KR101244658B1 - Liquid Crystal Display Device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 복수의 게이트 배선들이 형성된 액정표시패널; 상기 복수의 게이트 배선들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하기 위한 복수의 게이트 구동셀; 타이밍 컨트롤러로부터 공급되는 하이 레벨의 구동신호를 상기 복수의 게이트 구동셀 중 첫 번째 게이트 구동셀로 공급하는 제 1 보조구동셀; 및 상기 복수의 게이트 구동셀 중 마지막 게이트 구동셀로부터 공급되는 하이 레벨의 구동신호를 공급받는 제 2 보조구동셀을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자에 관한 것으로서,The present invention provides a liquid crystal display panel including a plurality of gate lines; A plurality of gate driving cells for sequentially supplying scan pulses to the plurality of gate lines; A first auxiliary driving cell supplying a high level driving signal supplied from a timing controller to a first gate driving cell among the plurality of gate driving cells; And a second auxiliary driving cell supplied with a driving signal of a high level supplied from a last gate driving cell among the plurality of gate driving cells.
본 발명에 따르면, 게이트 구동셀이외에 제 1 및 제 2 보조구동셀이 형성되어 있으므로, 첫 번째 게이트 배선 및 마지막 게이트 배선의 신호특성이 정전기 등에 의해 저하되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, since the first and second auxiliary driving cells are formed in addition to the gate driving cells, the signal characteristics of the first gate wiring and the last gate wiring can be prevented from being lowered by static electricity or the like.
액정표시소자, 정전기, 스캔펄스, 보상 LCD, Static electricity, Scan pulse, Compensation
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 구동부를 개략적으로 도시한 블록도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a driving unit of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동부를 개략적으로 도시한 블록도이다.2 is a block diagram schematically illustrating a gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에서의 제 1 내지 제 n 게이트 구동셀, 제 1 보조구동셀 및 제 2 보조구동셀의 구조를 나타내는 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram illustrating the structures of the first to nth gate driving cells, the first auxiliary driving cell, and the second auxiliary driving cell in FIG. 2.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art
100 : 액정표시소자 110: 액정표시패널100: liquid crystal display device 110: liquid crystal display panel
120: 데이터 구동부 130 : 게이트 구동부120: data driver 130: gate driver
180: 게이트구동전압 발생부 190 : 타이밍 컨트롤러180: gate driving voltage generator 190: timing controller
131-1 내지 131-n: 제 1 내지 제 n 게이트 구동셀131-1 to 131-n: first to nth gate driving cells
122, 123: 제 1 및 제 2 보조구동셀122 and 123: first and second auxiliary drive cells
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 정전기 등에 의해 저하되는 게이트 배선의 신호특성을 보상할 수 있는 액정표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of compensating for signal characteristics of a gate wiring degraded by static electricity.
표시화면의 두께가 수 센티미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시소자(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정표시소자는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.Ultra-thin flat panel displays with a thickness of only a few centimeters (cm). Among them, liquid crystal displays have low operating voltages, which consume less power and can be used as portable devices. Applications range from ships to spacecraft to aircraft.
상기 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하는 것으로, 상기 액정표시장치는 화소영역들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 포함하여 이루어진다.The liquid crystal display device displays an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. The liquid crystal display device includes a liquid crystal panel having pixel regions arranged in a matrix and a driving circuit for driving the liquid crystal panel. Is done.
상기 구동회로는 게이트 배선들을 구동하기 위한 게이트 구동부, 데이터 배선들을 구동하기 위한 데이터 구동부, 상기 게이트 구동부 및 데이터 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하여 이루어진다.The driving circuit includes a gate driver for driving the gate lines, a data driver for driving the data lines, and a timing controller for controlling the gate driver and the data driver.
상기 게이트 구동부는 스캔펄스를 순차적으로 출력할 수 있도록 쉬프트 레지스터를 구비하고, 상기 쉬프트 레지스터는 서로 종속적으로 연결된 다수의 스테이지들로 구성된다.The gate driver includes a shift register to sequentially output scan pulses, and the shift register includes a plurality of stages that are connected to each other dependently.
상기 다수의 스테이지 각각은 서로 순차적인 위상차를 갖는 다수의 클럭펄스 중 적어도 한 개의 클럭펄스를 인가받고, 스캔펄스를 순차적으로 출력하여 액정패널의 게이트 배선들에 순차적으로 인가한다.Each of the plurality of stages receives at least one clock pulse among a plurality of clock pulses having a sequential phase difference from each other, sequentially outputs scan pulses, and sequentially applies them to the gate lines of the liquid crystal panel.
종래에는 게이트 드라이버 집적회로(Gate Driver IC)를 이용하여 상기 게이 트 구동부의 쉬프트 레지스터를 구성하였으나, 최근에는 재료비 절감, 공정수의 감소 및 공정시간의 단축을 위해 액정표시패널 상에 쉬프트 레지스트를 형성하는 게이트 인 패널(Gate In Panel, GIP)기술이 사용되고 있다.In the related art, a shift register of the gate driver is formed using a gate driver integrated circuit (IC), but recently, a shift resist is formed on a liquid crystal display panel to reduce material costs, reduce the number of processes, and shorten the process time. Gate In Panel (GIP) technology is used.
다만, 게이트 인 패널(GIP) 기술을 사용할 경우, 첫번째 게이트 배선과 마지막 게이트 배선이 제조 공정 등에서 정전기의 영향을 많이 받는다. 이에 따라, 첫번째 게이트 배선과 마지막 게이트 배선에 공급되는 스캔펄스의 신호특성이 정전기에 의해 저하되고, 이로 인해 화질이 나빠지는 문제점이 있다.However, when using the gate in panel (GIP) technology, the first gate wiring and the last gate wiring are affected by static electricity in the manufacturing process. As a result, the signal characteristics of the scan pulses supplied to the first gate line and the last gate line are deteriorated by static electricity, which causes a problem of deteriorating image quality.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서,The present invention has been made to solve the above problems,
본 발명의 목적은 게이트 구동셀 이외에 제 1 및 제 2 보조구동셀을 형성함으로써, 정전기 등에 의해 저하되는 게이트 배선의 신호특성을 보상하여 양질의 화질을 유지할 수 있는 액정표시소자를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of compensating for the signal characteristics of a gate wiring deteriorated by static electricity or the like by forming first and second auxiliary driving cells in addition to the gate driving cell to maintain high quality image quality.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 복수의 게이트 배선들이 형성된 액정표시패널; 상기 복수의 게이트 배선들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하기 위한 복수의 게이트 구동셀; 타이밍 컨트롤러로부터 공급되는 하이 레벨의 구동신호를 상기 복수의 게이트 구동셀 중 첫 번째 게이트 구동셀로 공급하는 제 1 보조구동셀; 및 상기 복수의 게이트 구동셀 중 마지막 게이트 구동셀로부터 공급되는 하이 레벨의 구동신호를 공급받는 제 2 보조구동셀을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a liquid crystal display panel including a plurality of gate lines; A plurality of gate driving cells for sequentially supplying scan pulses to the plurality of gate lines; A first auxiliary driving cell supplying a high level driving signal supplied from a timing controller to a first gate driving cell among the plurality of gate driving cells; And a second auxiliary driving cell receiving a high level driving signal supplied from a last gate driving cell among the plurality of gate driving cells.
또한, 본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 타이밍 컨트롤러로부터의 하이 레벨 구동신호를 제 1 보조구동셀에 공급하는 단계; 상기 제 1 보조구동셀로부터의 하이 레벨 구동신호를 첫 번째 게이트 배선을 구동하는 게이트 구동셀에 공급하는 단계; 및 마지막 게이트 배선을 구동하는 게이트 구동셀로부터의 하이 레벨 구동신호를 제 2 보조구동셀에 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 구동방법을 제공한다.In addition, the present invention, to achieve the above object, the step of supplying a high level drive signal from the timing controller to the first auxiliary drive cell; Supplying a high level driving signal from the first auxiliary driving cell to a gate driving cell driving a first gate wiring; And supplying a high level driving signal from the gate driving cell for driving the last gate wiring to the second auxiliary driving cell.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 구동부를 개략적으로 도시한 블록도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a driving unit of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자(100)는, 데이터배선(DL1 내지 DLm)과 게이트배선(GL1 내지 GLn)이 교차되며 그 교차부에 액정셀(Clc)을 구동하기 위한 박막트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)가 형성된 액정표시패널(110)과, 액정표시패널(110)의 데이터 배선들(DL1 내지 DLm)에 데이터를 공급하기 위한 데이터 구동부(120)와, 액정표시패널(110)의 게이트 배선(GL1 내지 GLn)에 스캔펄스를 공급하기 위한 게이트 구동부(130)와, 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL)을 발생하여 게이트 구동부(130)에 공급하기 위한 게이트구동전압 발생부(180)와, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)를 제어하기 위한 타이밍 컨트롤러(190)를 포함하여 이루어진다.As can be seen in FIG. 1, in the liquid
액정표시패널(110)은 두 장의 유리기판 사이에 액정이 주입된다. 액정표시 패널(110)의 하부 유리기판 상에는 데이터 배선들(DL1 내지 DLm)과 게이트 배선들(GL1 내지 GLn)이 직교된다. 데이터 배선들(DL1 내지 DLm)과 게이트 배선들(GL1 내지 GLn)의 교차부에는 박막트랜지스터(TFT)가 형성된다. 박막트랜지스터(TFT)는 스캔펄스에 응답하여 데이터 배선들(DL1 내지 DLm) 상의 데이터를 액정셀(Clc)에 공급하게 된다. 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극은 게이트 배선(GL1 내지 GLn)에 접속되며, TFT의 소스전극은 데이터 배선(DL1 내지 DLm)에 접속된다. 그리고 TFT의 드레인 전극은 액정셀(Clc)의 화소전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 접속된다.In the liquid
박막트랜지스터(TFT)는 게이트 배선(GL1 내지 GLn)을 경유하여 게이트 전극에 공급되는 스캔펄스에 응답하여 턴-온된다. 박막트랜지스터(TFT)가 턴-온될 때 데이터 배선(DL1 내지 DLm) 상의 비디오 데이터는 액정셀(Clc)의 화소전극에 공급된다.The thin film transistor TFT is turned on in response to a scan pulse supplied to the gate electrode via the gate lines GL1 to GLn. When the thin film transistor TFT is turned on, video data on the data lines DL1 to DLm is supplied to the pixel electrode of the liquid crystal cell Clc.
데이터 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급되는 데이터구동 제어신호(DDC)에 응답하여 데이터를 데이터 배선들(DL1 내지 DLm)에 공급하며, 그리고 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 샘플링하여 래치한 다음 감마기준전압을 기준으로 액정표시패널(110)의 액정셀(Clc)에서 계조를 표현할 수 있는 아날로그 데이터 전압으로 변환시켜 데이터 배선들(DL1 내지 DLm)들에 공급한다.The
게이트 구동부(130)는 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급되는 게이트 구동 제어신호(GDC)와 게이트 쉬프트 클럭(GSC)에 응답하여 스캔펄스를 순차적으로 발생하 여 게이트 배선(GL1 내지 GLn)들에 공급한다. 이때, 게이트 구동부(130)는 게이트구동전압 발생부(180)로부터 공급되는 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL)에 따라 각각 스캔펄스의 하이레벨전압과 로우레벨전압을 결정한다.The
도 1에서는 게이트 구동부(130)를 액정표시패널(110)과 분리시켜 도시하였으나, 상기 게이트 구동부(130)는 액정표시패널(110)상의 게이트 배선(GL1 내지 GLn) 일 측에 게이트 구동부(130)가 형성되는 게이트 인 패널(Gate In Panel, GIP) 방식으로 이루어져 있다.In FIG. 1, the
게이트 인 패널(GIP) 방식을 이용하여 게이트 구동부(130)를 액정표시패널(110) 상에 형성하는 경우, 재료비 및 공정수를 절감할 수 있다.When the
게이트구동전압 발생부(180)는 고전위 전원전압(VDD)을 인가받아 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL)을 발생시켜 게이트 구동부(130)에 공급한다. 여기서, 게이트구동전압 발생부(180)는 액정표시패널(110)의 각 픽셀에 구비된 박막트랜지스터(TFT)의 문턱전압 이상이 되는 게이트 하이전압(VGH)을 발생하고, 박막트랜지스터(TFT)의 문턱전압 미만이 되는 게이트 로우전압(VGL)을 발생한다. 이렇게 발생된 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL)은 각각 게이트 구동부(130)에 의해 발생되는 스캔펄스의 하이레벨전압과 로우레벨전압을 결정하는데 이용된다.The gate
타이밍 컨트롤러(190)는 디지털 비디오 카드(미도시)로부터 공급되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 데이터 구동부(120)에 공급하고, 또한 클럭신호(CLK)에 따라 수평/수직동기신호(H/V)를 이용하여 데이터 구동 제어신호(DDC)와 게이트 구동 제 어신호(GDC)를 발생하여 각각 데이터 구동부(120)와 게이트 구동부(130)에 공급한다. 여기서, 데이터 구동 제어신호(DDC)는 소스 쉬프트 클럭(SSC), 소스 스타트 펄스(SSP), 극성 제어신호(POL) 및 소스 출력 인에이블신호(SOE) 등을 포함하고, 게이트 구동 제어신호(GDC)는 게이트 스타트 펄스(GSP) 및 게이트 출력 인에이블신호(GOE) 등을 포함한다.The
이하에서, 본 발명의 특징인 게이트 구동부(130)의 구조 및 동작에 대해 자세히 살펴본다.Hereinafter, the structure and operation of the
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동부를 개략적으로 도시한 블록도이다.2 is a block diagram schematically illustrating a gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동부(130)는, 타이밍 컨트롤러(190)의 제어에 따라 다수의 게이트 배선들(GL1 내지 GLn)에 일대일로 대응되게 접속되어 스캔펄스를 공급하기 위한 제 1 내지 제 n 게이트 구동셀(131-1 내지 131-n)과, 타이밍 컨트롤러(190)의 제어에 따라 첫 번째 게이트 배선(GL1)을 구동하는 제 1 게이트 구동셀(131-1)에 하이 레벨의 구동신호를 공급하는 제1보조구동셀(132)과, 마지막 게이트 배선(GLn)을 구동하는 제 n 게이트 구동셀(131-n)로부터 하이 레벨 구동신호를 공급받는 제2보조구동셀(133)을 포함하여 이루어진다.As can be seen in FIG. 2, the
제 1 보조구동셀(132)은 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급되는 하이 레벨의 구동신호에 의해 구동되고, 이 상태에서 입력되는 하이레벨의 클럭신호를 스캔펄스로서 제 1 게이트 구동셀(131-1)에 공급한다.The first
제 1 게이트 구동셀(131-1)은 제 1 보조구동셀(132)로부터 공급되는 하이레벨의 구동신호인 스캔펄스에 의해 구동되고, 이 상태에서 입력되는 하이레벨의 클럭신호를 스캔펄스로서 첫번째 게이트 배선(GL1)에 공급한다. 이 때, 상기 첫 번째 게이트 배선(GL1)에 공급되는 스캔펄스는 게이트 배선(GL1) 뿐만 아니라, 제 2 게이트 구동셀(131-2) 및 제 1 보조구동셀(132)에도 공급된다.The first gate driving cell 131-1 is driven by a scan pulse which is a high level driving signal supplied from the first
상기 스캔펄스는 제 2 게이트 구동셀(131-2)로 공급되어 하이레벨의 구동신호로서 제 2 게이트 구동셀(131-2)을 구동시키고, 제 1 보조구동셀(132)로 공급되어 제 1 보조구동셀(132)의 스캔펄스 발생을 멈추게 한다.The scan pulse is supplied to the second gate driving cell 131-2 to drive the second gate driving cell 131-2 as a high level driving signal, and is supplied to the first
제 2 게이트 구동셀(131-2)은 제 1 게이트 구동셀(131-1)로부터 공급되는 하이레벨의 구동신호인 스캔펄스에 의해 구동되고, 이 상태에서 입력되는 하이레벨의 클럭신호를 스캔펄스로서 두 번째 게이트 배선(GL2)에 공급한다.The second gate driving cell 131-2 is driven by a scan pulse which is a high level driving signal supplied from the first gate driving cell 131-1, and scans a high level clock signal input in this state. As a second gate wiring GL2.
상기 두 번째 게이트 배선(GL2)에 공급되는 스캔펄스 또한, 제 3 게이트 구동셀(131-3)로 공급되어 하이레벨의 구동신호로서 제 3 게이트 구동셀(131-3)을 구동시키고, 제 1 게이트 구동셀(131-1)로 공급되어 제 1 게이트 구동셀(131-1)을 리셋(reset)시킨다.The scan pulse supplied to the second gate line GL2 is also supplied to the third gate driving cell 131-3 to drive the third gate driving cell 131-3 as a high level driving signal, and the first The first gate driving cell 131-1 is supplied to the gate driving cell 131-1 to reset the first gate driving cell 131-1.
제 n 게이트 구동셀(131-n)은 제 n-1 게이트 구동셀(131-(n-1))로부터 공급되는 하이레벨의 구동신호인 스캔펄스에 의해 구동되고, 이 상태에서 입력되는 하이레벨의 클럭신호를 스캔펄스로서 마지막 게이트 배선(GLn)에 공급한다.The n-th gate driving cell 131-n is driven by a scan pulse which is a high level drive signal supplied from the n-th gate driving cell 131-(n-1), and is input in this state. Is supplied to the last gate line GLn as a scan pulse.
상기 n 번째 게이트 배선(GLn)에 공급되는 스캔펄스 또한, 제 2 보조구동셀(133)로 공급되어 하이레벨의 구동신호로서 제 2 보조구동셀(133)을 구동시키고, 제 n-1 게이트 구동셀(131-(n-1))로 공급되어 제 n-1 게이트 구동셀(131-(n-1))을 리셋시킨다.The scan pulse supplied to the n-th gate line GLn is also supplied to the second
이와 같은 과정을 통해 제 3 내지 제 n-1 게이트 구동셀(131-3 내지 131-(n-1))도 구동되어 스캔펄스를 자신에게 접속된 게이트 배선에 공급한다.Through this process, the third to n-th gate driving cells 131-3 to 131- (n-1) are also driven to supply the scan pulse to the gate wiring connected thereto.
제 2 보조구동셀(133)은 제 n 게이트 구동셀(131-n)로부터 공급되는 하이레벨의 구동신호인 스캔펄스에 의해 구동되고, 이 상태에서 입력되는 하이레벨의 클럭신호를 스캔펄스로서 제 n 게이트 구동셀(131-n)에 공급한다. 제 2 보조구동셀(133)로부터의 스캔펄스는 제 n 게이트 구동셀(131-n)에 공급되어 제 n 게이트 구동셀(131-n)을 리셋시킨다.The second
도 3은 도 2에서의 제 1 내지 제 n 게이트 구동셀, 제 1 보조구동셀 및 제 2 보조구동셀의 구조를 나타내는 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram illustrating the structures of the first to nth gate driving cells, the first auxiliary driving cell, and the second auxiliary driving cell in FIG. 2.
도 3에서 알 수 있듯이, 제 1 내지 제 n 게이트 구동셀(131-1 내지 131-n), 제 1 보조구동셀(132) 및 제 2 보조구동셀(133)은 각각 다수의 N모스 트랜지스터(N_TR1 내지 N_TR8)들로 구성된다.As shown in FIG. 3, each of the first to nth gate driving cells 131-1 to 131-n, the first
제 1 N모스 트랜지스터(N_TR1)는, 구동신호 입력단(Vin)에 공통 접속된 드레인과 게이트를 가지며, 그리고 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)의 드레인, 제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)의 드레인, 제 5 N모스 트랜지스터(N_TR5)의 게이트 및 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)의 게이트에 공통 접속된 소스를 갖는다.The first N-MOS transistor N_TR1 has a drain and a gate commonly connected to the driving signal input terminal Vin, the drain of the third N-MOS transistor N_TR3, the drain of the fourth N-MOS transistor N_TR4, and the first. A source is commonly connected to the gate of the 5 N-MOS transistor N_TR5 and the gate of the seventh N-MOS transistor N_TR7.
제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)는, 고전위 전원 전압단(VDD)에 접속된 드레인을 갖고, 반전클럭단(/CLK)에 접속된 게이트를 가지며, 그리고 제 3 N모스 트랜지 스터(N_TR3)의 게이트, 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)의 게이트, 제 5 N모스 트랜지스터(N_TR5)의 드레인에 공통 접속된 소스를 갖는다.The second N-MOS transistor N_TR2 has a drain connected to the high potential power supply voltage terminal VDD, a gate connected to the inverted clock terminal / CLK, and a third N-MOS transistor N_TR3. Has a source commonly connected to the gate of the gate, the gate of the eighth N-MOS transistor N_TR8, and the drain of the fifth N-MOS transistor N_TR5.
제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)는, 제 1 N모스 트랜지스터(N_TR1)의 소스, 제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)의 드레인 및 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)의 게이트에 공통 접속된 드레인을 갖고, 접지단(Vss)에 접속된 소스를 가지며, 그리고 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)의 소스, 제 5 N모스 트랜지스터(N_TR5)의 드레인 및 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)의 게이트에 공통 접속된 게이트를 갖는다.The third N-MOS transistor N_TR3 has a drain connected in common to the source of the first N-MOS transistor N_TR1, the drain of the fourth N-MOS transistor N_TR4, and the gate of the seventh N-MOS transistor N_TR7. A gate having a source connected to the ground terminal Vss and commonly connected to the source of the second N-MOS transistor N_TR2, the drain of the fifth N-MOS transistor N_TR5, and the gate of the eighth N-MOS transistor N_TR8. Has
제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)는, 제 1 N모스 트랜지스터(N_TR1)의 소스, 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)의 드레인, 제 5 N모스 트랜지스터(N_TR5)의 게이트 및 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)의 게이트에 공통 접속된 드레인을 갖고, 리셋단(Vreset)에 접속된 게이트를 가지며, 그리고 접지단(Vss)에 접속된 소스를 갖는다.The fourth NMOS transistor N_TR4 includes a source of the first NMOS transistor N_TR1, a drain of the third NMOS transistor N_TR3, a gate of the fifth NMOS transistor N_TR5, and a seventh NMOS transistor N_TR7. Has a drain connected in common to the gate, has a gate connected to the reset terminal Vreset, and has a source connected to the ground terminal Vss.
제 5 N모스 트랜지스터(N_TR5)는, 제 1 N모스 트랜지스터(N_TR1)의 소스, 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)의 드레인, 제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)의 게이트 및 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)의 게이트에 공통 접속된 게이트를 갖고, 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)의 소스, 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)의 게이트, 제 6 N모스 트랜지스터(N_TR6)의 소스 및 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)의 게이트에 공통 접속된 드레인을 갖고, 접지단(Vss)에 접속된 소스를 가지며, 그리고 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)의 소스, 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)의 게이트, 제 6 N모스 트랜지스터(N_TR6)의 드레인 및 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)의 게이트에 공통 접속된 드레인을 갖는다.The fifth NMOS transistor N_TR5 includes a source of the first NMOS transistor N_TR1, a drain of the third NMOS transistor N_TR3, a gate of the fourth NMOS transistor N_TR4, and a seventh NMOS transistor N_TR7. The gate of the second NMOS transistor N_TR2, the gate of the third NMOS transistor N_TR3, the source of the sixth NMOS transistor N_TR6, and the eighth NMOS transistor ( It has a drain commonly connected to the gate of N_TR8, has a source connected to the ground terminal Vss, the source of the second N-MOS transistor N_TR2, the gate of the third N-MOS transistor N_TR3, and the sixth N The drain of the MOS transistor N_TR6 and the gate of the eighth N-MOS transistor N_TR8 are commonly connected.
제 6 N모스 트랜지스터(N_TR6)는, 구동신호 입력단(Vin)과 제 1 N모스 트랜지스터(N_TR1)의 게이트에 공통 접속된 게이트를 갖고, 접지단(Vss)에 접속된 소스를 가지며, 그리고 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)의 소스, 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)의 게이트, 제 5 N모스 트랜지스터(N_TR5)의 드레인 및 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)의 게이트에 공통 접속된 드레인을 갖는다.The sixth N-MOS transistor N_TR6 has a gate commonly connected to the drive signal input terminal Vin and the gate of the first N-MOS transistor N_TR1, has a source connected to the ground terminal Vss, and a second The source of the N-MOS transistor N_TR2, the gate of the third N-MOS transistor N_TR3, the drain of the fifth N-MOS transistor N_TR5, and the drain of the eighth N-MOS transistor N_TR8 are commonly connected.
제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)는, 클럭단(CLK)에 접속된 드레인을 갖고, 구동신호 출력단(Vout)과 게이트 배선(GL)에 공통 접속된 소스를 가지며, 그리고 제 1 N모스 트랜지스터(N_TR1)의 소스, 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)의 드레인, 제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)의 드레인 및 제 5 N모스 트랜지스터(N_TR5)의 게이트에 공통 접속된 게이트를 갖는다.The seventh N-MOS transistor N_TR7 has a drain connected to the clock terminal CLK, has a source commonly connected to the driving signal output terminal Vout and the gate wiring GL, and has a first N-MOS transistor N_TR1. ), A drain of the third N-MOS transistor N_TR3, a drain of the fourth N-MOS transistor N_TR4, and a gate commonly connected to the gate of the fifth N-MOS transistor N_TR5.
제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)는, 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)의 소스, 구동신호 출력단(Vout) 및 게이트 배선(GL)에 공통 접속된 소스를 갖고, 접지단(Vss)에 접속된 드레인을 가지며, 그리고 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)의 소스, 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)의 게이트, 제 5 N모스 트랜지스터(N_TR5)의 드레인 및 제 6 N모스 트랜지스터(N_TR6)의 드레인에 공통 접속된 게이트를 갖는다.The eighth N-MOS transistor N_TR8 has a source connected to the source of the seventh N-MOS transistor N_TR7, the drive signal output terminal Vout, and the gate wiring GL, and is connected to the ground terminal Vss. And a common connection to a source of the second N-MOS transistor N_TR2, a gate of the third N-MOS transistor N_TR3, a drain of the fifth N-MOS transistor N_TR5, and a drain of the sixth N-MOS transistor N_TR6. Has a gate.
여기서, 출력단(Vout)은 해당 게이트 배선과 다음단의 게이트 구동셀에 접속되는 등가 회로 상태를 나타낸 것이다.Here, the output terminal Vout shows an equivalent circuit state connected to the corresponding gate wiring and the gate driving cell of the next stage.
도 3에 도시된 회로가 제 1 보조구동셀(132)을 나타낸 것이라면, 구동신호 입력단(Vin)에는 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급되는 게이트 제어신호가 입력되 고, N모스 트랜지스터(N_TR7)의 소스와 N모스 트랜지스터(N_TR8)의 드레인 사이에 위치된 출력단(Vout)은 제 1 게이트 구동셀(131-1)에 접속되며, 그리고 제 1 보조구동셀(132)에 연결되는 게이트 배선(GL)은 존재하지 않는다.If the circuit shown in FIG. 3 shows the first
게이트 배선(GL)이 연결되지 않은 제 1 보조구동셀(132)을 제 1 게이트 구동셀(131-1)의 전단에 형성함으로써, 제 1 게이트 구동셀(131-1)에 연결된 첫 번째 게이트 배선(GL1)으로 공급되는 스캔펄스의 신호특성이 정전기에 의해 저하되는 것을 막을 수 있다.The first gate line connected to the first gate driving cell 131-1 by forming the first
즉 제 1 게이트 구동셀(131-1)의 전단에 제 1 보조구동셀(132)을 더미(dummy)로 형성함으로써, 제 1 게이트 구동셀(131-1)에 연결된 첫 번째 게이트 배선(GL1)으로 공급되는 스캔펄스의 신호특성을 확보할 수 있다.That is, the first
제 1 보조구동셀(132)에도 게이트 배선(GL)이 연결될 수 있으나, 제 1 보조구동셀(132)에 게이트 배선(GL)이 연결되더라도 액정셀이 연결되어 있지 않고, 정전기에 의해 스캔펄스의 신호특성이 저하되므로 별다른 기능을 하지 못한다.The gate wiring GL may be connected to the first
도 3에 도시된 회로가 제 1 게이트 구동셀(131-1)을 나타낸 것이라면, 구동신호 입력단(Vin)에는 제 1 보조구동셀(132)로부터 공급되는 스캔펄스가 입력되고, 출력단(Vout)은 제 2 게이트 구동셀(131-2)의 구동신호 입력단(Vin) 및 제 1 보조구동셀(132)의 리셋단(Vreset)에 접속된다.If the circuit shown in FIG. 3 shows the first gate driving cell 131-1, a scan pulse supplied from the first
도 3에 도시된 회로가 제 2 내지 제 n-1 게이트 구동셀(131-2 내지 131-(n-1))을 각각 나타낸 것이라면, 구동신호 입력단(Vin)에는 이전단의 게이트 구동셀부로부터 공급되는 스캔펄스가 게이트 제어신호로서 입력되고, 출력단(Vout)은 다음 단에 위치된 게이트 구동셀의 구동신호 입력단(Vin) 및 이전 단에 위치된 게이트 구동셀의 리셋단(Vreset)에 접속된다.If the circuit shown in Fig. 3 shows the second to n-1 gate driving cells 131-2 to 131- (n-1), respectively, the driving signal input terminal Vin is supplied from the previous gate driving cell portion. The scan pulse to be input is input as the gate control signal, and the output terminal Vout is connected to the drive signal input terminal Vin of the gate driving cell positioned at the next stage and the reset terminal Vreset of the gate driving cell positioned at the previous stage.
도 3에 도시된 회로가 제 n 게이트 구동셀(131-n)을 나타낸 것이라면, 구동신호 입력단(Vin)에는 이전단의 제 n-1 게이트 구동셀(131-(n-1))로부터 공급되는 스캔펄스가 게이트 제어신호로서 입력되고, 출력단(Vout)은 제 2 보조구동셀(133)의 구동신호 입력단(Vin) 및 제 n-1 게이트 구동셀(131-(n-1))의 리셋단(Vreset)에 접속된다.If the circuit shown in FIG. 3 shows the n-th gate driving cell 131-n, the driving signal input terminal Vin is supplied from the previous n-th gate driving cell 131-(n-1). The scan pulse is input as a gate control signal, and the output terminal Vout is a reset terminal of the driving signal input terminal Vin of the second
도 3에 도시된 회로가 제 2 보조구동셀(133)을 나타낸 것이라면, 구동신호 입력단(Vin)에는 제 n 게이트 구동셀(131-n)로부터 공급되는 스캔펄스가 게이트 제어신호로서 입력되고, 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)의 소스와 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)의 드레인 사이에 위치된 출력단(Vout)은 제 n 게이트 구동셀(131-1)의 리셋단(Vreset)에 접속되며, 그리고 제 2 보조구동셀(133)에 연결되는 게이트 배선(GL)은 존재하지 않는다.If the circuit shown in FIG. 3 shows the second
게이트 배선(GL)이 연결되지 않은 제 2 보조구동셀(133)을 제 n 게이트 구동셀(131-n)의 후단에 형성함으로써, 제 n 게이트 구동셀(131-n)에 연결된 마지막 게이트 배선(GLn)으로 공급되는 스캔펄스의 신호특성이 정전기에 의해 저하되는 것을 막을 수 있다.By forming the second
즉 제 n 게이트 구동셀(131-n)의 후단에 제 2 보조구동셀(133)을 더미(dummy)로 형성함으로써, 제 n 게이트 구동셀(131-n)에 연결된 마지막 게이트 배선(GLn)으로 공급되는 스캔펄스의 신호특성을 확보할 수 있다.In other words, the second
제 2 보조구동셀(133)에도 게이트 배선(GL)이 연결될 수 있으나, 제 2 보조구동셀(133)에 게이트 배선(GL)이 연결되더라도 액정셀이 연결되어 있지 않고, 정전기에 의해 스캔펄스의 신호특성이 저하되므로 별다른 기능을 하지 못한다.The gate wiring GL may also be connected to the second
이와 같은 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 n 게이트 구동셀(131-1 내지 131-n)과 제 1 및 제 2 보조구동셀(132, 133)의 동작에 대하여 설명하면 다음과 같다.The operations of the first to nth gate driving cells 131-1 to 131-n and the first and second auxiliary driving
먼저, 리셋단(Vreset)을 통해 리셋신호가 입력되는 경우에 대하여 살펴본다.First, the case in which the reset signal is input through the reset terminal Vreset will be described.
입력된 리셋신호에 의해 제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)가 턴-온되어 드레인에 걸린 전압을 접지로 스위칭 시키며 이로 인하여 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)의 드레인에 게이트가 접속된 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR5, N_TR7)들이 턴-오프됨으로써 리셋이 이루어진다.The fourth N-MOS transistor N_TR4 is turned on by the input reset signal to switch the voltage applied to the drain to ground, whereby a third N-MOS transistor whose gate is connected to the drain of the third N-MOS transistor N_TR3. The reset is performed by turning off the N_TR5 and N_TR7.
다음은, 하이레벨의 게이트 제어신호(또는 스캔펄스), 하이레벨의 클럭신호, 로우레벨의 반전클럭신호가 각각 구동신호 입력단(Vin), 클럭단(CLK) 및 반전클럭단(/CLK)을 통해 입력되는 경우에 대하여 설명한다.Next, the high level gate control signal (or scan pulse), the high level clock signal, and the low level inverted clock signal are respectively divided into the driving signal input terminal Vin, the clock terminal CLK, and the inverted clock stage / CLK. The case of input via the following will be described.
입력된 하이레벨의 게이트 제어신호가 제 1 및 제 6 N모스 트랜지스터(N_TR1, N_TR6)의 게이트로 인가되어 제 1 및 제 6 N모스 트랜지스터(N_TR1, N_TR6)를 턴-온시키면, 제 1 N모스 트랜지스터(N_TR1)의 드레인에 공급된 하이레벨의 게이트 제어신호가 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)의 게이트로 공급되어 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)를 턴-온시킴으로써, 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)는 클럭단(CLK)을 통해 드레인에 공급된 하이레벨의 클럭신호를 스위칭 시켜 스캔펄스를 게이트 배선과 구동신호 출력단(Vout)으로 출력한다.When the input high level gate control signal is applied to the gates of the first and sixth NMOS transistors N_TR1 and N_TR6 to turn on the first and sixth NMOS transistors N_TR1 and N_TR6, the first NMOS The high-level gate control signal supplied to the drain of the transistor N_TR1 is supplied to the gate of the seventh NMOS transistor N_TR7 to turn on the seventh NMOS transistor N_TR7 to thereby turn on the seventh NMOS transistor N_TR7. ) Switches the high-level clock signal supplied to the drain through the clock terminal CLK to output the scan pulse to the gate wiring and the driving signal output terminal Vout.
이때, 로우레벨의 반전클럭신호가 반전클럭단(/CLK)을 통해 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)의 게이트로 인가되어 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)를 턴-오프시킴으로써, 제 3 및 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR3, N_TR8)의 게이트와 제 5 및 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR5, N_TR6)의 드레인에 로우신호가 인가되도록 한다. 이에 따라, 제 3 N모스 트랜지스터(N_TR3)가 턴-오프되어 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)의 게이트에 공급되는 전압의 손실이 이루어지지 않도록 하고, 또한 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)는 턴-오프되어 접지전압(Vss)이 게이트 배선(GL)과 구동신호 출력단(Vout)으로 출력되지 않도록 차단하여 준다. 그리고 로우레벨의 리셋신호를 리셋 단자(Vreset)에 접속된 제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)의 게이트로 인가하여 제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)를 턴-오프시킨다.In this case, the low level inverted clock signal is applied to the gate of the second NMOS transistor N_TR2 through the inverted clock stage / CLK to turn off the second NMOS transistor N_TR2 to thereby turn off the third and eighth signals. The low signal is applied to the gates of the N-MOS transistors N_TR3 and N_TR8 and the drains of the fifth and eighth N-MOS transistors N_TR5 and N_TR6. Accordingly, the third N-MOS transistor N_TR3 is turned off so that the voltage supplied to the gate of the seventh N-MOS transistor N_TR7 is not lost, and the eighth N-MOS transistor N_TR8 is turned off. It is turned off to block the ground voltage Vss from being output to the gate line GL and the driving signal output terminal Vout. The low level reset signal is applied to the gate of the fourth NMOS transistor N_TR4 connected to the reset terminal Vreset to turn off the fourth NMOS transistor N_TR4.
끝으로, 로우레벨의 게이트 제어신호, 로우레벨의 클럭신호, 하이레벨의 반전클럭신호가 각각 구동신호 입력단(Vin), 클럭단(CLK) 및 반전클럭단(/CLK)을 통해 입력되는 경우에 대하여 설명한다.Lastly, when the low level gate control signal, the low level clock signal, and the high level inversion clock signal are input through the driving signal input terminal Vin, the clock terminal CLK, and the inverting clock stage / CLK, respectively. Explain.
입력된 로우레벨의 게이트 제어신호가 제 1 및 제 6 N모스 트랜지스터(N_TR1, N_TR6)의 게이트로 인가되어 제 1 및 제 6 N모스 트랜지스터(N_TR1, N_TR6)를 턴-오프시키면, 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)의 게이트에 로우신호가 공급되어 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)를 턴-오프시킴으로써, 제 7 N모스 트랜지스터(N_TR7)는 클럭단(CLK)을 통해 드레인에 공급된 로우레벨의 클럭신호가 게이트 배선과 구동신호 출력단(Vout)으로 출력되는 것을 차단하여 준다.When the input low-level gate control signal is applied to the gates of the first and sixth NMOS transistors N_TR1 and N_TR6 to turn off the first and sixth NMOS transistors N_TR1 and N_TR6, the seventh NMOS A low signal is supplied to the gate of the transistor N_TR7 to turn off the seventh N-MOS transistor N_TR7, so that the seventh N-MOS transistor N_TR7 is a low-level clock supplied to the drain through the clock terminal CLK. The signal is blocked from being output to the gate wiring and the driving signal output terminal Vout.
이때, 하이레벨의 반전클럭신호가 반전클럭단(/CLK)을 통해 제 2 N모스 트랜 지스터(N_TR2)의 게이트로 인가되어 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)를 턴-온시킴으로써, 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)의 드레인에 접속된 고전위 전원단(VDD)을 통해 인가되는 고전위 전원전압(VDD)이 제 2 N모스 트랜지스터(N_TR2)를 통해 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)의 게이트에 공급되어 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)를 턴-온시킨다. 이에 따라, 제 8 N모스 트랜지스터(N_TR8)는 소스에 접속된 접지전압(Vss)을 스위칭 시켜 게이트 배선(GL)과 구동신호 출력단(Vout)으로 로우신호를 출력한다. 그리고 로우레벨의 리셋신호를 리셋 단자(Vreset)에 접속된 제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)의 게이트로 인가하여 제 4 N모스 트랜지스터(N_TR4)를 턴-오프시킨다.At this time, the high level inverted clock signal is applied to the gate of the second NMOS transistor N_TR2 through the inverted clock stage / CLK to turn on the second NMOS transistor N_TR2 to thereby turn on the second NMOS. The high potential power voltage VDD applied through the high potential power terminal VDD connected to the drain of the transistor N_TR2 is supplied to the gate of the eighth NMOS transistor N_TR8 through the second NMOS transistor N_TR2. The eighth N-MOS transistor N_TR8 is turned on. Accordingly, the eighth N-MOS transistor N_TR8 switches the ground voltage Vss connected to the source and outputs a low signal to the gate line GL and the driving signal output terminal Vout. The low level reset signal is applied to the gate of the fourth NMOS transistor N_TR4 connected to the reset terminal Vreset to turn off the fourth NMOS transistor N_TR4.
한편, 상기 클럭신호, 반전클럭신호 및 리셋신호는 타이밍 컨트롤러(190)로부터 공급된다.The clock signal, the inverted clock signal and the reset signal are supplied from the
상기 구성에 의한 본 발명에 따르면,According to the present invention,
첫 번째 게이트 구동셀의 전단과 마지막 게이트 구동셀의 후단에 더미(dummy)로 보조구동셀을 형성함으로써, 첫 번째 게이트 구동셀에 연결된 첫 번째 게이트 배선 및 마지막 게이트 구동셀에 연결된 마지막 게이트 배선으로 인가되는 스캔펄스의 신호특성이 정전기 등에 의해 저하되는 것을 보상하고, 이로 인해 양질의 화질을 제공할 수 있다.By forming auxiliary driving cells in a dummy in front of the first gate driving cell and after the last gate driving cell, they are applied to the first gate wiring connected to the first gate driving cell and the last gate wiring connected to the last gate driving cell. The signal characteristics of the scan pulses to be compensated for are lowered by static electricity and the like, thereby providing high quality images.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하 여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of illustration and not for the purpose of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
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2006
- 2006-06-13 KR KR1020060052931A patent/KR101244658B1/en active IP Right Grant
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