KR101250768B1 - Method for removing photoresist by using electrolytic degrease - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토레지스트의 박리 방법에 있어, 박리성 향상을 위해 전해탈지를 이용하여 포토레지스트를 박리하는 방법에 관한 것으로, 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트(electrodeposition photoresist) 코팅, 노광 및 현상 공정 후 박리 수단을 사용하여 상기 포토레지스트를 박리하는 방법에 있어서, 상기 박리 수단은, 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법을 제공하여, 포토레지스트, 특히 전착 포토레지스트 전용 박리액을 사용하지 않아 경제적이고, 박리 공정 길이 및 시간이 단축되어 공정 효율이 높으면서도 완벽한 박리가 가능하여 박리 효과도 우수한 전해탈지를 이용한 포토레지스트 박리 방법을 제공할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of peeling photoresist using electrolytic degreasing to improve peelability, wherein the photoresist is coated on a conductive or insulating material, followed by a photoresist coating, exposure and development process. In the method of peeling the photoresist by means, the peeling means is provided by a current application method using electrolytic degreasing, to provide a photoresist stripping method, photodedicated, in particular electrodeposited photoresist It is economical by not using a stripping solution, and the length and time of the stripping process can be shortened to provide a photoresist stripping method using an electrolytic degreasing having high peeling efficiency and excellent stripping effect.
Description
본 발명은 포토레지스트의 박리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박리성 향상을 위해 전해탈지를 이용하여 포토레지스트를 박리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of peeling a photoresist, and more particularly, to a method of peeling a photoresist using electrolytic degreasing to improve peelability.
일반적으로 IC 칩을 포함한 전기소자를 실장하기 위한 기판은 무기질 기판을 포토레지스트로 코팅, 노광 및 현상 공정을 수행하는 포토레지스트 패턴화 단계와 에칭, 도금 공정 등으로 미세 회로를 형성하는 단계를 거친 후 상기 패턴화된 포토레지스트막을 박리하는 단계를 포함하여 제조된다. 이때, 상기 포토레지스트로는 현상, 에칭 공정 등에 사용되는 각종 용매로부터 하부의 금속층 부분을 충분히 보호할 수 있는 금속박과의 접착력 및 내화학성이 양호한 조성물로서 일반적으로 드라이 필름 레지스트(dry film photoresist; 이하 'DFR'이라 함)를 사용하게 되며, 이후 이와는 상반되게 상기 포토레지스트층을 제거하기 위해 다양한 박리액을 사용하여 디핑(dipping) 또는 스프레이(spray) 방식으로 포토레지스트를 박리하고 있다.In general, a substrate for mounting an electric device including an IC chip has a photoresist patterning step of coating, exposing and developing an inorganic substrate with photoresist, and forming a fine circuit through an etching and plating process. And peeling the patterned photoresist film. In this case, the photoresist is a composition having good adhesion and chemical resistance with a metal foil capable of sufficiently protecting the lower metal layer portion from various solvents used for development, etching, and the like, and is generally referred to as a dry film photoresist; DFR ') is then used to remove the photoresist in a dipping or spray manner using various strippers to remove the photoresist layer.
최근 IC 칩 실장 기판용 리드프레임의 경우를 예로 들면, 내부 리드간 간격을 더욱 조밀하게 하기 위한 파인 피치(fine pitch), 더 많은 I/O 접점수(high I/O) 및 경박단소(輕薄短小) 향상을 위해 상기 DFR을 대신하여 전착 포토레지스트(electrodeposition photoresist)를 사용하고 있다. 전착 포토레지스트는 미세 패턴 및 3차원으로 포토레지스트층을 구현할 수 있어 기존 DFR보다 활용 가치가 높다고 할 수 있다.For example, in the case of a lead frame for an IC chip mounting substrate, a fine pitch, more I / O contact points, and lighter and shorter weights to make the spacing between internal leads more compact are taken as an example. Electrodeposition photoresist is used in place of the DFR for improvement. Electrodeposited photoresist can implement a photoresist layer with a fine pattern and three-dimensional, it can be said that the application value is higher than the existing DFR.
한편, 이러한 전착 포토레지스트를 코팅한 경우의 박리 공정에 있어서는, 종래 DFR을 코팅한 경우와 마찬가지로 박리액을 사용하고 있다. 다만, 전착 포토레지스트의 박리는 별도의 전용 박리액이 사용되고 있는데, 이러한 전용 박리액으로서 허니 케미칼스(Honny Chemicals Co., Ltd, 일본)사의 박리액(상품명: REMOVER R-110)을 들 수 있다.On the other hand, in the peeling process in the case of coating such electrodeposition photoresist, the peeling liquid is used similarly to the case of coating the conventional DFR. However, as the exfoliation of the electrodeposited photoresist, a separate exfoliation solution is used, and as such exfoliation solution, a exfoliation solution (trade name: REMOVER R-110) of Honey Chemicals Co., Ltd., Japan. .
이러한 전착 포토레지스트 전용 박리액은 고가이고, 완벽한 박리를 위해서는 전착 포토레지스트 용액의 제조사에서 제공하는 전용 박리액을 사용해야만 하는 실정이다. 또한, 상기 전용 박리액을 사용하여 박리 능력 향상을 위해서는 전용 장비와 상기 전용 박리액 제조사가 제시하는 공정 조건으로 박리 공정을 진행하는 것이 필요하다. 예를 들어, 스프레이 압력 향상, 박리 공정 시간 연장, 박리 원액 농도 향상 등과 같은 일반적인 조건들이 있다. 상기 박리 공정은 총 4단으로 구성되어 박리 라인의 총 길이는 약 3m 정도 되며, 노광 및 도금 조건에 따라 박리 라인 및 박리 시간은 더 길어질 수도 있다. 따라서, 전착 포토레지스트 용액 제조사 및 장비 제공업체에서 제시하는 조건을 그대로 적용하게 되면 고가의 전용 박리액 부담과 함께 라인 길이가 길어지고, 박리 시간이 오래 걸려 제조원가가 더욱 상승하는 문제점이 있다.Such electrodeposited photoresist stripper is expensive, and in order to achieve perfect stripping, it is necessary to use a dedicated stripper provided by the manufacturer of the electrodeposited photoresist solution. In addition, in order to improve the peeling ability by using the dedicated peeling liquid, it is necessary to proceed with the peeling process under the process conditions proposed by the dedicated equipment and the dedicated peeling liquid manufacturer. For example, there are general conditions such as spray pressure improvement, stripping process time extension, stripping stock solution concentration, and the like. The peeling process is composed of a total of four stages so that the total length of the peeling line is about 3m, the peeling line and the peeling time may be longer depending on the exposure and plating conditions. Therefore, if the conditions proposed by the electrodeposition photoresist solution manufacturers and equipment providers are applied as they are, there is a problem in that the manufacturing cost increases further due to the lengthy line length and the long time for the peeling together with the expensive dedicated stripper burden.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 전착 포토레지스트를 포함하는 포토레지스트 박리 방법에 있어, 전용 박리액을 사용하지 않고 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행하여 경제적이고 박리 효과가 우수한 포토레지스트 박리 방법을 제안하고자 한다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, in the photoresist stripping method including the electrodeposition photoresist, it is economical and excellent in the peeling effect by performing a current application method using electrolytic degreasing without using a dedicated stripping solution A photoresist stripping method is proposed.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, According to an aspect of the present invention,
(1) 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트(photoresist) 코팅, 노광 및 현상 공정 후 박리 수단을 사용하여 상기 포토레지스트를 박리하는 방법에 있어서, 상기 박리 수단은, 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행되고, 상기 전류는 전류 밀도가 20~100A/d㎡이고, 상기 전해탈지는 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 30~60중량%, 계면활성제 0.001~10중량% 및 침식방지제 30~60중량%를 포함하는 전해탈지제를 이용한 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법을 제공한다.(1) A method of peeling the photoresist using a peeling means after a photoresist coating, exposure and development process on a conductive or insulating material, wherein the peeling means is performed by a current application method using electrolytic degreasing. The current has a current density of 20 to 100 A / dm 2, and the electrolytic degreasing is 30 to 60 wt% of sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH), 0.001 to 10 wt% of a surfactant, and 30 to 60 wt% of an erosion inhibitor. It provides a peeling method of a photoresist, characterized by using an electrolytic degreasing agent containing%.
(2) 상기 (1)에 있어서, 상기 포토레지스트(photoresist)는, 전착 포토레지스트(electrodeposition photoresist)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법을 제공한다.(2) The photoresist peeling method according to (1), wherein the photoresist is an electrodeposition photoresist.
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또한, 상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, Moreover, in order to solve the said subject,
(8) 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 30~60중량%, 계면활성제 0.001~10중량% 및 침식방지제 30~60중량%를 포함하고, 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트 코팅, 노광 및 현상 공정 후 상기 포토레지스트를 박리하기 위해 사용되는 포토레지스트 박리용 전해탈지제를 제공한다.(8) comprising 30 to 60% by weight of sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH), 0.001 to 10% by weight of surfactant and 30 to 60% by weight of erosion inhibitor, and photoresist coating, exposure and Provided is an electrolytic degreasing agent for photoresist stripping used to peel the photoresist after a developing process.
(9) 상기 (8)에 있어서, 상기 포토레지스트는 전착 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리용 전해탈지제를 제공한다.(9) The electrolytic degreasing agent for photoresist stripping according to (8), wherein the photoresist is an electrodeposition photoresist.
이러한 본 발명에 따른 포토레지스트 박리 방법은, 포토레지스트 전용 박리액을 사용하지 않아 경제적(전착 포토레지스트의 경우, 전용 박리액 가격의 약 1/7 수준)이고, 박리 공정 길이 및 시간이 단축되어 공정 효율이 높으면서도 완벽한 박리가 가능하여 박리 효과도 우수한 전해탈지를 이용한 포토레지스트 박리 방법을 제공할 수 있다.Such a photoresist stripping method according to the present invention is economical (about 1/7 of the price of a dedicated stripping solution in the case of electrodeposited photoresist) without using a photoresist stripping solution, and the stripping process length and time are shortened and It is possible to provide a photoresist stripping method using electrolytic degreasing with high peeling efficiency and excellent peeling effect.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전해탈지제 성분으로 수산화나트륨의 박리 작용을 설명한 모식도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전해탈지제 성분으로 수산화나트륨 및 계면활성제의 박리 작용을 설명한 모식도,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 에칭용 전착 포토레지스트 박리 방법을 사용하는 전기소자 실장용 기판 제조 공정의 일부를 나타낸 단면도,
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 도금용 전착 포토레지스트 박리 방법을 사용하는 전기소자 실장용 기판 제조 공정을 나타낸 단면도.1 is a schematic diagram illustrating the peeling action of sodium hydroxide as an electrolytic degreasing agent component according to an embodiment of the present invention;
2 is a schematic diagram illustrating the peeling action of sodium hydroxide and a surfactant as an electrolytic degreasing agent component according to an embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional view showing a part of a substrate manufacturing process for mounting an electric device using the electrodeposition photoresist stripping method for etching according to an embodiment of the present invention;
4 and 5 are cross-sectional views showing a process for manufacturing a substrate for mounting an electric device using the electrodeposition photoresist stripping method for plating according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정 해석되지 아니하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 여기서, 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
The terms or words used in this specification and claims are not to be construed as limiting in their usual or dictionary meanings, and the inventors may properly define the concept of terms in order to best explain their invention in the best way possible. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible. Here, like reference numerals in the drawings denote like elements.
본 발명은 도전성 또는 절연성 재료에 포토레지스트(photoresist) 코팅, 노광 및 현상 공정 후 박리 수단을 사용하여 상기 포토레지스트를 박리하는 방법에 있어서, 상기 박리 수단은, 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하고 있다.The present invention relates to a method of peeling the photoresist using a peeling means after a photoresist coating, exposure and development process on a conductive or insulating material, wherein the peeling means is performed by a current application method using electrolytic degreasing. It is characterized by.
상기 전해탈지는 상기 도전성 또는 절연성 재료의 전처리 공정에서 방청 처리 및 기타 유기물질을 제거하는데 사용되고 있는 것이나, 본 발명자는 상기 전해탈지를 포토레지스트, 특히 전착 포토레지스트 박리 공정에 이용하는 경우, 경제적인 것은 물론 그 박리 효과가 우수한 것을 발견하고 본 발명에 이르게 된 것이다.The electrolytic degreasing is used to remove the rust-preventing treatment and other organic substances in the pretreatment process of the conductive or insulating material, but the inventors of the present invention are economical in the case of using the electrolytic degreasing in the photoresist, in particular, the electrodeposition photoresist stripping process. It discovered that the peeling effect was excellent and led to this invention.
상기 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 박리 공정을 수행하는 것은 종래 포토레지스트 전용 박리액을 사용하여 박리 공정을 수행하는 것을 대신하는 것이다. 종래 전용 박리액을 사용하는 경우는, 디핑(dipping) 또는 스프레이(spray) 방식을 이용하는 것이나, 본 발명에 따른 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식은 전해탈지를 이용한 전류를 인가하여 박리를 실시하는 것으로 일반적인 도금 공정에서 사용하는 전해 원리에 착안하여 포토레지스트 박리 공정에 이용한 것이다. 또한, 도금 공정 이외에도 기판 등의 표면의 방청 처리 및 기타 유기물질을 제거하는 데에도 전해탈지를 이용하게 되나, 본 발명에서와 같이 포토레지스트, 특히 전착 포토레지스트 박리 공정에서 전해탈지를 이용한 경우는 없었다.Performing the peeling process by the current application method using the electrolytic degreasing is an alternative to performing the peeling process using a conventional photoresist-only peeling liquid. In the case of using a conventional peeling liquid, a dipping or spray method is used, but the current application method using the electrolytic degreasing according to the present invention is performed by applying a current using an electrolytic degreasing to perform peeling. It focuses on the electrolytic principle used in a plating process, and is used for the photoresist peeling process. In addition to electroplating, electrolytic degreasing is used to remove rust and other organic substances on the surface of substrates, but electrolytic degreasing has not been used in photoresist, in particular electrodeposition photoresist stripping, as in the present invention. .
전해탈지를 이용하여 전류를 인가(미도시)하게 되면, 포토레지스트층과 도전성 또는 절연성 재료 사이의 전기 저항으로 도전성 또는 절연성 재료 표면에서 전착 포토레지스트층이 분리된다. 이때, 전해탈지에 사용되는 전해탈지제는 일반적으로, 수산화나트륨 또는 수산화칼륨, 계면활성제, 부식방지제 및 침식방지제를 포함하고 있다. 이하, 전착 포토레지스트가 코팅된 경우를 일실시예로서 설명한다.When current is applied (not shown) using electrolytic degreasing, the electrodeposition photoresist layer is separated from the surface of the conductive or insulating material by the electrical resistance between the photoresist layer and the conductive or insulating material. At this time, the electrolytic degreasing agent used for the electrolytic degreasing generally includes sodium hydroxide or potassium hydroxide, a surfactant, a corrosion inhibitor and an erosion inhibitor. Hereinafter, the case where the electrodeposition photoresist is coated will be described as an example.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전해탈지제 성분으로 수산화나트륨의 박리 작용을 설명한 모식도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전해탈지제 성분으로 수산화나트륨 및 계면활성제의 박리 작용을 설명한 모식도이다.1 is a schematic diagram illustrating the peeling action of sodium hydroxide as an electrolytic degreasing agent component according to an embodiment of the present invention, Figure 2 illustrates the peeling action of sodium hydroxide and a surfactant as an electrolytic degreasing agent component according to an embodiment of the present invention It is a schematic diagram.
도 1을 참조하면, 일실시예로서 도전성 재료(110) 사이에 전착 포토레지스트(121')가 경화된 모습을 나타내고 있다. 수산화나트륨은 포토레지스트(121')를 스웰링(swelling)시키는 작용을 하여 스월렌 겔(swollen gel) 영역(140)을 형성 및 확산(a)시킨다. 이후, 스월렌 겔(140)은 나트륨 양이온(Na+)에 의해 염(salt)화되어 용해(b)되고, 도전성 재료 표면으로부터 박리(c)되게 된다.Referring to FIG. 1, the
도 2를 참조하면, 일실시예로서 도전성 재료(110) 사이에 경화된 전착 포토레지스트(121')를 전해탈지제 성분으로서 수산화나트륨 및 계면활성제가 함께 작용하는 경우의 모습을 나타내고 있다. 이 경우는 수산화나트륨에 의한 스웰링 작용이 계면활성제에 의해 더욱 활성화되어 스월렌 겔 영역(140)의 형성 및 확산 속도가 촉진(a)된다. 이후, 나트륨 양이온에 의한 염화 및 용해(b) 후 박리(c)된다. 즉, 계면활성제는 포토레지스트의 박리가 더 잘 되도록 스웰링을 가속화 시키는 작용을 하는 것이다. 상기 계면활성제로는, 음이온 계면활성제, 양이온계면활성제, 비이온계면활성제를 사용할 수 있으나, 다만, 습윤성이 우수하고 기포 발생이 적은 비이온성 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 2, as an embodiment, the
여기서, 상기 수산화나트륨(또는 수산화칼륨)은 전체 전해탈지제 중량 기준으로 30~60중량% 포함하는 것이 바람직하고, 40~50중량%로 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 수산화나트륨 함량이 30중량% 미만인 경우는 수산화나트륨에 의한 스웰링 작용이 충분하지 않고, 60중량%를 초과하는 경우는 패턴 등 금속성 물질에 손상을 가할 수도 있어 바람직하지 않다.Here, the sodium hydroxide (or potassium hydroxide) is preferably included 30 to 60% by weight, more preferably 40 to 50% by weight based on the total weight of the electrolytic degreasing agent. When the sodium hydroxide content is less than 30% by weight, the swelling action by sodium hydroxide is not sufficient, and when the sodium hydroxide content is more than 60% by weight, damage to metallic materials such as patterns is not preferable.
또한, 상기 계면활성제는 전체 전해탈지제 중량 기준으로 0.001~10중량% 포함하는 것이 바람직하고, 0.01~1중량%로 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 계면활성제 함량이 0.001중량% 미만인 경우는 기판 표면의 박리 효과가 균일하지 않고, 계면에 대한 침투 효과가 미흡하여 스웰링 작용의 가속화 정도가 미비하며, 10중량%를 초과하는 경우는 박리 균일성이 증가하지 않으며, 오히려 다량의 기포가 발생하여 공정상 취급에 문제가 있다.In addition, the surfactant is preferably included from 0.001 to 10% by weight, more preferably from 0.01 to 1% by weight based on the total weight of the electrolytic degreasing agent. When the surfactant content is less than 0.001% by weight, the peeling effect on the surface of the substrate is not uniform, the penetration effect on the interface is insufficient, and the degree of acceleration of the swelling effect is insufficient, and when it exceeds 10% by weight, the peeling uniformity is This does not increase, but rather a large amount of bubbles are generated, there is a problem in the process handling.
상기 수산화나트륨 또는 수산화칼륨과 계면활성제 이외에, 전해탈지 시 도금 패턴의 침식을 방지하는 침식방지제가 포함되는데, 본 발명에 따른 전해탈지제의 경우, 전체 전해탈지제 중량 기준으로 상기 침식방지제가 30~60중량% 포함될 수 있다. In addition to the sodium hydroxide or potassium hydroxide and a surfactant, an erosion inhibitor for preventing erosion of the plating pattern during electrolytic degreasing is included. In the case of the electrolytic degreasing agent according to the present invention, the erosion inhibitor is 30 to 60 weight based on the total weight of the electrolytic degreasing agent. % May be included.
이때, 전해탈지에 사용되는 상기 전해탈지제의 농도는 40~200g/ℓ인 것이 바람직하다. 상기 농도가 40g/ℓ 미만인 경우는 박리 효과가 미비하여 좋지 않고, 200g/ℓ를 초과하는 경우는 박리 효과는 상승하나 도금 패턴의 손상 우려가 있어 좋지 않다.At this time, the concentration of the electrolytic degreasing agent used for the electrolytic degreasing is preferably 40 ~ 200g / ℓ. When the said concentration is less than 40 g / L, peeling effect is inadequate and it is not good. When it exceeds 200 g / L, peeling effect rises but there is a possibility that the plating pattern may be damaged.
한편, 상기 인가되는 전류의 전류 밀도는 20~100A/d㎡인 것이 바람직하다. 전류 밀도가 20A/d㎡ 미만인 경우는 박리력이 충분하지 않아 도전성 또는 절연성 재료 표면에 붙어 있는 포토레지스트층이 완전히 박리되지 않는다. 다만, 전류 밀도가 크면 클수록 박리가 잘 되나 일반적인 전착 포토레지스트층의 두께 및 정류기 용량에 따른 전류 밀도 구현의 한계를 고려하면 100A/d㎡를 초과하는 것은 바람직하지 않다.On the other hand, the current density of the applied current is preferably 20 ~ 100A / dm 2. When the current density is less than 20 A / dm 2, the peeling force is insufficient and the photoresist layer adhered to the surface of the conductive or insulating material does not completely peel off. However, the larger the current density, the better the peeling, but considering the limitation of the current density implementation according to the thickness of the electrodeposited photoresist layer and the rectifier capacity, it is not preferable to exceed 100 A / dm 2.
본 발명의 일실시예에 따른 전착 포토레지스트 박리 방법은 종래의 전착 포토레지스트 전용 박리액을 이용하는 공정과 혼용될 수 있다. 즉, 상기 전착 포토레지서트 전용 박리액을 이용하는 공정 길이를 일부 줄여 본 발명에 따른 박리 방법으로 대체하거나, 또는, 전부 대체할 수도 있다. 따라서, 본 발명에 따른 박리 방법을 대체하는 정도만큼 제조원가를 절감할 수 있는 것이다.The electrodeposition photoresist stripping method according to an embodiment of the present invention may be mixed with a process using a conventional electrodeposition photoresist stripping solution. That is, the process length using the electrodeposition photoresist-only peeling liquid may be partially reduced or replaced by the peeling method according to the present invention, or may be entirely replaced. Therefore, the manufacturing cost can be reduced as much as replacing the peeling method according to the present invention.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 전착 포토레지스트 박리 방법은, 상기 도전성 재료가 IC 칩을 포함하는 전기소자 실장용 기판(100) 제조를 위한 소재(110)일 수 있다. 이때, 상기 기판(100)은 IC 칩 실장용 리드프레임일 수 있는데, 본 발명에 따르면, 상기 리드프레임의 내부 리드 간격이 30㎛ 이하의 파인 피치(fine pitch)의 경우 적합한 전착 포토레지스트 코팅의 경우에도 효과적으로 박리할 수 있게 된다. 다만, 상기 리드프레임 뿐 아니라 BGA(ball grid array), TAB(tape automated bonding) 등 모든 IC 칩 실장 기판, 나아가, IC 칩 실장 기판 뿐 아니라 IC 칩, 인쇄회로기판(PCB) 등 전착 포토레지스트를 사용할 수 있는 모든 공정에서 본 발명에 따른 전착 포토레지스트 박리 방법이 적용될 수 있는 것이다.In addition, the electrodeposition photoresist stripping method according to an embodiment of the present invention, the conductive material may be a material 110 for manufacturing the
한편, 상기 노광 공정은 레이저 디렉트 이미징(laser direct imaging, 이하 'LDI'라 함) 노광이나 UV 노광 방식이 사용될 수 있다. 여기서, 상기 LDI 노광 방식을 적용하는 경우에는 레이저 열에 의해서 전착 포토레지스트층이 도전성 재료 표면에 달라 붙어 전착 포토레지스트 전용 박리액으로는 완벽히 박리되지 아니하나, 본 발명에 따른 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 박리 공정을 수행할 경우 전착 포토레지스트층이 완전히 박리될 수 있게 된다. UV 노광 방식을 적용하는 경우는, 상기 전용 박리액으로 박리하였을 때 LDI 노광 방식의 경우보다는 양호하게 박리되나, 전착 포토레지스트층이 여전히 미세하게 잔존한다. 따라서, 본 발명에 따른 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 박리 공정을 수행하게 되면 상기 미세 전착 포토레지스트층이 완전히 박리될 수 있게 된다.On the other hand, the exposure process may be laser direct imaging (hereinafter referred to as "LDI") exposure or UV exposure method. Here, in the case of applying the LDI exposure method, the electrodeposition photoresist layer adheres to the surface of the conductive material by laser heat, and thus the electrodeposition photoresist layer is not completely peeled off by the electrodeposition photoresist stripping solution, but the current application method using the electrolytic degreasing according to the present invention. When the peeling process is performed, the electrodeposition photoresist layer may be completely peeled off. In the case of applying the UV exposure method, peeling is better than in the case of the LDI exposure method when peeling with the dedicated stripping liquid, but the electrodeposition photoresist layer still remains fine. Therefore, when the peeling process is performed by the current application method using the electrolytic degreasing according to the present invention, the fine electrodeposition photoresist layer may be completely peeled off.
본 발명의 일실시예에 따른 전착 포토레지스트의 박리 방법은 에칭용으로 또는 도금용으로도 적용 가능하다. The peeling method of the electrodeposition photoresist according to an embodiment of the present invention can be applied for etching or plating.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 에칭용 전착 포토레지스트 박리 방법을 사용하는 전기소자 실장용 기판 제조 공정의 일부를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a part of a substrate manufacturing process for mounting an electric device using the electrodeposition photoresist stripping method for etching according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 구리 원소재(110)를 준비(a)한 후, 전착 포토레지스트(121)의 코팅(b), 노광 및 현상(c) 공정을 수행하고, 현상 공정으로 포토레지스트(121)가 제거된 구리 원소재 부위(111)에 하프(half) 에칭 공정(d)을 수행한다. 이후, 전해탈지를 이용하여 경화된 포토레지스트(121')를 박리(e)한다. 이때, 전해탈지를 이용하기 전에 전용 박리액을 사용하여 박리를 수행할 수 있다. 그리고 나서, 도금 공정(미도시) 등 이후 공정을 수행하게 된다. Referring to FIG. 3, after preparing the copper raw material 110 (a), the coating (b), the exposure and the development (c) processes of the
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 도금용 전착 포토레지스트 박리 방법을 사용하는 전기소자 실장용 기판 제조 공정을 나타낸 단면도이다.4 and 5 are cross-sectional views showing a process for manufacturing a substrate for mounting an electric device using the electrodeposition photoresist stripping method for plating according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 에칭 공정 후 도금 공정을 수행하는 과정에서의 전착 포토레지스트 박리 공정이 적용됨을 나타내고 있다. 먼저, 구리 원소재(110)를 준비(a)한 후, DFR(122)(전착 포토레지스트도 가능) 코팅(b), 노광 및 현상(c) 공정을 수행하고, 현상 공정으로 포토레지스트(122)가 제거된 구리 원소재 부위(111)에 하프 에칭 공정(d)을 수행한다. 이후, 경화된 포토레지스트(122')를 포토레지스트 박리액(전해탈지 이용 가능)으로 박리(e)하고, 다시 전착 포토레지스트(121)를 코팅(f), 노광 및 현상(g)하는 공정을 수행한다. 그리고 나서, 현상 공정으로 포토레지스트(121)가 제거된 구리 원소재 부위(111')에 도금(130) 공정(h)을 수행한 후 전해탈지를 이용하여 경화된 포토레지스트(121')를 박리(i)한다. 이때, 전해탈지를 이용하기 전에 전용 박리액을 사용하여 박리를 수행할 수 있다. 상기 과정을 거쳐 전기소자 실장용 기판(100)을 제조할 수 있다.Referring to FIG. 4, the electrodeposition photoresist stripping process in the plating process after the etching process is applied. First, after preparing (a) the copper
도 5를 참조하면, 도금 공정 후 에칭 공정을 수행하는 과정에서의 전착 포토레지스트 박리 공정이 적용됨을 나타내고 있다. 먼저, 구리 원소재(110)를 준비(a)한 후, 전착 포토레지스트(121) 코팅(b), 노광 및 현상(c) 공정을 수행하고, 현상 공정으로 포토레지스트(121)가 제거된 구리 원소재 부위(111')에 도금(130) 공정(d)을 수행한다. 이후, 경화된 포토레지스트(121')를 전해탈지를 이용하여 박리(e)한다. 이때, 도 4의 경우와 마찬가지로 전해탈지를 이용하기 전에 전용 박리액을 사용하여 박리를 수행할 수 있다. 그리고 나서, 다시 DFR(122)(전착 포토레지스트도 사용 가능) 코팅(f), 노광 및 현상(g) 공정을 수행한다. 이후, 현상 공정으로 포토레지스트(122)가 제거된 구리 원소재 부위(111)에 하프 에칭(h)을 수행한 후 포토레지스트 박리액(전해탈지 이용 가능)으로 경화된 포토레지스트(122')를 박리(i)할 수 있다. 상기 과정을 거쳐 전기소자 실장용 기판(100)을 제조할 수 있다.Referring to FIG. 5, an electrodeposition photoresist stripping process is applied in a process of performing an etching process after a plating process. First, the copper
이하, 본 발명에 따른 실시제조예 및 비교제조예를 보다 상세하게 설명한다.
Hereinafter, the production examples and comparative production examples according to the present invention will be described in more detail.
실시제조예Production Example
도전성 재료로서 구리 원소재(110)를 사용하여 도 4의 공정도에 따라 IC 칩 실장용 기판(100)을 제조한다. 먼저, 상기 구리 원소재(110)에 DFR(122) 코팅(b), 노광 및 현상(c) 후 현상 공정으로 포토레지스트(122)가 제거된 구리 원소재 부위(111)에 하프 에칭(d)을 수행한다. 이후, 경화된 포토레지스트(122')를 박리액을 사용하여 박리(e)하고, 다시 전착 포토레지스트(121) 코팅(f), LDI 노광 및 현상(g) 공정을 수행한다. 그리고 나서, 선도금 프레임(pre-plated frame, PPF) 방법으로 포토레지스트가 박리된 구리 원소재 부위(111')에 도금(130)을 실시(h)한 후 전착 포토레지스트 전용 박리액(REMOVER R-110, Honny Chemicals Co., Ltd, 일본)을 사용하여 경화된 포토레지스트(121')를 박리(i)한다. 마지막으로, 전해탈지제(룩센크리너 100, 룩스엔지니어링사, 한국)를 이용하여 전류 밀도 20~40A/d㎡에서 추가 박리 공정(i)을 수행한다. 이때, 상기 전해탈지제 농도는 60g/l로 한다.Using the copper
상기 실시제조예에 따라 제조된 IC 칩 실장용 기판의 박리 결과를 나타내는 사진 및 표면 확대 사진을 하기 표 1에 나타내었다.
Table 1 shows photographs and surface enlarged photographs showing peeling results of the IC chip mounting substrate manufactured according to the preparation example.
비교제조예Comparative Production Example
상기 실시제조예와 동일한 공정을 수행하나, 마지막 박리 공정(i)에서 전해탈지를 이용한 박리 공정은 수행하지 않고, 전용 박리액(REMOVER R-110, Honny Chemicals Co., Ltd, 일본)을 사용한 포토레지스트 박리 공정만을 수행한다.Perform the same process as in Example Preparation Example, but do not perform the peeling process using the electrolytic degreasing in the last peeling step (i), the photo using a dedicated peeling liquid (REMOVER R-110, Honny Chemicals Co., Ltd, Japan) Only the resist stripping process is performed.
상기 비교제조예에 따라 제조된 IC 칩 실장용 기판의 박리 결과를 나타내는 사진 및 표면 확대 사진을 하기 표 1에 나타내었다.Table 1 shows photographs and surface enlarged photographs showing peeling results of the IC chip mounting substrate manufactured according to the comparative manufacturing example.
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표 1을 참조하면, 비교제조예의 경우 구리 원소재에 달라 붙은 전착 포토레지스트층이 전용 박리액만으로는 완전히 박리되지 않았음을 알 수 있으나, 실시제조예의 경우 추가로 전해탈지제를 이용한 전류 인가 방식으로 박리 공정을 수행하여 전착 포토레지스트층이 완전히 박리된 것을 확인할 수 있다.
Referring to Table 1, it can be seen that in the case of Comparative Preparation Example, the electrodeposited photoresist layer adhering to the copper raw material was not completely peeled off using the exclusive stripping solution. By performing the process it can be confirmed that the electrodeposition photoresist layer is completely peeled off.
이상의 설명은, 본 발명의 구체적인 실시예에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 실시예는 설명의 목적으로 개시된 사항이나 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 이해되지는 않으며, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질을 벗어나지 아니하고 다양한 변경 및 수정이 가능한 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 이러한 모든 수정과 변경은 특허청구범위에 개시된 발명의 범위 또는 이들의 균등물에 해당하는 것으로 이해될 수 있다.The foregoing is a description of specific embodiments of the present invention. The above embodiments according to the present invention are not to be understood as limiting the scope of the present invention or the matter disclosed for the purpose of description, and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention various changes and modifications It should be understood that this is possible. It is therefore to be understood that all such modifications and alterations are intended to fall within the scope of the invention as disclosed in the following claims or their equivalents.
100 : 전기소자 실장용 기판 110 : 도전성 재료
121 : 전착 포토레지스트 122 : DFR
130 : 도금100: electric element mounting substrate 110: conductive material
121: electrodeposition photoresist 122: DFR
130: plating
Claims (9)
상기 박리 수단은, 전해탈지를 이용한 전류 인가 방식으로 수행되고, 상기 전류는 전류 밀도가 20~100A/d㎡이고,
상기 전해탈지는 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 30~60중량%, 계면활성제 0.001~10중량% 및 침식방지제 30~60중량%를 포함하는 전해탈지제를 이용한 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법.A method of peeling a photoresist by using a peeling means after a photoresist coating, exposure and development process on a conductive or insulating material,
The peeling means is performed by a current application method using electrolytic degreasing, the current has a current density of 20 ~ 100A / dm 2,
The electrolytic degreasing of the photoresist, characterized in that using an electrolytic degreasing agent containing 30 to 60% by weight of sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH), 0.001 to 10% by weight surfactant and 30 to 60% by weight erosion inhibitor Peeling method.
상기 포토레지스트(photoresist)는, 전착 포토레지스트(electrodeposition photoresist)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리 방법.The method of claim 1,
And the photoresist is an electrodeposition photoresist.
상기 포토레지스트는 전착 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리용 전해탈지제.9. The method of claim 8,
The photoresist is an electrolytic degreasing agent for photoresist stripping, characterized in that the electrodeposition photoresist.
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