KR101205006B1 - Transparent and conductive substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR101205006B1
KR101205006B1 KR1020120047098A KR20120047098A KR101205006B1 KR 101205006 B1 KR101205006 B1 KR 101205006B1 KR 1020120047098 A KR1020120047098 A KR 1020120047098A KR 20120047098 A KR20120047098 A KR 20120047098A KR 101205006 B1 KR101205006 B1 KR 101205006B1
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transparent conductive
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conductive substrate
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reflection
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KR1020120047098A
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윤정흠
이건환
박연현
이성훈
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한국기계연구원
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Abstract

PURPOSE: A transparent conductive substrate and a manufacturing method thereof are provided to improve transmittance by forming a conductive anti-reflection layer and an anti-reflection layer on the sides of a base substrate. CONSTITUTION: A base substrate(100) includes a reinforced coating layer. An anti-reflection structure(140) or a conductive anti-reflection structure(260) is laminated on the base substrate. An index matching coating layer improves the optical properties of the base substrate. A conductive anti-reflection layer(220) is formed on a first side of the base substrate. The conductive anti-reflection layer includes a plurality of protruded structures(230) and an anti-reflection transparent conductive layer(240).

Description

투명전도성 기판 및 그 제조 방법{Transparent and conductive substrate and manufacturing method thereof}Transparent conductive substrate and manufacturing method thereof

본 발명은 투명전도성 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a transparent conductive substrate and a method of manufacturing the same.

최근 터치스크린은 휴대폰, 스마트폰, 태블릿 PC와 같은 휴대용 전자 기기에 많이 적용되고 있다. 터치스크린과 더불어 EL 백라이트, 전자파 보호 부재, 태양 전지 등이 등장하면서, 폴리머를 기반으로 하는 투명전도성 기판의 사용이 증대되고 있다. Recently, touch screens have been applied to portable electronic devices such as mobile phones, smartphones, and tablet PCs. In addition to touch screens, EL backlights, electromagnetic wave protection members, and solar cells have emerged, and the use of polymer-based transparent conductive substrates is increasing.

폴리머 기반 투명전도성 기판은, 폴리머 베이스 기판에 투명전도층이 코팅된 기판으로, 투명한 광학적 효과를 가지면서도 전기가 통할 수 있는 투명 전극 기판이다.The polymer-based transparent conductive substrate is a substrate on which a transparent conductive layer is coated on a polymer base substrate, and has a transparent optical effect and is a transparent electrode substrate that can pass electricity.

이러한 폴리머 기반 투명전도성 기판에 대하여 전기적 전도성 및 높은 광학적 투명성이 요구되고 있으나, 현재로서는 이러한 전기적 특성 및 광학적 특성을 동시에 구현하기에는 다소 무리가 있는 실정이다. Electrical conductivity and high optical transparency are required for such polymer-based transparent conductive substrates, but at present, it is rather difficult to simultaneously implement such electrical and optical characteristics.

이와 관련된 기술로 공개특허 제1010-0136515호(2011.12.21 공개. 염료감응 태양전지 단위 셀 및 이를 이용한 염료감응 태양전지모듈의 제작 방법)가 있다.
As a related technology, there is disclosed Korean Patent No. 1010-0136515 (published Dec. 21, 2011. Dye-sensitized solar cell unit cell and a method of manufacturing dye-sensitized solar cell module using same).

본 발명의 목적은 베이스 기판의 양면에 전도성 반사방지층 및 반사방지층을 형성하여 투과도를 향상시킴으로서 광투과 특성이 향상된 투명전도성 기판을 제공함에 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a transparent conductive substrate having improved light transmittance by forming a conductive antireflection layer and an antireflection layer on both sides of a base substrate to improve transmittance.

본 발명의 일 측면에 따르면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 베이스 기판의 제1면에 전도성 반사방지층을 형성하는 단계; 및 상기 베이스 기판의 제2면에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 전도성 반사방지층을 형성하는 단계는, 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제1면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및 투명전도성 물질의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 반사방지 투명전도층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 반사방지층을 형성하는 단계는, 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제2면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및 무기물 입자의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사방지 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법이 제공된다.According to an aspect of the invention, preparing a base substrate capable of transmitting light; Forming a conductive anti-reflection layer on the first surface of the base substrate; And forming an anti-reflection layer on the second surface of the base substrate, wherein the forming of the conductive anti-reflection layer comprises forming a plurality of protrusion structures on the first surface by using a dry etching method. ; And forming an anti-reflective transparent conductive layer on the plurality of protruding structures by depositing a transparent conductive material, wherein the forming of the anti-reflective layer may be performed using a dry etching method. Forming a plurality of protrusion structures on the substrate; And forming an antireflective structure capable of preventing reflection of light on the plurality of protruding structures by deposition of inorganic particles.

바람직하게는 반사방지 투명전도층은 연속전도층 및 전도성 반사방지 구조체를 포함할 수 있다.Preferably, the antireflective transparent conductive layer may include a continuous conductive layer and a conductive antireflective structure.

바람직하게는 상기 반사방지층은 상기 복수의 돌기형 구조체와 상기 반사방지 구조체 사이에 상기 무기물 입자의 증착에 의해 형성되는 연속층을 더 포함할 수 있다.Preferably, the anti-reflection layer may further include a continuous layer formed by deposition of the inorganic particles between the plurality of protrusion structures and the anti-reflection structure.

상기 베이스 기판은 강화 코팅층을 포함할 수 있다. The base substrate may include a reinforcing coating layer.

상기 베이스 기판은 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The base substrate may be at least one selected from fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39, and polyurethane. It may include.

상기 제1면 또는 제2면에 형성되는 복수의 돌기형 구조체는 플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The plurality of protrusion structures formed on the first or second surface may be formed using a plasma etching method or an ion beam etching method.

상기 제1면 또는 제2면에 이용되는 건식 에칭 방법은 Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용할 수 있다.The dry etching method used for the first surface or the second surface may use at least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He, and N 2 .

상기 반사방지 구조체 또는 상기 전도성 반사방지 구조체는 서로 인접하게 배치하여 형성될 수 있다.The antireflective structure or the conductive antireflective structure may be formed adjacent to each other.

상기 반사방지 구조체 또는 상기 전도성 반사방지 구조체는 구 형상일 수 있다.The antireflective structure or the conductive antireflective structure may be spherical in shape.

상기 투명전도성 물질은 Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물일 수 있다.The transparent conductive material may be an oxide including at least one selected from Zn, Cd, In, Ga, Sn, and Ti.

상기 반사방지 투명전도층은 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성될 수 있다.The antireflective transparent conductive layer may be formed by a sputtering method.

상기 반사방지 투명전도층은 30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. The antireflective transparent conductive layer may be formed to a thickness of 30 nm or more and 110 nm or less.

상기 무기물 입자는 금속물질(Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide), 상기 금속물질의 질화물(nitride) 및 불화 마그네슘(MagneSium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The inorganic particles may be a metal material (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te , Ti, W, Zn, Zr, and Yb) may include at least one selected from an oxide, a nitride of the metal material, and magnesium fluoride.

상기 반사방지 구조체는 200nm 이하의 간격으로 배열될 수 있다.The antireflective structures may be arranged at intervals of 200 nm or less.

바람직하게는 투명전도성 기판 제조 방법은 상기 반사방지층에 연속박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.Preferably, the method for manufacturing a transparent conductive substrate may further include forming a continuous thin film layer on the anti-reflection layer.

상기 연속박막층은 상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 상기 연속박막층을 형성할 수 있다.The continuous thin film layer may form the continuous thin film layer using the same material as the inorganic particles.

바람직하게는 투명전도성 기판 제조 방법은 상기 연속박막층 또는 반사방지층에 지문방지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.Preferably, the method for manufacturing a transparent conductive substrate may further include forming an anti-fingerprint layer on the continuous thin film layer or the anti-reflection layer.

상기 지문방지층은 사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성될 수 있다.The anti-fingerprint layer is cyclomethicone (Cyclomethicone, C 8 H 24 Si 4 O 4 ), hexamethyldiosilane (HMDSO), octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS), 2-fluoro-6-methoxybenzaldehyde, 3- Fluoro-4 methoxybenzaldehyde, 4-fluoro-3 methoxybenzaldehyde, 5-fluoro-2 methoxybenzaldehyde, 2-fluoro-6 methoxyphenol, 4-fluoro-2 methoxyphenol and 5- It may be formed by depositing at least one of fluoro-3 methoxysalicylaldehyde.

상기 지문방지층은 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
The anti-fingerprint layer may include at least one of methyl group (CH 3 ) and carbon fluoride group (CF).

본 발명의 다른 측면에 따르면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판; 상기 베이스 기판의 제1면에 형성된 전도성 반사방지층; 및 상기 베이스 기판의 제2면에 형성된 반사방지층을 포함하되, 상기 전도성 반사방지층은, 건식 에칭 방법을 이용하여 상기 제1면에 형성된 복수의 돌기형 구조체; 및 투명전도성 물질의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 형성된 반사방지 투명전도층을 포함하고, 상기 반사방지층은, 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제2면에 형성된 복수의 돌기형 구조체; 및 무기물 입자의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 형성된 반사방지 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판이 제공된다.According to another aspect of the invention, the base substrate capable of transmitting light; A conductive anti-reflection layer formed on the first surface of the base substrate; And an antireflection layer formed on a second surface of the base substrate, wherein the conductive antireflection layer comprises: a plurality of protrusion structures formed on the first surface by using a dry etching method; And an antireflective transparent conductive layer formed on the plurality of projecting structures by deposition of a transparent conductive material, wherein the antireflective layer comprises a plurality of projecting structures formed on the second surface by using a dry etching method. ; And an antireflective structure formed on the plurality of protruding structures by deposition of inorganic particles.

바람직하게는 반사방지 투명전도층은 연속전도층; 및 전도성 반사방지 구조체를 포함할 수 있다.Preferably, the antireflective transparent conductive layer comprises a continuous conductive layer; And a conductive antireflective structure.

바람직하게는 투명전도성 기판은 반사방지층에 형성된 연속박막층을 더 포함할 수 있다.Preferably, the transparent conductive substrate may further include a continuous thin film layer formed on the antireflection layer.

바람직하게는 투명전도성 기판은 연속박막층 또는 상기 반사방지층에 형성된 지문방지층을 더 포함할 수 있다.
Preferably, the transparent conductive substrate may further include an anti-fingerprint layer formed on the continuous thin film layer or the anti-reflection layer.

본 발명은 투명전도성 기판의 광투과 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
The present invention has the effect of improving the light transmission characteristics of the transparent conductive substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판의 실제 구조를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명전도성 기판의 실제 구조를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 순서도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 공정도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 투명전도층의 두께에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 전도성 반사방지 구조체의 실제 간격을 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 인접하게 배열된 전도성 반사방지 구조체를 나타낸 도면.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사방지 구조체의 실제 간격을 나타낸 도면.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판의 내구성 측정 결과를 도시한 도면.
도 13은 공지의 투명전도성 기판의 내구성 측정 결과를 도시한 도면.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 구조의 반사방지층에 의해 반사방지 특성이 향상된 정도를 도시한 그래프.1 is a schematic view showing a transparent conductive substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing the actual structure of a transparent conductive substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing the actual structure of a transparent conductive substrate according to another embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transparent conductive substrate according to an embodiment of the present invention in order.
5 is a process diagram sequentially showing a method of manufacturing a transparent conductive substrate according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a graph showing the antireflection characteristics according to the thickness of the antireflective transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a graph illustrating antireflection characteristics with respect to etching exposure time of a base substrate according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 8 illustrates the actual spacing of conductive antireflective structures with etch exposure time of a base substrate in accordance with one embodiment of the present invention. FIG.
9 illustrates conductive antireflective structures arranged adjacent to one another in accordance with one embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a graph showing antireflection characteristics with respect to etching exposure time of a base substrate according to another embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 11 illustrates the actual spacing of the antireflective structure over time of etching exposure of a base substrate in accordance with one embodiment of the present invention. FIG.
12 is a view showing the durability measurement results of the transparent conductive substrate according to an embodiment of the present invention.
Fig. 13 is a view showing the durability measurement results of a known transparent conductive substrate.
14 is a graph showing the degree of improvement of the anti-reflection characteristics by the anti-reflection layer of the double-sided structure according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하, 본 발명에 따른 광투과 특성이 향상된 투명전도성 기판 및 그 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of a transparent conductive substrate having improved light transmission characteristics and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the accompanying drawings, the same or corresponding components are the same. The reference numerals will be given and overlapping description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 나타낸 개략도, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판의 실제 구조를 나타낸 도면, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명전도성 기판의 실제 구조를 나타낸 도면이다.1 is a schematic view showing a transparent conductive substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing the actual structure of the transparent conductive substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 3 according to another embodiment of the present invention It is a figure which shows the actual structure of a transparent conductive board | substrate.

도 1에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판은 베이스 기판(100), 전도성 반사방지층(220), 반사방지층(120), 연속박막층(150) 및 지문방지층(160)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the transparent conductive substrate according to the exemplary embodiment of the present invention includes a base substrate 100, a conductive antireflection layer 220, an antireflection layer 120, a continuous thin film layer 150, and an anti-fingerprint layer 160. It includes.

베이스 기판(100)은 빛의 투과가 가능하도록, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. Base substrate 100 is a fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39 and polyurethane so as to transmit light It may comprise at least one selected from (polyiourethane).

베이스 기판(100)은 강화코팅층을 포함할 수 있다. 강화코팅층은, 베이스 기판(100)의 강도 및 경도 등과 같은 물리적 특성을 향상시킬 수 있으며, 이후 베이스 기판(100)에 적층되는 반사방지 구조체(140) 또는 전도성 반사방지 구조체(260)의 접착력 역시 향상시킬 수 있다. 또한, 강화코팅층 중 AR(반사방지)코팅층이나 Index Matching 코팅층은 베이스 기판(100)의 광학적 특성을 향상시킬 수도 있다.The base substrate 100 may include a reinforcement coating layer. The reinforcement coating layer may improve physical properties such as strength and hardness of the base substrate 100, and also improve adhesion of the antireflective structure 140 or the conductive antireflective structure 260 stacked on the base substrate 100. You can. In addition, the AR (reflective) coating layer or the index matching coating layer among the reinforcement coating layers may improve the optical characteristics of the base substrate 100.

강화코팅층의 형성을 위하여 사용되는 폴리머 도료는, 아크릴계, 폴리우레탄계, 에폭시계 및 프라이머계 도료 중에서 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 폴리머 도료일 수 있으며, 무기 미립자인 금속산화물, 황화물, 알루미나, 실리카, 산화지르코늄, 산화철 등을 상술한 폴리머 도료에 섞어서 형성될 수 있다. The polymer paint used to form the reinforcement coating layer may be a polymer paint composed of at least one of acrylic, polyurethane, epoxy, and primer paints, and inorganic metal particles, sulfides, alumina, silica, and zirconium oxide. , Iron oxide, or the like may be formed by mixing the aforementioned polymer paint.

이 외에도 베이스 기판(100)에 상술한 효과를 발휘시킬 수 있는 폴리머 도료라면 본 발명의 실시 범위에 포함될 수 있을 것이다. In addition, any polymer paint capable of exerting the above-described effects on the base substrate 100 may be included in the scope of the present invention.

전도성 반사방지층(220)은 베이스 기판(100)의 제1면에 형성되며, 복수의 돌기형 구조체(230) 및 반사방지 투명전도층(240)을 포함한다. The conductive antireflective layer 220 is formed on the first surface of the base substrate 100 and includes a plurality of protrusion-like structures 230 and an antireflective transparent conductive layer 240.

복수의 돌기형 구조체(230)는 건식 에칭 방법을 이용하여 베이스 기판(100)의 제1면에 형성된 구조체이다.The plurality of protrusion structures 230 are structures formed on the first surface of the base substrate 100 using a dry etching method.

반사방지 투명전도층(240)은 상기 복수의 돌기형 구조에 연속적으로 형성되는 연속전도층(250)과 빛의 반사를 방지하는 전도성 반사방지 구조체(260)를 포함한다. 도 2에는 반사방지 투명전도층(240)을 포함하는 투명전도성 기판의 실제 구조가 도시되어있다.The anti-reflective transparent conductive layer 240 includes a continuous conductive layer 250 continuously formed on the plurality of protrusion-type structures and a conductive anti-reflective structure 260 to prevent reflection of light. 2 illustrates the actual structure of a transparent conductive substrate including an antireflective transparent conductive layer 240.

반사방지 투명전도층(240)을 형성하는 투명전도성 물질(transparent electroconductive material)은 Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti의 산화물이나 이들 물질간의 화합물로 이루어진 산화물일 수 있다. 주로 사용되는 반사방지 투명전도층(240)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(Gallium Znic Oxide) 등이 있으며, 두 물질 이상의 산화물이 다층구조로 형성될 수 있다.The transparent electroconductive material forming the antireflective transparent conductive layer 240 may be an oxide of Zn, Cd, In, Ga, Sn and Ti or an oxide made of a compound between these materials. The antireflective transparent conductive layer 240 mainly used includes ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), GZO (Gallium Znic Oxide), and the like. It can be formed as.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 투명전도층의 두께에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 반사방지 투과 특성이 나타나는 영역은 반사방지 투명전도층(240)의 두께가 증가할수록 장파장대로 이동하고, 반사방지 투명전도층(240)의 두께가 110nm 이상이 되면 600nm 파장 이상의 가시광선만 투과된다. 반사방지 투명전도층(240)의 두께가 114nm 이상이 되면 투과되는 가시광선 영역이 극히 제한적으로 되므로, 투명전도성 기판의 반사방지 특성을 잃게 된다. 6 is a graph illustrating antireflection characteristics according to the thickness of an antireflective transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the region in which the anti-reflective transmission characteristic is exhibited moves with a longer wavelength as the thickness of the anti-reflective transparent conductive layer 240 increases, and when the thickness of the anti-reflective transparent conductive layer 240 becomes 110 nm or more, 600 nm. Only visible light above the wavelength is transmitted. When the thickness of the antireflective transparent conductive layer 240 is 114 nm or more, the visible light region to be transmitted is extremely limited, and thus the antireflective property of the transparent conductive substrate is lost.

따라서, 반사방지 투명전도층(240)은 30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 상기 두께로 형성되는 반사방지 투명전도층(240)을 포함하는 투명전도성 기판은 터치스크린 등에 사용되기 적합하다.Accordingly, the antireflective transparent conductive layer 240 may be formed to have a thickness of 30 nm or more and 110 nm or less. The transparent conductive substrate including the anti-reflective transparent conductive layer 240 formed to the thickness is suitable for use in a touch screen or the like.

한편, 투명전도성 기판이 터치스크린 등에 사용되기 위하여, 반사방지 투명전도층(240) 면저항은 100Ω/□ 이상 1000Ω/□이하에서 제어될 수 있다.On the other hand, in order for the transparent conductive substrate to be used in a touch screen or the like, the sheet resistance of the anti-reflective transparent conductive layer 240 may be controlled at 100Ω / □ or more and 1000Ω / □ or less.

다시 도 1을 참조하면, 연속전도층(250)은 복수의 돌기형 구조체(230)와 전도성 반사방지 구조체(260) 사이에 투명전도성 물질에 의해 연속적으로 형성된 층이다. 연속전도층(250)은 반사방지 투명전도층(240) 전체가 전도성을 가질 수 있게 한다.Referring back to FIG. 1, the continuous conductive layer 250 is a layer continuously formed by a transparent conductive material between the plurality of protruding structures 230 and the conductive antireflective structure 260. The continuous conductive layer 250 allows the entire antireflective transparent conductive layer 240 to have conductivity.

전도성 반사방지 구조체(260)는 복수의 돌기형 구조체(230)와 연속전도층(250) 상부에 형성된 구조체이다. 전도성 반사방지 구조체(260)는 구 형상으로 형성될 수 있다. The conductive antireflective structure 260 is a structure formed on the plurality of protrusion structures 230 and the continuous conductive layer 250. The conductive antireflective structure 260 may be formed in a spherical shape.

투명전도성 기판의 광학적 특성은 전도성 반사방지층(220)에 포함된 전도성 반사방지 구조체(260)의 직경 및 배열 간격에 의해 제어된다. 전도성 반사방지 구조체(260)의 직경은 전도성 반사방지 구조체(260)가 형성되는 과정 중의 공정 조건과 시간의 제어를 통해 조절될 수 있다. 한편, 전도성 반사방지 구조체(260)의 배열 간격은 전도성 반사방지 구조체(260)가 형성되는 복수의 돌기형 구조체(230) 간의 간격의 제어를 통해 조절될 수 있다.The optical properties of the transparent conductive substrate are controlled by the diameter and arrangement interval of the conductive antireflective structure 260 included in the conductive antireflective layer 220. The diameter of the conductive antireflective structure 260 may be adjusted through control of process conditions and time during the process of forming the conductive antireflective structure 260. On the other hand, the arrangement interval of the conductive antireflective structure 260 may be adjusted through the control of the interval between the plurality of protrusion-like structure 230 in which the conductive antireflective structure 260 is formed.

복수의 돌기형 구조체(230)의 간격은, 플라즈마 파워 또는 에칭 노출 시간을 조절하여 제어될 수 있다. 에칭 노출 시간은 베이스 기판(100)을 플라즈마에 노출하여 베이스 기판(100)을 에칭하는 시간을 말한다.The spacing of the plurality of protrusion structures 230 may be controlled by adjusting plasma power or etching exposure time. The etching exposure time refers to a time for etching the base substrate 100 by exposing the base substrate 100 to plasma.

도 7은 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프이다. 도 7에 도시된 것과 같이, 투명전도성 기판의 광학적 특성이 나타나는 가시광선의 영역은, 에칭 노출 시간이 3분인 경우에 가장 넓으며, 에칭 노출 시간이 7분인 경우에 가장 좁다. 에칭 시간이 7분 이상이 되면, 장파장(약 650nm 이상)에서만 광학적 특성이 나타난다.7 is a graph illustrating antireflection characteristics according to etching exposure time of a base substrate according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the region of visible light exhibiting optical characteristics of the transparent conductive substrate is the widest when the etching exposure time is 3 minutes and the narrowest when the etching exposure time is 7 minutes. When the etching time is 7 minutes or more, optical properties appear only at long wavelengths (about 650 nm or more).

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따라 제공되는 복수의 돌기형 구조체(230)을 형성하기 위하여, 베이스 기판(100)의 에칭 노출 시간은 7분미만으로 제어하는 것이 바람직하다. Therefore, in order to form the plurality of protrusion structures 230 provided in accordance with an embodiment of the present invention, the etching exposure time of the base substrate 100 is preferably controlled to less than seven minutes.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 전도성 반사방지 구조체(260)의 실제 간격을 나타낸 도면이다. 에칭 노출 시간을 조절하여 전도성 반사방지 구조체(260)의 간격을 제어할 수 있다. 도 8에 도시된 것과 같이, 에칭 노출 시간을 1분, 3분, 7분으로 설정함에 따라, 전도성 반사방지 구조체(260)의 간격은 커짐을 알 수 있다. 8 is a view showing the actual spacing of the conductive antireflective structure 260 according to the etching exposure time of the base substrate according to an embodiment of the present invention. The interval of the conductive antireflective structure 260 may be controlled by adjusting the etching exposure time. As shown in FIG. 8, it can be seen that as the etching exposure time is set to 1 minute, 3 minutes, and 7 minutes, the interval between the conductive antireflective structures 260 increases.

반사방지 투명전도층(240)의 밀도가 전도성 반사방지 구조체(260)의 간격이 달라지면 달라지므로, 반사방지 투명전도층(240)의 굴절률이 달라질 수 있다. 따라서 투명전도성 기판의 광학적 특성은 전도성 반사방지 구조체(260)의 간격을 조절하여 제어될 수 있다. 전도성 반사방지 구조체(260)는 빛의 투과 효율을 증가시키고 빛의 반사를 방지하기 위하여 200nm 이하의 간격으로 조절될 수 있다. Since the density of the antireflective transparent conductive layer 240 is changed when the gap between the conductive antireflective structures 260 is changed, the refractive index of the antireflective transparent conductive layer 240 can be varied. Therefore, the optical characteristics of the transparent conductive substrate may be controlled by adjusting the gap of the conductive antireflective structure 260. The conductive antireflective structure 260 may be adjusted at intervals of 200 nm or less to increase light transmission efficiency and prevent light reflection.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 인접하게 배열된 전도성 반사방지 구조체(260)를 나타낸 도면이다. 도 9에 도시된 것과 같이, 전도성 반사방지 구조체(260)가 서로 인접하게 배치되면, 그렇지 않은 경우에 비하여 전도성 반사방지층(220)의 광학적 특성이 증대될 수 있다.9 illustrates a conductive antireflective structure 260 arranged adjacent to each other in accordance with one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, when the conductive antireflective structures 260 are disposed adjacent to each other, the optical characteristics of the conductive antireflective layer 220 may be increased as compared with the case where the conductive antireflective structures 260 are disposed adjacent to each other.

다시 도 1을 참조하면, 반사방지층(120)은 베이스 기판(100)의 제2면에 형성되며, 복수의 돌기형 구조체(130)와 반사방지 구조체(140)를 포함한다. Referring back to FIG. 1, the anti-reflection layer 120 is formed on the second surface of the base substrate 100 and includes a plurality of protrusion-type structures 130 and the anti-reflection structure 140.

반사방지층(120)은, 복수의 돌기형 구조체(130)에 무기물이 균일하게 증착하여 상기 복수의 돌기형 구조체(130)와 반사방지 구조체(140) 사이에 연속적으로 형성되는, 연속층(135)을 더 포함할 수 있다. 도 3에는 반사방지층(120)의 실제 구조가 도시되어 있다.The anti-reflection layer 120 is a continuous layer 135 formed by continuously depositing an inorganic material on the plurality of protrusion structures 130 and continuously between the plurality of protrusion structures 130 and the anti-reflection structure 140. It may further include. 3 shows the actual structure of the anti-reflection layer 120.

복수의 돌기형 구조체(130)는 건식 에칭 방법을 이용하여 베이스 기판(100)의 제2면에 형성된 돌기형의 구조체이다.The plurality of protruding structures 130 are protruding structures formed on the second surface of the base substrate 100 using a dry etching method.

반사방지 구조체(140)는, 베이스 기판(100)의 제2면에 건식 에칭 방법에 의하여 형성된 복수의 돌기형 구조체(130)에 무기물 입자를 증착시킴으로써, 각각의 돌기형 구조체(130)에 형성된 구조체이다. The antireflection structure 140 is a structure formed on each of the protrusion structures 130 by depositing inorganic particles on the plurality of protrusion structures 130 formed by the dry etching method on the second surface of the base substrate 100. to be.

무기물 입자는, 금속물질(Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide)과 질화물(nitride), 그리고 산화물-질화물의 화합물(oxynitride: AlON, SiON) 및 불화 마그네슘(MagneSium fluoride)에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상술한 무기물 입자를 통하여 형성된 반사방지층(120)은 빛의 반사를 방지하여, 빛의 투과율을 향상시킬 수 있다.The inorganic particles may be formed of metal materials (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te , At least one of oxides and nitrides of Ti, W, Zn, Zr, and Yb, and compounds of oxide-nitrides (AlON, SiON) and magnesium fluoride (MagneSium fluoride). have. The anti-reflection layer 120 formed through the above-described inorganic particles may prevent reflection of light, thereby improving light transmittance.

투명전도성 기판의 광학적 특성은 반사방지층(120)에 포함된 반사방지 구조체(140)의 직경 및 배열 간격에 의해 제어된다. 반사방지 구조체(140)의 직경은 반사방지 구조체(140)가 형성되는 과정 중의 공정 조건과 시간의 제어를 통해 조절될 수 있다. 또한, 반사방지 구조체(140)의 배열 간격은 반사방지 구조체(140)가 형성되는 복수의 돌기형 구조체(130)의 간격의 제어를 통해 조절될 수 있다. 복수의 돌기형 구조체(130)의 간격은, 플라즈마 파워 또는 에칭 노출 시간을 조절하여 제어될 수 있다. The optical properties of the transparent conductive substrate are controlled by the diameter and the array spacing of the antireflective structure 140 included in the antireflective layer 120. The diameter of the antireflective structure 140 may be adjusted through control of process conditions and time during the process of forming the antireflective structure 140. In addition, the arrangement interval of the antireflective structure 140 may be adjusted through control of the spacing of the plurality of protrusion-type structures 130 on which the antireflective structure 140 is formed. The spacing of the plurality of protrusion structures 130 may be controlled by adjusting plasma power or etching exposure time.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프이다. 도 10에 도시된 것과 같이, 투명전도성 기판의 광학적 특성은 에칭 노출 시간이 3분 내외인 경우에 최대치를 나타내며, 플라즈마 노출 시간이 7분 이상이 되면 플라즈마에 노출되지 않은 경우와 유사하게 된다. FIG. 10 is a graph illustrating antireflection characteristics according to etching exposure time of a base substrate according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. As shown in FIG. 10, the optical characteristics of the transparent conductive substrate exhibit a maximum value when the etching exposure time is about 3 minutes, and when the plasma exposure time is 7 minutes or more, it is similar to the case where it is not exposed to the plasma.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따라 제공되는 복수의 돌기형 구조체(130)를 형성하기 위하여, 베이스 기판(100)의 에칭 노출 시간은 7분미만으로 제어하는 것이 바람직하다. Therefore, in order to form a plurality of the protruding structures 130 provided in accordance with an embodiment of the present invention, the etching exposure time of the base substrate 100 is preferably controlled to less than seven minutes.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사방지 구조체의 실제 간격을 나타낸 도면이다. 에칭 노출 시간이 1분, 3분, 7분일 때 각각 측정된 반사방지 구조체(140)의 간격은 아래의 표와 같다.
11 is a view showing the actual spacing of the antireflective structure according to the etching exposure time of the base substrate according to an embodiment of the present invention. The intervals of the antireflective structure 140 measured when the etching exposure time is 1 minute, 3 minutes, and 7 minutes are shown in the following table.


에칭 노출 시간
Etching exposure time

1분
1 minute
3분
3 minutes
7분
7 minutes
반사방지 구조체 간격
Antireflective Structure Spacing

76.4nm ~ 99.2nm
76.4nm to 99.2nm
108nm ~ 143nm
108nm to 143nm
193nm ~ 195nm
193nm to 195nm

실험 조건은 Ar 플라즈마를 이용하였고, 플라즈마 강도는 RF 주파수 13.56 MHz에서 200W(1.1W/cm2)로 하였다. 이와 같은 실험 조건에서, 1분당 1cm x 1cm의 베이스 기판(100) 표면의 면적에 3.1 x 1017개의 이온들이 102 eV의 에너지를 가지고 도달되는 것으로 측정되었다. Experimental conditions were used for the Ar plasma, the plasma intensity was 200W (1.1W / cm 2 ) at RF frequency 13.56 MHz. Under these experimental conditions, 3.1 x 10 17 ions were reached with an energy of 102 eV in the area of the base substrate 100 surface of 1 cm x 1 cm per minute.

도 11을 참조하면, 동일한 플라즈마 파워에서의 에칭 노출 시간을 7분미만으로 제어하였을 때, 반사방지 구조체(140)는 200nm 이하의 간격으로 배열됨을 확인할 수 있다. 따라서 빛의 투과 효율을 증가시키고, 빛의 반사를 방지하기 위하여, 반사방지 구조체(140)를 200nm 이하의 간격으로 하는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 11, when the etching exposure time at the same plasma power is controlled to less than seven minutes, the antireflection structure 140 may be arranged at intervals of 200 nm or less. Therefore, in order to increase the transmission efficiency of light and to prevent the reflection of light, it is preferable that the antireflection structure 140 is set to an interval of 200 nm or less.

다시 도 1을 참조하면, 연속박막층(150)은 반사방지층(120)에 형성되며, 연속적인 면을 가지는 물질의 층이다. 연속박막층(150)은 투명전도성 기판의 강도, 경도, 내구성 등의 물리적 특성을 보다 향상시킨다.Referring back to FIG. 1, the continuous thin film layer 150 is formed on the antireflection layer 120 and is a layer of a material having a continuous surface. The continuous thin film layer 150 further improves physical properties such as strength, hardness, and durability of the transparent conductive substrate.

연속박막층(150)은 광학적 특성의 제어를 위하여 5nm 이상 100nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. The continuous thin film layer 150 may be formed to have a thickness of 5 nm or more and 100 nm or less for controlling optical characteristics.

지문방지층(160)은 물이 묻는 경우 흡수되지 않고 흘러내리도록 발수 기능을 가지며, 사용자의 지문이 묻어나지 않도록 내지문 기능을 갖는 층으로, 반사방지층(120) 또는 연속박막층(150)에 형성된다.The anti-fingerprint layer 160 is a layer having a water repellent function to flow down without being absorbed when water is buried, and has a fingerprint-proof function to prevent the fingerprint of the user from being buried. The anti-fingerprint layer 160 is formed on the anti-reflection layer 120 or the continuous thin film layer 150. .

이상에서 서술한 것과 같이 본 발명의 일 실시예에 의하면, 베이스 기판(100) 제1면에 전도성 반사방지층(220)을 형성하고, 제2면에 반사방지층(120), 연속박막층(150) 및 지문방지층(160)을 형성함으로써 전기적 특성, 광학적 특성 및 내지문 특성이 모두 우수한 투명전도성 기판이 제공될 수 있다.
As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, the conductive antireflection layer 220 is formed on the first surface of the base substrate 100, and the antireflection layer 120, the continuous thin film layer 150, and the second surface are formed. By forming the anti-fingerprint layer 160, a transparent conductive substrate having excellent electrical, optical and anti-fingerprint properties can be provided.

이하에서는 전술한 투명전도성 기판의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, the method of manufacturing the above-described transparent conductive substrate will be described.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 순서도, 도 5는 투명전도성 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 공정도이다. 4 is a flow chart sequentially showing a method for manufacturing a transparent conductive substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a process chart showing a method for manufacturing a transparent conductive substrate in order.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따라, 투명전도성 기판의 제조 방법은, 베이스 기판(100) 준비 단계(S100), 전도성 반사방지층(220) 형성 단계(S500), 반사방지층(120) 형성 단계(S300), 연속박막층(150) 형성 단계(S400) 및 지문 방지층(160) 형성 단계(S450)를 포함한다.4 and 5, according to an embodiment of the present invention, the method for manufacturing a transparent conductive substrate includes preparing a base substrate 100 (S100), forming a conductive antireflection layer 220 (S500), and reflection. The prevention layer 120 forming step (S300), the continuous thin film layer 150 forming step (S400) and the fingerprint prevention layer 160 forming step (S450) are included.

베이스 기판(100) 준비 단계(S100)는, 빛의 투과가 가능한 재질로 이루어지고, 제1면 및 제2면을 포함하는 베이스 기판(100)을 준비하는 단계이다. The preparing of the base substrate 100 (S100) is a step of preparing the base substrate 100 made of a material capable of transmitting light and including a first surface and a second surface.

전도성 반사방지층(220) 형성 단계(S500)는 복수의 돌기형 구조체(230) 형성 단계(S510) 및 반사방지 투명전도층(240) 형성 단계(S520)를 포함한다.Forming the conductive antireflection layer 220 (S500) includes forming a plurality of protrusion structures 230 (S510) and forming an anti-reflective transparent conductive layer 240 (S520).

복수의 돌기형 구조체(230) 형성 단계(S510)는, 건식 에칭 방법을 이용하여 베이스 기판(100)의 제1면에 복수의 돌기형 구조체(230)를 형성하는 단계이다. In the forming of the plurality of protrusion structures 230 (S510), the plurality of protrusion structures 230 may be formed on the first surface of the base substrate 100 by using a dry etching method.

건식 에칭 방법은 정밀하고 정확하게 복수의 돌기형 구조체(230)의 형성을 제어할 수 있다. 건식 에칭 방법은 스퍼터링(sputtering) 공정에서 사용하는 이온빔 에칭 방법일 수 있다. 그 방법의 단계는 다음과 같다.The dry etching method can precisely and accurately control the formation of the plurality of protrusion structures 230. The dry etching method may be an ion beam etching method used in a sputtering process. The steps of the method are as follows.

먼저, 베이스 기판(100)이 진공 챔버(chamber) 내에 거치된다. 저진공펌프와 고진공펌프를 이용하여 진공 챔버 내부의 진공도는 1x10-5torr로 유지된다. 이때 이온빔 장치가 작동하여, 베이스 기판(100) 상에 존재하는 흡착가스 입자들과 오염물질을 제거하게 된다. 이온빔 장치는 필라멘트로부터 열전자를 방출하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마에 존재하는 이온들을 가속시켜 방출하는 엔드홀(end-hall) 방법이 사용되어 작동할 수 있다.First, the base substrate 100 is mounted in a vacuum chamber. By using a low vacuum pump and a high vacuum pump, the vacuum degree in the vacuum chamber is maintained at 1x10 -5 torr. At this time, the ion beam apparatus operates to remove the adsorption gas particles and the contaminants present on the base substrate 100. The ion beam apparatus can operate by using an end-hall method that emits hot electrons from the filament to generate a plasma, and accelerates and releases ions present in the plasma.

보다 상세하게는, 이온빔 에칭 방법은, 진공 챔버 내부에 Ar 혼합가스를 주입하여 5x10-5torr 내지 5x10-4torr의 진공도가 유지되고, 필라멘트의 파워가 약 400W(20A x 20V), 이온빔 장치의 파워가 180W(2A x 90V)로 설정되며, 10분 이하에서 실시될 수 있다.More specifically, in the ion beam etching method, an Ar mixed gas is injected into the vacuum chamber to maintain a vacuum degree of 5x10 -5 torr to 5x10 -4 torr, and the power of the filament is about 400W (20A x 20V). The power is set to 180W (2A x 90V) and can be run in less than 10 minutes.

건식 에칭 방법은 플라즈마 에칭 방법일 수 있다. 이때, 플라즈마 에칭 방법에 사용되는 물질은, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 베이스 기판(100)이 상술한 기체 물질 중 적어도 어느 하나의 기체를 포함하여 형성되는 플라즈마에 노출되면 베이스 기판(100)의 제1면이 에칭되어 복수의 돌기형 구조체(230)가 형성될 수 있다. 다만, 플라즈마 에칭 방법으로 복수의 돌기형 구조체(230)를 형성하는 경우, 후술할 반사방지 투명전도층(240)과 다른 챔버에서 형성된다.The dry etching method may be a plasma etching method. In this case, the material used in the plasma etching method may include one or more of at least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He, and N 2 . When the base substrate 100 is exposed to a plasma including at least one of the above-described gaseous materials, the first surface of the base substrate 100 may be etched to form a plurality of protrusion structures 230. . However, when the plurality of protrusion structures 230 are formed by the plasma etching method, they are formed in a chamber different from the antireflective transparent conductive layer 240 to be described later.

반사방지 투명전도층(240) 형성 단계(S520)는, 베이스 기판(100)의 제1면에 형성된 복수의 돌기형 구조체(230)에 투명전도성 물질을 증착시킴으로써, 복수의 돌기형 구조체(230)에 연속적으로 형성되는 연속전도층(250)과 전도성 반사방지 구조체(260)를 형성하는 단계이다. In the forming of the anti-reflective transparent conductive layer 240 (S520), the plurality of protrusion structures 230 are deposited by depositing a transparent conductive material on the plurality of protrusion structures 230 formed on the first surface of the base substrate 100. The continuous conductive layer 250 and the conductive antireflection structure 260 are formed in succession.

연속전도층(250)은 전도성 반사방지 구조체(260) 아래에 함께 형성됨으로써 반사방지 투명전도층(240) 전체가 전도성을 가질 수 있게 된다. 이때, 연속전도층(250)과 전도성 반사방지 구조체(260)는 동시에 형성될 수 있다. Since the continuous conductive layer 250 is formed under the conductive antireflective structure 260, the entire antireflective transparent conductive layer 240 may have conductivity. In this case, the continuous conductive layer 250 and the conductive antireflection structure 260 may be formed at the same time.

본 발명의 일 실시예에 따른, 투명전도성 물질을 증착하여 반사방지 투명 전도층(240)을 형성하는 방법은 스퍼터링(sputtering) 방법이 될 수 있으며, 그 방법의 단계는 다음과 같다.According to an embodiment of the present invention, the method of depositing the transparent conductive material to form the anti-reflective transparent conductive layer 240 may be a sputtering method, the steps of the method are as follows.

먼저, 진공 챔버(chamber) 내에 베이스 기판(100)이 거치된다. 저진공펌프와 고진공펌프를 이용하여 진공 챔버 내부의 진공도가 2x10-5torr로 유지된다. 그 다음, Ar 작업 가스가 주입되고, 작업진공도는 2x10-3torr에 도달한다. 그 후, 투명전도성 물질이 부착된 스퍼터링 타겟에 연결되어 있는 플라즈마 발생전원에 전원이 인가(impression)되고, 플라즈마가 발생하여, 상기 투명전도성 물질이 베이스 기판(100) 제1면에 증착된다. First, the base substrate 100 is mounted in a vacuum chamber. By using a low vacuum pump and a high vacuum pump, the vacuum degree in the vacuum chamber is maintained at 2x10 -5 torr. Ar working gas is then injected and the working vacuum reaches 2x10 -3 torr. Thereafter, power is applied to a plasma generating power source connected to the sputtering target to which the transparent conductive material is attached, and plasma is generated to deposit the transparent conductive material on the first surface of the base substrate 100.

투명전도성 물질을 증착하여 반사방지 투명 전도층(240)을 형성하는 방법의 구체적인 실시예는 다음과 같다. Specific embodiments of the method for forming the anti-reflective transparent conductive layer 240 by depositing a transparent conductive material are as follows.

- 베이스 기판 : PET 두께 125, 투과도 90% -Base substrate: PET thickness 125, transmittance 90%

- 초기 진공도 : 2x10-5torrInitial vacuum degree: 2x10 -5 torr

- 산화물계 투명전도층 코팅-Oxide transparent conductive layer coating

- 스퍼터링 타겟 : ITOSputtering Target: ITO

- 작업가스 : Ar+ (O2)Working gas: Ar + (O 2 )

- 작업진공도: 2x10-3torr-Working degree of vacuum: 2x10 -3 torr

- RF 전력: 200W (타겟 넓이 400cm2)-RF power: 200 W (target width 400 cm 2 )

투명전도성 물질 증착 초기에는 복수의 돌기형 구조체(230) 및 복수의 돌기형 구조체(230) 사이의 골짜기(valley)에 균일하게 투명전도성 물질이 증착되어 연속전도층(250)이 형성된다. 그러나 증착 시간이 점차 지나면서 음영 효과(shadow effect)가 발생한다. 즉, 베이스 기판(100)에 도달하는 투명전도성 물질이 복수의 돌기형 구조체(230) 및 복수의 돌기형 구조체(230) 상부에 형성된 연속전도층(250)에 가려져서 복수의 돌기형 구조체(230) 사이의 골짜기까지 도달하지 못하게 된다. 그 결과, 무기물 입자는 복수의 돌기형 구조체(230) 상부에 형성된 연속전도층(250)에만 증착되어 전도성 반사방지 구조체(260)를 형성한다. 이때, 전도성 반사방지 구조체(260)는 구 형상으로 형성될 수 있다. Initially, the transparent conductive material is uniformly deposited in a valley between the plurality of protrusion structures 230 and the plurality of protrusion structures 230 to form a continuous conductive layer 250. However, as the deposition time gradually passes, a shadow effect occurs. That is, the transparent conductive material that reaches the base substrate 100 is covered by the plurality of protrusion structures 230 and the continuous conductive layer 250 formed on the plurality of protrusion structures 230 and thus the plurality of protrusion structures 230. You will not reach the valley between them. As a result, the inorganic particles are deposited only on the continuous conductive layer 250 formed on the plurality of protrusion structures 230 to form the conductive antireflective structure 260. In this case, the conductive antireflection structure 260 may be formed in a spherical shape.

반사방지층(120) 형성 단계(S300)는, 복수의 돌기형 구조체(130) 형성 단계(S310) 및 반사방지 구조체(140) 형성 단계(S320)를 포함한다. The anti-reflection layer 120 forming step S300 may include forming a plurality of the protruding structures 130 (S310) and forming the anti-reflective structure 140 (S320).

복수의 돌기형 구조체(130) 형성 단계(S310)는, 건식 에칭 방법을 이용하여 베이스 기판(100)의 제2면에 복수의 돌기형 구조체(130)를 형성하는 단계이다.Forming the plurality of protrusion structures 130 (S310) is a step of forming the plurality of protrusion structures 130 on the second surface of the base substrate 100 using a dry etching method.

건식 에칭 방법은 플라즈마 에칭 방법일 수 있다. 이때, 플라즈마 에칭 방법에 사용되는 물질은, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 베이스 기판(100)이 상술한 기체 물질 중 적어도 어느 하나의 기체를 포함하여 형성되는 플라즈마에 노출되면 베이스 기판(100)의 제2면이 에칭되어 복수의 돌기형 구조체(130)가 형성될 수 있다. The dry etching method may be a plasma etching method. In this case, the material used in the plasma etching method may include one or more of at least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He, and N 2 . When the base substrate 100 is exposed to a plasma including at least one of the above-described gaseous materials, the second surface of the base substrate 100 may be etched to form a plurality of protrusion structures 130. .

반사방지 구조체(140) 형성 단계(S320)는 베이스 기판(100)의 제2면에 형성된 복수의 돌기형 구조체(130)에 무기물 입자를 증착시킴으로써, 각각의 돌기형 구조체(130)에 반사방지 구조체(140)를 형성하는 단계이다. Anti-reflective structure 140 forming step (S320) by depositing the inorganic particles on the plurality of projection structure 130 formed on the second surface of the base substrate 100, the anti-reflection structure on each projection structure 130 140 is a step of forming.

무기물 입자는 전술한 음영 효과(shadow effect)에 의해 복수의 돌기형 구조체(130) 상부에 형성되는 연속층(135) 상에만 집중적으로 증착된다. 따라서, 단위 입자 구조를 가지는 반사방지 구조체(140)가 복수의 돌기형 구조체(130) 상부에 형성되는 연속층(135) 상에 형성된다. 이때, 반사방지 구조체(130)는 구 형상으로 형성될 수 있다. The inorganic particles are concentrated only on the continuous layer 135 formed on the plurality of protrusion structures 130 by the above-described shadow effect. Thus, the antireflection structure 140 having a unit particle structure is formed on the continuous layer 135 formed on the plurality of protrusion structures 130. In this case, the antireflection structure 130 may be formed in a spherical shape.

무기물 입자를 증착하는 방법으로는, 화학적 증기 증착법과 물리적 증기 증착법 등이 있다. Examples of the method for depositing the inorganic particles include chemical vapor deposition and physical vapor deposition.

반사방지 구조체(140)는 서로 인접하게 배치될 수 있다. 반사방지 구조체(140)가 서로 인접하게 배치되면, 그렇지 않은 경우에 비하여 전도성 반사방지층(220)의 물리적 특성이 증대될 수 있다.The antireflective structure 140 may be disposed adjacent to each other. If the antireflective structures 140 are disposed adjacent to each other, the physical properties of the conductive antireflective layer 220 may be increased as compared with the other cases.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판의 내구성 측정 결과를 도시한 도면, 도 13은 공지의 투명전도성 기판의 내구성 측정 결과를 도시한 도면이다.12 is a view showing the durability measurement results of the transparent conductive substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 13 is a view showing the durability measurement results of a known transparent conductive substrate.

도 12에는 반사방지 구조체(140)가 서로 인접하여 배치되는 투명전도성 기판을 실험군으로 설정하고, 도 13에는 대조군으로 반사방지 구조체(140)의 형성 없이 단순히 연속적으로 형성되는 코팅층을 포함하는 기판을 설정하여 지우개 마모 시험기(rubbing tester)를 이용한 내마모 시험기 신뢰성 테스터를 수행한 결과를 도시하고 있다. In FIG. 12, a transparent conductive substrate on which the antireflective structure 140 is disposed adjacent to each other is set as an experimental group, and in FIG. 13, a substrate including a coating layer that is simply continuously formed without the formation of the antireflective structure 140 is set as a control. The results of performing the wear resistance tester reliability tester using an eraser wear tester (rubbing tester).

테스터 조건은, 타이핑 고무 지우개 (직경 1/4 in)를 마찰자로 하고, 하중은 500gram, 시험 속도 40회/min 및 시험 횟수 1500회로 설정되었으며, 결과의 분석은 각각의 반사방지층(120) 및 코팅층의 지우개 마모 시험 전후 H2O의 접촉각을 측정하여 발수 특성을 평가하였다. The tester conditions were to set the type of rubber eraser (1/4 in diameter) to friction, the load was set to 500 grams, the test speed 40 times / min and the number of tests 1500 times, the analysis of the results of the anti-reflection layer 120 and coating layer respectively The water-repellent properties were evaluated by measuring the contact angle of H 2 O before and after the eraser wear test.

도 12에 도시된 것과 같이, 서로 인접하게 배치된 반사방지 구조체(140)를 포함하는 반사방지층(120)이, 도 13에 도시된 연속적인 코팅층보다 지우개 마모 시험 후에도 H2O의 접촉각의 편차가 작으므로, 강도 및 내구성과 같은 물리적 특성에 있어서, 보다 우수하다는 결과를 알 수 있다.As shown in FIG. 12, the antireflection layer 120 including the antireflective structures 140 disposed adjacent to each other has a variation in the contact angle of H 2 O even after the eraser wear test than the continuous coating layer shown in FIG. 13. Since it is small, it turns out that the result is more excellent in physical characteristics, such as strength and durability.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 구조의 반사방지층에 의해 반사방지 특성이 향상된 정도를 도시한 그래프이다. 도 14에 의하면, ITO 기판에 70nm의 투명전도층이 연속박막으로 형성된 경우보다, 본 발명에 따라 ITO 기판에 동일한 두께의 전도성 반사방지층(220) 및 반사방지층(120)을 양면 구조로 형성한 경우에, 광학적 특성이 더욱 향상됨을 알 수 있다.14 is a graph showing the degree to which the anti-reflection characteristics are improved by the anti-reflection layer of the double-sided structure according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 14, when the 70 nm transparent conductive layer is formed of a continuous thin film on the ITO substrate, the conductive antireflection layer 220 and the antireflection layer 120 having the same thickness are formed on the ITO substrate in a double-sided structure. It can be seen that the optical properties are further improved.

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 연속박막층(150) 형성 단계(S400)는, 반사방지층(120)에 연속박막층(150)을 형성하는 단계를 말한다. 4 and 5, the forming of the continuous thin film layer 150 (S400) refers to forming the continuous thin film layer 150 on the anti-reflection layer 120.

연속박막층(150)은 무기물 입자의 증착에 의하여 형성될 수 있다. 증착 방법으로는 화학적 증기 증착법, 물리적 증기 증착법 등이 이용될 수 있다.The continuous thin film layer 150 may be formed by deposition of inorganic particles. Chemical vapor deposition, physical vapor deposition, etc. may be used as the deposition method.

또한, 연속박막층(150)을 형성하는 방법으로는 증착 방법 이외에도 솔 겔(sol-gel), 혹은 디핑(dipping) 등과 같이, 액상의 폴리머 입자를 반사방지층(120)을 이루고 있는 구 형상의 반사방지 구조체(140) 사이의 공간 및 반사방지층(120) 표면에까지 도포하는 방법이 이용될 수도 있다. In addition to the vapor deposition method, the continuous thin film layer 150 may be formed by a spherical antireflective layer constituting the antireflection layer 120 of liquid polymer particles, such as sol-gel or dipping. A method of applying even the space between the structures 140 and the surface of the anti-reflection layer 120 may be used.

연속박막층(150)은 반사방지 구조체(140)를 형성하기 위하여 사용되는 무기물 입자와 동일한 물질을 사용하여 이루어질 수 있다. 연속박막층(150)이 반사방지 구조체(140)와 동일한 물질을 사용하여 이루어지는 경우에는, 빛의 굴절과 같은 광학적 특성의 제어가 용이하며, 제조 공정에 있어서 번거로움이 감소될 수 있다. The continuous thin film layer 150 may be formed using the same material as the inorganic particles used to form the antireflective structure 140. When the continuous thin film layer 150 is made of the same material as the antireflective structure 140, it is easy to control optical characteristics such as refraction of light, and the cumbersomeness in the manufacturing process may be reduced.

지문방지층(160) 형성 단계(S450)는, 연속박막층(150)에 내지문 기능을 가지는 지문방지층(160)을 형성하는 단계이다. Fingerprint layer 160 forming step (S450) is a step of forming a fingerprint layer 160 having a fingerprint function in the continuous thin film layer 150.

지문방지층(160)은 건식 코팅법 또는 습식 공정 코팅법을 적용하여 형성할 수 있다. 그 중 건식 코팅법은 화학적 증기 증착법와 물리적 증기 증착법이 사용될 수 있다. The anti-fingerprint layer 160 may be formed by applying a dry coating method or a wet process coating method. Among the dry coating methods, chemical vapor deposition and physical vapor deposition may be used.

지문방지층(160)은 사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성될 수 있다. Anti-fingerprint layer 160 is cyclomethicone (C 8 H 24 Si 4 O 4 ), hexamethyldioxane (HMDSO), octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS), 2-fluoro-6-methoxybenzaldehyde, 3-fluoro-4 methoxybenzaldehyde, 4-fluoro-3 methoxybenzaldehyde, 5-fluoro-2 methoxybenzaldehyde, 2-fluoro-6 methoxyphenol, 4-fluoro-2 methoxyphenol and It can be formed by depositing at least one of 5-fluoro-3 methoxysalicylaldehyde.

지문방지층(160)은, 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다. The fingerprint layer 160 may include at least one of methyl group (CH 3 ) and carbon fluoride group (CF).

한편, 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의하면, 지문방지층(160)은 연속박막층(150)이 아닌 반사방지층(120)의 상에 형성될 수도 있다. 즉, 반사반지층(120)의 상에 연속박막층(150)이 형성되지 않고, 곧바로 지문방지층(160)이 형성될 수 있다.
Meanwhile, according to another preferred embodiment of the present invention, the fingerprint layer 160 may be formed on the anti-reflection layer 120 instead of the continuous thin film layer 150. That is, the continuous thin film layer 150 is not formed on the reflective ring layer 120, and the anti-fingerprint layer 160 may be formed immediately.

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention as set forth in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

100 : 베이스 기판
120 : 반사방지층
220 : 전도성 반사방지층
130, 230 : 복수의 돌기형 구조체
135 : 연속층
140 : 반사방지 구조체
240 : 반사방지 투명전도층
250 : 연속전도층
260 : 전도성 반사방지 구조체
150 : 연속박막층
160 : 지문방지층100: base substrate
120: antireflection layer
220: conductive antireflection layer
130, 230: a plurality of projection structure
135: continuous layer
140: antireflection structure
240: antireflection transparent conductive layer
250: continuous conductive layer
260 conductive antireflective structure
150: continuous thin film layer
160: anti-fingerprint layer

Claims (42)

빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계;
상기 베이스 기판의 제1면에 전도성 반사방지층을 형성하는 단계; 및
상기 베이스 기판의 제2면에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 전도성 반사방지층을 형성하는 단계는,
건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제1면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및
투명전도성 물질의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 반사방지 투명전도층을 형성하는 단계를 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
Preparing a base substrate capable of transmitting light;
Forming a conductive anti-reflection layer on the first surface of the base substrate; And
Forming an antireflection layer on a second surface of the base substrate;
Forming the conductive antireflective layer,
Using a dry etching method, forming a plurality of protruding structures on the first surface; And
Forming an antireflective transparent conductive layer on the plurality of protruding structures by depositing a transparent conductive material.
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 반사방지층을 형성하는 단계는,
건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제2면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및
무기물 입자의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사방지 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the antireflection layer,
Using a dry etching method, forming a plurality of protrusion structures on the second surface; And
Forming an antireflective structure capable of preventing reflection of light on the plurality of protruding structures by deposition of inorganic particles.
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 반사방지 투명전도층은,
상기 투명전도성 물질의 증착에 의해 형성되는 연속전도층; 및
전도성 반사방지 구조체를 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The anti-reflection transparent conductive layer,
A continuous conductive layer formed by deposition of the transparent conductive material; And
Comprising conductive antireflective structures
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제2항에 있어서,
상기 반사방지층은,
상기 복수의 돌기형 구조체와 상기 반사방지 구조체 사이에 상기 무기물 입자의 증착에 의해 형성되는 연속층을 더 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 2,
The antireflection layer,
Further comprising a continuous layer formed by the deposition of the inorganic particles between the plurality of projections and the anti-reflective structure
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 베이스 기판은,
강화 코팅층을 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The base substrate includes:
Comprising reinforcement coating layers
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 베이스 기판은,
불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The base substrate includes:
At least one selected from fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39 and polyurethane (polyiourethane)
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 복수의 돌기형 구조체는,
플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The plurality of protrusion structures,
Formed using a plasma etching method or an ion beam etching method
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 건식 에칭 방법은,
Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The dry etching method,
Using at least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He and N 2
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제3항에 있어서,
상기 전도성 반사방지 구조체는,
서로 인접하게 배치하여 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 3,
The conductive antireflective structure,
Formed by adjoining each other
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제3항에 있어서,
상기 전도성 반사방지 구조체는,
구 형상인 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 3,
The conductive antireflective structure,
Spherical
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 투명전도성 물질은,
Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물인 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The transparent conductive material,
Oxide comprising at least one selected from Zn, Cd, In, Ga, Sn and Ti
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 반사방지 투명전도층은,
스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The anti-reflection transparent conductive layer,
Formed by sputtering methods
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 반사방지 투명전도층은,
30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 1,
The anti-reflection transparent conductive layer,
Formed with a thickness of 30 nm or more and 110 nm or less
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제2항에 있어서,
상기 무기물 입자는,
금속물질(Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide), 상기 금속물질의 질화물(nitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 2,
The inorganic particles,
Metallic materials (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W At least one selected from oxides of Zn, Zr and Yb, nitrides of the metal materials and magnesium fluoride
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제2항에 있어서,
상기 반사방지 구조체는,
200nm 이하의 간격으로 배열되는 것,
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 2,
The antireflective structure,
Arranged at intervals of 200 nm or less,
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제2항에 있어서,
상기 반사방지층에 연속박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 2,
Forming a continuous thin film layer on the anti-reflection layer
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제16항에 있어서,
상기 연속박막층을 형성하는 단계는,
상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 상기 연속박막층을 형성하는 것
을 특징으로 하는 반사방지막이 구비된 투명전도성 기판 제조 방법.
17. The method of claim 16,
Forming the continuous thin film layer,
Forming the continuous thin film layer using the same material as the inorganic particles
Transparent conductive substrate manufacturing method provided with an anti-reflection film, characterized in that.
제16항에 있어서,
상기 연속박막층에 지문방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
17. The method of claim 16,
Forming a fingerprint prevention layer on the continuous thin film layer;
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제2항에 있어서,
상기 반사방지층에 지문방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
The method of claim 2,
Forming an anti-fingerprint layer on the anti-reflection layer
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 지문방지층은,
사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
20. The method according to claim 18 or 19,
The anti-fingerprint layer,
Cyclomethicone (C8H24Si4O4), hexamethyldioxane (HMDSO), octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS), 2-fluoro-6-methoxybenzaldehyde, 3-fluoro-4 methoxybenzaldehyde, 4-fluoro At least one of rho-3 methoxybenzaldehyde, 5-fluoro-2 methoxybenzaldehyde, 2-fluoro-6 methoxyphenol, 4-fluoro-2 methoxyphenol and 5-fluoro-3 methoxysalicylaldehyde Formed by depositing any one
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 지문방지층은,
메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
20. The method according to claim 18 or 19,
The anti-fingerprint layer,
Formed by containing at least one of methyl group (CH 3 ) or fluorocarbon group (CF)
Transparent conductive substrate manufacturing method characterized in that.
빛의 투과가 가능한 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 제1면에 형성된 전도성 반사방지층; 및
상기 베이스 기판의 제2면에 형성된 반사방지층을 포함하되,
상기 전도성 반사방지층은,
건식 에칭 방법을 이용하여 상기 제1면에 형성되는 복수의 돌기형 구조체; 및
투명전도성 물질의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체에 형성되는 반사방지 투명전도층을 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
A base substrate capable of transmitting light;
A conductive anti-reflection layer formed on the first surface of the base substrate; And
Including an anti-reflection layer formed on the second surface of the base substrate,
The conductive antireflection layer,
A plurality of protrusion structures formed on the first surface by using a dry etching method; And
An antireflective transparent conductive layer formed on said plurality of projecting structures by deposition of a transparent conductive material
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 반사방지층은,
건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제2면에 형성되는 복수의 돌기형 구조체; 및
무기물 입자의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 형성되는 반사방지 구조체를 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
The antireflection layer,
A plurality of protrusion structures formed on the second surface by using a dry etching method; And
Comprising antireflective structures formed on the plurality of protruding structures by deposition of inorganic particles
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 반사방지 투명전도층은,
상기 투명전도성 물질의 증착에 의해 형성되는 연속전도층; 및
전도성 반사방지 구조체를 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
The anti-reflection transparent conductive layer,
A continuous conductive layer formed by deposition of the transparent conductive material; And
Comprising conductive antireflective structures
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제23항에 있어서,
상기 반사방지층은,
상기 복수의 돌기형 구조체와 상기 반사방지 구조체 사이에 상기 무기물 입자의 증착에 의해 형성되는 연속층을 더 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
24. The method of claim 23,
The antireflection layer,
Further comprising a continuous layer formed by the deposition of the inorganic particles between the plurality of projections and the anti-reflective structure
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 베이스 기판은
강화 코팅층을 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
The base substrate is
Comprising reinforcement coating layers
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 베이스 기판은,
불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
The base substrate includes:
At least one selected from fluorine-based transparent polymer film, acrylic transparent polymer film, polyethylene terephthalate-based transparent polymer film, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39 and polyurethane (polyiourethane)
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 복수의 돌기형 구조체는,
플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
The plurality of protrusion structures,
Formed using a plasma etching method or an ion beam etching method
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 건식 에칭 방법은,
Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
The dry etching method,
Using at least one gas selected from Ar, O 2 , H 2 , He and N 2
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제24항에 있어서,
상기 전도성 반사방지 구조체는,
서로 인접하게 배치하여 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
25. The method of claim 24,
The conductive antireflective structure,
Formed by adjoining each other
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제24항에 있어서,
상기 전도성 반사방지 구조체는,
구 형상인 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
25. The method of claim 24,
The conductive antireflective structure,
Spherical
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 투명전도성 물질은,
Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물인 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
The transparent conductive material,
Oxide comprising at least one selected from Zn, Cd, In, Ga, Sn and Ti
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 반사방지 투명전도층은,
스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
The anti-reflection transparent conductive layer,
Formed by sputtering methods
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 반사방지 투명전도층은,
30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
The anti-reflection transparent conductive layer,
Formed with a thickness of 30 nm or more and 110 nm or less
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제23항에 있어서,
상기 무기물 입자는,
금속물질(Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W, Zn, Zr, Yb)의 산화물(oxide), 상기 금속물질의 질화물(nitride) 및 불화 마그네슘(Magnesium fluoride)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
24. The method of claim 23,
The inorganic particles,
Metallic materials (Al, Ba, Be, Ca, Cr, Cu, Cd, Dy, Ga, Ge, Hf, In, Lu, Mg, Mo, Ni, Rb, Sc, Si, Sn, Ta, Te, Ti, W At least one selected from oxides of Zn, Zr and Yb, nitrides of the metal materials and magnesium fluoride
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제23항에 있어서,
상기 반사방지 구조체는,
200nm 이하의 간격으로 배열는 것,
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
24. The method of claim 23,
The antireflective structure,
Arranged at intervals of 200 nm or less,
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제23항에 있어서,
상기 반사방지층에 형성되는 연속박막층을 더 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
24. The method of claim 23,
Further comprising a continuous thin film layer formed on the anti-reflection layer
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제37항에 있어서,
상기 연속박막층은,
상기 무기물 입자와 동일한 물질을 이용하여 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
39. The method of claim 37,
The continuous thin film layer,
Formed using the same material as the inorganic particles
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제37항에 있어서,
상기 연속박막층에 형성된 지문방지층을 더 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
39. The method of claim 37,
Further comprising a fingerprint prevention layer formed on the continuous thin film layer
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제22항에 있어서,
상기 반사방지층에 형성된 지문방지층을 더 포함하는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
The method of claim 22,
Further comprising an anti-fingerprint layer formed on the anti-reflection layer
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제39항 또는 제40항에 있어서,
상기 지문방지층은,
사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO), 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 적어도 어느 하나를 증착하여 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
41. The method according to claim 39 or 40,
The anti-fingerprint layer,
Cyclomethicone (C8H24Si4O4), hexamethyldioxane (HMDSO), octamethylcyclotetrasiloxane (OMCTS), 2-fluoro-6-methoxybenzaldehyde, 3-fluoro-4 methoxybenzaldehyde, 4-fluoro At least one of rho-3 methoxybenzaldehyde, 5-fluoro-2 methoxybenzaldehyde, 2-fluoro-6 methoxyphenol, 4-fluoro-2 methoxyphenol and 5-fluoro-3 methoxysalicylaldehyde Formed by depositing any one
Transparent conductive substrate, characterized in that.
제39항 또는 제40항에 있어서,
상기 지문방지층은,
메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF) 중 적어도 어 느 하나를 포함하여 형성되는 것
을 특징으로 하는 투명전도성 기판. 41. The method according to claim 39 or 40,
The anti-fingerprint layer,
Formed by containing at least one of a methyl group (CH 3 ) or a fluorocarbon group (CF)
Transparent conductive substrate, characterized in that.
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