KR101244879B1 - Anti-reflecting board and manufacturing method thereof - Google Patents
Anti-reflecting board and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR101244879B1 KR101244879B1 KR1020120027726A KR20120027726A KR101244879B1 KR 101244879 B1 KR101244879 B1 KR 101244879B1 KR 1020120027726 A KR1020120027726 A KR 1020120027726A KR 20120027726 A KR20120027726 A KR 20120027726A KR 101244879 B1 KR101244879 B1 KR 101244879B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- forming
- antireflection
- base substrate
- reflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 136
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 82
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 18
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 12
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 8
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920002574 CR-39 Polymers 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 6
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 6
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 6
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000013615 primer Substances 0.000 description 2
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
반사 방지 기판 및 그 제조 방법이 개시된다. 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계; 건식 에칭 방식을 이용하여 베이스 기판의 표면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계 및 무기물 입자의 증착에 의해 복수의 돌기형 구조체 각각에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사 방지 구조체를 형성하여, 베이스 기판 표면에 반사 방지층을 형성하는 단계를 포함하는 반사 방지 기판 및 그 제조 방법이 제공된다.An antireflection substrate and a method of manufacturing the same are disclosed. Preparing a base substrate capable of transmitting light; Forming a plurality of protrusion structures on the surface of the base substrate using a dry etching method, and forming an anti-reflection structure that can prevent reflection of light on each of the plurality of protrusion structures by deposition of inorganic particles, Provided are an antireflective substrate and a method of manufacturing the same, including forming an antireflective layer on a substrate surface.
Description
본 발명은 반사 방지 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an antireflection substrate and a method of manufacturing the same.
최근 사용이 증대되고 있는 휴대폰, 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 휴대용 전자 기기의 등장으로 인하여, 강화 유리, 폴리머 등으로 이루어지는 휴대용 전자 기기의 화면을 보호하기 위한 화면 보호용 기판의 광학적 특성이 향상되어야 할 필요가 있다. 나아가, 화면 보호용 기판이 아니라, 직접 휴대용 전자 기기의 화면을 대체할 수 있는 기판의 필요성 역시 점차 증대되고 있는 실정이다. Due to the emergence of portable electronic devices such as mobile phones, smart phones, tablet PCs, etc., which have recently increased in use, optical properties of screen protection substrates for protecting screens of portable electronic devices made of tempered glass, polymer, etc. need to be improved. There is. In addition, the need for a substrate that can directly replace the screen of the portable electronic device, rather than the screen protection substrate is also increasing.
현재 휴대용 전자 기기의 화면에 사용되기 위한 유연소자 구현을 위한 기술적 요구는 LCD및 LED로 대변되는 디스플레이와 박막 및 유기 태양전지에서 광범위하게 대두되고 있다. 이러한 유연소자 구현의 기술적 선결 조건으로 기존 유리 기판이 유연 폴리머기판으로 대체되어야만 한다. 폴리머 기판은 기계적으로 뛰어난 유연성을 가지고 경량이어서 제품디자인의 자유도를 높이면서도 유리에 준하는 광특성과 화학적 안정성이 요구된다.At present, the technical requirements for the implementation of flexible devices for use in screens of portable electronic devices are widely used in displays, thin films, and organic solar cells represented by LCDs and LEDs. As a technical prerequisite for the implementation of the flexible device, the existing glass substrate must be replaced with the flexible polymer substrate. Polymer substrates are mechanically flexible and lightweight, which increases the degree of freedom of product design while requiring optical properties and chemical stability comparable to those of glass.
반사방지특성의 조절을 통한 광투과성의 향상, 명암의 향상, 고스트 이미지의 제거 등은 투명 폴리머 기판의 상용화를 위한 핵심 요소 기술로 알려져 있다. 폴리머 고유의 물질 특성으로는 완전히 구현될 수 없는 이러한 요소 기술들은 폴리머 기판 표면상의 화학 및 구조적 변형과 이종의 코팅물질의 추가 등을 통해 시도되어 왔다.The improvement of light transmittance through the adjustment of the anti-reflective properties, the enhancement of the contrast, the removal of the ghost image, etc. are known as the core element technology for commercialization of the transparent polymer substrate. These elemental techniques, which cannot be fully realized with polymer-specific material properties, have been attempted through chemical and structural modifications on the surface of polymer substrates and the addition of heterogeneous coating materials.
이와 관련한 기술로 공개 특허 제2010-0099092호가 있다.
In the related art, there is a publication 2010-0099092.
본 발명의 실시예들은, 베이스 기판 표면의 전처리를 통하여 빛의 반사를 방지하여 투과도를 향상시킴으로서 광학적 특성이 향상되는 반사 방지 기판을 제공한다.
Embodiments of the present invention provide an antireflection substrate having optical properties improved by improving light transmittance by preventing reflection of light through pretreatment of the base substrate surface.
본 발명의 일 측면에 따르면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계; 건식 에칭 방식을 이용하여 베이스 기판의 표면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계 및 무기물 입자의 증착에 의해 복수의 돌기형 구조체 각각에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사 방지 구조체를 형성하여, 베이스 기판 표면에 반사 방지층을 형성하는 단계를 포함하는 반사 방지 기판 제조 방법이 제공된다.According to an aspect of the invention, preparing a base substrate capable of transmitting light; Forming a plurality of protrusion structures on the surface of the base substrate using a dry etching method, and forming an anti-reflection structure that can prevent reflection of light on each of the plurality of protrusion structures by deposition of inorganic particles, A method of manufacturing an antireflective substrate is provided that includes forming an antireflective layer on a substrate surface.
복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계는, 플라즈마 건식 에칭 방식을 이용하여 베이스 기판의 표면에 복수의 돌기형 구조체를 형성될 수 있다. In the forming of the plurality of protrusion structures, the plurality of protrusion structures may be formed on the surface of the base substrate by using a plasma dry etching method.
반사 방지층을 형성하는 단계는, 무기물 입자를 플라즈마 박막 증착하여 반사 방지 구조체를 형성될 수 있다. In the forming of the anti-reflection layer, the inorganic particles may be deposited by plasma thin film formation to form an anti-reflection structure.
반사 방지 구조체는 200nm 이하의 간격으로 배열되며, 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계는, 반사 방지 구조체가 200nm 이하의 간격으로 배열될 수 있도록 복수의 돌기형 구조체의 직경 및 배열 간격을 조절하기 위하여 에칭 노출 시간을 제어하는 단계를 포함할 수 있다.The antireflective structures are arranged at intervals of 200 nm or less, and the forming of the plurality of projecting structures may include adjusting the diameters and the arrangement intervals of the plurality of projecting structures so that the antireflective structures can be arranged at intervals of 200 nm or less. Controlling the etch exposure time.
에칭 노출 시간을 제어하는 단계는, 에칭 노출 시간을 7분 미만으로 할 수 있다. Controlling the etching exposure time may make the etching exposure time less than 7 minutes.
반사 방지층을 형성하는 단계는, 직경이 균일한 반사 방지 구조체로 이루어지는 단일막 구조의 반사 방지층을 형성할 수 있다. The forming of the antireflection layer may form an antireflection layer having a single film structure formed of an antireflection structure having a uniform diameter.
반사 방지층을 형성하는 단계는, 구 형상의 반사 방지 구조체를 형성할 수 있다. In the forming of the antireflection layer, a spherical antireflection structure may be formed.
반사 방지층을 형성하는 단계 이후에, 반사 방지층의 표면에 연속 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. After forming the anti-reflection layer, the method may further include forming a continuous thin film layer on the surface of the anti-reflection layer.
연속 박막층을 형성하는 단계는, 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 연속 박막층을 형성할 수 있다. In the forming of the continuous thin film layer, the continuous thin film layer may be formed using the same material as the inorganic particles.
연속 박막층은, 5nm 이상 100nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. The continuous thin film layer may be formed with a thickness of 5 nm or more and 100 nm or less.
베이스 기판의 표면에는 강화 코팅층이 마련될 수 있다. The surface of the base substrate may be provided with a reinforcement coating layer.
건식 에칭 방식을 이용하여 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계는, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 포함하여 사용할 수 있다. Forming the plurality of protrusion structures by using a dry etching method may include at least one gas selected from Ar, O 2, H 2, He, and N 2.
무기물 입자는, 금속물질 (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. Inorganic particles, metals (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te At least one selected from oxides and nitrides of Ti, W, Zn, Zr, and Yb, and compounds of oxide-nitrides (AlON, SiON) and magnesium fluoride Can be done.
베이스 기판은, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. The base substrate is at least one selected from fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39, and polyurethane. It can be made, including.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판, 베이스 기판의 일면에 형성되는 복수의 돌기형 구조체, 복수의 돌기형 구조체에 형성되며, 무기물 입자의 증착에 의하여 형성되는 반사 방지 구조체로 이루어지며, 베이스 기판의 표면에 형성되는 반사 방지층을 포함하는 반사 방지 기판이 제공된다. According to another aspect of the present invention, a base substrate capable of transmitting light, a plurality of projection structure formed on one surface of the base substrate, a plurality of projection structure formed on the anti-reflective structure formed by the deposition of inorganic particles An antireflection substrate is provided that includes an antireflection layer formed on a surface of a base substrate.
복수의 돌기형 구조체는, 플라즈마 건식 에칭 방식을 이용하여 베이스 기판의 표면에 형성될 수 있다. The plurality of protrusion structures may be formed on the surface of the base substrate by using a plasma dry etching method.
반사 방지층은, 무기물 입자를 플라즈마 박막 증착하여 형성되는 반사 방지 구조체로 이루어질 수 있다. The antireflection layer may be formed of an antireflection structure formed by depositing inorganic particles with a plasma thin film.
반사 방지 구조체는, 200nm 이하의 간격으로 배열될 수 있다. The antireflective structures may be arranged at intervals of 200 nm or less.
반사 방지층은, 직경이 균일한 상기 반사 방지 구조체로 이루어지는 단일막 구조일 수 있다. The antireflection layer may have a single film structure including the antireflection structure having a uniform diameter.
반사 방지 구조체는, 구 형상으로 형성될 수 있다. The antireflection structure may be formed in a spherical shape.
이때, 반사 방지층의 표면에 형성되는 연속 박막층을 더 포함할 수 있다. In this case, the method may further include a continuous thin film layer formed on the surface of the anti-reflection layer.
연속 박막층은, 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 형성될 수 있다. The continuous thin film layer may be formed using the same material as the inorganic particles.
연속 박막층은, 5nm 이상 100nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. The continuous thin film layer may be formed with a thickness of 5 nm or more and 100 nm or less.
베이스 기판은, 베이스 기판의 표면에는 강화 코팅층이 마련될 수 있다. The base substrate may be provided with a reinforcement coating layer on the surface of the base substrate.
무기물 입자는, 금속물질 (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON)및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. Inorganic particles, metals (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te At least one selected from oxides and nitrides of Ti, W, Zn, Zr, and Yb, and compounds of oxide-nitrides (AlON, SiON) and magnesium fluoride. Can be done.
베이스 기판은, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
The base substrate is at least one selected from fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39, and polyurethane. It can be made, including.
본 발명의 실시예에 따르면, 반사 방지층의 형성 단계 이전에 플라즈마와 같은 건식 에칭 방식을 이용하여 베이스 기판의 표면을 전처리 함으로써, 이후 형성되는 반사 방지층을 이루는 반사 방지 구조체의 배열 간격 및 크기 등을 용이하게 제어할 수 있다. 그러므로 반사 방지 기판의 광학적 특성 및 물리적 특성 역시 용이하게 제어할 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, before the step of forming the anti-reflective layer, the surface of the base substrate is pretreated using a dry etching method such as plasma, thereby facilitating the arrangement interval and size of the anti-reflective structure forming the anti-reflective layer to be formed later. Can be controlled. Therefore, the optical and physical properties of the antireflection substrate can also be easily controlled.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판을 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판의 실제 구조를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 순서도.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 방지 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 공정도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 방지 기판의 건식 에칭 처리 시간에 따른 빛의 투과도를 나타낸 도면.
도 9은 본 발명의 일 실시예에 따라 서로 인접하게 배열된 반사 방지 구조체를 나타낸 도면.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판의 내구성 측정 결과를 도시한 도면.
도 11은 공지의 반사 방지 기판에 따른 내구성 측정 결과를 도시한 도면.1 is a schematic view showing an anti-reflection substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing the actual structure of the anti-reflective substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a flow chart sequentially showing a method of manufacturing an antireflective substrate according to another embodiment of the present invention.
4 to 7 are process diagrams sequentially showing a method of manufacturing an anti-reflection substrate according to another embodiment of the present invention.
8 is a view showing the transmittance of light with the dry etching treatment time of the antireflective substrate according to another embodiment of the present invention.
9 illustrates an antireflective structure arranged adjacent to each other in accordance with an embodiment of the present invention.
10 is a view showing the durability measurement results of the anti-reflective substrate according to an embodiment of the present invention.
11 is a view showing the durability measurement results according to a known antireflection substrate.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
이하, 본 발명에 따른 반사 방지 기판 및 그 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of an anti-reflection substrate and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals. Duplicate description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판을 개략적으로 도시한 도면이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지 기판의 실제 모습을 현미경으로 촬영한 도면이다. 1 is a view schematically showing an antireflective substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view taken with a microscope the actual state of the antireflective substrate according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따라, 도 1 및 도 2에 도시된 반사 방지 기판을 제조하기 위한 방법을 순서대로 나타낸 순서도이며, 도 4 내지 도 7은, 도 3의 순서도에 따라 제조되는 반사 방지 기판을 순서대로 도시한 공정도이다. FIG. 3 is a flow chart sequentially illustrating a method for manufacturing the antireflective substrate shown in FIGS. 1 and 2, according to another embodiment of the invention, and FIGS. 4 to 7 are manufactured according to the flow chart of FIG. 3. It is a process chart which shows an antireflection board in order.
본 발명의 일 실시예에 따라, 베이스 기판(110) 준비 단계(s100), 복수의 돌기형 구조체(120) 형성 단계(s200) 및 반사 방지층(130) 형성 단계(s300)를 포함하는 반사 방지 기판의 제조 방법이 제공된다. According to an embodiment of the present invention, an anti-reflection substrate including a
베이스 기판(110) 준비 단계(s100)는, 도 4에 도시된 것과 같이 빛의 투과가 가능한 재질로 이루어지는 베이스 기판(110)을 준비하는 단계이다. In the preparing of the base substrate 110 (s100), as shown in FIG. 4, the
베이스 기판(110)은 빛의 투과가 가능하도록, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
본 실시예에 따른 베이스 기판(110)은 투명한 폴리머 재질로 이루어 질 수 있으므로, 빛이 원활히 투과되어야 하는 휴대용 전자 기기의 디스플레이 화면과 같은 곳에 용이하게 사용될 수 있다. Since the
이때, 본 실시예에 따른 베이스 기판(110)은 표면에 형성되는 강화 코팅층을 포함하여 형성될 수 있다. At this time, the
강화 코팅층은, 베이스 기판(110)의 강도 및 경도 등과 같은 물리적 특성을 향상시킬 수 있으며, 이후 베이스 기판(110)에 적층되는 반사 방지층(130)의 접착력 역시 향상시킬 수 있다. 또한, 강화 코팅층의 형성으로 인하여 베이스 기판(110)의 광학적 특성 역시 향상 가능하며, 내화학적 특성 역시 향상될 수 있다. The reinforcement coating layer may improve physical properties such as strength and hardness of the
강화 코팅층의 형성을 위하여 사용되는 폴리머 도료는, 아크릴계, 폴리우레탄계, 에폭시계 및 프라이머계 도료 중에서 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 폴리머 도료일 수 있으며, 이 외에도 베이스 기판(110)에 상술한 효과를 발휘시킬 수 있는 폴리머 도료라면 본 발명의 실시 범위에 포함될 수 있을 것이다. The polymer paint used to form the reinforcement coating layer may be a polymer paint composed of at least one of acrylic, polyurethane, epoxy, and primer paints, and in addition to the above-described effects on the
또한, 본 실시예에 따라 제공되는 강화 코팅층은, 무기 미립자인 금속산화물, 황화물, 알루미나, 실리카, 산화지르코늄, 산화철 등을 상술한 폴리머 도료에 섞어서 형성될 수 있다. In addition, the reinforcing coating layer provided according to the present embodiment may be formed by mixing the metal oxide, sulfide, alumina, silica, zirconium oxide, iron oxide, and the like, which are inorganic fine particles, with the above-described polymer paint.
복수의 돌기형 구조체(120)를 형성하는 단계(s200)는, 도 5에 도시된 것과 같이, 기존의 습식 에칭 방식과는 달리 건식 에칭 방식을 이용하여 베이스 기판(110)의 표면에 복수의 돌기형 구조체(120)를 형성하는 단계이다. Forming the plurality of protrusion structures 120 (s200), as shown in Figure 5, unlike the conventional wet etching method using a dry etching method a plurality of protrusions on the surface of the
건식 에칭 방식을 이용하게 되면, 습식 에칭을 이용하여 에칭하는 경우에 비하여 보다 정밀하고 정확하게 복수의 돌기형 구조체(120)의 형성을 제어할 수 있다. When the dry etching method is used, the formation of the plurality of
본 실시예에 따른 건식 에칭 방식은, 플라즈마 건식 에칭 방식일 수 있다. The dry etching method according to the present embodiment may be a plasma dry etching method.
이때, 본 실시예에 따라 플라즈마 건식 에칭 방식에 사용되는 물질로는, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체 중 하나 이상을 포함할 수 있다. In this case, the material used in the plasma dry etching method according to the present embodiment may include at least one of at least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He, and N 2 .
본 실시예에 따라, 베이스 기판(110)을 상술한 기체 물질 중 적어도 어느 하나의 기체를 포함하여 형성되는 플라즈마에 노출시키면, 베이스 기판(110)의 표면이 에칭되어 복수의 돌기형 구조체(120)가 형성될 수 있다. According to the present exemplary embodiment, when the
이때, 본 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 기판의 광학적 특성은 이후 자세히 서술하는 반사 방지 구조체로 이루어지는 반사 방지층(130)에 의하여 제어되며, 이러한 반사 방지 구조체 간의 간격을 제어하기 위하여는 반사 방지 구조체가 형성되는 복수의 돌기형 구조체(120) 간의 간격을 제어하여야 한다. In this case, the optical characteristics of the antireflection substrate provided according to the present embodiment are controlled by the antireflection layer 130 formed of the antireflection structure described in detail below, and in order to control the gap between the antireflection structures, The spacing between the plurality of
그러므로, 본 실시예에 따른 복수의 돌기형 구조체(120)는 반사 방지층(130)의 광학적 특성을 위하여 에칭 노출 시간이 제어될 수 있다. Therefore, the etching exposure time of the plurality of
특히, 본 실시예에 따라 제공되는 복수의 돌기형 구조체(120)를 형성하기 위하여, 베이스 기판(110)을 플라즈마에 노출시키는 시간은 7분 미만으로 제어될 수 있다. In particular, in order to form the plurality of
도 8은 베이스 기판(110)을 플라즈마에 노출시킨 시간에 따라, 반사 방지 기판의 반사 방지 특성의 변화를 도시한 그래프이다. 8 is a graph illustrating a change in the anti-reflection characteristics of the anti-reflection substrate according to the time when the
도 8에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 기판의 광학적 특성은 플라즈마 노출 시간이 3분 내외인 경우에 최대치를 나타내며, 플라즈마 노출 시간이 7분 이상이 되면, 플라즈마에 노출되지 않은 경우와 유사한 광학적 특성을 나타내게 된다. As shown in FIG. 8, the optical properties of the antireflective substrate provided in accordance with the present embodiment exhibit maximum values when the plasma exposure time is about 3 minutes, and when the plasma exposure time is 7 minutes or more, the optical properties are not exposed. Optical characteristics similar to those without.
그러므로, 본 실시예에 따라 반사 방지층(130)을 형성하기 위하여 베이스 기판(110)의 전처리로서 제공되는, 복수의 돌기형 구조체(120) 형성 단계에서의 플라즈마 노출 시간은 7분 미만일 수 있다. Therefore, the plasma exposure time in the forming of the plurality of
반사 방지층(130) 형성 단계(s300)는, 도 6에 도시된 것과 같이, 베이스 기판(110)의 표면에 건식 에칭 방식에 의하여 형성된 복수의 돌기형 구조체(120)에 무기물 입자를 증착시킴으로써, 각각의 돌기형 구조체에 반사 방지 구조체를 형성하여 반사 방지층(130)을 형성하는 단계이다. The anti-reflection layer 130 forming step (s300), as shown in Figure 6, by depositing the inorganic particles on the plurality of
본 실시예에 따라 제공되는 무기물 입자는, 금속물질 (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. The inorganic particles provided according to the present embodiment may be a metal material (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, From oxides and nitrides of Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb), and oxide-nitride compounds (AlON, SiON) and magnesium fluoride It may include at least one.
따라서, 상술한 무기물 입자를 통하여 형성된 반사 방지층(130) 역시 빛의 반사가 방지되어, 빛의 투과율 향상에 기여할 수 있다. Accordingly, the anti-reflection layer 130 formed through the inorganic particles described above may also prevent reflection of light, thereby contributing to the improvement of light transmittance.
본 실시예에 따라, 무기물 입자를 증착하는 방법은, 복수의 돌기형 구조체(120)를 형성하는 것과 마찬가지로 플라즈마를 이용하는 증착 방법일 수 있다. According to the present exemplary embodiment, the method of depositing inorganic particles may be a deposition method using plasma, similarly to forming the plurality of
무기물 입자를 플라즈마 방식으로 증착하게 되면, 증착 초기에는 복수의 돌기형 구조체(120) 및 복수의 돌기형 구조체(120) 사이의 골짜기(valley)에 균일하게 무기물 입자가 증착된다. When the inorganic particles are deposited by the plasma method, the inorganic particles are uniformly deposited in a valley between the plurality of
그러나, 점차 시간이 지나면서, 플라즈마 입자의 음영 효과(shadow effect)로 인하여, 기체로 이루어진 플라즈마 상에서 베이스 기판(110)의 표면으로 도달하는 무기물 입자가 복수의 돌기형 구조체(120) 및 복수의 돌기형 구조체(120) 상부에서 성장하는 반사 방지 구조체에 가려져서 복수의 돌기형 구조체(120) 사이의 골짜기까지 도달하지 못하는 현상이 발생하게 된다. However, over time, due to the shadow effect of the plasma particles, the inorganic particles reaching the surface of the
따라서, 복수의 돌기형 구조체(120) 상부에 증착되는 무기물 입자가 증가하게 되므로, 결국에는 복수의 돌기형 구조체(120)의 상부에만 무기물 입자가 증착된다. Therefore, since the inorganic particles deposited on the plurality of
또한, 베이스 기판(110)에 수 mm 이내의 거리로 근접한 플라즈마 영역 (plasma sheath)에서는, 베이스 기판(110)의 표면에서 돌출한 부분에 불균형적인 음전하의 축적이 발생하고 이는 이 부분으로 양전하 이온이나 반응기체의 집중을 유도하는 현상이 발생하게 된다. In addition, in the plasma sheath proximate to the
그 결과로써 베이스 기판(110)의 표면에서 수직한 방향으로 돌출한 복수의 돌기형 구조체에 반응 기체가 집중되어 반사 방지 구조체가 복수의 돌기형 구조체(120)의 상부에만 집중적으로 형성되도록 한다. As a result, the reaction gas is concentrated on the plurality of protrusion structures protruding in a direction perpendicular to the surface of the
상술한 두 가지 원인을 바탕으로 하여, 도 6에 도시된 것과 같이, 복수의 돌기형 구조체(120) 각각의 상부에는 단위 입자 구조를 가지는 반사 방지 구조체가 형성된다. Based on the two causes described above, as shown in FIG. 6, an antireflection structure having a unit particle structure is formed on each of the plurality of
이때, 도 6에 도시된 것과 같이, 복수의 돌기형 구조체(120) 각각의 상부에 형성되는 반사 방지 구조체는, 구 형상으로 형성될 수 있다. In this case, as illustrated in FIG. 6, the antireflection structure formed on each of the plurality of
본 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 구조체는, 빛의 투과 효율을 증가시키고, 빛의 반사를 방지하기 위하여 200 nm 이하의 간격으로 배열될 수 있다. The antireflective structure provided according to the present embodiment may be arranged at intervals of 200 nm or less to increase the transmission efficiency of light and to prevent the reflection of light.
이때, 본 실시예에 따라 제공되는 베이스 기판(110)은, 플라즈마 노출 시간을 제어하여 복수의 돌기형 구조체(120) 간의 배열 간격을 조절함으로써 반사 방지 구조체의 배열 간격을 조절할 수 있음은 상술한 것과 같다. At this time, the
한편, 반사 방지층(130)은 광학적 특성의 증대뿐만 아니라, 물리적 특성의 향상을 위하여, 반사 방지 구조체는 서로 인접하여 배치될 수 있다. On the other hand, the anti-reflection layer 130 may be disposed adjacent to each other, not only to increase the optical characteristics, but also to improve the physical characteristics.
도 9에는 서로 인접하여 배치되는 반사 방지 구조체가 도시되어 있다. 9 shows an antireflective structure disposed adjacent to each other.
반사 방지 구조체가 서로 인접하여 배치되는 경우에는, 그렇지 않은 경우에 비하여, 강도 및 내구성과 같은 물리적 특성이 증가된다. When the antireflective structures are disposed adjacent to each other, physical properties such as strength and durability are increased in comparison with the other cases.
도 10에는 반사 방지 구조체가 서로 인접하여 배치되는 반사 방지 기판을 실험군으로 설정하고, 도 11에는 대조군으로 반사 방지 구조체의 형성 없이 단순히 연속적으로 형성되는 코팅층을 포함하는 기판을 설정하여 지우개 마모 시험기(Rubbing tester)를 이용한 내마모 시험기 신뢰성 테스터를 수행한 결과를 도시하고 있다. In FIG. 10, an antireflective substrate having antireflective structures disposed adjacent to each other is set as an experimental group, and in FIG. 11, a substrate including a coating layer that is simply continuously formed without forming an antireflective structure is set as a control. A tester reliability tester using a tester is shown.
테스터 조건은, 타이핑 고무 지우개 (직경 1/4 in)를 마찰자로 하고, 하중은 500 gram, 시험 속도 40회/min 및 시험 횟수 1500회로 설정되었으며, 결과의 분석은 각각의 반사 방지층(130) 및 코팅층의 지우개 마모 시험 전후 H2O의 접촉각을 측정하여 발수 특성을 평가하였다. The tester conditions were to set the type of rubber eraser (1/4 in diameter) as the friction, the load was set to 500 grams, the
도 10에 도시된 것과 같이, 서로 인접하게 배치된 반사 방지 구조체를 포함하는 반사 방지층(130)이, 도 11에 도시된 연속적인 코팅층보다 지우개 마모 시험 후에도 H2O의 접촉각의 편차가 작아 강도 및 내구성과 같은 물리적 특성에 있어서, 보다 우수한 결과를 나타내고 있다. As shown in FIG. 10, the antireflective layer 130 including the antireflective structures disposed adjacent to each other has a smaller variation in the contact angle of H 2 O than the continuous coating layer shown in FIG. 11 even after the eraser wear test. In physical properties such as durability, better results are shown.
이때, 본 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 기판은, 연속 박막층(140)을 형성하는 단계(s400)를 더 포함할 수 있다. In this case, the anti-reflection substrate provided according to the present embodiment may further include forming the continuous thin film layer 140 (S400).
연속 박막층(140)은, 도 7에 도시된 것과 같이, 반사 방지층(130) 표면에 형성되는 것으로, 반사 방지 기판의 강도, 경도, 내구성 등의 물리적 특성을 보다 향상시키기 위하여, 단위 입자 구조를 가지는 반사 방지 구조체 표면에 형성되는 연속적인 면을 가지는 물질의 층이다. As illustrated in FIG. 7, the continuous thin film layer 140 is formed on the surface of the antireflection layer 130 and has a unit particle structure in order to further improve physical properties such as strength, hardness, and durability of the antireflection substrate. It is a layer of material with a continuous face formed on the surface of the antireflective structure.
본 실시예에 따라 제공되는 연속 박막층(140)은, 반사 방지층(130)을 형성하기 위하여 사용되는 무기물 입자와 동일한 물질을 사용하여 이루어질 수 있다. The continuous thin film layer 140 provided according to the present embodiment may be formed using the same material as the inorganic particles used to form the anti-reflection layer 130.
반사 방지층(130)과 동일한 물질을 사용하여 이루어지는 경우에는, 빛의 굴절과 같은 광학적 특성의 제어가 용이하며, 제조 공정에 있어서 번거로움이 감소될 수 있다. In the case of using the same material as the anti-reflection layer 130, it is easy to control optical characteristics such as refraction of light, and troublesomeness may be reduced in the manufacturing process.
한편, 본 실시예에 따라 제공되는 연속 박막층(140)은 광학적 특성의 제어를 위하여 5 nm 이상 100 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. Meanwhile, the continuous thin film layer 140 provided according to the present embodiment may be formed to have a thickness of 5 nm or more and 100 nm or less for controlling the optical characteristics.
본 실시예에 따라 제공되는 연속 박막층(140)은, 무기물 입자의 증착에 의하여 형성될 수 있다. The continuous thin film layer 140 provided according to the present embodiment may be formed by deposition of inorganic particles.
상술한 플라즈마 증착 방식 이외에도, 물리적 증기 증착법(PVD, Physical Vapor Diposition), 화학적 증기 증착법(CVD, Chemical Vapor Deposition)과 같은 증착법과 같이 일반적으로 물질의 증착에 이용되는 다양한 방법을 사용하여 형성될 수 있음은 물론이다. In addition to the above-described plasma deposition method, it may be formed using various methods generally used for deposition of materials, such as deposition methods such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD). Of course.
또한, 증착법 이외에도, 솔 겔(sol-gel), 혹은 디핑(dipping) 등과 같이 액상의 폴리머 입자를, 반사 방지층(130)을 이루고 있는 구 형상의 반사 방지 구조체 사이의 공간 및 반사 방지층(130) 표면에까지 도포하여 연속 박막층(140)을 형성하는 방법이 이용될 수도 있다. In addition to the vapor deposition method, the space between the spherical antireflective structure forming the antireflective layer 130 and the surface of the antireflective layer 130 include liquid polymer particles such as sol-gel or dipping. The method of forming the continuous thin film layer 140 by applying to may be used.
이상에서 서술한 것과 같이, 본 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 기판의 제조 방법은, 반사 방지층(130)의 형성 단계 이전에 플라즈마와 같은 건식 에칭 방식을 이용하여 베이스 기판(110)의 표면을 전처리 함으로써, 이후 형성되는 반사 방지층(130)을 이루는 반사 방지 구조체의 배열 간격 및 크기 등을 용이하게 제어할 수 있다. As described above, in the method of manufacturing the antireflective substrate provided according to the present embodiment, the surface of the
그러므로 반사 방지 기판의 광학적 특성 및 물리적 특성 역시 용이하게 제어할 수 있는 반사 방지 기판의 제조 방법이 제공될 수 있다. Therefore, a method of manufacturing an antireflective substrate can be provided that can also easily control the optical and physical properties of the antireflective substrate.
이하에서는 전술한 반사 방지 기판의 제조 방법에 의하여 제조되는 반사 방지 기판에 의하여 설명하기로 한다. Hereinafter, an antireflection substrate manufactured by the above-described antireflection substrate manufacturing method will be described.
도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 본 발명의 다른 일 실시예에 따라, 베이스 기판(110), 복수의 돌기형 구조체(120), 반사 방지층(130)을 포함하는 반사 방지 기판이 제공된다. As shown in FIGS. 1 and 2, in accordance with another embodiment of the present invention, an antireflection substrate including a
베이스 기판(110)은, 빛의 투과가 가능한 재질로 이루어지는 기판으로, 빛의 투과가 가능하도록, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. The
본 실시예에 따른 베이스 기판(110)은 투명한 폴리머 재질로 이루어 질 수 있으므로, 빛이 원활히 투과되어야 하는 휴대용 전자 기기의 디스플레이 화면과 같은 곳에 용이하게 사용될 수 있다. Since the
이때, 본 실시예에 따른 베이스 기판(110)은 표면에 형성되는 강화 코팅층을 포함하여 형성될 수 있다. At this time, the
강화 코팅층은, 베이스 기판(110)의 강도 및 경도 등과 같은 물리적 특성을 향상시킬 수 있으며, 이후 베이스 기판(110)에 적층되는 반사 방지층(130)의 접착력 역시 향상시킬 수 있다. 또한, 강화 코팅층의 형성으로 인하여 베이스 기판(110)의 광학적 특성 역시 향상 가능하며, 내화학적 특성 역시 향상될 수 있다. The reinforcement coating layer may improve physical properties such as strength and hardness of the
강화 코팅층의 형성을 위하여 사용되는 폴리머 도료는, 아크릴계, 폴리우레탄계, 에폭시계 및 프라이머계 도료 중에서 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 폴리머 도료일 수 있으며, 이 외에도 베이스 기판(110)에 상술한 효과를 발휘시킬 수 있는 폴리머 도료라면 본 발명의 실시 범위에 포함될 수 있을 것이다. The polymer paint used to form the reinforcement coating layer may be a polymer paint composed of at least one of acrylic, polyurethane, epoxy, and primer paints, and in addition to the above-described effects on the
또한, 본 실시예에 따라 제공되는 강화 코팅층은, 무기 미립자인 금속산화물, 황화물, 알루미나, 실리카, 산화지르코늄, 산화철 등을 상술한 폴리머 도료에 섞어서 형성될 수 있음은 전술한 것과 같다. In addition, the reinforcing coating layer provided according to the present embodiment may be formed by mixing a metal oxide, sulfide, alumina, silica, zirconium oxide, iron oxide, and the like, which are inorganic fine particles, with the above-described polymer paint.
복수의 돌기형 구조체(120)는, 베이스 기판(110)의 표면을 건식 에칭 방식으로 식각하여 형성되는 부분이다. The plurality of
전술한 것과 같이, 본 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 기판의 광학적 특성은, 반사 방지 구조체로 이루어지는 반사 방지층(130)에 의하여 제어된다. 또한, 이러한 반사 방지 구조체 간의 간격은, 반사 방지 구조체가 형성되는 복수의 돌기형 구조체(120) 간의 간격에 의하여 제어된다. As described above, the optical characteristics of the antireflective substrate provided according to the present embodiment are controlled by the antireflective layer 130 made of the antireflective structure. In addition, the spacing between the antireflective structures is controlled by the spacing between the plurality of
그러므로, 이후 서술하는 것과 같이, 200 nm 이하의 간격으로 반사 방지 구조체가 배열될 수 있도록, 반사 방지 구조체가 형성되는 복수의 돌기형 구조체(120) 간의 간격 역시 200 nm 이하의 간격으로 배열되도록 제어될 수 있다. Therefore, as will be described later, the intervals between the plurality of
복수의 돌기형 구조체(120) 간의 배열 간격의 제어는 플라즈마와 같은 건식 에칭에 노출되는 시간을 제어를 통하여 이루어진다. Control of the spacing between the plurality of
반사 방지층(130)은, 반사 방지 기판의 광학적 특성 및 물리적 특성의 제어를 위하여, 베이스 기판(110)의 표면에 건식 에칭 방식에 의하여 형성된 복수의 돌기형 구조체(120)에 무기물 입자를 증착시킴으로써, 각각의 돌기형 구조체에 형성되는 반사 방지 구조체로 이루어지는 층이다. The anti-reflection layer 130 is formed by depositing inorganic particles on the plurality of
본 실시예에 따라 제공되는 무기물 입자는, 금속물질 (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. The inorganic particles provided according to the present embodiment may be a metal material (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, From oxides and nitrides of Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb), and oxide-nitride compounds (AlON, SiON) and magnesium fluoride It may include at least one.
따라서, 상술한 무기물 입자를 통하여 형성된 반사 방지층(130) 역시 빛의 반사가 방지되어, 빛의 투과율 향상에 기여할 수 있다. Accordingly, the anti-reflection layer 130 formed through the inorganic particles described above may also prevent reflection of light, thereby contributing to the improvement of light transmittance.
본 실시예에 따라, 무기물 입자를 증착하는 방법은, 복수의 돌기형 구조체(120)를 형성하는 것과 마찬가지로 플라즈마를 이용하는 증착 방법일 수 있다. According to the present exemplary embodiment, the method of depositing inorganic particles may be a deposition method using plasma, similarly to forming the plurality of
상술한 것과 같이 본 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 구조체는, 빛의 투과 효율을 증가시키고, 빛의 반사를 방지하기 위하여 200 nm 이하의 간격으로 배열될 수 있다. As described above, the antireflective structure provided according to the present embodiment may be arranged at intervals of 200 nm or less in order to increase light transmission efficiency and prevent light reflection.
또한, 본 실시예에 따라 제공되는 베이스 기판(110)은, 플라즈마 노출 시간을 제어하여 복수의 돌기형 구조체(120) 간의 배열 간격을 조절함으로써 반사 방지 구조체의 배열 간격을 조절할 수 있음 역시 상술한 것과 같다. In addition, the
이때, 반사 방지 구조체는 서로 인접하여 배치될 수 있으며, 서로 인접하여 배치되는 반사 방지 구조체에 의하여 형성되는 반사 방지층(130)으로 인하여, 반사 방지 기판의 강도 및 내구성과 같은 물리적 특성이 증가된다.In this case, the antireflective structures may be disposed adjacent to each other, and due to the antireflective layer 130 formed by the antireflective structures disposed adjacent to each other, physical properties such as strength and durability of the antireflective substrate are increased.
이와 관련된 실험 결과가 도 10 및 도 11에 도시되어 있으며, 도 10에 도시된 것과 같이, 서로 인접하게 배치된 반사 방지 구조체를 포함하는 반사 방지층(130)이, 도 11에 도시된 연속적인 코팅층보다 지우개 마모 시험 후에도 H2O의 접촉각의 편차가 작아 강도 및 내구성과 같은 물리적 특성에 있어서, 보다 우수한 결과를 나타내고 있다. Experimental results related to this are shown in FIGS. 10 and 11, and as shown in FIG. 10, an anti-reflection layer 130 including an anti-reflective structure disposed adjacent to each other is formed by the continuous coating layer shown in FIG. 11. Even after the eraser abrasion test, the variation in the contact angle of H 2 O is small, and the results are superior in physical properties such as strength and durability.
본 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 기판은, 연속 박막층(140)을 더 포함할 수 있다. The antireflection substrate provided according to the present embodiment may further include a continuous thin film layer 140.
연속 박막층(140)은, 반사 방지층(130) 표면에 형성되는 것으로, 반사 방지 기판의 강도, 경도, 내구성 등의 물리적 특성을 보다 향상시키기 위하여, 단위 입자 구조를 가지는 반사 방지 구조체 표면에 형성되는 연속적인 면을 가지는 물질의 층이다. The continuous thin film layer 140 is formed on the surface of the antireflection layer 130, and is formed on the surface of the antireflection structure having a unit particle structure in order to further improve physical properties such as strength, hardness, and durability of the antireflection substrate. It is a layer of material with a positive face.
본 실시예에 따라 제공되는 연속 박막층(140)은, 반사 방지층(130)을 형성하기 위하여 사용되는 무기물 입자와 동일한 물질을 사용하여 이루어질 수 있다. The continuous thin film layer 140 provided according to the present embodiment may be formed using the same material as the inorganic particles used to form the anti-reflection layer 130.
반사 방지층(130)과 동일한 물질을 사용하여 이루어지는 경우에는, 빛의 굴절과 같은 광학적 특성의 제어가 용이하며, 제조 공정에 있어서 번거로움이 감소될 수 있다. In the case of using the same material as the anti-reflection layer 130, it is easy to control optical characteristics such as refraction of light, and troublesomeness may be reduced in the manufacturing process.
한편, 본 실시예에 따라 제공되는 연속 박막층(140)은 광학적 특성의 제어를 위하여 5 nm 이상 100 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. Meanwhile, the continuous thin film layer 140 provided according to the present embodiment may be formed to have a thickness of 5 nm or more and 100 nm or less for controlling the optical characteristics.
이상에서 서술한 것과 같이, 본 실시예에 따라 제공되는 반사 방지 기판은 반사 방지층(130)의 형성 단계 이전에 플라즈마와 같은 건식 에칭 방식을 이용하여 베이스 기판(110)의 표면을 전처리 함으로써, 이후 형성되는 반사 방지층(130)을 이루는 반사 방지 구조체의 배열 간격 및 크기 등을 용이하게 제어할 수 있다. As described above, the antireflective substrate provided according to the present embodiment is formed by pretreating the surface of the
그러므로 반사 방지 기판의 광학적 특성 및 물리적 특성 역시 용이하게 제어할 수 있는 반사 방지 기판이 제공될 수 있다. Therefore, the antireflective substrate can be provided which can also easily control the optical and physical characteristics of the antireflective substrate.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention as set forth in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.
110: 베이스 기판
120: 복수의 돌기형 구조체
130: 반사 방지층
140: 연속 박막층110: Base substrate
120: a plurality of protrusion structures
130: antireflection layer
140: continuous thin film layer
Claims (26)
건식 에칭 방식을 이용하여 상기 베이스 기판의 표면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및
무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사 방지 구조체를 형성하여, 상기 베이스 기판 표면에 반사 방지층을 형성하는 단계를 포함하는 반사 방지 기판 제조 방법.
Preparing a base substrate capable of transmitting light;
Forming a plurality of protruding structures on the surface of the base substrate using a dry etching method; And
Forming an antireflection structure on the surface of the base substrate by forming an antireflection structure capable of preventing reflection of light on each of the plurality of protrusion structures by deposition of inorganic particles.
상기 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계는,
플라즈마 건식 에칭 방식을 이용하여 상기 베이스 기판의 표면에 상기 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the plurality of protrusion structures,
A method of manufacturing an anti-reflection substrate, characterized in that to form the plurality of projection structure on the surface of the base substrate using a plasma dry etching method.
상기 반사 방지층을 형성하는 단계는,
상기 무기물 입자를 플라즈마 박막 증착하여 상기 반사 방지 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.The method of claim 1,
Forming the anti-reflection layer,
Plasma thin film deposition of the inorganic particles to form the anti-reflection substrate, characterized in that for forming.
상기 반사 방지 구조체는 200nm 이하의 간격으로 배열되며,
상기 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계는,
상기 반사 방지 구조체가 200nm 이하의 간격으로 배열될 수 있도록 상기 복수의 돌기형 구조체의 직경 및 배열 간격을 조절하기 위하여 에칭 노출 시간을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The antireflective structures are arranged at intervals of 200 nm or less,
Forming the plurality of protrusion structures,
And controlling an etching exposure time to adjust the diameters and the arrangement intervals of the plurality of protruding structures so that the antireflective structures can be arranged at intervals of 200 nm or less.
상기 에칭 노출 시간을 제어하는 단계는,
상기 에칭 노출 시간을 7분 미만으로 하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Controlling the etching exposure time,
The etching exposure time is less than 7 minutes.
상기 반사 방지층을 형성하는 단계는,
서로 인접하여 배치되는 상기 반사 방지 구조체로 이루어지는 상기 반사 방지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the anti-reflection layer,
And forming the anti-reflection layer made of the anti-reflective structure disposed adjacent to each other.
상기 반사 방지층을 형성하는 단계는,
구 형상의 상기 반사 방지 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the anti-reflection layer,
A method for producing an antireflective substrate, comprising forming the spherical antireflection structure.
상기 반사 방지층을 형성하는 단계 이후에,
상기 반사 방지층의 표면에 연속 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
After forming the anti-reflection layer,
And forming a continuous thin film layer on the surface of the anti-reflection layer.
상기 연속 박막층을 형성하는 단계는,
상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 상기 연속 박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Forming the continuous thin film layer,
And forming the continuous thin film layer using the same material as the inorganic particles.
상기 연속 박막층은,
5nm 이상 100nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
9. The method of claim 8,
The continuous thin film layer,
It is formed with the thickness of 5 nm or more and 100 nm or less, The anti-reflective substrate manufacturing method characterized by the above-mentioned.
상기 베이스 기판의 표면에는 강화 코팅층이 구비될 수 있는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
Method of manufacturing an anti-reflection substrate, characterized in that the surface of the base substrate may be provided with a reinforcement coating layer.
건식 에칭 방식을 이용하여 상기 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계는,
Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 포함하여 건식 에칭하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the plurality of protrusion structures by using a dry etching method,
A method of manufacturing an antireflective substrate comprising dry etching comprising at least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He and N 2 .
상기 무기물 입자는,
금속물질 (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON)및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The inorganic particles,
Metallic materials (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W , Zn, Zr, Yb) oxide and nitride, and oxide-nitride compound (oxynitride: AlON, SiON) and magnesium fluoride (Magnesium fluoride) at least one selected from the Anti-reflective substrate manufacturing method.
상기 베이스 기판은,
불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The base substrate includes:
Fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39 and at least one selected from polyurethane (polyiourethane) An antireflection substrate manufacturing method characterized by the above-mentioned.
상기 베이스 기판의 일면에 형성되는 복수의 돌기형 구조체;
상기 복수의 돌기형 구조체에 형성되며, 무기물 입자의 증착에 의하여 형성되는 반사 방지 구조체로 이루어지며, 상기 베이스 기판의 표면에 형성되는 반사 방지층을 포함하는 반사 방지 기판.A base substrate capable of transmitting light;
A plurality of protrusion structures formed on one surface of the base substrate;
An antireflection substrate formed on the plurality of protruding structures, the antireflection structure formed by deposition of inorganic particles, and including an antireflection layer formed on a surface of the base substrate.
상기 복수의 돌기형 구조체는,
플라즈마 건식 에칭 방식을 이용하여 상기 베이스 기판의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
16. The method of claim 15,
The plurality of protrusion structures,
The anti-reflection substrate is formed on the surface of the base substrate using a plasma dry etching method.
상기 반사 방지층은,
상기 무기물 입자를 플라즈마 박막 증착하여 형성되는 상기 반사 방지 구조체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
16. The method of claim 15,
The anti-reflection layer,
An anti-reflection substrate comprising the anti-reflective structure formed by depositing the inorganic particles with a plasma thin film.
상기 반사 방지 구조체는,
200nm 이하의 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
16. The method of claim 15,
The antireflection structure,
An anti-reflection substrate, characterized in that arranged at intervals of 200nm or less.
상기 반사 방지층은,
서로 인접하여 배치되는 상기 반사 방지 구조체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
16. The method of claim 15,
The anti-reflection layer,
An antireflection substrate comprising the antireflection structures disposed adjacent to each other.
상기 반사 방지 구조체는,
구 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
16. The method of claim 15,
The antireflection structure,
An antireflection substrate, characterized in that formed in a spherical shape.
상기 반사 방지층의 표면에 형성되는 연속 박막층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
16. The method of claim 15,
The anti-reflection substrate further comprises a continuous thin film layer formed on the surface of the anti-reflection layer.
상기 연속 박막층은,
상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
The method of claim 21,
The continuous thin film layer,
The antireflection substrate, characterized in that formed using the same material as the inorganic particles.
상기 연속 박막층은,
5nm 이상 100nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
The method of claim 21,
The continuous thin film layer,
An antireflection substrate, characterized in that formed at a thickness of 5 nm or more and 100 nm or less.
상기 베이스 기판은,
상기 베이스 기판의 표면에는 강화 코팅층이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
16. The method of claim 15,
The base substrate includes:
An antireflection substrate, characterized in that the reinforcing coating layer is provided on the surface of the base substrate.
상기 무기물 입자는,
금속물질 (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON)및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.
16. The method of claim 15,
The inorganic particles,
Metallic materials (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W , Zn, Zr, Yb) oxide and nitride, and oxide-nitride compound (oxynitride: AlON, SiON) and magnesium fluoride (Magnesium fluoride) at least one selected from the Antireflective substrate.
상기 베이스 기판은,
불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사 방지 기판.16. The method of claim 15,
The base substrate includes:
Fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39 and at least one selected from polyurethane (polyiourethane) An antireflection substrate.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120027726A KR101244879B1 (en) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | Anti-reflecting board and manufacturing method thereof |
| PCT/KR2012/003495 WO2013141442A1 (en) | 2012-03-19 | 2012-05-03 | Anti-reflective substrate and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120027726A KR101244879B1 (en) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | Anti-reflecting board and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101244879B1 true KR101244879B1 (en) | 2013-03-18 |
Family
ID=48182109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120027726A Active KR101244879B1 (en) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | Anti-reflecting board and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101244879B1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101601150B1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-09 | 한국기계연구원 | substrate having inorganic substance grown thereon and fabricating method for the same |
| KR20170052847A (en) * | 2015-11-05 | 2017-05-15 | 한국기계연구원 | Structure for preventing reflection and method of fabricating the same |
| KR20190055691A (en) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 한국기계연구원 | Polymer substrates comprising antireflective layer and thin metal layer and fabrication method for the same |
| US10527494B2 (en) | 2014-09-26 | 2020-01-07 | Korea Intitute of Machinery & Materials | Substrate on which multiple nanogaps are formed, and manufacturing method therefor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040071306A (en) * | 2002-01-11 | 2004-08-11 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | Antiglare optical film, polarizing plate and display unit using the same |
| KR20110007724A (en) * | 2009-07-17 | 2011-01-25 | 한국전자통신연구원 | Antireflective nanostructures and method of manufacturing the same |
| US20110073162A1 (en) | 2008-05-23 | 2011-03-31 | Kaneka Corporation | Substrate for thin-film photoelectric conversion device, thin-film photoelectric conversion device including the same, and method for producing substrate for thin-film photoelectric conversion device |
| KR20110104037A (en) * | 2008-12-17 | 2011-09-21 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | Light extraction film with nanoparticle coating |
-
2012
- 2012-03-19 KR KR1020120027726A patent/KR101244879B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040071306A (en) * | 2002-01-11 | 2004-08-11 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | Antiglare optical film, polarizing plate and display unit using the same |
| US20110073162A1 (en) | 2008-05-23 | 2011-03-31 | Kaneka Corporation | Substrate for thin-film photoelectric conversion device, thin-film photoelectric conversion device including the same, and method for producing substrate for thin-film photoelectric conversion device |
| KR20110104037A (en) * | 2008-12-17 | 2011-09-21 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | Light extraction film with nanoparticle coating |
| KR20110007724A (en) * | 2009-07-17 | 2011-01-25 | 한국전자통신연구원 | Antireflective nanostructures and method of manufacturing the same |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101601150B1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-09 | 한국기계연구원 | substrate having inorganic substance grown thereon and fabricating method for the same |
| US10527494B2 (en) | 2014-09-26 | 2020-01-07 | Korea Intitute of Machinery & Materials | Substrate on which multiple nanogaps are formed, and manufacturing method therefor |
| KR20170052847A (en) * | 2015-11-05 | 2017-05-15 | 한국기계연구원 | Structure for preventing reflection and method of fabricating the same |
| KR102103258B1 (en) | 2015-11-05 | 2020-04-23 | 한국기계연구원 | Structure for preventing reflection and method of fabricating the same |
| KR20190055691A (en) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 한국기계연구원 | Polymer substrates comprising antireflective layer and thin metal layer and fabrication method for the same |
| KR102116392B1 (en) * | 2017-11-15 | 2020-05-28 | 한국기계연구원 | Polymer substrates comprising antireflective layer and thin metal layer and fabrication method for the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102780687B1 (en) | Flexible multi-layered cover lens stacks for foldable displays | |
| CN107000382B (en) | Coatings for glass with improved scratch/abrasion resistance and oleophobic properties | |
| CN110712399B (en) | Glass laminate, front plate for display, display device, and method for producing glass laminate | |
| KR101244879B1 (en) | Anti-reflecting board and manufacturing method thereof | |
| CN105271795B (en) | The manufacturing method and cover glass of cover glass element for display | |
| CN116400438A (en) | Glass laminate, front panel for display, and display device | |
| JP5245892B2 (en) | Laminated film and method for producing the same | |
| EP3791217A1 (en) | Curved surface films and methods of manufacturing the same | |
| KR101244882B1 (en) | Anti-reflecting double layer board and manufacturing method thereof | |
| KR101244889B1 (en) | Anti-reflecting board and manufacturing method thereof | |
| WO2017030046A1 (en) | Laminate | |
| KR101244883B1 (en) | Anti-reflecting board having anti-fingerprint function and manufacturing method thereof | |
| KR101523747B1 (en) | Thin film type hard coating film and method for manufacturing the same | |
| JP2005017544A (en) | Antireflection film and image display apparatus | |
| US11485677B2 (en) | Textured glass articles and methods of making the same | |
| KR101205006B1 (en) | Transparent and conductive substrate and manufacturing method thereof | |
| KR101205004B1 (en) | Transparent and conductive substrate and manufacturing method thereof | |
| CN102544390B (en) | Manufacturing method of micro-lens structure and image display system comprising micro-lens structure | |
| US20250052928A1 (en) | Improved adhesion layer in flexible coverlens | |
| CN111885858B (en) | Housing assembly, method of making the same, and electronic device | |
| WO2024187810A1 (en) | Shell structure, display module, and electronic device | |
| KR101205005B1 (en) | Transparent and conductive substrate and manufacturing method thereof | |
| US20160122880A1 (en) | Method and device for forming protrusion by masking on surface of basic material | |
| CN117331151A (en) | Light-transmitting element and preparation method thereof | |
| KR102116392B1 (en) | Polymer substrates comprising antireflective layer and thin metal layer and fabrication method for the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20120319 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| PA0302 | Request for accelerated examination |
Patent event date: 20120320 Patent event code: PA03022R01D Comment text: Request for Accelerated Examination Patent event date: 20120319 Patent event code: PA03021R01I Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20130130 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20130311 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20130312 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20130313 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151209 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20151209 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161207 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20161207 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171218 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20171218 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181211 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181211 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191210 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20191210 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201209 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221207 Start annual number: 11 End annual number: 11 |