KR101246220B1 - Surface mounted light emitting diode package - Google Patents

Surface mounted light emitting diode package Download PDF

Info

Publication number
KR101246220B1
KR101246220B1 KR1020110101247A KR20110101247A KR101246220B1 KR 101246220 B1 KR101246220 B1 KR 101246220B1 KR 1020110101247 A KR1020110101247 A KR 1020110101247A KR 20110101247 A KR20110101247 A KR 20110101247A KR 101246220 B1 KR101246220 B1 KR 101246220B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
electrode
package body
package
Prior art date
Application number
KR1020110101247A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이희철
김진관
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020110101247A priority Critical patent/KR101246220B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101246220B1 publication Critical patent/KR101246220B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Abstract

PURPOSE: A surface-embedded light emitting device package is provided to secure the miniaturization of a module and a package by wafer level manufacture. CONSTITUTION: A cavity(C) is formed in a package body(111). A light emitting device(113) is arranged in the cavity. The light emitting device emits light through an opened region. A first electrode covers part of the package body.

Description

표면 내장형 발광 소자 패키지{SURFACE MOUNTED LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}SURFACE MOUNTED LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

실시예는 표면 내장형 발광 소자 패키지에 관한 것이다. Embodiments relate to a surface-embedded light emitting device package.

일반적으로, 실내 또는 실외의 조명등으로 전구나 형광등이 많이 사용되고 있는데, 이러한 전구나 형광등은 수명이 짧아 자주 교환하여야 하는 문제가 있다. 또한, 종래의 형광등은 그 사용시간 경과에 따른 열화로 인해 조도가 점차 떨어지는 현상이 과도하게 발생하는 문제가 있다.In general, a lot of bulbs or fluorescent lights are used as indoor or outdoor lighting, such a bulb or fluorescent lamp has a short life and has to be replaced frequently. In addition, the conventional fluorescent lamp has a problem that excessively decreases the illuminance due to deterioration over the use time.

이러한 문제를 해결하기 위하여 우수한 제어성, 빠른 응답속도, 높은 전기 광 변환효율, 긴 수명, 적은 소비전력 및 높은 휘도의 특성 및 감성 조명을 구현할 수 있는 발광 다이오드(LED; Light Emitting diode)를 사용하는 여러가지 형태의 조명 장치가 개발되고 있다.In order to solve this problem, a light emitting diode (LED), which has excellent controllability, fast response speed, high electro-optical conversion efficiency, long life, low power consumption, high brightness, and emotional lighting, is used. Various types of lighting devices have been developed.

통상적으로 발광 소자의 일반적인 예로서 상기의 발광 다이오드를 들 수 있다. 발광 다이오드는 주입된 전자와 전공이 결합할 때 손실되는 에너지가 빛을 통해 방출되는 다이오드이다. 발광 다이오드를 구성하는 발광원으로서는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열 및 InGaN 계열 등의 화합물 반도체 재료가 이용될 수 있다.Usually, the above-mentioned light emitting diode is mentioned as a general example of a light emitting element. A light emitting diode is a diode in which energy lost when a combination of injected electrons and an electric field is emitted through light. As the light emitting source constituting the light emitting diode, a compound semiconductor material such as GaAs series, AlGaAs series, GaN series and InGaN series may be used.

근래에 GaN를 비롯한 질화물 반도체가 그 우수한 물리, 화학적 특성에 기인하여 주목을 받고 있으며, 이러한 질화물 반도체를 이용하여 발광원을 구성하면 녹색, 청색 및 자외선 영역까지의 빛을 생성할 수 있다. 이러한 발광 다이오드는 그 용도에 따라 다양한 형태로 패키지화되어 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.In recent years, nitride semiconductors including GaN have attracted attention due to their excellent physical and chemical properties. When the light emitting sources are formed using such nitride semiconductors, light to green, blue, and ultraviolet light can be generated. Such a light emitting diode is packaged in various forms according to its use and is used as a light source in various fields such as a lighting display, a text display, and an image display.

발광 다이오드 패키지로서는 플라스틱 패키지, 세라믹 패키지, 금속 패키지 및 실리콘 웨이퍼를 패키지 물질로 사용하는 웨이퍼 레벨 패키지(WLP: Wafer Level Package) 등이 사용되고 있다. 웨이퍼 레벨 패키지에서는 기존의 반도체 IC 공정에 사용되는 실리콘 웨이퍼가 사용되기 때문에 여러 반도체 소자를 내장할 수 있는 잠재성을 지니고 있다.As a light emitting diode package, a wafer level package (WLP) using a plastic package, a ceramic package, a metal package, and a silicon wafer as a package material is used. In wafer-level packages, silicon wafers used in conventional semiconductor IC processes have the potential to contain many semiconductor devices.

그러나, 기존 발광 소자 패키지는 발광 소자와 패키지의 전기적 접합을 위해 금속선 접합 방식 등을 이용하였다. 금속선 접합을 통해 발광 소자와 패키지의 전기적 연결을 형성시키게 때문에, 패키지 사이즈의 소형화 및 패키지 제조 효율에 제약이 있었다. However, the conventional light emitting device package uses a metal wire bonding method for the electrical connection between the light emitting device and the package. Since the electrical connection between the light emitting device and the package is formed through metal wire bonding, there is a limitation in miniaturization of the package size and package manufacturing efficiency.

한국특허공개 제10-2007-0090071호 (공개일: 2007.09.05.)Korean Patent Publication No. 10-2007-0090071 (published: 2007.09.05.)

실시예는 상술한 종래 기술의 문제점을 모두 해결하는 것을 목적으로 한다.The embodiment aims to solve all the problems of the prior art described above.

또한, 실시예의 다른 목적은 선 접합과 같은 개별 패키지 공정을 거치지 않고 웨이퍼 레벨에서 높은 생산성으로 제조 가능한 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다. In addition, another object of the embodiment is to provide a light emitting device package that can be manufactured with high productivity at the wafer level without going through individual packaging processes such as line bonding.

한편, 실시예의 또 다른 목적은 작은 공간에서 제조 가능한 소형화된 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다. Meanwhile, another object of the embodiment is to provide a miniaturized light emitting device package that can be manufactured in a small space.

실시예에 따르면, 적어도 일부분에 상부가 개방된 캐비티가 형성된 패키지 몸체; 상기 개방된 영역을 통해 광을 방출하도록 상기 캐비티에 배치되는 발광 소자; 및 상기 패키지 몸체의 적어도 일부를 감싸도록 형성되며, 상기 패키지 몸체의 상부 영역에서 상기 발광 소자의 상면과 전기적으로 접촉하는 제1 전극을 포함하는, 표면 내장형 발광 소자 패키지가 제공된다.According to an embodiment, at least a portion of the package body having an open upper cavity; A light emitting element disposed in the cavity to emit light through the open area; And a first electrode formed to surround at least a portion of the package body, the first electrode being in electrical contact with an upper surface of the light emitting element in an upper region of the package body.

상기 캐비티는 상기 패키지 몸체의 적어도 일부분이 상하로 관통되는 형태로 형성될 수 있다. The cavity may be formed so that at least a portion of the package body penetrates upward and downward.

상기 발광 소자 패키지는, 상기 캐비티의 하단으로부터 소정 높이까지 상기 캐비티를 채우도록 형성되며, 상기 발광 소자와 전기적으로 접속되는 제2 전극을 더 포함하고, 상기 제2 전극 상부의 적어도 일부에는 상기 발광 소자의 접합을 위한 접합제가 도포될 수 있다. The light emitting device package may further include a second electrode formed to fill the cavity from a lower end of the cavity to a predetermined height, and electrically connected to the light emitting device, and at least a portion of the upper part of the second electrode. A binder for the bonding of can be applied.

다른 실시예에 따르면, 적어도 일부분에 상부가 개방된 캐비티가 형성된 패키지 몸체; 상기 개방된 영역을 통해 광을 방출하도록 상기 캐비티에 배치되는 발광 소자; 및 상기 패키지 몸체의 적어도 일부를 감싸도록 형성되고, 상기 발광 소자와 전기적으로 접속되며, 서로 이격되어 있는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는, 표면 내장형 발광 소자 패키지가 제공된다.According to another embodiment, the package body is formed in the cavity at least open upper portion; A light emitting element disposed in the cavity to emit light through the open area; And a first electrode and a second electrode which are formed to surround at least a portion of the package body, are electrically connected to the light emitting element, and are spaced apart from each other.

상기 캐비티는 상기 패키지 몸체의 적어도 일부분이 함몰된 형태로 형성되고, 상기 캐비티의 바닥면 또는 내벽 중 적어도 일부에는 상기 발광 소자의 접합을 위한 접합제가 도포될 수 있다. The cavity may be formed in a form in which at least a portion of the package body is recessed, and at least a portion of the bottom surface or the inner wall of the cavity may be coated with a bonding agent for bonding the light emitting device.

상기 전극은 금속 증착 및 패턴화 공정에 의해 형성될 수 있다. The electrode may be formed by a metal deposition and patterning process.

상기 패키지 몸체의 캐비티는 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. The cavity of the package body may be formed by an etching process.

상기 발광 소자 패키지는, 상기 패키지 몸체 표면 전체를 감싸는 절연층을 더 포함할 수 있다. The light emitting device package may further include an insulating layer surrounding the entire surface of the package body.

상기 패키지 몸체는 실리콘 재질로 형될 수 있다. The package body may be formed of a silicon material.

상기 패키지 몸체의 상부 표면과 상기 발광 소자의 상부 표면은 얼라인되어 있을 수 있다. The upper surface of the package body and the upper surface of the light emitting device may be aligned.

실시예에 따르면, 발광 소자 패키지에 있어서 발광 소자와 패키지 간의 전기적 연결이 금속선 접합 등의 개별 패키지 공정을 거치지 않고도 달성되기 때문에, 높은 생산성을 꾀할 수 있다. According to the embodiment, since the electrical connection between the light emitting device and the package in the light emitting device package is achieved without a separate package process such as metal wire bonding, high productivity can be achieved.

실시예에 따르면, 발광 소자 패키지에 있어서 발광 소자와 패키지 간 전기적 연결을 위한 금속선 등의 필요가 없기 때문에 소형화된 패키지 및/또는 모듈 등이 얻어질 수 있다. According to the embodiment, since there is no need for a metal wire or the like for electrical connection between the light emitting device and the package in the light emitting device package, a miniaturized package and / or module can be obtained.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 내장형 발광 소자 패키지의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 내장형 발광 소자 패키지의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 내장형 발광 소자 패키지의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 내장형 발광 소자 패키지의 구성을 나타내는 단면도이다. 1 is a perspective view showing the configuration of a surface-emitting light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the configuration of a surface-embedded light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.
3 is a perspective view illustrating a structure of a surface-embedded light emitting device package according to a second exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a structure of a surface-emitting light emitting device package according to a second exemplary embodiment of the present invention.

이하 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 단, 첨부된 도면은 실시예의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the accompanying drawings are only described in order to more easily disclose the contents of the embodiments, the scope of the present invention is not limited to the scope of the accompanying drawings will be readily understood by those of ordinary skill in the art. Could be.

[제1 실시예][First Embodiment]

도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 내장형 발광 소자 패키지의 구성을 나타내는 사시도 및 단면도이다. 1 and 2 are a perspective view and a cross-sectional view showing the configuration of the surface-emitting light emitting device package according to the first embodiment of the present invention, respectively.

도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(111), 절연층(112), 발광 소자(113), 접합체(114), 상부 전극(115), 하부 전극(116)을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the light emitting device package 100 of the present invention includes a package body 111, an insulating layer 112, a light emitting device 113, a bonding body 114, an upper electrode 115, The lower electrode 116 may be included.

패키지 몸체(111)는 발광 소자(113)의 주위를 감싸는 형태로 형성된다. 그러나, 발광 소자(113)의 발광 방향으로는 개방되어 있는 것이 바람직하다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 패키지 몸체(111)의 중 발광 소자(113)가 배치되는 영역은 상하로 관통되도록 형성될 수 있다. 즉, 패키지 몸체(111)는 적어도 일부분이 관통되는 형상으로 형성되어, 캐비티(C)를 구성할 수 있다. 이렇게 형성되는 캐비티(C)에는 발광 소자(113)가 배치될 수 있다. 해당 캐비티(C)의 내벽은 경사진 형태로 형성될 수 있는데, 예를 들면, 마주보는 내벽 간 거리는 상단에서부터 하단으로 갈수록 서서리 멀어지는 형태로 형성될 수 있다. 캐비티(C) 내벽의 상단은 발광 소자(113) 상단과 만나도록 얼라인될 수 있다. 즉, 발광 소자(113)는 패키지 몸체(111)에 표면 내장형으로 형성될 수 있다. 패키지 몸체(111)는 실리콘 웨이퍼 등으로 형성될 수 있다. The package body 111 is formed to surround the light emitting device 113. However, it is preferable that the light emitting element 113 be opened in the light emitting direction. As illustrated in FIG. 2, an area in which the light emitting device 113 is disposed in the package body 111 may be formed to penetrate up and down. That is, the package body 111 may be formed in a shape through which at least a portion thereof penetrates, thereby constituting the cavity C. The light emitting device 113 may be disposed in the cavity C formed as described above. The inner wall of the cavity (C) may be formed in an inclined form, for example, the distance between the inner wall facing each other may be formed in a frost away from the top to the bottom. The upper end of the inner wall of the cavity C may be aligned to meet the upper end of the light emitting device 113. That is, the light emitting element 113 may be formed in the package body 111 to have a surface embedded. The package body 111 may be formed of a silicon wafer or the like.

캐비티(C)는 패키지 몸체(111)에 발광 소자의 표면을 내장시키기 위해 형성되는 것으로서, 패키지 몸체(111)에 대한 건식 식각 및/또는 습식 식각 공정을 통해 형성될 수 있으나, 다른 방식의 공정에 의해서도 형성될 수 있다.The cavity C is formed to embed the surface of the light emitting device in the package body 111, and may be formed through a dry etching and / or a wet etching process on the package body 111, but may be formed in another process. It can also be formed by.

절연층(112)은 패키지 몸체(111) 전체 영역을 감싼다. 상술한 바와 같이 패키지 몸체(111)는 캐비티(C)을 가질 수 있는데, 캐비티(C)의 내부 또한 절연층(112)에 의해 감싸진다. 절연층(112)은 패키지 몸체(113)와 발광 소자(113) 간의 전기적 절연 및 패키지 몸체(111)와 전극(115, 116)과의 전기적 절연을 위해 형성된다. 절연층(112)은 실리콘 산화물(예를 들면, SiO2 등), 실리콘 질화물(예를 들면, Si3N4 등), 질화 알루미늄(AlN), 탄화 규소(SiC) 등의 절연 물질로 형성될 수 있다. The insulating layer 112 surrounds the entire area of the package body 111. As described above, the package body 111 may have a cavity C, and the inside of the cavity C is also surrounded by the insulating layer 112. The insulating layer 112 is formed for electrical insulation between the package body 113 and the light emitting device 113 and for electrical insulation between the package body 111 and the electrodes 115 and 116. The insulating layer 112 may be formed of an insulating material such as silicon oxide (for example, SiO 2 ), silicon nitride (for example, Si 3 N 4, etc.), aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), or the like. Can be.

발광 소자(113)로서는 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 이용될 수 있다. 예를 들면, 유색의 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드일 수 있으나, 광을 방출할 수 있는 소자이면, 어떤 것이든 발광 소자로서 이용될 수 있다. 발광 소자(113)는 패키지 몸체(111)의 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 발광 소자는 후술할 하부 전극(116) 상에 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 발광 소자(113)의 상단과 패키지 몸체(111)의 상단은 얼라인될 수 있다. 절연층(112)에 의해 패키지 몸체(111)와 발광 소자(113)는 절연된다. 발광 소자(113)의 적어도 일부분은 상부 전극(115)과 전기적으로 접촉될 수 있다. 도면에서는 발광 소자(113)가 하나만 배치되는 것으로 도시되었으나, 2 이상의 발광 소자(113)가 배치될 수도 있음은 물론이다. A light emitting diode (LED) may be used as the light emitting element 113. For example, it may be a colored light emitting diode or a light emitting diode emitting ultraviolet rays, but any device capable of emitting light may be used as a light emitting element. The light emitting device 113 may be disposed in the cavity C of the package body 111. The light emitting device may be disposed on the lower electrode 116 to be described later. As described above, the upper end of the light emitting device 113 and the upper end of the package body 111 may be aligned. The package body 111 and the light emitting element 113 are insulated by the insulating layer 112. At least a portion of the light emitting device 113 may be in electrical contact with the upper electrode 115. Although only one light emitting device 113 is illustrated in the drawing, two or more light emitting devices 113 may be disposed.

상부 전극(115)은 절연층(112)으로 감싸여진 패키지 몸체(111)의 적어도 일부를 감싸는 형태로 형성된다. 도 2에 도시되는 예를 참조하면, 절연층(112)으로 감싸여진 패키지 몸체(111)의 상부 및 측면을 감싸는 형태로 형성될 수 있고, 하부 전극(116)과의 단락을 위해 패키지 몸체(111)의 하부 중에서는 적어도 일부만을 감싸는 형태로 형성될 수 있다. 즉, 패키지 몸체(111) 하부에 있어서는 하부 전극(116)과 패키지 몸체(111)의 경계까지는 상부 전극(115)이 형성되지 않는 것이 바람직하다. The upper electrode 115 is formed to surround at least a portion of the package body 111 wrapped with the insulating layer 112. Referring to the example illustrated in FIG. 2, the package body 111 may be formed to surround the top and side surfaces of the package body 111 wrapped with the insulating layer 112, and may be formed to shorten the package body 111 for shorting with the lower electrode 116. At least a portion of the lower portion may be formed in a shape to surround. That is, in the lower portion of the package body 111, it is preferable that the upper electrode 115 is not formed to the boundary between the lower electrode 116 and the package body 111.

캐비티(C)의 하부에는 하부 전극(116)이 형성될 수 있다. 즉, 캐비티 몸체(111)의 하단으로부터 소정의 높이까지 캐비티(C)를 채우도록 하부 전극(116)이 형성될 수 있다. The lower electrode 116 may be formed under the cavity C. That is, the lower electrode 116 may be formed to fill the cavity C from the lower end of the cavity body 111 to a predetermined height.

상부 전극(115)과 하부 전극(116)은 전기 전도성 물질로 형성되어 발광 소자(113)와 접한다. 이에 의해 발광 소자(113)는 상부 전극(115) 및 하부 전극(116)을 통해 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있다. 상부 전극(115) 또는 하부 전극(116) 중 적어도 하나는 단층 및/또는 다층의 금속층으로 형성될 수 있으며, 금속 증착 및 패턴화 등의 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 그 패턴화 공정은 식각 또는 리프트 오프(Lift-off) 공정 등에 의해 이루어질 수 있다. The upper electrode 115 and the lower electrode 116 are formed of an electrically conductive material to contact the light emitting device 113. As a result, the light emitting device 113 may be electrically connected to an external device through the upper electrode 115 and the lower electrode 116. At least one of the upper electrode 115 or the lower electrode 116 may be formed of a single layer and / or a multilayer metal layer, and may be formed through a process such as metal deposition and patterning. In addition, the patterning process may be performed by an etching or lift-off process.

하부 전극(116) 상에는 발광 소자(113)가 형성된다. 발광 소자(113)와 하부 전극(116)은 접합제(114)에 의해 접합된다. 즉, 하부 전극(116) 상에 접합제(114)가 도포되고 발광 소자(113)가 배치될 수 있다. 발광 소자(113)의 상부 표면과 절연체(112)로 감싸여진 패키지 몸체(111)의 상부 표면은 얼라인될 수 있는데, 이를 위해 하부 전극(116)의 형성 높이는 적절히 선택될 수 있다. 접합제(114)는 에폭시 또는 금속 접합제 등의 물질일 수 있으나, 이에 제한되는 것이 아님은 물론이다. The light emitting element 113 is formed on the lower electrode 116. The light emitting element 113 and the lower electrode 116 are bonded by the bonding agent 114. That is, the bonding agent 114 may be coated on the lower electrode 116 and the light emitting device 113 may be disposed. The upper surface of the light emitting device 113 and the upper surface of the package body 111 wrapped with the insulator 112 may be aligned. For this purpose, the formation height of the lower electrode 116 may be appropriately selected. The binder 114 may be a material such as epoxy or a metal binder, but is not limited thereto.

[제2 실시예][Second Embodiment]

도 3 및 도 4는 각각 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 내장형 발광 소자 패키지의 구성을 나타내는 사시도 및 단면도이다. 이하의 설명에서, 제1 실시예에서와 동일한 부분에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다. 3 and 4 are respectively a perspective view and a cross-sectional view showing the configuration of a surface-emitting light emitting device package according to a second embodiment of the present invention. In the following description, the same parts as in the first embodiment will be omitted.

도 3 및 도 4에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체(211), 절연층(212), 발광 소자(213), 접합체(214), 제1 전극(215), 제2 전극(216)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 3 and 4, the light emitting device package 200 according to the present invention includes a package body 211, an insulating layer 212, a light emitting device 213, a bonding body 214, and a first electrode 215. It may include a second electrode 216.

제2 실시예에 따른 패키지 몸체(211)의 적어도 일부에는 함몰 형태로 형성되는 캐비티(C)가 형성될 수 있다. 캐비티(C)에는 발광 소자(213)가 배치된다. In at least a portion of the package body 211 according to the second embodiment, a cavity C formed in a recessed shape may be formed. The light emitting element 213 is disposed in the cavity C.

패키지 몸체(211)의 외부 표면은 절연층(212)에 의해 감싸진다.The outer surface of the package body 211 is wrapped by an insulating layer 212.

발광 소자(213)는 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다. 제2 실시예에 따른 캐비티(C)는 패키지 몸체(211)의 적어도 일부분에 형성된 함몰부의 형태로 형성될 수 있는데, 발광 소자(213)의 상부 표면과 절연층(212)으로 감싸진 패키지 몸체(211)의 상부 표면이 얼라인되는 것이 바람직하므로, 캐비티(C)의 높이는 발광 소자(213)의 높이와 실질적으로 동일하게 형성되는 것이 바람직하다. 발광 소자(213)는 2 이상 형성될 수 있다. The light emitting element 213 may be disposed in the cavity C. The cavity C according to the second embodiment may be formed in the form of a depression formed in at least a portion of the package body 211, and includes a package body wrapped with the upper surface of the light emitting element 213 and the insulating layer 212. Since the upper surface of 211 is preferably aligned, the height of the cavity C is preferably formed to be substantially the same as the height of the light emitting element 213. Two or more light emitting elements 213 may be formed.

캐비티(C) 내부의 적어도 일부분, 즉, 절연층(212) 중 캐비티(C) 내부에 형성된 절연층(212)의 표면 중 적어도 일부분에는 접합제(214)가 도포될 수 있고, 접합제(214)를 통해 캐비티(C) 내부에 발광 소자(213)가 안정적으로 배치될 수 있다. A binder 214 may be applied to at least a portion of the interior of the cavity C, that is, at least a portion of the surface of the insulating layer 212 formed inside the cavity C of the insulating layer 212, and the binder 214 The light emitting device 213 may be stably disposed in the cavity C through the C).

제2 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 제1 전극(215) 및 제2 전극 (216)을 포함한다. The light emitting device package 200 according to the second embodiment includes a first electrode 215 and a second electrode 216.

제1 전극(215) 및 제2 전극(216)은 절연층(212)으로 감싸여진 패키지 몸체(211)의 적어도 일부를 감싸되, 서로 이격되어 있는 형태로 형성된다. 예를 들면, 제1 전극(215) 또는 제2 전극(216) 중 적어도 하나는 절연층(212)으로 감싸여진 패키지 몸체(211)의 상부 중 적어도 일부 및 측면을 감싸는 형태로 형성될 수 있고, 하부 중 적어도 일부를 감싸는 형태로 형성될 수 있다. 도 3에 도시되는 바와 같이 패키지 몸체(211)의 상부 중 일부만을 감싸는 경우에는 패키지 몸체(211)를 감싸는 절연층(212)이 일부 노출될 수 있다. 패키지 몸체(211)의 상부에 형성된 제1 전극(215) 및 제2 전극(216)은 그 일부가 발광 소자(213)의 상부와 전기적으로 접촉되어야 한다. 즉, 패키지 몸체(211)의 상부에 있어서 제1 전극(215) 및 제2 전극(216) 중 적어도 일부분은 발광 소자(213)의 상부 영역까지 연장될 수 있다. 제1 전극(215) 및 제2 전극(216)은 각각 제1 실시예에서의 상부 전극(115) 및 하부 전극(116)에 대응되는 기능을 수행한다. 즉, 제1 전극(215) 및 제2 전극(216)은 발광 소자(213)가 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있도록 해주며, 제1 전극(215) 및 제2 전극(216)이 서로 절연된 상태로 이격되어 있기 때문에, 제1 전극(215)과 제2 전극(216)은 서로 다른 극성을 띄는 전극으로 활용될 수 있다. The first electrode 215 and the second electrode 216 surround at least a portion of the package body 211 wrapped with the insulating layer 212, and are formed to be spaced apart from each other. For example, at least one of the first electrode 215 or the second electrode 216 may be formed to surround at least a portion and the side of the upper portion of the package body 211 wrapped with the insulating layer 212, It may be formed to surround at least a portion of the lower portion. As shown in FIG. 3, when only part of the upper portion of the package body 211 is wrapped, the insulating layer 212 surrounding the package body 211 may be partially exposed. A portion of the first electrode 215 and the second electrode 216 formed on the package body 211 should be in electrical contact with the upper portion of the light emitting element 213. That is, at least a portion of the first electrode 215 and the second electrode 216 on the package body 211 may extend to the upper region of the light emitting device 213. The first electrode 215 and the second electrode 216 respectively perform a function corresponding to the upper electrode 115 and the lower electrode 116 in the first embodiment. That is, the first electrode 215 and the second electrode 216 allow the light emitting element 213 to be electrically connected to an external device, and the first electrode 215 and the second electrode 216 are insulated from each other. Since they are spaced apart from each other, the first electrode 215 and the second electrode 216 may be used as electrodes having different polarities.

본 발명에 따른 표면 내장형 발광 소자 패키지는 실리콘 웨이퍼 레벨의 패키지 몸체 표면에 발광 소자가 함몰된 형태로 내장되며, 금속 증착 공정 및 패턴 형성 공정을 통해 발광 소자와 패키지의 전기적 연결이 이루어진다.In the surface-embedded light emitting device package according to the present invention, a light emitting device is embedded in a silicon wafer level package body surface, and electrical connection between the light emitting device and the package is performed through a metal deposition process and a pattern forming process.

본 발명에 따른 표면 내장형 발광 소자 패키지는 전기적 연결 과정에 있어서, 선 접합과 같은 개별 패키지 공적을 거치지 않는다. 즉, 웨이퍼 레벨에서의 배치 공정을 거침으로써 높은 생산성을 제공하며, 금속선 등의 필요가 없기 때문에, 요구되는 공간이 종래 기술에 비해 줄어들 수 있다. 또한, 이에 따라 소형화된 패키지 및/또는 모듈을 얻을 수 있다. The surface-embedded light emitting device package according to the present invention does not undergo individual package achievements such as line bonding in the electrical connection process. In other words, since the high productivity is provided by the batch process at the wafer level, and there is no need for a metal wire or the like, the required space can be reduced as compared with the prior art. It is also possible to obtain miniaturized packages and / or modules.

이상에서 보는 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시 될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. As described above, those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features.

그러므로, 이상에서 기술한 실시 예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the embodiments described above are to be understood in all respects as illustrative and not restrictive, and the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above description, and the meaning and scope of the claims And all changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

111, 211: 패키지 몸체
112, 212: 절연층
113, 213: 발광 소자
114, 214: 접합제
115, 116, 215, 216: 전극111, 211: package body
112, 212: insulation layer
113, 213: light emitting element
114, 214: binder
115, 116, 215, 216: electrode

Claims (10)

적어도 일부분에 상부가 개방된 캐비티가 형성된 패키지 몸체;
상기 개방된 영역을 통해 광을 방출하도록 상기 캐비티에 배치되는 발광 소자; 및
상기 패키지 몸체의 적어도 일부를 감싸도록 형성되며, 상기 패키지 몸체의 상부 영역에서 상기 발광 소자의 상면과 전기적으로 접촉하는 제1 전극을 포함하며,
상기 캐비티는 상기 패키지 몸체의 적어도 일부분이 상하로 관통되는 형태로 형성되고,
상기 캐비티의 하단으로부터 소정 높이까지 상기 캐비티를 채우도록 형성되며, 상기 발광 소자와 전기적으로 접속되는 제2 전극을 더 포함하고,
상기 제2 전극 상부의 적어도 일부에는 상기 발광 소자의 접합을 위한 접합제가 도포되는, 표면 내장형 발광 소자 패키지.A package body on which at least a cavity having an open top is formed;
A light emitting element disposed in the cavity to emit light through the open area; And
A first electrode formed to surround at least a portion of the package body, the first electrode in electrical contact with an upper surface of the light emitting device in an upper region of the package body,
The cavity is formed so that at least a portion of the package body penetrates up and down,
A second electrode formed to fill the cavity from a lower end of the cavity to a predetermined height and electrically connected to the light emitting element;
Surface-mounted light emitting device package, the bonding agent for bonding the light emitting device is applied to at least a portion of the second electrode. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 금속 증착 및 패턴화 공정에 의해 형성되는, 표면 내장형 발광 소자 패키지. The method of claim 1,
And the first electrode and the second electrode are formed by a metal deposition and patterning process. 제1항에 있어서,
상기 패키지 몸체의 캐비티는 식각 공정에 의해 형성되는, 표면 내장형 발광 소자 패키지. The method of claim 1,
The cavity of the package body is formed by an etching process, surface-mounted light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 패키지 몸체가 상기 제1전극 및 상기 제2전극과 전기적으로 절연되도록 상기 패키지 몸체 표면 전체를 감싸는 절연층을 더 포함하는, 표면 내장형 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
And an insulation layer surrounding the entire surface of the package body such that the package body is electrically insulated from the first electrode and the second electrode. 제1항에 있어서,
상기 패키지 몸체는 실리콘 재질로 형성되는, 표면 내장형 발광 소자 패키지. The method of claim 1,
The package body is formed of a silicon material, surface-mounted light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 패키지 몸체의 상부 표면과 상기 발광 소자의 상부 표면은 얼라인되어 있는, 표면 내장형 발광 소자 패키지.
The method of claim 1,
And an upper surface of the package body and an upper surface of the light emitting device are aligned.
KR1020110101247A 2011-10-05 2011-10-05 Surface mounted light emitting diode package KR101246220B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101247A KR101246220B1 (en) 2011-10-05 2011-10-05 Surface mounted light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101247A KR101246220B1 (en) 2011-10-05 2011-10-05 Surface mounted light emitting diode package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101246220B1 true KR101246220B1 (en) 2013-03-21

Family

ID=48182350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110101247A KR101246220B1 (en) 2011-10-05 2011-10-05 Surface mounted light emitting diode package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101246220B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034488A (en) 2006-07-26 2008-02-14 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device
KR20090004263A (en) * 2007-07-06 2009-01-12 한국광기술원 Wafer level packaged light emitting diode and fabrication method thereof
KR20100035971A (en) * 2008-09-29 2010-04-07 한국광기술원 Light emitting diode package encapsulated by light transmitting substrate and method for fabricating the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034488A (en) 2006-07-26 2008-02-14 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device
KR20090004263A (en) * 2007-07-06 2009-01-12 한국광기술원 Wafer level packaged light emitting diode and fabrication method thereof
KR20100035971A (en) * 2008-09-29 2010-04-07 한국광기술원 Light emitting diode package encapsulated by light transmitting substrate and method for fabricating the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7582496B2 (en) LED package using Si substrate and fabricating method thereof
US7755099B2 (en) Light emitting device package
CN101889354B (en) Light emitting device package and method for fabricating the same
US8587009B2 (en) Light emitting chip package
TWI542039B (en) Light emitting diode package and carrier
US9780260B2 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same
CN107994104B (en) Semiconductor light emitting structure and semiconductor packaging structure
US8735933B2 (en) Light emitting diode package and method of manufacturing the same
KR20120082189A (en) Wafer level light emitting device package and method of manufacturing the same
CN105098035A (en) Lighting device
CN105932134A (en) Lighting Emitting Device Package And Lighting Apparatus Including The Same
US20110181182A1 (en) Top view light emitting device package and fabrication method thereof
US20090039366A1 (en) Semiconductor light-emitting device with high heat-dissipation efficiency and method for fabricating the same
KR101653395B1 (en) Multi-chip led package
US20110291137A1 (en) Light emitting device package
CN102522400A (en) Anti-electrostatic-damage vertical light-emitting device and manufacturing method thereof
CN105489722B (en) Light-emitting diode encapsulation structure, LED crystal particle and its manufacturing method
JP2016092016A (en) Illuminant
KR101246220B1 (en) Surface mounted light emitting diode package
KR101072143B1 (en) Light emitting device package and method for fabricating the same
CN102130270A (en) White LED luminous device
KR101230914B1 (en) Photo-detection element embedded light emitting diode package
KR101063997B1 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
KR101155033B1 (en) Led package
TWM496847U (en) Light emitting module

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160225

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee