KR101142228B1 - 고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 질화갈륨(GaN) 기판의 제조에 관한 것으로, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 장치에서 질화갈륨 기판을 제조할 때, 직류 전원을 통해 국부적인 온도를 제어할 수 있는 펠티어 소자(Peltier Device)를 이용하여, 챔버 내부를 고온으로 가열시 사파이어 기판을 냉각시키고, 챔버 내부를 상온으로 냉각시 사파이어 기판을 가열시킴으로써, 사파이어(Al2O3) 기판과 질화갈륨 기판의 열적 변형력(Thermal Stress)을 줄이고, 휨(Bending) 및 균열(Crack)과 같은 결함 현상을 최소화시키는 효과가 있는 고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.
질화갈륨, 열팽창, 휨, 균열, 고품질, 펠티어소자, 열전소자

Description

고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 그 제조 방법{Apparatus And Method For Fabricating High Quality GaN Substrate}
도 1은 일반적인 질화갈륨 기판을 제조하기 위한 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 장치의 개략적인 단면도
도 2a는 열처리시 사파이어와 질화갈륨 사이의 열팽창 계수 차이로 인해 기판에 발생하는 변화를 설명하기 위한 개략도.
도 2b는 고온 상태에서 상온으로 냉각시 사파이어와 질화갈륨 사이의 열팽창 계수 차이로 인해 기판에 발생하는 변화를 설명하기 위한 개략도.
도 3은 본 발명에 따른 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치에 필요한 펠티어 소자의 기본적인 구조도.
도 4는 본 발명에 따른 바람직한 일 실시 예로써, 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치의 개략적인 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치에 장착하는 펠티어 소자를 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
100. HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)장치110. 챔버(Chamber)
110a. 제 1 가스 공급관 110b. 제 2 가스 공급관
110c. 가스 배출관 120. 가열로
130. 갈륨 보트(Ga Boat) 140. 갈륨(Ga)
150. 서셉터(Susceptor) 155. 보호관
160. 펠티어 소자(Peltier Device) 161. N타입 열전 반도체
162. P타입 열전 반도체 163, 163a, 163b. 세라믹 기판
164. 도체 연결부 165, 165a, 165b. 전선
170. 지지대
본 발명은 질화갈륨(GaN) 기판에 관한 것으로서, 특히, 질화갈륨 기판 제조시 질화갈륨 기판의 휨(Bending) 또는 균열(Crack)과 같은 결함을 줄일 수 있는 고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
질화갈륨 기판은 차세대 디브이디(Digital Versatile Disc, DVD) 광원으로 쓰이는 청색 레이저 다이오드(Blue Laser Diode, LD), 조명용 시장을 대체하기 위한 백색 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED), 고온/고출력 전자소자분야 등 에서 핵심 기본 소재로 사용되는 재료이다.
이와 같은 질화갈륨은 독립적인 기판으로 제조하기가 어렵기 때문에, 일반적으로, 이종 기판상에 성장시키는 방법을 사용한다.
이때, 그러한 이종 기판으로는 여러 가지 이종 기판 중에서, 값은 저렴하며 질화갈륨과 비교할 때 격자 상수와 열팽창 계수의 차이가 낮은 편인 사파이어 기판을 주로 사용하고 있다.
그러나, 사파이어와 질화갈륨 사이에도, 격자 상수 16.1%와 열팽창 계수 25.5%의 무시할 수 없는 차이가 존재하기 때문에, 질화갈륨 기판 자체와 질화갈륨 기판을 이용한 소자의 품질을 저하시키는 요인이 된다.
한편, 질화갈륨 기판을 성장시키는 방법에는 금속 유기화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)과 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)등이 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)을 이용한 장치를 통해, 사파이어 기판 상부에 질화갈륨 기판을 제조하는 방법에 대하여 개략적으로 설명한다.
도 1은 일반적인 질화갈륨 기판을 제조하기 위한 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 장치(10)의 개략적인 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 종래의 HVPE 장치(10)는 챔버(Chamber)(11), 제 1 가스 공급관(11a), 제 2 가스 공급관(11b), 가스 배출관(11c), 가열로 (Furnace)(12), 갈륨 보트(Ga Boat)(13), 서셉터(Susceptor)(15)를 포함하여 구성된다.
상기 제 1 가스 공급관(11a)은 상기 챔버(11)의 외부에서 내부로 NH3 가스를 공급하기 위한 통로이다.
마찬가지로, 상기 제 2 가스 공급관(11b)은 상기 챔버(11)의 외부에서 내부로 HCl 가스를 공급하기 위한 통로인데, 상기 제 2 가스 공급관(11b) 내부에는 갈륨(14)이 담겨져 있는 갈륨 보트(13)가 설치되어 있다.
그러므로, 상기 제 2 가스 공급관(11b)을 통해서 HCl 가스가 흐르면, 승화된 갈륨(14)과 HCl이 반응하여 GaCl 가스를 생성하고, 결국 상기 챔버(11) 내부로는 GaCl 가스가 토출된다.
그리고, 상기 가열로(12)는 상기 챔버(11) 내부에 공급된 가스들이 1,000℃ ~ 1300℃의 고온환경에서 화학 반응하여 사파이어 기판 상부에 질화갈륨층이 생성할 수 있도록, 상기 챔버(11) 내부를 가열하는 역할을 한다.
한편, 상기 서셉터(15)는 상기 챔버(11)의 내부에서 상기 사파이어 기판(16)을 올려놓기 위한 받침대 역할을 한다.
상기 가스 배출관(11c)은 상기 챔버(11) 내부에서 고온상태로 화학반응 후 생성된 질화갈륨 결정을 제외하고, 남은 불필요한 가스들을 상기 챔버(11) 외부로 배출시키는 역할을 한다.
정리하자면, 상기 제 1 가스 공급관(11a)을 통해 주입된 NH3 가스와 상기 제 2 가스 공급관(11b)을 통해 주입된 GaCl 가스가 고온상태로 가열된 챔버내에서 반응하여, 상기 사파이어 기판(16) 상부에 질화갈륨층이 만들어지며, 이러한 과정을 통해서 질화갈륨 기판이 제조되는 것이다.
그러나, 이와 같은 종래의 질화갈륨 기판 제조시, 사파이어와 질화갈륨 물질 사이의 열팽창 계수 차이로 인해, 질화갈륨 기판에 휨(Bending)이나 균열(Crack)과 같은 현상이 발생하는 문제점이 있다.
보다 구체적으로, 고온에서 사파이어 기판 상부에 질화갈륨 막을 성장시, 사파이어의 열팽창 계수가 질화갈륨의 열팽창 계수보다 크기 때문에, 사파이어 기판에는 압축성 변형력(Compressive Stress)이 발생하고, 질화갈륨 막에는 신장성 변형력(Tensile Stress)이 발생하여 위로 볼록한 형상으로 휨(Bending) 현상이 나타난다. (도 2a)
반대로, 고온 상태에서 상온으로 냉각하면 질화갈륨 결정 내에는 압축성 변형력이, 사파이어 기판에는 신장성 변형력이 발생하게 되어 아래로 볼록한 형상으로 휘어진다. (도 2b)
또한, 도 2b에 도시된 바와 같이 냉각시에는 휨 현상뿐만 아니라 사파이어 기판과 질화갈륨 기판 사이의 계면에서 균열(Crack) 현상도 동반되어 발생하게 된다.
이러한 현상은 사파이어 기판과 성장된 질화갈륨 박막 사이의 변형력을 완화시키기 위해 일어나는데, 질화갈륨 박막의 두께를 두껍게 형성할수록 휨 정도도 증 가하는 양상을 나타낸다.
다시 말하자면, 고온에서의 질화갈륨 증착공정시 열팽창 계수가 큰 사파이어 기판이 질화갈륨 기판에 비해서 더 많이 인장되고, 냉각시에는 사피이어 기판이 질화갈륨 기판에 비해서 더 많이 수축됨으로 인한 기판의 휨(Bending) 또는 균열(Crack) 현상이 발생하며, 이는 질화갈륨 기판의 품질은 물론 이를 이용한 소자의 품질을 향상시키는 데 한계로 작용한다.
이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)장비를 이용한 질화갈륨층의 고온 성장시에 사파이어 기판의 온도를 내려서 열 팽창을 감소시키고, 상온으로 냉각시에는 직류 전류를 반대로 가하여 국부적인 온도를 올려주어 열 수축을 감소시킬 수 있도록 서셉터(Susceptor) 펠티어(Peltier) 소자를 구비시켜, 사파이어와 질화갈륨 상호 간의 열팽창 계수의 차이로 인한 구부러짐(Bending)과 균열(Crack)을 최소화시킬 수 있는 고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치와 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 HVPE 장치 내의 1000℃ 이상의 고온에서도 견디며, 냉각성능이 우수한 Fe1 - xSi2Mnx, Fe1 - xSiCox 규화물계 펠티어 소자를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치에 따르면, 외부와 밀폐되어 화학 반응하기 위한 내부공간을 갖는 챔버(Chamber); 챔버 일 측면에 위치하여, 챔버 내부로 NH3 가스를 주입하는 제 1 가스 공급관; 챔버 일 측면에 위치하며, 챔버 내부로 GaCl 가스를 주입하는 제 2 가스 공급관; 챔버 내의 하부에 구비되며, 사파이어 기판을 올려놓기 위한 서셉터(Susceptor); 사파이어 기판을 냉각시키거나 가열시키기 위해 서셉터 내의 상부에 장착된 펠티어(Peltier) 소자; 챔버 내에서 화학 반응하고 남은 가스를 배출시키기 위해 챔버의 타 측면에 형성시킨 가스 배출관을 포함하여 구성된다.
또한, 본 발명의 고품질 질화갈륨 기판 제조 방법에 따르면, 사파이어 기판이 놓여있는 챔버(Chamber) 내부에 제 1 가스 공급관을 통해 NH3 가스를 주입하는 단계; 챔버 내부에 제 2 가스 공급관을 통해 HCl 가스를 주입시켜, 제 2 가스 공급관 중간에 놓여진 갈륨과의 반응물인 GaCl 가스를 챔버 내부로 주입하는 단계 및; 주입된 NH3 가스와 GaCl 가스가 반응하여 사파이어 기판 상부에 질화갈륨층을 형성하는 단계;로 구성되며, 질화갈륨층을 형성하는 단계에는, 사파이어 기판의 열 팽창을 완화시키기 위해서, 펠티어 소자를 이용하여 사파이어 기판을 냉각시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 대한 상세한 설명에 앞서, 펠티어 소자(Peltier Device)에 대해 상세히 설명한다
펠티어 소자는 서로 다른 두 N타입 또는 P타입의 열전 반도체 소자에 직류 전원을 걸어주면, 모듈의 양단에서 흡열 또는 발열 현상이 일어나는 펠티어 효과(Peltier Effect)를 이용하여 온도를 제어할 수 있는 반도체 소자이다.
그렇기 때문에, 펠티어 소자는 열전 모듈(Thermoelectric Module)라고 불리기도 한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 펠티어 소자(160)는 한 쌍의 N타입과 P타입의 열전반도체(161, 162)가 전기적으로는 직렬, 열적으로는 병렬의 구조를 갖도록 도체 연결부(164)를 통해 π형으로 연결한 모듈 형태로 사용되며, 모듈의 상, 하부에는 열 전도성이 높은 세라믹 기판(163a, 163b)이 부착되고, 전원을 공급하기 위한 전선(165a, 165b)을 구비한다.
도면상에는 펠티어 소자의 발열, 냉각 기능에 필요한 기본적인 최소의 모듈만을 도시한 것이다.
이러한 펠티어 소자의 N타입 열전 반도체(161)와 P타입 열전 반도체(162)에 전선(165a, 165b)을 통해 각각 양극(+)과 음극(-)의 직류(DC) 전류를 가해주면, P타입 열전 반도체(162) 쪽에서 N타입 열전 반도체(161) 쪽으로의 전자 이동이 나타남과 동시에 하부 세라믹 기판(163a)에서는 외부의 열을 흡수하면서 온도가 떨어지는 냉각 현상이 일어난다.
또한, 하부 세라믹 기판(163a)에서 흡수된 열은 상부 세라믹 기판(163b) 쪽으로 이동하게 되고, 상부 세라믹 기판(163b)에서는 외부로 열을 방출하면서 온도 가 올라가는 발열 현상이 일어난다.
한편, 전선(165a, 165b)을 통해 공급하는 직류전원의 극성을 바꾸게 되면, 반대로, 하부 세라믹 기판(163a)에서는 발열 현상이, 상부 세라믹 기판(163b)에서는 냉각 현상이 일어나게 된다.
특히, 이와 같은 펠티어 소자를 이용한 냉각 방식은, 냉매를 순환 시키기 위해 압축기를 가동시켜야 하는 기존의 냉각방식에 비해 시스템이 단순하고, 전류 세기의 조절을 통해 정밀하게 냉각 온도를 제어할 수 있을 뿐만 아니라, 극(+,-) 전환을 통해 냉각 면과 발열 면을 순간적으로 전환할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 펠티어 소자는 주변에는 열 손실을 주지 않으며, 국부적으로 온도를 올려주거나 내려줄 수 있다는 장점이 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시 예로써, 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법을 적절히 병행하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 바람직한 일 실시 예로써, 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치의 개략적인 단면도를 나타낸 것인데, 사파이어와 질화갈륨 사이의 열팽창 계수 차이를 줄이기 위해서, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 장치에서 서셉터 내부에 사파이어 기판을 국부적으로 가열 또는 냉각하기 위해서 펠티어 소자를 구비하고 있는 구조를 나타낸다.
구체적으로, 본 발명에 따른 바람직한 일 실시 예로써, 고품질 질화갈륨 기 판 제조 장치(100)는, 기본적으로 챔버(110), 제 1 가스 공급관(110a), 제 2 가스 공급관(110b), 가스 배출관(110c), 가열로(Furnace)(120), 갈륨 보트(Boat)(130), 서셉터(Susceptor)(150)를 포함하고 있으며, 펠티어 소자(160)를 더 구비하고 있는 개량된 HVPE 장치이다.
여기서, 상기 펠티어 소자(160)는 1000℃ 이상의 고온으로 작동하는 HVPE 장치 내에서도 견디며, 냉각성능이 우수한 Fe1 - xSi2Mnx 또는 Fe1 - xSiCox 와 같은 규화물계 펠티어 소자인 것이 바람직하다.
이때, 질화갈륨(GaN) 단결정 기판을 성장시키기 위해서는, HVPE 장치의 챔버(110) 내부 온도를 500℃ ~ 1,000℃에 이르는 고온으로 유지해야 가능하기 때문에, 성장온도를 낮추는 것은 바람직하지 못하다.
그러므로, 사파이어 기판 하부만 국부적으로 냉각 또는 발열시키기 위해서, 챔버 내에서 사파이어 기판(180)을 올려놓는 구조물인 서셉터(Susceptor) 내부에 펠티어 소자(160)를 구비하는데, 냉각 또는 발열 기능을 열 손실 없이 효과적으로 수행하기 위해서, 서셉터(150) 내부의 상단에 펠티어 소자(160)를 밀착시켜 장착하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 서셉터(150)는 세라믹 재질로 만들어지는 것이 바람직하다.
펠티어 소자를 이용한 온도 제어 방법을 간단히 설명하면, 챔버 온도를 가열시킬 때는 펠티어 소자의 상부가 냉각되도록 전류를 인가하여, 질화갈륨 기판에 비해 상대적으로 열 팽창력이 좋은 사파이어 기판의 온도를 낮추어 팽창을 완화하고, 챔버 온도를 고온에서 상온으로 낮출 때는 펠티어 소자의 상부가 발열되도록 전류를 인가하여, 사파이어 기판의 온도를 높혀 수축을 완화한다.
결과적으로, 이와 같은 과정을 통해, 질화갈륨 기판과 사파이어 기판 사이에 발생하는 열적 변형력(Thermal Stress)을 완화시킬 수 있다.
한편, 상기 챔버(110) 내부에서 하부에 위치한 가열로(Furnace)(120)로 인한 열이, 상기 서셉터(150)로 최대한 전달되지 않도록 하기 위해서, 서셉터 하단에는 지지대(170)를 구비하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 펠티어 소자(160)에 직류 전원을 공급하는 전선(165)을 보호하기 위해서, 상기 전선(165)은 상기 서셉터(150)와 상기 챔버(110) 외부를 연결시키는 보호관(155) 내부에 매입하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 보호관(155)도 상기 서셉터(150)와 마찬가지로 세라믹 재질인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 보호관(155)은 챔버(110) 내에서 제 1 및 제 2 가스 공급관이 위치하며, 서셉터 등이 위치하는 성장 영역(Growth Zone)에 비해 500℃ ~ 900℃의 온도로 상대적으로 낮게 설계된 소스 영역(Source Zone)으로 외부와 연결되도록 장착하는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명에 따른 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치에 장착시키는 펠티어 소자(160)를 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 일반적으로 펠티어 소자(160)는 N타입 및 P타입의 열전 반도체(161, 162) 쌍으로 이루어지는 펠티어 소자 모듈이 복수개 연결되어서 만들어진다. (펠티어 소자 모듈의 기본적인 구조에 대해서는 도 3에서 이미 설명하였다.)
그리고, 이와 같은 복수개의 모듈로 구성된 펠티어 소자의 동작 방법은, 도 3에 설명한 기본적인 구조의 펠티어 소자 모듈의 동작 방법과 동일하며, 아래에 설명하는 내용과 같다.
펠티어 소자에 전원을 공급하는 전선(165a, 165b)에 각각 양극(+)과 음극(-)의 직류(DC) 전원을 인가하면, 하부 세라믹 기판(163a)에서는 냉각 현상, 상부 세라믹 기판(163b)에서는 발열 현상이 일어나고, 직류 전원의 극성을 바꾸어서, 전선(165a, 165b)에 각각 음극(-)과 양극(+)의 직류 전원을 인가하면, 반대로, 하부 세라믹 기판(163a)에서는 발열 현상, 상부 세라믹 기판(163b)에서는 냉각 현상이 일어나게 된다.
그리고, 질화갈륨 기판의 제조시 이와 같은 현상을 이용하여, 챔버 내부를 고온으로 가열시에는, 전선(165a, 165b)에 각각 음극(-)과 양극(+)의 직류 전원을 인가하여, 상부 세라믹 기판(163b)을 냉각시키고, 챔버 내부를 고온에서 상온으로 냉각시에는, 전선(165a, 165b)에 각각 양극(+)과 음극(-)의 직류 전원을 인가하여, 상부 세라믹 기판(163b)을 가열시킨다.
이와 같이, 펠티어 소자를 구동시키는 전원의 극성 전환을 통해, 상부 세라믹 기판(163b)의 온도를 적절히 올리거나 내림으로써, 서셉터 바로 위에 접하고 있는 사파이어 기판의 온도를 제어할 수 있고, 이로부터, 사파이어 기판의 팽창 또는 수축을 조절하여, 질화갈륨 기판과 상대적인 팽창율의 차이를 완화시킴으로써, 휨(Bending)이나 균열(Crack)과 같은 결함 현상을 최소화하여 고품질의 질화갈륨 기판을 제조할 수 있다.
그리고, 이미 설명하였듯이, 펠티어 소자에서 직류 전원의 극성만 바꾸면 세라믹 기판은 상, 하부면 모두에서 냉각과 발열이 동시에 구현되므로, 서셉터(Susceptor) 내부의 상단에 펠티어 소자의 상, 하부가 바뀌어 장착되더라도, 기능을 수행하는 데는 아무 문제가 없다.
다만, 지금까지 도면을 참조하여 펠티어 소자의 동작을 설명하였는데, 만일, 펠티어 소자의 상, 하부를 도면과 반대로 장착하는 경우에는, 앞에서 설명했던 극성에 따른 세라믹 기판의 냉각 면과 발열 면의 위치도 뒤바뀐다는 점을 유의해야 한다.
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 발명의 구성을 상세히 설명하였지만, 본 발명은 반드시 이러한 실시 예로 국한되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.
본 발명에 따른 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치 및 제조 방법에 따르면, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 장치에서 서셉터(Susceptor) 내부에 질화갈륨 단결정을 성장시키기 위한 온도인 1000℃ 이상의 고온에서도 견딜 수 있는 Fe1 -xSi2Mnx 또는 Fe1 - xSiCox 규화물계 펠티어(Peltier) 소자를 이용하여, 질화갈륨층의 고온 성장시에 사파이어 기판의 온도를 내려 열 팽창을 감소시키고, 상온으로 냉각시에 사파이어 기판의 온도를 높여 열 수축을 감소시킴으로써, 질화갈륨 기판과 사파이어 기판 사이의 열 팽창 정도의 차이로 인한 열적 변형력(Thermal Stress)을 균형있게 조절하여, 휨(Bending), 균열(Crack)과 같은 결함을 최소화시킨 고품질 질화갈륨 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.

Claims (8)

  1. 외부와 밀폐되어 화학 반응하기 위한 내부공간을 갖는 챔버, 상기 챔버의 일측면에 위치하여, 상기 챔버 내부로 NH3 가스를 주입하는 제 1 가스 공급관, 상기 챔버의 일측면에 위치하며, 상기 챔버 내부로 GaCl 가스를 주입하는 제 2 가스 공급관 및 상기 챔버 내에서 화학 반응하고 남은 가스를 배출시키기 위해 챔버의 타 측면에 형성시킨 가스 배출관을 구비하는 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치에 있어서,
    상기 챔버 내의 하부에 구비되며, 사파이어 기판을 올려놓기 위한, 세라믹 재질의 서셉터;
    상기 사파이어 기판을 냉각시키거나 가열시키기 위해 상기 서셉터 내의 상부에 장착된 펠티어 소자; 및
    상기 서셉터와 상기 챔버의 외부를 연결하여, 상기 펠티어 소자에 직류전원을 공급하는 전선을 보호하는, 세라믹 재질의 보호관을 포함하는 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 펠티어 소자는, Fe1-xSi2Mnx와 Fe1-xSiCox의 규화물계 열전 반도체 소자를 이용한 것을 특징으로 하는 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 펠티어 소자는,
    상호 이격된 제 1 및 제 2 전극;
    제 1 전극 상부에 형성된 N타입 열전 반도체와;
    제 2 전극 상부에 형성된 P타입 열전 반도체및;
    상기 N타입 열전 반도체와 P타입 열전 반도체의 상부에 전기적으로 연결시키기 위해 형성되어있는 도체 연결부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치.
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