KR101144401B1 - 투명 도전막 - Google Patents

투명 도전막 Download PDF

Info

Publication number
KR101144401B1
KR101144401B1 KR1020080114587A KR20080114587A KR101144401B1 KR 101144401 B1 KR101144401 B1 KR 101144401B1 KR 1020080114587 A KR1020080114587 A KR 1020080114587A KR 20080114587 A KR20080114587 A KR 20080114587A KR 101144401 B1 KR101144401 B1 KR 101144401B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon nanotube
transparent conductive
conductive film
metallic
disposing
Prior art date
Application number
KR1020080114587A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100022904A (ko
Inventor
홍승훈
성문규
Original Assignee
서울대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울대학교산학협력단 filed Critical 서울대학교산학협력단
Publication of KR20100022904A publication Critical patent/KR20100022904A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101144401B1 publication Critical patent/KR101144401B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/045—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using resistive elements, e.g. a single continuous surface or two parallel surfaces put in contact
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides

Abstract

탄소 나노튜브 네트워크 및 인듐 주석 산화물 복합체를 포함하는 투명 도전막 및 그러한 투명 도전막을 제조하는 방법이 개시된다.

Description

투명 도전막{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS}
본 개시는 투명 도전막(transparent conductive film)에 관한 것이다.
광학적으로 투명하면서 전기적으로 도전성인 투명 도전막은 예컨대 터치 스크린, 액정 디스플레이 장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 유기 발광 다이오드(OLED), 전계방출 디스플레이(FED) 등의 평판 디스플레이 장치, 투명 전자파 방해(EMI) 차폐 막, 투명 발열 막, 가스 센서, 태양 전지, 광통신용 평면 안테나 등 다양한 분야에서 유용하게 이용될 수 있다. 본 개시에서는, 어떤 물질로 이루어진 하나의 층 또는 다양한 물질들로 이루어진 일련의 층들이 가시광 파장 영역(즉, 400nm-800nm 영역) 내에서 입사광의 적어도 50% 이상을 해당 층 또는 층들을 통하여 투과되도록 하는 경우, 그와 같은 층들을 광학적으로 "투명"하다거나 "투명성"을 갖는다고 한다.
종래의 투명 도전막은 금속 산화물, 예컨대 인듐 주석 산화물(ITO)(에 제한되는 것은 아님)을 포함하는데, 인듐 주석 산화물은 비교적 양호한 전기 도전성과 함께 광학적 투명성을 제공한다. 그러나, 은, 구리 등의 금속과 비교하면, 인듐 주석 산화물 기반 막(ITO based film)은 상대적으로 전기 도전성이 떨어지고 따라 서 전술한 각종 응용 분야 중 몇몇에서 이용될 경우 제한된 전기적 성능을 보인다. 또한, 인듐 주석 산화물 기반 막은 기계적인 관점에서 비교적 연약하기 때문에 마찰 저항성이 좋지 못하다. 나아가, 최근 디스플레이 산업의 급속한 성장 및 팽창으로 인하여, 인듐 주석 산화물의 주요 성분 중 하나인 인듐의 가격이 급속하게 증가하고 있고 그에 따라 인듐 공급이 제한적이다. 그러므로, 인듐 주석 산화물로만 구성된 투명 도전막은, 앞서 언급한 응용 분야들 중 일부 분야에서는, 물리적 및 경제적 한계를 야기할 수 있다.
이러한 관점에서, 최근에는 탄소 나노튜브(CNT)가 그 광학적 투명성과 전기적 도전성 등의 속성으로 인하여 투명 도전막을 위한 새로운 물질로서 주목을 받고 있다. CNT가 투명 기판에 퇴적되는 경우에는, 원통형의 CNT들이 기판에 CNT 네트워크(CNT network)를 형성함으로써 해당 기판이 양호한 전기적 도전성을 갖게 한다. 또한, CNT가 퇴적된 기판은 CNT의 길이 대 직경 비율(length-to-diameter ratio) 특성으로 인하여 여전히 높은 투명도를 유지할 수 있다.
그러나, 개별 CNT가 금속에 필적할만한 우수한 도전성을 갖는데 비해, CNT 네트워크는 보통 그 네트워크를 이루는 개별 CNT들 간의 빈 공간으로 인하여 상대적으로 낮은 전기 도전성을 갖게 된다. 따라서, CNT 네트워크를 포함하는 투명 도전막은 개별 CNT들의 높은 전기 도전성과 동등한 정도의 충분한 면 도전성(sheet conductance)을 달성하지 못하고 있다.
투명 도전막, 그러한 투명 도전막을 제조하는 방법, 그리고 그러한 투명 도전막의 다양한 응용예가 제공된다. 일 실시예에서, 투명 도전막은 탄소 나노튜브 네트워크와 인듐 주석 산화물 복합체를 포함한다.
전술한 내용은, 이하 상세한 설명에서 기술될 개념들을 단순화된 형태로 조합한 것이다. 즉, 전술한 내용은 본 개시의 청구범위에 관한 핵심 특징들이나 본질적 특징들을 인식시키고자 의도된 것은 아니며, 본 개시의 청구범위를 제한하고자 의도된 것도 아니다.
이하, 상세한 설명에서, 본 개시의 일부를 이루는 첨부 도면을 참조하여 실시예에 관해 상세히 설명한다. 도면에서, 유사한 도면 부호는 일반적으로 유사한 구성요소를 나타낸다. 다른 언급이 없으면, 상세한 설명, 도면 및 청구범위에 개시된 예시적인 실시예들은 본 개시의 내용을 제한하기 위한 것이 아니다. 그와 다른 실시예들이 이용될 수 있고, 본 개시에서 제시되는 취지나 범위를 벗어남이 없이 다양한 변형이 가능하다는 점을 알아야 한다. 본 개시에서, 일반적으로 기술되고 도면에 도시된 구성 요소들은, 광범위한 다양한 구성으로 배치, 교체, 결합 및 설계될 수 있고, 이는 모두 명시적으로 예상된 것으로서 본 개시의 일부를 이루는 것이다.
본 개시에는 탄소 나노튜브 네트워크(carbon nanotube network) 및 인듐 주석 산화물(indium tin oxide) 복합체를 포함하는 투명 도전막(transparent conductive film)이 제공된다.
일 실시예에서, 탄소 나노튜브 네트워크 및 인듐 주석 산화물 복합체는 탄소 나노튜브 네트워크 층(carbon nanotube network layer)과 탄소 나노튜브 네트워크 층 위에 배치된 인듐 주석 산화물 층을 포함한다.
다른 실시예에서, 탄소 나노튜브 네트워크 층은 금속성 단일벽 탄소 나노튜브 네트워크 층(metallic single walled carbon nanotube network layer)을 포함한다.
다른 실시예에서, 탄소 나노튜브 네트워크 층은 금속성 다중벽 탄소 나노튜브 네트워크 층(metallic multi walled carbon nanotube network layer)을 포함한다.
본 개시에는, 또한 탄소 나노튜브 네트워크 및 인듐 주석 산화물 복합체를 포함하는 투명 도전막을 제조하는 방법이 제공된다. 이러한 방법은, 투명 기판을 제공하는 단계, 투명 기판에 금속성 타입의 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계, 금속성 탄소 나노튜브 용액으로 금속성 탄소 나노튜브 네트워크 층을 형성하는 단계, 및 금속성 탄소 나노튜브 네트워크 층 위에 인듐 주석 산화물 층을 배치하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 금속성 탄소 나노튜브 네트워크 층을 형성하는 단계는 레이저 어블레이션(laser ablation), 탄소 아크(carbon arc) 또는 화학적 기상 증착(CVD) 중 적어도 하나를 이용하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 금속성 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계는, 용매에 탄 소 나노튜브 파우더를 분산시켜서 탄소 나노튜브 용액을 조성하는 단계, 및 탄소 나노튜브 용액으로부터 금속성 탄소 나노튜브 용액을 분리하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 금속성 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계는 금속성 단일벽 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 금속성 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계는 금속성 다중벽 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 탄소 나노튜브 용액을 분리하는 단계는 구조 구별적 계면 활성제(structure discriminating surfactant)를 이용하는 밀도-기울기 초원심 분리 기법(density-gradient ultracentrifugation technique)을 이용하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 투명 기판에 금속성 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계는 스프레이 코팅 기법 또는 딥 코팅 기법 중 적어도 하나를 이용하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 인듐 주석 산화물 층을 배치하는 단계는 스퍼터링 기법 또는 화학적 기상 증착 기법 등을 이용하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 금속성 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계 및 금속성 탄소 나노튜브 층 위에 상기 인듐 주석 산화물 층을 배치하는 단계를 한번 이상 번갈아 반복하는 단계를 더 포함한다.
다른 실시예에서, 투명 도전막을 어닐링하는 단계를 더 포함한다.
본 개시에는, 또한 터치 스크린이 제공된다. 터치 스크린은 투명 기판, 투 명 기판에 배치되는 제1 투명 도전막, 제1 투명 도전막에 대향하여 배치된 제2 투명 도전막, 및 제1 투명 도전막과 제2 투명 도전막 사이에 배치되는 에어 갭 층을 포함한다. 제1 투명 도전막 및 제2 투명 도전막은 탄소 나노튜브 네트워크 및 인듐 주석 산화물 복합체를 포함한다.
다른 실시예에서, 에어 갭 층에 복수의 도트 스페이서가 배치되어 제1 투명 도전막과 제2 투명 도전막 사이의 공간을 유지시킨다.
도 1은 투명 도전막(100)의 예시적인 실시예의 개략도이다. 도시된 바에 의하면, 투명 도전막(100)은 기판(102) 상의 탄소 나노튜브 네트워크 층(104)과 탄소 나노튜브 네트워크 층(104) 위에 적층된 인듐 주석 산화물(ITO) 층(106)을 포함하도록 구성된다.
기판(102)은 광학적으로 투명한 물질, 예컨대 PET, 유리, 플라스틱, 세라믹 등의 물질로 구성될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 특히, 플라스틱 막 등의 연성 기판이 이용되는 경우, 그에 따른 결과로서의 도전막도 양호한 연성을 가질 수 있다.
CNT 네트워크 층(104)은 기판(102)에 배치된다. 일 실시예에서, CNT 네트워크 층(104)은 기판(102)에 CNT 용액을 도포함으로써 형성될 수 있다. 예컨대, CNT 네트워크 층(104)은 스프레이 코팅 방법, 딥 코팅 방법 등을 포함한 다양한 방법들을 통하여 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
CNT는 단일벽 탄소 나노튜브(single-walled carbon nanotubes), 이중벽 탄소 나노튜브(double-walled carbon nanotubes), 다중벽 탄소 나노튜브(multi-walled carbon nanotubes)로 분류될 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 이들 CNT의 형태는 레이저 어블레이션(laser ablation), 탄소 아크(carbon arc), 화학적 기상 증착(CVD) 등을 비롯한 여러 가지 방법들에 의해 합성될 수 있다. 이들 중, 단일벽 탄소 나노튜브는 양호한 기계적 속성에 더하여 특히 우수한 전기적 도전성을 갖는다. 일 실시예에서, CNT 네트워크 층(104)은 상대적으로 뛰어난 도전성을 갖는 단일벽 탄소 나노튜브로 구성될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서는, CNT 네트워크 층(104)이 금속성 속성(metallic properties)을 갖는 다중벽 탄소 나노튜브로 구성될 수도 있다.
ITO 층(106)이 CNT 네트워크 층(104) 상에 배치된다. 일 실시예에서, ITO 층(106)은 스퍼터링, 화학적 기상 증착(CVD), 스프레이 열분해(spray pyrolysis) 방법들을 포함하되 이들로 제한되는 것은 아닌 다양한 방법들을 통하여 CNT 네트워크 층(104)의 위쪽 표면 위에 퇴적될 수 있다.
도 2는 투명 도전막을 제조하는 방법에 관한 예시적 실시예를 보여주는 흐름도이다. 블록 202에서, 광학적으로 투명한 기판이 준비된다. 도 1과 관련하여 앞서 설명한 것처럼, 기판은, 예컨대 PET, 유리, 플라스틱, 세라믹 등으로 구성될 수 있다. 연성의 디스플레이 패널을 위해서는, 통상적인 유리보다는 연성 플라스틱 등의 연성 기판을 이용하는 것이 바람직할 수 있다.
블록 204에서, 기판 상에 퇴적될 금속성 CNT 용액이 준비된다. 일 실시예에서, 탄소 나노튜브 용액은 먼저 탄소 나노튜브 파우더를 적절한 용매에 분산시킴으로써 준비될 수 있다. 용매는 당업계에 알려진 다수의 다양한 물질들 가운데서 적 절하게 선택될 수 있다. 일 실시예에서, 탄소 나노튜브는 단일 벽 CNT일 수 있다. 또는, 다른 실시예에서, 이미 금속성 속성을 갖고 있는 다중벽 CNT가 이용될 수도 있다.
합성된 상태 그대로의 단일벽 CNT들은 다양한 직경 및 키랄각(chiral angle)을 가질 수 있다. 그러므로, 이러한 물리적 다양성은 그 전자적 특성 및 광학적 특성에 영향을 미칠 수 있다. 일부 단일벽 CNT는 금속성 속성들을 보일 수 있는 반면 다른 일부는 반도체성의 속성들을 보일 수 있다. 그러므로, 원하는 금속성 단일벽 CNT를 얻기 위해서는 탄소 나노튜브 용액의 분리 공정이 이용될 수 있다.
일 실시예에서, 분리 공정은 하나 이상의 구조 구별적 계면 활성제(structure discriminating surfactants)를 이용하여 밀도 기울기 초원심 분리(density-gradient ultracentrifugation) 기법을 통하여 수행될 수 있다. 이러한 기법은 다양한 구조를 갖는 단일벽 CNT들의 부유 밀도(buoyant density)의 차이를 이용할 수 있다. 이러한 기법의 경우, 초원심 분리에 의하여 밀도 기울기를 따라 정제(purification)가 이루어질 수 있다. 발생하는 구심력에 대응하여, 각 부유 밀도의 입자 침전물들이 그 밀도 기울기로 인하여 공간적으로 분리될 수 있다.
블록 206에서, 준비된 금속성 CNT 용액이 기판에 흡착되어 CNT 네트워크 층을 형성한다. 일 실시예에서, 금속성 CNT 용액은 스프레이 코팅이나 딥 코팅 등의 기법을 통하여 기판 위에 흡착되어 기판 상에서 CNT 네트워크 층을 형성할 수 있다.
그런 다음, 블록 208에서, ITO 층이 CNT 층 위쪽에 증착될 수 있다. 일 실 시예에서, ITO 층은 스퍼터링 기법을 통하여 증착될 수 있다. 이러한 경우, 적절한 비율의 인듐과 주석을 포함하는 혼합 파우더가 형성되고, ITO 증착 소스 타겟(ITO deposition source target)을 형성하도록 소결될 수 있다. 그런 다음, 그러한 ITO 소스 타겟을 이용하여, ITO 층이 CNT 층 위에 배치되도록 쳄버 내에서 스퍼터링이 수행될 수 있다. 이와 달리, 화학적 기상 증착(CVD) 방법이 CNT 층에 ITO 층을 퇴적하도록 이용될 수 있다. 이러한 경우, 그에 따라 얻어지는 ITO 층의 두께는 상대적으로 제어 가능하고 균일할 수 있다.
일 실시예에서는, 블록 210에서 복수의 CNT 층 및 ITO 층이 번갈아 퇴적되어 다층 구조의 두꺼운 막을 형성할 수 있다. 또한, 일 실시예에서, CNT 및 ITO 층의 퇴적 이후에, 블록 212에서는 접촉 저항을 개선하기 위하여 막을 어닐링(annealing)할 수 있다.
도 3은 투명 도전막을 이용하는 터치 스크린(300)의 예시적 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다. 도시된 바에 의하면, 터치 스크린(300)은 기판(302)과 기판(302) 상에 형성된 제1 투명 도전막(304)을 포함한다. 터치 스크린(300)은 또한 제2 투명 도전막(306)을 포함한다. 제1 및 제2 투명 도전막(304, 306)은, 도 1에 도시된 바와 같은 CNT 네트워크 층과 ITO 층을 포함한 복합 필름일 수 있다. 제1 및 제2 투명 도전 막(304, 306)은 서로 간에 에어 갭 층(308)을 개재한 채 서로 대향하도록 배치될 수 있다. 에어 갭 층(308)에는, 복수의 도트 스페이서(310)가 배치되어 제1 및 제2 투명 도전막(304, 306) 간의 공간이 유지되도록 할 수 있다. ITO 물질로만 구성된 투명 도전막을 갖는 통상적 터치 스크린에 비하면, 터치 스크 린(300)은 개선된 전기 도전성 및 개선된 기계적 안정성을 가질 수 있다.
지금까지, 본 개시의 다양한 실시예들이 예시적인 목적으로 기술되었으며, 본 개시의 사상과 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능하다는 점을 알아야 한다. 따라서, 본 개시에 개시된 다양한 실시예들은 다음의 특허청구범위에 의하여 표시되는 진정한 사상과 범위에 대해 어떠한 한정을 하려고 의도된 것이 아님을 알아야 한다.
도 1은 투명 도전막의 예시적 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 투명 도전막을 제조하기 위한 방법의 예시적 실시예를 보여주는 흐름도이다.
도 3은 투명 도전막을 이용한 터치 스크린의 예시적 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 탄소 나노튜브 네트워크 및 인듐 주석 산화물 복합체를 포함하는 투명 도전막을 제조하는 방법으로서,
    투명 기판을 제공하는 단계,
    용매에 탄소 나노튜브 파우더를 분산시켜서 탄소 나노튜브 용액을 조성하고, 구조 구별적 계면 활성제(structure discriminating surfactant)를 이용하는 밀도-기울기 초원심 분리 기법(density-gradient ultracentrifugation technique)을 사용하여 상기 탄소 나노튜브 용액으로부터 금속성 탄소 나노튜브 용액을 분리함으로써, 상기 투명 기판에 상기 금속성 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계,
    상기 금속성 탄소 나노튜브 용액으로 금속성 탄소 나노튜브 네트워크 층을 형성하는 단계, 및
    상기 금속성 탄소 나노튜브 네트워크 층 위에 인듐 주석 산화물 층을 배치하는 단계
    를 포함하는 투명 도전막 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 금속성 탄소 나노튜브 네트워크 층을 형성하는 단계는, 레이저 어블레이션(laser ablation), 탄소 아크(carbon arc) 또는 화학적 기상 증착(CVD) 중 적어도 하나를 이용하는 단계를 포함하는 투명 도전막 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 금속성 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계는, 금속성 단일벽 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계를 포함하는 투명 도전막 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 투명 기판에 금속성 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계는, 스프레이 코팅 기법 또는 딥 코팅 기법 중 적어도 하나를 이용하는 단계를 포함하는 투명 도전막 제조 방법.
  12. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 인듐 주석 산화물 층을 배치하는 단계는, 스퍼터링 기법 또는 화학적 기상 증착 기법 중 적어도 하나를 이용하는 단계를 포함하는 투명 도전막 제조 방법.
  13. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 금속성 탄소 나노튜브 용액을 배치하는 단계 및 상기 금속성 탄소 나노튜브 네트워크 층 위에 인듐 주석 산화물 층을 배치하는 단계를 번갈아 한번 이상 반복하는 투명 도전막 제조 방법.
  14. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 투명 도전막을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 투명 도전막 제조 방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
KR1020080114587A 2008-08-20 2008-11-18 투명 도전막 KR101144401B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/195,356 US20100045610A1 (en) 2008-08-20 2008-08-20 Transparent conductive films
US12/195,356 2008-08-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100022904A KR20100022904A (ko) 2010-03-03
KR101144401B1 true KR101144401B1 (ko) 2012-05-10

Family

ID=41695898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080114587A KR101144401B1 (ko) 2008-08-20 2008-11-18 투명 도전막

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100045610A1 (ko)
JP (2) JP2010050078A (ko)
KR (1) KR101144401B1 (ko)
CN (1) CN101656122A (ko)
DE (1) DE102008060074A1 (ko)
WO (1) WO2010021433A1 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9018030B2 (en) * 2008-03-20 2015-04-28 Symbol Technologies, Inc. Transparent force sensor and method of fabrication
US20100045610A1 (en) * 2008-08-20 2010-02-25 Snu R&Db Foundation Transparent conductive films
US8988191B2 (en) * 2009-08-27 2015-03-24 Symbol Technologies, Inc. Systems and methods for pressure-based authentication of an input on a touch screen
FI127197B (fi) * 2009-09-04 2018-01-31 Canatu Oy Kosketusnäyttö ja menetelmä kosketusnäytön valmistamiseksi
CN102033669B (zh) * 2009-09-24 2013-08-14 群康科技(深圳)有限公司 电容式触控面板
CN102063214B (zh) * 2009-11-18 2017-05-24 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
DE102009054435A1 (de) * 2009-11-25 2011-05-26 Kechter, Andreas, Dipl.-Ing. Heizbarer Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung
US8963874B2 (en) 2010-07-31 2015-02-24 Symbol Technologies, Inc. Touch screen rendering system and method of operation thereof
EP2465966A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-20 Innovation & Infinity Global Corp. Transparent conductive structure and method of making the same
CN102169963A (zh) * 2010-12-22 2011-08-31 涂洪明 一种碳薄层电极
CN102176348B (zh) * 2011-01-10 2012-09-05 东华大学 基于纺织品模板制备铟锡氧化物/pdms树脂导电材料
KR101795419B1 (ko) * 2011-01-26 2017-11-13 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
CN102173133A (zh) * 2011-02-28 2011-09-07 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种包含金属纳米结构导电层的复合功能夹层玻璃
CN102176351B (zh) * 2011-03-08 2012-08-29 东华大学 滤纸模板法制备ito/pdms导电复合材料的方法
CN102736809A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 宇辰光电股份有限公司 可加速反应时间与防止干扰的触屏面板
TWI581135B (zh) * 2011-09-30 2017-05-01 加拿都公司 觸感薄膜、觸感裝置及電子裝置
CN103050169B (zh) * 2013-01-23 2015-06-03 南京苏展智能科技有限公司 一种柔性透明电极及其制备方法
DE102013105364B4 (de) * 2013-05-24 2024-02-01 Pictiva Displays International Limited Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
CN105489313B (zh) * 2014-09-17 2017-09-01 谢建德 高导电性基板及其制作方法
KR102431902B1 (ko) * 2015-05-05 2022-08-11 나노-씨, 인크. 다층 투명 전도성 판상 스택의 기계적 보강을 위한 카본 나노튜브계 하이브리드 필름
CN106803586B (zh) * 2017-03-01 2020-04-10 深圳市贝特瑞纳米科技有限公司 一种复合正极材料、其制备方法及包含该复合正极材料的锂离子电池
CN108630708A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 导电基板及其制作方法、显示装置
CN107479777A (zh) * 2017-08-09 2017-12-15 安徽奕辉电子科技有限公司 一种基于纳米材料的电容式触摸屏
CN117275830B (zh) * 2023-09-04 2024-03-29 冷水江市京科电子科技有限公司 一种电容式触摸屏ito薄膜的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060274048A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes
US20060274047A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
US20080048996A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-28 Unidym, Inc. Touch screen devices employing nanostructure networks
KR20080063194A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 (주)탑나노시스 터치패널 및 터치패널의 도전층을 형성하는 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000516708A (ja) * 1996-08-08 2000-12-12 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ナノチューブ組立体から作製された巨視的操作可能なナノ規模の装置
CN1543399B (zh) * 2001-03-26 2011-02-23 艾考斯公司 含碳纳米管的涂层
EP1583715A2 (en) * 2002-12-06 2005-10-12 Eikos, Inc. Optically transparent nanostructured electrical conductors
US20080044651A1 (en) * 2004-06-02 2008-02-21 Mysticmd Inc. Coatings Comprising Carbon Nanotubes
US7378040B2 (en) * 2004-08-11 2008-05-27 Eikos, Inc. Method of forming fluoropolymer binders for carbon nanotube-based transparent conductive coatings
KR100640661B1 (ko) * 2005-08-05 2006-11-01 삼성전자주식회사 ｐ형 광대역 밴드 갭 화합물 반도체층에의 저저항 접촉콘택을 가지는 반도체 소자 및 제조 방법
KR100790216B1 (ko) * 2006-10-17 2008-01-02 삼성전자주식회사 전도성 분산제를 이용한 ｃｎｔ 투명전극 및 그의 제조방법
KR100883737B1 (ko) * 2007-01-17 2009-02-12 삼성전자주식회사 망상 탄소나노튜브 박막층을 포함하는 탄소나노튜브 투명전극 및 그의 제조방법
JP2009301799A (ja) * 2008-06-11 2009-12-24 Sharp Corp 透明導電膜
US20100003511A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 University Of Florida Research Foundation, Inc. Transparent conducting electrode
US20100045610A1 (en) * 2008-08-20 2010-02-25 Snu R&Db Foundation Transparent conductive films

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060274048A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes
US20060274047A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
US20080048996A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-28 Unidym, Inc. Touch screen devices employing nanostructure networks
KR20080063194A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 (주)탑나노시스 터치패널 및 터치패널의 도전층을 형성하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP5571814B2 (ja) 2014-08-13
DE102008060074A1 (de) 2010-04-08
JP2013127985A (ja) 2013-06-27
JP2010050078A (ja) 2010-03-04
KR20100022904A (ko) 2010-03-03
US20100045610A1 (en) 2010-02-25
CN101656122A (zh) 2010-02-24
WO2010021433A1 (en) 2010-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101144401B1 (ko) 투명 도전막
Feng et al. Flexible, stretchable, transparent conducting films made from superaligned carbon nanotubes
JP4648451B2 (ja) 電子素子
CN101779187B (zh) 使用碳纳米颗粒和金属纳米颗粒的触摸屏
Hecht et al. Emerging transparent electrodes based on thin films of carbon nanotubes, graphene, and metallic nanostructures
Wassei et al. Graphene, a promising transparent conductor
Fuh et al. Pattern transfer of aligned metal nano/microwires as flexible transparent electrodes using an electrospun nanofiber template
Han et al. Flexible transparent electrodes for organic light-emitting diodes
US20140158411A1 (en) Substrate having transparent electrode for flexible display and method of fabricating the same
Schrage et al. Flexible and transparent SWCNT electrodes for alternating current electroluminescence devices
CN103928637B (zh) 碳纳米管透明复合电极的制备方法
CN103068573A (zh) 透明导电膜、带透明导电膜的基材及使用其的有机电致发光元件
Adetayo et al. Improvements of organic light‐emitting diodes using graphene as an emerging and efficient transparent conducting electrode material
Martinez et al. Silver nanowires on carbon nanotube aerogel sheets for flexible, transparent electrodes
CN105039911B (zh) 一种透明导电薄膜及其制备方法
KR20140133317A (ko) 은 나노와이어 및 은 격자 복합 패턴을 포함하는 투명전극 및 이의 제조방법
Słoma et al. Transparent electrodes with nanotubes and graphene for printed optoelectronic applications
CN106716663A (zh) 柔性基底及其制造方法
Kim et al. Improving the flexibility of large-area transparent conductive oxide electrodes on polymer substrates for flexible organic light emitting diodes by introducing surface roughness
Cui et al. Flexible organic light-emitting devices with a smooth and transparent silver nanowire electrode
CN105957646A (zh) 导电薄膜的制备方法
CN105931757A (zh) 一种制备导电薄膜的方法
Cho et al. Transparent and flexible electrode composed of a graphene multilayer interlayer-doped with MoO3
US20140124244A1 (en) Conductive plate and film exhibiting electric anisotropy
TWI436957B (zh) 電子元件

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160328

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170323

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180402

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee