KR101237815B1 - 에칭공법에 의한 글라스 커팅방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

에칭공법에 의한 글라스 커팅방법 및 그 장치이 개시된다. 본 발명의 글라스 커팅장치는 포토 레지스트 층을 도포하는 종래의 에칭방법과 달리, 커팅모듈을 사용하여 글라스 상의 절단부에 밀폐공간인 에칭공간부를 만들고, 해당 에칭공간부로 에칭액을 분사함으로써 절단이 이루어지도록 한다. 나아가 커팅모듈과 글라스에 의해 만들어지는 에칭공간부로부터 에칭액이 유출되는 것을 방지하기 위해 에칭공간부의 외측에 희석액이 충진되는 제어공간부를 마련하여 희석액의 압력에 의해 에칭액이 외부로 유출되지 않도록 한다. 이러한 에칭공법은 글라스의 커팅 속도를 개선하고 커팅후에 세정공정을 동시에 진행되도록 한다.

Description

에칭공법에 의한 글라스 커팅방법 및 그 장치{Apparatus and Method for Cutting Glass by Etching}
본 발명은 반도체 제조에 사용되는 에칭공법을 이용하되 포토 레지스터(Photoresist) 층을 형성하지 아니하고 글라스를 커팅하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
휴대전화나 개인용 컴퓨터와 같은 정보기기에는 윈도우로 사용되는 다양한 형태의 글라스(Glass)가 존재한다. 종래의 글라스 형태는 매우 단순한 사각형 모양을 가졌으나, 최근에는 타원형의 외형을 가지거나 내면에 홀이 형성되는 등 점점 복잡해지고 있기 때문에 단순 커팅방식으로 커팅하기 어렵게 되었다.
예컨대, 종래에 휴대전화에 사용되는 터치패널을 위한 윈도우로 사용되는 글라스는 CNC(Computer Numerical Control) 글라스 절단기 또는 레이저 절단기를 이용하여 커팅하였으며, 커팅한 단면을 그라인딩(Grinding) 연마기를 사용하여 연마 처리함으로써 커팅면을 정리하였다. 이밖에도 강력한 수압을 가지는 물을 분사하여 커팅하는 워터 젯(Water Jet) 방식 등이 있었다. 나아가 최근에는 반도체 제조공정에 사용되는 사진 공법으로 절단부분 이외의 부분에 포토 레지스터 층을 형성시킨 다음 에칭액을 사용하여 에칭함으로써 절단하는 방법이 있었다.
비록, 레이저 절단방식은 매우 고가인 단점이 있고, 워터 젯 방식은 글라스 자체가 파괴되는 단점이 있었지만 이러한 방식들이 종래의 단순한 형상의 커팅에는 적용할 수 있었으나, 최근의 복잡한 형상의 커팅에 적용할 수 없게 되고 있다. 또한, 에칭방법에 의한 커팅도 그 절단면이 매끄럽지 못하고 시간이 많이 걸린다는 문제가 있다.
한편, 이러한 글라스는 다양한 용도 중 하나가 터치패널이다. 터치 패널은 정보기기 내지 정보기술의 발전방향의 큰 흐름 중 하나인 휴대성을 실현시키기 위해 필요한 기술 중 하나로 평가되며, 터치 패널을 채용한 퍼스널 컴퓨터는 PC의 새로운 패러다임으로 평가될 정도이다.
터치 패널은 전자기기의 다양한 형상에 맞게 커팅된 글라스(Glass) 기판상에 인듐주석 산화물(ITO: Indume Tin Oxide)과 같은 투명전극 층을 형성하여 ITO 패널을 만들고, 그 기구적 특성을 강화하기 위해 ITO 패널에 강화유리를 접착하여 원도우로 사용한다.
이러한 방식에서의 강화유리를 윈도우로 사용하기 위해서는 셀 단위로 유기기판을 커팅한 후, 이를 개별적으로 강화 처리 공정을 수행하게 된다. ITO 패널도 마찬가지의 커팅 공정이 필요하다.
이상의 방식의 터치 패널은 두 장의 유리를 사용하기 때문에 그 두께를 줄이는데 한계가 있으므로, 최근에는 강화유리의 이면에 투명전극 층을 직접 형성하여 하나의 유리기판만을 사용하는 강화유리 일체형의 DPW(Direct Patterned Window) 방식이 등장하였다. 강화유리 일체형에서는 유리 기판을 강화 처리한 다음 원하는 형상으로 재단하고, 유리에 투명전극 층을 형성한 다음에, 원하는 형태로 강화유리를 재단하고 커팅하여 완성하게 된다.
강화유리 일체형 터치 패널의 제조방법 중에는, 윈도우 기판을 에칭공법에 의해 절단하되, 처음부터 완전히 절단하지 않은 상태에서 강화처리를 진행한 다음, 모든 공정이 마무리된 후에 완전히 절단하는 방법(대한민국 공개특허 제10-2010-0084257호)도 제시되고 있다.
본 발명의 목적은 반도체 제조에 사용되는 에칭(Etching)공법을 이용하되 포토 레지스터(Photoresist) 층을 형성하지 아니하고 글라스를 커팅하는 방법 및 그 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 에칭공법에 의해 글라스를 더욱 빠른 속도를 커팅함과 동시에 커팅후에 세정공정을 동시에 진행할 수 있는, 에칭공법에 의한 글라스 커팅방법 및 그 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하도록 본 발명에 따라, 반도체 제조에 사용되는 에칭(Etching)공법을 이용하여 글라스를 절단선(A)을 따라 절단하는 글라스 커팅장치는 커팅모듈과 에칭액 공급기를 포함한다.
상기 커팅모듈은 상기 글라스의 일면에 접촉함으로써, 상기 일면 상의 절단선(A)을 에워싸는 밀폐된 에칭공간부를 형성하며, 상기 에칭액 공급기는 상기 커팅모듈을 통해 상기 에칭공간부에 에칭액을 공급하여 상기 절단선(A)을 따라 에칭이 이루어져 상기 글라스가 커팅되도록 한다.
여기서, 상기 커팅모듈은 상기 에칭액공급기로부터 공급되는 에칭액을 상기 에칭공간부로 분사하는 에칭 노즐을 포함하여, 상기 에칭공간부가 상기 에칭액에 의해 일정한 압력을 유지하도록 하는 것이 바람직하다.
실시 예에 따라, 상기 커팅모듈은 상기 에칭 노즐에 의해 상기 에칭공간부에 분사된 에칭액을 흡입하는 에칭액 흡입구를 포함하고, 상기 에칭액공급기는 상기 에칭공간부에 분사한 에칭액을 상기 에칭액 흡입구를 통해 흡입하면서 상기 에칭공간부에 일정한 압력을 유지하는 것이 바람직하다.
다른 실시 예에 따르면, 상기 커팅모듈은 상기 글라스에 접촉함으로써 상기 에칭공간부와의 사이에 하나의 격벽으로 구분되어 상기 에칭공간부를 둘러싸는 밀폐된 제어공간부를 더 형성할 수 있다. 여기서, 글라스 커팅장치는 상기 에칭액을 희석시키는 희석액을 상기 커팅모듈을 통해 상기 제어공간부에게 공급하는 희석액공급기를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 커팅모듈에는 상기 희석액공급기에서 공급되는 희석액을 상기 제어공간부로 분사하는 희석액 노즐이 더 포함되고, 상기 제어공간부는 상기 희석액에 의해 일정한 압력을 유지한다.
바람직하게는, 상기 제어공간부가 상기 에칭공간부 보다 높은 압력을 유지하도록 함으로써, 상기 격벽과 글라스가 접촉한 부분을 통해 상기 에칭공간부의 에칭액이 에칭공간부 밖으로 유출되지 않도록 한다.
또 다른 실시 예에 따르면, 상기 커팅모듈은 상기 희석액 노즐에 의해 상기 제어공간부에 분사된 희석액을 흡입하는 희석액 흡입구를 포함하고, 상기 희석액공급기는 상기 제어공간부에 분사한 희석액을 상기 희석액 흡입구를 통해 흡입하면서 상기 제어공간부에 일정한 압력을 유지하게 된다.
나아가 상기 희석액 흡입구는 상기 희석액 노즐보다 상기 에칭공간부에 가깝게 위치하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 글라스 커팅장치는 상기 커팅모듈을 2개 포함하고, 상기 2개 커팅모듈 중 제1 커팅모듈은 상기 글라스의 상면에 배치되고 제2 커팅모듈은 상기 글라스의 하면에 배치되어, 상기 글라스가 상기 제1 커팅모듈과 제2 커팅모듈에 의해 동시에 커팅될 수 있다.
이 경우, 상기 제1 커팅모듈의 에칭공간부의 압력이 상기 제2 커팅모듈의 에칭공간부의 압력보다 높게 유지함으로써 커팅이 완료된 후에, 상기 제1 커팅모듈의 에칭공간부에서 상기 제2 커팅모듈의 에칭공간부로의 상기 에칭액의 흐름이 생기도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시 예에 따라, 에칭공법에 의해 글라스를 절단선을 따라 절단하는 글라스 커팅방법은, 상기 절단선을 에워싸는 격벽이 돌출된 커팅모듈을 상기 글라스의 일면에 접촉시켜, 상기 격벽으로 하여금 상기 절단선을 에워싸는 밀폐된 에칭공간부를 형성하는 단계; 및 상기 커팅모듈에 형성된 에칭 노즐을 통해 에칭액을 상기 에칭공간부로 분사하여 에칭이 이루지도록 함으로써 상기 절단선을 따라 상기 글라스를 커팅하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 커팅방법은, 포토 레지스터(Photoresist) 층을 형성하지 아니하면서도 에칭공법에 의하여 글라스를 커팅할 수 있다.
단순히 에칭액이 담겨지는 종래의 공법에 비하여, 본 발명의 커팅방법은 에칭액이 일정한 압력을 가지면서 글라스에 분사되기 때문에 글라스 면에서의 화학적 에칭 속도가 종래에 비하여 매우 빨라지게 된다.
또한, 포토 레지스터 등의 내화학성 등에 기인하여 에칭액의 농도가 제한되었던 종래의 방식과 달리, 본 발명의 에칭공법에서는 고농도의 에칭액을 사용할 수 있기 때문에, 글라스의 커팅 속도가 매우 빨라지고 강화유리에서도 우수한 커팅이 가능하다.
또한, 본 발명의 커팅방법에 의할 경우, 글라스의 커팅과 동시에 절단면의 세정을 동시에 진행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 글라스 커팅장치를 간략히 도시한 단면도,
도 2는 글라스 커팅장치에서 글라스와 커팅모듈이 상대적 위치를 설명하기 위한 도면,
도 3은 본 발명의 글라스 커팅장치의 커팅방법의 설명에 제공되는 흐름도, 그리고
도 4 및 도 5는 본 발명의 글라스 커팅장치에 의한 커팅과정의 설명에 제공되는 도면이다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
도 1의 단면도를 참조하면, 본 발명의 커팅장치(100)는 글라스(10)의 상면에서 커팅을 수행하는 제1 커팅모듈(110)과, 글라스(10)의 하면에서 커팅을 수행하는 제2 커팅모듈(150)를 포함한다. 또한, 커팅장치(100)는 제1 커팅모듈(110) 및 제2 커팅모듈(150)과 각각 연결된 에칭액공급기(미도시) 및 희석액공급기(미도시)를 포함한다.
제1 커팅모듈(110)과 제2 커팅모듈(150)은 동일한 구조를 가지며 다른 설명이 없는 한 제1 커팅모듈(110)에 대한 설명은 제2 커팅모듈(150)에도 적용된다. 제1 커팅모듈(110)은 제1 커팅베이스(111)와, 제1 커팅베이스(111)로부터 글라스(10)의 상면(11)를 향해 돌출되어 글라스(10)의 상면(11)에 접촉하는 제1 내지 제3 격벽(113, 115, 117)이 형성되어 있다.
도 2는 글라스 커팅장치에서 글라스와 커팅모듈이 상대적 위치를 설명하기 위한 도면으로서, 식별번호 113A, 115A, 117A는 글라스(10)에 접촉하게 되는 제1 내지 제3 격벽(113, 115, 117)의 위치를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 제1 및 제2 격벽(113, 115)은 글라스(10)의 상면(11) 상의 가상의 절단선(A)을 따라 나란하게 배치되며, 글라스(10)의 상면과 함께 밀폐된 제1 에칭공간부(119)를 형성한다.
또한, 제2 및 제3 격벽(115, 117)은 글라스(10)의 상면과 함께 밀폐된 제1 제어공간부(121)를 형성한다. 도 2를 참조하면, 제1 제어공간부(121-2)는 상호 근접하여 형성되는 두 개의 제1 에칭공간부(119-1, 119-2) 사이에도 마련될 수 있다. 이러한 경우, 제1 제어공간부(121)는 도 2의 식별번호 121-2처럼 제3 격벽(117) 없이 제1 및 제2 격벽(113, 115)에 의해서만으로도 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 격벽(113, 115, 117)은 에칭의 진행되는 중에도 글라스(10)와의 접촉을 유지함으로써 제1 에칭공간부(119)와 제1 제어공간부(121)를 밀폐 상태로 유지해야 하므로, 제1 내지 제3 격벽(113, 115, 117)은 글라스(10)의 두께의 절반 이상의 높이를 가지는 것이 바람직하다.
제1 커팅모듈(110)에는 제1 커팅베이스(111)를 관통하여 형성된 제1 에칭노즐(123), 제1 에칭 흡입구(125), 제1 희석액 노즐(127) 및 제1 희석액 흡입구(129)가 형성되어 있다.
제1 에칭노즐(123)과 제1 에칭 흡입구(125)의 일단은 제1 에칭공간부(119)에 연결되고, 타단은 제1 커팅모듈(110)과 별도로 마련되는 에칭액공급기(미도시)에 연결된다. 에칭액공급기(미도시)는 제1 에칭노즐(123)을 통해 제1 에칭공간부(119)로 소정의 에칭액(Etching Solution)을 분사하고, 제1 에칭 흡입구(125)를 통해 제1 에칭공간부(119)로 분사된 에칭액을 흡입하는 방법으로, 제1 에칭공간부(119)에 에칭액에 의한 일정한 압력 P1을 유지한다.
제1 희석액 노즐(127)과 제1 희석액 흡입구(129)의 일단은 제1 제어공간부(121)에 연결되고, 타단은 제1 커팅모듈(110)과 별도로 마련되는 희석액공급기(미도시)에 연결된다. 희석액공급기(미도시)는 제1 희석액 노즐(127)을 통해 제1 제어공간부(121)로 소정의 희석액을 분사하고, 제1 희석액 흡입구(129)를 통해 제1 제어공간부(121)로 분사된 희석액을 흡입하는 방법으로, 제1 제어공간부(121)에 희석액에 의한 일정한 압력 P2를 유지한다.
여기서, 희석액은 에칭액의 산도(pH)를 낮출 수 있는 것이면 족하며, 에칭액이 불산(Hydrogen Fluoride: HF) 또는 그 불산화합물의 용액일 경우에 희석액은 물을 사용할 수 있다.
제2 커팅모듈(150)도 제2 커팅베이스(151)와, 제2 커팅베이스(151)로부터 글라스(10)의 하면(12)를 향해 돌출되어 글라스(10)의 하면(12)에 접촉하는 제4 내지 제6 격벽(153, 155, 157)이 형성되어 있다. 제2 커팅베이스(151)와 제4 내지 제6 격벽(153, 155, 157)은 제1 커팅모듈(110)의 제1 커팅베이스(111)와 제1 내지 제3 격벽(113, 115, 117)과 동일하게 설명될 수 있으며, 다만 글라스(10)의 하면에 제2 에칭공간부(159)와 제2 제어공간부(161)를 형성한다.
또한, 제2 커팅모듈(150)에도 제2 커팅베이스(151)를 관통하여 형성된 제2 에칭노즐(163), 제2 에칭 흡입구(165), 제2 희석액 노즐(167) 및 제2 희석액 흡입구(169)가 형성되어 있으며, 제1 커팅베이스(111)를 관통하여 형성된 제1 에칭노즐(123), 제1 에칭 흡입구(125), 제1 희석액 노즐(127) 및 제1 희석액 흡입구(129)와 동일하게 설명될 수 있다. 다만, 제2 에칭공간부(159)는 에칭액에 의하여 일정한 압력 P3을 유지하며, 제2 제어공간부(161)는 희석액에 의하여 일정한 압력 P4를 유지한다.
이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여, 제1 커팅모듈(110)에 의한 커팅방법을 먼저 설명한다. 이하의 설명은 제2 커팅모듈(150)에도 동일하게 적용된다.
<에칭공간부 및 제어공간부 형성: S301>
제1 커팅모듈(110)과 제2 커팅모듈(150)이 글라스(10)에 접촉함으로써 글라스(10)의 면에 제1 에칭공간부(119), 제2 에칭공간부(159), 제1 제어공간부(121) 및 제2 제어공간부(161)를 형성한다.
이와 같이, 제1 커팅모듈(110)과 제2 커팅모듈(150)이 글라스(10)에 접촉하기 위해, 본 발명의 글라스 커팅장치(100)는 제1 커팅모듈(110)과 제2 커팅모듈(150)를 상하로 이송시키기 위한 이송수단(100)을 구비할 수 있다. 나아가 글라스 커팅장치(100)는 글라스(10)를 제1 커팅모듈(110)과 제2 커팅모듈(150) 사이에 로딩하기 위한 이송수단(미도시)을 포함할 수 있다.
이에 따라, 글라스(10)가 제1 커팅모듈(110)과 제2 커팅모듈(150) 사이에 로딩되면, 제1 커팅모듈(110)과 제2 커팅모듈(150)이 상하로 이송되면서 글라스(10)에 접촉하게 된다.
<에칭액에 의한 에칭 개시: S303>
글라스(10)의 면에 제1 에칭공간부(119)와 제2 에칭공간부(159)가 형성되면, 에칭액공급기(미도시)가 제1 에칭노즐(123)을 통해 제1 에칭공간부(119)의 글라스(10)에 에칭액을 분사하고, 제2 에칭노즐(163)을 통해 제2 에칭공간부(159)의 글라스(10)에 에칭액을 분사함으로써, 도 4와 같이 글라스(10)의 상면(11)과 하면(12)에서 절단선(A)을 따라 에칭이 개시된다.
에칭액이 제1 에칭노즐(123) 및 제2 에칭노즐(163)에 의해 소정의 압력으로 절단부분을 향해 분사되기 때문에, 제1 에칭공간부(119)와 제2 에칭공간부(159)에서의 에칭은 종래의 방식에 비해 휠씬 빠른 속도로 진행될 수 있다. 나아가 포토 레지스터(PR: Photoresist) 등의 내화학성 등에 기인하여 에칭액의 농도가 제한되었던 종래의 방식과 달리, 본 발명의 커팅장치(100)는 제1 및 제2 격벽(113, 115), 또는 제4 및 제5 격벽(153, 155)의 내화학성의 범위 내에서 종래보다 휠씬 고농도의 에칭액을 사용할 수 있고, 따라서 글라스의 커팅 속도도 더 빨라지고 강화유리에서도 우수한 커팅이 가능해진다.
이상의 특징은 제1 에칭공간부(119)와 제2 에칭공간부(159)가 밀폐된 상태를 유지하기 때문에 가능하다. 따라서 제1 내지 제6 격벽(113, 115, 117, 153, 155, 157)은 앞서 설명한 바와 같이 글라스(10) 두께의 절반 이상의 높이를 가지는 것이 바람직하며, 약간의 탄성을 가짐으로써 제1 커팅모듈(110)과 제2 커팅모듈(150)이 약간의 압력을 가지고 글라스(10)에 접촉할 때에 공간부의 밀폐성을 강화할 수 있는 것이 바람직하다. 예컨대, 에칭액이 불산 또는 그 화합물의 용액인 경우에, 제1 내지 제6 격벽(113, 115, 117, 153, 155, 157)은 불소 수지인 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE: Polytetrafluoroethylene, 테프론) 소재를 사용하는 것이 바람직하다.
그럼에도 불구하고, 에칭이 진행되면서 제1 에칭공간부(119)의 밀폐성이 약화될 수 있고 이에 따라 제1 에칭공간부(119)의 에칭액이 제1 에칭공간부(119) 밖으로 유출될 수 있다.
<제어공간부가 압력 P2를 유지하여 에칭액의 유출방지: S305>
이러한 현상을 방지하기 위해, 희석액공급기(미도시)는 제1 제어공간부(121)에 희석액을 분사하고 충진하여 압력 P2를 유지한다.
이때, 제1 제어공간부(121)의 압력 P2는 제1 에칭공간부(119)의 압력 P1 보다 높게 유지함으로써 압력의 차이에 의해 에칭액이 제1 에칭공간부(119) 밖으로 유출되지 않도록 한다. 마찬가지로 제2 제어공간부(161)의 압력 P4는 제2 에칭공간부(159)의 압력 P3 보다 높게 유지되는 것이 바람직하다.
따라서 각 공간부 내의 압력은 다음의 수학식 1 및 2와 같은 압력 분배를 가지는 것이 바람직하다.
Figure 112010057272008-pat00001
Figure 112010057272008-pat00002
이러한 조작에 불구하고, 제1 에칭공간부(119) 또는 제2 에칭공간부(159)의 에칭액이 밖으로 유출되는 경우에도, 제1 제어공간부(121) 또는 제2 제어공간부(161)가 희석액으로 채워져 있으므로 유출된 에칭액이 희석되어 글라스(10)의 절단부분 이외에서 에칭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한 제1 희석액 흡입구(129)는 제1 희석액 노즐(127)보다 제1 에칭공간부(119)에 가깝게 형성되고 제2 희석액 흡입구(169)는 제2 희석액 노즐(167)보다 제2 에칭공간부(159)에 가깝게 형성됨으로써, 에칭공간부 밖으로 유출된 에칭액이 제1 희석액 흡입구(129) 또는 제2 희석액 흡입구(169)에 의해 바로 흡입하여 외부로 배출되는 것이 바람직하다.
<상하로 진행된 글라스의 커팅완료: S307>
에칭이 진행중인 상태에서, 제1 에칭공간부(119)의 압력 P1은 제2 에칭공간부(159)의 압력 P3 보다 큰 것이 바람직하다.
에칭이 진행된 후에 소정 시간이 경과하면, 제1 에칭공간부(119)에서 글라스(10)의 아랫쪽으로 에칭이 진행되고 제2 에칭공간부(159)에서 글라스(10)의 윗쪽으로 에칭이 진행되면서 결국 상하로 진행되는 에칭면이 서로 만나게 되고 제1 에칭공간부(119)와 제2 에칭공간부(159)가 상호 연결됨으로써, 도 5와 같이 글라스(10)의 커팅이 완료된다.
이때, 제1 에칭공간부(119)의 압력 P1이 제2 에칭공간부(159)의 압력 P3 보다 크게 되면, 그 압력의 차이에 의해 순간적으로 제1 에칭공간부(119)의 에칭액이 제2 에칭공간부(159)로 향하는 흐름이 발생하게 되어 에칭액이 윗쪽으로 역류하는 일이 발생하지 않게 된다.
커팅이 완료되어 제1 에칭공간부(119)와 제2 에칭공간부(159)가 상호 연결되면, 압력이 상호 분배되어 제1 에칭공간부(119)의 압력 P1이 내려가고 제2 에칭공간부(159)의 압력 P3이 올라가기 때문에, 본 발명의 글라스 커팅장치(100)는 제1 에칭공간부(119)와 제2 에칭공간부(159)의 압력을 측정함으로써 에칭이 완료되었는지 여부를 확인할 수 있다.
다시 말해, 에칭이 진행중인 상태에서, 제1 에칭공간부(119)의 압력 P1은 제2 에칭공간부(159)의 압력 P3 보다 크게 함으로써, 압력 센싱을 통해 커팅이 완료되었음을 확인할 수 있게 되고, 커팅 완료 후에 에칭액이 역류하는 것을 방지할 수 있다.
<에칭액 공급을 중단하고 제1 및 제2 커팅모듈 분리: S309>
에칭에 의한 커팅이 완료되면, 에칭액공급기(미도시)는 제1 에칭공간부(119)와 제2 에칭공간부(159)로의 에칭액의 공급을 중단하고, 제1 커팅모듈(110)과 제2 커팅모듈(150)을 글라스(10)로부터 분리시킨다. 이에 따라 제1 제어공간부(121)의 희석액이 그 압력에 의해 제1 에칭공간부(119)로 밀려 들어가게 되고 결국 에칭된 절단면을 따라 제2 에칭공간부(159)로 흘러가면서 에칭된 절단면에 대한 세정이 함께 이루어진다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
10: 글라스 110: 제1 커팅모듈
111: 제1 커팅베이스 113: 제1 격벽
115: 제2 격벽 117: 제3 격벽
119: 제1 에칭공간부 121: 제1 제어공간부
123: 제1 에칭노즐 125: 제1 에칭 흡입구
127: 제1 희석액 노즐 129: 제1 희석액 흡입구
150: 제2 커팅모듈 151: 제2 커팅베이스
153: 제4 격벽 155: 제5 격벽
157: 제6 격벽 159: 제2 에칭공간부
161: 제2 제어공간부 163: 제2 에칭노즐
165: 제2 에칭 흡입구 167: 제2 희석액 노즐
169: 제2 희석액 흡입구

Claims (12)

  1. 글라스를 가상의 절단선을 따라 절단하는 글라스 커팅장치에 있어서,
    상기 글라스의 일면에 접촉함으로써 상기 일면 상의 절단선을 에워싸는 밀폐된 에칭공간부를 형성하는 커팅모듈을 포함하고,
    상기 커팅모듈은,
    에칭액을 상기 에칭공간부로 분사하여 상기 절단선을 따라 에칭이 이루어져 상기 글라스가 커팅되도록 하는 에칭 노즐; 및
    상기 에칭 노즐에 의해 상기 에칭공간부에 분사된 에칭액을 흡입하는 에칭액 흡입구을 포함하여 상기 에칭공간부가 상기 에칭액에 의해 일정한 압력을 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 글라스 커팅장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 커팅모듈은 상기 글라스에 접촉함으로써 상기 에칭공간부를 둘러싸고 상기 에칭공간부와의 사이에 하나의 격벽으로 구분되는 밀폐된 제어공간부를 더 형성하고,
    상기 커팅모듈은 희석액을 상기 제어공간부로 분사하는 희석액 노즐을 포함하여, 상기 제어공간부가 상기 희석액에 의해 일정한 압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 글라스 커팅장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 커팅모듈은,
    상기 희석액 노즐에 의해 상기 제어공간부에 분사된 희석액을 흡입하는 희석액 흡입구를 포함하여 상기 제어공간부에 분사된 희석액을 흡입함으로써 상기 제어공간부에 일정한 압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 글라스 커팅장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제어공간부가 상기 에칭공간부 보다 높은 압력을 유지하도록 함으로써, 상기 격벽과 글라스가 접촉한 부분을 통해 상기 에칭공간부의 에칭액이 유출되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 글라스 커팅장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 커팅모듈이 2개 마련되고,
    상기 2개 커팅모듈 중 제1 커팅모듈은 상기 글라스의 상면에 배치되고, 제2 커팅모듈은 상기 글라스의 하면에 배치되어 상기 제1 커팅모듈과 제2 커팅모듈에 의해 동시에 커팅이 이루어지는 것을 특징으로 하는 글라스 커팅장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 커팅모듈의 에칭공간부의 압력이 상기 제2 커팅모듈의 에칭공간부의 압력보다 높게 유지함으로써 커팅이 완료된 후에, 상기 제1 커팅모듈의 에칭공간부에서 상기 제2 커팅모듈의 에칭공간부로의 상기 에칭액의 흐름이 생기도록 하는 것을 특징으로 하는 글라스 커팅장치.
  7. 에칭공법에 의해 글라스를 절단선을 따라 절단하는 글라스 커팅방법에 있어서,
    상기 절단선을 에워싸는 격벽이 돌출된 커팅모듈을 상기 글라스의 일면에 접촉시켜, 상기 격벽으로 하여금 상기 절단선을 에워싸는 밀폐된 에칭공간부를 형성하는 단계;
    상기 커팅모듈에 형성된 에칭 노즐을 통해 에칭액을 상기 에칭공간부로 분사하여 에칭이 이루지도록 함으로써 상기 절단선을 따라 상기 글라스를 커팅하는 단계; 및
    상기 커팅모듈에 형성된 에칭액 흡입구를 통해 상기 에칭공간부에 분사된 에칭액을 흡입함으로써 상기 에칭공간부에 일정한 압력을 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭공법에 의한 글라스 커팅방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 커팅모듈에 형성된 희석액 노즐을 통해 제어공간부에 희석액을 충진함으로써 상기 제어공간부가 상기 희석액에 의해 일정한 압력을 유지하는 단계를 더 포함하고,
    상기 커팅모듈은 상기 에칭공간부의 외측에 상기 격벽으로 구분되는 밀폐된 상기 제어공간부를 형성하는 격벽이 더 돌출 형성되어 있어서, 상기 에칭공간부를 형성하는 단계에서 상기 커팅모듈이 상기 제어공간부도 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 에칭공법에 의한 글라스 커팅방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 커팅모듈에 형성된 희석액 흡입구를 통해 상기 제어공간부에 충진된 희석액을 흡입하면서 상기 제어공간부에 일정한 압력을 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭공법에 의한 글라스 커팅방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제어공간부가 상기 에칭공간부 보다 높은 압력을 유지하도록 함으로써, 상기 에칭공간부의 에칭액이 상기 격벽과 글라스가 접촉한 부분을 통해 유출되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 에칭공법에 의한 글라스 커팅방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 각 단계가 상기 글라스의 상면과 하면에서 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 에칭공법에 의한 글라스 커팅방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 글라스의 상면에 위치한 에칭공간부의 압력이 상기 글라스의 하면에 위치한 에칭공간부의 압력보다 높게 유지함으로써 커팅이 완료된 후에, 상기 글라스의 상면에 위치한 에칭공간부에서 상기 글라스의 하면에 위치한 에칭공간부로의 상기 에칭액의 흐름이 생기도록 하는 것을 특징으로 하는 에칭공법에 의한 글라스 커팅방법.



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