KR101257458B1 - 실리콘 슬러지로부터 탄화규소 축열재를 제조하는 방법 - Google Patents

Abstract

실리콘 폐슬러지로부터 탄화규소 축열재를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘 웨이퍼 절단 공정에서 발생하는 실리콘 슬러지를 제공하는 단계; 비산화성 분위기에서 상기 실리콘 슬러지를 열처리하여 유분의 일부를 제거하는 단계; 상기 실리콘 슬러지 및 바인더를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계; 상기 슬러리를 압출하여 허니콤 구조의 성형체를 제조하는 단계; 및 비산화성 분위기 및 1300~1900℃의 온도에서 상기 성형체를 반응소결하는 단계를 포함하는 탄화규소 축열재의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 높은 열전도성, 축열성 및 내화학성을 갖는 SiC 재질의 축열재를 낮은 비용으로 제조할 수 있는 장점을 갖는다.

Description

실리콘 슬러지로부터 탄화규소 축열재를 제조하는 방법{Manufacturing Method of Sintered SiC Regenerative Materials From Silicon Sludge}

본 발명은 실리콘 웨이퍼 절단시 발생하는 부산물인 실리콘 슬러지의 재활용 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 폐슬러지로부터 탄화규소 재질의 축열재를 제조하는 방법에 관한 것이다.

태양 전지 및 반도체 산업의 웨이퍼로 널리 사용되고 있는 실리콘은 와이어 소(wire saw)를 이용하여 실리콘 잉곳으로부터 웨이퍼 형태로 슬라이싱 된다. 절단 시에는 평균 입경 10 미크론 정도인 실리콘 카바이드를 함유한 연마 슬러리가 사용되며, 그 결과 실리콘을 주성분으로 실리콘 카바이드 및 기타 산화물이 함유된 연마 슬러지가 생성된다.

이와 같이, 실리콘 잉곳의 절단과정에서는 연간 10,000톤 이상의 폐 슬러지가 발생되고 있으며, 태양전지용 웨이퍼의 증산계획에 따라서 2012년 기준으로 연간 25,000톤의 실리콘 슬러지가 발생될 것으로 예상된다.

과거에는 실리콘 슬러지를 폐기물 처리 업체에 의해 매립 처리하여 왔으나, 최근에는 실리콘 슬러지에 함유된 다량의 실리콘이나 실리콘 카바이드와 같은 소재를 회수하고자 하는 시도가 있어 왔다.

종래 실리콘 슬러지의 재활용 기술로 대표적인 것으로는 연마 슬러리 재생 기술, 고형분 분리 회수 기술 및 실리콘 카바이드 합성 기술을 들 수 있다.

예를 들어, 한국공개특허 제2003-84528호는 폐 슬러리에 비 이온계 계면활성제를 중량비 1∼20%와 알코올 또는 솔벤트류 5∼50%를 일정시간 ( 5분 ∼ 10시간이상 )동안 반응을 시킨 후 원심 분리기에 의해 비중 차이로 동일 광물끼리 층을 이루며 각각 분리 되도록 한 뒤 이를 층별로 오일 펌프를 사용하여 각각 별도의 용기에 분리하여 담은 뒤 필요에 따라 (제품사용 용도별)건조기를 사용하여 건조를 한 뒤 이를 다시 필요에 따라 분급기를 통과 시켜 사이즈 별로 분리하여 재활용하는 기술을 소개하고 있다.

또, 한국공개특허 제2004-55218호는 폐슬러리를 여과하여 규소, 탄화규소, 동 및 철분 등의 고형물을 분리하고, 비중선별 및 자력선별을 이용하여 동 및 철 분말을 제거하며, 상온상태에서 염산을 30%의 고액 농도로 산세처리하여 규소 및 탄화규소 혼합분말을 얻고, 이를 흑연 분말과 혼합하여 1600℃ 이상에서 규소 탄화법에 의해 탄화규소 합성체를 제조한다. 이어서, 제조된 탄화규소 합성체를 파분쇄한 후 불순물을 제거하는 2차 처리공정을 수행하여 고순도의 탄화규소를 얻는다.

그러나, 이 방법은 슬러지 고형분의 분리 회수에 과도한 처리 공정이 적용되어, 값싼 실리콘 폐슬러지로부터 탄화규소를 제조하고자 하는 본래의 의도를 무색하게 한다는 문제점이 있고, 탄화규소 소결체를 제조하기 위해서는 제조된 탄화규소 분말로 성형 및 소결 공정을 다시 적용하여야 한다는 문제점 또한 갖고 있다.

한편, 축열식 연소 설비는 공정 가스를 연소하여 산화시키는 연소 챔버, 열교환층 및 일정 주기로 회전하면서 공정 가스를 연소 챔버 내로 공급 및 배출하는 회전 로터를 포함하여 구성된다. 상기 회전 로터로부터 유입된 공정 가스는 상기 축열층을 거쳐 연소 챔버에서 연소된 후 다시 축열층을 통과하여 로터를 통해 외부로 배출된다. 이 과정에서 상기 연소 가스의 배출측에 위치한 축열층에는 고온의 연소 가스로부터 열에너지가 저장되며, 이 열에너지는 로터로부터 유입되는 공정 가스를 예열하는 데 사용된다. 이와 같은 축열식 연소설비는 유해물질을 무해한 가스로 배출할 수 있고, 배출에 필요한 에너지 소비를 최소화할 수 있다.

종래의 축열식 연소설비에서 축열층으로는 코디어라이트나 알루미나 포설린(alumina porcelain) 재질이 주로 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 종래의 축열층 재질은 충분한 열전도도, 축열특성 및 내화학성을 구비하고 있지 않다. 따라서 열적 화학적 특성이 우수한 탄화규소 재질의 축열재의 사용에 대한 요구가 있으나, 탄화규소 축열재가 재료비 등 높은 제조 비용이 소요되어 활용에 장애가 되어 왔다.

상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 반도체 또는 태양전지 웨이퍼 가공 공정에서 발생하는 실리콘 폐슬러지를 재활용하여 값싼 비용으로 탄화규소 재질의 축열재를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 실리콘 웨이퍼 절단 공정에서 발생하는 실리콘 슬러지를 제공하는 단계; 비산화성 분위기에서 상기 실리콘 슬러지를 열처리하여 유분의 일부를 제거하는 단계; 상기 실리콘 슬러지 및 바인더를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계; 상기 슬러리를 압출하여 허니콤 구조의 성형체를 제조하는 단계; 및 비산화성 분위기 및 1300~1900℃의 온도에서 상기 성형체를 반응소결하는 단계를 포함하는 탄화규소 축열재의 제조 방법을 제공한다.

또한, 본 발명은 실리콘 웨이퍼 절단 공정에서 발생하는 실리콘 슬러지를 제공하는 단계; 비산화성 분위기에서 상기 실리콘 슬러지를 열처리하여 유분의 일부를 제거하는 단계; 상기 실리콘 슬러지를 비산화성 분위기 및 1300~1900℃의 온도에서 반응 소결하여 SiC 분말을 제조하는 단계; 상기 제조된 SiC 분말에 바인더를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계; 상기 슬러리를 압출하여 허니콤 구조의 성형체를 제조하는 단계; 및 비산화성 분위기 및 1300~1900℃의 온도에서 소결하는 단계를 포함하는 탄화규소 축열재의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에서 상기 실리콘 슬러지는 SiC 분말을 포함할 수 있다.

또한 본 발명에서 상기 유분 제거 단계의 열처리는 100~600℃의 온도에서 수행되는 것이 바람직하다.

또한 본 발명에서 상기 유분 제거 단계를 거친 후의 실리콘 슬러지는 0.1~10 중량%의 유분을 포함하는 것이 바람직하다.

또한 본 발명에서 상기 바인더는 무기 바인더를 더 포함할 수 있다.

또한 본 발명에서 상기 슬러리는 카본 분말을 더 포함할 수 있다.

본 발명에 따르면, 낮은 비용으로 실리콘 폐슬러지로부터 탄화규소 축열재를 제조할 수 있는 장점을 갖는다. 본 발명에 따라 제조된 탄화규소 축열재는 탄화규소 고유의 열전도성, 축열성 및 내열성을 구현할 수 있으므로, 축열식 연소 설비의 축열층 소재로 활용가능하다.

특히 본 발명은 웨이퍼 가공 공장에서 발생하는 전형적인 실리콘 폐슬러지 뿐만 아니라 고형분의 분리 수거 후에 폐기되는 실리콘 슬러지에도 적용 가능하여, 실질적으로 실리콘 폐슬러지를 전량 처리할 수 있는 획기적인 방법을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 허니콤 구조의 축열재 외관을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 소결 전후 성형체/소결체의 외관을 촬영한 사진이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 소결 온도를 달리하여 얻어진 소결체의 XRD 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 소결 온도를 달리하여 열처리한 분말을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 5는 도 3의 분말 중 1450℃에서 제조된 분말의 XRD 분석결과이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 상술한다.

본 발명의 축열재 제조 공정은 실리콘 슬러지의 고형분 분리 공정, 분리된 실리콘 슬러지 고형분의 탈지 공정, 슬러리 제조 공정, 성형 공정 및 소결 공정으로 이루어진다.

먼저, 웨이퍼 가공 공장에서 수거된 실리콘 슬러지를 원심 분리 등의 방법을 적용하여 고형분과 유분을 분리한다. 고형분은 실리콘과 SiC로 이루어지며, 이들 고형분에는 미량의 불순물이 포함되어 있다.

표 1은 실리콘 슬러지 절단 공정의 부산물인 실리콘 슬러지를 원심 분리한 후 Si 슬러지에 포함된 고형분 불순물의 성분을 분석한 분석표이다.

Na (mg/kg)	K (mg/kg)	Ca (mg/kg)	Fe (mg/kg)	Al (mg/kg)	Cu (mg/kg)
30	35	48	72	39	13

이와 같이, 실리콘 슬러지에는 미량의 알칼리 금속 또는 금속 원소가 함유되어 있음을 알 수 있는데, 이 중 Fe나 Cu는 절삭 장치로부터 유래된 것이다.

미량의 불순물을 제외하면, 원심 분리된 슬러지는 유분, 실리콘과 SiC 분말로 이루어진다. 유분과 SiC는 절삭 과정에서 절삭유와 절삭 모재로부터 유래된다. 상기 유분은 통상 에틸렌글리콜(EG) 또는 폴리에틸렌글리콜리콜(PEG), 디에틸렌글리콘(DEG)과 같은 고분자로 이루어지는 것이 일반적이다. 본 발명에서 실리콘 및 SiC 분말로 이루어진 실리콘 슬러지 고형분에서 실리콘 함량은 다양하게 설정될 수 있다.

예컨대, 웨이퍼 가공 공정을 거친 슬러지의 경우 실리콘 함량이 높은 반면, 실리콘 고형분을 분리한 후 폐기되는 폐수 처리장의 슬러지에는 SiC의 함량이 높게 된다. 이와 같이 변동하는 Si의 함량에도 불구하고 본 발명은 용이하게 적용될 수 있다. 후술하는 실시예에서 확인하는 바와 같이 본 발명은 SiC가 전혀 존재하지 않는 실리콘 슬러지로부터 탄화 규소 소결체슬러지를 제조하는 데에 유용하다는 점에서 장점을 갖는다.

원심 분리된 실리콘 슬러지에서 유분을 제거하는데, 유분의 제거 공정은 다음과 같다. 먼저 본 발명에서 유분은 바람직하게는 100~600℃의 온도에서 탈지된다. 본 발명에서 상기 탈지 공정은 비산화 분위기, 바람직하게는 환원 분위기에서 수행된다. 환원 분위기는 탈지 과정에서 실리콘 분말의 산화를 억제한다. 실리콘 분말의 산화는 소위 애치슨 반응에 의해 실리콘의 탄화 반응을 유발하므로 탄화 반응 온도를 증가시킨다는 문제점을 갖는다. 후술하는 바와 같이, 본 발명은 환원 분위기의 탈지 공정을 도입함으로써 1350℃의 저온에서도 소결이 가능하게 된다. 본 발명에서는 상기 유분의 신속한 제거를 위해 상기 열처리시 가압에 의한 압착 공정이 동시에 수행될 수 있다.

본 발명에서 유분 제거 공정은 실리콘 슬러지에 약 0.1~10 중량%, 바람직하게는 1~10중량%의 잔류 유분이 존재하도록 수행된다. 이와 같이 함유된 유분은 실리콘 분말의 표면에 매우 균일하게 분포하게 된다. 잔류 유분은 후속 소결 과정에서 탄소 공급원으로서 작용하는데, 이와 같은 균일한 분포는 비교적 저온에서도 실리콘의 탄화가 가능하도록 한다.

이어서, 상기 실리콘 슬러지를 원하는 형상으로 성형하기 위해 슬러리가 제조된다. 상기 슬러리는 실리콘 슬러지, 물 및 유기 바인더를 혼합하여 제조된다. 상기 유기 바인더로는 폴리비닐알코올, 메틸 셀룰로오즈, 에칠 셀룰로오즈, 카르복실 메틸 셀룰로오즈, 폴리비닐 아세테이트, 폴리에틸렌 글리콜로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 유기 바인더가 사용될 수 있으며, 첨가된 바인더는 성형 과정에서 결합재로 작용한다. 본 발명에서 상기 유기 바인더의 함량은 유분 제거 공정을 거친 실리콘 슬러지 100 중량부에 대하여 2~15 중량부 포함되는 것이 바람직하다.

부가적으로, 본 발명의 슬러리에는 무기 바인더가 추가로 포함될 수 있다. 본 발명에서 무기 바인더로는 점토, 장석, 알루미나, 실리카-알루미나, 알루미늄 실리케이트, 티탄산 알루미늄, 실리카로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 무기 바인더를 더 사용할 수 있다. 이들 무기 바인더는 소결 과정에서는 소결 조제로 작용한다. 본 발명에서 상기 무기 바인더의 경우 실리콘 슬러지 100 중량부에 대해 2~30 중량부 포함될 수 있다.

부가적으로 상기 성형 공정에서 추가적인 탄소원이 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 탄소원으로는 카본 블랙과 같은 카본 분말이 사용될 수 있다.

상기 실리콘 슬러지는 허니콤 구조의 성형체로 성형된다. 도 1은 허니컴 구조의 성형체를 예시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 성형체(100)는 성형체의 길이 방향으로 채널을 형성하는 복수의 셀(110)들로 이루어져 있으며, 상기 셀들은 일단이 격벽(120)에 의해 닫힌 구조를 가지고 있다.

본 발명에서 허니콤 구조의 성형체는 통상의 압출 공정을 적용하여 제조될 수 있다. 예컨대 본 발명의 허니콤 성형체는 150mm*150mm 내에 40*40 셀, 20*20 셀, 43*43 셀 등 임의의 수의 셀을 포함하도록 성형될 수 있다. 성형체는 적절한 크기로 성형된 후 절단하여 원하는 크기로 제조될 수 있다.

이상의 공정을 통해 얻어진 성형체는 마이크로웨이브, 열풍 건조 및 습윤 건조 등의 통상의 건조 방식을 적용하여 건조된다.

다음으로, 성형된 성형체는 약 1300~1800℃의 온도에서 소결된다. 이 소결과정에서 실리콘은 SiC로 전환된다. 본 발명은 1300℃의 낮은 온도에서도 탄화 규소의 전환이 가능한 것을 특징으로 한다. 이것은 본 발명의 실리콘 슬러지에 함유된 잔류 유분에 기인하는 것으로 분석된다.

종래에는 규소를 반응소결하여 SiC를 제조하는 경우, 반응 소결 온도는 1450℃ 이상의 온도에서 수행되는 것이 일반적이다. 그러나, 순수한 실리콘의 융점이 1412℃이므로, 이와 같은 소결 온도에서는 실리콘은 골격을 유지할 수 없다. 따라서, SiC 및/또는 탄소원으로 된 성형체로 프리폼을 먼저 형성하고, 형성된 프리폼에 용융 규소 용탕에 침지하는 등의 수단을 사용하여 탄화규소 소결체가 얻어진다. 그러나, 이러한 종래 방식의 탄화규소 소결체 제조 공정은 매우 복잡하고 많은 비용이 소요된다.

본 발명에서는 별도의 프리폼 없이 실리콘 슬러지와 바인더를 혼합하여 성형체를 제조함에도 불구하고 성형 형상을 그대로 유지하는 탄화규소 축열재를 제조할 수 있다. 이것은 실리콘 슬러지에 함유된 잔류 유분이 규소 분말 표면에 고르게 형성되어 있어 규소의 융점 이하의 낮은 온도에서 탄화 반응이 선행되기 때문인 것으로 판단된다.

이상 실리콘 슬러지로부터 본 발명의 축열재를 직접 제조하는 방식을 설명하였다. 그러나, 본 발명의 축열재는 실리콘 슬러지로부터 먼저 탄화규소 분말을 제조한 후, 수득된 분말에 상술한 결합재를 혼합 및 성형하여 제조될 수도 있다.

이 경우, 탈지 공정을 거친 실리콘 슬러지를 소결한다. 물론, 이 때 필요한 경우 실리콘 슬러지에는 유무기 바인더 및 탄소원이 첨가될 수 있다. 소결 후 얻어진 SiC에 전술한 바와 같이 바인더와 용매를 부가하여 압출 공정을 위한 슬러리를 제조한다. 제조된 슬러리를 압출 공정을 적용하여 허니컴 형상의 성형체를 제조하고 이를 소결하여 탄화규소 재질의 축열재를 제조할 수 있다. 이 경우, 상대적으로 높은 소결 온도가 요구되므로, 무기 바인더의 함량을 조절하여 소결 온도를 낮추는 것이 필요하다.

<실시예1>(탄화규소 소결체 제조예)

국내 반도체 웨이퍼 가공 공장에서 입수한 실리콘 슬러지를 원심 분리하여 실리콘을 회수하였다. 얻어진 실리콘 슬러지 고형분의 불순물 함량은 표 1과 같으며, 나머지 조성은 모두 Si으로 이루어졌다. 이어서, 얻어진 실리콘 슬러지를 300℃의 온도 및 환원 분위기에서 120분간 열처리하여 유분을 제거하였다. 유분 제거 결과 실리콘 슬러지에 잔류하는 유분의 함량은 5 중량%였다.

이어서, 실리콘 슬러지를 코리아카본블랙사의 입도 1 마이크로미터인 카본 블랙과 혼합하여 펠릿 형태의 성형체를 제조하였다. 이 때, 카본 블랙의 함량은 실리콘과의 몰비가 1:1이 되도록 하였다.

제조된 성형체를 진공 분위기에서 소결 온도를 달리하여 1350℃, 1650℃, 1750℃ 및 1850℃에서 1 시간 소결하였다. 이 때 소결시 승온속도는 10℃/min 였다. 얻어진 소결체의 외관을 관찰하고 XRD 촬영하였다. 본 실시예와의 비교를 위해 상용 Marktech 분말의 XRD 패턴을 함께 도시하였다.

도 2의 (a)는 소결 전 성형체의 형상을 촬영한 사진이고, 도 2의 (b)는 1550℃에서 소결 후 소결체의 형상을 촬영한 사진이다.

도 2를 참조하면, 소결 전후에 펠릿 형상이 정확히 유지됨을 확인할 수 있다. 즉 본 발명에서 반응소결의 원료로 사용된 실리콘 슬러지는 실리콘의 융점 이상의 소결 온도에서도 형상을 유지하게 되는데, 이것은 실리콘의 융점 이하에서 실리콘의 탄화 반응에 의해 SiC가 생성되어, 생성된 SiC가 소결 과정에서 골격을 유지함에 기인하는 것이다.

도 3은 소결 온도를 달리하여 얻어진 소결체의 XRD 분석 결과를 나타낸 그래프이다.

그래프에서 WJ-2로 표시된 것은 원료 분말의 XRD 분석 결과이다.

도 3을 참조하면, 각 온도에서 얻어진 소결체 시편에서 모두 SiC 상이 존재함을 알 수 있다. 또한, 1350℃에서 소결된 시편의 경우에도 실리콘 피크는 거의 관찰되지 않음을 알 수 있다. 이것은 본 발명의 방법에 따른 소결체의 경우 매우 낮은 온도에서도 SiC로의 반응이 원활히 이루어짐을 보여준다. 다만, 1350℃의 경우 약간의 약간카본이 존재함을 알 수 있다. 이 약간카본은 나머지 소결 온도에서는 확인되지 않으므로 소결 온도가 증가함에 따라 SiC로의 전환이 보다 원활하게 진행됨을 알 수 있다. 또한, 각 온도의 소결체에는 (Fe, Si)C 화합물의 존재를 확인할 수 있다.

<실시예2>(탄화규소 분말 제조)

실시예1과 동일한 방법으로 제조된 실리콘 슬러지 고형분을 탄소원과 혼합하여 1450~1850℃의 온도 범위에서 1 시간 열처리하였다. 이 때 승온속도는 10℃/min으로 유지하였다. 실리콘 슬러지와 탄소원의 펠릿 형태로 성형하지 않은 점을 제외하고는 제조 공정은 실시예1과 대등소이하다.

이와 같이 제조된 SiC 분말의 외관을 전자현미경을 촬영하였다.

도 4의 (a) 내지 (d)는 각각 1450℃, 1650℃, 1750℃ 및 1850℃에서 열처리한 시편을 촬영한 전자현미경 사진이고, 도 4는 본 실시예 중 1450℃에서 제조된 분말의 XRD 분석결과이다.

도 5에서 알 수 있는 바와 같이, 1450℃에서 이미 β-SiC가 생성되었음을 알 수 있다(KICET5:5 그래프). 비교를 위해 도시된 Marktech과 SIKA 그래프는 상품명 Marktech 및 SIKA로 판매되는 상용 SiC 분말의 XRD 패턴이다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100 : 축열재
110 : 셀
120 : 격벽

Claims (7)

1. 실리콘 웨이퍼 절단 공정에서 발생하는 실리콘 슬러지를 제공하는 단계;
   비산화성 분위기에서 상기 실리콘 슬러지를 열처리하여 유분 함량이 0.1~10 중량%이 되도록 탈지하는 단계;
   상기 실리콘 슬러지 및 바인더를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계;
   상기 슬러리를 압출하여 허니콤 구조의 성형체를 제조하는 단계; 및
   비산화성 분위기 및 1300~1900℃의 온도에서 상기 성형체를 반응소결하는 단계를 포함하는 탄화규소 축열재의 제조 방법.
2. 실리콘 웨이퍼 절단 공정에서 발생하는 실리콘 슬러지를 제공하는 단계;
   비산화성 분위기에서 상기 실리콘 슬러지를 열처리하여 유분 함량이 0.1~10 중량%이 되도록 탈지하는 단계;
   상기 실리콘 슬러지를 비산화성 분위기 및 1300~1900℃의 온도에서 반응 소결하여 SiC 분말을 제조하는 단계;
   상기 제조된 SiC 분말에 바인더를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계;
   상기 슬러리를 압출하여 허니콤 구조의 성형체를 제조하는 단계; 및
   비산화성 분위기 및 1300~1900℃의 온도에서 소결하는 단계를 포함하는 탄화규소 축열재의 제조 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 실리콘 슬러지는 SiC 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 축열재의 제조 방법.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 탈지 단계의 열처리는 100~600℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄화규소 축열재의 제조 방법.
5. 삭제
6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 바인더는 무기 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 축열재의 제조 방법.
7. 제1항에 있어서,
   상기 슬러리는 카본 분말을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 소결체를 제조하는 방법.

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