KR101205041B1 - Conductive particle - Google Patents
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Abstract
본 발명은 코어 입자 (11)과, 코어 입자 (11)을 피복하고 인 농도가 1 중량% 이상 10 중량% 이하이며 두께가 20 nm 이상 130 nm 이하인 팔라듐층 (12)와, 팔라듐층 (12)의 표면에 배치되며 입경이 20 nm 이상 500 nm 이하인 절연성 입자 (1)을 구비하는 도전 입자 (8b)에 관한 것이다. The present invention covers the core particles (11), the palladium layer (12) and the palladium layer (12) having a phosphorus concentration of 1% by weight or more and 10% by weight or less and a thickness of 20 nm or more and 130 nm or less, covering the core particles (11). It relates to the electrically-conductive particle 8b arrange | positioned at the surface of and provided with the insulating particle 1 whose particle diameter is 20 nm or more and 500 nm or less.
Description
본 발명은 도전 입자에 관한 것이다.The present invention relates to conductive particles.
액정 표시용 유리 패널에 액정 구동용 IC를 실장하는 방식은, COG(Chip-on-Glass; 칩-온-글래스) 실장과 COF(Chip-on-Flex; 칩-온-플렉스) 실장의 2종으로 대별할 수 있다.The liquid crystal drive IC is mounted on a glass panel for liquid crystal display by using two types of COG (Chip-on-Glass) and COF (Chip-on-Flex). It can be divided into.
COG 실장에서는, 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 접착제를 이용하여 액정용 IC를 직접 유리 패널 상에 접합한다. 한편 COF 실장에서는, 금속 배선을 갖는 플렉시블 테이프에 액정 구동용 IC를 접합하고, 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 접착제를 이용하여 이들을 유리 패널에 접합한다. 여기서 말하는 이방성이란 가압방향으로는 도통하고, 비가압 방향에서는 절연성을 유지한다는 의미이다.In COG mounting, the IC for liquid crystals is directly bonded on a glass panel using the anisotropic conductive adhesive containing electroconductive particle. On the other hand, in COF mounting, liquid crystal drive IC is bonded to the flexible tape which has metal wiring, and these are bonded to a glass panel using the anisotropic conductive adhesive containing electroconductive particle. Anisotropy here means conducting in a pressurizing direction and maintaining insulation in a non-pressurizing direction.
그런데, 최근의 액정 표시의 고정밀화에 수반하여, 액정 구동용 IC의 회로 전극인 범프에서는 협피치화, 협면적화하고 있기 때문에, 이방 도전성 접착제의 도전 입자가 인접하는 회로 전극 사이에 유출하여 쇼트를 발생시키는 것이 문제로 되어 오고 있었다.By the way, with the recent high definition of the liquid crystal display, in the bump which is a circuit electrode of a liquid crystal drive IC, since it is narrowing in pitch and narrowing in area, the electrically-conductive particle of an anisotropic conductive adhesive flows out between adjacent circuit electrodes, and is short. It has been a problem to generate.
또한, 인접하는 회로 전극 사이에 도전 입자가 유출하면, 범프와 유리 패널 사이에 보충되는 이방 도전성 접착제 중의 도전 입자수가 감소하여, 대향하는 회로 전극 사이의 접속 저항이 상승하여, 접속 불량을 일으킨다고 하는 문제가 있었다.In addition, when conductive particles flow out between adjacent circuit electrodes, the number of conductive particles in the anisotropic conductive adhesive supplemented between the bumps and the glass panel decreases, and the connection resistance between the opposing circuit electrodes rises, resulting in poor connection. There was a problem.
이들 문제를 해결하는 방법으로서는, 하기 특허문헌 1에 예시된 바와 같이, 이방 도전성 접착제의 적어도 한쪽면에 절연성의 접착제를 형성함으로써 COG 실장 또는 COF 실장에 있어서의 접합 품질의 저하를 막는 방법이나, 하기 특허문헌 2에 예시된 바와 같이, 도전 입자의 전체 표면을 절연성의 피막으로 피복하는 방법이 있다.As a method of solving these problems, as illustrated in the following
하기 특허문헌 3, 4에는, 금층으로 피복된 고분자 중합체의 핵 입자를 절연성의 자입자로 피복하는 방법이 나타나 있다. 또한 하기 특허문헌 4에서는, 핵 입자를 피복하는 금층의 표면을, 머캅토기, 술피드기, 디술피드기 중 어느 하나를 갖는 화합물로 처리하여, 금층 표면에 관능기를 형성하는 방법이 나타나 있다. 이에 따라 금층 상에 강고한 관능기를 형성할 수 있다.The following
하기 특허문헌 5에는, 도전 입자의 도전성을 향상시키는 시도로서, 수지 미립자 상에 구리/금 도금을 행하는 방법이 나타나 있다.The following
하기 특허문헌 6에는, 비(非)금속 미립자와, 비금속 미립자를 피복하며 구리를 50 중량% 이상 포함하는 금속층과, 금속층을 피복하는 니켈층과, 니켈층을 피복하는 금층을 구비하는 도전 입자가 나타나 있고, 이 도전 입자에 따르면, 일반적인 니켈과 금으로 이루어지는 도전 입자에 비해 도전성이 좋아진다는 기재가 있다.In
하기 특허문헌 7에는, 기재 미립자, 및 상기 기재 미립자 상에 설치된 금속 피복층을 갖는 도전성 입자로서, 상기 금속 피복층 중의 금의 함유율이 90 중량% 이상 99 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 기재가 있다. The following
그러나, 상기 특허문헌 1에 나타낸 바와 같이, 회로 접속 부재의 한쪽면에 절연성의 접착제를 형성하는 방법에서는, 범프 면적이 3000 ㎛2 미만으로 협소화한 경우, 안정된 접속 저항을 얻기 위해서 회로 접속 부재 중의 도전 입자를 늘릴 필요가 있다. 이와 같이 도전 입자를 증가시킨 때에는, 인접하는 전극 사이의 절연성에 대해서 아직 개량의 여지가 있다.However, as shown in the said
또한, 상기 특허문헌 2에 나타낸 바와 같이, 인접하는 전극 사이의 절연성을 개량하기 위해서 도전 입자의 전체 표면을 절연성의 피막으로 피복하는 방법에서는, 회로 전극 사이의 절연성이 높게 되지만, 도전 입자의 도전성이 낮아지기 쉽다고 하는 과제가 있다.Moreover, as shown in the said
또한, 상기 특허문헌 3, 4에 나타낸 바와 같이, 절연성의 자입자로 도전 입자 표면을 피복하는 방법에서는, 자입자와 도전 입자의 접착성의 문제로 인하여, 아크릴 등 수지제의 자입자를 이용할 필요가 있다. 이 경우, 수지제의 자입자를 회로끼리의 열압착 시에 용융시키고, 도전 입자를 양 회로에 접촉시킴으로써, 회로 사이에서 도통을 취하게 된다. 이 때, 용융한 자입자의 수지가 도전 입자의 표면을 피복하여 버리면, 도전 입자의 전체 표면을 절연성의 피막으로 피복하는 방법과 같이, 도전 입자의 도전성이 낮아지기 쉽다는 것을 알게 되었다. 이러한 이유에 의해, 절연성의 자입자로서는 무기 산화물 등과 같이 비교적 고경도이고 용융 온도가 높은 것이 적합하다. 예를 들면, 상기 특허문헌 4에서는, 실리카 표면을 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란으로 처리하고, 표면에 이소시아네이트기를 갖는 실리카와, 표면에 아미노기를 갖는 도전 입자를 반응시키는 방법이 예시되어 있다.Moreover, as shown in the said
그러나, 입경이 500 nm 이하인 입자 표면을 관능기로 수식하는 것은 일반적으로 어렵고, 또한 관능기로 수식한 후에 행하는 원심 분리나 여과 시에, 실리카 등의 무기 산화물이 응집하여 버리는 문제점이 발생하기 쉽다. 또한, 상기 특허문헌 4에 예시되는 방법에서는, 절연성의 자입자의 피복률을 컨트롤하는 것이 어렵다.However, it is generally difficult to modify the surface of particles having a particle diameter of 500 nm or less with a functional group, and a problem that inorganic oxides such as silica aggregates during centrifugation and filtration performed after modifying the functional group is likely to occur. Moreover, in the method illustrated by the said
또한, 금속 표면을 머캅토기, 술피드기, 디술피드기 중 어느 하나를 갖는 화합물로 처리하는 경우, 금속 상에 조금이더라도 니켈 등의 비금속이나 구리와 같은 산화하기 쉬운 금속이 존재하면, 금속과 화합물의 반응이 진행하기 어렵다.In addition, when the metal surface is treated with a compound having any one of a mercapto group, a sulfide group, and a disulfide group, the metal and the compound may be present if a small amount of non-metal such as nickel or an easily oxidizing metal such as copper is present on the metal. Reaction is difficult to proceed.
또한, 본 발명자들의 연구에 의해 분명해진 것인데, 도전 입자 상에 실리카 등의 무기물을 피복시킨 경우, 도전 입자 상의 금속 표면을 실리카가 가압하여 찌그러뜨림으로써 도전성이 발현한다. 따라서 도전 금속을 실리카가 파괴하게 되기 때문에, 도전 금속에 귀금속 이외의 물질이 들어가 있으면 마이그레이션 특성이 악화하는 경향이 있다.Moreover, although it became clear by the researches of the present inventors, when inorganic materials, such as silica, are coat | covered on a conductive particle, electroconductivity expresses by pressing and crushing the metal surface on a conductive particle. Therefore, since the silica destroys the conductive metal, if a substance other than a noble metal enters the conductive metal, migration characteristics tend to deteriorate.
또한, 상기 특허문헌 6에 나타낸 바와 같이, 최근 들어, 니켈층 상에 금 도금을 행하는 타입의 도전 입자가 주류가 되고 있는데, 이러한 도전 입자로서는, 니켈이 용출하여 마이그레이션을 일으킨다고 하는 과제가 있다. 또한, 금 도금의 두께를 40 nm 이하로 설정하면 그 경향이 현저해진다.Moreover, as shown in the said
또한, 상기 특허문헌 7에 나타낸 바와 같이, 금의 함유량이 90 중량% 이상인 금속 피복층으로 피복된 도전 입자는 신뢰성의 면에서는 양호하지만, 비용이 높다. 따라서, 금의 함유량이 높은 금속 피복층을 구비하는 도전 입자는 실용적이라고는 하기 어렵고, 최근에는 금속 피복층의 금 함유량을 낮추는 경향이 있다. 이것에 대하여, 구리 도금을 구비하는 도전 입자는 도전성, 비용 상에서 우수하기는 하다. 그러나, 구리 도금을 구비하는 도전 입자에서는, 마이그레이션이 발생하기 쉽기 때문에, 내흡습성 측면에서 문제가 있다. 따라서, 양자(금과 구리)의 단점을 보충하기 위한 시도가 이루어져 있지만, 어느쪽도 완전하지 않다. 예를 들면, 상기 특허문헌 5에 나타내는 방법에서는 양자(금과 구리)의 단점을 충분히 보충할 수 없다.Moreover, as shown in the said
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 마이그레이션을 일으키는 일 없이, 비용이 싸고, 또한 도전성이 높고, 전극 사이의 접속 신뢰성이 우수한 도전 입자를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said subject, Comprising: It aims at providing the electrically-conductive particle which is low in cost, high in electroconductivity, and excellent in connection reliability between electrodes, without causing migration.
상기 목적을 달성하기 위해서, 제1 본 발명에 따른 도전 입자는 코어 입자(수지 미립자)와, 코어 입자를 피복하고 인 농도가 1 중량% 이상 10 중량% 이하이며 두께가 20 nm 이상 130 nm 이하인 팔라듐층을 구비한다. 즉, 제1 본 발명에 따른 도전 입자는 수지 미립자와, 수지 미립자의 표면에 형성된 도전층을 구비하며, 도전층은 인을 함유하는 팔라듐층이고, 팔라듐층 중의 인 농도가 1 중량% 이상 10 중량% 이하이며, 팔라듐층의 두께가 20 nm 이상 130 nm 이하인 것을 특징으로 한다. 본 발명의 특징은 상기한 팔라듐층이 수지 미립자의 표면에 직접 형성되어 있는 것에 있다. 바꾸어 말하면, 본 발명에서는, 수지 미립자의 표면에 팔라듐 이외의 금속(예를 들면 니켈)이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 이러한 본 발명의 특징이 하기의 본 발명의 효과를 달성하는 데에 있어서 불가결하다.In order to achieve the above object, the conductive particles according to the first aspect of the present invention cover the core particles (resin fine particles) and the palladium having a phosphorus concentration of 1% by weight to 10% by weight and a thickness of 20 nm to 130 nm. With layers. That is, the electrically-conductive particle which concerns on 1st this invention is provided with the resin fine particle and the conductive layer formed in the surface of the resin fine particle, The conductive layer is a palladium layer containing phosphorus, The phosphorus concentration in a palladium layer is 1 weight% or more and 10 weight% It is% or less, and the thickness of a palladium layer is 20 nm or more and 130 nm or less, It is characterized by the above-mentioned. The feature of the present invention is that the palladium layer is directly formed on the surface of the resin fine particles. In other words, in this invention, it is preferable that metals (for example, nickel) other than palladium do not exist in the surface of resin fine particles. These features of the present invention are indispensable for achieving the following effects of the present invention.
상기 제1 본 발명에서는, 팔라듐층이 연성을 갖기 때문에, 상기 도전 입자를 구비하는 이방 도전성 접착제를 이용하여 한쌍의 전극을 접속할 때에, 도전 입자를 압축한 후에도 팔라듐층이 부서지기 어렵다. 그 때문에, 압축 후의 도전 입자의 도전성 및 전극 사이의 접속 신뢰성을 향상시키는 것이 가능해짐과 동시에, 팔라듐층이 부서짐에 기인하는 팔라듐의 마이그레이션을 방지하는 것이 가능해진다. 또한, 팔라듐은 금, 백금 등의 귀금속과 비교하여 저렴하고 실용적이다. 따라서, 팔라듐층을 구비하는 상기 제1 본 발명에 따른 도전 입자는 금 또는 백금만을 이용한 도전 입자에 비해 저비용이다.In the said 1st this invention, since a palladium layer is soft, when connecting a pair of electrodes using the anisotropic conductive adhesive provided with the said electroconductive particle, a palladium layer is hard to be broken even after compressing an electroconductive particle. Therefore, it becomes possible to improve the electroconductivity of the electroconductive particle after compression, and the connection reliability between electrodes, and, at the same time, it becomes possible to prevent migration of palladium resulting from fracture of a palladium layer. In addition, palladium is inexpensive and practical in comparison with precious metals such as gold and platinum. Therefore, the conductive particles according to the first aspect of the present invention having a palladium layer are lower in cost than the conductive particles using only gold or platinum.
상기 제1 본 발명에서는, 팔라듐층의 두께가 20 nm 이상이기 때문에, 충분한 도전성을 얻는 것이 가능해진다.In the said 1st this invention, since the thickness of a palladium layer is 20 nm or more, it becomes possible to acquire sufficient electroconductivity.
상기 제1 본 발명에서는, 팔라듐층에 인이 1 중량% 이상 10 중량% 이하 함유되어 있기 때문에, 경도가 높아 대향 전극면에 파고들고, 충분한 강도를 갖은 도전막이 얻어진다.In said 1st this invention, since the palladium layer contains 1 weight% or more and 10 weight% or less, since the hardness is high, it penetrates into the counter electrode surface and the electrically conductive film which has sufficient strength is obtained.
제2 본 발명에 따른 도전 입자는 코어 입자와, 코어 입자를 피복하고 인 농도가 1 중량% 이상 10 중량% 이하이며 두께가 20 nm 이상 130 nm 이하인 팔라듐층과, 팔라듐층의 표면에 배치되며 입경이 20 내지 500 nm인 절연성 입자를 구비한다.The conductive particles according to the second aspect of the present invention are disposed on the surface of the palladium layer and the palladium layer covering the core particles, the palladium layer having a phosphorus concentration of 1% by weight or more and 10% by weight or less and a thickness of 20 nm or more and 130 nm or less. The insulating particle which is 20-500 nm is provided.
접착제 중에 복수의 상기 도전 입자를 분산시켜 얻은 이방 도전성 접착제(이방 도전 필름)을 한쌍의 전극 사이에 배치시키고, 한쌍의 전극을 접속(열압착)할 때에, 세로 방향(한쌍의 전극이 대향하는 방향)에서는, 도전 입자 전체가 한쌍의 전극에 의해서 압축된다. 그 결과, 절연성 입자가 팔라듐층 표면으로부터 코어 입자측으로 박히고, 그에 따라 노출한 팔라듐층이 한쌍의 전극과 접촉하는 것이 가능해진다. 즉, 도전 입자의 팔라듐층을 통해 한쌍의 전극 사이가 도통한다. 한편, 가로 방향(한쌍의 전극이 대향하는 방향에 수직인 방향)에서는, 인접하는 도전 입자 사이에 각각의 도전 입자가 구비하는 절연성 입자가 개재하여, 절연성 입자끼리가 접촉한다. 그 때문에, 가로 방향에서는 상기 한쌍의 전극과 이들에 인접하는 전극과의 사이에서 절연성이 유지된다.When placing an anisotropically conductive adhesive (anisotropic conductive film) obtained by dispersing a plurality of the above conductive particles in an adhesive agent between a pair of electrodes, and connecting a pair of electrodes (thermal compression bonding), the longitudinal direction (the direction in which the pair of electrodes opposes) ), The whole conductive particles are compressed by a pair of electrodes. As a result, the insulating particles become lodged from the surface of the palladium layer toward the core particles, whereby the exposed palladium layer can be brought into contact with the pair of electrodes. That is, between a pair of electrodes is conductive through the palladium layer of electroconductive particle. On the other hand, in the horizontal direction (direction perpendicular to the direction in which the pair of electrodes opposes), the insulating particles are in contact with each other with the insulating particles included in the respective conductive particles between the adjacent conductive particles. Therefore, in the horizontal direction, insulation is maintained between the pair of electrodes and the electrode adjacent thereto.
상기 제2 본 발명에서는, 팔라듐층이 연성을 갖기 때문에, 상기 제1 본 발명과 같이, 압축 후의 도전 입자의 도전성 및 전극 사이의 접속 신뢰성을 향상시키는 것이 가능해짐과 동시에 팔라듐의 마이그레이션을 방지하는 것이 가능해진다. 또한, 팔라듐은 금, 백금 등의 귀금속과 비교하여 저렴하고 실용적이다. 따라서, 팔라듐층을 구비하는 상기 제2 본 발명에 따른 도전 입자는 금 또는 백금만을 이용한 도전 입자에 비해 저비용이다.In the second aspect of the present invention, since the palladium layer is ductile, it is possible to improve the conductivity of the conductive particles after compression and the connection reliability between the electrodes as in the first aspect of the present invention, and to prevent migration of palladium. It becomes possible. In addition, palladium is inexpensive and practical in comparison with precious metals such as gold and platinum. Therefore, the conductive particles according to the second invention having the palladium layer are lower in cost than the conductive particles using only gold or platinum.
상기 제2 본 발명에서는, 도전층으로서, 두께가 20 nm 이상인 팔라듐층을 구비하기 때문에, 충분한 도전성을 얻는 것이 가능해진다.In the said 2nd this invention, since the palladium layer whose thickness is 20 nm or more is provided as a conductive layer, it becomes possible to acquire sufficient electroconductivity.
상기 제1 및 제2 본 발명에서는, 팔라듐층이 환원 도금형의 팔라듐층인 것이 바람직하다. 이에 따라, 코어 입자에 대한 팔라듐층의 피복률이 향상하여, 도전 입자의 도전성을 향상시키기 쉬워진다.In the said 1st and 2nd this invention, it is preferable that a palladium layer is a palladium layer of a reduction plating type. Thereby, the coverage of the palladium layer with respect to a core particle improves, and it becomes easy to improve the electroconductivity of electroconductive particle.
또한, 팔라듐층이 환원 도금형의 팔라듐층인 것에 의해, 수지 미립자 상에 치밀하고 균질한 팔라듐층이 형성 가능하고, 수지 미립자 표면의 노출이 적은 도전 입자를 제공하는 것이 가능하다. 또한, 도금액량에 따라서 팔라듐층의 두께를 임의로 설정하는 것이 가능하다. 즉, 팔라듐층의 두께를 필요에 따른 두께로 컨트롤할 수 있다.Further, when the palladium layer is a reduced plating palladium layer, a dense and homogeneous palladium layer can be formed on the resin fine particles, and it is possible to provide conductive particles with little exposure to the surface of the resin fine particles. Moreover, it is possible to set the thickness of a palladium layer arbitrarily according to the amount of plating liquid. That is, the thickness of the palladium layer can be controlled to the thickness as needed.
상기 본 발명에서, 도전층 중의 성분(도전층의 원소 조성 및 인 농도)는 에너지 분산형 X선 분광법(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy: EDX)에 의해서 정성 및 정량되는 것이 바람직하다.In the present invention, the components (elemental composition and phosphorus concentration of the conductive layer) in the conductive layer are preferably qualitatively and quantified by Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDX).
상기 제1 및 제2 본 발명에서는, 절연성 입자가 실리카인 것이 바람직하다. 실리카를 포함하는 절연성 입자는 절연성이 우수하고, 입경을 제어하기 쉽고, 또한 저렴하다. 또한, 실리카는 수중에 분산시켜 수분산 콜로이달 실리카로 했을 때에, 그 표면에 수산기를 갖기 때문에, 팔라듐층과의 결합성이 우수하다. 또한, 실리카 표면의 수산기는 팔라듐층의 표면에 형성된 관능기와의 결합성도 우수하다. 따라서, 실리카를 포함하는 절연성 입자는 팔라듐층 또는 금층의 표면에 견고하게 흡착하는 것이 가능해진다.In the said 1st and 2nd this invention, it is preferable that insulating particle is silica. The insulating particle containing silica is excellent in insulation, easy to control a particle diameter, and inexpensive. In addition, when silica is dispersed in water to form a water-soluble colloidal silica, the silica has a hydroxyl group on the surface thereof, and therefore, the bonding property with the palladium layer is excellent. In addition, the hydroxyl group on the silica surface is also excellent in bonding with a functional group formed on the surface of the palladium layer. Therefore, insulating particles containing silica can be firmly adsorbed onto the surface of the palladium layer or the gold layer.
본 발명에 따르면, 마이그레이션을 일으키는 일 없이, 비용이 싸고, 또한 도전성이 높고, 전극 사이의 접속 신뢰성이 우수한 도전 입자를 제공할 수 있다.According to the present invention, conductive particles can be provided that are low in cost, high in conductivity, and excellent in connection reliability between electrodes without causing migration.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전 입자의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전 입자의 개략 단면도이다.
도 3(a)는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전 입자를 구비하는 이방 도전성 접착제의 개략 단면도이고, 도 3(b) 및 도 3(c)는 이방 도전성 접착제를 이용한 접속 구조체의 제작 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of conductive particles according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of conductive particles according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 3 (a) is a schematic cross-sectional view of the anisotropic conductive adhesive having conductive particles according to the second embodiment of the present invention, and Figs. It is a schematic sectional drawing for demonstrating this.
이하, 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 대해서 상세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the best form for implementing invention is demonstrated in detail. However, this invention is not limited to the following embodiment.
[제1 실시 형태][First Embodiment]
(도전 입자)(Conductive particles)
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전 입자 (8a)는 코어 입자 (11)과, 코어 입자 (11) 전체를 피복하고 두께가 20 nm 이상 130 nm 이하이며 인 농도가 1 중량% 이상 10 중량% 이하인 팔라듐층 (12)를 구비한다. 이하에서는, 제1 실시 형태에 따른 도전 입자 (8a)를 경우에 따라 「모입자 (2a)」라고 기재한다.As shown in FIG. 1, the electrically-
<코어 입자 (11)> <
본 발명에서 이용하는 코어 입자 (11)의 입경은, 후술하는 도 3의 제1 전극 (5)와 제2 전극 (7)의 최소의 간격보다도 작은 것이 바람직하다. 또한, 코어 입자 (11)의 입경은 전극의 높이(전극의 간격)에 변동이 있는 경우, 높이의 변동(전극의 최대의 간격)보다도 큰 것이 바람직하다. 이들 이유로 인하여, 코어 입자 (11)의 입경은, 1 내지 10 ㎛인 것이 바람직하고, 1 내지 5 ㎛인 것이 보다 바람직하고, 2.0 내지 3.5 ㎛인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that the particle diameter of the
종래의 도전 입자에 있어서의 코어 입자는 금속만으로 이루어지는 입자, 또는 유기물 또는 무기물로 이루어지는 입자 중 어느 하나인데, 본 실시 형태에서의 코어 입자 (11)은 수지로 이루어지는 수지 미립자이다.The core particle in the conventional electrically-conductive particle is either particle | grains which consist only of metal, or particle | grains which consist of organic substance or an inorganic substance, The
유기물의 코어 입자 (11)로서는, 특별히 제한은 없지만, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지, 폴리스티렌, 디비닐벤젠 중합체, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체, 벤조구아나민포름알데히드 수지 등으로 이루어지는 수지 입자가 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as the
<팔라듐층 (12)> <
팔라듐층 (12)는 연성을 갖기 때문에, 도전 입자 (8a)를 압축한 후에 금속 균열을 일으키기 어렵고, 금속 균열에 따른 마이그레이션도 일으키기 어렵다. 또한, 팔라듐층 (12)는 비(卑)금속이나 구리에 비해 내산성 및 내알칼리성이 우수하다. 또한, 팔라듐층 (12)는 인을 함유한 합금인 점에서, 내산성 및 내알칼리성이 보다 우수하다. 따라서, 후술하는 머캅토기, 술피드기, 또는 디술피드기 등의 관능기와 안정적으로 결합한다. 또한, 이들 관능기와의 결합성에 있어서 팔라듐과 금 및 백금은 마찬가지의 경향을 갖는데, 이들 귀금속을 동일 부피로 비교한 경우, 팔라듐이 가장 저렴하고 실용적이다. 또한, 팔라듐층 (12)는 도전성이 우수하다. 이들 이유로 인하여, 팔라듐층 (12)는 코어 입자 (11)을 피복하는 금속층으로서 바람직하다.Since the
팔라듐층 (12) 중의 인 농도는 접속 저항의 관점에서 1 중량% 이상 10 중량% 이하인데, 1 중량% 이상 8 중량% 이하인 것이 바람직하고, 1 중량% 이상 6 중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 인을 함유하지 않은 순팔라듐층과 비교하여, 인을 함유하는 팔라듐층은 경도가 높다(비특허문헌 1 「표면 기술 P651, Vol55, No10, 2004」을 참조). 전극과 접촉하는 팔라듐층 표면의 경도가 높으면, 도전 입자가 전극 표면에 박히기 쉽고, 산화한 전극을 뚫고 들어가, 도통 성능을 확보하기 쉽다. 한편, 인의 함유율이 10 중량%를 초과하는 경우, 팔라듐층의 도통 저항이 너무 크다. 또한 인의 함유율이 10 중량%를 초과하는 경우, 팔라듐층 (12)를 예를 들면 도금에 의해 형성할 때, 팔라듐 도금이 진행하기 어려워, 도금 공정에 필요한 시간이 길어진다.Although phosphorus concentration in the
팔라듐층 (12)는 환원 도금형의 팔라듐층인 것이 바람직하다. 이에 따라, 코어 입자 (11)에 대한 팔라듐층 (12)의 피복률이 향상하여, 도전 입자 (8a)의 도전성이 보다 향상된다. 인을 공석(共析)시켜, 팔라듐을 합금화시키기 위한 환원제는 차아인산이나 그의 염, 아인산이나 그의 염 등의 인을 함유하는 환원제를 적어도 포함하는 것이 바람직하다. 환원제로서는, 상기 인 함유 환원제를 포함하고 있으면, 다른 환원제를 함유하고 있을 수도 있고, 특별히 한정되지 않다. 다른 환원제를 함유하고 있는 경우에도, 인 함유 환원제로부터 팔라듐막 중에 인이 공석하는 것이 알려져 있다.The
환원 도금을 이용함으로써 팔라듐층 (12)의 도금 두께를 컨트롤하기 쉽다. 예를 들면, 사용하는 도금액에 함유하는 팔라듐 이온 농도로부터 석출 후의 도금 두께를 미리 산출할 수 있기 때문에, 쓸데없는 팔라듐이나 시약을 사용하지 않게 되어 저비용화가 가능하다.It is easy to control the plating thickness of the
팔라듐층 (12)의 두께는, 20 nm 이상 130 nm 이하인데, 20 nm 이상 100 nm 이하인 것이 바람직하고, 20 nm 이상 80 nm 이하인 것이 보다 바람직하다. 팔라듐층의 두께가 20 nm 미만이면, 충분한 도전성을 얻을 수 없다. 한편, 팔라듐층 (12)의 두께가 130 nm를 초과하면, 코어 입자 (11) 전체의 탄성이 저하되는 경향이 있다. 모입자 (2a) 전체의 탄성이 저하되면, 도전 입자 (8a)가 한쌍의 전극 사이에 끼워지고, 세로 방향으로 찌부러뜨려질 때에, 모입자 (2a)의 탄성에 의해서 팔라듐층 (12)가 전극 표면에 충분히 가압되는 효과가 얻어지기 어려워진다. 그 때문에, 팔라듐층 (12)와 양 전극과의 접촉 면적이 작아져, 전극 사이의 접속 신뢰성을 향상시키는 본 발명의 효과가 작아지는 경향이 있다. 또한, 팔라듐층 (12)가 두꺼울수록 비용이 높아져서, 경제적으로 바람직하지 않을 뿐만아니라, 실장압착했을 때에, 한쌍의 전극 사이에 끼워지고 세로 방향으로 찌부러뜨려진 도전 입자 (8a)의 도전층, 즉 팔라듐층 (12)에 균열이 생기는 경우가 있어, 전극 사이의 접속 저항이 상승하여 버리는 경향이 있다. Although the thickness of the
(도금층의 분석)(Analysis of Plating Layer)
코어 입자 (11) 표면을 피복하는 팔라듐층 (12)의 성분 분석에는, 원자 흡광 광도계를 사용할 수 있다. 예를 들면, 팔라듐층 (12)를 산 등으로 용해한 액을 원자 흡광 광도계를 이용하여 분석하고, 금속 이온 농도를 측정하여 산출하는 방법이 있다. 또한, ICP 발광 분석 장치를 이용하여 팔라듐층 (12)를 분석할 수도 있다. ICP 발광 분석 장치를 이용하면, 정성 분석과 동시에 인의 정량도 가능해진다. 또한, 팔라듐층 (12) 중의 인 농도는 EDX를 사용하여 정량할 수도 있다. 또한, 저배율에서의 EDX 측정으로서는 복수 입자로부터 정보를 얻게 되기 때문에, 고배율에서의 EDX 측정이 바람직하다.An atomic absorption photometer can be used for component analysis of the
[제2 실시 형태][Second Embodiment]
다음으로, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전 입자, 및 도전 입자의 제조 방법에 대해서 설명한다. 또한, 이하에서는, 상술한 제1 실시 형태와 제2 실시 형태와의 상위점에 대해서만 설명하고, 양자에게 공통되는 사항에 대해서는 설명을 생략한다. Next, the electrically-conductive particle concerning the 2nd Embodiment of this invention, and the manufacturing method of an electrically-conductive particle are demonstrated. In addition, below, only the difference between 1st Embodiment and 2nd Embodiment mentioned above is demonstrated, and description is abbreviate | omitted about the matter which is common to both.
(도전 입자)(Conductive particles)
도 2에 도시된 바와 같이, 제2 실시 형태에 따른 도전 입자 (8b)는 코어 입자 (11)과 팔라듐층 (12)뿐만이 아니라, 팔라듐층 (12)의 표면에 배치되는 복수의 절연성 입자 (1)을 구비하는 점에서, 제1 실시 형태에 따른 도전 입자 (8a)와 상이하다.As shown in FIG. 2, the
<절연성 입자 (1)> Insulating Particles (1)
절연성 입자 (1)은 무기 산화물인 것이 바람직하다. 가령, 절연성 입자 (1)이 유기 화합물인 경우, 이방 도전성 접착제의 제작 공정에서 절연성 입자 (1)이 변형하게 되어, 얻어지는 이방 도전성 접착제의 특성이 변화하기 쉬운 경향이 있다.It is preferable that the insulating
절연성 입자 (1)을 구성하는 무기 산화물로서는, 규소, 알루미늄, 지르코늄, 티탄, 니오븀, 아연, 주석, 세륨, 및 마그네슘의 군으로 이루어지는 것으로부터 선택되는 적어도 일종의 원소를 포함하는 산화물이 바람직하다. 이들 산화물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 무기 산화물로서는, 상술한 원소를 포함하는 산화물 중에서도, 절연성이 우수하고, 입경을 제어한 수 분산 콜로이달 실리카(SiO2)가 가장 바람직하다.As the inorganic oxide constituting the insulating
이러한 무기 산화물로 이루어지는 절연성 입자(이하, 「무기 산화물 미립자」라고 함)의 시판품으로서는, 예를 들면 스노텍스, 스노텍스 UP(닛산 가가꾸 고교(주) 제조), 쿠아트론 PL 시리즈(후소 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다.As a commercial item of the insulating particle which consists of such an inorganic oxide (henceforth "inorganic oxide microparticles | fine-particles"), for example, a snortex, a snortex UP (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), and a coutron PL series (Fuso Kagaku) Kogyo Co., Ltd.) etc. are mentioned.
무기 산화물 미립자의 입경은 수지 미립자보다 작은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 산화물 미립자의 평균 입경은 20 내지 500 nm 인데, 30 내지 400 nm인 것이 바람직하고, 40 내지 350 nm인 것이 보다 바람직하다. 또한, 무기 산화물 미립자의 입경은, BET법에 의한 비표면적 환산법 또는 X선 소각 산란법으로 측정된다. 입경이 20 nm 미만이면, 모입자 (2a)에 흡착한 무기 산화물 미립자가 절연막으로서 작용하지 않고서, 전극 사이의 일부에 쇼트를 발생시키는 경향이 있다. 한편, 입경이 500 nm를 초과하면, 실장압착했을 때에, 전극과 도전 입자 (8b)의 도전층(팔라듐층 (12))이 접촉하기 어렵기 때문에, 전극 사이의 접속 저항이 높아져서 양호한 도전성이 얻어지지 않는 경향이 있다.The particle diameter of the inorganic oxide fine particles is preferably smaller than the resin fine particles. Although the average particle diameter of an inorganic oxide fine particle is 20-500 nm specifically, it is preferable that it is 30-400 nm, and it is more preferable that it is 40-350 nm. In addition, the particle diameter of an inorganic oxide fine particle is measured by the specific surface area conversion method or X-ray incineration scattering method by BET method. If the particle diameter is less than 20 nm, the inorganic oxide fine particles adsorbed to the
(도전 입자의 제조 방법)(Method for Producing Conductive Particles)
본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전 입자 (8a)의 제조 방법은 코어 입자 (11)의 표면에 팔라듐층 (12)를 형성하는 공정(S1)을 구비한다. 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전 입자 (8b)의 제조 방법은 공정 S1 후에, 팔라듐층 (12)의 표면을, 머캅토기, 술피드기, 또는 디술피드기 중 어느 하나를 갖는 화합물로 처리하여, 팔라듐층 (12)의 표면에 관능기를 형성하는 공정(S2)과, 관능기가 형성된 팔라듐층의 표면을 고분자 전해질로 처리하는 공정(S3)과, 관능기가 형성되고, 또한 고분자 전해질로 처리된 팔라듐층 (12)의 표면에 절연성 입자 (1)을 화학흡착에 의해 고정화하는 공정(S4)를 구비한다. 또한, 이하에서는, 절연성 입자 (1)이 표면에 수산기가 형성된 무기 산화물 미립자인 경우에 대해서 설명한다.The manufacturing method of the electrically-
<S1><S1>
우선, 코어 입자 (11)의 표면에 팔라듐층 (12)를 형성하여, 모입자 (2a)(제1 실시 형태에 따른 도전 입자 (8a))를 얻는다. 그의 구체적인 방법으로서는, 예를 들면 팔라듐에 의한 도금을 들 수 있다. 이 도금 공정에서는, 코어 입자 (11)의 표면을 알칼리 등으로 탈지한 후, 산으로 중화하여 코어 입자 (11)의 표면 조정을 행한다. 그 후 팔라듐 촉매를 부여하여, 상술한 인 함유 환원제에 의해 환원형 무전해 팔라듐 도금을 행하는 것이 좋다. 환원형 무전해 팔라듐 도금액의 조성으로서는, (1) 황산팔라듐과 같은 수용성 팔라듐염, (2) 환원제, (3) 착화제 및 (4) pH 조정제를 가한 것이 바람직하다. 팔라듐층 (12) 중의 인 농도를 1 중량% 이상 10 중량% 이하로 조정하는 방법으로서는, 예를 들면 상기에 나타낸 팔라듐 도금액을 구성하는 (1) 내지 (4)에 나타낸 성분을 조정하는 방법이 이용된다. 특히, 인을 함유한 환원제를 선정하는 방법이나 그 환원제량을 조정하는 방법, 도금 반응의 pH를 제어하는 방법, 도금 온도를 조정하는 방법 등의 팔라듐 도금액 중의 인 농도를 제어하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 착화제의 종류나 농도를 조정하는 방법이어도, 인 농도의 조정이 가능하다. 그 중에서도, 반응 제어가 우수한 것으로부터, 도금 반응의 pH를 제어하는 방법이 바람직하게 이용된다. 상기에 나타낸 방법은 단독으로 이용하여도 되지만, 각각을 조합하면 인 농도의 조정이 쉽고, 도금액의 안정성의 제어도 쉽다.First, the
<S2> <S2>
제2 실시 형태에 따른 도전 입자 (8b)를 형성하는 경우에는, 또한 팔라듐층 (12)의 표면을, 팔라듐에 대하여 배위 결합을 형성하는 머캅토기, 술피드기, 또는 디술피드기 중 어느 하나를 갖는 화합물로 처리한다. 이에 따라, 팔라듐층 (12)의 표면에 관능기를 형성한다.In the case of forming the
팔라듐층 (12)의 표면 처리에 이용하는 화합물로서는, 구체적으로는 머캅토아세트산, 2-머캅토에탄올, 머캅토아세트산메틸, 머캅토숙신산, 티오글리세린, 시스테인 등을 들 수 있다. 이들 화합물로 처리된 팔라듐층 (12)의 표면에 형성되는 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 알콕실기, 또는 알콕시카르보닐기를 들 수 있다.Specifically as a compound used for the surface treatment of the
팔라듐은 티올기(머캅토기)와 반응하기 쉬운 것에 비하여, 니켈과 같은 비금속은 티올기와 반응하기 어렵다. 따라서, 본 실시 형태의 팔라듐 입자(팔라듐층 (12)로 피복된 코어 입자 (11))는 종래형의 니켈/금 입자(니켈층 및 금층으로 피복된 코어 입자)에 비해 티올기와 반응하기 쉽다. 또한, 니켈/금 입자는 금의 두께가 30 nm 이하이면 입자 표면의 니켈 비율이 높아지는 경향이 있다.Palladium is less likely to react with thiol groups (mercapto groups), whereas nonmetals such as nickel are less likely to react with thiol groups. Therefore, the palladium particles (
팔라듐층 (12)의 표면을 상기 화합물로 처리하는 구체적인 방법으로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올 등의 유기 용매 중에 머캅토아세트산 등의 화합물을 10 내지 100 mmol/l 정도 분산시켜 얻은 액체 중에 팔라듐 입자를 분산시키는 방법을 들 수 있다.As a specific method of treating the surface of the
<S3, S4><S3, S4>
다음으로, 관능기가 형성된 팔라듐층 (12)의 표면을 고분자 전해질로 처리한 후에, 팔라듐층 (12)의 표면에 절연성 입자 (1)을 화학흡착시킨다.Next, after treating the surface of the
수산기, 카르복실기, 알콕실기, 또는 알콕시카르보닐기와 같은 관능기를 갖는 팔라듐층 (12)의 표면 전위(제타 전위)는 통상, pH가 중성 영역이면 마이너스이다. 한편, 후속 공정에서 팔라듐층 (12)의 표면에 흡착시키는 절연성 입자 (1)의 표면은 수산기를 갖는 무기 산화물로 이루어지기 때문에, 절연성 입자 (1)의 표면 전위도 통상 마이너스이다. 이와 같이, 표면 전위가 마이너스인 팔라듐층 (12)의 주위에는 표면 전위가 마이너스인 절연성 입자 (1)이 흡착하기 어려운 경향이 있다. 따라서, 팔라듐층 (12)의 표면을 고분자 전해질로 처리함으로써, 팔라듐층 (12)의 표면을 절연성 입자 (1)로 피복하기 쉬워진다.The surface potential (zeta potential) of the
고분자 전해질로 처리한 후의 팔라듐층 (12)의 표면에 절연성 입자 (1)을 흡착시키는 방법으로서는, 고분자 전해질과 무기 산화물을 팔라듐층 (12)의 표면에 교대로 적층하는 방법이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 이하의 공정 (1), (2)를 순차 행함으로써 고분자 전해질과 무기 산화물 미립자가 적층된 절연성 피복막으로 표면의 일부가 피복된 모입자 (2a), 즉 도전 입자 (8b)를 제조할 수 있다. As a method of adsorbing the insulating
공정 (1): 팔라듐층 (12)의 표면에 관능기를 갖는 모입자 (2a)를, 고분자 전해질 용액에 분산시켜, 팔라듐층 (12)의 표면에 고분자 전해질을 흡착시킨 후, 모입자 (2a)를 린스하는 공정. Step (1): The
공정 (2): 린스 후의 모입자 (2a)를 무기 산화물 미립자의 분산 용액에 분산하여, 모입자 (2a)의 표면(팔라듐층 (12))에 무기 산화물 미립자를 흡착시킨 후, 모입자 (2a)를 린스하는 공정. Step (2): After rinsing the
즉, 공정 (1)에서, 모입자 (2a)의 표면에 고분자 전해질 박막을 형성하고, 공정 (2)에서, 고분자 전해질 박막을 통해 모입자 (2a)의 표면에 무기 산화물 미립자를 화학흡착에 의해 고정화한다. 이 고분자 전해질 박막을 이용함으로써, 모입자 (2a)의 표면을 결함없이 균일하게 무기 산화물 미립자로 피복할 수 있다. 이러한 공정 (1), (2)를 거쳐서 얻어진 도전 입자를 이용한 이방 도전성 접착제를 이용하여 회로 전극을 접속하면, 회로 전극 간격이 협피치라도 절연성이 확보되고, 전기적으로 접속하는 전극 사이에서는 접속 저항이 낮고 양호해진다.That is, in step (1), a polymer electrolyte thin film is formed on the surface of the
상기한 공정 (1), (2)를 갖는 방법은 교대 적층법(Layer-by-Layer assembly)라고 불린다. 교대 적층법은 지. 데커(G.Decher) 등에 의해서 1992년에 발표된 유기 박막을 형성하는 방법이다(Thin Solid Films, 210/211, p831(1992) 참조). The method having the above steps (1) and (2) is called a layer-by-layer assembly. The alternate lamination method is This is a method for forming an organic thin film published in 1992 by G. Decher et al. (See Thin Solid Films, 210/211, p831 (1992)).
이 교대 적층 방법에서는, 플러스 전하를 갖는 중합체 전해질(폴리 양이온)과 마이너스 전하를 갖는 중합체 전해질(폴리 음이온)의 수용액에, 기재를 교대로 침지함으로써 기판 상에 정전적 인력에 의해서 흡착한 폴리 양이온과 폴리 음이온의 조가 적층하여 복합막(교대 적층막)이 얻어진다.In this alternating stacking method, a polycation adsorbed by electrostatic attraction on a substrate by alternately immersing the substrate in an aqueous solution of a polymer electrolyte (poly cation) having a positive charge and a polymer electrolyte (poly anion) having a negative charge; A group of poly anions are laminated to obtain a composite film (alternatively laminated film).
교대 적층법에서는, 정전적인 인력에 의해서 기재 상에 형성된 재료의 전하와, 용액 내의 반대 전하를 갖는 재료가 서로 끌어당기는 것에 의해 막성장하기 때문에, 흡착이 진행하여 전하의 중화가 발생하면 그 이상의 흡착이 발생하지 않게 된다. 따라서, 어느 포화점에 이르면, 그 이상 막두께가 증가하지 않는다.In the alternate lamination method, since the charge of the material formed on the substrate due to the electrostatic attraction and the material having the opposite charge in the solution are grown by attracting each other, the adsorption proceeds and neutralization of the charge causes further adsorption. This will not happen. Therefore, when a certain saturation point is reached, the film thickness no longer increases.
Lvov 등은 교대 적층법을 미립자에 응용하여, 실리카나 티타니아, 세리아의 각 미립자 분산액을 이용하여, 미립자의 표면 전하와 반대 전하를 갖는 고분자 전해질을 교대 적층법으로 적층하는 방법을 보고하고 있다(Langmuir, Vol.13, (1997) p6195-6203 참조). Lvov et al. Reported a method of applying an alternate lamination method to fine particles and using a fine particle dispersion of silica, titania, and ceria to alternately laminate a polymer electrolyte having an opposite charge to the surface charge of the fine particles (Langmuir , Vol. 13, (1997) p6195-6203).
이 방법을 이용하면, 마이너스의 표면 전하를 갖는 실리카의 미립자와, 그의 반대 전하를 갖는 폴리 양이온인 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드(PDDA) 또는 폴리에틸렌이민(PEI) 등을 교대로 적층함으로써 실리카 미립자와 고분자 전해질이 교대로 적층된 미립자 적층 박막을 형성하는 것이 가능하다.With this method, fine particles of silica having a negative surface charge and polydiallyldimethylammonium chloride (PDDA) or polyethyleneimine (PEI) or the like, which are poly cations having opposite charges, are alternately laminated, thereby producing fine particles of silica and a polymer. It is possible to form a fine particle laminated thin film in which electrolytes are alternately laminated.
제2 본 실시 형태에 따른 도전 입자 (8b)의 제조 방법에서는, 모입자 (2a)를, 고분자 전해질 용액 또는 무기 산화물 미립자의 분산액에 침지한 후, 반대 전하를 갖는 미립자 분산액 또는 고분자 전해질 용액에 침지하기 전에, 용매만에 의한 린스에 의해서 잉여의 고분자 전해질 용액 또는 무기 산화물 미립자의 분산액을 모입자 (2a)로부터 씻어 버리는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the electrically-
모입자 (2a)에 흡착한 고분자 전해질 및 무기 산화물 미립자는 모입자 (2a) 표면에 정전적으로 흡착하고 있기 때문에, 이 린스의 공정에서 모입자 (2a) 표면으로부터 박리하지는 않는다. 그러나, 모입자 (2a)가 흡착하지 않은 잉여의 고분자 전해질 또는 무기 산화물 미립자가 이들과 반대 전하를 갖는 용액 중에 갖고 들어 가면, 용액 내에서 양이온, 음이온이 혼합되어, 고분자 전해질과 무기 산화물 미립자의 응집이나 침전을 발생시키는 경우가 있다. 이러한 문제점을 린스에 의해서 방지할 수 있다.Since the polymer electrolyte and the inorganic oxide fine particles adsorbed to the
린스에 이용하는 용매로서는, 물, 알코올, 아세톤 등이 있는데, 통상 과잉의 고분자 전해질 용액 또는 무기 산화물 미립자의 분산액을 제거하기 쉽다는 점에서, 비저항치가 18 MΩ?cm 이상인 이온 교환수(이른바 초순수)가 이용된다.Examples of solvents used for rinsing include water, alcohols, acetone, and the like, and ion exchange water (so-called ultrapure water) having a specific resistance of 18 MΩ? Cm or more is generally easy to remove excess polymer electrolyte solution or dispersion of inorganic oxide fine particles. Is used.
고분자 전해질 용액은, 물, 또는 물과 수용성 유기 용매의 혼합 용매에 고분자 전해질을 용해한 것이다. 사용할 수 있는 수용성 유기 용매로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아세톤, 디메틸포름아미드, 아세토니트릴 등을 들 수 있다.The polymer electrolyte solution is obtained by dissolving a polymer electrolyte in water or a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent. Examples of the water-soluble organic solvent that can be used include methanol, ethanol, propanol, acetone, dimethylformamide, acetonitrile and the like.
고분자 전해질로서는, 수용액 중에서 전리하여, 하전을 갖는 관능기를 주쇄 또는 측쇄에 갖는 고분자를 사용할 수 있다. 이 경우에는 폴리 양이온을 이용하는 것이 좋다.As the polymer electrolyte, a polymer which is ionized in an aqueous solution and has a functional group having a charge in the main chain or the side chain can be used. In this case, it is preferable to use a poly cation.
폴리 양이온으로서는, 일반적으로 폴리아민류 등과 같이 플러스 하전을 띨 수 있는 관능기를 갖는 것, 예를 들면 폴리에틸렌이민(PEI), 폴리알릴아민염산염(PAH), 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드(PDDA), 폴리비닐피리딘(PVP), 폴리리신, 폴리아크릴아미드 및 이들을 적어도 1종 이상을 포함하는 공중합체 등을 사용할 수 있다.As a poly cation, what has a positively charged functional group like polyamines, for example, polyethyleneimine (PEI), polyallylamine hydrochloride (PAH), polydiallyldimethylammonium chloride (PDDA), polyvinyl Pyridine (PVP), polylysine, polyacrylamide and copolymers containing at least one thereof can be used.
고분자 전해질 중에서도 폴리에틸렌이민은 전하 밀도가 높고, 결합력이 강하다. 이들 고분자 전해질 중에서도, 일렉트로마이그레이션이나 부식을 피하기 위해서, 알칼리 금속(Li, Na, K, Rb, Cs) 이온 및 알칼리 토금속(Ca, Sr, Ba, Ra) 이온, 할로겐화물 이온(불소 이온, 클로라이드 이온, 브롬 이온, 요오드 이온)을 포함하지 않는 것이 바람직하다.Among the polymer electrolytes, polyethyleneimine has a high charge density and a strong bonding force. Among these polymer electrolytes, alkali metal (Li, Na, K, Rb, Cs) ions and alkaline earth metal (Ca, Sr, Ba, Ra) ions, halide ions (fluorine ions, chloride ions) in order to avoid electromigration or corrosion. , Bromine ions, and iodine ions) are preferred.
이들 고분자 전해질은 모두 수용성인 것, 또는 물과 유기 용매의 혼합액에 가용인 것이고, 고분자 전해질의 분자량으로서는, 이용하는 고분자 전해질의 종류에 따라 일률적으로는 정할 수 없지만, 일반적으로 500 내지 200,000 정도의 것이 바람직하다. 또한, 용액 중의 고분자 전해질의 농도는 일반적으로 0.01 내지 10 중량% 정도가 바람직하다. 또한, 고분자 전해질 용액의 pH는 특별히 제한은 없다.All of these polymer electrolytes are water-soluble or soluble in a mixture of water and an organic solvent, and the molecular weight of the polymer electrolyte can not be determined uniformly depending on the type of polymer electrolyte used, but generally about 500 to 200,000 is preferable. Do. In addition, the concentration of the polymer electrolyte in the solution is generally preferably about 0.01 to 10% by weight. In addition, the pH of the polymer electrolyte solution is not particularly limited.
모입자 (2a)를 피복하는 고분자 전해질 박막의 종류, 분자량, 또는 농도를 조정함으로써 무기 산화물 미립자의 피복률을 컨트롤할 수 있다.The coverage of the inorganic oxide fine particles can be controlled by adjusting the type, molecular weight, or concentration of the polymer electrolyte thin film covering the
구체적으로는, 폴리에틸렌이민 등, 전하 밀도가 높은 고분자 전해질 박막을 이용한 경우, 무기 산화물 미립자의 피복률이 높아지는 경향이 있고, 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드 등, 전하 밀도가 낮은 고분자 전해질 박막을 이용한 경우, 무기 산화물 미립자의 피복률이 낮아지는 경향이 있다.Specifically, when a polymer electrolyte thin film having a high charge density, such as polyethyleneimine, is used, the coverage of inorganic oxide fine particles tends to increase, and when a polymer electrolyte thin film having a low charge density, such as polydiallyldimethylammonium chloride, is used, There exists a tendency for the coverage of inorganic oxide fine particles to become low.
또한, 고분자 전해질의 분자량이 큰 경우, 무기 산화물 미립자의 피복률이 높아지는 경향이 있음과 동시에, 무기 산화물 미립자를 팔라듐층 (12)에 견고하게 흡착시킬 수 있다. 결합력이라는 관점에서 본 경우, 고분자 전해질의 분자량은 10,000 이상인 것이 바람직하다. 한편, 고분자 전해질의 분자량이 작은 경우, 무기 산화물 미립자의 피복률이 낮아지는 경향이 있다.When the molecular weight of the polymer electrolyte is large, the coverage of the inorganic oxide fine particles tends to be high, and the inorganic oxide fine particles can be firmly adsorbed onto the
또한, 고분자 전해질을 고농도로 이용한 경우, 무기 산화물 미립자의 피복률이 높아지는 경향이 있고, 고분자 전해질을 저농도로 이용한 경우, 무기 산화물 미립자의 피복률이 낮아지는 경향이 있다. 무기 산화물 미립자의 피복률이 높은 경우에는 절연성이 높고 도전성이 나쁜 경향이 있고, 무기 산화물 미립자의 피복률이 낮은 경우에는 도전성이 높고 절연성이 나쁜 경향이 있다.When the polymer electrolyte is used at a high concentration, the coverage of the inorganic oxide fine particles tends to be high, and when the polymer electrolyte is used at a low concentration, the coverage of the inorganic oxide fine particles tends to be low. When the coverage of the inorganic oxide fine particles is high, the insulation tends to be high and the conductivity is poor. When the coverage of the inorganic oxide fine particles is low, the conductivity tends to be high and the insulation is bad.
무기 산화물 미립자는 한층만 피복되어 있는 것이 좋다. 복층 적층하면 적층량의 컨트롤이 곤란해진다. 또한, 무기 산화물 미립자에 의한 팔라듐층 (12) 표면의 피복률은 20 내지 100%의 범위인 것이 바람직하고, 30 내지 60%의 범위인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that only one inorganic oxide fine particle is coated. When lamination | multilayer lamination, control of lamination amount becomes difficult. The coverage of the surface of the
무기 산화물 미립자의 분산 용액 내의 알칼리 금속 이온 및 알칼리 토금속 이온 농도가 100 ppm 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 인접하는 전극 사이의 절연 신뢰성을 향상시키기 쉬워진다. 또한, 무기 산화물 미립자로서는, 금속 알콕시드의 가수분해 반응, 이른바 졸겔법에 의해 제조되는 무기 산화물 미립자가 바람직하다.It is preferable that the concentration of alkali metal ions and alkaline earth metal ions in the dispersion solution of the inorganic oxide fine particles is 100 ppm or less. Thereby, it becomes easy to improve the insulation reliability between adjacent electrodes. Moreover, as inorganic oxide microparticles | fine-particles, inorganic oxide microparticles | fine-particles manufactured by the hydrolysis reaction of a metal alkoxide, what is called a sol-gel method, are preferable.
특히, 무기 산화물 미립자로서는, 수 분산 콜로이달 실리카(SiO2)가 바람직하다. 수 분산 콜로이달 실리카는 표면에 수산기를 갖기 때문에, 모입자 (2a)와의 결합성이 우수하고, 입경을 균일하게 하기 쉽고, 저렴하다는 점에서, 무기 산화물 미립자에 바람직하다.In particular, as inorganic oxide fine particles, water dispersion colloidal silica (SiO 2 ) is preferable. Since water-disperse colloidal silica has a hydroxyl group on the surface, it is preferable for inorganic oxide fine particles from the point of being excellent in binding property with the
일반적으로 수산기는, 수산기, 카르복실기, 알콕실기, 알콕시카르보닐기와 강고한 결합을 형성하는 것으로 알려져 있다. 수산기와 이들 관능기의 결합의 구체적인 양식으로서는, 탈수축합에 의한 공유 결합이나 수소 결합을 들 수 있다. 따라서, 수산기, 카르복실기, 알콕실기, 알콕시카르보닐기 등의 관능기가 형성된 팔라듐층 (12)(모입자 (2a) 표면)에 대하여, 표면에 수산기를 갖는 무기 산화물 미립자는 견고하게 흡착하는 것이 가능해진다.In general, hydroxyl groups are known to form strong bonds with hydroxyl groups, carboxyl groups, alkoxyl groups, and alkoxycarbonyl groups. Specific examples of the bond between the hydroxyl group and these functional groups include covalent bonds and hydrogen bonds by dehydration condensation. Therefore, the inorganic oxide fine particles having a hydroxyl group on the surface can be firmly adsorbed to the palladium layer 12 (the surface of the
또한, 무기 산화물 미립자의 표면의 수산기는, 실란 커플링제 등으로 아미노기나 카르복실기, 에폭시기로 변성하는 것이 가능한데, 무기 산화물의 입경이 500 nm 이하인 경우 곤란하다. 따라서, 관능기의 변성을 행하지 않고서 모입자 (2a)를 무기 산화물 미립자로 피복하는 것이 바람직하다.The hydroxyl group on the surface of the inorganic oxide fine particles can be modified with an amino group, a carboxyl group, or an epoxy group with a silane coupling agent or the like, which is difficult when the particle size of the inorganic oxide is 500 nm or less. Therefore, it is preferable to coat the
이상과 같이 하여 완성한 도전 입자 (8b)를 가열 건조함으로써 절연성 입자 (1)과 모입자 (2a)의 결합을 더욱 강화할 수 있다. 결합력이 증가하는 이유로서는, 예를 들면 팔라듐층 (12)의 표면의 카르복실기 등의 관능기와 절연성 입자 (1)의 표면의 수산기와의 화학 결합, 또는 팔라듐층 (12)의 표면의 카르복실기와 절연성 입자 (1)의 표면의 아미노기의 탈수축합이 촉진되는 것을 들 수 있다. 또한 가열을 진공에서 행하면, 금속의 녹슬기 방지 측면에서 바람직하다. 또한, 모입자의 최외측 표면이 금층인 경우에 있어서도, 팔라듐층 (12)의 경우와 같이, 가열 건조함으로써 절연성 입자와 모입자의 결합을 더욱 강화할 수 있다.Bonding of the insulating
가열 건조의 온도는 60 내지 200℃인 것이 바람직하고, 가열 시간은 10 내지 180 분인 것이 바람직하다. 온도가 60℃ 미만인 경우나 가열 시간이 10 분 미만인 경우에는, 절연성 입자 (1)이 모입자 (2a)로부터 박리하기 쉽고, 온도가 200℃를 초과하는 경우나 가열 시간이 180 분을 초과하는 경우에는, 모입자 (2a)가 변형하기 쉽기 때문에 바람직하지 않다.It is preferable that the temperature of heat drying is 60-200 degreeC, and it is preferable that heating time is 10-180 minutes. When the temperature is less than 60 ° C. or when the heating time is less than 10 minutes, the insulating
(입자의 관찰) (Observation of particles)
수지 미립자를 피복하는 도금막(팔라듐층)이나, 도금막 상에 배치된 절연성 입자 등의 관찰에는, 주사형 전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)을 사용할 수 있다. 화상에 의해, 도금막 표면이나 절연성 미립자의 배치 위치나 수 등을 확인할 수 있다.A scanning electron microscope (SEM) can be used for observation of the plating film (palladium layer) which coat | covers resin microparticles | fine-particles, the insulating particle arrange | positioned on a plating film, etc. By the image, the arrangement position, the number, etc. of the plating film surface and insulating fine particles can be confirmed.
(이방 도전성 접착제)(Anisotropic Conductive Adhesive)
이상과 같이 하여 제작한 도전 입자 (8b)를, 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 접착제 (3)에 분산시킴으로써 이방 도전성 접착제 (40)가 얻어진다. 이 이방 도전성 접착제 (40)을 이용한 접속 구조체 (42)의 제작 방법을, 도 3(b), (c)에 도시하였다. 또한, 도 3(a), 도 3(b), 도 3(c)에서는, 도전 입자 (8b)를 도전 입자 (8)이라 기재한다. 또한, 도면의 간략화를 위해, 도전 입자 (8)이 구비하는 팔라듐층 (12)는 생략한다.The anisotropically conductive
도 3(b)에 도시된 바와 같이 제1 기판 (4)와 제2 기판 (6)을 준비하고, 이방 도전성 접착제 (40)을 그 사이에 배치한다. 이 때, 제1 기판 (4)가 구비하는 제1 전극 (5)와 제2 기판 (6)이 구비하는 제2 전극 (7)이 대향하도록 한다. 그 후, 제1 기판 (4)와 제2 기판 (6)을, 제1 전극 (5)와 제2 전극 (7)이 대향하는 방향에서 가압 가열하면서 적층하여, 도 3(c)에 나타내는 접속 구조체 (42)를 얻는다.As shown in FIG.3 (b), the 1st board |
이와 같이 하여 접속 구조체 (42)를 제작하면, 세로 방향은 절연성 입자 (1)이 모입자 (2)에 박혀 제1 전극 (5)와 제2 전극 (7)은 모입자 (2)의 표면(팔라듐층)을 통해 도통하고, 가로 방향은 모입자 사이에 절연성 자입자 (1)이 개재함으로써 절연성이 유지된다.In this way, when the
COG용의 이방 도전성 접착제는 최근 10 ㎛ 레벨의 협피치에서의 절연 신뢰성이 요구되고 있지만, 본 실시 형태에 따른 이방 도전성 접착제 (40)을 이용하면, 10 ㎛ 레벨의 협피치에서의 절연 신뢰성을 향상시키는 것이 가능해진다.Although anisotropically conductive adhesive for COG has recently been required to have insulation reliability at a narrow pitch of 10 μm, the use of the anisotropically conductive adhesive 40 according to the present embodiment improves the insulation reliability at a narrow pitch of 10 μm. It becomes possible.
이방 도전성 접착제 (40)에 이용되는 접착제 (3)으로서는, 열 반응성 수지와 경화제의 혼합물이 이용되고, 구체적으로는 에폭시 수지와 잠재성 경화제의 혼합물이 바람직하다.As the adhesive 3 used for the anisotropic conductive adhesive 40, a mixture of a thermally reactive resin and a curing agent is used, and specifically, a mixture of an epoxy resin and a latent curing agent is preferable.
에폭시 수지로서는, 에피클로로히드린과 비스페놀 A나 F, AD 등으로부터 유도되는 비스페놀형 에폭시 수지, 에피클로로히드린과 페놀노볼락이나 크레졸노볼락으로부터 유도되는 에폭시노볼락 수지나 나프탈렌환을 포함한 골격을 갖는 나프탈렌계 에폭시 수지, 글리시딜아민, 글리시딜에테르, 비페닐, 지환식 등의 1 분자 내에 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 각종 에폭시 화합물 등을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 이용하는 것이 가능하다.Examples of the epoxy resin include bisphenol-type epoxy resins derived from epichlorohydrin and bisphenols A, F, AD and the like, and skeletons containing epichlorohydrin and epoxy novolac resins derived from phenol novolac or cresol novolac and naphthalene rings. It is possible to use various epoxy compounds having two or more glycidyl groups in one molecule, such as naphthalene-based epoxy resins, glycidylamines, glycidyl ethers, biphenyls, and alicyclic compounds, alone or in combination of two or more thereof. It is possible.
이들 에폭시 수지는 불순물 이온(Na+, Cl- 등)이나, 가수분해성 염소 등을 300 ppm 이하로 감소한 고순도품을 이용하는 것이 바람직하다. 이에 따라 일렉트로마이그레이션을 방지하기 쉬워진다.As these epoxy resins, it is preferable to use high purity articles which reduced impurity ions (Na + , Cl - etc.), hydrolyzable chlorine, etc. to 300 ppm or less. This makes it easy to prevent electromigration.
잠재성 경화제로서는, 이미다졸계, 히드라지드계, 3불화 붕소-아민 착체, 술포늄염, 아민이미드, 폴리아민의 염, 디시안디아미드 등을 들 수 있다. 이 외에, 접착제에는 라디칼 반응성 수지와 유기 과산화물의 혼합물이나 자외선 등의 에너지선 경화성 수지가 이용된다.Examples of the latent curing agent include imidazole series, hydrazide series, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amineimides, salts of polyamines, dicyandiamides, and the like. In addition, energy ray curable resins, such as a mixture of a radical reactive resin and an organic peroxide, and an ultraviolet-ray, are used for an adhesive agent.
접착제 (3)에는, 접착 후의 응력을 감소하기 위해서 또는 접착성을 향상하기 위해서, 부타디엔 고무, 아크릴 고무, 스티렌-부타디엔 고무, 실리콘 고무 등을 혼합할 수 있다.In the adhesive 3, butadiene rubber, acrylic rubber, styrene-butadiene rubber, silicone rubber, etc. can be mixed in order to reduce the stress after adhesion or to improve the adhesiveness.
또한, 접착제 (3)으로서는 페이스트상 또는 필름상의 것이 이용된다. 접착제를 필름상으로 하기 위해서는, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지 등의 열가소성 수지를 배합하는 것이 효과적이다. 이들 필름 형성성 고분자는, 반응성 수지의 경화 시의 응력 완화에도 효과가 있다. 특히, 필름 형성성 고분자가 수산기 등의 관능기를 갖는 경우, 접착성이 향상하기 때문에 보다 바람직하다.In addition, as adhesive 3, a paste form or a film form is used. In order to make an adhesive into a film form, it is effective to mix | blend thermoplastic resins, such as a phenoxy resin, a polyester resin, and a polyamide resin. These film-forming polymers are also effective for stress relaxation at the time of curing of a reactive resin. In particular, when the film-forming polymer has a functional group such as a hydroxyl group, it is more preferable because the adhesiveness is improved.
필름의 형성은 에폭시 수지, 아크릴 고무, 잠재성 경화제, 및 필름 형성성 고분자를 포함하는 접착 조성물을 유기 용제에 용해 또는 분산시킴으로써 액상화하고, 박리성 기재 상에 도포하고, 경화제의 활성 온도 이하에서 용제를 제거함으로써 행해진다. 이 때 이용하는 유기 용제로서는, 재료의 용해성을 향상시킨다는 점에서, 방향족 탄화수소계와 산소 함유계의 혼합 용제가 바람직하다.Formation of the film is liquefied by dissolving or dispersing an adhesive composition comprising an epoxy resin, an acrylic rubber, a latent curing agent, and a film-forming polymer in an organic solvent, applying the film on a peelable substrate, and below the active temperature of the curing agent. By removing it. As an organic solvent used at this time, the mixed solvent of an aromatic hydrocarbon type and an oxygen containing system is preferable at the point which improves the solubility of a material.
이방 도전성 접착제 (40)의 두께는 도전 입자 (8)의 입경 및 이방 도전성 접착제 (40)의 특성을 고려하여 상대적으로 결정되는데, 1 내지 100 ㎛인 것이 바람직하다. 1 ㎛ 미만이면 충분한 접착성이 얻어지지 않고, 100 ㎛를 초과하면 도전성을 얻기 위해서 다량의 도전 입자를 필요로 하기 때문에 현실적이지 않다. 이러한 이유로부터, 두께는 3 내지 50 ㎛인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the anisotropically conductive adhesive 40 is relatively determined in consideration of the particle diameter of the
제1 기판 (4) 또는 제2 기판 (6)으로서는, 유리 기판, 폴리이미드 등의 테이프 기판, 드라이버 IC 등의 베어 칩, 리지드형의 패키지 기판 등을 들 수 있다.Examples of the
이상, 본 발명에 따른 도전 입자 및 도전 입자의 제조 방법이 바람직한 실시 형태에 대해서 상세히 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 실시 형태에 따른 도전 입자 (8a)가, 수지 미립자 (11)과, 수지 미립자 (11)의 표면을 피복하는 팔라듐층 (12)와, 팔라듐층 (12)의 표면을 피복하는 다른 도전층(예를 들면 금층)을 구비할 수도 있다. 또한, 제2 실시 형태에 따른 도전 입자 (8b)가, 수지 미립자 (11)과, 수지 미립자 (11)의 표면을 피복하는 팔라듐층 (12)와, 팔라듐층 (12)의 표면을 피복하는 다른 도전층(예를 들면 금층)과, 도전층의 표면에 배치된 복수의 절연성 입자 (1)을 구비할 수도 있다. As mentioned above, although the conductive particle which concerns on this invention, and the manufacturing method of the conductive particle were described in detail about preferable embodiment, this invention is not limited to the said embodiment. For example, the
[실시예][Example]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described by way of examples.
(모입자 1) (Parental parent 1)
평균 입경 3.5 ㎛의 가교 폴리스티렌 입자(수지 미립자) 3 g을, 알칼리 탈지를 실시한 후, 산으로 중화하였다. pH 6.0으로 조정한 양이온성 고분자액 100 ml에 상기 수지 미립자를 첨가하고, 60℃에서 1 시간 교반한 후, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 여과하고, 수세를 행하였다. 팔라듐 촉매인 아토텍 네오간트 834(아토텍 재팬(주) 제조, 상품명)을 8 중량% 함유하는 팔라듐 촉매화액 100 mL에 수세 후의 수지 미립자를 첨가하고, 35℃에서 30 분 교반한 후, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 여과하고, 수세를 행하였다. 팔라듐 촉매액에 반복하여 수지 미립자를 첨가하고, 수지 미립자 표면에 충분한 양의 팔라듐 촉매를 부여하였다. 또한, 「팔라듐 촉매」란 수지 미립자 표면에 팔라듐층을 형성하기 위한 촉매로서, 본 발명에서의 팔라듐층 그 자체가 아니다.3 g of crosslinked polystyrene particles (resin fine particles) having an average particle diameter of 3.5 µm were neutralized with an acid after alkali degreasing. The resin fine particles were added to 100 ml of the cationic polymer liquid adjusted to pH 6.0, stirred at 60 ° C. for 1 hour, filtered through a membrane filter (manufactured by Millipore) with a diameter of 3 μm, and washed with water. Water fine resin after water washing was added to 100 mL of palladium catalysis liquid containing 8 weight% of Atotech Neogant 834 (Atotech Japan Co., Ltd. brand name) which is a palladium catalyst, and it stirred at 35 degreeC for 30 minutes, and then
다음으로, 수세 후의 수지 미립자를 pH 6.0으로 조정한 3 g/L의 차아인산나트륨액에 첨가하여, 표면이 활성화된 수지 미립자(수지 코어 입자)를 얻었다. 그 후, 표면이 활성화된 수지 미립자를 증류수에 침지하고, 초음파 분산하였다.Next, the resin fine particles after washing with water were added to 3 g / L sodium hypophosphite solution adjusted to pH 6.0 to obtain resin fine particles (resin core particles) with activated surfaces. Thereafter, the surface-activated resin fine particles were immersed in distilled water and ultrasonically dispersed.
상기한 액을 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 여과하고, 무전해 팔라듐 도금액인 APP(이시하라 야꾸힝 고교(주) 제조, 상품명)에, 50℃의 조건에서 표면이 활성화된 수지 미립자를 침지하고, 수지 미립자 표면에 20 nm의 무전해 Pd 도금을 행하였다. 무전해 팔라듐 도금액인 APP는 주성분으로서 환원제인 차아인산이나 그의 염, 인산이나 그의 염 등의 인 함유 물질을 함유하고 있는 것이 알려져 있다.The above liquid was filtered with a membrane filter (manufactured by Millipore) having a diameter of 3 µm, and the resin whose surface was activated under the conditions of 50 ° C in APP (Ishihara Yakuhin Kogyo Co., Ltd., brand name) which is an electroless palladium plating solution. The fine particles were immersed, and 20 nm of electroless Pd plating was performed on the surface of the resin fine particles. It is known that APP which is an electroless palladium plating liquid contains phosphorus-containing substances, such as hypophosphorous acid and its salt, phosphoric acid, and its salt which are reducing agents as a main component.
그 후, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 여과하고, 수세를 3회 행하였다. 40℃에서 7 시간 진공 건조한 후, 해쇄에 의해 응집을 풀어, 수지 미립자 상에 20 nm 두께의 팔라듐층을 갖는 모입자 1을 제작하였다.Then, it filtered with the membrane filter (made by Millipore) of
(모입자 2) (Parent 2)
상기한 무전해 팔라듐 도금액 APP을 이용하여 무전해 Pd 도금을 행하는 대신에, 무전해 팔라듐 도금액인 멜플레이트 Pal6700(멜텍스 가부시끼가이샤 제조의 제품명)에, 50℃의 조건에서, 표면이 활성화된 수지 미립자를 침지하고, pH 8에서 무전해 팔라듐 도금을 행한 것 이외에는, 모입자 1과 동일한 방법으로 수지 코어 입자 상에 40 nm 두께의 팔라듐층을 갖는 모입자 2를 제작하였다. 무전해 팔라듐 도금액인 멜플레이트 Pal6700은, 주성분으로서 환원제인 차아인산이나 그의 염, 인산이나 그의 염 등의 인 함유 물질을 함유하고 있는 것이 알려져 있다.Instead of performing electroless Pd plating using the electroless palladium plating solution APP described above, a resin having a surface activated under a 50 ° C condition on a melt plate Pal6700 (product name manufactured by Meltex Co., Ltd.) which is an electroless palladium plating solution. A
(모입자 3) (Parent 3)
상기한 무전해 팔라듐 도금액 멜플레이트 Pal6700(멜텍스 가부시끼가이샤 제조의 제품명)에 차아인산나트륨을 추가하여 사용한 것 이외에는, 모입자 2와 동일한 방법으로, 수지 코어 입자 상에 80 nm 두께의 팔라듐층을 갖는 모입자 3을 제작하였다.A palladium layer of 80 nm thickness was formed on the resin core particles in the same manner as the
(모입자 4)(Parent 4)
모입자 1과 동일한 방법으로 팔라듐 촉매를 부여하고, 활성화한 수지 미립자를 시트르산나트륨 50 g/L가 녹은 70℃의 욕 중에 분산시켰다. 그리고, 정량 펌프를 이용하여, 도금액 a 및 도금액 b를 각각 동시 또한 평행하게 10 ml/분으로 첨가하고, 무전해 팔라듐 도금을 수지 미립자에 대하여 행하였다. 도금액 a로서는, 팔라듐: 20 g/L, 시트르산나트륨: 50 g/L, 에틸렌디아민 20 g/L를 혼합하고, pH=6.0으로 조정된 액을 이용하였다. 또한, 도금액 a 중에서는 팔라듐은 이온이나 착체의 상태에서 용해하고 있고, 상기한 팔라듐의 양 「20 g/L」란 금속 팔라듐으로서의 중량 환산치이다. 도금액 b로서는, 차아인산나트륨: 1.2mol/L를 혼합하고, 수산화나트륨으로 pH=6.0으로 조정한 액을 이용하였다. 샘플링한 입자의 원자 흡광 광도계에 의한 분석에 의해서, 수지 미립자 표면에 형성되는 무전해 팔라듐층의 두께를 조정하였다. 무전해 팔라듐층의 두께가 130 nm가 된 시점에서 무전해 도금액의 첨가를 중지하였다. 첨가 종료 후, 기포의 발생이 정지하는 것을 기다려서, 여과와 수세를 행하였다. 반응이 정지했을 때는 pH가 6.0이었다. 이상의 방법으로 수지 코어 입자 상에 130 nm 두께의 무전해 팔라듐층을 갖는 모입자 4를 제작하였다. 얻어진 모입자 4는 회색이었다.A palladium catalyst was applied in the same manner as the
(모입자 5)(Parent 5)
모입자 1과 동일한 방법으로 팔라듐 촉매를 부여하고, 활성화한 수지 미립자를, 시트르산나트륨 50 g/L가 녹은 70℃의 욕 중에 분산시켰다. 그리고, 정량 펌프를 이용하여, 도금액 c 및 도금액 d를 각각 동시 또한 평행하게 4 ml/분으로 첨가하고, 무전해 팔라듐 도금을 수지 미립자에 대하여 행하였다. 도금액 c로서는, 팔라듐: 20 g/L, 시트르산나트륨: 80 g/L, 에틸렌디아민: 20 g/L를 혼합하고, pH=5.0으로 조정된 액을 이용하였다. 도금액 d로서는, 차아인산나트륨: 2.4mol/L를 혼합하고, 수산화나트륨으로 pH=5.0으로 조정한 액을 이용하였다. 샘플링한 입자의 원자 흡광 광도계에 의한 분석에 의해서, 수지 미립자 표면에 형성되는 무전해 팔라듐층의 두께를 조정하였다. 무전해 팔라듐층의 두께가 80 nm가 된 시점에서 무전해 도금액의 첨가를 중지하였다. 첨가 종료 후, 기포의 발생이 정지하는 것을 기다려, 여과와 수세를 행하였다. 반응이 정지했을 때는 pH가 4.8이었다. 이상의 방법으로 수지 코어 입자 상에 80 nm 두께의 무전해 팔라듐층을 갖는 모입자 5를 제작하였다. 얻어진 모입자 5는 회색이었다.A palladium catalyst was applied in the same manner as the
(모입자 6)(Parent 6)
모입자 1과 동일한 방법으로 팔라듐 촉매를 부여하고, 활성화한 수지 미립자를, 타르타르산나트륨 20 g/L가 녹은 70℃의 욕 중에 분산시켰다. 그리고, 정량 펌프를 이용하여, 도금액 e 및 도금액 f를 각각 동시 또한 평행하게 15 ml/분으로 첨가하고, 첨가 무전해 니켈 도금을 수지 미립자에 대하여 행하였다. 도금액 e로서는, 니켈: 224 g/L, 타르타르산나트륨: 20 g/L를 혼합한 액을 이용하였다. 도금액 f로서는, 차아인산나트륨: 226 g/L, 수산화나트륨: 85 g/L를 혼합한 액을 이용하였다. 샘플링한 입자의 원자 흡광 광도계에 의한 분석에 의해서 니켈의 막두께를 조정하였다. 니켈 막두께가 40 nm가 된 시점에서 무전해 도금액의 첨가를 중지하였다. 첨가 종료 후, 기포의 발생이 정지하는 것을 기다려, 여과와 수세를 행하였다. 반응이 정지했을 때는 pH가 6.2이고 미립자는 회색이었다. 다음으로, 무전해 니켈 도금 후의 수지 미립자를, 무전해 팔라듐 도금액인 APP(이시하라 야꾸힝 고교(주) 제조, 상품명)에 50℃의 조건에서 침지하여 무전해 팔라듐 도금을 행하였다.A palladium catalyst was applied in the same manner as the
상기한 액을 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 여과하고, 수세를 3회 실시하였다. 그 후, 40℃에서 7 시간의 진공 건조를 행하여 해쇄에 의해 응집을 풀었다. 이에 따라, 수지 미립자와, 수지 미립자 표면을 피복하는 40 nm 두께의 무전해 니켈층과, 무전해 니켈층 표면을 피복하는 40 nm의 무전해 팔라듐층을 갖는 모입자 6을 얻었다.The above liquid was filtered through a membrane filter (manufactured by Millipore) with a diameter of 3 µm, and washed with water three times. Thereafter, vacuum drying was performed at 40 ° C. for 7 hours to loosen the agglomeration by disintegration. This obtained the
(모입자 7)(Parent 7)
무전해 팔라듐 도금 대신에, 무전해 금 도금액인 HGS-500(히다치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조의 제품명)을 80℃의 조건에서 건욕한 액에, 모입자 6의 경우와 마찬가지의 방법으로 형성한 니켈 도금 완료된 수지 미립자를 침지하고, 치환금 도금을 행하고, 여과와 수세를 행하였다. 그 후, 무전해 금 도금액인 HGS-2000(히다치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조의 제품명)을 60℃에서 건욕한 액에 상기 입자를 침지하고, 여과와 수세를 행하였다. 이들 사항 이외에는, 모입자 6과 동일한 방법으로 처리를 행함으로써, 수지 미립자와, 수지 미립자를 피복하는 40 nm 두께의 니켈층과, 니켈층 표면을 피복하는 40 nm 두께의 Au층을 갖는 모입자 7을 제작하였다.Instead of electroless palladium plating, nickel formed by HGS-500 (product name manufactured by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd.), which is an electroless gold plating solution, in a solution bathed at 80 ° C. in the same manner as in the case of the
(절연 피복 처리)(Insulation coating processing)
다음으로, 상기에서 얻은 모입자 1 내지 7을 이용하여 도전 입자 1 내지 7을 제작하였다. 모입자의 표면에 절연성 입자인 실리카 미립자를 흡착시키는 절연 피복 처리는 일본 특허 공개 제2008-120990호 공보에 공개되어 있는 방법으로 실시하였다. 또한, 실시예에서는, 설명의 편의상, 표면에 절연성 입자를 구비하는 모입자를 「도전 입자」라고 기재하여, 표면에 절연성 입자를 구비하지 않은 모입자와 구별하고 있는데, 상술한 모입자 1 내지 5와 후술하는 도전 입자 1 내지 5는 전부 본 발명에 따른 도전 입자에 상당한다.Next, the
(도전 입자 1)(Conductive Particle 1)
머캅토아세트산 8 mmol을 메탄올 200 ml에 용해시켜 반응액을 제작하였다.8 mmol of mercaptoacetic acid was dissolved in 200 ml of methanol to prepare a reaction solution.
다음으로, 모입자 1을 1 g 상기 반응액에 가하고, 실온 25℃에서 2 시간 쓰리원 모터와 직경 45 mm의 교반 날개로 교반하였다. 메탄올로 세정한 후, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 모입자 1을 여과함으로써 표면에 카르복실기를 갖는 모입자 1을 얻었다.Next, 1 g of the
다음으로, 분자량 70000의 30% 폴리에틸렌이민 수용액(와코 준야꾸 고교(주) 제조)를 초순수로 희석하여, 0.3 중량% 폴리에틸렌이민 수용액을 얻었다. 상기 카르복실기를 갖는 모입자 1을 0.3 중량% 폴리에틸렌이민 수용액에 1 g 가하고, 실온에서 15 분 교반하였다.Next, a 30% aqueous polyethyleneimine solution (manufactured by Wako Junyaku Kogyo Co., Ltd.) having a molecular weight of 70000 was diluted with ultrapure water to obtain a 0.3 wt% aqueous polyethyleneimine solution. 1 g of the
그 후, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 모입자 1을 여과하고, 초순수 200 g에 넣고 실온에서 5 분 교반하였다. 또한 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 모입자 1을 여과하고, 상기 멤브레인 필터 상에서 200 g의 초순수로 2회 세정을 행함으로써 모입자 1에 흡착하지 않은 폴리에틸렌이민을 제거하였다.Thereafter, the
다음으로, 절연성 입자인 콜로이달 실리카의 분산액(질량 농도 20%, 후소 가가꾸 고교(주) 제조, 제품명: 쿠아트론 PL-3, 평균 입경 35 nm)을 초순수로 희석하여 0.1 중량% 실리카 분산 용액을 얻었다. 상기 폴리에틸렌이민에서의 처리 후의 모입자 1을 0.1 중량% 실리카 분산 용액에 넣고 실온에서 15 분 교반하였다.Next, the dispersion liquid of colloidal silica which is insulating particle (mass concentration 20%, Fuso Chemical Co., Ltd. make, product name: Cuatlon PL-3, average particle diameter 35nm) was diluted with ultrapure water, and 0.1 weight% silica dispersion solution. Got. The
다음으로, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 모입자 1을 여과하고, 초순수 200 g에 넣고 실온에서 5 분 교반하였다. 또한 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 모입자 1을 여과하고, 상기 멤브레인 필터 상에서 200 g의 초순수로 2회 세정을 행함으로써 모입자 1에 흡착하지 않은 실리카를 제거하였다. 그 후 80℃에서 30 분의 조건에서 건조를 행하고, 120℃에서 1 시간 가열 건조를 행함으로써 모입자 1의 표면에 실리카(자입자)가 흡착한 도전 입자 1을 제작하였다.Next, the
(도전 입자 2)(Conductive particle 2)
모입자 1 대신에 모입자 2를 이용하고, 콜로이달 실리카 분산액으로서 PL-3 대신에 PL-7(질량 농도 20%, 후소 가가꾸 고교(주) 제조, 제품명: 쿠아트론 PL-7, 평균 입경 75 nm)을 사용한 것 이외에는, 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 2를 제작하였다.The
(도전 입자 3)(Conductive particle 3)
모입자 1 대신에 모입자 3을 이용하고, 콜로이달 실리카 분산액으로서 PL-3 대신에 PL-13(질량 농도 20%, 후소 가가꾸 고교(주) 제조, 제품명: 쿠아트론 PL-13, 평균 입경 130 nm)을 사용한 것 이외에는, 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 3을 제작하였다.The
(도전 입자 4)(Conductive particle 4)
모입자 1 대신에 모입자 4를 이용하고, 콜로이달 실리카 분산액으로서 PL-3 대신에 PL-20(질량 농도 20%, 후소 가가꾸 고교(주) 제조, 제품명: 쿠아트론 PL-20, 평균 입경 (200n)m)을 사용한 것 이외에는, 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 4를 제작하였다.The
(도전 입자 5)(Conductive Particle 5)
모입자 1 대신에 모입자 5를 이용하고, 콜로이달 실리카 분산액으로서 PL-3 대신에 PL-50(질량 농도 20%, 후소 가가꾸 고교(주) 제조, 제품명: 쿠아트론 PL-50, 평균 입경 500 nm)을 사용한 것 이외에는, 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 5를 제작하였다.The
(도전 입자 6)(Conductive Particle 6)
모입자 3 대신에 모입자 6을 사용한 것 이외에는, 도전 입자 3과 동일한 방법으로 도전 입자 6을 제작하였다.Except having used the
(도전 입자 7)(Conductive Particle 7)
모입자 3 대신에 모입자 7을 사용한 것 이외에는, 도전 입자 3과 동일한 방법으로 도전 입자 7을 제작하였다.A
(실시예 1)(Example 1)
<접착제 용액의 제작> <Production of Adhesive Solution>
페녹시 수지(유니온 카바이드사 제조, 상품명: PKHC) 10 g 및 아크릴 고무(부틸아크릴레이트 40 부, 에틸아크릴레이트 30 부, 아크릴로니트릴 30 부, 글리시딜메타크릴레이트 3 부의 공중합체, 분자량: 85만) 7.5 g을 아세트산에틸 30 g에 용해하여 30 중량% 용액을 얻었다.Copolymer of 10 g of phenoxy resins (manufactured by Union Carbide, trade name: PKHC) and acrylic rubber (40 parts of butyl acrylate, 30 parts of ethyl acrylate, 30 parts of acrylonitrile, 3 parts of glycidyl methacrylate, molecular weight: 850,000) 7.5 g was dissolved in 30 g of ethyl acetate to obtain a 30 wt% solution.
이어서, 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제를 함유하는 액상 에폭시(에폭시 당량 185, 아사히 가세이 에폭시(주) 제조, 상품명: 노바큐어 HX-3941) 30 g을 이 용액에 가하고, 교반하여 접착제 용액을 제작하였다.Next, 30 g of a liquid epoxy (epoxy equivalent 185, manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd., product name: Novacure HX-3941) containing a microcapsule latent curing agent was added to this solution, and stirred to prepare an adhesive solution.
상기에서 제조한 4 g의 도전 입자 1을 아세트산에틸 10 g 중에 분산하였다.4 g of
도전 입자 1이 접착제에 대하여 37 중량%가 되도록, 상기 입자 분산액을 접착제 용액에 분산시키고,이 용액을 세퍼레이터(실리콘 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 40 ㎛)에 롤코터로 도포하고, 90℃, 10분 건조하여, 두께 25 ㎛의 이방 도전 접착제 필름을 제작하였다.The particle dispersion was dispersed in the adhesive solution so that the
다음으로, 제작한 이방 도전 접착 필름을 이용하여, 금 범프(면적: 30×90 ㎛, 스페이스 10 ㎛, 높이: 15 ㎛, 범프수 362) 부착 칩(1.7×17 mm, 두께: 0.5 mm)와 ITO 회로 부착 유리 기판(두께: 0.7 mm)의 접속 구조체 샘플을 이하의 방법으로 제작하였다.Next, using the produced anisotropic conductive adhesive film, a chip (1.7 × 17 mm, thickness: 0.5 mm) with gold bumps (area: 30 × 90 μm, space 10 μm, height: 15 μm, bump number 362) and The bonded structure sample of the glass substrate (thickness: 0.7 mm) with an ITO circuit was produced with the following method.
우선, 이방 도전 접착 필름(2×19 mm)을 ITO 회로 부착 유리 기판에 80℃, 0.98 MPa(10 kgf/cm2)로 첩부한 후, 세퍼레이터를 박리하고, 칩의 범프와 ITO 회로 부착 유리 기판의 위치 정렬을 행하였다. 이어서, 190℃, 5초의 조건에서 칩 상측으로부터 가열, 가압을 행하여, 본 접속을 행하여 샘플을 얻었다.First, after attaching an anisotropic conductive adhesive film (2x19 mm) to a glass substrate with an ITO circuit at 80 ° C and 0.98 MPa (10 kgf / cm 2 ), the separator is peeled off, and the bump of the chip and the glass substrate with the ITO circuit are The position alignment of was performed. Subsequently, heating and pressurization were performed from the upper side of a chip | tip on 190 degreeC and the conditions of 5 second, and this connection was made and the sample was obtained.
(실시예 2) (Example 2)
도전 입자 1 대신에 도전 입자 2를 이용하고, 실시예 2에서 제작한 이방 도전 접착 필름의 단위 면적당 분산하고 있는 도전 입자의 수가 실시예 1과 동일하게 되도록 접착제에 첨가하는 도전 입자 2의 비율을 조정한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 샘플을 제작하였다.Using the
(실시예 3) (Example 3)
도전 입자 2 대신에 도전 입자 3을 이용한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 샘플을 제작하였다.A sample was produced in the same manner as in Example 2 except that
(실시예 4) (Example 4)
도전 입자 2 대신에 도전 입자 4를 이용한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 샘플을 제작하였다.A sample was produced in the same manner as in Example 2 except that
(실시예 5) (Example 5)
도전 입자 2 대신에 도전 입자 5를 이용한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 샘플을 제작하였다.A sample was produced in the same manner as in Example 2 except that
(비교예 1) (Comparative Example 1)
도전 입자 2 대신에 도전 입자 6을 이용한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 샘플을 제작하였다.A sample was produced in the same manner as in Example 2 except that
(비교예 2) (Comparative Example 2)
도전 입자 2 대신에 도전 입자 7을 이용한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 샘플을 제작하였다.A sample was produced in the same manner as in Example 2 except that
(금속의 막두께 측정) (Measurement of film thickness of metal)
Pd, Ni, Au의 각 막두께의 측정에서는, 각 입자를 50 부피% 왕수에 용해시킨 후, 수지 미립자 및 고형물을 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 여과분별하여 제거하고, 원자 흡광 광도계 S4700(가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 제조의 제품명)으로 각 금속의 양을 측정한 후에, 그것을 두께 환산하였다.In the measurement of the film thicknesses of Pd, Ni, and Au, after dissolving each particle in 50 volume% of aqua regia, resin fine particles and solids were separated by filtration using a membrane filter (manufactured by Millipore) with a diameter of 3 m, and the atoms were removed. After measuring the quantity of each metal by the light absorption photometer S4700 (product name of the Hitachi Seisakusho make), it was converted into thickness.
(도금막 중의 성분 분석)(Component Analysis in Plating Film)
도금막 중의 성분 분석으로서는, 각 입자를 50 부피% 왕수에 용해시킨 후, 수지를 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 여과분별하여 제거하고, ICP(유도 결합 플라즈마) 발광 분석 장치 P4010(가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 제조의 제품명)을 이용하였다.As component analysis in a plating film, after dissolving each particle in 50 volume% of aqua regia, resin was separated by filtration with a membrane filter (made by Millipore) of 3 micrometers in diameter, and ICP (inductively coupled plasma) light emission analyzer P4010 (Product name manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.) was used.
(자입자의 피복률)(Coverage rate of subsidiary particles)
자입자(절연성 입자)의 피복률은 각 도전 입자의 전자현미경 사진을 촬영하고, 화상을 해석함으로써 산출하였다. 전자현미경에는, S4700(가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 제조의 제품명)을 사용하여 5000배 이상으로 관찰하였다.The coverage of the magnetic particles (insulating particles) was calculated by taking an electron microscope photograph of each conductive particle and analyzing the image. In an electron microscope, it observed at 5000 times or more using S4700 (product name of the Hitachi Seisakusho make).
(입자의 우려내기(煮出) 시험) (Particle test)
도전 입자 1 내지 7 중 어느 하나를 1 g 채취하고, 순수 50 g에 분산시켰다. 다음으로, 60 ml의 압력 용기에 샘플을 투입하고, 100℃에서 10 시간 방치하였다.1 g of any one of the
그 후, 도전 입자의 분산 용매를 0.2 ㎛ 필터로 여과하고, 여과액 내의 각 금속 이온을 원자 흡광 광도계로 측정하였다. 우려내기 양(이온 측정치)는 다음식에 의해 구하였다.Then, the dispersion solvent of electroconductive particle was filtered with the 0.2 micrometer filter, and each metal ion in the filtrate was measured with the atomic absorption photometer. The amount of soaked (ion measurement value) was calculated | required by the following formula.
(성분 분석) (Component analysis)
절연 피복 처리를 실시하기 전의 각 모입자를 시료대에 고정한 도전 테이프(닛신 EM사 제조의 Cat No7311) 상에 뿌리고, 시료대를 거꾸로 하여 흔들어 여분의 도전 입자를 떨어뜨렸다. 다음으로, 주사형 전자현미경 S4700(가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 제조의 제품명)에 부속하는 EDX 분석 장치: EMAX EX-300(가부시끼가이샤 호리바 세이사꾸쇼 제조의 제품명)을 이용하여, 3만배로 확대한 모입자 표면의 도전층을 분석하여 정성하였다. 또한, 팔라듐 중의 인 농도는 각 모입자 10개를 측정하고, 그의 평균치로부터 산출하였다. 또한, 도전 입자의 도전층 부분의 박편을 수속 이온빔으로 잘라내었다. 투과형 전자현미경 HF-2200(가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 제조의 제품명)을 이용하여 10만배 이상으로 박편을 관찰하여, 상기 장치에 부속한 NORAN사 제조의 EDX로 도전층의 각 영역의 성분 분석을 하였다. 얻어진 값으로부터 각 영역의 니켈, 팔라듐 및 인의 농도를 산출하였다.Each mother particle before the insulation coating treatment was sprayed onto a conductive tape (Cat No7311, manufactured by Nissin EM Co., Ltd.) fixed to the sample stand, and the sample stand was turned upside down to shake off excess conductive particles. Next, using the EDX analyzer attached to the scanning electron microscope S4700 (product name manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.): EMAX EX-300 (product name manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.), it was 30,000 times. The conductive layer on the enlarged mother particle surface was analyzed and quantified. In addition, the phosphorus concentration in palladium measured 10 parent particle | grains, and computed it from the average value. In addition, the flakes of the conductive layer portion of the conductive particles were cut out with a converging ion beam. Using a transmission electron microscope HF-2200 (product name manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.), the flakes were observed at 100,000 times or more, and the component analysis of each region of the conductive layer was carried out using EDRAN, manufactured by NORAN Inc., attached to the apparatus. It was. The concentrations of nickel, palladium and phosphorus in each region were calculated from the obtained values.
(절연 저항 시험 및 도통 저항 시험)(Insulation resistance test and conduction resistance test)
실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 2에서 제작한 샘플의 절연 저항 시험(절연 신뢰성 시험) 및 도통 저항 시험을 행하였다. 이방 도전 접착 필름은 칩 전극 사이의 절연 저항이 높고, 칩 전극/ 유리 전극 사이의 도통 저항(접속 저항)이 낮은 것이 중요하다.The insulation resistance test (insulation reliability test) and the conduction resistance test of the samples produced in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 2 were performed. It is important for the anisotropic conductive adhesive film to have high insulation resistance between the chip electrodes and low conduction resistance (connection resistance) between the chip electrode and the glass electrode.
칩 전극 사이의 절연 저항은 20 샘플을 측정하여, 그의 최소치를 측정하였다. 절연 저항에 대해서는 바이어스 시험(습도 60%, 90℃, 20V 직류 전압에 의한 내구시험) 전후의 결과의 최소치를 나타낸다. 또한, 표 1에 나타내는 100 시간, 300 시간, 500 시간, 1000 시간이란 바이어스 시험의 시간을 의미한다.The insulation resistance between the chip electrodes measured 20 samples and measured their minimum value. About insulation resistance, the minimum value of the result before and behind a bias test (humidity test of 60% of humidity, 90 degreeC, and 20V DC voltage) is shown. In addition, 100 hours, 300 hours, 500 hours, and 1000 hours shown in Table 1 mean the time of a bias test.
또한, 칩 전극/유리 전극 사이의 도통 저항에 대해서는 14 샘플의 평균치를 측정하였다. 도통 저항은 초기치와 흡습 내열 시험(온도 85℃, 습도 85%의 조건에서 1000 시간 방치) 후의 값을 측정하였다.In addition, the average value of 14 samples was measured about the conduction resistance between a chip electrode and a glass electrode. The conduction resistance measured the initial value and the value after a moisture absorption heat test (it left for 1000 hours in 85 degreeC of temperature, 85% of humidity conditions).
(결과) (result)
상기한 실시예 1 내지 5 및 비교예 1, 2의 측정 결과를 표 1에 나타내었다.Table 1 shows the measurement results of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 described above.
표 1에 나타낸 바와 같이, 니켈을 전혀 이용하지 않는 실시예 1 내지 5의 도전 입자에서는, 우려내기 시험 결과에 나타낸 바와 같이 금속의 용출이 거의 없다.As shown in Table 1, in the conductive particles of Examples 1 to 5 that do not use nickel at all, almost no elution of the metal was observed, as shown in the test results of the frying test.
이에 비하여, 바탕(下地)에 니켈을 이용한 비교예 1, 2에서는, 모두 실시예 1 내지 5에 비해 니켈이 용출하는 경향이 있다. 따라서, 협피치의 COG 기판에 있어서는 니켈을 이용하지 않는 쪽이 무난하다.On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2 in which nickel is used as the base, nickel tends to elute as compared with Examples 1 to 5. Therefore, in a narrow pitch COG substrate, it is better not to use nickel.
또한, 귀금속인 팔라듐은 용출이 거의 없다. 절연 신뢰성 시험 결과는 거의 니켈의 용출량에 의존하고 있어, 니켈의 용출이 적은 실시예는 양호한 결과를 나타내고, 니켈의 용출이 많은 비교예는 절연 신뢰성이 낮은 것이 분명하다.In addition, palladium, a precious metal, hardly elutes. The insulation reliability test results almost depended on the elution amount of nickel, and the Example with little elution of nickel shows a favorable result, and it is clear that the comparative example with many elution of nickel has low insulation reliability.
팔라듐은 귀금속 중에서도 비교적 저렴하고 실용적인데, 이방 도전막용의 도전 입자로서 다수 사용되고 있는 니켈에 비하면 다소 비싸기 때문에, 가능한 한 팔라듐의 사용량을 감소시키고자 한다. 한편, 전극과 접했을 때에, 도전 입자 표면의 팔라듐층은 찢어지지 않고 전극으로 파고들 필요가 있다. 또한, 팔라듐층에는, 도전 입자 제조 공정 중의 외력에 의해서 균열이나 박리가 생기지 않을 정도의 충분한 강도가 요구된다. 팔라듐은 니켈에 비해 연성은 있지만 경도가 떨어진다.Although palladium is relatively inexpensive and practical among precious metals, it is rather expensive compared with nickel which is used a lot as conductive particles for anisotropic conductive films, and therefore, the amount of palladium used is to be reduced as much as possible. On the other hand, when contacting an electrode, the palladium layer on the surface of the electrically conductive particles needs to be dug into the electrode without being torn. In addition, the palladium layer is required to have sufficient strength such that cracking or peeling does not occur due to external force in the conductive particle manufacturing step. Palladium is ductile compared to nickel, but less hard.
본 발명에서는, 환원제에 차아인산이나 아인산과 같은 인산염계의 무전해 팔라듐 도금액을 사용하여, 팔라듐층 중에 인을 공석시킴으로써, 경도가 높고, 내부식성이 우수한 도전 입자를 제공할 수 있다.In the present invention, by using phosphate-based electroless palladium plating solution such as hypophosphorous acid or phosphorous acid as the reducing agent, vacancy in the palladium layer can provide conductive particles having high hardness and excellent corrosion resistance.
실시예 1 내지 5의 각 도금막 중의 성분을 ICP(유도 결합 플라즈마) 발광 분석 장치 P4010(가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 제조의 제품명)에 의해 정성 분석을 한 바, 팔라듐과 인이 주성분이고, 다른 원소는 검출 오차 범위 내에서 검출되지 않았다.The components in each of the plating films of Examples 1 to 5 were qualitatively analyzed by an ICP (inductively coupled plasma) emission spectrometer P4010 (product name manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.). The element was not detected within the detection error range.
(실시예 6) (Example 6)
도전 입자 1을 이용하는 대신에 모입자 2를 이용하고, 실시예 1에서 제작한 이방 도전 접착 필름의 단위 면적당으로 분산하고 있는 도전 입자의 수의 반이 되도록 모입자 2의 양을 조정한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 샘플을 제작하였다.Instead of using the
(비교예 3) (Comparative Example 3)
도전 입자 1을 이용하는 대신에 모입자 7을 이용하고, 실시예 1에서 제작한 이방 도전 접착 필름의 단위 면적당에 분산하고 있는 도전 입자의 수의 반이 되도록 모입자 7의 양을 조정한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 샘플을 제작하였다.Instead of using the
실시예 1 내지 5와 동일한 방법으로, 실시예 6 및 비교예 3에 있어서의 입자의 우려내기 시험 및 도통 저항 시험을 행하였다.In the same manner as in Examples 1 to 5, the soaking test and the conduction resistance test of the particles in Example 6 and Comparative Example 3 were performed.
실시예 6과 비교예 3의 시험 결과를 표 2에 나타내었다.The test results of Example 6 and Comparative Example 3 are shown in Table 2.
(절연 피복 처리를 행하지 않은 입자의 평가)(Evaluation of Particles Not Insulated)
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 6의 접속 저항은 양호하였지만, 비교예 3의 접속 저항은 시간 경과와 함께 높아졌다. 이것은, 비교예 3의 금층이 무르기 때문에 전극에 파고들기 어려워, 시간 경과와 함께 발생하는 전극 위치의 어긋남에 추종할 수 없기 때문이다.As shown in Table 2, although the connection resistance of Example 6 was favorable, the connection resistance of the comparative example 3 increased with time. This is because it is difficult to penetrate into the electrode because the gold layer of Comparative Example 3 is soft, and it cannot follow the deviation of the electrode position generated with the passage of time.
샘플을 유리면측으로부터 광학현미경으로 관찰한 바, 비교예 3 쪽이 입자의 응집이 많이 관찰되었다. 비교예 3의 모입자 7을 EDX 분석한 바, 니켈 중의 인 농도가 2 중량%로 낮기 때문에, 비교예 3에서는, 자성에 의한 모입자 7의 응집이 발생했다고 생각된다.When the sample was observed with the optical microscope from the glass surface side, the aggregation of particle | grains was observed by the comparative example 3 much. EDX analysis of the
표 2에 나타낸 바와 같이, 금속층으로서 팔라듐층만을 구비하는 실시예 6에서는, 우려내기 시험에서 미량의 팔라듐만이 용출했지만, 비교예 3에서는 니켈이 대량으로 용출하였다. 용출한 니켈은 마이그레이션에 의한 쇼트 불량을 야기하거나, 팔라듐 표면 상에서 산화막을 형성하거나 하기 때문에 도통 저항을 저하시킨다. 이와 같이 용출이 발생할 가능성이 있는 금속(예를 들면, 니켈 등)을 이용하는 것은 피해야된다.As shown in Table 2, in Example 6 having only the palladium layer as the metal layer, only a small amount of palladium was eluted in the sagging test, but in Comparative Example 3, nickel was eluted in large quantities. The eluted nickel lowers the conduction resistance because it causes short defects due to migration or forms an oxide film on the surface of palladium. In this way, it is necessary to avoid using a metal (for example, nickel) in which elution may occur.
수지 미립자 상에 팔라듐층을 형성하는 무전해 팔라듐 도금의 방법으로서, 본 실시예에서는, 건욕한 무전해 팔라듐 도금액 내에 촉매가 부여되어 활성화한 수지 미립자를 침지하는 방법과, 촉매가 부여되어 활성화한 수지 미립자를 가온한 증류수 중에 침지하고, 교반에 의해 분산시키면서 무전해 팔라듐 도금액을 축차 첨가하는 방법을 이용했지만, 팔라듐 도금의 방법은 이들 방법에 한정되지 않다. 또한, 상기한 무전해 팔라듐 도금액을 축차 첨가하는 방법으로서는, 건욕 완료된 무전해 도금액을 적하할 수도 있고, 무전해 팔라듐 도금액의 성분을 적어도 2개 이상으로 분할하고, 이들을 동시 또한 평행하게 첨가할 수도 있다. 무전해 팔라듐 도금액의 성분을 분할하는 방법으로서는, 예를 들면 팔라듐 이온 및 팔라듐 착체 성분과 환원제 성분을 따로따로의 액으로서 첨가하는 방법이 있다. As a method of electroless palladium plating in which a palladium layer is formed on resin fine particles, in this embodiment, a catalyst is impregnated in a dry electroless palladium plating solution to immerse activated resin fine particles, and a catalyst is provided and activated resin. Although the fine particle was immersed in warm distilled water and the electroless palladium plating liquid was added gradually, disperse | distributing by stirring, the method of palladium plating is not limited to these methods. In addition, as a method of sequentially adding the above-mentioned electroless palladium plating solution, the electroless plating solution after completion of bathing may be dropped, or the components of the electroless palladium plating solution may be divided into at least two or more, and these may be added simultaneously and in parallel. . As a method of dividing the component of an electroless palladium plating liquid, there exists a method of adding a palladium ion, a palladium complex component, and a reducing agent component as a separate liquid, for example.
이상 설명한 바와 같이, 상기 본 발명에 따르면, 마이그레이션을 일으키는 일 없이, 비용이 싸고, 또한 도전성이 높고, 전극 사이의 접속 신뢰성이 우수한 도전 입자를 제공할 수 있다. As described above, according to the present invention, it is possible to provide conductive particles having low cost, high conductivity, and excellent connection reliability between electrodes without causing migration.
1: 절연성 입자
2, 2a: 모입자
3: 접착제
4: 제1 기판
5: 제1 전극
6: 제2 기판
7: 제2 전극
8, 8a, 8b: 도전 입자
11: 코어 입자
12: 팔라듐층
40: 이방 도전성 접착제
42: 접속 구조체1: insulating particles
2, 2a: mother particle
3: adhesive
4: first substrate
5: first electrode
6: second substrate
7: second electrode
8, 8a, 8b: conductive particles
11: core particle
12: palladium layer
40: anisotropic conductive adhesive
42: connection structure
Claims (5)
상기 도전층은 인을 함유하는 팔라듐층이고,
상기 팔라듐층 중의 인 농도가 1 중량% 이상 10 중량% 이하이며,
상기 팔라듐층의 두께가 20 nm 이상 130 nm 이하인 것을 특징으로 하는 도전 입자. And a conductive layer formed on the surface of the resin fine particles and the resin fine particles,
The conductive layer is a palladium layer containing phosphorus,
Phosphorus concentration in the said palladium layer is 1 weight% or more and 10 weight% or less,
The thickness of the said palladium layer is 20 nm or more and 130 nm or less, The electrically-conductive particle characterized by the above-mentioned.
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