KR101154530B1 - 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법 - Google Patents

다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법을 개시한다. 상기 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치는 챔버(2)와, 상기 챔버 내에 구비되고 상기 챔버의 내부 온도를 조절하는 냉각기(10a)를 포함하는 챔버 조절부(10)와, 정전류를 공급하는 정전류 공급부(20)를 포함하고, 엘이디 패키지의 엘이디의 열화를 평가하는 열화평가 장치에 있어서, 엘이디(31a) 및 상기 엘이디의 온도를 측정할 수 있는 엘이디 온도센서(31b)를 구비하는 적어도 하나의 엘이디 패키지(31)와, 상기 엘이디 패키지를 지지하고 상기 엘이디 패키지에 열을 가하거나 냉각시킬 수 있는 온도 조절부(35)를 포함하며, 상기 챔버(2) 내에 일정간격을 두고 배치되는 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛(30); 상기 인접한 두 엘이디 픽스처유닛(30) 사이의 상기 챔버 내에 설치되고 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 감지하는 주위 온도센서(40a)를 포함하는 온도센서 지지부(40); 및 상기 챔버 조절부(10), 상기 정전류 공급부(20), 상기 엘이디 픽스처유닛(30) 및 상기 온도센서 지지부(40)의 주위 온도센서(40a)와 각각 전기적으로 연결되며, 상기 엘이디(31a)의 온도와 정전류를 제어하고 상기 챔버 조절부(10)와 상기 온도 조절부(35)를 통해 상기 챔버 내의 온도를 제어하는 제어부(50);를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법{DEGRADATION ASSESSMENT EQUIPMENT OF MULTI-ARRAYED LED FIXTURE UNIT AND CONTROL METHOD THEREOF}
본 발명은 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 온도 조절이 가능한 챔버 내에 설치되는 엘이디 픽스처유닛 내의 다수개의 엘이디(Light Emitting Diode)에 대하여 그들의 주위 또는 주변 온도를 체크하고 그 체크된 주변온도를 챔버 내의 평균 허용온도와 비교하여 상기 다수개의 엘이디들을 미리 정해진 적정온도로 안정되게 유지관리시킬 수 있는 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 열화평가 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 엘이디 소자, 즉 LED는 pn접합 구조를 가지며 다이오드에 순방향 전류를 인가하면 칩의 n영역에 있는 전자가 전계에 의해 가속되어 p영역으로 이동하게 되고 p영역에서는 액셉터 준위 또는 가전자대 상태의 정공과 재결합하여 칩 재료에 따라 그 전위차에 상당하는 에너지를 가진 빛이 방사되는데 이러한 현상을 주입형 전계발광이라 하며 이러한 소자를 LED(Light Emitting Diode)라고 한다. 이러한 대표적인 LED의 칩 재료로서는 GaAs, GaAsP, GaP, GaAlAs, SiC, GaN 등이 있으며, 이들 재료에 따른 결정 구조로부터 여러 가지의 발광 특성을 나타낸다.
90년대에 들어 GaN계 엘이디가 개발되어 그린, 블루의 빛을 내는 엘이디가 실용화되었으며 그에 따라 백색 엘이디의 구현이 가능하게 되었다. 백색 엘이디는 일반조명, LCD용 백라이트유닛(Back Light Unit), 자동차용 등으로 그 응용범위가 확대되고 있으며, 특히 기존 광원에 비해 에너지 절감과 친환경성의 장점으로 차세대의 조명으로서 자리를 잡아가고 있다.
엘이디는 출력에 따라 고출력, 중출력, 저출력으로 구분할 수 있으며 엘이디에 인가되는 전류의 값이 고출력 엘이디로 갈수록 커지게 된다. 엘이디는 전기를 빛으로 변환하는 소자로서 입력되는 전기(전류)에 대해 100% 빛으로 변환하지 못하고 약 15~25%정도만 빛으로 변환하는 효율을 갖고 있다. 빛으로 변환되지 못하는 것은 모두 열로서 방출되며, 이때 고출력 엘이디와 같은 경우는 매우 많은 열이 발생된다. 저출력 엘이디에는 적은 전류가 흐르지만 열이 발생하는 것은 마찬가지이며, 다만 그 양이 적을 뿐이다.
일반적으로 엘이디를 제조하는 회사마다 고유한 모양의 엘이디 패키지를 생산하고 있으며, 상기 엘이디 패키지는 기판, 엘이디 칩, 전극패드(또는 리드선) 및 방열패드로 구성되거나 기판, 엘이디 칩 및 전극패드 등의 형태로 구성된다. 통상, 엘이디 패키지는 엘이디 칩이 고출력 엘이디인 경우 엘이디 칩에서 발생되는 열을 외부로 배출하기 위해 방열패드(또는 방열부재)를 포함하고, 엘이디 칩이 저출력 엘이디인 경우에는 리드선을 통해 열을 방출시키고 있다.
엘이디는 긴수명이 하나의 장점이지만 출력이 높아짐에 따라 발산되는 열의 처리(Thermal Management)가 큰 문제로 대두되고 있고 그로 인한 열화현상이 본격적인 엘이디 조명의 응용에서 해결해야 할 중요한 과제로 인식되고 있다. 엘이디의 신뢰성 혹은 수명평가에서 중요한 사항은 복수 개의 샘플을 온도와 전류를 가한 상태에서 실시간으로 제반 전기, 광학특성 등을 측정하는 것이다.
종래에는 대부분의 엘이디가 저출력 엘이디였으며 주로 표시소자용으로 사용되었으나 최근에는 LCD BLU(Back Light Unit)나 조명용으로 사용되고 있는 고출력 엘이디에 대해서 많은 개발이 이루어지고 있다. 따라서 최근의 고부가가치 제품에 엘이디가 채택됨으로써 엘이디의 신뢰성이나 수명에 대해 더 많은 관심이 모아지고 있다.
즉 신뢰성이나 수명평가를 하기 위해 주로 사용해 온 방법은 챔버 내에 엘이디를 집어넣고 온도를 엘이디의 정상동작온도보다 더 높은 온도의 환경을 만들고 챔버 바깥에서 파워서플라이를 통해 선을 연결하여 엘이디에 전기를 가하여 엘이디를 발광시킨 다음, 장시간 방치한 후 일정시간이 지나면 엘이디의 전원을 차단하고 챔버에서 엘이디를 꺼내게 된다. 꺼낸 엘이디를 하나하나 별도의 측정시스템을 통해 엘이디의 특성을 계측하고 다시 챔버 내에 넣고 측정을 반복하게 된다.
이렇게 수동으로 측정하는 경우는 에이징과 측정이 단속적으로 이루어지게 되며, 얻어진 데이터의 정밀도와 연속성이 저하됨에 따라 엘이디 샘플의 열화정도를 정확히 예측하기가 어렵다. 게다가, 챔버 내에 배치된 엘이디의 위치에 따라 상기 챔버 내의 주위 또는 주변 온도가 챔버 내의 평균 허용온도 보다 낮거나 높은 경우 엘이디들의 열화정도에 대한 측정결과에 신뢰도가 크게 떨어지는 문제가 있다.
이에, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점들을 해소하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 다수개의 엘이디를 갖는 다중배열 엘이디 픽스처유닛을 온도 조절이 가능한 챔버 내에 위치시킨 상태에서 상기 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 주위 또는 주변 온도를 체크하여 그 체크된 주위온도와 챔버 내의 평균 허용온도를 비교하여 엘이디들을 미리 정해진 적정온도로 안정되게 유지관리시킬 수 있는 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 다수개의 엘이디를 갖는 다중배열 엘이디 픽스처유닛을 온도 조절이 가능한 챔버 내에 위치시킨 상태에서 엘이디들의 양단에 전압을 인가하여 각 엘이디의 전기적 특성과 온도특성을 실시간으로 측정할 수 있는 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 다수개의 엘이디를 갖는 다중배열 엘이디 픽스처유닛을 온도 조절이 가능한 챔버 내부에 위치시킨 상태에서 각 엘이디의 광학적 특성과 전압 그리고 온도를 연속적으로 측정하여 기록할 수 있는 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 챔버와, 상기 챔버 내에 구비되고 상기 챔버의 내부 온도를 조절하는 냉각기를 포함하는 챔버 조절부와, 정전류를 공급하는 정전류 공급부를 포함하고, 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 엘이디의 열화를 평가하는 열화평가 장치에 있어서,
엘이디 및 상기 엘이디의 온도를 측정할 수 있는 엘이디 온도센서를 구비하는 적어도 하나의 엘이디 패키지와, 상기 엘이디 패키지를 지지하고 상기 엘이디 패키지에 열을 가하거나 냉각시킬 수 있는 온도 조절부를 포함하며, 상기 챔버 내에 일정간격을 두고 배치되는 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛;
상기 인접한 두 엘이디 픽스처유닛 사이의 상기 챔버 내에 설치되고 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 감지하는 주위 온도센서를 포함하는 온도센서 지지부; 및
상기 챔버 조절부, 상기 정전류 공급부, 상기 엘이디 픽스처유닛 및 상기 온도센서 지지부의 주위 온도센서와 각각 전기적으로 연결되며, 상기 엘이디의 온도와 정전류를 제어하고 상기 챔버 조절부와 상기 온도 조절부를 통해 상기 챔버 내의 온도를 제어하는 제어부;를 포함하는 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 위의 본 발명의 일실시예에 대하여 다음의 구체적인 실시예들을 더 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 챔버의 내부에는 상기 챔버 내의 바닥으로부터 일정높이에 위치되는 플로어 패널과, 상기 플로어 패널을 상기 챔버 내의 바닥에 대해 지지하는 지지대와, 상기 엘이디 픽스처유닛과 동일한 형태를 이루고 상호 간에 일정간격을 가지며, 상기 플로어 패널의 상면에 배치되는 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛과, 상기 플로어 패널 상의 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 감지하는 주위 온도센서를 구비하는 온도센서 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 기본(주요) 실시예에 기재되어 있는 상기 온도센서 지지부와 상기 구체적인 실시예에 기재되어 있는 상기 온도센서 지지부는 각각 메인컬럼과, 상기 메인컬럼에 대해 경사지게 연결되고 선단부에 상기 주위 온도센서가 부착되는 지지바와, 상기 메인컬럼의 상단부와 상기 지지바의 후단부 사이에 제공되는 피벗부로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 메인컬럼과 상기 지지바는 각각 텔레스코프식(telescope type)으로 신장 또는 수축 가능한 이중관 구조로 이루어지고, 상기 지지바는 상기 피벗부를 매개로 하여 상기 메인컬럼에 대해 좌우 수평방향으로 선회 조절되어 새롭게 이동된 위치에 고정될 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 챔버의 내부에는 상기 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛을 지지하는 베이스 마운트를 더 포함하며, 상기 베이스 마운트는 상기 엘이디 픽스처유닛과 상기 온도센서 지지부를 다같이 지지하는 베이스판과, 상기 베이스판의 저부에 제공되는 적어도 하나의 지지구로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 온도센서 지지부의 하단부와 상기 베이스판의 사이에는 상기 온도센서 지지부를 상기 베이스판을 따라 이동시켜 고정시킬 수 있는 매개 고정유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 베이스 마운트와 상기 챔버의 바닥 사이에는 내부에 냉기공간을 갖고 주위를 냉각시킬 수 있는 챔버 냉각판이 더 제공되고, 상기 챔버 냉각판은 냉기공급용 관로를 매개로 하여 상기 챔버 내의 냉각기와 연결된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 온도센서 지지부의 하단부와 상기 플로어 패널의 사이에는 상기 온도센서 지지부를 상기 플로어 패널을 따라 이동시켜 고정시킬 수 있는 매개 고정유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 열화평가 장치는 상기 챔버 내에 상기 엘이디 픽스처유닛과 동일한 구성으로 이루어지는 다수개의 엘이디 픽스처유닛을 더 포함하고, 상기 챔버 내의 전체 엘이디 픽스처유닛은 다양한 조합의 행렬식(m×n)으로 배치될 수 있는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 m은 행을 나타내고 상기 n은 열을 나타낸다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 열화평가 장치는 상기 플로어 패널의 상면에 상기 엘이디 픽스처유닛과 동일한 구성으로 이루어지는 다수개의 엘이디 픽스처유닛을 더 포함하고, 상기 플로어 패널 상의 전체 엘이디 픽스처유닛은 다양한 조합의 행렬식(m×n)으로 배치될 수 있는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 m은 행을 나타내고 상기 n은 열을 나타낸다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 엘이디 픽스처유닛은 상기 엘이디 패키지가 장착되는 브래킷을 더 포함하고, 상기 온도 조절부는 상기 브래킷의 하부에 배치되며, 상기 온도 조절부는 상기 제어부에 의해 제어되고 상기 브래킷을 가열시키는 가열판과, 상기 브래킷과 상기 가열판 사이 또는 상기 가열판의 하부에 배치되고 상기 제어부에 의해 제어되며, 상기 브래킷을 냉각시키는 냉각판으로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 브래킷의 상부에는 상기 정전류 공급부로부터 상기 엘이디 패키지의 엘이디로 전류를 인가시킬 수 있고 길이를 따라 내측부에 타원형태의 중앙공을 가지며, 스페이서부를 매개로 하여 상기 브래킷의 상면에 일정높이로 고정되는 공통PCB(Printed Circuit Board)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 플로어 패널의 저부에는 상기 엘이디 픽스처유닛의 엘이디들로부터 발생되는 광을 수광하고 상기 제어부에 의해 제어되는 각각의 수광유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 열화평가 장치는 상기 제어부의 제어에 의해 상기 수광유닛에서 수광된 광량과 상기 각 엘이디의 구동전류 및 온도를 측정하여 그래프로 표시하는 기록계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 챔버 조절부는 상기 챔버의 온도를 제어할 수 있도록 챔버 온도센서와, 상기 챔버의 내부를 가열시키는 히터와, 상기 챔버의 기능을 조작할 수 있는 조작반을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 다른 실시예로, 본 발명은 (a)챔버의 히터를 구동하여 상기 챔버 내의 온도를 목표온도에 도달시키고 측정용 전원을 챔버 내의 각 엘이디 픽스처유닛에 구비된 엘이디 패키지의 엘이디에 인가하는 단계;
(b)측정용 전원을 인가한 후에 각 엘이디 패키지의 엘이디의 구동전류와 온도 및 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 측정하는 실험데이터 측정단계;
(c)상기 (b)측정단계에서 측정된 엘이디의 구동전류, 엘이디의 온도 및 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도 중 어느 하나 이상의 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 단계; 및
(d)상기 엘이디 픽스처유닛의 주위에서 측정된 주위 온도를 상기 챔버 내의 평균 허용온도와 비교하여 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 일정온도에서 유지되도록 제어하는 단계;를 포함하는 열화평가 장치의 제어방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 위의 본 발명의 일실시예에 대하여 다음의 구체적인 실시예들을 더 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (b) 단계의 실험데이터 측정단계는 수광 유닛으로 각 엘이디 패키지의 엘이디의 광량을 측정하는 것을 더 포함하고, 상기 (c) 단계의 그래프로 표시하는 단계는 상기 (b) 단계의 실험데이터 측정단계에서 측정된 엘이디의 광량 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (d) 단계의 주위 온도를 일정온도에서 유지되도록 제어하는 단계는 기 측정된 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도가 챔버 내의 평균 허용온도의 하한치 보다 낮으면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 상승시키고, 챔버 내의 평균 허용온도의 상한치를 초과하면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 낮추도록 상기 엘이디 픽스처유닛의 가열판과 냉각판을 제어하는 것을 특징으로 한다.
한편, 또 다른 실시예로, 본 발명은 (a)챔버의 히터를 구동하여 상기 챔버 내의 온도를 목표온도에 도달시키고 측정용 전원을 챔버 내의 각 엘이디 픽스처유닛에 구비된 엘이디 패키지의 엘이디에 인가하는 단계;
(b)측정용 전원을 인가한 후에 각 엘이디 패키지의 엘이디의 구동전류와 온도 및 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 측정하는 실험데이터 측정단계;
(c)상기 엘이디 픽스처유닛의 주위에서 측정된 주위 온도를 상기 챔버 내의 평균 허용온도와 비교하여 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 일정온도에서 유지되도록 제어하는 단계; 및
(d)상기 (b)측정단계에서 측정된 엘이디의 구동전류, 엘이디의 온도 및 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도 중 어느 하나 이상의 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 단계;를 포함하는 열화평가 장치의 제어방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 위의 본 발명의 일실시예에 대하여 다음의 구체적인 실시예들을 더 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (b) 단계의 실험데이터 측정단계는 수광 유닛으로 각 엘이디 패키지의 엘이디의 광량을 측정하는 것을 더 포함하고, 상기 (d) 단계의 그래프로 표시하는 단계는 상기 (b) 단계의 실험데이터 측정단계에서 측정된 엘이디의 광량 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 (c) 단계의 주위 온도를 일정온도에서 유지되도록 제어하는 단계는 기 측정된 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도가 챔버 내의 평균 허용온도의 하한치 보다 낮으면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 상승시키고, 챔버 내의 평균 허용온도의 상한치를 초과하면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 낮추도록 상기 엘이디 픽스처유닛의 가열판과 냉각판을 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법에 의하면, 두 개 이상의 엘이디 픽스처유닛에 다수개의 엘이디를 장착시킨 다음 이를 챔버 내에 위치시킨 상태에서, 상기 엘이디 및 상기 챔버 모두 일정한 온도를 유지하면서 에이징을 하고, 또한 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 체크하여 상기 챔버 내의 평균온도와 비교하여 적절히 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 관리함으로써, 상기 엘이디의 온도특성, 전기적 특성 및 광학특성을 실시간으로 측정하는 것이 가능하여 엘이디 소자의 정확한 신뢰성 및 수명데이터의 확보가 가능하다.
또한, 본 발명은 측정 데이터를 기록계에 연속적으로 기록할 수가 있고 판독할 수가 있어 엘이디 소자의 정확한 신뢰성 및 수명데이터의 확보가 가능하고, 에이징 시간 동안 각 측정 데이터를 연속적으로 측정할 수 있기 때문에 각 엘이디의 점등과 소등 등의 데이터를 확인할 수가 있어 개별 엘이디의 수명과 신뢰성 데이터를 관리할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치의 전체구성을 나타내는 개략 블록도,
도 2는 본 발명에 따른 엘이디 픽스처유닛의 세부 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치에 적용되는 베이스 마운트, 상기 베이스 마운트 상에 각각 장착되는 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛 및 온도센서 지지부 간의 배치관계를 보여주는 개략 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치에 적용되는 것으로서, 다층 구조의 다중배열 엘이디 픽스처유닛과 이를 지지하는 챔버 냉각판을 보여주는 개략 사시도.
도 5는 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치의 개략 정면도.
도 6은 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치의 일실시예에 따른 열화 평가 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 7은 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치의 다른 실시예에 따른 열화 평가 방법을 설명하기 위한 흐름도.
이하, 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치 및 그의 제어방법을 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치(1)는 챔버(2)와, 상기 챔버(2) 내에 구비되고 상기 챔버의 내부 온도를 조절하는 냉각기(10a)를 포함하는 챔버 조절부(10)와, 정전류를 공급하는 정전류 공급부(20)를 포함하며, 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛(30), 온도센서 지지부(40) 및 제어부(50)를 포함한다.
여기서, 상기 엘이디 픽스처유닛(30)은 적어도 하나의 엘이디 패키지(31)와, 온도 조절부(35)를 포함하며, 상기 챔버(2) 내에 일정간격을 두고 배치된다. 또한 상기 엘이디 패키지(31)는 엘이디(31a) 및 상기 엘이디(31a)의 온도를 측정할 수 있는 엘이디 온도센서(31b)를 포함한다. 상기 온도 조절부(35)는 상기 엘이디 패키지(31)를 지지하는 것 뿐만 아니라 상기 엘이디 패키지(31)에 열을 가하거나 냉각시키는 역할을 한다.
상기 온도센서 지지부(40)는 상기 인접한 두 엘이디 픽스처유닛(30) 사이의 상기 챔버(2) 내에 설치되고 상기 엘이디 픽스처유닛(30)의 주위 온도를 감지할 수 있는 주위 온도센서(40a)를 포함한다.
상기 제어부(50)는 상기 챔버 조절부(10), 상기 정전류 공급부(20), 상기 엘이디 픽스처유닛(30) 및 상기 온도센서 지지부(40)의 주위 온도센서(40a)와 각각 전기적으로 연결된다. 또한 상기 제어부(50)는 상기 엘이디(31a)의 온도와 정전류를 제어하고 상기 챔버 조절부(10)와 상기 온도 조절부(35)를 통해 상기 챔버(2) 내의 온도를 제어한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치(1)는 챔버(2)와, 상기 챔버(2) 내에 상기 챔버의 내부 온도를 조절하는 냉각기(10a)를 포함하는 챔버 조절부(10)와, 정전류를 공급하는 정전류 공급부(20)와, 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛(30)과, 온도센서 지지부(40)와, 제어부(50)를 포함하는 형태로 구성되어 있다. 그 때문에, 상기 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치(1)는 상기 온도센서 지지부(40)의 주위 온도센서(40a)를 통해 얻어지는 상기 다중배열된 엘이디 픽스처유닛(30)의 주위 또는 주변 온도와 상기 챔버(2) 내의 평균 허용온도를 체크하여 상기 챔버 조절부(10)와 상기 온도 조절부(35)의 제어를 통해 상기 엘이디 픽스처유닛(30)의 주위 또는 주변 온도를 미리 정해진 적정온도로 안정되게 유지관리시킬 수 있게 한다.
또한 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치는 위와 같은 기본구성에 아래와 같은 실시예들로 더 구체화된 형태로 제공될 수 있다.
일실시예로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 열화평가 장치(1)는 상기 챔버(2)의 내부에 플로어 패널(60), 지지대(61), 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛(30) 및 온도센서 지지부(40)를 더 포함하는 형태로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 플로어 패널(60)은 상기 챔버(2) 내의 바닥으로부터 일정높이에 위치되고 상기 지지대(61)는 상기 플로어 패널(60)을 상기 챔버(2) 내의 바닥에 대해 지지한다. 또한 상기 지지대(61)는 일정높이로 고정된 형태로 이루어지거나, 또는 수동 또는 자동으로 높이 조절 가능한 형태로 제공된다. 상기 지지대(61)의 개수는 상기 플로어 패널(60)을 안정되게 지지할 수 있고 설치 공간이 허용되는 한 1개 또는 그 이상의 개수로 다양하게 구성될 수 있다.
상기 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛(30)은 상기 챔버(2)의 바닥측에 위치한 상기 엘이디 픽스처유닛과 동일한 형태를 이루고 상호 간에 일정간격을 갖는다. 또한 상기 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛(30)은 상기 플로어 패널(60)의 상면에 배치된다. 상기 온도센서 지지부(40)는 상기 플로어 패널(60) 상의 상기 엘이디 픽스처유닛(30)의 주위 온도를 감지하는 주위 온도센서(40a)를 구비한다.
일실시예로, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 온도센서 지지부(40)는 상기 챔버(2)의 바닥에 대해 수직 또는 경사지게 설치되는 메인컬럼(41)과, 상기 메인컬럼(41)에 대해 경사지게 연결되고 선단부에 상기 주위 온도센서(40a)가 부착되는 지지바(42)와, 상기 메인컬럼(41)의 상단부와 상기 지지바(42)의 후단부 사이에 제공되는 피벗부(43)로 구성될 수 있다. 여기서, 상기 메인컬럼(41)과 상기 지지바(42)는 각각 텔레스코프식(telescope type)으로 신장 또는 수축 가능한 이중관 구조로 이루어질 수 있다. 또한 상기 지지바(42)는 상기 피벗부(43)를 매개로 하여 상기 메인컬럼(41)에 대해 좌우 수평방향으로 선회 조절되어 마찰력 또는 패스너 등을 통해 새롭게 이동된 위치에 고정될 수 있다.
일실시예로, 도 3과 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(2)의 내부에는 상기 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛(30)을 지지하는 베이스 마운트(70)를 더 포함하는 형태로 제공될 수 있다. 이 경우, 상기 베이스 마운트(70)는 상기 엘이디 픽스처유닛(30)과 상기 온도센서 지지부(40)를 다같이 지지하는 베이스판(71)과, 상기 베이스판(71)의 저부에 제공되는 적어도 하나의 지지구(72)로 구성된다.
또한 도 3과 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 온도센서 지지부(40)의 하단부와 상기 베이스판(71)의 사이에는 상기 온도센서 지지부(40)를 상기 베이스판(71)을 따라 이동시켜 고정시킬 수 있는 매개 고정유닛(75)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 매개 고정유닛(75)은 상기 베이스판(71)을 따라 이동시킬 수 있는 고정편(75a)과, 상기 베이스판(71)에 일정간격으로 형성된 두 개 이상의 결합공(미도시)과, 상기 고정편(75a)을 상기 베이스판(71)에 대해 분리 가능하게 고정시킬 수 있는 나사 등과 같은 패스너로 구성될 수 있다.
일실시예로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 마운트(70)와 상기 챔버(2)의 바닥 사이에는 내부에 냉기공간을 갖고 주위를 냉각시킬 수 있는 챔버 냉각판(80)이 더 제공되고, 상기 챔버 냉각판(80)은 냉기공급용 관로(81)를 매개로 하여 상기 챔버(2) 내의 냉각기(10a)와 연결된 형태로 제공될 수 있다. 이 경우, 상기 냉각기(10a)는 상기 챔버(2)의 하부에 설치되어 상기 냉기공급용 관로(81)를 통해 상기 챔버 냉각판(80)에 연결될 수 있다.
또한 도 4와 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 온도센서 지지부(40)의 하단부와 상기 플로어 패널(60)의 사이에는 상기 온도센서 지지부(40)를 상기 플로어 패널(60)을 따라 이동시켜 고정시킬 수 있는 매개 고정유닛(75)을 더 포함하는 형태로 제공될 수 있다. 이 경우, 상기 매개 고정유닛(75)은 상기 플로어 패널(60)을 따라 이동시킬 수 있는 고정편(75a)과, 상기 플로어 패널(60)에 일정간격으로 형성된 두 개 이상의 결합공(미도시)과, 상기 고정편(75a)을 상기 플로어 패널(60)에 대해 분리 가능하게 고정시킬 수 있는 나사 등과 같은 패스너로 구성될 수 있다.
일실시예로, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 열화평가 장치는 상기 챔버 내에 상기 엘이디 픽스처유닛(30)과 동일한 구성으로 이루어지는 다수개의 엘이디 픽스처유닛(미도시)을 더 포함하는 형태로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 챔버 내의 전체 엘이디 픽스처유닛은 다양한 조합의 행렬식으로 배치될 수 있다.
또한 위와 같은 실시예에 더하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 열화평가 장치는 상기 플로어 패널(60)의 상면에 상기 엘이디 픽스처유닛(30)과 동일한 구성으로 이루어지는 다수개의 엘이디 픽스처유닛(미도시)을 더 포함하는 형태로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 플로어 패널(60) 상의 전체 엘이디 픽스처유닛은 다양한 조합의 행렬식으로 배치될 수 있다.
일실시예로, 도 2와 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 엘이디 픽스처유닛(30)은 상기 엘이디 패키지(31)가 장착되는 브래킷(32)을 더 포함하고, 상기 온도 조절부(35)는 상기 브래킷(32)의 하부에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 온도 조절부(35)는 상기 제어부(50)에 의해 제어되고 상기 브래킷(32)을 가열시키는 가열판(36)과, 상기 브래킷(32)과 상기 가열판(36) 사이, 또는 상기 가열판(36)의 하부에 배치되는 냉각판(37)으로 구성될 수 있다. 상기 냉각판(37)은 상기 제어부(50)에 의해 제어되고 냉기공급용 관로(81)를 매개로 하여 냉각기(10a)와 연결되어 상기 브래킷(32)을 냉각시키는 역할을 한다. 상기 가열판(36)과 상기 냉각판(37)은 판 형태로 구성되어 상기 브래킷(32)을 전체적으로 가열하거나 냉각하는 구성으로 예시되어 있으나, 부분적으로 냉각, 또는 가열이 가능한 열전모듈(Thermo Electric Cooler) 등으로 구성되는 것도 가능하다. 도 2와 도 3에서 미설명 도면부호 85는 케이블을 나타낸다.
또한 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 브래킷(32)의 상부에는 상기 정전류 공급부(20)로부터 상기 엘이디 패키지(31)의 엘이디(31a)로 전류를 인가시킬 수 있고 길이를 따라 내측부에 타원형태의 중앙공(86a)을 가지며, 스페이서부(90)를 매개로 하여 상기 브래킷(32)의 상면에 일정높이로 고정되는 공통PCB(Printed Circuit Board)(86)를 더 포함하는 형태로 제공될 수 있다. 상기 정전류 공급부(20)는 공통PCB(86)와 전기적으로 연결되어 엘이디 픽스처유닛(30)의 각 엘이디(31a)에 정전류를 공급하고 상기 각 엘이디(31a)는 상기 공통PCB(86)와 와이어(또는 리드선)로 연결되어 전원을 공급받는다.
또한 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 스패이서부(90)는 상기 브래킷(32)에 형성된 다수개의 보스(90a)와, 상기 공통PCB(86)를 상기 보스(90a)에 분리 가능하게 고정시키는 나사들로 이루어질 수 있다. 상기 공통PCB(86)는 상기 엘이디 패키지(31) 당 단일PCB 또는 메탈PCB(87)를 다수 개 설치하여 사용하면 한번에 다량의 엘이디(31a)를 평가할 수 있다. 즉, 도 3의 엘이디 픽스처유닛을 참고하면 본 발명의 일실시예에서는 5장의 공통PCB(86)를 사용하고 각 공통PCB 당 5개의 메탈PCB(87)를 사용한 것으로, 한번의 에이징으로 최대 25개의 엘이디(31a)를 측정할 수 있는 것이다.
일실시예로, 도 1과 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 플로어 패널(60)의 저부에는 상기 엘이디 픽스처유닛(30)의 엘이디들(31a)로부터 발생되는 광을 수광하고 상기 제어부(50)에 의해 제어되는 각각의 수광유닛(95)을 더 포함하는 형태로 제공될 수 있다. 또한 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 열화평가 장치(1)는 상기 제어부(50)의 제어에 의해 상기 수광유닛(95)에서 수광된 광량과 상기 각 엘이디(31a)의 구동전류 및 온도를 측정하여 그래프로 표시하도록 기록계(96)를 더 포함하는 형태로 제공될 수 있다.
또한 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 챔버 조절부(10)는 상기 챔버(2)의 온도를 제어할 수 있도록 챔버 온도센서(11)와, 상기 챔버(2)의 내부를 가열시키는 히터(12)와, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 챔버(2)의 기능을 조작할 수 있는 조작반(13)을 더 포함하는 형태로 제공될 수 있다. 따라서, 작업자는 상기 조작반(13)을 조절하여 상기 챔버(2)의 각종 기능들을 설정, 변경, 또는 작동시킬 수 있다.
위와 같이 구성된 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치에서, 상기 제어부(50)는 각 엘이디(31a)의 온도가 목표온도와 목표온도보다 -2℃적은 온도범위에서 유지하도록 상기 온도 조절부(35)의 가열판(36)과 냉각판(37)을 제어하고 상기 챔버(2)의 온도는 목표온도와 목표온도보다 -5℃적은 온도범위에서 유지하도록 제어될 수 있다.
한편, 다른 실시예로, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치는 다음과 같은 제어방법으로 제어된다.
먼저, 제어부는 챔버의 히터를 구동하여 상기 챔버 내의 온도를 목표온도에 도달시키고 측정용 전원을 챔버 내의 각 엘이디 픽스처유닛에 구비된 엘이디 패키지의 엘이디에 인가한다(S600).
이어서, 측정용 전원을 인가한 후에 각 엘이디 패키지의 엘이디의 구동전류와 온도 및 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 측정한다(S610).
이어서, 상기 S610 단계에서 측정된 엘이디의 구동전류, 엘이디의 온도 및 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도 중 어느 하나 이상의 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시한다(S620).
이어서, 제어부는 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위에서 기 측정된 주위 온도를 상기 챔버 내의 평균 허용온도와 비교하여 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도가 일정온도에서 유지되도록 제어를 하게 된다. 즉, 제어부는 기 측정된 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도가 챔버 내의 평균 허용온도의 하한치 보다 낮으면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 상승시키도록 상기 엘이디 픽스처유닛의 가열판을 제어하고(S630,S640), 챔버 내의 평균 허용온도의 상한치를 초과하면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 낮추도록 상기 엘이디 픽스처유닛의 냉각판을 제어한다(S650,S660).
한편, 상기 S610 단계는 수광 유닛으로 각 엘이디 패키지의 엘이디의 광량을 측정하는 것을 더 포함하고, 상기 S620 단계는 상기 S610 단계에서 측정된 엘이디의 광량 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 것을 더 포함하는 형태로 이루어질 수 있다.
한편, 또 다른 실시예로, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치는 다음과 같은 제어방법으로 제어된다.
먼저, 제어부는 챔버의 히터를 구동하여 상기 챔버 내의 온도를 목표온도에 도달시키고 측정용 전원을 챔버 내의 각 엘이디 픽스처유닛에 구비된 엘이디 패키지의 엘이디에 인가한다(S700).
이어서, 측정용 전원을 인가한 후에 각 엘이디 패키지의 엘이디의 구동전류와 온도 및 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 측정한다(S710).
이어서, 제어부는 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위에서 기 측정된 주위 온도를 상기 챔버 내의 평균 허용온도와 비교하여 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도 가 일정온도에서 유지되도록 제어를 하게 된다. 즉, 제어부는 기 측정된 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도가 챔버 내의 평균 허용온도의 하한치 보다 낮으면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 상승시키도록 상기 엘이디 픽스처유닛의 가열판을 제어하고(S720,S730), 챔버 내의 평균 허용온도의 상한치를 초과하면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 낮추도록 상기 엘이디 픽스처유닛의 냉각판을 제어한다(S740,S750).
이어서, 상기 S710 단계에서 측정된 엘이디의 구동전류, 엘이디의 온도 및 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도 중 어느 하나 이상의 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시한다(S760).
한편, 상기 S710 단계는 수광 유닛으로 각 엘이디 패키지의 엘이디의 광량을 측정하는 것을 더 포함하고, 상기 S760 단계는 상기 S710 단계에서 측정된 엘이디의 광량 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 것을 더 포함하는 형태로 이루어질 수 있다.
위와 같은 열화평가 장치의 두 제어방법에 있어서, 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도의 변동도 모두 기록계에 기록되고, 엘이디와 챔버 모두 일정한 온도를 유지하면서 에이징을 하게 되기 때문에 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 적절히 관리하면서 상기 엘이디의 온도특성, 전기적 특성 및 광학특성을 실시간으로 측정하는 것이 가능하여 엘이디 소자의 정확한 신뢰성 및 수명데이터의 확보가 가능하다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서의 단순 치환, 변형 및 변경은 당 분야에서의 통상의 지식을 가진 자에게 명백한 것이다.
1: 열화평가 장치 2: 챔버
10a: 냉각기 10: 챔버 조절부
11: 챔버 온도센서 12: 히터
13: 조작반 20: 정전류 공급부
30: 엘이디 픽스처유닛 31: 엘이디 패키지
31a: 엘이디 31b: 엘이디 온도센서
32: 브래킷 35: 온도 조절부
36: 가열판 37: 냉각판
40: 온도센서 지지부 40a: 주위 온도센서
41: 메인컬럼 42: 지지바
43: 피벗부 50: 제어부
60: 플로어 패널 61: 지지대
70: 베이스 마운트 71: 베이스판
72: 지지구 75: 매개 고정유닛
75a: 고정편 80: 챔버 냉각판
81: 냉기공급용 관로 85: 케이블
86a: 중앙공 86: 공통PCB
87: 메탈PCB 90: 스페이서부
90a: 보스 95: 수광유닛
96: 기록계

Claims (21)

  1. 챔버와, 상기 챔버 내에 구비되고 상기 챔버의 내부 온도를 조절하는 냉각기를 포함하는 챔버 조절부와, 정전류를 공급하는 정전류 공급부를 포함하고, 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 엘이디의 열화를 평가하는 열화평가 장치에 있어서,
    엘이디 및 상기 엘이디의 온도를 측정할 수 있는 엘이디 온도센서를 구비하는 적어도 하나의 엘이디 패키지와, 상기 엘이디 패키지를 지지하고 상기 엘이디 패키지에 열을 가하거나 냉각시킬 수 있는 온도 조절부를 포함하며, 상기 챔버 내에 일정간격을 두고 배치되는 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛;
    상기 인접한 두 엘이디 픽스처유닛 사이의 상기 챔버 내에 설치되고 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 감지하는 주위 온도센서를 포함하는 온도센서 지지부; 및
    상기 챔버 조절부, 상기 정전류 공급부, 상기 엘이디 픽스처유닛 및 상기 온도센서 지지부의 주위 온도센서와 각각 전기적으로 연결되며, 상기 엘이디의 온도와 정전류를 제어하고 상기 챔버 조절부와 상기 온도 조절부를 통해 상기 챔버 내의 온도를 제어하는 제어부;
    를 포함하는 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부에는 상기 챔버 내의 바닥으로부터 일정높이에 위치되는 플로어 패널과, 상기 플로어 패널을 상기 챔버 내의 바닥에 대해 지지하는 지지대와, 상기 엘이디 픽스처유닛과 동일한 형태를 이루고 상호 간에 일정간격을 가지며, 상기 플로어 패널의 상면에 배치되는 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛과, 상기 플로어 패널 상의 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 감지하는 주위 온도센서를 구비하는 온도센서 지지부를 더 포함하는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    제 1 항에 기재되어 있는 상기 온도센서 지지부와 제 2 항에 기재되어 있는 상기 온도센서 지지부는 각각 메인컬럼과, 상기 메인컬럼에 대해 경사지게 연결되고 선단부에 상기 주위 온도센서가 부착되는 지지바와, 상기 메인컬럼의 상단부와 상기 지지바의 후단부 사이에 제공되는 피벗부로 구성된 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 메인컬럼과 상기 지지바는 각각 텔레스코프식으로 신장 또는 수축 가능한 이중관 구조로 이루어지고, 상기 지지바는 상기 피벗부를 매개로 하여 상기 메인컬럼에 대해 좌우 수평방향으로 선회 조절되어 새롭게 이동된 위치에 고정될 수 있는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부에는 상기 적어도 두 개의 엘이디 픽스처유닛을 지지하는 베이스 마운트를 더 포함하며, 상기 베이스 마운트는 상기 엘이디 픽스처유닛과 상기 온도센서 지지부를 다같이 지지하는 베이스판과, 상기 베이스판의 저부에 제공되는 적어도 하나의 지지구로 구성된 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 온도센서 지지부의 하단부와 상기 베이스판의 사이에는 상기 온도센서 지지부를 상기 베이스판을 따라 이동시켜 고정시킬 수 있는 매개 고정유닛을 더 포함하는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 베이스 마운트와 상기 챔버의 바닥 사이에는 내부에 냉기공간을 갖고 주위를 냉각시킬 수 있는 챔버 냉각판이 더 제공되고, 상기 챔버 냉각판은 냉기공급용 관로를 매개로 하여 상기 챔버 내의 냉각기와 연결된 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 온도센서 지지부의 하단부와 상기 플로어 패널의 사이에는 상기 온도센서 지지부를 상기 플로어 패널을 따라 이동시켜 고정시킬 수 있는 매개 고정유닛을 더 포함하는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 내에 상기 엘이디 픽스처유닛과 동일한 구성으로 이루어지는 다수개의 엘이디 픽스처유닛을 더 포함하고, 상기 챔버 내의 전체 엘이디 픽스처유닛은 조합의 행렬식으로 배치될 수 있는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 플로어 패널의 상면에 상기 엘이디 픽스처유닛과 동일한 구성으로 이루어지는 다수개의 엘이디 픽스처유닛을 더 포함하고, 상기 플로어 패널 상의 전체 엘이디 픽스처유닛은 조합의 행렬식으로 배치될 수 있는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 엘이디 픽스처유닛은 상기 엘이디 패키지가 장착되는 브래킷을 더 포함하고, 상기 온도 조절부는 상기 브래킷의 하부에 배치되며, 상기 온도 조절부는 상기 제어부에 의해 제어되고 상기 브래킷을 가열시키는 가열판과, 상기 브래킷과 상기 가열판 사이 또는 상기 가열판의 하부에 배치되고 상기 제어부에 의해 제어되며, 상기 브래킷을 냉각시키는 냉각판으로 구성된 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 브래킷의 상부에는 상기 정전류 공급부로부터 상기 엘이디 패키지의 엘이디로 전류를 인가시킬 수 있고 길이를 따라 내측부에 타원형태의 중앙공을 가지며, 스페이서부를 매개로 하여 상기 브래킷의 상면에 일정높이로 고정되는 공통PCB(Printed Circuit Board)를 더 포함하는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  13. 제 2 항에 있어서,
    상기 플로어 패널의 저부에는 상기 엘이디 픽스처유닛의 엘이디들로부터 발생되는 광을 수광하고 상기 제어부에 의해 제어되는 각각의 수광유닛을 더 포함하는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제어부의 제어에 의해 상기 수광유닛에서 수광된 광량과 상기 각 엘이디의 구동전류 및 온도를 측정하여 그래프로 표시하는 기록계를 더 포함하는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 조절부는 상기 챔버의 온도를 제어할 수 있도록 챔버 온도센서와, 상기 챔버의 내부를 가열시키는 히터와, 상기 챔버의 기능을 조작할 수 있는 조작반을 더 포함하는 것인 다중배열 엘이디 픽스처유닛의 열화평가 장치.
  16. (a)챔버의 히터를 구동하여 상기 챔버 내의 온도를 목표온도에 도달시키고 측정용 전원을 챔버 내의 각 엘이디 픽스처유닛에 구비된 엘이디 패키지의 엘이디에 인가하는 단계;
    (b)측정용 전원을 인가한 후에 각 엘이디 패키지의 엘이디의 구동전류와 온도 및 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 측정하는 실험데이터 측정단계;
    (c)상기 (b)단계에서 측정된 엘이디의 구동전류, 엘이디의 온도 및 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도 중 어느 하나 이상의 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 단계; 및
    (d)상기 엘이디 픽스처유닛의 주위에서 측정된 주위 온도를 상기 챔버 내의 평균 허용온도와 비교하여 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 일정온도에서 유지되도록 제어하는 단계;
    를 포함하는 열화평가 장치의 제어방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 실험데이터 측정단계는 수광 유닛으로 각 엘이디 패키지의 엘이디의 광량을 측정하는 것을 더 포함하고, 상기 (c) 단계의 그래프로 표시하는 단계는 상기 (b) 단계의 실험데이터 측정단계에서 측정된 엘이디의 광량 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 것을 더 포함하는 것인 열화평가 장치의 제어방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 (d) 단계의 주위 온도를 일정온도에서 유지되도록 제어하는 단계는 기 측정된 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도가 챔버 내의 평균 허용온도의 하한치 보다 낮으면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 상승시키고, 챔버 내의 평균 허용온도의 상한치를 초과하면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 낮추도록 상기 엘이디 픽스처유닛의 가열판과 냉각판을 제어하는 것인 열화평가 장치의 제어방법.
  19. (a)챔버의 히터를 구동하여 상기 챔버 내의 온도를 목표온도에 도달시키고 측정용 전원을 챔버 내의 각 엘이디 픽스처유닛에 구비된 엘이디 패키지의 엘이디에 인가하는 단계;
    (b)측정용 전원을 인가한 후에 각 엘이디 패키지의 엘이디의 구동전류와 온도 및 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 측정하는 실험데이터 측정단계;
    (c)상기 엘이디 픽스처유닛의 주위에서 측정된 주위 온도를 상기 챔버 내의 평균 허용온도와 비교하여 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도를 일정온도에서 유지되도록 제어하는 단계; 및
    (d)상기 (b)측정단계에서 측정된 엘이디의 구동전류, 엘이디의 온도 및 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도 중 어느 하나 이상의 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 단계;
    를 포함하는 열화평가 장치의 제어방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 (c) 단계의 주위 온도를 일정온도에서 유지되도록 제어하는 단계는 기 측정된 엘이디 픽스처유닛의 주위 온도가 챔버 내의 평균 허용온도의 하한치 보다 낮으면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 상승시키고, 챔버 내의 평균 허용온도의 상한치를 초과하면 상기 엘이디 픽스처유닛의 주위의 온도를 낮추도록 상기 엘이디 픽스처유닛의 가열판과 냉각판을 제어하는 것인 열화평가 장치의 제어방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 실험데이터 측정단계는 수광 유닛으로 각 엘이디 패키지의 엘이디의 광량을 측정하는 것을 더 포함하고, 상기 (d) 단계의 그래프로 표시하는 단계는 상기 (b) 단계의 실험데이터 측정단계에서 측정된 엘이디의 광량 데이터를 기록계로 출력하여 그래프로 표시하는 것을 더 포함하는 것인 열화평가 장치의 제어방법.
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KR20080005860U (ko) * 2007-05-29 2008-12-03 (주)베이직테크 엘이디 표시패널 및 이를 구비한 엘이디 표시장치

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