KR101272998B1 - 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈 - Google Patents

태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101272998B1
KR101272998B1 KR1020110104743A KR20110104743A KR101272998B1 KR 101272998 B1 KR101272998 B1 KR 101272998B1 KR 1020110104743 A KR1020110104743 A KR 1020110104743A KR 20110104743 A KR20110104743 A KR 20110104743A KR 101272998 B1 KR101272998 B1 KR 101272998B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
electrode layer
glass frit
layer
support substrate
Prior art date
Application number
KR1020110104743A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130040018A (ko
Inventor
박기곤
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110104743A priority Critical patent/KR101272998B1/ko
Priority to PCT/KR2012/008332 priority patent/WO2013055157A1/en
Priority to US14/351,211 priority patent/US9362430B2/en
Priority to CN201280061952.3A priority patent/CN103988312B/zh
Publication of KR20130040018A publication Critical patent/KR20130040018A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101272998B1 publication Critical patent/KR101272998B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

실시예는 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈이 개시된다. 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 배치되며, 나트륨을 포함하는 유리 프릿; 상기 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 1 후면 전극층, 제 1 광 흡수층 및 제 1 전면 전극층을 포함하는 제 1 태양전지; 및 상기 유리 프릿 상에 순차적으로 배치되는 제 2 후면 전극층, 제 2 광 흡수층 및 제 2 전면 전극층을 포함하는 제 2 태양전지를 포함하며, 상기 제 1 태양전지와 상기 제 2 태양전지는 상기 유리 프릿 상에서 전기적으로 연결된다.
또한, 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법은 지지기판 상에 나트륨을 포함하는 유리 프릿을 형성하는 단계; 상기 지지기판 및 상기 유리 프릿 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈{SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE UNSING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈에 관한 것이다.
최근 심각한 환경 오염 문제와 화석 에너지 고갈로 인해, 신재생에너지에 대한 필요성 및 관심이 고조되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 공해가 적고, 자원이 무한하며 반 영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 무공해 에너지 원으로 기대되고 있다.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.
I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다.
일반적으로 CIGS 태양전지는 광 흡수층에 나트륨을 확산시켜 효율을 향상시킨다. 한편, 종래 태양전지는 광 흡수층으로 나트륨의 공급이 충분하지 않거나, 공급 정도의 제어가 어려운 문제가 있다.
이와 같은 태양전지의 최소단위를 태양전지 셀이라고 하며, 보통 태양전지 셀 1 개로부터 나오는 전압은 약 0.5 V 내지 약 0.6 V로 매우 작다. 따라서, 실제로는 여러 개의 태양전지 셀을 기판 상에 직렬로 연결하여 수 V 에서 수백 V 이상의 전압을 얻을 수 있는 패널 형태로 제작된 태양전지 모듈을 사용하게 된다. 도 1은 종래 CIGS 태양전지 모듈을 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 제 1 태양전지 셀(C1)의 전면 전극층(60)과 제 2 태양전지 셀(C2)의 후면 전극층(21)은 서로 접촉되며, 이에 의해 상기 제 1 태양전지 셀(C1)과 상기 제 2 태양전지 셀(C2)은 서로 연결된다. 이 때, 상기 제 1 태양전지 셀(C1)의 전면 전극층(60)은 수직방향으로 급격하게 구부러진 상태로 상기 제 2 태양전지 셀(C2)의 후면 전극층(21)과 연결된다. 이와 같이 상기 전면 전극층(60)의 구부러짐은 전면 전극층(60) 내의 전자의 흐름을 방해하며, 결과적으로 상기 태양전지 셀들 간의 연결 저항을 증가시키는 문제가 있다.
또한, 종래 CIGS 태양전지 모듈은 지지기판과 태양전지 간의 열팽창계수가 서로 상이한 바, 제조 공정 중 열처리 공정에 의하여 휨 현상이 발생하고, 이에 따라 태양전지 모듈가 지지기판으로부터 박리되는 등의 문제가 발생한다.
실시예는 향상된 광-전 변환 효율을 가지고, 휨 특성이 개선된 태양전지 및 태양전지 모듈을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 배치되며, 나트륨을 포함하는 유리 프릿; 상기 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 1 후면 전극층, 제 1 광 흡수층 및 제 1 전면 전극층을 포함하는 제 1 태양전지; 및 상기 유리 프릿 상에 순차적으로 배치되는 제 2 후면 전극층, 제 2 광 흡수층 및 제 2 전면 전극층을 포함하는 제 2 태양전지를 포함하며, 상기 제 1 태양전지와 상기 제 2 태양전지는 상기 유리 프릿 상에서 전기적으로 연결된다.
실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조 방법은 지지기판 상에 나트륨을 포함하는 유리 프릿을 형성하는 단계; 상기 지지기판 및 상기 유리 프릿 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는 지지기판 상에 배치되며, 나트륨을 포함하는 유리 프릿; 상기 지지기판 및 상기 유리 프릿 상에 배치되며, 제 1 높이 단차를 가지는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되며, 제 2 높이 단차를 가지는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 제 3 높이 단차를 가지는 전면전극층을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는 나트륨을 포함하는 유리 프릿을 지지기판 상에 형성함으로써, 유리 프릿 내의 나트륨을 광 흡수층으로 확산시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지는 광 흡수층의 나트륨의 양을 효율적으로 조절하여 광-전 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양전지는 유리 프릿에 의하여 상기 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층, 및 전면 전극층 모두 높이 단차를 가질 수 있다. 상기 태양전지들이 다수개 연결되어 태양전지 모듈을 형성하는 경우, 태양전지들을 연결하는 전극들은 상기 높이 단차에 의하여 서로 수평에 가깝게 접촉될 수 있고, 연결 전극들 간의 접촉 면적은 넓어질 수 있다. 또한, 지지기판 상의 비활성영역(Non-Active Area: NAA)를 감소시킬 수 있다. 즉, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 연결 전극의 구부러짐에 의한 접촉저항을 감소시키고, 광-전 효율을 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 태양전지 모듈은 유리 프릿의 열팽창계수를 지지기판의 열팽창계수 보다 크게 조절할 수 있는 바, 제조 공정 중 열처리 공정에 의한 지지기판의 휨현상을 최소화 할 수 있다. 이에 따라, 지지기판과 태양전지 모듈 간의 박리 현상 등을 방지할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 상기 유리 프릿에 의하여 요철 패턴이 형성된다. 상기와 같은 구조적 특성에 의하여, 상기 태양전지 모듈과 상기 태양전지 모듈 상에 형성되는 층 간의 접착력은 향상될 수 있으며, 결국 태양전지 모듈의 안정성 및 신뢰성은 향상될 수 있다.
도 1은 종래 태양전지의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 3는 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 4 내지 도 9은 태양전지 모듈의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지의 단면을 나타내는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는 지지기판(100), 유리 프릿(110), 후면 전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(400), 전면 전극층(600)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 상기 유리 프릿(110), 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(400), 상기 전면 전극층(600)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 높은 강도를 가진다. 또한, 상기 지지기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다. 예를 들어, 상기 지지기판(100)은 유리 기판 또는 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 티타늄기판 또는 폴리머 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 태양전지는 상기 지지기판(100) 상에 별도의 나트륨 공급층(유리 프릿, 110)을 배치시키는 바, 상기 지지기판(100)은 나트륨 등의 불순물을 포함하지 않을 수 있다.
상기 유리 프릿(110)는 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 유리 프릿(110)는 상기 지지기판(100)과 직접 접촉하여 배치될 수 있다.
상기 유리 프릿은 열처리에 의해 소결될 수 있는 것으로서, 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 유리 프릿은, SiO2계, SiO2-ZnO계(Si-Zn-O계), SiO2-B2O3계(Si-B-O계) 및 SiO2-Bi2O3계(Si-Bi-O계) 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 여기서, SiO2계란 유리 프릿의 주성분이 SiO2인 것을 의미하고, SiO2-ZnO계란 유리 프릿의 주성분이 SiO2이고 부성분으로서 ZnO가 함유된 것을 의미한다. 또한, 상기 유리 프릿은 상기와 같은 주성분 및 부성분 외에 기타 성분으로서의 산화물을 더 포함할 수 있다. 이러한 산화물은 예를 들어 Al2O3, Ta2O5, Sb2O5, ZrO2, HfO2, In2O3, Ga2O3, Y2O3, 및 Yb2O3 등으로 선택된 하나 또는 둘 이상으로부터 선택될 수 있다.
상기 유리 프릿(110)은 나트륨(Na)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유리 프릿(110) 내의 나트륨(11)은 도 2에서와 같이 입자 형태를 가질 수 있다.
상기 유리 프릿(110)에 대한 나트륨(111)의 농도는 약 10 wt% 내지 약 20 wt% 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 나트륨(111)의 농도는 약 13 wt% 내지 약 18 wt% 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 유리 프릿(110) 내의 나트륨(111)은 태양전지의 제조 공정 중 열처리 공정에 의하여 상기 광 흡수층(300) 상으로 확산될 수 있다. 즉, 실시예에 따른 태양전지는 상기 유리 프릿(110) 내의 나트륨(111)의 양을 조절함으로써, 상기 광 흡수층(300)으로 확산되는 나트륨(111)의 양을 효율적으로 조절할 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지는 개방전압과 충실도를 향상시킬 수 있으며, 결과적으로 태양전지의 광-전 변환 효율은 향상될 수 있다.
또한, 상기 유리 프릿(110)의 열팽창계수는 상기 지지기판(100)의 열팽창계수보다 크다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지는 상기 지지기판(100) 상에 다수개의 유리 프릿(110)을 형성함으로써, 제조 공정 중 열처리 공정에 의한 상기 지지기판(100)의 휨 현상을 최소화 할 수 있다. 이에 따라, 지지기판과 태양전지 모듈 간의 박리 현상 등을 방지할 수 있다.
더 자세하게, 상기 유리 프릿(110)의 제 1 열팽창계수는 상기 지지기판(100)의 열팽창계수보다 적어도 약 2.0 x 10-6/K 이상 큰 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 열팽창계수는 약 8.0 x 10-6/K 내지 약 10.0 x 10-6/K 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 유리 프릿(110)의 형태는 도 2에서와 같이 상기 지지기판(100) 상에 높이 단차를 형성하는 형상이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 유리 프릿(110)의 단면은 삼각형, 사각형 등의 다각형 또는 타원형, 반구형, 구형 등의 형상을 모두 포함할 수 있다.
도 2에서와 같이, 상기 유리 프릿(1110)은 높이 단차(h)를 가진다. 예를 들어, 상기 높이 단차(h)는 약 1 mm 내지 약 5 mm 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 높이 단차(h)는 약 2 mm 내지 약 4 mm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 유리 프릿(110)은 상기 지지기판(100)에 대하여 경사지게 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 유리 프릿(110)은 상기 지지기판(100)에 대하여 경사지는 면을 적어도 하나 이상 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유리 프릿(110)과 상기 지지기판(100)의 경사각(θ1)은 약 10° 내지 약 90°일 수 있다. 더 자세하게, 상기 유리 프릿(110)과 상기 지지기판(100)의 경사각은 약 10° 내지 약 50°일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 유리 프릿(110)에 의하여, 상기 지지기판(100) 상에 배치되는 후면 전극층(200), 광 흡수층(300), 및 전면 전극층(600)은 모두 높이 단차를 가질 수 있다.
상기 후면 전극층(200)은 상기 지지기판(100) 및 상기 유리 프릿(110) 상에 배치된다. 도 2를 참조하면, 상기 후면 전극층(200)은 상기 지지기판(100) 및 상기 유리 프릿(110)의 일부분을 덮어 형성될 수 있다.
상기 후면 전극층(200)은 상기 유리 프릿(110)에 의하여 제 1 높이 단차(H1)를 가질 수 있다. 즉, 상기 후면 전극층(200)은 상기 유리 프릿(110)에 의하여 서로 다른 높이를 가지는 박막 형태를 포함한다. 예를 들어, 상기 제 1 높이 단차(H1)는 약 1 mm 내지 약 5 mm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 더 자세하게, 상기 제 1 높이 단차(H1)는 약 2 mm 내지 약 4 mm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 후면 전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)(Se,S)2; CIGSS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1 eV 내지 1.8 Ev 일 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 유리 프릿(110)에 의하여 제 2 높이 단차(H2)를 가진다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 상기 유리 프릿(110)에 의하여 서로 다른 높이를 가지는 박막 형태를 포함한다. 예를 들어, 상기 제 2 높이 단차(H2)는 약 1.5 ㎛ 내지 약 1 mm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 더 자세하게, 상기 제 2 높이 단차(H2)는 약 2 mm 내지 약 4 mm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O, OH) 등을 포함한다. 상기 버퍼층(400)의 두께는 약 50 ㎚ 내지 약 150 ㎚ 일 수 있으며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2 eV 내지 2.4 eV 일 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1 eV 내지 약 3.3 eV 일 수 있다. 또한, 상기 고저항 버퍼층(500)은 생략될 수 있다. 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 유리 프릿(110)의 하여 각각 높이 단차를 가질 수 있다.
상기 전면 전극층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 예를 들어, 상기 전면 전극층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상의 고저항 버퍼층(500)과 직접 접촉하여 배치될 수 있다.
상기 전면 전극층(600)은 투광성 전도성 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 전면 전극층(600)은 n 형 반도체의 특성을 가질 수 있다. 이 때, 상기 전면 전극층(600)은 상기 버퍼층(400)과 함께 n 형 반도체층을 형성하여 p 형 반도체층인 상기 광 흡수층(300)과 pn 접합을 형성할 수 있다. 상기 전면 전극층(600)은, 예를 들어, 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)로 형성될 수 있다. 상기 전면 전극층(600)의 두께는 약 100 nm 내지 약 500 nm 일 수 있다.
상기 전면 전극층(600) 역시 상기 유리 프릿(110)에 의하여 제 3 높이 단차(H3)를 가질 수 있다. 즉, 상기 전면 전극층(600)은 상기 유리 프릿(110)에 의하여 서로 다른 높이를 가지는 박막 형태를 포함한다. 예를 들어, 상기 제 3 높이 단차(H3)는 약 1.5 ㎛ 내지 약 1 mm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 3는 실시예에 따른 태양전지 모듈을 나타내는 단면도이다. 즉, 앞선 태양전지에 관한 설명은 본 태양전지 모듈에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 3를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판(100), 유리 프릿(110), 제 1 태양전지(C1) 및 제 2 태양전지(C2)를 포함한다. 한편, 도 3에서는 두 개의 태양전지 셀들(C1, C2..)만을 개시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 즉, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 두 개 이상의 태양전지 셀들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 태양전지(C1)는 상기 지지기판(100) 상에 배치되는 제 1 후면 전극층(210), 상기 제 1 후면 전극층(210) 상에 배치되는 제 1 광 흡수층(310), 상기 제 1 광 흡수층(310) 상에 배치되는 제 1 전면 전극층(610)을 포함한다. 보다 상세하게, 상기 제 1 태양전지(C1)는 도 3에서와 같이 제 1 버퍼층(410), 제 1 고저항 버퍼층(510)을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제 2 태양전지(C2)는 상기 유리 프릿(110)들 상에 배치되는 제 2 후면 전극층(220), 상기 제 2 후면 전극층(220) 상에 배치되는 제 2 광 흡수층(320), 상기 제 2 광 흡수층(320) 상에 배치되는 제 2 전면 전극층(620)을 포함한다. 상기 제 2 태양전지(C2)는 상기 제 1 태양전지(C2)와 같이, 제 2 버퍼층(420), 제 2 고저항 버퍼층(520)을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제 1 태양전지(C1)와 상기 제 2 태양전지(C2)는 서로 전기적으로 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 1 태양전지(C1)와 상기 제 2 태양전지(C2)는 상기 제 1 태양전지(C1)의 제 1 전면 전극층(610)과 상기 제 2 태양전지(C2)의 제 2 후면 전극층(220)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 태양전지(C1)와 상기 제 2 태양전지(C2)는 상기 제 1 전면 전극층(610)과 상기 2 후면 전극층(220)을 접촉시킴으로써 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제 1 전면 전극층(610)과 상기 2 후면 전극층(220)은 각각 연결 전극의 기능을 할 수 있다.
도 3에서와 같이, 상기 제 1 전면 전극층(610)은 상기 제 2 후면 전극층(220)은 상기 유리 프릿(110) 상에서 접촉된다. 이에 따라, 상기 제 1 태양전지(C1)와 상기 제 2 태양전지(C2)는 상기 유리 프릿(110) 상에서 전기적으로 연결될 수 있다.
즉, 상기 지지기판(100) 상에 형성되는 상기 제 1 전면 전극층(610)은 상기 유리 프릿(110) 상에 형성되는 상기 제 2 후면 전극층(220)과 연결되며, 상기 유리 프릿(110)에 의하며 상기 제 1 전면 전극층(610)의 구부러짐을 최소화 할 수 있다.
더 자세하게, 상기 제 1 전면 전극층(610)은 수평으로 연장되어 상기 제 2 후면 전극층(220)과 직접 접촉될 수 있다. 이 때, 상기 제 1 전면 전극층(610)은 상기 제 2 후면 전극층(220)의 상면 및 상기 제 2 후면 전극층(220)의 측면을 모두 덮어 형성될 수 있다.
이와 같이, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 상기 유리 프릿(110)이 가지는 높이 단차에 의하여 태양전지 셀들을 연결하는 연결 전극들을 서로 수평에 가깝게 접촉시킬 수 있다. 또한, 상기 연결 전극 간의 접촉 면적을 보다 넓힐 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 연결 전극의 구부러짐에 의한 접촉저항을 감소시켜, 태양전지 모듈의 광-전 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 상기 유리 프릿(110)에 의하여 비활성영역(Non-active Area; NAA)은 감소될 수 있다. 도 1을 참조하면, 종래 태양전지 모듈의 비활성영역(NAA)의 폭은 W1이나, 실시예에 따른 태양전지 모듈의 비활성영역(NAA)의 폭은 상기 유리 프릿(110)에 의하여 W1 X COS θ로 감소하게 된다. 예를 들어, 상기 유리 프릿(110)이 상기 지지기판에 대하여 약 50°경사지게 형성되는 경우, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 종래 태양전지 모듈 보다 약 35% 정도 의 비활성영역(NAA)이 감소될 수 있다.
도 3를 참조하면, 상기 제 1 전면 전극층(210)과 상기 제 2 전면 전극층(220)은 서로 이격되어 형성된다. 또한, 상기 제 1 후면 전극층(610)과 상기 제 2 후면 전극층(620)은 서로 이격되어 배치된다. 상기 제 1 후면 전극층(610)과 상기 제 2 후면 전극층(620)이 이격됨에 따라, 태양전지 모듈은 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2)로 구분될 수 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 태양전지 모듈 상에는 고분자 수지층(미도시) 및 보호 패널(미도시) 등이 추가로 배치될 수 있다. 상기 고분자 수지층은 상기 태양전지 모듈과 상기 보호 패널 간의 접착력을 향상 시킬 뿐만 아니라, 외부의 충격으로부터 상기 태양전지 모듈을 보호할 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 수지층은 에틸렌비닐아세테이트(EVA) 필름을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 보호 패널은 외부의 물리적인 충격 및/또는 이물질로부터 상기 태양전지 모듈을 보호한다. 상기 보호 패널은 투명하며, 예를 들어, 강화 유리 등을 사용할 수 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다.
상기 언급한 바와 같이, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 유리 프릿(110)를 포함한다. 또한, 상기 유리 프릿(110)에 의하여, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 요철 패턴이 형성될 수 있다. 요철 패턴이 형성된 태양전지 모듈은 요철 패턴이 형성되지 않은 경우보다 상기 태양전지 모듈 상에 형성되는 층과의 접착력을 향상시킬 수 있다. 즉, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 상기 요철 패턴에 의하여 상기 태양전지 모듈과 상기 고분자 수지층, 또는 상기 태양전지 모듈과 상기 보호 패널 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 결국, 실시예에 따른 태양전지 모듈의 안정성 및 신뢰성은 향상될 수 있다.
도 4 내지 도 10은 실시예에 따른 태양전지 모듈을 제조하기 위한 공정을 도시한 도면들이다. 본 제조방법에서는 앞서 설명한 태양전지 및 태양전지 모듈을 참고하여 설명한다.
도 4 를 참조하면, 상기 지지기판(100) 상에 나트륨(111)을 포함하는 유리 프릿(110)을 형성한다. 일 실시예에 따른 상기 유리 프릿을 형성하는 단계는 나트륨(111)을 포함하는 유리 페이스트를 제조하고, 상기 유리 페이스트를 열처리함으로써 상기 유리 페이스트를 상기 유리 프릿으로 제조할 수 있다.
상기 유리 페이스트는 나트륨(111) 입자, 글래스 프릿, 도전성 분말, 바인더 및 용매를 포함할 수 있다. 그 밖에 상기 유리 페이스트는 고체 성분들의 분산성을 향상시키기 위하여 분산 매체를 포함하여 제조될 수 있다. 이 때, 상기 나트륨(111)의 농도는 10 wt% 내지 20 wt% 일 수 있으며, 더 자세하게, 상기 나트륨(111)의 농도는 13 wt% 내지 18 wt% 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 그 밖에 유리 페이스트를 구성하는 조성물 및 그의 농도는 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한없이 사용가능하다.
상기와 같이 제조된 유리 페이스트는 딥코팅, 스크린 프린팅법, 롤 프린팅법, 또는 테이블 코팅법 등에 의해 상기 지지기판(100) 상에 프린팅 되거나 코팅될 수 있다.
이후, 상기 유리 페이스트를 열처리하여 상기 유리 프릿(110)을 형성한다. 상기 열처리 공정은 상기 유리 페이스트를 건조, 예열 및 소성하는 과정을 모두 포함한다. 상기 예열 공정은 약 200℃ 내지 400℃의 온도에서, 약 10 분 내지 약 60 분 동안 진행될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이때, 상기 도전성 페이스트에 포함된 용매 및 바인더 등의 유기물질은 제거될 수 있다. 이후, 상기 도전성 페이스트은 약 450℃ 내지 600℃의 온도에서 소성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 유리 프릿(110)를 포함하는 상기 지지기판(100) 상에 후면 전극층(200)이 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 상기 유리 프릿(110)를 포함하는 상기 지지기판(100) 상에 후면 전극을 형성하고, 상기 후면 전극을 분리하는 제 1 패턴(P1)을 형성함으로써 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 패턴(P1)은 포토리소그라피(photo-lithography) 공정에 의하여 형성될 수 있다.
상기 제 1 패턴(P1)은 상기 유리 프릿(110) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 패턴(P1)은 상기 지지기판(100)에 대하여 수직 방향으로 형성될 수 있으나, 이와는 다르게, 상기 제 1 패턴(P1)은 상기 지지기판(100)에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.
상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 패턴(P1)에 의해서 서로 이격된다. 즉, 상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 패턴(P1)에 의하여 다수개의 후면전극들로 구분된다. 예를 들어, 상기 제 1 패턴(P1) 각각의 폭은 약 80 ㎛ 내지 200 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 6을 참조하면, 상기 후면 전극층(200) 상에는 상기 광 흡수층(300)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극층(200) 상에 CIG계 금속 프리커서 막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션 공정에 의해서, 셀레늄과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(300)이 형성된다.
이때, 상기 금속 프리커서 막을 형성하는 과정 및 상기 셀레니제이션 공정은 약 350℃ 내지 약 550℃의 온도에서 진행되고, 상기 유리 프릿(110) 에 포함된 나트륨(111)은 상기 광 흡수층(300)에 확산된다.
즉, 상기 나트륨(111)의 확산공정 및 상기 광 흡수층(300)을 형성하는 공정은 동시에 진행될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에는 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다. 이후, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)에는 제 2 패턴(P2)이 형성된다. 상기 제 2 패턴(P2)은 상기 유리 프릿(110) 상에 형성될 수 있다.
상기 제 2 패턴들(P2)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 후면 전극층(200)의 일부가 노출된다. 상기 제 2 패턴들(P2)의 폭은 약 80 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 제 2 패턴(P2)은 상기 지지기판(100)에 대하여 수직 방향으로 형성될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 제 2 패턴(P2)은 상기 지지기판(100)에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면 전극층(600)을 형성한다. 상기 전면 전극층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 전면 전극을 형성하고, 상기 전면 전극을 분리하는 제 3 패턴(P3)을 형성함으로써 제조될 수 있다. 또한, 상기 제 3 패턴들(P3)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 후면 전극층(300)의 일부가 노출된다. 예를 들어, 상기 제 3 패턴들(P3)의 폭은 약 80 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 9을 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면 전극층(600)은 상기 제 3 패턴 (P3)에 의해 관통된다. 즉, 상기 제 3 패턴(P3)에 의하여, 상기 태양전지 셀들(C1, C2..)은 각각 구분될 수 있다.
상기 제 3 패턴(P3)은 상기 유리 프릿(110) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 3 패턴(P3)은 상기 지지기판(100)에 대하여 수직 방향으로 형성될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 제 3 패턴(P3)은 상기 지지기판(100)에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (18)

  1. 지지기판 상에 배치되며, 나트륨을 포함하고, 높이 단차를 가지는 유리 프릿;
    상기 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 1 후면 전극층, 제 1 광 흡수층 및 제 1 전면 전극층을 포함하는 제 1 태양전지; 및
    상기 유리 프릿 상에 순차적으로 배치되는 제 2 후면 전극층, 제 2 광 흡수층 및 제 2 전면 전극층을 포함하는 제 2 태양전지를 포함하며,
    상기 제 1 태양전지와 상기 제 2 태양전지는 상기 유리 프릿 상에서 전기적으로 연결되는 태양전지 모듈.℃
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전면 전극층과 상기 제 2 후면 전극층은 상기 유리 프릿 상에서 직접 접촉하여 전기적으로 연결되는 태양전지 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전면 전극층의 일단은,
    상기 제 2 후면 전극층의 측면 상에 및 상기 제 2 후면 전극층의 상면 상에 접촉되는 태양전지 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전면 전극층의 일단은 수평으로 연장되어 상기 제 2 후면 전극층과 직접 접촉되는 태양전지 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전면 전극층과 상기 제 2 전면 전극층은 서로 이격되는 태양전지 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 후면 전극층과 상기 제 2 후면 전극층은 서로 이격되는 태양전지 모듈.
  7. 지지기판 상에 나트륨을 포함하고, 높이 단차를 가지는 유리 프릿을 형성하는 단계;
    상기 지지기판 및 상기 유리 프릿 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;
    상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 흡수층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유리 프릿을 형성하는 단계는,
    나트륨을 포함하는 유리 페이스트를 제조하고,
    상기 유리 페이스트를 열처리하여 상기 유리 프릿을 형성하는 것을 포함하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 광 흡수층을 형성하는 단계는,
    상기 유리 프릿 및 상기 광 흡수층을 열처리하는 것을 포함하며, 상기 열처리에 의하여 상기 유리 프릿 상에 나트륨은 상기 광 흡수층 상으로 확산되는 태양전지 모듈의 제조 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 후면 전극층을 형성하는 단계는,
    상기 유리 프릿 및 상기 지지기판 상에 후면 전극을 형성하고,
    상기 후면 전극을 분리하는 제 1 패턴을 상기 유리 프릿 상에 형성하는 것을 포함하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 광 흡수층을 형성하는 단계는,
    상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하고,
    상기 광 흡수층을 분리하는 제 2 패턴을 상기 유리 프릿 상에 형성하는 것을 포함하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 전면 전극층을 형성하는 단계는,
    상기 광 흡수층 상에 전면 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 전면 전극을 분리하는 제 3 패턴을 상기 유리 프릿 상에 형성하는 것을 포함하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
  13. 지지기판 상에 배치되며, 나트륨을 포함하는 유리 프릿;
    상기 지지기판 및 상기 유리 프릿 상에 배치되며, 제 1 높이 단차를 가지는 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 배치되며, 제 2 높이 단차를 가지는 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 배치되며, 제 3 높이 단차를 가지는 전면전극층을 포함하는 태양전지.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 나트륨의 농도는 10 wt% 내지 20 wt% 인 태양전지.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 유리 프릿의 제 1 열팽창계수는 상기 지지기판의 제 2 열팽창계수보다 큰 태양전지.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 열팽창계수는 8.0 x 10-6/K 내지 10.0 x 10-6/K 인 태양전지.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 유리 프릿의 높이는 각각 1 mm 내지 5 mm 인 태양전지.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 상기 지지기판에 대하여 경사지게 형성되며, 상기 경사각은 10° 내지 50° 인 태양전지.
KR1020110104743A 2011-10-13 2011-10-13 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈 KR101272998B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110104743A KR101272998B1 (ko) 2011-10-13 2011-10-13 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈
PCT/KR2012/008332 WO2013055157A1 (en) 2011-10-13 2012-10-12 Solar cell and solar cell module using the same
US14/351,211 US9362430B2 (en) 2011-10-13 2012-10-12 Solar cell and solar cell module using the same
CN201280061952.3A CN103988312B (zh) 2011-10-13 2012-10-12 太阳能电池及使用其的太阳能电池模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110104743A KR101272998B1 (ko) 2011-10-13 2011-10-13 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130040018A KR20130040018A (ko) 2013-04-23
KR101272998B1 true KR101272998B1 (ko) 2013-06-10

Family

ID=48082104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110104743A KR101272998B1 (ko) 2011-10-13 2011-10-13 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9362430B2 (ko)
KR (1) KR101272998B1 (ko)
CN (1) CN103988312B (ko)
WO (1) WO2013055157A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106206950A (zh) * 2015-05-25 2016-12-07 松下电器产业株式会社 太阳能电池以及太阳能电池模块

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100109317A (ko) * 2009-03-31 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR20110083427A (ko) * 2010-01-14 2011-07-20 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050238803A1 (en) * 2003-11-12 2005-10-27 Tremel James D Method for adhering getter material to a surface for use in electronic devices
US7435361B2 (en) * 2005-04-14 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
US8092601B2 (en) * 2006-12-13 2012-01-10 Ascentool, Inc. System and process for fabricating photovoltaic cell
KR101601269B1 (ko) * 2009-05-13 2016-03-08 엘지이노텍 주식회사 전기전도성 조성물 및 그로부터 제작된 ｐｖ용 전지
KR101091405B1 (ko) 2009-10-28 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101072526B1 (ko) * 2009-11-23 2011-10-11 주식회사 티지솔라 미세 입자가 형성된 태양전지
KR20110081674A (ko) 2010-01-08 2011-07-14 삼성전자주식회사 기판 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 광전 변환 소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100109317A (ko) * 2009-03-31 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR20110083427A (ko) * 2010-01-14 2011-07-20 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN103988312A (zh) 2014-08-13
KR20130040018A (ko) 2013-04-23
US9362430B2 (en) 2016-06-07
WO2013055157A1 (en) 2013-04-18
US20140261620A1 (en) 2014-09-18
CN103988312B (zh) 2016-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110024793A1 (en) Bulk heterojunction solar cell and method of manufacturing the same
KR20150031889A (ko) 테양전지
JP6338990B2 (ja) 多接合型太陽電池
KR101592576B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101428146B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR101114169B1 (ko) 태양광 발전장치
KR101189415B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101272998B1 (ko) 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈
KR101173418B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101327126B1 (ko) 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈
KR101262529B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101306529B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
EP2876694A1 (en) Solar cell
KR101417213B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR20110036220A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101896951B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101846337B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101273179B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101393743B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101327091B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101283106B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101306436B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101189378B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR101338741B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101610382B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160504

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170512

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee