KR101173573B1 - 가스분포를 제어하는 가스분배판 및 이를 포함하는기판처리장치 - Google Patents

가스분포를 제어하는 가스분배판 및 이를 포함하는기판처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판의 상부에 위치하여 기판을 향하여 가스를 분사하는 가스분배판으로서, 일면의 중심부에 형성되는 제 1 가스유로와, 상기 제 1 가스유로의 주변부에 형성되며 상기 제 1 가스유로와 연통하지 않는 제 2 가스유로와, 상기 제 2 가스유로의 주변부에 형성되며 상기 제 1,2 가스유로와 연통하지 않는 제 3 가스유로와, 상기 제 1, 2, 3 가스유로를 따라 타면으로 관통되는 다수의 분사홀이 형성된 하부판; 상기 하부판의 상부에 밀착되어 상기 가스유로의 상부를 밀폐하는 상부판을 포함하는 가스분배판에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 챔버 내부로 분사되는 원료물질의 유량이 위치별로 정밀하게 제어됨으로써 챔버 내부의 플라즈마 및 활성종의 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한 챔버의 상부구조가 간단해짐에 따라 유지보수가 편리해진다.
가스분배판. 그루브

Description

가스분포를 제어하는 가스분배판 및 이를 포함하는 기판처리장치{Gas distribution plate which controls gas distribution and substrate process apparatus using the same}
도 1은 종래 기판처리장치의 구성도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 구성도
도 3은 가스분배판을 구성하는 하부판의 평면도
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치의 모식도
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 구성도
도 6은 절연플레이트의 상부에 연결된 가스공급관을 나타낸 평면도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 : 기판처리장치 110 : 챔버
112 : 측벽유로 114 : 배기관
120 : 기판안치대 130 : 가스분배판
130a : 하부판 130b : 상부판
140 : 그루브패턴 151,152 : 가스공급홀
161,162,163,164 : 제1,2,3,4 가스공급관
170 : RF안테나 180 : RF전원
182 : 매처 190 : 가스저장부
본 발명은 반도체소자 또는 평면표시장치를 제조하기 위해 웨이퍼 또는 글래스(이하 '기판'이라 함)를 처리하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 기판처리장치의 내부로 원료물질을 분사하는 가스분배판에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자나 평면표시장치를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각(etching)공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다.
도 1은 일반적인 기판처리장치(10)를 나타낸 도면으로서, 반응공간을 형성하는 챔버(1)의 내부에 기판(s)을 안치하는 기판안치대(2)가 설치되고, 기판안치대(2)의 상부에는 다수의 분사홀(3a)을 가지는 가스분배판(3)이 설치된다.
가스분배판(3)은 챔버상판을 이루는 절연플레이트(4)의 저면에 결합한다. 절연플레이트(4)와 가스분배판(3)의 사이에는 버퍼공간이 형성되며, 절연플레이트(4) 에는 상기 버퍼공간과 연통되는 가스유로(4a)가 형성된다.
따라서 외부의 가스저장부(미도시)에 연결된 가스공급관(5)을 상기 가스유로(4a)와 연통되도록 절연플레이트(4)에 고정시킴으로써 가스저장부의 가스가 버퍼공간까지 도달할 수 있게 된다.
절연플레이트(4)의 상부에는 RF전원(8)에 연결된 RF안테나(6)가 설치되며, RF전원(8)과 RF안테나(6)의 사이에는 임피던스를 정합시키는 매처(7)가 설치된다. RF안테나(6)는 챔버 내부에 유도전기장을 발생시키는 수단이므로 RF안테나(6)에서 발생한 RF자기장이 챔버(1) 내부로 효율적으로 전달될 수 있도록 가스분배판(3)도 비도전성 세라믹재질로 제작되어야 한다. 챔버(1)의 하부에는 잔류물질을 배기하는 배기관(9)이 연결된다.
이와 같은 기판처리장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
먼저 미도시된 도어를 통하여 반입된 기판(s)이 기판안치대(2)에 안치되면, 가스공급관(5)을 통해 공급된 원료물질이 버퍼공간에서 일차 확산된 다음 가스분배판(3)의 분사홀(3a)을 통해 챔버(1) 내부로 분사된다.
이어서 RF안테나(6)에 RF전원(8)이 인가되면 RF안테나(6)의 주변에 형성된 RF자기장이 챔버 내부에서 유도전기장을 발생시키며, 유도전기장에 의해 가속된 전자가 중성기체와 충돌함으로써 활성종 및 이온의 혼합체인 플라즈마가 발생한다. 이와 같이 RF안테나(6)에 의하여 발생한 유도전기장을 이용하여 발생하는 플라즈마를 유도결합플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma)라고 한다.
이렇게 생성된 활성종 또는 이온은 기판(s)에 입사하여 증착 또는 식각공정을 수행하며, 이온에너지를 제어하기 위하여 기판안치대(2)에는 바이어스 RF전원(미도시)을 연결할 수도 있다.
이와 같이 기판의 상부로 원료물질을 분사하는 기판처리장치에서는 원료물질의 분포균일도가 공정에 큰 영향을 미치게 된다. 특히 최근 집적도 및 수율 향상을 위해 기판에 형성되는 패턴이 갈수록 미세해지고 반대로 기판사이즈는 커짐에 따라 공정가스의 균일도 향상에 대한 요구도 갈수록 높아지고 있다.
종래의 기판처리장치(10)는 가스분배판(3)과 절연플레이트(4)의 사이에 버퍼공간을 두어 공급된 가스를 미리 확산시킨 후에 챔버내부로 분사하는 방법으로 플라즈마의 균일도 향상을 도모하고 있으나, 기판의 크기가 커짐에 따라 이러한 방법으로 기판의 중앙부와 주변부 사이의 플라즈마 불균일을 개선하는 데는 한계가 있다.
또한 종래의 기판처리장치(10)에서는 절연플레이트(4)의 상부에 연결되는 가스공급관(5)으로 인해 챔버(1)의 상부구조가 매우 복잡해지므로 챔버의 유지보수에 큰 불편이 따른다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 챔버 내부로 분사되는 원료물질의 유량을 위치별로 정밀하게 제어함으로써 균일한 가스분포를 도모하고 나아가 플라즈마 및 활성종의 균일도를 향상시킬 수 있는 방안을 제공하기 위한 것이다.
또한 챔버의 상부구조를 단순화하여 유지보수의 편의를 도모하는데 목적이 있다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 기판의 상부에 위치하여 기판을 향하여 가스를 분사하는 가스분배판으로서, 일면의 중심부에 형성되는 제 1 가스유로와, 상기 제 1 가스유로의 주변부에 형성되며 상기 제 1 가스유로와 연통하지 않는 제 2 가스유로와, 상기 제 2 가스유로의 주변부에 형성되며 상기 제 1,2 가스유로와 연통하지 않는 제 3 가스유로와, 상기 제 1, 2, 3 가스유로를 따라 타면으로 관통되는 다수의 분사홀이 형성된 하부판; 상기 하부판의 상부에 밀착되어 상기 가스유로의 상부를 밀폐하는 상부판을 포함하는 가스분배판을 제공한다.
상기 제 1, 2, 3 가스유로는 상기 하부판 상부에 형성된 그루브(Groove) 패턴일 수 있다.
상기 그루브패턴은 상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장된 직선그루브와 상기 직선그루브로부터 분기되어 반경이 다른 동심원상에 형성되는 다수의 곡선그루브를 포함한다.
상기 다수의 곡선그루브는 상기 직선그루브를 중심으로 대칭적으로 형성될 수 있다.
상기 다수의 곡선그루브의 단면적은 상기 직선그루브 보다 크거나 같은 것이 바람직하다.
또한 본 발명은, 기판을 처리하는 챔버; 상기 챔버의 상부에 설치되고, 중심부에 형성되는 제 1 가스유로와, 상기 제 1 가스유로의 주변부에 형성되며 상기 제 1 가스유로와 연통하지 않는 제 2 가스유로와, 상기 제 2 가스유로의 주변부에 형성되며 상기 제 1,2 가스유로와 연통하지 않는 제 3 가스유로와, 상기 제 1, 2, 3 가스유로를 따라 상기 챔버 내부와 관통되는 다수의 분사홀이 형성된 가스분배판; 상기 제 1, 2, 3 가스유로에 각각 독립적으로 가스를 공급하는 가스공급장치를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.
상기 가스공급장치는, 상기 제 1 가스유로에 연결된 가스공급관에 설치된 제 1 가스유량조절장치; 상기 제 2 가스유로에 연결된 가스공급관에 설치된 제 2 가스유량조절장치; 상기 제 3 가스유로에 연결된 가스공급관에 설치된 제 3 가스유량조절장치를 포함한다.
또한 본 발명은, 기판을 처리하는 챔버; 상기 챔버의 상부에 설치되고, 일면의 중심부에 형성되는 제 1 가스유로, 상기 제 1 가스유로의 주변부에 형성되며 상기 제 1 가스유로와 연통하지 않는 제 2 가스유로, 상기 제 2 가스유로의 주변부에 형성되며 상기 제 1,2 가스유로와 연통하지 않는 제 3 가스유로, 상기 제 1, 2, 3 가스유로를 따라 타면으로 관통되는 다수의 분사홀이 형성된 하부판과, 상기 하부판의 상부에 밀착되어 상기 가스유로의 상부를 밀폐하는 상부판으로 이뤄진 가스분배판; 상기 가스분배판의 제 1 가스유로에 연결된 가스공급관에 설치된 제 1 가스 유량조절장치; 상기 가스분배판의 제 2 가스유로에 연결된 가스공급관에 설치된 제 2 가스유량조절장치; 상기 가스분배판의 제 3 가스유로에 연결된 가스공급관에 설치된 제 3 가스유량조절장치를 포함한다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 반응공간을 형성하는 챔버(110)의 내부에 기판안치대(120)가 설치되고, 기판안치대(120)의 상부에 가스분배판(130)이 설치되며, 챔버(110)의 하부에는 잔류물질을 배기하는 배기관(114)이 연결된다.
가스분배판(130)의 상부에는 RF전원(180)에 연결된 RF안테나(170)가 설치되며, RF안테나(170)와 RF전원(180)의 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(182)가 설치된다.
상기 가스분배판(130)은 일면에 그루브패턴(groove pattern)(140)을 구비하며 다수의 분사홀(139)을 가지는 하부판(130a)과 상기 하부판(130a)의 상부에 밀착하여 상기 그루브 패턴(140)을 밀폐함으로써 가스분배판(130)의 내부에 가스유로를 형성하는 역할을 하는 상부판(130b)을 포함한다.
이와 같이 하부판(130a)에 형성된 그루브패턴(140)과 이를 커버하는 상부판(130b)에 의해 가스유로가 형성되므로, 인접한 그루브패턴(140)으로 가스가 누설되는 것을 방지하기 위해서는 하부판(130a)의 상면과 상부판(130b)의 하면이 밀착될 수 있도록 최대한 평탄하게 가공하여야 한다.
또한 하부판(130a)에서 상기 그루프패턴(140)의 저면에는 가스를 챔버 내부로 분사하는 분사홀(139)이 형성되며, 상부판(130b)에는 외부의 가스공급장치로부터 가스가 유입되는 다수의 가스공급홀(151)(152)이 형성된다.
상기 가스공급홀(151)(152)에는 각각 가스공급관(161)(162)이 연결되며, 각 가스공급관(161)(162)은 미도시된 가스저장부에 연결된다.
따라서 상부판(130b)의 가스공급홀(151)(152)을 통해 공급된 가스는 하부판(130a)의 그루브패턴(140)과 상부판(130b) 사이에 형성된 가스유로를 따라서 유동한 후에 하부판(130a)의 분사홀(139)을 통해서 챔버 내부로 분사된다.
이와 같이 하부판(130a)과 상부판(130b)으로 이루어지는 가스분배판(130)은 챔버 리드(lid)와는 별개로 챔버(110)의 내부에 설치될 수도 있으나, 도 2에 도시된 바와 같이 상부판(130b)이 챔버 리드(lid)의 역할을 하도록 설치하는 것이 바람직하다.
이 경우 RF안테나(170)에서 발생하는 유도자기장의 에너지 손실을 줄이기 위하여 상부판(130b)과 하부판(130a)은 비도전성 절연재질로 제조되어야 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 가스분배판(130)을 구성하는 하부판(130a)의 평면도로서, 원형 평판 형상을 가지는 하부판(130a)의 상면에 형성된 소정의 그루브패턴(140)을 예시한 것이다.
상기 그루브패턴(140)은 하부판(130a)의 주변부에서 중심쪽으로 형성되는 제1,2,3,4 직선그루브(141,143,145,147)와, 각 직선그루브에서 분기되어 중심에 대하여 원주방향으로 형성되는 제1,2,3,4 곡선그루브(142,144,146,148)로 이루어진다.
여기서 각 곡선그루브(142,144,146,148)는 자신이 분기된 직선그루브에 대하여 대칭적인 형상 및 길이를 가지는 것이 바람직하고 서로 직경을 달리하는 동심원을 따라 형성된다. 이때 하나의 직선그루브로부터 서로 직경을 달리하는 동심원을 따라 여러 개의 곡선그루브가 분기될 수 있다.
하부판(130a)의 주변부에는 직선그루브에 비하여 큰 단면적을 가지는 가스유입홈(131,132,133,134)이 대칭적으로 형성되며, 상부판(130b)은 상기 각 가스유입홈에 대응하는 위치에 가스공급홀을 구비한다.
도 2에는 제1,2 가스유입홈(131)(132)과 대응하는 제1,2 가스공급홀(151)(152)만이 도시되어 있으나, 상부판(130b)에는 하부판(130a)의 제3,4 가스유입홈(133)(134)과 각각 대응하는 가스공급홀도 형성되어 있음은 물론이다.
하부판(130a)의 각 직선그루브(141,143,145,147)는 상기 각 가스유입홈(131,132,133,134)에서 시작하여 중심부쪽으로 형성된다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 가스분배판(130)은 서로 연통되지 않은 독립적인 가스유로를 가지는 점에 특징이 있으며, 이러한 가스유로는 중심영역에 형성되는 제1 가스유로, 제1 가스유로의 주변부에 형성되는 제2 가스유로, 제2 가스유로의 주변부에 형성되는 제3 가스유로로 구분할 수 있다.
상기 각 가스유로는 하부판(130a)의 그루브패턴(140)과 상기 그루브패턴(140)을 상부에서 밀폐하는 상부판(130b)에 의하여 형성된다.
챔버 내부의 플라즈마 균일도 문제는 중심부와 주변부 간의 가스밀도 차이에 기인하는 경우가 대부분이므로, 이와 같이 하나의 가스분배판(130)에 서로 독립적인 가스유로를 형성하면 중심부와 주변부에서 분사되는 가스량을 독립적으로 제어할 수 있기 때문에 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다.
따라서 본 발명에서는 하부판(130a)에 형성되는 제1,2,3,4 직선그루브(141,143,145,147)가 서로 연통되지 않도록 하는 한편, 제1,2,3,4 직선그루브(141,143,145,147)로부터 분기되는 제1,2,3,4 곡선그루브(142,144,146,148)도 서로간에 연통되지 않도록 한다.
제1 곡선그루브(142)는 하부판(130a)의 중심부에 형성되는 다수의 원형그루브로 이루어지고, 제2 곡선그루브(144)는 제1 곡선그루브(142)의 외측에 형성되는 다수의 원형그루브로 이루어진다.
이때 제2 곡선그루브(144)는 내측의 제1 곡선그루브와 연결되는 제1 직선그루브(141)와는 연통되지 않아야 한다.
본 발명에서는 제1 직선그루브(141)와 제2 직선그루브(143)를 하부판(130a)의 중심에 대하여 서로 대칭적인 위치에 형성하였다.
또한 제2 곡선그루브(144)의 외측에도 곡선그루브를 형성하여야 하는데, 하부판(130a)의 상면에 이미 제1,2 직선그루브(141,143)가 형성되어 있는 상태이기 때문에 제1,2 직선그루브(141,143)의 일 측에는 제3 곡선그루브(146)를 형성하고 타 측에는 제3 곡선그루브(146)와 대칭적인 제4 곡선그루브(148)를 형성한다.
그리고 제3,4 곡선그루브(146,148)는 각각 제1,2 가스유입홈(131,132)에 대하여 90도 각도만큼 떨어져있는 제3,4 가스유입홈(133,134)에서 중심쪽으로 형성된 제3,4 직선그루브(145,147)에 연결된다.
따라서 제1 직선그루브(141)와 이로부터 분기되는 다수의 제1 곡선그루브(142)는 가스분배판의 중심부에서 제1 가스유로를 형성하고, 제2 직선그루브(143)와 이로부터 분기되는 다수의 제2 곡선그루브(144)는 제1 가스유로의 외측에서 제2 가스유로를 형성한다.
제3 직선그루브(145)와 제3 곡선그루브(146), 제4 직선그루브(147)와 제4 곡선그루브(148)는 제2 가스유로의 외측에서 제3 가스유로를 형성한다.
각 직선그루브(141,143,145,147)는 가스분배판(130)의 주변부에서 공급되는 가스를 중심방향으로 이동시키는 역할을 하며, 각 직선그루브에 연결된 곡선그루브(142,144,146,148)는 원주방향으로 가스를 이동시키는 역할을 한다.
따라서 가스를 균일하게 분사하기 위해서는 직선그루브에서 원주방향으로 형성된 곡선그루브로 가스가 원활하게 유동할 수 있어야 하며, 이를 위해 곡선그루브의 단면적은 직선그루브 보다 크거나 같은 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스분배판(130)에 가스를 공급하는 가스공급장치의 모식도로서, 가스분배판(130)의 중심영역으로 가스를 공급하는 제1 가스 유입홈(131)은 제1 가스공급관(161)을 통해 가스저장부(190)에 연결되고, 상기 중심영역의 외측 주변부로 가스를 공급하는 제2 가스유입홈(132)은 제2 가스공급관(162)를 통해 가스저장부(190)에 연결된다.
가스분배판의 주변영역으로 가스를 공급하는 제3,4 가스유입홈(133,134)은 제3 가스공급관(193)를 통해서 가스저장부(190)에 연결되며, 따라서 제3 가스공급관(163)은 제3,4 가스유입홈(133,134)의 전단에서 2갈래의 가스공급관(163a,163b)으로 분기된다.
이때 제1,2,3 가스공급관(161,162,163) 마다 별도의 유량조절장치(164,165,166)를 설치하면, 가스분배판(130)의 제1 가스유로, 제2 가스유로 및 제3 가스유로로 유입되는 가스량을 독립적으로 조절할 수 있기 때문에 챔버 내부에서 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있다.
한편, 챔버의 상부에 다수의 가스공급관(161,162,163)이 설치되면 유지 보수가 복잡할 뿐만 아니라 챔버의 상부구조가 매우 복잡해지므로 도 5에 도시된 바와 같이, 챔버 측벽의 내부에 측벽유로(112)를 형성할 수도 있다.
이 경우 챔버(110)의 상부에는 측벽유로(112)와 절연플레이트의 관통홀(152)을 연결하는 매우 짧은 길이의 제1,2,3,4 가스공급관(161,162,163,164)만이 설치되기 때문에 도 6의 평면도에 도시된 바와 같이 챔버(110)의 상부구조가 매우 간단해져서 장비의 유지 보수에 따른 작업자의 불편이 크게 줄어들게 된다.
한편 이상에서는 유도결합형 플라즈마를 이용하는 기판처리장치를 예를 들어 본 발명의 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 용량결합형 플라즈마를 발생시키는 기판처리장치에도 적용될 수 있다.
다만, 이 경우에는 상부판(130b)에 RF전원(180)이 직접 연결되어 하부판(130a)과 함께 기판안치대(120)와 대향하는 전극의 역할을 할 수도 있기 때문에 이를 대비하여 하부판(130a)과 상부판(130b)을 알루미늄과 같은 도전성 금속재질로 제조하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 챔버 내부로 분사되는 원료물질의 유량이 위치별로 정밀하게 제어됨으로써 챔버 내부의 플라즈마 및 활성종의 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한 챔버의 상부구조가 간단해짐에 따라 유지보수가 편리해진다.

Claims (11)

  1. 기판의 상부에 위치하고, 상기 기판을 향하여 가스를 분사하는 하부판 및 상기 하부판의 상부에 밀착하는 상부판으로 구성되는 가스분배판으로서,
    상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 직선그루브와 상기 직선그루브로부터 분기하는 곡선그루브로 이루어지며, 상기 곡선그루브는 상기 하부판의 중심에 대해 서로 대칭적으로 형성된 다수의 가스유로;
    상기 하부판을 관통하여 형성되고 상기 다수의 가스유로와 연통하는 다수의 분사홀
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서
    상기 다수의 가스유로는,
    상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 제 1 직선그루브와 상기 하부판의 중심부에 형성되며 상기 제 1 직선그루브로부터 분기되는 제 1 곡선그루브를 포함하는 제 1 가스유로; 및
    상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 제 2 직선그루브와 상기 제 1 곡선그루브의 외측에 형성되며 상기 제 2 직선그루브로부터 분기되는 제 2 곡선그루브를 포함하는 제 2 가스유로;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 가스유로와 연통하지 않는 제 3 및 제 4 가스유로를 포함하고,
    상기 제 3 가스유로는, 상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 제 3 직선그루브와, 상기 제 2 곡선그루브의 외측에 형성되며 상기 제 3 직선그루브부터 분기되는 제 3 곡선그루브를 포함하고,
    상기 제 4 가스유로는, 상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 제 4 직선그루브와, 상기 제 2 곡선그루브의 외측에 형성되며 상기 제 4 직선그루브부터 분기되는 제 4 곡선그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 곡선그루브 각각은 반경이 서로 다른 동심원상에 형성되는 다수의 제 1 및 제 2 원형그루브를 포함하고, 상기 제 3 및 제 4 곡선그루브는 상기 제 2 곡선그루브의 외측에 형성되며 반경이 서로 다른 동심원상에 형성되는 다수의 제 1 및 제 2 반원형 그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  6. 기판을 처리하는 챔버;
    상기 기판의 상부에 위치하고, 상기 기판을 향하여 가스를 분사하며 하부판 및 상기 하부판의 상부에 밀착하는 상부판으로 구성되고, 상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 직선그루브와 상기 직선그루브로부터 분기하는 곡선그루브로 이루어지며 상기 곡선그루브는 상기 하부판의 중심에 대해 서로 대칭적으로 형성된 다수의 가스유로를 포함하며, 상기 하부판을 관통하여 형성되고 상기 다수의 가스유로와 연통하는 다수의 분사홀을 포함하는 가스분배판; 및
    상기 다수의 가스유로 각각에 독립적으로 가스를 공급하는 가스공급장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 다수의 가스유로는,
    상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 제 1 직선그루브와 상기 하부판의 중심부에 형성되며 상기 제 1 직선그루브로부터 분기되는 제 1 곡선그루브를 포함하는 제 1 가스유로;
    상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 제 2 직선그루브와 상기 제 1 곡선그루브의 외측에 형성되며 상기 제 2 직선그루브로부터 분기되는 제 2 곡선그루브를 포함하는 제 2 가스유로;
    상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 제 3 직선그루브와, 상기 제 2 곡선그루브의 외측에 형성되며 상기 제 3 직선그루브로부터 분기되는 제 3 곡선그루브를 포함하는 제 3 가스유로; 및
    상기 하부판의 주변부에서 중심부로 연장되는 제 4 직선그루브와, 상기 제 2 곡선그루브의 외측에 형성되며 상기 제 4 직선그루브로부터 분기되는 제 4 곡선그루브를 포함하는 제 4 가스유로;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스공급장치는,
    상기 제 1 가스유로에 연결된 가스공급관에 설치된 제 1 가스유량조절장치;
    상기 제 2 가스유로에 연결된 가스공급관에 설치된 제 2 가스유량조절장치; 및
    상기 제 3 및 제 4 가스유로에 연결된 가스공급관에 설치된 제 3 가스유량조절장치;
    를 포함하는 기판처리장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 다수의 가스유로 각각은 상기 상부판에 형성된 다수의 가스공급홀을 통하여 상기 가스공급장치의 가스가 독립적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 곡선그루브는 상기 직선그루브를 중심으로 대칭적인 형상 및 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 곡선그루브는 상기 직선그루브를 중심으로 대칭적인 형상 및 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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