KR101228773B1 - Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는 상하로 분할되어 상측의 컵이 승강 가능한 컵 내에서 기판을 회전시키면서 액처리를 행하는 액처리 장치에 있어서, 상하의 컵 사이로부터 미스트가 외부로 비산하는 것을 방지할 수 있는 액처리 장치를 제공하는 것이다.
웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 스핀 척(1)과, 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하는 현상액 노즐(14) 및 세정액을 공급하는 세정액 노즐(15)과, 스핀 척(1)의 측방을 덮도록 설치되어, 하부 컵(4)과, 승강 가능한 상부 컵(3)을 조합하여 구성된 컵체(2)와, 상부 컵(3)이 상승했을 때에 하부 컵의 굴곡부(42)가 끼워 넣어지도록 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고, 세정액을 저류하기 위한 홈부(32)와, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 떨쳐내어진 세정액을 홈부(32)로 안내하는 액 수용조(34) 및 관통 구멍(38)을 구비하고, 홈부(32)에 저류된 세정액에 의해, 하부 컵(4)과 상부 컵(3) 사이를 기밀하게 시일하여 컵체(2)로부터 미스트가 누출되는 것을 방지한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is a liquid processing apparatus for dividing up and down to perform liquid treatment while rotating a substrate in a cup in which an upper cup can be lifted, and a liquid processing apparatus capable of preventing mist from scattering to the outside from between the upper and lower cups. To provide.
The spin chuck 1 adsorbing and holding the wafer W, the developer nozzle 14 for supplying the developer solution to the wafer W, the cleaning solution nozzle 15 for supplying the cleaning solution, and the sides of the spin chuck 1 are covered. And a cup body 2 formed by combining the lower cup 4 and the movable upper cup 3 and the upper cup 3 when the upper cup 3 is raised so that the curved portion 42 of the lower cup is fitted therein. And a groove portion 32 for storing the washing liquid, a liquid holding tank 34 and a through hole 38 for guiding the washing liquid shaken off by the rotation of the wafer W to the groove portion 32. In addition, the cleaning liquid stored in the groove portion 32 seals the gap between the lower cup 4 and the upper cup 3 in an airtight manner to prevent mist from leaking from the cup body 2.
Description
본 발명은 기판을 기판 보유 지지부에 보유 지지하여 회전시키면서 당해 기판에 대해 처리액을 공급하여 처리를 행하는 액처리 장치 및 액처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
종래, 기판에 레지스트 패턴을 형성하는 시스템에 사용되는 현상 장치에서는, 컵 속에 설치된 기판 보유 지지부인 스핀 척 상에 기판, 예를 들어 웨이퍼를 흡착 유지하고, 이 웨이퍼의 표면에 현상 노즐로부터 현상액을 공급하고, 그 후 웨이퍼를 회전시키면서 세정 노즐에 의해 세정액을 공급하여 세정하고, 또한 떨쳐내어(shake off) 건조하는 일련의 공정이 행해진다. 현상액의 공급의 방법으로서는, 예를 들어 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이 웨이퍼를 회전시키면서, 현상 노즐을 웨이퍼의 주연측으로부터 중심부측으로 이동시켜 현상액을 웨이퍼의 표면에 소용돌이 형상으로 쌓아 올려 가는 방법이 알려져 있다. 그 후의 스핀 세정 시에는 세정액이 웨이퍼의 외측으로 비산하므로, 미스트가 컵 밖으로 비산하여 현상 처리 후의 웨이퍼 상에 재부착되는 것을 방지하기 위해, 컵의 상부 테두리는 웨이퍼의 높이 레벨보다도 상방측에 위치하고 있다.Conventionally, in the developing apparatus used for the system which forms a resist pattern in a board | substrate, a board | substrate, for example, a wafer is adsorb | sucked and hold | maintained on the spin chuck which is a board | substrate holding part installed in a cup, and a developer is supplied to the surface of this wafer from a developing nozzle. Subsequently, a series of steps are performed in which the cleaning liquid is supplied by the cleaning nozzle to be cleaned while rotating the wafer, followed by shaking off and drying. As a method of supplying the developing solution, for example, as described in
그런데, 예를 들어 복수의 컵에 대해 현상 노즐을 공통화하는 경우 등에 있어서는, 현상 노즐이 세정 노즐 위를 넘어서 이동하는 구조를 채용하는 것이 간이한 구조로 하기 위해 득책이다. 이 경우 현상 노즐의 이동 기구의 일부인 승강용 지주는 세정 노즐, 세정 노즐용 보유 지지 아암, 현상 노즐 및 현상 노즐용 보유 지지 아암의 높이분을 고려한 높이로 된다. 한편 도포, 현상 장치에서는 장치의 점유 면적을 억제하기 위해 레지스트 도포 유닛이나 현상 장치를 다단화하고 있고, 그 단수를 확보하기 위해 1대의 장치의 천장을 낮게 하는 요구가 있다. 그러나, 현상 노즐의 이동 기구의 신장을 낮게 하기 위해서는 제한이 있으므로, 이 요청에 따르기 어렵고, 따라서 본 발명자는 컵체를 분할하여 상측의 상부 컵을 승강할 수 있도록 구성하여, 세정 노즐이 웨이퍼 상방으로 이동할 때에는 상부 컵을 하강하는 장치를 검토하고 있다. 이 경우 상부 컵과 하부 컵의 간극으로부터 미스트가 누설되지 않도록 양자의 관계 부분을 끼워 맞춤 구조로 하여 래버린스를 형성하는 것이 득책이다. 도 18은 이와 같은 현상 장치를 도시하고 있고, 부호 101은 스핀 척, 부호 102는 컵체, 부호 103은 상부 컵, 부호 104는 하부 컵, 부호 105는 내부 컵 및 부호 133은 상부 개구부이다.By the way, in the case where the developing nozzles are common to a plurality of cups, for example, it is advantageous to adopt a structure in which the developing nozzle moves over the cleaning nozzle to make the simple structure. In this case, the lifting post which is a part of the moving mechanism of the developing nozzle becomes the height in consideration of the height of the cleaning nozzle, the holding arm for the cleaning nozzle, the developing nozzle and the holding arm for the developing nozzle. On the other hand, in the application | coating and developing apparatus, in order to suppress the occupied area of an apparatus, the resist application | coating unit and the developing apparatus are multistage, and there exists a request to lower the ceiling of one apparatus in order to ensure the number of stages. However, since there is a limit in order to lower the elongation of the moving mechanism of the developing nozzle, it is difficult to comply with this request. Therefore, the present inventors are configured to divide the cup body so that the upper cup of the upper side can be lifted, so that the cleaning nozzle is moved above the wafer. At that time, the device for lowering the upper cup is considered. In this case, it is advantageous to form a labyrinth by fitting the relationship between the two parts so that mist does not leak from the gap between the upper cup and the lower cup. Fig. 18 shows such a developing device, in which 101 is a spin chuck, 102 is a cup body, 103 is an upper cup, 104 is a lower cup, 105 is an inner cup and 133 is an upper opening.
그런데, 이와 같은 컵체(102)를 구비한 현상 장치에서는, 다음과 같은 문제가 발생한다. 스핀 세정 시에 웨이퍼를 회전시키면, 도 18에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W1)의 회전에 끌려서 상부 컵(103)의 상부 개구부(133)로부터 내부를 향해 외기가 흡기되지만, 컵체(102)로의 흡기량은 웨이퍼(W1)의 회전수가 높아지면 그만큼 많아진다. 그리고, 컵체(102) 내의 배기량보다도 상부 개구부(133)로부터의 흡기량이 많아지면, 컵체(102)의 내압이 상승하여, 상부 컵(103)과 하부 컵(104)의 끼워 맞춤부로부터 미스트가 컵체의 밖으로 누출되어 비산하고, 처리 완료된 웨이퍼(W1)에 재부착되어 현상 결함의 원인으로 될 우려가 있다.By the way, in the developing apparatus provided with such a
한편, 특허 문헌 2에는 상부 컵의 하부 컵과 접촉하는 위치에 홈부를 형성하고, 이 홈부에 슬로우 리크에 의해 배출된 세정액을 전용의 공급관을 통해 저류, 혹은 이 홈부에 상부 컵의 외주면을 타고 이동하는 현상액을 저류하고, 상부 컵과 하부 컵 사이를 액체로 기밀하게 시일하는 액처리 장치가 기재되어 있다. 그러나, 특허 문헌 2의 액처리 장치에서는 웨이퍼의 직경과 대략 동일한 길이의 스캔 노즐을 사용하지 않는 방법, 예를 들어 특허 문헌 1과 같이 현상 노즐을 웨이퍼의 주연측으로부터 중심부측으로 이동시켜 현상액을 소용돌이 형상으로 쌓아 올려 가는 현상 장치에서는, 현상액을 직접 상부 컵의 외주로 토출하기 때문에, 상부 컵(103)에 부딪친 현상액이 컵체(102)의 밖으로 비산할 우려도 있고, 고가의 현상액도 불필요하게 소비되어 버린다.On the other hand,
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 상하로 분할되어 상측의 컵이 승강 가능한 컵 내에서 기판을 회전시키면서, 액처리를 행하는 액처리 장치에 있어서, 상하의 컵 사이로부터 미스트가 외부로 비산하는 것을 방지할 수 있는 액처리 장치 및 이 액처리 장치에 관한 기술을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to divide the liquid into a top and a bottom and rotate the substrate in a cup in which the upper cup can be lifted. The present invention provides a liquid treatment apparatus capable of preventing scattering and a technique relating to the liquid treatment apparatus.
본 발명의 액처리 장치는,Liquid processing apparatus of the present invention,
기판을 흡착 유지하여, 연직축 주위로 회전 가능한 기판 보유 지지부와,A substrate holding portion which sucks and holds a substrate and is rotatable about a vertical axis;
이 기판 보유 지지부에 흡착 유지되어 있는 기판에 도포액 또는 세정액인 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,A processing liquid nozzle for supplying a processing liquid which is a coating liquid or a cleaning liquid to the substrate adsorbed and held by the substrate holding portion;
상기 기판 보유 지지부의 측방을 덮도록 설치되어, 하측에 위치하는 하부 컵과, 이 하부 컵의 상측에 위치하여, 승강 가능한 상부 컵을 조합하여 구성된 컵체와,A cup body provided so as to cover the side of the substrate holding part and configured by combining a lower cup positioned below and an upper cup positioned above and above the lower cup, the upper cup capable of lifting and lowering;
상기 하부 컵 및 상기 상부 컵의 한쪽의 컵에 설치되고, 상기 상부 컵이 상승했을 때에 다른 쪽 컵의 일단부측의 주연이 상방측으로부터 끼워 넣어지도록 전체 둘레에 걸쳐서 형성되어, 처리액을 저류하기 위한 끼워 맞춤부와,It is provided in one cup of the said lower cup and the said upper cup, and is formed over the whole periphery so that the peripheral edge of the one end side of the other cup may be inserted from an upper side when the said upper cup raises, and for storing a process liquid With fitting part,
상기 상부 컵을 상승시킨 상태에서 상기 기판을 회전시키는 동시에 상기 처리액을 이 기판에 공급할 때에, 상기 기판의 회전에 의해 떨쳐내어진 상기 처리액을 상기 끼워 맞춤부 내로 안내하는 안내부를 구비하고,And a guide portion for guiding the processing liquid shaken off by the rotation of the substrate into the fitting portion when the substrate is rotated while the upper cup is raised and the processing liquid is supplied to the substrate.
상기 끼워 맞춤부는 상기 안내부로 안내되어 저류된 상기 처리액에 의해, 상기 하부 컵과 상기 상부 컵 사이를 기밀하게 시일하기 위한 것인 것을 특징으로 하고 있다.The fitting portion is for sealing hermetically between the lower cup and the upper cup by the treatment liquid guided and stored in the guide portion.
또한, 본 발명의 액처리 장치에서는, 예를 들어 상기 끼워 맞춤부는 상기 상부 컵의 하단부를 외측으로 굴곡시킴으로써 형성된 홈부이고, 상기 안내부는 상기 상부 컵의 내주면에 상면이 개방되도록 설치된 액 수용조와, 상기 홈부와 상기 액 수용조를 접속하는 연통 구멍을 포함하고, 상기 하부 컵의 상단부측은 내측 하방으로 굴곡되어 있고, 그 굴곡 단부가 상기 홈부 내에 끼워 넣어지도록 구성되어 있어도 좋다. 또한, 본 발명의 액처리 장치에서는, 예를 들어 상기 끼워 맞춤부는 상기 하부 컵에, 외면측보다도 내면측이 낮아지도록 형성된 홈부이고, 상기 상부 컵은 그 하단부가 상승 위치 및 하강 위치의 어느 곳에 위치하고 있어도 상기 홈부 내에 끼워 넣어지도록 형성되고, 상기 안내부는 상기 상부 컵의 내주면이라도 좋다. 또한, 본 발명의 액처리 장치에서는, 예를 들어 상기 처리액 노즐로서, 기판에 현상액을 공급하는 현상액 노즐과 현상액의 공급 후에 세정액을 기판에 공급하는 세정액 노즐이 사용되고, 적어도 상기 세정액 노즐에 의해 기판이 세정되었을 때에는, 상기 상부 컵은 상승 위치로 설정되어 있어도 좋다.Further, in the liquid treatment apparatus of the present invention, for example, the fitting portion is a groove portion formed by bending the lower end portion of the upper cup to the outside, and the guide portion is a liquid receiving tank provided so that the upper surface is opened on the inner circumferential surface of the upper cup, A communication hole for connecting the groove portion and the liquid container may be included, and the upper end portion side of the lower cup may be bent inwardly downward, and the curved end portion may be inserted into the groove portion. Moreover, in the liquid processing apparatus of this invention, the said fitting part is a groove part formed in the said lower cup so that an inner surface side might become lower than an outer surface side, for example, and the upper cup is located in which the lower end part is a rising position and a falling position. Even if it is, it is formed so that it may fit in the said groove part, and the said guide part may be the inner peripheral surface of the said upper cup. In addition, in the liquid processing apparatus of the present invention, for example, a developing solution nozzle for supplying a developing solution to a substrate and a cleaning solution nozzle for supplying a cleaning solution to a substrate after supply of the developing solution are used as the processing liquid nozzle, and at least the cleaning liquid nozzle is used. When this washing | cleaning is carried out, the said upper cup may be set to the raise position.
본 발명의 액처리 장치는,Liquid processing apparatus of the present invention,
기판 보유 지지부의 측방을 둘러싸도록 설치되고, 하측에 위치하는 하부 컵과 이 하부 컵의 상측에 위치하여, 승강 가능한 상부 컵을 조합하여 구성된 컵체를 사용하고,The cup body is provided so as to surround the side of the board | substrate holding | maintenance part, and is comprised by combining the lower cup located in the lower side, and the upper cup located in the upper side of this lower cup, and being able to raise and lower,
상기 기판 보유 지지부에 기판을 보유 지지시키는 공정과,Holding the substrate on the substrate holding portion;
상부 컵을 하강시킨 상태에서, 도포액 또는 세정액인 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐을 기판의 상방에 위치시키는 공정과,Positioning the processing liquid nozzle for supplying the processing liquid which is the coating liquid or the cleaning liquid above the substrate while the upper cup is lowered;
계속해서 상기 상부 컵을 기판보다도 높은 위치까지 상승시키고, 하부 컵 및 상부 컵의 한쪽의 컵에 전체 둘레에 걸쳐서 설치된 끼워 맞춤부에 다른 쪽의 컵의 일단부측의 주연이 상방측으로부터 끼워 넣어지는 상태를 형성하는 공정과,Subsequently, the upper cup is raised to a position higher than the substrate, and the periphery of one end side of the other cup is fitted from the upper side in the fitting portion provided over the entire circumference of the lower cup and one cup of the upper cup. Forming a process,
계속해서 상기 기판을 회전시키는 동시에 처리액 노즐로부터 처리액을 당해 기판으로 공급하고, 기판으로부터 떨쳐내어진 처리액을 상기 끼워 맞춤부로 안내하여 저류하고, 이에 의해 상부 컵과 하부 컵 사이를 기밀하게 시일하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.Subsequently, the substrate is rotated and at the same time, the processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle to the substrate, and the processing liquid removed from the substrate is guided and stored in the fitting portion, thereby sealing the airtight between the upper cup and the lower cup. It characterized by including the process to make.
본 발명의 기록 매체는,The recording medium of the present invention,
기판을 기판 보유 지지부에 흡착 유지하고, 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하여 기판의 액처리를 행하는 액처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체이며,It is a storage medium which stored the computer program used for the liquid processing apparatus which adsorbs and hold | maintains a board | substrate to a board | substrate holding part, supplies a process liquid, and performs the liquid process of a board | substrate, rotating a board | substrate,
상기 컴퓨터 프로그램은 상기 액처리 방법을 실행하도록 스텝군이 구성되어 있다.The computer program is configured with a step group to execute the liquid processing method.
본 발명에 따르면, 상하로 분할되어 상측의 컵이 승강 가능한 컵 내에서 기판을 회전시키면서 액처리를 행하는 액처리 장치에 있어서, 상부 컵과 하부 컵의 한쪽의 컵에, 다른 쪽의 컵의 단부가 끼워 넣어지는 끼워 맞춤부를 설치하고, 이 끼워 맞춤부는 상부 컵을 상승시켰을 때에, 회전하고 있는 기판으로부터 떨쳐내어진 처리액이 저류되도록 구성되어 있다. 따라서, 끼워 맞춤부에 저류된 처리액에 의해 하부 컵과 상부 컵 사이가 기밀하게 시일되므로, 컵체 내의 압력이 상승했다고 해도, 컵 사이로부터 처리액의 미스트가 컵체의 밖으로 누출되는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 컵 내에 비산하는 처리액을 이용하고 있으므로, 컵의 밖으로 액이 튀어 오염되는 경우도 없다.According to the present invention, in the liquid processing apparatus for dividing up and down and performing liquid treatment while rotating the substrate in a cup in which the upper cup can be lifted, one cup of the upper cup and the lower cup has an end portion of the other cup. The fitting portion to be fitted is provided, and the fitting portion is configured to store the processing liquid dropped from the rotating substrate when the upper cup is raised. Therefore, since the processing liquid stored in the fitting portion is sealed tightly between the lower cup and the upper cup, even if the pressure in the cup body rises, it is possible to prevent the mist of the processing liquid from leaking out of the cup body from between the cups. . In addition, since the processing liquid scattered in the cup is used, the liquid does not splash out of the cup and become contaminated.
도 1은 본 실시 형태에 관한 현상 장치의 개략을 도시하는 평면도.
도 2는 현상 장치의 상부 컵의 승강에 대해 설명하기 위한 설명도.
도 3은 액 수용조에 대해 설명하기 위한 설명도.
도 4는 액 수용조의 배치에 대해 설명하기 위한 설명도.
도 5는 드레인 포트와 배기구에 대해 설명하기 위한 설명도.
도 6은 현상 노즐과 세정 노즐의 구동부에 대해 설명하기 위한 사시도.
도 7은 본 실시 형태의 웨이퍼의 현상 방법에 대해 설명하기 위한 제1 설명도.
도 8은 본 실시 형태의 웨이퍼의 현상 방법에 대해 설명하기 위한 제2 설명도.
도 9는 본 실시 형태의 웨이퍼의 현상 방법에 대해 설명하기 위한 제3 설명도.
도 10은 제2 실시 형태에 관한 현상 장치에 대해 설명하기 위한 제1 설명도.
도 11은 제2 실시 형태에 관한 현상 장치에 대해 설명하기 위한 제2 설명도.
도 12는 다른 실시 형태에 관한 현상 장치에 대해 설명하기 위한 제1 설명도.
도 13은 다른 실시 형태에 관한 현상 장치에 대해 설명하기 위한 제2 설명도.
도 14는 다른 실시 형태의 변형예에 대해 설명하기 위한 설명도.
도 15는 본 발명의 기판 가열 장치가 내장된 레지스트 패턴 형성 장치의 평면도.
도 16은 본 발명의 기판 가열 장치가 내장된 레지스트 패턴 형성 장치의 사시도.
도 17은 본 발명의 기판 가열 장치가 내장된 레지스트 패턴 형성 장치의 측면도.
도 18은 종래의 현상 장치의 컵체에 대해 설명하기 위한 평면도.1 is a plan view showing an outline of a developing apparatus according to the present embodiment.
Explanatory drawing for demonstrating the lifting of the upper cup of a developing apparatus.
3 is an explanatory diagram for explaining a liquid container;
4 is an explanatory diagram for explaining an arrangement of a liquid container;
5 is an explanatory diagram for explaining a drain port and an exhaust port;
6 is a perspective view for explaining a driving unit of a developing nozzle and a cleaning nozzle;
7 is a first explanatory diagram for explaining the developing method of the wafer of the present embodiment.
8 is a second explanatory diagram for explaining the developing method of the wafer of this embodiment.
9 is a third explanatory diagram for explaining the developing method of the wafer of this embodiment.
10 is a first explanatory diagram for explaining a developing apparatus according to a second embodiment.
11 is a second explanatory diagram for explaining the developing apparatus according to the second embodiment.
12 is a first explanatory diagram for explaining a developing apparatus according to another embodiment.
13 is a second explanatory diagram for explaining a developing apparatus according to another embodiment.
14 is an explanatory diagram for explaining a modification of another embodiment.
Fig. 15 is a plan view of a resist pattern forming apparatus incorporating a substrate heating apparatus of the present invention.
Fig. 16 is a perspective view of a resist pattern forming apparatus incorporating a substrate heating apparatus of the present invention.
Fig. 17 is a side view of a resist pattern forming apparatus incorporating a substrate heating apparatus of the present invention.
18 is a plan view for explaining a cup body of a conventional developing apparatus.
본 발명의 액처리 장치를 현상 장치에 적용한 실시 형태에 대해 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 현상 장치는 기판 보유 지지부인 스핀 척(1)을 구비하고 있다. 스핀 척(1)은 웨이퍼(기판)(W)를 수평한 상태로 흡착 유지하여 연직축 주위로 회전시킨다. 스핀 척(1)의 하부에는 회전축을 갖는 척 구동부(10)가 설치되어 있고, 회전축이 스핀 척(1)의 하면 중앙부에 접속되어 있다. 그리고, 스핀 척(1)은 척 구동부(10)의 구동력에 의해 연직축 주위로 회전한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Embodiment which applied the liquid processing apparatus of this invention to the developing apparatus is demonstrated with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the developing apparatus is equipped with the
스핀 척(1)의 측방에는 스핀 척(1)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 측방을 둘러싸는 컵체(2)가 설치되어 있다. 이 컵체(2)는 승강하는 상부 컵(3)과, 현상 장치를 고정하는 베이스(11)에 고정되는 하부 컵(4)으로 구성되어 있다. 그리고, 컵체(2)의 내측에는 내부 컵(5)이 설치되어 있다. 또한, 현상 장치의 천장(18)에는 컵체(2)에 다운 플로우를 공급하기 위한 팬 장치(19)가 설치되어 있다.On the side of the
상부 컵(3)은 원통부(30)와, 이 원통부(30)의 상부 테두리로부터 내측 상방을 향해 전체 둘레에 걸쳐서 비스듬히 신장되는 경사부(31)와, 원통부(30)의 하단부측 주연의 전체 둘레를 외측으로 굴곡하고, 또한 상방으로 절곡되어 종단면이 ㄷ자형으로 형성된 본 발명의 끼워 맞춤부에 상당하는 홈부(32)를 갖고 있다. 또한, 도면 중 부호 16은 상부 컵(3)을 승강시키는 승강 유닛이다. 상부 컵(3)은 하부 컵(4)과 내부 컵(5) 사이에 배치되어, 웨이퍼(W)로부터 떨쳐내어지는 현상액이나 세정액이 외부로 비산하지 않도록 그 내주면에서 수용한다.The
또한, 상부 컵(3)의 원통부(30)의 내주면에 있어서의 상부 컵(3)의 수직 부분에는, 예를 들어 국소적으로 액 수용조(34)가 복수, 예를 들어 6개(도 4 참조) 설치된다. 이 액 수용조(34)는, 도 3에 도시한 바와 같이 홈부(32)의 하면에 포개어 고정된 수평판(35)의 내측으로부터 상부 컵(3)의 중앙 상방을 향해 경사판(36)을 돌출시키고, 또한 이 경사판(36)의 좌우 양단부에, 당해 경사판(36)으로부터 원통부(30)의 내주면에 걸쳐서 신장되는 단부판(37)을 설치하여 구성된다. 즉, 액 수용조(34)는 경사판(36), 단부판(37) 및 원통부(30)의 내주면으로 둘러싸인 공간에 액이 저류되는 것이다. 그리고, 본 실시 형태에서는 복수의 액 수용조(34)에 의해 원통부(30)의 내주면에 액이 대략 링 형상으로 저류되게 된다. 또한, 원통부(30)에는 액 수용조(34)와 홈부(32)를 접속하는 3개의 관통 구멍(38)이 형성되어 있다. 그리고, 본 실시 형태에서는 본 발명의 안내부를 액 수용조(34)와 관통 구멍(38)에 의해 구성하고 있다.Further, in the vertical portion of the
또한, 본 실시 형태에서는 액 수용조(34)를 6개 설치하고 있지만, 본 발명의 실시 형태로서는 1개의 액 수용조를 상부 컵(3)의 임의의 위치에 1군데 설치하도록 해도 좋고, 또한 경사판이, 상부 컵(3)의 내주면의 전체 둘레에 걸쳐서 설치되는 1개의 액 수용조를 설치해도 좋다. 또한, 본 발명의 실시 형태로서는, 복수, 예를 들어 3개의 액 수용조를 상부 컵의 내측에 120도 간격으로 균등하게 설치해도 좋고, 4개의 액 수용조를 상부 컵의 내측에 90도 간격으로 균등하게 설치해도 좋다. 또한, 2개의 액 수용조를 상부 컵의 내측에 웨이퍼를 사이에 두고 대향하도록 설치해도 좋고, 도 4에 도시하는 액 수용조(34)보다 작은 액 수용조를, 예를 들어 16개의 상부 컵의 내측에 설치해도 좋다. 또한, 도 1에서는, 설명의 편의상, 상부 컵의 한쪽의 측부에만 액 수용조(34)를 도시하고, 다른 쪽의 측부에서는 액 수용조(34)가 설치되어 있지 않은 부분을 도시하고 있다.In addition, although six
하부 컵(4)은 연직 방향으로 신장되는 외벽(40)과, 외벽(40)의 하단부측 주연의 전체 둘레로부터 내측 중앙을 향해 수평으로 신장되는 저부(41)와, 외벽(40)의 상부 내주면의 전체 둘레로부터 내측을 향해 돌출되고, 또한 하방으로 절곡하여 종단면이 ㄷ자형으로 형성된 굴곡부(42)를 갖고 있다. 이 굴곡부(42)는 상부 컵(3)의 홈부(32)와 끼워 맞추어지도록 형성되어 있어, 홈부(32)에 대한 피끼워 맞춤부라고 할 수 있다.The
그리고, 상부 컵(3)은 상승하여 상방 위치에서 정지했을 때에는, 웨이퍼(W)로부터 떨쳐내어지는 현상액이나 세정액을 외부로 비산하지 않도록 그 내주면에서 수용하고, 또한 강하하여 하방 위치에서 정지했을 때에는, 후술하는 현상액 노즐(14)이나 세정액 노즐(15)의 이동 영역과 간섭하지 않도록 형성되어 있다. 또한, 상부 컵(3)이 상방 위치에서 정지되어 있을 때에 굴곡부(42)와 홈부(32)가 끼워 맞추어지도록 컵체(2)는 형성되어 있다. 또한, 상부 컵(3)이 상방 위치에서 정지되어 있는 상태를 도 1에 도시하고, 상부 컵(4)이 하방 위치에서 정지되어 있는 상태를 도 2에 도시한다.And when the
내부 컵(5)은 하부 컵(4)의 저부(41)의 내주 단부로부터 기립하는 기립벽(50)과, 기립벽(50)의 상부 테두리로부터 외측 상방을 향해 비스듬히 신장되고, 또한 정상부로부터 외측 하방을 향해 비스듬히 신장되는 2개의 경사면으로 이루어지는 산형부와, 산형부의 단부로부터 연직 하방향으로 신장되는 수직 가이드부(51)를 갖고 있다. 이 기립벽(50)의 내측의 공간에는 상술한 척 구동부(10)나, 승강 핀(12) 및 핀 지지부(13) 등이 배치된다. 또한, 산형부의 정상부는 스핀 척(1)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 하면 둘레 단부와 대향하는 위치에 형성된다. 그리고, 산형부의 외측의 경사면(52) 및 수직 가이드부(51)의 외주면과, 내부 컵(3)의 원통부(30) 및 경사부(31) 사이에는 환 형상의 공간이 형성된다.The
또한, 하부 컵(4)의 저부(41)에는 컵체(2) 내의 폐액을 배출하기 위한 드레인 포트(43)와, 컵체(2) 내를 배기하기 위한 배기구(44)가 형성되어 있다. 이 드레인 포트(43)와 배기구(44)는, 도 5에 도시한 바와 같이 드레인 포트(43)는 컵체(2)의 중심으로부터 볼 때 점대칭으로 되도록 컵체(2)의 양단부에 설치되어 있고, 드레인 포트(43)가 배열되어 있는 방향을 좌우 방향으로 하면, 중심점으로부터 볼 때 전방향으로 배기구(44)가 형성되어 있지만, 도 1에서는 설명의 편의상 드레인 포트(43)와 배기구(44)를 배열하여 도시하고 있다.Further, a
현상 장치는, 도 6에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하는 현상액 노즐(14)과, 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하는 세정액 노즐(15)을 구비하고 있다. 현상액 노즐(14)에는 현상액 저류부와 유량 조정부 등을 포함하는 현상액 공급부(21)(도 1 참조)가 접속되어, 현상액 노즐 구동부(23)가 구비되어 있다. 또한, 세정액 노즐(15)에는 세정액 저류부와 유량 조정부 등을 포함하는 세정액 공급부(22)(도 1 참조)가 접속되어, 세정액 노즐 구동부(24)가 구비되어 있다. 본 실시 형태의 현상 장치는, 예를 들어 컵체(2)를 3개 구비하고 있고, 세정액 노즐(15)은 각 컵체(2)에 대해 1개 설치되어 있다. 이에 대해, 현상액 노즐(14)은 공통화되어 있고, 현상액 노즐 구동부(23)는 세정액 노즐 구동부(24)를 타고 넘도록 하여, 현상액 노즐(14)을 각 컵체(2)의 상방으로 이동시킨다.As shown in FIG. 6, the developing apparatus includes a developing
또한, 현상 장치에는 이 현상 장치를 제어하는 제어부(26)가 설치되어 있다. 제어부(26)는, 예를 들어 컴퓨터로 이루어지고, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 외에, 현상 처리를 행하기 위한 프로그램 등을 구비하고 있다. 이 프로그램에는 반입된 웨이퍼(W)를 스핀 척(1)으로 보유 지지하여, 현상 처리를 행한 후, 세정 처리와 건조 처리를 행하고, 그 후 웨이퍼(W)를 현상 장치로부터 반출할 때까지의 웨이퍼(W)의 반송 스케줄이나 일련의 각 부의 동작을 제어하도록 스텝군이 짜여져 있다. 이들 프로그램(처리 파라미터의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램도 포함함)은, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, MO(광자기 디스크), 하드 디스크 등의 기억 매체에 저장되어 제어부(26)에 인스톨된다.Moreover, the developing apparatus is provided with the
다음에, 본 실시 형태의 현상 장치에서 행해지는 현상 공정의 일련의 흐름에 대해 간단하게 설명한다. 우선, 도 7에 도시한 바와 같이 레지스트막이 형성되고, 노광된 웨이퍼(W)가, 반송 아암(20)에 의해 컵체(2)의 상방으로 반송되어, 승강 핀(12)과의 협동 작용에 의해 스핀 척(1)으로 전달되어 흡착 유지된다(도 8 참조). 또한, 웨이퍼(W)를 반송 아암(20)과 스핀 척(1) 사이에서 전달할 때에는, 상부 컵(3)은 하방 위치에 정지하고 있다.Next, a series of flows of the developing step performed in the developing apparatus of the present embodiment will be briefly described. First, as shown in FIG. 7, a resist film is formed, and the exposed wafer W is conveyed above the
다음에, 도 8에 도시한 바와 같이 상부 컵(3)을 상방 위치로 상승시키고, 현상액 노즐(14)을 웨이퍼(W)의 주연부의 상방 영역으로 이동시킬 때에, 웨이퍼(W)를, 예를 들어 500rpm으로 회전시킨다. 그리고, 현상액 노즐(14)로부터 현상액을 토출시키면서, 현상액의 토출 위치가 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부로 이동하도록 현상액 노즐(14)을 현상액 노즐 구동부(23)에 의해 이동시키고, 이에 의해 현상액을 웨이퍼(W)의 표면에 소용돌이 형상으로 쌓아 올려 간다. 또한, 웨이퍼(W)의 중심부에 현상액을 계속해서 토출하여 원심력으로 현상액을 신장하면서 현상액층(G)을 형성한다. 계속해서 상부 컵(3)이 강하하고, 현상액 노즐(14)이 웨이퍼(W) 상으로부터 후퇴하고, 세정액 노즐(15)이 웨이퍼(W)의 상방 중앙부로 이동한다.Next, as shown in FIG. 8, when the
계속해서, 도 9에 도시한 바와 같이 상부 컵(3)이 상방 위치로 이동하고, 웨이퍼(W)를 현상액의 공급 시와 동일한 회전 속도(예를 들어, 500rpm)로 회전시키면서, 세정액 노즐(15)로부터 세정액을 웨이퍼(W)로 공급한다. 공급된 세정액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 중심으로부터 주연부를 향해 퍼지도록 흘러 가, 웨이퍼(W)의 상면으로 골고루 퍼진다. 그리고, 이 세정액에 의해 현상액이 씻겨져 버린다.Subsequently, as shown in FIG. 9, the
또한, 웨이퍼(W)의 주연으로부터는, 현상액을 포함한 세정액이 상술한 환 형상 공간을 향해 비산한다. 이 비산한 세정액의 일부는 직접, 혹은 상부 컵(3)의 내주면을 타고 액 수용조(34)로 유입되어 저류되고, 저류된 세정액은 관통 구멍(38)을 통해 홈부(32)로 유입된다. 따라서, 홈부(32)로 유입되는 세정액은 액 수용조(34)와 관통 구멍(38)으로 안내되어 유입되게 되고, 세정액에 의해 홈부(32)가 채워지면 홈부(32)와 이 홈부(32)에 끼워 넣어져 있는 굴곡부(42) 사이에 세정액의 시일이 형성된다. 또한, 홈부(32)에 유입된 여분의 세정액은 홈부(32)로부터 넘쳐서 하부 컵(4)의 저부(41)로 흘러, 드레인 포트(43)로 유입된다.Moreover, from the periphery of the wafer W, the washing | cleaning liquid containing a developing solution scatters toward the annular space mentioned above. A part of this scattered cleaning liquid flows directly into the
웨이퍼(W)의 세정이 종료되면, 세정액의 공급을 정지하고, 웨이퍼(W)를 고속, 예를 들어 2000rpm으로 회전시켜 웨이퍼(W) 상에 잔존하고 있는 현상액과 세정액을 떨쳐내어 건조시킨다. 이때 웨이퍼(W)의 회전수가 높아지므로 종래와 마찬가지로 컵체(2) 내의 압력이 상승하지만(도 18 참조), 본 실시 형태에서는, 상부 컵(3)과 하부 컵(4) 사이에 세정액에 의한 시일이 형성되어 있으므로, 가령 컵체(2) 내의 압력이 높아졌다고 해도, 이 시일에 의해 상부 컵(3)과 하부 컵(4) 사이로부터 기류가 유출되지 않게 되어, 미스트가 누출되는 것이 방지된다. 그리고, 웨이퍼(W)가 건조되면, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고, 그 후 도 7에서 설명한 웨이퍼(W)를 반입하는 것과는 역의 수순으로, 웨이퍼(W)를 반송 아암(20)으로 전달하고, 웨이퍼(W)를 현상 장치로부터 반출함으로써 현상 공정이 종료된다.When the cleaning of the wafer W is completed, the supply of the cleaning liquid is stopped, the wafer W is rotated at a high speed, for example, 2000 rpm, and the developer and cleaning liquid remaining on the wafer W are shaken off and dried. At this time, since the rotation speed of the wafer W becomes high, the pressure in the
본 실시 형태에 따르면, 상하로 분할되어 상부 컵(3)이 승강 가능한 컵체(2) 내에서 웨이퍼(W)를 회전시키면서 현상 처리를 행하는 현상 장치에 있어서, 상부 컵(3)에 홈부(32)를 형성하는 동시에 하부 컵(4)에 홈부(32)의 피끼워 맞춤부로 되는 굴곡부(42)를 설치한다. 그리고, 홈부(32)에 액 수용조(34)를 설치하여, 상부 컵(3)을 상승시켰을 때에 회전하고 있는 웨이퍼(W)로부터 떨쳐내어진 현상액을 포함하는 세정액을 액 수용조(34)에 저류하고, 이 저류된 세정액을 홈부(32)에 공급하여, 홈부(32)에 세정액을 저류한다. 따라서 홈부(32)에 저류된 세정액에 의해 상부 컵(3)과 하부 컵(4) 사이가 기밀하게 시일되므로, 가령 컵체(2) 내의 압력이 상승했다고 해도, 컵체(2) 사이로부터 세정액의 미스트가 컵체(2)의 밖으로 누출되는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 컵체(2) 내에 비산하는 세정액을 이용하고 있으므로, 컵체(2)의 밖으로 액이 튀어 오염되는 경우도 없다.According to this embodiment, in the developing apparatus which divides up and down and performs development while rotating the wafer W in the
또한, 컵체(2) 내의 배기량을 많게 하면, 컵 사이의 시일이 없어도, 미스트가 외부로 유출되기 어려워지지만, 스핀 처리를 행하는 컵이 복수 사용되고 있어, 반도체 제조 공장 내의 배기량이 부족 기미가 보인다고 하는 현재의 상황 하에서는, 배기량을 억제하면서 미스트의 유출을 억제하는 방법이 유효하다.In addition, when the amount of displacement in the
[제2 실시 형태][Second Embodiment]
본 발명의 액처리 장치를 현상 장치에 적용한 실시 형태로서는, 다음의 도 10, 도 11에 도시하는 현상 장치라도 좋다. 이 현상 장치는 컵체(6)의 구조가 제1 실시 형태와 다른 점을 제외하고는, 제1 실시 형태와 동일하므로, 제1 실시 형태와 동일 부분 또는 상당 부분에는 동일한 번호를 부여하여 설명한다.As an embodiment which applied the liquid processing apparatus of this invention to the developing apparatus, you may be the developing apparatus shown to following FIG. 10, FIG. Since this developing apparatus is the same as that of 1st Embodiment except the structure of the
컵체(6)는 승강하는 상부 컵(60)과, 현상 장치를 고정하는 베이스(11)에 고정되는 하부 컵(61)으로 구성되어 있다. 상부 컵(60)은 원통부(62)와, 이 원통부(62)의 상부 테두리로부터 내측 상방을 향해 전체 둘레에 걸쳐서 비스듬히 신장되는 경사부(63)를 갖고 있다. 그리고, 상부 컵(60)에는 제1 실시 형태와 달리 홈부가 형성되어 있지 않다. 한편 하부 컵(61)은 연직 방향으로 신장되는 외벽(64)과, 외벽(64)의 하단부측 주연의 전체 둘레로부터 내측 중앙을 향해 수평으로 신장되는 저부(65)와, 외벽(64)의 하부 내주면의 전체 둘레로부터 내측을 향해 돌출되고, 또한 상방으로 절곡되어 종단면이 L자 형상으로 되는 L자 부재(66)를 갖고 있다. 그리고, L자 부재(66)와 외벽(64) 사이에는 홈부(67)가 형성되고, 홈부(67)에 상부 컵(60)의 원통부(62)가 끼워 맞추어져 컵체(6)가 구성된다.The
따라서, 본 실시 형태에서는 상부 컵(60)의 원통부(62)가 피끼워 맞춤부로 되고, 하부 컵(61)의 홈부(67)가 끼워 맞춤부로 된다. 또한, L자 부재(66)의 선단은 외벽(64)의 상단부보다 높이가 낮게 되도록 형성되고, 홈부(67)로부터 넘친 세정액은 하부 컵(61) 내에 흐르도록 형성되어 있다. 그리고, L자 부재(66)의 선단은 상부 컵(60)이 하방 위치에서 정지되어 있을 때(도 10 참조)에, 상부 컵(60)의 내주면에 간섭하지 않는 위치까지 신장되어 있다. 또한, 컵체(6)는 상부 컵(60)이 하방 위치에 정지되어 있는 상태(도 10 참조) 및 상부 컵(60)이 상방 위치에 정지되어 있는 상태(도 11 참조), 어떤 상태에 있어도 원통부(62)와 홈부(67)가 항상 끼워 넣어져 있도록 형성되어 있다. 이에 의해, 상부 컵(60)과 하부 컵(61) 사이에는 확실하게 세정액에 의한 시일이 형성되도록 되어 있다.Therefore, in this embodiment, the
이와 같은 컵체(6)라도, 도 11에 도시한 바와 같이, 상부 컵(6)을 상방 위치에 정지시킨 상태에서, 웨이퍼(W)로부터 떨쳐내어진 세정액을 상부 컵(60)의 내주면과 홈부(67)의 선단 상면으로 안내하여 홈부(67)로 유입시켜, 홈부(67)에 세정액을 저류시킬 수 있다. 그리고, 홈부(67)에 저류된 세정액으로 끼워 맞추어져 있는 원통부(62)와 홈부(67) 사이에 세정액에 의한 시일을 형성할 수 있다. 따라서, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 컵체(6) 사이로부터 세정액의 미스트가, 밖으로 누출되는 것을 방지할 수 있고, 컵체(6) 내에 비산하는 세정액을 이용하고 있으므로, 컵체(6) 밖으로 액이 튀어 장치를 오염시키는 경우도 없다.Even in such a
특히 본 실시 형태에 있어서는, 내부 컵(60)의 전체 둘레 방향으로부터 세정액을 홈부(67)로 공급할 수 있으므로, 홈부(67)에 대한 단위 시간당의 세정액의 공급량을 늘리는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시 형태에서는 외벽(64)과 L자 부재(66)를 일체로 형성하고 있지만, 본 발명의 실시 형태는 이에 한정되지 않고, 개별의 부재로서 형성하여, L자 부재를 외벽에 설치하도록 해도 좋다.In particular, in this embodiment, since the washing | cleaning liquid can be supplied to the
[다른 실시 형태][Other Embodiments]
본 발명의 액처리 장치를 현상 장치에 적용한 실시 형태로서는, 다음의 도 12 또는 도 14에 도시하는 현상 장치라도 좋다. 이 현상 장치는 컵체(7)의 상부 컵(3)의 상부에 현상액 수용부(70)가 설치되어 있고, 현상액 노즐(14) 대신에, 특허 문헌 2와 같이 웨이퍼의 직경과 대략 동일한 길이의 스캔 노즐(14a)이 설치되어 있는 점을 제외하고는, 제1 실시 형태와 동일하므로, 제1 실시 형태와 동일 부분 또는 상당 부분에는 동일한 번호를 부여하여 설명한다.As embodiment which applied the liquid processing apparatus of this invention to the developing apparatus, the developing apparatus shown in following FIG. 12 or FIG. 14 may be sufficient. This developing apparatus is provided with a developing
이와 같은 실시 형태의 현상 장치에서는, 도 12에 도시한 바와 같이 상부 컵(3)을 하방 위치에 정지시킨 상태에서, 스캔 노즐(14a)을 현상액 수용부(70)의 상방에서 주사시키고, 현상액 노즐(14a)로부터 현상액을 토출하여 웨이퍼(W) 상에 현상액층(G)을 형성한다. 그리고, 도 13에 도시한 바와 같이, 세정액 노즐(15)을 웨이퍼(W)의 상방 중앙부로 이동시키고, 상부 컵(3)을 상방 위치에 정지시켜 세정액을 공급하여, 웨이퍼(W)를 세정한다.In the developing apparatus of such an embodiment, as shown in FIG. 12, in the state where the
이와 같은 현상 장치에 있어서도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 비산한 세정액을 액 수용조(34)와 관통 구멍(38)을 통해 홈부(32)로 유입시키고, 홈부(32)에 세정액을 저류시켜 이 홈부(32)에 끼워 넣어져 있는 굴곡부(42)와의 사이에 세정액의 시일을 형성할 수 있어, 컵체(7) 사이로부터 세정액의 미스트가 밖으로 누출되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 컵체(7) 내에 비산하는 세정액을 이용하고 있으므로, 컵체(7) 밖으로 액이 튀어 장치를 오염시키는 경우도 없다.Also in this developing apparatus, similarly to the first embodiment, the scattered cleaning liquid flows into the
또한, 스캔 노즐(14a)에 의해 현상액을 공급하는 경우에는, 도 14에 도시한 바와 같이 특허 문헌 2와 마찬가지로 현상액 수용부(70)에 현상액 도입 구멍(71)을 형성하여, 현상액 수용부(70)에 토출된 현상액을, 현상액 도입 구멍(71)과 상부 컵(3)의 외주면을 통해 홈부(32)로 안내하도록 하여, 상부 컵(3)의 외측과 내측 양쪽으로부터 홈부(32)로 액을 공급하도록 해도 좋다.In addition, in the case of supplying the developer by the
다음에, 본 발명의 적용예인, 본 실시 형태의 현상 장치가 내장된 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 시스템의 일례에 대해 간단하게 설명한다. 도 15 또는 도 17에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 레지스트 패턴 형성 시스템(400)은 캐리어 적재 블록(B1), 처리 블록(B2), 인터페이스 블록(B3), 노광 장치(B4)를 구비하고 있다. 캐리어 적재 블록(B1)은 적재부(410) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(C1)로부터 전달 아암(A1)이 웨이퍼(W)를 취출하여, 인접하는 처리 블록(B2)으로 전달하는 동시에, 전달 아암(A1)에 의해 처리 블록(B2)에서 처리된 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C1)로 복귀시키도록 구성되어 있다.Next, an example of the resist pattern forming system which connected the exposure apparatus to the application | coating with which the developing apparatus of this embodiment which the application of this invention is built, and the developing apparatus is demonstrated briefly. As shown in FIG. 15 or 17, the resist
처리 블록(B2)은, 도 16에 도시한 바와 같이, 본 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 현상 영역인 DEV층, 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하는 반사 방지막의 도포 영역인 BCT층, 레지스트액의 도포 처리를 행하는 도포 영역인 COT층 및 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하는 반사 방지막의 도포 영역인 TCT층을 구비하고 있고, 각 영역을 하부로부터 차례로 적층하여 계층화함으로써 처리 블록(B2)은 구성되어 있다.As shown in FIG. 16, the processing block B2 is an application region of the anti-reflection film that performs the formation processing of the DEV layer, which is a development area for performing the development process, and the anti-reflection film formed on the lower layer side of the resist film. A BCT layer, a COT layer which is a coating area for applying a resist liquid, and a TCT layer which is a coating area for an antireflection film for forming an antireflection film formed on the upper layer side of the resist film, are laminated in order from the bottom. The process block B2 is comprised by layering.
BCT층과, TCT층은 각각 반사 방지막을 형성하기 위한 레지스트액을 스핀 코팅에 의해 도포하는 액처리 유닛과, 이 액처리 유닛에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열, 냉각계의 처리 유닛군과, 각 유닛 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A2, A4)을 구비하고 있다. COT층은 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트액을 스핀 코팅에 의해 도포하는 도포 장치와, 이 도포 장치에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 처리 유닛군과, 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 유닛과, 각 유닛 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A3)을 구비하고 있다.The BCT layer and the TCT layer each include a liquid treatment unit for applying a resist liquid for forming an antireflection film by spin coating, and a heating and cooling system for performing pretreatment and post treatment of the treatment performed in the liquid treatment unit. The transfer arm A2 and A4 which transfer the wafer W between each processing unit group and each unit are provided. The COT layer includes a coating apparatus for applying a resist coating for forming a resist film by spin coating, a group of processing units for performing pretreatment and post-treatment of the treatment performed by the coating apparatus, a hydrophobization processing unit for performing a hydrophobization treatment, And a transfer arm A3 for transferring the wafer W between the units.
또한, DEV층은, 예를 들어 하나의 DEV층 내에 2단 적층된, 본 발명의 실시 형태에 관한 현상 장치와, 이 현상 장치로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A5)을 구비하고 있다. 그리고, 처리 블록(B2)에는, 도 15 및 도 17에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U1)과, 선반 유닛(U1)의 각 부끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 승강 가능한 전달 아암(A6)이 배치되어 있다. 처리 블록(B2)의 안측에는 인터페이스 블록(B3)을 통해 노광 장치(B4)가 접속되어 있다. 처리 블록(B2)과 인터페이스 블록(B3)은 선반 유닛(U2)을 통해 접속되어 있고, 인터페이스 블록(B3)에는 승강 가능하고 또한 연직축 주위로 회전 가능하고 또한 진퇴 가능하게 구성된 이동 탑재 아암(A7)과, 기판 세정 장치(SRS) 등이 설치되어 있다.Moreover, the DEV layer is provided with the developing apparatus which concerns on embodiment of this invention laminated | stacked in one DEV layer, for example, and the conveyance arm A5 which conveys the wafer W to this developing apparatus. . 15 and 17, the processing block B2 is provided with an elevatable transfer arm (not shown) for transferring the wafer W between the respective units of the lathe unit U1 and the lathe unit U1 A6 are disposed. The exposure apparatus B4 is connected to the inner side of the processing block B2 via the interface block B3. The processing block B2 and the interface block B3 are connected via the shelving unit U2, and the movable block arm A7 configured to be movable up and down, rotatable about the vertical axis, and retractable to the interface block B3. And a substrate cleaning device SRS are provided.
이와 같은 레지스트 패턴 형성 시스템에 있어서의 도포, 현상 공정이 행해지는 웨이퍼(W)의 흐름은 다음과 같이 된다. 도 17에 도시한 바와 같이, 우선 캐리어 적재 블록(B1)의 캐리어(C1)에 적재되어 있는 웨이퍼(W)를, 전달 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U1)의 처리 블록(B2)의 BCT층에 대응하는 전달 유닛(CPL2)으로 반송한다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL2)으로부터 전달 유닛(CPL3) → 반송 아암(A3) → COT층으로 반송되어, 소수화 처리 유닛에서 웨이퍼(W)의 표면이 소수화된 후, 도포 장치에서 레지스트막이 형성된다. 레지스트막 형성 후의 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)에 의해 선반 유닛(U1)의 BF3으로 전달된다.The flow of the wafer W to which the application | coating and developing process in such a resist pattern formation system is performed is as follows. As shown in FIG. 17, first, the BCT of the processing block B2 of the shelf unit U1 is transferred to the wafer W loaded on the carrier C1 of the carrier stacking block B1 by the transfer arm A1. Return to delivery unit CPL2 corresponding to the floor. Subsequently, the wafer W is conveyed from the transfer unit CPL2 to the transfer unit CPL3 → transfer arm A3 → COT layer, and after the surface of the wafer W is hydrophobized in the hydrophobization treatment unit, A resist film is formed. The wafer W after the resist film formation is transferred to the BF3 of the shelf unit U1 by the transfer arm A3.
그 후 웨이퍼(W)는 전달 유닛(BF3) → 전달 아암(A6)(도 16 참조) → 전달 유닛(CPL4)을 통해 TCT층으로 전달되고, 레지스트막 상에 반사 방지막이 형성된 후, 전달 유닛(TRS4)으로 전달된다. 또한, 레지스트막 상의 반사 방지막을 형성하지 않는 경우나, 웨이퍼(W)에 대해 소수화 처리를 행하는 대신에, BCT층에서 반사 방지막이 형성되는 경우도 있다.Then, the wafer W is transferred to the TCT layer through the transfer unit BF3 → the transfer arm A6 (see FIG. 16) → the transfer unit CPL4, and after the antireflection film is formed on the resist film, the transfer unit ( TRS4). In addition, in some cases, an antireflection film on the resist film is not formed, or instead of performing hydrophobization treatment on the wafer W, an antireflection film is formed in the BCT layer.
또한, DEV층 내의 상부에는 선반 유닛(U1)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U2)에 설치된 전달 유닛(CPL12)으로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 아암(E)이 설치되어 있다. 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 아암(A6)에 의해 전달 유닛(BF3, TRS4)을 통해 전달 유닛(CPL11)으로 전달되고, 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U2)의 전달 유닛(CPL12)을 통해 인터페이스 블록(B3)으로 반송된다. 또한, 도 17 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.In addition, the upper portion of the DEV layer has a shuttle arm, which is a dedicated conveying means for directly conveying the wafer W from the transfer unit CPL11 provided on the shelf unit U1 to the transfer unit CPL12 provided on the shelf unit U2. E) is installed. The wafer W on which the resist film is formed is transferred to the transfer unit CPL11 by the transfer arms A6 through the transfer units BF3 and TRS4, and the transfer unit CPL12 of the shelf unit U2 by the shuttle arm E2. Is returned to the interface block B3. In addition, the transfer unit to which CPL is given in FIG. 17 also serves as a buffer unit to which a plurality of wafers W can be loaded.
다음에, 웨이퍼(W)는 이동 탑재 아암(A7)에 의해 기판 세정 장치(SRS)로 반송되어 세정되고, 그 후 노광 장치(B4)로 반송되어 노광 처리가 행해진다. 그 후, 웨이퍼(W)는 처리 블록(B2)으로 복귀되어 DEV층에서 현상 처리가 행해지고, 반송 아암(A5)에 의해 선반 유닛(U1)에 있어서의 전달 아암(A1)의 액세스 범위의 전달대로 반송된다. 그리고, 전달 아암(A1)을 통해 캐리어(C1)로 복귀된다. 또한, 도 15에 있어서 부호 M1은 각각 가열부 냉각부 등을 적층한 처리 유닛군이다.Next, the wafer W is conveyed to the substrate cleaning apparatus SRS by the moving arm A7 and cleaned, and is then conveyed to the exposure apparatus B4 to perform exposure processing. Thereafter, the wafer W is returned to the processing block B2, and development processing is performed in the DEV layer, and the transfer arm A5 transfers the access range of the transfer arm A1 in the shelf unit U1. Is returned. And it returns to the carrier C1 through the delivery arm A1. In Fig. 15, reference numeral M1 denotes a processing unit group in which heating unit cooling units and the like are stacked, respectively.
이상의 공정에 의해, 이 레지스트 패턴 형성 시스템(400)에서는 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴을 형성한다. 그리고, 이 레지스트 패턴 형성 시스템(400)에서는 본 실시 형태의 현상 장치를 구비한 것에 의해, 컵체(2) 내의 현상액이나 린스액의 미스트가, 현상 장치 밖, 즉 레지스트 패턴 형성 시스템(400) 내로 비산하는 것을 방지하여, 레지스트 패턴 형성 처리를 양호한 상태에서 행하는 것이 가능해진다.By the above process, in this resist
1 : 스핀 척
2 : 컵체
3 : 상부 컵
4 : 하부 컵
5 : 내부 컵
14 : 현상액 노즐
15 : 세정액 노즐
16 : 승강 유닛
18 : 천장
21 : 현상액 공급부
22 : 세정액 공급부
23 : 현상액 노즐 구동부
24 : 세정액 노즐 구동부
30 : 원통부
31 : 경사부
32 : 홈부
34 : 액 수용조
35 : 수평판
36 : 경사부
37 : 단부판
38 : 관통 구멍
40 : 외벽
42 : 굴곡부
51 : 수직 가이드부
52 : 경사면
G : 현상액층
W, W1 : 웨이퍼1: spin chuck
2: cup body
3: upper cup
4: lower cup
5: inner cup
14: developer nozzle
15: cleaning liquid nozzle
16: lifting unit
18: ceiling
21: developer supply unit
22: cleaning liquid supply unit
23: developer nozzle drive unit
24: cleaning liquid nozzle drive unit
30: cylindrical part
31: inclined portion
32: groove
34: liquid container
35: horizontal plate
36: inclined portion
37: end plate
38: through hole
40: outer wall
42: bend
51: vertical guide portion
52: slope
G: developer layer
W, W1: wafer
Claims (6)
이 기판 보유 지지부에 흡착 유지되어 있는 기판에 도포액 또는 세정액인 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
상기 기판 보유 지지부의 측방을 덮도록 설치되고, 하측에 위치하는 하부 컵과, 이 하부 컵의 상측에 위치하고, 승강 가능한 상부 컵을 조합하여 구성된 컵체와,
상기 하부 컵 및 상기 상부 컵의 한쪽의 컵에 설치되고, 상기 상부 컵이 상승했을 때에 다른 쪽의 컵의 일단부측의 주연이 상방측으로부터 끼워 넣어져 있도록 전체 둘레에 걸쳐서 형성되어, 처리액을 저류하기 위한 끼워 맞춤부와,
상기 상부 컵을 상승시킨 상태에서 상기 기판을 회전시키는 동시에 상기 처리액을 이 기판에 공급할 때에, 상기 기판의 회전에 의해 떨쳐내어진 상기 처리액을 상기 끼워 맞춤부 내로 안내하는 안내부를 구비하고,
상기 끼워 맞춤부는, 상기 상부 컵의 하단부를 외측으로 굴곡시킴으로써 형성된 홈부이며, 상기 안내부로 안내되어 저류된 상기 처리액에 의해, 상기 하부 컵과 상기 상부 컵 사이를 기밀하게 시일하기 위한 것이고,
상기 안내부는 상기 상부 컵의 내주면에 상면이 개방되도록 설치된 액 수용조와, 상기 홈부와 상기 액 수용조를 접속하는 연통 구멍을 포함하고,
상기 하부 컵의 상단부측은 내측 하방으로 굴곡되어 있고, 그 굴곡 단부가 상기 홈부 내에 끼워 넣어지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 액처리 장치.A substrate holding portion which sucks and holds a substrate and is rotatable about a vertical axis,
A processing liquid nozzle for supplying a processing liquid which is a coating liquid or a cleaning liquid to the substrate adsorbed and held by the substrate holding portion;
A cup body provided so as to cover the side of the substrate holding part, and having a lower cup positioned at a lower side, and an upper cup positioned above the lower cup and configured to move up and down;
It is provided in one cup of the said lower cup and the said upper cup, and is formed over the whole periphery so that the peripheral edge of the one end side of the other cup may be inserted from the upper side when the said upper cup rises, and a process liquid is stored With fitting part to do
And a guide portion for guiding the processing liquid shaken off by the rotation of the substrate into the fitting portion when the substrate is rotated while the upper cup is raised and the processing liquid is supplied to the substrate.
The fitting portion is a groove portion formed by bending the lower end portion of the upper cup to the outside, and is for hermetically sealing between the lower cup and the upper cup by the treatment liquid guided and stored in the guide portion.
The guide portion includes a liquid receiving tank installed on the inner circumferential surface of the upper cup to open the upper surface, and a communication hole connecting the groove portion and the liquid receiving tank,
The upper end side of the said lower cup is bent inwardly downward, and the bending end part is comprised so that it may fit in the said groove part, The liquid processing apparatus characterized by the above-mentioned.
이 기판 보유 지지부에 흡착 유지되어 있는 기판에 현상액을 공급하는 현상액 노즐과 현상액의 공급 후에 세정액을 기판에 공급하는 세정액 노즐과,
상기 기판 보유 지지부의 측방을 덮도록 설치되고, 하측에 위치하는 하부 컵과, 이 하부 컵의 상측에 위치하고, 승강 가능한 상부 컵을 조합하여 구성된 컵체와,
상기 하부 컵 및 상기 상부 컵의 한쪽의 컵에 설치되고, 상기 상부 컵이 상승했을 때에 다른 쪽의 컵의 일단부측의 주연이 상방측으로부터 끼워 넣어져 있도록 전체 둘레에 걸쳐서 형성되어, 적어도 세정액을 저류하기 위한 끼워 맞춤부와,
상기 상부 컵을 상승시킨 상태에서 상기 기판을 회전시키는 동시에 상기 세정액 노즐로부터 세정액을 이 기판에 공급할 때에, 상기 기판의 회전에 의해 떨쳐내어진 상기 세정액을 상기 끼워 맞춤부 내로 안내하는 안내부를 구비하고,
상기 끼워 맞춤부는, 상기 안내부로 안내되어 저류된 적어도 세정액에 의해, 상기 하부 컵과 상기 상부 컵 사이를 기밀하게 시일하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 액처리 장치.A substrate holding portion which sucks and holds a substrate and is rotatable about a vertical axis,
A developer nozzle for supplying a developer solution to the substrate adsorbed and held by the substrate holding part, a cleaning solution nozzle for supplying the cleaning solution to the substrate after supply of the developer solution;
A cup body provided so as to cover the side of the substrate holding part, and having a lower cup positioned at a lower side, and an upper cup positioned above the lower cup and configured to move up and down;
It is provided in one cup of the said lower cup and the said upper cup, and is formed over the whole periphery so that the periphery of the one end side of the other cup may be inserted from the upper side when the said upper cup raises, and at least a washing liquid is stored | stored. With fitting part to do
And a guide portion for guiding the cleaning liquid shaken off by the rotation of the substrate into the fitting portion when the substrate is rotated while the upper cup is raised and the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle to the substrate.
And the fitting portion is for sealing hermetically between the lower cup and the upper cup by at least a cleaning liquid guided and stored in the guide portion.
상기 상부 컵은 그 하단부가 상승 위치 및 하강 위치의 어느 곳에 위치하고 있어도 상기 홈부 내에 끼워 넣어져 있도록 형성되고,
상기 안내부는 상기 상부 컵의 내주면인 것을 특징으로 하는, 액처리 장치.The said fitting part is a groove part formed in the said lower cup so that an inner surface side may become lower than an outer surface side,
The upper cup is formed such that its lower end is sandwiched in the groove even if the lower end is located at any of the up and down positions.
And the guide portion is an inner circumferential surface of the upper cup.
상기 기판 보유 지지부에 기판을 보유 지지시키는 공정과,
상부 컵을 하강시킨 상태에서, 현상액 노즐을 기판의 상방에 위치시키는 공정과,
그 후, 상기 현상액 노즐로부터 상기 기판에 현상액을 공급하는 공정과,
다음으로 상부 컵을 하강시킨 상태에서, 세정액 노즐을, 현상액이 공급된 기판의 상방에 위치시키는 공정과,
계속해서 상기 상부 컵을 기판보다도 높은 위치까지 상승시켜, 하부 컵 및 상부 컵의 한쪽의 컵에 전체 둘레에 걸쳐서 설치된 끼워 맞춤부에 다른 쪽의 컵의 일단부측의 주연이 상방측으로부터 끼워 넣어지는 상태를 형성하는 공정과,
계속해서 상기 기판을 회전시키는 동시에 세정액 노즐로부터 세정액을 당해 기판으로 공급하고, 기판으로부터 떨쳐내어진 세정액을 상기 끼워 맞춤부로 안내하여 저류하고, 이에 의해 상부 컵과 하부 컵 사이를 기밀하게 시일하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 액처리 방법.Using a cup body which is provided so as to surround the side of the board | substrate holding part, and which consists of the lower cup located in the lower side, and the upper cup located in the upper side of this lower cup, and being able to raise and lower,
Holding the substrate on the substrate holding portion;
Positioning the developer nozzle above the substrate with the upper cup lowered;
Thereafter, supplying a developing solution to the substrate from the developing nozzle;
Next, in a state where the upper cup is lowered, the process of placing the cleaning liquid nozzle above the substrate supplied with the developing solution,
Subsequently, the upper cup is raised to a position higher than the substrate, and the periphery of one end side of the other cup is fitted from the upper side in the fitting portion provided over the entire circumference of the lower cup and the one cup of the upper cup. Forming a process,
Subsequently, the substrate is rotated and the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle to the substrate, and the cleaning liquid separated from the substrate is guided and stored in the fitting portion to thereby seal the gas tightly between the upper and lower cups. A liquid treatment method comprising the.
상기 컴퓨터 프로그램은 제4항에 기재된 액처리 방법을 실행하도록 스텝군이 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기억 매체.It is a storage medium which stored the computer program used for the liquid processing apparatus which adsorbs and hold | maintains a board | substrate to a board | substrate holding part, supplies a process liquid, and performs the liquid process of a board | substrate, rotating a board | substrate,
The computer program is characterized in that the step group is configured to execute the liquid processing method according to claim 4.
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Families Citing this family (7)
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JP6005604B2 (en) * | 2012-09-13 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Development processing equipment |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001035828A (en) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Tokyo Electron Ltd | Solution processing apparatus |
JP2005085782A (en) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate-processing equipment |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW259883B (en) * | 1993-05-10 | 1995-10-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JPH1012585A (en) * | 1996-06-24 | 1998-01-16 | Sony Corp | Closed type wafer-cleaning equipment |
JP3824057B2 (en) * | 2000-09-13 | 2006-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Liquid processing equipment |
JP2004160335A (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | Substrate treating apparatus |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001035828A (en) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Tokyo Electron Ltd | Solution processing apparatus |
JP2005085782A (en) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate-processing equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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