KR101191377B1 - 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents
테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101191377B1 KR101191377B1 KR1020080131596A KR20080131596A KR101191377B1 KR 101191377 B1 KR101191377 B1 KR 101191377B1 KR 1020080131596 A KR1020080131596 A KR 1020080131596A KR 20080131596 A KR20080131596 A KR 20080131596A KR 101191377 B1 KR101191377 B1 KR 101191377B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photoconductive antenna
- focusing lens
- terahertz wave
- flange
- active region
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 13
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/10—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry
- G01J3/108—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry for measurement in the infrared range
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/11—Arrangements specific to free-space transmission, i.e. transmission through air or vacuum
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
- G01J3/0208—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using focussing or collimating elements, e.g. lenses or mirrors; performing aberration correction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/30—Collimators
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/40—Transceivers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 볼렌즈, 광전도 안테나 및 집속 렌즈를 간단하게 정렬시켜 하나의 완전하고 독립된 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지를 구현함으로써, 테라헤르츠파를 용이하게 발생시키거나 측정할 수 있는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명에 따르면, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 구축에 소요되는 시간 및 비용을 획기적으로 감소시킬 수 있으며, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 단순화 및 소형화를 도모할 수 있다. 또한, 광전도 안테나에서 발생된 테라헤르츠파의 특성을 간단하게 측정할 수 있다. 게다가, 상부 및 하부 덮개에 의해 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈 및 집속 렌즈의 정렬 상태를 그대로 유지하면서 보존 및 운반이 가능하여 안정성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 외부 환경에 의해 테라헤르츠파 소자가 오염되는 것을 최소화할 수 있다.
테라헤르츠파, 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈, 정렬
Description
본 발명은 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 실리콘 볼렌즈, 광전도 안테나 및 집속 렌즈를 간단하게 정렬시켜 하나의 완전하고 독립된 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지를 구현하는 기술에 관한 것이다.
본 발명은 지식경제부 및 정보통신연구진흥원의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2006-S-005-3, 과제명: THz파 발진 변환 검출기 및 신호원].
테라헤르츠(THz)파는 적외선과 마이크로파 사이의 100GHz 에서 10THz 범위의 주파수를 가진 전자기파로서, 최근 첨단기술의 발전에 힘입어 미래의 전파자원으로 인정되면서 세계적으로 점점 많은 주목을 받고 있으며, IT(Information Technology), BT(Bio Technology) 등과의 융합을 통한 다양한 응용분야에서 그 중 요성을 더해가고 있다.
특히, 테라헤르츠파는 가시광선처럼 직진하면서 전파처럼 다양한 물질을 잘 투과하므로, 물리, 화학, 생물학, 의학 등의 기초과학뿐만 아니라, 위조지폐, 마약, 폭발물, 생화학무기 등의 감지는 물론 산업 구조물도 비파괴적으로 검사할 수 있어서 일반 산업, 국방, 보안 등의 분야에서도 광범위하게 활용될 것으로 기대되고 있다. 또한, 정보통신 분야에서도 40 Gbit/s 이상의 무선통신, 고속 데이터 처리, 위성간 통신에 테라헤르츠 기술이 광범위하게 사용될 것으로 기대되고 있다.
이와 같은 테라헤르츠파는 그 발생 방법에 따라서 연속형과 펄스형으로 나눌 수 있는데, 일반적으로 펄스형 테라헤르츠파는 펨토초(femtosecond: 10-15초) 레이저를 특수한 반도체 또는 광학결정에 조사하여 발생시키며, 이에 대하여 더 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 펨토초 레이저를 광전도 안테나에 조사하여 펄스형 테라헤르츠파를 발생시키는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 광전도 안테나(100)는 반절연성 갈륨비소(Semi-insulator GaAs) 기판(110) 위에 형성된 광전도성 박막(120)과, 상기 광전도성 박막(120) 위에 형성된 중앙 돌출 부위를 갖는 금속 평행 전송선로(전극도 겸함)(130)를 포함한다. 여기에서, 상기 금속 평행 전송선로(130)의 중앙 영역에 돌출된 부위는 소형 다이폴 안테나(dipole antenna)로서 작용한다.
상기 금속 평행 전송선로(130)에 바이어스 전압(Vb)을 인가한 상태에서 시간폭이 100 펨토초 이하인 레이저 펄스광(fs)을 사용하여 간헐적으로 여 기(excitation)시키면, 광흡수에 의한 캐리어(전자와 정공)가 생성되어 순간적으로 금속 평행 전송선로(130)를 통해 전류가 흐르고, 이 전류의 시간 미분값에 비례하는 테라헤르츠파(쌍극자 방사)가 발생된다.
이렇게 발생된 테라헤르츠파는 유전율이 큰 기판(110) 표면에서 강하게 방사되며, 방사되는 테라헤르츠파의 펄스폭은 1ps 이하로써 범용인 30fs 이상의 레이저 펄스를 사용하여 광 여기시킬 경우, 퓨리에(Fourier) 변환하여 얻게 되는 스펙트럼은 0 ~ 수 테라헤르츠파까지의 넓은 스펙트럼을 갖게 된다.
이와 같이 기판 표면에서 테라헤르츠파가 방사되기 위해서는 펨토초 레이저 펄스를 집속 렌즈(Focusing Lens)를 통해 광전도 안테나(100)에 집속시켜 주파수 영역으로 변환한 후 다시 실리콘 볼렌즈를 통해 소정 영역에 집속시켜야 한다.
하지만, 종래에는 집속 렌즈, 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈 등의 소자들을 한꺼번에 광학 테이블에 실장 및 정렬하여 테라헤르츠파 송수신 모듈을 제작하기 때문에, 이들을 정밀하게 면 접속시키기 위해서는 고정밀도 정렬 기술이 수반되어야 하는 문제가 있다.
특히, 광전도 안테나와 반구형의 실리콘 볼렌즈를 면 접속시키는 경우, 광전도 안테나와 실리콘 볼렌즈의 표면에 스크래치가 발생할 수 있고, 정렬 오차의 문제가 발생할 수 있으며, 더욱이 광전도 안테나와 실리콘 볼렌즈의 정렬 상태를 계속적으로 유지하기 위한 별도의 고정 수단이 필요로 되는 문제점이 있다.
또한, 발생된 테라헤르츠파의 특성 테스트를 위해서는 전도성 접착제나 인듐 접합을 이용하여 광전도 안테나에 전선을 직접 연결하고, 테스트가 완료된 후에 다 시 전도성 접착제나 인듐 접합을 이용하여 전선을 제거해야 하므로, 광전도 안테나와 실리콘 볼렌즈의 정렬 상태를 그대로 유지하면서 테라헤르츠파의 특성을 테스하기가 매우 번거롭고 까다롭다는 문제점이 있다.
게다가, 운반 및 보관시 집속 렌즈, 광전도 안테나 및 실리콘 볼렌즈의 정렬 상태가 쉽게 흐트러질 수 있으며 이들 소자들이 외부의 환경에 의해 매우 쉽게 파손 또는 오염될 수 있다는 문제점도 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 간단하게 제작이 가능하면서 테라헤르츠파의 발생 및 측정이 용이한 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지를 구현하는 것이다.
보다 구체적으로 설명하면, 실리콘 볼렌즈, 광전도 안테나 및 집속 렌즈를 간단하게 정렬하여 하나의 완전하고 독립된 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지를 구현함으로써, 테라헤르츠파를 용이하게 발생시키거나 측정할 수 있도록 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지는, 기판 상부에 형성되며, 중심부에 활성 영역을 구비한 광전도 안테나; 상기 기판 하부에 정렬된 실리콘 볼렌즈; 펨토초 레이저 펄스를 집속시키기 위한 집속 렌즈; 상기 집속 렌즈를 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬시키기 위한 집속 렌즈 정렬기; 상기 광전도 안테나의 활성 영역의 수직 상하부를 개구시키는 상부 및 하부 고정부; 및 상기 상부 및 하부 고정부의 개구 영역을 밀폐시키는 상부 및 하부 덮개를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 외부 단자가 연결되며, 상기 실리콘 볼렌즈는 상기 실리콘 볼렌즈의 외측면을 둘러싸는 원통 형태의 슬리브에 고정 된다.
상기 집속 렌즈 정렬기는, 상기 집속 렌즈를 내부에 실장하여 상기 집속 렌즈를 상하 방향으로 이동시키는 내부 후렌지와, 상기 내부 후렌지를 감싸는 형태로 형성되어 상기 집속 렌즈를 좌우 방향으로 이동시키는 외부 후렌지를 포함한다.
상기 내부 후렌지는 고정볼트와 메탈볼에 의해 상기 집속 렌즈를 상하 방향으로 이동시키며, 상기 외부 후렌지는 상기 상부 고정부의 후렌지에 형성된 홈에 면접속하는 형태로 삽입되어 상기 홈을 따라 상기 집속 렌즈를 좌우 방향으로 이동시킨다.
상기 내부 후렌지의 상하 이동 및 상기 외부 후렌지의 좌우 이동에 의해 상기 집속 렌즈의 중심이 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬되며, 상기 집속 렌즈의 중심이 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬된 이후, 상기 외부 후렌지는 상기 상부 고정부의 후렌지에 고정된다.
상기 상부 및 하부 고정부는 체결 수단에 의해 상기 광전도 안테나를 내부에 안착 및 고정시키면서 상기 광전도 안테나의 활성 영역의 수직 상하부를 개구시키며, 상기 상부 및 하부 덮개는 상기 상부 및 하부 고정부에 각각 결합되어 상기 상부 및 하부 고정부의 개구 영역을 밀폐시킨다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 제조 방법은, (a) 기판 상에 테라헤르츠파의 방사 또는 검출을 위한 활성 영역을 구비한 광전도 안테나를 형성하는 단계; (b) 상부 및 하부 고정부를 이용하여 상기 광전도 안테나의 활성 영역의 수직 상하부를 개구시키는 단계; (c) 실 리콘 볼렌즈를 상기 기판 하부에 정렬하여 고정시키는 단계; (d) 상하 이동이 가능한 내부 후렌지와 좌우 이동이 가능한 외부 후렌지를 이용하여 상기 집속 렌즈의 중심을 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬시키는 단계; 및 (e) 상기 집속 렌즈와 상기 광전도 안테나의 정렬 상태를 유지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 (a) 단계에서 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 외부 단자를 결합시키며, 상기 (b) 단계에서 체결 수단에 의해 상기 광전도 안테나를 상기 상부 및 하부 고정부의 내부에 안착 및 고정시키면서 상기 광전도 안테나의 활성 영역의 수직 상하부를 개구시킨다. 또한, 상기 (c) 단계에서 상기 실리콘 볼렌즈를 상기 실리콘 볼렌즈의 외측면을 둘러싸는 원통 형태의 슬리브에 고정시킨다.
상기 (d) 단계에서 상기 내부 후렌지에 집속 렌즈를 실장한 후 상기 내부 후렌지를 상하로 이동시키면서, 상기 내부 후렌지를 감싸는 형태의 외부 후렌지를 상기 상부 고정부의 후렌지에 형성된 홈에 면접속하는 형태로 삽입한 후 상기 홈을 따라 상기 외부 후렌지를 좌우로 이동시킨다.
상기 (e) 단계에서 상기 집속 렌즈의 중심이 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬된 이후, 상기 외부 후렌지를 상기 상부 고정부의 후렌지에 고정시키며, 상기 (e) 단계 이후에 상기 상부 및 하부 고정부의 개구 영역을 밀폐시키는 상부 및 하부 덮개를 형성한다.
본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지는 다음과 같은 잇점이 있다.
첫째로, 실리콘 볼렌즈, 광전도 안테나 및 집속 렌즈를 간단하게 고정밀도로 정렬시킬 수 있으므로, 종래에 비하여 보다 간단한 구조로 테라헤르츠파를 용이하게 발생시키거나 측정할 수 있으며, 이에 따라 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 구축에 소요되는 시간 및 비용을 획기적으로 감소시킬 수 있다. 또한, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 단순화 및 소형화를 도모할 수 있다.
두번째로, 테라헤르츠파의 특성 측정이 필요한 경우, 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 외부 단자를 연결하여 광전도 안테나에서 발생된 테라헤르츠파의 특성을 간단하게 측정할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 특성 테스트를 위해 전도성 접착제나 인듐 접합 작업을 수행할 필요가 없어져 보다 용이하고 간편하게 테스트를 수행할 수 있을 뿐만 아니라 테스트 시간 및 비용도 획기적으로 감소시킬 수 있다.
세번째로, 보관 또는 운반시 상부 및 하부 덮개를 이용하여 내부 소자들이 완전히 밀폐되도록 할 수 있다. 따라서, 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈 및 집속 렌즈의 정렬 상태를 그대로 유지하면서 보존 및 운반이 가능하여 안정성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 외부 환경에 의해 내부 소자들이 오염되는 것을 최소화할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2는 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지(200)의 기본 구조를 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 도 2에 도시된 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지(200)가 적용된 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈(200)은, 광전도 안테나(220)에 실리콘 볼렌즈(230)를 정렬시켜 접합한 후 집속 렌즈(240)의 위치를 조절하여 상기 광전도 안테나(220)에 집속 렌즈(240)를 정렬시키는 것에 의해 완성된다.
즉, 본 발명에서는 고정밀도의 정렬 기술을 사용하지 않고도 광전도 안테나(220), 실리콘 볼렌즈(230) 및 집속 렌즈(240)를 정밀하게 정렬시킬 수 있는 패키지 구조를 제안한다.
따라서, 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈(200)은 종래에 비하여 보다 간단한 구조로 테라헤르츠파를 용이하게 발생시키거나 측정할 수 있으며, 이에 따라 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 구축에 소요되는 시간 및 비용을 획기적 으로 감소시킬 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지(200)의 상세 구조를 나타낸 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지(200)의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지(200)는, 기판(210) 상부에 활성 영역(221)을 갖도록 형성된 광전도 안테나(220)와, 상기 기판(210) 하부에 고정된 실리콘 볼렌즈(230)와, 펨토초 레이저 펄스를 집속시키기 위한 집속 렌즈(240)와, 상기 집속 렌즈(240)를 상기 광전도 안테나(220)의 활성 영역 중심부(C)에 정렬시키기 위한 집속 렌즈 정렬기(250)와, 상기 광전도 안테나(220)의 활성 영역(221)의 수직 상하부를 개구시키는 상부 및 하부 고정부(260a, 260b)와, 상기 상부 및 하부 고정부(260a, 260b)의 개구 영역을 밀폐시키는 상부 및 하부 덮개(270a, 270b)를 포함한다.
상기 광전도 안테나(220)의 중심부에는 테라헤르츠파의 방사 또는 검출을 위한 활성 영역(221)이 형성되어 있으며, 상기 광전도 안테나(220)의 활성 영역 중심부(C)에는 외부 단자(미도시)가 연결될 수 있다.
상기 실리콘 볼렌즈(230)는 실리콘 볼렌즈(230)의 외측면을 둘러싸는 원통 형태의 슬리브(231)에 고정되어 볼렌즈 블록(230a)를 구성한다.
상기 상부 및 하부 고정부(260a, 260b)는 기판(210) 상에 형성된 광전도 안테나(220)를 내부에 안착 및 고정시킬 수 있도록 구성되어 있으며, 광전도 안테나(220)를 고정하기 위한 체결 공(263)과 체결 나사(265)를 구비하고 있다. 또한, 상기 상부 및 하부 고정부(260a, 260b)는 상기 광전도 안테나(220)의 활성 영역(221)의 수직 상하부를 개구시키는 구조를 갖는다.
상기 상부 및 하부 덮개(270a, 270b)는 상면은 개방되고 하면은 밀폐된 컵 모양으로 형성되어 있으며, 상기 상부 및 하부 고정부(260a, 260b)에 각각 결합되어 상기 상부 및 하부 고정부(260a, 260b)의 개구 영역을 밀폐시킨다.
상기 집속 렌즈 정렬기(250)는 집속 렌즈(240)를 내부에 실장하여 집속 렌즈(240)를 상하 방향으로 이동시키는 내부 후렌지(250a)와, 상기 내부 후렌지(250a)를 감싸는 형태로 형성되어 집속 렌즈(240)를 좌우 방향으로 이동시키는 외부 후렌지(250b)를 포함한다.
상기 내부 후렌지(250a)는 고정볼트(251)와 메탈볼(253)에 의해 집속 렌즈(240)를 상하 방향으로 이동시키며, 상기 외부 후렌지(250b)는 상기 상부 고정부(260a)의 후렌지(261)와 면접속(J)되어 집속 렌즈(240)를 좌우 방향으로 이동시킨다.
특히, 상기 외부 후렌지(250b)는 상기 상부 고정부(260a)의 후렌지(261)에 형성된 홈(261a)에 삽입되어 홈(261a)을 따라 이동이 가능하며, 이에 따라 집속 렌즈(240)를 좌우 방향으로 이동시킬 수 있다.
이러한 내부 후렌지(250a)의 상하 이동과 외부 후렌지(250b)의 좌우 이동에 의해 도 5에 도시된 바와 같이 집속 렌즈(240)의 집속 위치가 달라진다.
즉, 상기 집속 렌즈 정렬기(250)는 집속 렌즈(240)를 실장한 상태에서 상하 혹은 좌우의 위치를 조절하여 집속 렌즈(240)의 중심이 광전도 안테나(220)의 활성 영역 중심부(C)에 정확하게 정렬되도록 한다.
한편, 집속 렌즈(240)의 중심이 광전도 안테나(220)의 활성 영역 중심부(C)에 정확하게 정렬된 이후에, 집속 렌즈(240)와 광전도 안테나(220)의 정렬 상태를 유지하기 위해 에폭시 접착제 또는 고정용 브라켓 등을 이용하여 상기 외부 후렌지(250b)를 상기 상부 고정부(260a)의 후렌지(261)에 고정시키는 것이 바람직하다.
상기와 같은 구조를 갖는 본 발명의 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지(200)는 다음과 같은 잇점이 있다.
첫째로, 광전도 안테나(220), 실리콘 볼렌즈(230) 및 집속 렌즈(240)를 간단하게 고정밀도로 정렬시킬 수 있다.
이렇게 광전도 안테나(220), 실리콘 볼렌즈(230) 및 집속 렌즈(240)가 고정밀도로 정렬됨에 따라, 집속 렌즈(240)에 펨토초 레이저 펄스(fs)가 입사되면, 펨토초 레이저 펄스(fs)가 광전도 안테나(220)의 활성 영역 중심부(C)에 정확하게 조사되어 광전도 안테나(220)에서 테라헤르츠파(THz)가 발생되며, 발생된 테라헤르츠파(THz)는 실리콘 볼렌즈(230)를 통해 소정 영역으로 정확하게 집속되어 주파수 영역으로 변환된다.
따라서, 본 발명의 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지(200)는 종래에 비하여 보다 간단한 구조로 테라헤르츠파를 용이하게 발생시키거나 측정할 수 있으므로, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 구축에 소요되는 시간 및 비용을 획기적으로 감소시킬 수 있으며, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 단순화 및 소형화를 도모할 수 있다.
두번째로, 테라헤르츠파의 특성 측정이 필요한 경우, 광전도 안테나(220)의 활성 영역 중심부(C)에 외부 단자(미도시)를 연결하여 광전도 안테나(220)에서 발생된 테라헤르츠파(THz)의 특성을 간단하게 측정할 수 있다.
따라서, 종래와 같이 특성 테스트를 위해 전도성 접착제나 인듐 접합 작업을 수행할 필요가 없어져 보다 용이하고 간편하게 테스트를 수행할 수 있을 뿐만 아니라 테스트 시간 및 비용도 획기적으로 감소시킬 수 있다.
세번째로, 보관 또는 운반시 상부 및 하부 덮개(270a, 270b)를 상부 및 하부 고정부(260a, 260b)에 각각 결합시켜 내부의 소자들이 완전히 밀폐되도록 할 수 있다.
따라서, 광전도 안테나(220), 실리콘 볼렌즈(230) 및 집속 렌즈(240)의 정렬 상태를 그대로 유지하면서 보존 및 운반이 가능하여 안정성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 외부 환경에 의해 테라헤르츠파 소자가 오염되는 것을 최소화할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지(200)의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기판(210) 상에 테라헤르츠파의 방사 또는 검출을 위한 활성 영역(221)을 구비한 광전도 안테나(220)를 형성한다. 이 때, 상기 광전도 안테나(220)의 활성 영역 중심부(C)에 외부 단자가 결합될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
다음으로, 기판(210) 상에 형성된 광전도 안테나(220)를 상부 및 하부 고정부(260a, 260b) 사이에 안착시킨 후, 체결 공(263)에 체결 나사(265)를 체결하여 광전도 안테나(220)가 움직이지 않도록 고정한다. 이 때, 상기 광전도 안테나(220)의 활성 영역(221)의 수직 상하부는 개구되도록 한다.
다음으로, 반구 형태의 실리콘 볼렌즈(230)를 원통 형태의 슬리브(231)에 에폭시 접합시켜 볼렌즈 블록(230a)을 형성한다.
그 다음, 에폭시 접합 작업을 통해 상기 볼렌즈 블록(230a)을 기판(210)의 하부에 고정시킨다.
다음으로, 집속 렌즈 정렬기(250)의 내부 후렌지(250a)에 집속 렌즈(240)를 실장한 후 상기 내부 후렌지(250a)를 감싸는 형태의 외부 후렌지(250b)를 상부 고정부(260a)의 후렌지(261)에 면접속(J)시킨다.
다음으로, 내부 후렌지(250a)와 외부 후렌지(250b)를 이용하여 집속 렌즈(240)의 중심이 광전도 안테나(220)의 활성 영역 중심부(C)에 정렬되도록 조절한다. 다시 말해서, 집속 렌즈(240)로 입사되는 펨토초 레이저 펄스광(fs)이 광전도 안테나(220)의 활성 영역 중심부(C)에 집속되도록 집속 렌즈(240)를 광전도 안테나(220)에 정렬시킨다.
상기의 과정을 통해 집속 렌즈(240)가 광전도 안테나(220)에 정렬되면, 집속 렌즈 정렬기(250)의 외부 후렌지(250b)와 상부 고정부(260a)의 후렌지(261)를 에폭시 접착제로 고정한다.
마지막으로, 필요에 따라 상부 및 하부 덮개(270a, 270b)를 상부 및 하부 고정부(260a, 260b)에 각각 결합시킨다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면 광전도 안테나(220), 실리콘 볼렌 즈(230) 및 집속 렌즈(240)를 간단하게 정렬시켜 하나의 완전하고 독립된 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지(200)를 구현할 수 있으므로, 이에 따라 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 구축에 소요되는 시간 및 비용을 획기적으로 감소시킬 수 있으며, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 단순화 및 소형화를 도모할 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 설명하였다. 그러나, 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것으로, 본 발명의 범위가 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 여러 가지 다른 형태로 변형이 가능함은 물론이다.
도 1은 펨토초 레이저를 광전도 안테나에 조사하여 펄스형 테라헤르츠파를 발생시키는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지의 기본 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지가 적용된 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지의 상세 구조를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 종래의 광전도 안테나
110 : GaAs 기판
120 : 광전도성 박막
130 : 금속 평행 전송선로
200 : 본 발명의 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지
210 : 기판
220 : 광전도 안테나
230 : 실리콘 볼렌즈
231 : 슬리브
230a : 볼렌즈 블록
240 : 집속 렌즈
250 : 집속 렌즈 정렬기
250a, 250b : 내부 후렌지, 외부 후렌지
251, 253 : 고정볼트, 메탈볼
260a, 260b : 상부 고정부, 하부 고정부
261, 261a : 상부 고정부의 후렌지, 상부 고정부의 후렌지에 형성된 홈
270a, 270b : 상부 덮개, 하부 덮개
Claims (17)
- 기판 상부에 형성되며, 중심부에 활성 영역을 구비한 광전도 안테나;상기 기판 하부에 정렬된 실리콘 볼렌즈;펨토초 레이저 펄스를 집속시키기 위한 집속 렌즈;상기 집속 렌즈를 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬시키기 위한 집속 렌즈 정렬기;상기 광전도 안테나의 활성 영역의 수직 상하부를 개구시키는 상부 및 하부 고정부; 및상기 상부 및 하부 고정부의 개구 영역을 밀폐시키는 상부 및 하부 덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 외부 단자가 연결되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 실리콘 볼렌즈는 상기 실리콘 볼렌즈의 외측면을 둘러싸는 원통 형태의 슬리브에 고정되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- 제 1항에 있어서, 상기 집속 렌즈 정렬기는,상기 집속 렌즈를 내부에 실장하여 상기 집속 렌즈를 상하 방향으로 이동시키는 내부 후렌지와,상기 내부 후렌지를 감싸는 형태로 형성되어 상기 집속 렌즈를 좌우 방향으로 이동시키는 외부 후렌지를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- 제 4항에 있어서,상기 내부 후렌지는 고정볼트와 메탈볼에 의해 상기 집속 렌즈를 상하 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- 제 4항에 있어서,상기 외부 후렌지는 상기 상부 고정부의 후렌지에 형성된 홈에 면접속하는 형태로 삽입되어 상기 홈을 따라 상기 집속 렌즈를 좌우 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- 제 4항에 있어서,상기 내부 후렌지의 상하 이동 및 상기 외부 후렌지의 좌우 이동에 의해 상기 집속 렌즈의 중심이 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- 제 6항에 있어서,상기 집속 렌즈의 중심이 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬된 이후, 상기 외부 후렌지는 상기 상부 고정부의 후렌지에 고정되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- 제 1항에 있어서, 상기 상부 및 하부 고정부는,체결 수단에 의해 상기 광전도 안테나를 내부에 안착 및 고정시키면서 상기 광전도 안테나의 활성 영역의 수직 상하부를 개구시키는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 상부 및 하부 덮개는 상기 상부 및 하부 고정부에 각각 결합되어 상기 상부 및 하부 고정부의 개구 영역을 밀폐시키는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지.
- (a) 기판 상에 테라헤르츠파의 방사 또는 검출을 위한 활성 영역을 구비한 광전도 안테나를 형성하는 단계;(b) 상부 및 하부 고정부를 이용하여 상기 광전도 안테나의 활성 영역의 수직 상하부를 개구시키는 단계;(c) 실리콘 볼렌즈를 상기 기판 하부에 정렬하여 고정시키는 단계;(d) 상하 이동이 가능한 내부 후렌지와 좌우 이동이 가능한 외부 후렌지를 이용하여 집속 렌즈의 중심을 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬시키는 단계; 및(e) 상기 집속 렌즈와 상기 광전도 안테나의 정렬 상태를 유지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 외부 단자를 결합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,체결 수단에 의해 상기 광전도 안테나를 상기 상부 및 하부 고정부의 내부에 안착 및 고정시키면서 상기 광전도 안테나의 활성 영역의 수직 상하부를 개구시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,상기 실리콘 볼렌즈를 상기 실리콘 볼렌즈의 외측면을 둘러싸는 원통 형태의 슬리브에 고정시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 (d) 단계에서,상기 내부 후렌지에 집속 렌즈를 실장한 후 상기 내부 후렌지를 상하로 이동시키는 제1 단계와,상기 내부 후렌지를 감싸는 형태의 외부 후렌지를 상기 상부 고정부의 후렌 지에 형성된 홈에 면접속하는 형태로 삽입한 후 상기 홈을 따라 상기 외부 후렌지를 좌우로 이동시키는 제2 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 제조 방법.
- 제 15항에 있어서, 상기 (e) 단계에서,상기 집속 렌즈의 중심이 상기 광전도 안테나의 활성 영역 중심부에 정렬된 이후, 상기 외부 후렌지를 상기 상부 고정부의 후렌지에 고정시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 (e) 단계 이후에,상기 상부 및 하부 고정부의 개구 영역을 밀폐시키는 상부 및 하부 덮개를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080131596A KR101191377B1 (ko) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP2009181651A JP5048025B2 (ja) | 2008-12-22 | 2009-08-04 | テラヘルツ波送受信モジュールパッケージ及びその製造方法 |
| US12/537,445 US8053732B2 (en) | 2008-12-22 | 2009-08-07 | Terahertz wave TX/RX module package and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080131596A KR101191377B1 (ko) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100073019A KR20100073019A (ko) | 2010-07-01 |
| KR101191377B1 true KR101191377B1 (ko) | 2012-10-15 |
Family
ID=42264646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080131596A KR101191377B1 (ko) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8053732B2 (ko) |
| JP (1) | JP5048025B2 (ko) |
| KR (1) | KR101191377B1 (ko) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120036745A (ko) | 2010-10-08 | 2012-04-18 | 한국전자통신연구원 | 테라헤르츠파 발생 및 검출을 위한 집속렌즈 일체형 광전도 안테나 소자 및 그 제조방법 |
| KR101754275B1 (ko) * | 2010-12-16 | 2017-07-06 | 한국전자통신연구원 | 테라헤르츠파 송수신 모듈 및 그를 구비한 장치 |
| JP5799538B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-10-28 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置 |
| JP5662258B2 (ja) * | 2011-06-15 | 2015-01-28 | 日本電信電話株式会社 | テラヘルツ波発生器 |
| WO2013188962A1 (en) * | 2012-06-19 | 2013-12-27 | Tetechs Inc. | Enclosure with integrated terahertz photoconductive antenna and terahertz lens |
| CN103364366B (zh) * | 2012-07-12 | 2016-04-13 | 北京市农林科学院 | 太赫兹波谱法在鉴别陈化农产品中的用途 |
| RU2522798C1 (ru) * | 2013-02-13 | 2014-07-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского" | Оптико-терагерцовый преобразователь |
| US9766127B2 (en) * | 2013-07-15 | 2017-09-19 | The Aerospace Corporation | Terahertz detection assembly and methods for use in detecting terahertz radiation |
| US9761750B2 (en) | 2014-12-10 | 2017-09-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Large caliber array type terahertz wave generating device having photonic crystal structure |
| KR102625253B1 (ko) | 2018-10-26 | 2024-01-16 | 삼성전자주식회사 | 복수 개의 도전성 엘리먼트들을 전기적으로 연결할 수 있는 광 도전성 부재를 포함하는 광 도전성 소자를 가지는 전자 장치 |
| CN110534880B (zh) * | 2019-09-04 | 2020-06-26 | 暨南大学 | 单个纳米颗粒光散射电调控天线及制备、电调控的方法 |
| CN113866931B (zh) * | 2021-09-23 | 2024-04-26 | 华太极光光电技术有限公司 | 一种太赫兹镜头 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050175298A1 (en) | 2004-02-10 | 2005-08-11 | Farid Matta | Optical module aligned after assembly |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5663639A (en) * | 1994-01-18 | 1997-09-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus and method for optical heterodyne conversion |
| US5789750A (en) | 1996-09-09 | 1998-08-04 | Lucent Technologies Inc. | Optical system employing terahertz radiation |
| US6816647B1 (en) * | 1999-10-14 | 2004-11-09 | Picometrix, Inc. | Compact fiber pigtailed terahertz modules |
| JP2001124960A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 受光モジュール |
| KR20050026491A (ko) | 2002-07-18 | 2005-03-15 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 카메라 모듈, 카메라 모듈용 홀더, 카메라 시스템 및카메라 모듈 제조 방법 |
| JP2004207288A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Tochigi Nikon Corp | テラヘルツ光発生器及びテラヘルツ光検出器 |
| JP2005064986A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-03-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 準光学結合型モジュール |
| JP2006145372A (ja) | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テラヘルツ電磁波発生装置 |
| US20080199124A1 (en) | 2005-08-29 | 2008-08-21 | Tadao Nagatsuma | OPTICAL DEVICE FOR GENERATING AND MODULATING THz AND OTHER HIGH FREQUENCY SIGNALS |
| JP5000277B2 (ja) | 2006-11-27 | 2012-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | テラヘルツ電磁波発生装置およびテラヘルツ電磁波検出装置 |
| JP4762944B2 (ja) | 2007-03-26 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | テラヘルツアンテナモジュール |
-
2008
- 2008-12-22 KR KR1020080131596A patent/KR101191377B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-08-04 JP JP2009181651A patent/JP5048025B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-07 US US12/537,445 patent/US8053732B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050175298A1 (en) | 2004-02-10 | 2005-08-11 | Farid Matta | Optical module aligned after assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8053732B2 (en) | 2011-11-08 |
| US20100155605A1 (en) | 2010-06-24 |
| KR20100073019A (ko) | 2010-07-01 |
| JP2010147457A (ja) | 2010-07-01 |
| JP5048025B2 (ja) | 2012-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101191377B1 (ko) | 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법 | |
| KR100907823B1 (ko) | 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치 | |
| US4855749A (en) | Opto-electronic vivaldi transceiver | |
| EP1642153B1 (en) | High frequency electrical signal control device and sensing system | |
| US10033394B2 (en) | Atom cell, method of manufacturing atom cell, quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object | |
| US20050215031A1 (en) | Photo-semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US20180069372A1 (en) | Light-emitting element module, atomic oscillator, and electronic apparatus | |
| US9507322B2 (en) | Atomic cell manufacturing method, atomic cell, quantum interference device, atomic oscillator, electronic device, and moving object | |
| JP2010056198A (ja) | 光伝導素子 | |
| CN105515580A (zh) | 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 | |
| AU2010328148A1 (en) | Tera-and gigahertz solid state miniature spectrometer | |
| US20120086096A1 (en) | Condenser lens-coupled photoconductive antenna device for terahertz wave generation and detection and fabricating method thereof | |
| KR101273525B1 (ko) | 광전도 안테나에 볼렌즈를 형성하는 테라헤르츠파 송수신 모듈 제조 방법 | |
| US10096970B2 (en) | Light-emitting element module, atomic oscillator, and electronic apparatus | |
| KR101348660B1 (ko) | 테라헤르츠파 송수신 소자용 패키지 모듈 | |
| KR101191385B1 (ko) | 광전도 안테나에 실리콘 볼렌즈가 일체화된 테라헤르츠파 송수신 모듈 및 그 제조 방법 | |
| US20180241407A1 (en) | Quantum interference device, atomic oscillator, and electronic apparatus | |
| KR20120059314A (ko) | 하나의 송수신모듈만을 이용하는 테라헤르츠파 발생 및 검출 시스템 | |
| KR20120036745A (ko) | 테라헤르츠파 발생 및 검출을 위한 집속렌즈 일체형 광전도 안테나 소자 및 그 제조방법 | |
| US20170244419A1 (en) | Atomic cell, atomic cell manufacturing method, quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and vehicle | |
| JP5662258B2 (ja) | テラヘルツ波発生器 | |
| US10348318B2 (en) | Light-emitting element module, atomic oscillator, and electronic apparatus | |
| CN220039645U (zh) | 一种太赫兹光谱仪透射样品仓模块 | |
| JP6488599B2 (ja) | 量子干渉装置、原子セルの製造方法および電子機器 | |
| Giliberti et al. | Coupling of terahertz radiation to two-dimensional plasmons in a resonant cavity via an on-chip integrated cross-dipole antenna |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150925 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170329 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170927 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 7 |