KR101202547B1 - Organic Electroluminescent Device and method for fabricating thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 특히 유기전계발광층이 형성된 상판과 박막트랜지스터가 형성된 하판의 콘택 불량을 개선한 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 표시영역과 비표시영역으로 구분되고, 상기 표시영역에 형성된 각각의 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 제 1 기판과; 상기 표시영역에 대응하는 영역에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 유기전계발광층을 포함하는 제 2 기판을 포함하고, 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판은 표시영역에 대응하는 부분과 비표시영역에 대응하는 부분이 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having improved contact defects between an upper plate having an organic light emitting layer and a lower plate having a thin film transistor, and a method of manufacturing the same. An organic light emitting display device according to the present invention includes: a first substrate divided into a display area and a non-display area, the first substrate including at least one thin film transistor formed in each subpixel unit formed in the display area; A second substrate including at least one organic light emitting layer formed in subpixel units in an area corresponding to the display area, wherein the first substrate or the second substrate corresponds to a portion corresponding to the display area and a non-display area; The parts are characterized by having different thicknesses.

본 발명은 듀얼 패널을 갖는 상부발광방식 유기전계발광표시장치의 상하판의 중심 영역을 식각 패턴하여 패널 내부 진공도 저하에 따른 콘택 불량을 개선한 효과가 있다. The present invention has an effect of improving contact defects due to a decrease in the degree of vacuum inside the panel by etching patterns of the center region of the upper and lower panels of the top emission type organic light emitting display device having a dual panel.

유기전계발광층, 격벽, 식각, HF, 표시영역, 비표시영역 Organic light emitting layer, partition, etching, HF, display area, non-display area

Description

유기전계발광표시장치 및 그 제조방법{Organic Electroluminescent Device and method for fabricating thereof}Organic electroluminescent display and manufacturing method thereof

도 1은 종래 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도로서, 이는 하부 발광방식으로 동작하는 AMOLED의 단면 구조를 나타내고 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device, which shows a cross-sectional structure of an AMOLED operating in a bottom emission method.

도 2는 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to the present invention.

도 3은 본 발명의 유기전계발광표시장치의 제조공정을 설명하기 위한 플로챠트이다.3 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기전계발광표시장치의 제조공정을 설명하기 위한 플로챠트이다.4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]

100: 제 1 절연기판 102: 제 2 절연기판100: first insulating substrate 102: second insulating substrate

320: 유기전계발광층 310: 제 1 전극320: organic electroluminescent layer 310: first electrode

330: 제 2 전극 225: 격벽330: second electrode 225: partition wall

335a: 제 1 컬럼스페이서 335b: 제 2 컬럼스페이서335a: first column spacer 335b: second column spacer

203a: 소스 전극 203b: 드레인 전극203a: source electrode 203b: drain electrode

204: 콘택부 340: 콘택전극204: contact portion 340: contact electrode

411: 전원배선411: power supply wiring

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 특히 유기전계발광층이 형성된 상판과 박막트랜지스터가 형성된 하판의 콘택 불량을 개선한 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method for manufacturing the organic light emitting display device having improved contact defects between a top plate on which an organic light emitting layer is formed and a bottom plate on which a thin film transistor is formed.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) 및 전계발광(Electro-Luminescence)표시장치 등이 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, an electroluminescence display, and the like.

최근에 이와 같은 평판표시장치의 표시품질을 높이고 대화면화를 시도하는 연구들이 활발히 진행되고 있다. 이들 중 전계발광표시장치는 스스로 발광하는 자발광 소자이다. 전계발광표시장치는 전자 및 정공 등의 캐리어를 이용하여 형광물질을 여기시킴으로써 비디오 영상을 표시하게 된다. 이 전계발광표시장치는 사용하는 재료에 따라 무기 전계발광표시장치와 유기 전계발광표시장치로 크게 나뉘어진다. 상기 유기 전계발광표시장치은 100~200V의 높은 전압을 필요로 하는 무기 전계발광표시장치에 비해 5~20V 정도의 낮은 전압으로 구동됨으로써 직류 저전압 구동이 가능하다.Recently, studies are being actively conducted to increase the display quality of such a flat panel display device and to attempt to make a large screen. Among these, the electroluminescent display device is a self-luminous element that emits light by itself. The electroluminescent display displays a video image by exciting a fluorescent material using carriers such as electrons and holes. The electroluminescent display is largely divided into an inorganic electroluminescent display and an organic electroluminescent display according to the material used. The organic electroluminescent display is driven at a lower voltage of about 5 to 20 volts than the inorganic electroluminescent display requiring a high voltage of 100 to 200 volts, thereby allowing direct current low voltage driving.

또한, 유기 전계발광표시장치는 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트 비(contrast ratio) 등의 뛰어난 특징을 갖고 있으므로, 그래픽 디스플레이의 픽셀(pixel), 텔레비젼 영상 디스플레이나 표면 광원(Surface Light Source)의 픽셀로서 사용될 수 있으며, 얇고 가벼우며 색감이 좋기 때문에 차세대 평면 디스플레이로서 적합하다.In addition, the organic electroluminescent display has excellent features such as wide viewing angle, high response speed, high contrast ratio, and the like, so that the pixels of a graphic display, a television image display, or a surface light source can be used. It can be used as a pixel, and is suitable as a next-generation flat panel display because it is thin, light, and has good color.

한편, 이러한 유기 전계발광표시장치의 구동방식으로는 별도의 박막트랜지스터를 구비하지 않는 패시브 매트릭스 방식(Passive matrix type)이 주로 이용되고 있다.On the other hand, a passive matrix type (Passive matrix type) that does not have a separate thin film transistor is mainly used as a driving method of such an organic light emitting display device.

그러나, 상기 패시브 매트릭스 방식은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있기 때문에, 고해상도나 대화면을 요구하는 차세대 디스플레이 제조를 위한 액티브 매트릭스형 전계발광표시장치가 연구/개발되고 있다.However, since the passive matrix method has many limited factors such as resolution, power consumption, and lifespan, active matrix type electroluminescent display devices for manufacturing next-generation displays requiring high resolution and large screens have been researched and developed.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 유기전계발광표시장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a conventional organic light emitting display device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도로서, 이는 하부 발광방식으로 동작하는 AMOLED의 단면 구조를 나타내고 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device, which shows a cross-sectional structure of an AMOLED operating in a bottom emission method.

설명의 편의상 적(R), 녹(G), 청(B)의 서브 픽셀(sub pixel)들로 이루어진 하나의 픽셀(pixel) 영역을 중심으로 도시하였다.For convenience of description, the pixel area is illustrated based on one pixel area including red, green, and blue B subpixels.

도시된 바와 같이, 제 1 기판(10)의 투명 기판(1) 상부에는 서브 픽셀별로 박막트랜지스터(T)와 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 상기 박막트랜지스터(T) 및 제 1 전극(12) 상부에는 적(Red), 녹(Green), 청(Blue) 컬러를 띠는 유기전계발광층(14)이 형성되어 있고, 유기전계발광층(14) 상부에는 제 2 전극(16)이 형성되어 있다. 상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 유기전계발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 한다.As shown in the drawing, a thin film transistor T and a first electrode 12 are formed on each of the sub-pixels on the transparent substrate 1 of the first substrate 10, and the thin film transistor T and the first electrode ( 12) An organic light emitting layer 14 having red, green, and blue colors is formed on the top, and a second electrode 16 is formed on the organic light emitting layer 14. have. The first and second electrodes 12 and 16 serve to apply an electric field to the organic light emitting layer 14.

이와 같이, 상기 유기전계발광층(14)이 형성된 제 1 기판(10)은 제 2 기판(30)과 합착된다.As such, the first substrate 10 on which the organic light emitting layer 14 is formed is bonded to the second substrate 30.

한 예로, 하부발광방식 구조에서 상기 제 1 전극(12)을 양극(anode)으로, 제 2 전극(16)을 음극(cathode)으로 구성할 경우 제 1 전극(12)은 투명도전성 물질에서 선택되고, 제 2 전극(16)은 일함수가 낮은 금속물질에서 선택되며, 이런 조건 하에서 상기 유기전계발광층(14)은 제 1 전극(12)과 접하는 층에서부터 정공주입층(14a ; hole injection layer), 정공수송층(14b ; hole transporting layer), 발광층(14c ; emission layer), 전자수송층(14d ; electron transporting layer) 순서대로 적층된 구조를 이룬다.For example, when the first electrode 12 is an anode and the second electrode 16 is a cathode in a bottom emission structure, the first electrode 12 is selected from a transparent conductive material. The second electrode 16 is selected from a metal material having a low work function, and under such conditions, the organic electroluminescent layer 14 is formed from a layer in contact with the first electrode 12 by a hole injection layer 14a, A hole transport layer 14b, an emission layer 14c, and an electron transport layer 14d are stacked in this order.

이때, 상기 발광층(14c)은 서브픽셀별로 적, 녹, 청 컬러를 구현하는 발광물질이 차례대로 배치된 구조를 가진다. In this case, the light emitting layer 14c has a structure in which light emitting materials for implementing red, green, and blue colors are sequentially disposed for each subpixel.

이와 같이, 기존의 유기전계발광표시장치는 박막트랜지스터(T)와 전극을 포함하는 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드가 동일 기판 상에 적층된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하였다.As described above, the conventional organic light emitting display device has a structure in which an array element including a thin film transistor T and an electrode and an organic light emitting diode are stacked on the same substrate.

그러나, 앞서 설명한 종래의 하부 발광방식의 유기전계발광표시장치는, 상기 어레이 소자 및 유기전계발광 다이오드가 형성된 기판과 별도의 인캡슐레이션용 기판의 합착을 통해 소자를 제작하는데, 이 경우 어레이 소자의 수율과 유기전계발광 다이오드의 수율의 곱이 유기전계발광 소자의 수율을 결정하기 때문에, 후반 공 정에 해당되는 유기전계발광 다이오드 공정에 의해 전체 공정 수율이 크게 제한되는 문제점이 있다. 예를 들어, 어레이 소자가 양호하게 형성되었다 하더라도, 1000Å 정도의 박막을 사용하는 유기전계발광층의 형성시 이물이나 기타 다른 요소에 의해 불량이 발생하게 되면, 유기전계발광 소자는 불량 등급으로 판정된다.However, the conventional organic light emitting display device of the conventional bottom emission method described above manufactures a device by bonding the substrate on which the array device and the organic light emitting diode are formed and a separate encapsulation substrate. Since the product of the yield and the yield of the organic light emitting diode determines the yield of the organic light emitting diode, there is a problem that the overall process yield is greatly limited by the organic electroluminescent diode process corresponding to the latter process. For example, even if the array element is satisfactorily formed, if a defect occurs due to foreign matter or other elements in forming the organic electroluminescent layer using a thin film of about 1000 mW, the organic electroluminescent element is determined to be a poor grade.

이로 인하여, 양품의 어레이 소자를 제조하는데 소요되었던 제반 경비 및 재료비 손실이 초래되고, 생산수율이 저하되는 문제점이 있다. This results in a loss of overall costs and material costs that were required to manufacture the array device of good quality, there is a problem that the production yield is lowered.

그리고, 하부발광방식은 인캡슐레이션에 의한 안정성 및 공정이 자유도가 높은 반면 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려운 문제점이 있고, 상부발광방식은 박막트랜지스터 설계가 용이하고 개구율 향상이 가능하기 때문에 제품수명 측면에서 유리하지만, 기존의 상부발광방식 구조에서는 유기전계발광층 상부에 통상적으로 음극이 위치함에 따라 재료 선택폭이 좁기 때문에 투과도가 제한되어 광효율이 저하되는 등의 문제점이 있다.In addition, the bottom emission method has a high degree of freedom and stability due to the encapsulation process, and has a problem in that it is difficult to be applied to a high-resolution product due to the limitation of the aperture ratio. In terms of product life, the conventional upper light emitting structure has a problem in that the light transmittance is limited because the material selection range is narrower as the cathode is usually positioned on the organic light emitting layer.

또한, 상기 상부발광방식은 유기전계발광층을 분리하기 위해 형성하는 격벽을 유기물질을 사용하기 때문에 유기물질로부터 나오는 아웃가싱(outgassing)에 의해 유기전계발광 패널의 내부 진공도가 떨어지는 문제가 있다.In addition, the upper light emitting method has a problem in that the internal vacuum degree of the organic light emitting panel is degraded by outgassing from the organic material because the barrier rib formed to separate the organic light emitting layer is used.

상기와 같이 유기전계발광 패널의 내부 진공도가 저하되면 상판과 하판이 분리되거나, 내부 전극간 콘택 불량이 발생되는 문제가 있다.As described above, when the internal vacuum degree of the organic light emitting panel is lowered, there is a problem in that the upper plate and the lower plate are separated, or contact defects between internal electrodes are generated.

본 발명은, 듀얼 패널을 갖는 상부발광방식 유기전계발광표시장치의 상하판의 중심 영역을 식각 패턴하여 패널 내부 진공도 저하에 따른 콘택 불량을 개선한 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention provides an organic light emitting display device and a method for manufacturing the organic light emitting display device having a dual panel to etch a center area of the upper and lower panels of the upper light emitting type organic light emitting display device to improve contact defects caused by a decrease in the degree of vacuum inside the panel. There is a purpose.

상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는,In order to achieve the above object, the organic light emitting display device according to the present invention,

표시영역과 비표시영역으로 구분되고, 상기 표시영역에 형성된 각각의 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 제 1 기판과;A first substrate divided into a display area and a non-display area and including at least one thin film transistor formed in each subpixel unit formed in the display area;

상기 표시영역에 대응하는 영역에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 유기전계발광층을 포함하는 제 2 기판을 포함하고, A second substrate including at least one organic light emitting layer formed in subpixel units in an area corresponding to the display area;

상기 제 1 기판 또는 제 2 기판은 표시영역에 대응하는 부분과 비표시영역에 대응하는 부분이 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.The first substrate or the second substrate may have portions having different thicknesses from portions corresponding to the display area and portions corresponding to the non-display area.

본 발명의 다른 실시예에 의한 유기전계발광표시장치는,An organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention,

표시영역과 비표시영역으로 구분되고, 상기 표시영역에 형성된 각각의 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 제 1 기판과;A first substrate divided into a display area and a non-display area and including at least one thin film transistor formed in each subpixel unit formed in the display area;

상기 표시영역에 대응하는 영역에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 유기전계발광층을 포함하는 제 2 기판을 포함하고, A second substrate including at least one organic light emitting layer formed in subpixel units in an area corresponding to the display area;

상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 표시영역에 대응하는 부분과 비표시영역에 대응하는 부분이 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.The first substrate and the second substrate may have different thicknesses in portions corresponding to the display area and portions corresponding to the non-display area.

본 발명의 또 다른 실시예에 의한 유기전계발광표시장치 제조방법은,In another embodiment of the present invention, a method of manufacturing an organic light emitting display device is provided.

표시영역과 비표시영역으로 구분된 제 1 기판을 제공하고, 상기 제 1 기판의 표시영역에 대응하는 제 1 기판의 일부를 식각하는 단계;Providing a first substrate divided into a display area and a non-display area, and etching a portion of the first substrate corresponding to the display area of the first substrate;

상기 제 1 기판 상에 서브픽셀 단위로 적어도 하나 이상의 박막트랜지스터를 포함하는 어레이층을 형성하여 하판을 완성하는 단계;Completing an underlayer by forming an array layer including at least one thin film transistor in subpixel units on the first substrate;

표시영역과 비표시영역으로 구분된 제 2 기판을 제공하고, 상기 제 2 기판 상에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 유기전계발광층을 포함하는 유기전계발광 다이오드를 형성하여 상판을 완성하는 단계; 및Providing a second substrate divided into a display area and a non-display area, and forming an organic light emitting diode on the second substrate, the organic light emitting diode including at least one organic light emitting layer formed in subpixel units to complete the top plate; And

상기 상판과 하판을 합착하는 단계를 포함한다.And bonding the upper and lower plates together.

본 발명의 또 다른 실시예에 의한 유기전계발광표시장치 제조방법은,In another embodiment of the present invention, a method of manufacturing an organic light emitting display device is provided.

표시영역과 비표시영역으로 구분된 제 1 기판을 제공하고, 상기 제 1 기판 상에 서브픽셀 단위로 적어도 하나 이상의 박막트랜지스터를 포함하는 어레이층을 형성하여 하판을 완성하는 단계;Providing a first substrate divided into a display area and a non-display area, and forming an array layer including at least one thin film transistor in subpixel units on the first substrate to complete a lower plate;

표시영역과 비표시영역으로 구분된 제 2 기판을 제공하고, 상기 제 2 기판 상에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 유기전계발광층을 포함하는 유기전계발광 다이오드를 형성하여 상판을 완성하는 단계;Providing a second substrate divided into a display area and a non-display area, and forming an organic light emitting diode on the second substrate, the organic light emitting diode including at least one organic light emitting layer formed in subpixel units to complete the top plate;

상기 상판과 하판을 합착하여 유기전계발광패널을 완성하는 단계; 및Bonding the upper plate and the lower plate to complete an organic light emitting panel; And

상기 유기전계발광패널을 식각 처리하여 표시영역에 대응하는 제 1 기판 또는 제 2 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함한다.Etching the organic light emitting panel to remove a portion of the first substrate or the second substrate corresponding to the display area.

본 발명에 의하면, 듀얼 패널을 갖는 상부발광방식 유기전계발광표시장치의 상하판의 중심 영역을 식각 패턴하여 패널 내부 진공도 저하에 따른 콘택 불량을 개선하였다.According to the present invention, the contact area caused by the lowering of the vacuum degree in the panel is improved by etching the center region of the upper and lower panels of the top emission type organic light emitting display device having a dual panel.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 적(R), 녹(G), 청(B)의 유기전계발광 다이오드(E)가 서브 픽셀(sub pixel) 단위로 형성된 상판(130)과, 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 대응되도록 박막트랜지스터(Tr)을 포함하는 어레이층이 형성된 하판(110)이 씰재(600)에 의해 합착된 구조로 되어 있다.As shown in FIG. 2, in the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention, the organic light emitting diode E of red (R), green (G), and blue (B) has a sub pixel. The upper plate 130 formed as a unit and the lower plate 110 on which the array layer including the thin film transistor Tr are formed so as to correspond to the organic light emitting diode E are bonded by the seal material 600.

본 발명에서는 유기전계발광 다이오드(E)가 형성된 제 2 절연기판(101)의 외측면을 식각으로 제거하여 표시영역에서의 두께를 비표시영역에서의 두께보다 얇게 형성함으로써, 항상 소정의 탄성력이 유기전계발광 패널 내부에 인가되도록 하였다.In the present invention, by removing the outer surface of the second insulating substrate 101 on which the organic light emitting diode E is formed by etching to form a thickness in the display area thinner than the thickness in the non-display area, a predetermined elastic force is always induced It was allowed to be applied inside the electroluminescent panel.

또한, 박막트랜지스터(Tr)가 형성된 제 1 절연기판(100)의 외측면을 식각으로 제거하여 표시영역에서의 두께를 비표시영역에서의 두께보다 얇게 형성함으로써, 항상 소정의 탄성력에 유기전계발광 패널 내부에 인가되도록 하였다.In addition, by removing the outer surface of the first insulating substrate 100 on which the thin film transistor Tr is formed by etching, the thickness in the display area is made thinner than the thickness in the non-display area, so that the organic light emitting panel always has a predetermined elastic force. It was applied internally.

상기 제 1 절연기판(100)과 제 2 절연기판(101)의 식각 처리 공정은 상판(130)과 하판(110)을 제조할 때, 미리 식각 처리할 수 있고, 상판(130)과 하판(110)을 합착한 후 상기 제 1 절연기판(100)과 제 2 절연기판(101)의 외측면을 식각 처리 할 수 있다.The etching process of the first insulating substrate 100 and the second insulating substrate 101 may be etched in advance when manufacturing the upper plate 130 and the lower plate 110, and the upper plate 130 and the lower plate 110. After bonding, the outer surfaces of the first and second insulating substrates 100 and 101 may be etched.

따라서, 유기전계발광층(320)의 수명을 연장시키면서 캡슐화 공정을 용이하도록 하였다.Therefore, the encapsulation process is facilitated while extending the lifespan of the organic light emitting layer 320.

상기 상판(130)의 제 2 절연기판(101)은 제 1 전극(310)이 형성되어 있고, 서브 픽셀 영역의 상기 제 1 전극(310) 상에는 유기전계발광층(320)과 제 2 전극(330)이 형성되어 있다. 또한, 상기 서브 픽셀 영역 일측에는 제 1 컬럼스페이서(335a)가 형성되어 있어 상판(130)의 제 2 전극(330)이 하판(110)의 박막 트랜지스터와 전기적으로 콘택된다.A first electrode 310 is formed on the second insulating substrate 101 of the upper plate 130, and the organic light emitting layer 320 and the second electrode 330 are formed on the first electrode 310 of the subpixel region. Is formed. In addition, a first column spacer 335a is formed at one side of the sub pixel region so that the second electrode 330 of the upper plate 130 is in electrical contact with the thin film transistor of the lower plate 110.

또한, 상기 씰재(600)가 형성된 상판(130) 가장자리 영역에는 제 2 컬럼스페이서(335b)가 형성되어 있어, 하판(110)의 전원배선(411)으로부터 인가되는 전류를 상판(130)의 제 1 전극(310)에 전달하는 역할을 한다.In addition, a second column spacer 335b is formed at an edge region of the upper plate 130 on which the seal member 600 is formed, so that a current applied from the power wiring 411 of the lower plate 110 is applied to the first portion of the upper plate 130. It serves to transfer to the electrode (310).

또한, 상기 서브 픽셀 영역들은 버퍼층(215)과 격벽(225)들에 의해 분리되어 있다.In addition, the subpixel regions are separated by the buffer layer 215 and the partitions 225.

상기 하판(110) 상에는 상기 상판(130)의 제 1 컬럼스페이서(335a)에 의해 제 2 전극(330)과 전기적으로 콘택되는 박막트랜지스터(Tr)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 박막트랜지스터로부터 인가되는 데이터 신호에 따라 상기 상판(130)의 제 1 전극(310), 유기전계발광층(320) 및 제 2 전극(330)으로 구성된 유기전계발광 다이오드(E)를 동작시킨다.A thin film transistor Tr electrically contacting the second electrode 330 by the first column spacer 335a of the upper plate 130 is formed on the lower plate 110. Accordingly, the organic light emitting diode E including the first electrode 310, the organic light emitting layer 320, and the second electrode 330 of the upper plate 130 is operated according to the data signal applied from the thin film transistor. .

상기 박막 트랜지스터(Tr)의 게이트 전극(201), 액티브층(202) 및 소스/드레인 전극(203a, 203b)으로 구성되어 있고, 상기 드레인 전극(203b) 상은 일부가 노출되어 있어 상기 상판(130)의 제 2 전극(330)과 전기적으로 콘택된다. 상기 드레인 전극(203b) 상에는 콘택부(204)가 형성되어 있다.The thin film transistor Tr includes a gate electrode 201, an active layer 202, and source / drain electrodes 203a and 203b, and a portion of the drain electrode 203b is exposed to expose the upper plate 130. Is in electrical contact with the second electrode 330. The contact portion 204 is formed on the drain electrode 203b.

또한, 상기 하판(110)의 외곽 영역에는 전원배선(411)이 형성되어 있고, 상기 전원배선(411) 상에는 전원전극(412)이 형성되어 있어 상기 전원배선(411)이 상 기 제 2 컬럼스페이서(335b)에 의해 상판(130)의 제 1 전극(310)과 전기적으로 연결된다.In addition, a power wiring 411 is formed in an outer region of the lower plate 110, and a power electrode 412 is formed on the power wiring 411 so that the power wiring 411 is the second column spacer. It is electrically connected to the first electrode 310 of the upper plate 130 by 335b.

따라서, 상기 전원배선(411)으로부터 공급되는 전압은 상기 제 1 전극(310)에 인가된다.Therefore, the voltage supplied from the power line 411 is applied to the first electrode 310.

상기 전원배선(411)과 상판의 제 1 전극(310)의 전기적 콘택을 위해 상기 전원전극(412) 하측에는 제 1, 2, 3 더미패턴(413a, 413b, 413c)이 형성되어 있다.First, second, and third dummy patterns 413a, 413b, and 413c are formed below the power electrode 412 for electrical contact between the power line 411 and the first electrode 310 of the upper plate.

상기 제 1 더미패턴(413a)은 게이트 전극(201) 형성시 함께 형성하고, 제 2 더미패턴(413b)은 액티브층(202) 형성시 함께 형성하고, 제 3 더미패턴(413c)은 소스/드레인 전극(203a, 203b) 형성시 함께 형성한다.The first dummy pattern 413a is formed together when the gate electrode 201 is formed, the second dummy pattern 413b is formed together when the active layer 202 is formed, and the third dummy pattern 413c is formed by the source / drain. The electrodes 203a and 203b are formed together.

따라서, 상기와 같은 구조를 갖는 상부발광방식 유기전계발광표시장치는 상판(130)의 제 1 전극(310) 상에 전원전압을 인가한 상태에서 하판(110)의 박막 트랜지스터(Tr)로부터 제 2 전극(330) 상에 데이터 전압이 인가되어 상기 유기전계발광 다이오드(E)를 동작시킨다.Therefore, the OLED display device having the above structure has a second power source from the thin film transistor Tr of the lower plate 110 in a state in which a power supply voltage is applied to the first electrode 310 of the upper plate 130. A data voltage is applied on the electrode 330 to operate the organic light emitting diode E.

상기 전원전압은 전원배선(411)과 전원전극(412)을 통해서, 상기 제 2 컬럼스페이서(335b) 상에 형성된 콘택전극(340)과 제 1 전극(310)에 전원전압을 인가한다. 상기 콘택전극(340)은 상기 제 2 전극(310) 형성시 동시에 패터닝된다.The power supply voltage is applied to the contact electrode 340 and the first electrode 310 formed on the second column spacer 335b through the power supply wiring 411 and the power electrode 412. The contact electrode 340 is simultaneously patterned when the second electrode 310 is formed.

상기 유기전계발광표시장치의 상판(130)과 하판(110)의 제조공정을 보면 다음과 같다.The manufacturing process of the upper panel 130 and the lower panel 110 of the organic light emitting display device is as follows.

먼저, 하판(110)의 제조공정은 제 1 절연기판(100) 상에 금속막을 형성한 다음 게이트 전극(201), 전원배선(411) 및 제 1 더미패턴(413a)을 형성한다. 이때, 금속막은 AlNd 또는 AlNd와 Mo의 이중 금속막을 사용할 수 있다.First, in the manufacturing process of the lower plate 110, a metal film is formed on the first insulating substrate 100, and then a gate electrode 201, a power wiring 411, and a first dummy pattern 413a are formed. In this case, the metal film may be AlNd or a double metal film of AlNd and Mo.

이때, 먼저, 표시영역에 대응하는 상기 제 1 절연기판(100)을 식각처리 할 수 있다. 상기 제 2 절연기판(101)과 제 1 절연기판(100)을 식각처리하는 공정은 HF를 이용한 글라스(Glass) 패터닝 공정으로 진행된다.In this case, first, the first insulating substrate 100 corresponding to the display area may be etched. The process of etching the second insulating substrate 101 and the first insulating substrate 100 proceeds to a glass patterning process using HF.

그런 다음, 상기 제 1 절연기판(100) 전면에 게이트 절연막(102)을 형성하고, 계속해서 비정질실리콘막과 금속막을 상기 제 1 절연기판(100) 전면에 형성한다. 그런 다음, 회절마스크 또는 하프톤 마스크 공정에 따라 식각하여 소스/드레인 전극(203a, 203b), 오믹콘택층과 채널층으로된 액티브층(202) 및 데이터 배선을 동시에 형성한다. 상기 금속막은 Mo를 사용한다. Next, a gate insulating film 102 is formed over the entire first insulating substrate 100, and an amorphous silicon film and a metal film are subsequently formed over the first insulating substrate 100. Then, the source / drain electrodes 203a and 203b, the ohmic contact layer and the channel layer, and the active layer 202 and the data line are simultaneously formed by etching according to a diffraction mask or a halftone mask process. The metal film uses Mo.

이때, 상기 제 1 더미패턴(413a) 상부에는 액티브층과 소스/드레인 금속층으로 형성된 제 2 , 3 더미패턴(413b, 413c)가 형성되어 있다.In this case, second and third dummy patterns 413b and 413c formed of an active layer and a source / drain metal layer are formed on the first dummy pattern 413a.

상기와 같이 박막트랜지스터(Tr)가 형성되면 제 1 절연기판(100) 전면에 보호막(109)을 형성한 다음, 콘택홀 공정을 진행하여 상기 드레인 전극(203b)의 일부를 노출하고, 상기 전원배선(411)의 일부를 노출한다.When the thin film transistor Tr is formed as described above, the passivation layer 109 is formed on the entire surface of the first insulating substrate 100, and then a portion of the drain electrode 203b is exposed by performing a contact hole process, and the power wiring Expose a portion of 411.

상기와 같이 보호막(109) 상에 콘택홀 공정이 완료되면, 제 1 절연기판(100) 상에 금속막을 형성한 다음, 패터닝하여 상기 드레인 전극(203b)과 전기적으로 콘택되는 콘택부(204)를 형성하고, 상기 전원배선(411)과 전기적으로 콘택되는 전원전극(412)을 형성한다.When the contact hole process is completed on the passivation layer 109 as described above, a metal layer is formed on the first insulating substrate 100 and then patterned to contact the drain 203b with the contact portion 204 electrically contacted with the drain electrode 203b. And a power electrode 412 that is in electrical contact with the power wiring 411.

또한, 상판(130)은 제 2 절연기판(101) 상에 금속막을 형성한 다음, 패터닝하여 격벽이 형성될 영역에 보조전극(305)을 형성한다. 그런 다음, 상기 제 2 절연 기판(101) 상에 ITO 금속막을 형성하여 제 1 전극(310)을 형성한다.In addition, the upper plate 130 forms a metal film on the second insulating substrate 101 and then patterns the auxiliary electrode 305 in the region where the partition wall is to be formed. Then, an ITO metal film is formed on the second insulating substrate 101 to form a first electrode 310.

상기와 같이, 제 1 전극(310)이 제 2 절연기판(101) 상에 형성되면, 절연막을 상기 제 2 절연기판(101)의 전면에 형성한 다음 패터닝하여 상기 보조전극(305) 이 형성되는 영역에 버퍼층(215)을 형성한다. 이때, 컬럼스페이서가 형성될 영역에도 버퍼패턴(306)을 형성한다. 왜냐하면 상기 컬럼스페이서가 하판(110)의 박막트랜지스터의 드레인 전극(203b)과 콘택되어야 하기 때문이다.As described above, when the first electrode 310 is formed on the second insulating substrate 101, an insulating film is formed on the entire surface of the second insulating substrate 101 and then patterned to form the auxiliary electrode 305. The buffer layer 215 is formed in the region. In this case, the buffer pattern 306 is also formed in the region where the column spacer is to be formed. This is because the column spacer must be in contact with the drain electrode 203b of the thin film transistor of the lower plate 110.

이와 같이, 제 2 절연기판(101) 상에 버퍼층(215)이 형성되면, 네가티브 감광성 물질인 고분자 폴리머를 상기 제 2 절연기판(101) 상에 형성하고, 이를 노광하여 제 1 컬럼스페이서(335a)와 제 2 컬럼스페이서(335b)를 형성한다.As such, when the buffer layer 215 is formed on the second insulating substrate 101, a polymer polymer, which is a negative photosensitive material, is formed on the second insulating substrate 101, and is exposed to the first column spacer 335a. And a second column spacer 335b.

상기 제 1 컬럼스페이서(335a)와 제 2 컬럼스페이서(335b)가 제 2 절연기판(101) 상에 형성되면, 상기 제 2 절연기판(101) 상에 네가티브 감광성 물질인 고분자 폴리머를 형성하고, 이를 노광하여 상기 버퍼층(215) 상에 격벽(225)을 형성한다.When the first column spacer 335a and the second column spacer 335b are formed on the second insulating substrate 101, a polymer polymer, which is a negative photosensitive material, is formed on the second insulating substrate 101. The barrier rib 225 is formed on the buffer layer 215 by exposure.

상기 격벽(225)은 서브 픽셀 단위로 분할하기 위하여 역 테이퍼 형태로 형성된다.The partition wall 225 is formed in an inverse taper shape in order to divide the sub-pixel unit.

상기와 같이 격벽(225)이 제 2 절연기판(101) 상에 형성되면, 유기전계발광층(320)을 상기 제 2 절연기판(101) 상에 형성하여 서브 픽셀 단위로 유기전계발광층(320)을 형성한다.When the partition wall 225 is formed on the second insulating substrate 101 as described above, the organic light emitting layer 320 is formed on the second insulating substrate 101 to form the organic light emitting layer 320 in subpixel units. Form.

이때, 상기 격벽(225) 상에도 유기전계발광층이 형성되지만, 버퍼층(225)의 높이차이로 인하여 인접한 서브 픽셀 영역과 단절된다. 또한, 제 1 컬럼스페이 서(335a)와 제 2 컬럼스페이서(335b)를 따라 유기전계발광층(320)이 형성되어 있다.In this case, the organic light emitting layer is formed on the partition wall 225, but is disconnected from the adjacent sub pixel area due to the height difference of the buffer layer 225. In addition, an organic light emitting layer 320 is formed along the first column spacer 335a and the second column spacer 335b.

또한, 상기 유기전계발광층(320)은 제 1 캐리어 전달층, 발광층, 제 2 캐리어 전달층이 차례대로 적층된 구조로 이루어지며, 상기 제 1, 2 캐리어 전달층은 발광층에 전자(electron) 또는 정공(hole)을 주입(injection) 및 수송(transporting)하는 역할을 한다.In addition, the organic light emitting layer 320 has a structure in which a first carrier transport layer, a light emitting layer, and a second carrier transport layer are sequentially stacked, and the first and second carrier transport layers are electrons or holes in the light emitting layer. It is responsible for injecting and transporting holes.

상기 제 1, 2 캐리어 전달층은 양극 및 음극의 배치구조에 따라 정해지는 것으로, 한 예로 상기 발광층이 고분자 물질에서 선택되고, 제 1 전극(310)을 양극, 제 2 전극(330)을 음극으로 구성하는 경우에는 제 1 전극(310)과 연접하는 제 1 캐리어 전달층은 정공주입층, 정공수송층이 차례대로 적층된 구조를 이루고, 제 2 전극(330)과 연접하는 제 2 캐리어 전달층은 전자주입층, 전자수송층이 차례대로 적층된 구조로 이루어진다.The first and second carrier transfer layers are determined according to the arrangement of the anode and the cathode. For example, the emission layer is selected from a polymer material, and the first electrode 310 is the anode and the second electrode 330 is the cathode. In this case, the first carrier transport layer in contact with the first electrode 310 has a structure in which a hole injection layer and a hole transport layer are sequentially stacked, and the second carrier transport layer in contact with the second electrode 330 is electrons. The injection layer and the electron transport layer are formed in a stacked structure in this order.

또한, 상기 유기전계발광층(320)은 고분자 물질 또는 저분자 물질로 형성할 수 있는데, 형성방법에는 진공 증착 방법, 잉크젯 방법, 프린팅 방법, 노즐 분사방법, 롤코팅 방법 등을 사용한다.In addition, the organic electroluminescent layer 320 may be formed of a high molecular material or a low molecular material, and a vacuum deposition method, an inkjet method, a printing method, a nozzle spray method, a roll coating method, and the like may be used for the formation method.

상기 저분자 물질의 경우에는 일반적으로 진공증착법을 사용하였으나, 솔루션 케스팅(solution casting)이 가능한 경우에는 상기에서 제시한 형성방법들을 사용하여 유기전계발광층(320)을 형성할 수 있다.In the case of the low molecular weight material, a vacuum deposition method is generally used, but when solution casting is possible, the organic light emitting layer 320 may be formed using the above-described forming methods.

본 발명에서는 잉크젯 방법에 의해 유기전계발광층(136)이 형성되는 것을 중심으로 설명하지만, 진공 증착방법, 프린팅 방법, 노즐 분사방법, 롤코팅 방법도 본 발명의 듀얼 패널 유기전계발광장치에 적용할 수 있다.In the present invention, the organic electroluminescent layer 136 is formed by the inkjet method, but the vacuum deposition method, the printing method, the nozzle spray method, and the roll coating method may also be applied to the dual panel organic electroluminescent device of the present invention. have.

상기와 같이 유기전계발광층(320)이 제 2 절연기판(101) 상에 형성되면, 금속막을 제 2 절연기판(101) 전면에 형성하여 제 2 전극(330)을 형성한다. 상기 제 2 전극(330)도 상기 유기전계발광층(320)과 동일한 원리로 상기 격벽(225)에서 서브 픽셀 단위로 제 2 전극(330)이 분리되고, 상기 제 1 컬럼스페이서(335a)를 따라 제 2 전극(330)이 형성되고, 동일한 금속으로 상기 제 2 컬럼스페이서(335b)를 따라 콘택전극(340)이 형성된다. 상기 콘택전극(340)은 상기 제 2 전극(330)과 함께 형성되지만, 제 1 전극(310)과 전기적으로 연결되어 있다.When the organic light emitting layer 320 is formed on the second insulating substrate 101 as described above, a metal film is formed on the entire surface of the second insulating substrate 101 to form the second electrode 330. As for the second electrode 330, the second electrode 330 is separated from the barrier rib 225 in subpixel units on the same principle as that of the organic light emitting layer 320, and is formed along the first column spacer 335a. The second electrode 330 is formed, and the contact electrode 340 is formed along the second column spacer 335b of the same metal. The contact electrode 340 is formed together with the second electrode 330, but is electrically connected to the first electrode 310.

이와 같이 제 1 컬럼스페이서(335a)를 따라 형성된 제 2 전극(330)은 하판(110)의 드레인 전극(203b) 상에 형성된 콘택부(204)와 전기적으로 콘택되어 데이터 전압을 상기 제 2 전극(330)에 전달한다.As described above, the second electrode 330 formed along the first column spacer 335a is electrically contacted with the contact portion 204 formed on the drain electrode 203b of the lower plate 110 so that the data voltage is applied to the second electrode 330. 330).

상기 제 2 컬럼스페이서(335b) 상에 형성된 콘택전극(340)은 하판(110)의 전원전극(335b)과 콘택되어 전원배선(411)으로부터 인가되는 전압을 제 1 전극(310)으로 전달한다.The contact electrode 340 formed on the second column spacer 335b contacts the power electrode 335b of the lower plate 110 to transfer a voltage applied from the power supply wiring 411 to the first electrode 310.

상기와 같이 제 2 전극(330)이 상판(130)에 형성되면, 상기와 같이 박막 트랜지스터(Tr)이 형성된 하판(110)과 유기전계발광 다이오드(E)가 형성된 상판(130)이 형성되면 상기 하판(110) 또는 상기 상판(130) 상에 씰재(600)를 도포하고 두기판을 합착한다.As described above, when the second electrode 330 is formed on the upper plate 130, the lower plate 110 on which the thin film transistor Tr is formed and the upper plate 130 on which the organic light emitting diode E is formed are formed. The seal member 600 is coated on the lower plate 110 or the upper plate 130 and the two substrates are bonded to each other.

이때, 기판 합착전에 상판(130) 상에 칼슘, 리튬, 마그네슘, 유기금속화합물, 유기물을 사용하여 게터(getter)를 형성하는 공정을 추가할 수 있다.In this case, a process of forming a getter using calcium, lithium, magnesium, an organometallic compound, and an organic material on the upper plate 130 may be added before the substrate is bonded.

상기와 같이 상판(130)과 하판(110)이 씰재(600)에 의해 합착되면, 상판(110)의 제 2 절연기판(101)과 하판(110)의 제 1 절연기판(100)을 식각하여 표시 영역의 두께가 비표시 영역의 두께보다 얇게 형성한다.When the upper plate 130 and the lower plate 110 are bonded by the seal member 600 as described above, the second insulating substrate 101 of the upper plate 110 and the first insulating substrate 100 of the lower plate 110 are etched. The thickness of the display area is made thinner than the thickness of the non-display area.

이 공정은 상판(130)과 하판(110) 제조 단계에서 최초 공정에서 진행할 수 있고, 기판을 합착하여 유기전계발광 패널 상태에서 진행할 수 있다.This process may be performed in the initial process in the manufacturing step of the upper plate 130 and the lower plate 110, it may be carried out in the organic electroluminescent panel state by bonding the substrate.

또한, 상판(130)과 하판(110)의 절연기판 모두를 식각패턴하지 않고 어느 하나의 절연기판만을 식각패턴할 수도 있다.In addition, instead of etching patterns of both of the upper substrate 130 and the lower substrate 110, only one insulating substrate may be etched.

이와 같이, 표시영역에 대응되는 상판(130)과 하판(110)의 절연기판이 얇게 형성되면, 비표시영역의 절연기판의 두께가 두꺼워 항상 마주하는 기판 방향으로 소정의 탄성력이 인가된다.As such, when the insulating substrate of the upper plate 130 and the lower plate 110 corresponding to the display area is thinly formed, a predetermined elastic force is applied in the direction in which the insulating substrate of the non-display area is thick and always faces.

이와 같이, 기판 사이에 소정의 탄성력이 인가되면 유기전계발광 패널의 내부 진공도가 낮아지더라도 상판(130)의 컬럼스페이서와 하판(110)의 박막트랜지스터와의 전기적 콘택 불량이 발생되지 않게 된다. As such, when a predetermined elastic force is applied between the substrates, the electrical contact failure between the column spacer of the upper panel 130 and the thin film transistor of the lower panel 110 does not occur even when the internal vacuum degree of the organic light emitting panel is lowered.

또한, 전술한 조건 하에서 상부발광방식으로 화면을 구현하게 되면, 개구율을 염두에 두지 않고 박막트랜지스터를 설계할 수 있어 어레이 공정효율을 높일 수 있고, 고개구율/고해상도 제품을 제공할 수 있으며, 듀얼 패널(dual panel) 타입으로 유기전계발광 다이오드 소자를 형성하기 때문에, 기존의 상부발광방식보다 외기를 효과적으로 차단할 수 있어 제품의 안정성을 높일 수 있다.In addition, if the screen is implemented using the top emission method under the above-described conditions, the thin film transistor can be designed without the aperture ratio in mind, thereby increasing the array process efficiency, providing a high aperture ratio / high resolution product, and providing a dual panel. Since the organic light emitting diode device is formed as a dual panel type, it is possible to effectively block outside air than the conventional top emitting method, thereby increasing the stability of the product.

또한, 종래의 하부발광방식 제품에서 발생되었던 박막트랜지스터 설계에 대해서도 유기전계발광 다이오드 소자와 별도의 기판에 구성함에 따라, 박막트랜지스 터 배치에 대한 자유도를 충분히 얻을 수 있고, 유기전계발광 다이오드(E)의 제 1 전극(310)을 제 1 절연 기판(101) 상에 형성하기 때문에, 기존의 어레이 소자 상부에 제 1 전극을 형성하는 구조와 비교해볼 때, 제 1 전극에 대한 자유도를 높일 수 있는 장점을 가지게 된다.In addition, since the thin film transistor design generated in the conventional bottom emission type product is configured on a substrate separate from the organic light emitting diode device, the degree of freedom in the arrangement of the thin film transistor can be obtained sufficiently, and the organic light emitting diode (E Since the first electrode 310) is formed on the first insulating substrate 101, the degree of freedom for the first electrode can be increased as compared with the structure of forming the first electrode on the existing array element. You have an advantage.

상기 듀얼 패널 타입의 유기전계발광표시장치에서, 상기 유기전계발광층(320)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 앞서 설명한 바와 같이 잉크젯 방식을 통해 형성한다.In the dual panel type organic light emitting display device, when the organic light emitting layer 320 is formed of a polymer material, the organic light emitting layer 320 is formed by an inkjet method as described above.

또한, 본 발명의 유기전계발광표시장치의 픽셀 영역에 게터를 형성함으로써, 내부 진공도를 장시간 유지시킬 수 있어 수명을 연장시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, by forming a getter in the pixel region of the organic light emitting display device of the present invention, it is possible to maintain the internal vacuum degree for a long time, thereby extending the service life.

도 3은 본 발명의 유기전계발광표시장치의 제조공정을 설명하기 위한 플로챠트이다.3 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일실시예는 상판과 하판을 제조하기 전에 각각 기판을 HF를 이용한 식각 공정을 진행하여 표시영역에 대응하는 부분에 대해 글라스 일부를 제거하는 공정을 진행한다.(501, 511)As shown in FIG. 3, according to one embodiment of the present invention, before manufacturing the upper and lower plates, the substrate is subjected to an etching process using HF to remove a portion of glass from a portion corresponding to the display area. (501, 511)

그런 다음 상판 공정에서는 기판 상에 보조전극을 형성하고, 보조전극이 형성된 기판 상에 금속막을 형성하여 제 1 전극을 형성한다. 이때, 상기 제 1 전극과 보조전극의 형성순서를 바뀌어도 상관없다. 그런 다음, 순차적으로 기판 상에 서브 픽셀 영역을 구획하기 위한 버퍼층을 형성하고, 서브 픽셀 영역을 경계에 격벽과 컬럼스페이서를 형성한다.In the upper plate process, an auxiliary electrode is formed on the substrate, and a metal film is formed on the substrate on which the auxiliary electrode is formed to form a first electrode. At this time, the formation order of the said 1st electrode and an auxiliary electrode may be changed. Then, a buffer layer for partitioning the sub pixel region is sequentially formed on the substrate, and partition walls and column spacers are formed at the boundary of the sub pixel region.

상기와 같이 컬럼스페이서가 형성되면 기판 상에 유기전계발광층(EL)을 형성한다.(502) 이때, 하판에서는 식각처리된 절연기판 상에 박막트랜지스터와 데이터배선, 게이트 배선 등을 형성하는 어레이층 형성 공정을 진행한다.(512)When the column spacer is formed as described above, the organic light emitting layer EL is formed on the substrate. In operation 502, an array layer for forming a thin film transistor, data wiring, gate wiring, and the like is formed on an etched insulating substrate. Proceed to process (512).

이와 같이 상판과 하판이 완성되면 상판 상에 씰재를 형성한 다음, 두기판을 합착하여 유기전계발광 패널을 완성한다.(504)When the upper plate and the lower plate is completed as described above, a seal material is formed on the upper plate, and then the two substrates are joined to complete the organic light emitting panel.

이때, 씰재는 상판에 형성하였지만, 경우에 따라서 하판 상에 형성하고 합착공정을 진행할 수 있다.(503)At this time, the seal member is formed on the upper plate, but may be formed on the lower plate and proceed with the bonding process in some cases.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기전계발광표시장치의 제조공정을 설명하기 위한 플로챠트이다.4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에는 상판과 하판 진행 공정을 완료하고 두기판 합착후에 식각 영역을 패터닝한다.As shown in FIG. 4, another embodiment of the present invention completes the upper and lower plate advancing processes and patterns the etching region after the two substrates are bonded.

먼저, 상판 공정에서는 절연기판 상에 보조전극을 형성하고, 보조전극이 형성된 기판 상에 금속막을 형성하여 제 1 전극을 형성한다. 이때, 상기 제 1 전극과 보조전극의 형성순서를 바뀌어도 상관없다. 그런 다음, 순차적으로 기판 상에 서브 픽셀 영역을 구획하기 위한 버퍼층을 형성하고, 서브 픽셀 영역을 경계에 격벽과 컬럼스페이서를 형성한다.First, in the upper plate process, an auxiliary electrode is formed on an insulating substrate, and a metal film is formed on a substrate on which the auxiliary electrode is formed to form a first electrode. At this time, the formation order of the said 1st electrode and an auxiliary electrode may be changed. Then, a buffer layer for partitioning the sub pixel region is sequentially formed on the substrate, and partition walls and column spacers are formed at the boundary of the sub pixel region.

상기와 같이 컬럼스페이서가 형성되면 기판 상에 유기전계발광층(EL)을 형성한다.(601) 이때, 하판에서는 절연기판 상에 박막트랜지스터와 데이터배선, 게이트 배선 등을 형성하는 어레이층 형성 공정을 진행한다.(611)When the column spacer is formed as described above, the organic light emitting layer EL is formed on the substrate. (601) At this time, an array layer forming process of forming a thin film transistor, data wiring, gate wiring, etc. is performed on the insulating substrate. (611)

이와 같이 상판과 하판이 완성되면 상판 상에 씰재를 형성한 다음, 두기판을 합착하여 유기전계발광 패널을 완성한다.(602, 603)Thus, when the upper plate and the lower plate is completed, a seal material is formed on the upper plate, and then the two substrates are joined to complete the organic light emitting panel. (602, 603)

이때, 씰재는 상판에 형성하였지만, 경우에 따라서 하판 상에 형성하고 합착공정을 진행할 수 있다.At this time, although the seal member is formed on the upper plate, it may be formed on the lower plate and proceed with the bonding process in some cases.

상기와 같이 상판과 하판이 합착되면 HF를 이용하여 식각 공정을 진행하여 표시영역에 대응하는 상판의 외측면을 식각한다. 이때, 표시영역에 대응하는 하판의 외측면을 식각한다.When the upper plate and the lower plate are bonded as described above, an etching process is performed using HF to etch the outer surface of the upper plate corresponding to the display area. At this time, the outer surface of the lower plate corresponding to the display area is etched.

상기에서는 상판과 하판의 외측면 모두에 대해 식각 패턴을 형성하였지만, 상판 또는 하판중 어느 하나의 기판에만 식각 패턴을 형성할 수도 있을 것이다.In the above, an etching pattern is formed on both the outer surface of the upper plate and the lower plate, but the etching pattern may be formed only on any one of the upper plate and the lower plate.

이와 같이, 본 발명에서는 유기전계발광표시장치의 표시영역에 대응하는 부분의 기판 두께를 비표시영역에 대응하는 부분의 기판 두께보다 얇게 형성되어 있기 때문에 상판과 하판의 중심 영역에서는 기판이 서로 마주하는 방향으로 소정의 탄성력이 인가된다.As described above, in the present invention, since the substrate thickness of the portion corresponding to the display area of the organic light emitting display device is formed to be thinner than the substrate thickness of the portion corresponding to the non-display area, the substrates face each other in the center area of the upper plate and the lower plate. A predetermined elastic force is applied in the direction.

따라서, 유기전계발광 패널 내부에서 유기물질에 의한 아웃가스(outgass)가 배출되어 내부 압력이 증가하여도 상판과 하판의 전기적 콘택 불량이 발생되지 않는 이점이 있다.Therefore, even if the outgass by the organic material is discharged from the organic light emitting panel to increase the internal pressure there is an advantage that the electrical contact failure of the upper plate and the lower plate does not occur.

따라서, 유기전계발광 패널 내의 진공도를 유지시켜 아웃가스 발생을 억제하고, 아울러 이로 인하여 발생되는 화질불량을 개선할 수 있는 이점이 있다.Therefore, there is an advantage in that the outgassing can be suppressed by maintaining the degree of vacuum in the organic light emitting panel, and the image quality defect generated thereby can be improved.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 듀얼 패널을 갖는 상부발광방식 유기전계발광표시장치의 상하판의 중심 영역을 식각 패턴하여 패널 내부 진공도 저하에 따른 콘택 불량을 개선한 효과가 있다.As described in detail above, the present invention has an effect of improving contact defects due to a decrease in the degree of vacuum inside the panel by etching patterns of the center regions of the upper and lower plates of the top emission type organic light emitting display device having a dual panel.

또한, 본 발명의 유기전계발광표시장치의 픽셀 영역에 게터를 형성함으로써, 내부 진공도를 장시간 유지시킬 수 있어 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by forming a getter in the pixel region of the organic light emitting display device of the present invention, it is possible to maintain the internal vacuum degree for a long time, thereby extending the life.

본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims.

Claims (20)

표시영역과 비표시영역으로 구분되고, 상기 표시영역에 형성된 각각의 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 제 1 기판과;A first substrate divided into a display area and a non-display area and including at least one thin film transistor formed in each subpixel unit formed in the display area; 상기 표시영역에 대응하는 영역에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 유기전계발광층을 포함하는 제 2 기판을 포함하고, A second substrate including at least one organic light emitting layer formed in subpixel units in an area corresponding to the display area; 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판은 표시영역에 대응하는 부분과 비표시영역에 대응하는 부분이 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The first substrate or the second substrate has a thickness corresponding to a portion corresponding to the display area and a portion corresponding to the non-display area have different thicknesses. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에는 게터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1, further comprising a getter on the second substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 씰재에 의해 합착된 구조인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the organic light emitting display device has a structure in which the first and second substrates are bonded to each other by a seal material. 제 3 항에 있어서, 상기 합착된 제 1 기판과 제 2 기판은, 상기 표시영역에서 마주하는 기판 방향으로 소정의 탄성력이 인가되도록 된 구조인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device as claimed in claim 3, wherein the first and second substrates bonded to each other have a structure in which a predetermined elastic force is applied in a direction of the substrate facing the display area. 제 1항에 있어서, 상기 유기전계발광층은 고분자 물질 또는 저분자 물질로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the organic light emitting layer is formed of a high molecular material or a low molecular material. 표시영역과 비표시영역으로 구분되고, 상기 표시영역에 형성된 각각의 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 제 1 기판과;A first substrate divided into a display area and a non-display area and including at least one thin film transistor formed in each subpixel unit formed in the display area; 상기 표시영역에 대응하는 영역에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 유기전계발광층을 포함하는 제 2 기판을 포함하고, A second substrate including at least one organic light emitting layer formed in subpixel units in an area corresponding to the display area; 상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 표시영역에 대응하는 부분과 비표시영역에 대응하는 부분이 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the first substrate and the second substrate have different thicknesses in portions corresponding to the display area and portions corresponding to the non-display area. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에는 게터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 6, further comprising a getter on the second substrate. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 씰재에 의해 합착된 구조인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device according to claim 6, wherein the organic light emitting display device is a structure in which the first and second substrates are bonded together. 제 8 항에 있어서, 상기 합착된 제 1 기판과 제 2 기판은, 상기 표시영역에서 마주하는 기판 방향으로 소정의 탄성력이 인가되도록 된 구조인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 8, wherein the bonded first substrate and the second substrate have a structure in which a predetermined elastic force is applied in a direction of the substrate facing the display area. 제 1항에 있어서, 상기 유기전계발광층은 고분자 물질 또는 저분자 물질로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the organic light emitting layer is formed of a high molecular material or a low molecular material. 표시영역과 비표시영역으로 구분된 제 1 기판을 제공하고, 상기 제 1 기판의 표시영역에 대응하는 제 1 기판의 일부를 식각하는 단계;Providing a first substrate divided into a display area and a non-display area, and etching a portion of the first substrate corresponding to the display area of the first substrate; 상기 제 1 기판 상에 서브픽셀 단위로 적어도 하나 이상의 박막트랜지스터를 포함하는 어레이층을 형성하여 하판을 완성하는 단계;Completing an underlayer by forming an array layer including at least one thin film transistor in subpixel units on the first substrate; 표시영역과 비표시영역으로 구분된 제 2 기판을 제공하고, 상기 제 2 기판 상에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 유기전계발광층을 포함하는 유기전계발광 다이오드를 형성하여 상판을 완성하는 단계; 및Providing a second substrate divided into a display area and a non-display area, and forming an organic light emitting diode on the second substrate, the organic light emitting diode including at least one organic light emitting layer formed in subpixel units to complete the top plate; And 상기 상판과 하판을 합착하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.And bonding the upper and lower plates together. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 유기전계발광 다이오드를 형성하기 전에 표시영역에 대응하는 제 2 기판의 일부를 식각하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.The method of claim 11, further comprising etching a portion of the second substrate corresponding to the display area before forming the organic light emitting diode on the second substrate. 제 11 항에 있어서, 상기 식각 공정은 HF 식각 가스를 이용하여 표시영역에 대응하는 기판의 두께를 비표시영역에 대응하는 기판의 두께보다 얇게 식각하는 것 을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 제조방법.The method of claim 11, wherein the etching process comprises using a HF etching gas to etch a thickness of the substrate corresponding to the display area to be smaller than a thickness of the substrate corresponding to the non-display area. . 제 11 항에 있어서, 상기 유기전계발광층은 고분자 물질 또는 저분자 물질로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 제조방법.The method of claim 11, wherein the organic light emitting layer is formed of a high molecular material or a low molecular material. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 유기전계발광 다이오드 형성 후, 게터 형성 공정을 더 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.The method of claim 11, further comprising: forming a getter after forming the organic light emitting diode on the second substrate. 표시영역과 비표시영역으로 구분된 제 1 기판을 제공하고, 상기 제 1 기판 상에 서브픽셀 단위로 적어도 하나 이상의 박막트랜지스터를 포함하는 어레이층을 형성하여 하판을 완성하는 단계;Providing a first substrate divided into a display area and a non-display area, and forming an array layer including at least one thin film transistor in subpixel units on the first substrate to complete a lower plate; 표시영역과 비표시영역으로 구분된 제 2 기판을 제공하고, 상기 제 2 기판 상에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 유기전계발광층을 포함하는 유기전계발광 다이오드를 형성하여 상판을 완성하는 단계;Providing a second substrate divided into a display area and a non-display area, and forming an organic light emitting diode on the second substrate, the organic light emitting diode including at least one organic light emitting layer formed in subpixel units to complete the top plate; 상기 상판과 하판을 합착하여 유기전계발광패널을 완성하는 단계; 및Bonding the upper plate and the lower plate to complete an organic light emitting panel; And 상기 유기전계발광패널을 식각 처리하여 표시영역에 대응하는 제 1 기판 또는 제 2 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.And etching a portion of the organic light emitting panel to remove a portion of the first substrate or the second substrate corresponding to the display area. 제 16 항에 있어서, 상기 상판과 하판을 합착하기 위해 상기 상판 또는 하판 상에 씰재를 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.The method of claim 16, further comprising forming a seal member on the upper plate or the lower plate to bond the upper plate and the lower plate. 제 16 항에 있어서, 상기 식각 공정은 HF 식각 가스를 이용하여 표시영역에 대응하는 기판의 두께를 비표시영역에 대응하는 기판의 두께보다 얇게 식각하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 제조방법.The method of claim 16, wherein the etching process comprises using an HF etching gas to etch a thickness of the substrate corresponding to the display area to be smaller than a thickness of the substrate corresponding to the non-display area. 제 16 항에 있어서, 상기 유기전계발광층은 고분자 물질 또는 저분자 물질로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 제조방법.The method of claim 16, wherein the organic light emitting layer is formed of a high molecular material or a low molecular material. 제 16 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 유기전계발광 다이오드 형성 후, 게터 형성 공정을 더 포함하는 유기전계발광표시장치 제조방법.The method of claim 16, further comprising: forming a getter after forming the organic light emitting diode on the second substrate.
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