KR101124434B1 - Predistortion System and Method for Memory Effects Compensation of Power Amplifier - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전치 왜곡기의 비선형 경로에 트랜지스터와 신호 지연이 다른 전송선로를 연결하여 전력 증폭기의 메모리 효과(memory effect)를 보상할 수 있는 전치 왜곡 시스템 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면은, 전력 증폭기로 입력되는 신호를 제 1 신호와 제 2신호로 분배하는 제 1 전력 분배기, 제 2 신호를 입력 받아 복수개의 신호로 분배하고 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기를 이용하여 서로 상이한 지연을 갖는 복수개의 왜곡 신호를 발생시키고 상기 복수개의 왜곡 신호를 결합시키는 제 2 경로부, 제 1 신호를 입력 받아 제 2 경로부만큼 상기 제 1 신호를 지연시키는 제 1 경로부, 및 제 1 경로부 및 제 2 경로부의 출력을 결합하는 제 1 전력 결합기를 포함하는 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템을 제공한다. The present invention relates to a predistortion system and method capable of compensating the memory effect of a power amplifier by connecting a transmission line having a different signal delay from a transistor to a nonlinear path of a predistorter. According to an aspect of the present invention, a first power divider divides a signal input to a power amplifier into a first signal and a second signal, and receives a second signal and divides the signal into a plurality of signals and uses a plurality of distortion generators composed of transistors. A second path unit for generating a plurality of distortion signals having different delays and combining the plurality of distortion signals, a first path unit receiving a first signal and delaying the first signal by a second path unit, and A predistortion system is provided to compensate for the memory effect of a power amplifier comprising a first power combiner coupling the output of the first path portion and the second path portion.

Description

전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템 및 방법 {Predistortion System and Method for Memory Effects Compensation of Power Amplifier}Predistortion System and Method for Memory Effects Compensation of Power Amplifier

본 발명은 전력 증폭기의 선형화 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전치 왜곡기의 비선형 경로에 트랜지스터와 신호 지연이 다른 전송선로를 연결하여 전력 증폭기의 메모리 효과(memory effect)를 보상할 수 있는 전치 왜곡 시스템 및 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a linearization method of a power amplifier, and more particularly, a predistortion capable of compensating a memory effect of a power amplifier by connecting a transmission line having a different signal delay from a transistor to a nonlinear path of a predistorter. System and method.

현재 무선통신은 데이터를 정확하게 전달하기 위해서 엄격한 선형성 규격을 가지고 있다. 전력 증폭기는 전체 통신 시스템의 선형성에 큰 영향을 주며, 전력 증폭기의 선형성을 개선시키기 위해서 전방궤환, 후방궤환, 디지털 전치 왜곡 및 아날로그 전치 왜곡 등이 연구되어 왔다. Currently, wireless communication has strict linearity specifications for the accurate delivery of data. The power amplifier has a great influence on the linearity of the entire communication system. In order to improve the linearity of the power amplifier, forward feedback, backward feedback, digital predistortion, and analog predistortion have been studied.

이 중에서 아날로그 전치 왜곡기는 간단한 회로와 쉽게 구현할 수 있는 장점을 가지고 있으며, 아날로그 전치 왜곡기에 의해 생성된 왜곡된 신호를 전력 증폭기의 입력으로 사용함으로써 왜곡된 신호와 전력 증폭기에서 만들어진 왜곡 신호가 서로 상쇄되어 전력 증폭기의 선형성을 개선시킨다. Among them, the analog predistorter has the advantages of simple circuit and easy implementation, and by using the distorted signal generated by the analog predistorter as the input of the power amplifier, the distorted signal and the distortion signal produced by the power amplifier cancel each other. Improve the linearity of the power amplifier.

그리고 최근에는 WCDMA(광대역 코드 분할 다중 접속)와 같은 광대역 신호를 주로 사용함에 따라 메모리 현상이 전력 증폭기의 선형화 개선에 큰 요인으로 작용하게 되었다. 메모리 현상이란 과거의 출력이 현재 출력의 크기와 위상에 영향을 끼치는 것으로 출력 스펙트럼에서 높은 주파수 성분과 낮은 주파수 성분의 왜곡 성분들이 서로 비대칭적인 특성을 나타낸다. 메모리 효과는 신호의 대역폭이 증가할수록 심해지므로, 광대역의 신호를 사용하는 전력 증폭기에서 선형성 개선의 한계에 영향을 끼친다. In recent years, memory phenomena have become a major factor in improving linearization of power amplifiers due to the widespread use of wideband signals such as wideband code division multiple access (WCDMA). The memory phenomenon is that the output of the past affects the magnitude and phase of the current output. The distortion of the high and low frequency components of the output spectrum is asymmetric. The memory effect is exacerbated as the bandwidth of the signal increases, thus affecting the limitations of linearity improvement in power amplifiers using broadband signals.

도 1은 종래의 일 실시 예에 따른 일반적인 아날로그 전치 왜곡기를 도시한 회로도로서, 제 1 신호 발생기(100a), 제 2 신호 발생기(100b), 결합기(100c), 전력 분배기(101), 지연선로(102), 3차 왜곡 신호 발생기(103), 가변 감쇄기(104), 가변 위상기(105), 전력 결합기(106)를 포함한다. 도 1을 참고하여, 종래의 일 실시 예에 따른 아날로그 전치 왜곡기에 대해 설명한다. 1 is a circuit diagram illustrating a general analog predistorter according to an exemplary embodiment, and includes a first signal generator 100a, a second signal generator 100b, a combiner 100c, a power divider 101, and a delay line ( 102, third-order distortion signal generator 103, variable attenuator 104, variable phase shifter 105, power combiner 106. Referring to FIG. 1, an analog predistorter according to an exemplary embodiment will be described.

도 1을 참조하면, 신호 생성부(100)에서 생성된 신호는 전력 분배를 통해 제 1 경로부와 제 2 경로부로 나뉘어 출력된다. 제 1 신호 발생기(100a) 및 제 2 신호 발생기(100b)로부터의 입력 신호인 f1 및 f2가 결합기(100c)를 통해 결합하여 출력되고 출력된 신호가 전력분배기(101) 로 입력된다. 여기에서, f1 및 f2는 각각 송신 대역의 원천 주파수 신호를 의미한다. Referring to FIG. 1, a signal generated by the signal generator 100 is divided into a first path part and a second path part through power distribution and output. The input signals f1 and f2, which are input signals from the first signal generator 100a and the second signal generator 100b, are combined and output through the combiner 100c, and the output signal is input to the power divider 101. Here, f1 and f2 mean source frequency signals of a transmission band, respectively.

제 2 경로부에 입력된 신호는 다이오드로 제작된 3차 왜곡 신호 발생기(103)에 의해서 원천 주파수 성분의 크기는 감소하고 2f1-f2 및 2f2-f1 주파수 성분의 3차 혼변조 왜곡 성분이 생성된다. 이러한 3차 혼변조 왜곡 신호는 가변 감쇄기(104)와 가변 위상기(105)를 통해서 왜곡 성분의 크기와 위상이 조절된다. The signal input to the second path part is reduced by the third-order distortion signal generator 103 made of a diode, and the third frequency intermodulation distortion component of the 2f1-f2 and 2f2-f1 frequency components is generated. . The third intermodulation distortion signal is adjusted through the variable attenuator 104 and the variable phaser 105 to adjust the magnitude and phase of the distortion component.

제 2 경로부로 인한 신호 지연을 보상하기 위해서 제 1 경로부에 지연선로(102)가 삽입되었으며, 제 2 경로부의 가변 위상기(105)를 통과한 3차 혼변조 왜곡 신호와 제 1 경로부의 원천 주파수 신호가 전력 결합기(106)에 의해 합쳐져서 전력 증폭기(107)의 입력으로 사용된다. In order to compensate for the signal delay caused by the second path portion, a delay line 102 is inserted in the first path portion, and the third intermodulation distortion signal passing through the variable phase shifter 105 of the second path portion and the source of the first path portion are provided. The frequency signal is combined by the power combiner 106 and used as the input of the power amplifier 107.

일반적인 전력 증폭기(107)는 원천 주파수 신호가 입력될 때 3차 혼변조 왜곡 신호가 발생하며, 이러한 성분은 전력 증폭기(107)의 선형성을 떨어뜨리는 주요 원인이 된다. 그러나 아날로그 전치 왜곡기는 전력 증폭기(107)에서 발생하는 3차 혼변조 왜곡 신호를 보상하는 신호를 제 2 경로부를 통해 생성하여 전력 증폭기(107)의 입력으로 사용함으로써, 전력 증폭기(107)에서의 선형성을 증가 시킬 수 있다. The general power amplifier 107 generates a third order intermodulation distortion signal when a source frequency signal is input, and this component is a major cause of deterioration of the linearity of the power amplifier 107. However, the analog predistorter generates a signal for compensating for the third order intermodulation distortion signal generated by the power amplifier 107 through the second path portion and uses it as an input of the power amplifier 107, thereby providing linearity in the power amplifier 107. Can be increased.

그러나 가변 감쇄기(104)와 가변 위상기(105)는 2f1-f2 의 3차 혼변조 왜곡 신호와 2f2-f1 의 3차 혼변조 왜곡 신호의 크기와 위상을 동시에 조절하기 때문에 전력 증폭기(107)의 메모리 효과로 인해 발생하는 비대칭 왜곡성분을 보상하기에는 한계가 있다. 따라서, 2f1-f2 및 2f2-f1 의 3차 혼변조 왜곡 신호를 각각 조절하여 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하여 선형성을 개선하는 방법이 제안되었다. However, since the variable attenuator 104 and the variable phaser 105 adjust the magnitude and phase of the 3rd order intermodulation distortion signal of 2f1-f2 and the 3rd order modulation modulation signal of 2f2-f1 simultaneously, There is a limit to compensate for the asymmetric distortion caused by the memory effect. Therefore, a method of compensating the memory effect of the power amplifier by adjusting the third order intermodulation distortion signals of 2f1-f2 and 2f2-f1, respectively, has been proposed to improve linearity.

도 2는 종래 기술에 따른 3차 혼변조 왜곡 신호를 독립적으로 조절하는 아날로그 전치 왜곡기를 도시한 회로도로서, 제 1 신호 발생기(200a), 제 2 신호 발생기(200b), 결합기(200c), 이득 증폭기 (201), 지연선로(202), 저역통과 여파기(203), 왜곡 신호 생성부(204), 제 1 주파수 혼합기(204a), 제 2 주파수 혼합기(204b), 가변 감쇄기(204c), 가변 위상기(204d), 제 1 전력 결합기(204e), 제 2 전력 결합기(205) 및 전력 증폭기(206) 을 포함한다. 도 2를 참고하여, 종래의 일 실시 예에 따른 아날로그 전치 왜곡기에 대해 설명한다. 2 is a circuit diagram illustrating an analog predistorter for independently adjusting a third-order intermodulation distortion signal according to the related art, and includes a first signal generator 200a, a second signal generator 200b, a combiner 200c, and a gain amplifier. 201, delay line 202, low pass filter 203, distortion signal generator 204, first frequency mixer 204a, second frequency mixer 204b, variable attenuator 204c, variable phaser 204d, a first power combiner 204e, a second power combiner 205, and a power amplifier 206. Referring to FIG. 2, an analog predistorter according to an exemplary embodiment will be described.

도 2를 참조하면, 제 1 신호 발생기(200a) 및 제 2 신호 발생기(200b)로부터의 입력 신호인 f1 및 f2가 결합기(200c)를 통해 결합하여 출력된다. 여기에서, f1 및 f2는 각각 송신 대역의 원천 주파수 신호를 의미한다. 신호 생성부(200)에서 발생된 신호는 이득 증폭기(201)와 왜곡 신호 생성부(204)의 입력으로 사용된다. 결합기(200c)를 통해서 합해진 두 원천 주파수 신호는 이득 증폭기(201)의 입력으로 사용된다. 이득 증폭기(201)의 출력은 원천 주파수 성분을 증폭할 뿐만 아니라, 두 원천 주파수 차이의 주파수에서 특정 크기를 가지는 신호도 생성한다. 이러한 이득 증폭기(201)의 출력은 왜곡 신호 생성부(204)의 신호 지연을 보상하기 위한 지연선로(202)의 입력으로 사용되며, 저역통과 여파기(203)를 거쳐서 두 원천 주파수 차이의 주파수 성분만 남게 되며 왜곡 신호 생성부(204)에서 왜곡 신호를 발생하는데 사용된다.Referring to FIG. 2, the input signals f1 and f2 from the first signal generator 200a and the second signal generator 200b are combined and output through the combiner 200c. Here, f1 and f2 mean source frequency signals of a transmission band, respectively. The signal generated by the signal generator 200 is used as an input of the gain amplifier 201 and the distortion signal generator 204. The two source frequency signals summed through the combiner 200c are used as inputs of the gain amplifier 201. The output of the gain amplifier 201 not only amplifies the source frequency component but also generates a signal having a certain magnitude at the frequency of the difference between the two source frequencies. The output of the gain amplifier 201 is used as the input of the delay line 202 to compensate for the signal delay of the distortion signal generator 204, and only the frequency components of the two source frequency differences are passed through the low pass filter 203. The distortion signal generator 204 is used to generate the distortion signal.

왜곡 신호 생성부(204)에 입력된 각각의 신호들은 제 1 주파수 혼합기(204a)와 제 2 주파수 혼합기(204b)의 입력으로 사용되며, 제 1 신호 생성기(200a)의 신호와 저역통과 여파기(203)에서의 출력 신호가 혼합되어 2f2-f1 주파수 성분의 3차 혼변조 왜곡 성분이 생성된다. 그리고 제 2 신호 생성기(200b)의 신호와 저역통과 여파기(203)에서의 출력 신호가 혼합되어 2f1-f2 주파수 성분의 3차 혼변조 왜곡 성분이 생성된다. The signals input to the distortion signal generator 204 are used as inputs of the first frequency mixer 204a and the second frequency mixer 204b, and the low pass filter 203 and the signal of the first signal generator 200a. The output signals at < RTI ID = 0.0 >) < / RTI > The signal of the second signal generator 200b and the output signal of the low pass filter 203 are mixed to generate a third order intermodulation distortion component of the 2f1-f2 frequency component.

각각 생성된 3차 혼변조 왜곡 성분들은 가변 감쇄기(204c)와 가변 위상기(204d)를 거치면서 왜곡 성분들의 크기와 위상이 조절되고 제 1 전력 결합기(204e)를 통해서 합해지게 된다. 제 1 전력 결합기(204e)의 출력은 일반적인 아날로그 전치 왜곡기의 왜곡 성분과 같지만, 일반적인 아날로그 전치 왜곡기와는 달리 위쪽 (2f2-f1) 및 아래쪽 (2f1-f2) 3차 혼변조 왜곡 성분의 크기와 위상을 각각 조절 할 수 있는 특징이 있다.The generated third-order intermodulation distortion components are adjusted through the variable attenuator 204c and the variable phaser 204d, and the magnitude and phase of the distortion components are adjusted and summed through the first power combiner 204e. The output of the first power combiner 204e is the same as the distortion component of a typical analog predistorter, but unlike the conventional analog predistorter, the output of the first (2f2-f1) and lower (2f1-f2) cubic intermodulation distortion components There is a characteristic that can adjust the phase individually.

제 1 전력 결합기(204e)를 통해서 출력된 왜곡 신호와 지연선로(202)의 출력은 제 2 전력 결합기(205)를 통해서 합해지게 되며, 전력 증폭기(206)의 선형성 개선에 이용된다. 이와 같이 3차 혼변조 성분을 독립적으로 조절하는 아날로그 전치 왜곡기는 위쪽과 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분들을 독립적으로 조절할 수 있기 때문에 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상할 수 있지만, 회로가 복잡하고 광대역 변조 신호에 대해 다운 컨버젼(down-conversion) 또는 업 컨버젼(up-conversion)시 잡음 발생으로 인해 큰 선형성 개선을 기대하기 어려운 문제점이 있다.
The distortion signal output through the first power combiner 204e and the output of the delay line 202 are summed through the second power combiner 205 and used to improve linearity of the power amplifier 206. This analog predistorter that independently adjusts the third-order intermodulation components can compensate for the memory effect of the power amplifier because it can adjust the upper and lower third-order intermodulation distortion components independently, but the circuit is complex and the broadband modulation signal Due to noise generation during down-conversion or up-conversion, it is difficult to expect a large linearity improvement.

상기한 종래의 일반적인 아날로그 전치 왜곡기는 3차 왜곡 신호 발생기에서 생성된 3차 혼변조 왜곡 신호를 이용하여 전력 증폭기의 선형성을 개선하며, 전력 증폭기 자체에서 생성되는 3차 혼변조 왜곡성분을 제거하기 위해서 다이오드로 제작된 3차 왜곡 발생기에서 생성된 신호를 가변 감쇄기와 가변 위상기를 이용하여 조절하는데, 위쪽과 아래쪽 3차 혼변조 성분이 동시에 조절되기 때문에, 3차 혼변조 왜곡 성분이 비대칭적으로 생기는 메모리 효과에 대해서는 효과적으로 선형화하기가 어려운 문제점이 있었다. 또한, 상기한 종래의 3차 혼변조 왜곡 신호를 독립적으로 조절하는 아날로그 전치 왜곡기는 메모리 효과를 보상하기 위해서 여러 가지 회로가 첨가되면서 구조가 복잡해지고 조절해야 할 변수들이 많아지는 문제점이 있었다.The conventional analog predistorter improves linearity of a power amplifier by using a third-order intermodulation distortion signal generated by a third-order distortion signal generator, and removes a third-order intermodulation distortion component generated by the power amplifier itself. The signal generated by the third-order distortion generator made of the diode is controlled by using a variable attenuator and a variable phaser. Since the upper and lower third-order intermodulation components are controlled at the same time, the third-order intermodulation distortion component is asymmetric memory. There was a problem that it is difficult to linearize effectively. In addition, the analog predistorter that independently adjusts the conventional third-order intermodulation distortion signal has a problem in that a structure is complicated and many parameters to be adjusted are added as various circuits are added to compensate for a memory effect.

따라서, 본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 낮은 공급전압을 사용하고, 간단한 구조를 가지면서도 전력 증폭기의 메모리 효과를 효과적으로 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide an analog predistortion system and method for effectively compensating the memory effect of a power amplifier while using a low supply voltage and having a simple structure. There is this.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 측면은, 전력 증폭기로 입력되는 신호를 제 1 신호와 제 2신호로 분배하는 제 1 전력 분배기, 제 2 신호를 입력 받아 복수개의 신호로 분배하여 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기를 이용하여 서로 상이한 지연을 갖는 복수개의 왜곡 신호를 발생시키고 상기 복수개의 왜곡 신호를 결합시키는 제 2 경로부, 제 1 신호를 입력 받아 제 2 경로부에서의 지연만큼 상기 제 1 신호를 지연시키는 제 1 경로부, 및 제 1 경로부 및 제 2 경로부의 출력을 결합하는 제 1 전력 결합기를 포함하는 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템을 제공한다. In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention provides a first power divider for distributing a signal input to a power amplifier into a first signal and a second signal, and receiving and distributing a second signal into a plurality of signals to a transistor. A second path unit for generating a plurality of distortion signals having different delays and combining the plurality of distortion signals using the configured plurality of distortion generators, and receiving the first signal as much as the delay in the second path unit; A predistortion system for compensating for the memory effect of a power amplifier comprising a first path portion for delaying a signal and a first power combiner for coupling the outputs of the first path portion and the second path portion.

또한, 상기 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기는 콜렉터 바이어스 전압을 조절하여 복수개의 왜곡 신호의 크기를 조절하는 전치 왜곡 시스템을 제공한다.In addition, the plurality of distortion generators composed of the transistor provides a predistortion system for controlling the magnitude of the plurality of distortion signals by adjusting the collector bias voltage.

또한, 상기 제 2 경로부는, 결합된 왜곡 신호의 크기를 조절하는 가변 감쇄기; 및 결합된 왜곡 신호의 위상을 조절하는 가변 위상기를 포함하는 전치 왜곡 시스템을 제공한다. The second path unit may further include a variable attenuator configured to adjust a magnitude of the combined distortion signal; And a variable phaser for adjusting the phase of the combined distortion signal.

또한, 상기 복수개의 왜곡 신호는 기준 지연 왜곡 신호, 상기 기준 지연 왜곡 신호보다 짧은 지연을 갖는 왜곡 신호 및 상기 기준 지연 왜곡 신호보다 긴 지연을 갖는 왜곡 신호를 포함하는 전치 왜곡 시스템을 제공한다.In addition, the plurality of distortion signals provide a predistortion system including a reference delay distortion signal, a distortion signal having a delay shorter than the reference delay distortion signal, and a distortion signal having a delay longer than the reference delay distortion signal.

또한, 상기 제 1 경로부는, 제 2 경로부에서의 신호 지연을 보상하기 위한 지연 선로를 포함하는 전치 왜곡 시스템을 제공한다. The first path unit also provides a predistortion system including a delay line for compensating for signal delay in the second path unit.

또한, 상기 제 2 경로부는, 제 2 신호를 입력 받아 복수개의 신호로 분배하는 제 2 전력 분배기, 복수개의 신호 각각을 입력 받아 왜곡시키는 병렬로 연결된 복수개의 왜곡 발생기, 복수개의 왜곡 발생기 각각과 대응되어 복수개의 왜곡 발생기 각각의 출력을 시간 지연시키는 복수개의 지연기; 및 복수개의 지연기의 출력을 결합하는 제 2 전력 결합기를 포함하는 전치 왜곡 시스템을 제공한다. The second path unit may include a second power divider that receives a second signal and distributes the plurality of signals into a plurality of signals, a plurality of distortion generators connected in parallel to receive and distort each of the plurality of signals, and a plurality of distortion generators, respectively. A plurality of delayers for time delaying the output of each of the plurality of distortion generators; And a second power combiner for coupling the outputs of the plurality of delayers.

또한, 상기 복수개의 지연기는 서로 상이한 시간 지연을 갖는 전치 왜곡 시스템을 제공한다. The plurality of retarders also provide a predistortion system having different time delays from each other.

또한, 상기 복수개의 왜곡 발생기는 낮은 공급 전압을 갖는 트랜지스터로 구성된 전치 왜곡 시스템을 제공한다. The plurality of distortion generators also provides a predistortion system consisting of transistors having a low supply voltage.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 2 측면은, 전력 증폭기로 입력되는 신호를 제 1 신호와 제 2신호로 분배하는 단계와, 제 2 신호를 복수개의 신호로 분배하는 단계와, 복수개의 신호 각각을 입력 받아 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기에 의해 복수개의 왜곡 신호를 생성하는 단계와, 복수개의 왜곡 신호 각각이 상이한 지연을 갖도록 지연시키는 단계와, 지연된 복수개의 신호를 결합하여 제 3 신호를 생성하는 단계와, 제 1 신호를 상기 제 3 신호만큼 지연시키는 단계와, 지연된 제 1 신호 및 상기 제 3 신호를 결합하는 단계를 포함하는 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 발생 방법을 제공한다. In order to achieve the above object, a second aspect of the present invention provides a method for distributing a signal input to a power amplifier into a first signal and a second signal, distributing a second signal into a plurality of signals, and a plurality of signals. Generating a plurality of distortion signals by a plurality of distortion generators each configured to receive inputs, delaying each of the plurality of distortion signals to have a different delay, and generating a third signal by combining the plurality of delayed signals And delaying the first signal by the third signal, and combining the delayed first signal and the third signal. .

또한, 상기 복수개의 왜곡 신호를 생성하는 단계는, 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기의 콜렉터 바이어스 전압을 조절하여 복수개의 왜곡 신호의 크기를 조절하는 단계를 더 포함하는 전치 왜곡 발생 방법을 제공한다. The generating of the plurality of distortion signals may further include adjusting the size of the plurality of distortion signals by adjusting collector bias voltages of the plurality of distortion generators including transistors.

또한, 상기 제 3 신호를 생성하는 단계는, 결합된 복수개의 신호의 크기 및 위상을 조절하여 제 3 신호를 생성하는 단계를 더 포함하는 전치 왜곡 발생 방법을 제공한다. The generating of the third signal may further include generating a third signal by adjusting magnitudes and phases of the plurality of combined signals.

또한, 상기 지연시키는 단계는, 지연된 복수개의 신호가 기준 지연 왜곡 신호, 상기 기준 지연 왜곡 신호보다 짧은 지연을 갖는 왜곡 신호 및 상기 기준 지연 왜곡 신호보다 긴 지연을 갖는 왜곡 신호를 포함하도록 지연시키는 단계를 포함하는 전치 왜곡 발생 방법을 제공한다.
The delaying may include delaying the plurality of delayed signals to include a reference delay distortion signal, a distortion signal having a delay shorter than the reference delay distortion signal, and a distortion signal having a delay longer than the reference delay distortion signal. Provided is a predistortion generating method comprising.

본 발명에 따르면, 트랜지스터를 기반으로 하는 왜곡 발생기를 병렬로 연결하여 왜곡 신호를 만들고 기준이 되는 지연선로와 서로 다른 신호 지연을 가지는 지연선로를 증폭기 출력에 연결하여 왜곡신호에 서로 다른 지연을 더해주거나 빼줌으로써 왜곡 신호에 메모리 효과가 나타나도록 하여 낮은 공급전압을 사용하고, 간단한 구조를 가지면서도 전력 증폭기의 메모리 효과를 효율적으로 보상할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, a distortion signal based on a transistor is connected in parallel to create a distortion signal, and a delay line having a different signal delay from a reference delay line is connected to an amplifier output to add a different delay to the distortion signal, or By subtracting the memory signal to the distortion signal, a low supply voltage is used, and a simple structure can effectively compensate for the memory effect of the power amplifier.

또한, 왜곡 발생기를 구성하고 있는 트랜지스터의 콜렉터 바이어스 전압을 조절하여 왜곡 신호의 크기를 용이하게 조절할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that the size of the distortion signal can be easily adjusted by adjusting the collector bias voltage of the transistor constituting the distortion generator.

또한, 전치 왜곡 시스템에서 하나의 가변 감쇄기 및 가변 위상기만 이용하므로 전력 소비를 감소시키면서도 우수한 성능을 얻을 수 있는 효과가 있다.
In addition, since only one variable attenuator and a variable phaser are used in the predistortion system, it is possible to obtain excellent performance while reducing power consumption.

도 1은 종래의 일 실시 예에 따른 일반적인 아날로그 전치 왜곡기를 도시한 회로도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 3차 혼변조 왜곡 신호를 독립적으로 조절하는 아날로그 전치 왜곡기를 도시한 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 트랜지스터 기반의 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템을 도시한 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 트랜지스터 기반의 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템을 도시한 회로도이다.
도 5 는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 발생 과정을 도시한 플로우차트이다.
도 6 은 중심 주파수가 2.14GHz이며, 톤 간격이 2MHz인 투 톤 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 본 발명의 실시 예에 따른 트랜지스터를 기반으로 하는 왜곡 발생기의 콜렉터 바이어스 전압에 따른 출력전력, 3차 혼변호 왜곡 성분(IM3), 5차 혼변조 왜곡 성분(IM5) 및 콜렉터에 흐르는 전류(ICC) 특성을 도시한 그래프이다.
도 7 은 중심주파수가 2.14GHz이며, 톤 간격이 2MHz인 투 톤 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 본 발명의 실시 예에 따른 제 1 왜곡 발생기, 제 2 왜곡 발생기 및 제 3 왜곡 발생기의 컬렉터 바이어스 전압(VCC1, VCC2, and VCC3)에 따른 제 2 전력 결합기의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도8은 중심주파수가 2.14GHz이며, 톤 간격이 2MHz인 투 톤 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 일반적인 아날로그 전치 왜곡기(CAPD)와 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템(MCAPD)의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 9 는 중심주파수가 2.14GHz이며, 톤 간격이 2MHz인 투 톤 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 34dBm의 출력전력에서 일반적인 아날로그 전치 왜곡기(CAPD) 와 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡기(MCAPD) 를 사용한 전력증폭기의 선형화 전후의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 10은 중심주파수가 2.14GHz이며, 5MHz 대역폭을 가지는 WCDMA 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 일반적인 아날로그 전치 왜곡기(CAPD)와 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템(MCAPD)의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 11은 중심주파수가 2.14GHz이며, 5MHz 대역폭을 가지는 WCDMA 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 34dBm의 출력전력에서 선형화 전후의 일반적인 아날로그 전치 왜곡기(CAPD)와 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템(MCAPD)의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 12는 중심주파수가 2.14GHz이며, 5MHz 대역폭을 가지는 WCDMA 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 전력 증폭기의 출력전력 따른 선형화 전후의 ±5MHz의 offset에서의 ACLR을 나타낸 그래프이다.
도 13은 중심주파수가 2.14GHz이며, 20MHz 대역폭을 가지는 4-carrier WCDMA 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 34dBm의 출력전력에서 선형화 전후의 출력스펙트럼을 도시한 그래프이다.
1 is a circuit diagram illustrating a general analog predistorter according to a conventional embodiment.
2 is a circuit diagram illustrating an analog predistorter for independently adjusting a third order intermodulation distortion signal according to the related art.
3 is a circuit diagram illustrating an analog predistortion system for compensating memory effects of a transistor-based power amplifier according to an embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram illustrating an analog predistortion system for compensating for a memory effect of a transistor-based power amplifier according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a predistortion generating process for compensating for a memory effect of a power amplifier according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is an output power according to a collector bias voltage of a transistor-based distortion generator when a two-tone signal having a center frequency of 2.14 GHz and a tone spacing of 2 MHz is used as an input signal; It is a graph showing the characteristics of the third order intermodulation distortion component IM3, the fifth order intermodulation distortion component IM5, and the current I CC flowing through the collector.
7 is a collector of a first distortion generator, a second distortion generator, and a third distortion generator when a two-tone signal having a center frequency of 2.14 GHz and a tone spacing of 2 MHz is used as an input signal. A graph showing the output spectrum of the second power combiner according to the bias voltages V CC1 , V CC2 , and V CC3 .
Fig. 8 shows a typical analog predistorter (CAPD) and an analog predistortion system (MCAPD) for compensating memory effects when a two-tone signal having a center frequency of 2.14 GHz and a tone spacing of 2 MHz is used as an input signal. Graph showing the output spectrum.
9 illustrates a general analog predistorter (CAPD) and a memory effect according to an embodiment of the present invention when a two-tone signal having a center frequency of 2.14 GHz and a two-tone signal having a tone spacing of 2 MHz is used as an input signal. A graph showing the output spectrum before and after linearization of a power amplifier using an analog predistorter (MCAPD) to compensate for this problem.
10 shows an output spectrum of a general analog predistorter (CAPD) and an analog predistortion system (MCAPD) for compensating memory effects when a WCDMA signal having a center frequency of 2.14 GHz and a 5 MHz bandwidth is used as an input signal. Is a graph.
FIG. 11 shows a general analog predistorter (CAPD) before and after linearization at an output power of 34 dBm and an analog predistor to compensate for a memory effect when a WCDMA signal having a center frequency of 2.14 GHz and a 5 MHz bandwidth is used as an input signal. A graph showing the output spectrum of the distortion system (MCAPD).
12 is a graph showing ACLR at an offset of ± 5 MHz before and after linearization according to an output power of a power amplifier when a center frequency is 2.14 GHz and a WCDMA signal having a 5 MHz bandwidth is used as an input signal.
FIG. 13 is a graph showing output spectra before and after linearization at an output power of 34 dBm when a 4-carrier WCDMA signal having a center frequency of 2.14 GHz and a 20 MHz bandwidth is used as an input signal.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. The following terms are defined in consideration of the functions of the present invention, and may be changed according to the intentions or customs of the user, the operator, and the like. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 트랜지스터 기반의 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템을 도시한 회로도로서, 제 1 전력 분배기(300), 제 1 지연선로(301), 왜곡 신호 생성부(302) 및 제 1 전력 결합기(303)를 포함한다.3 is a circuit diagram illustrating an analog predistortion system for compensating a memory effect of a transistor-based power amplifier according to an embodiment of the present invention. And a signal generator 302 and a first power combiner 303.

왜곡 신호 생성부(302)는 제 2 전력분배기(302a), 제 1 왜곡 발생기(302b), 제 2 왜곡 발생기(302c), 제 3 왜곡 발생기(302d), 제 2 지연선로(302e), 제 3 지연선로(302f), 제 4 지연선로(302g), 제 2 전력 결합기(302h), 가변 감쇄기(302i) 및 가변 위상기(303j)을 포함한다. 제 1 왜곡 발생기(302b), 제 2 왜곡 발생기(302c) 및 제 3 왜곡 발생기(302d)는 동일한 트랜지스터를 이용하여 제작된다. 트랜지스터를 기반으로 하는 각각의 왜곡 발생기들은 콜렉터 바이어스 전압에 따라서 왜곡 성분들의 크기가 달라진다.The distortion signal generator 302 includes a second power divider 302a, a first distortion generator 302b, a second distortion generator 302c, a third distortion generator 302d, a second delay line 302e, and a third A delay line 302f, a fourth delay line 302g, a second power combiner 302h, a variable attenuator 302i and a variable phaser 303j. The first distortion generator 302b, the second distortion generator 302c, and the third distortion generator 302d are manufactured using the same transistor. Each distortion generator based on a transistor has a different magnitude of distortion components depending on the collector bias voltage.

제 1 전력 분배기(300)는 입력 신호를 두 경로로 나누며, 제 2 전력 분배기(302a)는 제 1 전력 분배기(300)의 출력을 각 왜곡 신호 생성부(302)의 입력으로 사용하기 위해 신호를 나누어 준다. 왜곡 발생기(302(b), 302(c), 302(d))에서 발생된 각 왜곡 신호들은 서로 다른 지연을 가진 지연선로를 거치면서 왜곡 신호들간의 지연이 서로 다르게 된다. The first power divider 300 divides the input signal into two paths, and the second power divider 302a uses the signal to use the output of the first power divider 300 as an input of each distortion signal generator 302. Give out. Each of the distortion signals generated by the distortion generators 302 (b), 302 (c), and 302 (d) has different delays between the distortion signals while passing through delay lines having different delays.

왜곡 신호생성부(302)의 지연선로들은 기준이 되는 제 3 지연선로(302f)를 기준으로 Δτ만큼 더 짧은 지연을 가지는 제 2 지연선로(302e)와 Δτ만큼 더 긴 지연을 가지는 제 4 지연선로(302g)로 구성된다. 서로 다른 지연을 가지는 왜곡 신호들은 제 2 전력 결합기(302h)를 통해서 합해지며, 제 2 전력 결합기(302h)에서 출력된 왜곡 신호가 메모리 성분을 가지도록 한다. The delay lines of the distortion signal generator 302 are second delay lines 302e having a delay shorter by Δτ and a fourth delay lines having a delay longer by Δτ with respect to the third delay line 302f as a reference. 302g. Distortion signals having different delays are summed through the second power combiner 302h, so that the distortion signal output from the second power combiner 302h has a memory component.

메모리 성분을 가진 왜곡 신호는 가변감쇄기(302i)와 가변위상기(302j)를 통과하면서 왜곡 성분의 크기와 위상이 조절되며, 제 1 전력 결합기(303)를 통해서 왜곡 신호 생성부의 기준되는 지연(τN)을 가지는 지연선로(301)를 통과한 입력 신호와 합해진다. The distortion signal having the memory component passes through the variable attenuator 302i and the variable phaser 302j, and the magnitude and phase of the distortion component are adjusted, and the reference delay? Of the distortion signal generator is passed through the first power combiner 303. It adds up with the input signal passing through the delay line 301 having N ).

각 왜곡 발생기마다 가변감쇄기 및 가변위상기를 이용하는 종래의 기술과는 상이하게 본 발명은 하나의 가변감쇄기와 가변 위상기를 이용함으로써 간단하면서도 우수한 성능을 발휘할 수 있는 효과가 있다. Unlike the conventional technology using a variable attenuator and a variable phaser for each distortion generator, the present invention has an effect of simple and excellent performance by using a single variable attenuator and a variable phase shifter.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 트랜지스터 기반의 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템을 도시한 회로도로서, 신호 발생기(400), 제 1 전력 분배기(401), 제 1 경로부 (402), 제 2 경로부(403), 제 1 전력 결합기(404) 및 전력 증폭기(405)를 포함한다. 4 is a circuit diagram illustrating an analog predistortion system for compensating memory effects of a transistor-based power amplifier according to an embodiment of the present invention. The signal generator 400, the first power divider 401, and the first path are illustrated in FIG. The unit 402 includes a second path unit 403, a first power combiner 404, and a power amplifier 405.

제 1 경로부는(402) 제 1 지연선로(402a)를 포함하며, 제 2 경로부(403)는 제 2 전력분배기(403a), 제 1 왜곡 발생기(404b), 제 2 왜곡 발생기(403c), 제 3 왜곡 발생기(403d), 제 2 지연선로(403e), 제 3 지연선로(403f), 제 4 지연선로(403g), 제 2 전력 결합기(403h), 가변 감쇄기(403i) 및 가변 위상기(403j)을 포함한다. The first path unit 402 includes a first delay line 402a, and the second path unit 403 includes a second power divider 403a, a first distortion generator 404b, a second distortion generator 403c, Third distortion generator 403d, second delay line 403e, third delay line 403f, fourth delay line 403g, second power combiner 403h, variable attenuator 403i and variable phaser ( 403j).

신호 발생기(400)에서 출력된 소스 신호는 제 1 전력 분배기(401)를 통해서 제 1 경로부(402)와 제 2 경로부(403)로 나누어진다. 제 2 경로부(403)의 제 2 전력 분배기(403a)는 제 1 전력 분배기(401)에서 들어온 신호를 각 왜곡 발생기의 입력으로 동위상의 신호를 분배한다. 제 1 왜곡 발생기(403b), 제 2 왜곡 발생기(403c) 및 제 3 왜곡 발생기(403d)들은 동일한 트랜지스터를 이용하여 제작된다. The source signal output from the signal generator 400 is divided into a first path part 402 and a second path part 403 through the first power divider 401. The second power divider 403a of the second path unit 403 distributes the signal coming from the first power divider 401 to the input of each distortion generator in phase. The first distortion generator 403b, the second distortion generator 403c, and the third distortion generator 403d are manufactured using the same transistor.

각각의 왜곡 발생기들은 입력 신호를 증폭할 뿐만 아니라 왜곡 신호를 생성하며, 제 2 왜곡 발생기(403c)에서 출력된 왜곡 신호는 일정한 길이를 가지는 제 3 지연선로(403f)를 지난다. 제 1 왜곡 발생기(403b)는 제 2 왜곡 발생기(403c)와 같은 소자를 사용하기 때문에, 소스 신호를 증폭할 뿐만 아니라 왜곡 성분들을 생성하며, 제 2 지연선로(403e)는 제 3 지연선로(403f)보다 짧은 전송선로를 이용하여 신호 지연이 제 2 왜곡 발생기(403c) 출력의 신호 지연보다 짧게 한다.Each of the distortion generators not only amplifies the input signal but also generates a distortion signal, and the distortion signal output from the second distortion generator 403c passes through the third delay line 403f having a constant length. Since the first distortion generator 403b uses the same element as the second distortion generator 403c, it not only amplifies the source signal but also generates distortion components, and the second delay line 403e uses the third delay line 403f. By using a transmission line shorter than), the signal delay is shorter than the signal delay of the output of the second distortion generator 403c.

이와 같은 회로에서, 제 1 왜곡 발생기(403b)와 제 3 왜곡 발생기(403d) 및 제 2 지연선로(403e)와 제 4 지연선로(403g)는 각각 대칭적으로 위치하며 동일한 기능을 수행한다. 단, 제 4 지연선로(403g)는 제 3 지연선로(403f)보다 긴 전송선로를 이용함으로써 신호 지연이 제 2 왜곡 발생기(403c) 출력의 신호 지연보다 길게 한다. In such a circuit, the first distortion generator 403b, the third distortion generator 403d, the second delay line 403e and the fourth delay line 403g are symmetrically positioned and perform the same function. However, the fourth delay line 403g uses a transmission line longer than the third delay line 403f so that the signal delay is longer than the signal delay of the output of the second distortion generator 403c.

각기 다른 지연선로를 지난 왜곡 성분들은 제 2 전력 결합기(403h)를 통해서 합해지며, 가변 감쇄기(403i)와 가변 위상기(403j)를 통해서 왜곡 성분들의 크기와 위상이 조절된다. The distortion components passing through the different delay lines are combined through the second power combiner 403h, and the magnitude and phase of the distortion components are adjusted through the variable attenuator 403i and the variable phaser 403j.

트랜지스터를 기반으로 하는 각각의 왜곡 발생기들은 콜렉터 바이어스 전압에 따라서 왜곡 성분들의 크기가 달라진다. 그리고 각각 왜곡 발생기들에서 생성된 왜곡 성분들은 각기 다른 위상을 거치면서 위상차가 서로 상이한 신호가 만들어지며, 제 2 전력 결합기(403h)를 통해서 메모리 효과가 나타나는 왜곡 신호가 만들어 진다. 이러한 메모리 성분들을 가진 왜곡 성분들을 이용해서 전력 증폭기(405)의 메모리 효과를 보상한다. Each distortion generator based on a transistor has a different magnitude of distortion components depending on the collector bias voltage. Each of the distortion components generated by the distortion generators generates a signal having a different phase difference through different phases, and a distortion signal having a memory effect is generated through the second power combiner 403h. The distortion components with these memory components are used to compensate for the memory effect of the power amplifier 405.

이어서 메모리 성분을 가진 왜곡 성분들은 제 1 지연선로(402a)를 통과한 소스 신호와 제 1 전력 결합기(404)를 통해서 합해지며, 전력 증폭기(405)의 입력으로 사용된다.The distortion components with memory components are then summed through the first power combiner 404 with the source signal passing through the first delay line 402a and used as an input of the power amplifier 405.

도 5 는 본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 발생 과정을 도시한 플로우차트이다. 단계 510 에서 전력 증폭기로 입력되는 신호를 제 1 신호와 제 2 신호로 분리한다. 제 1 신호는 단계 520 에서는 제 2 신호를 복수개의 신호로 분리한다. 단계 530 에서는 분리된 복수개의 신호 각각을 입력 받아 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기에 의해 복수개의 왜곡 신호를 생성한다. 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기는 트랜지스터의 콜렉터 바이어스 전압을 조절하여 복수개의 왜곡 신호의 크기가 조절된다. 단계 540 에서는 복수개의 왜곡 신호 각각이 서로 상이한 지연을 갖도록 지연시킨다. 지연된 복수개의 신호는 기준 지연 왜곡 신호, 기준 지연 왜곡 신호보다 짧은 지연을 갖는 왜곡 신호 및 기준 지연 왜곡 신호보다 긴 지연을 갖는 왜곡 신호를 포함하도록 지연될 수 있다. 단계 550 에서는 지연된 복수개의 신호를 결합하여 제 3 신호를 생성한다. 복수개의 신호는 결합된 뒤 크기 및 위상이 조절되어 제 3 신호가 생성될 수도 있다. 단계 560 에서는 제 1 신호를 제 3 신호만큼 지연시킨다. 즉, 제 1 신호는 기준 지연 왜곡 신호를 기준으로 하여 지연될 수 있다. 단계 570 에서는 지연된 제 1 신호 및 제 3 신호를 결합한다. 결합된 신호는 전력 증폭기에 입력되어 메모리 효과를 보상할 수 있다. 5 is a flowchart illustrating a predistortion generating process for compensating for a memory effect of a power amplifier according to an exemplary embodiment of the present invention. In operation 510, a signal input to the power amplifier is separated into a first signal and a second signal. In operation 520, the first signal divides the second signal into a plurality of signals. In operation 530, each of the separated signals is input to generate a plurality of distortion signals by a plurality of distortion generators composed of transistors. The plurality of distortion generators composed of transistors adjust the collector bias voltage of the transistor to adjust the magnitude of the plurality of distortion signals. In operation 540, each of the plurality of distortion signals is delayed to have a different delay from each other. The delayed plurality of signals may be delayed to include a reference delay distortion signal, a distortion signal having a delay shorter than the reference delay distortion signal, and a distortion signal having a delay longer than the reference delay distortion signal. In operation 550, a third signal is generated by combining the delayed signals. The plurality of signals may be combined and then adjusted in magnitude and phase to generate a third signal. In step 560, the first signal is delayed by the third signal. That is, the first signal may be delayed based on the reference delayed distortion signal. In step 570, the delayed first and third signals are combined. The combined signal can be input to a power amplifier to compensate for the memory effect.

도 6 은 중심 주파수가 2.14GHz이며, 톤 간격이 2MHz인 투 톤 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 본 발명의 실시 예에 따른 트랜지스터를 기반으로 하는 왜곡 발생기의 콜렉터 바이어스 전압에 따른 출력전력, 3차 혼변호 왜곡 성분(IM3), 5차 혼변조 왜곡 성분(IM5) 및 콜렉터에 흐르는 전류(ICC) 특성을 도시한 그래프이다. 도 6 의 그래프에서는, 콜렉터 바이어스 전압에 따라 3차 및 5차 혼변조 왜곡 성분들이 발생하는 것을 보여주고 있으며, 특히 콜렉터 바이어스 전압이 4V에서 4.8V의 범위에서 3차 및 5차 혼변조 왜곡 성분들이 많이 발생하는 것을 알 수 있다. 이로부터 트랜지스터를 기반으로 하는 왜곡 발생기가 왜곡 신호 생성기로 사용될 수 있다는 것을 보여준다. 6 is an output power according to a collector bias voltage of a transistor-based distortion generator when a two-tone signal having a center frequency of 2.14 GHz and a tone spacing of 2 MHz is used as an input signal; It is a graph showing the characteristics of the third order intermodulation distortion component IM3, the fifth order intermodulation distortion component IM5, and the current I CC flowing through the collector. In the graph of FIG. 6, the third and fifth order intermodulation distortion components are generated according to the collector bias voltage. In particular, the third and fifth order intermodulation distortion components are generated when the collector bias voltage is in the range of 4V to 4.8V. It can be seen that a lot occurs. This shows that a transistor-based distortion generator can be used as a distortion signal generator.

도 7 은 중심주파수가 2.14GHz이며, 톤 간격이 2MHz인 투 톤 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 본 발명의 실시 예에 따른 제 1 왜곡 발생기, 제 2 왜곡 발생기 및 제 3 왜곡 발생기의 컬렉터 바이어스 전압(VCC1, VCC2, and VCC3)에 따른 제 2 전력 결합기의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 각 왜곡 발생기들의 컬렉터 전압을 조절함에 따라서 왜곡성분의 메모리 효과로 인해서 3차 및 5차 혼변조 왜곡 성분이 비대칭적으로 나타난다. 7 is a collector of a first distortion generator, a second distortion generator, and a third distortion generator when a two-tone signal having a center frequency of 2.14 GHz and a tone spacing of 2 MHz is used as an input signal. A graph showing the output spectrum of the second power combiner according to the bias voltages V CC1 , V CC2 , and V CC3 . As the collector voltage of each distortion generator is adjusted, the third-order and fifth-order intermodulation distortion components appear asymmetrically due to the memory effect of the distortion components.

도8은 중심주파수가 2.14GHz이며, 톤 간격이 2MHz인 투 톤 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 일반적인 아날로그 전치 왜곡기(CAPD)와 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템(MCAPD)의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 일반적인 아날로그 전치 왜곡기의 출력은 위쪽과 아래쪽 3차 혼변조 성분들이 같은 크기를 가지고 있지만, 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템의 출력 스펙트럼은 메모리 성분을 가지는 왜곡 성분들에 의해서 위쪽과 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분이 비대칭적인 특징을 나타낸다. Fig. 8 shows a typical analog predistorter (CAPD) and an analog predistortion system (MCAPD) for compensating memory effects when a two-tone signal having a center frequency of 2.14 GHz and a tone spacing of 2 MHz is used as an input signal. Graph showing the output spectrum. While the output of a typical analog predistorter has the same magnitude in the upper and lower third-order intermodulation components, the output spectrum of the analog predistortion system to compensate for the memory effect is determined by the upper and lower 3 The differential intermodulation distortion component exhibits asymmetrical features.

도 9 는 중심주파수가 2.14GHz이며, 톤 간격이 2MHz인 투 톤 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 34dBm의 출력전력에서 일반적인 아날로그 전치 왜곡기(CAPD) 와 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡기(MCAPD) 를 사용한 전력증폭기의 선형화 전후의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 34dBm의 출력전력에서 선형화되기 전의 전력 증폭기의 출력 스펙트럼은 메모리 효과로 인하여 위쪽과 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분들에서 3dB 차이가 발생한다. 일반적인 아날로그 전치 왜곡기(CAPD)를 사용하였을 때, 위쪽과 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분들이 약 -58.5 dBc까지 선형성이 개선된다. 한편, 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템(MCAPD)을 사용하였을 경우에는 위쪽과 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분이 모두 -72 dBc 이상으로 좋은 선형성을 보여준다.9 illustrates a general analog predistorter (CAPD) and a memory effect according to an embodiment of the present invention when a two-tone signal having a center frequency of 2.14 GHz and a two-tone signal having a tone spacing of 2 MHz is used as an input signal. A graph showing the output spectrum before and after linearization of a power amplifier using an analog predistorter (MCAPD) to compensate for this problem. The power amplifier's output spectrum before being linearized at 34dBm of output power has a 3dB difference in the upper and lower third-order intermodulation distortion components due to memory effects. When a typical analog predistorter (CAPD) is used, the upper and lower third-order intermodulation distortion components improve linearity up to about -58.5 dBc. On the other hand, when the analog predistortion system (MCAPD) is used to compensate for the memory effect, both the upper and lower third-order intermodulation distortion components show good linearity of -72 dBc or more.

도 10은 중심주파수가 2.14GHz이며, 5MHz 대역폭을 가지는 WCDMA 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 일반적인 아날로그 전치 왜곡기(CAPD)와 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템(MCAPD)의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 일반적인 아날로그 전치 왜곡기의 출력은 중심 주파수를 기준으로 좌우가 대칭적인 스펙트럼을 나타내고 있지만, 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템의 출력 스펙트럼은 메모리 성분를 가지고 있기 때문에 중심 주파수를 기준으로 좌우가 비대칭적인 특징을 나타낸다. 10 shows an output spectrum of a general analog predistorter (CAPD) and an analog predistortion system (MCAPD) for compensating memory effects when a WCDMA signal having a center frequency of 2.14 GHz and a 5 MHz bandwidth is used as an input signal. Is a graph. While the output of a typical analog predistorter shows a symmetrical spectrum from the center frequency, the output spectrum of an analog predistortion system to compensate for the memory effect is asymmetrical from the center frequency because it has a memory component. Characteristic

도 11은 중심주파수가 2.14GHz이며, 5MHz 대역폭을 가지는 WCDMA 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 34dBm의 출력전력에서 선형화 전후의 일반적인 아날로그 전치 왜곡기(CAPD)와 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템(MCAPD)의 출력 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 34dBm의 출력전력에서 선형화되기 전의 전력 증폭기의 출력 스펙트럼은 메모리 효과가 포함된 좌우가 비대칭적인 스펙트럼을 보여준다. 일반적인 전치 왜곡기를 사용하여 전력 증폭기를 선형화 하였을 때에는 ±5MHz의 offset에서 약 -52dBc의 ACLR(인접채널누설비)을 보여주지만, 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템을 이용한 선형화 결과는 ±5MHz의 offset에서 약 -60dBc 이상의 우수한 선형화 결과를 보여준다. FIG. 11 shows a general analog predistorter (CAPD) and an analog predistor for compensating memory effects before and after linearization at an output power of 34 dBm when a WCDMA signal having a center frequency of 2.14 GHz and a 5 MHz bandwidth is used as an input signal. A graph showing the output spectrum of the distortion system (MCAPD). The power amplifier's output spectrum before being linearized at 34dBm output power shows asymmetrical spectra with memory effects. When the power amplifier is linearized using a typical predistorter, it shows an ACLR (adjacent channel leakage) of about -52 dBc at an offset of ± 5 MHz, but the linearization result using an analog predistortion system to compensate for the memory effect is ± 5 MHz. Excellent linearization results of about -60dBc or more at offset.

도 12는 중심주파수가 2.14GHz이며, 5MHz 대역폭을 가지는 WCDMA 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 전력 증폭기의 출력전력 따른 선형화 전후의 ±5MHz의 offset에서의 ACLR을 나타낸 그래프이다. 전 출력범위에서 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡기를 이용한 선형화 결과가 일반적인 아날로그 전치 왜곡기의 선형화 결과보다 우수한 것을 알 수 있으며, 선형성 기준인 -45dBc 기준에서 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡기는 38.2dBm의 출력전력에서 30.1%의 효율을 낼 수 있다. 12 is a graph showing ACLR at an offset of ± 5 MHz before and after linearization according to an output power of a power amplifier when a center frequency is 2.14 GHz and a WCDMA signal having a 5 MHz bandwidth is used as an input signal. It can be seen that the linearization result using the analog predistorter for compensating the memory effect over the entire output range is superior to the linearization result of the conventional analog predistorter. It can achieve 30.1% efficiency at an output power of 38.2dBm.

도 13은 중심주파수가 2.14GHz이며, 20MHz 대역폭을 가지는 4-carrier WCDMA 신호가 입력신호로 사용되었을 경우에, 34dBm의 출력전력에서 선형화 전후의 출력스펙트럼을 도시한 그래프이다. 일반적인 전치 왜곡기를 사용하여 전력 증폭기를 선형화 하였을 때에는 ±5MHz의 offset에서 약 -44dBc의 ACLR을 보여주지만, 메모리 효과를 보상하기 위한 아날로그 전치 왜곡 시스템을 이용한 선형화 결과는 ±5MHz의 offset에서 ACLR이 약 -55dBc 이상으로 좋은 선형화 결과를 보여준다. FIG. 13 is a graph showing output spectra before and after linearization at an output power of 34 dBm when a 4-carrier WCDMA signal having a center frequency of 2.14 GHz and a 20 MHz bandwidth is used as an input signal. The linearization of the power amplifier using a typical predistorter shows an ACLR of about -44 dBc at an offset of ± 5 MHz. However, the linearization results using an analog predistortion system to compensate for memory effects show that ACLR is weak at an offset of ± 5 MHz. 55dBc or better shows good linearization results.

본 실시형태의 모듈, 기능 블록들 또는 수단들은 전자 회로, 집적 회로, ASIC (Application Specific Integrated Circuit) 등 공지된 다양한 소자들로 구현될 수 있으며, 각각 별개로 구현되거나 2 이상이 하나로 통합되어 구현될 수 있다.Modules, functional blocks or means of the present embodiment may be implemented in a variety of known elements, such as electronic circuits, integrated circuits, ASICs (Application Specific Integrated Circuit), each may be implemented separately, or two or more may be integrated into one Can be.

이상과 같이 본 발명의 이해를 위하여 그 실시 예를 기술하였으나, 당업자라면 알 수 있듯이, 본 발명은 본 명세서에서 기술된 특정 실시 예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 범주를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형, 변경 및 대체될 수 있다. 따라서, 본 발명의 진정한 사상 및 범주에 속하는 모든 변형 및 변경을 특허청구범위에 의하여 모두 포괄하고자 한다.
As described above, the embodiments have been described for the understanding of the present invention, but as will be appreciated by those skilled in the art, the present invention is not limited to the specific embodiments described herein, but variously without departing from the scope of the present invention. May be modified, changed and replaced. Therefore, it is intended that the present invention cover all modifications and variations that fall within the true spirit and scope of the present invention.

300 : 제 1 전력 분배기 301 : 제 1 지연선로
302 : 왜곡 신호 생성부 303 : 제 1 전력 결합기
302a : 제 2 전력분배기 302b : 제 1 왜곡 발생기
302c : 제 2 왜곡 발생기 302d : 제 3 왜곡 발생기
302e : 제 2 지연선로 302f : 제 3 지연선로
302g : 제 4 지연선로 302h : 제 2 전력 결합기
302i : 가변 감쇄기 303j : 가변 위상기
300: first power divider 301: first delay line
302: distortion signal generator 303: first power combiner
302a: second power divider 302b: first distortion generator
302c: second distortion generator 302d: third distortion generator
302e: second delay line 302f: third delay line
302g: fourth delay line 302h: second power combiner
302i: variable attenuator 303j: variable phase shifter

Claims (12)

전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템에 있어서,
상기 전력 증폭기로 입력되는 신호를 제 1 신호와 제 2신호로 분배하는 제 1 전력 분배기;
상기 제 2 신호를 입력 받아 복수개의 신호로 분배하여 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기를 이용하여 서로 상이한 지연을 갖는 복수개의 왜곡 신호를 발생시키고 상기 복수개의 왜곡 신호를 결합시키는 제 2 경로부;
상기 제 1 신호를 입력 받아 상기 제 2 경로부에서의 지연만큼 상기 제 1 신호를 지연시키는 제 1 경로부; 및
상기 제 1 경로부 및 상기 제 2 경로부의 출력을 결합하는 제 1 전력 결합기를 포함하되,
상기 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기는 트랜지스터의 콜렉터 바이어스 전압을 조절하여 상기 복수개의 왜곡 신호의 크기를 조절하는
전치 왜곡 시스템.
A predistortion system for compensating for the memory effect of a power amplifier,
A first power divider for distributing the signal input to the power amplifier into a first signal and a second signal;
A second path unit receiving the second signal and distributing the signal into a plurality of signals to generate a plurality of distortion signals having different delays from each other by using a plurality of distortion generators composed of transistors, and combining the plurality of distortion signals;
A first path unit receiving the first signal and delaying the first signal by a delay in the second path unit; And
A first power combiner for coupling the output of the first path portion and the second path portion,
The plurality of distortion generators composed of the transistors adjust the collector bias voltages of the transistors to adjust the magnitudes of the plurality of distortion signals.
Predistortion system.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 경로부는,
결합된 왜곡 신호의 크기를 조절하는 가변 감쇄기; 및
결합된 왜곡 신호의 위상을 조절하는 가변 위상기를 포함하는
전치 왜곡 시스템.
The method of claim 1,
The second path portion,
A variable attenuator for adjusting the magnitude of the combined distortion signal; And
A variable phaser for adjusting the phase of the combined distortion signal
Predistortion system.
제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 왜곡 신호는 기준 지연 왜곡 신호, 상기 기준 지연 왜곡 신호보다 짧은 지연을 갖는 왜곡 신호, 및 상기 기준 지연 왜곡 신호보다 긴 지연을 갖는 왜곡 신호를 포함하는
전치 왜곡 시스템.
The method of claim 1,
The plurality of distortion signals include a reference delay distortion signal, a distortion signal having a delay shorter than the reference delay distortion signal, and a distortion signal having a delay longer than the reference delay distortion signal.
Predistortion system.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 경로부는,
상기 제 2 경로부에서의 신호 지연을 보상하기 위한 지연 선로를 포함하는
전치 왜곡 시스템.
The method of claim 1,
The first path portion,
A delay line for compensating for signal delay in the second path portion;
Predistortion system.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 경로부는,
상기 제 2 신호를 입력 받아 상기 복수개의 신호로 분배하는 제 2 전력 분배기;
상기 복수개의 신호 각각을 입력 받아 왜곡시키는 병렬로 연결된 복수개의 왜곡 발생기;
상기 복수개의 왜곡 발생기 각각과 대응되어 상기 복수개의 왜곡 발생기 각각의 출력을 시간 지연시키는 복수개의 지연기; 및
상기 복수개의 지연기의 출력을 결합하는 제 2 전력 결합기를 포함하는
전치 왜곡 시스템.
The method of claim 1,
The second path portion,
A second power divider receiving the second signal and distributing the signal into the plurality of signals;
A plurality of distortion generators connected in parallel to receive and distort each of the plurality of signals;
A plurality of delayers corresponding to each of the plurality of distortion generators and for delaying an output of each of the plurality of distortion generators; And
A second power combiner for coupling the outputs of the plurality of delayers
Predistortion system.
제 6 항에 있어서,
상기 복수개의 지연기는 서로 상이한 시간 지연을 갖는
전치 왜곡 시스템.
The method according to claim 6,
The plurality of delay units have different time delays from each other.
Predistortion system.
제 6 항에 있어서,
상기 복수개의 왜곡 발생기는 낮은 공급 전압을 갖는 트랜지스터로 구성된
전치 왜곡 시스템.
The method according to claim 6,
The plurality of distortion generators are composed of a transistor having a low supply voltage
Predistortion system.
전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 발생 방법에 있어서,
상기 전력 증폭기로 입력되는 신호를 제 1 신호와 제 2신호로 분배하는 단계와,
상기 제 2 신호를 복수개의 신호로 분배하는 단계와,
상기 복수개의 신호 각각을 입력 받아 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기에 의해 복수개의 왜곡 신호를 생성하는 단계와,
상기 복수개의 왜곡 신호 각각이 상이한 지연을 갖도록 지연시키는 단계와,
지연된 복수개의 신호를 결합하여 제 3 신호를 생성하는 단계와,
상기 제 1 신호를 상기 제 3 신호만큼 지연시키는 단계와,
지연된 제 1 신호 및 상기 제 3 신호를 결합하는 단계를 포함하되,
상기 복수개의 왜곡 신호를 생성하는 단계는,
상기 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기의 콜렉터 바이어스 전압을 조절하여 상기 복수개의 왜곡 신호의 크기를 조절하는 단계를 더 포함하는
전치 왜곡 발생 방법.
A method of generating predistortion for compensating a memory effect of a power amplifier,
Dividing a signal input to the power amplifier into a first signal and a second signal;
Dividing the second signal into a plurality of signals;
Receiving each of the plurality of signals and generating a plurality of distortion signals by a plurality of distortion generators composed of transistors;
Delaying each of the plurality of distortion signals to have a different delay;
Combining the plurality of delayed signals to generate a third signal;
Delaying the first signal by the third signal;
Combining the delayed first signal and the third signal,
The generating of the plurality of distortion signals may include:
Adjusting the collector bias voltages of the plurality of distortion generators including the transistors to adjust the magnitudes of the plurality of distortion signals.
How predistortion occurs.
삭제delete 제 9 항에 있어서,
상기 제 3 신호를 생성하는 단계는,
결합된 복수개의 신호의 크기 및 위상을 조절하여 상기 제 3 신호를 생성하는 단계를 더 포함하는
전치 왜곡 발생 방법.
The method of claim 9,
Generating the third signal,
Generating the third signal by adjusting magnitudes and phases of the plurality of combined signals;
How predistortion occurs.
제 9 항에 있어서,
상기 지연시키는 단계는,
상기 지연된 복수개의 신호가 기준 지연 왜곡 신호, 상기 기준 지연 왜곡 신호보다 짧은 지연을 갖는 왜곡 신호, 및 상기 기준 지연 왜곡 신호보다 긴 지연을 갖는 왜곡 신호를 포함하도록 지연시키는 단계를 포함하는
전치 왜곡 발생 방법.
The method of claim 9,
The delaying step,
Delaying the plurality of delayed signals to include a reference delay distortion signal, a distortion signal having a delay shorter than the reference delay distortion signal, and a distortion signal having a delay longer than the reference delay distortion signal.
How predistortion occurs.
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