KR101250786B1 - Method of scan operating in semiconductor equipment - Google Patents

Method of scan operating in semiconductor equipment Download PDF

Info

Publication number
KR101250786B1
KR101250786B1 KR1020060061474A KR20060061474A KR101250786B1 KR 101250786 B1 KR101250786 B1 KR 101250786B1 KR 1020060061474 A KR1020060061474 A KR 1020060061474A KR 20060061474 A KR20060061474 A KR 20060061474A KR 101250786 B1 KR101250786 B1 KR 101250786B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scan
alignment key
alignment
substrate
mask
Prior art date
Application number
KR1020060061474A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080002581A (en
Inventor
정태균
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020060061474A priority Critical patent/KR101250786B1/en
Publication of KR20080002581A publication Critical patent/KR20080002581A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101250786B1 publication Critical patent/KR101250786B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 장비의 스캔구동 방법에 관한 것으로 특히 스캔 구동방식을 사용하는 반도체 장비에서 키 정렬과 스캔 구동을 함께 진행시키는 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은 반도체 장비의 스캔 구동방법에 있어서, 마스크와 기판 중 어느 하나에 형성되며 스캔 방향과 평행한 방향으로 배향된 제 1 정렬키와, 마스크와 기판 중 다른 하나에 형성되며 스캔 방향과 평행한 방향으로 배향되되, 상기 제 1 정렬키와 정렬을 시도하는 제 2 정렬키를 이용하여 스캔 구동 중에도 오정렬에 대한 보정이 가능한 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scan driving method of a semiconductor device, and more particularly, to a method of performing key alignment and scan driving together in a semiconductor device using a scan driving method. In accordance with an aspect of the present invention, a scan driving method of a semiconductor device includes: a first alignment key formed on one of a mask and a substrate and oriented in a direction parallel to the scan direction, and formed on another of the mask and the substrate; The second alignment key may be aligned in the parallel direction, and the misalignment may be corrected even during the scan driving by using the second alignment key which tries to align with the first alignment key.

스캔구동, 스캔노광, 스캔 검사, 정렬, 키 Scan Drive, Scan Exposure, Scan Check, Align, Key

Description

반도체 장비의 스캔 구동방법{METHOD OF SCAN OPERATING IN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT}Scan driving method of semiconductor equipment {METHOD OF SCAN OPERATING IN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT}

도1a 는 통상적인 스캔 구동방식 노광장비의 개략적인 구성도.Figure 1a is a schematic configuration diagram of a conventional scan drive type exposure equipment.

도1b 는 통상적인 스캔 구동장비에서 사용되는 각종 정렬키를 도시한 도면.FIG. 1B shows various alignment keys used in conventional scan drives. FIG.

도2a 는 종래의 스캔 구동방식 노광장비에서 키 정렬 단계를 도시한 개념도.2A is a conceptual diagram showing a key alignment step in a conventional scan drive type exposure apparatus.

도2b 는 종래의 스캔 구동방식 노광장비에서 스캔 노광을 진행하는 단계를 도시한 순서도.Figure 2b is a flow chart showing the step of performing a scan exposure in a conventional scan drive type exposure apparatus.

도3은 본 발명의 일실시예에 따른 스캔 노광장비에서 마스크와 기판에 구비된 정렬키 형태를 도시한 도면.Figure 3 is a view showing the shape of the alignment key provided on the mask and the substrate in the scanning exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

도4a 는 본 발명의 일실시예에 따른 스캔 노광장비에서 스캔 구동이 이루어지는 모습을 도시한 평면도.Figure 4a is a plan view showing a state in which the scan drive in the scan exposure equipment according to an embodiment of the present invention.

도4b 는 도4a 의 원형부분을 확대한 확대도.4B is an enlarged view illustrating the circular portion of FIG. 4A;

********도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**************** Description of the symbols for the main parts of the drawings ********

11 : 마스크 12 : 글래스 기판11 mask 12 glass substrate

200 : 제 1 정렬키 300 : 제 2 정렬키200: first alignment key 300: second alignment key

본 발명은 반도체 장비의 스캔 구동방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정렬키를 인식함과 동시에 스캔 구동을 진행함으로서 장비투자비와 생산원가를 감소시킨 반도체 장비의 스캔 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for driving a scan of a semiconductor device, and more particularly, to a method for driving a scan of a semiconductor device in which equipment investment costs and production costs are reduced by performing a scan drive while simultaneously identifying an alignment key.

일반적으로 반도체 제품은 기판 상면에 고유한 특성을 갖는 박막을 형성하고, 상기 박막 상에 포토레지스트를 도포한 다음 노광장비를 사용하여 노광을 진행한 후, 연속되는 박막 공정을 진행하는 과정을 반복하여 제조된다.In general, a semiconductor product forms a thin film having inherent characteristics on the upper surface of a substrate, applies a photoresist on the thin film, then performs exposure using an exposure apparatus, and then repeats the process of performing a continuous thin film process. Are manufactured.

이와 같은 과정을 거쳐 제작된 반도체 제품은 단위 면적 당 매우 방대한 데이터의 저장 및 저장된 데이터를 단시간 내 처리하는 것이 가능하여 다양한 분야에서 폭넓게 적용되고 있는 실정이다.Semiconductor products manufactured through such a process have been widely applied in various fields because it is possible to store a very large amount of data per unit area and process stored data in a short time.

이와같은 반도체 제품을 제작하는데 필요한 반도체 장비 중에서 정밀도 측면에서 가장 크리티컬(critical)한 사양을 요구하고 있는 것이 각종 구동장비 들이며, 이들의 가격은 설비투자비에서 가장 큰 비중을 차지하고 있다. Among the semiconductor equipments required to manufacture such semiconductor products, various driving equipments require the most critical specifications in terms of precision, and their price accounts for the largest portion of equipment investment.

이러한 구동장비를 이용하여 반도체 제품을 제작하는데 있어, 중요한 공정 중의 하나인 노광공정은 현재 스텝퍼(stepper) 방식 또는 스캔(scan) 방식 중에 어느 하나가 주로 사용되고 있다.In manufacturing a semiconductor product using such a driving device, one of the important processes, the exposure process is one of the stepper (scanper) method or the scan method currently used mainly.

스텝퍼 방식이란 기판 상에 다수의 필드를 선정한 다음, 축소 투영 렌즈의 노광 영역을 통해 해당 필드에 노광을 실시하고, 순차적으로 노광되지 않은 다른 필드로 이동하여 노광을 수행하는 스텝 앤드 리피트(step and repeat)방식으로서 종래의 등배 투영 노광 방식의 대안으로 제안되었다.The stepper method selects a plurality of fields on a substrate, exposes the corresponding fields through the exposure area of the reduction projection lens, and sequentially moves to other unexposed fields to perform exposure and step (repeat and repeat). It is proposed as an alternative to the conventional equal projection exposure method.

이 방식은 하나의 필드 전체에 대하여 한 개의 정렬 키(alignment key)가 검출되면 한 번의 노광으로 처리할 수 있어, 층간 중첩 정밀도(overlay accuracy)가 높다는 장점을 가지나, 다수의 필드로 이루어지는 전체 기판을 노광시키기 위해서는 노광 공정을 여러 번 반복해야 하므로 생산성이 떨어진다는 단점을 동시에 가지고 있었다.This method has the advantage of being able to process with one exposure when one alignment key is detected for one entire field, so that the overlay accuracy is high, but the entire substrate composed of multiple fields In order to expose, the exposure process had to be repeated several times.

스텝퍼 방식이 기판과 마스크가 정지된 상태에서 기판에 조사되는 광의 양을 조절하는 방식이라면, 기판과 마스크가 일정한 속도 비율을 가지고 반대 방향으로 움직이면서 노광을 수행할 수 있도록 하여 기판의 노광 면적을 증대시킴으로서 스텝퍼 방식의 대안으로 제안된 것이 스캔 방식으로서 대형화면이 요구되는 디스플레이 디바이스를 제조할 때 많이 적용되고 있다.If the stepper method is to adjust the amount of light irradiated to the substrate while the substrate and the mask are stopped, the exposure area of the substrate is increased by allowing the substrate and the mask to perform exposure while moving in opposite directions at a constant speed ratio. As an alternative to the stepper method, a scan method has been widely applied when manufacturing a display device requiring a large screen.

도1a는 LCD 패널을 제작하기 위한 통상적인 스캔 방식 노광장비의 개략적인 구성도이다.FIG. 1A is a schematic diagram of a conventional scan type exposure apparatus for manufacturing an LCD panel.

스캔 방식 노광장비(100)는 기본적으로 소정의 파장을 갖는 광을 발생시키는 조명계(110)와, 마스크(130)가 안치되는 마스크 스테이지(120)와, 상기 조명계(110)에서 발생한 광을 축소 투영하는 투영 광학계(140)와, 기판(160)이 안치되는 기판 스테이지(150) 및 이들을 제어하기 위한 제어장치를 포함하여 이루어진다.The scanning exposure apparatus 100 basically reduces and projects an illumination system 110 that generates light having a predetermined wavelength, a mask stage 120 on which the mask 130 is placed, and light generated by the illumination system 110. And the projection optical system 140, the substrate stage 150 on which the substrate 160 is placed, and a controller for controlling them.

상기 제어장치는 상기 마스크 스테이지(120)의 스캔 속도, 위치 정렬을 제어하는 마스크 스테이지 제어장치(170)와, 상기 기판 스테이지(150)의 스캔 속도, 위치 정렬을 기판 스테이지 제어장치(190), 그리고 상기 마스크 스테이지 제어 장치(170) 및 기판 스테이지 제어 장치(190)를 제어하는 주 제어장치(180)로 이루어 진다.The control device may include a mask stage controller 170 that controls a scan speed and a position alignment of the mask stage 120, a scan stage and a position alignment of the substrate stage 150, and a substrate stage controller 190. The main stage controller 180 controls the mask stage controller 170 and the substrate stage controller 190.

이러한 구성의 종래 스캔 방식 노광장비의 작동 구성을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation configuration of the conventional scanning method exposure apparatus having such a configuration as follows.

먼저, 조명계(110)에서 발생한 슬릿 형상의 광이 상기 조명계(110) 하부에 위치한 마스크 스테이지(120)에 안치된 마스크(130)로 주사되면, 마스크 스테이지(120)에는 마스크(130)가 안착되어 고정된 다음 Y 방향으로 구동되고 이에 따라 상기 조명계(110)에서 나온 광이 상기 마스크(130)에 형성된 박막 패턴을 상기 마스크(130) 하부로 전사시킨다.First, when the slit-shaped light generated in the illumination system 110 is scanned into the mask 130 placed in the mask stage 120 positioned below the illumination system 110, the mask 130 is seated on the mask stage 120. It is fixed and then driven in the Y direction, and thus the light emitted from the illumination system 110 transfers the thin film pattern formed on the mask 130 to the lower portion of the mask 130.

전사된 광은 투영 광학계(140)를 거쳐 상기 마스크 스테이지(120)와 반대 방향으로(-Y 방향) 구동되는 기판 스테이지(150) 측으로 전사되면, 상기 전사된 광이 상기 기판 스테이지(150)상의 기판(160)에 스캔 방식으로 노광됨으로서 기판에 대한 노광 공정이 수행된다.When the transferred light is transferred to the substrate stage 150 which is driven in the opposite direction (-Y direction) to the mask stage 120 via the projection optical system 140, the transferred light is transferred to the substrate on the substrate stage 150. The exposure process to the substrate is performed by exposing to 160 in a scan manner.

즉, 기판에 대한 노광공정이란 조명계(110)에서 슬릿 형상으로 광이 방출되면 마스크(130)를 안치한 마스크 스테이지(120)와, 기판(160)을 안치한 기판 스테이지(150)가 상호 반대 방향으로(Y 방향 및 -Y 방향) 이동함에 따라 상기 마스크(130)의 패턴이 상기 기판(160)에 스캐닝되는 과정이라 할 수 있다.That is, when the light is emitted in the slit shape from the illumination system 110, the mask stage 120 having the mask 130 and the substrate stage 150 having the substrate 160 placed in the opposite direction ( In the Y direction and the -Y direction), the pattern of the mask 130 is scanned on the substrate 160.

도1b는 통상적인 스캔 구동장비에서 사용되고 있는 각종 정렬키 들의 형태를 예시한 도면으로, 십자형태, 정방형태, 기울어진 십자형태, 기울어진 정방형태, 짧은 스트라이프 형태 등등이 사용되고 있다. 이러한 정렬키 들이 마스크와 기판쪽에 서로 암/수 형태로 배치되어 있으며, 마스크와 기판쪽에 배치된 키가 서로 정렬되 고 난 후, 스캔 구동이 진행된다.FIG. 1B is a diagram illustrating the shape of various alignment keys used in a conventional scan driving device. A cross shape, a square shape, an inclined cross shape, an inclined square shape, a short stripe shape, and the like are used. These alignment keys are arranged in a male and female form on the mask and the substrate, and after the keys arranged on the mask and the substrate are aligned with each other, scan driving is performed.

도1b에 도시된 정렬키들은 기판과 마스크가 서로 정지상태에서 있을 때, 기판과 마스크를 서로 정렬하는데 알맞은 형태이다, 하지만, 스캔 구동중 즉, 기판 이나 마스크가 서로 움직이고 있을 때의 정렬를 위한 형태로서는 부적합하다.The alignment keys shown in Fig. 1B are suitable for aligning the substrate and the mask with each other when the substrate and the mask are at rest from each other, but as a form for alignment during scan driving, that is, when the substrate or the mask is moving with each other. Inadequate

도2a 내지 도2b는 전술한 정렬키 들을 사용하는 통상적인 스캔 노광장비의 공정 진행순서를 일부 도시한 도면이다.2A to 2B are views showing some of the process steps of a conventional scan exposure apparatus using the above-described alignment keys.

이를 참조하면, 우선 스캔 노광장비에 소정의 패턴을 형성시킬 웨이퍼를 장입하고, 기판에 형성된 제 1 정렬키와 마스크에 형성된 제 2 정렬키를 이용하여 정렬과정이 진행된다. 이후, 기판과 마스크가 서로 반대 방향으로 이동하면서 스캔 노광공정이 진행된다.Referring to this, first, a wafer for forming a predetermined pattern is loaded in a scan exposure apparatus, and an alignment process is performed using a first alignment key formed on a substrate and a second alignment key formed on a mask. Thereafter, the scan exposure process is performed while the substrate and the mask move in opposite directions.

전술한 바와같은 이러한 스캔 구동장비의 작동순서는, The operating sequence of such a scan drive as described above,

1. 정렬키를 인식하는 단계1. Recognize the sort key

2. 인식된 정렬키를 이용하여 기판 또는 마스크의 자세를 보정하여 웨이퍼를 정렬하는 단계2. Aligning the wafer by correcting the posture of the substrate or mask using the recognized alignment key

3. 스캔 구동이 진행되는 단계(스캔노광, 스캔검사, 스캔 도포 등등)3. Scan driving process (scan exposure, scan inspection, scan application, etc.)

4. 이동4. Move

5. 1 ~ 4 번의 반복5. 1 to 4 repetitions

으로 요약할 수 있으며, 위 과정 중 3번째 단계의 스캔 구동하는 동안에 기판에 떨림이 있거나 구동계의 동작 이상으로 정렬오차(misalignment)가 발생하는 경우, 스캔 구동중에는 이를 보정하지 못하고 모든 공정이 끝난 다음에 오차를 보 정하게 된다.If there is trembling on the substrate or misalignment occurs due to abnormal operation of the drive system during the scan driving of the third step of the above process, The error will be corrected.

즉, 모든 공정이 끝난 후, 별도의 검사공정을 통해 공정결과를 확인한 다음, 다시 스캔 구동 장비에 그 결과를 반영하여 수정조치를 취해 오류를 보정하고 있다.That is, after all the processes are finished, the process results are checked through a separate inspection process, and then the corrective action is taken to correct the error by reflecting the results on the scan driving equipment again.

따라서, 이러한 종래 방식의 스캔 구동장비의 경우, 주기적인 확인/수정 과정이 필요하므로, 장비의 운용효율(run time)이 저하되는 단점이 있으며, 또한 구동 정밀도를 확보하기 위해 고 정밀도를 갖는 고가의 스캔 구동장비를 확보해야 하는 문제가 있었다.Therefore, in the case of the conventional scan drive device, since a periodic check / correction process is required, there is a disadvantage in that the run time of the device is lowered, and expensive to have high precision to secure drive accuracy. There was a problem to secure the scan drive.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 저 사양의 장비로도 고 사양의 장비 성능이 구현가능하며, 장비 투자비를 절감할 수 있고 공정능력 향상으로 생산원가 절감을 이룰수 있는 반도체 장비의 스캔구동 방법을 제공함에 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and can be implemented with high-end equipment performance even with low-end equipment, and can reduce equipment investment costs and improve production capacity of semiconductor equipment. The purpose is to provide a scan driving method.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장비의 스캔 구동방법은, 반도체 장비의 스캔 구동방법에 있어서, 마스크와 기판 중 어느 하나에 형성되며 스캔 방향과 평행한 방향으로 배향된 제 1 정렬키와, 마스크와 기판 중 다른 하나에 형성되며 스캔 방향과 평행한 방향으로 배향되되, 상기 제 1 정렬키와 정렬을 시도하는 제 2 정렬키를 이용하여 스캔 구동 중에도 오정렬에 대한 보정이 가능한 것을 특징으로 한다.In accordance with another aspect of the present invention, a scan driving method of a semiconductor device includes: a first alignment key formed in one of a mask and a substrate and oriented in a direction parallel to the scan direction; The second alignment key is formed on the other of the mask and the substrate and is oriented in a direction parallel to the scan direction, and the misalignment can be corrected even during the scan driving by using the second alignment key which tries to align with the first alignment key. .

이하, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장비의 스캔 구동방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a scan driving method of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도3은 본 발명의 일실시예에 따른 정렬키(alignment key)를 도시한 도면으로 이를 참조하여 본 발명의 일실시예를 설명한다.3 is a diagram illustrating an alignment key according to an embodiment of the present invention, with reference to this description will be described an embodiment of the present invention.

먼저, 도3에는 기판, 기판에 형성된 제 1 정렬키(200), 마스크, 마스크에 형성된 제 2 정렬키(300)가 도시되어 있다.First, FIG. 3 shows a substrate, a first alignment key 200 formed on the substrate, a mask, and a second alignment key 300 formed on the mask.

본 발명은 스캔 구동방식을 채택한 반도체 장비에 적용되므로, 도3에서 기판이나 마스크는 서로 반대 방향으로 움직이게 된다. 편의상 도3에서 기판은 아래쪽으로 움직이며, 마스크는 위쪽으로 움직인다고 가정하고 설명한다.Since the present invention is applied to a semiconductor device employing a scan driving method, in FIG. 3, the substrate or the mask moves in opposite directions. For convenience, it is assumed that the substrate moves downward and the mask moves upward in FIG. 3.

도3에 도시된 바와 같이 기판에 형성된 제 1 정렬키(200)는 스캔 구동방향과 평행하게 배향된 스트라이프(stripe) 형태를 갖고 있으며, 스트라이프 형태의 키가 2개가 모여 한쌍이 된다.As shown in FIG. 3, the first alignment key 200 formed on the substrate has a stripe shape oriented parallel to the scan driving direction, and two stripe keys are paired together.

그리고, 이러한 한 쌍의 패턴이 노광영역의 좌/우에 각각 배치되어 있어, 총 2 쌍으로 구성되어 있음을 알 수 있다. 또한, 제 1 정렬키(200)는 제 1 방향(도3에서는 수직방향)으로 스캔 구동되는 거리 만큼의 길이를 갖는다. The pair of patterns are arranged on the left and right sides of the exposure area, respectively, and it can be seen that the pair consists of two pairs in total. In addition, the first alignment key 200 has a length corresponding to a distance driven by scanning in the first direction (vertical direction in FIG. 3).

마스크에 형성된 제 2 정렬키(300) 역시, 스트라이프 형태를 갖고 있으며 스캔 구동방향과 평행하게 배향되어, 상기 제 1 정렬키(200)와 정렬을 시도할 수 있는 형태를 갖는다. The second alignment key 300 formed on the mask also has a stripe shape and is oriented parallel to the scan driving direction, so that the second alignment key 300 may attempt to align with the first alignment key 200.

즉, 제 2 정렬키(300)는 스트라이프 형태를 갖는 하나의 키가 노광영역의 좌/우에 각각 배치되어 있어, 상기 제 1 정렬키(200)와 아귀가 맞도록 배치되어 있음 을 알 수 있다. That is, in the second alignment key 300, one key having a stripe shape is disposed at the left and right sides of the exposure area, so that the first alignment key 200 may be arranged to fit with the first alignment key 200.

이러한 제 1 정렬키와 제 2 정렬키를 구비한 상태에서 스캔 구동이 진행되면, 기판은 아래쪽으로, 마스크는 위쪽으로 움직이면서 노광공정이 진행되는 바, 제 1 정렬키(200)와 제 2 정렬키(300)는 그 형태가 스캔 구동에 알맞은 스트라이프 형태를 갖고 있으므로, 스캔 구동이 진행되는 도중에도 오정렬을 감지하여 이를 보정할 수 있다.When the scan driving is performed while the first alignment key and the second alignment key are provided, the exposure process is performed while the substrate moves downward and the mask moves upward. The first alignment key 200 and the second alignment key Since the 300 has a stripe shape suitable for the scan driving, the 300 may detect and correct a misalignment even during the scan driving.

즉, 제 1 정렬키(200)는 제 1 방향으로 스캔 구동되는 거리만큼의 길이를 갖고 있으므로, 제 1 방향으로 스캔 구동이 진행되는 도중에도 계속해서 제 2 정렬키(300)와 정렬을 시도하고 그 오정렬(misalignment)을 검출할 수 있다.That is, since the first alignment key 200 has a length as long as the scan driving in the first direction, the first alignment key 200 continuously tries to align with the second alignment key 300 while the scan driving is performed in the first direction. The misalignment can be detected.

오정렬을 검출하는 방법으로는 CCD 카메라 등을 이용하여 화상으로 오정렬을 인식하는 방법이 있을 수 있으며, 또는 제 1 정렬키와 제 2 정렬키의 오정렬로 인하여 누설되는 빛을 검출하는 방법으로 오정렬을 검출할 수 도 있다.As a method of detecting misalignment, there may be a method of recognizing misalignment with an image using a CCD camera or the like, or detecting misalignment by detecting light leaked due to misalignment of the first and second alignment keys. You may.

이때, 누설되는 빛을 검출하는 방법으로는 광 센서를 이용하거나 또는 CCD 같은 카메라를 통해 누설되는 빛을 검출 할 수도 있다.In this case, as a method of detecting the leaked light, the light sensor may be detected or light leaked through a camera such as a CCD may be detected.

도3에 도시된 본 발명의 일 실시예에서는 제 1 정렬키(200)가 기판에 형성되고, 제 2 정렬키(300)가 마스크에 형성되었지만, 그와 반대로 제 1 정렬키(200)가 마스크에 형성되고 제 2 정렬키(300)가 기판에 형성될 수 도 있다.In the exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 3, the first alignment key 200 is formed on the substrate, and the second alignment key 300 is formed on the mask. The second alignment key 300 may be formed on the substrate.

그리고 도3에는 총 2 쌍의 패턴으로 이루어진 제 1 정렬키와 이에 상응하는 제 2 정렬키가 도시되어 있지만, 다른 형태로 제 1 정렬키와 제 2 정렬키를 구현할 수 있다. 예를 들면, 제 1 정렬키는 하나의 스트라이프로 구성하고 제 2 정렬키는 제 1 정렬키와 정렬을 시도하는 또 다른 하나의 스트라이프로 구성할 수도 있다.3 illustrates a first alignment key and a second alignment key corresponding to the two pairs of patterns, the first alignment key and the second alignment key may be implemented in other forms. For example, the first alignment key may consist of one stripe, and the second alignment key may consist of another stripe that attempts to align with the first alignment key.

또는 제 1 정렬키를 3 쌍 이상의 패턴으로 구현하고, 제 2 정렬키 역시 이에 상응하는 패턴으로 구현할 수도 있다.Alternatively, the first alignment key may be implemented in three or more pairs of patterns, and the second alignment key may also be implemented in a corresponding pattern.

도4a 는 본 발명의 일실시예에 따른 스캔 구동방법을 도시한 도면으로, 도3의 제 1 정렬키와 제 2 정렬키를 이용하여 스캔구동과 키 정렬을 동시에 수행하는 모습을 보인 도면이다.4A is a diagram illustrating a scan driving method according to an embodiment of the present invention, in which scan driving and key alignment are simultaneously performed using the first and second alignment keys of FIG. 3.

즉, 기판과 마스크가 서로 반대 방향으로 이동하면서 스캔 구동이 진행되는 동시에 제 1 정렬키와 제 2 정렬키를 이용한 키 정렬도 함께 진행된다.That is, the scan driving is performed while the substrate and the mask move in opposite directions, and the key alignment using the first alignment key and the second alignment key is also performed.

도4b 는 도4a 의 원형부분을 확대한 도면으로, 오정렬이 일어난 경우를 도시한 도면이다. 오정렬의 일어나면, 이를 CCD 카메라를 통해 화상으로 인식하고 이에 대한 이미지 프로세싱을 거쳐 오정렬로 판단한 후, 오정렬을 보정하는 자세제어 명령을 구동 마운트에 지시할 수도 있다.4B is an enlarged view of the circular portion of FIG. 4A and illustrates a case in which misalignment occurs. If a misalignment occurs, it may be recognized as an image by a CCD camera, image processing thereof, and judged as misalignment, and then an attitude control command for correcting misalignment may be instructed to the drive mount.

또는 도4b에 도시된 오정렬의 경우, 오정렬된 틈사이로 빛이 누설되므로, 누설된 빛을 감지기로 감지하여 오정렬을 판단할 수도 있으며, 또는 누설된 빛을 CCD 카메라를 통해 화상으로 인식하여 오정렬을 판단할 수도 있다.Alternatively, in the case of the misalignment illustrated in FIG. 4B, since light leaks between misaligned gaps, the misalignment may be detected by detecting the leaked light with a detector, or the misalignment may be determined by recognizing the leaked light as an image through a CCD camera. You may.

스캔 구동장비가 스캔 노광장비인 경우, 스캔 노광이 진행되는 도중에 계속적으로 마스크와 기판에 형성된 정렬키를 읽으면서 스캔노광이 진행되기 때문에, 오정렬에 대한 데이터는 마스크 또는 기판의 자세제어에 실시간으로 사용될 수 있다.When the scan driving device is a scan exposure device, since the scan exposure proceeds while reading the alignment keys formed on the mask and the substrate continuously during the scan exposure, data on misalignment is used in real time to control the attitude of the mask or the substrate. Can be.

즉, 종래에는 모든 공정이 완료된 후에 별도의 검사공정을 거쳐서 얻은 데이 터를 스캔 구동장비에 피드백(feed back)하고 이를 이용하여 다시 한번 스캔 구동장비를 구동시켜야만 올바른 공정결과를 얻을 수 있었다.That is, conventionally, after all the processes are completed, the data obtained through the separate inspection process is fed back to the scan driving device, and the scan driving device is driven again using the same to obtain the correct process result.

하지만, 본 발명에 따르면, 스캔 구동이 진행되는 도중에도 계속하여 오정렬을 검출하며, 검출된 오정렬 관련 데이터는 기판이나 마스크의 자세제어에 곧바로 사용될 수 있으므로, 오류를 그때 그때 수정해 가면서 스캔 구동을 진행할 수 있다. 또한, 오정렬이 어느 정도 이상으로 발생한 경우에는 불량기판으로 판단한 후, 공정을 중단할 수도 있다.However, according to the present invention, the misalignment is continuously detected even while the scan driving is in progress, and the detected misalignment related data can be used immediately for the attitude control of the substrate or the mask, so that the scan driving can be performed while correcting the error at that time. Can be. In addition, when a misalignment occurs to a certain degree or more, the process may be stopped after determining that the substrate is defective.

본 발명의 일시예에서는 스캔 구동장비로 스캔 노광장비를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 스캔 노광장비 이외에도 스캔 구동방식을 적용하는 대부분의 반도체 장비에 적용가능하다. 즉, 스캔 노광장비, 스캔 도포장비, 스캔 검사장비, 마그넷(magnet) 구동방식의 스퍼터(sputter) 등등에도 본 발명이 적용될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, a scan exposure apparatus is described as an example of a scan driving apparatus, but the present invention is applicable to most semiconductor apparatuses to which a scan driving scheme is applied in addition to the scan exposure apparatus. That is, the present invention may be applied to a scan exposure apparatus, a scan coating apparatus, a scan inspection apparatus, a sputter of a magnet driving method, and the like.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Many details are set forth in the foregoing description but should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

본 발명에 따르면, 스캔 구동 중에도 오정렬에 대한 보정을 수행할 수 있어 저 사양의 장비로도 고 사양의 장비의 성능을 구현할 수 있으며, 나아가서는 장비투자비 감소와 공정능력 향상을 얻을 수 있다. According to the present invention, correction of misalignment can be performed even during a scan driving, so that even a low specification device can realize the performance of a high specification device, and further, a reduction in equipment investment cost and an improvement in process capability can be obtained.

Claims (9)

반도체 장비의 스캔 구동방법에 있어서,In the scan driving method of a semiconductor device, 마스크와 기판 중 어느 하나에 형성되며 스캔 방향과 평행한 방향으로 배향된 제 1 정렬키와,A first alignment key formed on either the mask and the substrate and oriented in a direction parallel to the scanning direction; 상기 마스크와 기판 중 다른 하나에 형성되며 스캔 방향과 평행한 방향으로 배향되되, 상기 제 1 정렬키와 정렬을 시도하는 제 2 정렬키를 이용하여 상기 제1 정렬키와 상기 제2 정렬키 간의 오정렬로 인하여 누설되는 빛을 감지하여 스캔 구동 중에도 오정렬에 대한 보정을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 스캔 구동방법.The misalignment between the first alignment key and the second alignment key is formed on the other one of the mask and the substrate and is oriented in a direction parallel to the scan direction, using a second alignment key that tries to align with the first alignment key. Scan driving method of a semiconductor device, characterized in that for detecting the light leakage due to the correction for misalignment even during the scan drive. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 정렬키와 제 2 정렬키는 스트라이프 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 스캔 구동방법.The scan driving method of claim 1, wherein the first and second alignment keys have a stripe shape. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 누설되는 빛을 화상으로 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 스캔 구동방법.The method of claim 1, wherein the leaked light is sensed as an image. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 정렬키와 상기 제 2 정렬키 간의 오정렬을 화상으로 인식하여 스캔 구동 중에도 오정렬에 대한 보정을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 스캔 구동방법.And recognizing the misalignment between the first alignment key and the second alignment key as an image and correcting the misalignment even during the scan driving. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 장비는The method of claim 1, wherein the semiconductor equipment 스캔 노광장비, 스캔 도포장비, 스캔 검사장비, 마그넷(magnet) 구동방식의 스퍼터(sputter) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 스캔 구동방법.A scan exposure method, a scan coating device, a scan inspection device, a scan driving method of a semiconductor device, characterized in that any one of a magnet drive sputter (sputter). 제 2 항, 제4항, 제5항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2, 4, 5 and 7, 상기 제 1 정렬키와 제 2 정렬키 중 어느 하나의 정렬키는 일정거리를 두고 이격된 한 쌍으로 이루어진 스트라이프 형태를 가지며 다른 하나의 정렬키는 상기 한 쌍의 정렬키 사이에 위치하는 스트라이프 형태를 갖는 특징으로 하는 반도체 장비의 스캔 구동방법.One of the alignment keys of the first alignment key and the second alignment key has a pair of stripe shapes spaced apart from each other by a predetermined distance, and the other alignment key has a stripe shape located between the pair of alignment keys. Scan drive method of a semiconductor device characterized in that it has. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제 1 정렬키 또는 상기 제 2 정렬키는 제 1 방향으로 스캔 구동되는 거리만큼의 길이를 갖는 것는 특징으로 하는 반도체 장비의 스캔 구동방법.Wherein the first alignment key or the second alignment key has a length corresponding to a distance driven by the scan in the first direction.
KR1020060061474A 2006-06-30 2006-06-30 Method of scan operating in semiconductor equipment KR101250786B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060061474A KR101250786B1 (en) 2006-06-30 2006-06-30 Method of scan operating in semiconductor equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060061474A KR101250786B1 (en) 2006-06-30 2006-06-30 Method of scan operating in semiconductor equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080002581A KR20080002581A (en) 2008-01-04
KR101250786B1 true KR101250786B1 (en) 2013-04-04

Family

ID=39214349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060061474A KR101250786B1 (en) 2006-06-30 2006-06-30 Method of scan operating in semiconductor equipment

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101250786B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51151073A (en) 1975-06-20 1976-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method to adjust the position of an mask for an integrated circuit
JPS5766632A (en) 1980-10-09 1982-04-22 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit device
JP2003297723A (en) * 2002-03-29 2003-10-17 Sony Corp Alignment method, exposure method and semiconductor device manufacturing method
KR100566457B1 (en) * 2003-10-22 2006-03-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Photo mask for glass substrates having various sizes and method of fabricating liquid crystal display panel using thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51151073A (en) 1975-06-20 1976-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method to adjust the position of an mask for an integrated circuit
JPS5766632A (en) 1980-10-09 1982-04-22 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit device
JP2003297723A (en) * 2002-03-29 2003-10-17 Sony Corp Alignment method, exposure method and semiconductor device manufacturing method
KR100566457B1 (en) * 2003-10-22 2006-03-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Photo mask for glass substrates having various sizes and method of fabricating liquid crystal display panel using thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080002581A (en) 2008-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100848523B1 (en) Exposure apparatus and exposure method
US8159674B2 (en) Exposure method and exposure device
JPS62200726A (en) Exposure device
US20060018560A1 (en) Exposure device and exposure method
US20130077075A1 (en) Method of aligning an exposure apparatus, method of exposing a photoresist film using the same and exposure apparatus for performing the method of exposing a photoresist film
US9766559B2 (en) Edge-dominant alignment method in exposure scanner system
KR20100106949A (en) Exposure method and exposure device
JP2008051866A (en) Pattern drawing device, pattern drawing method and substrate processing system
US20090040484A1 (en) Exposure equipment, exposure method, and manufacturing method for a semiconductor device
KR101250786B1 (en) Method of scan operating in semiconductor equipment
JP2006351760A (en) Alignment mark, and method and device for measuring alignment accuracy using the same
US6437354B1 (en) Exposure method and scanning-type exposure apparatus
JP3936546B2 (en) Exposure apparatus, substrate positioning method in the apparatus, and flat display panel manufacturing method
US6342943B1 (en) Exposure apparatus
KR100849871B1 (en) Exposure apparatus
JPH08130180A (en) Exposure method
JP4609167B2 (en) Exposure system, exposure method, and microdevice manufacturing method
JP4402418B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
KR20010062572A (en) Exposure method
JP2006084783A (en) Mask alignment method and mask alignment device for double-face exposure apparatus
JP2887281B2 (en) Proximity exposure equipment
JPH065488A (en) Lithography method and aligner used in said method
WO1998006009A1 (en) Lithography system with remote multisensor alignment
KR100244918B1 (en) Semiconductor pattern inspect device and its method
KR101131442B1 (en) Method for arrange digital mirror device in maskless exposure device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160226

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180213

Year of fee payment: 6