KR101211253B1 - Variable Gamma Reference Voltage Circuit and Liquid Crystal Display Using The Same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정의 응답속도를 개선하도록 한 감마기준전압 가변회로에 관한 것이다. The present invention relates to a gamma reference voltage variable circuit to improve the response speed of the liquid crystal.
이 감마기준전압 가변회로는 고전위 전압원과 저전위 전압원 사이에 접속되어 고전위 전압과 저전위 전압을 분압하여 다수의 출력노드들을 통해 다수의 감마기준전압들을 발생하는 분압회로와; 이웃하는 상기 출력노드들 사이에 접속되어 제어신호에 응답하여 상기 감마기준전압들을 가변하기 위한 스위치회로를 구비한다. The gamma reference voltage variable circuit includes: a voltage divider circuit connected between a high potential voltage source and a low potential voltage source to divide a high potential voltage and a low potential voltage to generate a plurality of gamma reference voltages through a plurality of output nodes; And a switch circuit connected between neighboring output nodes to vary the gamma reference voltages in response to a control signal.
Description
도 1은 통상의 액정표시장치에 있어서 데이터에 따른 휘도 변화를 나타내는 파형도이다.1 is a waveform diagram showing a change in luminance according to data in a conventional liquid crystal display.
도 2는 고속 구동방식에 있어서 데이터 변조에 따른 휘도 변화의 일례를 나타내는 파형도이다.2 is a waveform diagram showing an example of a luminance change caused by data modulation in the high speed driving method.
도 3은 고속 구동방식에 의한 액정의 응답특성 변화를 보여 주는 도면이다. 3 is a view showing a change in response characteristics of the liquid crystal by the high speed driving method.
도 4는 고속 구동장치의 일례를 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating an example of a high speed drive device.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 나타내는 도면이다. 5 illustrates a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6 및 도 7은 도 5에 도시된 감마기준전압 가변회로의 제1 실시예를 상세히 나타내는 회로도이다. 6 and 7 are circuit diagrams showing in detail the first embodiment of the gamma reference voltage variable circuit shown in FIG.
도 8 및 도 9는 도 5에 도시된 감마기준전압 가변회로의 제1 실시예를 상세히 나타내는 회로도이다.8 and 9 are circuit diagrams illustrating the first embodiment of the gamma reference voltage variable circuit shown in FIG. 5 in detail.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art
32 : 데이터 버스 33a, 33b : 프레임 메모리32:
34 : 룩업 테이블 51 : 타이밍 콘트롤러34: Lookup Table 51: Timing Controller
52 : 감마기준전압 가변회로 53 : 데이터 구동부52: gamma reference voltage variable circuit 53: data driver
54 : 게이트 구동부 55 : 데이터라인54
56 : 게이트라인 57 : 액정표시패널56
본 발명은 액정의 응답속도를 개선하도록 한 감마기준전압 가변회로에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 감마기준전압 가변회로를 이용하여 최소한의 회로구성으로 액정의 응답속도를 개선하고 회로의 발열양을 줄이도록 한 액정표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to a gamma reference voltage variable circuit to improve the response speed of the liquid crystal. In addition, the present invention relates to a liquid crystal display device using the gamma reference voltage variable circuit to improve the response speed of the liquid crystal and reduce the amount of heat generated by the circuit with a minimum circuit configuration.
액정표시장치(Liquid Crystal Display)는 비디오신호에 따라 액정셀들의 광투과율을 조절하여 화상을 표시하게 된다. The liquid crystal display adjusts the light transmittance of liquid crystal cells according to a video signal to display an image.
이러한 액정표시장치 중에서 액정셀마다 스위칭소자가 형성된 액티브 매트릭스(Active Matrix) 타입의 액정표시장치는 스위칭소자의 능동적인 제어가 가능하기 때문에 동영상 구현에 유리하다. 액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치에 사용되는 스위칭소자로는 주로 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 한다)가 이용되고 있다. Among the liquid crystal display devices, an active matrix type liquid crystal display device in which switching elements are formed for each liquid crystal cell is advantageous in implementing a moving picture because active control of the switching elements is possible. As a switching element used in an active matrix type liquid crystal display device, a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) is mainly used.
액정표시장치는 수학식 1 및 2에서 알 수 있는 바, 액정의 고유한 점성과 탄 성 등의 특성에 의해 응답속도가 느린 단점이 있다. As can be seen in
여기서, τr는 액정에 전압이 인가될 때의 라이징 타임(rising time)을, Va는 인가전압을, VF는 액정분자가 경사운동을 시작하는 프리드릭 천이 전압(Freederick Transition Voltage)을, d는 액정셀의 셀갭(cell gap)을, (gamma)는 액정분자의 회전점도(rotational viscosity)를 각각 의미한다. Here,? R denotes a rising time when a voltage is applied to the liquid crystal, Va denotes an applied voltage, VF denotes a freeness transition voltage at which the liquid crystal molecules start tilting, d denotes a liquid crystal The cell gap of the cell is defined as (gamma) means the rotational viscosity of the liquid crystal molecule, respectively.
여기서, τf는 액정에 인가된 전압이 오프된 후 액정이 탄성 복원력에 의해 원위치로 복원되는 폴링타임(falling time)을, K는 액정 고유의 탄성계수를 각각 의미한다. Here, τf denotes a falling time at which the liquid crystal is restored to its original value due to the elastic restoring force after the voltage applied to the liquid crystal is turned off, and K denotes the elastic modulus inherent to the liquid crystal.
현재까지 액정표시장치에서 가장 일반적으로 사용되어 왔던 액정 모드인 TN 모드(Twisted Nematic mode)의 액정 응답속도는 액정 재료의 물성과 셀갭 등에 의해 달라질 수 있지만 통상, 라이징 타임이 20-80ms이고 폴링 타임이 20-30ms이다. 이러한 액정의 응답속도는 한 프레임기간(NTSC : 16.67ms)보다 길다. 이 때문에 도 1과 같이 액정셀에 충전되는 전압이 원하는 전압에 도달하기 전에 다음 프레임으로 진행되므로 동영상에서 화면이 흐릿하게 되는 모션 블러링(Motion Burring) 현상이 나타나게 된다. The liquid crystal response speed of the TN mode (Twisted Nematic mode), which has been the most commonly used liquid crystal display device, can vary depending on the physical properties of the liquid crystal material and the cell gap. 20-30 ms. The response speed of the liquid crystal is longer than one frame period (NTSC: 16.67ms). For this reason, as shown in FIG. 1, since the voltage charged in the liquid crystal cell reaches the next voltage, the motion blurring phenomenon occurs in which the screen is blurred in the video.
도 1을 참조하면, 종래의 액정표시장치는 느린 응답속도로 인하여 한 레벨에서 다른 레벨로 데이터(VD)가 변할 때 그에 대응하는 표시 휘도(BL)가 원하는 휘도에 도달하지 못하게 되어 원하는 색과 휘도를 표현하지 못하게 된다. 그 결과, 액정표시장치는 동영상에서 모션 블러링 현상이 나타나게 되고, 명암비(Contrast ratio)의 저하로 인하여 화질이 떨어지게 된다. Referring to FIG. 1, in the conventional LCD, when the data VD changes from one level to another level due to a slow response speed, the corresponding display luminance BL does not reach the desired luminance, and thus the desired color and luminance. Will not be represented. As a result, the motion blurring phenomenon appears in the moving image, and the image quality is deteriorated due to the decrease in the contrast ratio.
이러한 액정표시장치의 느린 응답속도를 해결하기 위하여, 미국특허 제5,495,265호와 PCT 국제공개번호 WO 99/05567에는 룩업 테이블을 이용하여 데이터의 변화여부에 따라 데이터를 변조하는 방안(이하, '고속구동'이라 한다)이 제안된 바 있다. 이 고속 구동방법은 도 2 및 도 3과 같은 원리로 데이터를 변조하게 된다. In order to solve the slow response speed of the liquid crystal display, U.S. Patent No. 5,495,265 and PCT International Publication No. WO 99/05567 use a lookup table to modulate the data depending on whether or not the data is changed (hereinafter, 'high speed driving'). Has been proposed. This high speed driving method modulates data on the same principle as in FIGS. 2 and 3.
도 2 및 도 3을 참조하면, 고속 구동방법은 입력 데이터(VD)를 미리 설정된 변조 데이터(MVD)로 변조하고 그 변조 데이터(MVD)를 액정셀에 인가하여 원하는 휘도(MBL)를 얻게 된다. 이 고속 구동방법은 한 프레임기간 내에 입력 데이터의 휘도값에 대응하여 원하는 휘도를 얻을 수 있도록 데이터의 변화여부에 기초하여 수학식 1에서을 크게 하게 된다. 따라서, 고속 구동방법을 이용하는 액정표시장치는 액정의 늦은 응답속도를 데이터값의 변조로 보상하여 동영상에서 모션 블러링 현상을 완화시킨다. 2 and 3, the high speed driving method modulates the input data VD into preset modulation data MVD and applies the modulation data MVD to the liquid crystal cell to obtain a desired luminance MBL. This high-speed driving method uses
다시 말하여, 고속 구동방법은 이전 프레임과 현재 프레임 사이에서 데이터를 비교하고 그 데이터들 사이에 변화가 있으면, 미리 설정된 변조 데이터로 현재 프레임의 데이터를 변조한다. 이 고속 구동방법이 구현된 고속 구동장치는 도 4와 같이 구현될 수 있다. In other words, the high speed driving method compares data between the previous frame and the current frame and modulates the data of the current frame with preset modulation data if there is a change between the data. The high speed drive device in which the high speed drive method is implemented may be implemented as shown in FIG. 4.
도 4를 참조하면, 고속 구동장치는 데이터 버스(32)로부터의 데이터를 저장하기 위한 제1 및 제2 프레임 메모리(33a)와, 데이터를 변조하기 위한 룩업 테이블(34)을 구비한다.Referring to FIG. 4, the high speed drive device includes first and
제1 및 제2 프레임 메모리(33a, 33b)는 픽셀 클럭에 맞추어 데이터를 프레임 단위로 교대로 저장하고 저장된 데이터를 교대로 출력하여 변조기(34)에 이전 프레임 데이터 즉, n-1 번째 프레임 데이터(Fn-1)를 공급한다. The first and
룩업 테이블(34)은 데이터 입력버스(33)로부터의 n 번째 프레임 데이터(Fn)와 제1 및 제2 프레임 메모리(33a, 33b)로부터의 n-1 번째 프레임 데이터(Fn-1)를 비교하고 그 비교결과에 대응하는 변조 데이터(MRGB)를 표 1과 같은 변조 데이터를 선택한다. 변조 데이터(MRGB)는 룩업 테이블(34) 내의 읽기 전용 메모리(ROM)에 저장된다. The lookup table 34 compares the n th frame data Fn from the data input bus 33 with the n-1 th frame data Fn-1 from the first and
표 1에 있어서, 최좌측열은 이전 프레임(Fn-1)의 데이터이며, 최상측행은 현재 프레임(Fn)의 데이터이다.In Table 1, the leftmost column is data of the previous frame Fn-1, and the uppermost row is data of the current frame Fn.
n 번째 프레임 기간 동안, 실선으로 나타낸 바와 같이 동일한 픽셀 클럭에 맞추어 n 번째 프레임 데이터(Fn)는 제1 프레임 메모리(33a)에 저장됨과 동시에 룩업 테이블(34)에 공급된다. 이와 동시에 n 번째 프레임 기간 동안 제2 프레임 메모리(33b)는 n-1 번째 프레임 데이터(Fn-1)를 룩업 테이블(34)에 공급한다. During the nth frame period, the nth frame data Fn is stored in the
이와 달리, n+1 번째 프레임 기간 동안, 점선으로 나타낸 바와 같이 동일한 픽셀 클럭에 맞추어 현재의 n+1 번째 프레임 데이터(Fn+1)는 제2 프레임 메모리(33b)에 저장됨과 동시에 룩업 테이블(34)에 공급된다. 이와 동시에 n+1 번째 프레임 기간 동안 제1 프레임 메모리(33b)는 n 번째 프레임 데이터(Fn)를 룩업 테이블(34)에 공급한다. In contrast, during the n + 1 th frame period, the current n + 1 th frame data Fn + 1 is stored in the
이와 같이 고속 구동장치는 도 3과 같이 2 개의 프레임 메모리(33a, 33b), 룩업 테이블의 메모리 및 메모리 제어회로, 그리고 룩업 테이블(34)에 데이터를 공급하고 룩업 테이블(34)로부터의 변조 데이터를 액정표시장치에 공급하기에 적합하게 설계된 타이밍 콘트롤러(또는 ASIC)를 포함하기 때문에 액정표시장치의 응답속도를 개선할 수 있으나 액정표시장치의 구동회로를 더 복잡하게 하고 회로의 발열양을 증가시키며 액정표시장치의 제조비용을 상승시키는 주요 원인으로 작용하고 있다. As described above, the high speed driving device supplies data to the two
따라서, 본 발명의 목적은 액정의 응답속도를 개선하도록 한 감마기준전압 가변회로를 제공함에 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a gamma reference voltage variable circuit for improving the response speed of liquid crystals.
본 발명의 다른 목적은 상기 감마기준전압 가변회로를 이용하여 최소한의 회로구성으로 액정의 응답속도를 개선하고 회로의 발열양을 줄이도록 한 액정표시장치를 제공함에 있다. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device using the gamma reference voltage variable circuit to improve the response speed of the liquid crystal and reduce the amount of heat generated by the circuit with a minimum circuit configuration.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 감마기준전압 가변회로는 고전위 전압원과 저전위 전압원 사이에 접속되어 고전위 전압과 저전위 전압을 분압하여 다수의 출력노드들을 통해 다수의 감마기준전압들을 발생하는 분압회로와; 이웃하는 상기 출력노드들 사이에 접속되어 제어신호에 응답하여 상기 감마기준전압들을 가변하기 위한 스위치회로를 구비한다. In order to achieve the above object, the gamma reference voltage variable circuit according to the first embodiment of the present invention is connected between a high potential voltage source and a low potential voltage source to divide a high potential voltage and a low potential voltage to a plurality of output nodes. A voltage divider circuit for generating gamma reference voltages of; And a switch circuit connected between neighboring output nodes to vary the gamma reference voltages in response to a control signal.
상기 제어신호는 1/2 수평기간 이하의 기간 동안 발생된다. The control signal is generated for a period of 1/2 horizontal period or less.
상기 출력 노드들은 소정의 공통전압보다 높은 감마기준전압들을 발생하는 정극성 출력 노드들과; 상기 공통전압보다 낮은 감마기준전압들을 발생하는 부극성 출력 노드들을 포함한다. The output nodes include positive output nodes generating gamma reference voltages higher than a predetermined common voltage; And negative output nodes generating gamma reference voltages lower than the common voltage.
상기 스위치회로는 하이논리전압의 상기 제어신호에 응답하여 이웃하는 상기 정극성 출력노드들 중 어느 하나로부터의 정극성 감마기준전압을 선택하는 다수의 제1 스위치소자들과; 로우논리전압의 상기 제어신호에 응답하여 상기 이웃하는 정극성 출력노드들 중 다른 하나로부터의 정극성 감마기준전압을 선택하는 다수의 제2 스위치소자들과; 상기 하이논리전압의 제어신호에 응답하여 이웃하는 상기 부극성 출력노드들 중 어느 하나로부터의 부극성 감마기준전압을 선택하는 다수의 제3 스위치소자들과; 상기 로우논리전압의 제어신호에 응답하여 상기 이웃하는 부극성 출력노드들 중 다른 하나로부터의 부극성 감마기준전압을 선택하는 다수의 제4 스위치소자들을 구비한다. The switch circuit includes a plurality of first switch elements for selecting a positive gamma reference voltage from any one of the neighboring positive output nodes in response to the control signal of a high logic voltage; A plurality of second switch elements for selecting a positive gamma reference voltage from another one of the neighboring positive output nodes in response to the control signal of a low logic voltage; A plurality of third switch elements for selecting a negative gamma reference voltage from any one of the neighboring negative output nodes in response to the control signal of the high logic voltage; And a plurality of fourth switch elements configured to select a negative gamma reference voltage from another one of the neighboring negative output nodes in response to the low logic voltage control signal.
본 발명의 제2 실시예에 따른 감마기준전압 가변회로는 제1 고전위 전압원과 제1 저전위 전압원 사이에 접속되어 제1 고전위 전압과 제1 저전위 전압을 분압하여 다수의 제1 출력노드들을 통해 다수의 제1 감마기준전압들을 발생하는 제1 분압회로와; 제2 고전위 전압원과 제2 저전위 전압원 사이에 접속되어 제2 고전위 전압과 제2 저전위 전압을 분압하여 다수의 제2 출력노드들을 통해 다수의 제2 감마기준전압들을 발생하는 제2 분압회로와; 상기 제1 분압회로의 제1 출력노드들과 상기 제2 분압회로의 제2 출력노드들 사이에 접속되어 제어신호에 응답하여 상기 제1 감마기준전압들과 상기 제2 감마기준전압들 중 어느 하나를 선택하는 스위치회로를 구비한다. The gamma reference voltage variable circuit according to the second embodiment of the present invention is connected between the first high potential voltage source and the first low potential voltage source to divide the first high potential voltage and the first low potential voltage to provide a plurality of first output nodes. A first voltage divider circuit generating a plurality of first gamma reference voltages through the first voltage divider; A second divided voltage connected between the second high potential voltage source and the second low potential voltage source to divide the second high potential voltage and the second low potential voltage to generate a plurality of second gamma reference voltages through the plurality of second output nodes; Circuits; Any one of the first gamma reference voltages and the second gamma reference voltages is connected between the first output nodes of the first voltage divider circuit and the second output nodes of the second voltage divider circuit in response to a control signal. And a switch circuit for selecting.
상기 제1 출력 노드들은 소정의 공통전압보다 높은 제1 정극성 감마기준전압들을 발생하는 제1 정극성 출력 노드들과; 상기 공통전압보다 낮은 제1 부극성 감마기준전압들을 발생하는 제1 부극성 출력 노드들을 포함한다. The first output nodes include first positive output nodes generating first positive gamma reference voltages higher than a predetermined common voltage; And first negative output nodes generating first negative gamma reference voltages lower than the common voltage.
상기 제2 출력 노드들은, 상기 제1 정극성 감마기준전압들보다 낮고 상기 공통전압보다 높은 제2 정극성 감마기준전압들을 발생하는 제2 정극성 출력 노드들과; 상기 제1 부극성 감마기준전압들보다 높고 상기 공통전압보다 낮은 제2 부극성 감마기준전압들을 발생하는 제2 부극성 출력 노드들을 포함한다. The second output nodes comprise: second positive output nodes generating second positive gamma reference voltages lower than the first positive gamma reference voltages and higher than the common voltage; And second negative output nodes generating second negative gamma reference voltages higher than the first negative gamma reference voltages and lower than the common voltage.
상기 스위치회로는 하이논리전압의 상기 제어신호에 응답하여 상기 제1 정극성 출력노드와 상기 제2 정극성 출력노드 중 어느 하나로부터의 정극성 감마기준전압을 선택하는 다수의 제1 스위치소자들과; 로우논리전압의 상기 제어신호에 응답하여 상기 제1 정극성 출력노드와 상기 제2 정극성 출력노드 중 다른 하나로부터의 정극성 감마기준전압을 선택하는 다수의 제2 스위치소자들과; 상기 하이논리전압의 제어신호에 응답하여 상기 제1 부극성 출력노드와 상기 제2 부극성 출력노드 중 어느 하나로부터의 부극성 감마기준전압을 선택하는 다수의 제3 스위치소자들과; 로우논리전압의 상기 제어신호에 응답하여 상기 제2 부극성 출력노드와 상기 제2 부극성 출력노드 중 다른 하나로부터의 부극성 감마기준전압을 선택하는 다수의 제4 스위치소자들을 구비한다. The switch circuit includes a plurality of first switch elements configured to select a positive gamma reference voltage from any one of the first positive output node and the second positive output node in response to the control signal having a high logic voltage. ; A plurality of second switch elements for selecting a positive gamma reference voltage from another of the first positive output node and the second positive output node in response to the control signal of a low logic voltage; A plurality of third switch elements configured to select a negative gamma reference voltage from any one of the first negative output node and the second negative output node in response to the control signal of the high logic voltage; And a plurality of fourth switch elements for selecting a negative gamma reference voltage from the other of the second negative output node and the second negative output node in response to the control signal having a low logic voltage.
본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치는 데이터라인들과 게이트라인들이 교차되고 다수의 액정셀들이 배치되는 액정표시패널과; 고전위 전압원과 저전위 전압원 사이에 접속되어 고전위 전압과 저전위 전압을 분압하여 다수의 출력노드들을 통해 다수의 감마기준전압들을 발생하는 분압회로와, 이웃하는 상기 출력노드들 사이에 접속되어 제어신호에 응답하여 상기 감마기준전압들을 가변하기 위한 스위치회로를 포함한 감마기준전압 가변회로와; 상기 감마기준전압 가변회로로부터의 감마기준전압들을 이용하여 디지털 비디오 데이터를 아날로그 화소전압으로 변환하여 상기 데이터라인들에 공급하는 데이터 구동부와; 스캔펄스를 상기 게이트라인들에 공급하는 게이트 구동부와; 상기 디지털 비디오 데이터를 상기 데이터 구동부에 공급하고 상기 제어신호와 상기 구동부들에 필요한 타이밍 제어신호들을 발생한다. A liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention comprises: a liquid crystal display panel in which data lines and gate lines intersect and a plurality of liquid crystal cells are disposed; A voltage divider circuit connected between a high potential voltage source and a low potential voltage source to divide a high potential voltage and a low potential voltage to generate a plurality of gamma reference voltages through a plurality of output nodes, and connected to and controlled between the neighboring output nodes. A gamma reference voltage variable circuit including a switch circuit for varying the gamma reference voltages in response to a signal; A data driver converting digital video data into an analog pixel voltage using the gamma reference voltages from the gamma reference voltage variable circuit and supplying the analog pixel voltages to the data lines; A gate driver supplying scan pulses to the gate lines; The digital video data is supplied to the data driver to generate the control signal and timing control signals required for the drivers.
본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시장치는 데이터라인들과 게이트라인들이 교차되고 다수의 액정셀들이 배치되는 액정표시패널과; 제1 고전위 전압원과 제1 저전위 전압원 사이에 접속되어 제1 고전위 전압과 제1 저전위 전압을 분압하여 다수의 제1 출력노드들을 통해 다수의 제1 감마기준전압들을 발생하는 제1 분압회로와, 제2 고전위 전압원과 제2 저전위 전압원 사이에 접속되어 제2 고전위 전압과 제2 저전위 전압을 분압하여 다수의 제2 출력노드들을 통해 다수의 제2 감마기준전압들을 발생하는 제2 분압회로와, 상기 제1 분압회로의 제1 출력노드들과 상기 제2 분압회로의 제2 출력노드들 사이에 접속되어 제어신호에 응답하여 상기 제1 감마기준전압들과 상기 제2 감마기준전압들 중 어느 하나를 선택하는 스위치회로를 포함한 감마기준전압 가변회로와; 상기 감마기준전압 가변회로로부터의 감마기준전압들을 이용하여 디지털 비디오 데이터를 아날로그 화소전압으로 변환하여 상기 데이터라인들에 공급하는 데이터 구동부와; 스캔펄스를 상기 게이트라인들에 공급하는 게 이트 구동부와; 상기 디지털 비디오 데이터를 상기 데이터 구동부에 공급하고 상기 제어신호와 상기 구동부들에 필요한 타이밍 제어신호들을 발생하는 타이밍 콘트롤러를 구비한다. A liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention includes a liquid crystal display panel in which data lines and gate lines intersect and a plurality of liquid crystal cells are disposed; A first divided voltage connected between the first high potential voltage source and the first low potential voltage source to divide the first high potential voltage and the first low potential voltage to generate a plurality of first gamma reference voltages through the plurality of first output nodes; A circuit connected between the second high potential voltage source and the second low potential voltage source to divide the second high potential voltage and the second low potential voltage to generate a plurality of second gamma reference voltages through the plurality of second output nodes. A second voltage divider circuit is connected between the first output nodes of the first voltage divider circuit and the second output nodes of the second voltage divider circuit so as to respond to a control signal, the first gamma reference voltages and the second gamma. A gamma reference voltage variable circuit including a switch circuit for selecting any one of the reference voltages; A data driver converting digital video data into an analog pixel voltage using the gamma reference voltages from the gamma reference voltage variable circuit and supplying the analog pixel voltages to the data lines; A gate driver for supplying scan pulses to the gate lines; And a timing controller configured to supply the digital video data to the data driver and generate the control signal and timing control signals required by the drivers.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예의 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention will become apparent from the following description of embodiments with reference to the accompanying drawings.
이하, 도 5 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 12.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 데이터라인(55)과 게이트라인(56)이 교차되며 그 교차부에 액정셀(Clc)을 구동하기 위한 TFT가 형성된 액정표시패널(57)과, 그 액정표시패널(57)을 구동하기 위한 데이터 구동부(53), 게이트 구동부(54) 및 타이밍 콘트롤러(51)와, 데이터 구동부(53)에 가변 감마기준전압들(GMA1~GMAn)을 공급하기 위한 감마기준전압 가변회로(52)를 구비한다. Referring to FIG. 5, in the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display panel in which a
액정표시패널(57)은 두 장의 유리기판 사이에 액정이 주입되며, 그 하부 유리기판 상에 데이터라인들(55)과 게이트라인들(56)이 상호 직교되도록 형성된다. 데이터라인들(55)과 게이트라인들(56)의 교차부에 형성된 TFT는 게이트라인(56)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 데이터라인들(55)로부터의 데이터를 액정셀(Clc)에 공급하게 된다. 이를 위하여, TFT의 게이트전극은 게이트라인(56)에 접속되며, 소스전극은 데이터라인(55)에 접속된다. 그리고 TFT의 드레인전극은 액정셀(Clc)의 화소전극에 접속된다. 또한, 액정표시패널(57)의 하부유리기판 상에는 액정셀(Clc)의 전압을 유지시키기 위한 스토리지 캐패시터(Storage Capacitor, Cst)가 형 성된다. 이 스토리지 캐패시터(Cst)는 액정셀(Clc)과 전단 게이트라인(56) 사이에 형성될 수도 있으며, 액정셀(Clc)과 별도의 공통라인 사이에 형성될 수도 있다. In the liquid
타이밍 콘트롤러(51)는 수직/수평 동기신호(V,H)와 픽셀클럭(CLK)을 이용하여 게이트 구동부(54)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC), 데이터 구동부(53)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC), 및 감마기준전압 가변회로(52)를 제어하기 위한 고속구동 제어신호(ODC)를 발생한다. 데이터 제어신호(DDC)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse : SSP), 소스 쉬프트 클럭(Source Shift Clock : SSC), 소스 출력신호(Source Output Enable : SOE), 극성신호(Polarity : POL) 등을 포함한다. 게이트 제어신호(GDC)는 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock : GSC), 게이트 출력신호(Gate Output Enable : GOE), 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse : GSP) 등을 포함한다. 고속구동 제어신호(ODC)는 대략 1/2 수평기간 동안 게이트펄스 또는 스캔펄스에 동기되어 발생된다. 이 고속구동 제어신호(ODC)은 게이트펄스 또는 스캔펄스와 동기되어 1/2 수평기간 이하의 기간 동안 발생되는 별도의 클럭으로 발생되거나 게이트 쉬프트 클럭(GSC)과 같이 기존에 발생되는 클럭으로 발생될 수 있다. The
감마기준전압 가변회로(52)는 고속구동 제어신호(ODC)에 응답하여 1/2 수평기간 이하의 기간 동안 정극성 감마기준전압들의 전압을 더 높이는 반면에 부극성 감마기준전압들의 전압을 더 낮추어 가변 감마기준전압들(GMA1~GMAn)을 발생한다. 이 가변 감마기준전압들(GMA1~GMAn)에 의해 액정셀(Clc)에 인가되는 정극성 전압은 더 높아지는 반면에, 액정셀(Clc)에 인가되는 부극성 감마전압은 더 낮아지므로 수 학식 1에서이 커진다. 따라서, 가변 감마기준전압들(GMA1~GMAn)에 의해 액정셀(Clc)의 응답특성이 향상된다. The gamma reference
데이터 구동부(53)는 쉬프트레지스터, 타이밍 콘트롤러(51)로부터의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 일시저장하기 위한 레지스터, 쉬프트레지스터로부터의 클럭신호에 응답하여 데이터를 1 라인분씩 저장하고 저장된 1 라인분의 데이터를 동시에 출력하기 위한 래치, 래치로부터의 디지털 데이터값에 대응하여 가변 감마기준전압들(GMA1~GMAn)에 의해 얻어지는 아날로그 정극성/부극성의 감마보상전압을 선택하기 위한 디지털/아날로그 변환기, 정극성/부극성 감마보상전압이 공급되는 데이터라인(55)을 선택하기 위한 멀티플렉서, 및 멀티플렉서와 데이터라인(55) 사이에 접속된 출력버퍼 등으로 구성된다. 이 데이터 구동부(53)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력 받고 그 디지털 비디오 데이터(RGB)를 가변 감마기준전압들(GMA1~GMAn)에 의해 얻어지는 아날로그 정극성/부극성 감마보상전압으로 변환하며, 그 아날로그 정극성/부극성 감마보상전압을 화소전압으로써 타이밍 콘트롤러(51)의 제어 하에 액정표시패널(57)의 데이터라인들(55)에 공급한다. The
게이트 구동부(54)는 타이밍 콘트롤러(51)로부터의 게이트 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔펄스를 순차적으로 발생하는 쉬프트 레지스터, 스캔펄스의 스윙폭을 액정셀(Clc)의 구동에 적합한 레벨로 쉬프트 시키기 위한 레벨 쉬프터, 출력버퍼 등으로 구성된다. 이 게이트 구동부(54)는 스캔펄스를 게이트라인(56)에 공급함으로써 그 게이트라인(56)에 접속된 TFT들을 턴-온(Turn-on)시켜 데이터의 화소전압 즉, 아날로그 감마보상전압이 공급될 1 수평라인의 액정셀들(Clc)을 선택한다. 데이터 구동부(53)로부터 발생되는 데이터들은 스캔펄스에 동기됨으로써 선택된 1 수평라인의 액정셀들(Clc)에 공급된다. The
도 6 및 도 7은 감마기준전압 가변회로(52)의 제1 실시예를 나타내는 회로도이다. 6 and 7 are circuit diagrams showing a first embodiment of the gamma reference
도 6 및 도 7을 참조하면, 감마기준전압 가변회로(52)는 고전위 공통전압원(VDD)과 저전위 공통전압원(VSS) 사이에 직렬 접속되는 분압저항들(R1~R13)과, 출력 노드들(n1~n12)에 접속되는 스위치소자들(nT1~pT6)을 구비한다. 저전위 공통전압(VSS)은 0V 또는 소정의 기저전압(GND)이다. 6 and 7, the gamma reference
분압저항들(R1 내지 R13)은 정극성 가변 감마기준전압들(GMA1~GMA3)을 발생하는 제1 분압저항군(R1~R6)과, 부극성 가변 감마기준전압들(GMA4~GMA6)을 발생하는 제2 분압저항군(R7~R12)으로 나뉘어진다. The divided resistors R1 to R13 may include the first divided resistor groups R1 to R6 for generating the positively variable gamma reference voltages GMA1 to GMA3 and the negative variable variable gamma reference voltages GMA4 to GMA6. It is divided into 2nd voltage division resistance group R7-R12.
제1 분압저항군(R1~R6)은 고전위 공통전압(VDD)과 제6 출력 노드(n6)의 전압을 분압하여, 2n-1(단, n은 양의 정수) 번째 정극성 출력 노드들(n1, n3, n5)을 통해 공통전압(Vcom)보다 높은 정극성 고속 구동용 감마기준전압을 발생하고, 2n 번째 정극성 출력 노드들(n2, n4, n6)을 통해 공통전압(Vcom)보다 높은 정극성 정상 감마기준전압을 발생한다. The first divided resistor groups R1 to R6 divide the high potential common voltage VDD and the voltages of the sixth output node n6, so that 2n-1 (where n is a positive integer) second positive output nodes ( A gamma reference voltage for positive fast driving higher than the common voltage Vcom is generated through n1, n3, and n5, and higher than the common voltage Vcom through the 2nth positive output nodes n2, n4, and n6. Generates a positive normal gamma reference voltage.
제2 분압저항군(R7~R12)은 제7 출력 노드(n7)의 전압과 저전위 공통전압(VSS)을 분압하여, 2n-1(단, n은 양의 정수) 번째 부극성 출력 노드들(n7, n9, n11)을 통해 공통전압(Vcom)보다 낮은 부극성 정상 감마기준전압을 발생하고, 2n 번째 정극성 출력 노드들(n8, n10, n12)을 통해 공통전압(Vcom)보다 낮은 부극성 고속 구동용 감마기준전압을 발생한다. The second voltage divider groups R7 to R12 divide the voltage of the seventh output node n7 and the low potential common voltage VSS to divide the 2n-1 (where n is a positive integer) second negative output node ( Generate negative normal gamma reference voltage lower than common voltage Vcom through n7, n9, n11 and negative polarity lower than common voltage Vcom through 2nth positive output nodes n8, n10, n12. Generates gamma reference voltage for high speed drive.
스위치소자들(nT1~pT6)은 이웃하는 정극성 출력 노드들(n1~n6) 사이에 접속되어 고속구동 제어신호(ODC)에 따라 정극성 감마기준전압들을 선택하는 제1 스위치군(nT1~pT3)과, 이웃하는 부극성 출력 노드들(n7~n12) 사이에 접속되어 고속구동 제어신호(ODC)에 따라 부극성 감마기준전압들을 선택하는 제2 스위치군(nT4~pT6)으로 나뉘어진다. The switch elements nT1 to pT6 are connected between neighboring positive output nodes n1 to n6 to select the first switch group nT1 to pT3 to select the positive gamma reference voltages according to the fast drive control signal ODC. ) And a second switch group nT4 to pT6 connected between neighboring negative output nodes n7 to n12 to select the negative gamma reference voltages according to the high speed drive control signal ODC.
제1 스위치군(nT1~pT3)은 하이논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(H))에 응답하여 2n-1 번째 정극성 출력 노드들(n1, n3, n5)로부터의 정극성 고속 구동용 감마기준전압을 정극성 감마기준전압들(GMA1, GMA2, GMA3)로써 출력하는 제1 내지 제3 n 타입 MOS-FET(nT1, nT2, nT3)와, 로우논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(L))에 응답하여 2n 번째 정극성 출력 노드들(n2, n4, n6)로부터의 정극성 정상 감마기준전압을 정극성 감마기준전압들(GMA1, GMA2, GMA3)로써 출력하는 제1 내지 제3 p 타입 MOS-FET(pT1, pT2, pT3)를 포함한다. 제1 내지 제3 n 타입 MOS-FET(nT1, nT2, nT3)의 게이트단자는 고속구동제어신호 입력단자와 접속되고, 제1 내지 제3 n 타입 MOS-FET(nT1, nT2, nT3)의 소스단자는 2n-1 번째 정극성 출력 노드들(n1, n3, n5)에 접속된다. 제1 내지 제3 p 타입 MOS-FET(pT1, pT2, pT3)의 게이트단자는 고속구동제어신호 입력단자와 접속되고, 제1 내지 제3 p 타입 MOS-FET(pT1, pT2, pT3)의 소스단자는 2n 번째 정극성 출력 노드들(n2, n4, n6)에 접속된다. 그리고 제1 내지 제3 n 타입 MOS-FET(nT1, nT2, nT3)의 드레인단자와 제1 내지 제3 p 타입 MOS-FET(pT1, pT2, pT3)의 드레인단자는 정극성 감마기준전압 출력단자(GMA1, GMA2, GMA3)에 접속된다. The first switch group nT1 to pT3 is used for positive fast driving from the 2n-1th positive output nodes n1, n3 and n5 in response to the high speed drive control signal ODC (H). First to third n-type MOS-FETs (nT1, nT2, nT3) for outputting the gamma reference voltage as the positive gamma reference voltages GMA1, GMA2, and GMA3, and a high-speed driving control signal (ODC) having a low logic voltage. L-1), the first to third outputting the positive normal gamma reference voltages from the 2n-th positive output nodes n2, n4, n6 as the positive gamma reference voltages GMA1, GMA2, and GMA3. p type MOS-FETs (pT1, pT2, pT3). Gate terminals of the first to third n-type MOS-FETs (nT1, nT2, nT3) are connected to the high-speed drive control signal input terminals, and sources of the first to third n-type MOS-FETs (nT1, nT2, nT3). The terminal is connected to the 2n-1 < th > positive polarity output nodes n1, n3, n5. Gate terminals of the first to third p-type MOS-FETs pT1, pT2 and pT3 are connected to the high-speed drive control signal input terminals, and sources of the first to third p-type MOS-FETs pT1, pT2 and pT3. The terminal is connected to the 2n-th positive output nodes n2, n4, n6. The drain terminals of the first to third n-type MOS-FETs (nT1, nT2, nT3) and the drain terminals of the first to third p-type MOS-FETs (pT1, pT2, and pT3) are positive gamma reference voltage output terminals. (GMA1, GMA2, GMA3).
제2 스위치군(nT4~pT6)은 로우논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(L))에 응답하여 2n-1 번째 부극성 출력 노드들(n7, n9, n11)로부터의 부극성 정상 감마기준전압을 부극성 감마기준전압들(GMA4, GMA5, GMA6)로써 출력하는 제4 내지 제6 p 타입 MOS-FET(pT4, pT5, pT6)와, 하이논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(H))에 응답하여 2n 번째 부극성 출력 노드들(n8, n10, n12)로부터의 부극성 고속 구동용 감마기준전압을 부극성 감마기준전압들(GMA4, GMA5, GMA6)로써 출력하는 제4 내지 제6 n 타입 MOS-FET(nT4, nT5, nT6)를 포함한다. 제4 내지 제6 p 타입 MOS-FET(pT4, pT5, pT6)의 게이트단자는 고속구동제어신호 입력단자와 접속되고, 제4 내지 제6 p 타입 MOS-FET(pT4, pT5, pT6)의 소스단자는 2n-1 번째 부극성 출력 노드들(n7, n9, n11)에 접속된다. 제4 내지 제6 n 타입 MOS-FET(nT4, nT5, nT6)의 게이트단자는 고속구동제어신호 입력단자와 접속되고, 제4 내지 제6 n 타입 MOS-FET(nT4, nT4, nT6)의 소스단자는 2n 번째 부극성 출력 노드들(n8, n10, n12)에 접속된다. 그리고 제4 내지 제6 p 타입 MOS-FET(pT4, pT5, pT6)의 드레인단자와 제4 내지 제6 n 타입 MOS-FET(nT4, nT5, nT6)의 드레인단자는 부극성 감마기준전압 출력단자(GMA4, GMA5, GMA6)에 접속된다. The second switch group nT4 to pT6 have a negative normal gamma reference from the 2n−1 th negative output nodes n7, n9 and n11 in response to the high speed drive control signal ODC (L) having a low logic voltage. Fourth to sixth p-type MOS-FETs (pT4, pT5, and pT6) outputting the voltage as the negative gamma reference voltages GMA4, GMA5, and GMA6, and a high-speed high-speed drive control signal (ODC (H)). Fourth to sixth outputting the negative fast gamma reference voltages from the 2n th negative output nodes n8, n10 and n12 as the negative gamma reference voltages GMA4, GMA5 and GMA6 in response to n type MOS-FETs (nT4, nT5, nT6). Gate terminals of the fourth to sixth p-type MOS-FETs pT4, pT5, and pT6 are connected to the high-speed drive control signal input terminals, and sources of the fourth to sixth p-type MOS-FETs pT4, pT5 and pT6. The terminal is connected to the 2n-1 < th > negative polarity output nodes n7, n9, n11. Gate terminals of the fourth to sixth n-type MOS-FETs (nT4, nT5, nT6) are connected to the high-speed drive control signal input terminals, and sources of the fourth to sixth n-type MOS-FETs (nT4, nT4, nT6). The terminal is connected to the 2nth negative output nodes n8, n10, n12. The drain terminals of the fourth to sixth p-type MOS-FETs (pT4, pT5, and pT6) and the drain terminals of the fourth to sixth n-type MOS-FETs (nT4, nT5, and nT6) are connected to the negative gamma reference voltage output terminal. (GMA4, GMA5, GMA6).
본 발명의 제1 실시예에 따른 감마기준전압 가변회로(52)의 동작을 설명하면 다음과 같다. The operation of the gamma reference
스캔펄스 또는 게이트펄스에 동기되어 고속 구동 제어신호(ODC)가 대략 1/2 수평기간 이하의 기간 동안 하이논리전압(H)으로 발생되면, 제1 내지 제6 n 타입 MOS-FET들(nT1~nT6)은 턴-온되는 반면, 제1 내지 제6 p 타입 MOS-FET들(pT1~pT6)은 턴-오프된다. 그러면 도 6과 같이 정극성 감마기준전압 출력단자들을 통해 정극성 정상 감마기준전압들보다 상대적으로 높은 정극성 고속 구동용 감마기준전압들(GMA1(H), GMA2(H), GMA3(H))이 데이터 구동부(53)에 공급되고, 부극성 감마기준전압 출력단자들을 통해 부극성 정상 감마기준전압들보다 상대적으로 낮은(절대값은 더 높은) 부극성 고속 구동용 감마기준전압들(GMA4(L), GMA5(L), GMA6(L))이 데이터 구동부(53)에 공급된다. When the high speed driving control signal (ODC) is generated at the high logic voltage (H) for a period of about 1/2 horizontal period or less in synchronization with the scan pulse or the gate pulse, the first to sixth n-type MOS-FETs nT1 to nT6 is turned on, while first to sixth p-type MOS-FETs pT1 to pT6 are turned off. Then, as shown in FIG. 6, the gamma reference voltages GMA1 (H), GMA2 (H), and GMA3 (H) for positive fast driving are higher than the positive normal gamma reference voltages through the positive gamma reference voltage output terminals. The
고속 구동 제어신호(ODC)가 로우논리전압(L)으로 발생되면, 제1 내지 제6 n 타입 MOS-FET들(nT1~nT6)은 턴-오프되는 반면, 제1 내지 제6 p 타입 MOS-FET들(pT1~pT6)은 턴-온된다. 그러면 도 7과 같이 정극성 감마기준전압 출력단자들을 통해 정극성 정상 감마기준전압들(GMA1(L), GMA2(L), GMA3(L))이 데이터 구동부(53)에 공급되고, 부극성 감마기준전압 출력단자들을 통해 부극성 정상 감마기준전압들(GMA4(H), GMA5(H), GMA6(H))이 데이터 구동부(53)에 공급된다. When the fast driving control signal ODC is generated with the low logic voltage L, the first to sixth n-type MOS-FETs nT1 to nT6 are turned off while the first to sixth p-type MOS- are turned off. FETs pT1 to pT6 are turned on. Then, the positive normal gamma reference voltages GMA1 (L), GMA2 (L), and GMA3 (L) are supplied to the
도 8 및 도 9는 감마기준전압 가변회로(52)의 제2 실시예를 나타내는 회로도이다. 8 and 9 are circuit diagrams showing a second embodiment of the gamma reference
도 8 및 도 9를 참조하면, 감마기준전압 가변회로(52)는 고속구동용 감마기준전압을 발생하는 제1 감마기준전압 가변회로(62)와, 정상구동용 감마기준전압을 발생하는 제2 감마기준전압 가변회로(64)와, 고속구동 제어신호(ODC)에 응답하여 제1 감마기준전압 가변회로(62)의 출력전압과 제2 감마기준전압 가변회로(64)의 출력전압을 선택하는 스위치소자들(nT1~pT6)을 구비한다. 8 and 9, the gamma reference
제1 감마기준전압 가변회로(62)는 고속구동용 고전위 공통전압(VDD-ODC)과 저전위 공통전압(VSS)을 다수의 저항들(R21~R27)로 분압하여 출력 노드들(n21~n26)을 통해 고속구동용 감마기준전압들을 발생한다. The first gamma reference
제1 감마기준전압 가변회로(62)의 분압저항들(R21 내지 R27)은 정극성 고속구동용 감마기준전압들을 발생하는 제1 분압저항군(R21~R23)과, 부극성 고속구동용 감마기준전압들을 발생하는 제2 분압저항군(R25~R27)으로 나뉘어진다. The divided resistors R21 to R27 of the first gamma reference
제1 분압저항군(R21~R23)은 고속구동용 고전위 공통전압(VDD-ODC)과 제23 출력 노드(n23)의 전압을 분압하여 제21, 22, 23 출력 노드들(n21, n22, n23)을 통해 정극성 고속구동용 감마기준전압들을 발생한다. The first voltage divider groups R21 to R23 divide the voltages of the high-speed driving high potential common voltage VDD-ODC and the twenty-third output node n23 to generate the twenty-first, 22, and 23 output nodes n21, n22, and n23. ) Generates gamma reference voltages for positive fast drive.
제2 분압저항군(R25~R27)은 제24 출력 노드(n24)의 전압과 저전위 공통전압(VSS)을 분압하여, 제24, 25, 26 출력 노드들(n24, n25, n26)을 통해 부극성 고속구동용 감마기준전압들을 발생한다. The second voltage divider resistors R25 to R27 divide the voltage of the 24th output node n24 and the low potential common voltage VSS to be negatively connected through the 24th, 25th, and 26th output nodes n24, n25, and n26. Generates gamma reference voltages for polarity fast drive.
제2 감마기준전압 가변회로(64)는 종래의 감마기준전압 발생회로와 실질적으로 동일하게 구성되어 종래 기술과 유사하게 동작한다. 즉, 제2 감마기준전압 가변회로(64)는 정상구동용 고전위 공통전압(VDD-normal)과 저전위 공통전압(VSS)을 다수의 저항들(R31~R37)로 분압하여 출력 노드들(n31~n36)을 통해 정상구동용 감마기준전압들을 발생한다. The second gamma reference
제2 감마기준전압 가변회로(64)의 분압저항들(R31 내지 R37)은 정극성 정상구동용 감마기준전압들을 발생하는 제3 분압저항군(R31~R33)과, 부극성 정상구동용 감마기준전압들을 발생하는 제4 분압저항군(R35~R37)으로 나뉘어진다. The divided resistors R31 to R37 of the second gamma reference
제3 분압저항군(R31~R33)은 정상구동용 고전위 공통전압(VDD-normal)과 제33 출력 노드(n33)의 전압을 분압하여 제31, 32, 33 출력 노드들(n31, n32, n33)을 통해 정극성 정상구동용 감마기준전압들을 발생한다. The third voltage divider groups R31 to R33 divide the voltages of the high driving common voltage VDD-normal and the 33rd output node n33 by the
제4 분압저항군(R35~R37)은 제34 출력 노드(n44)의 전압과 저전위 공통전압(VSS)을 분압하여, 제34, 35, 36 출력 노드들(n34, n35, n36)을 통해 부극성 정상구동용 감마기준전압들을 발생한다. The fourth divided resistor groups R35 to R37 divide the voltage of the thirty-fourth output node n44 and the low potential common voltage VSS to be negative through the thirty-fourth, thirty-sixth, and thirty-fourth output nodes n34, n35, and n36. Generate gamma reference voltages for polarity normal driving.
스위치소자들(nT1~pT6)은 스캔펄스 또는 게이트펄스에 동기되어 1/2 수평기간 이하의 기간 동안 발생되는 하이논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(H))에 응답하여 제1 감마기준전압 가변회로(62)로부터 출력되는 고속구동용 감마기준전압들을 데이터 구동부(53)에 공급되는 감마기준전압으로 선택하는 반면에, 로우논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(L))에 응답하여 제2 감마기준전압 가변회로(64)로부터 출력되는 정상구동용 감마기준전압들을 데이터 구동부(53)에 공급되는 감마기준전압으로 선택한다. The switch elements nT1 to pT6 are the first gamma reference voltage in response to the high logic high speed drive control signal ODC (H) generated during a period of 1/2 horizontal period or less in synchronization with a scan pulse or a gate pulse. While the high-speed driving gamma reference voltages output from the
이 스위치소자들(nT1~pT6)은 정극성 감마기준전압들을 선택하는 제1 스위치군(nT1~pT3)과, 부극성 감마기준전압들을 선택하는 제2 스위치군(nT4~pT6)으로 나뉘어진다. The switch elements nT1 to pT6 are divided into a first switch group nT1 to pT3 for selecting the positive gamma reference voltages and a second switch group nT4 to pT6 for selecting the negative gamma reference voltages.
제1 스위치군(nT1~pT3)은 하이논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(H))에 응답하여 제21, 22, 23 출력 노드들(n21, n22, n23)로부터의 정극성 고속 구동용 감마기준전압을 정극성 감마기준전압들(GMA1, GMA2, GMA3)로써 출력하는 제1 내지 제3 n 타입 MOS-FET(nT1, nT2, nT3)와, 로우논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(L))에 응답하여 제31, 32, 33 출력 노드들(n31, n32, n34)로부터의 정극성 정상 감마기준전압을 정극성 감마기준전압들(GMA1, GMA2, GMA3)로써 출력하는 제1 내지 제3 p 타입 MOS-FET(pT1, pT2, pT3)를 포함한다. 제1 내지 제3 n 타입 MOS-FET(nT1, nT2, nT3)의 게이트단자는 고속구동제어신호 입력단자와 접속되고, 제1 내지 제3 n 타입 MOS-FET(nT1, nT2, nT3)의 소스단자는 제21, 22, 23 출력 노드들(n21, n22, n23)에 접속된다. 제1 내지 제3 p 타입 MOS-FET(pT1, pT2, pT3)의 게이트단자는 고속구동제어신호 입력단자와 접속되고, 제1 내지 제3 p 타입 MOS-FET(pT1, pT2, pT3)의 소스단자는 제31, 32, 33 출력 노드들(n31, n32, n33)에 접속된다. 그리고 제1 내지 제3 n 타입 MOS-FET(nT1, nT2, nT3)의 드레인단자와 제1 내지 제3 p 타입 MOS-FET(pT1, pT2, pT3)의 드레인단자는 정극성 감마기준전압 출력단자들(GMA1, GMA2, GMA3)에 접속된다. The first switch group nT1 to pT3 are used for positive high speed driving from the 21st, 22nd and 23rd output nodes n21, n22, and n23 in response to the high speed drive control signal ODC (H). First to third n-type MOS-FETs (nT1, nT2, nT3) for outputting the gamma reference voltage as the positive gamma reference voltages GMA1, GMA2, and GMA3, and a high-speed driving control signal (ODC) having a low logic voltage. L1) to first to output positive normal gamma reference voltages from the 31st, 32, and 33 output nodes n31, n32, and n34 as positive gamma reference voltages GMA1, GMA2, and GMA3. Third p-type MOS-FETs pT1, pT2, and pT3. Gate terminals of the first to third n-type MOS-FETs (nT1, nT2, nT3) are connected to the high-speed drive control signal input terminals, and sources of the first to third n-type MOS-FETs (nT1, nT2, nT3). The terminal is connected to the twenty-first, twenty-second, and twenty-third output nodes n21, n22, n23. Gate terminals of the first to third p-type MOS-FETs pT1, pT2 and pT3 are connected to the high-speed drive control signal input terminals, and sources of the first to third p-type MOS-FETs pT1, pT2 and pT3. The terminal is connected to the 31st, 32, and 33 output nodes n31, n32, n33. The drain terminals of the first to third n-type MOS-FETs (nT1, nT2, nT3) and the drain terminals of the first to third p-type MOS-FETs (pT1, pT2, and pT3) are positive gamma reference voltage output terminals. To GMA1, GMA2, and GMA3.
제2 스위치군(nT4~pT6)은 로우논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(L))에 응답하여 제34, 35, 36 출력 노드들(n34, n35, n36)로부터의 부극성 정상구동용 감마기준전압을 부극성 감마기준전압들(GMA4, GMA5, GMA6)로써 출력하는 제4 내지 제6 p 타입 MOS-FET(pT4, pT5, pT6)와, 하이논리전압의 고속구동 제어신호(ODC(H))에 응답하여 제24, 25, 26 출력 노드들(n24, n25, n26)로부터의 부극성 고속 구동용 감마기준전압을 부극성 감마기준전압들(GMA4, GMA5, GMA6)로써 출력하는 제4 내지 제6 n 타입 MOS-FET(nT4, nT5, nT6)를 포함한다. 제4 내지 제6 p 타입 MOS-FET(pT4, pT5, pT6)의 게이트단자는 고속구동제어신호 입력단자와 접속되고, 제4 내지 제6 p 타입 MOS-FET(pT4, pT5, pT6)의 소스단자는 제34, 35, 36 출력 노드들(n34, n35, n36)에 접속된다. 제4 내지 제6 n 타입 MOS-FET(nT4, nT5, nT6)의 게이트단자는 고속구동제어신호 입력단자와 접속되고, 제4 내지 제6 n 타입 MOS-FET(nT4, nT4, nT6)의 소스단자는 제24, 25, 26 출력 노드들(n24, n25, n26)에 접속된다. 그리고 제4 내지 제6 p 타입 MOS-FET(pT4, pT5, pT6)의 드레인단자와 제4 내지 제6 n 타입 MOS-FET(nT4, nT5, nT6)의 드레인단자는 부극성 감마기준전압 출력단자(GMA4, GMA5, GMA6)에 접속된다. The second switch group nT4 to pT6 are used for negative normal driving from the 34th, 35th, and 36th output nodes n34, n35, and n36 in response to the high-speed drive control signal ODC (L) of low logic voltage. Fourth to sixth p-type MOS-FETs (pT4, pT5, and pT6) outputting the gamma reference voltage as the negative gamma reference voltages GMA4, GMA5, and GMA6, and a high-speed high-speed drive control signal (ODC) H)) outputting the negative fast driving gamma reference voltages from the 24th, 25th, and 26th output nodes n24, n25, and n26 as the negative gamma reference voltages GMA4, GMA5, and GMA6. Fourth to sixth n-type MOS-FETs (nT4, nT5, nT6). Gate terminals of the fourth to sixth p-type MOS-FETs pT4, pT5, and pT6 are connected to the high-speed drive control signal input terminals, and sources of the fourth to sixth p-type MOS-FETs pT4, pT5 and pT6. The terminal is connected to the 34th, 35th, 36th output nodes n34, n35, n36. Gate terminals of the fourth to sixth n-type MOS-FETs (nT4, nT5, nT6) are connected to the high-speed drive control signal input terminals, and sources of the fourth to sixth n-type MOS-FETs (nT4, nT4, nT6). The terminal is connected to the 24th, 25th, 26th output nodes n24, n25, n26. The drain terminals of the fourth to sixth p-type MOS-FETs (pT4, pT5, and pT6) and the drain terminals of the fourth to sixth n-type MOS-FETs (nT4, nT5, and nT6) are connected to the negative gamma reference voltage output terminal. (GMA4, GMA5, GMA6).
본 발명의 제2 실시예에 따른 감마기준전압 가변회로(52)의 동작을 설명하면 다음과 같다. The operation of the gamma reference
스캔펄스 또는 게이트펄스에 동기되어 고속 구동 제어신호(ODC)가 대략 1/2 수평기간 이하의 기간 동안 하이논리전압(H)으로 발생되면, 제1 내지 제6 n 타입 MOS-FET들(nT1~nT6)은 턴-온되는 반면, 제1 내지 제6 p 타입 MOS-FET들(pT1~pT6)은 턴-오프된다. 그러면 도 8과 같이 정극성 감마기준전압 출력단자들을 통해 정극성 정상 감마기준전압들보다 상대적으로 높은 정극성 고속 구동용 감마기준전압들(GMA1(H), GMA2(H), GMA3(H))이 데이터 구동부(53)에 공급되고, 부극성 감마기준전압 출력단자들을 통해 부극성 정상 감마기준전압들보다 상대적으로 낮은(절대값은 더 높은) 부극성 고속 구동용 감마기준전압들(GMA4(L), GMA5(L), GMA6(L))이 데이터 구동부(53)에 공급된다. When the high speed driving control signal (ODC) is generated at the high logic voltage (H) for a period of about 1/2 horizontal period or less in synchronization with the scan pulse or the gate pulse, the first to sixth n-type MOS-FETs nT1 to nT6 is turned on, while first to sixth p-type MOS-FETs pT1 to pT6 are turned off. Then, as shown in FIG. 8, the gamma reference voltages GMA1 (H), GMA2 (H), and GMA3 (H) for positive fast driving are higher than the positive normal gamma reference voltages through the positive gamma reference voltage output terminals. The
고속 구동 제어신호(ODC)가 로우논리전압(L)으로 발생되면, 제1 내지 제6 n 타입 MOS-FET들(nT1~nT6)은 턴-오프되는 반면, 제1 내지 제6 p 타입 MOS-FET들(pT1~pT6)은 턴-온된다. 그러면 도 9와 같이 정극성 감마기준전압 출력단자들을 통해 정극성 정상 감마기준전압들(GMA1(L), GMA2(L), GMA3(L))이 데이터 구동부(53)에 공급되고, 부극성 감마기준전압 출력단자들을 통해 부극성 정상 감마기준전압들(GMA4(H), GMA5(H), GMA6(H))이 데이터 구동부(53)에 공급된다. When the fast driving control signal ODC is generated with the low logic voltage L, the first to sixth n-type MOS-FETs nT1 to nT6 are turned off while the first to sixth p-type MOS- are turned off. FETs pT1 to pT6 are turned on. Then, as shown in FIG. 9, the positive normal gamma reference voltages GMA1 (L), GMA2 (L), and GMA3 (L) are supplied to the
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 감마기준전압 가변회로는 감마기준전압을 발생하는 분압저항회로에 스위치소자 또는, 스위치소자와 저항을 부가하여 액정셀에 인가되는 화소전압의 절대치를 높여 액정의 응답속도를 빠르게 할 수 있다. As described above, the gamma reference voltage variable circuit according to the present invention increases the absolute value of the pixel voltage applied to the liquid crystal cell by adding a switch element or a resistor to the voltage divider circuit that generates the gamma reference voltage. You can speed it up.
본 발명에 따른 액정표시장치는 상기 감마기준전압 가변회로를 이용하여 기존 고속 구동회로에 필요한 다수의 메모리, 메모리 제어회로 등을 제거하여 회로를 단순하게 하고 회로의 발열양을 줄임으로써 타이밍 콘트롤러에 고속 구동회로에 따라 필요한 회로를 추가할 필요 없이 액정의 응답속도를 높여 동화상에서 표시품질을 높일 수 있다. The liquid crystal display according to the present invention utilizes the gamma reference voltage variable circuit to remove a plurality of memories, memory control circuits, etc. required for the existing high speed driving circuit, thereby simplifying the circuit and reducing the amount of heat generated by the high speed driving circuit. Depending on the furnace, it is possible to increase the response speed of the liquid crystal without increasing the necessary circuit, thereby improving the display quality in the moving picture.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050103176A KR101211253B1 (en) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | Variable Gamma Reference Voltage Circuit and Liquid Crystal Display Using The Same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050103176A KR101211253B1 (en) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | Variable Gamma Reference Voltage Circuit and Liquid Crystal Display Using The Same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070046450A KR20070046450A (en) | 2007-05-03 |
KR101211253B1 true KR101211253B1 (en) | 2012-12-11 |
Family
ID=38271795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050103176A KR101211253B1 (en) | 2005-10-31 | 2005-10-31 | Variable Gamma Reference Voltage Circuit and Liquid Crystal Display Using The Same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101211253B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130057703A (en) | 2011-11-24 | 2013-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Polarization switching device and driving device of the same |
KR102570416B1 (en) * | 2016-07-29 | 2023-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | DAC and Source IC having the Same and Display Device having the Same |
-
2005
- 2005-10-31 KR KR1020050103176A patent/KR101211253B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070046450A (en) | 2007-05-03 |
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