KR101230914B1 - Photo-detection element embedded light emitting diode package - Google Patents
Photo-detection element embedded light emitting diode package Download PDFInfo
- Publication number
- KR101230914B1 KR101230914B1 KR1020110096096A KR20110096096A KR101230914B1 KR 101230914 B1 KR101230914 B1 KR 101230914B1 KR 1020110096096 A KR1020110096096 A KR 1020110096096A KR 20110096096 A KR20110096096 A KR 20110096096A KR 101230914 B1 KR101230914 B1 KR 101230914B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting device
- electrode layer
- measuring device
- Prior art date
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 광측정소자를 내장한 발광 소자 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device package incorporating an optical measuring device.
일반적으로, 실내 또는 실외의 조명등으로 전구나 형광등이 많이 사용되고 있는데, 이러한 전구나 형광등은 수명이 짧아 자주 교환하여야 하는 문제가 있다. 또한, 종래의 형광등은 그 사용시간 경과에 따른 열화로 인해 조도가 점차 떨어지는 현상이 과도하게 발생하는 문제가 있다.In general, a lot of bulbs or fluorescent lights are used as indoor or outdoor lighting, such a bulb or fluorescent lamp has a short life and has to be replaced frequently. In addition, the conventional fluorescent lamp has a problem that excessively decreases the illuminance due to deterioration over the use time.
이러한 문제를 해결하기 위하여 우수한 제어성, 빠른 응답속도, 높은 전기 광 변환효율, 긴 수명, 적은 소비전력 및 높은 휘도의 특성 및 감성 조명을 구현할 수 있는 발광 다이오드(LED; Light Emitting diode)를 사용하는 여러가지 형태의 조명 장치가 개발되고 있다.In order to solve this problem, a light emitting diode (LED), which has excellent controllability, fast response speed, high electro-optical conversion efficiency, long life, low power consumption, high brightness, and emotional lighting, is used. Various types of lighting devices have been developed.
통상적으로 발광 소자의 일반적인 예로서 상기의 발광 다이오드를 들 수 있다. 발광 다이오드는 주입된 전자와 전공이 결합할 때 손실되는 에너지가 빛을 통해 방출되는 다이오드이다. 발광 다이오드를 구성하는 발광원으로서는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열 및 InGaN 계열 등의 화합물 반도체 재료가 이용될 수 있다.Usually, the above-mentioned light emitting diode is mentioned as a general example of a light emitting element. A light emitting diode is a diode in which energy lost when a combination of injected electrons and an electric field is emitted through light. As the light emitting source constituting the light emitting diode, a compound semiconductor material such as GaAs series, AlGaAs series, GaN series and InGaN series may be used.
근래에 GaN를 비롯한 질화물 반도체가 그 우수한 물리, 화학적 특성에 기인하여 주목을 받고 있으며, 이러한 질화물 반도체를 이용하여 발광원을 구성하면 녹색, 청색 및 자외선 영역까지의 빛을 생성할 수 있다. 이러한 발광 다이오드는 그 용도에 따라 다양한 형태로 패키지화되어 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.In recent years, nitride semiconductors including GaN have attracted attention due to their excellent physical and chemical properties. When the light emitting sources are formed using such nitride semiconductors, light to green, blue, and ultraviolet light can be generated. Such a light emitting diode is packaged in various forms according to its use and is used as a light source in various fields such as a lighting display, a text display, and an image display.
발광 다이오드 패키지로서는 플라스틱 패키지, 세라믹 패키지, 금속 패키지, 및 실리콘 웨이퍼를 패키지 물질로 사용하는 웨이퍼 레벨 패키지(WLP: Wafer Level Package) 등이 사용되고 있다. 웨이퍼 레벨 패키지에서는 기존의 반도체 IC 공정에 사용되는 실리콘 웨이퍼가 사용되기 때문에 여러 반도체 소자를 내장할 수 있는 잠재성을 지니고 있다.As a light emitting diode package, a plastic package, a ceramic package, a metal package, and a wafer level package (WLP) using a silicon wafer as a package material are used. In wafer-level packages, silicon wafers used in conventional semiconductor IC processes have the potential to contain many semiconductor devices.
발광 소자로부터 출력되는 광을 측정하여 발광 다이오드의 전기적 및/또는 광학 특성을 제어할 수 있는 기술이 요구되고 있다. 또한, 발광 소자 외부의 광을 측정하여 발광 소자의 동작 및 출력 광을 조절할 수 있는 기술이 요구되고 있다. There is a demand for a technology capable of controlling the electrical and / or optical characteristics of a light emitting diode by measuring light output from the light emitting device. In addition, there is a need for a technology that can control the light and the output light of the light emitting device by measuring the outside of the light emitting device.
본 발명의 배경이 되는 기술은 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0062716호(2006.12.06)에 개시되어 있다.The background technology of the present invention is disclosed in Republic of Korea Patent Publication No. 10-2006-0062716 (2006.12.06).
실시예는 상술한 종래 요구에 대응하여 안출된 것으로, 광측정소자가 내장된 발광 소자 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.The embodiment is devised in response to the above-described conventional requirements, and an object thereof is to provide a light emitting device package in which an optical measuring device is incorporated.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical objects to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical subjects which are not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the present invention .
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 적어도 일부분에 상부가 개방된 캐비티가 형성된 패키지 몸체, 상기 개방된 영역을 통해 광을 방출하도록 상기 캐비티에 배치되는 발광 소자, 및 상기 패키지 몸체의 적어도 일부 상에 위치하여 광의 세기를 측정하는 광측정소자를 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment is located on at least a portion of the package body, the light emitting device disposed in the cavity to emit light through the open area, the cavity is formed in at least a portion of the open cavity; It includes an optical measuring device for measuring the intensity of light.
상기 캐비티는 상기 패키지 몸체의 적어도 일부분이 함몰된 형태를 가지며 상기 패키지 몸체는 상기 캐비티 주변에 돌출된 영역을 포함하고, 상기 광측정소자는 상기 돌출된 영역상에 위치할 수 있다. The cavity may have a shape in which at least a portion of the package body is recessed, the package body may include an area protruding around the cavity, and the optical measuring device may be positioned on the protruding area.
상기 광측정소자는 상기 광측정소자의 일부만이 상기 돌출된 영역상에 위치하는 외팔보 형태를 가지고 상기 광측정 소자의 나머지는 상기 캐비티측으로 돌출될 수 있다. The optical measuring device may have a cantilever shape in which only a part of the optical measuring device is positioned on the protruding region, and the rest of the optical measuring device may protrude toward the cavity side.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 패키지 몸체 표면을 감싸는 절연층을 더 포함할 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment may further include an insulating layer surrounding the package body surface.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되고 서로 전기적으로 절연된 제1전극층 및 제2전극층을 더 포함하며, 상기 제1전극층과 상기 제2전극층은 상기 절연층 표면상에 형성되어 상기 패키지 몸체의 배면에 형성된 제1 외부 전극층 및 제2외부 전극층까지 연장될 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment further includes a first electrode layer and a second electrode layer electrically connected to the light emitting device and electrically insulated from each other, wherein the first electrode layer and the second electrode layer are formed on a surface of the insulating layer. And extend to the first external electrode layer and the second external electrode layer formed on the rear surface of the package body.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 광측정소자와 전기적으로 연결된 제3전극층 및 제4전극층을 더 포함하며, 상기 제3전극층과 상기 제4전극층은 상기 절연층 표면상에 형성되어 상기 패키지 몸체의 배면에 형성된 제1 외부 전극층 및 제2외부 전극층까지 연장될 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment further includes a third electrode layer and a fourth electrode layer electrically connected to the optical measuring device, wherein the third electrode layer and the fourth electrode layer are formed on a surface of the insulating layer to form the package body. It may extend to the first outer electrode layer and the second outer electrode layer formed on the rear surface.
상기 광측정소자는 상기 발광소자로부터의 방출되는 광 및 외부 입사 광 중 적어도 하나의 광량을 측정할 수 있다. The optical measuring device may measure an amount of light of at least one of light emitted from the light emitting device and external incident light.
상기 광측정소자는 광흡수층을 포함하며, 상기 광측정소자와 상기 발광 소자는 서로 전기적으로 절연되어 있을 수 있다. The optical measuring device may include a light absorbing layer, and the optical measuring device and the light emitting device may be electrically insulated from each other.
상기 광측정소자는 광전도체 측정 소자, 반도체 접합 측정 소자 및 금속-반도체 접합 측정 소자 중 어느 하나일 수 있다.The optical measuring device may be any one of a photoconductor measuring device, a semiconductor junction measuring device, and a metal-semiconductor junction measuring device.
실시예에 따르면, 발광 소자로부터 발생되는 광 출력을 측정할 수 있어 발광 소자의 광학 특성 및/또는 전기적 특성을 효과적으로 보상해줄 수 있다. 따라서, 균일한 발광 특성을 갖는 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다. According to the embodiment, the light output generated from the light emitting device can be measured to effectively compensate for the optical and / or electrical properties of the light emitting device. Accordingly, it is possible to provide a light emitting device package having uniform light emitting characteristics.
실시예에 따르면, 발광 소자의 광 출력을 측정하여 공급 전류를 조절하여 발광 소자의 광학 및/또는 전기적 특성을 제어할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다. According to an embodiment, a light emitting device package capable of controlling optical and / or electrical characteristics of a light emitting device by measuring a light output of the light emitting device and adjusting a supply current may be provided.
또한, 실시예에 따르면, 발광 소자 외부의 밝기 정보를 감지할 수 있어 외부의 밝기 정보에 따라 발광 소자의 동작 및 밝기를 유연하게 조절할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다. In addition, according to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package that can sense the brightness information of the outside of the light emitting device to flexibly adjust the operation and brightness of the light emitting device according to the external brightness information.
또한, 실시예에 따르면 실리콘 웨이퍼 레벨의 LED 패키지를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment can provide a silicon wafer level LED package.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광측정소자 내장형 발광 소자 패키지의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도1의 A-A'선을 따른 단면도이다.
도3은 도1의 B-B'선을 따른 단면도이다.
도4는 도1의 C-C'선을 따른 단면도이다.
도5는 도1의 광측정소자를 포함하는 모서리의 확대도이다.1 is a perspective view showing the configuration of a light-emitting device package with a light measuring device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 1.
FIG. 5 is an enlarged view of a corner including the optical measuring device of FIG. 1. FIG.
이하 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 단, 첨부된 도면은 실시예의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the accompanying drawings are only described in order to more easily disclose the contents of the embodiments, the scope of the present invention is not limited to the scope of the accompanying drawings will be readily understood by those of ordinary skill in the art. Could be.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도, 도2 는 도1의 A-A'선을 따른 단면도, 도3은 도1의 B-B'선을 따른 단면도, 도4는 도1의 C-C'선을 따른 단면도, 그리고 도5는 도1의 광측정소자를 포함하는 모서리의 확대도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment, FIG. 2 is a sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view taken along the line B-B' of FIG. 1, FIG. 5 is an enlarged view of a corner including the optical measuring device of FIG.
도1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110), 발광 소자(120) 및 광측정소자(130)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 1, the light emitting device package 100 of the present invention may include a
패키지 몸체(110)에는 적어도 일부분에 상부가 개방된 캐비티(cavity)가 형성되어 있을 수 있다. 이때, 캐비티(111)는 발광 소자(120)가 배치될 수 있도록 함몰된 형태일 수 있다. 따라서, 패키지 몸체(110)는 캐비티(111) 주변에 돌출된 영역을 포함할 수 있다. 광측정소자(130)는 캐비티(111) 주변의 돌출된 영역상에 위치할 수 있다. 이때, 캐비티(111)의 개방부는 발광 소자(120)의 발광 방향으로 개방되어 있을 수 있다.The
패키지 몸체(110)는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 도1에는 패키지 몸체(110)가 직육면체의 형태를 갖는 것이 예시되나, 패키지 몸체(110)는 임의의 다면체의 형태를 가질 수 있다. The
캐비티(111)에는 발광 소자(120)가 배치될 수 있도록, 캐비티(111)의 표면형상은 다각형, 원형 또는 타원형 등이 될 수 있다. 캐비티(111)는 패키지 몸체(110)에 대한 건식 식각 및/또는 습식 식각 공정을 통해 형성될 수 있으나, 다른 방식의 공정에 의해서도 형성될 수 있다.The surface shape of the
절연층(112)은 패키지 몸체(110)를 감쌀 수 있다. 절연층(112)은 패키지 몸체(110)와 발광 소자(120) 간의 전기적 절연, 패키지 몸체(110)와 광측정 소자(130) 간의 전기적 절연, 및 패키지 몸체(111)와 전극층(114, 116, 115, 117, 132 및 134)과의 전기적 절연을 위해 형성된다. 절연층(112)은 실리콘 산화물(예를 들면, SiO2 등), 실리콘 질화물(예를 들면, Si3N4 등), 질화 알루미늄(AlN), 탄화 규소(SiC) 등의 절연 물질로 형성될 수 있다. The insulating
발광 소자(120)로서는 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 이용될 수 있다. 예를 들면, 유색의 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드일 수 있으나, 광을 방출할 수 있는 소자이면, 어떤 것이든 발광 소자로서 이용될 수 있다. 발광 소자(120)는 캐비티(111)에 접착제로 부착될 수 있다. 접착제는 전도성 재질을 포함할 수 있다. 절연층(112)에 의해 패키지 몸체(110)와 발광 소자(120)는 절연된다. 도면에서는 발광 소자(120)가 하나만 배치되는 것으로 도시되었으나, 2 이상의 발광 소자(120)가 배치될 수도 있음은 물론이다. As the
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자(120)에 전기적으로 연결되는 제1전극층(114)과 제2전극층(116)을 포함한다. 도1 내지 도3에는, 발광 소자(120)가 제1전극층(114) 상에 형성됨으로써 발광 소자(120)와 제1전극층(114)이 전기적으로 연결됨이 예시된다. 또한, 발광 소자(120)와 제2전극층(116)은 와이어(wire)에 의해 전기적으로 연결됨이 예시된다. 하지만, 이는 단지 예시일 뿐이고, 제1전극층(114) 및/또는 제2전극층(116)은 와이어 및 기타 다른 수단을 통해 발광 소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment includes a
제1전극층(114) 및 제2전극층(116) 중 적어도 하나는 단층 및/또는 다층의 금속층으로 형성될 수 있다. 이때, 제1전극층(114) 및 제2전극층(116) 중 적어도 하나는 발광 소자 패키지의 발광 효율을 높이기 위해 반사도가 높은 금속으로 형성될 수 있다. 이때, 제1전극층(114)과 제2전극층(116)은 서로 절연되어 있다. 제1전극층(114)과 제2전극층(116)의 사이에는 절연부(118)가 형성될 수 있다. At least one of the
제1전극층(114)과 제2전극층(116)은 각각 발광 소자 패키지의 제1외부 전극층(115) 및 제2외부 전극층(117)에 연결될 수 있다. 제1외부 전극층(115) 및 제2외부 전극층(117)은 패키지 몸체(110)의 배면에 형성될 수 있다. 제1전극층(114) 및 제2전극층(116)은 패키지 몸체(110)의 표면에서 연장되어 패키지 몸체(110)의 배면에 형성된 제1외부 전극층(115) 및 제2외부 전극층(117)에 접촉될 수 있다. The
제1 및 제2 외부 전극층(115, 117)은 표면실장기술(SMT: Surface Mount Technology) 공정으로 발광 소자 패키지를 기판에 실장할 때, 기판 배선에 전기적 및/또는 기계적으로 결합될 수 있다. 제1및 제2외부 전극층(115, 117)은 접착제와의 접합력이 우수한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 제1및 제2외부 전극층(115, 117) 중 적어도 하나는 단층 및/또는 다층으로 형성될 수 있다. The first and second external electrode layers 115 and 117 may be electrically and / or mechanically coupled to the substrate wiring when the light emitting device package is mounted on the substrate by a surface mount technology (SMT) process. The first and second external electrode layers 115 and 117 may be made of a metal material having excellent bonding strength with the adhesive. At least one of the first and second external electrode layers 115 and 117 may be formed in a single layer and / or a multilayer.
광측정소자(130)는 광전도체, 반도체 접합 측정 소자 및 금속-반도체 접합 측정 소자 중 어느 하나 일 수 있다. 예컨대, 광측정소자(130)는 광전도체(photoconductor), PN구조 광다이오드(PN type photodiode), PIN 구조 광다이오드, APD(Avalanche photodiode) 또는 MSM(Metal Semiconductor Metal) 구조 광 다이오드 등으로 형성될 수 있다.The
광측정소자(130)는 패키지 몸체(110)의 적어도 일부 상에 위치하여 발광 소자(120)로부터의 광의 세기 및/또는 외부의 광의 세기를 측정할 수 있다. 도1 내지 도3에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110)에서 캐비티(111)가 함몰된 형태로 형성되는 경우, 광측정소자(130)는 캐비티(111) 주변의 돌출된 영역상에 형성될 수 있다. The
도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 광측정소자(130)는 광측정 소자(130)의 일부만이 상기 돌출된 영역상에 위치하는 외팔보 형태를 가질 수 있다. 이때, 광측정소자(130)의 나머지 일부는 발광 소자(120)가 배치된 캐비티(111) 측으로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 이와 같이, 광측정소자(130)가 발광 소자(120)의 상단, 즉 발광 소자(120)의 발광 방향에 위치하도록 함으로써 발광 소자로부터의 광 출력량을 정확하게 측정할 수 있다. 1 and 2, the
광측정소자(130)는 광흡수층(131) 및 광흡수층(131)에 전기적으로 연결된 제3 및 제4 전극층(132, 134)을 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 패키지 몸체(110)와 광측정소자(130) 사이의 전기적 절연을 위해 패키지 몸체(110)는 절연층(112)으로 둘러싸여 있다. 이때, 절연층(112)은 발광 소자(120) 또는 외부 광의 반사를 통해 광흡수층(131)의 광흡수율을 높일 수 있다. The
광흡수층(131)은 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering) 또는 에피택시(epitaxy) 등과 같은 방법을 통해 형성될 수 있다. 광흡수층(131)은 발광 소자(120)에서 나오는 파장 대역에 따라 해당 파장 대역의 광 흡수율이 높은 물질이 사용될 수 있다. 예컨대, 광흡수층(131)은 실리콘(silicon), 다결정 실리콘(poly-silicon) 또는 비정질 실리콘(Amorphous silicon)과 같은 실리콘 반도체와 GaN과 같은 질화물 반도체 등을 포함할 수 있다. The
제3 및 제4 전극층(132, 134)은 광흡수층(131)과 전기적으로 연결된다. 제3및 제4전극층(132, 134) 중 적어도 하나는 단층 및/또는 다층의 금속층으로 형성될 수 있다. 제3 및 제4 전극층(132, 134) 중 적어도 하나는 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제3및 제4전극층(132, 134)은 서로 절연되며, 제3및 제4전극층(132, 134)은 각각 제1외부 전극층(115) 및 제2외부 전극층(117)에 연결될 수 있다. The third and fourth electrode layers 132 and 134 are electrically connected to the
도 5는 도1의 광측정소자를 포함하는 모서리의 확대도이다. 도 5에는 광흡수층(131) 상부에 광흡수층(131)의 절연 및/또는 보호를 위한 상부 절연층(133)을 더 포함하는 것이 도시된다. 캐비티(111)는, 절연층(112), 광흡수층(131) 및 상부 절연층(133)에 패턴을 형성하여 건식 식각 및/또는 습식 식각 공정을 통해 패키지 몸체(110)에 형성될 수 있다. 이후 캐비티(111)에는 발광소자 및 전극층과의 전기적 절연을 위한 절연층(112)이 형성된다. FIG. 5 is an enlarged view of a corner including the optical measuring device of FIG. 1. FIG. 5 further shows an upper insulating
이때, 캐비티(111)에는 수지물(미도시)이 형성될 수 있다. 수지물은 투명한 에폭시(epoxy) 또는 실리콘 재질을 포함할 수 있으며, 실시예에 따라 형광체가 첨가될 수 있다. 이러한 경우, 제1전극층 및 제2전극층(114, 116)은 수지물과의 접착력이 좋은 금속 물질을 포함할 수 있다. In this case, a resin material (not shown) may be formed in the
본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 전술한 바와 같이 광측정소자(130)를 내장하여, 발광 소자(120)로부터의 광 출력량을 효과적으로 측정할 수 있다. 이때 측정된 발광 소자(120)의 밝기 정보를 이용하여 발광 소자(120)의 전기적 및/또는 광학적 특성을 보상해줄 수 있다. 예컨대, 상기 광측정소자(130)로부터 측정된 발광 소자(120)의 밝기 정보를 이용해 발광 소자(120)로부터 광이 균일하게 출력될 수 있도록 보상할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 소자(120)는 소자 특성 등의 변화에 무관하게 균일한 발광 특성을 가질 수 있다. As described above, the light emitting device package according to the present invention may include the
예컨대, 광측정소자(130)에서 발광 소자(120)의 광 출력량을 측정하여 발광 소자 구동부로 전달할 수 있다. 발광 소자 구동부에서는 광측정소자(130)에서 측정된 광출력량을 이용하여 발광 소자에 인가되는 공급전원 또는 전류를 조절할 수 있다. 이에 따라 발광 소자(120)는 사용자가 원하는 전기적 및/또는 광학 특성을 가질 수 있다. 예컨대, 발광 소자(120)는 균일한 광 분포를 가질 수 있다. For example, the
또한, 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 복수개 구비한 발광 모듈(미도시)의 경우에는, 각각의 발광 소자(120)의 광출력량을 측정하여, 각각의 발광 소자(120)에 인가되는 전류를 제어함으로써 발광 모듈을 구성하는 전체 발광 소자(120)의 광출력 특성을 균일하게 유지할 수 있다. In addition, in the case of a light emitting module (not shown) having a plurality of light emitting device packages according to an embodiment of the present invention, the light output of each light emitting
또한, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 광측정소자(130)를 내장하여, 발광 소자(120)가 위치하는 환경의 외부 광을 측정하는 것도 가능하다. 따라서, 주변 환경의 밝기에 따라 발광 소자(120)의 동작 및/또는 밝기 정도를 유연하게 조절할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the present invention may include the
이상에서 보는 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시 될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. As described above, those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features.
그러므로, 이상에서 기술한 실시 예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the embodiments described above are to be understood in all respects as illustrative and not restrictive, and the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above description, and the meaning and scope of the claims And all changes or modifications derived from the equivalent concept should be construed as being included in the scope of the present invention.
110: 패키지 몸체 120: 발광 소자
130: 광측정소자 111: 캐비티
112: 절연층 114, 116: 제1 및 제2 전극층
115, 117: 제1 및 제2 외부 전극층
118: 절연부 132, 134: 제3 및 제4전극층
133: 상부 절연층 113, 213: 발광 소자
114, 214: 접합제 115, 116, 215: 전극110: package body 120: light emitting element
130: optical measuring element 111: cavity
112: insulating
115, 117: First and second external electrode layers
118:
133: upper insulating layer 113, 213: light emitting element
114, 214:
Claims (9)
상기 개방된 영역을 통해 광을 방출하도록 상기 캐비티에 배치되는 발광 소자; 및
상기 패키지 몸체의 적어도 일부 상에 위치하여 광의 세기를 측정하는 광측정소자를 포함하고,
상기 캐비티는 상기 패키지 몸체의 적어도 일부분이 함몰된 형태를 가지며 상기 패키지 몸체는 상기 캐비티 주변에 돌출된 영역을 포함하고,
상기 광측정소자는 상기 돌출된 영역상에 위치하는, 발광 소자 패키지. A package body on which at least a cavity having an open top is formed;
A light emitting element disposed in the cavity to emit light through the open area; And
Located on at least a portion of the package body includes an optical measuring device for measuring the intensity of light,
The cavity has a shape in which at least a portion of the package body is recessed and the package body includes an area protruding around the cavity,
The optical measuring device is located on the projecting area, the light emitting device package.
상기 광측정소자는 상기 광측정소자의 일부만이 상기 돌출된 영역상에 위치하는 외팔보 형태를 가지고 상기 광측정 소자의 나머지는 상기 캐비티측으로 돌출된, 발광 소자 패키지. The method of claim 1,
The light measuring device has a cantilever shape in which only a part of the light measuring device is positioned on the protruding region, and the rest of the light measuring device protrudes toward the cavity side.
상기 패키지 몸체 표면을 감싸는 절연층을 더 포함하는, 발광 소자 패키지. The method according to claim 1 or 3,
The light emitting device package further comprises an insulating layer surrounding the package body surface.
상기 발광 소자와 전기적으로 연결되고 서로 전기적으로 절연된 제1전극층 및 제2전극층을 더 포함하며,
상기 제1전극층과 상기 제2전극층은 상기 절연층 표면상에서 연장되어 상기 패키지 몸체의 배면에 형성된 제1 외부 전극층 및 제2외부 전극층과 각각 연결되는, 발광 소자 패키지.5. The method of claim 4,
Further comprising a first electrode layer and a second electrode layer electrically connected to the light emitting device and electrically insulated from each other,
The first electrode layer and the second electrode layer extends on the surface of the insulating layer and connected to the first external electrode layer and the second external electrode layer formed on the back of the package body, respectively.
상기 광측정소자는 광흡수층 및 상기 광흡수층에 전기적으로 연결된 제3전극층 및 제4전극층을 포함하며,
상기 제3전극층과 상기 제4전극층은 연장되어 상기 패키지 몸체의 배면에 형성된 제1 외부 전극층 및 제2외부 전극층과 각각 연결되는, 발광 소자 패키지. 5. The method of claim 4,
The optical measuring device includes a light absorbing layer and a third electrode layer and a fourth electrode layer electrically connected to the light absorbing layer,
The third electrode layer and the fourth electrode layer is extended and connected to the first external electrode layer and the second external electrode layer formed on the back of the package body, respectively, the light emitting device package.
상기 광측정소자는 상기 발광소자로부터의 방출되는 광 및 외부 입사 광 중 적어도 하나의 광량을 측정하는, 발광 소자 패키지. The method according to claim 1 or 3,
The optical measuring device measures a light amount of at least one of light emitted from the light emitting device and external incident light.
상기 광측정소자와 상기 발광 소자는 서로 전기적으로 절연되어 있는, 발광 소자 패키지. The method according to claim 1 or 3,
The light measuring device and the light emitting device is electrically insulated from each other, the light emitting device package.
상기 광측정소자는 광전도체 측정 소자, 반도체 접합 측정 소자 및 금속-반도체 접합 측정 소자 중 어느 하나인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1 or 3,
The optical measuring device is any one of a photoconductor measuring device, a semiconductor junction measuring device and a metal-semiconductor junction measuring device, the light emitting device package.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110096096A KR101230914B1 (en) | 2011-09-23 | 2011-09-23 | Photo-detection element embedded light emitting diode package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110096096A KR101230914B1 (en) | 2011-09-23 | 2011-09-23 | Photo-detection element embedded light emitting diode package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101230914B1 true KR101230914B1 (en) | 2013-02-07 |
Family
ID=47899098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110096096A KR101230914B1 (en) | 2011-09-23 | 2011-09-23 | Photo-detection element embedded light emitting diode package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101230914B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101554816B1 (en) | 2014-03-17 | 2015-09-21 | 한국광기술원 | Improved oled module and using lighting device with improved luminous uniformity |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070039197A (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-11 | 광전자 주식회사 | Led including photo diode and electrical component |
JP2009010044A (en) | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Light emitting device |
KR20100035237A (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting emitting device package and fabrication method thereof |
JP2011009559A (en) | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Light-emitting device |
-
2011
- 2011-09-23 KR KR1020110096096A patent/KR101230914B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070039197A (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-11 | 광전자 주식회사 | Led including photo diode and electrical component |
JP2009010044A (en) | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Light emitting device |
KR20100035237A (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting emitting device package and fabrication method thereof |
JP2011009559A (en) | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Light-emitting device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101554816B1 (en) | 2014-03-17 | 2015-09-21 | 한국광기술원 | Improved oled module and using lighting device with improved luminous uniformity |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101761385B1 (en) | Light emitting device | |
KR101762324B1 (en) | A light emitting device | |
US9780260B2 (en) | Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same | |
US10593654B2 (en) | Light emitting device package and light source apparatus | |
CN108780829A (en) | Semiconductor devices | |
KR20160046198A (en) | A light emitting device package | |
KR20150029919A (en) | Light emitting device package | |
TWI802587B (en) | Semiconductor device package | |
KR101448153B1 (en) | Multi-chip package for LED chip and multi-chip package LED device | |
JP2007243054A (en) | Light-emitting device | |
KR102086077B1 (en) | Optical lens and camera module having thereof | |
US8461609B2 (en) | Light emitting device package | |
KR101055003B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, lighting system, and method for fabricating the light emitting device | |
JP2014032981A (en) | Light emitting device and manufacturing method of the same | |
KR101230914B1 (en) | Photo-detection element embedded light emitting diode package | |
JP2009010048A (en) | Light-emitting device | |
KR101662239B1 (en) | A light emitting device, a method of fabricating the light emitting device, and a light emitting device package | |
KR20200134465A (en) | Light emitting device package, lighting device and method of manufacturing the same | |
KR102409180B1 (en) | Light emitting device package and lighiting device | |
KR101694999B1 (en) | Light emitting device | |
KR101155033B1 (en) | Led package | |
KR101659739B1 (en) | Light emitting device and fabrication method thereof | |
JP2007088096A (en) | Light-emitting device | |
KR101246220B1 (en) | Surface mounted light emitting diode package | |
KR102504323B1 (en) | A light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160128 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |