KR101206536B1

KR101206536B1 - 질소가스 파워 이젝터장치

Info

Publication number: KR101206536B1
Application number: KR1020110012214A
Authority: KR
Inventors: 이승룡
Original assignee: (주)제이솔루션
Priority date: 2011-02-11
Filing date: 2011-02-11
Publication date: 2012-11-30
Also published as: KR20120092275A

Abstract

본 발명은 반도체 및 LCD 제조장비에서 사용되는 질소가스 이젝터장치에 관한 것으로, 벤츄리 효과와 고압의 분사효과를 복합적으로 적용한 시너지작용에 의해 썩션현상을 극대화함으로써 막힘현상 없이 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 원활하게 이루어지도록 한 것이다.
이러한 본 발명은, 이송배관에 연결되는 연결배관과, 연결배관 내부에서 연결배관의 내경을 점차 줄여주었다가 원상태로 점차 넓혀주어 중간에 협소부를 갖는 벤츄리 구간을 형성하는 벤츄리부와, 연결배관의 중심축선상에 설치되어 벤츄리 구간의 협소부를 향해 고압의 질소가스를 분사하는 고압 분사노즐을 포함하여 구성된다.

Description

질소가스 파워 이젝터장치{NITROGEN GAS POWER EJECTION APPARATUS}

본 발명은 반도체 및 LCD 제조장비에 관한 것으로, 특히 벤츄리 효과와 고압의 분사효과를 복합적으로 적용한 시너지작용에 의해 썩션현상(Suction Phenomenon)을 극대화함으로써 막힘현상 없이 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 원활하게 이루어지도록 한 질소가스 이젝터장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.

이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유하는 반응부산물 가스가 다량으로 발생한다.

따라서 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 반응부산물 가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)를 설치한다.

하지만, 프로세스 챔버로부터 발생된 유독성 반응부산물 가스가 프로세스 챔버의 유출측 진공배관, 진공펌프의 유출측 배기배관, 스크루버의 유출측 배기배관, 메인덕트 등을 순차적으로 따라 흐르는 과정에서 쉽게 고형화되어 누적되어 막힘현상이 발생하곤 하였다.

따라서 이처럼 반응부산물 가스가 고형화되어 막힘현상이 발생하던 문제를 해소하기 위한 방편으로 배관의 일정 구간 전체를 히터로 감싸서 배관 내에 온도를 따뜻하게 유지하는 자켓 히터(Jacket Heater)방식이 보편적으로 사용되었다. 그러나 이같은 자켓 히터방식은 배관의 많은 부분을 히터로 감싸야하기 때문에 설치비용이 높음에도 불구하고 사용전력에 비해 효율이 높지 않은 문제가 있었다.

한편, 이같은 자켓 히터방식을 개선하기 위해 한국공개특허 2005-88649 등에서는 반응부산물 가스가 흐르는 배관 내부에 고온의 질소가스를 분사하는 방식의 질소 공급장치가 개시되기도 하였다. 이에 도 1은 종래기술에 의한 질소가스 공급장치를 설명하기 위한 참조도이다.

도시된 바와 같이, 종래의 질소 공급장치는 반응부산물 가스가 흐르는 배관들에 연결되어 고온의 질소가스를 분사하기 위한 플랜지배관(2)과, 상기 플랜지배관(2)의 외주면을 감싸면서 질소가스의 공급을 위한 이중벽 구조를 형성해주는 외관(23)과, 질소 공급라인(14)을 통해 상기 플랜지배관(2)으로 공급되는 질소가스를 가열하는 히터(1) 등으로 이루어진다.

이같은 구성에 따르면, 상기 플랜지배관(2)이 반응부산물 가스가 흐르는 배관 중간에 연결된다. 이후 전력공급기(3)로부터 전력을 받는 히터(1)에 의해 가열되는 질소가스를 플랜지배관(2)과 외관(23) 사이 공간으로 공급해주면 공급된 고온의 질소가스가 플랜지배관(2)의 몸체(21)에 천공되어 있는 복수의 분사공(22)을 통해 분사되면서 플랜지배관(2)을 경유하여 흐르는 반응부산물 가스와 혼합된다. 이로써 반응부산물 가스가 온도 저하로 인해 고형화되어 누적되지 않는다.

그러나, 종래의 질소 공급장치의 경우 미세한 분사공(22)을 통해 분사되는 질소가스의 분사능력이 기대치에 미치지 못하는 치명적인 문제점이 있었다. 이에 따라 적정 수준의 분사가 가능하도록 분사능력을 증대시키는 별도의 장치를 구비하는 것이 불가피한 상황이었다. 아울러 상기와 같이 분사능력의 결여로 인해 이송되는 반응부산물가스와의 혼합도 원활하게 이루어지지 못하는 문제점이 있었다.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 벤츄리 효과와 고압의 분사효과를 복합적으로 적용하여 막힘현상 없이 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 원활하게 이루어지도록 한 질소가스 이젝터장치를 제공하는데 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 질소가스 이젝터장치는, 반도체 제조시 발생되는 반응부산물 가스로 인한 배관의 막힘현상을 방지하기 위하여 반응부산물 가스가 이송되는 이송배관에 연결되어 가열된 질소가스를 분사하는 질소가스 이젝터장치로서, 상기 이송배관에 연결되는 연결배관과; 상기 연결배관 내부에서 상기 연결배관의 내경을 점차 줄여주었다가 원상태로 점차 넓혀주어 협소부를 갖는 벤츄리 구간을 형성하는 벤츄리부와; 상기 연결배관의 중심축선상에 설치되어 상기 벤츄리 구간의 협소부를 향해 고압의 질소가스를 분사하는 고압 분사노즐을 포함하여 구성되는 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다.

여기서, 상기 고압 분사노즐은 상기 연결배관의 벽체로부터 연결배관의 중심축선상에 이르는 제1부위와 이후 상기 연결배관의 중심축선을 따라 전방으로 연장되어 상기 벤츄리 구간의 협소부까지 이르는 제2부위로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 상기 벤츄리부의 협소부 내벽에는 질소가스를 분사하는 제1분사구가 원주방향을 따라 구비된 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 상기 벤츄리부의 협소부 내벽에는 내경이 확대된 형태의 단차를 두고 그 단차된 부위에서 상기 제1분사구가 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치한 방향으로 질소가스를 분사하는 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 상기 벤츄리부 중 상기 연결배관의 내벽과 인접한 선단부에 질소가스를 분사하는 제2분사구가 원주방향을 따라 구비된 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 상기 고압 분사노즐로 공급되는 질소가스를 가열하는 질소가스 히터가 더 구비되고, 상기 질소가스 히터는 질소가스가 유입되어 체류하는 내부공간을 갖는 케이싱과, 상기 케이싱의 내부공간에서 유입된 질소가스를 나선형으로 안내하여 흐르게 하면서 접촉하여 가열하는 스크루형 가열핀을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다.

여기서, 상기 히터는 상기 케이싱의 외벽을 이격되게 둘러싸 밀폐하는 단열벽을 더 구비하는 것을 특징으로 할 수 있다.

본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치는 벤츄리 효과와 고압의 분사효과를 복합적으로 적용한 시너지 효과에 의해 썩션현상(Suction Phenomenon)을 극대화함으로써 막힘현상 없이 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 효과적으로 이루어진다.

또한, 본 발명은 고압 분사노즐과 제1분사구 및 제2분사구를 통해 질소가스의 분사가 분산된 상태에서 동시다발적으로 이루어지도록 하여 반응부산물 가스의 흐름에 도움을 주고 혼합이 원활하게 이루어진다.

또한, 본 발명은 동시다발적인 질소가스의 분사가 모두 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치하게 이루어져 반응부산물 가스의 흐름을 방해하지 않는다.

또한, 본 발명은 질소가스의 분사노즐이 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치하게 이루어져 분사노즐이 반응부산물 가스에 의해 막힐 염려도 없다.

또한, 본 발명은 질소가스의 분사노즐이 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치하게 이루어져 반응부산물 가스에 대한 저항을 줄이면서 이젝터 효과를 높여 반응 부산물의 흐름을 가속화시킬 수 있다.

또한, 본 발명은 질소가스 히터에 구비된 스크루형 가열핀에 의해 질소가스를 신속하게 고온으로 가열할 수 있다.

도 1은 종래기술에 의한 질소가스 공급장치를 설명하기 위한 참조도.
도 2는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 설치상태도.
도 3은 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 구성을 설명하기 위한 참조단면.
도 4는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 작용 및 동작을 설명하기 위한 참조도.

이하, 상기와 같은 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 설치상태도이다.

도시된 바와 같이, 본 발명의 질소가스 이젝터장치는 반도체를 제조하는 장비에서 반응부산물 가스가 이송되는 이송배관(P) 중간에 연결되어 가열된 질소가스를 분사하도록 구성된다. 예컨대, 본 발명의 질소가스 이젝터장치는 프로세스 챔버의 유출측, 진공펌프의 유입측 및 유출측, 진공펌프 내부, 스크루버의 유입측과 유출측 이송배관(P) 중 어디라도 선택적으로 설치될 수 있다.

본 발명은 외부적으로는 상기 이송배관(P)과의 연결을 위해 플랜지(111)를 양단에 구비한 연결배관(110)과, 상기 연결배관(110)을 통하여 이송배관(P)으로 공급되는 질소가스를 사전에 가열해주는 질소가스 히터(150)가 결합된 간단한 형태로 이루어지지만, 내부적으로는 벤츄리 효과와 고압의 분사효과를 복합적으로 적용한 시너지작용에 의하여 썩션현상(Suction Phenomenon)을 극대화할 수 있도록 구성된다.

이러한 본 발명은 각 이송배관(P)에 간단히 설치할 수 있을 뿐만 아니라 썩션현상을 극대화함으로써 막힘현상 없이 반응부산물 가스의 대한 질소가스의 분사와 혼합을 효과적으로 이룰 수 있게 된다.

이하, 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 구성에 대해 상세히 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 구성을 설명하기 위한 참조단면도이다.

도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치는, 플랜지(111)에 의해 이송배관에 연결되는 연결배관(110)과, 상기 연결배관(110) 내부에서 벤츄리 구간을 형성하는 벤츄리부(120)와, 상기 연결배관(110)의 벤츄리 구간에 고압의 질소가스를 분사하는 고압 분사노즐(130)과, 공급되는 질소가스를 사전에 가열하는 질소가스 히터(150)를 포함하여 이루어진다.

상기 벤츄리부(120)는 상기 연결배관(110) 내부에서 상기 연결배관(110)의 내경을 점차 줄여주었다가 원상태로 점차 넓혀주어 중간에 잘록한 형태의 협소부(120a)를 갖는 벤츄리 구간을 형성한다. 이처럼 상기 벤츄리부(120)에 의해 벤츄리 구간이 형성되면 상기 벤츄리 구간의 협소부(120a)에서 반응부산물 가스의 유속이 급격히 증가하면서 그 주변보다 압력이 낮아지는 벤츄리 효과를 갖게 되고, 이에 따라 주변의 가스 혹은 공기를 빨아들이는 썩션현상이 발생한다. 이같은 썩션현상이 일어나면 상기 협소부(120a)에 위치한 고압 분사노즐(130)로부터 분사되는 질소가스를 빨아들이게 되어 질소가스 분사능력이 비약적으로 향상되는 효과를 기대할 수 있다(혹은 적어도 상기 고압 분사노즐(130)로부터 분사되는 질소가스가 직면할 부하를 줄여주어 질소가스의 분사능력의 향상됨.).

또한, 상기 벤츄리부(120)는 질소가스를 분사하는 제1분사구(121a) 및 제2분사구(123a)를 구비한다. 상기 제1분사구(121a)는 상기 벤츄리부(120)의 협소부(120a) 내벽에 원주방향을 따라 0.5mm 정도의 미세한 틈으로 형성된다. 상기 제1분사구(121a)를 구비하기 위해 상기 협소부(120a) 내벽에는 내경이 갑자기 확대된 형태의 단차를 두고 상기 제1분사구(121a)는 그 단차된 부위에 형성된다. 그러면 상기 제1분사구(121a)를 통한 질소가스의 분사방향이 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치하게 되어 상기 질소가스의 분사가 반응부산물 가스의 흐름에 방해도 주지 않는 것은 물론 이젝터 효과에 의해 질소가스의 흐름에 기여하게 된다.

한편, 상기 제2분사구(123a)는 상기 벤츄리부(120) 중 상기 연결배관(110)의 내벽과 인접한 선단부에 형성된다. 상기 제2분사구(123a)의 경우에도 원주방향을 따라 0.5mm 정도의 미세한 틈으로 형성된다.

여기서, 상기 제1분사구(121a) 및 제2분사구(123a)는 짧은 형태로 원주방향을 따라 다수 형성될 수도 있고, 긴 형태로 원주방향을 따라 하나만 형성될 수도 있다.

또한, 상기 벤츄리부(120)에는 상기 제1분사구(121a) 및 제2분사구(123a)와 각각 연통된 제1챔버(121) 및 제2챔버(123)가 구비된다. 상기 제1챔버(121) 및 제2챔버(123)는 상기 벤츄리부(120)의 내부에서 원주방향으로 형성되어 상기 제1분사구(121a) 및 제2분사구(123a)와 연통된다. 상기 제1챔버(121) 및 제2챔버(123)는 분기관(144)을 통하여 유입되는 질소가스를 다시 분기하여 상기 제1분사구(121a) 및 제2분사구(123a)에 끊김 없이 원활하게 공급하는 역할을 수행한다.

상기 고압 분사노즐(130)은 상기 연결배관(110)의 내부 중심축선상에 설치되어 상기 벤츄리 구간의 협소부(120a)에 고압의 질소가스를 분사하는 역할을 하는 직경 1.5mm 정도의 미세관이다. 상기 고압 분사노즐(130)은 상기 연결배관(110)의 벽체로부터 연결배관(110)의 중심축선상에 이르는 제1부위(130a)와 이후 상기 연결배관(110)의 중심축선을 따라 연장되어 상기 벤츄리 구간의 협소부(120a) 혹은 그 인근까지 이르는 제2부위(130b)로 이루어진다.

이처럼 벤츄리부(120)와 고압의 질소가스를 상기 벤츄리부(120)의 협소부(120a)로 분사하는 고압 분사노즐(130)이 구비되면 다른 구간에 비해 상대적으로 흐름통로가 좁아지는 벤츄리부(120)의 협소부(120a)가 자칫 병목구간으로 작용하여 반응부산물 가스의 고형화 및 누적화 현상이 일어날 수 있는 우려를 사전에 차단할 수 있다. 상기 고압 분사노즐(130)의 분사압력은 5 내지 10(kgf/cmㅂ) 정도면 적당하며, 이 정도 분사압력은 이송용 가스로 질소가스를 공급하는 외부장치에서 통상적으로 구현할 수 있는 수준이다.

상기 질소가스 히터(150)는 상기 고압 분사노즐(130) 및 벤츄리부(120)의 분사구(121a,123a)들을 통해 공급되는 질소가스를 사전에 가열하는 역할을 한다. 이를 위해 상기 질소가스 히터(150)는 질소가스가 유입되어 체류하는 내부공간을 갖는 케이싱(151)과, 상기 케이싱(151)의 내부공간에서 유입된 질소가스를 나선형으로 안내하여 흐르게 하면서 접촉하여 가열하는 스크루형 가열핀(154)과, 상기 케이싱(151)의 외벽을 이격되게 둘러싸 밀폐하는 단열벽(152)을 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 스크루형 가열핀(154)은 원통형의 중심체(153)를 중심으로 그 외주면에 나선형을 그리면서 형성된다.

이같은 구성에 따르면 상기 질소가스 히터(150)의 내부공간으로 유입된 질소가스가 상기 스크루형 가열핀(154)에 접촉하면서 보다 넓은 면적으로 접촉하게 된다. 따라서 높은 열교환 효과를 갖고 신속하게 가열되는 것이 가능해진다. 더욱이 상기 단열벽(152)에 의한 이중벽 효과에 의해 내부공간의 열이 외부로 누출되지 않도록 철저히 봉쇄되기 때문에 더 증대된 열교환 효과를 얻을 수 있다. 이같은 질소가스 히터(150)는 빠른 속도로 이동하는 고압의 질소가스를 신속히 가열하기 위해 매우 중요하다.

한편, 상기 질소가스 히터(150)에서 가열된 고온의 질소가스는 삼방향 밸브(140)를 통해 분기된 후 복수의 분기관(144,145)을 통해 한편은 고압 분사노즐(130)측으로 다른 한편은 제1분사구(121a) 및 제2분사구(123a)측으로 공급된다.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 작용 및 동작을 첨부한 도 4에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 4는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 작용 및 동작을 설명하기 위한 참조도이다.

먼저, 프로세스 챔버로부터 발생된 반응부산물 가스가 이송배관(P)을 따라 이송되는 도중에 본 발명에 따른 연결배관(110)을 통과하게 된다. 이때 상기 연결배관(110)을 통과하는 반응부산물 가스는 상기 연결배관(110) 내부에서 벤츄리부(120)에 의해 형성된 벤츄리 구간을 경유하여 흐르게 된다.

이 과정에서 상기 벤츄리 구간을 흐르는 반응부산물 가스는 흐름통로가 급격히 좁아지는 협소부(120a)를 지날 때 유속은 빨라지는 반면 압력은 주변에 비해 줄어드는 과정을 거치게 된다.

이와 동시에 다른 편에서는 외부로부터 공급된 질소가스가 본 발명에 따른 질소가스 히터(150)의 유입관(152a)을 통해 케이싱(151)의 내부공간으로 유입된다. 이후, 상기 질소가스는 상기 케이싱(151) 내에서 스크루형 가열핀(154)을 따라 안내되어 상기 중심체(153)를 중심으로 나선형을 그리면서 흐른다. 이 과정에서 상기 질소가스가 상기 중심체(153) 및 스크루형 가열핀(154)과 충분한 면적으로 접촉하여 신속하게 고온으로 가열된다.

이후, 상기 질소가스 히터(150)를 통해 가열된 고온의 질소가스는 상기 질소가스 히터(150)의 유출구(152b)를 통해 유출된 후 삼방향 밸브(140)의 유입측(141)으로 유입된다.

이후 질소가스는 삼방향 밸브(140) 몸체 내부에서 분기되어 유출측(142,143)과 연결된 분기관(144,145)을 거쳐 분산된 형태로 연결배관(110) 내에 구비된 벤츄리부(120)와 고압 분사노즐(130)로 공급된다.

상기 고압 분사노즐(130)로 공급된 질소가스의 경우 상기 고압 분사노즐(130)을 경유한 후 상기 벤츄리부(120)의 협소부(120a)에서 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치하게 5 내지 10(kgf/cm²)의 고압으로 분사된다. 고압으로 분사되는 질소가스는 상기 협소부(120a)를 흐르는 반응부산물을 힘차게 밀어주는 역할을 함으로써 상기 협소부(120a)가 자칫 병목구간으로 작용하면서 반응부산물 가스가 누적되는 문제를 사전에 차단할 수 있게 된다.

이에 더해, 반응부산물 가스가 상기 벤츄리 구간의 협소부(120a)를 통과할 때 유속이 빨라지면서 압력이 낮아지는 벤츄리 효과에 의해 상기 고압 분사노즐(130)을 통한 질소가스의 분사는 더욱 원활하게 이루어지는 상호 시너지작용을 기대할 수 있게 된다.

한편, 상기 삼방향 밸브(140)에서 분산된 후 상기 벤츄리부(120)로 공급된 질소가스의 경우 벤츄리부(120)의 내부에 형성된 제1챔버(121)와 제2챔버(123)를 통해 다시한번 분기되어 상기 벤츄리부(120)의 협소부(120a) 내벽에 형성된 제1분사구(121a)와 상기 벤츄리부(120) 중 상기 연결배관(110)의 내벽과 인접한 선단부에 질소가스를 분사하는 제2분사구(123a)를 통해 분사된다.

이때 상기 제1분사구(121a)와 제2분사구(123a)를 통해 분사되는 질소가스는 모두 반응부산물의 흐름방향과 일치한 방향으로 분사된다. 따라서 분사되는 질소가스는 반응부산물 가스의 흐름에 지장을 주는 것이 아니라 오히려 이젝터 효과에 의해 반응부산물 가스의 흐름에 도움을 준다. 상기 제1분사구(121a)를 통해 분사되는 질소가스는 상기 벤츄리부(120)의 협소부(120a)에서 작용하는 썩션현상에 의해 원활한 분사가 보장되는 한편, 반응부산물 가스의 흐름에 기여를 하며, 상기 제2분사구(123a)를 통해 분사되는 질소가스의 경우에는 연결배관(110) 내벽을 따라 흐르면서 반응부산물 가스가 연결배관(110) 내벽에 누적되는 것을 차단한다.

이처럼 본 발명은 벤츄리부(120)의 협소부(120a)에서 벤츄리 효과와 고압의 분사효과를 복합적으로 적용한 상호 시너지작용으로 썩션현상을 극대화하는 한편, 분산된 질소가스의 동시다발적인 분사에 의해 반응부산물 가스의 누적으로 인한 막힘현상을 방지하고 반응부산물 가스와의 혼합을 원활하게 할 수 있는 것이다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.

110 : 연결배관 120 : 벤츄리부
120a : 협소부 121 : 제1챔버
121a : 제1분사구 123 : 제2챔버
123a : 제2챔버 123a : 제2분사구
130 : 고압 분사노즐 140 : 삼방향 밸브
150 : 질소가스 히터 151 : 케이싱
152 : 단열벽 154 : 스크루형 가열핀

Claims

반도체 제조시 발생되는 반응부산물 가스로 인한 배관의 막힘현상을 방지하기 위하여 반응부산물 가스가 이송되는 이송배관에 연결되어 가열된 질소가스를 분사하는 질소가스 이젝터장치로서,
상기 이송배관에 연결되는 연결배관과;
상기 연결배관 내부에서 상기 연결배관의 내경을 점차 줄여주었다가 원상태로 점차 넓혀주어 중간에 협소부를 갖는 벤츄리 구간을 형성하는 벤츄리부와;
상기 연결배관의 중심축선상에 설치되어 상기 벤츄리 구간의 협소부를 향해 고압의 질소가스를 분사하는 고압 분사노즐을 포함하여 구성되며,
상기 고압 분사노즐은 상기 연결배관의 벽체로부터 연결배관의 중심축선상에 이르는 제1부위와 이후 상기 연결배관의 중심축선을 따라 전방으로 연장되어 상기 벤츄리 구간의 협소부까지 이르는 제2부위로 이루어진 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
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제1항에 있어서,
상기 벤츄리부의 협소부 내벽에는 질소가스를 분사하는 제1분사구가 원주방향을 따라 구비된 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
제3항에 있어서,
상기 벤츄리부의 협소부 내벽에는 내경이 확대된 형태의 단차를 두고 그 단차된 부위에서 상기 제1분사구가 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치한 방향으로 질소가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 벤츄리부 중 상기 연결배관의 내벽과 인접한 선단부에 질소가스를 분사하는 제2분사구가 원주방향을 따라 구비된 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
제1항에 있어서,
상기 고압 분사노즐로 공급되는 질소가스를 가열하는 질소가스 히터가 더 구비되고,
상기 질소가스 히터는 질소가스가 유입되어 체류하는 내부공간을 갖는 케이싱과, 상기 케이싱의 내부공간에서 유입된 질소가스를 나선형으로 안내하여 흐르게 하면서 접촉하여 가열하는 스크루형 가열핀을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.