KR101268199B1

KR101268199B1 - 열매체 순환식 챔버 냉각 장치

Info

Publication number: KR101268199B1
Application number: KR1020100132038A
Authority: KR
Inventors: 안요환; 조영석
Original assignee: 안요환
Priority date: 2010-12-22
Filing date: 2010-12-22
Publication date: 2013-05-27
Also published as: KR20120070637A

Abstract

본 발명은 내부에 유골분을 수용하여 용융시키는 도가니를 구비하고, 각 기둥면에는 마이크로웨이브를 발생시키는 마그네트론이 설치된 다각 기둥 형상의 챔버를 냉각시키는 장치는, 열매체를 냉각시키는 냉각장치; 냉각장치에서 냉각된 열매체를 전송받아 공급하는 열매체 공급관; 마그네트론의 안테나를 감싸는 링 형상의 중공 구조로 설치되고, 열매체 공급관을 통해 열매체를 공급받아 마그네트론을 냉각시키는 마그네트론 냉각부; 챔버의 각 기둥면에 접촉 설치되고, 하단부에 위치한 마그네트론 냉각부로부터 열매체를 유입하여 상단부로 유출하면서 챔버를 냉각시키는 열매체 순환회로; 및 챔버의 각 기둥면에 설치된 열매체 순환회로에서 유출되는 열매체를 모아 냉각장치로 배출하는 열매체 배출관;을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따르면, 유골분 결정화 과정 중에 냉각장치를 효과적으로 사용하여 빠르고 안정적인 챔버 냉각이 가능하며, 빠른 냉각과 동시에 도가니 등 챔버 구성 부품의 파손을 방지할 수 있고, 재작업을 진행하기 위한 조건을 빠르게 갖춤으로써 장비의 가동 효율을 크게 높일 수 있다는 효과가 있다

Description

열매체 순환식 챔버 냉각 장치{Apparatus for cooling a chamber by heating medium circulation}

본 발명은 유골분 결정화 장치를 구성하는 챔버를 열 매체 순환 방식에 의해 냉각시키는 장치에 관한 것이다.

사망한 사람이나 동물의 유골을 매장, 화장 등의 방법을 통하여 처리하는 방안 중 화장의 경우 유골을 유골 항아리에 담아 보관하는 이른 바, 납골 방식이 일반적으로 통용되고 있다. 그런데, 이러한 납골 방식은 유골을 장기간 보관하면 습기에 의한 2차 부패, 벌레의 내습 등의 문제를 야기하여 망자에 대한 혐오감과 재처리에 많은 문제점이 있어 왔다.

장례방식으로서 화장법이 안고 있는 상기 문제점들을 해결하여 유족들이 화장법으로 장례를 치르는데 거부감을 느끼지 않고, 장례를 지낸 뒤에도 자연스럽게 유골을 납골당이나 가정에 보관할 수 있도록 하기 위하여 유골분을 결정체로 만드는 방법이 대안으로 제시되고 있다.

도 1에 의하면, 유골분 결정화 장치(1)는 마그네트론(2), 발열 도가니(3a), 용융 도가니(3b), 개폐 수단(4), 배출관(5) 및 성형틀(6)을 포함하여 구성된다.

마그네트론(2)은 도가니(3)를 감싸는 챔버(7)의 기둥면에 설치되며, 마이크로웨이브를 발생시킨다.

발열 도가니(3a)는 수백 ~ 수천 오옴의 SiC재질로 이루어져 마그네트론(2)에 의하여 발생된 마이크로웨이브에 의하여 발열하며, 그 하부는 테이퍼(taper)진 형상을 이룬다. 일반적인 SiC를 사용하면 1,400℃에 산화를 하지만 고온에서 소결한 고온용 RSiC 소재는 1,650℃에서도 사용이 가능하다. 이때 RSiC는 능동 발열체가 아니고 수동 발열체이므로 부분적으로 산화가 이루어진다고 하여도 사용하는데 큰 문제가 없다.

용융 도가니(3b)는 발열 도가니(3a)의 내부에 밀착되게 설치되어 유골분을 수용하고 있다가 발열된 발열 도가니(3a)에 의하여 열전달을 받아 가열되어 유골분을 용융시키는 것으로, Al₂O₃, MgO, ZrO₂ 중에서 어느 하나를 사용한다. 이때 용융 도가니(3b)는 유골분이 충분히 용융되어 하부로 빠져나갈 수 있도록 깔때기 모양으로 구성하고, 그 하단의 중심에서 약간 이격된 위치에 배출구를 형성한다. 또한 용융 도가니(3b)는 발열 도가니(3a)와 충분한 열전달이 이루어지도록 하기 위해 발열 도가니(3a)와의 접촉 면적을 최대로 유지하도록 구성하고, 그 두께는 5~10mm이다. 또한 용융 도가니(3b)의 내부에 마이크로웨이브가 발진하여 반응하므로 전기적으로 접지 처리되고, 용융 도가니(3b)의 내부에는 도가니 온도를 측정하기 위하여 온도 센서가 설치된다.

개폐 수단(4)은 회동함에 의해 하부가 용융 도가니(3b)의 배출구를 개폐하거나 상하 이동에 의해 하부가 용융 도가니(3b)의 배출구를 개폐한다.

배출관(5)은 용융 도가니(3b)의 배출구에 연통하여 용융액을 배출하는데, 배출되는 용융액이 배출관(5) 내부에서 냉각되어 흐르지 못하고 응고되는 것을 방지하기 위하여 용융 도가니(3b)에 근접하여 설치하고, 주변을 단열제로 감싸 보온한다.

성형틀(6)은 배출관(5)으로부터 용융액을 받아 성형하는 것으로, 금속 또는 석고로 만들어진다.

도 1에 의한 유골분 결정화 장치(1)를 사용하는 경우, 용융액 배출이 완료된 후 재작업을 위해서 도가니(3)의 온도가 충분히 식지 않은 채로 챔버 뚜껑을 열면, 고온으로 달궈진 챔버(7) 내부 부품들, 특히 발열 도가니(3a), 용융 도가니(3b)가 상온의 공기와 접촉하면서 급격히 냉각되면서 파손될 우려가 있다. 도가니(3)의 열적 충격에 의한 파손을 방지하기 위해서는 도가니 온도가 500℃ 이하에서 개방되어 공기와 접촉 될 수 있도록 하여야 한다.

도가니 온도를 500℃ 이하로 낮추기 위해서는 챔버(7)의 내부온도가 충분히 식을 때가지 기다리는 방안과 챔버(7) 전체의 열적 평형을 유지하면서 강제 냉각하는 방안이 있다. 그런데, 챔버(7)가 식을 때까지 기다리는 것은 약 4시간 정도가 소요되어 장비의 운전 효율 측면에서 매우 불리하므로, 강제 냉각 장치를 장착하여 챔버(7)가 빠른 속도(1~1.5 시간 내)로 냉각되도록 하는 것이 필요하다.

또한, 마그네트론(2)은 고전압하에서 전자파를 발진하는 장치인 바, 발진 중에 고열이 발생하여 발진 효율이 급격히 저하되는 특성이 있다. 마그네트론(2)의 발진 적정 온도는 최고 80℃를 넘지 말아야 하고 온도가 낮을수록 안정이며 효율이 높다. 따라서 마그네트론(2)이 전자파를 발진하는 안테나 부분을 냉각하는 것은 대단히 중요하다.

본 발명은 상기의 문제점들을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 유골분 결정화 장치에 있어서 마그네트론이 전자파를 발진할 때는 전자파를 발진하는 안테나 부분을 용융 유골 배출이 완료된 시점에는 챔버를 열 매체 순환 방식에 의해 냉각시키는 장치를 제공함을 그 목적으로 한다.

상기의 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 내부에 유골분을 수용하여 용융시키는 도가니를 구비하고, 각 기둥면에는 마이크로웨이브를 발생시키는 마그네트론이 설치된 다각 기둥 형상의 챔버를 냉각시키는 장치는, 열매체를 냉각시키는 냉각장치; 상기 냉각장치에서 냉각된 열매체를 전송받아 공급하는 열매체 공급관; 상기 마그네트론의 안테나를 감싸는 링 형상의 중공 구조로 설치되고, 상기 열매체 공급관을 통해 열매체를 공급받아 마그네트론을 냉각시키는 마그네트론 냉각부; 상기 챔버의 각 기둥면에 접촉 설치되고, 하단부에 위치한 상기 마그네트론 냉각부로부터 열매체를 유입하여 상단부로 유출하면서 챔버를 냉각시키는 열매체 순환회로; 및 상기 챔버의 각 기둥면에 설치된 열매체 순환회로에서 유출되는 열매체를 모아 상기 냉각장치로 배출하는 열매체 배출관;을 포함하여 구성된다.

상기 열매체 순환식 챔버 냉각 장치에 있어서, 상기 챔버의 각 기둥면에 설치된 마그네트론 냉각부는 상기 열매체 공급관에 의해 직렬로 연결됨을 특징으로 한다.

상기 열매체 순환식 챔버 냉각 장치에 있어서, 상기 직렬로 연결된 마지막 마그네트론 냉각부는 우회 파이프에 의해 상기 냉각장치로 직접 연결됨을 특징으로 한다.

상기 열매체 순환식 챔버 냉각 장치에 있어서, 상기 우회 파이프에는 제1 솔레노이드 밸브가 구비되고, 상기 열매체 배출관에는 제2 솔레노이드 밸브가 구비됨을 특징으로 한다.

상기 열매체 순환식 챔버 냉각 장치에 있어서, 상기 제1 솔레노이드 밸브는 상기 마그네트론이 전자파를 발진하기 시작하면서 개방되고, 상기 도가니에서 용융액 배출이 완료된 직후에는 잠기고, 상기 제2 솔레노이드 밸브는 상기 마그네트론이 전자파를 발진하기 시작하면 잠기고, 상기 도가니에서 용융액 배출이 완료된 직후에는 개방되는 것을 특징으로 한다.

상기 열매체 순환식 챔버 냉각 장치에 있어서, 상기 챔버는 3각 기둥 또는 5각 기둥의 형상임을 특징으로 한다.

상기 열매체 순환식 챔버 냉각 장치에 있어서, 상기 마그네트론에 의해 발진된 전자파를 상기 챔버 내부로 안내하는 도파관;을 더 포함하고, 상기 도파관이 상기 챔버 기둥면에서 설치되는 높이를 챔버 기둥면마다 다르게 구성함을 특징으로 한다.

이상과 같은 본 발명에 따르면, 유골분 결정화 과정 중에 냉각장치를 효과적으로 사용하여 빠르고 안정적인 챔버 냉각이 가능하며, 빠른 냉각과 동시에 도가니 등 챔버 구성 부품의 파손을 방지할 수 있고, 재작업을 진행하기 위한 조건을 빠르게 갖춤으로써 장비의 가동 효율을 크게 높일 수 있다는 효과가 있다.

도 1은 마그네트론 방식의 챔버 내부 구조를 도시한 것이고,
도 2는 본 발명에 의한 열매체 순환식 챔버 냉각 장치가 챔버에 설치된 상태를 도시한 사시도이고,
도 3은 본 발명에 의한 열매체 순환식 챔버 냉각 장치에서 챔버를 제외한 상태를 도시한 사시도이고,
도 4a는 도파관, 마그네트론 냉각부 및 마그네트론의 분해사시도이고,
도 4b는 도파관, 마그네트론 냉각부 및 마그네트론의 결합사시도이고,
도 4c는 마그네트론 냉각부의 구조를 도시한 사시도이다.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.

도 2 내지 도 3에 의하면, 본 발명에 의한 열매체 순환식 챔버 냉각 장치는 냉각장치(10), 열매체 공급관(12), 마그네트론 냉각부(14), 열매체 순환회로(16) 및 열매체 배출관(18)을 포함하여 구성된다.

본 발명에 의한 열매체 순환식 챔버 냉각 장치는 내부에 유골분을 수용하여 용융시키는 도가니를 구비하고, 각 기둥면에는 마이크로웨이브를 발생시키는 마그네트론이 설치된 다각 기둥 형상의 챔버(도 1에 예시적으로 도시됨)(7)를 냉각시키는 장치이다.

여기서, 챔버(7)는 3각 기둥 또는 5각 기둥의 형상이 바람직한데(도 2 및 도 3에서는 5각 기둥의 형상으로 예시됨), 그 이유는 4각 기둥 또는 6각 기둥 등과 같이 짝수의 기둥의 경우에는 상호 마주보는 마그네트론에서 생성되는 전자파에 의해 맞은편의 마그네트론이 파손될 염려가 있기 때문이다. 또한, 챔버(7)에는 마그네트론에 의해 발진된 전자파를 챔버 내부로 안내하는 도파관(8)이 구비되는데, 도파관(8)이 챔버 기둥면에서 설치되는 높이를 챔버 기둥면마다 다르게 구성함으로써 맞은편에서 들어오는 전자파에 의해 마그네트론이 파손되는 것을 방지할 수 있다(도면에서는 구체적으로 예시하지는 않음).

냉각장치(10)는 열매체를 냉각시키는 장치로서, 내부에 열 교환기(10a)를 구비한다.

현재 일반적으로 사용되어지고 있는 열매체는 석유계, 합성유계의 2종류가 있고 그 점도는 ISO VG 32∼100의 것이 있다. 합성유계 열매체로는 페닐에테르, 폴리페닐, 아릴알칸, 알킬벤젠 등이 있으며, 이들 합성유계 열매체는 열산화 안정성이 우수하고 증기압이 낮고 부식 방지성이 우수하다. 일반적으로 석유계 매체는 -20∼320℃정도의 온도범위에 적용되고, 합성유계 열매체는 -40∼300℃의 온도범위에 적용된다. 본 발명에서 사용하는 열매체는 챔버의 표면 온도가 300℃까지 상승하더라도 증기를 발산하지 않고, 장비가 동절기 작동을 장기간 중지한다 하더라도 동파될 염려가 적은 합성유계 열매체를 사용하는 것이 바람직하지만, 본 발명의 범위는 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.

열매체 공급관(12)은 냉각장치(10)에서 냉각된 열매체를 전송받아 마그네트론 냉각부(14)로 공급한다. 한편, 마그네트론 냉각부(14)는 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이 마그네트론의 안테나(24)를 감싸는 링 형상의 중공 구조(14d)로 설치되고, 열매체 공급관(12)을 통해 열매체를 공급받아 마그네트론(2)을 냉각시킨다. 마그네트론 냉각부(14)의 유입관(14a)으로 공급된 열매체는 마그네트론의 안테나(24) 주위를 한바뀌 돌아 유출관(14b)으로 빠져나가거나, 열매체 순환회로 연결관(14c)으로 빠져나가면서 마그네트론(2), 특히 전자파가 발진되는 안테나(24) 주위를 냉각시킨다.

마그네트론(2)의 온도 상승 요인은, 첫째, 챔버(7)에서 발생하는 열이 마그네트론 본체에 전달하는 경우와, 둘째, 마주보는 마그네트론에서 발진하는 전자파로 인한 열적 상승이다. 두 번째 요인에 의한 마그네트론의 열적 상승을 줄이기 위해서는 상기한 바와 같이 챔버(7)의 구조를 조정하거나, 마그네트론(2)에 의해 발진된 전자파를 챔버(7) 내부로 안내하는 도파관(8)의 높이를 조정하는 방법이 유용하다.

마그네트론(2)은 챔버(7)를 구성하는 기둥면마다 적어도 1개 이상 설치되고, 마그네트론 냉각부(14)는 챔버(7)에 설치된 각 마그네트론(2)에 대응하여 하나씩 설치된다. 따라서 마그네트론 냉각부(14)는 열매체 공급관(12)에 의해 직렬로 연결됨이 바람직하다.

직렬로 연결된 마지막 마그네트론 냉각부는 우회 파이프(22)에 의해 냉각장치(10)로 직접 연결되고, 우회 파이프(22)에는 제1 솔레노이드 밸브(20a)가 구비되어 열매체의 흐름을 제어한다. 제1 솔레노이드 밸브(20a)의 동작에 대해서는 이하에서 보다 상세히 설명하기로 한다.

열매체 순환회로(16)는 스테인리스 스틸 재질로서 챔버(7)의 각 기둥면에 접촉 설치되고, 하단부에 위치한 마그네트론 냉각부(14)의 열매체 순환회로 연결관(14c)으로부터 열매체(대략 10℃ 내외)가 유입되어 상단부로 유출하면서 챔버(7)를 냉각시킨다. 따라서 열매체 순환회로(16)는 가급적 챔버(7)와 넓은 면적으로 접하는 것이 바람직하고, 챔버(7)의 외벽면에 용접에 의해 결착시킴으로써 열 전도율을 높이는 것이 바람직하다. 도 2는 챔버(7)의 기둥면마다 하나의 열매체 순환회로(16)가 설치되어 있으나, 도 3은 챔버(7)의 기둥면마다 2개의 열매체 순환회로(16)가 설치되는 것을 예시적으로 보여주고 있다.

열매체 배출관(18)은 챔버(7)의 각 기둥면에 설치된 열매체 순환회로(16)에서 유출되는 열매체를 모아 냉각장치(10)로 배출하며, 열매체의 흐름을 제어하는 제2 솔레노이드 밸브(20b)를 구비한다. 제2 솔레노이드 밸브(20b)의 동작에 대해서는 이하에서 보다 상세히 설명하기로 한다.

이하에서는 도 3을 참조하여 본 발명에 의한 열매체 순환식 챔버 냉각 장치의 동작 과정에 대하여 상세히 설명하기로 한다.

먼저, 유골분을 깔때기와 튜브를 통하여 용융 도가니(3b)에 투입하고 덮개를 닫는다. 그 후, 마그네트론(2)을 작동시켜 마이크로웨이브를 발생시키면 마이크로웨이브에 의하여 발열 도가니(3a)가 발열되고, 발열 도가니(3a)의 발열이 용융 도가니(3b)에 전달된다.

이때, 제1 솔레노이드 밸브(20a)는 개방되고, 제2 솔레노이드 밸브(20b)는 잠긴 상태로 유지된다(제1 순환 방식).

제1 순환 방식에서는 냉각장치(10)에서 냉각된 열매체는 열매체 공급관(12)을 통해 각 마그네트론 냉각부(14)로 공급된다. 각 마그네트론 냉각부(14)에서 유입관(14a)으로 공급된 열매체는 마그네트론의 안테나(24) 주위를 한바뀌 돌아 전자파가 발진되는 안테나(24) 주위를 냉각시키면서 유출관(14b)으로 빠져나간다. 한편, 열매체 순환회로 연결관(14c)을 통해 열매체 순환회로(16) 및 열매체 배출관(18)으로 연결된 순환 통로에서는 열매체 배출관(18)에 구비된 제2 솔레노이드 밸브(20b)가 잠긴 상태로 유지되어, 이 통로를 통한 열매체의 순환은 정지된다. 마그네트론 냉각부(14)는 열매체 공급관(12)에 의해 직렬로 연결되고, 직렬로 연결된 마지막 마그네트론 냉각부는 우회 파이프(22)에 의해 냉각장치(10)로 직접 연결되는데, 우회 파이프(10)에 구비된 제1 솔레노이드 밸브(20a)가 개방되어 있으므로, 마그네트론 냉각부(14)를 거친 열매체는 우회 파이프(22)를 통해 직접 냉각장치(10)로 복귀한다. 따라서 제1 순환 방식에서는 마그네트론(2), 특히 마그네트론의 안테나(24) 주위에 대한 냉각만을 수행한다.

용융 도가니(3b)의 온도가 1500℃ 이상으로 되면 순수 유골분이 용융되기 시작한다. 그러나 유골분의 용융 온도는 용융 온도를 낮게 만드는 첨가제와 색상 첨가제에 따라 1000℃ ~ 1200℃에서 결정되는 것이 일반적이다. 유골분이 용융될 때까지 용융 도가니(3b)의 배출구는 스토프 샤프트(4)의 하단에 의해 막힌 상태로 유지된다. 유골분이 온도가 용융 온도 이상으로 되어 용융액이 물과 같이 되면 스토프 샤프트(4)가 회동하거나 상부 방향으로 이동하여 용융 도가니(3b)의 배출구가 개방되고, 용융액이 배출구를 통해 배출된다.

도가니에서 용융액 배출이 완료되면, 제1 솔레노이드 밸브(20a)는 잠기고, 제2 솔레노이드 밸브(20b)는 개방된 상태로 유지된다(제2 순환 방식).

제2 순환 방식에서는 냉각장치(10)에서 냉각된 열매체는 열매체 공급관(12)을 통해 각 마그네트론 냉각부(14)로 공급된다. 각 마그네트론 냉각부(14)에서 유입관(14a)으로 공급된 열매체는 마그네트론의 안테나(24) 주위를 일부 돌아 열매체 순환회로 연결관(14c)으로 빠져나간다. 한편, 열매체 공급관(12)을 통해 직렬로 연결된 다른 마그네트론 냉각부 및 우회 파이프(22)로 연결된 순환 통로에서는 우회 파이프(22)에 구비된 제1 솔레노이드 밸브(20a)가 잠긴 상태로 유지되어, 이 통로를 통한 열매체의 순환은 정지된다. 열매체 순환회로(16)로 유입된 열매체는 순환회로의 하단에서 상단으로 이동하면서 챔버(7)의 외벽을 냉각시킨다. 챔버(7)의 각 기둥면마다 설치된 열매체 순환회로(16)는 열매체 배출관(18)을 통해 냉각장치(10)로 연결되는데, 열매체 배출관(18)에 구비된 제2 솔레노이드 밸브(20b)가 개방되어 있으므로, 열매체 순환회로(16)를 거친 열매체는 열매체 배출관(18)를 통해 냉각장치(10)로 복귀한다.

제2 순환 방식에서는 챔버(7)의 외벽에 대하여 냉각을 수행하지만, 실제로는 챔버(7)의 외벽에 대한 냉각을 통해 챔버(7) 내에 설치된 도가니(3)에 대한 냉각을 수행하는 것이다. 따라서 제2 순환 방식에 의한 냉각은 도가니(3)의 온도가 대략 500℃ 이하로 떨어질 때까지 수행된다.

제1 솔레노이드 밸브(20a)와 제2 솔레노이드 밸브(20b) 및 냉각장치(10)의 운전에 대한 제어는 마그네트론(2)의 동작 신호, 개폐수단 또는 스토프 샤프트(4)의 동작 신호 및 도가니(2)에 대한 온도 센서의 감지 신호를 연계하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 평균적 기술을 가진 자가 실제의 구현 방식과 구현 환경에 따라 다양한 변화를 주어 자동적으로 제어할 수 있도록 구성할 수 있다. 따라서 본 발명의 범위는 그와 같은 구체적인 구현 방식의 차이점에 의해 한정되지 아니한다.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

1 : 유골분 결정화 장치 2 : 마그네트론
3 : 도가니 3a : 발열 도가니
3b : 용융 도가니 4 : 개폐수단 또는 스토프 샤프트
5 : 배출관 6 : 성형틀
7 : 챔버 8 : 도파관
10 : 냉각장치 10a : 열 교환기
12 : 열매체 공급관 14 : 마그네트론 냉각부
16 : 열매체 순환회로 18 : 열매체 배출관
20a : 제1 솔레노이드 밸브 20b : 제2 솔레노이드 밸브
22 : 우회 파이프 24 : 안테나

Claims

내부에 유골분을 수용하여 용융시키는 도가니를 구비하고, 각 기둥면에는 마이크로웨이브를 발생시키는 마그네트론이 설치된 다각 기둥 형상의 챔버를 냉각시키는 장치에 있어서,
열매체를 냉각시키는 냉각장치;
상기 냉각장치에서 냉각된 열매체를 전송받아 공급하는 열매체 공급관;
상기 마그네트론의 안테나를 감싸는 링 형상의 중공 구조로 설치되고, 상기 열매체 공급관을 통해 열매체를 공급받아 마그네트론을 냉각시키는 마그네트론 냉각부;
상기 챔버의 각 기둥면에 접촉 설치되고, 하단부에 위치한 상기 마그네트론 냉각부로부터 열매체를 유입하여 상단부로 유출하면서 챔버를 냉각시키는 열매체 순환회로; 및
상기 챔버의 각 기둥면에 설치된 열매체 순환회로에서 유출되는 열매체를 모아 상기 냉각장치로 배출하는 열매체 배출관;을 포함함을 특징으로 하는 열매체 순환식 챔버 냉각 장치.
제1항에 있어서,
상기 챔버의 각 기둥면에 설치된 마그네트론 냉각부는 상기 열매체 공급관에 의해 직렬로 연결됨을 특징으로 하는 열매체 순환식 챔버 냉각 장치.
제2항에 있어서,
상기 직렬로 연결된 마지막 마그네트론 냉각부는 우회 파이프에 의해 상기 냉각장치로 직접 연결됨을 특징으로 하는 열매체 순환식 챔버 냉각 장치.
제3항에 있어서,
상기 우회 파이프에는 제1 솔레노이드 밸브가 구비되고, 상기 열매체 배출관에는 제2 솔레노이드 밸브가 구비됨을 특징으로 하는 열매체 순환식 챔버 냉각 장치.
제4항에 있어서,
상기 제1 솔레노이드 밸브는 상기 마그네트론이 전자파를 발진하기 시작하면서 개방되고, 상기 도가니에서 용융액 배출이 완료된 직후에는 잠기고, 상기 제2 솔레노이드 밸브는 상기 마그네트론이 전자파를 발진하기 시작하면 잠기고, 상기 도가니에서 용융액 배출이 완료된 직후에는 개방되는 것을 특징으로 하는 열매체 순환식 챔버 냉각 장치.
제1항에 있어서, 상기 챔버는
3각 기둥 또는 5각 기둥의 형상임을 특징으로 하는 열매체 순환식 챔버 냉각 장치.
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