KR101250736B1 - 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 인쇄 배선판의 제조 방법 - Google Patents

2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 인쇄 배선판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101250736B1
KR101250736B1 KR1020127016064A KR20127016064A KR101250736B1 KR 101250736 B1 KR101250736 B1 KR 101250736B1 KR 1020127016064 A KR1020127016064 A KR 1020127016064A KR 20127016064 A KR20127016064 A KR 20127016064A KR 101250736 B1 KR101250736 B1 KR 101250736B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
distillation phase
organic solvent
group
diethylene glycol
Prior art date
Application number
KR1020127016064A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120109513A (ko
Inventor
시게루 나까무라
미찌히사 우에다
슈우지 가게
도시오 다까하시
다까시 와따나베
Original Assignee
세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2011092713A external-priority patent/JP4850313B1/ja
Application filed by 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 filed Critical 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Publication of KR20120109513A publication Critical patent/KR20120109513A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101250736B1 publication Critical patent/KR101250736B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285—Permanent coating compositions
    • H05K3/287—Photosensitive compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)

Abstract

제1, 제2 액의 혼합성이 우수한 2액 혼합형의 제1, 제2 액을 제공한다. 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 혼합물인 감광성 조성물을 얻기 위한 액이다. 상기 감광성 조성물은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함한다. 상기 제1 액은 중합성 중합체를 포함한다. 상기 제2 액은 환상 에테르기를 갖는 화합물을 포함한다. 상기 제1, 제2 액은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함한다.

Description

2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 인쇄 배선판의 제조 방법 {FIRST LIQUID AND SECOND LIQUID OF TWO-LIQUID MIXING TYPE, AND METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD}
본 발명은 혼합물인 감광성 조성물을 얻기 위한 2액 혼합형의 제1, 제2 액에 관한 것이다. 본 발명은 보다 상세하게는 기판 상에 솔더 레지스트막을 형성하거나, 발광 다이오드 칩이 탑재되는 기판 상에 광을 반사하는 레지스트막을 형성하기 위하여 바람직하게 이용되는 2액 혼합형의 제1, 제2 액, 및 상기 2액 혼합형의 제1, 제2 액을 이용한 인쇄 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.
인쇄 배선판을 고온의 땜납으로부터 보호하기 위한 보호막으로서 솔더 레지스트막이 널리 이용되고 있다.
또한, 여러가지 전자 기기 용도에 있어서, 인쇄 배선판의 상면에 발광 다이오드(이하, LED라고 함) 칩이 탑재되어 있다. LED로부터 발해진 광 중 상기 인쇄 배선판의 상면측에 도달한 광도 이용하기 위하여, 인쇄 배선판의 상면에 백색 솔더 레지스트막이 형성되어 있는 경우가 있다. 이 경우에는 LED 칩의 표면으로부터 인쇄 배선판과는 반대측에 직접 조사되는 광뿐만 아니라, 인쇄 배선판의 상면측에 도달하여 백색 솔더 레지스트막에 의해 반사된 반사광도 이용할 수 있다. 따라서, LED로부터 생긴 광의 이용 효율을 높일 수 있다.
상기 백색 솔더 레지스트막을 형성하기 위한 재료의 일례로서, 하기 특허문헌 1에는 에폭시 수지와 가수분해성 알콕시실란의 탈알코올 반응에 의해 얻어진 알콕시기 함유 실란 변성 에폭시 수지를 함유하며, 불포화기 함유 폴리카르복실산 수지와 희석제와 광중합 개시제와 경화 밀착성 부여제를 더 함유하는 레지스트 재료가 개시되어 있다.
하기 특허문헌 2에는 방향환을 갖지 않는 카르복실기 함유 수지와 광중합 개시제와 에폭시 화합물과 루틸형 산화티탄과 희석제를 함유하는 백색 솔더 레지스트 재료가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2007-249148호 공보 일본 특허 공개 제2007-322546호 공보
기판 상에 레지스트막을 형성하기 위하여, 특허문헌 1 내지 2에 기재된 바와 같은 종래의 레지스트 재료를 기판 상에 도공한 경우에는 레지스트 재료를 균일하게 도공할 수 없어, 도공 불균일이 생기는 경우가 있다. 예를 들면, 스크린 인쇄에 의해 종래의 레지스트 재료를 기판 상에 도공한 경우에는, 도공된 레지스트 재료층에 있어서 줄무늬 형상의 얼룩이 보여지는 경우가 있다.
본 발명의 목적은 2액 혼합형의 제1, 제2 액으로서, 이 제1, 제2 액의 혼합성이 우수하고, 제1, 제2 액이 혼합된 혼합물인 감광성 조성물을 도공 대상 부재 상에 도공하였을 때에, 얼룩을 억제하여 균일하게 도공할 수 있는 2액 혼합형의 제1, 제2 액, 및 상기 2액 혼합형의 제1, 제2 액을 이용한 인쇄 배선판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 넓은 국면에 따르면, 혼합물인 감광성 조성물을 얻기 위한 2액 혼합형의 제1, 제2 액이고, 이 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 이 제1, 제2 액이 혼합되기 전의 액이고, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 혼합물인 감광성 조성물이 전체로 카르복실기를 갖는 중합성 중합체와, 광중합 개시제와, 환상 에테르기를 갖는 화합물과, 산화티탄과, 유기 용제를 포함하고, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고, 상기 제1 액이 상기 중합성 중합체를 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고, 상기 제2 액이 상기 환상 에테르기를 갖는 화합물을 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하거나, 상기 산화티탄을 포함하거나, 또는 상기 광중합 개시제와 상기 산화티탄의 쌍방을 포함하고, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하지 않는 경우에는 상기 제2 액이 상기 광중합 개시제를 포함하고, 상기 제1 액이 상기 산화티탄을 포함하지 않는 경우에는 상기 제2 액이 상기 산화티탄을 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액이 제공된다.
본 발명에 관한 인쇄 배선판의 제조 방법은, 회로를 표면에 갖는 인쇄 배선판 본체와, 상기 인쇄 배선판 본체의 회로가 설치된 표면에 적층된 솔더 레지스트막을 구비하는 인쇄 배선판의 제조 방법이며, 제1, 제2 액을 혼합하고, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 솔더 레지스트 조성물인 감광성 조성물을 얻는 공정과, 회로를 표면에 갖는 인쇄 배선판 본체의 회로가 설치된 표면 상에, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 솔더 레지스트 조성물인 감광성 조성물을 도공하여, 상기 인쇄 배선판 본체의 상기 회로가 설치된 표면에 적층된 솔더 레지스트막을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 솔더 레지스트 조성물인 감광성 조성물이 전체로 카르복실기를 갖는 중합성 중합체와, 광중합 개시제와, 환상 에테르기를 갖는 화합물과, 산화티탄과, 유기 용제를 포함하고, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고, 상기 제1 액이 상기 중합성 중합체를 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고, 상기 제2 액이 상기 환상 에테르기를 갖는 화합물을 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하거나, 상기 산화티탄을 포함하거나, 또는 상기 광중합 개시제와 상기 산화티탄의 쌍방을 포함하고, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하지 않는 경우에는 상기 제2 액이 상기 광중합 개시제를 포함하고, 상기 제1 액이 상기 산화티탄을 포함하지 않는 경우에는 상기 제2 액이 상기 산화티탄을 포함한다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 본 발명에 관한 인쇄 배선판의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함한다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 본 발명에 관한 인쇄 배선판의 제조 방법의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 적어도 포함하거나, 또는 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함한다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 본 발명에 관한 인쇄 배선판의 제조 방법의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함한다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 본 발명에 관한 인쇄 배선판의 제조 방법의 다른 특정한 국면에서는, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고, 상기 제1 액에서의 상기 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타가, 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타이다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 본 발명에 관한 인쇄 배선판의 제조 방법의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함한다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 본 발명에 관한 인쇄 배선판의 제조 방법의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 액이 상기 산화티탄을 포함한다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 본 발명에 관한 인쇄 배선판의 제조 방법의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제와 상기 산화티탄의 쌍방을 포함한다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액에서는, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 감광성 조성물이 솔더 레지스트 조성물로서 바람직하게 이용된다. 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액에서는, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 감광성 조성물이 솔더 레지스트 조성물인 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 혼합물인 감광성 조성물을 얻기 위한 2액 혼합형의 제1, 제2 액이고, 이 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 이 제1, 제2 액이 혼합되기 전의 액이고, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 혼합물인 감광성 조성물이 전체로 카르복실기를 갖는 중합성 중합체와 광중합 개시제와 환상 에테르기를 갖는 화합물과 산화티탄과 유기 용제를 포함하고, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고, 상기 제1 액이 상기 중합성 중합체를 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고, 상기 제2 액이 상기 환상 에테르기를 갖는 화합물을 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하거나, 상기 산화티탄을 포함하거나, 또는 상기 광중합 개시제와 상기 산화티탄의 쌍방을 포함하기 때문에, 상기 제1, 제2 액의 혼합성이 우수하고, 혼합 후의 감광성 조성물을 도공 대상 부재 상에 도공하였을 때에 얼룩을 억제하여 균일하게 도공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액을 이용한 레지스트막을 갖는 LED 디바이스의 일례를 모식적으로 도시하는 부분 절결 정면 단면도.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 혼합물인 감광성 조성물을 얻기 위하여 이용된다. 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 혼합물인 감광성 조성물을 얻기 위하여 이용되는 키트이다. 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 혼합되어 이용된다. 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 이 제1, 제2 액이 혼합되기 전의 액이다. 혼합되기 전의 제1, 제2 액은 혼합 전의 감광성 조성물이다. 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액이 혼합된 혼합물인 감광성 조성물은 전체로 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A)와, 광중합 개시제(B)와, 환상 에테르기를 갖는 화합물(C)과, 산화티탄(D)과, 유기 용제(E)(이하, 감광성 조성물 전체에 포함되어 있는 유기 용제를 유기 용제(E)라고 기재하는 경우가 있음)를 포함한다. 상기 제1, 제2 액이 혼합된 혼합물은 감광성 조성물이고, 혼합된 상기 감광성 조성물은 전체로 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A)와, 광중합 개시제(B)와, 환상 에테르기를 갖는 화합물(C)과, 산화티탄(D)과, 유기 용제(E)를 포함한다.
상기 감광성 조성물은 상기 유기 용제(E)로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함한다.
상기 제1 액은 상기 중합성 중합체(A)를 포함하며, 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함한다. 상기 제2 액은 상기 환상 에테르기를 갖는 화합물(C)을 포함하며, 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류 성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함한다.
상기 제1 액은 상기 광중합 개시제(B)를 포함하거나, 상기 산화티탄(D)을 포함하거나, 또는 상기 광중합 개시제(B)와 상기 산화티탄(D)의 쌍방을 포함한다. 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제(B)를 포함하지 않는 경우에는, 상기 제2 액이 상기 광중합 개시제(B)를 포함한다. 상기 제1 액이 상기 산화티탄(D)을 포함하지 않는 경우에는, 상기 제2 액이 상기 산화티탄(D)을 포함한다. 상기 광중합 개시제(B) 및 상기 산화티탄(D)은 각각 제1 액에 포함될 수도 있고, 제2 액에 포함될 수도 있고, 제1 액과 제2 액의 쌍방에 포함될 수도 있다.
또한, 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액이 후술하는 중합성 단량체를 포함하고 있거나, 후술하는 산화 방지제를 포함하는 경우에는, 중합성 단량체 및 산화 방지제는 각각 제1 액에 포함될 수도 있고, 제2 액에 포함될 수도 있고, 제1 액과 제2 액의 쌍방에 포함될 수도 있다.
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액에서의 상기 구성의 채용에 의해 상기 제1, 제2 액의 혼합성을 높일 수 있다. 또한, 기판 등의 도공 대상 부재 상에 혼합 후의 감광성 조성물을 도공하였을 때에, 산화티탄이 크게 기인하여 생기는 얼룩을 억제하여 균일하게 도공할 수 있다. 특히, 혼합 후의 감광성 조성물을 스크린 인쇄에 의해 도공하였을 때에, 줄무늬 형상의 얼룩을 억제할 수 있다. 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 스크린 인쇄에 의해 도공되는 2액 혼합형의 제1, 제2 액인 것이 바람직하다.
상기 광중합 개시제(B)는 제2 액이 아니라 제1 액에 포함되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는 상기 제1, 제2 액의 혼합성이 한층 더 높아지며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공할 수 있다.
상기 산화티탄(D)은 제2 액이 아니라 제1 액에 포함되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는 산화티탄(D)의 분산성이 높아지고, 또한 상기 제1, 제2 액의 혼합성이 한층 더 높아지며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공할 수 있다.
상기 광중합 개시제(B)와 상기 산화티탄(D)의 쌍방이 제2 액이 아니라 제1 액에 포함되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는 산화티탄(D)의 분산성이 한층 더 높아지고, 또한 상기 제1, 제2 액의 혼합성이 한층 더 높아지며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공할 수 있다.
이하, 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액, 및 혼합 후의 감광성 조성물에 포함되어 있는 각 성분의 상세를 설명한다.
(중합성 중합체(A))
상기 중합성 중합체(A)는 카르복실기를 갖는다. 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A)는 중합성을 가지며, 중합 가능하다. 상기 중합성 중합체(A)가 카르복실기를 가짐으로써, 감광성 조성물의 현상성이 양호하게 된다. 상기 중합성 중합체(A)로서는, 예를 들면 카르복실기를 갖는 아크릴 수지, 카르복실기를 갖는 에폭시 수지 및 카르복실기를 갖는 올레핀 수지를 들 수 있다. 또한, 「수지」는 고형 수지에 한정되지 않고, 액상 수지 및 올리고머도 포함한다.
상기 중합성 중합체(A)는 하기의 카르복실기 함유 수지 (a) 내지 (e)인 것이 바람직하다.
(a) 불포화 카르복실산과 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합에 의해 얻어지는 카르복실기 함유 수지
(b) 카르복실기 함유 (메트)아크릴 공중합 수지(b1)와, 1분자 중에 옥시란환 및 에틸렌성 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물(b2)의 반응에 의해 얻어지는 카르복실기 함유 수지
(c) 1분자 중에 각각 1개의 에폭시기 및 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과, 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과의 공중합체에, 불포화 모노카르복실산을 반응시킨 후, 생성된 반응물의 제2급 수산기에 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지
(d) 수산기 함유 중합체에 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시킨 후, 생성된 카르복실기를 갖는 중합체에 1분자 중에 각각 1개의 에폭시기 및 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 수산기 및 카르복실기 함유 수지
(e) 방향환을 갖는 에폭시 화합물과 포화 다염기산 무수물 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 수지, 또는 방향환을 갖는 에폭시 화합물과 불포화 이중 결합을 적어도 1개 갖는 카르복실기 함유 화합물을 반응시킨 후, 포화 다염기산 무수물 또는 불포화 다염기산 무수물을 더 반응시켜 얻어지는 수지
상기 감광성 조성물 100 중량％ 중, 상기 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A)의 함유량은 바람직하게는 3 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 5 중량％ 이상, 바람직하게는 50 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 40 중량％ 이하이다. 상기 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A)의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 감광성 조성물의 경화성이 양호하게 된다.
(광중합 개시제(B))
상기 감광성 조성물은 광중합 개시제(B)를 포함하기 때문에, 광의 조사에 의해 감광성 조성물을 경화시킬 수 있다. 광중합 개시제(B)는 특별히 한정되지 않는다. 광중합 개시제(B)는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 광중합 개시제(B)로서는, 예를 들면 아실포스핀옥사이드, 할로메틸화 트리아진, 할로메틸화 옥사디아졸, 이미다졸, 벤조인, 벤조인알킬에테르, 안트라퀴논, 벤즈안트론, 벤조페논, 아세토페논, 티오크산톤, 벤조산 에스테르, 아크리딘, 페나진, 티타노센, α-아미노알킬페논, 옥심 및 이들의 유도체를 들 수 있다. 상기 광중합 개시제(B)는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A) 100 중량부에 대하여, 상기 광중합 개시제(B)의 함유량은 바람직하게는 0.1 중량부 이상, 보다 바람직하게는 1 중량부 이상, 바람직하게는 30 중량부 이하, 보다 바람직하게는 15 중량부 이하이다. 상기 광중합 개시제(B)의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 감광성 조성물의 감광성을 한층 더 높일 수 있다.
(환상 에테르기를 갖는 화합물(C))
레지스트막의 절취 가공성을 높이는 것 등을 목적으로 하여, 상기 감광성 조성물은 환상 에테르 골격을 갖는 화합물(C)을 포함한다. 또한, 상기 환상 에테르 골격을 갖는 화합물(C)의 사용에 의해 감광성 조성물의 경화성도 양호하게 된다.
상기 환상 에테르 골격을 갖는 화합물(C)로서는, 예를 들면 비스페놀 S형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환식 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔페놀릭형 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지 및 ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지를 들 수 있다. 상기 환상 에테르 골격을 갖는 화합물(C)은 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 환상 에테르 골격을 갖는 화합물(C)은, 상기 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A)가 갖는 카르복실기와 반응하여 감광성 조성물을 경화시키도록 작용한다.
상기 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A) 100 중량부에 대하여, 상기 환상 에테르 골격을 갖는 화합물(C)의 함유량은 바람직하게는 0.1 중량부 이상, 보다 바람직하게는 1 중량부 이상, 바람직하게는 50 중량부 이하, 보다 바람직하게는 30 중량부 이하이다. 상기 환상 에테르 골격을 갖는 화합물(C)의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 레지스트막의 전기 절연성을 한층 더 높일 수 있다.
(산화티탄(D))
상기 감광성 조성물은 산화티탄(D)을 포함하기 때문에, 반사율이 높은 레지스트막 등의 경화물막을 형성할 수 있다. 상기 감광성 조성물에 포함되어 있는 산화티탄(D)은 특별히 한정되지 않는다. 산화티탄(D)은 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 산화티탄(D)을 이용함으로써, 산화티탄(D) 이외의 다른 무기 충전재를 이용한 경우와 비교하여 반사율이 높은 레지스트막을 형성할 수 있다.
상기 산화티탄(D)은 루틸형 산화티탄 또는 아나타스형 산화티탄인 것이 바람직하다. 루틸형 산화티탄의 사용에 의해 내열황변성이 한층 더 우수한 레지스트막을 형성할 수 있다. 상기 아나타스형 산화티탄은 루틸형 산화티탄보다도 경도가 낮다. 이로 인해, 아나타스형 산화티탄의 사용에 의해 레지스트막의 가공성을 높일 수 있다.
상기 산화티탄(D)은 규소 산화물 또는 실리콘 화합물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티탄을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 산화티탄(D) 100 중량％ 중 상기 규소 산화물 또는 실리콘 화합물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티탄의 함유량은 바람직하게는 10 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 30 중량％ 이상, 100 중량％ 이하이다. 상기 산화티탄(D)의 전량이 상기 규소 산화물 또는 실리콘 화합물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티탄일 수도 있다. 상기 규소 산화물 또는 실리콘 화합물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티탄의 사용에 의해 레지스트막의 내열황변성을 한층 더 높일 수 있다.
규소 산화물 또는 실리콘 화합물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티탄으로서는, 예를 들면 루틸 염소법 산화티탄인 이시하라 산교사 제조의 품번 CR-90이나, 루틸 황산법 산화티탄인 이시하라 산교사 제조의 품번 R-550 등을 들 수 있다.
상기 감광성 조성물 100 중량％ 중 산화티탄(D)의 함유량은 바람직하게는 3 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 10 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 15 중량％ 이상, 바람직하게는 80 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 75 중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 70 중량％ 이하이다. 산화티탄(D)의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 레지스트막이 고온에 노출되었을 때에 황변하기 어려워진다. 또한, 도공에 적합한 점도를 갖는 감광성 조성물을 용이하게 제조할 수 있다.
(유기 용제(E))
상기 감광성 조성물은 유기 용제(E)를 포함한다. 상기 제1, 제2 액을 혼합한 감광성 조성물은 유기 용제(E)를 포함한다. 상기 감광성 조성물은 적어도 2종의 유기 용제를 포함한다. 상기 제1 액에 포함되어 있는 유기 용제(E1)(이하, 제1 액에 포함되어 있는 유기 용제를 유기 용제(E1)라고 기재하는 경우가 있음)와, 상기 제2 액에 포함되어 있는 유기 용제(E2)(이하, 제2 액에 포함되어 있는 유기 용제를 유기 용제(E2)라고 기재하는 경우가 있음)는 다른 것이 바람직하다.
일반적으로 알려져 있는 유기 용제로서는 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류, 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 카르비톨, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜에테르류, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 락트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 탄산프로필렌 등의 에스테르류, 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소류 및 석유 에테르, 나프타 등의 석유계 용제 등을 들 수 있다.
상술한 유기 용제 중에서 상기 제1 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 필수로 포함한다. 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타 중 적어도 1종은 유기 용제(E1)이다.
또한, 상술한 유기 용제 중에서 상기 제2 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함한다. 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종은 유기 용제(E2)이다.
이러한 유기 용제(E1), (E2)를 제1, 제2 액에 각각 함유시킴으로써, 상기 제1, 제2 액의 혼합성이 현저하게 양호해진다. 특정한 상기 유기 용제(E1), (E2)의 사용은, 또한 특정한 상기 유기 용제(E1), (E2)를 제1 액과 제2 액으로 각각 나누어 함유시키는 것은, 상기 제1, 제2 액의 혼합성의 향상, 혼합된 감광성 조성물의 도공 후의 얼룩의 억제에 크게 기여한다.
상기 「증류성상에서의 초류점」 및 상기 「증류성상에서의 종점」은 JIS K2254 「석유 제품-증류 시험 방법」에 의해 측정되는 값을 의미한다.
상기 제1 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타 중 적어도 1종을 포함하는 것도 바람직하다. 상기 제1 액이 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타의 쌍방을 포함하는 경우에, 상기 제1 액은 산화티탄을 포함할 수도 있고, 포함하지 않을 수도 있다.
상기 제1 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르를 포함할 수도 있고, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 포함할 수도 있고, 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 포함할 수도 있고, 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타를 포함할 수도 있다.
또한, 상기 제2 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 포함할 수도 있고, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르를 포함할 수도 있고, 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타를 포함할 수도 있다.
상기 감광성 조성물은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함한다.
상기 감광성 조성물은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타의 3종을 포함할 수도 있다.
감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 감광성 조성물은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 적어도 포함하거나, 또는 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는 것이 바람직하다.
감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 감광성 조성물은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 감광성 조성물은 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 포함할 수도 있다.
감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 감광성 조성물은 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 제1 액은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르를 포함하는 것이 바람직하다.
감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 감광성 조성물은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 제1 액은 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 포함할 수도 있다.
감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 감광성 조성물에서의 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타는, 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타인 것이 바람직하다.
상기 제1 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 높일 수 있으며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공할 수 있다.
상기 제1 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타의 3종을 포함할 수도 있다.
상기 제1 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 적어도 포함하거나, 또는 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 높일 수 있으며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공할 수 있다.
상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 높이며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 제1 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 제1 액은 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 포함할 수도 있다.
상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 높이며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 제1 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 제1 액은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 높이며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 제1 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 제1 액은 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 포함할 수도 있다.
상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 높이며 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고, 상기 제1 액에서의 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타는, 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타인 것이 바람직하다.
상기 제1 액은 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 포함하지 않을 수도 있다.
상기 제2 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함할 수도 있다.
상기 제2 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타의 3종을 포함할 수도 있다.
상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 높이며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 제2 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 디프로필렌글리콜모노메틸에테르를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 제2 액은 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타를 포함할 수도 있다.
상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 높이며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 제2 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 제2 액은 디프로필렌글리콜모노메틸에테르를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 높이며, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 상기 제2 액은 상기 유기 용제(E)의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 제2 액은 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 포함할 수도 있다.
상기 제2 액은 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 포함하지 않을 수도 있다.
유기 용제(E)의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 감광성 조성물의 도공성을 고려하여 유기 용제(E)는 적절한 함유량으로 사용 가능하다. 혼합 후의 감광성 조성물 100 중량％ 중, 상기 유기 용제(E)의 전체 함유량(상기 유기 용제(E1)와 상기 유기 용제(E2)의 합계 함유량)은 바람직하게는 10 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 15 중량％ 이상, 바람직하게는 60 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 50 중량％ 이하이다.
상기 제1, 제2 액의 혼합성을 한층 더 양호하게 하고, 감광성 조성물을 한층 더 균일하게 도공하는 관점에서는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액 전체에 있어서 상기 제1 액에 포함되어 있는 유기 용제(E1)의 함유량과 상기 제2 액에 포함되어 있는 유기 용제(E2)의 함유량은 중량비로 1:99 내지 99:1인 것이 바람직하고, 1:9 내지 9:1인 것이 보다 바람직하고, 2:8 내지 8:2인 것이 더욱 바람직하고, 3:7 내지 7:3인 것이 특히 바람직하다. 바꿔 말하면, 혼합 후의 감광성 조성물에 있어서, 상기 감광성 조성물에 포함되어 있는 상기 유기 용제(E)의 전체 함유량 100 중량％ 중, 상기 제1 액에 포함되어 있었던 유기 용제(E1)의 함유량과, 상기 제2 액에 포함되어 있었던 상기 유기 용제(E2)의 함유량은 중량비로 1:99 내지 99:1인 것이 바람직하고, 1:9 내지 9:1인 것이 보다 바람직하고, 2:8 내지 8:2인 것이 더욱 바람직하고, 3:7 내지 7:3인 것이 특히 바람직하다.
2액 혼합형의 제1, 제2 액 전체 100 중량％ 중 및 혼합 후의 감광성 조성물 100 중량％ 중, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트의 함유량은 30 중량％ 이상일 수도 있다. 상기 제1 액 100 중량％ 중, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트의 함유량은 50 중량％ 이하일 수도 있고, 55 중량％ 이상일 수도 있다.
상기 제1 액이 2종의 유기 용제를 포함하는 경우 및 상기 제2 액이 2종의 유기 용제를 포함하는 경우에, 상기 제1 액 및 상기 제2 액에 있어서, 함유량이 많은 쪽의 유기 용제의 함유량과 함유량이 적은 쪽의 유기 용제의 함유량은 중량비로 1:99 내지 99:1인 것이 바람직하고, 1:9 내지 9:1인 것이 보다 바람직하고, 2:8 내지 8:2인 것이 더욱 바람직하고, 3:7 내지 7:3인 것이 특히 바람직하다.
상기 제1 액이 3종의 유기 용제를 포함하는 경우 및 상기 제2 액이 3종의 유기 용제를 포함하는 경우에, 상기 제1 액 및 상기 제2 액에 있어서, 함유량이 가장 많은 유기 용제의 함유량과 함유량이 2번째로 많은 유기 용제의 함유량은 중량비로 1:99 내지 99:1인 것이 바람직하고, 1:9 내지 9:1인 것이 보다 바람직하고, 2:8 내지 8:2인 것이 더욱 바람직하고, 3:7 내지 7:3인 것이 특히 바람직하다. 이 경우에 함유량이 가장 적은 유기 용제의 함유량의 하한은 특별히 한정되지 않는다.
(다른 성분)
경화성을 한층 더 높이기 위하여, 상기 감광성 조성물은 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A)와는 다른 성분으로서 중합성 단량체를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 감광성 조성물은 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A)와 중합성 단량체의 쌍방을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 중합성 단량체는 중합성을 가지며, 중합 가능하다. 상기 중합성 단량체는 특별히 한정되지 않는다. 상기 중합성 단량체는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 중합성 단량체는 중합성 불포화기 함유 단량체인 것이 바람직하다. 상기 중합성 단량체에서의 중합성 불포화기로서는, 예를 들면 (메트)아크릴로일기 및 비닐에테르기 등의 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 관능기를 들 수 있다. 그 중에서도 레지스트막의 가교 밀도를 높일 수 있기 때문에 (메트)아크릴로일기가 바람직하다.
상기 중합성 불포화기 함유 단량체는 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 상기 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물로서는 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 또는 프로필렌글리콜 등의 글리콜의 디(메트)아크릴레이트 변성물이나, 다가 알코올, 다가 알코올의 에틸렌옥사이드 부가물 또는 다가 알코올의 프로필렌옥사이드 부가물의 다가 (메트)아크릴레이트 변성물이나, 페놀, 페놀의 에틸렌옥사이드 부가물 또는 페놀의 프로필렌옥사이드 부가물의 (메트)아크릴레이트 변성물이나, 글리세린디글리시딜에테르 또는 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르 등의 글리시딜에테르의 (메트)아크릴레이트 변성물이나, 멜라민(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
상기 다가 알코올로서는, 예를 들면 헥산디올, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 및 트리스히드록시에틸이소시아누레이트를 들 수 있다. 상기 페놀의 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들면 페녹시(메트)아크릴레이트 및 비스페놀 A의 디(메트)아크릴레이트 변성물을 들 수 있다.
「(메트)아크릴로일」은 아크릴로일과 메타크릴로일을 의미한다. 「(메트)아크릴」은 아크릴과 메타크릴을 의미한다. 「(메트)아크릴레이트」는 아크릴레이트와 메타크릴레이트를 의미한다.
상기 중합성 단량체가 포함되는 경우에는, 이 중합성 단량체와 상기 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A)의 합계 100 중량％ 중, 상기 중합성 단량체의 함유량은 바람직하게는 5 중량％ 이상, 바람직하게는 50 중량％ 이하이다. 상기 중합성 단량체의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 감광성 조성물을 충분히 경화시킬 수 있다. 또한, 레지스트막의 가교 밀도가 적절하게 되어 충분한 해상도를 얻을 수 있으며, 레지스트막이 황변하기 어려워진다.
고온에 노출되었을 때에 솔더 레지스트막이 황변될 우려를 작게 하기 위하여, 상기 감광성 조성물은 산화 방지제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 산화 방지제는 루이스 염기성 부위를 갖는 것이 바람직하다. 레지스트막의 황변을 한층 더 억제하는 관점에서는, 상기 산화 방지제는 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제 및 아민계 산화 방지제로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것이 바람직하다. 레지스트막의 황변을 한층 더 억제하는 관점에서는, 상기 산화 방지제는 페놀계 산화 방지제인 것이 바람직하다. 즉, 상기 감광성 조성물은 페놀계 산화 방지제를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 페놀계 산화 방지제의 시판품으로서는 이르가녹스(IRGANOX) 1010, 이르가녹스 1035, 이르가녹스 1076, 이르가녹스 1135, 이르가녹스 245, 이르가녹스 259 및 이르가녹스 295(이상, 모두 시바 재팬사 제조), 아데카스탭 AO-30, 아데카스탭 AO-40, 아데카스탭 AO-50, 아데카스탭 AO-60, 아데카스탭 AO-70, 아데카스탭 AO-80, 아데카스탭 AO-90 및 아데카스탭 AO-330(이상, 모두 아데카(ADEKA)사 제조), 스밀라이저(Sumilizer) GA-80, 스밀라이저 MDP-S, 스밀라이저 BBM-S, 스밀라이저 GM, 스밀라이저 GS(F) 및 스밀라이저 GP(이상, 모두 스미또모 가가꾸 고교사 제조), 호스타녹스(HOSTANOX) O10, 호스타녹스 O16, 호스타녹스 O14 및 호스타녹스 O3(이상, 모두 클라리안트사 제조), 안테이지 BHT, 안테이지 W-300, 안테이지 W-400 및 안테이지 W500(이상, 모두 가와꾸찌 가가꾸 고교사 제조) 및 씨녹스(SEENOX) 224M 및 씨녹스 326M(이상, 모두 시프로 가세이사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 인계 산화 방지제로서는 시클로헥실포스핀 및 트리페닐포스핀 등을 들 수 있다. 상기 인계 산화 방지제의 시판품으로서는 아데카스탭 PEP-4C, 아데카스탭 PEP-8, 아데카스탭 PEP-24G, 아데카스탭 PEP-36, 아데카스탭 HP-10, 아데카스탭 2112, 아데카스탭 260, 아데카스탭 522A, 아데카스탭 1178, 아데카스탭 1500, 아데카스탭 C, 아데카스탭 135A, 아데카스탭 3010 및 아데카스탭 TPP(이상, 모두 아데카사 제조), 샌드스탭 P-EPQ 및 호스타녹스 PAR24(이상, 모두 클라리안트사 제조) 및 JP-312L, JP-318-0, JPM-308, JPM-313, JPP-613M, JPP-31, JPP-2000PT 및 JPH-3800(이상, 모두 죠호꾸 가가꾸 고교사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 아민계 산화 방지제로서는 트리에틸아민, 디시안디아미드, 멜라민, 에틸디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-톨릴-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-크실릴-S-트리아진 및 제4급 암모늄염 유도체 등을 들 수 있다.
상기 카르복실기를 갖는 중합성 중합체(A) 100 중량부에 대하여, 상기 산화 방지제의 함유량은 바람직하게는 0.1 중량부 이상, 보다 바람직하게는 5 중량부 이상, 바람직하게는 30 중량부 이하, 보다 바람직하게는 15 중량부 이하이다. 상기 산화 방지제의 함유량이 상기 하한 이상 및 상한 이하이면, 내열황변성이 한층 더 우수한 레지스트막을 형성할 수 있다.
또한, 상기 감광성 조성물은 착색제, 충전제, 소포제, 경화제, 경화 촉진제, 이형제, 표면 처리제, 난연제, 점도 조절제, 분산제, 분산 보조제, 표면 개질제, 가소제, 항균제, 방미제, 레벨링제, 안정제, 커플링제, 늘어짐 방지제 또는 형광체 등을 포함할 수도 있다.
상기 감광성 조성물은, 예를 들면 각 배합 성분을 교반 혼합한 후, 3축 롤로 균일하게 혼합함으로써 제조할 수 있다.
상기 감광성 조성물을 경화시키기 위하여 이용되는 광원으로서는 자외선 또는 가시광선 등의 활성 에너지선을 발광하는 조사 장치를 들 수 있다. 상기 광원으로서는, 예를 들면 초고압 수은등, Deep UV 램프, 고압 수은등, 저압 수은등, 메탈 할라이드 램프 및 엑시머 레이저를 들 수 있다. 이들 광원은 감광성 조성물의 구성 성분의 감광 파장에 따라 적절하게 선택된다. 광의 조사 에너지는 목적으로 하는 막 두께 또는 감광성 조성물의 구성 성분에 의해 적절하게 선택된다. 광의 조사 에너지는 일반적으로 10 내지 3000 mJ/cm2의 범위 내이다.
(LED 디바이스)
본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 LED 디바이스의 레지스트막을 형성하기 위하여 바람직하게 이용되며, 솔더 레지스트막을 형성하기 위하여 보다 바람직하게 이용된다. 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 레지스트 조성물인 것이 바람직하고, 솔더 레지스트 조성물인 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 인쇄 배선판의 제조 방법은 회로를 표면에 갖는 인쇄 배선판 본체와, 상기 인쇄 배선판 본체의 상기 회로가 설치된 표면에 적층된 레지스트막을 구비하는 인쇄 배선판의 제조 방법이다. 이 레지스트막이 본 발명에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액에 의해 형성되어 있다.
도 1에 본 발명의 일 실시 형태에 관한 2액 혼합형의 제1, 제2 액을 이용하여 형성된 솔더 레지스트막을 갖는 LED 디바이스의 일례를 모식적으로 부분 절결 정면 단면도로 도시한다.
도 1에 도시하는 LED 디바이스(1)에서는 기판(2)의 상면(2a)에 2액 혼합형의 제1, 제2 액에 의해 형성된 레지스트막(3)이 적층되어 있다. 레지스트막(3)은 패턴막이다. 따라서, 기판(2)의 상면(2a)의 일부의 영역에서는 레지스트막(3)은 형성되어 있지 않다. 레지스트막(3)이 형성되어 있지 않은 부분의 기판(2)의 상면(2a)에는 전극(4a, 4b)이 설치되어 있다. 기판(2)은 인쇄 배선판 본체인 것이 바람직하다.
레지스트막(3)의 상면(3a)에 LED 칩(7)이 적층되어 있다. 레지스트막(3)을 통해 기판(2) 상에 LED 칩(7)이 적층되어 있다. LED 칩(7)의 하면(7a)의 바깥 둘레에는 단자(8a, 8b)가 설치되어 있다. 땜납(9a, 9b)에 의해 단자(8a, 8b)가 전극(4a, 4b)과 전기적으로 접속되어 있다. 이 전기적인 접속에 의해 LED 칩(7)에 전력을 공급할 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예 및 비교예를 예시함으로써, 본 발명을 명확하게 한다. 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다.
실시예 및 비교예에서는 이하의 재료 1) 내지 18)을 이용하였다.
1) 아크릴 중합체 1(카르복실기를 갖는 중합성 중합체, 하기 합성예 1에서 얻어진 아크릴 중합체 1)
(합성예 1)
온도계, 교반기, 적하 깔때기 및 환류 냉각기를 구비한 플라스크에 용제인 에틸카르비톨아세테이트와 촉매인 아조비스이소부티로니트릴을 넣고, 질소 분위기 하에서 80℃로 가열하고, 메타크릴산과 메틸메타크릴레이트를 30:70의 몰비로 혼합한 단량체를 2시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 후, 1시간 교반하고, 온도를 120℃로 높였다. 그 후, 냉각하였다. 얻어진 수지의 모든 단량체 단위의 총량의 몰량에 관한 몰비가 10이 되는 양의 글리시딜아크릴레이트를 첨가하고, 촉매로서 브롬화 테트라부틸암모늄을 이용하여 100℃에서 30시간 가열하여 글리시딜아크릴레이트와 카르복실기를 부가 반응시켰다. 냉각 후, 플라스크로부터 취출하여 고형분 산가 60 mgKOH/g, 중량 평균 분자량 15000, 이중 결합 당량 1000의 카르복실기 함유 수지를 50 중량％(불휘발분) 포함하는 용액을 얻었다. 이하, 이 용액을 아크릴 중합체 1이라고 부른다.
2) 아크릴 중합체 2(카르복실기를 갖는 중합성 중합체, 하기 합성예 2에서 얻어진 아크릴 중합체 2)
(합성예 2)
에틸카르비톨아세테이트 139 중량부 중에서 촉매로서 디메틸벤질아민 0.5 중량부와 중합 금지제로서 하이드로퀴논 0.1 중량부를 이용하여, 에폭시 당량 210, 연화점 80℃의 크레졸노볼락형 에폭시 수지(「에포토토 YDCN-704」, 신닛떼쯔 가가꾸사 제조) 210 중량부와 아크릴산 50 중량부와 아세트산 18 중량부를 반응시켜 에폭시아크릴레이트를 얻었다. 얻어진 에폭시아크릴레이트 278 중량부와 테트라히드로 무수 프탈산 46 중량부(에폭시아크릴레이트의 수산기 1.0몰에 대하여 0.3몰)를 반응시켜, 고형분 산가가 52 mgKOH/g인 방향환을 갖는 카르복실기 함유 수지를 65 중량％(불휘발분) 포함하는 용액을 얻었다. 이하, 이 용액을 아크릴 중합체 2라고 부른다.
3) DPHA(아크릴 단량체, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 비중 1.1)
4) TMPTA(아크릴 단량체, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 비중 1.1)
5) TPO(광라디칼 발생제인 광중합 개시제, 바스프(BASF) 재팬사 제조)
6) 이르가큐어 819(광라디칼 발생제인 광중합 개시제, 바스프 재팬사 제조)
7) 828(비스페놀 A형 에폭시 수지, 미쯔비시 가가꾸사 제조, 비중 1.2)
8) 806(비스페놀 F형 에폭시 수지, 미쯔비시 가가꾸사 제조, 비중 1.2)
9) CR-50(산화티탄, 이시하라 산교사 제조, 염소법에 의해 제조된 루틸형 산화티탄)
10) R-830(산화티탄, 이시하라 산교사 제조, 황산법에 의해 제조된 루틸형 산화티탄)
11) 에틸카르비톨아세테이트(디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 다이셀 가가꾸사 제조, 쌍극자 모멘트 1Debye 이상, 비중 1.0)
12) 솔벳소 150(나프타, 엑손모빌사 제조, 증류성상에서의 초류점 189℃, 증류성상에서의 종점 210℃)
13) 솔벳소 100(나프타, 엑손모빌사 제조, 증류성상에서의 초류점 165℃, 증류성상에서의 종점 174℃)
14) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르(닛본 뉴까자이사 제조)
15) 디메틸프로필렌디글리콜(닛본 뉴까자이사 제조)
16) 디에틸디글리콜(닛본 뉴까자이사 제조)
17) 솔벳소 200(나프타, 엑손모빌사 제조, 증류성상에서의 초류점 230℃, 증류성상에서의 종점 283℃)
18) 톨루엔(엑손모빌사 제조)
(실시예 1)
합성예 1에서 얻어진 아크릴 중합체 1을 15g과, DPHA(디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트) 5g과, TPO(광라디칼 발생제인 광중합 개시제, 바스프 재팬사 제조) 2g과, CR-50(산화티탄, 이시하라 산교사 제조) 40g과, 솔벳소 150(나프타, 엑손모빌사 제조) 25g을 배합하여 혼합기(렌따로 SP-500, 신끼사 제조)로 3분간 혼합한 후, 3축 롤로 혼합하여 혼합물을 얻었다. 그 후, SP-500을 이용하여 얻어진 혼합물을 3분간 탈포함으로써 제1 액을 얻었다.
828(비스페놀 A형 에폭시 수지, 미쯔비시 가가꾸사 제조) 8g과, 에틸카르비톨아세테이트(디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 다이셀 가가꾸사 제조) 5g을 배합하여 혼합기(렌따로 SP-500, 신끼사 제조)로 3분간 혼합한 후, 3축 롤로 혼합하여 혼합물을 얻었다. 그 후, SP-500을 이용하여 얻어진 혼합물을 3분간 탈포함으로써 제2 액을 얻었다.
상기한 바와 같이 하여 제1, 제2 액을 갖는 2액 혼합형의 감광성 조성물을 준비하였다.
(실시예 2 내지 49, 참고예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 19)
제1 액 및 제2 액에서 사용한 재료의 종류 및 배합량을 하기 표 1 내지 표 8에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 제1, 제2 액을 갖는 2액 혼합형의 제1, 제2 액(혼합 전의 감광성 조성물)을 얻었다.
(평가)
2액의 혼합성:
제1 액과 제2 액을 1L의 환형의 플라스틱스 용기(긴끼 요끼사 제조 BHS-1200)에 넣고, 메쉬사 제조의 자동 잉크 혼련기에 의해 50rpm에서 10초간 교반한 레지스트 재료(혼합 후의 감광성 조성물)를 제작하였다. 제1 액과 제2 액을 1L의 환형의 플라스틱스 용기(긴끼 요끼사 제조 BHS-1200)에 넣고, 메쉬사 제조의 자동 잉크 혼련기에 의해 50rpm에서 20초간 교반한 레지스트 재료(혼합 후의 감광성 조성물)를 제작하였다. 제1 액과 제2 액을 1L의 환형의 플라스틱스 용기(긴끼 요끼사 제조 BHS-1200)에 넣고, 메쉬사 제조의 자동 잉크 혼련기에 의해 50rpm에서 1분간 교반한 레지스트 재료(혼합 후의 감광성 조성물)를 제작하였다. 또한, 제1 액과 제2 액을 1L의 환형의 플라스틱스 용기(긴끼 요끼사 제조 BHS-1200)에 넣고, 메쉬사 제조의 자동 잉크 혼련기에 의해 50rpm에서 5분간 교반한 레지스트 재료(혼합 후의 감광성 조성물)를 제작하였다.
또한, 표면에 동박이 부착되어 있는 100×100mm의 FR-4 기판을 준비하였다. 교반 직후의 레지스트 재료를 상기 FR-4 기판의 동박이 부착되어 있는 면에 스크린 인쇄에 의해 도포하여 레지스트 재료층을 형성하였다. 기판 상의 레지스트 재료층의 외관을 육안으로 관찰하였다.
제1, 제2 액의 혼합성을 하기의 판정 기준으로 판정하였다.
[제1, 제2 액의 혼합성의 판정 기준]
A: 10초간 교반한 레지스트 재료, 20초간 교반한 레지스트 재료, 1분간 교반한 레지스트 재료 및 5분간 교반한 레지스트 재료의 어느 것을 이용한 경우에도 레지스트 재료층은 균일하였음
B: 10초간 교반한 레지스트 재료를 이용한 경우에는 레지스트 재료층에 약간 줄무늬 형상의 얼룩이 보여졌지만, 20초간 교반한 레지스트 재료, 1분간 교반한 레지스트 재료 및 5분간 교반한 레지스트 재료를 이용한 경우에는 레지스트 재료층은 균일하였음
C: 10초간 교반한 레지스트 재료 및 20초간 교반한 레지스트 재료를 이용한 경우에는 레지스트 재료층에 약간 줄무늬 형상의 얼룩이 보여졌지만, 1분간 교반한 레지스트 재료 및 5분간 교반한 레지스트 재료를 이용한 경우에는 레지스트 재료층은 균일하였음
D: 10초간 교반한 레지스트 재료, 20초간 교반한 레지스트 재료 및 1분간 교반한 레지스트 재료를 이용한 경우에는 레지스트 재료층에 약간 줄무늬 형상의 얼룩이 보여졌지만, 5분간 교반한 레지스트 재료를 이용한 경우에는 레지스트 재료층은 균일하였음
E: 10초간 교반한 레지스트 재료, 20초간 교반한 레지스트 재료, 1분간 교반한 레지스트 재료 및 5분간 교반한 레지스트 재료의 어느 것을 이용한 경우에도 레지스트 재료층에 줄무늬 형상의 얼룩이 보여졌음
결과를 하기 표 1 내지 표 8에 나타낸다. 하기 표 1 내지 표 8에 있어서, 배합된 액의 종별에서의 「(1)」은 제1 액을 나타내고, 「(2)」는 제2 액을 나타낸다. 또한, 상기 제1, 제2 액의 혼합성의 평가 후에, 기판 상의 레지스트 재료층을 경화시킴으로써 레지스트막을 얻을 수 있었다.
Figure 112012049336439-pct00001
Figure 112012049336439-pct00002
Figure 112012049336439-pct00003
Figure 112012049336439-pct00004
Figure 112012049336439-pct00005
Figure 112012049336439-pct00006
Figure 112012049336439-pct00007
Figure 112012049336439-pct00008
또한, 실시예 5와 실시예 29와 실시예 33의 2액의 혼합성의 평가 결과는 모두 「A」이지만, 실시예 5와 실시예 29의 쪽이 실시예 33보다도 한층 더 단시간에 감광성 조성물이 균일하게 혼합되었다. 실시예 30과 실시예 31과 실시예 34의 2액의 혼합성의 평가 결과는 모두 「A」이지만, 실시예 30과 실시예 31의 쪽이 실시예 34보다도 한층 더 단시간에 감광성 조성물이 균일하게 혼합되었다. 실시예 35와 실시예 37과 실시예 39의 2액의 혼합성의 평가 결과는 모두 「A」이지만, 실시예 35와 실시예 37의 쪽이 실시예 39보다도 한층 더 단시간에 감광성 조성물이 균일하게 혼합되었다.
1: LED 디바이스
2: 기판
2a: 상면
3: 레지스트막
3a: 상면
4a, 4b: 전극
7: LED 칩
7a: 하면
8a, 8b: 단자
9a, 9b: 땜납

Claims (21)

  1. 혼합물인 감광성 조성물을 얻기 위한 2액 혼합형의 제1, 제2 액이고, 이 2액 혼합형의 제1, 제2 액은 이 제1, 제2 액이 혼합되기 전의 액이고,
    상기 제1, 제2 액이 혼합된 혼합물인 감광성 조성물이 전체로 카르복실기를 갖는 중합성 중합체와, 광중합 개시제와, 환상 에테르기를 갖는 화합물과, 산화티탄과, 유기 용제를 포함하고,
    상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 중합성 중합체를 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고,
    상기 제2 액이 상기 환상 에테르기를 갖는 화합물을 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하거나, 상기 산화티탄을 포함하거나, 또는 상기 광중합 개시제와 상기 산화티탄의 쌍방을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하지 않는 경우에는 상기 제2 액이 상기 광중합 개시제를 포함하고, 상기 제1 액이 상기 산화티탄을 포함하지 않는 경우에는 상기 제2 액이 상기 산화티탄을 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 적어도 포함하거나, 또는 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  5. 제1항에 있어서, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  6. 제1항에 있어서, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 포함하거나, 또는 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  7. 제1항에 있어서, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 산화티탄을 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제와 상기 산화티탄의 쌍방을 포함하는, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  11. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 감광성 조성물이 솔더 레지스트 조성물인, 2액 혼합형의 제1, 제2 액.
  12. 회로를 표면에 갖는 인쇄 배선판 본체와, 상기 인쇄 배선판 본체의 회로가 설치된 표면에 적층된 솔더 레지스트막을 구비하는 인쇄 배선판의 제조 방법으로서,
    제1, 제2 액을 혼합하고, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 솔더 레지스트 조성물인 감광성 조성물을 얻는 공정과,
    회로를 표면에 갖는 인쇄 배선판 본체의 회로가 설치된 표면 상에, 상기 제1, 제2 액이 혼합된 솔더 레지스트 조성물인 감광성 조성물을 도공하여, 상기 인쇄 배선판 본체의 상기 회로가 설치된 표면에 적층된 솔더 레지스트막을 형성하는 공정을 구비하고,
    상기 제1, 제2 액이 혼합된 솔더 레지스트 조성물인 감광성 조성물이 전체로 카르복실기를 갖는 중합성 중합체와, 광중합 개시제와, 환상 에테르기를 갖는 화합물과, 산화티탄과, 유기 용제를 포함하고,
    상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 중합성 중합체를 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고,
    상기 제2 액이 상기 환상 에테르기를 갖는 화합물을 포함하며, 상기 유기 용제의 일부로서 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하거나, 상기 산화티탄을 포함하거나, 또는 상기 광중합 개시제와 상기 산화티탄의 쌍방을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하지 않는 경우에는 상기 제2 액이 상기 광중합 개시제를 포함하고, 상기 제1 액이 상기 산화티탄을 포함하지 않는 경우에는 상기 제2 액이 상기 산화티탄을 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 적어도 포함하거나, 또는 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 290℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트를 적어도 포함하거나, 또는 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
  18. 제12항에 있어서, 상기 감광성 조성물이 상기 유기 용제로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 2종을 포함하고,
    상기 제1 액이 상기 유기 용제의 일부로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르와 증류성상에서의 초류점이 150℃ 이상, 증류성상에서의 종점이 220℃ 이하인 나프타를 적어도 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
  19. 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제를 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
  20. 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 산화티탄을 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
  21. 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액이 상기 광중합 개시제와 상기 산화티탄의 쌍방을 포함하는, 인쇄 배선판의 제조 방법.
KR1020127016064A 2011-02-14 2012-01-05 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 인쇄 배선판의 제조 방법 KR101250736B1 (ko)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-028924 2011-02-14
JP2011028924 2011-02-14
JP2011092713A JP4850313B1 (ja) 2011-02-14 2011-04-19 ２液混合型の第１，第２の液及びプリント配線板の製造方法
JPJP-P-2011-092714 2011-04-19
JP2011092714 2011-04-19
JPJP-P-2011-092713 2011-04-19
JPJP-P-2011-200946 2011-09-14
JP2011200946 2011-09-14
PCT/JP2012/050105 WO2012111356A1 (ja) 2011-02-14 2012-01-05 ２液混合型の第１，第２の液及びプリント配線板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120109513A KR20120109513A (ko) 2012-10-08
KR101250736B1 true KR101250736B1 (ko) 2013-04-03

Family

ID=46672299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127016064A KR101250736B1 (ko) 2011-02-14 2012-01-05 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 인쇄 배선판의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR101250736B1 (ko)
CN (1) CN102762627B (ko)
TW (1) TWI506358B (ko)
WO (1) WO2012111356A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160115718A (ko) 2015-03-25 2016-10-06 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 프린트 배선판의 제조 방법
KR102625987B1 (ko) * 2015-03-25 2024-01-18 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 프린트 배선판의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194235A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Denki Kagaku Kogyo Kk アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板
JP2010113245A (ja) 2008-11-07 2010-05-20 Taiyo Ink Mfg Ltd 難燃性光硬化性樹脂組成物、そのドライフィルム及び硬化物並びにそれらを用いたプリント配線板
JP2010169790A (ja) 2009-01-21 2010-08-05 Tamura Seisakusho Co Ltd 感光性樹脂組成物、プリント配線板用のソルダーレジスト組成物およびプリント配線板

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0882930A (ja) * 1994-09-09 1996-03-26 Taiyo Ink Mfg Ltd 光硬化性熱硬化性樹脂組成物
JP3095658B2 (ja) * 1995-04-24 2000-10-10 太陽インキ製造株式会社 シアノグアニジン誘導体及びそれを用いた熱硬化性又は光硬化性熱硬化性樹脂組成物
JPH1121327A (ja) * 1997-06-27 1999-01-26 Nikka Chem Co Ltd 光硬化性樹脂及び該樹脂を含有するソルダーフォトレジストインキ組成物
EP1266922B1 (en) * 2000-02-14 2005-01-12 Taiyo Ink Manufacturing Co. Ltd Photocurable/thermosetting composition for forming matte film
JP3954402B2 (ja) * 2002-02-07 2007-08-08 ソニー株式会社 感光性樹脂組成物
KR100904348B1 (ko) * 2006-10-24 2009-06-23 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 광 경화성 열 경화성 수지 조성물 및 이것을 사용한 인쇄배선판
TWI357536B (en) * 2006-10-24 2012-02-01 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Photosetting and thermosetting solder resist ink c
KR101727101B1 (ko) * 2008-08-26 2017-04-14 타무라 카켄 코포레이션 감광성 수지 조성물, 프린트 배선판용의 솔더 레지스트 조성물 및 프린트 배선판
TW201016777A (en) * 2008-10-17 2010-05-01 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Curable resin composition and reflective sheet
TWI408150B (zh) * 2008-10-17 2013-09-11 Taiyo Ink Mfg Co Ltd A solder resist composition and a printed circuit board using the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194235A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Denki Kagaku Kogyo Kk アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板
JP2010113245A (ja) 2008-11-07 2010-05-20 Taiyo Ink Mfg Ltd 難燃性光硬化性樹脂組成物、そのドライフィルム及び硬化物並びにそれらを用いたプリント配線板
JP2010169790A (ja) 2009-01-21 2010-08-05 Tamura Seisakusho Co Ltd 感光性樹脂組成物、プリント配線板用のソルダーレジスト組成物およびプリント配線板

Also Published As

Publication number Publication date
TWI506358B (zh) 2015-11-01
CN102762627B (zh) 2014-03-26
TW201239519A (en) 2012-10-01
WO2012111356A1 (ja) 2012-08-23
KR20120109513A (ko) 2012-10-08
CN102762627A (zh) 2012-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4891434B2 (ja) 感光性組成物及びプリント配線板
KR102639455B1 (ko) 경화성 조성물 및 전자 부품의 제조 방법
JP2012212039A (ja) 感光性組成物及びプリント配線板
JP4762374B1 (ja) 感光性組成物及びプリント配線板
JP2012053254A (ja) 光及び熱硬化性組成物、ソルダーレジスト組成物及びプリント配線板
KR101250736B1 (ko) 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 인쇄 배선판의 제조 방법
JP4991960B1 (ja) ２液混合型の第１，第２の液及びプリント配線板の製造方法
JP4850313B1 (ja) ２液混合型の第１，第２の液及びプリント配線板の製造方法
JP2011059391A (ja) 感光性組成物及びプリント配線板
JP2010181693A (ja) レジスト材料
JP2011248322A (ja) 感光性組成物、ソルダーレジスト組成物及び基板
KR102625987B1 (ko) 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 프린트 배선판의 제조 방법
JP6618829B2 (ja) ２液混合型の第１，第２の液及びプリント配線板の製造方法
JP2012168251A (ja) 感光性組成物及び基板
JP6947492B2 (ja) ２液混合型の第１，第２の液及びプリント配線板の製造方法
JP6646641B2 (ja) 非現像型レジスト硬化性組成物、プリント配線板及び電子部品の製造方法
KR101104994B1 (ko) 감광성 조성물 및 인쇄 배선판
JP2016136248A (ja) 感光性組成物及びプリント配線板
KR20160115718A (ko) 2액 혼합형의 제1, 제2 액 및 프린트 배선판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160304

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170302

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190306

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200303

Year of fee payment: 8