KR101237896B1 - Contactor having antistatic function for testing semiconductor device - Google Patents

Contactor having antistatic function for testing semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR101237896B1
KR101237896B1 KR1020120018944A KR20120018944A KR101237896B1 KR 101237896 B1 KR101237896 B1 KR 101237896B1 KR 1020120018944 A KR1020120018944 A KR 1020120018944A KR 20120018944 A KR20120018944 A KR 20120018944A KR 101237896 B1 KR101237896 B1 KR 101237896B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
contactor
semiconductor device
testing
alkyl
conductive pattern
Prior art date
Application number
KR1020120018944A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
문해중
이종기
Original Assignee
에이케이이노텍주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이케이이노텍주식회사 filed Critical 에이케이이노텍주식회사
Application granted granted Critical
Publication of KR101237896B1 publication Critical patent/KR101237896B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2879—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to electrical aspects, e.g. to voltage or current supply or stimuli or to electrical loads
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks

Abstract

PURPOSE: A contactor for testing a semiconductor device having an electrification preventing function is provided to minimize the occurrence of static electricity at a main body. CONSTITUTION: A contactor(10) comprises a main body(12) and a conductive pattern unit(11). The main body forms the entire outer shape of the contactor, and forms a plurality of conductive pattern holes(13) which are penetrated through the top and the bottom. The main body is formed by mixing a first material with the insulating property and a second material with the electrification preventing property. The conductive pattern holes form the conductive pattern unit by filling conductive powder.

Description

대전 방지 기능을 갖는 반도체 소자 테스트용 콘택터{CONTACTOR HAVING ANTISTATIC FUNCTION FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICE}CONTACTOR HAVING ANTISTATIC FUNCTION FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 대전 방지 기능을 갖는 반도체 소자 테스트용 콘택터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정전기에 의한 불량 발생을 최소화할 수 있는 대전 방지 기능을 갖는 반도체 소자 테스트용 콘택터에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor device test contactor having an antistatic function, and more particularly, to a semiconductor device test contactor having an antistatic function capable of minimizing the occurrence of defects caused by static electricity.

반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 양불을 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 반도테 테스트 소켓을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 삽입한 상태에서 검사가 수행된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.The semiconductor device is subjected to a manufacturing process and then an inspection is performed to determine whether the electrical performance is good or not. In the positive test of the semiconductor device, the test is performed while a bandote test socket formed to be in electrical contact with a terminal of the semiconductor device is inserted between the semiconductor device and the test circuit board. Semiconductor test sockets are used in burn-in testing process of semiconductor devices in addition to final semiconductor testing of semiconductor devices.

반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 간격도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 반도체 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 반도체 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.The size and spacing of terminals or leads of semiconductor devices are becoming finer in accordance with the development of technology for integrating semiconductor devices and miniaturization trends and there is a demand for a method of finely forming spaces between conductive patterns of test sockets. Accordingly, there is a limitation in manufacturing a semiconductor test socket for testing a semiconductor device integrated with a conventional Pogo-pin type semiconductor test socket.

이와 같은 반도체 소자의 집적화에 부합하도록 제안된 기술이, 탄성 재질의 실리콘 소재로 제작되는 메인 본체 상에 수직 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 분말을 충진하여 도전 패턴을 형성하는 콘택터(이하, '실리콘 콘택터'라 함)를 이용하는 PCR(Pressure Conductive Rubber) 타입이 널리 사용되고 있다.The proposed technique to meet the integration of the semiconductor device, the perforated pattern is formed in the vertical direction on the main body made of an elastic silicon material, and then filled with conductive powder inside the perforated pattern to form a conductive pattern PCR (Pressure Conductive Rubber) type using a contactor (hereinafter referred to as 'silicon contactor') is widely used.

PCR 타입에 적용되는 실리콘 콘택터는 도전 패턴에 도전성을 부여하고, 도전 패턴 상호간은 절연성 재질, 예컨대 실리콘 재질의 메인 본체에 의해 상호 절연된 상태가 유지된다.
The silicon contactor applied to the PCR type provides conductivity to the conductive pattern, and the conductive patterns are kept insulated from each other by the main body of an insulating material, for example, a silicon material.

그런데, 실리콘 콘택터에서 메인 본체는 절연성 재질로 제작되어 도전 패턴 간을 절연하고 있으나, 절연성 재질의 메인 본체에 정전기가 발생하는 경우, 반도체 테스트 소켓의 이용에 다양한 문제를 야기시킬 수 있다.In the silicon contactor, the main body is made of an insulating material to insulate the conductive patterns. However, when static electricity is generated in the main body of the insulating material, various problems may occur in the use of the semiconductor test socket.

예를 들어, 대기 중의 먼지나 미립자들이 실리콘 콘택터의 메인 본체에서 발생한 정전기에 의해 흡착되는 경우 실리콘 콘택터의 표면 오염을 야기하는 것은 물론이고, 흡착된 먼지나 미립자에 의해 도전 패턴이 전기적으로 연결되어 불량을 야기할 수 있다.For example, when dust or particulates in the air are adsorbed by the static electricity generated in the main body of the silicon contactor, not only does it cause surface contamination of the silicon contactor, but the conductive pattern is electrically connected by the adsorbed dust or particulates. May cause.

또한, 반도체 테스트 소켓을 이용한 반도체 소자의 검사 과정에서도 실리콘 콘택터에서 발생한 정전기로 인해, 테스트 장비의 오작동이나 자칫 반도체 소자의 불량도 야기할 수 있다.In addition, in the process of inspecting a semiconductor device using a semiconductor test socket, static electricity generated in the silicon contactor may also cause malfunction of the test equipment or failure of the semiconductor device.

이와 같은 불량은 반도체 소자의 제조에 있어 수율을 저하시키는 원인으로 작용하게 되고, 고속화된 생상 공정상에서 생산성을 저하시키는 원인으로도 작용하게 된다.Such defects act as a cause of lowering the yield in the manufacture of a semiconductor device, and also acts as a cause of lowering the productivity in the accelerated production process.

이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 정전기에 의한 불량 발생을 최소화할 수 있는 반도체 소자 테스트용 콘택터를 제공하는데 그 목적이 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a contactor for testing a semiconductor device capable of minimizing the occurrence of defects caused by static electricity.

상기 목적은 본 발명에 따라, 반도체 소자의 단자와 상기 반도체 소자의 양불을 테스트하기 위한 검사회로기판 사이에 설치되어 상기 반도체 소자의 상기 단자와 상기 검사회로기판 사이의 전기적 접속을 중계하는 반도체 소자 테스트용 콘택터에 있어서, 절연성 재질의 제1 소재와 대전 방지 재질의 제2 소재가 혼합되어 형성되고, 상하 방향으로 관통된 복수의 도전 패턴공이 형성된 절연성 본체와; 상기 절연성 본체의 상기 각 도전 패턴공에 충진되어 상기 반도체 소자와 상기 검사회로기판을 전기적으로 연결시키는 도전성 재질의 도전 패턴부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트용 콘택터에 의해서 달성된다.The object is according to the present invention, the semiconductor device test is provided between the terminal of the semiconductor device and the test circuit board for testing the good and bad of the semiconductor device to relay the electrical connection between the terminal of the semiconductor device and the test circuit board A contactor comprising: an insulating body formed by mixing a first material of an insulating material and a second material of an antistatic material and having a plurality of conductive pattern holes penetrating in the vertical direction; And a conductive pattern portion made of a conductive material filling the respective conductive pattern holes of the insulating body to electrically connect the semiconductor element and the test circuit board.

여기서, 상기 제2 소재는 대전 방지 재질의 음이온 계면 활성제, 대전 방지 재질의 양이온 계면 활성제, 대전 방지 재질의 비이온 계면 활성제 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 마련될 수 있다.Here, the second material may be provided with one or a combination of anionic surfactant of antistatic material, cationic surfactant of antistatic material, and nonionic surfactant of antistatic material.

그리고, 상기 음이온 계면 활성제는 올레핀 술폰산염(Olefin sulfonate), 리니어 알킬 벤젠 술폰산염(Linear Alkyl Benzene Sulfonate), 알킬 에테르 황산염(Alkyl Ether sulfate) 및 알킬 술폰산염(Alkyl Sulfonate) 중 어느 하나를 포함하여 마련될 수 있다.The anionic surfactant may include any one of an olefin sulfonate, a linear alkyl benzene sulfonate, an alkyl ether sulfate, and an alkyl sulfonate. Can be.

또한, 상기 양이온 계면 활성제는 이미다졸린 쿼트(Imidazoline Quat), 알킬 암모늄 콜로라이드(Alkyl Ammonium Chloride) 및 알킬 암모늄염(Alkyl Ammonium Salt) 중 어느 하나를 포함하여 마련될 수 있다.In addition, the cationic surfactant may include any one of imidazoline quat, alkyl ammonium chloride, and alkyl ammonium salt.

그리고, 상기 비이온 계면 활성제는 팜 지방산 에스테르(Palm Fatty Acid ester)와 폴리옥시에틸렌 알킬 아민(Polyoxyethlene Alkyl amine) 중 어느 하나를 포함하여 마련될 수 있다.The nonionic surfactant may include any one of a palm fatty acid ester and a polyoxyethlene alkyl amine.

그리고, 상기 제1 소재는 절연성의 실리콘 재질로 마련될 수 있다.
The first material may be made of an insulating silicon material.

상기와 같은 구성에 따라 본 발명에 따르면, 메인 본체가 절연성 재질의 제1 소재와 대전 방지 재질의 제2 소재가 혼합되어 형성됨으로써, 메인 몬체에 대전 방지 기능이 부가되어 메인 본체에서의 정전기 발생을 최소화시킨 반도체 소자 테스트용 콘택터가 제공된다.
According to the present invention according to the configuration as described above, the main body is formed by mixing the first material of the insulating material and the second material of the antistatic material, the antistatic function is added to the main monche to generate static electricity in the main body Minimized contactors for semiconductor device testing are provided.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트용 콘택터가 적용된 반도체 테스트 소켓의 단면을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor test socket to which a contactor for testing semiconductor devices according to the present invention is applied.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention;

본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(1)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 지지 플레이트(30)와 콘택터(10)를 포함한다.The semiconductor test socket 1 according to the present invention, as shown in FIG. 1, includes a support plate 30 and a contactor 10.

지지 플레이트(30)는 콘택터(10)가 반도체 소자(3) 및 검사회로기판(5) 사이에서 움직일 때 콘택터(10)를 지지한다. 여기서, 지지 플레이트(30)의 중앙에는 진퇴 가이드용 메인 관통홀(미도시)이 형성되어 있고, 메인 관통홀을 형성하는 가장자리를 따라 가장자리로부터 이격되는 위치에 결합용 관통홀(미도시)이 상호 이격되게 형성된다. 그리고, 콘택터(10)는 지지 플레이트(30)의 상면 및 하면에 접합되는 주변 지지부(50)에 의해 지지 플레이트(30)에 고정된다.The support plate 30 supports the contactor 10 when the contactor 10 moves between the semiconductor element 3 and the test circuit board 5. Here, the main through hole (not shown) for the retreat guide is formed in the center of the support plate 30, and the coupling through hole (not shown) is mutually located at a position spaced apart from the edge along the edge forming the main through hole. It is formed spaced apart. The contactor 10 is fixed to the support plate 30 by a peripheral support part 50 joined to the upper and lower surfaces of the support plate 30.

본 발명에 따른 콘택터(10)는 메인 본체(12)와, 도전 패턴부(11)를 포함한다.The contactor 10 according to the present invention includes a main body 12 and a conductive pattern portion 11.

메인 본체(12)는 콘택터(10)의 전체 외형을 형성하며, 상하 방향으로 관통된 복수의 도전 패턴공(13)이 형성된다. 그리고, 각각의 도전 패턴공(13)에는 도전성 재질의 도전성 분말이 충진되어 도전 패턴부(11)가 형성된다. 여기서, 도전 패턴부(11)를 형성하는 도전성 분말은 니켈에 금 도금된 분말, 또는 니켈에 금 도금된 분말과 실리콘이 혼합된 혼합체가 적용될 수 있다.The main body 12 forms the overall outline of the contactor 10, and a plurality of conductive pattern holes 13 penetrated in the vertical direction are formed. Each conductive pattern hole 13 is filled with conductive powder made of a conductive material to form a conductive pattern portion 11. Here, the conductive powder forming the conductive pattern portion 11 may be a gold-plated nickel powder, or a mixture of nickel-plated gold powder and silicon mixed.

한편, 메인 본체(12)는 절연성의 제1 소재와, 대전 방지 재질의 제2 소재가 혼합되어 형성된다. 본 발명에서는 절연성의 제1 소재로 실리콘 재질이 적용되는 것을 예로 한다.On the other hand, the main body 12 is formed by mixing an insulating first material and an antistatic material second material. In the present invention, an example in which a silicon material is applied as the insulating first material is used.

제2 소재는 대전 방지 재질로 마련된다. 본 발명에서는 제2 소재로 대전 방지 재질을 갖는 계면 활성제가 사용되는 것을 예로 하며, 대전 방지 재질의 음이온 계면 활성제, 대전 방지 재질의 양이온 계면 활성제, 대전 방지 재질의 비이온 계면 활성제 중 어느 하나로 마련되는 것을 예로 한다.The second material is made of an antistatic material. In the present invention, for example, a surfactant having an antistatic material is used as the second material, and is provided with any one of an anionic surfactant of an antistatic material, a cationic surfactant of an antistatic material, and a nonionic surfactant of an antistatic material. Take this as an example.

여기서, 대전 방지 재질의 음이온 계면 활성제로는 올레핀 술폰산염(Olefin sulfonate), 리니어 알킬 벤젠 술폰산염(Linear Alkyl Benzene Sulfonate), 알킬 에테르 황산염(Alkyl Ether sulfate) 및 알킬 술폰산염(Alkyl Sulfonate) 중 어느 하나를 포함하는 재질이 사용될 수 있다.The anionic surfactant of the antistatic material may be any one of olefin sulfonate, linear alkyl benzene sulfonate, alkyl ether sulfate, and alkyl sulfonate. Material comprising a may be used.

또한, 대전 방지 재질의 양이온 계면 활성제로는 이미다졸린 쿼트(Imidazoline Quat), 알킬 암모늄 콜로라이드(Alkyl Ammonium Chloride) 및 알킬 암모늄염(Alkyl Ammonium Salt) 중 어느 하나를 포함하는 재질이 사용될 수 있다.In addition, as the cationic surfactant of the antistatic material, a material including any one of imidazoline quat, Alkyl Ammonium Chloride, and Alkyl Ammonium Salt may be used.

그리고, 비이온 계면 활성제로는 팜 지방산 에스테르(Palm Fatty Acid ester)와 폴리옥시에틸렌 알킬 아민(Polyoxyethlene Alkyl amine) 중 어느 하나를 포함하는 재질이 사용될 수 있다.As the nonionic surfactant, a material including any one of palm fatty acid ester and polyoxyethlene alkyl amine may be used.

여기서, 제2 소재로 사용되는 음이온 계면 활성제, 양이온 계면 활성제 및 비이온 계면 활성제에 대한 상술한 예들은 해당 재료 단독으로 제2 소재로 적용될 수 있으며, 다른 요소와 일정 비율로 혼합되어 제2 소재로 적용될 수 있음은 물론이다. 또한, 음이온 계면 활성제, 양이온 계면 활성제 및 비이온 계면 활성제 중 둘 이상의 조합으로 제2 소재를 마련할 수 있음은 물론이다.Here, the above-described examples of the anionic surfactant, cationic surfactant, and nonionic surfactant used as the second material may be applied as the second material by the material alone, and mixed with other elements in a proportion to the second material. Of course, it can be applied. In addition, it is a matter of course that the second material may be prepared by a combination of two or more of anionic surfactant, cationic surfactant, and nonionic surfactant.

상기와 같은 구성에 따라, 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트용 콘택터(1)에 의한 대전 방지 효과를 고찰하기 위한 실험을 진행하였다. 실험에는 메인 본체(12)를 제1 소재, 즉 실리콘으로 형성하는 경우와, 제1 소재와 제2 소재를 혼합하여 형성하는 경우로 구분하고, 제1 소재와 제2 소재를 혼합하는 경우도 제2 소재의 비율을 가변시켜 실험하였다.According to the configuration as described above, an experiment was conducted to consider the antistatic effect by the contactor 1 for semiconductor device test according to the present invention. The experiment is divided into a case in which the main body 12 is formed of a first material, that is, silicon, and a case in which the first material and the second material are mixed and formed, and the first material and the second material are also mixed. The experiment was performed by varying the ratio of two materials.

그리고, 대전 방지 효과의 측정을 위해 메인 본체(12)의 마찰 대전압을 측정하였는데, 마찰 대전압은 정전기나 스파크 발생시 이를 분산시키는 지표로서 그 값이 낮을수록 대전 방지 효과가 큰 것으로 분석할 수 있다. [표 1]은 상기의 실험 조건에서 측정된 각 실험 시료의 마찰 대전압의 측정값이다.
In addition, the frictional electrification voltage of the main body 12 was measured to measure the antistatic effect. The frictional electrification voltage is an index for dispersing it when static electricity or spark is generated, and the lower the value, the greater the antistatic effect. . Table 1 is a measured value of the frictional electrification voltage of each test sample measured under the above test conditions.

제2 소재 비율Second material ratio 0%0% 0.1%0.1% 0.5%0.5% 1%One% 2%2% 3%3% 마찰대전압(V)Friction band voltage (V) 150150 150150 100100 100100 100100 5050

상기 [표 1]에서 보는 바와 같이, 제1 소재인 실리콘에 제2 소재의 비율을 증가시킬수록 마찰대전압 값이 감소함을 알 수 있으며, 이를 통해 제1 소재와 제2 소재를 혼합하여 메인 본체(12)를 형성하는 경우, 대전 방지 효과를 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.As shown in [Table 1], it can be seen that as the ratio of the second material to silicon as the first material increases, the frictional voltage value decreases, and the main material is mixed with the first material through the main material. When the main body 12 is formed, it can be confirmed that an antistatic effect can be obtained.

비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
Although several embodiments of the present invention have been shown and described, those skilled in the art will appreciate that various modifications may be made without departing from the principles and spirit of the invention . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

1 : 반도체 테스트 소켓 10 : 콘택터
11 : 도전 패턴부 12 : 메인 본체
13 : 도전 패턴공1: semiconductor test socket 10: contactor
11: conductive pattern portion 12: main body
13: challenge pattern ball

Claims (6)

반도체 소자의 단자와 상기 반도체 소자의 양불을 테스트하기 위한 검사회로기판 사이에 설치되어 상기 반도체 소자의 상기 단자와 상기 검사회로기판 사이의 전기적 접속을 중계하는 반도체 소자 테스트용 콘택터에 있어서,
절연성 재질의 제1 소재와 대전 방지 재질의 제2 소재가 혼합되어 형성되고, 상하 방향으로 관통된 복수의 도전 패턴공이 형성된 절연성 본체와;
상기 절연성 본체의 상기 각 도전 패턴공에 충진되어 상기 반도체 소자와 상기 검사회로기판을 전기적으로 연결시키는 도전성 재질의 도전 패턴부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트용 콘택터.
A semiconductor device test contactor provided between a terminal of a semiconductor element and an inspection circuit board for testing the unsatisfaction of the semiconductor element, the contactor for relaying an electrical connection between the terminal of the semiconductor element and the inspection circuit board,
An insulating body formed by mixing a first material of an insulating material and a second material of an antistatic material and having a plurality of conductive pattern holes penetrating in the vertical direction;
And a conductive pattern portion made of a conductive material filling the respective conductive pattern holes of the insulating body to electrically connect the semiconductor element and the test circuit board.
제1항에 있어서,
상기 제2 소재는 대전 방지 재질의 음이온 계면 활성제, 대전 방지 재질의 양이온 계면 활성제, 대전 방지 재질의 비이온 계면 활성제 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트용 콘택터.
The method of claim 1,
The second material is a semiconductor device test contactor, characterized in that provided with one or two or more of the anionic surfactant of the antistatic material, the cationic surfactant of the antistatic material, the nonionic surfactant of the antistatic material.
제2항에 있어서,
상기 음이온 계면 활성제는 올레핀 술폰산염(Olefin sulfonate), 리니어 알킬 벤젠 술폰산염(Linear Alkyl Benzene Sulfonate), 알킬 에테르 황산염(Alkyl Ether sulfate) 및 알킬 술폰산염(Alkyl Sulfonate) 중 어느 하나를 포함하여 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트용 콘택터.
The method of claim 2,
The anionic surfactant is prepared by including any one of olefin sulfonate, linear alkyl benzene sulfonate, alkyl ether sulfate, and alkyl sulfonate. A contactor for testing semiconductor devices, characterized by the above-mentioned.
제2항에 있어서,
상기 양이온 계면 활성제는 이미다졸린 쿼트(Imidazoline Quat), 알킬 암모늄 콜로라이드(Alkyl Ammonium Chloride) 및 알킬 암모늄염(Alkyl Ammonium Salt) 중 어느 하나를 포함하여 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트용 콘택터.
The method of claim 2,
The cationic surfactant is an imidazoline quat (Imidazoline Quat), alkyl ammonium chloride (Alkyl Ammonium Chloride) and alkyl ammonium salt (Alkyl Ammonium Salt) is a contactor for testing the semiconductor device, characterized in that it is provided.
제2항에 있어서,
상기 비이온 계면 활성제는 팜 지방산 에스테르(Palm Fatty Acid ester)와 폴리옥시에틸렌 알킬 아민(Polyoxyethlene Alkyl amine) 중 어느 하나를 포함하여 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트용 콘택터.
The method of claim 2,
The nonionic surfactant is a contactor for testing semiconductor devices, characterized in that it comprises any one of a palm fatty acid ester (Palm Fatty Acid ester) and polyoxyethylene alkyl amine (Polyoxyethlene Alkyl amine).
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 소재는 절연성의 실리콘 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트용 콘택터.The method according to any one of claims 1 to 5,
The first material is a contactor for testing a semiconductor device, characterized in that the insulating silicon material.
KR1020120018944A 2011-11-28 2012-02-24 Contactor having antistatic function for testing semiconductor device KR101237896B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110124961 2011-11-28
KR1020110124961 2011-11-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101237896B1 true KR101237896B1 (en) 2013-02-27

Family

ID=47900306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120018944A KR101237896B1 (en) 2011-11-28 2012-02-24 Contactor having antistatic function for testing semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101237896B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080060078A (en) * 2006-12-26 2008-07-01 삼성전자주식회사 Silicon connector for testing semiconductor package
KR20090071312A (en) * 2007-12-27 2009-07-01 주식회사 아이에스시테크놀러지 Silicone Contactor for Semi-conductor Device Test including Plate Type Powder
KR20100010864A (en) * 2008-07-23 2010-02-02 문해중 Silicone contactor for testing semiconductor device
KR101110002B1 (en) 2011-06-22 2012-01-31 이정구 Elastic contactor for test of semiconductor device and meathod for manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080060078A (en) * 2006-12-26 2008-07-01 삼성전자주식회사 Silicon connector for testing semiconductor package
KR20090071312A (en) * 2007-12-27 2009-07-01 주식회사 아이에스시테크놀러지 Silicone Contactor for Semi-conductor Device Test including Plate Type Powder
KR20100010864A (en) * 2008-07-23 2010-02-02 문해중 Silicone contactor for testing semiconductor device
KR101110002B1 (en) 2011-06-22 2012-01-31 이정구 Elastic contactor for test of semiconductor device and meathod for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102081478B1 (en) Multipath electrical probe and probe assemblies with signal paths through and secondary paths between electrically conductive guide plates
US7837481B1 (en) Socket for an integrated circuit and a method of providing a connection in a socket
US9373900B2 (en) Contact structure unit
KR101186915B1 (en) Contact structure for inspection
US10908182B2 (en) Electrical connecting apparatus and contact
KR20160148097A (en) Pcr device and manufacturing method thereof
KR101566173B1 (en) Semiconductor test socket and manufacturing method thereof
KR101237896B1 (en) Contactor having antistatic function for testing semiconductor device
KR20170058586A (en) Test socket and manufacturing method thereof
KR20150019283A (en) Probe pin
KR101462968B1 (en) Semiconductor test socket
KR20110036716A (en) Spring probe pin made of conductive rubber and manufacturing method thereof
CN113097087B (en) Semiconductor device and testing method thereof
TW201917802A (en) Wafer level testing structure for multi-sites solution
KR20130058297A (en) Electrical conductive powder and semiconductor test socket
US10935570B2 (en) Intermediate connection member and inspection apparatus
US11156638B2 (en) Contactors with signal pins, ground pins, and short ground pins
CN111856090A (en) Probe, inspection jig and inspection unit
US7425837B2 (en) Spatial transformer for RF and low current interconnect
JP2020017713A (en) Intermediate connecting member and inspection device
JP2008140560A (en) Multipole connector
KR20190091177A (en) By-directional electrically conductive module
KR20190051335A (en) S-type PION pin, and test scoket with the same
KR20120056237A (en) Semiconductor test socket
KR102622022B1 (en) Conductive powder and connector for electrical connection including same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160219

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170214

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180221

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190221

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200218

Year of fee payment: 8