KR101231598B1 - Ｃｎｔ 전계 전자 방출원 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

CNT(Carbon nanotube) 전계 전자 방출원의 제조 방법은, (a) 전도성 기판상에 포토레지스트층을 적층시키는 단계, (b) 상기 포토레지스트층에 미리 설정된 형상의 패터닝을 수행하여, 상기 전도성 기판의 일부를 노출시키는 단계, (c) 상기 전도성 기판의 노출된 영역에 전기영동방법에 따라 CNT 막을 형성시키는 단계, (d) 상기 전도성 기판상의 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계 및 (e) 상기 포토레지스트층이 제거된 영역에 도금층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

ＣＮＴ 전계 전자 방출원 및 그 제조 방법{CNT FIELD ELECTRON EMITTER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 CNT 전계 전자 방출원 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 전기 영동 방법을 이용하여 CNT 막을 형성한 CNT 전계 전자 방출원에 관한 것이다.
종래의 엑스선 발생장치는 진공 방전관 내부에서 텅스텐 필라멘트를 음극으로 사용한다. 텅스텐 필라멘트에 열을 가함으로써 발생하는 열전자를 고전압하에서 금속 타겟에 충돌시켜 엑스선을 발생시킨다. 이와 같이, 텅스텐 필라멘트를 기반으로 한 종래의 엑스선 발생장치는 거대한 장치로 이루어져 있고, 과다한 제작비용이 들며, 사용에 있어서도 여러 가지 제한이 있다.
또한, 종래의 엑스선 발생장치는 전자를 방출하기 위한 예열 시간을 필요로 하기 때문에 응답시간이 느리다. 그리고, 음극에서 고온의 열이 발생하기 때문에 장시간 사용할 경우 필라멘트가 증발되고, 이때 발생하는 증발 가스로 인해 내부진공도도 떨어진다. 그 밖에, 양극부의 금속 타깃이 손상되어 열전자 방출 특성이 변하여 엑스선 양이 줄어드는 문제점도 있다.
또한, 텅스텐 필라멘트를 기반으로 한 종래의 엑스선 발생장치는 전자가 방출되는 위치가 일정하지 않고, 전자 집속 렌즈를 장착해도 양극부에 도달하는 방출 전자량의 효율이 떨어지고, 타겟과 충돌할 경우 X선의 초점크기의 변화가 크게 발생하여 X-선의 영상 품질 및 분해능이 저하되는 문제점을 가지고 있다. 이외에도, 필라멘트 가열을 통한 열전자방출 X-선 발생 장치는 복잡한 전자 집속 및 제어 시스템이 필요하고, 필라멘트의 가열로 인해 음극부의 수명 열화가 일어나 신뢰성 확보에 제한이 있고, 과다한 제작비용이 발생한다.
상기 문제들을 해결하기 위해 높은 전기 전도성을 가지며, 전계 집중 효과가 탁월하고, 물리적 화학적 내구성이 우수한 탄소나노튜브 (Carbon nanotube: CNT)를 X-선 발생장치의 전계 전자 방출원 (field electron emitter)으로 사용하고자 하는 연구가 이루어지고 있다.
일반적으로 사용되고 있는 CNT 전계 전자 방출원 제조 방법은 전극 기판 상에 직접 성장시킨 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), CNT와 유기 바인더 및 유리 프릿(glass frit)으로 이루어진 페이스트(paste)를 스크린 인쇄법(screen printing)을 통해 탄소나노튜브 막을 형성하는 방법, 용액 기반 CNT를 이용하여 전도성 기판상에 전기력에 의하여 이동시켜 에미터를 형성하는 전기영동증착법이 사용되고 있다.
그러나, CVD방법은 500℃ 이상의 높은 온도에서 공정이 진행되므로, 기판의 재료 선택에 제한이 있고, 고가의 진공장비가 필요하다는 단점이 있다. 또한, 스크린 인쇄법은 페이스트에 함유된 각종 바인더, 금속입자, 유리 프릿을 이용하여 기판 위에 탄소나노튜브 막을 형성하는데, 기판과의 물리적 전기적 결합이 충분하지 않은 문제점과 유기 바인더 제거 및 기판과의 접착력 향상을 위해 400℃ 이상의 온도에서의 열처리 공정을 수행해야 하기 때문에 CNT의 손상이 발생되어 높은 전계 방출 전류를 얻기가 어렵다. 또한, 전기영동 증착법으로 형성된 탄소나노튜브 에미터는 기판과의 약한 접착성을 가지고 있어 고전계에서 CNT가 기판으로부터 분리되는 문제점을 가지고 있다.
본 발명의 일부 실시예는 전기 영동 방법에 따라 형성된 CNT 층을 기판에 더욱 강하게 결합할 수 있는 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법 및 이에 따른 CNT 전계 전자 방출원을 제공한다.
또한, 본 발명의 일부 실시예는 상기 CNT 전계 전자 방출원을 이용하여 전자를 방출시키는 X-선 발생 장치를 제공한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면에 따른 CNT(Carbon nanotube) 전계 전자 방출원의 제조 방법은 (a) 전도성 기판상에 포토레지스트층을 적층시키는 단계, (b) 상기 포토레지스트층에 미리 설정된 형상의 패터닝을 수행하여, 상기 전도성 기판의 일부를 노출시키는 단계, (c) 상기 전도성 기판의 노출된 영역에 전기영동방법에 따라 CNT 막을 형성시키는 단계, (d) 상기 전도성 기판상의 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계 및 (e) 상기 포토레지스트층이 제거된 영역에 도금층을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 제 2 측면에 따른 CNT(Carbon nanotube) 전계 전자 방출원은, 전도성 기판, 상기 전도성 기판 상에 전기영동방법에 따라 형성된 CNT 막 및 상기 CNT 막 사이에 무전해 도금 반응에 따라 형성된 도금층을 포함하되, 상기 CNT 막은 상기 전도성 기판상에 적층한 포토레지스트층에 미리 설정된 형상을 패터닝하고, 패터닝에 따라 노출된 상기 전도성 기판의 영역에 결합되도록 형성된 것이고, 상기 도금층은 상기 CNT 막의 상기 전도성 기판에 대한 결합을 지지한다.
또한, 본 발명의 제 3 측면에 따른 X선 발생 장치는, 상기 CNT 전계 전자 방출원 또는 상기 제조 방법에 따라 제조된 CNT 전계 전자 방출원을 포함하고, 상기 CNT 전계 전자 방출원에 음전압을 인가하여 전자를 방출시키는 음극부 및 전자와 충돌시에 X선을 발생시키는 금속 타겟을 포함하고, 양전압을 인가하여 상기 음극부에서 방출된 전자를 상기 금속 타겟으로 유도하는 양극부를 포함한다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단에 의하면, 전극 기판에 패턴화된 탄소나노튜브를 막을 형성시킬 수 있고, 기판과의 접착력을 강화시킬 수 있다. 그로 인해, 높은 전기 전도성 및 전계 집중 효과가 탁월하고 물리적 화학적 내구성이 우수한 CNT 전계 전자 방출원을 제조할 수 있다.
또한, 전술한 본 발명의 과제 해결 수단에 의하면, 간편한 공정 및 저렴한 비용으로 탄소나노튜브 막을 형성할 수 있다.
또한, 전술한 본 발명의 과제 해결 수단에 의하면, 기판에 형성된 탄소나노튜브 막을 통해 방출되는 전자가 금속 렌즈를 통과 및 집속되어 전계 전자방출특성 및 X-선 초점 크기를 감소시킬 수 있어 X-선 영상이 향상된다.
도 1은 본원 발명의 일 실시예에 따른 CNT 전계 전자 방출원의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본원 발명의 일 실시예에 따른 CNT 전계 전자 방출원의 제조 공정에서 CNT를 형성하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본원 발명의 일 실시예에 따른 CNT 전계 전자 방출원의 제조 공정에서 도금층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본원 발명의 일 실시예에 따른 CNT 전계 전자 방출원을 사용한 X선 발생 장치를 도시한 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본원 발명의 일 실시예에 따른 CNT 전계 전자 방출원의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 본원 발명의 일 실시예에 따른 CNT 전계 전자 방출원의 제조 공정에서 CNT를 형성하는 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본원 발명의 일 실시예에 따른 CNT 전계 전자 방출원의 제조 공정에서 도금층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
먼저 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 전도성 기판(110)을 준비한다. 전도성 기판(110)으로는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 스테인레스강(SUS), 구리(Cu) 및 코바 합금(Fe-Ni-Co) 중 어느 하나가 선택될 수 있다.
다음으로, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 전도성 기판(110)에 포토레지스트 층(120)을 적층한다. 전도성 기판(110)상에 소정 패턴을 형성하고, 형성된 패턴에 따라 CNT를 형성시키기 위함이다.
다음으로, 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 층(120)에 대하여 포토 마스크를 배치하고, 노광 광정을 통하여 패터닝을 수행하여, 소정 너비를 갖는 패턴(124)을 형성한다. 패턴(124)은 이후 공정을 통해 CNT가 형성되는 공간으로서, 패턴(124)의 너비는 80㎛~300㎛ 를 갖도록 패터닝한다. 이때, 아세톤 용액에 기판을 침지시켜 초음파기로 포토레지스트 층(120)의 일부를 제거한다.
다음으로, 도 1의 (d)에 도시된 바와 같이, 전기영동방법을 사용하여 패턴(124)에 CNT가 형성되도록 한다. CNT 막을 형성하는 구체적인 방법을 도 2를 참조하여 설명하기로 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, CNT 막의 형성을 위한 공정 장치(200)는 전기영동공정이 수행되는 용기(210), CNT 용액(220), 상대전극(230), 작업전극 고정기(240), 스페이서(250), 전압 공급부(260) 및 전선(270)을 포함한다.
CNT 용액(220)은 CNT, SDS(sodium dodecyl sulfate) 및 물을 포함한다. 이때, SDS 대신 RNA (Ribonucleic acid)를 사용할 수 있다. CNT 용액(220)의 제조를 위해, SDS를 물에 용해시킨 후 CNT를 첨가한다. 다음으로, 초음파기를 통해 CNT와 SDS를 분산 시키고, 원심분리기를 이용하여 CNT의 응집 입자를 분리시켜 분산 안정한 CNT 용액(220)을 제조한다.
상대전극(counter electrode)(230)으로는 백금(Pt) 또는 스테인레스강(SUS) 등의 금속판을 사용할 수 있다.
전기영동공정에서 작업전극으로는 (a) 내지 (d)의 공정이 수행된 전도성 기판(110)을 사용한다. 그리고, 작업전극 고정기(240)는 전도성 기판(110)을 고정시켜 CNT 용액(220)에 침지되도록 한다.
스페이서(250)는 작업전극과 상대전극사이의 간격을 유지시키기 위한 것으로, 작업전극 고정기(240)와 상대전극(230)사이에 결합된다. 이때, 세라믹, 아크릴 또는 테프론 등 절연체 물질을 스페이서(250)로서 사용한다.
전압 공급부(260)는 전선(270)을 통해 작업전극과 상대전극에 소정의 전압을 인가한다. 예를 들어, 작업전극에 양전압을 인가하고, 상대전극에 음전압을 인가한다. 전압의 인가에 따라, 전기영동법(electrophoretic deposition)에 의하여, CNT가 작업전극 쪽으로 이동한다. 즉, 전압의 인가에 따라 전기장이 형성되고, 형성된 전기장 안에서 하전된 입자가 (+)극 또는 (-)극 쪽으로 이동한다. CNT 용액(220)에 포한된 CNT 입자는 그 극성에 따라 양전압이 공급되는 작업전극으로 이동하고, 전압이 인가된 후 소정 시간이 경과하면, 패턴(124)이 형성된 공간에 CNT 막(130)이 형성된다.
이와 같이, 본원 발명에서는 전기영동방법을 이용하여, 소정 너비를 갖는 CNT 막을 형성한다.
다시 도 1을 참조하면, (e)에 도시된 바와 같이, CNT 막의 형성후에 포토레지스트층을 완전히 제거한다. 즉, 포토레지스트층(122) 및 CNT 막(130)이 형성된 기판을 아세톤에 침지시켜 초음파로 PR을 제거한 후, 대략 90℃에서 건조시켜 패턴화된 탄소나노튜브의 막(130)의 기판이 완성된다.
다음으로, 도 1의 (f)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(122)이 제거된 후 CNT 막(130)의 사이에 형성된 공간에 도금층(140)을 형성한다. 도금층(140)의 형성에 따라, 수평방향으로 CNT 막(130)을 지지하는 힘이 추가되어, CNT 막(130)의 기판(110)에 대한 결합력을 증가시킬 수 있다. CNT 막(130) 사이에 도금층(140)을 형성하는 구체적인 방법을 도 3을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 도금층(140)의 형성을 위한 공정 장치(300)는 도금 공정이 수행되는 용기(310), 도금 용액(320), 기판 결합부(330) 및 기판 고정부(340)를 포함한다.
도금 용액(320)으로는 무전해 금속 도금액을 사용하며, 금속 도금액에 포함되는 금속이온으로는 Ni, Cu, Ag, Au, Mo, Ti, Fe, Co, Zn, W, Pt, Pd 또는 Sn 등을 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 무전해 니켈 도금액은 차아인산나트륨(NaH2PO2·H2O), 황산니켈(NiSO4·6H2O)과 탈이온수를 혼합하여 제조할 수 있다.
기판 결합부(330)는 기판(110)과 기판 고정부(340) 사이에 결합되어, 기판(110)이 도금 용액(320)에 침지되도록 한다. 이때, 기판(110)을 도금 용액(320)에 침지시키기 전에, 기판(110)을 팔라듐(Pd) 용액(PdCl, HCl)에 대략 1분간 침지시켜 기판(110)의 표면을 활성화 시키는 공정을 수행할 수 있다.
도금 용액(320)에 기판(110)을 침지시키면, 무전해 금속 도금 반응을 통해 기판(110), 특히 CNT 막(130) 사이에 노출된 공간에 도금층이 (140)이 형성된다. 이때, 도금 용액(320)의 온도는 대략 90℃ 를 유지시킨다. 이와 같은 공정에 따라, CNT 막(130)이 형성되지 않은 부분에 도금층(140)이 형성되어, CNT 막(130)의 기판(110)에 대한 결합력을 증가시킬 수 있다.
한편, 도금 공정이 완료된 후에는 기판(110)에 대하여 열처리를 수행한다. 열처리 과정을 통해 불순물이 제거되고, CNT가 표면에 노출되어 전계 전자방출 특성을 향상시킬 수 있다. 이때, 열처리 공정은 공기와 질소혼합가스 분위기에서 대략 300~400℃ 의 온도에서, 약 30분 동안 수행될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, (g)에 도시된 바와 같이, 도금층(140)이 형성된 CNT 전계 전자 방출원을 확인할 수 있다. 상부에서 보이는 기판(110)을 도시한 것으로, CNT 막(130)의 형상은 사각형 형태이나, 이는 예시에 해당하는 것으로 설계자의 선택에 따라 변경가능하다. CNT 막(130)의 형상은 앞선 패터닝 단계에서, 포토레지스트 층(120)의 패터닝 결과에 따라 달라진다.
이와 같은 공정에 따라, 전기영동방법을 사용하면서도 CNT가 강하게 결합된 CNT 전계 전자 방출원을 제조할 수 있다.
도 4는 본원 발명의 일 실시예에 따른 CNT 전계 전자 방출원을 사용한 X선 발생 장치를 도시한 도면이다.
도시된 X선 발생 장치(400)는 크게 음극부(410)와 양극부(430)로 이루어진다. 즉, 음극부(410)는 전자를 방출시키고, 음극부(410)에서 방출된 전자는 양극부(430)로 이동하여 소정의 금속 타겟과 충돌됨에 따라 X-선을 발생시킨다.
음극부(410)는 CNT 전계 전자 방출원(100), 기판 고정기(411), 제 1 전압 공급부(412), 금속 메쉬 전극(413), 제 2 전압 공급부(414), 메쉬 전극 절연체(415), 음극 절연체(416), 금속 집속 렌즈(417)를 포함한다.
또한, 양극부(430)는 금속 타겟(432), 금속 타겟 절연 홀더(434) 및 양극(436)을 포함한다.
음극부(410)의 기판 고정기(411)는 CNT 전계 전자 방출원(100)의 기판(110)을 고정하는 것으로, 전도성 물질로 이루어져 제 1 전압 공급부(412)에서 공급된 음전압을 기판(110)에 공급한다.
금속 메쉬 전극(413)은 CNT 전계 전자 방출원(100)에서 CNT 층을 통해 방출된 전자를 가속하고 직진성을 증가시킨다. 이때, 제 2 전압 공급부(414)를 통해 금속 메쉬 전극(413)에 전압을 인가한다.
금속 집속 렌즈(417)는 CNT 전계 전자 방출원(100)에서 방출되어 금속 메쉬 전극(413)을 통과한 전자를 집속하여 X선의 초점 크기를 최소화한다.
양극부(430)에 포함된 금속 타겟(432)은 전자의 충돌에 따라 X 선을 발생시키는 것으로, 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 또는 구리(Cu)등이 사용될 수 있다.
금속 타겟 절연 홀더(434)는 금속 타겟을 절연시켜 양극(436)과의 전기적 결합을 저지한다.
양극(436)에는 양전압이 인가되어, 음극부(410)에서 방출된 전자가 금속 타겟(432)으로 이동하도록 유도한다.
이와 같은 구성의 X-선 발생 장치(400)는 본원 발명의 일 실시예에 따른 CNT 전계 전자 방출원(100)을 사용하므로, X-선 발생 장치(400)의 전자방출특성을 개선할 수 있으며, X 선의 초점 크기를 감소시킬 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: CNT 전계 전자 방출원
110: 전도성 기판 130: CNT 막
140: 도금층
200: CNT 막 형성을 위한 공정 장치
300: 도금층 형성을 위한 공정 장치

Claims (11)

  1. CNT(Carbon nanotube) 전계 전자 방출원의 제조 방법에 있어서,
    (a) 전도성 기판상에 포토레지스트층을 적층시키는 단계
    (b) 상기 포토레지스트층에 미리 설정된 형상의 패터닝을 수행하여, 상기 전도성 기판의 일부를 노출시키는 단계,
    (c) 상기 전도성 기판의 노출된 영역에 전기영동방법에 따라 CNT 막을 형성시키는 단계,
    (d) 상기 전도성 기판상의 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계 및
    (e) 상기 포토레지스트층이 제거된 영역에 도금층을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 (e) 단계는,
    상기 전도성 기판을 팔라듐(Pd) 용액에 소정 시간 침지시키는 단계 및
    상기 전도성 기판을 무전해 금속 도금액에 소정 시간 침지시키는 단계를 포함하는 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계는,
    상기 전도성 기판의 노출된 영역의 너비가 80㎛~300㎛의 값을 갖도록 패터닝을 수행하는 것인 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 (c) 단계는,
    (c1) CNT가 분산된 용액에 상기 전도성 기판을 작업전극으로서 침지시키는 단계,
    (c2) 상기 CNT가 분산된 용액에 상대전극을 침지시키는 단계 및
    (c3) 상기 작업전극에 양전압을 인가하고, 상기 상대전극에 음전압을 인가하는 단계를 포함하는 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 CNT가 분산된 용액은 CNT와 물이 포함된 용액에 SDS(sodium dodecyl sulfate) 또는 RNA (Ribonucleic acid)를 첨가한 후 분산과정을 거쳐 생성한 것인 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 무전해 금속 도금액은 Ni, Cu, Ag, Au, Mo, Ti, Fe, Co, Zn, W, Pt, Pd 및 Sn 중 하나 이상을 금속이온으로서 포함하는 것인 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항, 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    (f) 상기 도금층이 형성된 전도성 기판에 열처리를 수행하는 단계
    를 더 포함하는 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법.
  9. CNT(Carbon nanotube) 전계 전자 방출원에 있어서,
    전도성 기판,
    상기 전도성 기판 상에 전기영동방법에 따라 형성된 CNT 막 및
    상기 CNT 막 사이에 무전해 도금 반응에 따라 형성된 도금층을 포함하되,
    상기 CNT 막은 상기 전도성 기판상에 적층한 포토레지스트층에 미리 설정된 형상을 패터닝하고, 패터닝에 따라 노출된 상기 전도성 기판의 영역에 결합되도록 형성된 것이고,
    상기 도금층은 상기 CNT 막의 상기 전도성 기판에 대한 결합을 지지하는 것으로, 상기 포토레지스트층이 제거된 후 상기 전도성 기판을 팔라듐(Pd) 용액에 소정시간 침지시켜 상기 전도성 기판을 활성화시킨 상태에서 형성된 것인 CNT 전계 전자 방출원.
  10. X-선 발생 장치에 있어서,
    청구항 9의 CNT 전계 전자 방출원 또는 청구항 1의 제조 방법에 따라 제조된 CNT 전계 전자 방출원을 포함하고, 상기 CNT 전계 전자 방출원에 음전압을 인가하여 전자를 방출시키는 음극부 및
    전자와 충돌시에 X-선을 발생시키는 금속 타겟을 포함하고, 양전압을 인가하여 상기 음극부에서 방출된 전자를 상기 금속 타겟으로 유도하는 양극부를 포함하는 X-선 발생 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 음극부는 상기 CNT 전계 전자 방출원의 CNT 층을 통해 방출된 전자를 가속시키는 금속 메쉬 전극 및
    상기 금속 메쉬 전극을 통과한 전자를 집속시키는 금속 집속 렌즈를 포함하는 X-선 발생 장치.
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