KR101152979B1 - Method of binding bertween electric contact and solder - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전기접점과 솔더를 은층을 이용하여 결합하지 않고, 지그를 이용하여 전기접점과 솔더를 견고하게 결합시킬 수 있는 방법을 제공하고자 한다. 이를 통하여 원가를 절감시킬 수 있고, 종래의 결합방법에 의한 결합력과 유사하거나 보다 더 우수한 결합력을 확보할 수 있다.An object of the present invention is to provide a method for firmly bonding an electrical contact and a solder using a jig without bonding the electrical contact and the solder using a silver layer. Through this, it is possible to reduce the cost, it is possible to ensure a bonding force similar or better than the bonding force by the conventional coupling method.
전기접점, 솔더, 지그, 텅스텐 Electrical Contacts, Solder, Jig, Tungsten
Description
본 발명은 전기접점과 솔더의 결합방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 지그를 이용한 가압공정을 통하여 전기접점과 솔더를 결합시킬 수 있는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for bonding an electrical contact and a solder, and more particularly, to a method for bonding an electrical contact and a solder through a pressing process using a jig.
전기접점은 일반적으로 내아크성을 향상시킬 수 있는 텅스텐계(이하 텅스텐 화합물도 포함된다)과 전기전도성을 향상시킬 수 있는 은, 구리 또는 그 합금을 분말야금법을 이용하여 제조한다. 이러한 전기접점을 모재와 결합시키기 위해 사용되는 방법에는 일반적으로 웰딩(Welding), 솔더링(Soldering) 및 브레이징(Brazing)이 있다. 450℃ 이하의 온도에서 적용되는 방법이 솔더링, 그 이상의 온도에서 적용되는 방법을 브레이징이라고 하며, 웰딩은 용융점 이상의 온도에서 행해지는 방법이다.In general, the electrical contact is produced by using a powder metallurgy method of tungsten-based which can improve arc resistance (hereinafter also includes tungsten compounds) and silver, copper or an alloy thereof which can improve electrical conductivity. Methods used to bond these electrical contacts with the base material generally include welding, soldering, and brazing. Soldering is a method applied at a temperature of 450 ° C. or lower, and a method applied at a temperature higher than that is called brazing, and welding is performed at a temperature above the melting point.
전기접점을 모재와 결합시키는 방법 중 상업적으로는 브레이징 방법이 널리 이용된다. 이는 브레이징 방법이 타 방법에 비하여 단순한 공정으로 이루어져 있어서 생산성 및 작업 효율성이 우수하다. Among the methods of bonding the electrical contact with the base material, commercially, the brazing method is widely used. This brazing method is simpler than other methods, so productivity and work efficiency are excellent.
그러나 텅스텐계 전기접점과 BCuP 계열 솔더와는 상호 낮은 젖음성으로 인해 뭉침 현상이 나타나기 때문에 일반적인 방법으로는 상호 결합이 불가능하다. 따라서 텅스텐계 전기접점과 솔더 사이에 은층(Ag layer)을 형성시키는 방법으로 결합시키고 있으며, 이러한 은층을 형성시키는 종래의 결합 방법은 냉간압연가공법 또는 은도금법이 이용되고 있다. However, due to the low wettability between tungsten-based electrical contacts and BCuP-based solders, agglomeration occurs, so mutual coupling is impossible in a general manner. Therefore, the silver layer (Ag layer) is bonded between the tungsten-based electrical contact and the solder, and the conventional bonding method for forming the silver layer is cold rolling or silver plating.
그러나 냉간압연가공법은 균일한 은층을 형성시키기 위해서 필요 이상의 은판(두께 100~300㎛)을 이용하는 문제점이 있으며, 은도금법(두께 2~10㎛)은 환경 유해 물질이 발생하고 고가의 은을 이용하여 제조하여야 하므로 상업적으로 제조 원가가 상승하는 문제점이 있다. 또한, 은층의 두께에 따라 단자와의 접합시 용융은(Liquid Ag)이 전기접점의 외면을 타고 올라가므로, 아크 집중을 야기하는 문제점이 발생한다.However, the cold rolling process has a problem of using a silver plate (thickness of 100 ~ 300㎛) more than necessary in order to form a uniform silver layer, the silver plating method (
본 발명은 전기접점과 솔더를 은층을 이용하여 결합하지 않고, 지그를 이용한 상호확산을 통하여 전기접점과 솔더를 견고하게 결합시킬 수 있는 방법을 제공하고자 한다.The present invention is to provide a method for firmly bonding the electrical contact and the solder through the interdiffusion using a jig without bonding the electrical contact and the solder using a silver layer.
본 발명은 일구현례로서, 전기접점과 솔더의 결합방법에 있어서, 전기접점 위에 솔더를 적층시키고, 상기 솔더 위에 지그(Jig)를 적층시키는 제1단계 및 상기 적층된 전기접점 및 솔더에 1~1000g/㎠의 지그를 이용하여 상기 압력을 가하고 열처리하는 제2단계를 포함하는 전기접점과 솔더의 결합방법을 제공한다.According to an embodiment of the present invention, in a method of joining an electrical contact and a solder, a first step of laminating solder on the electrical contact and laminating a jig on the solder and the stacked electrical contact and the solder 1 to 1 ~. It provides a method of coupling the electrical contact and the solder comprising a second step of applying the pressure and heat treatment using a jig of 1000g / ㎠.
상기 전기접점은 텅스턴계인 것이 바람직하다.The electrical contact is preferably tungsten-based.
상기 솔더는 BCuP계인 것이 바람직하다.It is preferable that the said solder is BCuP system.
상기 솔더는 플레이트 형태 또는 상기 전기접점과 동일한 형태인 것이 바람직하다.The solder is preferably in the form of a plate or the same as the electrical contact.
상기 제2단계는 650~800℃로 승온하여 유지하는 것이 바람직하다.The second step is preferably maintained by increasing the temperature to 650 ~ 800 ℃.
상기 제2단계는 수소분위기 또는 진공분위기에서 실시되는 것이 바람직하다.The second step is preferably carried out in a hydrogen atmosphere or a vacuum atmosphere.
본 발명은 텅스텐계 전기접점과 BCuP 계열 솔더의 결합방법에 있어서 은층을 이용하지 않고도 텅스텐계 전기접점과 BCuP 계열 솔더 사이의 상호 확산을 이용하여 결합시킨 방법으로서, 원가를 절감시킬 수 있고, 종래의 결합방법에 의한 결합력과 유사 또는 보다 더 우수한 결합력을 나타낼 수 있다.The present invention is a method of combining the tungsten-based electrical contact and the BCuP-based solder by using mutual diffusion between the tungsten-based electrical contact and the BCuP-based solder without using a silver layer in the method of joining the tungsten-based electrical contact and the BCuP-based solder. A bonding force similar to or better than that of the bonding method can be exhibited.
본 발명은 전기접점과 솔더 사이에 은층을 형성시키지 아니하고 간단한 공정을 이용하여 전기접점에 솔더를 결합시키는 방법에 관한 것으로서, 지그를 이용하여 전기접점과 솔더를 결합시키는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of bonding solder to an electrical contact using a simple process without forming a silver layer between the electrical contact and the solder, and relates to a method of bonding an electrical contact and a solder using a jig.
본 발명은 전기접점 위에 솔더를 적층시키고, 상기 솔더 위에 지그(Jig)를 적층시키는 제1단계 및 상기 적층된 전기접점 및 솔더에 1~1000g/㎠ 의 지그를 이용하여 압력을 가하고 열처리하는 제2단계를 포함한다. 도1에서 확인할 수 있는바와 같이, 바닥에 전기접점(3)을 고정시키고 그 위에 솔더(2)를 적층한 후 최상에 지그(1)를 적층시킨다.The present invention laminates a solder on an electrical contact, a first step of laminating a jig (Jig) on the solder and a second to apply pressure and heat treatment using a jig of 1 ~ 1000g / ㎠ to the laminated electrical contact and the solder Steps. As can be seen in Figure 1, the electrical contact (3) is fixed to the bottom, the solder (2) is laminated thereon and then jig (1) is laminated on the top.
여기서, 상기 전기접점은 텅스턴계이고, 상기 솔더는 BCuP계이다. 상기 전기접점에서 텅스텐계의 함량은 30% 이상이고, 잔부는 Cu 또는 Ag 또는 그 합금인 것이 바람직하다. BCuP계는 한국표준규격(또는 일본 공업 규격 JIS)에 표기된 정식 명칭이며, BCuP-1, BCuP-2 등의 여러 솔더가 있으며, Cu의 함량에 따라 달라진다. 또한, 상기 솔더는 플레이트 형태이며, 두께가 0.1~0.4mm인 것이 바람직하다. Here, the electrical contact is tungsten-based, the solder is BCuP-based. The content of tungsten-based at the electrical contact is 30% or more, and the balance is preferably Cu or Ag or an alloy thereof. BCuP system is a formal name written in Korean Standard (or Japanese Industrial Standard JIS), and there are various solders such as BCuP-1 and BCuP-2, and it depends on the content of Cu. In addition, the solder is in the form of a plate, the thickness is preferably 0.1 ~ 0.4mm.
텅스텐계 전기접점과 BCuP 계열 솔더의 낮은 젖음성으로 인해 용융 솔더가 전기접점 표면에 분산되지 않고 뭉치게 된다. 이러한 현상을 방지하고 전기접점과 솔더의 결합력을 향상시키기 위하여 지그(Jig)를 이용하여 결합시키는 것이 바람직하다. 상기 지그의 재질은 특별히 한정되는 것은 아니지만 솔더와 반응이 일어나지 않고 열처리 도중에 반응이 일어나지 않는 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 그 일예로 그라파이트계(Graphite), 알루미나 등이 있다. 또한, 상기 지그의 형태는 특별히 한정되는 것은 아니지만 솔더와 동일한 크기로 제작되거나 솔더보다 크기가 커서 적절한 결합력을 부여할 수 있도록 제작되는 것이 바람직하다. 지그 제작시 중요한 사항은 지그 중량에 따라 솔더의 두께가 달라지므로, 솔더의 두께 형성에 적당한 중량을 선택하는 것이 바람직하다. 가압력은 지그의 중량으로 제어가 가능하며, 1~1000g/㎠ 의 압력을 가하는 중량을 선택 하는 것이 바람직하다. 가압력이 1 g/㎠ 미만인 경우에는 가압력이 너무 낮아 전기접점과 솔더가 결합될 수 없으며, 1000g/㎠를 초과하는 경우에는 가압력이 너무 커서 접점 외부로 솔더가 뭉치거나 밀리는 현상이 발생한다.The low wettability of tungsten-based electrical contacts and BCuP-based solders causes molten solder to agglomerate rather than disperse on the surface of the electrical contacts. In order to prevent this phenomenon and to improve the bonding force between the electrical contact and the solder, it is preferable to bond using a jig. The material of the jig is not particularly limited, but it is preferable to use a material that does not react with the solder and does not occur during the heat treatment. Examples thereof include graphite, alumina, and the like. In addition, the shape of the jig is not particularly limited, but is preferably manufactured to the same size as the solder or larger than the solder, so that the jig can be appropriately attached. An important point in the manufacture of the jig is that since the thickness of the solder varies depending on the weight of the jig, it is preferable to select a weight suitable for forming the thickness of the solder. The pressing force can be controlled by the weight of the jig, it is preferable to select the weight to apply a pressure of 1 ~ 1000g / ㎠. If the pressing force is less than 1 g / ㎠ the pressing force is too low can not be combined with the electrical contact and the solder, if it exceeds 1000g / ㎠ the pressing force is so large that the solder aggregates or pushes out of the contact occurs.
상기 제2단계는 650~800℃로 승온하여 일정시간 유지하는 것이 바람직하고 유지시간은 1분~10시간으로 온도에 따라서 적정한 유지시간을 확보할 수 있다. 본 발명에서는 승온 또는 유지 온도가 중요하며, 상기 범위는 본 발명자들의 오랜 연구를 통하여 도출된 최상의 적정한 범위이다. The second step is preferably maintained at a constant temperature by raising the temperature to 650 ~ 800 ℃, the holding time is 1 minute to 10 hours to ensure an appropriate holding time according to the temperature. In the present invention, an elevated temperature or a maintenance temperature is important, and the above range is the best appropriate range derived through a long study of the present inventors.
전기접점과 솔더 표면에 산소가 존재하여 산화되는 경우에는 전기접점의 성능을 저할시킬 수 있으므로, 상기 제2단계는 수소분위기 또는 진공분위기에서 실시되는 것이 바람직하다.When oxygen is present in the electrical contacts and the solder surface and oxidized, the performance of the electrical contacts may be degraded. Therefore, the second step is preferably performed in a hydrogen atmosphere or a vacuum atmosphere.
상기 결합방법에서 상기 제1단계의 공정을 실시하기 전, 전기접점은 환원처리공정, 연마공정, 세척공정 및 건조공정을 포함한 전처리공정을 거칠 수 있다. 전기접점의 표면은 전처리 공정을 통해 산화막이나 이물질을 제거하는 것이 바람직하다. 전처리 공정은 전기접점 제조 후 표면에 형성되어 있는 산화막이나 이물질을 제거하기 위하여 환원처리 후 연마를 실시한다. 이는 전기접점과 솔더와의 결합력을 향상시키기 위한 방법이며, 전처리 공정이 실시되지 않은 경우에는 전기접점 표면에 형성되어 있는 산화막이나 이물질에 의해 젖음성을 감소시키게 되어 결합력이 저하된다.Before performing the process of the first step in the bonding method, the electrical contact may be subjected to a pretreatment process including a reduction treatment, a polishing process, a washing process and a drying process. The surface of the electrical contact is preferably removed from the oxide film or foreign matter through a pretreatment process. In the pretreatment step, polishing is performed after the reduction treatment to remove the oxide film or foreign matter formed on the surface after the electrical contact is manufactured. This is a method for improving the bonding force between the electrical contact and the solder. When the pretreatment process is not performed, the wettability is reduced by the oxide film or the foreign matter formed on the surface of the electrical contact, and thus the bonding force is reduced.
환원처리 공정은 700~900℃의 온도에서 0.5~5시간 실시한다. 환원처리 공정에서는 환원 분위기가 가장 중요하며, 일반적으로 산업에서 이용하는 암모니아 분해가스 보다 순도가 높은 수소 분위기에서 실시하는 것이 텅스텐계 전기접점 표면에 형성되어 있는 산화막을 제거하는 데에 효과적이다. 본 발명에서 환원처리 공정은 상기 온도 및 시간 범위에서 실시되는 것이 바람직하나, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다.The reduction treatment step is carried out for 0.5 to 5 hours at a temperature of 700 ~ 900 ℃. In the reduction process, the reducing atmosphere is the most important. In general, the reducing atmosphere is more effective in removing the oxide film formed on the surface of the tungsten-based electrical contact than in the hydrogen atmosphere having higher purity than the ammonia decomposition gas used in the industry. In the present invention, the reduction treatment process is preferably carried out in the above temperature and time range, but is not necessarily limited thereto.
환원처리 공정에 의해 산화막이 제거된 전기접점을 연마(바렐연마)한 후 에틸 알코올 또는 아세톤에서 세척(초음파 세척)한다. 그 다음 자연건조 또는 건조로를 이용하여 건조한다. 건조로를 이용한 방법은 산화를 방지하기 위하여 암모니아 분해 가스 또는 수소 분위기에서 50~150℃에서 0.5~5시간 실시한다. 다만, 본 발명에서 건조 공정은 상기 온도 및 시간 범위에서 실시되는 것이 바람직하나, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다.The electrical contact from which the oxide film has been removed by the reduction treatment is polished (barrel polished) and then washed with ethyl alcohol or acetone (ultrasound washing). Then dry using a natural drying or drying furnace. The method using a drying furnace is carried out at 50 to 150 ° C. for 0.5 to 5 hours in an ammonia decomposition gas or hydrogen atmosphere to prevent oxidation. However, in the present invention, the drying process is preferably performed at the above temperature and time range, but is not necessarily limited thereto.
또한, 상기 결합방법에서 제2단계 후, 전기접점은 연마공정, 세척공정 및 건조공정을 포함한 후처리공정을 거칠 수 있다. 후처리공정은 전처리공정과 동일한 조건으로 실시된다. 다만, 환원처리공정은 실시하지 않아도, 환원처리시 표면이 산화될 수 있으며, 연마공정시 산화부분이 제거될 수 있다.In addition, after the second step in the bonding method, the electrical contact may undergo a post-treatment process including a polishing process, a washing process and a drying process. The post treatment step is carried out under the same conditions as the pretreatment step. However, even if the reduction treatment process is not performed, the surface may be oxidized during the reduction treatment, and the oxidized portion may be removed during the polishing process.
상기 세척공정은 에틸 알콜 또는 아세톤을 이용하여 실시되는 것이 바람직하다. 상기 건조공정은 자연건조 또는 수소 분위기, 50~150℃에서 0.5~5시간 실시되는 것이 바람직하다.The washing step is preferably carried out using ethyl alcohol or acetone. The drying step is preferably carried out for 0.5 to 5 hours in a natural drying or hydrogen atmosphere, 50 ~ 150 ℃.
본 발명은 상술한 바와 같이 지그를 이용하여 텅스턴계 전기접점과 BCuP 계열 솔더의 상호확산현상을 통하여 텅스턴계 전기접점과 BCuP 계열 솔더를 우수한 결합력으로 결합시킬 수 있다.According to the present invention, the tungsten-based electrical contact and the BCuP-based solder can be coupled with excellent bonding force through the interdiffusion of the tungsten-based electrical contact and the BCuP-based solder using the jig.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples.
(실시예)(Example)
발명예1은 텅스텐-은(W-50wt%Ag) 전기접점을 제조한 후 산화막을 제거하기 위하여 수소분위기에서 10℃/min의 승온속도로 승온하여, 800℃에서 30분간 유지한 후 노냉시켰다. 그 후 바렐 공정을 통해 이물질을 제거하고, 에틸 알코올에서 초음파 세척한 후 자연건조를 실시하였다. 텅스텐-은 전기접점과 BCuP-5 솔더(80wt%Cu-15wt%Ag-5wt%P)의 결합은 수소분위기에서 실시하였으며, 8℃/min의 속도로 승온하여 690℃에서 5분간 유지시킨 후 노냉하였다. 이와 같이 BCuP 계열 솔더를 결합시킨 텅스텐-은 전기접점을 바렐연마한 후 전처리 공정과 동일한 방법으로 세척하여 전기접점을 얻었다.Inventive Example 1 was prepared by tungsten-silver (W-50wt% Ag) electrical contact and then heated to a temperature increase rate of 10 ℃ / min in a hydrogen atmosphere in order to remove the oxide film, and maintained at 800 ℃ 30 minutes and then cooled. Thereafter, foreign substances were removed through the barrel process, and ultrasonically washed with ethyl alcohol, followed by natural drying. The combination of tungsten-silver electrical contacts and BCuP-5 solder (80wt% Cu-15wt% Ag-5wt% P) was carried out in a hydrogen atmosphere. The temperature was raised at 8 ℃ / min and maintained at 690 ℃ for 5 minutes. It was. Tungsten-silver combined with BCuP-based solder as described above was barrel-polished and then washed in the same manner as the pretreatment process to obtain an electrical contact.
비교예1은 텅스텐-은(W-50wt%Ag) 전기접점을 발명예1과 동일한 방법으로 제조한 후 냉간압연가공법을 통해 100㎛의 은층을 형성시켰다. 발명예1과 동일한 방법으로 환원 처리를 실시하고, 바렐 공정 및 초음파 세척을 수행한 후 건조시켰다. 은층이 형성된 텅스텐-은 전기접점과 BCuP-5 솔더(80wt%Cu-15wt%Ag-5wt%P)의 결합은 수소분위기에서 수행되었다. 8℃/min의 속도로 승온하여 680℃에서 5분간 유지시킨 후 노냉하였다. BCuP-5가 결합된 텅스텐-은 전기접점은 바렐 공정 후 전처리 공정과 동일한 방법으로 세척하여 전기접점을 얻었다.In Comparative Example 1, a tungsten-silver (W-50wt% Ag) electrical contact was manufactured in the same manner as inventive example 1, and then a 100 µm silver layer was formed by cold rolling. Reduction treatment was carried out in the same manner as in Inventive Example 1, and after drying the barrel and ultrasonic washing. The bonding of the silver-formed tungsten-silver electrical contacts with the BCuP-5 solder (80 wt% Cu-15 wt% Ag-5 wt% P) was carried out in a hydrogen atmosphere. It heated up at the rate of 8 degree-C / min, hold | maintained at 680 degreeC for 5 minutes, and then cooled. The tungsten-silver electrical contacts combined with BCuP-5 were washed in the same manner as the pretreatment process after the barrel process to obtain electrical contacts.
발명예1과 비교예1의 미세조직을 SEM(Scanning Electron Microscope)를 이용하여 관찰하여 도2(발명예1)와 도3(비교예1)에 각각 나타내었다. 도2에서 상부는 텅스텐-은(W-50wt%Ag) 전기접점을 나타내며, 하부는 BCuP-5 솔더를 나타낸다. 도3에서 상부는 텅스텐-은(W-50wt%Ag) 전기접점을 나타내며, 중간부는 은층(Ag layer), 하부는 BCuP-5 솔더를 나타낸다.The microstructures of Inventive Example 1 and Comparative Example 1 were observed using SEM (Scanning Electron Microscope) and are shown in FIGS. 2 (Inventive Example 1) and 3 (Comparative Example 1), respectively. In FIG. 2 the top shows tungsten-silver (W-50 wt% Ag) electrical contacts and the bottom shows BCuP-5 solder. In FIG. 3, the upper portion shows a tungsten-silver (W-50 wt% Ag) electrical contact, the middle portion shows an Ag layer, and the lower portion shows a BCuP-5 solder.
발명예1과 비교예1을 구리단자에 스폿용접(Spot welding)으로 접합하였으며, 각각 도4(발명예1) 및 도5(비교예1)에 나타내었다. 도4에서 확인할 수 있듯이, 스폿용접 후 BCuP-5가 용융이 되더라도 텅스텐-은 전기접점과의 낮은 젖음성으로 인해 구리단자 방향으로 흘러 응고된다. 반면에, 도5에서 확인할 수 있듯이, 비교예1은 은층이 용융되면서 텅스텐-은 전기접점 표면에 도포되고 그 위에 BCuP-5가 용융되면서 전기접점 방향으로 흘러 응고되었다. 상기 현상은 전기 차단이 이루어질 경우, 아크 집중을 야기하므로 용접시 제어되어야 한다. 따라서 본 발명에 의해 제조된 BCuP-5가 결합된 텅스텐-은 전기접점(발명예1)이 결합력과 용접성에서 우수한 성능을 나타낸다는 것을 알 수 있다.Inventive Example 1 and Comparative Example 1 were bonded to a copper terminal by spot welding, and are shown in FIGS. 4 (Inventive Example 1) and 5 (Comparative Example 1), respectively. As can be seen from FIG. 4, even though BCuP-5 is melted after spot welding, tungsten-silver solidifies in the direction of the copper terminal due to low wettability with the electrical contact. On the other hand, as can be seen in Figure 5, Comparative Example 1 was applied to the tungsten-silver electrical contact surface while the silver layer was melted, and BCuP-5 was melted thereon to flow and solidify in the electrical contact direction. This phenomenon should be controlled during welding as it causes arc concentration when electrical interruption is made. Therefore, it can be seen that the tungsten-bonded tungsten- BCuP-5 produced by the present invention exhibits excellent performance in bonding strength and weldability.
도1은 본 발명의 텅스텐계 전기접점, BCuP 계열 솔더 및 지그의 적층 형상을 나타낸 모식도이다.Figure 1 is a schematic diagram showing the laminated shape of the tungsten-based electrical contact, BCuP-based solder and jig of the present invention.
도2는 발명예1의 결합 단면을 SEM으로 관찰한 사진이다.2 is a photograph observing the bonding cross section of Inventive Example 1. FIG.
도3은 비교예1의 결합 단면을 SEM으로 관찰한 사진이다.3 is a SEM photograph of the bonding cross section of Comparative Example 1. FIG.
도4는 발명예1과 구리단자를 스팟용접하여 접합시킨 형상의 사진이다.4 is a photograph of the shape in which the invention example 1 and the copper terminal were welded by spot welding.
도5는 비교예1과 구리단자를 스팟용접하여 접합시킨 형상의 사진이다.5 is a photograph of a shape in which a comparative example 1 and a copper terminal were welded by spot welding.
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2009
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