KR101228572B1 - Chip Bonding Apparatus Having the Heat Transfer Delaying Member and Chip Bonding Method Using the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 칩 접합장치는 칩 또는 기판이 안치되며, 접합 작업이 수행되는 접합 스테이지, 흡입력을 제어하는 흡입력 제공부가 구비되고, 상기 흡입력 제공부와 연통되며, 제1흡입경로, 제2흡입경로, 및 제3흡입경로를 각각 제공하는 복수의 관통홀이 내측에 형성된 칩 접합유닛, 상기 칩 접합유닛의 관통홀 중, 제1흡입경로에 대응되는 관통홀에서 제공되는 흡입력에 의해 상기 칩 접합유닛의 하단에 흡착되며, 상기 제2흡입경로 및 제3흡입경로가 각각 연장되는 복수의 연통홀이 내측에 형성되고, 접합할 칩에 열 및 압력을 전달하는 가압부재 및 상기 가압부재의 연통홀 중, 제2흡입경로에 대응되는 연통홀에서 제공되는 흡입력에 의해 상기 가압부재의 하단에 흡착되며, 상기 제3흡입경로가 연장되고, 상기 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩을 흡착시키는 흡입홀이 내측에 형성되고, 상기 가압부재의 열이 상기 접합할 칩에 전달되는 속도를 지연시키는 열전달 지연부재를 포함한다.In the chip bonding apparatus of the present invention, the chip or the substrate is placed, the bonding stage to perform the bonding operation, the suction force providing unit for controlling the suction force, and is in communication with the suction force providing unit, the first suction path, the second suction path, And a chip bonding unit having a plurality of through holes respectively providing third suction paths, and a suction force provided from a through hole corresponding to the first suction path, among the through holes of the chip bonding unit. Among the pressurizing member and the communication hole of the pressurizing member, which are adsorbed at the lower end and have a plurality of communication holes formed therein, each of which communicates with the second suction path and the third suction path, and which transmits heat and pressure to the chip to be bonded. Adsorbed to the lower end of the pressing member by the suction force provided in the communication hole corresponding to the second suction path, the third suction path is extended, and bonded to the chip or substrate seated on the bonding stage It is formed inside the suction hole to suction the chip, a heat transfer delay member for delaying the rate at which the heat of the pressing member is delivered to the bonding to the chip.

Description

열전달 지연부재가 구비된 칩 접합장치 및 이를 이용한 칩 접합방법{Chip Bonding Apparatus Having the Heat Transfer Delaying Member and Chip Bonding Method Using the Same}Chip bonding apparatus with heat transfer delay member and chip bonding method using same {Chip Bonding Apparatus Having the Heat Transfer Delaying Member and Chip Bonding Method Using the Same}

본 발명은 접착소재를 이용한 칩 또는 기판의 접합 시 사용되는 칩 접합장치 및 이를 이용한 칩 접합방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 가압부재의 하단에 열전달 지연부재가 더 구비되어 범프 간 접합이 이루어지기 이전에 접착소재가 경화되는 것을 방지함으로써 고신뢰도의 접합 품질을 제공하는 칩 접합장치 및 이를 이용한 칩 접합방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chip bonding apparatus used for bonding a chip or a substrate using an adhesive material and a chip bonding method using the same, and more specifically, a heat transfer delay member is further provided at a lower end of the pressurizing member, thereby forming bump-to-bump bonding. The present invention relates to a chip bonding apparatus providing a high reliability bonding quality by preventing the adhesive material from curing and a chip bonding method using the same.

일반적으로 칩 또는 기판을 상호 접합하는 공정에 있어, 칩 접합장치가 사용된다. 구체적으로, 상기 칩 접합장치의 하단에 칩을 부착시키고, 이를 스테이지에 미리 안치된 칩 또는 기판 상에 열 및 압력을 가하며 접합 작업을 수행하게 된다.In general, a chip bonding apparatus is used in a process of bonding chips or substrates to each other. Specifically, the chip is attached to the lower end of the chip bonding apparatus, and the bonding operation is performed by applying heat and pressure on the chip or substrate previously placed on the stage.

이와 같은 작업의 반복 수행을 위해, 칩 접합장치는 지속적으로 약 250℃ 이상의 고온으로 가열된 상태를 유지하게 되며, 이에 따라 칩을 픽업한 이후 열이 빠르게 전도되어 부착되는 칩 역시 가열되고, 접합 시 접착제의 칩과 먼저 접촉되는 부분이 접착제가 빠른 속도로 경화되어 범프 간 접촉을 방해할 수 있으며, 최종적으로 제조된 반도체 패키지는 신뢰성이 크게 떨어지거나, 공극이 형성되고, 범프 간 접합이 충분히 이루어지지 않아 불량이 발생하기도 하였다.In order to repeat this operation, the chip bonding apparatus is continuously heated to a high temperature of about 250 ℃ or more, so that the heat is quickly transferred and attached to the chip after picking up the chip is heated, The first contact with the chip of the adhesive can cause the adhesive to cure rapidly and interfere with the bump-to-bump contact. Finally, the fabricated semiconductor package is not very reliable, voids are formed, and the bump-to-bump bonding is not sufficient. There was also a failure occurred.

또한, 고온 하에서의 작업으로 인해 칩 또는 기판이 손상되는 문제도 발생하였다.In addition, a problem arises in which chips or substrates are damaged due to operation under high temperature.

따라서, 이와 같은 문제를 해결할 방법이 요구되는 상황이다.Therefore, there is a need for a method for solving such a problem.

본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 가압부재 하단에 열전달 지연부재가 더 구비되는 칩 접합장치 및 이를 이용한 칩 접합방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chip bonding apparatus and a chip bonding method using the same, which are further provided with a heat transfer delay member at a lower end of the pressing member.

그리고, 상기 가압부재 및 열전달 지연부재는 복수 개가 구비되어, 작업 시 교체가 가능한 칩 접합장치 및 이를 이용한 칩 접합방법을 제공함에 있다.In addition, the pressing member and the heat transfer delay member are provided in plural, to provide a chip bonding apparatus that can be replaced during the operation and a chip bonding method using the same.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 과정을 해결하기 위한 본 발명의 칩 접합장치는, 칩 또는 기판이 안치되며, 접합 작업이 수행되는 접합 스테이지, 흡입력을 제어하는 흡입력 제공부가 구비되고, 상기 흡입력 제공부와 연통되며, 제1흡입경로, 제2흡입경로, 및 제3흡입경로를 각각 제공하는 복수의 관통홀이 내측에 형성된 칩 접합유닛, 상기 칩 접합유닛의 관통홀 중, 제1흡입경로에 대응되는 관통홀에서 제공되는 흡입력에 의해 상기 칩 접합유닛의 하단에 흡착되며, 상기 제2흡입경로 및 제3흡입경로가 각각 연장되는 복수의 연통홀이 내측에 형성되고, 접합할 칩에 열 및 압력을 전달하는 가압부재 및 상기 가압부재의 연통홀 중, 제2흡입경로에 대응되는 연통홀에서 제공되는 흡입력에 의해 상기 가압부재의 하단에 흡착되며, 상기 제3흡입경로가 연장되고, 상기 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩을 흡착시키는 흡입홀이 내측에 형성되고, 상기 가압부재의 열이 상기 접합할 칩에 전달되는 속도를 지연시키는 열전달 지연부재를 포함한다.Chip bonding apparatus of the present invention for solving the above process, the chip or the substrate is placed, the bonding stage is performed, the suction force providing unit for controlling the suction force, and is in communication with the suction force providing unit, the first A plurality of through holes for providing a suction path, a second suction path, and a third suction path, respectively, are provided at the through hole corresponding to the first suction path among the through holes of the chip bonding unit and the through holes of the chip bonding unit. A pressurizing member which is adsorbed to the lower end of the chip bonding unit by suction force, and has a plurality of communication holes extending in the second suction path and the third suction path, respectively, and transfers heat and pressure to the chip to be bonded; Among the communication holes of the pressing member, the suction member is sucked to the lower end of the pressing member by the suction force provided in the communication hole corresponding to the second suction path, the third suction path is extended, and the bonding stage And a suction hole for adsorbing a seating the chip or substrate and bonded to the chip formed on the inner side, a heat transfer delay member for delaying the rate at which the heat of the pressing member is delivered to the bonding to the chip.

그리고, 상기 열전달 지연부재는, 실리콘 또는 세라믹으로 형성될 수 있다.The heat transfer delay member may be formed of silicon or ceramic.

또한, 상기 열전달 지연부재가 복수 개 거치되어, 상기 칩 접합유닛이 접합 작업을 수행 시 기 작업에 의해 가열된 열전달 지연부재를 타 열전달 지연부재로 교체 가능하도록 하는 제1거치대가 더 포함될 수 있다.In addition, a plurality of the heat transfer delay member is mounted, a first cradle for enabling the chip bonding unit to replace the heat transfer delay member heated by the other operation when performing the bonding operation with another heat transfer delay member may be further included.

그리고, 상기 제1거치대는 상하 방향의 회전축에 의해 회전 가능하도록 형성되어 상기 복수의 열전달 지연부재는 원형의 경로를 따라 순환할 수 있다.In addition, the first cradle is formed to be rotatable by a vertical axis of rotation, so that the plurality of heat transfer retardation members may be circulated along a circular path.

또한, 칩 또는 기판이 안치되며, 접합 작업이 수행되는 접합 스테이지, 흡입력을 제어하는 흡입력 제공부가 구비되고, 상기 흡입력 제공부와 연통되며, 제1흡입경로, 및 제2흡입경로를 각각 제공하는 복수의 관통홀이 내측에 형성된 칩 접합유닛 및 상기 칩 접합유닛의 관통홀 중, 제1흡입경로에 대응되는 관통홀에서 제공되는 흡입력에 의해 상기 칩 접합유닛의 하단에 흡착되며, 상기 제2흡입경로가 연장되고, 상기 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩을 흡착시키는 연통홀이 내측에 형성되며, 접합할 칩에 열 및 압력을 전달하되, 서서히 가열되어 열이 상기 접합할 칩에 전달되는 속도를 지연시키는 열전달 지연부재를 포함할 수 있다.In addition, a chip or a substrate is placed, a bonding stage for performing a bonding operation, a suction force providing unit for controlling the suction force, a plurality of communication with the suction force providing unit, providing a first suction path and a second suction path, respectively The through hole of the chip bonding unit and the through hole of the chip bonding unit formed in the inner side of the chip bonding unit by the suction force provided in the through hole corresponding to the first suction path, the second suction path Is extended, and a communication hole for adsorbing chips to be bonded to the substrate or the chip seated on the bonding stage is formed inside, and transfers heat and pressure to the chip to be bonded, but is gradually heated to transfer heat to the chip to be bonded. It may include a heat transfer delay member for delaying the speed.

그리고, 상기 열전달 지연부재가 복수 개 거치되어, 상기 칩 접합유닛이 접합 작업을 수행 시 기 작업에 의해 가열된 열전달 지연부재를 타 열전달 지연부재로 교체 가능하도록 하는 제2거치대가 더 포함될 수 있다.In addition, a plurality of heat transfer delay members may be mounted to further include a second cradle for allowing the chip joining unit to replace the heat transfer delay member heated by another operation with another heat transfer delay member.

또한, 상기 제2거치대는 상하 방향의 회전축에 의해 회전 가능하도록 형성되어 상기 복수의 열전달 지연부재는 원형의 경로를 따라 순환할 수 있다.In addition, the second cradle is formed to be rotatable by a vertical axis of rotation so that the plurality of heat transfer delay members may be circulated along a circular path.

그리고, 상기한 과정을 해결하기 위한 본 발명의 칩 접합장치는, 보 제1항의 칩 접합장치를 사용하는 칩 접합방법에 있어서, 상기 칩 또는 기판을 상기 접합 스테이지에 안치시키는 단계, 상기 제1흡입경로에 대응되는 관통홀에 흡입력을 제공하여 상기 가압부재를 상기 칩 접합유닛 하단에 흡착시키는 단계, 상기 제2흡입경로에 대응되는 연통홀에 흡입력을 제공하여 상기 열전달 지연부재를 상기 가압부재 하단에 흡착시키는 단계, 상기 제3흡입경로에 대응되는 흡입홀에 흡입력을 제공하여 상기 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩을 상기 열전달 지연부재의 하단에 흡착시키는 단계 및 상기 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩에 압력을 제공하며 상기 칩 또는 기판에 접합할 수 있다.In addition, the chip bonding apparatus of the present invention for solving the above process, in the chip bonding method using the chip bonding apparatus of claim 1, the step of placing the chip or substrate in the bonding stage, the first suction Providing a suction force to a through hole corresponding to a path to adsorb the pressing member to the bottom of the chip bonding unit, and providing a suction force to a communication hole corresponding to the second suction path to provide the suction member to the lower end of the pressing member. Adsorbing the suction hole to the suction hole corresponding to the third suction path to adsorb the chip mounted on the bonding stage or the chip to be bonded to the substrate to the lower end of the heat transfer delay member; Pressure may be provided to a chip to be bonded to the chip or substrate and bonded to the chip or substrate.

또한, 상기 칩 접합장치는, 상기 열전달 지연부재가 복수 개 거치되어, 상기 칩 접합유닛이 접합 작업을 수행 시 기 작업에 의해 가열된 열전달 지연부재를 타 열전달 지연부재로 교체 가능하도록 할 수 있다.In addition, the chip bonding apparatus, a plurality of the heat transfer delay member is mounted, it is possible to replace the heat transfer delay member that is heated by other operations when the chip bonding unit performs the bonding operation to another heat transfer delay member.

그리고, 제2흡입경로에 흡입력 제공을 중지하여 상기 가열된 열전달 지연부재를 상기 제1거치대에 안착시키는 단계 및 제2흡입경로에 흡입력을 제공하여 타 열전달 지연부재를 상기 가압부재 하단에 흡착시킬 수 있다.And stopping the supply of suction force to the second suction path to seat the heated heat transfer delay member on the first cradle, and providing the suction force to the second suction path to adsorb the other heat transfer delay member to the lower end of the pressure member. have.

또한, 상기 제1거치대는 상하 방향의 회전축에 의해 회전 가능하도록 형성되어 상기 복수의 열전달 지연부재는 원형의 경로를 따라 순환하며, 그리고. 상기 가열된 열전달 지연부재를 상기 제1거치대에 안착시키는 단계 및 타 열전달 지연부재를 상기 가압부재 하단에 흡착시키는 단계 사이에는 상기 제1거치대를 회전시켜 상기 타 열전달 지연부재를 상기 칩 접합유닛의 하부에 위치시키는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the first cradle is formed to be rotatable by a vertical axis of rotation so that the plurality of heat transfer delay members circulate along a circular path, and. Between the step of seating the heated heat transfer delay member on the first cradle and the step of adsorbing the other heat transfer delay member to the lower end of the pressing member by rotating the first support base to the other heat transfer delay member lower portion of the chip bonding unit The method may further include positioning at.

그리고, 상기 칩 또는 기판을 상기 접합 스테이지에 안치시키는 단계 상기 제1흡입경로에 대응되는 관통홀에 흡입력을 제공하여 상기 열전달 지연부재를 상기 칩 접합유닛 하단에 흡착시킬 수 있다.And, placing the chip or substrate on the bonding stage may provide a suction force to the through-hole corresponding to the first suction path to adsorb the heat transfer delay member to the lower end of the chip bonding unit.

또한, 상기 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩에 압력을 제공하며 상기 칩 또는 기판에 접합하는 단계, 상기 칩 접합장치는, 상기 열전달 지연부재가 복수 개 거치되어, 상기 칩 접합유닛이 접합 작업을 수행 시 기 작업에 의해 가열된 열전달 지연부재를 타 열전달 지연부재로 교체 가능하도록 하는 제2거치대가 더 포함되며, 상기 접합하는 단계 이후에는, 제1흡입경로에 흡입력 제공을 중지하여 상기 가열된 열전달 지연부재를 상기 제2거치대에 안착시키는 단계 및 제1흡입경로에 흡입력을 제공하여 타 열전달 지연부재를 상기 가압부재 하단에 흡착시킬 수 있다.In addition, the step of providing a pressure to the chip to be bonded to the chip or the substrate seated on the bonding stage and bonding to the chip or substrate, the chip bonding apparatus, a plurality of the heat transfer delay member is mounted, the chip bonding unit is When performing the bonding operation further includes a second cradle for replacing the heat transfer delay member heated by the other operation with another heat transfer delay member, and after the bonding step, by providing a suction force to the first suction path to stop the The heat transfer delay member may be seated on the second cradle and the suction force may be provided to the first suction path to adsorb the other heat transfer delay member to the lower end of the pressure member.

그리고, 상기 제1거치대는 상하 방향의 회전축에 의해 회전 가능하도록 형성되어 상기 복수의 열전달 지연부재는 원형의 경로를 따라 순환하며, 상기 가열된 열전달 지연부재를 상기 제1거치대에 안착시키는 단계 및 타 열전달 지연부재를 상기 칩 접합유닛 하단에 흡착시키는 단계 사이에는, 상기 제1거치대를 회전시켜 상기 타 열전달 지연부재를 상기 칩 접합유닛의 하부에 위치시키는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the first cradle is formed to be rotatable by a rotation axis in the vertical direction so that the plurality of heat transfer retardation members circulate along a circular path, and mounting the heated heat transfer retardation member to the first cradle. Between the step of adsorbing the heat transfer delay member to the bottom of the chip bonding unit, it may further comprise the step of positioning the other heat transfer delay member in the lower portion of the chip bonding unit by rotating the first support.

상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 열전달 지연부재가 구비된 칩 접합장치 및 이를 이용한 칩 접합방법은 다음과 같은 효과가 있다.The chip bonding apparatus and the chip bonding method using the heat transfer delay member of the present invention for solving the above problems has the following effects.

첫째, 열전달 지연부재에 의해 접합되는 칩이 가열되는 속도가 느려지므로, 접착제가 서서히 경화되어 접합 작업을 위한 시간을 충분히 확보할 수 있다는 장점이 있다.First, since the rate at which the chips bonded by the heat transfer retardation member are heated is slowed, the adhesive is gradually hardened to have sufficient time for the bonding operation.

둘째, 따라서 완성된 반도체 패키지는 고신뢰성을 가지며, 불량률을 크게 감소시킬 수 있다는 장점이 있다.Secondly, the finished semiconductor package has a high reliability and has the advantage of greatly reducing the defective rate.

셋째, 열전달 지연부재는 복수 개 구비되어 교체 가능하므로, 연속으로 수행되는 작업 하에서도 사용될 수 있으며, 또한 장기적인 작업에도 유리하다는 장점이 있다.Third, since a plurality of heat transfer retardation members are provided and replaceable, the heat transfer retardation members may be used even under continuous operation, and also have advantages in long term operation.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합장치의 전체 모습을 나타낸 단면도;
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합방법에 있어서, 접합 스테이지 상에 기판이 안치된 모습을 나타낸 단면도;
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합방법에 있어서, 칩 접합유닛의 하단에 가압부재를 흡착시키는 과정을 나타낸 단면도;
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합방법에 있어서, 가압부재의 하단에 열전달 지연부재를 흡착시키는 과정을 나타낸 단면도;
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합방법에 있어서, 복수의 열전달 지연부재가 거치되는 거치대의 모습을 나타낸 평면도;
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합방법에 있어서, 열전달 지연부재의 하단에 칩을 흡착시키는 과정을 나타낸 단면도;
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합방법에 있어서, 칩 및 기판을 서로 접합시키는 과정을 나타낸 단면도;
도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합방법에 있어서, 완성된 반도체 패키지의 모습을 나타낸 단면도; 및
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 칩 접합장치의 전체 모습을 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the overall appearance of a chip bonding apparatus according to a first embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view showing a state in which a substrate is placed on a bonding stage in the chip bonding method according to the first embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional view showing a process of adsorbing a pressing member to a lower end of a chip bonding unit in the chip bonding method according to the first embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional view illustrating a process of adsorbing a heat transfer delay member on a lower end of the pressing member in the chip bonding method according to the first embodiment of the present invention;
5 is a plan view showing a cradle in which a plurality of heat transfer delay members are mounted in the chip bonding method according to the first embodiment of the present invention;
6 is a cross-sectional view illustrating a process of adsorbing a chip on a lower end of a heat transfer delay member in the chip bonding method according to the first embodiment of the present invention;
7 is a cross-sectional view illustrating a process of bonding a chip and a substrate together in the chip bonding method according to the first embodiment of the present invention;
8 is a cross-sectional view showing a state of a completed semiconductor package in the chip bonding method according to the first embodiment of the present invention; And
9 is a cross-sectional view showing the overall appearance of the chip bonding apparatus according to the second embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In describing the present embodiment, the same designations and the same reference numerals are used for the same components, and further description thereof will be omitted.

도 1에는 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합장치의 전체 모습이 도시되며, 상기 칩 접합장치는 작업 스테이지(10), 칩 접합유닛(20), 가압부재(30) 및 열전달 지연부재(40)를 포함한다.Figure 1 shows the overall appearance of the chip bonding apparatus according to the first embodiment of the present invention, the chip bonding apparatus is a work stage 10, the chip bonding unit 20, the pressing member 30 and the heat transfer delay member ( 40).

작업 스테이지(10)는 접합 작업을 위해 칩 또는 기판이 안치되는 구성요소로서, 제1실시예에서는 기판(60)이 안치된다. 그리고, 기판(60)에는 회로 패턴이 인쇄된 패드(62)가 형성되고, 기판(60) 상에는 기계적, 전기적 접합을 위한 접착제(70)가 도포된다.The work stage 10 is a component in which a chip or a substrate is placed for the bonding operation. In the first embodiment, the substrate 60 is placed. In addition, a pad 62 printed with a circuit pattern is formed on the substrate 60, and an adhesive 70 for mechanical and electrical bonding is coated on the substrate 60.

칩 접합유닛(20)은 접합 공정을 자동적으로 수행하며, 일반적으로 칩 이송라인에 의해 이송되는 칩을 집어 올려 작업 스테이지(10)에 안치된 칩 또는 기판에 접합하는 작업을 수행한다.The chip bonding unit 20 automatically performs a bonding process, and generally picks up a chip transferred by a chip transfer line and bonds the chip to a chip or a substrate placed on the work stage 10.

특히, 제1실시예에서 칩 접합유닛(20)에는 흡입력을 제어하는 흡입력 제공부가 구비되고, 내측에 복수 개의 관통홀(22a, 22b, 22c)이 형성되며, 이에 대해서는 이후 설명할 연통홀(32a, 32b) 및 흡입홀(42a)과 함께 후술하도록 한다.In particular, in the first embodiment, the chip bonding unit 20 is provided with a suction force providing part for controlling the suction force, and a plurality of through holes 22a, 22b, and 22c are formed therein, which will be described later. 32b) and the suction hole 42a will be described later.

가압부재(30)는 칩 접합유닛(20)의 하단에 구비되고, 칩(50)에 열 및 압력을 전달하는 역할을 한다. 또한, 가압부재(30)의 내측에는 복수 개의 연통홀(32a, 32b)이 형성된다.The pressing member 30 is provided at the lower end of the chip bonding unit 20, and serves to transfer heat and pressure to the chip 50. In addition, a plurality of communication holes 32a and 32b are formed inside the pressing member 30.

열전달 지연부재(40)는 가압부재(30)의 하단에 구비되고, 상기 가압부재(30)로부터 열이 칩(50)에 전달되는 것을 지연시키는 효과를 가진다. 그리고, 내측에는 흡입홀(42a)이 형성된다.The heat transfer retardation member 40 is provided at the lower end of the pressing member 30, and has an effect of delaying the transfer of heat from the pressing member 30 to the chip 50. Then, the suction hole 42a is formed inside.

여기서, 상기한 바와 같이 칩 접합유닛(20)에는 흡입력 제공부가 구비되므로, 상기 가압부재(30) 및 열전달 지연부재(40)는 상기 흡입력 제공부로부터 제공되는 흡입력에 의해 칩 접합유닛(20)의 하단에 부착될 수 있다. 즉, 이와 같이 흡입력을 제공할 수 있게 하기 위해서 각 구성요소의 내측에는 관통홀(22a, 22b, 22c), 연통홀(32a, 32b) 및 흡입홀(42a)이 형성되는 것이다.Here, as described above, since the chip bonding unit 20 is provided with a suction force providing unit, the pressing member 30 and the heat transfer delay member 40 are formed by the suction force provided from the suction force providing unit of the chip bonding unit 20. It can be attached to the bottom. That is, through holes 22a, 22b and 22c, communication holes 32a and 32b, and suction holes 42a are formed inside each component in order to provide the suction force.

구체적으로, 제1실시예에서 관통홀(22a, 22b, 22c)은 5개소 형성되고, 연통홀(32a, 32b)은 3개소가 형성되며, 흡입홀(42a)은 1개소가 형성된다. 즉, 상에서 하로 진행될수록 홀의 개수가 점점 줄어드는 구조가 형성된다. 그리고, 칩 접합유닛(20)의 외측에 위치된 한 쌍의 관통홀(22c)을 제외한 중앙의 관통홀(22b) 및 내측의 관통홀(22a)은 각각 가압부재(30)의 연통홀(32a, 32b)에 각각 연결되며, 마찬가지로 가압부재(30)의 외측에 위치된 한 쌍의 연통홀(32b)을 제외한 내측의 연통홀(32a)은 열전달 지연부재(40)의 흡입홀(42a)에 연결된다.Specifically, in the first embodiment, five through holes 22a, 22b and 22c are formed, three communication holes 32a and 32b are formed, and one suction hole 42a is formed. That is, the structure is formed in which the number of holes gradually decreases as the phase goes down. In addition, each of the through holes 22b and the inner through holes 22a in the center except for the pair of through holes 22c located on the outer side of the chip bonding unit 20 respectively communicate with the communication holes 32a of the pressing member 30. , 32b are respectively connected to the suction hole 42a of the heat transfer delay member 40 except for a pair of communication holes 32b positioned outside the pressing member 30. Connected.

결과적으로, 서로 연결된 각 홀들에 의해 흡입력은 하부로 전달되며, 서로 연결되지 않은 홀들에 의해서 하부에 위치된 각 구성요소가 흡착될 수 있다. 즉, 칩 접합유닛(20)의 외측에 위치된 한 쌍의 관통홀(22c)에 의해 가압부재(30)가 흡착되며, 가압부재(30)의 외측에 위치된 한 쌍의 연통홀(32b)에 의해 열전달 지연부재(40)가 흡착되는 것이다. 또한, 열전달 지연부재(40)에 형성된 흡입홀(42a)에 의해서 이후 칩(50)이 흡착된다.As a result, the suction force is transmitted downward by the respective holes connected to each other, and each component located below can be absorbed by the holes not connected to each other. That is, the pressing member 30 is adsorbed by the pair of through holes 22c positioned outside the chip bonding unit 20, and the pair of communication holes 32b positioned outside the pressing member 30. By the heat transfer delay member 40 is adsorbed. In addition, the chip 50 is adsorbed by the suction hole 42a formed in the heat transfer delay member 40.

그리고, 이하 설명의 편의를 위해 칩(50)이 흡착되도록 각 홀이 상에서 하로 연결된 경로를 제3흡입경로, 열전달 지연부재(40)가 흡착되도록 연결된 경로를 제2흡입경로, 가압부재(30)가 흡입되는 경로를 제1흡입경로라 칭한다.And, for convenience of description below, the third suction path and the path connected to suck the heat transfer delay member 40 are connected to the third suction path, and the pressure member 30 is connected to the path that is downwardly connected to each hole so that the chip 50 is adsorbed. The path through which is sucked is called a first suction path.

한편, 관통홀, 연통홀, 흡입홀의 개수는 제1실시예와 다르게 형성될 수 있음은 물론이다. 즉, 각 홀의 개수를 더 많이 형성할 수도 있으며, 더 적게 형성하는 것도 가능하다. 다만 각 구성요소의 흡착을 위해서는 하단으로 연결되지 않는 홀이 각 구성요소당 적어도 1개소 이상 구비되어야 할 것이다.On the other hand, the number of through-holes, communication holes, suction holes may be formed differently from the first embodiment. That is, the number of each hole may be formed more or less. However, for the adsorption of each component should be provided with at least one hole for each component that is not connected to the bottom.

이상으로 본 발명의 전체적인 구조에 대해 설명하였으며, 이하에서는 열전달 지연부재(40)에 대해 더 자세히 설명하도록 한다.The overall structure of the present invention has been described above. Hereinafter, the heat transfer delay member 40 will be described in more detail.

열전달 지연부재(40)는 전술한 바와 같이 가압부재(30)로부터 칩(50)으로 열이 전달되는 속도를 늦추기 위해 구비되며, 작업 상황에 따라 적절한 열전도율을 가지는 재질로 형성될 수 있다. 즉, 열이 전달되는 속도를 크게 완화시킬 필요가 있을 경우에는 열전도율이 매우 낮은 재질로 형성되도록 하고, 그 반대의 경우에는 열전도율이 비교적 높은 재질로 형성될 수 있을 것이다.The heat transfer retardation member 40 is provided to slow down the speed at which heat is transferred from the pressing member 30 to the chip 50 as described above, and may be formed of a material having an appropriate thermal conductivity according to the working situation. That is, when it is necessary to greatly reduce the rate of heat transfer, the thermal conductivity may be formed of a material having a very low value, and vice versa, the thermal conductivity may be formed of a material having a relatively high thermal conductivity.

일반적으로, 접합 시 칩(50)에 최종적으로 가해지는 온도는 300℃ 정도이며, 이에 도달하는 시간을 충분히 확보할 경우, 접합 공정이 안정적으로 수행될 수 있기 때문에, 제1실시예의 경우, 열전달 지연부재(40)는 실리콘 또는 세라믹으로 형성되는 것으로 하였다.In general, the final temperature applied to the chip 50 at the time of bonding is about 300 ° C., and if sufficient time is reached, the bonding process may be stably performed. The member 40 is made of silicon or ceramic.

이와 같이 열이 전달되는 속도를 늦추는 이유는 안정적인 접합을 수행하기 위해서이다. 구체적으로, 접합 스테이지에 안치된 칩 또는 기판 상에는 접착제가 도포되며, 칩 접합유닛에 의해 이송된 칩이 접착제를 통과하여 상기 안치된 칩 또는 기판에 접촉됨으로써 접합 작업이 수행된다.The reason for slowing down the heat transfer rate is to perform stable bonding. Specifically, an adhesive is applied onto the chip or substrate placed in the bonding stage, and the bonding operation is performed by the chip transferred by the chip bonding unit contacting the placed chip or substrate through the adhesive.

이때, 이송된 칩이 빠르게 가열될 경우, 접착제는 상기 이송된 칩과 상기 안치된 칩 또는 기판이 채 접촉하기 전에 미리 경화될 가능성이 있다. 결과적으로, 완전한 접합이 이루어지지 않아 장치의 신뢰성이 떨어지고, 불량이 발생할 가능성이 매우 높아진다.At this time, if the transferred chip is heated rapidly, the adhesive may be pre-cured before the transferred chip and the settled chip or substrate remain in contact. As a result, complete bonding is not achieved, resulting in poor reliability of the device and a high probability of failure.

따라서, 본 발명의 경우 열전달 지연부재(40)를 가압부재(30) 및 칩(50)의 사이에 위치시킴으로써, 칩(50)이 300℃의 온도에 도달하는 시간을 보다 지연시켜, 접착제(70)가 경화되는 시간적 여유를 충분히 확보하여 안정적인 접합을 수행할 수 있는 것이다.Therefore, in the case of the present invention, by placing the heat transfer retardation member 40 between the pressing member 30 and the chip 50, the time for the chip 50 to reach a temperature of 300 ℃ to further delay, the adhesive 70 ) Is sufficient to secure a time margin for hardening to perform a stable bonding.

이상으로, 본 발명의 열전달 지연부재가 구비된 칩 접합장치에 대해 구체적으로 설명하였으며, 이하에서는, 이와 같은 칩 접합장치를 사용하여 칩 접합을 수행하는 일련의 방법에 대해 설명하도록 한다.In the above, the chip bonding apparatus equipped with the heat transfer delay member of the present invention has been described in detail. Hereinafter, a series of methods for performing chip bonding using the chip bonding apparatus will be described.

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 칩 또는 기판을 접합 스테이지(10)에 안치시키는 단계가 수행된다. 상기한 바와 같이, 제1실시예에서는 기판(60)이 안치된 것으로 하며, 설명의 편의상 본 단계를 가장 먼저 서술하였으나, 작업 상황에 따라 본 단계는 후에 이루어질 수도 있다.First, as shown in FIG. 2, a step of placing a chip or substrate in the bonding stage 10 is performed. As described above, in the first embodiment, the substrate 60 is settled, and this step is described first for convenience of description, but this step may be performed later depending on the working situation.

다음으로, 도 3을 참조하면, 제1흡입경로에 대응되는 관통홀에 흡입력을 제공하여 가압부재를 칩 접합유닛 하단에 흡착시키는 단계가 수행된다. 본 단계에서는, 칩 접합유닛(20)에 구비된 흡입력 제공부를 제어하여 제1흡입경로에 대응되는 외측의 관통홀(22c)에 흡입력을 제공한다.Next, referring to FIG. 3, a suction force is provided to a through hole corresponding to the first suction path to suck the pressing member to the bottom of the chip bonding unit. In this step, the suction force providing unit provided in the chip bonding unit 20 is controlled to provide the suction force to the outer through hole 22c corresponding to the first suction path.

결과적으로, 가압부재(30)는 외측의 관통홀(22c)에 의해 칩 접합유닛(20)에 흡착되고, 각 연통홀(32a, 32b)은 칩 접합유닛(20)의 내측 관통홀(22a) 및 중앙 관통홀(22b)에 각각 연결되어, 제2흡입경로 및 제3흡입경로는 연장된다.As a result, the pressing member 30 is adsorbed to the chip bonding unit 20 by the outer through hole 22c, and each of the communication holes 32a and 32b is the inner through hole 22a of the chip bonding unit 20. And a second suction path and a third suction path, respectively, connected to the central through hole 22b.

다음으로, 도 4를 참조하면, 제2흡입경로에 대응되는 연통홀에 흡입력을 제공하여 열전달 지연부재를 가압부재 하단에 흡착시키는 단계가 수행된다. 본 단계에서는, 칩 접합유닛(20)의 중앙 관통홀(22b) 및 가압부재(30)의 외측 연통홀(32b)을 통해 연장되는 제2흡입경로에 흡입력을 제공하여, 열전달 지연부재(40)를 가압부재(30) 하단에 흡착시킨다.Next, referring to FIG. 4, the suction force is provided to the communication hole corresponding to the second suction path to adsorb the heat transfer delay member to the lower end of the pressure member. In this step, by providing a suction force to the second suction path extending through the center through-hole 22b of the chip bonding unit 20 and the outer communication hole 32b of the pressing member 30, the heat transfer delay member 40 To the lower end of the pressing member (30).

또한, 열전달 지연부재(40)의 흡입홀(42a)은 칩 접합유닛(20)의 내측 관통홀(22a) 및 가압부재(30)의 내측 관통홀(32a)에 연결되어, 제3흡입경로가 연장된다.In addition, the suction hole 42a of the heat transfer retardation member 40 is connected to the inner through hole 22a of the chip bonding unit 20 and the inner through hole 32a of the pressing member 30, so that a third suction path is formed. Is extended.

한편, 열전달 지연부재(40)는 복수 개가 구비될 수 있다. 이는, 칩 접합 작업이 수행될 경우, 작업 시작 초반에는 열전달 지연부재(40)가 열 전달을 효과적으로 지연시킬 수 있으나, 시간이 지남에 따라 열전달 지연부재(40) 역시 가압부재(30)의 온도와 평형을 이루게 되어 열 전달 지연 효과를 얻을 수 없기 때문이다.On the other hand, the heat transfer delay member 40 may be provided in plurality. When the chip bonding operation is performed, the heat transfer delay member 40 may effectively delay the heat transfer at the beginning of the operation, but as time passes, the heat transfer delay member 40 may also be in contact with the temperature of the pressure member 30. This is because equilibrium cannot be achieved and a heat transfer delay effect cannot be obtained.

즉, 열전달 지연부재(40)는 접합 작업을 거친 이후 냉각시켜 재사용할 필요가 있다. 하지만, 이와 같은 방법은 생산성을 저하시키는 원인이 될 수 있으므로, 제1실시예에서는 열전달 지연부재(40)가 복수 개 구비되며, 이들은 제1거치대(80)에 거치된다.That is, the heat transfer delay member 40 needs to be cooled and reused after the bonding operation. However, since such a method may cause a decrease in productivity, in the first embodiment, a plurality of heat transfer retardation members 40 are provided, and these are mounted on the first cradle 80.

제1거치대(80)는 상기와 같이 가열된 열전달 지연부재(40)를 거치하여 일정 시간 냉각시키고, 이에 소요되는 시간 동안 타 열전달 지연부재를 사용할 수 있도록 구비된다. 따라서, 접합 작업은 여러 개의 열전달 지연부재를 사용함으로써 로스 없이 이루어질 수 있다.The first cradle 80 is cooled by a predetermined time by passing the heated heat transfer delay member 40 as described above, and is provided to use another heat transfer delay member for a time required thereto. Therefore, the joining operation can be made without loss by using several heat transfer delay members.

특히, 제1거치대(80)가 도 5에 도시된 바와 같이 상하 방향의 회전축에 의해 회전되도록 형성되어 각 열전달 지연부재는 원형의 경로를 따라 회전하도록 할 경우, 칩 접합유닛(20)이 매번 정해진 경로만을 이동하는 것으로 새로운 열전달 지연부재를 흡착시킬 수 있으므로 효과적이다.In particular, when the first holder 80 is formed to rotate by a vertical axis of rotation as shown in Figure 5 so that each heat transfer delay member to rotate along a circular path, the chip bonding unit 20 is determined every time Moving only the path is effective because it can adsorb a new heat transfer delay member.

다음으로, 도 6을 참조하면, 제3흡입경로에 대응되는 흡입홀에 흡입력을 제공하여 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩을 열전달 지연부재의 하단에 흡착시키는 단계가 수행된다.Next, referring to FIG. 6, the suction force is provided to the suction hole corresponding to the third suction path to suck the chip seated on the bonding stage or the chip to be bonded to the substrate to the lower end of the heat transfer retardation member.

본 단계에서는, 칩 접합유닛(20)의 내측 관통홀(22a), 가압부재(30)의 내측 연통홀(32a) 및 열전달 지연부재(40)의 흡입홀(42a)을 통해 연장되는 제3흡입경로에 흡입력을 제공하여, 칩(50)을 열전달 지연부재(40)의 하단에 흡착시키는 작업이 이루어진다.In this step, the third suction extending through the inner through hole 22a of the chip bonding unit 20, the inner communication hole 32a of the pressing member 30, and the suction hole 42a of the heat transfer delay member 40. By providing a suction force to the path, the operation of adsorbing the chip 50 to the lower end of the heat transfer delay member 40 is made.

한편, 이와 같이 가압부재(30), 열전달 지연부재(40) 및 칩(50)을 흡입력을 통해 부착시키는 이유는, 각 구성요소 간의 수평 유지를 위해서이다. 즉, 이들의 탈착 방식을 별도의 체결부재 또는 결합 구조로 구현할 경우, 각 구성요소가 완전히 수평을 이루도록 제어하기 어렵다는 문제가 있기 때문에, 이와 같이 흡입력 제공부를 통한 흡착을 통해 각 구성요소를 부착시키게 된다.On the other hand, the reason for attaching the pressing member 30, the heat transfer retardation member 40 and the chip 50 through the suction force in this way is for horizontal maintenance between the components. In other words, when the detachment method is implemented as a separate fastening member or a coupling structure, there is a problem that it is difficult to control each component to be completely horizontal, thus attaching each component through the suction through the suction force providing unit. .

또한, 이와 같이 할 경우 신속하게 각 구성요소를 탈착시킬 수 있다는 장점이 있다.In addition, there is an advantage that can be quickly removed each component.

다음으로, 도 7을 참조하면, 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과, 접합할 칩에 압력을 제공하며 접합하는 단계가 수행된다. 제1실시예의 경우, 접합 스테이지(10)에 안착된 기판(60)에는 접착제(70)가 도포될 수 있으며, 칩 접합유닛(20)은 부착된 칩(50)을 상기 접착제(70)에 통과시켜 기판(60)에 접촉시킨다.Next, referring to FIG. 7, the bonding step is performed while applying pressure to the chip or substrate seated on the bonding stage and the chip to be bonded. In the first embodiment, an adhesive 70 may be applied to the substrate 60 seated on the bonding stage 10, and the chip bonding unit 20 passes the attached chip 50 through the adhesive 70. In contact with the substrate 60.

이와 같은 과정에서 접착제는 서서히 경화되며, 상기한 바와 같이 열전달 지연부재(40)에 의해 칩(50)이 기판(60)에 접촉될 충분한 시간적 여유가 확보되므로, 칩(50) 및 기판(60)이 완전히 접촉된 후 접합 온도가 300℃에 도달하여 접착제가 완전히 경화될 수 있다.In this process, the adhesive is gradually cured, and as described above, since sufficient time is allowed for the chip 50 to contact the substrate 60 by the heat transfer retardation member 40, the chip 50 and the substrate 60. After this complete contact, the bonding temperature reaches 300 ° C. so that the adhesive can be fully cured.

결과적으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 모든 단계를 수행한 결과 신뢰성이 높은 반도체 패키지가 제조된다.As a result, as shown in Fig. 8, all the above steps are performed to produce a highly reliable semiconductor package.

이후, 상기한 일련의 작업을 반복 수행하며 반도체 패키지를 제작하게 되며, 이 과정 중 열전달 지연부재(40)가 완전히 가열되었을 경우, 이를 교체하는 단계들이 더 포함될 수 있다.Thereafter, the above-described series of operations are repeatedly performed to fabricate the semiconductor package. If the heat transfer delay member 40 is completely heated during this process, the method may further include replacing the same.

이상으로, 본 발명의 제1실시예에 따른 칩 접합방법에 대해 설명하였으며, 이하에서는 제2실시예에 따른 칩 접합방법에 대해 설명하도록 한다. 제2실시예의 경우, 제1실시예의 열전달 지연부재(40)가 별도로 구비되지 않으며, 가압부재가 열전달을 지연하는 역할을 수행하므로, 제2실시예의 가압부재를 열전달 지연부재(130)로 칭하도록 한다.The chip bonding method according to the first embodiment of the present invention has been described above. Hereinafter, the chip bonding method according to the second embodiment will be described. In the case of the second embodiment, since the heat transfer delay member 40 of the first embodiment is not provided separately, and the press member plays a role of delaying heat transfer, the pressurization member of the second embodiment is referred to as the heat transfer delay member 130. do.

그리고, 이 외의 다른 사항은 제1실시예의 경우와 동일하므로, 각 실시예의 차이점만을 부각하여 설명하도록 한다.Since the other matters are the same as those of the first embodiment, only differences of the embodiments will be described.

도 9를 참조하면 제2실시예의 칩 접합장치는, 상기한 바와 같이 접합 스테이지(110), 칩 접합유닛(120) 및 열전달 지연부재(130)만으로 구성된다. 또한, 구성요소가 하나 적어짐으로 인해, 칩 접합유닛(120)의 관통홀(122a, 122b) 개수가 적어진 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 9, the chip bonding apparatus of the second embodiment includes the bonding stage 110, the chip bonding unit 120, and the heat transfer retardation member 130 as described above. In addition, as the number of components is reduced, it can be seen that the number of through holes 122a and 122b of the chip bonding unit 120 is reduced.

즉, 제2실시예의 경우에는 제1흡입경로 및 제2흡입경로만이 존재하여, 이들을 통해 열전달 지연부재(130) 및 칩(150)을 흡착할 수 있다.That is, in the case of the second embodiment, only the first suction path and the second suction path exist, and thus the heat transfer delay member 130 and the chip 150 can be sucked through them.

여기서, 전술한 바와 같이 열전달 지연유닛(130)은 제1실시예의 가압유닛(30)을 사용한 것이며, 이와 같이 할 수 있는 이유는 제1실시예의 가압유닛(30)이 복수 개 구비되기 때문이다.Here, as described above, the heat transfer delay unit 130 uses the pressurization unit 30 of the first embodiment, and the reason for this may be because a plurality of pressurization units 30 of the first embodiment are provided.

구체적으로, 제2실시예의 열전달 지연유닛(130) 역시 복수 개 구비되어 별도의 제2거치대에 안착될 수 있으며, 따라서 이를 연속적으로 교체하며 사용할 수 있는 것이다. 즉, 열전달 지연유닛(130)은 서서히 가열되므로, 완전히 가열되기 전까지는 접합을 위한 시간적 여유를 확보할 수 있는 것이다.Specifically, the heat transfer delay unit 130 of the second embodiment may also be provided with a plurality of seats to be mounted on a separate second cradle, and thus it may be used while continuously replacing them. That is, since the heat transfer delay unit 130 is gradually heated, it is possible to secure a time margin for bonding until completely heated.

또한, 제2거치대는 제1실시예의 제1거치대와 마찬가지로, 상하 방향의 회전축에 의해 회전될 수 있음은 물론이다.In addition, the second cradle may be rotated by a rotation shaft in the vertical direction, as in the first cradle of the first embodiment.

정리하면, 본 발명의 칩 접합장치 및 이를 이용한 칩 접합방법은 열전달 지연유닛을 사용하여 고신뢰도를 가지는 반도체 패키지를 제조할 수 있음을 알 수 있다.
In summary, it can be seen that the chip bonding apparatus of the present invention and the chip bonding method using the same can manufacture a semiconductor package having high reliability by using a heat transfer delay unit.

이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is obvious to them. Therefore, the above-described embodiments should be regarded as illustrative rather than restrictive, and thus, the present invention is not limited to the above description and may be modified within the scope of the appended claims and their equivalents.

10: 접합 스테이지
20: 칩 접합유닛
22a, 22b, 22c: 관통홀
30: 가압부재
32a, 32b: 연통홀
40: 열전달 지연부재
42a: 흡입홀
50: 칩
52: 범프
60: 기판
62: 패드
70: 접착제10: bonding stage
20: chip bonding unit
22a, 22b, 22c: through hole
30: pressing member
32a, 32b: communication hole
40: heat transfer delay member
42a: suction hole
50: chip
52: bump
60: substrate
62: pad
70: adhesive

Claims (13)

칩 또는 기판이 안치되며, 접합 작업이 수행되는 접합 스테이지;
흡입력을 제어하는 흡입력 제공부가 구비되고, 상기 흡입력 제공부와 연통되며, 제1흡입경로, 제2흡입경로, 및 제3흡입경로를 각각 제공하는 복수의 관통홀이 내측에 형성된 칩 접합유닛;
상기 칩 접합유닛의 관통홀 중, 제1흡입경로에 대응되는 관통홀에서 제공되는 흡입력에 의해 상기 칩 접합유닛의 하단에 흡착되며, 상기 제2흡입경로 및 제3흡입경로가 각각 연장되는 복수의 연통홀이 내측에 형성되고, 접합할 칩에 열 및 압력을 전달하는 가압부재; 및
상기 가압부재의 연통홀 중, 제2흡입경로에 대응되는 연통홀에서 제공되는 흡입력에 의해 상기 가압부재의 하단에 흡착되며, 상기 제3흡입경로와 연통되어 상기 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩을 흡착시키는 흡입홀이 내측에 형성되고, 상기 가압부재와 상기 접합할 칩 사이에서 상기 가압부재로부터 발생되는 열이 상기 접합할 칩에 전달되는 속도를 지연시키는 열전달 지연부재;
를 포함하는 칩 접합장치.A bonding stage in which a chip or substrate is placed and a bonding operation is performed;
A chip bonding unit having a suction force providing unit for controlling a suction force and communicating with the suction force providing unit, the chip bonding unit having a plurality of through-holes provided therein to respectively provide a first suction path, a second suction path, and a third suction path;
Among the through holes of the chip bonding unit, the plurality of suction holes are adsorbed to the lower end of the chip bonding unit by suction force provided from the through hole corresponding to the first suction path, and the second suction path and the third suction path respectively extend. A communication member having a communication hole formed therein and transmitting heat and pressure to a chip to be bonded; And
Among the communication holes of the pressing member, the chip or substrate is adsorbed to the lower end of the pressing member by the suction force provided in the communication hole corresponding to the second suction path, and communicated with the third suction path and seated on the bonding stage; A heat transfer delay member having an intake hole for adsorbing chips to be bonded to the inside, and delaying a rate at which heat generated from the pressing member is transferred to the chips to be bonded between the pressing member and the chips to be bonded;
Chip bonding apparatus comprising a. 제1항에 있어서,
상기 열전달 지연부재는,
실리콘 또는 세라믹으로 형성된 칩 접합장치.The method of claim 1,
The heat transfer delay member,
Chip bonding device formed of silicon or ceramic. 제1항에 있어서,
상기 열전달 지연부재가 복수 개 거치되어, 상기 칩 접합유닛이 접합 작업을 수행 시 기 작업에 의해 가열된 열전달 지연부재를 타 열전달 지연부재로 교체 가능하도록 하는 제1거치대가 더 포함된 칩 접합장치.The method of claim 1,
A plurality of the heat transfer delay member is mounted, the chip bonding device further comprises a first cradle for allowing the chip bonding unit to replace the heat transfer delay member heated by the other operation when performing the bonding operation with another heat transfer delay member. 제3항에 있어서,
상기 제1거치대는 상하 방향의 회전축에 의해 회전 가능하도록 형성되어 상기 복수의 열전달 지연부재는 원형의 경로를 따라 순환하는 칩 접합장치.The method of claim 3,
The first cradle is formed to be rotatable by the rotation axis in the vertical direction so that the plurality of heat transfer delay member is circulated along a circular path. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항의 칩 접합장치를 사용하는 칩 접합방법에 있어서,
상기 칩 또는 기판을 상기 접합 스테이지에 안치시키는 단계;
상기 제1흡입경로에 대응되는 관통홀에 흡입력을 제공하여 상기 가압부재를 상기 칩 접합유닛 하단에 흡착시키는 단계;
상기 제2흡입경로에 대응되는 연통홀에 흡입력을 제공하여 상기 열전달 지연부재를 상기 가압부재 하단에 흡착시키는 단계;
상기 제3흡입경로에 대응되는 흡입홀에 흡입력을 제공하여 상기 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩을 상기 열전달 지연부재의 하단에 흡착시키는 단계; 및
상기 접합 스테이지에 안착된 칩 또는 기판과 접합할 칩에 압력을 제공하며 상기 칩 또는 기판에 접합하는 단계;
를 포함하는 칩 접합방법.In the chip bonding method using the chip bonding apparatus of Claim 1,
Placing the chip or substrate in the bonding stage;
Providing a suction force to a through hole corresponding to the first suction path to adsorb the pressing member to a lower end of the chip bonding unit;
Providing a suction force to a communication hole corresponding to the second suction path to adsorb the heat transfer delay member to the lower end of the pressing member;
Providing a suction force to a suction hole corresponding to the third suction path to suck a chip to be bonded to a chip or a substrate seated on the bonding stage to a lower end of the heat transfer delay member; And
Bonding to the chip or substrate while providing pressure to the chip to be bonded to the chip or substrate seated on the bonding stage;
Chip bonding method comprising a. 제8항에 있어서,
상기 칩 접합장치는,
상기 열전달 지연부재가 복수 개 거치되어, 상기 칩 접합유닛이 접합 작업을 수행 시 기 작업에 의해 가열된 열전달 지연부재를 타 열전달 지연부재로 교체 가능하도록 하는 제1거치대가 더 포함되며,
상기 접합하는 단계 이후에는,
제2흡입경로에 흡입력 제공을 중지하여 상기 가열된 열전달 지연부재를 상기 제1거치대에 안착시키는 단계; 및
제2흡입경로에 흡입력을 제공하여 타 열전달 지연부재를 상기 가압부재 하단에 흡착시키는 단계;
를 더 포함하는 칩 접합방법.9. The method of claim 8,
The chip bonding apparatus,
A plurality of the heat transfer delay member is mounted, and further comprises a first cradle for allowing the chip joining unit to replace the heat transfer delay member heated by the other operation with another heat transfer delay member when performing the bonding operation,
After the bonding step,
Stopping providing suction to a second suction path to seat the heated heat transfer retardation member on the first cradle; And
Providing a suction force to a second suction path to adsorb another heat transfer delay member to the lower end of the pressing member;
Chip bonding method further comprising. 제9항에 있어서,
상기 제1거치대는 상하 방향의 회전축에 의해 회전 가능하도록 형성되어 상기 복수의 열전달 지연부재는 원형의 경로를 따라 순환하며,
상기 가열된 열전달 지연부재를 상기 제1거치대에 안착시키는 단계 및 타 열전달 지연부재를 상기 가압부재 하단에 흡착시키는 단계 사이에는,
상기 제1거치대를 회전시켜 상기 타 열전달 지연부재를 상기 칩 접합유닛의 하부에 위치시키는 단계를 더 포함하는 칩 접합방법.10. The method of claim 9,
The first cradle is formed to be rotatable by a rotation axis in the vertical direction so that the plurality of heat transfer delay members circulate along a circular path.
Between the step of seating the heated heat transfer delay member on the first cradle and adsorbing the other heat transfer delay member to the lower end of the pressing member,
And rotating the first holder to position the other heat transfer retardation member under the chip bonding unit. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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