 부재의 열팽창계수보다 크고, 상기 금속 부재의 열팽창계수와 같거나 작은 기판 유닛.The method according to claim 2,
And a mean value of the coefficient of thermal expansion of the buffer member and the coefficient of thermal expansion of the metal member is greater than or equal to the coefficient of thermal expansion of the ceramic member. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 버퍼 부재의 재질은 코바(Kovar), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴(Mo)합금, 텅스텐(W), 텅스텐(W)합금, 구리(Cu)합금 및 니켈(Ni)합금 중 어느 하나 또는 그 합금인 기판 유닛.The method according to claim 2 or 3,
The material of the buffer member may be any one of Kovar, molybdenum (Mo), molybdenum (Mo) alloy, tungsten (W), tungsten (W) alloy, copper (Cu) alloy, and nickel (Ni) alloy or alloys thereof. Substrate unit. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 금속 부재의 상면에는 상기 발광소자의 광 지향각을 결정하는 반사면이 상기 실장영역의 가장자리에 형성되는 기판 유닛.The method according to claim 1 or 2,
And a reflecting surface that determines a light directing angle of the light emitting device on an edge of the mounting area on an upper surface of the metal member. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 금속 부재는 구리(Cu) 또는 구리(Cu)합금인 기판 유닛.The method according to claim 1 or 2,
And the metal member is copper (Cu) or copper (Cu) alloy. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 세라믹 부재는
내부에 상기 관통공의 하부영역이 형성되는 제 1 세라믹과;
상기 제 1 세라믹에 적층되고, 내부에 상기 관통공의 상부영역이 형성되며, 상기 상부 접합부가 형성되는 제 2 세라믹과;
상기 제 2 세라믹에 적층되고, 내부에는 상기 관통공과 연통되며 상기 금속 부재의 상단면 직경과 같거나 크게 충진공이 형성되는 제 3 세라믹으로 이루어지는 기판 유닛.The method according to claim 1 or 2, wherein the ceramic member
A first ceramic having a lower region of the through hole formed therein;
A second ceramic stacked on the first ceramic and having an upper region of the through hole formed therein and the upper junction formed thereon;
And a third ceramic stacked on the second ceramic, the third ceramic being in communication with the through hole and having a filling hole equal to or larger than the diameter of the top surface of the metal member. 청구항 7에 있어서,
상기 제 2 세라믹의 상면에는 적어도 한 쌍 이상의 전극 패턴이 형성되고,
상기 제 1 세라믹의 하면 및 상기 제 3 세라믹의 상면 중 적어도 어느 한면에는 상기 전극 패턴이 각각 연장되는 적어도 한 쌍 이상의 연장 패턴이 형성되는 기판 유닛.The method of claim 7,
At least one pair of electrode patterns are formed on an upper surface of the second ceramic,
And at least one pair of extension patterns on which at least one of the lower surface of the first ceramic and the upper surface of the third ceramic extends the electrode pattern. 청구항 8에 있어서,
상기 제 1 내지 제 3 세라믹의 측면에는 상기 전극 패턴과 연장 패턴을 각각 통전시키는 적어도 한 쌍 이상의 통전 비아(via)가 형성되는 기판 유닛.The method according to claim 8,
At least one pair of conductive vias are formed on side surfaces of the first to third ceramics to energize the electrode pattern and the extension pattern, respectively. 청구항 8에 있어서,
상기 제 3 세라믹의 내주부에는 상기 전극 패턴이 형성되는 영역을 제외한 영역이 상기 상부 접합부에 대응되도록 연장되어 돌출되는 보강부가 형성되는 기판 유닛.The method according to claim 8,
And a reinforcing part protruding from the inner circumferential portion of the third ceramic so that a region other than the region where the electrode pattern is formed extends to correspond to the upper junction portion. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 금속 접합부재는 은(Ag) 및 구리(Cu) 중 선택되는 어느 하나 또는 그 합금인 기판 유닛.The method according to claim 1 or 2,
The metal bonding member is any one selected from silver (Ag) and copper (Cu) or an alloy thereof. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 금속 부재의 상면은 상기 실장영역을 포함하면서 평탄하게 형성되고,
상기 세라믹 부재 및 금속 접합부재의 내벽 중 적어도 세라믹 부재의 내벽에는 상기 발광소자에서 발광되는 광을 반사시키는 도금층이 형성되는 기판 유닛.The method according to claim 1 or 2,
The upper surface of the metal member is formed to be flat while including the mounting area,
And a plating layer on at least an inner wall of the ceramic member of the inner wall of the ceramic member and the metal joining member to reflect the light emitted from the light emitting element. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 금속 부재는 복수의 금속층이 적층된 구조를 갖고,
상기 금속층 중 최상위 금속층과 최하위 금속층은 구리(Cu)로 형성되고,
상기 최상위 금속층과 최하위 금속층 사이에 형성되는 중간층은 몰리브덴(Mo)으로 형성되거나, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)이 순차적으로 적층되어 형성되는 기판 유닛.The method according to claim 1 or 2,
The metal member has a structure in which a plurality of metal layers are stacked,
The uppermost metal layer and the lowermost metal layer of the metal layer are formed of copper (Cu),
The intermediate layer formed between the uppermost metal layer and the lowermost metal layer is formed of molybdenum (Mo), or a substrate unit formed by sequentially stacking molybdenum (Mo), copper (Cu) and molybdenum (Mo). 적어도 하나 이상의 발광소자와;
상기 발광소자가 실장되는 금속 부재가 구비되고, 상기 발광소자와 연결되는 적어도 한 쌍 이상의 전극 패턴이 형성되며 상기 금속 부재를 둘러싸도록 금속 접합부재에 의해 접합되는 세라믹 부재가 구비되는 기판 유닛을 포함하고,
상기 기판 유닛의 금속 부재와 세라믹 부재의 접합부위에는 상기 금속 부재와 세라믹 부재의 열팽창계수 차이를 상쇄시키는 버퍼 부재가 개재되는 발광 다이오드 패키지.
At least one light emitting device;
A substrate unit having a metal member on which the light emitting element is mounted, a substrate unit having at least one pair of electrode patterns connected to the light emitting element, and having a ceramic member joined by a metal bonding member to surround the metal member; ,
And a buffer member interposed between the metal member of the substrate unit and the ceramic member to offset a difference in thermal expansion coefficient between the metal member and the ceramic member.
삭제delete 청구항 14에 있어서,
상기 금속 부재의 상면에는 상기 발광소자가 실장되는 실장영역이 형성되고,
상기 세라믹 부재의 상부영역에는 상기 금속 부재에 형성된 실장영역의 직경과 같거나 크게 충진공이 형성되고,
상기 충진공 및 상기 금속 부재의 실장영역에는 상기 발광소자를 봉지하는 몰딩부재가 충진되는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 14,
An upper surface of the metal member is provided with a mounting region in which the light emitting device is mounted.
Filling holes are formed in the upper region of the ceramic member to be equal to or larger than the diameter of the mounting region formed in the metal member.
The LED package is filled with a molding member for sealing the light emitting element in the filling hole and the mounting region of the metal member.
KR1020110038567A 2010-04-23 2011-04-25 Substrate unit and Light emitting diode package using the same KR101277201B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100037982 2010-04-23
KR1020100037982 2010-04-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110118597A KR20110118597A (en) 2011-10-31
KR101277201B1 true KR101277201B1 (en) 2013-06-20

Family

ID=45032146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110038567A KR101277201B1 (en) 2010-04-23 2011-04-25 Substrate unit and Light emitting diode package using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101277201B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102414125B1 (en) * 2020-07-21 2022-06-29 (주)티에스이 Flexible printed circuit board and method for manufacturing the same
KR102358393B1 (en) * 2020-09-22 2022-02-08 (주)티에스이 Flexible printed circuit board and method for manufacturing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050116377A (en) * 2003-03-18 2005-12-12 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 Light emitting element mounting member, and semiconductor device using the same
JP2006128511A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Ngk Spark Plug Co Ltd Ceramic substrate for light emitting element
JP2007234846A (en) * 2006-03-01 2007-09-13 Ngk Spark Plug Co Ltd Ceramic package for light-emitting element
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050116377A (en) * 2003-03-18 2005-12-12 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 Light emitting element mounting member, and semiconductor device using the same
JP2006128511A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Ngk Spark Plug Co Ltd Ceramic substrate for light emitting element
JP2007234846A (en) * 2006-03-01 2007-09-13 Ngk Spark Plug Co Ltd Ceramic package for light-emitting element
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110118597A (en) 2011-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4990355B2 (en) Semiconductor light emitting device package submount and semiconductor light emitting device package including the submount
CN100423304C (en) Package for semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device
KR102627890B1 (en) Uv light emitting apparatus
WO2006129690A1 (en) Substrate for led and led package
JP2005158957A (en) Light emitting device
US7569420B2 (en) Flip-chip packaging method for light emitting diode with eutectic layer not overlapping insulating layer
JP2007234846A (en) Ceramic package for light-emitting element
WO2006132795A2 (en) A light-emitting device module with a substrate and methods of forming it
KR20090072941A (en) High Power LED Package and Fabricating Method thereof
JP5212532B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
US20100301359A1 (en) Light Emitting Diode Package Structure
KR101253247B1 (en) substrate for light emitting device
JP2014086630A (en) Light-emitting element mounting component and light-emitting device
JP5038355B2 (en) Optical semiconductor device module
TW201427087A (en) Light-emitting diode and package structure thereof
JP2010283253A (en) Light-emitting device and substrate for light-emitting device
JP2008251664A (en) Illumination apparatus
KR101277201B1 (en) Substrate unit and Light emitting diode package using the same
KR101363980B1 (en) Optical module and manufacturing method thereof
JP5496975B2 (en) Semiconductor device module
JP2013219071A (en) Light-emitting element mounting component and light-emitting device
JP2014116411A (en) Substrate for mounting light emitting element and light emitting device
JP2011029433A (en) Led package
KR101004929B1 (en) Light emitting diode package and Light emitting diode package module having the same
KR101418008B1 (en) Substrate for LED and LED heat-sink structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee