JP2002076784A - Distortion compensating circuit - Google Patents

Distortion compensating circuit

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JP2002076784A
JP2002076784A JP2000259680A JP2000259680A JP2002076784A JP 2002076784 A JP2002076784 A JP 2002076784A JP 2000259680 A JP2000259680 A JP 2000259680A JP 2000259680 A JP2000259680 A JP 2000259680A JP 2002076784 A JP2002076784 A JP 2002076784A
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JP
Japan
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bias
circuit
resistor
diode
capacitor
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Application number
JP2000259680A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Horiguchi
健一 堀口
Masatoshi Nakayama
正敏 中山
Yukio Ikeda
幸夫 池田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a distortion compensating circuit of which the flexibility of design can be improved by the addition of design parameters capable of adjusting its gain characteristics and phase characteristics versus input power. SOLUTION: The distortion compensating circuit is provided with a circuit composed of a capacitor 21 and resistor 22 in series and parallel-connected with a diode 5, and can give precedence to the change of its phase characteristics rather than the change of its gain characteristics versus input power according to the magnitude of the capacitor 21 and can change its gain and phase characteristics to input power according to the magnitude of the resistor 22, so that its flexibility of design can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、衛星通信、地上
マイクロ波通信、および移動体通信に適用される低歪増
幅器用の歪補償回路に関するものである。
The present invention relates to a distortion compensation circuit for a low distortion amplifier applied to satellite communication, terrestrial microwave communication, and mobile communication.

【0002】[0002]

【従来の技術】図10は例えば「LDMOSFET増幅
器の補償に適したバイアス抵抗装荷形直列ダイオードリ
ニアライザ(2000年電子情報通信学会総合大会C−
2−15)」に示された従来の歪補償回路を示す回路図
であり、図において、1は無線周波数帯の信号を入力す
る入力端子、2は無線周波数帯の信号を出力する出力端
子、3はバイアス端子である。4は入力端子1および出
力端子2間の信号線路に設けられた入力側バイアス阻止
用キャパシタ、5はダイオード、6は出力側バイアス阻
止用キャパシタである。7はバイアス端子3とダイオー
ド5の入力側との間のバイアス回路に設けられた抵抗、
8はバイアス端子3および抵抗7間のバイアス回路に一
端が接続され他端が接地されたRF短絡用キャパシタで
ある。9はダイオード5および出力側バイアス阻止用キ
ャパシタ6間の信号線路に一端が接続され他端が接地さ
れたバイアス短絡用インダクタ、10はダイオード5に
並列接続されたキャパシタである。この歪補償回路は、
アナログの非線形素子から構成されるアナログ・プレデ
ィストーション型リニアライザの一例である。このよう
なリニアライザは、増幅器の前段もしくは後段に直列に
接続することにより、入力電力の増加に対して利得が増
加し、位相が遅れる特性を有する増幅器の歪補償を行う
ものである。
2. Description of the Related Art FIG. 10 shows, for example, "A series-connected diode linearizer equipped with a bias resistor suitable for compensation of an LDMOSFET amplifier"
2-15) is a circuit diagram showing a conventional distortion compensation circuit shown in "2-15), wherein 1 is an input terminal for inputting a signal in a radio frequency band, 2 is an output terminal for outputting a signal in a radio frequency band, 3 is a bias terminal. Reference numeral 4 denotes an input-side bias blocking capacitor provided on a signal line between the input terminal 1 and the output terminal 2, reference numeral 5 denotes a diode, and reference numeral 6 denotes an output-side bias blocking capacitor. 7 is a resistor provided in a bias circuit between the bias terminal 3 and the input side of the diode 5,
Reference numeral 8 denotes an RF short-circuit capacitor having one end connected to a bias circuit between the bias terminal 3 and the resistor 7 and the other end grounded. Reference numeral 9 denotes a bias short-circuiting inductor having one end connected to the signal line between the diode 5 and the output-side bias blocking capacitor 6 and the other end grounded, and 10 a capacitor connected in parallel to the diode 5. This distortion compensation circuit
It is an example of an analog pre-distortion type linearizer composed of analog non-linear elements. Such a linearizer is connected in series before or after the amplifier to perform distortion compensation for an amplifier having a characteristic in which a gain increases with an increase in input power and a phase is delayed.

【0003】次に動作について説明する。無線周波数帯
の信号は、入力端子1に入力され、入力側バイアス阻止
用キャパシタ4を通過して、ダイオード5に入力され
る。また、ダイオード5には、バイアス端子3から抵抗
7を介してバイアス電圧が加えられる。この時、無線周
波数帯の信号波形は、ダイオード5によりクリップさ
れ、直流電流が発生する。この直流電流は、無線周波数
帯の入力電力の増加と共に増加し、無線周波数帯でのダ
イオード5の内部抵抗値が減少する。図2は歪補償回路
の歪補償効果を示す特性図であり、上述した作用によ
り、この歪補償回路では、図2に示すように入力電力の
増加に対して利得が減少し、位相が進む特性が実現で
き、入力電力の増加に対して利得が増加し、位相が遅れ
る特性を有する増幅器の歪補償が可能となる。なお、図
10におけるキャパシタ10は、その容量に応じて、入
力電力に対する利得特性の変化よりも位相特性の変化を
支配的にするものである。一般に、アナログの非線形素
子から構成されるアナログ・プレディストーション型リ
ニアライザでは、リニアライザとして所望の入力電力に
対する利得特性(AM−AM特性)および位相特性(A
M−PM特性)、即ち、増幅器とは逆のAM−AM特性
およびAM−PM特性を如何に実現するかが開発上のポ
イントとなる。図10に示した従来の歪補償回路では、
所望のAM−AM特性およびAM−PM特性を実現する
ための主要な設計パラメータは、ダイオード5の特性、
ダイオード5に加わるバイアス電圧、およびキャパシタ
10の容量の3つとなる。
Next, the operation will be described. A signal in the radio frequency band is input to the input terminal 1, passes through the input-side bias blocking capacitor 4, and is input to the diode 5. A bias voltage is applied to the diode 5 from the bias terminal 3 via the resistor 7. At this time, the signal waveform in the radio frequency band is clipped by the diode 5, and a direct current is generated. This DC current increases as the input power in the radio frequency band increases, and the internal resistance of the diode 5 in the radio frequency band decreases. FIG. 2 is a characteristic diagram showing the distortion compensation effect of the distortion compensation circuit. With the above-described operation, in this distortion compensation circuit, as shown in FIG. Can be realized, and the gain can be increased with an increase in the input power, and distortion compensation of an amplifier having a characteristic of delaying the phase can be performed. Note that the capacitor 10 in FIG. 10 makes the change in the phase characteristic more dominant than the change in the gain characteristic with respect to the input power according to the capacitance. Generally, in an analog pre-distortion type linearizer composed of analog non-linear elements, a gain characteristic (AM-AM characteristic) and a phase characteristic (A
(M-PM characteristics), that is, how to realize the AM-AM characteristics and the AM-PM characteristics opposite to those of the amplifier is a development point. In the conventional distortion compensation circuit shown in FIG.
Main design parameters for realizing desired AM-AM characteristics and AM-PM characteristics are the characteristics of the diode 5,
The bias voltage applied to the diode 5 and the capacitance of the capacitor 10 are three.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の歪補償回路は以
上のように構成されているので、所望のAM−AM特性
およびAM−PM特性を実現するための主要な設計パラ
メータは、ダイオード5の特性、ダイオード5に加わる
バイアス電圧、およびキャパシタ10の容量の3つとな
る。しかしながら、ダイオード5の特性では、一般に使
用できるダイオードには限りがあり、また、ダイオード
5に加わるバイアス電圧、およびキャパシタ10の容量
の変化によるAM−AM特性およびAM−PM特性の変
化にはそれぞれ制約があるため、設計パラメータ不足の
ためにしばしば所望の特性の実現が困難となるなどの課
題があった。
Since the conventional distortion compensating circuit is configured as described above, the main design parameters for realizing desired AM-AM characteristics and AM-PM characteristics are those of the diode 5. The characteristics, the bias voltage applied to the diode 5, and the capacitance of the capacitor 10 are three. However, in the characteristics of the diode 5, generally usable diodes are limited, and the bias voltage applied to the diode 5 and the change in the AM-AM characteristic and the change in the AM-PM characteristic due to the change in the capacitance of the capacitor 10 are each limited. Therefore, there has been a problem that it is often difficult to achieve desired characteristics due to insufficient design parameters.

【0005】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、入力電力に対する利得特性および
位相特性を調整可能な設計パラメータを追加して、設計
の自由度を改善することができる歪補償回路を得ること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is possible to improve design flexibility by adding design parameters capable of adjusting gain characteristics and phase characteristics with respect to input power. An object is to obtain a distortion compensation circuit.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明に係る歪補償回
路は、第1の抵抗およびRF短絡用キャパシタからなる
歪補償回路のダイオードに並列接続された第1のキャパ
シタおよび第2の抵抗からなる直列回路を備えたもので
ある。
A distortion compensating circuit according to the present invention comprises a first capacitor and a second resistor connected in parallel to a diode of a distortion compensating circuit comprising a first resistor and an RF short-circuit capacitor. It has a series circuit.

【0007】この発明に係る歪補償回路は、RF阻止用
インダクタおよび第3の抵抗からなる歪補償回路のダイ
オードに並列接続された第1のキャパシタおよび第2の
抵抗からなる直列回路を備えたものである。
A distortion compensation circuit according to the present invention includes a series circuit comprising a first capacitor and a second resistor connected in parallel to a diode of the distortion compensation circuit comprising an RF blocking inductor and a third resistor. It is.

【0008】この発明に係る歪補償回路は、第1の抵抗
および第3の抵抗からなる歪補償回路のダイオードに並
列接続された第1のキャパシタおよび第2の抵抗からな
る直列回路を備えたものである。
A distortion compensation circuit according to the present invention includes a series circuit including a first capacitor and a second resistor connected in parallel to a diode of the distortion compensation circuit including a first resistor and a third resistor. It is.

【0009】この発明に係る歪補償回路は、第1の抵抗
およびRF短絡用キャパシタからなる歪補償回路のバイ
アス回路の接続点およびバイアス短絡用インダクタの接
続点間の信号線路に直列接続された第4の抵抗および第
1のインダクタからなる並列回路を備えたものである。
The distortion compensating circuit according to the present invention has a first circuit connected in series to a signal line between a connection point of a bias circuit and a connection point of a bias short-circuiting inductor of the distortion compensation circuit comprising a first resistor and an RF short-circuit capacitor. 4 is provided with a parallel circuit composed of a resistor of No. 4 and a first inductor.

【0010】この発明に係る歪補償回路は、RF阻止用
インダクタおよび第3の抵抗からなる歪補償回路のバイ
アス回路の接続点および第3の抵抗の接続点間の信号線
路に直列接続された第4の抵抗および第1のインダクタ
からなる並列回路を備えたものである。
[0010] The distortion compensation circuit according to the present invention is characterized in that a distortion compensation circuit comprising an RF blocking inductor and a third resistor is connected in series to a signal line between a connection point of a bias circuit of the distortion compensation circuit and a connection point of the third resistor. 4 is provided with a parallel circuit composed of a resistor of No. 4 and a first inductor.

【0011】この発明に係る歪補償回路は、第1の抵抗
および第3の抵抗からなる歪補償回路のバイアス回路の
接続点および第3の抵抗の接続点間の信号線路に直列接
続された第4の抵抗および第1のインダクタからなる並
列回路を備えたものである。
The distortion compensating circuit according to the present invention is a distortion compensating circuit comprising a first resistor and a third resistor, and a series connected to a signal line between a connection point of a bias circuit of the distortion compensation circuit and a connection point of the third resistor. 4 is provided with a parallel circuit composed of a resistor of No. 4 and a first inductor.

【0012】この発明に係る歪補償回路は、ダイオード
に並列接続された第2のキャパシタを備えたものであ
る。
A distortion compensation circuit according to the present invention includes a second capacitor connected in parallel to a diode.

【0013】この発明に係る歪補償回路は、LDMOS
FET増幅器またはプッシュプル増幅器の前段または後
段に接続したものである。
The distortion compensation circuit according to the present invention is an LDMOS
It is connected before or after a FET amplifier or a push-pull amplifier.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による歪
補償回路を示す回路図であり、図において、1は無線周
波数帯の信号を入力する入力端子、2は無線周波数帯の
信号を出力する出力端子、3はバイアス端子である。4
は入力端子1および出力端子2間の信号線路に設けられ
た入力側バイアス阻止用キャパシタ、5はダイオード、
6は出力側バイアス阻止用キャパシタである。7はバイ
アス端子3とダイオード5の入力側との間のバイアス回
路に設けられた抵抗(第1の抵抗)、8はバイアス端子
3および抵抗7間のバイアス回路に一端が接続され他端
が接地されたRF短絡用キャパシタである。9はダイオ
ード5および出力側バイアス阻止用キャパシタ6間の信
号線路に一端が接続され他端が接地されたバイアス短絡
用インダクタ、21,22はキャパシタ(第1のキャパ
シタ)および抵抗(第2の抵抗)であり、これら直列回
路は、ダイオード5に並列接続されている。この歪補償
回路は、アナログの非線形素子から構成されるアナログ
・プレディストーション型リニアライザの一例である。
このようなリニアライザは、増幅器の前段もしくは後段
に直列に接続することにより、入力電力の増加に対して
利得が増加し、位相が遅れる特性を有する増幅器の歪補
償を行うものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes an input terminal for inputting a signal in a radio frequency band, 2 denotes an output terminal for outputting a signal in a radio frequency band, 3 is a bias terminal. 4
Is an input-side bias blocking capacitor provided on a signal line between the input terminal 1 and the output terminal 2, 5 is a diode,
Reference numeral 6 denotes an output-side bias blocking capacitor. Reference numeral 7 denotes a resistor (first resistor) provided in a bias circuit between the bias terminal 3 and the input side of the diode 5, and reference numeral 8 denotes one end connected to the bias circuit between the bias terminal 3 and the resistor 7 and the other end grounded. RF short-circuited capacitor. Reference numeral 9 denotes a bias short-circuit inductor having one end connected to the signal line between the diode 5 and the output-side bias blocking capacitor 6 and the other end grounded, and 21 and 22 denote a capacitor (first capacitor) and a resistor (second resistor). ), And these series circuits are connected in parallel to the diode 5. This distortion compensation circuit is an example of an analog pre-distortion type linearizer composed of analog non-linear elements.
Such a linearizer is connected in series before or after the amplifier to perform distortion compensation for an amplifier having a characteristic in which a gain increases with an increase in input power and a phase is delayed.

【0015】次に動作について説明する。無線周波数帯
の信号は、入力端子1に入力され、入力側バイアス阻止
用キャパシタ4を通過して、ダイオード5に入力され
る。また、ダイオード5には、バイアス端子3から抵抗
7を介してバイアス電圧が加えられる。この時、無線周
波数帯の信号波形は、ダイオード5によりクリップさ
れ、直流電流が発生する。この直流電流の発生により、
抵抗7において電圧降下が発生し、ダイオード5に加え
られるバイアス電圧が低下することで無線周波数帯での
ダイオード5の内部抵抗値が増加する。なお、RF短絡
用キャパシタ8は、抵抗7を介してバイアス端子3側に
流れた無線周波数帯の信号を接地側に流すことにより、
バイアス電源への無線周波数帯の信号の影響を防止する
ものである。また、バイアス短絡用インダクタ9は、ダ
イオード5を通じて流れた直流成分を接地側に流すもの
である。図2は歪補償回路の歪補償効果を示す特性図で
あり、上述した作用により、この歪補償回路では、図2
に示すように入力電力の増加に対して利得が減少し、位
相が進む特性が実現でき、入力電力の増加に対して利得
が増加し、位相が遅れる特性を有する増幅器の歪補償が
可能となる。
Next, the operation will be described. A signal in the radio frequency band is input to the input terminal 1, passes through the input-side bias blocking capacitor 4, and is input to the diode 5. A bias voltage is applied to the diode 5 from the bias terminal 3 via the resistor 7. At this time, the signal waveform in the radio frequency band is clipped by the diode 5, and a direct current is generated. Due to the generation of this DC current,
A voltage drop occurs in the resistor 7 and the bias voltage applied to the diode 5 decreases, so that the internal resistance value of the diode 5 in the radio frequency band increases. Note that the RF short-circuit capacitor 8 allows the signal in the radio frequency band flowing to the bias terminal 3 side via the resistor 7 to flow to the ground side,
This is to prevent the influence of the radio frequency band signal on the bias power supply. Further, the bias short-circuiting inductor 9 causes the DC component flowing through the diode 5 to flow to the ground side. FIG. 2 is a characteristic diagram showing the distortion compensation effect of the distortion compensation circuit.
As shown in the figure, the gain decreases as the input power increases, and the phase advance characteristic can be realized, and the gain increases with the input power increase, and the distortion compensation of the amplifier having the phase delay characteristic becomes possible. .

【0016】また、この歪補償回路では、キャパシタ2
1の大きさに応じて、入力電力に対する利得特性(AM
−AM特性)の変化よりも位相特性(AM−PM特性)
の変化を支配的とすることができる。さらに、抵抗22
の大きさに応じて、AM−AM特性およびAM−PM特
性を変化させることができる。図3はこの発明の実施の
形態1による入力電力に対する利得特性および位相特性
の変化を示す特性図であり、図では、抵抗22の大きさ
をパラメータR1〜R4(R1<R2<R3<R4)と
した時の特性を示したものである。このように、抵抗2
2の大きさを小さくすると、AM−AM特性およびAM
−PM特性の変化量を抑圧することができる。さらに、
この歪補償回路では、バイアス電圧を変化させること
で、歪補償回路のAM−AM特性およびAM−PM特性
を変化させることができる。
In this distortion compensation circuit, the capacitor 2
The gain characteristic (AM
-AM characteristic) rather than phase characteristic (AM-PM characteristic)
Changes can be dominant. Further, the resistor 22
, The AM-AM characteristics and the AM-PM characteristics can be changed. FIG. 3 is a characteristic diagram showing changes in gain characteristics and phase characteristics with respect to input power according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 3, the size of resistor 22 is determined by parameters R1 to R4 (R1 <R2 <R3 <R4). This shows the characteristics when "1" is set. Thus, the resistance 2
2, the AM-AM characteristic and AM
-The amount of change in PM characteristics can be suppressed. further,
In this distortion compensation circuit, the AM-AM characteristics and the AM-PM characteristics of the distortion compensation circuit can be changed by changing the bias voltage.

【0017】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、ダイオード5に並列接続されたキャパシタ21およ
び抵抗22からなる直列回路を備えたので、キャパシタ
21の大きさに応じて、AM−AM特性の変化よりもA
M−PM特性の変化を支配的とすることができ、また、
抵抗22の大きさに応じて、AM−AM特性およびAM
−PM特性を変化させることができ、設計の自由度を改
善することができる。なお、キャパシタ21および抵抗
22からなる直列回路は、キャパシタ21および抵抗2
2の接続順序を逆にしても同様な効果を奏する。
As described above, according to the first embodiment, since the series circuit including the capacitor 21 and the resistor 22 connected in parallel to the diode 5 is provided, the AM-AM A rather than characteristic change
Changes in M-PM characteristics can be dominant, and
Depending on the size of the resistor 22, the AM-AM characteristic and the AM
-PM characteristics can be changed, and the degree of freedom in design can be improved. The series circuit including the capacitor 21 and the resistor 22 is composed of the capacitor 21 and the resistor 2
The same effect is obtained even if the connection order of No. 2 is reversed.

【0018】実施の形態2.図4はこの発明の実施の形
態2による歪補償回路を示す回路図であり、図におい
て、11は入力側バイアス阻止用キャパシタ4およびダ
イオード5間の信号線路とバイアス端子3との間に接続
されたRF阻止用インダクタ、12はダイオード5およ
び出力側バイアス阻止用キャパシタ6間の信号線路に一
端が接続され他端が接地された抵抗(第3の抵抗)であ
る。その他の構成については、図1と同一である。
Embodiment 2 FIG. FIG. 4 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a second embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 11 is connected between the bias line 3 and the signal line between the input-side bias blocking capacitor 4 and the diode 5. The RF blocking inductor 12 is a resistor (third resistor) having one end connected to the signal line between the diode 5 and the output side bias blocking capacitor 6 and the other end grounded. Other configurations are the same as those in FIG.

【0019】次に動作について説明する。図4に示した
歪補償回路では、入力電力の増加と共に抵抗12により
電圧降下が発生し、入力電力の増加と共にダイオード5
に加えられるバイアス電圧が低下する。このため、図1
に示した歪補償回路と同様に、入力電力の増加に対して
利得が減少し、位相が進む特性が実現できる。従って、
入力電力の増加に対して利得が増加し、位相が遅れる特
性を有する増幅器の歪補償が可能となる。また、図1に
示した歪補償回路と同様に、ダイオード5に並列接続さ
れたキャパシタ21および抵抗22からなる直列回路を
備えたので、キャパシタ21の大きさに応じて、AM−
AM特性の変化よりもAM−PM特性の変化を支配的と
することができ、また、抵抗22の大きさに応じて、A
M−AM特性およびAM−PM特性を変化させることが
でき、設計の自由度を改善することができる。なお、キ
ャパシタ21および抵抗22からなる直列回路は、キャ
パシタ21および抵抗22の接続順序を逆にしても同様
な効果を奏する。
Next, the operation will be described. In the distortion compensation circuit shown in FIG. 4, a voltage drop occurs due to the resistor 12 as the input power increases, and the diode 5 increases as the input power increases.
, The bias voltage applied to the gate electrode decreases. Therefore, FIG.
As in the distortion compensation circuit shown in (1), the characteristic that the gain decreases and the phase advances with the increase in the input power can be realized. Therefore,
The gain increases with an increase in input power, and distortion compensation of an amplifier having a characteristic of delaying the phase becomes possible. Further, like the distortion compensating circuit shown in FIG. 1, a series circuit including a capacitor 21 and a resistor 22 connected in parallel to the diode 5 is provided.
The change in the AM-PM characteristic can be more dominant than the change in the AM characteristic.
The M-AM characteristics and the AM-PM characteristics can be changed, and the degree of freedom in design can be improved. Note that the series circuit including the capacitor 21 and the resistor 22 has the same effect even if the connection order of the capacitor 21 and the resistor 22 is reversed.

【0020】実施の形態3.図5はこの発明の実施の形
態3による歪補償回路を示す回路図であり、図におい
て、図4と異なる点は、RF阻止用インダクタ11の代
わりに抵抗7を接続したものである。
Embodiment 3 FIG. 5 is a circuit diagram showing a distortion compensating circuit according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 5, a point different from FIG. 4 is that a resistor 7 is connected instead of the RF blocking inductor 11.

【0021】次に動作について説明する。図5に示した
歪補償回路では、入力電力の増加と共に抵抗7および抵
抗12により電圧降下が発生し、入力電力の増加と共に
ダイオード5に加えられるバイアス電圧が低下する。こ
のため、図1に示した歪補償回路と同様に、入力電力の
増加に対して利得が減少し、位相が進む特性が実現でき
る。従って、入力電力の増加に対して利得が増加し、位
相が遅れる特性を有する増幅器の歪補償が可能となる。
また、図1に示した歪補償回路と同様に、ダイオード5
に並列接続されたキャパシタ21および抵抗22からな
る直列回路を備えたので、キャパシタ21の大きさに応
じて、AM−AM特性の変化よりもAM−PM特性の変
化を支配的とすることができ、また、抵抗22の大きさ
に応じて、AM−AM特性およびAM−PM特性を変化
させることができ、設計の自由度を改善することができ
る。なお、キャパシタ21および抵抗22からなる直列
回路は、キャパシタ21および抵抗22の接続順序を逆
にしても同様な効果を奏する。
Next, the operation will be described. In the distortion compensation circuit shown in FIG. 5, a voltage drop occurs due to the resistors 7 and 12 as the input power increases, and the bias voltage applied to the diode 5 decreases as the input power increases. Therefore, similarly to the distortion compensating circuit shown in FIG. 1, a characteristic in which the gain decreases with an increase in the input power and the phase advances can be realized. Therefore, it becomes possible to compensate for distortion of an amplifier having a characteristic that the gain increases and the phase lags as the input power increases.
As in the distortion compensation circuit shown in FIG.
, A change in the AM-PM characteristic can be made more dominant than a change in the AM-AM characteristic according to the size of the capacitor 21. In addition, the AM-AM characteristics and the AM-PM characteristics can be changed according to the size of the resistor 22, and the degree of freedom in design can be improved. Note that the series circuit including the capacitor 21 and the resistor 22 has the same effect even when the connection order of the capacitor 21 and the resistor 22 is reversed.

【0022】実施の形態4.図6はこの発明の実施の形
態4による歪補償回路を示す回路図であり、図におい
て、23は抵抗(第4の抵抗)、24はインダクタ(第
1のインダクタ)であり、これら抵抗23およびインダ
クタ24からなる並列回路をバイアス回路の接続点およ
びダイオード5間の信号線路に直列接続したものであ
る。なお、キャパシタ21および抵抗21からなる直列
回路がダイオード5に並列接続されていない点を除い
て、その他の構成については図1と同一である。
Embodiment 4 FIG. 6 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a fourth embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 23 denotes a resistor (fourth resistor), reference numeral 24 denotes an inductor (first inductor). A parallel circuit including an inductor 24 is connected in series to a connection point of a bias circuit and a signal line between the diode 5. The other configuration is the same as that of FIG. 1 except that a series circuit including the capacitor 21 and the resistor 21 is not connected to the diode 5 in parallel.

【0023】次に動作について説明する。図6に示した
歪補償回路では、図1に示した歪補償回路と同様に、入
力電力の増加に対して利得が減少し、位相が進む特性が
実現できる。従って、入力電力の増加に対して利得が増
加し、位相が遅れる特性を有する増幅器の歪補償が可能
となる。また、この歪補償回路では、抵抗23の値を大
きくすることで、AM−AM特性およびAM−PM特性
の変化量を抑圧することができ、さらに、バイアス電圧
を変化させることで、歪補償回路のAM−AM特性およ
びAM−PM特性を変化させることができ、設計の自由
度を改善することができる。なお、抵抗23に並列接続
されたインダクタ24は、直流成分を短絡し、抵抗23
によるバイアス電圧の電圧降下を防止し、ダイオード5
の動作点の変動を防止することができる。また、図6で
は、抵抗23およびインダクタ24からなる並列回路を
バイアス回路の接続点およびダイオード5間の信号線路
に直列接続したが、その並列回路をダイオード5および
バイアス短絡用インダクタ9の接続点間の信号線路に直
列接続しても良く、したがって、その並列回路は、バイ
アス回路の接続点およびバイアス短絡用インダクタ9の
接続点間の信号線路であれば、いずれの個所に直列接続
しても同様な効果が得られる。さらに、図6では、図1
に示したように、抵抗7およびバイアス短絡用インダク
タ9からなる歪補償回路に抵抗23およびインダクタ2
4からなる並列回路を接続した例を示したが、図4に示
したように、RF阻止用インダクタ11および抵抗12
からなる歪補償回路、または図5に示したように、抵抗
7および抵抗12からなる歪補償回路に抵抗23および
インダクタ24からなる並列回路を接続しても良く、同
様な効果が得られる。
Next, the operation will be described. In the distortion compensating circuit shown in FIG. 6, similarly to the distortion compensating circuit shown in FIG. 1, a characteristic in which the gain decreases and the phase advances with an increase in the input power can be realized. Therefore, it becomes possible to compensate for distortion of an amplifier having a characteristic that the gain increases and the phase lags as the input power increases. Further, in this distortion compensation circuit, the amount of change in the AM-AM characteristic and the AM-PM characteristic can be suppressed by increasing the value of the resistor 23, and further, by changing the bias voltage, the distortion compensation circuit AM-AM characteristics and AM-PM characteristics can be changed, and the degree of freedom in design can be improved. Note that the inductor 24 connected in parallel with the resistor 23 short-circuits the DC component,
To prevent the bias voltage from dropping due to
Can be prevented from changing. In FIG. 6, the parallel circuit including the resistor 23 and the inductor 24 is connected in series to the connection point of the bias circuit and the signal line between the diode 5, but the parallel circuit is connected between the connection point of the diode 5 and the connection point of the bias short-circuiting inductor 9. Therefore, the parallel circuit may be connected in series at any point as long as the signal line is between the connection point of the bias circuit and the connection point of the inductor 9 for short circuit. Effects can be obtained. Further, in FIG. 6, FIG.
As shown in the figure, the distortion compensating circuit composed of the resistor 7 and the bias short-circuit inductor 9 has the resistor 23 and the inductor 2 connected thereto.
4 is connected, the RF blocking inductor 11 and the resistor 12 are connected as shown in FIG.
5, or a parallel circuit including a resistor 23 and an inductor 24 may be connected to a distortion compensation circuit including a resistor 7 and a resistor 12 as shown in FIG. 5, and a similar effect is obtained.

【0024】実施の形態5.図7はこの発明の実施の形
態5による歪補償回路を示す回路図であり、図におい
て、10はダイオード5に並列接続されたキャパシタ
(第2のキャパシタ)である。なお、その他の構成につ
いては図1と同一である。
Embodiment 5 FIG. 7 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a fifth embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 10 denotes a capacitor (second capacitor) connected in parallel to the diode 5. The other configuration is the same as that of FIG.

【0025】次に動作について説明する。図7に示した
歪補償回路では、図1に示した歪補償回路と同様に、入
力電力の増加に対して利得が減少し、位相が進む特性が
実現できる。従って、入力電力の増加に対して利得が増
加し、位相が遅れる特性を有する増幅器の歪補償が可能
となる。また、この歪補償回路では、ダイオード5にキ
ャパシタ10を並列接続したので、その容量に応じて、
AM−AM特性の変化よりもAM−PM特性の変化を支
配的にすることができ、これより、キャパシタ10の大
きさを十分大きくすることにより、位相のみが遅れる特
性を実現することができ、設計の自由度を改善すること
ができる。なお、図7では、図1に示したように、抵抗
7およびバイアス短絡用インダクタ9からなる歪補償回
路のダイオード5にキャパシタ10を並列接続した例を
示したが、図4に示したように、RF阻止用インダクタ
11および抵抗12からなる歪補償回路、または図5に
示したように、抵抗7および抵抗12からなる歪補償回
路のダイオード5にキャパシタ10を並列接続しても良
く、同様な効果が得られる。
Next, the operation will be described. In the distortion compensating circuit shown in FIG. 7, similarly to the distortion compensating circuit shown in FIG. 1, the characteristic that the gain decreases and the phase advances with the increase of the input power can be realized. Therefore, it becomes possible to compensate for distortion of an amplifier having a characteristic that the gain increases and the phase lags as the input power increases. Also, in this distortion compensation circuit, since the capacitor 10 is connected in parallel with the diode 5, according to the capacitance,
It is possible to make the change in the AM-PM characteristic dominant over the change in the AM-AM characteristic, and thereby, by making the size of the capacitor 10 sufficiently large, it is possible to realize a characteristic in which only the phase is delayed, The degree of freedom in design can be improved. Although FIG. 7 shows an example in which the capacitor 10 is connected in parallel to the diode 5 of the distortion compensation circuit including the resistor 7 and the bias short-circuiting inductor 9 as shown in FIG. 1, as shown in FIG. The capacitor 10 may be connected in parallel to the distortion compensating circuit composed of the RF blocking inductor 11 and the resistor 12 or the diode 5 of the distortion compensating circuit composed of the resistor 7 and the resistor 12 as shown in FIG. The effect is obtained.

【0026】実施の形態6.図8はこの発明の実施の形
態6による歪補償回路を示す回路図であり、図におい
て、図6に示したように抵抗23およびインダクタ24
からなる並列回路をバイアス回路の接続点およびダイオ
ード5間の信号線路に直列接続した歪補償回路のダイオ
ード5にキャパシタ10を並列接続したものである。な
お、その他の構成については図6と同一である。
Embodiment 6 FIG. FIG. 8 is a circuit diagram showing a distortion compensating circuit according to a sixth embodiment of the present invention. In the figure, as shown in FIG.
The capacitor 10 is connected in parallel to the diode 5 of the distortion compensating circuit in which a parallel circuit composed of: is connected in series to a connection point of the bias circuit and a signal line between the diode 5. The other configuration is the same as that of FIG.

【0027】次に動作について説明する。図8に示した
歪補償回路では、図6に示した歪補償回路と同様に、入
力電力の増加に対して利得が減少し、位相が進む特性が
実現できる。従って、入力電力の増加に対して利得が増
加し、位相が遅れる特性を有する増幅器の歪補償が可能
となる。また、この歪補償回路では、ダイオード5にキ
ャパシタ10を並列接続したので、その容量に応じて、
AM−AM特性の変化よりもAM−PM特性の変化を支
配的にすることができ、これより、キャパシタ10の大
きさを十分大きくすることにより、位相のみが遅れる特
性を実現することができ、設計の自由度を改善すること
ができる。このように、図8に示した歪補償回路では、
図6に示した歪補償回路と同様の効果を併せ持つため、
歪補償回路のAM−AM特性およびAM−PM特性を設
計するための主要パラメータは、ダイオード5の特性、
ダイオード5に加わるバイアス電圧、抵抗23の大き
さ、キャパシタ10の大きさの4つとなり、従来の歪補
償回路と比較して設計の自由度を向上させることができ
る。
Next, the operation will be described. In the distortion compensating circuit shown in FIG. 8, similarly to the distortion compensating circuit shown in FIG. 6, it is possible to realize a characteristic in which the gain decreases with an increase in input power and the phase advances. Therefore, it becomes possible to compensate for distortion of an amplifier having a characteristic that the gain increases and the phase lags as the input power increases. Also, in this distortion compensation circuit, since the capacitor 10 is connected in parallel with the diode 5, according to the capacitance,
It is possible to make the change in the AM-PM characteristic dominant over the change in the AM-AM characteristic, and thereby, by making the size of the capacitor 10 sufficiently large, it is possible to realize a characteristic in which only the phase is delayed, The degree of freedom in design can be improved. As described above, in the distortion compensation circuit shown in FIG.
Since it has the same effect as the distortion compensation circuit shown in FIG. 6,
The main parameters for designing the AM-AM and AM-PM characteristics of the distortion compensation circuit are the characteristics of the diode 5,
The bias voltage applied to the diode 5, the size of the resistor 23, and the size of the capacitor 10 are four, and the degree of freedom in design can be improved as compared with the conventional distortion compensation circuit.

【0028】実施の形態7.図9はこの発明の実施の形
態7による歪補償回路を示す回路図であり、図におい
て、31は上記実施の形態1から上記実施の形態6のう
ちのいずれかに記載した歪補償回路、32はその歪補償
回路31の後段に接続されたLDMOSFET(Lat
erally Diffused Metal Oxi
de Semiconductor Field Ef
fect Transistor)増幅器またはプッシ
ュプル増幅器である。
Embodiment 7 FIG. 9 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a seventh embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 31 denotes the distortion compensation circuit described in any one of the first to sixth embodiments; Is an LDMOSFET (Lat) connected after the distortion compensation circuit 31.
erally Diffused Metal Oxi
de Semiconductor Field Ef
Fact Transistor amplifier or push-pull amplifier.

【0029】次に動作について説明する。LDMOSF
ETは、入力電力の増加に対して利得が増加し、位相が
遅れる特性を有する。このため、LDMOSFETで構
成された増幅器もまた入力電力の増加に対して利得が増
加し、位相が遅れる特性を有する。また、一般にB級バ
イアス近くで使用されるプッシュプル増幅器は、入力電
力の増加に対して利得が増加し、位相が遅れる特性を有
する。よって、LDMOSFET増幅器32またはプッ
シュプル増幅器32の前段に歪補償回路31を接続する
ことで、LDMOSFET増幅器32またはプッシュプ
ル増幅器32を高効率かつ低歪動作させることができ
る。なお、図9では、LDMOSFET増幅器32また
はプッシュプル増幅器32の前段に歪補償回路31を接
続したが、LDMOSFET増幅器32またはプッシュ
プル増幅器32の後段に歪補償回路31を接続しても同
様な効果を奏する。
Next, the operation will be described. LDMOSF
The ET has a characteristic that the gain increases and the phase lags as the input power increases. For this reason, the amplifier constituted by the LDMOSFET also has a characteristic that the gain increases and the phase lags as the input power increases. Further, a push-pull amplifier generally used near a class B bias has a characteristic that the gain increases and the phase lags as the input power increases. Therefore, by connecting the distortion compensating circuit 31 before the LDMOSFET amplifier 32 or the push-pull amplifier 32, the LDMOSFET amplifier 32 or the push-pull amplifier 32 can be operated with high efficiency and low distortion. In FIG. 9, the distortion compensation circuit 31 is connected before the LDMOSFET amplifier 32 or the push-pull amplifier 32. However, the same effect can be obtained by connecting the distortion compensation circuit 31 after the LDMOSFET amplifier 32 or the push-pull amplifier 32. Play.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、第1
の抵抗およびRF短絡用キャパシタからなる歪補償回路
のダイオードに並列接続された第1のキャパシタおよび
第2の抵抗からなる直列回路を備えるように構成したの
で、第1のキャパシタの大きさに応じて、入力電力に対
する利得特性の変化よりも位相特性の変化を支配的とす
ることができ、また、第2の抵抗の大きさに応じて、入
力電力に対する利得特性および位相特性を変化させるこ
とができ、設計の自由度を改善することができる歪補償
回路が得られる効果がある。
As described above, according to the present invention, the first
And a series circuit composed of a first capacitor and a second resistor connected in parallel to a diode of a distortion compensation circuit composed of a resistor and an RF short-circuit capacitor. The change in the phase characteristic can be more dominant than the change in the gain characteristic with respect to the input power, and the gain characteristic and the phase characteristic with respect to the input power can be changed according to the magnitude of the second resistor. Thus, there is an effect that a distortion compensation circuit that can improve the degree of freedom in design can be obtained.

【0031】また、この発明によれば、RF阻止用イン
ダクタおよび第3の抵抗からなる歪補償回路のダイオー
ドに並列接続された第1のキャパシタおよび第2の抵抗
からなる直列回路を備えるように構成したので、第1の
キャパシタの大きさに応じて、入力電力に対する利得特
性の変化よりも位相特性の変化を支配的とすることがで
き、また、第2の抵抗の大きさに応じて、入力電力に対
する利得特性および位相特性を変化させることができ、
設計の自由度を改善することができる。さらに、RF阻
止用インダクタは、無線周波数帯の信号がバイアス端子
およびRF短絡用キャパシタ側に漏洩するのを防止する
ことができる歪補償回路が得られる効果がある。
Further, according to the present invention, the distortion compensating circuit comprising the RF blocking inductor and the third resistor is provided with a series circuit comprising the first capacitor and the second resistor connected in parallel to the diode. Therefore, according to the size of the first capacitor, the change in the phase characteristic can be made more dominant than the change in the gain characteristic with respect to the input power, and the input can be changed according to the size of the second resistor. Gain and phase characteristics for power can be changed,
The degree of freedom in design can be improved. Further, the RF blocking inductor has an effect of obtaining a distortion compensation circuit that can prevent a signal in a radio frequency band from leaking to the bias terminal and the RF short-circuiting capacitor side.

【0032】さらに、この発明によれば、第1の抵抗お
よび第3の抵抗からなる歪補償回路のダイオードに並列
接続された第1のキャパシタおよび第2の抵抗からなる
直列回路を備えるように構成したので、第1のキャパシ
タの大きさに応じて、入力電力に対する利得特性の変化
よりも位相特性の変化を支配的とすることができ、ま
た、第2の抵抗の大きさに応じて、入力電力に対する利
得特性および位相特性を変化させることができ、設計の
自由度を改善することができる歪補償回路が得られる効
果がある。
Further, according to the present invention, the distortion compensating circuit comprising the first resistor and the third resistor is provided with a series circuit comprising the first capacitor and the second resistor connected in parallel to the diode. Therefore, according to the size of the first capacitor, the change in the phase characteristic can be made more dominant than the change in the gain characteristic with respect to the input power, and the input can be changed according to the size of the second resistor. There is an effect that a distortion compensation circuit that can change the gain characteristic and the phase characteristic with respect to the power and improve the degree of freedom in design can be obtained.

【0033】さらに、この発明によれば、第1の抵抗お
よびRF短絡用キャパシタからなる歪補償回路のバイア
ス回路の接続点およびバイアス短絡用インダクタの接続
点間の信号線路に直列接続された第4の抵抗および第1
のインダクタからなる並列回路を備えるように構成した
ので、第4の抵抗の大きさに応じて、入力電力に対する
利得特性および位相特性を抑圧する方向で変化させるこ
とができ、設計の自由度を改善することができる。ま
た、第1のインダクタは、直流成分を短絡し、第4の抵
抗によるバイアス電圧の電圧降下を防止し、ダイオード
の動作点の変動を防止することができる歪補償回路が得
られる効果がある。
Further, according to the present invention, the fourth line connected in series to the signal line between the connection point of the bias circuit and the connection point of the bias short-circuit inductor of the distortion compensation circuit comprising the first resistor and the RF short-circuit capacitor. Resistance and the first
Is configured to include a parallel circuit composed of the inductors described above, so that the gain characteristic and the phase characteristic with respect to the input power can be changed in a direction to suppress the gain according to the magnitude of the fourth resistor, thereby improving the degree of freedom in design. can do. Further, the first inductor has an effect that a DC component is short-circuited, a voltage drop of the bias voltage due to the fourth resistor is prevented, and a distortion compensation circuit capable of preventing a change in the operating point of the diode is obtained.

【0034】さらに、この発明によれば、RF阻止用イ
ンダクタおよび第3の抵抗からなる歪補償回路のバイア
ス回路の接続点および第3の抵抗の接続点間の信号線路
に直列接続された第4の抵抗および第1のインダクタか
らなる並列回路を備えるように構成したので、第4の抵
抗の大きさに応じて、入力電力に対する利得特性および
位相特性を抑圧する方向で変化させることができ、設計
の自由度を改善することができる。また、第1のインダ
クタは、直流成分を短絡し、第4の抵抗によるバイアス
電圧の電圧降下を防止し、ダイオードの動作点の変動を
防止することができる。さらに、RF阻止用インダクタ
は、無線周波数帯の信号がバイアス端子およびRF短絡
用キャパシタ側に漏洩するのを防止することができる歪
補償回路が得られる効果がある。
Furthermore, according to the present invention, the fourth line connected in series to the signal line between the connection point of the bias circuit of the distortion compensation circuit including the RF blocking inductor and the third resistor and the connection point of the third resistor. And the parallel circuit composed of the first inductor and the first inductor can be changed in a direction to suppress the gain characteristic and the phase characteristic with respect to the input power in accordance with the magnitude of the fourth resistor. Degree of freedom can be improved. Further, the first inductor short-circuits the DC component, prevents a voltage drop of the bias voltage due to the fourth resistor, and prevents a change in the operating point of the diode. Further, the RF blocking inductor has an effect of obtaining a distortion compensation circuit that can prevent a signal in a radio frequency band from leaking to the bias terminal and the RF short-circuiting capacitor side.

【0035】さらに、この発明によれば、第1の抵抗お
よび第3の抵抗からなる歪補償回路のバイアス回路の接
続点および第3の抵抗の接続点間の信号線路に直列接続
された第4の抵抗および第1のインダクタからなる並列
回路を備えるように構成したので、第4の抵抗の大きさ
に応じて、入力電力に対する利得特性および位相特性を
抑圧する方向で変化させることができ、設計の自由度を
改善することができる。また、第1のインダクタは、直
流成分を短絡し、第4の抵抗によるバイアス電圧の電圧
降下を防止し、ダイオードの動作点の変動を防止するこ
とができる歪補償回路が得られる効果がある。
Further, according to the present invention, the fourth circuit connected in series to the signal line between the connection point of the bias circuit and the connection point of the third resistor of the distortion compensating circuit comprising the first resistor and the third resistor. And the parallel circuit composed of the first inductor and the first inductor can be changed in a direction to suppress the gain characteristic and the phase characteristic with respect to the input power in accordance with the magnitude of the fourth resistor. Degree of freedom can be improved. Further, the first inductor has an effect that a DC component is short-circuited, a voltage drop of the bias voltage due to the fourth resistor is prevented, and a distortion compensation circuit capable of preventing a change in the operating point of the diode is obtained.

【0036】さらに、この発明によれば、ダイオードに
並列接続された第2のキャパシタを備えるように構成し
たので、第2のキャパシタの大きさに応じて、入力電力
に対する利得特性の変化よりも位相特性の変化を支配的
とすることができ、設計の自由度を改善することができ
る歪補償回路が得られる効果がある。
Further, according to the present invention, since the second capacitor connected to the diode is provided in parallel, the phase of the gain is changed more than the change of the gain characteristic with respect to the input power depending on the size of the second capacitor. There is an effect that a distortion compensation circuit can be obtained in which a change in characteristics can be dominant and the degree of freedom in design can be improved.

【0037】さらに、この発明によれば、LDMOSF
ET増幅器またはプッシュプル増幅器の前段または後段
に接続するように構成したので、LDMOSFET増幅
器またはプッシュプル増幅器の入力電力の増加に対する
利得の増加および位相の遅れを高精度に補償することが
でき、高効率および低歪動作させることができる歪補償
回路が得られる効果がある。
Further, according to the present invention, the LDMOSF
Since it is configured so as to be connected before or after the ET amplifier or the push-pull amplifier, it is possible to compensate for the increase in the gain and the delay in the phase with respect to the increase in the input power of the LDMOSFET amplifier or the push-pull amplifier with high accuracy, and the In addition, there is an effect that a distortion compensating circuit that can be operated with low distortion can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1による歪補償回路を
示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 歪補償回路の歪補償効果を示す特性図であ
る。
FIG. 2 is a characteristic diagram illustrating a distortion compensation effect of a distortion compensation circuit.

【図3】 この発明の実施の形態1による入力電力に対
する利得特性および位相特性の変化を示す特性図であ
る。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing changes in gain characteristics and phase characteristics with respect to input power according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態2による歪補償回路を
示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 この発明の実施の形態3による歪補償回路を
示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図6】 この発明の実施の形態4による歪補償回路を
示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】 この発明の実施の形態5による歪補償回路を
示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】 この発明の実施の形態6による歪補償回路を
示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【図9】 この発明の実施の形態7による歪補償回路を
示す回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit according to a seventh embodiment of the present invention.

【図10】 従来の歪補償回路を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a conventional distortion compensation circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力端子、2 出力端子、3 バイアス端子、4
入力側バイアス阻止用キャパシタ、5 ダイオード、6
出力側バイアス阻止用キャパシタ、7 抵抗(第1の
抵抗)、8 RF短絡用キャパシタ、9 バイアス短絡
用インダクタ、10 キャパシタ(第2のキャパシ
タ)、11 RF阻止用インダクタ、12抵抗(第3の
抵抗)、21 キャパシタ(第1のキャパシタ)、22
抵抗(第2の抵抗)、23 抵抗(第4の抵抗)、2
4 インダクタ(第1のインダクタ)、31 歪補償回
路、32 LDMOSFET増幅器、プッシュプル増幅
器。
1 input terminal, 2 output terminal, 3 bias terminal, 4
Input side bias blocking capacitor, 5 diode, 6
Output-side bias blocking capacitor, 7 resistors (first resistor), 8 RF short-circuiting capacitor, 9 bias short-circuiting inductor, 10 capacitors (second capacitor), 11 RF blocking inductor, 12 resistors (third resistor) ), 21 capacitor (first capacitor), 22
Resistance (second resistance), 23 resistance (fourth resistance), 2
4 Inductor (first inductor), 31 distortion compensation circuit, 32 LDMOSFET amplifier, push-pull amplifier.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 幸夫 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5J090 AA01 AA15 CA21 FA19 GN03 HA10 HA19 HA25 HA29 HA33 KA12 SA13 TA01 TA02 5J091 AA01 AA15 CA21 FA19 HA10 HA19 HA25 HA29 HA33 KA12 SA13 TA01 TA02  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yukio Ikeda 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) 5J090 AA01 AA15 CA21 FA19 GN03 HA10 HA19 HA25 HA29 HA33 KA12 SA13 TA01 TA02 5J091 AA01 AA15 CA21 FA19 HA10 HA19 HA25 HA29 HA33 KA12 SA13 TA01 TA02

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 無線周波数帯の信号を入力する入力端
子、入力側バイアス阻止用キャパシタ、ダイオード、出
力側バイアス阻止用キャパシタ、および無線周波数帯の
信号を出力する出力端子の順で直列接続された信号線路
と、上記入力側バイアス阻止用キャパシタおよび上記ダ
イオード間の信号線路とバイアス端子との間に第1の抵
抗が接続されたバイアス回路と、上記バイアス端子およ
び上記第1の抵抗間のバイアス回路に一端が接続され他
端が接地されたRF短絡用キャパシタと、上記ダイオー
ドおよび上記出力側バイアス阻止用キャパシタ間の信号
線路に一端が接続され他端が接地されたバイアス短絡用
インダクタと、上記ダイオードに並列接続された第1の
キャパシタおよび第2の抵抗からなる直列回路とを備え
た歪補償回路。
An input terminal for inputting a signal in a radio frequency band, an input side bias blocking capacitor, a diode, an output side bias blocking capacitor, and an output terminal for outputting a radio frequency band signal are connected in series in this order. A signal line, a bias circuit having a first resistor connected between the signal line between the input-side bias blocking capacitor and the diode, and a bias terminal, and a bias circuit between the bias terminal and the first resistor. A short-circuiting capacitor having one end connected to the other end and the other end grounded; a bias short-circuiting inductor having one end connected to the signal line between the diode and the output-side bias blocking capacitor and the other end grounded; And a series circuit including a first capacitor and a second resistor connected in parallel to the circuit.
【請求項2】 無線周波数帯の信号を入力する入力端
子、入力側バイアス阻止用キャパシタ、ダイオード、出
力側バイアス阻止用キャパシタ、および無線周波数帯の
信号を出力する出力端子の順で直列接続された信号線路
と、上記入力側バイアス阻止用キャパシタおよび上記ダ
イオード間の信号線路とバイアス端子との間にRF阻止
用インダクタが接続されたバイアス回路と、上記バイア
ス端子および上記RF阻止用インダクタ間のバイアス回
路に一端が接続され他端が接地されたRF短絡用キャパ
シタと、上記ダイオードおよび上記出力側バイアス阻止
用キャパシタ間の信号線路に一端が接続され他端が接地
された第3の抵抗と、上記ダイオードに並列接続された
第1のキャパシタおよび第2の抵抗からなる直列回路と
を備えた歪補償回路。
2. An input terminal for inputting a signal in a radio frequency band, an input side bias blocking capacitor, a diode, an output side bias blocking capacitor, and an output terminal for outputting a radio frequency band signal are connected in series in this order. A signal line, a bias circuit in which an RF blocking inductor is connected between the signal line between the input side bias blocking capacitor and the diode, and a bias terminal, and a bias circuit between the bias terminal and the RF blocking inductor An RF short-circuit capacitor, one end of which is connected to the other end, and a third resistor, one end of which is connected to a signal line between the diode and the output-side bias blocking capacitor, the other end of which is grounded; And a series circuit including a first capacitor and a second resistor connected in parallel to the circuit.
【請求項3】 無線周波数帯の信号を入力する入力端
子、入力側バイアス阻止用キャパシタ、ダイオード、出
力側バイアス阻止用キャパシタ、および無線周波数帯の
信号を出力する出力端子の順で直列接続された信号線路
と、上記入力側バイアス阻止用キャパシタおよび上記ダ
イオード間の信号線路とバイアス端子との間に第1の抵
抗が接続されたバイアス回路と、上記バイアス端子およ
び上記第1の抵抗間のバイアス回路に一端が接続され他
端が接地されたRF短絡用キャパシタと、上記ダイオー
ドおよび上記出力側バイアス阻止用キャパシタ間の信号
線路に一端が接続され他端が接地された第3の抵抗と、
上記ダイオードに並列接続された第1のキャパシタおよ
び第2の抵抗からなる直列回路とを備えた歪補償回路。
3. An input terminal for inputting a signal in a radio frequency band, an input side bias blocking capacitor, a diode, an output side bias blocking capacitor, and an output terminal for outputting a radio frequency band signal are connected in series in this order. A signal line, a bias circuit having a first resistor connected between the signal line between the input-side bias blocking capacitor and the diode, and a bias terminal, and a bias circuit between the bias terminal and the first resistor. An RF short-circuit capacitor having one end connected to the other end and a ground, and a third resistor having one end connected to the signal line between the diode and the output-side bias blocking capacitor and the other end grounded;
A distortion compensation circuit comprising: a series circuit including a first capacitor and a second resistor connected in parallel to the diode.
【請求項4】 無線周波数帯の信号を入力する入力端
子、入力側バイアス阻止用キャパシタ、ダイオード、出
力側バイアス阻止用キャパシタ、および無線周波数帯の
信号を出力する出力端子の順で直列接続された信号線路
と、上記入力側バイアス阻止用キャパシタおよび上記ダ
イオード間の信号線路とバイアス端子との間に第1の抵
抗が接続されたバイアス回路と、上記バイアス端子およ
び上記第1の抵抗間のバイアス回路に一端が接続され他
端が接地されたRF短絡用キャパシタと、上記ダイオー
ドおよび上記出力側バイアス阻止用キャパシタ間の信号
線路に一端が接続され他端が接地されたバイアス短絡用
インダクタと、上記バイアス回路の接続点および上記バ
イアス短絡用インダクタの接続点間の信号線路に直列接
続された第4の抵抗および第1のインダクタからなる並
列回路とを備えた歪補償回路。
4. An input terminal for inputting a signal in a radio frequency band, an input side bias blocking capacitor, a diode, an output side bias blocking capacitor, and an output terminal for outputting a radio frequency band signal are connected in series in this order. A signal line, a bias circuit having a first resistor connected between the signal line between the input-side bias blocking capacitor and the diode, and a bias terminal, and a bias circuit between the bias terminal and the first resistor. A short-circuited capacitor having one end connected to the other end and the other end grounded, a bias short-circuited inductor one end connected to the signal line between the diode and the output-side bias blocking capacitor and the other end grounded, A fourth resistor and a fourth resistor connected in series to the signal line between the connection point of the circuit and the connection point of the bias short-circuit inductor. And a parallel circuit comprising a first inductor.
【請求項5】 無線周波数帯の信号を入力する入力端
子、入力側バイアス阻止用キャパシタ、ダイオード、出
力側バイアス阻止用キャパシタ、および無線周波数帯の
信号を出力する出力端子の順で直列接続された信号線路
と、上記入力側バイアス阻止用キャパシタおよび上記ダ
イオード間の信号線路とバイアス端子との間にRF阻止
用インダクタが接続されたバイアス回路と、上記バイア
ス端子および上記RF阻止用インダクタ間のバイアス回
路に一端が接続され他端が接地されたRF短絡用キャパ
シタと、上記ダイオードおよび上記出力側バイアス阻止
用キャパシタ間の信号線路に一端が接続され他端が接地
された第3の抵抗と、上記バイアス回路の接続点および
上記第3の抵抗の接続点間の信号線路に直列接続された
第4の抵抗および第1のインダクタからなる並列回路と
を備えた歪補償回路。
5. An input terminal for inputting a signal in a radio frequency band, an input side bias blocking capacitor, a diode, an output side bias blocking capacitor, and an output terminal for outputting a radio frequency band signal are connected in series in this order. A signal line, a bias circuit in which an RF blocking inductor is connected between the signal line between the input side bias blocking capacitor and the diode, and a bias terminal, and a bias circuit between the bias terminal and the RF blocking inductor A short-circuited capacitor, one end of which is connected to the other end and the other end of which is grounded; a third resistor, one end of which is connected to the signal line between the diode and the output-side bias blocking capacitor and the other end of which is grounded; A fourth resistor and a first resistor connected in series to a signal line between a connection point of the circuit and the connection point of the third resistor. And a parallel circuit comprising the inductors.
【請求項6】 無線周波数帯の信号を入力する入力端
子、入力側バイアス阻止用キャパシタ、ダイオード、出
力側バイアス阻止用キャパシタ、および無線周波数帯の
信号を出力する出力端子の順で直列接続された信号線路
と、上記入力側バイアス阻止用キャパシタおよび上記ダ
イオード間の信号線路とバイアス端子との間に第1の抵
抗が接続されたバイアス回路と、上記バイアス端子およ
び上記第1の抵抗間のバイアス回路に一端が接続され他
端が接地されたRF短絡用キャパシタと、上記ダイオー
ドおよび上記出力側バイアス阻止用キャパシタ間の信号
線路に一端が接続され他端が接地された第3の抵抗と、
上記バイアス回路の接続点および上記第3の抵抗の接続
点間の信号線路に直列接続された第4の抵抗および第1
のインダクタからなる並列回路とを備えた歪補償回路。
6. An input terminal for inputting a signal in a radio frequency band, an input side bias blocking capacitor, a diode, an output side bias blocking capacitor, and an output terminal for outputting a radio frequency band signal are connected in series in this order. A signal line, a bias circuit having a first resistor connected between the signal line between the input-side bias blocking capacitor and the diode, and a bias terminal, and a bias circuit between the bias terminal and the first resistor. An RF short-circuit capacitor having one end connected to the other end and a ground, and a third resistor having one end connected to the signal line between the diode and the output-side bias blocking capacitor and the other end grounded;
A fourth resistor and a first resistor connected in series to a signal line between a connection point of the bias circuit and a connection point of the third resistor.
And a parallel circuit comprising the inductors.
【請求項7】 ダイオードに並列接続された第2のキャ
パシタとを備えたことを特徴とする請求項1から請求項
6のうちのいずれか1項記載の歪補償回路。
7. The distortion compensation circuit according to claim 1, further comprising a second capacitor connected in parallel with the diode.
【請求項8】 LDMOSFET増幅器またはプッシュ
プル増幅器の前段または後段に接続したことを特徴とす
る請求項1から請求項7のうちのいずれか1項記載の歪
補償回路。
8. The distortion compensating circuit according to claim 1, wherein the distortion compensating circuit is connected before or after the LDMOSFET amplifier or the push-pull amplifier.
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