KR101140695B1 - 펌프 세정 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 가공 기구의 배기에 사용되는 펌프의 세정에 관한 것이다. 펌프 사용시, NF3와 같은 반응물은 기구와 펌프 사이에서 연장되는 포어라인으로 주입된다. 포어라인 내에 위치한 플라즈마 발생기는 NF3로부터 플루오르 및/또는 플루오르 라디칼들을 발생시키며 이들이 펌프를 통해 운반되면서 펌프를 세정한다.
Description
본 발명은 반도체 공정 챔버의 배기에 사용되는 펌프의 세정 시스템에 관한 것이다.
반도체 기구들로부터 유체를 펌핑하는데 사용되는 진공 펌핑 장치(vacuum pumping arrangements)는 통상적으로 상호 맞물림 회전자들(inter-meshing rotors)을 이용한 다단계 용적식(multi-stage positive displacement) 펌프를 보조 펌프(backing pump)로 사용한다. 각 단의 회전자들은 동일 형태의 외형(profile)을 가지거나 단 마다 다른 외형을 가질 수도 있다.
화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정과 같은 반도체 공정 시, 증착 가스를 공정 챔버에 공급하여 증착 층을 기판 표면 상에 형성한다. CVD를 변형한 원자 층 증착(atomic layer deposition; ALD)은 특히 저온 증착에 있어서 균일성과 정합성 있게 박층의 증착을 향상시킬 수 있는 것으로 여겨져 왔다. ALD 공정에 있어서, 증착 가스의 챔버 내 잔류 시간은 비교적 짧아서, 챔버에 공급되는 가스 중 증착 공정 중에 소모되는 양은 매우 적다. 따라서, 소모되지 않은 상당량의 가스 분자들이 공정 챔버 외부에서 예컨대, 공정 포어라인(foreline)과 보조 펌프(backing pump)가 위치한 곳에서 반응할 수 있다. 이는 펌프 회전자 및 고정자에 고밀도의 재료가 침착되는 결과를 초래할 수 있다. 더욱이, 위의 소모되지 않은 공정 가스나 증착 공정에서의 부산물이 응축되는 경우, 저온 표면에서의 승화는 펌프 내에 분말 또는 분진이 침착되는 결과를 초래할 수 있다. 이와 같은 고체 재료의 침착이 계속해서 감소되지 않는 경우, 이는 결국 펌프 모터에 과부하가 걸리는 원인이 될 수 있으며, 이에 따라 펌프 제어 시스템은 펌프의 조업 중단을 명령한다. 더욱이, 펌프가 주변 온도까지 냉각되는 경우, 이 침착된 재료는 회전자와 고정자 사이에서 응축될 것이다. 접촉할 가능성이 있는 비교적 넓은 표면적으로 인해, 이는 회전자와 고정자 사이에서 발생하며, 이 침착된 재료가 응축되면 회전에 대한 마찰력은 크기 규모만큼이나 증가될 수 있다.
보조 펌프를 세정하는 하나의 기술은 세정 유체를 고정자 주변에 위치한 퍼지 포트(purge port) 내로 분사시키는 것이다. 그러나, 통상적으로 보조 펌프는 비교적 크기 때문에, 바닥 고정 펌프(floor standing pump)는 지하에 위치하는 경향이 있으며, 그래서 세정 유체를 보조 펌프로 운반하는 데 비교적 장거리의 배관이 필요할 수 있다. 더욱이, 공정 챔버 내에서 수행되는 ALD 공정에 있어서, 세정 유체를 침착물과 반응시킬 필요가 있는 것은 침착물이 배출 가스와 함께 펌프로부터 씻겨져 내려가도록 하기 위함이다. 예컨대, 세정 유체는 ClF3 또는 F2와 같은 불화 가스를 포함할 수도 있다. 분명, 위와 같은 가스를 함유하는 비교적 장거리 의 배관을 구비하는 것은 안전상 바람직하지 않다.
본 발명의 적어도 바람직한 실시양태에 따른 목적은 이들 및 기타 문제점들을 해결하고자 함에 있다.
도 1은 반도체 가공 기구에 있어서 공정 챔버의 배기를 위한 시스템 개략도이다.
본 발명 제1의 요지는 반도체 가공 기구의 배기에 사용되는 펌프의 세정 방법을 제공하는 것으로서, 기구로부터 펌프쪽으로 배출 흐름을 운반하는 데 사용되는 포어라인으로 반응물을 주입하는 단계; 반응물로부터 펌프를 세정하기 위한 하나 이상의 반응성 종들을 발생시키는 단계; 및 반응성 종들을 펌프에 통과시키는 단계를 포함한다.
기구와 펌프 사이의 포어라인으로 반응물을 분사시키고, 분사된 반응물로부터 반응성 종들을 발생시킴으로써, 본 발명은 펌프로 가는 유체 흐름의 특정 경로를 설정할 필요 없이 펌프를 세정할 수 있도록 한다. 이는 비용을 절감시키고 안전성을 향상시킬 수 있다.
반응성 종들을 포어라인으로 주입시킴으로써, 반응성 종들은 주입 지점과 펌프 사이의 소정의 편리한 위치에서 발생될 수도 있다. 펌프가 지하에 위치하는 비교적 큰 펌프일 수도 있기 때문에, 반응물은 기구에 근접 또는 인접한 포어라인으로 주입되는 것이 바람직하다. 반대로, 반응성 종들은 펌프에 근접 또는 인접하여 발생되는 것이 바람직한데, 이는 양쪽 모두가 반응성이 낮은 포어라인의 상당 부분을 따라 반응물을 운반시켜 비교적 안전한 상태를 제공할 수 있도록 하며, 또한 반응성 종들의 재조합 수준을 최소화시켜 반응성 종들이 펌프에 도달하기 전에 반응물을 형성할 수 있도록 하기 위함이다.
펌프 세정에 필요할 때 및 그때마다 반응성 종들은 반응물로부터 주기적으로 발생될 수도 있다. 예컨대, 펌프의 작동 특성, 예를 들어 펌프의 모터에 의해 유도되며, 펌프의 막힘 정도를 나타낼 수 있는 전류를 감시하고, 감시된 특성에 따라, 예를 들어 유도 전류가 기설정된 양을 초과하게 되는 경우에, 반응성 종들이 발생되도록 하는 제어장치를 구성할 수도 있다. 기타 감시될 수 있는 작동 특성들은
?모터 동력
?펌프 온도
?배출 압력
?베어링 진동
을 포함하나, 이들에만 한정되지 않으며, 이들 작동 특성 중 어느 하나 또는 이들의 조합이 펌프의 막힘을 나타내는 변수로서 사용될 수 있다.
대안적으로, 또는 추가적으로, 포어라인의 내부 압력을 나타내는 신호를 받아서 포어라인의 내부 압력에 따라 반응성 종들이 발생되도록 하는 제어장치를 구성할 수도 있다. 이러한 신호로부터, 제어장치는 펌프가 언제 막힐 지를 예측하고, 그에 따라 발생하게 되는 반응성 종들이 그 막힘을 예방하도록 할 수 있다. 예컨대, 포어라인 내의 압력이 비교적 낮아, 포어라인 내에 배출 유체가 적다거나 전혀 없음을 나타내는 경우, 반응성 종들의 발생 주기 및/또는 지속기간은 증가될 수 있다.
대안적으로, 또는 추가적으로, 공정 기구의 작동 특성을 나타내는 신호를 받아 그 신호에 포함된 정보에 따라 반응성 종들이 발생되도록 하는 제어 장치를 구성할 수도 있다. 이러한 정보는, 예컨대 공정 챔버의 내부 압력 및 온도, 가스 흐름 속도, 챔버의 적재 조건 등에 관한 것일 수 있다.
이와 유사한 방식으로, 반응성 종들을 포어라인 내로 주입하는 주기 및/또는 지속기간은 펌프의 작동 특성, 기구의 작동 특성 및 포어라인의 내부 압력 중 하나 이상에 따라 제어되는 것이 바람직하다.
바람직한 실시양태에 있어서, 반응물은 열분해되어 반응성 종들을 형성한다. 포어라인 내에 위치한 플라즈마 발생기는 플라즈마를 타격하여 반응물을 반응성 종들로 분해하는 데 사용되는 것이 바람직하다. 플라즈마는 바람직하게 질소 및 아르곤과 같은 이온화 가능한 불활성 가스로부터 발생되는 것이 바람직하다. 불활성 가스를 플라즈마 발생기로 운반하기 위해 비교적 장거리의 배관을 구비하는 대신, 불활성 가스를 포어라인으로 주입하는 것이 바람직하다.
바람직한 실시양태에 있어서, 반응물은 플루오르(fluorine) 소스를 포함하고, 반응성 종들은 플루오르(F2 및/또는 F) 및/또는 플루오르 라디칼(F*)을 포함한다. 이러한 종들은 ALD 공정 기구의 배기에 사용되는 펌프를 세정하는 데 특히 적합하다. 이러한 종들의 소스로서, 반응물은 퍼플루오르화 또는 수소화플루오르화탄소 화합물, 예컨대 CF4, C2F6, CHF3, C3F8, C4F8, NF3 및 SF6 중 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
공정 기구가 비활성, 예컨대 유지관리 기간인 동안에, 대안적으로는 공정 기구가 활성, 즉 배출 흐름이 포어라인을 통하여 펌프쪽으로 통과하는 동안, 반응물은 포어라인으로 주입될 수 있다. 이는 기구의 정지시간(downtime) 최소화에 도움을 줄 수 있는데, 이는 펌프가 세정되는 동안 기구의 정상적인 조업을 멈출 필요가 없기 때문이다. 따라서, 본 발명 제2의 요지는 반도체 가공 기구의 배기에 사용되는 펌프의 세정 방법을 제공하는 것으로서, 펌프에 의해 기구로부터 유도된 배출 흐름으로 반응물을 주입하는 단계; 배출 흐름 내의 반응물로부터 펌프를 세정하기 위한 하나 이상의 반응성 종들을 발생시키는 단계; 및 배출 흐름 및 반응성 종들을 펌프에 통과시키는 단계를 포함한다.
본 발명 제3의 요지는 반도체 가공 기구의 배기를 위한 펌프의 세정 장치를 제공하기 위한 것으로서, 장치는 기구와 펌프 사이에서 연장되는 포어라인으로 반응물을 주입하기 위한 수단; 및 포어라인 내에 위치되어 반응물로부터 펌프를 세정하기 위한 하나 이상의 반응성 종들을 발생시키기 위한 수단을 포함하여 이루어진다.
본 발명의 방법 요지와 관련하여 상술한 특징들은 장치 요지에도 동일하게 적용될 수 있으며, 그 반대의 경우도 마찬가지이다.
예시적으로, 본 발명의 일 실시양태가 첨부 도면을 참조하여 이하에서 더욱 상세하게 설명될 것이며, 이는 반도체 가공 기구의 공정 챔버(12)를 배기하기 위한 시스템(10)을 개략적으로 나타낸 것이다. 본 실시양태에 있어서, 기구는 챔버(12) 내에 위치한 기판 상으로 하나 이상의 층들을 증착하기 위한 증착 기구로, 예컨대 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 기구 또는 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 기구이다. 그러나, 본 발명은 기타 여하한 형태의 반도체 가공 기구와 함께 사용하는 데 적용될 수 있다.
본 실시양태에 있어서, 배기 시스템(10)은 기구 상에 장착될 수 있는 부스터 펌프(booster pump)(14)와, 부스터 펌프(14)에 연결되는 보조 펌프(backing pump)(16)를 포함하여 이루어진다. 부스터 펌프(14)는 터보분자 펌프(turbomolecular pump)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 보조 펌프(16)는 하나 이상의 루츠(Roots), 노르씨(Northy)("클로(claw)") 또는 스크류(screw)형 펌핑 메카니즘을 갖는 건식 펌프를 포함하여 이루어질 수 있다. 부스터 펌프(14)는 배기 시스템(10)에 있어서 선택적인 구성요소이고, 보조 펌프(16)는 포어라인(18)을 경유하여 챔버(12)와 직접 연결될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 목적을 위해, 부스터 펌프(14)가 포어라인(18) 내의 선택적인 구성요소로 포함되는 한, 포어라인(18)은 챔버(12)로부터 보조 펌프(16)쪽으로 통과하는 배출 흐름의 전체 흐름 경로를 포함한다.
보조 펌프(16)는 배출 유체가 대기 중으로 배출되기 이전에 배출 유체를 처리하여 그로부터 소정의 독성 유체를 제거하기 위한 경감 시스템(미도시)으로 배출 유체를 출력할 수 있다.
사용 시, 포어라인(18)은 배출 유체 출력 흐름을 챔버(12)로부터 보조 펌프(16)를 향해 운반한다. 본 실시양태에 있어서, 기구는 증착 기구이기 때문에, 소모되지 않은 상당량의 가스 분자들이 포어라인(18)을 통해 보조 펌프(16)쪽으로 통과하는 유출 흐름 내에 존재한다. 이는 보조 펌프(16)의 회전자와 고정자 사이의 주행 틈새(running clearances) 내에 고밀도 재료의 침착을 초래할 수 있다. 이러한 재료가 경감되지 않고 쌓여만 가는 경우, 결국 보조 펌프의 모터에 과부하가 걸리게 되고, 이에 따라 펌프 제어 시스템이 보조 펌프의 조업 중단을 명령하게 된다.
이러한 관점에서, 배기 시스템(10)은 이러한 재료를 제거하기 위해 보조 펌프(16)를 주기적으로 세정하기 위한 시스템을 포함한다. 세정 시스템은 반응물을 포어라인(18)으로 주입하도록 배치되고, 그로부터 하나 이상의 반응성 종들이 연속적으로 발생되어 보조 펌프(16) 내에 침착되는 재료와 반응하도록 한다. 도시된 실시양태에 있어서, 배기 시스템(10)은 제1 가변 흐름 제어 장치, 예컨대 버터플라이 또는 다른 제어 밸브(20)를 포함하며, 이로부터 반응물은 챔버(12)에 근접하여 위치한 제1 유체 포트를 경유하여 포어라인(18)으로 주입된다. 도시된 바와 같이, 반응물은 포어라인(18) 내에 위치한 소정의 부스터 펌프(14), 특히 기구 상에 장착된 부스터 펌프(14)로부터 하향 흐름으로 편리하게 주입되거나, 대안적으로는, 특히 부스터 펌프(14)가 기구와는 물리적으로 분리되어 있는 경우, 반응물은 부스터 펌프(14)로부터 포어라인으로 상향 흐름으로 주입될 수 있다.
본 실시양태에 있어서, 반응물 NF3는 그 소정의 적합한 소스, 예컨대 가스 실린더로부터 밸브(20)에 공급될 수 있다. 반응성 종들은 포어라인(18) 내에 위치한 플라즈마 발생기(24)에 의해 NF3 반응물로부터 발생된다. 플라즈마 발생기(24)의 적합한 예는 엠케이에스 아스트론 AX7680(MKS ASTex Products, 윌밍톤, 메사추세츠주), 또는 NF3 반응물 플루오르(F2 및/또는 F) 및 플루오르 라디칼(F*)로부터 보조 펌프(16) 내에 침착되는 재료와 반응시키기 위한 반응성 종으로 발생시킬 수 있는 유사 장치이다. 보다 많은 반응성 플루오르 라디칼들이 재조합하여 매우 짧은 거리 내에서 F2를 형성함에 따라, 도면에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생기(24)를 보조 펌프(16)에 근접하게 위치시켜 플루오르 라디칼들이 보조 펌프(16)의 내부 구성요소들로 도달할 가능성을 최대화하는 것이 바람직하다.
플라즈마 발생기(24) 내에서, NF3 반응물은 이온화 가능한 불활성 가스, 예컨대 질소 또는 도면에 예시된 바와 같은 아르곤으로부터 발생되는 플라즈마를 통해 운반되어, 반응물이 반응성 종들로 열분해되도록 한다. 본 실시양태에 있어서, 불활성 가스를 플라즈마 발생기(24)로 운반하기 위해 분리 배관 또는 도관을 마련하는 대신, 불활성 가스는 플라즈마 발생기(24)로부터 포어라인(18)으로 상향 흐름으로 주입된다. 도시된 바와 같이, 배기 시스템(10)은 버터플라이 또는 다른 제어 밸브(22)와 같은 제2 가변 흐름 제어 장치를 포함하며, 이를 통해 불활성 가스는 챔버(12)에 근접하게 위치한 제2 유체 포트를 경유하여 포어라인(18)으로 주입된다.
제1 및 제2 제어 밸브(20, 22)와 플라즈마 발생기(24)의 동작을 제어하기 위해 제어장치(26)가 마련된다. 플라즈마 발생기(24) 내에서 플라즈마를 최초로 타격하기 위해, 반응물 또는 배출 유체가 포어라인(18)에 존재하기 전에, 예컨대 가공 기구의 휴지(idle) 기간 동안, 제어장치(26)가 제2 제어 밸브(22)를 제어하여 불활성 가스를 포어라인(18)으로 공급한다. 예컨대, 제1 및 제2 제어 밸브(20, 22)는 모두 제어장치(26)으로부터 수신된 신호 내에 포함되는 정보에 따라 가변적인 컨덕턴스를 구비할 수 있다. 플라즈마 발생기(24) 내에서 플라즈마가 타격을 받게 되면, 제2 제어 밸브(22)의 컨덕턴스는 포어라인(18)에 공급되는 불활성 가스가 항상 충분하게 존재하도록 하여 플라즈마가, 필요할 때, 플라즈마 발생기(24) 내에 유지될 수 있도록 제어될 수 있다.
제어장치(26)는 제1 제어 밸브(20) 및 플라즈마 발생기(24)를 작동시켜 반응물이 포어라인(18)으로 주입되도록 하며, 보조 펌프(16)의 세정이 필요할 때 및 그 때마다, 반응성 종들이 반응물로부터 발생되도록 구성하는 것이 바람직하다. 반응물은 펌프 세정이 가공 기구의 정지 시간과 함께 동기화될 수 있도록 가공 기구의 휴지 기간 동안 포어라인으로 주입될 수 있거나, 챔버(12)로부터의 배출 유체 및 반응성 종들의 혼합물이 그 조업 중에 보조 펌프(16)에 통과되도록 가공 기구의 활성화 기간 동안 포어라인으로 주입될 수도 있다.
하나 이상의 시스템(10) 작동 파라미터에 따라 제1 제어 밸브(20)와 플라즈마 발생기(24)의 작동이 제어될 수 있다. 이는 보조 펌프(16)의 작동 특성, 기구의 작동 특성 및 포어라인(18)의 내부 압력을 포함하나, 이들에만 한정되지 않는다. 예컨대, 제어장치(26)는 보조 펌프(16)와 기구의 제어장치들로부터 보조 펌프(16) 및 기구에 관한 상태 또는 다른 파라미터를 나타내는 신호를 수신하여, 그에 따라 제1 제어 장치(20) 및 플라즈마 발생기를 제어하도록 구성될 수 있다. 도시된 바와 같이, 제어장치(26)는 또한 포어라인의 내부 압력을 나타내는 압력 센서(28)로부터 신호를 수신할 수 있다. 이들 신호로부터, 제어장치(26)는 보조 펌프(16)의 막힘 상태, 및 보조 펌프(16) 내부의 전류 및 재료의 장래 침착 속도를 결정할 수 있고, 이에 따라 보조 펌프(16)의 세정 강도를 최적화할 수 있다. 예컨대, 제어장치(26)는 수신된 신호에 대한 응답으로 반응물의 포어라인(18) 내로의 주입 주기 및/또는 지속기간, 및/또는 반응성 종들의 반응물로부터의 발생 주기 및/또는 지속기간을 제어할 수도 있다. 이로 인해 보조 펌프(16)가 비교적 깨끗하고, 보조 펌프(16) 내에서의 재료 침착 속도가 비교적 낮은 경우, 반응물의 불필요한 공급을 피할 수 있고, 반응물로부터 반응성 종들의 불필요한 생성을 피할 수 있으며, 이에 따라 비용을 절감할 수 있다.
Claims (28)
- 반도체 가공 기구의 배기에 사용되는 펌프의 세정 방법으로서,상기 기구로부터 상기 펌프쪽으로 배출 흐름을 운반하는 데 사용되는 포어라인으로 반응물을 주입하는 단계;상기 반응물로부터 상기 펌프를 세정하기 위한 하나 이상의 반응성 종들을 발생시키는 단계; 및상기 반응성 종들을 상기 펌프에 통과시키는 단계를 포함하되,상기 반응물로부터의 상기 반응성 종들의 발생 지속기간 및/또는 주기가 펌프의 작동 특성, 기구의 작동 특성 및 포어라인의 내부 압력 중 하나 이상에 따라 제어되고,상기 반응물이 플루오르 소스를 포함하고, 상기 반응성 종들이 플루오르 및/또는 플루오르 라디칼들을 포함하는, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응성 종들이 상기 펌프에 인접하여 발생되는 방법.
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응물이 열분해되어 상기 반응성 종들을 형성하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 반응물이 플라즈마에 의해 열분해되는 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 플라즈마가 이온화 가능한 불활성 가스로부터 발생되는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 불활성 가스가 질소 및 아르곤 중 하나인 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 불활성 가스가 상기 반응물과는 별도로 상기 포어라인으로 주입되는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 불활성 가스가 상기 반응물 이전에 상기 포어라인으로 주입되는 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 반응물이 퍼플루오르화 화합물 또는 수소화플루오르화탄소 화합물을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응물이 F2, CF4, C2F6, CHF3, C3F8, C4F8, NF3 및 SF6 중 하나를 포함하는 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 반응물이 상기 기구에 근접 또는 인접하는 상기 포어라인으로 주입되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 배출 흐름이 상기 포어라인을 통해 상기 펌프쪽으로 통과함에 따라 상기 반응물이 상기 포어라인으로 주입되는 방법.
- 반도체 가공 기구의 배기에 사용되는 펌프의 세정 방법으로서,상기 펌프에 의해 상기 기구로부터 유도된 배출 흐름으로 반응물을 주입하는 단계;상기 배출 흐름 내의 상기 반응물로부터 상기 펌프를 세정하기 위한 하나 이상의 반응성 종들을 발생시키는 단계; 및상기 배출 흐름 및 상기 반응성 종들을 상기 펌프에 통과시키는 단계를 포함하되,상기 반응물로부터의 상기 반응성 종들의 발생 지속기간 및/또는 주기가 펌프의 작동 특성, 기구의 작동 특성 및 포어라인의 내부 압력 중 하나 이상에 따라 제어되고,상기 반응물이 플루오르 소스를 포함하고, 상기 반응성 종들이 플루오르 및/또는 플루오르 라디칼들을 포함하는, 방법.
- 반도체 가공 기구의 배기를 위한 펌프의 세정 장치로서,상기 기구와 상기 펌프 사이에서 연장되는 포어라인으로 반응물을 주입하기 위한 수단;상기 포어라인 내에 위치되어 상기 반응물로부터 상기 펌프를 세정하기 위한 하나 이상의 반응성 종들의 발생 수단; 및상기 발생 수단의 작동 주기 및/또는 지속기간을 제어하기 위한 제어 수단을 포함하되,상기 반응물이 플루오르 소스를 포함하고, 상기 반응성 종들이 플루오르 및/또는 플루오르 라디칼들을 포함하는, 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 발생 수단이 상기 펌프에 인접하여 위치된 장치.
- 삭제
- 제17항에 있어서, 상기 제어 수단이 상기 펌프의 작동 특성, 상기 기구의 작동 특성 및 상기 포어라인의 내부 압력 중 하나 이상에 따라 상기 발생 수단의 작동 주기 및/또는 지속기간을 제어하도록 배치되는 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 제어 수단이 상기 펌프의 작동 특성, 상기 기구의 작동 특성 및 상기 포어라인의 내부 압력 중 하나 이상에 따라 상기 반응물의 상기 포어라인 내로의 주입 주기 및/또는 지속기간을 제어하도록 배치되는 장치.
- 제17항, 제18항, 제20항 및 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발생 수단이 상기 반응물을 열분해시켜 상기 반응성 종들을 형성하도록 배치되는 장치.
- 제17항, 제18항, 제20항 및 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발생 수단이 플라즈마 발생기를 포함하는 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 포어라인으로 이온화 가능한 불활성 가스를 주입하여 상기 플라즈마를 발생시키기 위한 수단을 포함하는 장치.
- 제24항에 있어서, 상기 불활성 가스가 질소 및 아르곤 중 하나인 장치.
- 삭제
- 제17항에 있어서, 상기 반응물이 퍼플루오르화 화합물 또는 수소화플루오르화탄소 화합물을 포함하는 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 반응물이 F2, CF4, C2F6, CHF3, C3F8, C4F8, NF3 및 SF6 중 하나를 포함하는 장치.
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