KR101224457B1 - Apparatus for depositing chemical layers - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내부에 수용된 증착 재료에 열을 공급하여 발생된 재료 증기를 기판으로 배출시켜 기판 표면에 증착 재료층을 형성하는 증착원과, 전술한 증착원 근접 형성되어 전술한 증착원으로부터 배출되는 재료 증기의 농도를 체크하는 센서부를 포함하는 증착 장치를 제공한다.The present invention provides a deposition source for supplying heat to the deposition material contained therein to discharge the material vapor generated to the substrate to form a deposition material layer on the surface of the substrate, and a material formed in proximity to the deposition source described above and discharged from the deposition source described above. It provides a deposition apparatus including a sensor unit for checking the concentration of steam.

증착 장치 Deposition equipment

Description

증착 장치{Apparatus for depositing chemical layers}Evaporation apparatus {Apparatus for depositing chemical layers}

도 1은 종래 증착 장치(10)의 내부 구성을 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing the internal configuration of a conventional deposition apparatus 10.

도 2는 도 1 상의 증착부의 사시도.FIG. 2 is a perspective view of the deposition unit of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 2 상의 증착부의 평면도.3 is a plan view of the deposition unit of FIG.

도 4는 본 발명에 따른 증착원의 단면도.4 is a cross-sectional view of a deposition source according to the present invention.

도 5는 도 4 상의 증착원으로 구성된 증착 단위부의 사시도.FIG. 5 is a perspective view of a deposition unit configured of the deposition source of FIG. 4. FIG.

* 도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명 *Explanation of symbols on main parts of the drawings

10 : 증착 장치 10 : 챔버10 deposition apparatus 10 chamber

20 : 증착원20: evaporation source

22 : 바닥 부재 24 : 측벽 부재22: bottom member 24: side wall member

26 : 셀 캡 28 : 셀26: cell cap 28: cell

30 : 가열 수단 32 : 커버30: heating means 32: cover

50 : 증착 단위부 52 : 증착원50: deposition unit 52: deposition source

54 : 격리부 58 : 오픈부54: isolation 58: open

M : 증착 재료 P : 기판M: evaporation material P: substrate

S : 센서부 S: sensor

M1, M2, M3, M4, M5, M6 : 증착 단위부M1, M2, M3, M4, M5, M6: Deposition unit

본 발명은 균일한 증착이 가능한 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus capable of uniform deposition.

열적 물리적 기상 증착은 증착 재료의 증기로 기판 표면에 층을 형성하는 기술로서, 용기(vessel) 내에 수용된 증착 재료를 기화 온도까지 가열함으로써 발생되는 증착 재료의 증기가 수용된 용기 밖으로 이동한 후 코팅될 기판 상에서 응축되는 원리를 이용하였다. Thermal physical vapor deposition is a technique of forming a layer on the surface of a substrate with vapor of the deposition material, the substrate to be coated after moving out of the vessel containing the vapor of the deposition material generated by heating the deposition material contained in the vessel to the vaporization temperature. The principle of condensation in the bed was used.

이러한 증착 공정은 증착 재료를 수용하는 용기 및 코팅될 기판이 장착된 챔버 내부에서 진행되었으며 이때, 챔버 내부는 일반적으로 10-7 내지 10-2 Torr 범위의 압력 상태로 조성되었다. This deposition process was carried out inside a chamber equipped with a vessel containing the deposition material and a substrate to be coated, wherein the chamber was generally formed at a pressure in the range of 10 −7 to 10 −2 Torr.

상세하게는, 증착 재료를 수용하는 용기인 증착원(deposition source)은 전류가 벽(부재)들을 통과할 때 온도가 증가되는 전기적 저항 재료로 만들어졌다. Specifically, a deposition source, which is a container containing a deposition material, is made of an electrically resistive material that increases in temperature as current passes through walls (members).

따라서, 증착원에 전류가 인가되면, 그 내부의 증착 재료는 증착원의 벽으로부터 전달되는 방사열 및 벽과의 접촉에 의한 전도열에 의해 가열되어 증기화 되었다. Therefore, when a current is applied to the vapor deposition source, the vapor deposition material therein is heated and vaporized by radiant heat transferred from the vapor deposition wall and conduction heat by contact with the wall.

한편, 전술한 증착원의 셀 캡에는 기화된 재료 증기가 외부로 배출되도록 증 기 배출 개구(vapor efflux aperture)가 형성되어 있었다.On the other hand, a vapor efflux aperture is formed in the cell cap of the above-described deposition source so that vaporized material vapor is discharged to the outside.

도 1은 종래 증착 장치의 내부 구성을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the internal configuration of a conventional deposition apparatus.

도 1을 참조하면, 종래 증착 장치는 챔버(10) 하부에 증착 재료를 수용하며, 재료 증기를 배출하는 증착부(12)가 배치되어 있었고, 전술한 증착부(12)로부터 배출되는 재료 증기가 증착될 기판(P)이 챔버(10)의 상부에 장착되어 있었다.Referring to FIG. 1, in the conventional deposition apparatus, a deposition unit 12 is disposed below the chamber 10 and discharges material vapor, and the material vapor discharged from the deposition unit 12 described above is disposed. The substrate P to be deposited was mounted on top of the chamber 10.

이때, 기판(P)은 챔버 내부에서 위치 변경이 가능한 고정부에 의해 고정되어 있었다. At this time, the board | substrate P was fixed by the fixing part which can change a position inside a chamber.

또한, 전술한 증착부(12)와 기판(P) 사이에는 전술한 증착부(12)로부터 기판(P)으로 증착되는 재료 증기의 농도 및 챔버 내부의 온도 등을 체크할 수 있는 센서부(S)가 배치되어 있었다.In addition, a sensor unit (S) capable of checking the concentration of the material vapor and the temperature inside the chamber deposited from the above-described deposition unit 12 to the substrate P between the above-described deposition unit 12 and the substrate P. ) Was placed.

도 2는 도 1 상의 증착부의 사시도이며, 도 3은 도 2 상의 증착부의 평면도로 증착부의 구조를 도시한다.FIG. 2 is a perspective view of the deposition unit of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of the deposition unit of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 전술한 증착부(12)는 각각 서로 다른 농도의 같은 증착 재료 또는 각각 서로 다른 종류의 증착 재료를 수용하는 하나 또는 하나 이상의 증착 단위부(M1 내지 M6)로 구성되어 있었다.2 and 3, the above-described deposition unit 12 is composed of one or more deposition unit units M1 to M6 each containing the same deposition material having different concentrations or different kinds of deposition materials, respectively. It was.

이와 같이, 종래 증착 단위부(M1)는 챔버(10) 상에 장착된 하나의 증착원(20)으로 구성되어 있었다. As described above, the conventional deposition unit unit M1 is configured of one deposition source 20 mounted on the chamber 10.

전술한 증착 단위부의 구조를 상술하면, 예를 들어 원판형 바닥 부재 상에 형성되며 증착 재료가 수용되는 원통형의 셀과, 전술한 원판형 바닥 부재 상에서 전술한 셀의 측벽과 소정 거리 이격 형성되는 측벽 부재와, 전술한 셀의 측벽과 측벽 부재 사이의 공간에 형성되어 전술한 증착 재료를 가열하는 가열 수단을 포함하도록 형성되어 있었다. The structure of the above-described deposition unit is described in detail, for example, a cylindrical cell formed on the disk-shaped bottom member and containing the deposition material, and a sidewall formed a predetermined distance apart from the sidewall of the cell on the disk-shaped bottom member. It was formed to include a member and heating means formed in the space between the side wall member of the cell and the side wall member to heat the aforementioned deposition material.

이상과 같은 증착원 구조 및 증착 원리를 따르는 종래 증착 장치는 각 증착 단위부(M1 내지 M6)로부터의 배출되는 재료 증기의 농도가 증착과정 상 처음과 나중이 일정치 않기 때문에 증착면이 고르지 못하거나, 증착층의 물성치에서 차이가 날 수 있었다. In the conventional deposition apparatus that follows the above-described deposition source structure and deposition principle, the deposition surface is uneven because the concentration of material vapor discharged from each deposition unit M1 through M6 is not constant at the beginning and the end of the deposition process. , There could be a difference in the physical properties of the deposited layer.

상세하게는 예를 들어, 도 2 상의 증착 단위부 중 어느 하나 즉, 제 1 증착 단위부(M1)로부터 하나의 증착 재료를 기판(P) 상에 선택적으로 증착하거나, 또는 하나 이상의 증착부 예를 들어, 제 1, 제 3, 제 6 증착 단위부(M1, M3, M6)의 증착 재료를 2:1:1의 조성 비율로 혼합 증착하려고 하는 경우 각 물질의 농도 및 조성비를 정확히 조절할 수 없는 문제점이 있었다. Specifically, for example, one deposition material may be selectively deposited on the substrate P from one of the deposition unit units of FIG. 2, that is, the first deposition unit M1, or one or more deposition unit examples may be used. For example, when trying to mix-deposit the deposition material of the first, third, and sixth deposition unit units M1, M3, and M6 in a composition ratio of 2: 1: 1, it is not possible to accurately adjust the concentration and composition ratio of each material. There was this.

또한, 전술한 바와 같이 증착부가 다수의 증착 단위부(M1 내지 M6)로 구성되어 있을 경우, 각 증착 단위부(M1 내지 M6)들이 상호 간 노출되어 있어 목적하는 재료 증기의 농도나 온도의 정확한 측정이 어려웠다. In addition, as described above, when the deposition unit is composed of a plurality of deposition unit units M1 to M6, the respective deposition unit units M1 to M6 are exposed to each other to accurately measure the concentration or temperature of the desired material vapor. This was difficult.

이러한 종래 증착 장치의 문제점은 증착 재료의 정밀한 조절이 필요한 경우, 예를 들어 전계발광소자의 발광부를 증착하는 경우 공정 수율의 저하와 고르지 못한 휘도구현 및 발광층의 부분 열화로 인한 수명 단축, 신뢰도 저하 등의 심각한 문제를 야기할 수 있었다.The problem of the conventional deposition apparatus is that when precise control of the deposition material is required, for example, when depositing the light emitting part of the electroluminescent device, the process yield decreases, the uneven luminance is realized, and the lifetime is shortened due to partial degradation of the light emitting layer, reliability, etc. Could cause serious problems.

이러한 문제를 해결하기 위해 본 발명은 각 증착 물질의 농도 및 조성비를 정확히 측정, 조절할 수 있도록 하여 증착 공정의 정밀도 및 수율을 향상시킨 증착 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. In order to solve this problem, an object of the present invention is to provide a deposition apparatus that can accurately measure and adjust the concentration and composition ratio of each deposition material to improve the precision and yield of the deposition process.

이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 내부에 수용된 증착 재료에 열을 공급하여 발생된 재료 증기를 기판으로 배출시켜 기판 표면에 증착 재료층을 형성하는 증착원과, 전술한 증착원 근접 형성되어 전술한 증착원으로부터 배출되는 재료 증기의 농도를 체크하는 센서부를 포함하는 증착 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a vapor deposition source for supplying heat to the vapor deposition material contained therein to discharge the material vapor generated to the substrate to form a vapor deposition material layer on the substrate surface, the vapor deposition source is formed close to It provides a deposition apparatus including a sensor unit for checking the concentration of the material vapor discharged from the above-described deposition source.

전술한 증착 장치는 전술한 증착원 및 전술한 센서부를 하나의 증착 단위부로 주변과 구분 격리시키며 특정 조건에 맞춰 전술한 증착원을 노출시키는 오픈부가 구비된 격리부를 추가로 포함할 수 있다.The deposition apparatus described above may further include an isolation unit having an open unit for separating the aforementioned deposition source and the sensor unit into one deposition unit unit from the surroundings and exposing the aforementioned deposition source according to a specific condition.

또한, 전술한 증착 장치에 있어서, 전술한 특정 조건은 전술한 센서부에서 체크되는 재료 증기의 농도를 기준으로 결정되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the above-described deposition apparatus, the above-described specific condition is characterized in that it is determined based on the concentration of the material vapor checked in the above-described sensor unit.

다른 측면에서, 전술한 특정 조건은 전술한 가열 수단이 전술한 증착원을 가열하는 소정의 가열 시간을 기준으로 결정되는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the specific condition described above is characterized in that the heating means described above is determined based on a predetermined heating time for heating the aforementioned deposition source.

또 다른 측면에서, 전술한 특정 조건은 전술한 센서부에서 체크되는 전술한 격리부의 내부 온도 또는 전술한 증착원으로부터 배출되는 재료 증기의 온도를 기준으로 결정되는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the above-described specific condition is characterized in that it is determined based on the temperature of the material vapor discharged from the above-described deposition source or the internal temperature of the above-mentioned isolation unit checked in the above-described sensor unit.

다른 측면에서, 이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 내부에 수용된 증착 재료에 열을 공급하여 발생된 재료 증기를 기판으로 배출시켜 기판 표면에 증착 재료층을 형성하는 다수의 증착원과, 전술한 다수의 증착원에 각각 근접 형성되어 전술한 다수의 증착원으로부터 배출되는 각각의 재료 증기의 농도를 체크하는 다수의 센서부를 포함하는 증착 장치를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a plurality of deposition sources to form a deposition material layer on the surface of the substrate by discharging the material vapor generated by supplying heat to the deposition material contained therein to the substrate to achieve the above object, and Provided is a deposition apparatus including a plurality of sensor units formed in proximity to a plurality of deposition sources, respectively, to check the concentration of each material vapor discharged from the plurality of deposition sources described above.

전술한 증착 장치는 전술한 다수의 증착원 및 전술한 다수의 센서부 중 어느 하나의 증착원과 그에 대응되는 하나의 센서부를 하나의 증착 단위부로 주변과 구분 격리시키며 특정 조건에 맞춰 전술한 어느 하나의 증착원을 노출시키는 오픈부가 구비된 격리부를 추가로 포함할 수 있다. The above-described deposition apparatus is any one of the above-described deposition source and the above-described plurality of sensor units, and one sensor unit corresponding to one of the deposition sources and the corresponding sensor unit are separated from the surroundings by one deposition unit unit, and any one of the above-described methods according to a specific condition. It may further include an isolation portion having an open portion for exposing the deposition source of.

또한, 전술한 증착 장치에 있어서, 전술한 특정 조건은 전술한 증착 단위부로 구분되는 전술한 하나의 센서부에서 체크되는 재료 증기의 농도를 기준으로 결정되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the above-described deposition apparatus, the above-described specific condition is characterized in that it is determined based on the concentration of the material vapor checked in the above-described one sensor unit divided into the above-described deposition unit unit.

다른 측면에서, 전술한 특정 조건은 전술한 가열 수단이 전술한 증착원을 가열하는 소정의 가열 시간을 기준으로 결정되는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the specific condition described above is characterized in that the heating means described above is determined based on a predetermined heating time for heating the aforementioned deposition source.

또 다른 측면에서, 전술한 특정 조건은 전술한 증착 단위부로 구분되는 전술한 하나의 센서부에서 체크되는 전술한 격리부의 내부 온도 또는 전술한 증착원으로부터 배출되는 재료 증기의 온도를 기준으로 결정되는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the above-mentioned specific condition is determined based on the temperature of the material vapor discharged from the above-described deposition source or the internal temperature of the above-mentioned isolation unit checked in the above-described one sensor unit divided into the above-described deposition unit unit. It features.

이하, 본 발명의 일실시예를 도시 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명에 따른 증착 단위부의 단면도로, 전술한 도 3 상의 증착 단위부(M1 내지 M6) 중 어느 하나(M1)와 동일한 스케일이다. 따라서, 본 발명은 이하 서술하는 증착 단위부가 하나 또는 하나 이상이 모여 구성되는 증착부 및 센서부가 장착되는 챔버로 구성되는 증착 장치로 이해되어야 한다.4 is a cross-sectional view of the deposition unit unit according to the present invention, which is the same scale as any one of the deposition unit units M1 to M6 of FIG. 3 described above. Therefore, the present invention should be understood as a vapor deposition apparatus composed of a vapor deposition unit in which one or more deposition unit units described below are assembled and a chamber in which a sensor unit is mounted.

도 4를 참조하면, 원판형의 바닥 부재(22)와 원통형의 측벽 부재(24), 그리고 셀 캡(26) 및 원통형 셀(28)로 구성되는 증착원(20)의 내부 구성을 도시하고 있다. Referring to Fig. 4, there is shown an internal configuration of a vapor deposition source 20 composed of a disk-shaped bottom member 22, a cylindrical sidewall member 24, and a cell cap 26 and a cylindrical cell 28. .

이하, 증착 과정을 전술한 증착원(20)의 구조 측면에서 상술하면 다음과 같다.Hereinafter, the deposition process will be described in detail in terms of the structure of the deposition source 20 described above.

셀 캡(26) 및 셀(28)로 구분 형성되는 내부 공간에는 증착 재료(M)가 수용되어 있다.The deposition material M is accommodated in the internal space formed by the cell cap 26 and the cell 28.

또한, 측벽 부재(24) 내부, 즉 측벽 부재(24)와 셀(28) 사이에는 셀(28)의 내부 공간에 수용된 증착 재료(M)를 가열하기 위한 가열 수단(30; 예를 들어, 전원에 연결된 발열 코일)이 위치하고 있다. 이런 가열 수단(30)은 측벽 부재(24)의 전 높이에 걸쳐 장착되어 있으며, 따라서 수용된 증착 재료(M) 전체에 열을 공급할 수 있다.In addition, heating means 30 (eg, a power supply) for heating the deposition material M contained in the interior space of the cell 28, ie, between the side wall member 24 and the cell 28. Heating coil connected to). This heating means 30 is mounted over the entire height of the side wall member 24 and thus can supply heat to the entire deposited material M received.

또한, 전술한 셀 캡(26)의 중앙부에는 개구(E)가 형성되어 있고, 전술한 측벽 부재(24)에 장착된 가열 수단(30)에서 발생된 열에 의하여 기화된 증착 재료(M)의 증기는 전술한 개구(E)를 통하여 외부, 즉 기판을 향하여 배출되었다. 또한, 셀 캡(26) 상부에 위치한 커버(32)에는 셀 캡(26)에 형성된 개구(E)와 대응되는 위치에 재료 증기 배출용 개구가 형성되어 있다.In addition, an opening E is formed in the central portion of the cell cap 26 described above, and vapor of the vapor deposition material M vaporized by the heat generated by the heating means 30 mounted on the side wall member 24 described above. Was discharged to the outside through the above-mentioned opening E, that is, toward the substrate. In addition, an opening for discharging material vapor is formed in the cover 32 positioned above the cell cap 26 at a position corresponding to the opening E formed in the cell cap 26.

도 5는 도 4 상의 증착원으로 구성된 증착 단위부의 사시도이다. 5 is a perspective view of a deposition unit configured as the deposition source of FIG. 4.

도 5를 참조하면, 본 발명은 도 4 상의 증착원(20)과 같은 구조를 따르는 증착원(52)과 전술한 증착원(52)으로부터 재료 증기가 배출되는 개구에 근접 형성된 센서부(S)를 하나의 단위부로 구분하여 외부와 격리시키는 격리부(54)를 포함하도록 하나의 증착 단위부(50)를 구분한다.Referring to FIG. 5, the present invention includes a deposition source 52 having a structure similar to the deposition source 20 of FIG. 4 and a sensor unit S formed in proximity to an opening through which material vapor is discharged from the deposition source 52 described above. A deposition unit 50 is divided to include an isolation unit 54 that separates and separates the unit into one unit.

한편, 이와 같은 격리부(54)에는 특정 조건이 만족될 경우, 전술한 증착원(52)을 노출시켜 증착원(52)으로부터 기배출된 재료 증기를 챔버 내로 배출하는 역할을 하는 오픈부(58)가 구비되어 있다.On the other hand, in the isolation part 54, if a specific condition is satisfied, the open part 58 exposing the vapor deposition source 52 described above and discharging the material vapor discharged from the vapor deposition source 52 into the chamber. ) Is provided.

전술한 오픈부(58)를 구동시키는 특정 조건은 다음과 같다.Specific conditions for driving the aforementioned open portion 58 are as follows.

본 발명의 제 1 실시예에서는 제 1 센서부가 전술한 증착원(52)으로부터 배출되는 재료 증기의 농도를 측정하고, 그 측정된 재료 증기의 농도를 기준으로 오픈부(58)의 오픈 여부를 결정한다. In the first embodiment of the present invention, the first sensor unit measures the concentration of the material vapor discharged from the deposition source 52 described above, and determines whether the open unit 58 is opened based on the measured concentration of the material vapor. do.

다른 측면에서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 재료 증기의 배출을 위해 전술한 가열 수단이 전술한 증착원(52)을 가열하는 소정의 가열 시간을 제 2 센서부가 측정하고 이를 기준으로 오픈부(58)의 오픈 여부를 결정한다.In another aspect of the present invention, in the second embodiment of the present invention, the second sensor unit measures a predetermined heating time for heating the deposition source 52 by the aforementioned heating means for discharging the material vapor, and based on this, the open unit ( 58) open or not.

상세하게는 가열 시간 및 재료 증기를 펙터(factor)로 하는 정밀한 데이터 테이블을 적용하여 오픈부(58)의 구동 여부를 결정하는 방법이다.In detail, it is a method of determining whether the open unit 58 is driven by applying an accurate data table having a heating time and a material vapor as a factor.

또 다른 측면에서, 본 발명의 제 3 실시예에서는 전술한 가열 수단으로 전술한 증착원(52)을 소정 시간 가열하여 재료 증기를 형성하고, 제 3 센서부에서 측정되는 격리부(54)의 내부 온도 또는 전술한 증착원(52)으로부터 배출되는 재료 증기의 온도를 기준으로 오픈부(58)의 오픈 여부를 결정한다. In another aspect of the present invention, in the third embodiment of the present invention, the above-described heating source 52 is heated by the above-described heating means for a predetermined time to form a material vapor, and the inside of the isolation unit 54 measured by the third sensor unit. It is determined whether the open part 58 is opened based on the temperature or the temperature of the material vapor discharged from the deposition source 52 described above.

이상과 같은 실시예는 전술한 격리부(54)가 타 증착원의 간섭을 방지하므로 가능한 조건이다.The above embodiment is a possible condition because the above-described isolation section 54 prevents interference of other deposition sources.

따라서, 전술한 증착 단위부(50)를 포함하는 본 발명에 따른 증착 장치는 재료 증기의 정확한 측정 및 컨트롤이 가능하므로, 소기 목적을 달성할 수 있다.Therefore, the deposition apparatus according to the present invention including the deposition unit unit 50 described above is capable of accurate measurement and control of the material vapor, it is possible to achieve the desired purpose.

이상 본 발명에서는 증착원의 측벽 구조를 이중구조로 도시 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며 증착원의 측벽 구조는 둘 이상의 층으로 구분 형성될 수 있다.As described above, the sidewall structure of the deposition source is illustrated as a dual structure, but the present invention is not limited thereto, and the sidewall structure of the deposition source may be formed by separating two or more layers.

또한, 이상 본 발명에서는 각 증착원에 대한 센서부가 하나인 것으로 도시 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 센서부는 하나 이상으로 동일한 데이터를 측정하거나, 서로 다른 데이터를 측정하여 제공할 수 있다.In addition, although the present invention has been described as having one sensor unit for each deposition source, the present invention is not limited thereto, and the sensor unit may measure the same data more than one or provide different data.

또한, 이상 본 발명에서는 원통형의 격리부가 하나의 증착원을 포함하여 증착 단위부로 구분된 것으로 도시 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며 증착 단위부에는 하나 이상의 동일하거나 다른 증착원이 포함될 수 있다.In addition, in the present invention described above, although the cylindrical isolation portion is illustrated as being divided into a deposition unit unit including one deposition source, the present invention is not limited thereto, and one or more identical or different deposition sources may be included in the deposition unit unit.

위에서 설명한 본 발명은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이다. 따라서, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. The present invention described above has been disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art having various general knowledge of the present invention will be able to make various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention. Accordingly, such modifications, changes and additions should be considered to be within the scope of the following claims.

위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 각 증착부에 대응되게 구분 형성된 센서부 구조에 의해 종래 기술보다 정확하게 증착 물질의 농도를 측정할 수 있다. As described above, the present invention can measure the concentration of the deposition material more accurately than the prior art by the sensor unit structure formed to correspond to each deposition unit.

또한, 본 발명은 전술한 증착 단위부의 격리부 구조로 인해 재료 증기의 농도 및 온도와 증착원의 가열 시간 등 다양한 펙터(factor)를 기준으로 정확한 증착원의 컨트롤이 가능하므로 증착 물질의 농도 및 조성비를 정확히 측정, 조절할 수 있다.In addition, the present invention allows the precise deposition source control on the basis of various factors such as the concentration and temperature of the material vapor and the heating time of the deposition source due to the isolation structure of the deposition unit described above, the concentration and composition ratio of the deposition material Can be accurately measured and adjusted.

이에 따라, 본 발명은 증착 공정의 정밀도 및 수율을 향상시킨 증착 장치를 제공할 수 있다. Accordingly, the present invention can provide a deposition apparatus with improved precision and yield of the deposition process.

Claims (10)

증착 재료를 수용하는 수용부 및 상기 증착 재료를 가열하는 가열 수단이 구비되며, 상기 가열 수단에 의해 발생된 재료 증기를 기판으로 배출시켜 기판 표면에 증착 재료층을 형성하는 증착원과;An evaporation source including an accommodating portion accommodating evaporation material and heating means for heating the evaporation material, wherein the evaporation source forms a vapor deposition material layer on the substrate surface by discharging material vapor generated by the heating means to a substrate; 상기 증착원 근접 형성되어 상기 증착원으로부터 배출되는 재료 증기의 농도를 체크하는 센서부와,A sensor unit which is formed in proximity to the deposition source and checks the concentration of material vapor discharged from the deposition source; 상기 증착원과 상기 센서부를 수용해 외부와 격리하며, 상부에 상기 증착원에서 배출된 재료 증기를 선택적으로 상기 기판에 공급하거나 차단하는 오픈부가 구비된 격리부를 포함하고,An isolation part having an open part for receiving the deposition source and the sensor part and isolating from the outside, and selectively supplying or blocking material vapor discharged from the deposition source to the substrate; 상기 오픈부는,The open portion, 상기 센서부에서 검출한 재료 증기의 농도를 기준으로 재료 증기를 상기 기판에 공급 또는 차단하거나,The material vapor is supplied or blocked to the substrate based on the concentration of the material vapor detected by the sensor unit, 상기 가열 수단이 상기 증착원을 가열하는 시간을 기준으로 재료 증기를 상기 기판에 공급/차단하거나,Supplying / blocking material vapor to the substrate based on the time when the heating means heats the deposition source, 상기 센서부에서 검출한 상기 격리부의 내부 온도 또는 상기 증착원으로부터 배출되는 재료 증기의 온도를 기준으로 결정되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the temperature of the material vapor discharged from the deposition source or the temperature of the isolation unit detected by the sensor unit. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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