KR101144068B1 - Apparatus and method for manufacturing of thin film type solar cell - Google Patents

Apparatus and method for manufacturing of thin film type solar cell Download PDF

Info

Publication number
KR101144068B1
KR101144068B1 KR1020100036431A KR20100036431A KR101144068B1 KR 101144068 B1 KR101144068 B1 KR 101144068B1 KR 1020100036431 A KR1020100036431 A KR 1020100036431A KR 20100036431 A KR20100036431 A KR 20100036431A KR 101144068 B1 KR101144068 B1 KR 101144068B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
flexible substrate
roller
thin film
shower head
Prior art date
Application number
KR1020100036431A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110116806A (en
Inventor
김태훈
박원석
김용현
서정호
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020100036431A priority Critical patent/KR101144068B1/en
Publication of KR20110116806A publication Critical patent/KR20110116806A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101144068B1 publication Critical patent/KR101144068B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 가요성 기판의 평탄도를 균일하게 하여 가요성 기판에 형성되는 막질의 균일도를 향상시킴과 아울러 장비의 크기를 감소시켜 대형화를 가능하게 할 수 있도록 한 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로, 박막형 태양전지의 제조 장치는 플라즈마 공정을 통해 가요성 기판에 박막을 형성하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부에 회전 가능하도록 설치되어 상기 가요성 기판을 지지하는 기판 지지 롤러; 및 상기 기판 지지 롤러의 원주곡면에 대향되는 곡면을 포함하도록 상기 공정 챔버의 내부에 설치되어 상기 플라즈마 공정을 수행하기 위한 샤워 헤드를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The present invention improves the uniformity of the film quality formed on the flexible substrate by uniformizing the flatness of the flexible substrate, and also reduces the size of the equipment, thereby enabling the manufacturing apparatus and method of manufacturing a thin film solar cell. The present invention relates to a thin film solar cell manufacturing apparatus comprising: a process chamber providing a space for forming a thin film on a flexible substrate through a plasma process; A substrate support roller rotatably installed in the process chamber to support the flexible substrate; And a shower head installed in the process chamber so as to include a curved surface opposite to the circumferential curved surface of the substrate support roller.

Description

박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법{APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING OF THIN FILM TYPE SOLAR CELL}Manufacturing apparatus and manufacturing method of thin film solar cell {APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING OF THIN FILM TYPE SOLAR CELL}

본 발명은 태양전지(Solar Cell)에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 가요성 기판의 평탄도를 균일하게 하여 가요성 기판에 형성되는 막질의 균일도를 향상시킴과 아울러 장비의 크기를 감소시켜 대형화를 가능하게 할 수 있도록 한 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell. More specifically, the uniformity of the flatness of the flexible substrate can be improved to improve the uniformity of the film quality formed on the flexible substrate, and the size of the equipment can be reduced to increase the size. The present invention relates to a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a thin film solar cell.

일반적으로, 태양전지는 태양으로부터 지구에 전달되는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하여 에너지를 생산하는 청정 에너지원으로써 지구 온난화 방지를 위한 이산화탄소 발생량을 줄일 수 있다는 장점이 있다.In general, a solar cell is a clean energy source that generates energy by converting light energy transmitted from the sun to the earth into electrical energy, which has an advantage of reducing carbon dioxide generation for preventing global warming.

이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있다. Such a solar cell can be classified into a substrate type solar cell and a thin film solar cell.

기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다. The substrate type solar cell is a solar cell manufactured by using a semiconductor material such as silicon as a substrate, and the thin film type solar cell is a solar cell manufactured by forming a semiconductor in the form of a thin film on a substrate such as glass.

기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하기는 하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다.Although the substrate type solar cell has a somewhat superior efficiency than the thin film type solar cell, there is a limitation in minimizing the thickness in the process and the manufacturing cost is increased due to the use of an expensive semiconductor substrate.

박막형 태양전지는 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지기는 하지만, 얇은 두께로 제조가 가능하고 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다는 장점이 있다.Although thin film type solar cells are somewhat inferior in efficiency to substrate type solar cells, they can be manufactured in a thin thickness and inexpensive materials can be used to reduce manufacturing costs.

일반적으로 박막형 태양전지는 유리 기판을 사용하고 있지만, 경량화, 시공성, 및 양산성을 높일 수 있는 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지에 대한 연구 개발이 활발히 진행되고 있다.In general, a thin film solar cell uses a glass substrate, but research and development of thin film solar cells using a flexible substrate that can increase the weight, constructability, and mass productivity are being actively conducted.

종래의 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지는 가요성 기판 상에 제 1 전극층, 반도체층, 및 제 2 전극층으로 이루어지는 복수의 태양전지 셀을 포함하며, 인접한 태양전지 셀은 서로 전기적으로 직렬 접속된다.A conventional thin film solar cell using a flexible substrate includes a plurality of solar cells composed of a first electrode layer, a semiconductor layer, and a second electrode layer on a flexible substrate, and adjacent solar cell cells are electrically connected in series with each other.

도 1은 종래의 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for schematically illustrating a manufacturing apparatus of a thin film solar cell using a conventional flexible substrate.

도 1을 참조하면, 종래의 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는 외곽 챔버(10), 기판 피딩 롤러(20), 제 1 내지 제 3 공정 챔버 유닛(30, 40, 50), 및 기판 회수 롤러(60)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the apparatus for manufacturing a thin film solar cell using a conventional flexible substrate includes an outer chamber 10, a substrate feeding roller 20, first to third process chamber units 30, 40, and 50. The substrate recovery roller 60 is provided.

외곽 챔버(10)는 제 1 내지 제 3 공정 챔버 유닛(30, 40, 50), 기판 피딩 롤러(20), 및 기판 회수 롤러(60)를 감싸도록 설치된다. 이러한, 외곽 챔버(10)의 내부는 복수의 제 1 진공 펌핑 장치(12, 14)에 의해 진공 상태를 유지한다.The outer chamber 10 is installed to surround the first to third process chamber units 30, 40, and 50, the substrate feeding roller 20, and the substrate recovery roller 60. The interior of the outer chamber 10 is maintained in a vacuum state by the plurality of first vacuum pumping devices 12 and 14.

기판 피딩 롤러(20)는 외곽 챔버(10)의 일측에 설치된다. 이때, 기판 피딩 롤러(20)에는 소정의 길이를 가지는 가요성 기판(FS)이 감겨져 있다. 여기서, 가요성 기판(FS) 상에는 박막형 태양전지의 제 1 전극층(미도시)이 소정 간격으로 형성되어 있다.The substrate feeding roller 20 is installed at one side of the outer chamber 10. At this time, the flexible substrate FS having a predetermined length is wound around the substrate feeding roller 20. Here, the first electrode layer (not shown) of the thin film solar cell is formed at predetermined intervals on the flexible substrate FS.

이러한, 기판 피딩 롤러(20)는 스테핑 롤링(Stepping Rolling) 방식으로 회전하면서 가요성 기판(FS)을 제 1 내지 제 3 공정 챔버 유닛(30, 40, 50)으로 공급한다. 이때, 기판 피딩 롤러(20)와 제 1 공정 챔버 유닛(30) 사이에는 기판 피딩 롤러(20)로부터 제 1 공정 챔버 유닛(30)으로 공급되는 가요성 기판(FS)의 반송을 가이드하기 위한 제 1 가이드 롤러(16)가 설치된다.The substrate feeding roller 20 supplies the flexible substrate FS to the first to third process chamber units 30, 40, and 50 while rotating in a stepping rolling manner. At this time, between the substrate feeding roller 20 and the first process chamber unit 30, a material for guiding the conveyance of the flexible substrate FS supplied from the substrate feeding roller 20 to the first process chamber unit 30. 1 The guide roller 16 is installed.

제 1 내지 제 3 공정 챔버 유닛(30, 40, 50) 각각은 기판 피딩 롤러(20)와 기판 회수 롤러(60) 사이에 배치되도록 외곽 챔버(10) 내부에 설치된다. 이러한, 제 1 내지 제 3 공정 챔버 유닛(30, 40, 50) 각각은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 스테핑 롤링 방식에 따라 기판 피딩 롤러(20)로부터 공급되는 가요성 기판(FS) 상에 반도체층을 형성한다. 이때, 반도체층은 가요성 기판(FS) 상에 순차적으로 형성된 P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층으로 이루어진다. 이에 따라, 제 1 공정 챔버 유닛(30)은 가요성 기판(FS) 상에 P형 반도체층을 형성하고, 제 2 공정 챔버 유닛(40)은 P형 반도체층 상에 I형 반도체층을 형성하고, 제 3 공정 챔버 유닛(50)은 I형 반도체층 상에 N형 반도체층을 형성한다.Each of the first to third process chamber units 30, 40, and 50 is installed in the outer chamber 10 to be disposed between the substrate feeding roller 20 and the substrate recovery roller 60. Each of the first to third process chamber units 30, 40, and 50 may be supplied from the substrate feeding roller 20 according to a stepping rolling method using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). A semiconductor layer is formed on it. In this case, the semiconductor layer includes a P-type semiconductor layer, an I-type semiconductor layer, and an N-type semiconductor layer sequentially formed on the flexible substrate FS. Accordingly, the first process chamber unit 30 forms a P-type semiconductor layer on the flexible substrate FS, and the second process chamber unit 40 forms an I-type semiconductor layer on the P-type semiconductor layer. The third process chamber unit 50 forms an N-type semiconductor layer on the I-type semiconductor layer.

이를 위해, 제 1 내지 제 3 공정 챔버 유닛(30, 40, 50) 각각은 하부 챔버(31), 히터(32), 상부 챔버(33), 샤워 헤드(34), 상부 챔버 승강부(35), 및 제 2 진공 펌핑 장치(36)를 구비한다.To this end, each of the first to third process chamber units 30, 40, and 50 has a lower chamber 31, a heater 32, an upper chamber 33, a shower head 34, and an upper chamber lift 35. And a second vacuum pumping device 36.

하부 챔버(31)는 외곽 챔버(10)의 바닥면에 설치된다.The lower chamber 31 is installed on the bottom surface of the outer chamber 10.

히터(32)는 하부 챔버(31) 내부에 설치되어 스테핑 방식으로 반송되는 가요성 기판(FS)을 소정의 온도로 가열한다.The heater 32 is installed in the lower chamber 31 and heats the flexible substrate FS conveyed by the stepping method to a predetermined temperature.

상부 챔버(33)는 상부 챔버 승강부(35)에 의해 지지되도록 외곽 챔버(10)의 상부에 설치된다. 이러한, 상부 챔버(33)는 상부 챔버 승강부(35)에 의해 승강되어 가요성 기판(FS)을 사이에 두고 하부 챔버(31)에 접촉됨으로써 반응 공간을 형성한다. 이때, 접촉되는 하부 챔버(31)와 상부 챔버(33) 사이에는 실링부재(미도시)가 설치되어 반응 공간을 실링한다.The upper chamber 33 is installed above the outer chamber 10 to be supported by the upper chamber lifting part 35. The upper chamber 33 is elevated by the upper chamber lifting unit 35 to contact the lower chamber 31 with the flexible substrate FS therebetween to form a reaction space. At this time, a sealing member (not shown) is installed between the lower chamber 31 and the upper chamber 33 in contact to seal the reaction space.

샤워 헤드(34)는 상부 챔버(33) 내부에 설치되어 외부로부터 공급되는 공정 가스를 반응 공간에 분사한다.The shower head 34 is installed inside the upper chamber 33 to inject a process gas supplied from the outside into the reaction space.

상부 챔버 승강부(35)는 외곽 챔버(10)와 상부 챔버(33) 간에 설치되어 상부 챔버(33)를 승강시킨다.The upper chamber lifting unit 35 is installed between the outer chamber 10 and the upper chamber 33 to elevate the upper chamber 33.

제 2 진공 펌핑 장치(36)는 외곽 챔버(10)의 바닥면을 관통하여 하부 챔버(31)에 연통되도록 설치되어 반응 공간에 진공 분위기를 형성한다.The second vacuum pumping device 36 is installed to communicate with the lower chamber 31 through the bottom surface of the outer chamber 10 to form a vacuum atmosphere in the reaction space.

기판 회수 롤러(60)는 외곽 챔버(10)의 타측에 설치된다. 이러한, 기판 회수 롤러(60)는 스테핑 롤링 방식으로 회전하는 기판 피딩 롤러(20)와 연동되어 제 1 내지 제 3 공정 챔버 유닛(30, 40, 50)에 의해 공정이 완료된 가요성 기판(FS)을 회수한다. 이때, 제 3 공정 챔버 유닛(50)과 기판 회수 롤러(60) 사이에는 제 3 공정 챔버 유닛(50)으로부터 기판 회수 롤러(60)로 반송되는 가요성 기판(FS)을 가이드하기 위한 제 2 가이드 롤러(18)가 설치된다.The substrate recovery roller 60 is installed at the other side of the outer chamber 10. The substrate recovery roller 60 is connected to the substrate feeding roller 20 which rotates in a stepping rolling manner, and the flexible substrate FS is completed by the first to third process chamber units 30, 40, and 50. Recover. At this time, a second guide for guiding the flexible substrate FS conveyed from the third process chamber unit 50 to the substrate recovery roller 60 between the third process chamber unit 50 and the substrate recovery roller 60. The roller 18 is installed.

이와 같은, 종래의 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는 가요성 기판(FS)에 장력(Tension)을 제공하는 기판 피딩 롤러(20)와 기판 회수 롤러(60)가 공정 챔버 유닛(30, 40, 50)의 외부에 구성되기 때문에 다음과 같은 문제점이 있다.In the conventional apparatus for manufacturing a thin film solar cell using a flexible substrate, the substrate feeding roller 20 and the substrate recovery roller 60 which provide a tension to the flexible substrate FS may include a process chamber unit 30. , 40, 50) is configured outside the following problems.

첫째, 가요성 기판(FS)의 장력이 느슨해지거나 가요성 기판(FS)이 휘어지기 때문에 가요성 기판(FS)의 평탄도가 불균일하게 되어 가요성 기판(FS)에 형성되는 막질이 불균일하다는 문제점이 있다.First, since the tension of the flexible substrate FS is loosened or the flexible substrate FS is bent, the flatness of the flexible substrate FS becomes uneven, so that the film quality formed on the flexible substrate FS is uneven. There is this.

둘째, 가요성 기판(FS)의 크기가 증가할 수록 평탄도가 더욱 불균일하기 때문에 장비의 대형화가 어렵다는 문제점이 있다.Second, as the size of the flexible substrate FS increases, the flatness becomes more uneven, which makes it difficult to increase the size of the equipment.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 가요성 기판의 평탄도를 균일하게 하여 가요성 기판에 형성되는 막질의 균일도를 향상시킴과 아울러 장비의 크기를 감소시켜 대형화를 가능하게 할 수 있도록 한 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and to improve the uniformity of the film quality formed on the flexible substrate by making the flatness of the flexible substrate uniform, and to reduce the size of the equipment to enable the enlargement. It is a technical problem to provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a thin film solar cell.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조 장치는 플라즈마 공정을 통해 가요성 기판에 박막을 형성하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부에 회전 가능하도록 설치되어 상기 가요성 기판을 지지하는 기판 지지 롤러; 및 상기 기판 지지 롤러의 원주곡면에 대향되는 곡면을 포함하도록 상기 공정 챔버의 내부에 설치되어 상기 플라즈마 공정을 수행하기 위한 샤워 헤드를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.An apparatus for manufacturing a thin film solar cell according to the present invention for achieving the above technical problem is a process chamber for providing a space for forming a thin film on a flexible substrate through a plasma process; A substrate support roller rotatably installed in the process chamber to support the flexible substrate; And a shower head installed in the process chamber so as to include a curved surface opposite to the circumferential curved surface of the substrate support roller.

상기 샤워 헤드는 상기 원주곡면에 대응되는 상기 곡면을 포함하도록 아치(Arch) 형태로 형성되거나, 상기 원주곡면에 대응되는 홈 형태의 상기 곡면을 포함하도록 다면체 형태로 형성된 것을 특징으로 한다.The shower head may be formed in an arch shape to include the curved surface corresponding to the circumferential surface, or may be formed in a polyhedral shape to include the curved surface of the groove corresponding to the circumferential surface.

상기 샤워 헤드는 상기 곡면을 포함하는 몸체; 상기 몸체에 접속되어 외부로부터 상기 공정 가스가 공급되는 가스 공급관; 상기 곡면에 형성되어 상기 공정 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 홀; 및 상기 가스 공급관에 접속되도록 상기 몸체에 형성되어 상기 가스 공급관으로부터 공급되는 상기 공정 가스가 상기 복수의 가스 분사 홀에 균일하게 공급되도록 분배하는 배플(Baffle)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The shower head includes a body including the curved surface; A gas supply pipe connected to the body to supply the process gas from the outside; A plurality of gas injection holes formed on the curved surface to inject the process gas; And a baffle formed in the body so as to be connected to the gas supply pipe and distributing the process gas supplied from the gas supply pipe to be uniformly supplied to the plurality of gas injection holes.

상기 샤워 헤드는 상기 원주곡면에 대향되도록 적어도 3개로 분할된 분할 샤워 헤드들을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The shower head is configured to include at least three divided shower heads to be opposed to the circumferential surface.

상기 분할 샤워 헤드들 각각은 상기 원주곡면에 대향되도록 배치된 분할 몸체; 상기 분할 몸체에 접속되어 외부로부터 공정 가스가 공급되는 가스 공급관; 및 상기 분할 몸체에 형성되어 상기 공정 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 홀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the split shower heads may include: a split body disposed to face the circumferential surface; A gas supply pipe connected to the split body to supply a process gas from the outside; And a plurality of gas injection holes formed in the split body to inject the process gas.

상기 분할 샤워 헤드들 각각의 가스 공급관에는 각기 다른 공정 가스를 공급되는 것을 특징으로 한다.Different process gases are supplied to the gas supply pipes of the divided shower heads.

상기 박막형 태양전지의 제조 장치는 상기 기판 지지 롤러를 회전시키거나, 상기 기판 지지 롤러를 승강시켜 상기 가요성 기판과 상기 샤워 헤드 간의 거리를 조절하는 롤러 구동부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The apparatus for manufacturing a thin film solar cell may further include a roller driver configured to rotate the substrate support roller or to elevate the substrate support roller to adjust a distance between the flexible substrate and the shower head.

상기 롤러 구동부는 상기 공정 챔버를 관통하여 상기 기판 지지 롤러를 지지함과 아울러 회전시키기 위한 롤러 구동축; 상기 롤러 구동축에 접속되어 상기 롤러 구동축을 승강시키는 승강 플레이트; 및 상기 승강 플레이트와 상기 공정 챔버 간에 설치되어 상기 롤러 구동축을 밀봉하는 벨로우즈(Bellows)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The roller drive unit includes a roller drive shaft for supporting the substrate support roller and to rotate through the process chamber; An elevating plate connected to the roller drive shaft to elevate the roller drive shaft; And a bellows installed between the elevating plate and the process chamber to seal the roller drive shaft.

상기 박막형 태양전지의 제조 장치는 상기 기판 지지 롤러의 일측에 인접하도록 설치되어 상기 가요성 기판이 상기 기판 지지 롤러의 원주곡면으로 반송되도록 가이드하는 제 1 가이드 롤러; 및 상기 기판 지지 롤러의 타측에 인접하도록 설치되어 상기 가요성 기판이 상기 기판 지지 롤러의 원주곡면으로부터 외부로 반송되도록 가이드하는 제 2 가이드 롤러를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The apparatus for manufacturing a thin film solar cell includes: a first guide roller installed to be adjacent to one side of the substrate support roller to guide the flexible substrate to a circumferential curved surface of the substrate support roller; And a second guide roller installed to be adjacent to the other side of the substrate supporting roller to guide the flexible substrate to the outside from the circumferential curved surface of the substrate supporting roller.

상기 박막형 태양전지의 제조 장치는 상기 기판 지지 롤러에 인접하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 상기 기판 지지 롤러를 소정 온도로 가열하여 상기 가요성 기판을 간접적으로 가열하는 적어도 하나의 기판 가열 부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The apparatus for manufacturing a thin film solar cell further includes at least one substrate heating member installed in the process chamber so as to be adjacent to the substrate supporting roller and indirectly heating the flexible substrate by heating the substrate supporting roller to a predetermined temperature. It is characterized in that the configuration.

상기 기판 가열 부재는 상기 롤러 구동부의 승강에 따라 상기 기판 지지 롤러와 함께 승강되는 것을 특징으로 한다.The substrate heating member is lifted together with the substrate support roller in accordance with the lift of the roller drive unit.

상기 박막형 태양전지의 제조 장치는 상기 기판 지지 롤러로 반송되는 상기 가요성 기판을 소정 온도로 예열하는 제 1 기판 예열 부재; 및 상기 기판 지지 롤러로부터 외부로 반송되는 공정 완료된 가요성 기판을 소정 온도로 예열하는 제 2 기판 예열 부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.An apparatus for manufacturing a thin film solar cell includes a first substrate preheating member for preheating the flexible substrate conveyed by the substrate supporting roller to a predetermined temperature; And a second substrate preheating member for preheating the completed flexible substrate conveyed to the outside from the substrate supporting roller at a predetermined temperature.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막형 태양전지의 제조 방법은 플라즈마 공정을 통해 가요성 기판에 박막을 형성하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버의 내부에 설치되어 상기 가요성 기판을 지지하는 기판 지지 롤러를 회전시키는 단계; 상기 기판 지지 롤러의 회전에 따라 상기 기판 지지 롤러의 원주 곡면에 지지된 상기 가요성 기판을 공정 위치로 반송하는 단계; 상기 기판 지지 롤러의 원주곡면에 대향되는 곡면을 가지도록 상기 공정 챔버의 내부에 설치된 샤워 헤드에 공정 가스를 공급하는 단계; 및 상기 샤워 헤드에 의해 분사되는 상기 공정 가스를 이용한 플라즈마 공정을 수행하여 상기 가요성 기판 상에 상기 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing a thin film solar cell according to the present invention for achieving the above technical problem is installed in the process chamber that provides a space for forming a thin film on the flexible substrate through a plasma process to support the flexible substrate Rotating the substrate support roller; Conveying the flexible substrate supported on the circumferential curved surface of the substrate support roller to a process position according to the rotation of the substrate support roller; Supplying a process gas to a shower head installed inside the process chamber to have a curved surface opposite to the circumferential surface of the substrate support roller; And forming the thin film on the flexible substrate by performing a plasma process using the process gas injected by the shower head.

상기 샤워 헤드에 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 원주곡면에 대향되도록 적어도 3개로 분할된 분할 샤워 헤드에 각기 다른 공정 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.The supplying of the process gas to the shower head may include supplying different process gases to at least three divided shower heads facing the circumferential surface.

상기 박막형 태양전지의 제조 방법은 상기 기판 지지 롤러를 승강시켜 상기 가요성 기판과 상기 샤워 헤드 간의 거리를 조절하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing the thin film solar cell may further include adjusting the distance between the flexible substrate and the shower head by elevating the substrate supporting roller.

상기 박막형 태양전지의 제조 방법은 상기 기판 지지 롤러에 인접하도록 설치된 적어도 하나의 기판 가열 부재를 통해 상기 기판 지지 롤러를 소정 온도로 가열하여 상기 가요성 기판을 간접적으로 가열하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing the thin film solar cell further includes indirectly heating the flexible substrate by heating the substrate support roller to a predetermined temperature through at least one substrate heating member disposed adjacent to the substrate support roller. It features.

상기 박막형 태양전지의 제조 방법은 상기 기판 지지 롤러로 반송되는 상기 가요성 기판을 소정 온도로 예열하는 단계; 및 상기 기판 지지 롤러로부터 외부로 반송되는 공정 완료된 가요성 기판을 소정 온도로 예열하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing the thin film solar cell includes the steps of preheating the flexible substrate conveyed by the substrate supporting roller to a predetermined temperature; And preheating the processed flexible substrate which is conveyed to the outside from the substrate supporting roller to a predetermined temperature.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법은 기판 지지 롤러의 원주곡면에 대응되는 곡면을 포함하는 샤워 헤드를 이용한 플라즈마 공정을 통해 가요성 기판 상에 박막을 형성함으로써 플라즈마 공정시 가요성 기판의 평탄도를 균일하게 하여 가요성 기판에 형성되는 막질의 균일도를 향상시킴과 아울러 장비의 크기를 감소시켜 대형화를 가능하게 할 수 있다는 효과를 제공한다.As described above, the apparatus and method for manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the present invention are a thin film on the flexible substrate through a plasma process using a shower head including a curved surface corresponding to the circumferential surface of the substrate support roller. By forming the same, the flatness of the flexible substrate can be made uniform during the plasma process, thereby improving the uniformity of the film quality formed on the flexible substrate and reducing the size of the equipment, thereby providing an effect of enabling the enlargement.

도 1은 종래의 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 본 발명에 따른 샤워 헤드를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 기판 지지 롤러의 승강을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 기판 지지 롤러 및 기판 가열 부재의 승강을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for schematically illustrating a manufacturing apparatus of a thin film solar cell using a conventional flexible substrate.
2 is a view for schematically explaining a manufacturing apparatus of a thin film solar cell using a flexible substrate according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view for schematically explaining a shower head according to the present invention shown in FIG.
4 is a view for explaining the lift of the substrate support roller shown in FIG. 2.
5A and 5B are views for explaining a method of manufacturing a thin film solar cell using a flexible substrate according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram schematically illustrating an apparatus for manufacturing a thin film solar cell using a flexible substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention.
It is a figure for demonstrating the lifting of the board | substrate support roller and board | substrate heating member which are shown in FIG.
8 is a view for schematically explaining a manufacturing apparatus of a thin film solar cell using a flexible substrate according to a third embodiment of the present invention.
9 is a view for schematically explaining a manufacturing apparatus of a thin film solar cell using a flexible substrate according to a fourth embodiment of the present invention.
10 is a view for schematically explaining a manufacturing apparatus of a thin film solar cell using a flexible substrate according to a fifth embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for schematically explaining a manufacturing apparatus of a thin film solar cell using a flexible substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는 외곽 챔버(100), 공정 챔버(200), 기판 지지 롤러(300), 샤워 헤드(400), 롤러 구동부(500), 기판 가열 부재(600), 제 1 및 제 2 기판 예열 부재(710, 720)를 포함하여 구성된다.2, the apparatus for manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the first exemplary embodiment of the present invention includes an outer chamber 100, a process chamber 200, a substrate support roller 300, and a shower head 400. ), The roller driver 500, the substrate heating member 600, and the first and second substrate preheating members 710 and 720.

외곽 챔버(100)는 공정 챔버(200)를 감싸도록 설치된다. 이러한, 외곽 챔버(100)의 내부 압력은 복수의 제 1 펌핑 장치(102)에 의해 소정의 압력으로 낮아진 상태를 유지한다.The outer chamber 100 is installed to surround the process chamber 200. The internal pressure of the outer chamber 100 is maintained at a predetermined pressure by the plurality of first pumping devices 102.

한편, 외곽 챔버(100)에는 공정 챔버(200)에 가요성 기판(FS)을 반송함과 아울러 공정 챔버(200)에서 공정 완료된 가요성 기판(FS)을 회수하기 위한, 기판 피딩 롤러(110), 제 1 및 제 2 기판 반송 롤러(120, 130), 기판 회수 롤러(140)가 설치된다.On the other hand, the substrate feeding roller 110 for conveying the flexible substrate FS to the process chamber 200 and recovering the processed flexible substrate FS in the process chamber 200 to the outer chamber 100. , First and second substrate transfer rollers 120 and 130, and substrate recovery roller 140 are provided.

기판 피딩 롤러(110)는 외곽 챔버(100)의 일측에 설치된다. 이때, 기판 피딩 롤러(110)에는 소정의 길이를 가지는 가요성 기판(FS)이 감겨져 있다. 여기서, 가요성 기판(FS) 상에는 박막형 태양전지의 제 1 전극층(미도시)이 소정 간격으로 형성되어 있다. 이러한, 기판 피딩 롤러(110)는 구동 장치(미도시)의 회전에 따라 회전되면서 가요성 기판(FS)을 공정 챔버(200)로 공급한다.The substrate feeding roller 110 is installed at one side of the outer chamber 100. At this time, the flexible substrate FS having a predetermined length is wound around the substrate feeding roller 110. Here, the first electrode layer (not shown) of the thin film solar cell is formed at predetermined intervals on the flexible substrate FS. The substrate feeding roller 110 is rotated in accordance with the rotation of the driving device (not shown) to supply the flexible substrate FS to the process chamber 200.

제 1 기판 반송 롤러(120)는 가요성 기판(FS)이 투입되는 공정 챔버(200)의 기판 로딩부에 인접하도록 설치되어 기판 피딩 롤러(110)에 감겨진 가요성 기판(FS)이 공정 챔버(200)로 반송되도록 한다.The first substrate transfer roller 120 is installed to be adjacent to the substrate loading portion of the process chamber 200 into which the flexible substrate FS is inserted, so that the flexible substrate FS wound around the substrate feeding roller 110 is disposed in the process chamber. To 200.

제 2 기판 반송 롤러(130)는 공정 챔버(200) 내에서 플라즈마 공정이 완료된 가요성 기판(FS)이 외부로 반송되는 공정 챔버(200)의 기판 언로딩부에 인접하도록 설치되어 가요성 기판(FS)이 기판 회수 롤러(140)로 반송되도록 한다.The second substrate transfer roller 130 is installed to be adjacent to the substrate unloading part of the process chamber 200 in which the flexible substrate FS, which has been plasma-processed in the process chamber 200, is transferred to the outside. FS is conveyed to the substrate recovery roller 140.

기판 회수 롤러(140)는 외곽 챔버(100)의 타측에 설치된다. 이러한, 기판 회수 롤러(140)는 기판 피딩 롤러(110)의 회전에 연동되어 공정 챔버(200)에 의해 공정이 완료된 가요성 기판(FS)을 회수한다.The substrate recovery roller 140 is installed at the other side of the outer chamber 100. The substrate recovery roller 140 recovers the flexible substrate FS in which the process is completed by the process chamber 200 in conjunction with the rotation of the substrate feeding roller 110.

공정 챔버(200)는 기판 피딩 롤러(110)와 기판 회수 롤러(140) 사이에 설치되어 플라즈마 공정을 통해 가요성 기판(FS) 상에 박막을 형성하기 위한 공정 공간을 제공한다. 이를 위해, 공정 챔버(200)는 하부 챔버(210), 상부 챔버(220), 제 1 기밀 부재(230) 및 제 2 기밀 부재(240)를 포함하여 구성된다.The process chamber 200 is installed between the substrate feeding roller 110 and the substrate recovery roller 140 to provide a process space for forming a thin film on the flexible substrate FS through a plasma process. To this end, the process chamber 200 includes a lower chamber 210, an upper chamber 220, a first hermetic member 230, and a second hermetic member 240.

하부 챔버(210)는 외곽 챔버(100)의 바닥면에 설치된다.The lower chamber 210 is installed on the bottom surface of the outer chamber 100.

상부 챔버(220)는 하부 챔버(210)를 덮도록 하부 챔버(210) 상에 설치되어 공정 공간을 제공한다.The upper chamber 220 is installed on the lower chamber 210 to cover the lower chamber 210 to provide a process space.

제 1 기밀 부재(230)는 공정 챔버(200)의 기판 로딩부에 대응되는 하부 챔버(210)와 상부 챔버(220)의 일측 경계부에 설치된다. 이러한, 제 1 기밀 부재(230)는 기판 로딩부에 위치한 가요성 기판(FS)의 상면과 상부 챔버(220) 사이를 기밀함과 동시에 가요성 기판(FS)의 하면과 하부 챔버(210) 사이를 기밀한다. 이때, 제 1 기밀 부재(230)는 슬롯 밸브가 될 수 있다.The first hermetic member 230 is installed at one boundary of the lower chamber 210 and the upper chamber 220 corresponding to the substrate loading portion of the process chamber 200. The first hermetic member 230 seals between the upper surface of the flexible substrate FS and the upper chamber 220 at the same time as the substrate loading part, and at the same time between the lower surface of the flexible substrate FS and the lower chamber 210. To be confidential. In this case, the first hermetic member 230 may be a slot valve.

제 2 기밀 부재(240)는 공정 챔버(200)의 기판 언로딩부에 대응되는 하부 챔버(210)와 상부 챔버(220)의 타측 경계부에 설치된다. 이러한, 제 2 기밀 부재(240)는 기판 언로딩부에 위치한 가요성 기판(FS)의 상면과 상부 챔버(220) 사이를 기밀함과 동시에 가요성 기판(FS)의 하면과 하부 챔버(210) 사이를 기밀한다. 이때, 제 2 기밀 부재(240)는 제 1 기밀 부재(230)와 동시에 구동되는 슬롯 밸브가 될 수 있다.The second hermetic member 240 is installed at the other boundary of the lower chamber 210 and the upper chamber 220 corresponding to the substrate unloading portion of the process chamber 200. The second hermetic member 240 seals between the upper surface of the flexible substrate FS positioned in the substrate unloading portion and the upper chamber 220, and at the same time, the lower chamber 210 and the lower chamber 210 of the flexible substrate FS. Confidentiality. In this case, the second hermetic member 240 may be a slot valve driven simultaneously with the first hermetic member 230.

이러한, 공정 챔버(200)의 내부 압력은 복수의 제 2 펌핑 장치(202)에 의해 소정의 압력으로 낮아진 상태를 유지한다.The internal pressure of the process chamber 200 is maintained at a predetermined pressure by the plurality of second pumping devices 202.

한편, 도 2에서는 기판 피딩 롤러(110)와 기판 회수 롤러(140) 사이에 하나의 공정 챔버(200)가 설치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 기판 피딩 롤러(110)와 기판 회수 롤러(140) 사이에 복수의 공정 챔버가 인접하도록 설치되어 서로 다른 플라즈마 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 피딩 롤러(110)와 기판 회수 롤러(140) 사이에는 제 1 내지 제 3 공정 챔버가 설치될 수 있는데, 제 1 공정 챔버에서는 가요성 기판(FS) 상에 P형 반도체층을 형성하고, 제 2 공정 챔버에서는 P형 반도체층 상에 I형 반도체층을 형성하고, 제 3 공정 챔버에서는 I형 반도체층 상에 N형 반도체층을 형성할 수 있다.Meanwhile, although FIG. 2 illustrates that one process chamber 200 is installed between the substrate feeding roller 110 and the substrate recovery roller 140, the substrate feeding roller 110 and the substrate recovery roller 140 are not limited thereto. A plurality of process chambers are disposed to be adjacent to each other to perform different plasma processes. For example, first to third process chambers may be installed between the substrate feeding roller 110 and the substrate recovery roller 140. In the first process chamber, a P-type semiconductor layer may be formed on the flexible substrate FS. The I-type semiconductor layer may be formed on the P-type semiconductor layer in the second process chamber, and the N-type semiconductor layer may be formed on the I-type semiconductor layer in the third process chamber.

기판 지지 롤러(300)는 공정 챔버(200)의 공정 공간에 회전 가능하도록 설치되어 샤워 헤드(400)와 마주보도록 반송되는 가요성 기판(FS)을 지지한다. 이를 위해, 기판 지지 롤러(300)는 원 기둥(또는 드럼) 형태를 가지도록 형성된다.The substrate support roller 300 is rotatably installed in the process space of the process chamber 200 to support the flexible substrate FS that is conveyed to face the shower head 400. To this end, the substrate support roller 300 is formed to have a circular column (or drum) shape.

한편, 기판 지지 롤러(300)의 일측에는 가요성 기판(FS)이 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면으로 반송되도록 가이드하는 제 1 가이드 롤러(250)가 설치되고, 기판 지지 롤러(300)의 타측에는 가요성 기판(FS)이 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면으로부터 외부로 반송되도록 가이드하는 제 2 가이드 롤러(260)가 설치된다. 이에 따라, 공정 챔버(200)의 내부로 반송되는 가요성 기판(FS)은 제 1 및 제 2 가이드 롤러(250, 260)에 의해 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면을 따라 샤워 헤드(400)와 대향되도록 반송되거나 외부로 반송된다.On the other hand, one side of the substrate support roller 300 is provided with a first guide roller 250 for guiding the flexible substrate FS to be conveyed to the circumferential surface of the substrate support roller 300, the substrate support roller 300 On the other side, a second guide roller 260 is installed to guide the flexible substrate FS to the outside from the circumferential curved surface of the substrate support roller 300. Accordingly, the flexible substrate FS conveyed into the process chamber 200 is shower head 400 along the circumferential surface of the substrate support roller 300 by the first and second guide rollers 250 and 260. It is returned so as to face or is returned to the outside.

샤워 헤드(400)는 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대향되는 곡면을 가지도록 공정 챔버(200)의 내부에 설치되어 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대향된다.The shower head 400 is installed inside the process chamber 200 so as to have a curved surface opposite to the circumferential surface of the substrate support roller 300 so as to face the circumferential surface of the substrate support roller 300.

샤워 헤드(400)에는 가요성 기판(FS) 상에 박막을 형성하기 위한 공정 가스가 공급되고, 공정 가스를 플라즈마로 변환하기 위한 고주파 전력이 공급된다. 이때, 공정 가스는 Ar, CF4 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 가요성 기판(FS) 상에 형성될 박막의 재질에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 이러한, 샤워 헤드(400)는 공정 가스를 가요성 기판(FS) 상으로 분사함으로써 고주파 전력에 의해 공정 가스가 플라즈마 상태로 변환되도록 한다. 이를 위해, 샤워 헤드(400)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 몸체(410), 가스 공급관(420), 복수의 가스 분사 홀(430), 및 배플(Baffle)(440)을 포함하여 구성된다.The shower head 400 is supplied with a process gas for forming a thin film on the flexible substrate FS, and a high frequency power for converting the process gas into plasma. In this case, the process gas may be formed of Ar, CF 4, and the like, but is not limited thereto and may be variously changed according to a material of a thin film to be formed on the flexible substrate FS. The shower head 400 sprays the process gas onto the flexible substrate FS to convert the process gas into a plasma state by high frequency power. To this end, the shower head 400, as shown in FIG. 3, includes a body 410, a gas supply pipe 420, a plurality of gas injection holes 430, and a baffle 440. do.

몸체(410)는 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대응되는 곡면(402)을 포함하도록 아치(Arch) 형태로 형성된다. 이러한, 몸체(410)에는 가스 공급관(420)을 통해 외부로부터 고주파 전력이 공급된다. 여기서, 몸체(410)는 알루미늄 이외의 전극용 재질로 형성될 수 있다.The body 410 is formed in an arch shape to include a curved surface 402 corresponding to the circumferential curved surface of the substrate supporting roller 300. The body 410 is supplied with high frequency power from the outside through the gas supply pipe 420. Here, the body 410 may be formed of an electrode material other than aluminum.

가스 공급관(420)은 몸체(410)에 연통되도록 접속되어 외부로부터 공급되는 공정 가스를 배플(440)로 공급한다.The gas supply pipe 420 is connected to communicate with the body 410 to supply the process gas supplied from the outside to the baffle 440.

복수의 가스 분사 홀(430)은 몸체(410)의 곡면(402)에 형성되어 배플(440)에 의해 균일하게 분배되어 공급되는 공정 가스를 가요성 기판(FS) 쪽으로 분사한다. 이때, 복수의 가스 분사 홀(430) 각각은 공정 가스가 가요성 기판(FS)에 균일하게 분사되도록 몸체(410)의 곡면(402)에 일정한 간격 또는 소정 간격으로 형성된다.The plurality of gas injection holes 430 are formed in the curved surface 402 of the body 410 to inject the process gas uniformly distributed by the baffle 440 toward the flexible substrate FS. In this case, each of the plurality of gas injection holes 430 is formed at a predetermined interval or at a predetermined interval on the curved surface 402 of the body 410 so that the process gas is uniformly sprayed on the flexible substrate FS.

배플(440)은 가스 공급관(420)에 연통되도록 몸체(410)의 내부에 형성되어 공정 가스가 복수의 가스 분사 홀(430)을 통해 균일하게 분사되도록 가스 공급관(420)으로부터 공급되는 공정 가스를 균일하게 분배한다. 이러한, 배플(440)에는 복수의 가스 분사 홀(430) 각각에 공급되는 공정 가스의 공급 경로를 균일하게 하기 위한 적어도 하나의 패스 홀(442)이 소정 간격 또는 각기 다른 간격으로 형성된다.The baffle 440 is formed inside the body 410 so as to communicate with the gas supply pipe 420 to supply the process gas supplied from the gas supply pipe 420 so that the process gas is uniformly injected through the plurality of gas injection holes 430. Distribute evenly. In the baffle 440, at least one pass hole 442 is formed at a predetermined interval or at different intervals to uniformize a supply path of the process gas supplied to each of the plurality of gas injection holes 430.

도 2에서, 롤러 구동부(500)는 롤러 구동축(510), 승강 플레이트(520), 및 벨로우즈(Bellows)(530)를 포함하여 구성된다.In FIG. 2, the roller drive unit 500 includes a roller drive shaft 510, a lifting plate 520, and bellows 530.

롤러 구동축(510)은 기판 지지 롤러(300)를 회전 가능하게 지지하도록 공정 챔버(200)의 하부 챔버(210)를 관통하여 설치된다. 이러한, 롤러 구동축(510)은 롤러 구동 장치(미도시)의 구동에 따라 기판 지지 롤러(300)를 소정 각도로 회전시킨다. 이때, 롤러 구동 장치는 스테핑 롤링(Stepping Rolling) 방식에 따라 롤러 구동축(510)을 회전시킬 수 있다.The roller drive shaft 510 is installed through the lower chamber 210 of the process chamber 200 to rotatably support the substrate supporting roller 300. The roller driving shaft 510 rotates the substrate supporting roller 300 at a predetermined angle in accordance with the driving of the roller driving device (not shown). At this time, the roller driving device may rotate the roller drive shaft 510 according to the stepping rolling (Stepping Rolling) method.

승강 플레이트(520)는 롤러 구동축(510)의 끝단에 접속되어 롤러 승강 장치(미도시)의 구동에 따라 롤러 구동축(510)을 소정 높이로 승강시킨다.The elevating plate 520 is connected to the end of the roller drive shaft 510 to elevate the roller drive shaft 510 to a predetermined height according to the driving of the roller elevating device (not shown).

벨로우즈(530)는 롤러 구동축(510)이 관통되는 하부 챔버(210)의 관통 부분을 밀봉하도록 승강 플레이트(520)와 하부 챔버(210) 사이에 설치된다.The bellows 530 is installed between the elevating plate 520 and the lower chamber 210 to seal the through portion of the lower chamber 210 through which the roller drive shaft 510 passes.

이러한, 롤러 구동부(500)는 공정 챔버(200)의 공정 상태에 따라 기판 지지 롤러(300)를 회전시킨다. 또한, 롤러 구동부(500)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지 롤러(300)를 소정 높이로 승강시켜 가요성 기판(FS)에 형성되는 박막의 재질에 따라 가요성 기판(FS)과 샤워 헤드(400) 간의 거리(d)를 조절한다.The roller driver 500 rotates the substrate support roller 300 according to the process state of the process chamber 200. In addition, as shown in FIG. 4, the roller driving unit 500 raises and lowers the substrate supporting roller 300 to a predetermined height according to the material of the thin film formed on the flexible substrate FS. The distance d between the shower heads 400 is adjusted.

적어도 하나의 기판 가열 부재(600)는 기판 지지 롤러(300)에 인접하도록 하부 챔버(210)에 설치되어 기판 지지 롤러(300)를 소정 온도로 가열함으로써 가열된 기판 지지 롤러(300)를 통해 가요성 기판(FS)을 간접적으로 가열한다.The at least one substrate heating member 600 is installed in the lower chamber 210 so as to be adjacent to the substrate supporting roller 300 and is heated through the heated substrate supporting roller 300 by heating the substrate supporting roller 300 to a predetermined temperature. The substrate FS is indirectly heated.

제 1 기판 예열 부재(710)는 공정 챔버(200)의 기판 로딩부에 인접하도록 하부 챔버(210)에 설치되어 기판 지지 롤러(300)로 반송되는 가요성 기판(FS)을 소정 온도로 예열한다.The first substrate preheating member 710 is installed in the lower chamber 210 so as to be adjacent to the substrate loading portion of the process chamber 200 to preheat the flexible substrate FS conveyed to the substrate supporting roller 300 to a predetermined temperature. .

제 2 기판 예열 부재(720)는 공정 챔버(200)의 기판 언로딩부에 인접하도록 하부 챔버(210)에 설치되어 기판 지지 롤러(300)로부터 외부로 반송되는 공정 완료된 가요성 기판(FS)을 소정 온도로 예열한다.The second substrate preheating member 720 is installed in the lower chamber 210 so as to be adjacent to the substrate unloading part of the process chamber 200 to receive the processed flexible substrate FS transferred from the substrate supporting roller 300 to the outside. Preheat to a predetermined temperature.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.5A and 5B are views for explaining a method of manufacturing a thin film solar cell using a flexible substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b를 참조하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to FIGS. 5A and 5B, a method of manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the first embodiment of the present invention is as follows.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판 피딩 롤러(110), 기판 회수 롤러(140), 및 기판 지지 롤러(300)를 회전시켜 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 지지된 가요성 기판(FS)을 공정 위치로 반송한다. 이때, 가요성 기판(FS)은 제 1 기판 예열 부재(710)에 의해 소정 온도로 예열되어 기판 지지 롤러(300)로 반송되고, 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 지지되는 예열된 가요성 기판(FS)은 기판 가열 부재(600)에 의해 가열된 기판 지지 롤러(300)의 온도에 의해 플라즈마 공정을 위한 공정 온도에 대응되도록 가열된다.First, as shown in FIG. 5A, the substrate feeding roller 110, the substrate recovery roller 140, and the substrate support roller 300 are rotated to support a flexible substrate (supported on the circumferential surface of the substrate support roller 300). FS) is returned to the process position. At this time, the flexible substrate FS is preheated to a predetermined temperature by the first substrate preheating member 710, is conveyed to the substrate support roller 300, and is preheated flexible supported on the circumferential surface of the substrate support roller 300. The substrate FS is heated to correspond to the process temperature for the plasma process by the temperature of the substrate support roller 300 heated by the substrate heating member 600.

그런 다음, 샤워 헤드(400)에 공정 가스를 공급함과 아울러 고주파 전력을 공급함으로써, 도 5b에 도시된 바와 같이, 가요성 기판(FS)과 샤워 헤드(400) 사이에 플라즈마(P)를 형성하여 가요성 기판(FS) 상에 박막을 형성한다.Then, by supplying a process gas to the shower head 400 and supplying a high frequency power, as shown in FIG. 5B, a plasma P is formed between the flexible substrate FS and the shower head 400. A thin film is formed on the flexible substrate FS.

그런 다음, 기판 피딩 롤러(110), 기판 회수 롤러(140), 및 기판 지지 롤러(300)를 회전시켜 박막이 형성된 가요성 기판(FS)을 기판 회수 롤러(120)로 회수함과 동시에 박막을 형성하기 위한 가요성 기판(FS)을 공정 위치로 반송한다.Thereafter, the substrate feeding roller 110, the substrate recovery roller 140, and the substrate support roller 300 are rotated to recover the flexible substrate FS on which the thin film is formed to the substrate recovery roller 120, and at the same time, the thin film is recovered. The flexible substrate FS for forming is conveyed to a process position.

한편, 가요성 기판(FS)을 기판 지지 롤러(300)로 반송하기 이전에, 롤러 구동부(500)를 구동하여 가요성 기판(FS)에 형성된 박막의 공정 조건에 대응되도록 가요성 기판(FS)과 샤워 헤드(400) 사이의 간격을 조절하는 과정을 수행할 수도 있다.On the other hand, prior to conveying the flexible substrate FS to the substrate supporting roller 300, the roller substrate 500 is driven to correspond to the process conditions of the thin film formed on the flexible substrate FS. And adjusting a gap between the shower head 400 and the shower head 400.

이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법은 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대응되는 곡면을 포함하는 샤워 헤드(400)를 이용한 플라즈마 공정을 통해 가요성 기판(FS) 상에 박막을 형성함으로써 플라즈마 공정시 가요성 기판의 평탄도를 균일하게 하여 가요성 기판에 형성되는 막질의 균일도를 향상시킴과 아울러 장비의 크기를 감소시켜 대형화를 가능하게 할 수 있다.As such, the apparatus and method for manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the first embodiment of the present invention uses the shower head 400 including a curved surface corresponding to the circumferential surface of the substrate support roller 300. By forming a thin film on the flexible substrate FS through the plasma process, the flatness of the flexible substrate is made uniform during the plasma process, thereby improving the uniformity of the film quality formed on the flexible substrate and reducing the size of the equipment to enlarge the size. Can be enabled.

도 6은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a diagram schematically illustrating an apparatus for manufacturing a thin film solar cell using a flexible substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는 외곽 챔버(100), 공정 챔버(200), 기판 지지 롤러(300), 샤워 헤드(400), 롤러 구동부(500), 기판 가열 부재(600), 승강 부재(620), 제 1 및 제 2 기판 예열 부재(710, 720)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 2 실시 예는 롤러 구동부(500) 및 승강 부재(620)를 더 포함하여 구성되는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 6, an apparatus for manufacturing a thin film solar cell using a flexible substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention includes an outer chamber 100, a process chamber 200, a substrate support roller 300, and a shower head 400. ), The roller driver 500, the substrate heating member 600, the elevating member 620, and the first and second substrate preheating members 710 and 720. The second embodiment of the present invention having such a configuration has the same configuration as the first embodiment of the present invention, except that the roller driving unit 500 and the elevating member 620 are configured to be the same. The description will be replaced by the above description.

롤러 구동부(500)는 롤러 구동축(510), 승강 플레이트(520), 및 제 1 벨로우즈(530)를 포함하여 구성된다.The roller driver 500 includes a roller drive shaft 510, a lifting plate 520, and a first bellows 530.

롤러 구동축(510)은 기판 지지 롤러(300)를 회전 가능하게 지지하도록 공정 챔버(200)의 하부 챔버(210)를 관통하여 설치된다. 이러한, 롤러 구동축(510)은 롤러 구동 장치(미도시)의 구동에 따라 기판 지지 롤러(300)를 소정 각도로 회전시킨다. 이때, 롤러 구동 장치는 스테핑 롤링 방식에 따라 롤러 구동축(510)을 회전시킬 수 있다.The roller drive shaft 510 is installed through the lower chamber 210 of the process chamber 200 to rotatably support the substrate supporting roller 300. The roller driving shaft 510 rotates the substrate supporting roller 300 at a predetermined angle in accordance with the driving of the roller driving device (not shown). At this time, the roller drive device may rotate the roller drive shaft 510 according to the stepping rolling method.

승강 플레이트(520)는 롤러 구동축(510)의 끝단에 접속되어 롤러 승강 장치(미도시)의 구동에 따라 롤러 구동축(510)을 소정 높이로 승강시킨다.The elevating plate 520 is connected to the end of the roller drive shaft 510 to elevate the roller drive shaft 510 to a predetermined height according to the driving of the roller elevating device (not shown).

또한, 승강 플레이트(520)는 승강 부재(620)에 접속되어 롤러 승강 장치(미도시)의 구동에 따라 승강 부재(620)를 소정 높이로 승강시킨다.In addition, the elevating plate 520 is connected to the elevating member 620 to elevate the elevating member 620 to a predetermined height in accordance with the driving of the roller elevating device (not shown).

제 1 벨로우즈(530)는 롤러 구동축(510)이 관통되는 하부 챔버(210)의 관통 부분을 밀봉하도록 승강 플레이트(520)와 하부 챔버(210) 사이에 설치된다.The first bellows 530 is installed between the elevating plate 520 and the lower chamber 210 to seal the through portion of the lower chamber 210 through which the roller drive shaft 510 passes.

이러한, 롤러 구동부(500)는 공정 챔버(200)의 공정 상태에 따라 기판 지지 롤러(300)를 회전시킨다. 또한, 롤러 구동부(500)는 기판 지지 롤러(300)를 소정 높이로 승강시켜 가요성 기판(FS)에 형성되는 박막의 재질에 따라 가요성 기판(FS)과 샤워 헤드(400) 간의 거리를 조절함과 동시에 승강 부재(620)를 승강시켜 기판 지지 롤러(300)의 승강과 함께 기판 가열 부재(600)를 승강시킨다.The roller driver 500 rotates the substrate support roller 300 according to the process state of the process chamber 200. In addition, the roller driver 500 adjusts the distance between the flexible substrate FS and the shower head 400 according to the material of the thin film formed on the flexible substrate FS by elevating the substrate supporting roller 300 to a predetermined height. At the same time, the elevating member 620 is elevated to elevate the substrate heating member 600 together with the elevation of the substrate supporting roller 300.

승강 부재(620)는 공정 챔버(200)의 하부 챔버(210)를 관통하도록 롤러 구동부(500)의 승강 플레이트(520)에 설치되어 승강 플레이트(520)의 승강에 따라 적어도 하나의 기판 가열 부재(600) 각각을 승강시킨다. 이를 위해, 승강 부재(620)는 제 1 지지대(622), 및 제 2 벨로우즈(624)를 포함하여 구성된다.The elevating member 620 is installed on the elevating plate 520 of the roller driving unit 500 so as to pass through the lower chamber 210 of the process chamber 200. 600) elevate each one. To this end, the elevating member 620 is configured to include a first support 622, and a second bellows 624.

제 1 지지대(622)는 하부 챔버(210)를 관통하도록 롤러 구동부(500)의 승강 플레이트(520)에 수직하게 설치되어 적어도 하나의 기판 가열 부재(600)를 지지한다.The first support 622 is installed perpendicular to the elevating plate 520 of the roller driver 500 so as to penetrate the lower chamber 210 to support the at least one substrate heating member 600.

제 2 벨로우즈(624)는 제 1 지지대(622)가 관통되는 하부 챔버(210)의 관통 부분을 밀봉하도록 승강 플레이트(520)와 하부 챔버(210) 사이에 설치된다.The second bellows 624 is installed between the elevating plate 520 and the lower chamber 210 to seal the through portion of the lower chamber 210 through which the first support 622 passes.

이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는, 도 7에 도시된 바와 같이, 승강 부재(620)를 이용하여 기판 지지 롤러(300)의 승강에 따라 기판 가열 부재(600)를 승강시켜 기판 지지 롤러(300)와 기판 가열 부재(600) 간의 거리를 항상 일정하게 유지시킴으로써 기판 지지 롤러(300)의 승강시에도 기판 지지 롤러(300)를 항상 일정하게 가열할 수 있다.As described above, the apparatus for manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7, uses the elevating member 620 to elevate the substrate supporting roller 300. Accordingly, the substrate heating member 600 is raised and lowered so that the distance between the substrate supporting roller 300 and the substrate heating member 600 is kept constant so that the substrate supporting roller 300 is always constant even when the substrate supporting roller 300 is elevated. Can be heated.

도 8은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for schematically explaining a manufacturing apparatus of a thin film solar cell using a flexible substrate according to a third embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는 외곽 챔버(100), 공정 챔버(200), 기판 지지 롤러(300), 샤워 헤드(400), 롤러 구동부(500), 기판 가열 부재(600), 승강 부재(620), 제 1 및 제 2 기판 예열 부재(710, 720)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 3 실시 예는 샤워 헤드(400)를 제외하고는 상술한 본 발명의 제 2 실시 예와 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 8, an apparatus for manufacturing a thin film solar cell using a flexible substrate according to a third exemplary embodiment of the present invention includes an outer chamber 100, a process chamber 200, a substrate support roller 300, and a shower head 400. ), The roller driver 500, the substrate heating member 600, the elevating member 620, and the first and second substrate preheating members 710 and 720. Since the third embodiment of the present invention having the above configuration has the same configuration as the second embodiment of the present invention except for the shower head 400, a description of the same configuration will be replaced with the above description. .

샤워 헤드(400)는 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대응되는 홈 형태의 곡면(402)을 포함하도록 다면체 형태를 가지도록 공정 챔버(200)의 내부에 설치되어 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대향된다. 이러한, 샤워 헤드(400)에는 가요성 기판(FS) 상에 박막을 형성하기 위한 공정 가스가 공급되고, 공정 가스를 플라즈마로 변환하기 위한 고주파 전력이 공급된다. 이때, 공정 가스는 Ar, CF4 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 가요성 기판(FS) 상에 형성될 박막의 재질에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The shower head 400 is installed inside the process chamber 200 to have a polyhedral shape so as to include a groove-shaped curved surface 402 corresponding to the circumferential curved surface of the substrate support roller 300, thereby Opposite the circumferential surface. The shower head 400 is supplied with a process gas for forming a thin film on the flexible substrate FS, and a high frequency power for converting the process gas into plasma is supplied. In this case, the process gas may be formed of Ar, CF 4, and the like, but is not limited thereto and may be variously changed according to a material of a thin film to be formed on the flexible substrate FS.

이와 같은, 샤워 헤드(400)는 공정 가스를 가요성 기판(FS) 상으로 분사함으로써 고주파 전력에 의해 공정 가스가 플라즈마 상태로 변환되도록 한다. 이를 위해, 샤워 헤드(400)는 몸체(450), 가스 공급관(420), 복수의 가스 분사 홀(미도시), 및 배플(460)을 포함하여 구성된다.As such, the shower head 400 sprays the process gas onto the flexible substrate FS to convert the process gas into a plasma state by high frequency power. To this end, the shower head 400 includes a body 450, a gas supply pipe 420, a plurality of gas injection holes (not shown), and a baffle 460.

몸체(450)는 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대응되는 곡면(402)을 포함하도록 다면체 형태를 갖는다. 이러한, 몸체(450)에는 가스 공급관(420)을 통해 외부로부터 고주파 전력이 공급된다. 여기서, 몸체(450)는 알루미늄 이외의 전극용 재질로 형성될 수 있다.The body 450 has a polyhedron shape to include a curved surface 402 corresponding to the circumferential curved surface of the substrate support roller 300. The body 450 is supplied with high frequency power from the outside through the gas supply pipe 420. Here, the body 450 may be formed of a material for electrodes other than aluminum.

가스 공급관(420)은 몸체(450)에 연통되도록 접속되어 외부로부터 공급되는 공정 가스를 배플(460)로 공급한다.The gas supply pipe 420 is connected to communicate with the body 450 to supply the process gas supplied from the outside to the baffle 460.

복수의 가스 분사 홀은 몸체(450)의 곡면(402)에 형성되어 배플(460)에 의해 균일하게 분배되어 공급되는 공정 가스를 가요성 기판(FS) 쪽으로 분사한다. 이때, 복수의 가스 분사 홀 각각은 공정 가스가 가요성 기판(FS)에 균일하게 분사되도록 몸체(450)의 곡면에 일정한 간격 또는 소정 간격으로 형성된다.The plurality of gas injection holes are formed in the curved surface 402 of the body 450 to uniformly distribute the supplied gas by the baffle 460 to inject the supplied process gas toward the flexible substrate FS. In this case, each of the plurality of gas injection holes is formed at a predetermined interval or at a predetermined interval on the curved surface of the body 450 so that the process gas is uniformly sprayed on the flexible substrate FS.

배플(460)은 가스 공급관(420)에 연통되도록 몸체(450)의 내부에 형성되어 공정 가스가 복수의 가스 분사 홀을 통해 균일하게 분사되도록 가스 공급관(420)으로부터 공급되는 공정 가스를 균일하게 분배한다. 이러한, 배플(460)에는 복수의 가스 분사 홀 각각에 공급되는 공정 가스의 공급 경로를 균일하게 하기 위한 적어도 하나의 패스 홀(미도시)이 소정 간격 또는 각기 다른 간격으로 형성된다.The baffle 460 is formed inside the body 450 so as to communicate with the gas supply pipe 420 to uniformly distribute the process gas supplied from the gas supply pipe 420 so that the process gas is uniformly injected through the plurality of gas injection holes. do. In the baffle 460, at least one pass hole (not shown) is formed at a predetermined interval or at different intervals to uniformize a supply path of the process gas supplied to each of the plurality of gas injection holes.

이와 같은, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는 상술한 제 2 실시 예와 동일한 효과를 제공한다.As described above, the apparatus for manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the third embodiment of the present invention provides the same effects as the above-described second embodiment.

도 9는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for schematically explaining a manufacturing apparatus of a thin film solar cell using a flexible substrate according to a fourth embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는 외곽 챔버(100), 공정 챔버(200), 기판 지지 롤러(300), 샤워 헤드(400), 롤러 구동부(500), 기판 가열 부재(600), 승강 부재(620), 제 1 및 제 2 기판 예열 부재(710, 720)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 4 실시 예는 샤워 헤드(400)를 제외하고는 상술한 본 발명의 제 2 실시 예와 동일한 구성을 가지므로 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.9, the apparatus for manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the fourth exemplary embodiment of the present invention includes an outer chamber 100, a process chamber 200, a substrate support roller 300, and a shower head 400. ), The roller driver 500, the substrate heating member 600, the elevating member 620, and the first and second substrate preheating members 710 and 720. Since the fourth embodiment of the present invention having the above configuration has the same configuration as the second embodiment of the present invention except for the shower head 400, a description of the same configuration will be replaced with the above description. .

샤워 헤드(400)는 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면과 대향되도록 배치되는 제 1 내지 제 3 분할 샤워 헤드(470, 480, 490)를 포함하여 구성된다.The shower head 400 includes first to third divided shower heads 470, 480, and 490 disposed to face the circumferential surface of the substrate support roller 300.

제 1 분할 샤워 헤드(470)는 제 1 분할 몸체(472), 제 1 가스 공급관(474), 및 복수의 제 1 가스 분사 홀(미도시)을 포함하여 구성된다.The first split shower head 470 includes a first split body 472, a first gas supply pipe 474, and a plurality of first gas injection holes (not shown).

제 1 분할 몸체(472)는 기판 지지 롤러(300)의 중심부에 대응되는 상부측 원주곡면과 대향되도록 다면체 형태를 갖는다. 이러한, 제 1 분할 몸체(472)에는 제 1 가스 공급관(474)을 통해 외부로부터 고주파 전력이 공급된다. 여기서, 제 1 분할 몸체(472)는 알루미늄 이외의 전극용 재질로 형성될 수 있다.The first dividing body 472 has a polyhedron shape so as to face an upper circumferential curved surface corresponding to the center of the substrate supporting roller 300. The first divided body 472 is supplied with high frequency power from the outside through the first gas supply pipe 474. Here, the first split body 472 may be formed of an electrode material other than aluminum.

제 1 가스 공급관(474)은 제 1 분할 몸체(472)에 연통되도록 접속되어 외부로부터 공급되는 제 1 공정 가스를 제 1 분할 몸체(472)의 내부로 공급한다. 이때, 제 1 공정 가스는 Ar, CF4 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 가요성 기판(FS) 상에 형성될 박막의 재질에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The first gas supply pipe 474 is connected to communicate with the first divided body 472 to supply the first process gas supplied from the outside into the first divided body 472. In this case, the first process gas may be formed of Ar, CF 4, or the like, but is not limited thereto and may be variously changed according to the material of the thin film to be formed on the flexible substrate FS.

복수의 제 1 가스 분사 홀은 제 1 분할 몸체(472)의 배면에 형성되어 제 1 가스 공급관(474)으로부터 공급되는 제 1 공정 가스를 가요성 기판(FS) 쪽으로 분사한다. 이때, 복수의 가스 분사 홀 각각은 제 1 공정 가스가 가요성 기판(FS)에 균일하게 분사되도록 일정한 간격 또는 소정 간격으로 형성된다.The plurality of first gas injection holes are formed on the rear surface of the first split body 472 to inject the first process gas supplied from the first gas supply pipe 474 toward the flexible substrate FS. In this case, each of the plurality of gas injection holes is formed at regular intervals or at predetermined intervals such that the first process gas is uniformly sprayed on the flexible substrate FS.

한편, 제 1 분할 몸체(472)에는 제 1 가스 공급관(474)으로부터 공급되는 제 1 공정 가스를 균일하게 확산시켜 복수의 제 1 가스 분사 홀에 공급하기 위한 제 1 배플(분할 몸체 내부의 굵은 실선)이 형성될 수 있다.Meanwhile, a first baffle (a thick solid line inside the split body) for uniformly diffusing the first process gas supplied from the first gas supply pipe 474 and supplying the plurality of first gas injection holes to the first split body 472. ) May be formed.

제 2 분할 샤워 헤드(480)는 제 2 분할 몸체(482), 제 2 가스 공급관(484), 및 복수의 제 2 가스 분사 홀(미도시)을 포함하여 구성된다.The second split shower head 480 includes a second split body 482, a second gas supply pipe 484, and a plurality of second gas injection holes (not shown).

제 2 분할 몸체(482)는 기판 지지 롤러(300)의 중심부에 대응되는 상부의 일측 원주곡면과 대향되도록 다면체 형태를 갖는다. 이러한, 제 2 분할 몸체(482)에는 제 2 가스 공급관(484)을 통해 외부로부터 고주파 전력이 공급된다. 여기서, 제 2 분할 몸체(482)는 알루미늄 이외의 전극용 재질로 형성될 수 있다.The second dividing body 482 has a polyhedron shape so as to face one side circumferential surface of the upper portion corresponding to the center of the substrate supporting roller 300. The high frequency power is supplied to the second divided body 482 from the outside through the second gas supply pipe 484. Here, the second split body 482 may be formed of a material for an electrode other than aluminum.

제 2 가스 공급관(484)은 제 2 분할 몸체(482)에 연통되도록 접속되어 외부로부터 공급되는 제 2 공정 가스를 제 2 분할 몸체(482)의 내부로 공급한다. 여기서, 제 2 공정 가스는 제 1 공정 가스와 동일하거나 다를 수 있다.The second gas supply pipe 484 is connected to communicate with the second divided body 482 to supply the second process gas supplied from the outside into the second divided body 482. Here, the second process gas may be the same as or different from the first process gas.

복수의 제 2 가스 분사 홀은 제 2 분할 몸체(482)의 배면에 형성되어 제 2 가스 공급관(484)으로부터 공급되는 제 2 공정 가스를 가요성 기판(FS) 쪽으로 분사한다. 이때, 복수의 가스 분사 홀 각각은 제 2 공정 가스가 가요성 기판(FS)에 균일하게 분사되도록 일정한 간격 또는 소정 간격으로 형성된다.A plurality of second gas injection holes are formed on the rear surface of the second split body 482 to inject the second process gas supplied from the second gas supply pipe 484 toward the flexible substrate FS. In this case, each of the plurality of gas injection holes is formed at regular intervals or at predetermined intervals such that the second process gas is uniformly injected onto the flexible substrate FS.

한편, 제 2 분할 몸체(482)에는 제 2 가스 공급관(484)으로부터 공급되는 제 2 공정 가스를 균일하게 확산시켜 복수의 제 2 가스 분사 홀에 공급하기 위한 제 2 배플(분할 몸체 내부의 굵은 실선)이 형성될 수 있다.Meanwhile, a second baffle (a thick solid line inside the split body) for uniformly diffusing the second process gas supplied from the second gas supply pipe 484 to the plurality of second gas injection holes in the second split body 482. ) May be formed.

제 3 분할 샤워 헤드(490)는 제 3 분할 몸체(492), 제 3 가스 공급관(494), 및 복수의 제 3 가스 분사 홀(미도시)을 포함하여 구성된다.The third split shower head 490 includes a third split body 492, a third gas supply pipe 494, and a plurality of third gas injection holes (not shown).

제 3 분할 몸체(492)는 기판 지지 롤러(300)의 중심부에 대응되는 상부의 타측 원주곡면과 대향되도록 다면체 형태를 갖는다. 이러한, 제 3 분할 몸체(492)에는 제 3 가스 공급관(494)을 통해 외부로부터 고주파 전력이 공급된다. 여기서, 제 3 분할 몸체(492)는 알루미늄 이외의 전극용 재질로 형성될 수 있다.The third split body 492 has a polyhedral shape so as to face the other circumferential surface of the upper portion corresponding to the center of the substrate supporting roller 300. The third divided body 492 is supplied with high frequency power from the outside through the third gas supply pipe 494. Here, the third split body 492 may be formed of an electrode material other than aluminum.

제 3 가스 공급관(494)은 제 3 분할 몸체(492)에 연통되도록 접속되어 외부로부터 공급되는 제 3 공정 가스를 제 3 분할 몸체(492)의 내부로 공급한다. 여기서, 제 3 공정 가스는 제 1 및 제 2 공정 가스와 동일하거나 다를 수 있다.The third gas supply pipe 494 is connected to communicate with the third divided body 492 to supply the third process gas supplied from the outside into the third divided body 492. Here, the third process gas may be the same as or different from the first and second process gases.

복수의 제 3 가스 분사 홀은 제 3 분할 몸체(492)의 배면에 형성되어 제 3 가스 공급관(494)으로부터 공급되는 제 3 공정 가스를 가요성 기판(FS) 쪽으로 분사한다. 이때, 복수의 가스 분사 홀 각각은 제 3 공정 가스가 가요성 기판(FS)에 균일하게 분사되도록 일정한 간격 또는 소정 간격으로 형성된다.The plurality of third gas injection holes are formed on the rear surface of the third split body 492 to inject the third process gas supplied from the third gas supply pipe 494 toward the flexible substrate FS. In this case, each of the plurality of gas injection holes is formed at regular intervals or at predetermined intervals such that the third process gas is uniformly sprayed on the flexible substrate FS.

한편, 제 3 분할 몸체(492)에는 제 3 가스 공급관(494)으로부터 공급되는 제 3 공정 가스를 균일하게 확산시켜 복수의 제 3 가스 분사 홀에 공급하기 위한 제 3 배플(분할 몸체 내부의 굵은 실선)이 형성될 수 있다.Meanwhile, a third baffle (a thick solid line inside the split body) for uniformly diffusing the third process gas supplied from the third gas supply pipe 494 and supplying the plurality of third gas injection holes to the third split body 492. ) May be formed.

이와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는 상술한 제 2 실시 예와 동일한 효과를 제공함과 아울러 샤워 헤드(400)가 3개로 분할된 구조를 가짐으로써 샤워 헤드(400)의 제작을 용이하게 할 수 있다.As described above, the apparatus for manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the fourth embodiment of the present invention has the same effect as the above-described second embodiment and has a structure in which the shower head 400 is divided into three parts. In this way, the production of the shower head 400 can be facilitated.

한편, 상술한 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치에서는 제 1 내지 제 3 분할 샤워 헤드(470, 480, 490) 각각의 분할 몸체(472, 482, 492)가 다면체 형태로 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다.Meanwhile, in the apparatus for manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the fourth embodiment of the present invention, the divided bodies 472, 482, and 492 of each of the first to third divided shower heads 470, 480, and 490 are provided. ) Is described as being formed in a polyhedron form, but is not limited thereto.

즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치에 있어서, 제 1 내지 제 3 분할 샤워 헤드(470, 480, 490) 각각의 분할 몸체(472, 482, 492)는 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대응되는 소정의 곡률을 가지도록 형성될 수 있다.That is, as shown in Figure 10, in the apparatus for manufacturing a thin-film solar cell using a flexible substrate according to a fifth embodiment of the present invention, each of the first to third split shower head (470, 480, 490) The divided bodies 472, 482, and 492 may be formed to have a predetermined curvature corresponding to the circumferential surface of the substrate support roller 300.

이에 따라, 기판 지지 롤러(300)에 대향되도록 제 1 내지 제 3 분할 샤워 헤드(470, 480, 490)가 결합된 샤워 헤드(400)의 대향면은 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대응되는 곡률을 갖게 된다.Accordingly, the opposing surface of the shower head 400 to which the first to third divided shower heads 470, 480, and 490 are coupled so as to face the substrate support roller 300 corresponds to the circumferential surface of the substrate support roller 300. Will have curvature.

따라서, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 장치는 샤워 헤드(400)가 3개로 분할된 구조를 가짐으로써 샤워 헤드(400)의 제작을 용이하게 할 수 있으며, 상술한 제 1 실시 예와 동일하게 기판 지지 롤러(300)에 대향되는 샤워 헤드(400)의 대향면이 기판 지지 롤러(300)의 원주곡면에 대응되는 곡률을 가짐으로써 가요성 기판(FS) 상에 균일한 박막을 형성할 수 있다.Therefore, the apparatus for manufacturing a thin film solar cell using the flexible substrate according to the fifth embodiment of the present invention can facilitate the manufacture of the shower head 400 by having a structure in which the shower head 400 is divided into three parts. In the same manner as in the first embodiment, the opposite surface of the shower head 400 facing the substrate support roller 300 has a curvature corresponding to the circumferential surface of the substrate support roller 300, thereby providing the flexible substrate FS. A uniform thin film can be formed on the phase.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100: 외곽 챔버 200: 공정 챔버
210: 하부 챔버 220: 상부 챔버
300: 기판 지지 롤러 400: 샤워 헤드
402: 곡면 410, 450: 몸체
420, 474, 484, 494: 가스 공급관 430: 가스 분사 홀
440, 460: 배플 500: 롤러 구동부
510: 롤러 구동축 520: 승강 플레이트
530: 벨로우즈 600: 기판 가열 부재
620: 승강 부재 710, 720: 기판 예열 부재100: outer chamber 200: process chamber
210: lower chamber 220: upper chamber
300: substrate support roller 400: shower head
402: surface 410, 450: body
420, 474, 484, 494: gas supply pipe 430: gas injection hole
440 and 460: baffle 500: roller drive unit
510: roller drive shaft 520: elevating plate
530: bellows 600: substrate heating member
620: elevating member 710, 720: substrate preheating member

Claims (17)

플라즈마 공정을 통해 가요성 기판에 박막을 형성하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 내부에 회전 가능하도록 설치되어 상기 가요성 기판을 지지하는 기판 지지 롤러; 및
상기 기판 지지 롤러로 반송되는 상기 가요성 기판을 소정 온도로 예열하는 제 1 기판 예열 부재;
상기 기판 지지 롤러의 원주곡면에 대향되는 곡면을 포함하도록 상기 공정 챔버의 내부에 설치되어 상기 플라즈마 공정을 수행하기 위한 샤워 헤드; 및
상기 기판 지지 롤러로부터 외부로 반송되는 공정 완료된 가요성 기판을 소정 온도로 예열하는 제 2 기판 예열 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 장치.A process chamber providing a space for forming a thin film on the flexible substrate through a plasma process;
A substrate support roller rotatably installed in the process chamber to support the flexible substrate; And
A first substrate preheating member for preheating the flexible substrate conveyed by the substrate supporting roller to a predetermined temperature;
A shower head installed in the process chamber so as to include a curved surface opposite to the circumferential curved surface of the substrate supporting roller; And
And a second substrate preheating member for preheating the completed flexible substrate conveyed to the outside from the substrate supporting roller at a predetermined temperature. 제 1 항에 있어서,
상기 샤워 헤드는 상기 원주곡면에 대응되는 상기 곡면을 포함하도록 아치(Arch) 형태로 형성되거나, 상기 원주곡면에 대응되는 홈 형태의 상기 곡면을 포함하도록 다면체 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 장치.The method of claim 1,
The shower head may be formed in an arch shape to include the curved surface corresponding to the circumferential surface, or may be formed in a polyhedral shape to include the curved surface of the groove shape corresponding to the circumferential curved surface. Manufacturing device. 제 2 항에 있어서,
상기 샤워 헤드는,
상기 곡면을 포함하는 몸체;
상기 몸체에 접속되어 외부로부터 공정 가스가 공급되는 가스 공급관;
상기 곡면에 형성되어 상기 공정 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 홀; 및
상기 가스 공급관에 접속되도록 상기 몸체에 형성되어 상기 가스 공급관으로부터 공급되는 상기 공정 가스가 상기 복수의 가스 분사 홀에 균일하게 공급되도록 분배하는 배플(Baffle)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 장치.The method of claim 2,
The shower head,
A body including the curved surface;
A gas supply pipe connected to the body to supply a process gas from the outside;
A plurality of gas injection holes formed on the curved surface to inject the process gas; And
And a baffle formed in the body so as to be connected to the gas supply pipe, and configured to distribute the process gas supplied from the gas supply pipe to be uniformly supplied to the plurality of gas injection holes. Manufacturing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 샤워 헤드는 상기 원주곡면에 대향되도록 적어도 3개로 분할된 분할 샤워 헤드들을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 장치.The method of claim 1,
The shower head is a thin film solar cell manufacturing apparatus characterized in that it comprises a divided shower head divided into at least three so as to face the circumferential surface. 제 4 항에 있어서,
상기 분할 샤워 헤드들 각각은,
상기 원주곡면에 대향되도록 배치된 분할 몸체;
상기 분할 몸체에 접속되어 외부로부터 공정 가스가 공급되는 가스 공급관; 및
상기 분할 몸체에 형성되어 상기 공정 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 홀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 장치.The method of claim 4, wherein
Each of the split shower heads,
A split body disposed to face the circumferential surface;
A gas supply pipe connected to the split body to supply a process gas from the outside; And
And a plurality of gas injection holes which are formed in the split body and inject the process gas. 제 5 항에 있어서,
상기 분할 샤워 헤드들 각각의 가스 공급관에는 각기 다른 공정 가스를 공급되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 장치.The method of claim 5, wherein
Apparatus for manufacturing a thin film solar cell, characterized in that different process gases are supplied to the gas supply pipes of each of the divided shower heads. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 지지 롤러를 회전시키거나, 상기 기판 지지 롤러를 승강시켜 상기 가요성 기판과 상기 샤워 헤드 간의 거리를 조절하는 롤러 구동부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 장치.The method of claim 1,
And a roller driving unit rotating the substrate supporting roller or elevating the substrate supporting roller to adjust a distance between the flexible substrate and the shower head. 삭제delete 삭제delete 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 지지 롤러에 인접하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 상기 기판 지지 롤러를 소정 온도로 가열하여 상기 가요성 기판을 간접적으로 가열하는 적어도 하나의 기판 가열 부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
And at least one substrate heating member installed in the process chamber so as to be adjacent to the substrate support roller, and indirectly heating the flexible substrate by heating the substrate support roller to a predetermined temperature. Battery manufacturing apparatus. 삭제delete 삭제delete 플라즈마 공정을 통해 가요성 기판에 박막을 형성하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버의 내부에 설치되어 상기 가요성 기판을 지지하는 기판 지지 롤러를 회전시키는 단계;
상기 기판 지지 롤러의 회전에 따라 상기 기판 지지 롤러의 원주 곡면으로 반송되는 상기 가요성 기판을 소정 온도로 예열하는 단계;
상기 기판 지지 롤러의 회전에 따라 상기 기판 지지 롤러의 원주 곡면에 지지된 상기 예열된 가요성 기판을 공정 위치로 반송하는 단계;
상기 기판 지지 롤러의 원주곡면에 대향되는 곡면을 가지도록 상기 공정 챔버의 내부에 설치된 샤워 헤드에 공정 가스를 공급하는 단계;
상기 샤워 헤드에 의해 분사되는 상기 공정 가스를 이용한 플라즈마 공정을 수행하여 상기 예열된 가요성 기판 상에 상기 박막을 형성하는 단계; 및
상기 기판 지지 롤러로부터 외부로 반송되는 공정 완료된 가요성 기판을 소정 온도로 예열하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 방법.Rotating a substrate support roller installed in the process chamber that provides a space for forming a thin film on the flexible substrate through a plasma process to support the flexible substrate;
Preheating the flexible substrate conveyed to the circumferential curved surface of the substrate supporting roller to a predetermined temperature according to the rotation of the substrate supporting roller;
Conveying the preheated flexible substrate supported on the circumferential curved surface of the substrate support roller to a process position according to the rotation of the substrate support roller;
Supplying a process gas to a shower head installed inside the process chamber to have a curved surface opposite to the circumferential surface of the substrate support roller;
Performing the plasma process using the process gas injected by the shower head to form the thin film on the preheated flexible substrate; And
And preheating the process-completed flexible substrate conveyed to the outside from the substrate supporting roller to a predetermined temperature. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020100036431A 2010-04-20 2010-04-20 Apparatus and method for manufacturing of thin film type solar cell KR101144068B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100036431A KR101144068B1 (en) 2010-04-20 2010-04-20 Apparatus and method for manufacturing of thin film type solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100036431A KR101144068B1 (en) 2010-04-20 2010-04-20 Apparatus and method for manufacturing of thin film type solar cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110116806A KR20110116806A (en) 2011-10-26
KR101144068B1 true KR101144068B1 (en) 2012-05-23

Family

ID=45031035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100036431A KR101144068B1 (en) 2010-04-20 2010-04-20 Apparatus and method for manufacturing of thin film type solar cell

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101144068B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101393059B1 (en) * 2012-06-21 2014-06-20 주성엔지니어링(주) a manufacturing apparatus for a solar cell and the control method thereof
KR101958682B1 (en) * 2013-02-04 2019-03-19 주성엔지니어링(주) A manufacturing appartus for a solar cell and a control method thereof
KR101393060B1 (en) * 2013-11-28 2014-06-20 주성엔지니어링(주) A manufacturing apparatus for a solar cell
KR101494416B1 (en) * 2014-01-16 2015-02-23 (주) 엠에이케이 The apparatus for treating the surface of a curved material

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223375A (en) * 2000-02-10 2001-08-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Carrying apparatus for flexible substrate, and deposition apparatus
US20040063320A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-01 Hollars Dennis R. Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells
KR20100034737A (en) * 2007-06-07 2010-04-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 An apparatus for depositing a uniform silicon film and methods for manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223375A (en) * 2000-02-10 2001-08-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Carrying apparatus for flexible substrate, and deposition apparatus
US20040063320A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-01 Hollars Dennis R. Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells
KR20100034737A (en) * 2007-06-07 2010-04-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 An apparatus for depositing a uniform silicon film and methods for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110116806A (en) 2011-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101101749B1 (en) Apparatus and method for manufacturing thin film type solar cell
JP5309426B2 (en) Microcrystalline silicon film forming method and solar cell
KR101144068B1 (en) Apparatus and method for manufacturing of thin film type solar cell
KR20090004972U (en) Heating and cooling of substrate support
KR101353033B1 (en) Apparatus for febrication of thin film type solar cell and buffer chamber used for the same
CN101821860A (en) Production system of thin film solar battery
KR101447663B1 (en) Film-forming method and film-forming apparatus
JP4707403B2 (en) Plasma processing method and apparatus by pulse division supply and plasma CVD method
CN112159973A (en) Device for preparing passivation film layer of Topcon battery and process flow thereof
US20140165910A1 (en) Apparatus for large-area atomic layer deposition
KR20110133690A (en) Plasma apparatus with continuous processing
KR20120136473A (en) An apparatus for manufacturing a solar cell
KR20100044517A (en) Chemical vapor deposition apparatus
JP2008205279A (en) Method and device for depositing silicon-based thin film
KR100919661B1 (en) Semiconductor Manufacturing Apparatus
KR101423626B1 (en) Apparatus for febrication of thin film type solar cell and deposition chamber used for the same
JP2006032795A (en) Feeder system, plasma treatment device equipped with the same and plasma treatment method
KR20140003856U (en) Apparatus for depositing including susceptor conducting uniform heat to wafers
KR20100113774A (en) Substrate processing apparatus
JP5074447B2 (en) Plasma processing equipment
JP4890313B2 (en) Plasma CVD equipment
KR101101747B1 (en) Apparatus and method for manufacturing thin film type solar cell
KR101958682B1 (en) A manufacturing appartus for a solar cell and a control method thereof
TWI732223B (en) Process reactor for plasma-enhanced chemical vapor deposition and a vacuum installation using such reactor
KR101430747B1 (en) Apparatus for Processing Substrate Using Plasma

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160502

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180403

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190328

Year of fee payment: 8