KR101130969B1 - Supporting member for substrate, and substrate heating apparatus including the supporting member for substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판의 열팽창에 의해 기판 지지부재에 접촉되는 기판의 배면에 발생되는 스크래치(Scratch)를 방지할 수 있도록 한 기판 지지부재와 이를 포함하는 기판 가열 장치에 관한 것으로, 기판을 가열하기 위한 가열 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버에 설치되어 열을 방출하는 가열부재; 및 상기 기판의 배면 가장자리 부분을 지지하고, 상기 가열 부재에 의해 가열되는 상기 기판의 열팽창에 의해 상기 기판의 배면에 발생되는 스크래치를 방지하기 위해 상기 기판의 배면에 면접촉되어 상기 기판의 열팽창에 따라 회전되는 회전부재를 포함하는 복수의 기판 지지부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a substrate support member and a substrate heating apparatus including the same, which can prevent scratches generated on the back surface of the substrate in contact with the substrate support member by thermal expansion of the substrate. A chamber providing a space; A heating member installed in the chamber to release heat; And a back contact with the rear surface of the substrate in order to support a rear edge portion of the substrate and to prevent scratches generated on the rear surface of the substrate by thermal expansion of the substrate heated by the heating member. It characterized in that it comprises a plurality of substrate support member including a rotating member to be rotated.
기판, 가열, 열팽창, 스크래치, 회전부재, 기판 지지부재 Substrate, Heating, Thermal Expansion, Scratch, Rotating Member, Substrate Support Member
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판의 열팽창에 의해 기판 지지부재에 접촉되는 기판의 배면에 발생되는 스크래치(Scratch)를 방지할 수 있도록 한 기판 지지부재와 이를 포함하는 기판 가열 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate support member and a substrate heating including the substrate support member, which can prevent scratches generated on the rear surface of the substrate in contact with the substrate support member by thermal expansion of the substrate. Relates to a device.
일반적으로, 반도체 소자, 태양전지, 액정 표시장치, 및 발광 표시장치 등을 제조하기 위한 기판 처리 장치는 챔버 내에서 기판(또는 웨이퍼) 상에 박막 공정, 포토공정, 식각공정, 확산공정 등을 포함하는 기판 처리 공정을 수행하게 된다.In general, a substrate processing apparatus for manufacturing a semiconductor device, a solar cell, a liquid crystal display, a light emitting display, and the like includes a thin film process, a photo process, an etching process, a diffusion process, and the like on a substrate (or wafer) in a chamber. The substrate processing process is performed.
이러한 기판 처리 공정에서는 기판의 온도에 따라 기판 상에 증착 또는 패터닝되는 박막의 균일도(Uniformity), 선폭(Critical), 프로파일(Profile) 및 재현성(Repeatability) 등이 달라질 수 있다. 이에 따라, 기판의 온도는 박막의 균일도, 선폭, 프로파일 및 재현성 등을 개선하는 매우 중요한 요인으로 작용한다. 이에 따라, 기판 처리 공정은 기판을 반응에 적합한 온도로 가열하는 기판 가열 공정 을 포함하게 된다.In such a substrate processing process, the uniformity, critical, profile, and repeatability of the thin film deposited or patterned on the substrate may vary depending on the temperature of the substrate. Accordingly, the temperature of the substrate serves as a very important factor for improving the uniformity, line width, profile and reproducibility of the thin film. Accordingly, the substrate treating process includes a substrate heating process for heating the substrate to a temperature suitable for the reaction.
상기의 기판 가열 공정이 기판 처리 공정을 수행하는 공정 챔버 내에서 이루어질 경우, 공정 시간이 증가되어 생산성이 감소되기 때문에 공정 시간을 감소시켜 생산성을 향상시키기 위해 상기의 기판 가열 공정을 공정 챔버의 외부에 마련된 기판 가열 장치에서 수행하게 된다.When the substrate heating process is performed in a process chamber that performs a substrate processing process, since the process time is increased and productivity is decreased, the substrate heating process is performed outside the process chamber to reduce the process time and improve productivity. The substrate heating apparatus is provided.
도 1은 일반적인 기판 가열 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a general substrate heating apparatus.
도 1을 참조하면, 일반적인 기판 가열 장치는 챔버(10); 가열 부재(20); 및 복수의 기판 지지부재(30)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a general substrate heating apparatus includes a
챔버(10)는 외부로부터 기판(S)을 소정 온도로 가열시키기 위한 가열 공간을 제공한다. 이러한, 챔버(10)의 일측에는 기판 반송장치에 의해 기판(S)이 출입하는 기판 출입구(미도시)가 마련된다.The
가열 부재(20)는 외부로부터 제공되는 열원에 의해 열을 챔버(10)의 내부 및/또는 기판(S)을 소정의 온도로 가열한다.The
복수의 기판 지지부재(30)는 챔버(10)의 바닥면으로부터 수직하게 설치되어 기판 출입구를 통해 반송되는 기판(S)을 가열 공정 동안 지지한다. 이때, 복수의 기판 지지부재(30)는 기판 반송장치의 출입을 위해 가열 부재(20)보다 높은 높이를 가지도록 원통 형태로 형성된다. 이러한, 복수의 기판 지지부재(30) 각각은, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(S)의 중앙부, 가장자리 부분을 지지하도록 복수로 배치될 수 있다.The plurality of
이와 같은, 일반적인 기판 가열 장치는 복수의 기판 지지부재(30)에 기판(S) 이 안착되면, 가열 부재(20)로부터 방출되는 열에 이용하여 기판(S)을 급속하게 가열함으로써 기판(S)을 소정의 온도로 가열하기 위한 기판 가열 공정을 수행한다.In this general substrate heating apparatus, when the substrate S is seated on the plurality of
그러나, 종래의 기판 가열 장치는 상기의 기판 가열 공정시 열에 의해 기판(S)과 기판 지지부재(30) 각각이 열패창 계수에 따라 열팽창(TE)됨으로써 기판 지지부재(30)보다 열팽창율이 큰 기판(S)의 열팽창(TE)에 따라 기판 지지부재(30)에 접촉되는 기판(S)의 배면에 스크래치(Scratch)가 발생되고, 기판(S)의 크기가 커질수록 스크래치가 많이 발생된다는 문제점이 있다.However, in the conventional substrate heating apparatus, each of the substrate S and the
또한, 기판(S)의 배면에 발생되는 스크래치는 후속 공정에 악영향을 미침으로써 생산성을 저하시키는 원인이 될 수 있다. 예를 들어, 태양전지의 제조 공정의 경우, 스크래치가 발생된 기판(S) 상에 박막 공정을 진행한 후, 레이저 가공 공정을 진행할 경우 상기 스크래치가 레이저의 투과를 방해함으로써 레이저 가공이 이루어지지 않게 된다.In addition, the scratches generated on the back surface of the substrate S may be a cause of lowering productivity by adversely affecting subsequent processes. For example, in the case of manufacturing a solar cell, after performing a thin film process on the scratched substrate (S), when the laser processing process is carried out so that the scratch does not interfere with the laser transmission laser processing is not made do.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판의 열팽창에 의해 기판 지지부재에 접촉되는 기판의 배면에 발생되는 스크래치(Scratch)를 방지할 수 있도록 한 기판 지지부재와 이를 포함하는 기판 가열 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention is to solve the above-described problems, the substrate support member and the substrate heating apparatus including the same to prevent the scratch (Scratch) generated on the back of the substrate in contact with the substrate support member by the thermal expansion of the substrate It is technical problem to provide.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 가열 장치는 기판을 가열하기 위한 가열 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버에 설치되어 열을 방출하는 가열부재; 및 상기 기판의 배면 가장자리 부분을 지지하고, 상기 가열 부재에 의해 가열되는 상기 기판의 열팽창에 의해 상기 기판의 배면에 발생되는 스크래치를 방지하기 위해 상기 기판의 배면에 면접촉되어 상기 기판의 열팽창에 따라 회전되는 회전부재를 포함하는 복수의 기판 지지부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate heating apparatus including a chamber providing a heating space for heating a substrate; A heating member installed in the chamber to release heat; And a back contact with the rear surface of the substrate in order to support a rear edge portion of the substrate and to prevent scratches generated on the rear surface of the substrate by thermal expansion of the substrate heated by the heating member. It characterized in that it comprises a plurality of substrate support member including a rotating member to be rotated.
상기 회전부재는 상기 기판의 배면에 면접촉되어 편 방향으로 회전되는 원통 형태의 롤러인 것을 특징으로 한다.The rotating member may be a cylindrical roller that is in surface contact with the rear surface of the substrate and rotates in one direction.
상기 회전부재의 길이 방향은 상기 기판의 측면 방향과 나란한 것을 특징으로 한다.The longitudinal direction of the rotating member is characterized in that parallel to the side direction of the substrate.
상기 복수의 기판 지지부재는 상기 기판의 배면 중앙 부분을 지지하는 적어도 하나의 제 1 기판 지지부재; 및 상기 회전부재를 통해 상기 기판의 배면 가장자 리 부분을 지지하는 복수의 제 2 기판 지지부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The plurality of substrate support members may include at least one first substrate support member for supporting a rear center portion of the substrate; And a plurality of second substrate supporting members for supporting the rear edge portion of the substrate through the rotating member.
상기 복수의 제 2 기판 지지부재 각각은 지지대; 상기 지지대의 상부에 설치되는 헤드; 및 상기 헤드에 회전 가능하게 설치되어 상기 기판의 열팽창에 따라 회전되는 상기 회전부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of second substrate support members may include a support; A head installed above the support; And the rotating member rotatably installed on the head to rotate in accordance with thermal expansion of the substrate.
상기 복수의 제 2 기판 지지부재 각각은 상기 기판의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 상기 헤드를 회전시키기 위한 헤드 회전 가이드부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of second substrate supporting members may further include a head rotation guide part for rotating the head in a direction corresponding to the thermal expansion direction of the substrate.
상기 헤드 회전 가이드부는 상기 지지대에 형성된 복수의 헤드 회전 가이드홀; 상기 헤드에 형성된 복수의 핀 관통홀; 및 상기 복수의 핀 관통홀 중 어느 하나를 관통하도록 상기 복수의 헤드 회전 가이드홀 중 대각선 방향으로 형성된 제 1 및 제 2 헤드 회전 가이드홀간에 설치되어 상기 헤드를 지지하는 헤드 고정핀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The head rotation guide portion is a plurality of head rotation guide hole formed in the support; A plurality of pin through holes formed in the head; And a head fixing pin installed between the first and second head rotation guide holes formed in a diagonal direction among the plurality of head rotation guide holes so as to pass through any one of the plurality of pin through holes. It is characterized by.
상기 헤드는 제 1 및 제 2 헤드 회전 가이드홀 내에서 이동되는 상기 헤드 고정핀의 수평 이동에 따라 상기 기판의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 회전되는 것을 특징으로 한다.The head may be rotated in a direction corresponding to the thermal expansion direction of the substrate according to the horizontal movement of the head fixing pin moved in the first and second head rotation guide holes.
상기 헤드 회전 가이드부는 상기 헤드와 상기 지지대 사이에 설치되어 상기 헤드를 승강시키는 탄성부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The head rotation guide unit is characterized in that it further comprises an elastic member which is installed between the head and the support for lifting the head.
상기 복수의 헤드 회전 가이드홀 각각은 상기 탄성부재에 의한 상기 헤드 고정핀의 승강을 가이드 하는 승강 가이드부; 및 상기 승강 가이드부에 연통되도록 형성되어 상기 헤드 고정핀의 수평 이동을 가이드 하는 핀 가이드부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of head rotation guide holes includes a lifting guide part for guiding the lifting of the head fixing pin by the elastic member; And a pin guide part configured to communicate with the lifting guide part to guide the horizontal movement of the head fixing pin.
상기 승강 가이드부의 폭은 상기 헤드 고정핀의 폭보다 큰 것을 특징으로 한다.The lifting guide portion has a width greater than that of the head fixing pin.
상기 핀 가이드부는 상기 승강 가이드부의 하부 끝단으로부터 소정 각도로 경사지도록 형성된 경사면을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The pin guide portion is characterized in that it comprises an inclined surface formed to be inclined at a predetermined angle from the lower end of the lifting guide portion.
상기 복수의 헤드 회전 가이드홀 각각은 상기 승강 가이드부와 상기 핀 가이드부에 연통되도록 경사지게 형성되어 상기 탄성부재의 탄성력에 의해 상기 핀 가이드부에 위치한 헤드 고정핀이 상기 승강 가이드부 쪽으로 이동되도록 가이드 하는 틸트부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of head rotation guide holes is formed to be inclined to communicate with the lifting guide part and the pin guide part to guide the head fixing pin positioned at the pin guide part to move toward the lifting guide part by the elastic force of the elastic member. Characterized in that it further comprises a tilt portion.
상기 핀 가이드부의 폭은 상기 틸트부의 하부 폭보다 크고, 상기 틸트부의 하부 끝단으로부터 상기 핀 가이드부의 일측 끝단 간의 길이는 상기 헤드 고정핀의 반지름보다 짧은 것을 특징으로 한다.The width of the pin guide portion is greater than the bottom width of the tilt portion, the length between the lower end of the tip portion of the pin guide portion is characterized in that the shorter than the radius of the head fixing pin.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 지지부재는 지지대; 및 상기 지지대의 상부에 설치되는 헤드; 및 상기 헤드에 회전 가능하게 설치되어 상기 기판의 배면 가장자리 부분을 지지하고, 상기 기판의 열팽창에 의해 상기 기판의 배면에 발생되는 스크래치를 방지하기 위해 상기 기판의 배면에 면접촉되어 상기 기판의 열팽창에 따라 회전되는 회전부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The substrate support member according to the present invention for achieving the above technical problem is a support; And a head installed above the support. And rotatably installed on the head to support a rear edge portion of the substrate and to be in surface contact with the rear surface of the substrate to prevent scratches generated on the rear surface of the substrate by thermal expansion of the substrate. It characterized in that it comprises a rotating member that rotates along.
상기 회전부재는 상기 기판의 배면에 면접촉되는 원통 형태의 롤러인 것을 특징으로 한다.The rotating member is characterized in that the cylindrical roller in surface contact with the back surface of the substrate.
상기 기판 지지부재는 상기 기판의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 상기 헤드를 회전시키기 위한 헤드 회전 가이드부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The substrate support member may further include a head rotation guide part for rotating the head in a direction corresponding to the thermal expansion direction of the substrate.
상기 헤드 회전 가이드부는 상기 지지대에 형성된 복수의 헤드 회전 가이드홀; 상기 헤드에 형성된 복수의 핀 관통홀; 및 상기 복수의 핀 관통홀 중 어느 하나를 관통하도록 상기 복수의 헤드 회전 가이드홀 중 대각선 방향으로 형성된 제 1 및 제 2 헤드 회전 가이드홀간에 설치되어 상기 헤드를 지지하는 헤드 고정핀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The head rotation guide portion is a plurality of head rotation guide hole formed in the support; A plurality of pin through holes formed in the head; And a head fixing pin installed between the first and second head rotation guide holes formed in a diagonal direction among the plurality of head rotation guide holes so as to pass through any one of the plurality of pin through holes. It is characterized by.
상기 헤드 회전 가이드부는 상기 헤드와 상기 지지대 사이에 설치되어 상기 헤드를 승강시키는 탄성부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The head rotation guide unit is characterized in that it further comprises an elastic member which is installed between the head and the support for lifting the head.
상기 복수의 헤드 회전 가이드홀 각각은 상기 탄성부재에 의한 상기 헤드 고정핀의 승강을 가이드 하는 승강 가이드부; 및 상기 승강 가이드부에 연통되도록 형성되어 상기 헤드 고정핀의 수평 이동을 가이드 하는 핀 가이드부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of head rotation guide holes includes a lifting guide part for guiding the lifting of the head fixing pin by the elastic member; And a pin guide part configured to communicate with the lifting guide part to guide the horizontal movement of the head fixing pin.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 기판 가열 장치는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the substrate heating apparatus according to the present invention has the following effects.
첫째, 기판의 열팽창에 따라 회전되는 회전부재를 통해 가열 부재에 의한 기판 가열 공정시 기판의 열팽창에 의해 기판의 배면에 발생되는 스크래치를 방지할 수 있다는 효과가 있다.First, there is an effect that it is possible to prevent the scratch generated on the back of the substrate by the thermal expansion of the substrate during the substrate heating process by the heating member through the rotating member rotated in accordance with the thermal expansion of the substrate.
둘째, 기판 가열 공정에서 기판 배면에 발생되는 스크래치를 방지함으로써 후속 공정시 스크래치에 의한 악영향이 방지되므로 생산성을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.Secondly, by preventing scratches generated on the back of the substrate in the substrate heating process, adverse effects due to scratches are prevented in subsequent processes, thereby improving productivity.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 가열 장치를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 가열 장치는 가열 공간을 제공하는 챔버(110); 가열 공간에 열을 방출하는 가열 부재(120); 및 기판(S)을 지지하고, 가열 부재(120)에 의한 가열에 의한 기판(S)의 열팽창에 따라 회전되는 회전부재를 포함하는 복수의 기판 지지부재(130)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 3, a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention includes a
챔버(110)는 외부로부터 기판(S)을 소정 온도로 가열시키기 위한 가열 공간을 제공한다. 이러한, 챔버(110)의 일측에는 기판 반송장치에 의해 기판(S)이 출입하는 기판 출입구(미도시)가 마련된다.The
가열 부재(120)는 외부로부터 제공되는 열원에 의해 열을 챔버(110)의 내부 및/또는 기판(S)을 소정의 온도로 가열한다. 이러한, 가열 부재(120)는 챔버(110)의 바닥면에 일정한 간격으로 설치된 복수의 램프 히터를 포함하여 구성될 수 있다.The
복수의 기판 지지부재(130)는 챔버(110)의 바닥면으로부터 수직하게 설치되 어 기판 출입구를 통해 반송되는 기판(S)을 가열 공정 동안 지지한다.The plurality of
이를 위해, 복수의 기판 지지부재(130)는 기판(S)의 중앙 부분을 지지하기 위한 적어도 하나의 제 1 기판 지지부재(132); 및 기판(S)의 가장자리 부분을 지지하기 위한 복수의 제 2 기판 지지부재(134)를 포함하여 구성될 수 있다.To this end, the plurality of
적어도 하나의 제 1 기판 지지부재(132)는 기판(S)의 중앙 부분에 대응되도록 챔버(110)의 바닥면으로부터 수직하게 설치되어 기판(S)의 중앙 부분을 지지하고, 기판(S)이 가열되는 동안 기판(S)이 슬라이딩되는 것을 방지한다. 이러한, 적어도 하나의 제 1 기판 지지부재(132)는 원통 형태로 형성될 수 있다. 여기서, 기판(S)의 중앙 부분은 열에 의한 열팽창율이 미미하기 때문에 기판(S)의 열팽창되더라도 적어도 하나의 제 1 기판 지지부재(132)에 접촉되는 기판(S)의 중앙 부분의 배면에는 스크래치가 발생되지 않는다.At least one first
본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(S)의 좌우측(장변) 가장자리 부분과 상하측(단변) 가장자리 부분 각각을 지지하도록 일정한 간격으로 설치된다.As shown in FIG. 4, the plurality of second
도 5a는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 가열 장치에 있어서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재를 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 5b는 도 5a에 도시된 A-A 절단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.5A is an exploded perspective view illustrating a plurality of second substrate support members according to a first embodiment of the present invention in a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5B is an AA cutaway view shown in FIG. 5A. It is sectional drawing which shows schematically.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134) 각각은 지지대(210); 헤드(220); 및 회전부재(230)를 포함하여 구성된다.5A and 5B, each of the plurality of second
지지대(210)는 챔버(110)의 바닥면으로부터 수직하게 설치된다. 이때, 지지대(210)는 스테인리스(SUS) 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 지지대(210)의 상부에는 헤드(220)가 삽입되어 고정되는 헤드 삽입부(212)가 형성된다.The
헤드(220)는 지지대(210)의 상부에 형성된 헤드 삽입부(212)에 설치된다. 이때, 헤드(220)는 나사산에 의한 나사 결합에 의해 헤드 삽입부(212)에 삽입되어 고정될 수 있다.The
또한, 헤드(220)는 회전부재(230)를 회전가능하게 지지하는 제 1 및 제 2 날개부(222a, 222b)를 포함한다.In addition, the
제 1 및 제 2 날개부(222a, 222b)는 헤드(220)의 양측면으로부터 마주보도록 수직하게 형성된다.The first and
회전부재(230)는 헤드(220)에 형성된 제 1 및 제 2 날개부(222a, 222b) 간에 회전 가능하게 설치되어 열에 의한 기판(S)의 열팽창에 따라 회전하게 된다. 여기서, 회전부재(230)는 기판(S)과 소정 면적을 가지도록 접촉되어야만 마찰력에 의해 기판(S)의 열팽창에 따라 회전하게 된다. 이러한 원리에 따라 회전부재(230)는 기판(S)과 소정 면적을 가지도록 접촉되는 범위 내에서 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 회전부재(230)는, 도 6a에 도시된 바와 같이, 소정 길이를 가지는 원통형 롤러이거나, 도 6b에 도시된 바와 같이, 양측면에 소정 각도의 경사면이 형성된 소정 길이를 가지는 원통형 롤러가 될 수 있다.The rotating
이러한, 회전부재(230)의 길이 방향은, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(S)의 열팽창 방향(TE)에 따라 회전될 수 있도록 기판(S)을 지지하는 위치에 대응되는 기 판(S)의 길이 방향과 나란한 방향을 갖는다. 예를 들어, 기판(S)의 좌우측(장변) 가장자리를 지지하는 회전부재(230)의 길이 방향은 기판(S)의 장변 방향과 나란하게 되고, 기판(S)의 상하측(단변) 가장자리를 지지하는 회전부재(230)의 길이 방향은 기판(S)의 단변 방향과 나란하게 된다.As shown in FIG. 7, the longitudinal direction of the rotating
한편, 회전부재(230)는 제 1 날개부(222a)에 형성된 홀(224a)에 삽입된 후, 회전부재(230)의 관통홀(232)을 관통하여 제 2 날개부(222b)에 형성된 홀(224b)에 삽입되는 회전핀(234)에 의해 제 1 및 제 2 날개부(222a, 222b) 사이에 회전 가능하게 지지된다. 이에 따라, 회전부재(230)는 회전핀(234)을 회전축으로 하여 열에 의한 기판(S)의 열팽창에 따라 회전하게 된다.On the other hand, the rotating
다른 한편, 회전부재(230)는 상기의 회전핀(234) 대신에, 회전부재(230)의 양측면으로부터 돌출되어 제 1 및 제 2 날개부(222a, 222b) 각각에 형성된 홀에 회전 가능하게 삽입되는 회전 돌기(미도시)에 의해 제 1 및 제 2 날개부(222a, 222b) 사이에 회전 가능하게 지지될 수도 있다. 이에 따라, 회전부재(230)는 회전 돌기를 회전축으로 하여 열에 의한 기판(S)의 열팽창에 따라 회전하게 된다.On the other hand, instead of the
이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)를 포함하는 기판 지지부재(130)는 기판(S)의 열팽창에 따라 회전하는 회전부재(230)를 포함함으로써 기판(S)의 열팽창에 따른 스크래치 발생을 방지할 수 있다.As such, the
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재를 포함하는 기판 가열 장치는 기판(S)의 가장자리를 지지하는 복수의 기판 지지 부재(134)에 회전 가능한 회전부재(230)를 설치하여 기판(S)의 열팽창에 따라 회전부재(230)가 회전되도록 함으로써 기판 가열 공정시 기판(S)의 열팽창에 의해 기판(S)의 배면에 발생되는 스크래치(Scratch)를 방지할 수 있다.As described above, the substrate heating apparatus including the plurality of second substrate support members according to the first embodiment of the present invention may include a rotating member rotatable to the plurality of
도 8a는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 가열 장치에 있어서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재를 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 8b는 도 8a에 도시된 B-B 절단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 8A is an exploded perspective view illustrating a plurality of second substrate support members according to a second embodiment of the present invention in a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 8A. It is sectional drawing which shows schematically.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)는 지지대(210); 헤드(220); 회전부재(230); 및 헤드 회전 가이드부(240)를 포함하여 구성된다.8A and 8B, the plurality of second
지지대(210)는 챔버(110)의 바닥면으로부터 수직하게 설치된다. 이때, 지지대(210)는 스테인리스(SUS) 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 지지대(210)의 상부에는 헤드(220)가 삽입되어 고정되는 헤드 삽입부(212)가 형성된다.The
헤드(220)는 지지대(210)의 상부에 형성된 헤드 삽입부(212)에 설치된다. 이때, 헤드(220)는 헤드 회전 가이드부(240)에 의해 헤드 삽입부(212) 내에서 기판(S)의 열팽창 방향에 따라 소정 각도로 회전하게 된다.The
또한, 헤드(220)는 회전부재(230)를 회전가능하게 지지하는 제 1 및 제 2 날개부(222a, 222b)를 포함한다.In addition, the
제 1 및 제 2 날개부(222a, 222b)는 헤드(220)의 양측면으로부터 마주보도록 수직하게 형성된다.The first and
회전부재(230)는 헤드(220)에 형성된 제 1 및 제 2 날개부(222a, 222b) 간에 회전 가능하게 설치되어 열에 의한 기판(S)의 열팽창에 따라 회전하게 된다. 여기서, 회전부재(230)는 상술한 제 1 실시 예와 동일한 구조를 가지므로 이에 대한 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.The rotating
헤드 회전 가이드부(240)는 복수의 헤드 회전 가이드홀(242); 복수의 핀 관통홀(244); 및 헤드 고정핀(246)을 포함하여 구성된다.The head
복수의 헤드 회전 가이드홀(242)은 헤드 삽입부(212)의 측벽을 관통하도록 소정 길이로 형성된다. 여기서, 복수의 헤드 회전 가이드홀(242)의 길이는 기판(S)의 열팽창 방향에 따라 헤드(220)가 소정 각도로 회전될 수 있도록 설정된다.The plurality of head rotation guide holes 242 are formed to have a predetermined length to penetrate the side wall of the
이러한, 복수의 헤드 회전 가이드홀(242)은 지지대(210)의 중심점을 기준으로 소정 각도 단위로 이격되도록 형성된다. 여기서, 복수의 헤드 회전 가이드홀(242)은 지지대(210)의 중심점을 기준으로 60 또는 90도 간격으로 형성될 수 있다.The head rotation guide holes 242 are formed to be spaced apart by a predetermined angle from the center point of the
복수의 핀 관통홀(244)은 복수의 헤드 회전 가이드홀(242) 각각에 대응되도록 헤드(220)를 관통하도록 형성된다.The plurality of pin through
헤드 고정핀(246)은 복수의 헤드 회전 가이드홀(242) 중 제 1 헤드 회전 가이드홀(242)에 삽입된 후, 복수의 핀 관통홀(244) 중 제 1 핀 관통홀(244)을 관통하여 제 1 헤드 회전 가이드홀(242)에 대각선 방향에 대응되는 제 2 헤드 회전 가이드홀(242)에 삽입됨으로써 헤드(220)를 지지하고, 제 1 및 제 2 헤드 회전 가이드홀(242)의 가이드에 따라 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 헤드(220)를 회전시킨다. 여기서, 제 1 헤드 회전 가이드홀(242) 또는 제 1 핀 관통홀(244) 은 사용자에 의해 기판 지지부재(130)가 설치되는 기판(S) 상의 위치에 대응되도록 선택될 수 있다.The
이러한, 헤드 고정핀(246)은 제 1 및 제 2 헤드 회전 가이드홀(242)의 가이드에 대응되는 범위 내에서 기판(S)이 X축과 Y축 방향 사이에 대응되는 방향으로 열팽창될 경우, 회전부재(230)가 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 회전될 수 있도록 헤드(220)를 회전시킨다.When the
이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)는, 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이, 기판(S)이 X축 또는 Y축 방향으로 열팽창될 경우에 회전부재(230)가 기판(S)의 X축 또는 Y축 방향 열팽창에 따라 회전함으로써 기판(S)의 열팽창에 따른 스크래치를 방지할 수 있다.As described above, the plurality of second
나아가, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)는, 도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 기판(S)이 X축과 Y축 방향 사이에 대응되는 방향(예를 들어, 대각선 방향)으로 열팽창될 경우에, 기판(S)의 열팽창력이 회전부재(230)에 전달되어 헤드(220)가 헤드 회전 가이드부(240)의 가이드에 따라 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 회전하게 된다. 이에 따라, 회전부재(230)는 헤드(220)의 회전에 의해 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 회전된 상태에서 기판(S)의 열팽창에 따라 회전함으로써 기판(S)의 열팽창에 따른 스크래치를 방지하게 된다.Furthermore, in the plurality of second
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)를 포함하는 기판 가열 장치는 기판(S)의 가장자리를 지지하는 복수의 기판 지지부재(134)에 회전 가능한 회전부재(230)를 가지는 헤드(220)를 설치하여 기판(S)의 열팽창에 따라 회전부재(230) 및/또는 헤드(220)가 회전되도록 함으로써 기판 가열 공정시 기판(S)의 열팽창에 의해 기판(S)의 배면에 발생되는 스크래치를 방지할 수 있다.As described above, the substrate heating apparatus including the plurality of second
도 11a는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 가열 장치에 있어서, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재를 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 11b는 도 11a에 도시된 C-C 절단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 11A is an exploded perspective view illustrating a plurality of second substrate support members according to a third embodiment of the present invention in a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 11A. It is sectional drawing which shows schematically.
도 11a 및 도 11b를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)는 지지대(210); 헤드(220); 회전부재(230); 및 헤드 회전 가이드부(340)를 포함하여 구성된다. 이러한, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)에서 헤드 회전 가이드부(340)를 제외한 다른 구성은 상술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)와 동일하기 때문에 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.11A and 11B, the plurality of second
헤드 회전 가이드부(340)는 복수의 헤드 회전 가이드홀(342); 복수의 핀 관통홀(344); 헤드 고정핀(346); 및 탄성부재(348)를 포함하여 구성된다.The head
복수의 헤드 회전 가이드홀(342) 각각은 지지대(210)의 중심점을 기준으로 소정 각도 단위로 이격되도록 헤드 삽입부(212)의 측벽을 관통하여 형성된다. 여기서, 복수의 헤드 회전 가이드홀(342)은 지지대(210)의 중심점을 기준으로 60도 또는 90도 간격으로 형성될 수 있다. 이러한, 복수의 헤드 회전 가이드홀(342) 각각은 삽입되는 헤드 고정핀(346)의 수평 이동을 가이드 하여 헤드(220)가 기판(S) 의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 회전될 수 있도록 한다.Each of the plurality of head rotation guide holes 342 is formed through the side wall of the
제 1 실시 예에 따른 복수의 헤드 회전 가이드홀(342) 각각은, 도 12에 도시된 바와 같이, 헤드(220)의 승강을 위한 승강 가이드부(342a); 승강 가이드부(342a)에 연통되어 헤드(220)의 회전을 가이드 하기 위한 핀 가이드부(342b)를 포함하여 구성될 수 있다.Each of the plurality of head rotation guide holes 342 according to the first embodiment includes a lifting
승강 가이드부(342a)는 헤드 삽입부(212)의 측벽을 관통하도록 사각 단면 형태로 형성되어 헤드 고정핀(346)의 승강을 가이드함으로써 헤드(220)가 승강되도록 한다. 이때, 승강 가이드부(342a)의 폭(W1)은 헤드 고정핀(346)이 유동될 수 있도록 헤드 고정핀(346)의 직경보다 크도록 설정될 수 있다. 이에 따라, 헤드 고정핀(346)은 승강 가이드부(342a)와의 갭(G1, G2) 내에서 기판(S)의 열팽창에 따라 유동되어 헤드(220)를 소정 방향으로 유동시킴으로써 기판(S)의 열팽창에 따라 기판 지지부재(130)가 파손되는 현상을 방지할 수도 있다. 즉, 헤드 고정핀(346)과 승강 가이드부(342a)간의 갭(G1, G2)이 존재하지 않을 경우 기판(S)의 열팽창에 따라 기판 지지부재(130)가 휘어져 파손될 수 있기 때문에 승강 가이드부(342a)의 폭(W1)을 헤드 고정핀(346)의 직경보다 크게 설정하는 것이 바람직하다.The lifting
핀 가이드부(342b)는 승강 가이드부(342a)의 하부에 연통되는 경사면을 포함하는 사다리꼴 단면 형태로 형성되어 헤드 고정핀(346)의 수평 이동을 가이드함으로써 헤드(220)가 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 회전되도록 한다. 이때, 핀 가이드부(342b)의 폭은 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 헤드(220)가 회전될 수 있도록 승강 가이드부(342a)의 폭(W1)보다 크도록 형성된다.The
제 2 실시 예에 따른 복수의 헤드 회전 가이드홀(342) 각각은, 도 13에 도시된 바와 같이, 헤드(220)의 승강을 위한 승강 가이드부(342a); 승강 가이드부(342a)에 연통되어 헤드(220)의 회전을 위한 핀 가이드부(342b); 및 승강 가이드부(342a)과 핀 가이드부(342b) 사이에 연통되는 경사면을 가지도록 형성된 틸트부(342c)를 포함하여 구성될 수 있다.Each of the plurality of head rotation guide holes 342 according to the second embodiment includes a lifting
승강 가이드부(342a)는 헤드 삽입부(212)의 측벽을 관통하도록 사각 단면 형태로 형성되어 헤드 고정핀(346)의 승강을 가이드함으로써 헤드(220)가 승강되도록 한다.The lifting
틸트부(342c)는 승강 가이드부(342a)의 하부에 연통됨과 아울러 핀 가이드부(342b)의 상부에 연통되도록 사다리꼴 단면 형태로 형성된다. 이러한, 틸트부(342c)는 핀 가이드부(342b)의 양 가장자리에 위치한 헤드 고정핀(346)이 탄성부재(348)의 탄성력에 의해 승강 가이드부(342a) 쪽으로 승강되도록 가이드 한다.The
핀 가이드부(342b)는 틸트부(342c)의 하부에 연통되도록 사각 단면 형태로 형성되어 헤드 고정핀(346)의 수평 이동을 가이드함으로써 헤드(220)가 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 회전되도록 한다. 이때, 핀 가이드부(342b)의 길이는 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 헤드(220)가 회전될 수 있도록 설정된다. 이때, 핀 가이드부(342b)의 폭(W2)은 틸트부(342c)의 하부 폭(W2)보다 크고, 틸트부(342c)의 하부 끝단으로부터 핀 가이드부(342b)의 일측 끝단 간의 길이(L1)는 탄성부재(348)의 탄성력에 의해 헤드 고정핀(346)이 승강 가이드부(342a) 쪽으로 원활하게 승강될 수 있도록 헤드 고정핀(346)의 반지름 보다 작도록 설정된 다. 즉, 핀 가이드부(342b)의 일측면(343) 길이(L1)가 헤드 고정핀(346)의 반지름 보다 클 경우에는 탄성부재(348)의 탄성력이 제공되더라도 헤드 고정핀(346)이 승강 가이드부(342a) 쪽으로 승강되지 않기 때문에 핀 가이드부(342b)의 측면(343) 길이(L1)를 헤드 고정핀(346)의 반지름 보다 작게 설정하는 것이 바람직하다.The
도 11a에서, 복수의 핀 관통홀(344)은 복수의 헤드 회전 가이드홀(342) 각각에 대응되도록 헤드(220)를 관통하도록 형성된다.In FIG. 11A, the plurality of pin through
헤드 고정핀(346)은 복수의 헤드 회전 가이드홀(342) 중 제 1 헤드 회전 가이드홀(342)에 삽입된 후, 복수의 핀 관통홀(344) 중 제 1 핀 관통홀(344)을 관통하여 제 1 헤드 회전 가이드홀(342)에 대각선 방향에 대응되는 제 2 헤드 회전 가이드홀(342)에 삽입됨으로써 헤드(220)를 지지하고, 제 1 및 제 2 헤드 회전 가이드홀(342)의 가이드에 따라 헤드(220)를 승강시키거나 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 헤드(220)를 회전시킨다. 여기서, 제 1 헤드 회전 가이드홀(342) 또는 제 1 핀 관통홀(344)은 사용자에 의해 기판 지지부재(130)가 설치되는 기판(S) 상의 위치에 대응되도록 선택될 수 있다.The
이에 따라, 헤드 고정핀(346)은 제 1 및 제 2 헤드 회전 가이드홀(342)의 가이드에 대응되는 범위 내에서 기판(S)이 X축과 Y축 방향 사이에 대응되는 방향으로 열팽창될 경우 이에 대응되도록 회전부재(230)가 회전될 수 있도록 제 1 및 제 2 헤드 회전 가이드홀(342) 내에서 수평 이동되어 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 헤드(220)를 회전시킨다.Accordingly, the
탄성부재(348)는 지지대(210)의 헤드 삽입부(212)와 헤드(220) 사이에 설치 되어 헤드(220)에 소정의 탄성력을 제공함으로써 헤드(220)가 승강되도록 한다. 이러한, 탄성부재(348)는 기판(S)의 하중에 의해 헤드(220)가 승강되도록 함으로써 기판(S)과 회전부재(230)의 마찰력을 증대시켜 기판(S)의 열팽창시 회전부재(230)가 원활하게 회전될 수 있도록 한다.The
상술한 제 1 실시 예에 따른 복수의 헤드 회전 가이드홀(342)을 포함하는 복수의 제 2 기판 지지부재(134)의 동작을 설명하면 다음과 같다.An operation of the plurality of second
먼저, 도 14a에 도시된 바와 같이, 회전부재(230)에 기판(S)이 안착되지 않는 상태에서는 탄성부재(348)의 탄성력에 의해 헤드 회전 가이드홀(342)의 가이드에 따라 헤드 고정핀(346)이 상승됨으로써 복수의 제 2 기판 지지부재(134) 각각의 헤드(220)는 헤드 회전 가이드홀(342)의 높이(H) 만큼 상승된 상태를 유지한다.First, as shown in FIG. 14A, in a state in which the substrate S is not seated on the rotating
그런 다음, 도 14b에 도시된 바와 같이, 회전부재(230)에 기판(S)이 안착되면, 헤드(220)는 기판(S)의 하중에 의해 헤드 회전 가이드홀(342)의 가이드에 따라 헤드 고정핀(346)이 하강됨으로써 복수의 제 2 기판 지지부재(134) 각각의 헤드(220)는 헤드 회전 가이드홀(342) 내에서 하강된 상태를 유지한다.Then, as shown in Figure 14b, when the substrate (S) is seated on the rotating
그럼 다음, 기판 가열 공정에 의해 기판(S)이 열팽창될 경우, 회전부재(230)는 기판(S)과의 마찰력과 열팽창에 따라 헤드(220)의 회전에 따라 회전됨과 아울러 기판(S)의 열팽창에 따라 회전되어 기판(S)의 열팽창에 따른 스크래치를 방지한다.Then, when the substrate S is thermally expanded by the substrate heating process, the rotating
구체적으로, 기판(S)이 X축 또는 Y축 방향으로 열팽창될 경우에, 회전부재(230)는 기판(S)의 X축 또는 Y축 방향 열팽창에 따라 회전됨으로써 기판(S)의 열팽창에 따른 스크래치를 방지한다.Specifically, when the substrate S is thermally expanded in the X-axis or Y-axis direction, the rotating
나아가, 기판(S)이 X축과 Y축 방향 사이에 대응되는 방향(예를 들어, 대각선 방향)으로 열팽창될 경우에, 기판(S)의 대각선 방향 열팽창력이 회전부재(230)에 전달되어 헤드(220)가 헤드 회전 가이드부(340)의 가이드에 따라 회전하게 되고, 회전부재(230)는 헤드(220)의 회전에 따라 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 회전된 상태에서 기판(S)의 열팽창 방향으로 회전됨으로써 기판(S)의 열팽창에 따른 스크래치를 방지한다.Furthermore, when the substrate S is thermally expanded in a direction corresponding to the X- and Y-axis directions (for example, diagonal directions), the diagonal thermal expansion force of the substrate S is transmitted to the rotating
이때, 헤드 회전 가이드홀(342)에 삽입 고정된 헤드 고정핀(346)이 기판(S)의 하중에 따라 헤드 회전 가이드홀(342)의 승강 가이드부(342a)에 위치될 경우에, 헤드(220)는 기판(S)의 열팽창 방향에 따라 헤드 고정핀(346)과 헤드 회전 가이드홀(342)간의 갭(G1, G2)만큼 회전되거나 유동될 수 있다. 반면에, 헤드 회전 가이드홀(342)에 삽입 고정된 헤드 고정핀(346)이 기판(S)의 하중에 따라 헤드 회전 가이드홀(342)의 핀 가이드부(342b)에 위치될 경우에, 헤드(220)는 핀 가이드부(342b) 내에서 수평 이동되는 헤드 고정핀(346)의 수평 이동에 따라 기판(S)의 열팽창 방향에 대응되는 방향으로 회전될 수 있다.At this time, when the
한편, 상술한 제 2 실시 예에 따른 복수의 헤드 회전 가이드홀(342)을 포함하는 복수의 제 2 기판 지지부재(134)의 동작은 핀 가이드부(342b)의 길이에 따라 헤드 고정핀(346)의 수평 이동 거리가 더 큰 것을 제외하고는 도 14a 및 도 14b의 설명과 동일하므로 이에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.Meanwhile, the operation of the plurality of second
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재(134)를 포함하는 기판 가열 장치는 기판(S)의 가장자리를 지지하는 복수의 기판 지지부재(134)에 회전 가능한 회전부재(230)를 가지는 헤드(220)를 설치하고, 탄성부재(348)를 통해 기판(S)과 회전부재(230)의 마찰력을 증대시켜 기판(S)의 열팽창에 따라 회전부재(230) 및/또는 헤드(220)가 회전되도록 함으로써 기판 가열 공정시 기판(S)의 열팽창에 의해 기판(S)의 배면에 발생되는 스크래치를 방지할 수 있다.As described above, the substrate heating apparatus including the plurality of second
결과적으로, 상술한 본 발명의 기판 가열 장치는 기판(S)의 열팽창에 따라 회전되는 회전부재(230)를 통해 가열 부재(130)에 의해 가열되는 기판(S)의 열팽창에 의해 기판의 배면에 발생되는 스크래치를 방지할 수 있고, 이로 인하여 후속 공정시 스크래치에 의한 악영향이 방지되므로 생산성을 향상시킬 수 있다.As a result, the substrate heating apparatus of the present invention described above is formed on the back surface of the substrate by thermal expansion of the substrate S heated by the
한편, 상술한 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지부재(130)는 상술한 기판 가열 공정 이외에 기판을 가열하여 기판 처리 공정을 진행하는 다른 기판 처리 공정에 사용될 수 있다.On the other hand, the
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
도 1은 일반적인 기판 가열 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a general substrate heating apparatus.
도 2는 도 1에 도시된 기판 지지부재의 배치 구조를 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating an arrangement structure of the substrate support member illustrated in FIG. 1.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 가열 장치를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3에 도시된 기판 지지부재의 배치 구조를 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 4 is a plan view illustrating an arrangement structure of the substrate supporting member illustrated in FIG. 3.
도 5a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재를 설명하기 위한 분해 사시도이다.5A is an exploded perspective view illustrating a plurality of second substrate support members according to a first embodiment of the present invention.
도 5b는 도 5a에 도시된 A-A 절단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the A-A cutting plane illustrated in FIG. 5A.
도 6a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 회전부재를 설명하기 위한 분해 사시도이다.6A is an exploded perspective view for describing the rotating member according to the first embodiment of the present invention.
도 6b는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 회전부재를 설명하기 위한 분해 사시도이다.6B is an exploded perspective view illustrating the rotating member according to the second embodiment of the present invention.
도 7은 도 3에 도시된 회전부재의 배치 방향을 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 7 is a plan view illustrating an arrangement direction of the rotating member illustrated in FIG. 3.
도 8a는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재를 설명하기 위한 분해 사시도이다.8A is an exploded perspective view illustrating a plurality of second substrate support members according to a second embodiment of the present invention.
도 8b는 도 8a에 도시된 B-B 절단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 8B is a cross-sectional view schematically illustrating the cut line B-B shown in FIG. 8A.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 실시 예에 따른 회전부재의 회전을 설명하기 위 한 도면이다.9a and 9b are views for explaining the rotation of the rotating member according to an embodiment of the present invention.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 실시 예에 따른 헤드의 회전 및 회전부재의 회전을 설명하기 위한 도면이다.10A and 10B are views for explaining the rotation of the head and the rotation of the rotating member according to an embodiment of the present invention.
도 11a는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재를 설명하기 위한 분해 사시도이다.11A is an exploded perspective view illustrating a plurality of second substrate support members according to a third embodiment of the present invention.
도 11b는 도 11a에 도시된 C-C 절단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 11B is a cross-sectional view schematically illustrating the C-C cutting plane illustrated in FIG. 11A.
도 12는 도 11a에 도시된 제 1 실시 예에 따른 복수의 헤드 회전 가이드홀을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 12 is a diagram for describing a plurality of head rotation guide holes according to the first embodiment shown in FIG. 11A.
도 13은 도 11a에 도시된 제 2 실시 예에 따른 복수의 헤드 회전 가이드홀을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 13 is a diagram for describing a plurality of head rotation guide holes according to the second embodiment shown in FIG. 11A.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 복수의 제 2 기판 지지부재의 동작을 설명하기 위한 도면이다.14A and 14B are diagrams for describing an operation of a plurality of second substrate support members according to a third embodiment of the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 ><Explanation of Signs of Major Parts of Drawings>
110: 챔버 120: 가열 부재110: chamber 120: heating member
130: 기판 지지부재 210: 지지대130: substrate support member 210: support
220: 헤드 230: 회전부재220: head 230: rotating member
240, 340: 헤드 회전 가이드부 242, 342: 헤드 회전 가이드홀240 and 340: head
244, 344: 핀 관통홀 246, 346: 헤드 고정핀244, 344: pin through
348: 탄성부재348: elastic member
Claims (20)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090087979A KR101130969B1 (en) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | Supporting member for substrate, and substrate heating apparatus including the supporting member for substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090087979A KR101130969B1 (en) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | Supporting member for substrate, and substrate heating apparatus including the supporting member for substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110030049A KR20110030049A (en) | 2011-03-23 |
KR101130969B1 true KR101130969B1 (en) | 2012-04-03 |
Family
ID=43935860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090087979A KR101130969B1 (en) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | Supporting member for substrate, and substrate heating apparatus including the supporting member for substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101130969B1 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101390809B1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-04-30 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method of rotating substrate |
JP5956877B2 (en) * | 2012-09-04 | 2016-07-27 | 株式会社日本マイクロニクス | Suction table |
KR101217638B1 (en) * | 2012-11-06 | 2013-01-22 | (주)앤피에스 | Substrate supporting apparatus and substrate processing apparatus having the same |
KR101657175B1 (en) * | 2013-03-13 | 2016-09-20 | 주성엔지니어링(주) | Lift pin |
KR101539674B1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-08-06 | 심경식 | Substrate lift pin and substrate treatment apparatus |
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-
2009
- 2009-09-17 KR KR1020090087979A patent/KR101130969B1/en active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110030049A (en) | 2011-03-23 |
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A201 | Request for examination | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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