KR101229972B1 - Wafer polishing apparatus - Google Patents

Wafer polishing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101229972B1
KR101229972B1 KR1020110092373A KR20110092373A KR101229972B1 KR 101229972 B1 KR101229972 B1 KR 101229972B1 KR 1020110092373 A KR1020110092373 A KR 1020110092373A KR 20110092373 A KR20110092373 A KR 20110092373A KR 101229972 B1 KR101229972 B1 KR 101229972B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lower plate
slurry supply
wafer
slurry
polishing pad
Prior art date
Application number
KR1020110092373A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이재환
최은석
김봉우
배재현
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020110092373A priority Critical patent/KR101229972B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101229972B1 publication Critical patent/KR101229972B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE: A wafer polishing apparatus is provided to improve the uniformity of wafer polishing by uniformly distributing slurry on a surface between a polishing pad and a wafer. CONSTITUTION: A plurality of lower plate slurry supply holes are formed on a first polishing pad. The slurry supply holes passes through a body. A first polishing pad is attached to the upper side of a lower plate(230). A lower plate slurry supply nozzle(260) is connected to the plurality of lower plate slurry supply holes. A slurry supply unit(270) is connected to the lower plate slurry supply nozzle.

Description

웨이퍼 연마 장치{WAFER POLISHING APPARATUS}[0001] WAFER POLISHING APPARATUS [0002]

본 발명은 웨이퍼의 경면 연마시 슬러리가 연마패드와 웨이퍼의 표면 사이에 전면적으로 고르게 분포되도록 하여 연마의 균일도를 향상시키는 웨이퍼 연마 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus which improves the uniformity of polishing by allowing the slurry to be evenly distributed throughout the surface between the polishing pad and the surface of the wafer during mirror polishing of the wafer.

반도체 등의 전자부품을 생산하기 위한 소재로 사용되는 실리콘 웨이퍼는, 단결정 잉곳을 웨이퍼 단위로 절단하는 슬라이싱 공정, 원하는 웨이퍼의 두께로 연마하면서 평탄도를 개선하기 위한 래핑 공정, 웨이퍼 내부의 데미지를 제거하기 위한 식각 공정, 표면 경면화 및 평탄도를 향상시키기 위한 연마 공정, 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정 등의 단계를 거쳐 생산된다.Silicon wafers used as materials for the production of electronic components, such as semiconductors, include a slicing process for cutting single crystal ingots on a wafer basis, a lapping process for improving flatness while polishing to a desired wafer thickness, and removing damage from inside the wafer. It is produced through a step such as an etching process, a polishing process for improving surface mirroring and flatness, and a cleaning process for removing contaminants on the wafer surface.

도 1은 래핑 공정 또는 연마 공정에서 사용되는 종래의 웨이퍼 단면 연마 장치를 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 AA' 방향에서 바라본 평면도이다.FIG. 1 is a view illustrating a conventional wafer sectional polishing apparatus used in a lapping process or a polishing process, and FIG. 2 is a plan view seen from the AA ′ direction of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 웨이퍼 단면 연마 장치(100)는, 표면 장력 또는 진공 흡입 등에 의해 웨이퍼(W)를 부착하여 안착시키는 연마 헤드(110)와, 웨이퍼(W) 하부에 위치하며 상면에 연마패드(120)가 부착된 하정반(130)과, 상기 하정반(130)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이로 슬러리(140)를 공급하는 슬러리 공급관(150)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, the conventional wafer sectional polishing apparatus 100 includes a polishing head 110 for attaching and seating the wafer W by surface tension or vacuum suction, and a lower portion of the wafer W. And a slurry supply pipe 150 for supplying a slurry 140 between an upper surface of the lower surface plate 130 and a lower surface of the wafer W, with the polishing pad 120 attached to the upper surface.

웨이퍼의 연마 과정에서, 하정반(130) 상면에 부착된 연마패드(120) 상에, 슬러리 공급관(150)으로부터 슬러리(140)가 공급되며, 하정반(130)의 회전에 의해 발생한 원심력에 의해 상기 슬러리(140)가 연마패드(120)와 웨이퍼(W) 사이의 공간으로 스며들게 되어 웨이퍼(W) 단면의 연마가 진행된다.In the polishing process of the wafer, the slurry 140 is supplied from the slurry supply pipe 150 to the polishing pad 120 attached to the upper surface of the lower plate 130, and by the centrifugal force generated by the rotation of the lower plate 130. As the slurry 140 penetrates into the space between the polishing pad 120 and the wafer W, polishing of the cross section of the wafer W is performed.

종래의 웨이퍼 연마 장치(100)에서 슬러리는 도 1에 도시된 바와 같이 하정반(130)의 중심부에 공급될 수도 있고, 하정반(130)의 외주부에 공급될 수도 있다.In the conventional wafer polishing apparatus 100, the slurry may be supplied to a central portion of the lower platen 130 as illustrated in FIG. 1, or may be supplied to an outer circumferential portion of the lower platen 130.

그러나 종래의 웨이퍼 연마 장치(100)에는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional wafer polishing apparatus 100 has the following problems.

슬러리(140)가 하정반(130)의 중심부 또는 하정반(130)의 외주부 등 어느 한쪽으로 치우져서 공급되기 때문에 웨이퍼의 전면에 고르게 분포되는 것이 어려워 웨이퍼 전면에 걸쳐 연마 균일도가 균일하지 못하였으며, 공급된 슬러리(140)가 웨이퍼(W)의 연마에 기여되지 못하고 비산되어 외주부 밖으로 흘러나가는 양이 많아 슬러리가 낭비되는 문제점이 있었다.Since the slurry 140 is fed to one of the center of the lower plate 130 and the outer circumferential portion of the lower plate 130, it is difficult to be evenly distributed on the entire surface of the wafer, and thus the polishing uniformity is not uniform over the entire surface of the wafer. Since the supplied slurry 140 does not contribute to polishing of the wafer W and is scattered and flows out of the outer circumferential portion, there is a problem in that the slurry is wasted.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼의 경면 연마시 슬러리가 연마패드와 웨이퍼의 표면 사이에 전면적으로 고르게 분포되도록 하여 연마의 균일도를 향상시키는 웨이퍼 연마 장치를 제공하고자 한다.The present invention has been made to solve the above problems, to provide a wafer polishing apparatus that improves the uniformity of polishing by uniformly distributed throughout the surface between the polishing pad and the surface of the wafer during mirror polishing of the wafer.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 연마 장치는, 몸체를 관통하는 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀이 형성된 제1 연마패드; 상면에 상기 제1 연마패드가 부착된 하정반; 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀과 연결되어 웨이퍼의 하면을 향해 슬러리를 분사하는 하정반 슬러리 공급 노즐; 및 상기 하정반 슬러리 공급 노즐에 연결되어 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer polishing apparatus comprising: a first polishing pad having a plurality of lower plate slurry supply holes penetrating a body; A lower plate having the first polishing pad attached to an upper surface thereof; A lower plate slurry supply nozzle connected to the plurality of lower plate slurry supply holes to spray the slurry toward a lower surface of the wafer; And a slurry supply unit connected to the lower plate slurry supply nozzle to supply a slurry.

상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀에 대응하여 상기 하정반에 슬러리 공급홀이 형성될 수 있다.A slurry supply hole may be formed in the lower plate corresponding to the plurality of lower plate slurry supply holes.

상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀은 서로 일정 간격 이격되어 배열될 수 있다.The plurality of lower plate slurry supply holes may be spaced apart from each other by a predetermined interval.

상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀은 서로 1~100mm 간격만큼 이격되어 배열될 수 있다.The plurality of lower plate slurry supply holes may be spaced apart from each other by 1 to 100 mm intervals.

상기 하정반 슬러리 공급홀의 직경이 1~30mm일 수 있다.Diameter of the lower plate slurry supply hole may be 1 ~ 30mm.

상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀 중 적어도 일부가 웨이퍼의 중심부 방향으로 0~90도 기울어질 수 있다.At least a portion of the plurality of lower plate slurry supply holes may be inclined 0 to 90 degrees toward the center of the wafer.

상기 하정반 슬러리 공급 노즐에, 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀에 대응하도록 각각 노즐 밸브가 구비되어, 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀로 각각 유입되는 슬러리의 유량이 조절될 수 있다.The lower plate slurry supply nozzles may be provided with nozzle valves to correspond to the plurality of lower plate slurry supply holes, respectively, so that flow rates of the slurry introduced into the plurality of lower plate slurry supply holes may be adjusted.

상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀로 각각 유입되는 슬러리의 유량은 1~10L/min일 수 있다.A flow rate of the slurry introduced into the plurality of lower plate slurry supply holes may be 1 to 10 L / min.

상기 웨이퍼의 상면을 부착하여 웨이퍼를 안착시키는 연마 헤드를 더 포함할 수 있다.A polishing head may be further included to attach the upper surface of the wafer to seat the wafer.

하면에 제2 연마패드가 부착되며, 웨이퍼를 상측에서 회전 가압하는 상정반; 상기 상정반과 하정반 사이에 놓여져서 웨이퍼를 이동 및 회전시키는 캐리어를 더 포함할 수 있다.A second polishing pad attached to a lower surface of the upper surface plate to rotate and pressurize the wafer from the upper side; The carrier may further include a carrier disposed between the upper and lower plates to move and rotate the wafer.

상기 제2 연마패드에 복수 개의 상정반 슬러리 공급홀이 형성될 수 있다.A plurality of upper plate slurry supply holes may be formed in the second polishing pad.

상기 상정반 슬러리 공급홀과 연결되어 웨이퍼의 상면을 향해 슬러리를 분사하는 상정반 슬러리 공급 노즐을 더 포함할 수 있다.It may further include a top plate slurry supply nozzle connected to the top plate slurry supply hole for injecting the slurry toward the upper surface of the wafer.

상기 슬러리 공급부는 상기 상정반 슬러리 공급 노즐에 연결되어 슬러리를 공급할 수 있다.The slurry supply unit may be connected to the upper plate slurry supply nozzle to supply a slurry.

상기 하정반의 외주부에 적어도 하나의 슬러리 배출구가 형성될 수 있다.At least one slurry outlet may be formed at an outer circumference of the lower plate.

상기 제1 연마패드의 표면에 슬러리의 유동을 위한 다수의 홈이 형성될 수 있다.A plurality of grooves for flowing the slurry may be formed on the surface of the first polishing pad.

본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.The present invention has the following effects.

첫째, 웨이퍼 연마 장치의 하정반에 부착된 연마패드에 복수 개의 슬러리 공급홀이 구비되어 웨이퍼의 경면 연마시 슬러리가 연마패드와 웨이퍼의 표면 사이에 전면적으로 고르게 분포되므로, 웨이퍼 연마의 균일도를 향상시킬 수 있다.First, a plurality of slurry supply holes are provided in the polishing pad attached to the lower plate of the wafer polishing apparatus so that the slurry is uniformly distributed throughout the surface between the polishing pad and the surface of the wafer during mirror polishing of the wafer, thereby improving uniformity of wafer polishing. Can be.

둘째, 웨이퍼 표면의 중심부까지 스며들지 못하고 외주부에 맴돌거나 웨이퍼 연마에 기여하지 못하고 외주부 밖으로 비산되어 흘러나가는 슬러리의 양이 감소하여 슬러리 낭비의 문제를 개선할 수 있다.Second, it is possible to improve the problem of slurry waste by reducing the amount of slurry that flows out of the outer circumference without being penetrated to the center of the wafer surface and circumscribed to the outer circumference or contributes to wafer polishing.

도 1은 래핑 공정 또는 연마 공정에서 사용되는 종래의 웨이퍼 단면 연마 장치를 도시한 도면이고,
도 2는 도 1의 AA' 방향에서 바라본 평면도이고,
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 단면 연마 장치를 도시한 도면이고,
도 4는 도 3의 BB' 방향에서 바라본 평면도이고,
도 5는 도 3의 A 부분을 확대하여 도시한 도면이고,
도 6은 도 5에서 연마패드에 형성된 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀의 측단면을 확대하여 도시한 도면이고,
도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 양면 연마 장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing a conventional wafer sectional polishing apparatus used in a lapping process or a polishing process,
FIG. 2 is a plan view seen from the direction AA ′ of FIG. 1;
3 is a view showing a wafer sectional polishing apparatus according to the present invention,
4 is a plan view seen from the direction BB ′ of FIG. 3,
5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3;
FIG. 6 is an enlarged view of side cross-sections of a plurality of lower plate slurry supply holes formed in the polishing pad of FIG. 5;
7 is a view showing a wafer double-side polishing apparatus according to the present invention.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The same components as those in the prior art are denoted by the same reference numerals and symbols, and a detailed description thereof will be omitted.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 단면 연마 장치를 도시한 도면이고, 도 4는 도 3의 BB' 방향에서 바라본 평면도이다.3 is a view showing a wafer cross-sectional polishing apparatus according to the present invention, Figure 4 is a plan view as viewed from the BB 'direction of FIG.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 단면 연마 장치(200)는 표면 장력 또는 진공 흡입 등에 의해 웨이퍼(W)를 부착하여 안착시키는 연마 헤드(210)와, 웨이퍼(W) 하부에 위치하며 상면에 연마패드(220)가 부착된 하정반(230)과, 상기 하정반(230)의 상면과 웨이퍼(W)의 하면 사이로 슬러리(240)를 공급하는 슬러리 공급관(250)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the wafer sectional polishing apparatus 200 according to the present invention includes a polishing head 210 for attaching and seating the wafer W by surface tension or vacuum suction, and is positioned below the wafer W. A lower plate 230 having a polishing pad 220 attached thereto, and a slurry supply pipe 250 for supplying a slurry 240 between an upper surface of the lower plate 230 and a lower surface of the wafer W.

상기 연마패드(220)에는 몸체를 관통하는 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)이 형성되어 있다.The polishing pad 220 has a plurality of lower plate slurry supply holes 222 penetrating the body.

도 4를 참조하면, 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)은 서로 일정 간격(d) 이격되어 배열될 수 있다.Referring to FIG. 4, the plurality of lower plate slurry supply holes 222 may be arranged to be spaced apart from each other by a predetermined interval d.

복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222) 사이의 이격거리 d는 1~100mm일 수 있다. 하정반 슬러리 공급홀(222) 사이의 이격거리가 지나치게 좁으면 공급되는 슬러리(240)의 양이 필요 이상으로 많아지게 되어 슬러리의 낭비가 초래될 수 있고, 하정반 슬러리 공급홀(222) 사이의 이격거리가 지나치게 넓으면 웨이퍼(W) 표면의 전면에 걸쳐 슬러리(240)가 고르게 분포되도록 하기 위한 본 발명의 목적을 충분히 달성하기 어려울 수 있다.A distance d between the plurality of lower plate slurry supply holes 222 may be 1 to 100 mm. When the separation distance between the lower plate slurry supply holes 222 is too narrow, the amount of the slurry 240 supplied may be increased more than necessary, resulting in waste of the slurry, and between the lower plate slurry supply holes 222. If the separation distance is too wide, it may be difficult to fully achieve the object of the present invention for the slurry 240 to be evenly distributed over the entire surface of the wafer W surface.

상기 하정반 슬러리 공급홀(222)의 직경 a는 공급될 슬러리(240)의 시간당 유량 및 웨이퍼(W) 표면의 고른 연마에 필요한 슬러리(240)의 양을 고려하여 정해질 수 있으며, 일 예로서 1~30mm일 수 있다.The diameter a of the lower plate slurry supply hole 222 may be determined in consideration of the hourly flow rate of the slurry 240 to be supplied and the amount of the slurry 240 required for even polishing of the surface of the wafer W. For example, It may be 1 to 30mm.

도 4에는 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)이 열십(十)자 모양으로 형성되어 있으나, 이는 일 예시에 불과하고, 연마패드(220)의 제조 방법에 따라 방사형 또는 이산형 등 다양한 형태가 가능할 수 있다.In FIG. 4, the plurality of lower plate slurry supply holes 222 are formed in a dozen shape, but this is merely an example, and various shapes such as radial or discrete types may be formed according to the manufacturing method of the polishing pad 220. It may be possible.

도 3을 다시 참조하면, 상기 연마패드(220)의 표면에는 슬러리(240)의 유동을 위한 다수의 홈(Groove, G)이 형성되어 있다. 연마패드(220)에 형성된 홈(G)에 의해 연마패드(220)의 표면상에서 슬러리(240)의 유동이 더욱 용이해지며, 연마 공정 후 상기 홈(G) 사이로 슬러리(240)가 배출될 수 있다.Referring to FIG. 3 again, a plurality of grooves (Groove, G) for the flow of the slurry 240 is formed on the surface of the polishing pad 220. The grooves G formed in the polishing pad 220 facilitate the flow of the slurry 240 on the surface of the polishing pad 220, and the slurry 240 may be discharged between the grooves G after the polishing process. have.

상기 연마패드(220)의 외주부에는 웨이퍼(W) 연마에 사용된 슬러리의 배출이 용이하도록 적어도 하나의 슬러리 배출구(225)가 구비될 수 있다. 도 4에는 일 예시로서 연마패드(220)의 외주부에 등간격으로 구비된 네 개의 슬러리 배출구(225)를 도시하고 있다.At least one slurry outlet 225 may be provided at an outer circumferential portion of the polishing pad 220 to facilitate discharge of the slurry used to polish the wafer W. 4 illustrates four slurry outlets 225 provided at equal intervals on the outer circumferential portion of the polishing pad 220 as an example.

상기 하정반(230)에는 상기 연마패드(220)에 형성된 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)에 대응하여 슬러리 공급홀이 형성되어 있다. 이에 대해서는 도 5를 참조하여 다시 설명하기로 한다.Slurry supply holes are formed in the lower plate 230 corresponding to the plurality of lower plate slurry supply holes 222 formed in the polishing pad 220. This will be described again with reference to FIG. 5.

또한, 상기 웨이퍼 단면 연마 장치(200)는, 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)과 연결되어 웨이퍼(W)의 하면을 향해 슬러리(240)를 분사하는 하정반 슬러리 공급 노즐(260)과, 상기 하정반 슬러리 공급 노즐(260)에 연결되어 슬러리(240)를 공급하는 슬러리 공급부(270)를 더 포함한다.In addition, the wafer end surface polishing apparatus 200 may be connected to the plurality of lower plate slurry supply holes 222 and the lower plate slurry supply nozzle 260 which injects the slurry 240 toward the lower surface of the wafer W; The slurry supply unit 270 is connected to the lower plate slurry supply nozzle 260 to supply the slurry 240.

상기 슬러리 공급부(270)와 슬러리 공급 노즐(260) 사이에 메인 벨브(275)가 구비되어 슬러리 공급 노즐(260)로 유입되는 전체 슬러리의 양을 조절할 수 있다.The main valve 275 is provided between the slurry supply unit 270 and the slurry supply nozzle 260 to adjust the amount of the entire slurry flowing into the slurry supply nozzle 260.

도 5는 도 3의 A 부분을 확대하여 도시한 도면이고, 도 6은 도 5에서 연마패드에 형성된 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀의 측단면을 확대하여 도시한 도면이다.FIG. 5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3, and FIG. 6 is an enlarged side cross-sectional view of a plurality of lower plate slurry supply holes formed in the polishing pad of FIG. 5.

이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 웨이퍼의 하면에 슬러리를 균일하게 공급할 수 있는 본 발명에 따른 연마패드와 하정반의 구성을 좀 더 자세히 설명한다.5 and 6 will be described in more detail the configuration of the polishing pad and the lower plate according to the present invention that can uniformly supply the slurry to the lower surface of the wafer.

도 5를 참조하면, 하정반(230)의 상면에 부착된 연마패드(220)에 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)이 형성되어 있고, 연마패드(220)의 표면 상에 슬러리(240)의 유동을 위한 다수의 홈(G)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 5, a plurality of lower plate slurry supply holes 222 are formed in the polishing pad 220 attached to the upper surface of the lower plate 230, and the slurry 240 is formed on the surface of the polishing pad 220. A plurality of grooves (G) for the flow of are formed.

하정반(230)에는 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)에 대응하여 슬러리 공급홀(262)이 형성된다.In the lower plate 230, a slurry supply hole 262 is formed corresponding to the plurality of lower plate slurry supply holes 222.

또한, 하정반(230)은, 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)과 연결되어 웨이퍼(W)의 하면을 향해 슬러리(240)를 분사하는 하정반 슬러리 공급 노즐(260)을 포함한다.In addition, the lower plate 230 includes a lower plate slurry supply nozzle 260 connected to the plurality of lower plate slurry supply holes 222 and spraying the slurry 240 toward the lower surface of the wafer (W).

상기 하정반 슬러리 공급 노즐(260)에는 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)에 대응하도록 각각 노즐 밸브(265)가 구비되어, 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)로 유입되는 슬러리(240)의 유량을 각각 독립적으로 조절할 수 있다.The lower plate slurry supply nozzle 260 is provided with a nozzle valve 265 to correspond to the plurality of lower plate slurry supply holes 222, respectively, and the slurry 240 introduced into the plurality of lower plate slurry supply holes 222. ) Can be adjusted independently of each other.

상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)로 각각 유입되는 슬러리(240)의 유량은 필요한 웨이퍼의 연마량에 따라 1~10L/min일 수 있으며, 이러한 슬러리의 유량은 상술한 바와 같이 노즐 밸브(265)를 통해 독립적으로 조절 가능하다.The flow rate of the slurry 240 introduced into the plurality of lower plate slurry supply holes 222 may be 1 to 10 L / min depending on the required polishing amount of the wafer, and the flow rate of the slurry may be a nozzle valve (as described above). Independently adjustable via 265).

복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222)의 측단면을 확대하여 도시한 도 6을 참조하면, 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(222) 중 일부가 웨이퍼(W)의 중심부 방향으로 0~90도 기울어진 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6, which shows an enlarged side cross-section of the plurality of lower platen slurry supply holes 222, a portion of the plurality of lower platen slurry supply holes 222 is inclined 0 to 90 degrees toward the center of the wafer W. Referring to FIG. You can see that it is.

즉, 슬러리(240)가 웨이퍼(W)의 외주부에 머무르지 않고 연마패드(220)와 웨이퍼(W)의 사이에 균일한 유체층으로 퍼질 수 있도록 웨이퍼(W)의 중심부에서 외주부 방향으로 갈수록 연마패드(220)에 형성된 하정반 슬러리 공급홀(222)이 웨이퍼(W)의 중심부를 향해 기울어져 형성될 수 있다.In other words, the slurry 240 is polished toward the outer circumferential direction from the center of the wafer W so that the slurry 240 does not stay in the outer circumferential portion of the wafer W, but spreads in a uniform fluid layer between the polishing pad 220 and the wafer W. The lower plate slurry supply hole 222 formed in the pad 220 may be inclined toward the center of the wafer (W).

도 6을 참조하여 다시 설명하면, 웨이퍼(W)의 중심을 지나는 법선 z와, 연마패드(220)를 지나는 수평 방향의 직선 x와, 하정반 슬러리 공급홀을 관통하는 직선 y가 이루는 삼각형에서, 상기 직선 y는 웨이퍼(W)의 중심부를 향해 기울어져 있으며, 직선 x와 y가 이루는 각도가 0~90도 사이일 수 있다.Referring again to FIG. 6, in a triangle formed by a normal line z passing through the center of the wafer W, a straight line x in the horizontal direction passing through the polishing pad 220, and a straight line y passing through the lower plate slurry supply hole, The straight line y is inclined toward the center of the wafer W, and an angle formed by the straight lines x and y may be between 0 and 90 degrees.

도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 양면 연마 장치를 도시한 도면이다.7 is a view showing a wafer double-side polishing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 양면 연마 장치(300)는 상면에 제1 연마패드(320)가 부착된 하정반(330)과, 하면에 제2 연마패드(315)가 부착된 상정반(310)과, 상기 상정반(310)과 하정반(330) 사이에 놓여져서 웨이퍼(W)를 이동 및 회전시키는 캐리어(318)를 포함한다.The wafer double-side polishing apparatus 300 according to the present invention includes a lower surface plate 330 having a first polishing pad 320 attached to an upper surface, an upper surface plate 310 having a second polishing pad 315 attached to a lower surface thereof, The carrier 318 is disposed between the upper plate 310 and the lower plate 330 to move and rotate the wafer W.

상기 제1 연마패드(320)에는 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀(322)이 형성되어 있으며, 하정반 슬러리 공급홀(322)의 배열 및 구성, 하정반(330)의 구성, 하정반 슬러리 공급 노즐(360)의 구성은 도 3 내지 도 6과 관련해 설명한 바와 같다.A plurality of lower plate slurry supply holes 322 are formed in the first polishing pad 320, the arrangement and configuration of the lower plate slurry supply holes 322, the configuration of the lower plate 330, and the lower plate slurry supply nozzles. The configuration of 360 is as described with reference to FIGS. 3 to 6.

상기 웨이퍼 양면 연마 장치(300)는, 상기 상정반(310)의 하면에 부착된 제2 연마패드(315)에 복수 개의 상정반 슬러리 공급홀(312)이 형성되고, 상기 상정반 슬러리 공급홀(312)과 연결되어 웨이퍼(W)의 상면을 향해 슬러리를 분사하는 상정반 슬러리 공급 노즐(380)과, 상정반 슬러리 공급 노즐(380) 및 하정반 슬러리 공급 노즐(360)에 연결되어 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부(370)를 더 포함한다.In the wafer double-side polishing apparatus 300, a plurality of top plate slurry supply holes 312 are formed in a second polishing pad 315 attached to a bottom surface of the top plate 310, and the top plate slurry supply hole ( 312 is connected to the upper plate slurry supply nozzle 380 for spraying the slurry toward the upper surface of the wafer W, the upper plate slurry supply nozzle 380 and the lower plate slurry supply nozzle 360 to supply the slurry. It further comprises a slurry supply unit 370.

상기 제1,2 연마패드(320, 315)의 표면에는 슬러리(340)의 유동을 위하여 다수의 홈(G)이 형성되어 있다.A plurality of grooves G are formed on the surfaces of the first and second polishing pads 320 and 315 for the flow of the slurry 340.

종래에는 상정반(310)을 통해서만 슬러리가 공급되어 웨이퍼(W)의 하면 전면에 걸쳐 슬러리가 고르게 분포될 수 없어 연마의 균일도 좋지 않았으나, 본 발명에 따른 웨이퍼 양면 연마 장치(300)는 하정반(330)과 제1 연마패드(320)에 복수 개의 슬러리 공급홀이 형성되어 웨이퍼(W)의 하면과 제1 연마패드(320) 사이의 공간으로 슬러리가 고르게 분포되어 웨이퍼(W) 표면 연마의 균일도를 향상시킬 수 있다.Conventionally, since the slurry is supplied only through the upper plate 310 and the slurry cannot be evenly distributed over the entire surface of the lower surface of the wafer W, the uniformity of polishing is not good, but the wafer double-side polishing apparatus 300 according to the present invention has a lower plate ( A plurality of slurry supply holes are formed in the 330 and the first polishing pad 320 so that the slurry is evenly distributed into the space between the lower surface of the wafer W and the first polishing pad 320 so that the polishing of the surface of the wafer W is uniform. Can improve.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

200: 단면 연마 장치 210: 연마 헤드
220: 연마패드 222, 322: 하정반 슬러리 공급홀
230, 330: 하정반 240: 슬러리
250: 슬러리 공급관 260: 하정반 슬러리 공급 노즐
265: 노즐 밸브 270: 슬러리 공급부
300: 양면 연마 장치 310: 상정반
315: 제2 연마패드 320: 제1 연마패드
380: 상정반 슬러리 공급 노즐 200: single-side polishing apparatus 210: polishing head
220: polishing pad 222, 322: lower plate slurry supply hole
230, 330: lower plate 240: slurry
250: slurry supply pipe 260: bottom plate slurry supply nozzle
265: nozzle valve 270: slurry supply unit
300: double-sided polishing apparatus 310: top plate
315: second polishing pad 320: first polishing pad
380: top plate slurry supply nozzle

Claims (15)

몸체를 관통하는 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀이 형성된 제1 연마패드;
상면에 상기 제1 연마패드가 부착된 하정반;
상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀과 연결되어 웨이퍼의 하면을 향해 슬러리를 분사하는 하정반 슬러리 공급 노즐; 및
상기 하정반 슬러리 공급 노즐에 연결되어 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함하는 웨이퍼 연마 장치.A first polishing pad having a plurality of lower plate slurry supply holes penetrating the body;
A lower plate having the first polishing pad attached to an upper surface thereof;
A lower plate slurry supply nozzle connected to the plurality of lower plate slurry supply holes to spray the slurry toward a lower surface of the wafer; And
And a slurry supply unit connected to the lower plate slurry supply nozzle to supply slurry. 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀에 대응하여 상기 하정반에 슬러리 공급홀이 형성된 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 1,
And a slurry supply hole in the lower plate corresponding to the plurality of lower plate slurry supply holes. 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀은 서로 일정 간격 이격되어 배열된 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 1,
The plurality of lower plate slurry supply holes are arranged to be spaced apart from each other by a predetermined distance. 제 3 항에 있어서,
상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀은 서로 1~100mm 간격만큼 이격되어 배열된 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 3, wherein
And the plurality of lower plate slurry supply holes are spaced apart from each other by 1 to 100 mm. 제 1 항에 있어서,
상기 하정반 슬러리 공급홀의 직경이 1~30mm인 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 1,
A wafer polishing apparatus having a diameter of the lower plate slurry supply hole of 1 to 30 mm. 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀 중 적어도 일부가 웨이퍼의 중심부 방향으로 0~90도 기울어진 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 1,
At least a portion of the plurality of lower plate slurry supply holes inclined 0 to 90 degrees toward the center of the wafer. 제 1 항에 있어서,
상기 하정반 슬러리 공급 노즐에, 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀에 대응하도록 각각 노즐 밸브가 구비되어, 상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀로 각각 유입되는 슬러리의 유량이 조절되는 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 1,
And a nozzle valve in the lower plate slurry supply nozzles so as to correspond to the plurality of lower plate slurry supply holes, and a flow rate of the slurry flowing into the plurality of lower plate slurry supply holes is adjusted. 제 7 항에 있어서,
상기 복수 개의 하정반 슬러리 공급홀로 각각 유입되는 슬러리의 유량은 1~10L/min인 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 7, wherein
And a flow rate of the slurry introduced into the plurality of lower plate slurry supply holes is 1 to 10 L / min. 제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 상면을 부착하여 웨이퍼를 안착시키는 연마 헤드를 더 포함하는 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 1,
And a polishing head for attaching an upper surface of the wafer to seat the wafer. 제 1 항에 있어서,
하면에 제2 연마패드가 부착되며, 웨이퍼를 상측에서 회전 가압하는 상정반;
상기 상정반과 하정반 사이에 놓여져서 웨이퍼를 이동 및 회전시키는 캐리어를 더 포함하는 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 1,
A second polishing pad attached to a lower surface of the upper surface plate to rotate and pressurize the wafer from the upper side;
And a carrier placed between the upper and lower plates to move and rotate the wafer. 제 10 항에 있어서,
상기 제2 연마패드에 복수 개의 상정반 슬러리 공급홀이 형성된 웨이퍼 연마 장치.11. The method of claim 10,
And a plurality of upper plate slurry supply holes formed in the second polishing pad. 제 11 항에 있어서,
상기 상정반 슬러리 공급홀과 연결되어 웨이퍼의 상면을 향해 슬러리를 분사하는 상정반 슬러리 공급 노즐을 더 포함하는 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 11,
And a top plate slurry supply nozzle connected to the top plate slurry supply hole and spraying the slurry toward the top surface of the wafer. 제 12 항에 있어서,
상기 슬러리 공급부는 상기 하정반 슬러리 공급 노즐 및 상기 상정반 슬러리 공급 노즐에 연결되어 상기 하정반 슬러리 공급 노즐 및 상기 상정반 슬러리 공급 노즐에 각각 슬러리를 공급하는 웨이퍼 연마 장치.13. The method of claim 12,
And the slurry supply unit is connected to the lower plate slurry supply nozzle and the upper plate slurry supply nozzle to supply slurry to the lower plate slurry supply nozzle and the upper plate slurry supply nozzle, respectively. 제 1 항에 있어서,
상기 하정반의 외주부에 적어도 하나의 슬러리 배출구가 형성된 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 1,
At least one slurry discharge port formed in the outer peripheral portion of the lower plate. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 연마패드의 표면에 슬러리의 유동을 위한 다수의 홈이 형성된 웨이퍼 연마 장치.The method of claim 1,
And a plurality of grooves formed on the surface of the first polishing pad for the flow of the slurry.
KR1020110092373A 2011-09-14 2011-09-14 Wafer polishing apparatus KR101229972B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110092373A KR101229972B1 (en) 2011-09-14 2011-09-14 Wafer polishing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110092373A KR101229972B1 (en) 2011-09-14 2011-09-14 Wafer polishing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101229972B1 true KR101229972B1 (en) 2013-02-06

Family

ID=47898917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110092373A KR101229972B1 (en) 2011-09-14 2011-09-14 Wafer polishing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101229972B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108081148A (en) * 2016-11-23 2018-05-29 镇江亚昆机械有限公司 A kind of polishing machine with lubricating function
CN109262446A (en) * 2017-07-12 2019-01-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 A kind of chemical and mechanical grinding method and chemical mechanical polishing device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001138211A (en) * 1999-11-19 2001-05-22 Tokyo Electron Ltd Grinding apparatus, and its method
WO2005023487A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-17 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Polishing pad, and method and apparatus for producing same
JP2005217002A (en) * 2004-01-28 2005-08-11 Renesas Technology Corp Polishing equipment and method and process for producing semiconductor device
KR20110083856A (en) * 2010-01-15 2011-07-21 주식회사 엘지실트론 Wafer unloading system and wafer double side processing equipment including the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001138211A (en) * 1999-11-19 2001-05-22 Tokyo Electron Ltd Grinding apparatus, and its method
WO2005023487A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-17 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Polishing pad, and method and apparatus for producing same
JP2005217002A (en) * 2004-01-28 2005-08-11 Renesas Technology Corp Polishing equipment and method and process for producing semiconductor device
KR20110083856A (en) * 2010-01-15 2011-07-21 주식회사 엘지실트론 Wafer unloading system and wafer double side processing equipment including the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108081148A (en) * 2016-11-23 2018-05-29 镇江亚昆机械有限公司 A kind of polishing machine with lubricating function
CN109262446A (en) * 2017-07-12 2019-01-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 A kind of chemical and mechanical grinding method and chemical mechanical polishing device
CN109262446B (en) * 2017-07-12 2021-03-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Chemical mechanical polishing method and chemical mechanical polishing device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101109160B1 (en) Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption
KR102608278B1 (en) Slurry distribution device for chemical mechanical polishing
TWI583499B (en) A disc with internal supply of fluid structure
KR101420900B1 (en) Cmp apparatuses with polishing assemblies that provide for the passive removal of slurry
CN104476384B (en) The method of semiconductor wafer twin polishing
US8197306B2 (en) Method and device for the injection of CMP slurry
KR101229972B1 (en) Wafer polishing apparatus
KR102211328B1 (en) Apparatus for cleaning a polishing surface, polishing apparatus, and method of manufacturing an apparatus for cleaning a polishing surface
TW202331833A (en) Polishing solution supply device, polishing equipment and polishing method capable of reducing polishing level on edge of silicon wafer
JP2005510368A (en) Support for abrasive belt
KR101966952B1 (en) Slurry supply unit and apparatus for polishing substrate having the slurry supply device
KR101681679B1 (en) Apparatus for supplying slurry of wafer polishing apparatus
US20090042494A1 (en) Pad conditioner of semiconductor wafer polishing apparatus and manufacturing method thereof
US6769970B1 (en) Fluid venting platen for optimizing wafer polishing
KR20210116759A (en) CMP pad and chemical mechanical polishing apparatus having the same
KR200480107Y1 (en) Chemical mechanical polishing (CMP) apparatus having slit nozzle for discharging slurry
CN109454548B (en) Planetary wheel for holding object to be polished for double-side polishing device
KR102329167B1 (en) Assembly for Supporting Semiconductor Substrate and Substrate Processing Apparatus Including The Same
US6790128B1 (en) Fluid conserving platen for optimizing edge polishing
KR101292225B1 (en) An appararus of polishing an edge of a wafer
KR102050975B1 (en) Substrate support unit and substrate polishing apparatus comprsing the same
KR102381677B1 (en) Epi wafer manufacturing apparatus
KR20190132829A (en) Substrate support unit and apparatus for polishing substrate having the same
US20020146972A1 (en) Apparatus for controlling leading edge and trailing edge polishing
KR20160127537A (en) Substrate treating apparatus and mixture gas nozzle used therein

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151223

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161227

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171222

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 7