KR101127821B1 - 횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화소전극 및 공통전극을 모두 컷팅시켜 화소 내부로 전하가 전혀 흘러들어가지 못하도록 함으로써 포인트 디펙트가 발생된 화소를 완전히 암점화시키고자 하는 횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법에 관한 것으로, 기판 상에 교차하여 화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와, 상기 두 배선의 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선에 평행하는 공통배선 및 상기 공통배선에서 분기되어 상기 데이터 배선에 평행하는 공통전극을 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고 상기 공통전극에 평행하는 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 화소에 포인트 디펙트 발생시, 상기 화소전극의 핑거부 및 공통전극의 핑거부를 컷팅시켜 암점화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
IPS, 암점화, 화소전극, 공통전극

Description

횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법{Method For Making A Paticular Pixel Blind Spot In The In-plane Switching Mode Liquid Crystal Display Device}
도 1은 종래 기술에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.
도 2는 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 공정단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
112 : 게이트 배선 112a : 게이트 전극
114 : 반도체층 115 : 데이터 배선
115a : 소스 전극 115b : 드레인 전극
117 : 화소전극 119 : 커패시터 전극
124 : 공통전극 125 : 공통배선
150,151 : 제 1 ,제 2 콘택홀 C1,C2 : 컷팅
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 화소전극 및 공통전극의 핑거부를 컷팅시켜 화소 내부로 전압이 전혀 흘러들어가지 못하도록 하는 횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법에 관한 것이다.
최근, 계속해서 주목받고 있는 평판표시소자 중 하나인 액정표시소자는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비하는 액정에 전계를 가하여 광학적 이방성을 변화시키는 소자로서, 종래 음극선관(Cathode Ray Tube)에 비해 소비전력이 낮고 부피가 작으며 대형화 및 고정세가 가능하여 널리 사용되고 있다.
상기 액정표시소자는 액정의 성질과 패턴의 구조에 따라서 여러 가지 다양한 모드가 있다.
구체적으로, 액정 방향자가 90°트위스트 되도록 배열한 후 전압을 가하여 액정 방향자를 제어하는 TN 모드(Twisted Nematic Mode)와, 한 화소를 여러 도메인으로 나눠 각각의 도메인의 주시야각 방향을 달리하여 광시야각을 구현하는 멀티도메인 모드(Multi-Domain Mode)와, 보상필름을 기판에 부착하여 빛의 진행방향에 따른 빛의 위상변화를 보상하는 OCB 모드(Optically Compensated Birefringence Mode)와, 한 기판 상에 두개의 전극을 형성하여 액정의 방향자가 배향막의 나란한 평면에서 꼬이게 하는 횡전계방식(In-Plane Switching Mode)과, 네가티브형 액정과 수직배향막을 이용하여 액정 분자의 장축이 배향막 평면에 수직 배열되도록 하는 VA 모드(Vertical Alignment Mode) 등 다양하다.
이중, 상기 횡전계방식 액정표시소자는 통상, 서로 대향 배치되어 그 사이에 액정층을 구비한 컬러필터 어레이 기판과 박막트랜지스터 어레이 기판으로 구성된다.
즉, 상기 컬러필터 어레이 기판에는 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 상에 색상을 구현하기 위한 R,G,B의 컬러필터층이 형성된다.
그리고, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판에는 단위 화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성된 스위칭소자와, 서로 엇갈리게 교차되어 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극이 형성된다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술의 횡전계방식 액정표시소자에 대해 설명하면 다음과 같다. 이하에서는 주로 횡전계방식 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이 기판에 관한여 서술한다.
도 1은 종래 기술에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도이다.
박막트랜지스터 어레이 기판 상에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 수직으로 교차 배치되어 단위 화소를 정의하는 게이트 배선(12) 및 데이터 배선(15)과, 상기 게이트 배선(12) 및 데이터 배선(15)의 교차 부위에 배치된 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 게이트 배선(12)과 평행하도록 화소 내에 배치된 공통배선(25)과, 상기 공통배선(25)에서 분기되어 각 화소영역에 상기 데이터 배선(15)에 평행하도록 형성되는 다수개의 공통전극(24)과, 상기 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(15b)에 연결되어 각 화소영역의 상기 공통전극(24) 사이에서 상기 공통전극과 평행하게 교차 배치된 다수개의 화소 전극(17)이 구비되어 있다.
상기 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 배선(12)에서 분기되는 게이트 전극(12a)과, 상기 게이트 전극(12a)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(도시하 지 않음)과, 상기 게이트 전극(12a) 상부의 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층(14)과, 상기 데이터 배선(15)에서 분기되어 상기 반도체층(14) 양 끝에 각각 형성되는 소스 전극(15a) 및 드레인 전극(15b)으로 구성된다.
그리고, 상기 공통배선(25) 및 공통전극(24)은 일체형으로 형성되며, 상기 게이트 배선(12)과 동시에 형성되는데, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 등의 저저항 금속으로 형성한다.
상기 화소전극(17)은 상기 공통전극(24)과 교번하도록 형성하는데, 보호막(도시하지 않음)을 선택적으로 제거하여 형성된 제 1 콘택홀(50)을 통해서 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(15b)과 접속된다.
이 때, 상기 공통전극(24) 및 화소전극(17)은 화소내부에 서로 평행 교차하는 핑거부 및 상기 핑거부의 양끝단을 일체형으로 연결하는 끝단부로 구분된다. 상기 핑거부가 암점화처리 과정에서 컷팅되는 부분이다.
한편, 상기 공통배선(25) 상부에 커패시터 전극(19)이 더 구비되어 스토리지 커패시터를 구성하는데, 상기 커패시터 전극(19)은 상기 데이터 배선(15)과 동시에 형성되어 보호막을 제거하여 형성된 제 2 콘택홀(51)을 통해 상기 화소 전극(17)에 접속되어 전압을 인가받는다.
이와같이 구성된 박막트랜지스터 어레이 기판은 액정층을 사이에 두고 대향기판과 합착되는데, 기판에 대해서 수평을 유지한 상태로 액정층의 액정분자를 회전시키기 위하여 공통전극 및 화소전극 2개를 모두 동일한 기판 상에 형성하고, 상기 2개의 전극 사이에 전압을 걸어 기판에 대해서 수평방향의 전계를 일어나게 한 다.
횡전계방식 액정표시소자는 이러한 전기장을 이용하여 액정분자의 배열을 조절한다. 이 때문에, 시각방향에 대한 액정의 복굴절의 변화가 작아 종래의 TN방식 액정표시소자에 비해 시야각 특성이 월등하게 우수해지는 것이다.
한편, 상기와 같이 구성된 박막트랜지스터 어레이 기판은 컬러필터 어레이 기판과 합착되기 전 또는 후에, 라인 디펙트(line defect) 및 포인트 디펙트(point defect)등의 불량을 테스트하기 위해 MPS(Mass Production System) 테스트 공정을 거치게 된다.
이 때, 포인트 디펙트가 발견되면 포인트 디펙트가 발견된 단위 화소를 암점화시키는 리페어 과정을 수행하여 제품을 양품화시킨다.
즉, 레이저를 이용하여 화소전극(17)의 핑거부를 컷팅시켜 플로팅시킴으로써 화소전극(17)에 데이터 신호가 인가되지 않도록 하여 해당 화소를 암점화시킨다.
화소전극(17)의 핑거부를 컷팅시키기 위해서는, 컷팅시작점(①,③,⑤,⑦)과 컷팅정지점(②,④,⑥,⑧)을 설정한 뒤, 그 사이를 레이저로 조사해주면 된다.
그러나, 종래 기술에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법에 있어서 화소전극의 핑거부를 컷팅시켜 데이터 배선의 데이터 신호가 화소전극에 흘러들어가지 못하도록 하여 암점화하는 동안, 공통전극으로 Vcom 신호가 흘러들어가 전계를 형성하게 되어 액정이 약하게 구동되므로 완전히 암점화가 되지 못하고 약휘점화가 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 화소전극의 핑거부 뿐만 아니라 공통전극의 핑거부도 동시에 컷팅시킴으로써 전하가 화소 내부로 전혀 흘러들어가지 못하도록 하여 완전 암점화를 이루고자 하는 횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법은 기판 상에 교차하여 화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와, 상기 두 배선의 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선에 평행하는 공통배선 및 상기 공통배선에서 분기되어 상기 데이터 배선에 평행하는 공통전극을 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고 상기 공통전극에 평행하는 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 화소에 포인트 디펙트 발생시, 상기 화소전극의 핑거부 및 공통전극의 핑거부를 컷팅시켜 암점화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 공정단면도이다.
본발명에 의한 암점화 방법은 화소전극의 제 2 핑거부만 컷팅시키는 것이 아니라, 도 2에 도시된 바와 같이, 화소전극(117)의 제 2 핑거부 및 공통전극(124)의 제 1 핑거부 모두를 컷팅시켜 화소 내부로 데이터 신호 및 Vcom 신호가 전혀 흘러들어가지 못하도록 하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 화소전극(117) 및 공통전극(124)에 전계가 형성되지 않으므로 액정이 구동되지 않게 되어 완전 암점화가 이루어진다.
화소전극(117) 및 공통전극(124)의 제 1, 제 2 핑거부를 모두 컷팅시키기 위해서는, 컷팅시작점(①,③)과 컷팅정지점(②,④)을 설정한 뒤, 그 사이를 레이저로 조사해주면 된다. 따라서, 기존보다 컷팅시작점과 컷팅정지점의 지정횟수를 줄일수 있다.
이하, 도 2 내지 3d를 참고로 하여 본발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법 및 포인트 디펙트에 대한 리페어 과정을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판 상에 신호지연의 방지를 위해서 낮은 비저항을 가지는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 금속을 증착한 후 패터닝하여 복수개의 게이트 배선(112), 게이트 전극(112a), 공통배선(125) 및 공통전극(124)을 형성한다.
상기 게이트 전극(112a)은 상기 게이트 배선(112)에서 분기되는 형태로 형성하고, 상기 공통배선(125)은 상기 게이트 배선(112)에 평행하도록 형성하며, 상기 공통전극(124)은 상기 공통배선(125)에서 분기되어 제 1 핑거부와 상기 제 1 핑거부를 연결하는 제 1 끝단부로 구분된다.
다음, 상기 게이트 배선(112)을 포함한 전면에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기 절연물질을 PECVD 방법으로 증착하여 게이트 절연막(도시 하지 않음)을 형성하고, 게이트 절연막을 포함한 전면에 비정질 실리콘(a-Si:H)을 고온에서 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극(112a) 상부의 게이트 절연막 상에 반도체층(114)을 형성한다.
그리고, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체층(114)을 포함한 전면에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 금속을 증착한 후 패터닝하여 복수개의 데이터 배선(115), 소스/드레인 전극(115a/115b) 및 커패시터 전극(119)을 형성한다.
이 때, 상기 데이터 배선(115)은 상기 게이트 배선(112)에 교차하여 단위화소를 정의하고, 상기 소스/드레인 전극(115a,115b)은 상기 반도체층(114) 양 끝단에 각각 형성하고, 커패시터 전극(119)은 상기 공통배선(125) 상부에 오버랩되도록 형성한다.
다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 배선(115)을 포함한 전면에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기절연물질을 증착하거나 또는 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질과 같은 유기절연물질을 도포하여 보호막(도시하지 않음)을 형성하고, 상기 보호막의 일부를 제거하여 상기 드레인 전극(115b)이 노출되는 제 1 콘택홀(150) 및 상기 커패시터 전극(119)이 노출되는 제 2 콘택홀(151)을 형성한다.
이후, 상기 보호막을 포함한 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전물질을 증착하고 패터닝하여 상기 제 1 ,제 2 콘택홀(150,151)을 통해 드레인 전극(115b) 및 커패시터 전극(119)에 접속하고, 상기 공통전극(124)에 평행하는 화소전극(117)을 형성한다.
따라서, 데이터 배선(115)을 흐르는 데이터 신호는 드레인 전극(115b)을 통해 화소전극(117) 및 커패시터 전극(119)까지 전달된다.
이 때, 상기 화소전극(117)도 상기 공통전극(124)의 제 1 핑거부와 평행교차하는 제 2 핑거부와 상기 제 2 핑거부를 연결하는 제 2 끝단부로 구분된다.
상기와 같이, 박막트랜지스터 어레이 기판을 완성 후에는, 라인 디펙트(line defect) 및 포인트 디펙트(point defect)등의 불량을 테스트하기 위해 자동 프로브장치를 통해 불량 좌표를 검출한다. 상기 불량 좌표 검출 방법은 한 라인씩 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 니들을 고정하고 외부 신호를 통해 전압을 인가한 다음 신호를 구동하지 못하는 좌표를 검출하는 방법으로 행한다.
이 때, 특정 화소에 포인트 디펙트가 발견되면, 도 3d에 도시된 바와 같이, 화소전극(117)의 제 2 핑거부와 공통전극(124)의 제 1 핑거부를 동시에 컷팅하여 상기 화소전극(117)의 제 2 핑거부와 공통전극(124)의 제 1 핑거부에 전하가 흐르지 못하도록 플로팅시킨다.
따라서, 화소전극(117)에 데이터 신호가 흐르지 않게 되고, 공통전극(124)에 Vcom 신호가 흐르지 않게 되어 결국, 화소전극(117)의 제 2 핑거부와 공통전극(124)의 제 1 핑거부 사이에 배치되어 있는 액정이 구동되지 않아 완전한 암점화가 이루어진다.
참고로, 상기 암점화 처리는 레이저를 사용하여 수행하는데, 고에너지의 인공 광선으로 금속에 조사하면 열에너지로 변해 금속을 녹이거나(웰딩), 강하면 금속을 연소(컷팅)시킨다. 즉, 웰딩은 레이저 파워가 약하고, 토출 슬릿 크기가 작을 경우이고, 컷팅은 레이저 파워가 강하고, 토출 슬릿 크기가 클 경우이다. 레이저 세기 및 범위를 잘 선택하여 패턴을 웰딩하거나 컷팅시킬 수 있다.
이때, 액정표시소자는 노말리 블랙 타입(normally black type)인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 단위 화소가 암점이 되면 주위 화소가 백(白)표시인 경우 눈에 띄지 않게 되므로, 화상표시시 화상품질에 끼치는 영향이 미비하기 때문이다.
마지막으로, 자동 프로브 장치를 사용하여 포인트 디펙트의 리페어 성공 여부 및 GDS 불량 유무를 확인한다. 이 때, 화소전극의 제 2 핑거부와 공통전극의 제 1 핑거부를 동시에 플로팅시켜 완전히 암점화시켰으므로 약휘점이 발생할 염려가 없다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 화소전극의 핑거부만 컷팅시키는 것이 아니라, 공통전극의 핑거부도 컷팅시켜 화소 내부로 데이터 신호가 전혀 흘러들어가지 못하도록 함으로써, 포인트 디펙트가 있는 단위 화소를 완전히 암점화 시키는 것을 특징으로 한다. 따라서, 블랙 레밸에서 약휘점이 발생하지 않으므로 암점화에 의한 화상불량이 제거된다.

Claims (6)

  1. 노말리 블랙 타입(normally black type)으로 사용하는 횡전계방식 액정표시소자에 있어서,
    기판 상에 교차하여 화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계;
    상기 두 배선의 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선에 평행하는 공통배선, 및 상기 공통배선에서 분기되어 상기 데이터 배선에 평행하는 제 1 핑거부와 상기 제 1 핑거부를 양끝단에서 연결하는 제 1 끝단부로 구분되는 공통전극을 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고 상기 제 1 핑거부와 평행하는 제 2 핑거부와 상기 제 2 핑거부를 양끝단에서 연결하는 제 2 끝단부로 구분되는 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 화소에 포인트 디펙트 발생시, 상기 공통전극과 상기 화소전극이 중첩되지 않는 영역에서 상기 제 1 및 제 2 핑거부의 양끝단을 동시에 컷팅하여 상기 제 1 및 제 2 핑거부를 플로팅시키는 단계를 포함하고;
    상기 게이트 배선, 공통배선 및 공통전극은 동일층에 형성하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자의 암점화 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000009914A (ko) * 1998-07-29 2000-02-15 윤종용 액정 표시 장치 및 그의 화소 결함 수리 방법
JP2000221530A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Advanced Display Inc 液晶表示装置の製造方法
KR100282934B1 (ko) * 1995-10-04 2001-03-02 가나이 쓰도무 2종류이상의 재배향방향을 가진 액정분자로 구성된 횡전계방식의 액정표시장치 및 그제조방법
KR20030057145A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100282934B1 (ko) * 1995-10-04 2001-03-02 가나이 쓰도무 2종류이상의 재배향방향을 가진 액정분자로 구성된 횡전계방식의 액정표시장치 및 그제조방법
KR20000009914A (ko) * 1998-07-29 2000-02-15 윤종용 액정 표시 장치 및 그의 화소 결함 수리 방법
JP2000221530A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Advanced Display Inc 液晶表示装置の製造方法
KR20030057145A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법

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