KR101171228B1 - Protection devices for power line against high altitude electromagnetic pulse - Google Patents

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KR101171228B1
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권준혁
송기환
장석훈
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국방과학연구소
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Abstract

PURPOSE: A power line protection apparatus for HEMP(High altitude Electromagnetic Pulse) measures is provided to protect a circuit and equipment by interrupting a surge signal induced in a line. CONSTITUTION: An input terminal(L1,N1) receives an impulse voltage. A common inductor is connected to the input terminal and limits a current. An EMI filter circuit(200) is connected to a secondary side of the common inductor and reduces a remaining current. An output terminal(L2,N2) is connected to the EMI filter circuit. A MOV(Metal Oxide Varistor)(121,122) is serially connected between a GDT1 and a GDT2.

Description

ＨＥＭＰ 대책용 전원선로 방호장치{PROTECTION DEVICES FOR POWER LINE AGAINST HIGH ALTITUDE ELECTROMAGNETIC PULSE}PROTECTION DEVICES FOR POWER LINE AGAINST HIGH ALTITUDE ELECTROMAGNETIC PULSE}

고도의 보안을 요하는 전기전자통신 설비에 대해서는 전자기 펄스 (EMP, Electromagnetic Pulse)에 대해 소손이 발생시에는 국가적인 혼란을 야기할 수도 있으므로 이에 대한 보호대책 수립이 절실한 실정이다.In the case of telecommunications equipment requiring high security, if the damage is caused to the electromagnetic pulse (EMP), it may cause national confusion.

고고도 전자기 펄스(High Altitude Electromagnetic Pulse)에 의해 전원선로에 유기되는 과도전류로부터 기기를 안정적으로 보호하기 위한 전원용 방호장치가 필요하다. 본 발명은 선로에 유기되는 서지신호를 차단하여 회로 및 장비를 보호하는 서지 방호장치에 관한 기술분야이다.
There is a need for a power protection device to reliably protect the device from transients induced in the power line by high altitude electromagnetic pulses. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surge protection device that protects circuits and equipment by blocking surge signals induced in a track.

현대사회에서 디지털기반의 전기전자통신 장비들의 사용이 급증하고 있으며 이들 기기의 장해로 인한 복구 비용 및 서비스의 중단 등은 사회적으로 막대한 손실을 초래할 우려가 있다. 특히 고도의 보안을 요하는 전기전자통신 설비에 대해서는 전자기 펄스(EMP, Electromagnetic Pulse)에 대해 소손이 발생시에는 국가적인 혼란을 야기할 수도 있으므로 이에 대한 보호대책 수립이 절실한 실정이다. 많은 전자기 환경 중 EMP는 핵EMP (고고도 전자기 펄스, HEMP, High Altitude Electromagnetic Pulse) 및 비핵EMP(낙뢰, 전자폭탄 펄스, HPM등)로 구분할 수 있다. 핵EMP(NEMP, Nuclear EMP)는 고고도 전자기펄스로도 불리며(HEMP, High Altitude Electromagnetic Pulse) 30km 이상의 고고도에서 핵이 폭발시 발생하는 전자기 펄스이다. HEMP로부터 전원선로 등에 과도전류를 유기시키고 HEMP에 의해 유기되는 과도전류로부터 기기를 안정적으로 보호하기 위해서는 전원용 서지방호장치가 필요하다.In today's society, the use of digital-based telecommunication equipment is rapidly increasing, and the cost of recovery and the interruption of service due to the failure of these devices may cause huge social losses. Especially for telecommunications equipment that requires a high level of security, when a damage occurs to an electromagnetic pulse (EMP), it may cause national confusion. Among many electromagnetic environments, EMP can be classified into nuclear EMP (High Altitude Electromagnetic Pulse) and non-nuclear EMP (Lightning, Bomb Bomb, HPM, etc.). Nuclear EMP (NEMP) is also called High Altitude Electromagnetic Pulse (HEMP) and is an electromagnetic pulse generated when a nucleus explodes at a high altitude of 30 km or more. In order to induce the transient current from the HEMP to the power line and the like, and to stably protect the equipment from the transient current induced by the HEMP, a slow call device for the power source is required.

현재 일반적으로 적용되고 있는 전원용 서지방호장치는 MOV(Metal Oxide Varistor) 또는 GDT(Gas Discharge Tube)가 단순히 선로에 병렬로 연결된 형태로 구성된다. MOV 기반의 서지방호장치는 통상적인 낙뢰에 의한 뇌서지에 해당되는 상승시간이 1us 정도의 임펄스에 대해서는 보호효과가 있다. 그러나, 단순히 MOV 소자만으로는 보호기의 잔류전류를 일정수준 이하로 억제하기는 매우 힘들다. 잔류전류를 억제하기 위해서는 부수적인 대용량의 커패시터가 필연적이며 이 경우 과다한 누설전류가 문제가 된다. 또한, GDT 소자는 보호기의 잔류전류를 낮추는데 기여할 수 있으나 GDT 소자가 교류전원이 인가된 상태에서 서지에 의해 동작시에는 서지가 제거된 후에도 교류전원에 의해 지속적인 속류가 발생하므로 전원선로에 단독으로 적용할 수 없는 문제가 있었다.
In general, current sustained call arcs for power supplies consist of a metal oxide varistor (MOV) or gas discharge tube (GDT) simply connected in parallel to the line. The MOV-based western area call protector protects against an impulse with a rise time of 1us, which corresponds to a lightning surge caused by a normal lightning strike. However, it is very difficult to suppress the residual current of the protector below a certain level simply by the MOV device alone. In order to suppress the residual current, an extra large capacitor is inevitable, and excessive leakage current becomes a problem in this case. In addition, the GDT element may contribute to lowering the residual current of the protector, but when the GDT element is operated by a surge in the state where AC power is applied, it is continuously applied by the AC power even after the surge is removed. There was a problem that could not be done.

상기와 같은 문제를 해결하고자 본 발명에서는, 국제규격에 부합하는 잔류전류 특성을 가지며 속류를 차단하여 지락고장을 억제하고, 누설전류를 최소화하는 전원용 방호장치를 고안하고자 한다.In order to solve the above problems, the present invention has a residual current characteristic that meets the international standards, to block the current flow to suppress the ground fault, and to devise a power protection device for minimizing the leakage current.

현재 일반적으로 적용되고 있는 전원용 서지방호장치는 MOV 또는 GDT가 단순히 선로에 병렬로 연결된 형태로 구성된다. MOV 기반의 서지방호장치는 통상적인 낙뢰에 의한 뇌서지에 해당되는 상승시간이 1us 정도의 임펄스에 대해서는 보호효과가 있다. 그러나, 단순히 MOV 소자만으로는 보호기의 잔류전류를 일정수준 이하로 억제하기는 매우 힘들다. 잔류전류를 억제하기 위해서는 부수적인 대용량의 커패시터가 필연적이며 이 경우 과다한 누설전류가 문제가 된다. 또한, GDT 소자는 보호기의 잔류전류를 낮추는데 기여할 수 있으나 GDT 소자가 교류전원이 인가된 상태에서 서지에 의해 동작시에는 서지가 제거된 후에도 교류전원에 의해 지속적인 속류가 발생하므로 전원선로에 단독으로 적용할 수 없다. Currently, the current local area call system for power supplies consists of MOV or GDT simply connected in parallel to the track. The MOV-based western area call protector protects against an impulse with a rise time of 1us, which corresponds to a lightning surge caused by a normal lightning strike. However, it is very difficult to suppress the residual current of the protector below a certain level simply by the MOV device alone. In order to suppress the residual current, an extra large capacitor is inevitable, and excessive leakage current becomes a problem in this case. In addition, the GDT element may contribute to lowering the residual current of the protector, but when the GDT element is operated by a surge in the state where AC power is applied, it is continuously applied by the AC power even after the surge is removed. Can not.

본 발명에서는 가스방전관 (GDT, Gas Discharge Tube), 바리스터 (MOV, Metal Oxide Varistor) 등의 서지보호소자 및 각종 분압회로를 조합하여 서지를 방류하며 속류를 차단하여 지락고장을 억제하고, 누설전류를 최소화하며 국제규격에 부합하는 잔류전류 특성을 갖는 전원용 방호장치를 고안하고자 한다.
In the present invention, a surge protection device such as a gas discharge tube (GDT) and a varistor (MOV, Metal Oxide Varistor) and various voltage dividing circuits are combined to discharge the surge, block the current flow to suppress ground faults, and prevent leakage current. It is intended to devise a protection device for power supply that has a residual current characteristic that minimizes and meets international standards.

본 발명에 따른 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치는,The power line protection device for high altitude electromagnetic pulse measures according to the present invention,

임펄스 전압이 입력되는 입력단(L1, N1), 상기 입력단에 연결되어 전류를 제한하는 공통 인덕터(CM Inductor), 상기 공통 인덕터의 2차 측에 연결되어 잔류전류를 감소시키는 EMI 필터회로, 상기 EMI 필터회로에 연결되어 있는 출력단(L2, N2),선간 L1-M1에 GDT1-MOV1,C1이 각각 병렬로 연결되고, 선간 M1-N1에 MOV2-GDT2,C2가 각각 병렬로 연결되며, 선간 M1-M2에 GDT3가 직렬로 연결되는 구성을 포함하고,An input terminal (L1, N1) to which an impulse voltage is input, a common inductor (CM inductor) connected to the input terminal to limit the current, an EMI filter circuit connected to a secondary side of the common inductor to reduce residual current, and the EMI filter GDT1-MOV1 and C1 are connected in parallel to the output terminals (L2 and N2) and line L1-M1 connected to the circuit, and MOV2-GDT2 and C2 are connected in parallel to the lines M1-N1 and M1-M2 between the lines. Contains a configuration in which GDT3 is connected in series,

상기 입력단(L1 또는 N1)에 서지가 입력될 시에, 서지보호소자인 GDT1-MOV1-GDT3 또는 GDT2-MOV2-GDT3가 직렬로 연결됨으로써 상기 입력단과 연결된 선-접지간(L1-G 또는 N1-G)을 통하여 각각 서지를 방류시키며, 상기 GDT1-GDT3 또는 GDT2-GDT3가 서지에 의해 동작하게 될 때 발생되는 속류를 MOV1 또는 MOV2가 차단하는 것을 특징으로 한다.When a surge is input to the input terminal L1 or N1, a surge protection device, GDT1-MOV1-GDT3 or GDT2-MOV2-GDT3, is connected in series to connect the line-to-ground (L1-G or N1-) connected to the input terminal. The surge is discharged through G), and MOV1 or MOV2 blocks the current generated when the GDT1-GDT3 or GDT2-GDT3 is operated by the surge.

또한, 상기 GDT1-MOV1, MOV2-GDT2, GDT3에, 500KΩ의 저항 R1, R2, R3 를 각각 병렬로 접속하여 이를 이용한 분압회로를 사용함으로써, 일시 과전압 발생 시 과전압이 직렬로 연결된 보호소자들에 균등하게 인가되어 과전압이 서지보호소자들의 동작전압 이하가 되게 함으로써 과전압에 의해 서지보호소자가 동작하지 않고, 선-접지간(L1-G, N1-G) 고전압(1kV 이상)을 발생시키는 고고도 전자기 펄스(HEMP)에 의한 서지에 대해서만 동작하도록 구성된 것이다.In addition, by using a voltage divider circuit connected to the GDT1-MOV1, MOV2-GDT2, and GDT3 in parallel with resistors R1, R2, and R3 of 500 KΩ, respectively, the equalization is applied to the protection elements connected in series when the transient overvoltage occurs. The high-voltage electromagnetic pulse generates a high voltage (1 kV or more) between the line-to-ground (L1-G and N1-G) without the surge protection device being operated by the overvoltage so that the overvoltage is lower than the operating voltage of the surge protection devices. It is configured to operate only for surges by HEMP.

서지가 상기 선-접지간 L1-G에 인가될 때, GDT3가 가지는 기생 커패시턴스 성분 CGDT3(C1 또는 C2보다 낮은 값)과 C1 또는 C2 간의 커패시터 분압비에 의해 GDT3에 서지 전압이 인가되어 GDT3가 먼저 동작하고, GDT3가 동작하면, GDT3가 단락회로를 형성하여, 서지 전압은 GDT1 와 MOV1에 인가되며, 이 때 GDT1의 기생 커패시턴스 CGDT1와 GDT 소자의 기생 커패시턴스 값보다 높은 값을 가지는 MOV1의 기생 커패시턴스 CMOV1와의 커패시터 분압 비에 의해 GDT1에 서지 전압이 인가되어 GDT1가 동작하고, 이 후 MOV1가 동작함으로써 직렬로 연결된 방호소자들이 GDT3-GDT1-MOV1의 순서로 순차적으로 동작할 수 있도록 하는 것이다.When a surge is applied to the line-to-ground L1-G, a surge voltage is applied to GDT3 by the capacitor partial pressure ratio between the parasitic capacitance component C GDT3 (lower than C1 or C2) and the C1 or C2 of GDT3, When GDT3 operates first, GDT3 forms a short circuit, so that the surge voltage is applied to GDT1 and MOV1, at which time parasitic capacitance C of GDT1 and parasitic MOV1 having a value higher than the parasitic capacitance of GDT1 and GDT element. The surge voltage is applied to the GDT1 by the capacitor voltage division ratio with the capacitance C MOV1 , and the GDT1 operates, and then the MOV1 operates so that the protection devices connected in series can operate in the order of GDT3-GDT1-MOV1.

또한, 서지가 상기 선-접지간 N1-G에 인가될 때, GDT3가 가지는 기생 커패시턴스 성분 CGDT3(C1 또는 C2보다 낮은 값)과 C1 또는 C2 간의 커패시터 분압비에 의해 GDT3에 서지 전압이 인가되어 GDT3가 먼저 동작하고, GDT3가 동작하면, GDT3가 단락회로를 형성하여, 서지 전압은 GDT2 와 MOV2에 인가되며, 이 때 GDT2의 기생 커패시턴스 CGDT2와 GDT 소자의 기생 커패시턴스 값보다 높은 값을 가지는 MOV2의 기생 커패시턴스 CMOV2와의 커패시터 분압 비에 의해 GDT2에 서지 전압이 인가되어 GDT2가 동작하고, 이 후 MOV2가 동작함으로써 직렬로 연결된 방호소자들이 GDT3-GDT2-MOV2의 순서로 순차적으로 동작할 수 있도록 하는 것이다.In addition, when a surge is applied to the line-to-ground N1-G, the surge voltage is applied to the GDT3 by the capacitor voltage division ratio between the parasitic capacitance component C GDT3 (lower than C1 or C2) and the C1 or C2. GDT3 operates first, and when GDT3 operates, GDT3 forms a short circuit, so that the surge voltage is applied to GDT2 and MOV2, at which time parasitic capacitance C of GDT2 and MOV2 having a value higher than the parasitic capacitance of GDT2 and GDT element. The surge voltage is applied to GDT2 by the capacitor voltage division ratio with the parasitic capacitance C MOV2 of GDT2, and then MOV2 operates so that the protection devices connected in series can operate sequentially in the order of GDT3-GDT2-MOV2. will be.

본 발명에서 고주파수의 서지 전압 인가 시, R1-C1, R2-C2, R3-CGDT3로 병렬 연결된 각 단의 전체 임피던스는 C1, C2, CGDT3의 임피던스 값이 전체 임피던스 값이 되므로, 서지전압에 대한 분압 비는 저항이 아닌 커패시터에 의해 결정되는 것이다.In the present invention, when the high-frequency surge voltage is applied, the total impedance of each stage connected in parallel with R1-C1, R2-C2, and R3-C GDT3 is the impedance value of C1, C2, C GDT3 , so the total impedance value is applied to the surge voltage. The voltage-to-voltage ratio is determined by the capacitor, not the resistance.

또한, 본 발명에서 고주파수의 서지 전압 인가 시 상기 공통모드 인덕터의 임피던스가 커지게 되므로 서지 전압이 공통모드 뒷단으로 가지 않고, 서지 보호소자에 인가되도록 하며, 공통모드 인덕터는 서지 보호소자를 통과한 서지전류를 제한하는 역할을 하는 것이다.In addition, in the present invention, when the high-frequency surge voltage is applied, the impedance of the common mode inductor is increased, so that the surge voltage is applied to the surge protection device without going to the rear of the common mode, and the common mode inductor is a surge that has passed through the surge protection device. It is to limit the current.

본 발명에서 저주파 통과대역을 가지는 상기 EMI 필터회로는 펄스 전류 보호회로를 통과한 서지 잔류전류의 고주파성분을 제거하여 잔류전류를 낮추는 역할을 하는 것이다.In the present invention, the EMI filter circuit having a low pass band serves to lower the residual current by removing the high frequency component of the surge residual current passing through the pulse current protection circuit.

본 발명의 전원선로 방호장치는, 서지가 상기 선-접지간 L1-G에 인가될 때, GDT1-MOV1에 병렬 연결된 커패시터 C1 와 CGDT3의 분압 비에 의해 우선적으로 GDT3가 동작하고, 그 후 GDT1, MOV1가 순차적으로 동작하는 구성이다. In the power line protection device of the present invention, when a surge is applied to the line-to-ground L1-G, GDT3 is preferentially operated by the partial pressure ratio of capacitors C1 and C GDT3 connected in parallel to GDT1-MOV1, and then GDT1. MOV1 operates sequentially.

또한, 본 발명의 상기 전원선로 방호장치는,서지가 상기 선-접지간 N1-G에 인가될 때, GDT2-MOV2에 병렬 연결된 커패시터 C2와 CGDT3의 분압 비에 의해 우선적으로 GDT3가 동작하고, 그 후 GDT2,MOV2가 순차적으로 동작하는 구성이다.In addition, in the power line protection device of the present invention, when a surge is applied to the line-to-ground N1-G, GDT3 is preferentially operated by the partial pressure ratio of capacitors C2 and C GDT3 connected in parallel to GDT2-MOV2, After that, GDT2 and MOV2 operate sequentially.

본 발명의 전원선로 방호장치는, HEMP의 서지전류에 대해 안전하게 기기를 보호하는 방호장치인 것이다.
The power line protection device of the present invention is a protection device for safely protecting a device against a surge current of HEMP.

이상 설명한 바와 같이 본 발명은 HEMP 서지에 대한 전원선로용 방호장치로써 GDT, MOV, Inductor 등을 조합하여 국제규격에 부합하는 잔류전류 특성을 갖도록 동작하며 MOV 소자만으로 방호장치를 구성했을 경우의 잔류전류 및 누설전류의 문제와 GDT 소자만을 사용했을 경우의 속류 문제를 해결하며 방호장치가 연결된 부하기기를 안전하게 보호할 수 있다.
As described above, the present invention operates by combining GDT, MOV, Inductor, etc. as a power line protection device for HEMP surges to have a residual current characteristic complying with international standards, and a residual current when a protection device is composed of only MOV elements. It solves the problem of leakage current and speed problem when only GDT element is used, and it can safely protect the load connected with the protection device.

도 1은 본 발명에 따른 펄스 전류 보호회로 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 GDT 소자의 속류 설명도이다.
도 3은 본 발명에 따른 직렬 연결된 서지보호소자들의 동작 설명도이다.1 is a configuration diagram of a pulse current protection circuit according to the present invention.
2 is an explanatory diagram of a GDT element according to the present invention.
3 is an explanatory diagram of operations of the surge protection devices connected in series according to the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 펄스 전류 보호회로 구성도이다. 도 1에서와 같이 본 발명의 구성은,임펄스 전압이 입력되는 입력단(L1, N1), 상기 입력단에 연결되어 전류를 제한하는 공통 인덕터(CM Inductor), 상기 공통 인덕터의 2차 측에 연결되어 잔류전류를 감소시키는 EMI 필터회로, 상기 EMI 필터회로에 연결되어 있는 출력단(L2, N2),선간 L1-M1에 GDT1-MOV1,C1이 각각 병렬로 연결되고, 선간 M1-N1에 MOV2-GDT2,C2가 각각 병렬로 연결되며, 선간 M1-M2에 GDT3가 직렬로 연결되는 구성을 포함하고, 상기 GDT1-MOV1, MOV2-GDT2, GDT3에, 수백k의 저항(예:500KΩ)R1, R2, R3 를 각각 병렬로 접속하여 이를 이용한 분압회로를 사용하는 구성을 구비하고 있으며, 상기 출력단에 부하가 연결될 수도 있다.1 is a configuration diagram of a pulse current protection circuit according to the present invention. As shown in FIG. 1, the configuration of the present invention includes: input terminals L1 and N1 to which an impulse voltage is input, a common inductor connected to the input terminal to limit current, and connected to a secondary side of the common inductor. EMI filter circuit for reducing current, output terminals (L2, N2) connected to the EMI filter circuit, GDT1-MOV1, C1 are connected in parallel to the lines L1-M1, respectively, MOV2-GDT2, C2 between the lines M1-N1 Are connected in parallel to each other, and GDT3 is connected in series to M1-M2 between lines, and to the GDT1-MOV1, MOV2-GDT2, and GDT3, hundreds of k resistors (for example, 500 KΩ) R1, R2, and R3 Each connected in parallel has a configuration using a voltage divider circuit using the same, the load may be connected to the output terminal.

펄스 보호회로(100)는 도 1과 같이 GDT(Gas Discharge Tube, 111~113), MOV(Metal Oxide Varistor,121~122), 공통모드 인덕터(CM inductor,110), EMI 필터회로(200)로 구성된다. 일반적인 낙뢰보호용 전원용 방호장치는 선간(L1-N1) 및 선접지간(L1-G, N1-G)간에 MOV가 병렬 접속된 형태로 구성된다. 이는 서지보호의 효과가 어느 정도 있으나 부하에 유입되는 전류를 HEMP 표준규격(미군사규격 MIL-STD-188-125-1, 2)에서 제시된 값 이하로 낮추기에는 매우 어렵다. 일반적으로 단독으로 전원선로에 MOV를 적용하기 위해서는 MOV의 최대 연속사용전압이 정상상태 전원선로의 전압보다 커야 한다. 즉 220V 전원선로에 적용하는 MOV의 최대연속사용전압은 교류 220V를 초과하여야만 하며 MOV의 제한전압은 최대연속사용전압이 높을수록 제한전압도 상승하므로 제한전압을 낮추는 것에는 한계가 있다. 또한 MOV 동작시 MOV를 관통하여 귀로하는 임펄스 전류 외에 상당한 크기의 잔류전류가 MOV 후단에 연결된 공통모드 인덕터 등을 통해 부하측으로 인가된다. 이와 달리 GDT와 같은 스위치형 보호소자는 임펄스전류를 대부분 귀로시킬 수 있으나 GDT 동작후 완전 소호되기 전에 인가되는 교류전원에 의해 속류가 지속적으로 발생할 우려가 있다.The pulse protection circuit 100 is a gas discharge tube (GDT) 111 to 113 (MODT), a metal oxide varistor (121 to 122), a common mode inductor (CM inductor) 110, and an EMI filter circuit 200 as shown in FIG. 1. It is composed. The general lightning protection power protection device is configured in such a way that the MOV is connected in parallel between the lines (L1-N1) and between the ground line (L1-G, N1-G). This has some effect of surge protection, but it is very difficult to bring the current into the load below the value specified in the HEMP standard (Military MIL-STD-188-125-1, 2). In general, in order to apply MOV to a power line alone, the maximum continuous operating voltage of the MOV must be greater than that of the steady-state power line. That is, the maximum continuous operating voltage of the MOV applied to the 220V power line must exceed AC 220V, and the limiting voltage of the MOV increases as the maximum continuous operating voltage increases, so there is a limit to lowering the limiting voltage. In addition, in addition to the impulse current that passes through the MOV during the operation of the MOV, a significant residual current is applied to the load side through a common mode inductor connected to the rear of the MOV. On the other hand, a switch type protection device such as a GDT can cause most impulse currents to return, but there is a concern that the current is continuously generated by an AC power applied before the GDT operation is completely extinguished.

본 발명의 상기 입력단(L1 또는 N1)에 서지가 입력될 시에, 서지보호소자인 GDT1-MOV1-GDT3 또는 GDT2-MOV2-GDT3가 직렬로 연결됨으로써 상기 입력단과 연결된 선-접지간(L1-G 또는 N1-G)을 통하여 각각 서지를 방류시키며, 상기 GDT1-GDT3 또는 GDT2-GDT3가 서지에 의해 동작하게 될 때 발생되는 속류를 MOV1 또는 MOV2가 차단하는 것이다.When a surge is input to the input terminal L1 or N1 of the present invention, a surge protection device, GDT1-MOV1-GDT3 or GDT2-MOV2-GDT3, is connected in series to the line-to-ground connection (L1-G) connected to the input terminal. Or N1-G) to discharge the surge, respectively, and MOV1 or MOV2 block the current generated when the GDT1-GDT3 or GDT2-GDT3 is operated by the surge.

또한, 상기 GDT1-MOV1, MOV2-GDT2, GDT3에, 수백k의 저항(예:500KΩ) R1, R2, R3 를 각각 병렬로 접속하여 이를 이용한 분압회로를 사용함으로써, 누설전류는 거의 없으면서 일시 과전압 발생 시 과전압이 직렬로 연결된 보호소자들에 균등하게 인가되어 과전압이 서지보호소자들의 동작전압 이하가 되게 함으로써 과전압에 의해 서지보호소자가 동작하지 않고, 선-접지간(L1-G, N1-G) 고전압(1kV 이상)을 발생시키는 고고도 전자기 펄스(HEMP)에 의한 서지에 대해서만 동작하도록 구성된 것이다.In addition, by using a voltage divider circuit connected to the GDT1-MOV1, MOV2-GDT2, and GDT3 by several hundred k resistors (for example, 500 KΩ) R1, R2, and R3 in parallel, a transient overvoltage is generated with little leakage current. When the overvoltage is applied equally to the protection elements connected in series so that the overvoltage is below the operating voltage of the surge protection devices, the surge protection device does not operate by the overvoltage and the line-to-ground (L1-G, N1-G) high voltage It is configured to operate only for surges caused by high-intensity electromagnetic pulses (HEMP) that generate (1 kV or more).

본 발명의 도 1과 같이 GDT(111)와 MOV(121)를 직렬 조합하여 사용한다. 이 때 적용되는 MOV는 최대연속사용전압이 수십 V 이하의 낮은 것으로 GDT를 통해 흐를 수 있는 속류를 차단하는 역할을 한다. 도 2는 본 발명에 따른 GDT 소자의 속류 설명도이다. 예로써 도 2와 같이 교류전압의 90도 위상에서 임펄스가 유입되었을 때 GDT만 있는 경우에는 임펄스 소멸 후에도 지속적으로 속류전류가 GDT를 관통하여 흐를 수 있어 보호소자의 소손이 발생할 수 있다. GDT와 직렬로 MOV가 사용된 경우에는 GDT를 통해 흐르던 속류가 교류전압이 0점 부근에 도달하여 MOV의 동작전압 이하가 되면 자동적으로 차단되어 최대 교류전압의 반주기 동안에만 속류가 흐르므로 방호장치에 소손을 초래하지 않는다. 또한 GDT와 연속사용전압이 낮은 MOV가 조합된 경우 제한전압은 최대연속사용전압이 높은 MOV만 사용된 회로에 비해 매우 낮아지며 후단으로 흐르는 전류는 줄어들고 공통모드 인덕터에 의해 제한되며 부하측에는 매우 낮은 수준의 잔류전류만 나타나게 된다. As shown in FIG. 1 of the present invention, the GDT 111 and the MOV 121 are used in series. In this case, the MOV applied is a low continuous voltage of several tens of V or less, which blocks the current flowing through the GDT. 2 is an explanatory diagram of a GDT element according to the present invention. For example, when there is only a GDT when an impulse flows in a 90-degree phase of an AC voltage, as shown in FIG. 2, a constant current may flow continuously through the GDT even after the impulse is extinguished, thereby causing damage to the protection device. If the MOV is used in series with the GDT, the current flowing through the GDT is automatically cut off when the AC voltage reaches near zero and falls below the operating voltage of the MOV. It does not cause burns. In addition, when GDT and MOV with low continuous use voltage are combined, the limit voltage is much lower than the circuit using only MOV with high maximum continuous use voltage, the current flowing to the rear stage is reduced and is limited by the common mode inductor. Only residual current will appear.

일반적으로 사용되는 GDT 소자는 동작개시전압에 약 20% 정도의 변동이 존재하므로 전원선로의 전압변동과 고장사고에 의한 일시과전압 등에 의해 동작할 수 있다. 이를 방지하기 위해 본 발명에서는 2개의 GDT소자를 직렬로 조합함으로써 일시과전압에 의해 동작하지 않고 임펄스에 의해서만 동작되도록 고안하였다. 도 1과 같이 선(L1)과 접지(G) 사이에는 GDT1(111), MOV1(121), GDT3(113)가 직렬로 연결된 구조로 교류전압에 대해서는 GDT1(111), MOV1(121) 직렬회로와 GDT3(113)에 각각 병렬로 연결된 저항(131,133)에 의해 교류전압이 균등하게 분압된다.In general, GDT devices that are used generally have about 20% fluctuations in the starting voltage, so they can operate due to voltage fluctuations in power lines and transient overvoltages caused by faults. In order to prevent this, in the present invention, by combining two GDT elements in series, it is designed to operate only by an impulse, not by transient overvoltage. As shown in FIG. 1, a GDT1 (111), a MOV1 (121), and a GDT3 (113) are connected in series between a line (L1) and ground (G). And the AC voltages are equally divided by the resistors 131 and 133 respectively connected in parallel to the GDT3 113.

그리고, 서지가 상기 선-접지간 L1-G에 인가될 때, GDT3가 가지는 기생 커패시턴스 성분 CGDT3(C1 또는 C2보다 낮은 값)과 C1 또는 C2 간의 커패시터 분압비에 의해 GDT3에 서지 전압의 대부분이 인가되어 GDT3가 먼저 동작하고, GDT3가 동작하면, GDT3가 단락회로를 형성하여, 서지 전압은 GDT1 와 MOV1에 인가되며, 이 때 GDT1의 기생 커패시턴스 CGDT1와 GDT 소자의 기생 커패시턴스 값보다 높은 값을 가지는 MOV1의 기생 커패시턴스 CMOV1와의 커패시터 분압 비에 의해 GDT1에 서지 전압의 대부분이 인가되어 GDT1가 동작하고, 이 후 MOV1가 동작함으로써 직렬로 연결된 방호소자들이 GDT3-GDT1-MOV1의 순서로 순차적으로 동작하여 서지를 접지로 방류시킬 수 있어 상대적으로 낮은 전압의 서지에 대해서도 동작할 수 있도록 하는 것이다.When the surge is applied to the line-to-ground L1-G, most of the surge voltage is applied to GDT3 due to the capacitor partial pressure ratio between parasitic capacitance component C GDT3 (lower than C1 or C2) and C1 or C2. When GDT3 is operated first and GDT3 operates, GDT3 forms a short circuit, so that the surge voltage is applied to GDT1 and MOV1. At this time, the parasitic capacitance C of GDT1 is higher than the parasitic capacitance of GDT1 and GDT element. Most of the surge voltage is applied to GDT1 by the parasitic capacitance C MOV1 of MOV1, and GDT1 is operated. After that, MOV1 operates so that the protection elements connected in series operate sequentially in the order of GDT3-GDT1-MOV1. Thus, the surge can be discharged to ground so that it can operate even for a relatively low voltage surge.

좀더 자세히 살펴보면,예로서, GDT1(111)의 사용 가능 전압이 V1 이라면 V1의 2배 이상의 전압까지 사용 가능하다. 그러나 주파수가 빠른(고주파수) 서지에 대해서는 저항보다는 커패시터에 의한 분압이 지배적이다. 도 3은 본 발명에 따른 직렬 연결된 서지보호소자들의 동작 설명도이다. 도 3과 같이 GDT는 동작전의 상태를 등가적으로 수 pF 정도의 커패시터로 표현할 수 있고, MOV는 동작전의 상태를 등가적으로 1-2 nF정도의 커패시터로 표현할 수 있으므로 GDT, MOV, GDT 직렬조합은 커패시터 3개가 직렬로 연결된 구성으로 볼 수 있다. 여기서 GDT1(111), MOV1(121) 직렬회로에 수 nF의 커패시터 C1(141)을 병렬로 접속함으로써 인가되는 임펄스 전압이 커패시터 분압비에 따라 분압되도록 한다. 이때 두 커패시터는 C1(141) >> CGDT3 조건이므로 대부분의 전압이 GDT3(113)에 인가된다. 따라서 GDT3(113)이 먼저 도통되며 GDT3(113)가 단락되면 GDT1(111)과 MOV1(121)에 모든 전압이 인가되고, 상대적으로 커패시터 값이 적은 GDT1(111)이 먼저 동작하고, 그 후 자동적으로 MOV1(121)이 연속적으로 동작하게 된다. 이와 같은 일련의 동작은 거의 동시에 발생하므로 GDT소자가 1개가 동작하는 것과 동일한 효과가 있다. Looking in more detail, as an example, if the available voltage of the GDT1 (111) is V1 can be used up to twice the voltage of V1. However, for fast frequency (high frequency) surges, the voltage divider by the capacitor dominates rather than the resistor. 3 is an explanatory diagram of operations of the surge protection devices connected in series according to the present invention. As shown in FIG. 3, the GDT can be equivalently represented by a capacitor of several pF, and the MOV can be equivalently represented by a capacitor of about 1-2 nF. The GDT, MOV, and GDT series combinations are as follows. The silver capacitor can be seen in a configuration in which three capacitors are connected in series. Here, by connecting the capacitors C1 (141) of several nF in parallel to the GDT1 (111) and MOV1 (121) series circuits, the impulse voltage applied is divided in accordance with the capacitor voltage division ratio. At this time, since the two capacitors are C1 141 >> C GDT3 conditions, most of the voltages are applied to the GDT3 113. Therefore, when GDT3 113 is conducted first and GDT3 113 is short-circuited, all voltages are applied to GDT1 111 and MOV1 121, and GDT1 111, which has a relatively low capacitor value, operates first, and then automatically. The MOV1 121 operates continuously. This series of operations occurs almost simultaneously, which has the same effect as operating one GDT element.

또한, 서지가 상기 선-접지간 N1-G에 인가될 때, GDT3가 가지는 기생 커패시턴스 성분 CGDT3(C1 또는 C2보다 낮은 값)과 C1 또는 C2 간의 커패시터 분압비에 의해 GDT3에 서지 전압의 대부분이 인가되어 GDT3가 먼저 동작하고, GDT3가 동작하면, GDT3가 단락회로를 형성하여, 서지 전압은 GDT2 와 MOV2에 인가되며, 이 때 GDT2의 기생 커패시턴스 CGDT2와 GDT 소자의 기생 커패시턴스 값보다 높은 값을 가지는 MOV2의 기생 커패시턴스 CMOV2와의 커패시터 분압 비에 의해 GDT2에 서지 전압의 대부분이 인가되어 GDT2가 동작하고, 이 후 MOV2가 동작함으로써 직렬로 연결된 방호소자들이 GDT3-GDT2-MOV2의 순서로 순차적으로 동작하여 서지를 접지로 방류시킬 수 있어 상대적으로 낮은 전압의 서지에 대해서도 동작할 수 있도록 하는 것이다.In addition, when a surge is applied to the line-to-ground N1-G, most of the surge voltage in GDT3 is due to the capacitor voltage ratio between parasitic capacitance component C GDT3 (lower than C1 or C2) and C1 or C2. When GDT3 is operated first and GDT3 operates, GDT3 forms a short circuit so that the surge voltage is applied to GDT2 and MOV2. At this time, the parasitic capacitance C of GDT2 is higher than the parasitic capacitance of GDT2 and GDT element. Most of the surge voltage is applied to GDT2 due to the capacitor partial pressure ratio of MOV2 to the parasitic capacitance C MOV2 , and GDT2 is operated. After that, MOV2 operates so that the protection elements connected in series operate sequentially in the order of GDT3-GDT2-MOV2. Thus, the surge can be discharged to ground so that it can operate even for a relatively low voltage surge.

주파수가 빠른(고주파수) 서지 전압 인가 시, R1-C1, R2-C2, R3-CGDT3로 병렬 연결된 각 단의 전체 임피던스는 주파수가 빠른 서지 전압에 대해 낮은 임피던스를 가지는 C1, C2, CGDT3의 임피던스 값이 전체 임피던스 값이 되므로, 서지전압에 대한 분압 비는 저항이 아닌 커패시터에 의해 결정되는 것이다.When a fast (high frequency) surge voltage is applied, the total impedance of each stage connected in parallel with R1-C1, R2-C2, and R3-C GDT3 is equal to that of C1, C2, C GDT3 with low impedance to the fast surge voltage. Since the impedance value becomes the total impedance value, the voltage division ratio to the surge voltage is determined by the capacitor, not the resistance.

또한, 주파수가 빠른(고주파수) 서지 전압 인가 시 상기 공통모드 인덕터가 큰 임피던스를 가지므로 대부분의 서지 전압이 공통모드 뒷단으로 가지 않고, 서지 보호소자에 인가되도록 하며, 공통모드 인덕터는 서지 보호소자를 통과한 서지전류를 제한하는 역할을 하는 것이다.In addition, since the common mode inductor has a large impedance when a high frequency (high frequency) surge voltage is applied, most surge voltages are applied to the surge protection device without going behind the common mode. It is to limit the surge current passed.

상기 전원선로 방호장치는, 서지가 상기 선-접지간 L1-G에 인가될 때, GDT1-MOV1에 병렬 연결된 커패시터 C1 와 CGDT3의 분압 비에 의해 우선적으로 GDT3가 동작하고, 그 후 CGDT1 과 CMOV1의 분압 비에 의해 이용하여 GDT1, MOV1가 순차적으로 동작하는 구성이다.When the surge is applied to the line-to-ground L1-G, the power line protection device preferentially operates GDT3 by the partial pressure ratio of the capacitors C1 and C GDT3 connected in parallel to GDT1-MOV1, and then C GDT1 and GDT1 and MOV1 operate sequentially by using the partial pressure ratio of C MOV1 .

또한, 상기 전원선로 방호장치는,서지가 상기 선-접지간 N1-G에 인가될 때, GDT2-MOV2에 병렬 연결된 커패시터 C2와 CGDT3의 분압 비에 의해 우선적으로 GDT3가 동작하고, 그 후 CGDT2 과 CMOV2의 분압 비에 의해 이용하여 GDT2,MOV2가 순차적으로 동작하는 구성이다.In addition, when the surge is applied to the line-to-ground N1-G, the power line protection device preferentially operates GDT3 by the partial pressure ratio of capacitors C2 and C GDT3 connected in parallel to GDT2-MOV2, and then C GDT2 and MOV2 operate sequentially by using partial pressure ratio of GDT2 and C MOV2 .

EMI 필터회로(200)는 일반적인 전원용 EMI 필터로 저주파통과특성을 가지고 있어 펄스 전류 보호회로를 통과한 서지 잔류전류의 고주파 성분을 제거하여, 잔류전류의 값을 낮춰주는 역할을 한다.The EMI filter circuit 200 has a low frequency pass characteristic as a general EMI filter for power supply to remove the high frequency components of the surge residual current passing through the pulse current protection circuit, thereby reducing the value of the residual current.

이상과 같은 방법을 통해 HEMP(단펄스, 중펄스 포함)의 서지전류에 대해 안전하게 기기를 보호하기 위한 방호장치의 구성이 가능하다. Through the above method, it is possible to configure a protection device to safely protect the device against the surge current of HEMP (including short pulse and heavy pulse).

Claims (10)

임펄스 전압이 입력되는 입력단(L1, N1), 상기 입력단에 연결되어 전류를 제한하는 공통 인덕터(CM Inductor), 상기 공통 인덕터의 2차 측에 연결되어 잔류전류를 감소시키는 EMI 필터회로, 상기 EMI 필터회로에 연결되어 있는 출력단(L2, N2),선간 L1-M1에 GDT1-MOV1,C1이 각각 병렬로 연결되고, 선간 M1-N1에 MOV2-GDT2,C2가 각각 병렬로 연결되며, 선간 M1-M2에 GDT3가 직렬로 연결되는 구성을 포함하고,
상기 입력단(L1 또는 N1)에 서지가 입력될 시에, 서지보호소자인 GDT1-MOV1-GDT3 또는 GDT2-MOV2-GDT3가 직렬로 연결됨으로써 상기 입력단과 연결된 선-접지간(L1-G 또는 N1-G)을 통하여 각각 서지를 방류시키며, 상기 GDT1-GDT3 또는 GDT2-GDT3가 서지에 의해 동작하게 될 때 발생되는 속류를 MOV1 또는 MOV2가 차단하는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.An input terminal (L1, N1) to which an impulse voltage is input, a common inductor (CM inductor) connected to the input terminal to limit the current, an EMI filter circuit connected to a secondary side of the common inductor to reduce residual current, and the EMI filter GDT1-MOV1 and C1 are connected in parallel to the output terminals (L2 and N2) and line L1-M1 connected to the circuit, and MOV2-GDT2 and C2 are connected in parallel to the lines M1-N1 and M1-M2 between the lines. Contains a configuration in which GDT3 is connected in series,
When a surge is input to the input terminal L1 or N1, a surge protection device, GDT1-MOV1-GDT3 or GDT2-MOV2-GDT3, is connected in series to connect the line-to-ground (L1-G or N1-) connected to the input terminal. A surge protection device for high-altitude electromagnetic pulse protection, characterized in that the surge is discharged through G), and MOV1 or MOV2 blocks the rapid current generated when the GDT1-GDT3 or GDT2-GDT3 is operated by the surge. . 제 1 항에 있어서,
상기 GDT1-MOV1, MOV2-GDT2, GDT3에, 500KΩ 저항 R1, R2, R3 를 각각 병렬로 접속하여 이를 이용한 분압회로를 사용함으로써, 일시 과전압 발생 시 과전압이 직렬로 연결된 보호소자들에 균등하게 인가되어 과전압이 서지보호소자들의 동작전압 이하가 되게 함으로써 과전압에 의해 서지보호소자가 동작하지 않고, 선-접지간(L1-G, N1-G) 고전압(1kV 이상)을 발생시키는 고고도 전자기 펄스(HEMP)에 의한 서지에 대해서만 동작하도록 구성된 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.The method of claim 1,
By using a voltage divider circuit connected to the GDT1-MOV1, MOV2-GDT2, and GDT3 in parallel with 500K resistors R1, R2, and R3, respectively, when the transient overvoltage occurs, the overvoltage is equally applied to the protection elements connected in series. High-intensity electromagnetic pulse (HEMP) that causes the surge protection device not to operate due to the overvoltage, and generates the high voltage (L1-G, N1-G) high voltage (1 kV or more) by causing the overvoltage to be below the operating voltage of the surge protection devices. A power line protection device for high-intensity electromagnetic pulse countermeasures, which is configured to operate only against surges. 제 1 항에 있어서,
서지가 상기 선-접지간 L1-G에 인가될 때, GDT3가 가지는 기생 커패시턴스 성분 CGDT3(C1 또는 C2보다 낮은 값)과 C1 또는 C2 간의 커패시터 분압비에 의해 GDT3에 서지 전압이 인가되어 GDT3가 먼저 동작하고, GDT3가 동작하면, GDT3가 단락회로를 형성하여, 서지 전압은 GDT1 와 MOV1에 인가되며, 이 때 GDT1의 기생 커패시턴스 CGDT1와 GDT 소자의 기생 커패시턴스 값보다 높은 값을 가지는 MOV1의 기생 커패시턴스 CMOV1와의 커패시터 분압 비에 의해 GDT1에 서지 전압이 인가되어 GDT1가 동작하고, 이 후 MOV1가 동작함으로써 직렬로 연결된 방호소자들이 GDT3-GDT1-MOV1의 순서로 순차적으로 동작할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.The method of claim 1,
When a surge is applied to the line-to-ground L1-G, a surge voltage is applied to GDT3 by the capacitor partial pressure ratio between the parasitic capacitance component C GDT3 (lower than C1 or C2) and the C1 or C2 of GDT3, When GDT3 operates first, GDT3 forms a short circuit, so that the surge voltage is applied to GDT1 and MOV1, at which time parasitic capacitance C of GDT1 and parasitic MOV1 having a value higher than the parasitic capacitance of GDT1 and GDT element. The surge voltage is applied to GDT1 by the capacitor voltage division ratio with the capacitance C MOV1 , and GDT1 is operated. After that, the MOV1 is operated so that the protection elements connected in series can operate sequentially in the order of GDT3-GDT1-MOV1. Power line protection device for high-intensity electromagnetic pulse countermeasure. 제 1 항에 있어서,
서지가 상기 선-접지간 N1-G에 인가될 때, GDT3가 가지는 기생 커패시턴스 성분 CGDT3(C1 또는 C2보다 낮은 값)과 C1 또는 C2 간의 커패시터 분압비에 의해 GDT3에 서지 전압이 인가되어 GDT3가 먼저 동작하고, GDT3가 동작하면, GDT3가 단락회로를 형성하여, 서지 전압은 GDT2 와 MOV2에 인가되며, 이 때 GDT2의 기생 커패시턴스 CGDT2와 GDT 소자의 기생 커패시턴스 값보다 높은 값을 가지는 MOV2의 기생 커패시턴스 CMOV2와의 커패시터 분압 비에 의해 GDT2에 서지 전압이 인가되어 GDT2가 동작하고, 이 후 MOV2가 동작함으로써 직렬로 연결된 방호소자들이 GDT3-GDT2-MOV2의 순서로 순차적으로 동작할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.The method of claim 1,
When a surge is applied to the line-to-ground N1-G, a surge voltage is applied to GDT3 by the capacitor partial pressure ratio between the parasitic capacitance component C GDT3 (lower than C1 or C2) and the C1 or C2 of GDT3, When GDT3 operates first, GDT3 forms a short circuit, so that the surge voltage is applied to GDT2 and MOV2, at which time parasitic capacitance C of GDT2 and parasitic capacitance of MOV2 having a value higher than the parasitic capacitance of GDT2 and GDT element. The surge voltage is applied to GDT2 by the capacitor voltage division ratio with capacitance C MOV2 , and GDT2 is operated. After that, MOV2 is operated so that the protection elements connected in series can operate in the order of GDT3-GDT2-MOV2. Power line protection device for high-intensity electromagnetic pulse countermeasure. 제 2 항에 있어서,
고주파수의 서지 전압 인가 시, R1-C1, R2-C2, R3-CGDT3로 병렬 연결된 각 단의 전체 임피던스는 C1, C2, CGDT3의 임피던스 값이 전체 임피던스 값이 되므로, 서지전압에 대한 분압 비는 저항이 아닌 커패시터에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.The method of claim 2,
When the high frequency surge voltage is applied, the total impedance of each stage connected in parallel with R1-C1, R2-C2, and R3-C GDT3 becomes the total impedance because the impedance value of C1, C2, C GDT3 becomes the total impedance value. Is a power line protection device for high-intensity electromagnetic pulse countermeasures, which is determined by a capacitor rather than a resistor. 제 1 항에 있어서,
고주파수의 서지 전압 인가 시 상기 공통모드 인덕터의 임피던스가 커지게 되므로 서지 전압이 공통모드 뒷단으로 가지 않고, 서지 보호소자에 인가되도록 하며, 공통모드 인덕터는 서지 보호소자를 통과한 서지전류를 제한하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.The method of claim 1,
When a high frequency surge voltage is applied, the impedance of the common mode inductor increases, so that the surge voltage is applied to the surge protection device without going to the rear of the common mode, and the common mode inductor serves to limit the surge current passing through the surge protection device. Power line protection device for the anti-electromagnetic pulse measures, characterized in that. 제 1 항에 있어서,
저주파 통과대역을 가지는 상기 EMI 필터회로는 펄스 전류 보호회로를 통과한 서지 잔류전류의 고주파성분을 제거하여 잔류전류를 낮추는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.The method of claim 1,
The EMI filter circuit having a low frequency passband removes the high frequency components of the surge residual current passing through the pulse current protection circuit, thereby lowering the residual current. 제 1 항에 있어서,
상기 전원선로 방호장치는, 서지가 상기 선-접지간 L1-G에 인가될 때, GDT1-MOV1에 병렬 연결된 커패시터 C1 와 CGDT3의 분압 비에 의해 우선적으로 GDT3가 동작하고, 그 후 GDT1, MOV1가 순차적으로 동작하는 구성을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.The method of claim 1,
When the surge is applied to the line-to-ground L1-G, the power line protection device preferentially operates GDT3 by the partial pressure ratio of capacitors C1 and C GDT3 connected in parallel to GDT1-MOV1, and then GDT1, MOV1. High-frequency electromagnetic pulse protection power line protection device, characterized in that the configuration to operate sequentially. 제 1 항에 있어서,
상기 전원선로 방호장치는,서지가 상기 선-접지간 N1-G에 인가될 때, GDT2-MOV2에 병렬 연결된 커패시터 C2와 CGDT3의 분압 비에 의해 우선적으로 GDT3가 동작하고, 그 후 GDT2, MOV2가 순차적으로 동작하는 구성을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.The method of claim 1,
When the surge is applied to the line-to-ground N1-G, the power line protection device preferentially operates GDT3 by the partial pressure ratio of capacitors C2 and C GDT3 connected in parallel to GDT2-MOV2, and then GDT2, MOV2. High-frequency electromagnetic pulse protection power line protection device, characterized in that the configuration to operate sequentially. 제 1 항에 있어서,
상기 전원선로 방호장치는, HEMP의 서지전류에 대해 안전하게 기기를 보호하는 방호장치인 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치.The method of claim 1,
The power line protection device is a power line protection device for high-altitude electromagnetic pulse protection, characterized in that the protection device for protecting the device safely against the surge current of the HEMP.
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