KR101123624B1 - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

Semiconductor manufacturing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101123624B1
KR101123624B1 KR1020050053297A KR20050053297A KR101123624B1 KR 101123624 B1 KR101123624 B1 KR 101123624B1 KR 1020050053297 A KR1020050053297 A KR 1020050053297A KR 20050053297 A KR20050053297 A KR 20050053297A KR 101123624 B1 KR101123624 B1 KR 101123624B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
module
process module
transfer
disposed
manufacturing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020050053297A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060048449A (en
Inventor
김용진
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=35912538&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101123624(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to TW094123829A priority Critical patent/TW200618099A/en
Priority to US11/181,526 priority patent/US20060011297A1/en
Publication of KR20060048449A publication Critical patent/KR20060048449A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101123624B1 publication Critical patent/KR101123624B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 트랜스퍼 모듈과, 상기 트랜스퍼 모듈의 제 1 측면과 인접한 제 2 측면 사이에서 상기 제 1 측면 및 상기 제 2 측면과 각각 예각을 이루며 배치되는 제 1 공정 모듈 및 제 2 공정 모듈 및 상기 트랜스퍼 모듈의 제 3 측면에 연결되는 로드락 챔버를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공한다. 여기서, 제 1 및 제 2 공정 모듈을 서로 평행하게 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 각기 인접한 공정 모듈을 접근 또는 밀착시켜 생산 효율의 변화없이 반도체 제조 장비의 면적을 줄일 수 있고, 인접한 공정 모듈이 접근된 접근면 방향으로 소스 공급부를 확장할 수 있어 반도체 소자 형성을 위한 다양한 소스 물질을 제조 장치에 효과적으로 제공할 수 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a first processing module and a first module disposed at an acute angle with the first side and the second side, respectively, between a transfer module and a second side adjacent to the first side of the transfer module. 2 provides a semiconductor manufacturing apparatus including a process module and a load lock chamber connected to a third side of the transfer module. Here, the first and second process modules are preferably arranged parallel to each other. As such, by adhering or adhering adjacent process modules to each other, the area of semiconductor manufacturing equipment can be reduced without a change in production efficiency, and the source supply unit can be extended in the direction of the approaching surface to which adjacent process modules are accessed, thereby forming various types of semiconductor devices. The source material can be effectively provided to the manufacturing apparatus.

트랜스퍼 모듈, 공정 모듈, 접근, 반응 챔버, 냉각 챔버 Transfer Module, Process Module, Access, Reaction Chamber, Cooling Chamber

Description

반도체 제조 장치{Semiconductor manufacturing apparatus}Semiconductor manufacturing apparatus

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 1 is a schematic view for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 2 is a schematic view for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 공정 모듈의 배치를 설명하기 위한 개념도이다.3 is a conceptual diagram illustrating an arrangement of a process module according to the present invention.

도 4a 및 도 4b는 공정 모듈의 구조를 설명하기 위한 개념도이다. 4A and 4B are conceptual views illustrating the structure of a process module.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 5 to 7 are schematic views for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 또 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 8 and 9 are cross-sectional views illustrating a semiconductor manufacturing apparatus in accordance with still another embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10, 110 : 트랜스퍼 모듈 20, 120 : 로드락 챔버10, 110: transfer module 20, 120: load lock chamber

30, 130 : 공정 모듈 32, 132 : 반응 챔버30, 130: process module 32, 132: reaction chamber

34, 134 : 제어부 36, 136 : 소스 공급부34, 134: control unit 36, 136: source supply unit

40, 140 : 쿨링 챔버 45, 145 : 트랜스퍼용 로봇 암40, 140: cooling chamber 45, 145: transfer robot arm

133 : 가스 공급 제어부 135 : 구동 제어부133: gas supply control unit 135: drive control unit

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히, 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버간을 효율적으로 배치하여 더 작은 면적을 차지하는 반도체 제조 장치에서 동일한 생산 효율을 창출할 수 있는 반도체 제조 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus capable of efficiently arranging between a process chamber and a transfer chamber to create the same production efficiency in a semiconductor manufacturing apparatus occupying a smaller area.

일반적으로 반도체 소자를 제조할 때 사용된 반도체 제조 장치는 반도체 기판상에 기상증착 또는 스퍼터링 방법 등을 이용한 반도체막 증착이나, 패턴을 형성하기 위한 식각 공정 또는 노광 공정 진행시 주로 사용되고 있다. In general, a semiconductor manufacturing apparatus used for manufacturing a semiconductor device is mainly used during the deposition of a semiconductor film using a vapor deposition or sputtering method on the semiconductor substrate, an etching process for forming a pattern, or an exposure process.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 1 is a schematic view for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

도 1에서와 같이 종래의 반도체 제조 장치는 중앙부에 트랜스퍼용 로봇 암(Transfer Robot Arm; 45)이 설치된 트랜스퍼 모듈(Transfer Module; 10)이 구비되어 있고, 트랜스퍼 모듈(10)의 외주 방향으로 각기 소정 거리 이격된 위치에 반도체 칩의 제조를 위한 소정의 환경이 설정되어 있는 다수의 공정 모듈(Process Module; 30: 30a, 30b)이 배치되고, 공정수행을 위해 대기중이거나 수행이 완료된 기판들이 대기중인 로드락 챔버(20)가 트랜스퍼 모듈(10)의 외주 방향으로 배치된다. 또한, 냉각을 위한 냉각 챔버(40)가 트랜스퍼 모듈의 외주 방향으로 배치될 수 있다. As shown in FIG. 1, a conventional semiconductor manufacturing apparatus includes a transfer module 10 provided with a transfer robot arm 45 at a central portion thereof, each of which is predetermined in the circumferential direction of the transfer module 10. A plurality of process modules (30: 30a, 30b) in which a predetermined environment for manufacturing a semiconductor chip is set at a distance apart from each other is placed, and the substrates waiting for or performing the process are waiting for the process. The load lock chamber 20 is disposed in the circumferential direction of the transfer module 10. In addition, the cooling chamber 40 for cooling may be arranged in the outer circumferential direction of the transfer module.

공정 모듈(30)은 반도체 칩 제조를 위한 공정이 수행되는 반응 챔버(32)와, 공정 모듈(30)의 동작을 제어하기 위한 제어부(34)와, 별도의 소스를 공급하기 위한 소스 공급부(36)를 포함하여 이루어진다. The process module 30 includes a reaction chamber 32 in which a process for manufacturing a semiconductor chip is performed, a control unit 34 for controlling the operation of the process module 30, and a source supply unit 36 for supplying a separate source. )

이와 같은, 종래의 반도체 제조 장치에 관해서는 대한민국 공개특허공보 제2000-20876호와, 대한민국 실용신안공보 제1996-8156호에 자세히 기재되어 있다. Such a conventional semiconductor manufacturing apparatus is described in detail in Korean Unexamined Patent Publication No. 2000-20876 and Korean Utility Model Publication No. 1996-8156.

하지만, 상술한 구조를 갖는 종래의 반도체 제조 장치는 트랜스퍼 모듈(10)의 외주 방향으로 다수의 공정 모듈(30a 및 30b)이 배치되어 있고, 공정 모듈(30a 및 30b) 각각은 트랜스퍼 모듈의 중심을 기준으로 'V'자 형태로 이격되어 있다. 이로 인해 반도체 제조 장치가 차지하는 면적이 넓어 동일한 면적 내에 설치되는 반도체 제조 장치의 수에 한계가 있어, 목표로 하는 생산 효율을 얻기 위해서는 설비를 위한 영역의 공간을 충분히 확보하여야 하는 문제가 있다. 또한, 다양한 공정조건에 따라 사용되는 소스 공급부를 확장할 경우, 반도체 제조 장치가 차지 하게 되는 면적이 넓어진다. 이와 같이 종래의 반도체 제조 장치는 소스 공급부의 확장에 있어서도 많은 제약이 따르고 있다. However, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus having the above-described structure, a plurality of process modules 30a and 30b are disposed in the outer circumferential direction of the transfer module 10, and each of the process modules 30a and 30b has the center of the transfer module. As a reference, they are spaced apart in the form of 'V'. For this reason, the area occupied by the semiconductor manufacturing apparatus is large and there is a limit to the number of semiconductor manufacturing apparatuses installed in the same area. There is a problem that a sufficient space of the region for the equipment must be secured in order to obtain a target production efficiency. In addition, when the source supply part used according to various process conditions is expanded, the area which a semiconductor manufacturing apparatus occupies becomes large. As described above, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus, there are many restrictions in the expansion of the source supply unit.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 트랜스퍼 모듈의 외주변에 위치하는 인접한 공정 모듈들을 밀착시켜 소스 공급부의 확장을 용이하게 할 수 있고, 자치하는 공간 즉, 면적을 줄여 종래 기술에 비해 더 작은 면적에서 종래와 동일한 생산 효율을 창출할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공함을 그 목적으로 한다. Accordingly, the present invention can facilitate the expansion of the source supply by in close contact with adjacent process modules located on the outer periphery of the transfer module to solve the above problems, and reduces the autonomous space, that is, the area more than the prior art It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of producing the same production efficiency as in the prior art in a small area.

본 발명에 따른 트랜스퍼 모듈과, 상기 트랜스퍼 모듈의 제 1 측면과 인접한 제 2 측면 사이에서 상기 제 1 측면 및 상기 제 2 측면과 각각 예각을 이루며 배치되는 제 1 공정 모듈 및 제 2 공정 모듈 및 상기 트랜스퍼 모듈의 제 3 측면에 연결되는 로드락 챔버를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공한다. A first process module and a second process module and the transfer module and the transfer module according to the present invention disposed at an acute angle with the first side and the second side, respectively, between a first side and an adjacent second side of the transfer module. A semiconductor manufacturing apparatus including a load lock chamber connected to a third side of a module is provided.

여기서, 상기 제 1 측면 및 상기 제 2 측면과 상기 제 1 공정 모듈 및 상기 제 2 공정 모듈의 장축 방향과 10 내지 90도의 각을 이루는 것이 바람직하다. 이때, 상기 제 1 공정모듈과 상기 제 2 공정 모듈 사이의 간격은 30㎝이하인 것이 효과적이다. Here, it is preferable to form an angle of 10 to 90 degrees with the long axis direction of the first side and the second side, the first process module and the second process module. At this time, it is effective that the interval between the first process module and the second process module is 30 cm or less.

또한, 본 발명에 따른 서로 이격되어 배치되는 복수의 트랜스퍼 모듈과, 상기 복수의 트랜스퍼 모듈 각각의 제 1 측면과, 상기 제 1 측면과 인접한 제 2 측면 사이에서 상기 제 1 측면과 상기 제 2 측면과 각각 예각을 이루며 배치되는 제 1 공정 모듈과 제 2 공정 모듈 및 상기 복수의 트랜스퍼 모듈 각각의 제 3 측면에 연결되는 로드락 챔버를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공한다. In addition, the first side and the second side between the plurality of transfer modules disposed spaced apart from each other, the first side of each of the plurality of transfer modules, and the second side adjacent to the first side and Provided is a semiconductor manufacturing apparatus including a load lock chamber connected to a first process module, a second process module, and a third side surface of each of the plurality of transfer modules disposed at an acute angle, respectively.

또한, 본 발명에 따른 트랜스퍼 모듈과, 상기 트랜스퍼 모듈의 제 1 측면과 제 2 측면에 연결되며, 서로 평행하게 배치되는 제 1 공정 모듈 및 제 2 공정 모듈 및 상기 트랜스퍼 모듈의 제 3 측면에 연결되는 로드락 챔버를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공한다. In addition, the transfer module according to the present invention is connected to the first side and the second side of the transfer module, the first process module and the second process module and parallel to each other are connected to the third side of the transfer module Provided is a semiconductor manufacturing apparatus including a load lock chamber.

여기서, 상기 제 1 공정 모듈과 상기 제 2 공정 모듈은 장축 방향으로 동일 한 간격으로 이격되어 평행한 것이 효과적이다. Here, it is effective that the first process module and the second process module are parallel and spaced at equal intervals in the major axis direction.

상기의 트랜스퍼 모듈은 원형 또는 다각형 형상인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 제 1 공정 모듈과 상기 제 2 공정 모듈의 너비의 합이 상기 트랜스퍼 모듈의 너비와 같거나 큰 것이 효과적이다. 상기 트랜스퍼 모듈과 상기 제 1 공정 모듈, 상기 제 2 공정 모듈, 그리고 상기 로드락 챔버 사이에서 각각 슬랏밸브를 더 포함하는 것이 바람직하다. The transfer module is preferably a circular or polygonal shape. In addition, it is effective that the sum of the widths of the first process module and the second process module is equal to or larger than the width of the transfer module. Preferably, the transfer module further includes a slot valve between the first process module, the second process module, and the load lock chamber.

상기의 제 1 공정 모듈 및 상기 제 2 공정 모듈은, 반응 챔버와, 상기 반응챔 버에 가스를 공급하기 위한 가스 공급 제어부와, 상기 제 1 공정 모듈 및 상기 제 2 공정 모듈을 구동시키기 위한 구동제어부 및 상기 반응 챔버에 소스 물질을 공급하기 위한 소스 공급부를 포함하는 것이 바람직하다. The first process module and the second process module may include a reaction chamber, a gas supply controller for supplying gas to the reaction chamber, and a drive control unit for driving the first process module and the second process module. And a source supply for supplying a source material to the reaction chamber.

상기의 제 1 공정 모듈과 제 2 공정 모듈간의 간격은 30㎝이하인 것이 효과적이다. It is effective that the distance between the first process module and the second process module is 30 cm or less.

또한, 본 발명에 따른 서로 평행하게 배치되는 복수의 트랜스퍼 모듈과, 상기 복수의 트랜스퍼 모듈 각각의 제 1 측면과 제 2 측면에 서로 평행하게 배치되는 제 1 공정 모듈과 제 2 공정 모듈 및 상기 복수의 트랜스퍼 모듈 각각의 제 3 측면에 연결되는 로드락 챔버를 포함하는 복수로 배열되는 반도체 제조 장치를 제공한다. In addition, a plurality of transfer modules disposed in parallel to each other according to the present invention, the first and second process modules and the plurality of first and second processing modules disposed in parallel to each other on the first side and the second side of each of the plurality of transfer modules A plurality of semiconductor manufacturing apparatuses including a load lock chamber connected to a third side of each transfer module are provided.

여기서, 상기 복수의 트랜스퍼 모듈에 연결되는 복수의 상기 제 1 공정 모듈과 상기 제 2 공정 모듈은 서로 평행한 것이 바람직하다. Here, the plurality of first process modules and the second process modules connected to the plurality of transfer modules are preferably parallel to each other.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 2 is a schematic view for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 반도체 제조 장치는 트랜스퍼 모듈(110)과 트랜스퍼 모듈(110)의 외주변에 배치된 적어도 2개의 공정 모듈(130: 130a, 130b)을 포함하되, 인접한 상기 공정 모듈(130)은 서로 인접 배치되어 있다. 또한, 본 발명의 반도체 제조 장치는 기판을 쿨링 하기 위한 쿨링 챔버(140)를 더 포함할 수 있고, 공정수행을 위해 대기중이거나, 수행이 완료된 기판들이 대기중인 로드락 챔버(120)를 더 포함할 수 있다. 또한, 공정 수행을 위한 기판의 플랫존을 정렬하기 위한 플랫존 얼라이너(미도시)와, 기판 스토리지 엘리베이터(미도시)와, 트랜스퍼 모듈(110)과 공정 모듈(130)의 경계면에 배치된 슬랏밸브(Slit Valve; 미도시)를 선택적으로 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a transfer module 110 and at least two process modules 130 (130a and 130b) disposed at an outer periphery of the transfer module 110, but adjacent to the process module. 130 are arranged adjacent to each other. In addition, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention may further include a cooling chamber 140 for cooling the substrate, and further includes a load lock chamber 120 waiting for process execution or waiting for completed substrates. can do. In addition, a slot disposed at the interface between the flat zone aligner (not shown), the substrate storage elevator (not shown), the transfer module 110 and the process module 130 to align the flat zone of the substrate for performing the process. Slit Valve (not shown) may optionally further include.

상기의 트랜스퍼 모듈(110)은 반도체 제조 장치의 중심부에 위치하여 로드락 챔버(120) 내부에 대기 중인 기판을 공정 모듈(130a, 130b)에 로딩 또는 언로딩한다. 이를 위해 트랜스퍼 모듈(110)은 트랜스퍼용 로봇 암(145)을 포함하고 있어, 로드락 챔버(120)에 대기중인 기판을 공정 모듈(130)에 로딩하고, 프로세싱이 끝난 기판을 로드락 챔버(120)로 언로딩한다. 또한, 본 발명에서는 트랜스퍼 모듈(110)의 외주변의 형상은 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형 등을 포함하는 다각형의 형상 또는 원형, 타원형의 형상으로도 제작이 가능하다. 본 실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이 육각형 형상으로 트랜스퍼 모듈(110)을 제작하는 것이 바람직하다. 육각형의 외주변을 갖는 트랜스퍼 모듈(110)의 하부 두 외주변에 로드락 챔버(120)가 배치되고, 로드락 챔버(120)가 배치된 외주변과 마주본 두 외주변에 2개의 공정 모듈(130a, 130b)이 각각 배치된다. 공정 모듈(130)의 배치에 관해서는 후술하도록 한다. 또한, 트랜스퍼 모듈(110)의 다른 외주변(공정 모듈과 로드락 챔버의 사이 영역)에는 쿨링 챔버(140)가 배치된다. 또한, 상술한 트랜스퍼용 로봇 암(145)을 복수개로 구성하여 각기 다른 공정 챔버(130) 내부로 기판을 로딩/언로딩할 수 있다. The transfer module 110 is located at the center of the semiconductor manufacturing apparatus and loads or unloads the substrate waiting in the load lock chamber 120 to the process modules 130a and 130b. To this end, the transfer module 110 includes a transfer robot arm 145, which loads a substrate waiting in the load lock chamber 120 to the process module 130, and loads the processed substrate into the load lock chamber 120. Unload with). In addition, in the present invention, the shape of the outer periphery of the transfer module 110 may be manufactured in a polygonal shape including a quadrangle, a pentagon, a hexagon, an octagon, or a circular or elliptical shape. In this embodiment, it is preferable to manufacture the transfer module 110 in a hexagonal shape as shown in FIG. The load lock chamber 120 is disposed at the lower two outer peripheries of the transfer module 110 having the outer periphery of the hexagon, and two process modules are disposed at the two outer peripheries facing the outer periphery of the load lock chamber 120. 130a and 130b) are disposed respectively. The arrangement of the process module 130 will be described later. In addition, the cooling chamber 140 is disposed at another outer periphery (the area between the process module and the load lock chamber) of the transfer module 110. In addition, a plurality of the transfer robot arm 145 may be configured to load / unload substrates into different process chambers 130.

상기의 공정 모듈(130) 각각은 반도체 소자의 제조를 위한 소정의 공정이 수행되는 반응 챔버(132)와, 공정 모듈(130a, 130b)의 동작을 제어하기 위한 구동 제어부(134)와, 반응 챔버(132) 내에서 수행되는 반응 공정에 따라 별도의 소스를 공급하기 위한 소스 공급부(136)를 포함한다. 더욱이, 챔버의 가스를 외부로 배기하는 별도의 배기부를 더 포함한다. 또한, 반응 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 RF전원 생성부를 더 포함할 수도 있다. Each of the process modules 130 includes a reaction chamber 132 in which a predetermined process for manufacturing a semiconductor device is performed, a drive controller 134 for controlling operations of the process modules 130a and 130b, and a reaction chamber. And a source supply unit 136 for supplying a separate source according to the reaction process performed in 132. Moreover, it further comprises a separate exhaust unit for exhausting the gas of the chamber to the outside. The apparatus may further include an RF power generator for generating a plasma in the reaction chamber.

여기서, 반응 챔버(132)는 적어도 한 개의 기판에 소정의 반도체막을 증착하기 위한 증착용 챔버 또는 소정의 패터닝을 위한 패터닝용 챔버가 사용될 수 있다. 패터닝용 챔버로는 식각 챔버 및 에싱 챔버가 사용되고, 증착용 챔버는 반도체 막 에 따라 다양한 증착 챔버가 사용될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 반도체 소자를 제조하기 위한 다양한 챔버를 사용할 수 있다. 예를 들어 노광을 위한 챔버를 사용할 수 있다. Here, the reaction chamber 132 may be a deposition chamber for depositing a predetermined semiconductor film on at least one substrate or a patterning chamber for predetermined patterning. An etching chamber and an ashing chamber are used as the patterning chamber, and various deposition chambers may be used as the deposition chamber depending on the semiconductor film. The present invention is not limited thereto, and various chambers for manufacturing a semiconductor device may be used. For example, a chamber for exposure can be used.

본 실시예의 반응 챔버(132)는 도 2에서와 같이 4개의 기판 상에 동시에 반도체 막을 증착하거나, 패터닝을 수행할 수 있도록 제작한다. 상기의 제어부(134)는 상기 공정 모듈(130a, 130b)을 구동시키기 위한 구동 제어부와, 반응 챔버(132)에 가스를 공급하기 위한 가스 공급 제어부를 포함한다. 이에 관해서는 후술하도록 한다.The reaction chamber 132 of the present embodiment is fabricated so as to deposit or pattern a semiconductor film on four substrates simultaneously as shown in FIG. 2. The control unit 134 includes a driving control unit for driving the process modules 130a and 130b and a gas supply control unit for supplying gas to the reaction chamber 132. This will be described later.

상기의 슬랏밸브는 공정 모듈(130)과 트랜스퍼 모듈(110)을 연결하기 위해 밸브의 일면은 공정 모듈(130)에 접속되어 있고, 다른 일면은 트랜스퍼 모듈(110)의 외주변에 접속되어 있다. In order to connect the process module 130 and the transfer module 110, the above-described slot valve is connected to the process module 130, and the other surface thereof is connected to the outer periphery of the transfer module 110.

본 발명의 공정 모듈(130)들은 이웃하는 공정 모듈(130)과 인접하는 방향으로 기울어져 서로 인접 배치된다. 이때, 인접된 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)은 0 내지 100cm 정도의 이격 공간을 갖도록 배치될 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)이 밀착되도록 배치하거나, 소정간격 이격되도록 배치할 수도 있다. 바람직하게는 이웃하는 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)의 최대 이격된 영역이 50cm이하의 공간을 갖고 서로 수평하게 대향 하도록 배치한다. 더욱 바람직하게는 30cm이하의 공간을 두는 것이 효과적이다. 더욱더 바람직하게는 20cm이하의 공간을 두는 것이 좋다. 이러한 이격공간을 통해 유지보수 작업을 용이하게 실시할 수 있다. 이때, 이격된 공간이 너무 넓게 되어 버리면 본 발명의 반도체 제조 장치의 면적효율이 떨어지게 되는 문제가 발생할 수 있다. Process modules 130 of the present invention are disposed adjacent to each other inclined in a direction adjacent to the adjacent process module 130. In this case, adjacent first and second process modules 130a and 130b may be disposed to have a space of about 0 to 100 cm. That is, as shown in FIG. 2, the first and second process modules 130a and 130b may be disposed to be in close contact with each other, or may be disposed to be spaced a predetermined interval apart. Preferably, the largest spaced areas of the neighboring first and second process modules 130a and 130b have a space of 50 cm or less and face each other horizontally. More preferably, a space of 30 cm or less is effective. Even more preferably, a space of 20 cm or less is preferable. With such a space, maintenance work can be easily performed. In this case, when the spaced space becomes too wide, a problem may occur that the area efficiency of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention decreases.

이하, 공정 모듈(130)의 배치와, 공정 모듈의 구조에 관해 도면을 참조하여 설명한다. Hereinafter, the arrangement of the process module 130 and the structure of the process module will be described with reference to the drawings.

도 3은 본 발명에 따른 공정 모듈의 배치를 설명하기 위한 개념도이고, 도 4a 및 도 4b는 공정 모듈의 구조를 설명하기 위한 개념도이다. 3 is a conceptual diagram illustrating an arrangement of a process module according to the present invention, and FIGS. 4A and 4B are conceptual views illustrating a structure of a process module.

도 3에서와 같이 종래의 공정 모듈은 그 길이 방향선과 공정 모듈(130)이 배치된 트랜스퍼 모듈(110)의 외주변이 이루는 각(θ3)이 직각이 되도록 배치되었고, 이에 그 끝단이 양옆으로 넓게 퍼지도록 형성되었다. As shown in FIG. 3, the conventional process module is disposed such that an angle θ3 formed between the longitudinal line of the transfer module 110 and the outer periphery of the transfer module 110 on which the process module 130 is disposed is perpendicular to each other. It was formed to spread.

반면에 본 발명에서는 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)은 트랜스퍼 모듈(110)의 제 1 측면과, 제 1 측면과 인접한 제 2 측면 사이에서 상기 제 1 측면 및 상기 제 2 측면과 각각 예각을 이루며 배치된다. On the other hand, in the present invention, the first and second process modules 130a and 130b are respectively connected to the first side and the second side between the first side of the transfer module 110 and the second side adjacent to the first side. It is arranged at an acute angle.

상기 공정 모듈(130)의 길이 방향의 선 즉, 장축 방향의 선과 이와 접속된 트랜스퍼 모듈(110)의 측면이 이루는 각(θ4)이 예각인 것이 바람직하다. 이를 통해 이웃하는 공정 모듈(130)이 접근되도록 배치할 수 있다. 상기 길이 방향의 선과 측면이 이루는 각(θ4)은 10 내지 90도인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 35 내지 60도인 것이 바람직하다. 상기 길이 방향의 선과 측면이 이루는 각(θ4)이 상기 범위보다 작을 경우에는 제 1 및 제 2 공정 모듈(130) 간이 중첩되어 공정 모듈(130)을 트랜스퍼 모듈(110)의 측면에 배치할 수 없게 되고, 상기 범위보다 클 경우에는 공간을 절약하는 효과가 떨어지게 된다. 상기 범위 내에서의 각 설정은 이 는 하부의 트랜스퍼 모듈(110)의 형상에 따라 다양하게 변화할 수 있다. 이때, 트랜스퍼 모듈(110)의 제 3 측면에는 로드락 챔버(120)가 연결된다. It is preferable that an angle θ4 formed between a line in the longitudinal direction of the process module 130, that is, a line in the long axis direction, and the side surface of the transfer module 110 connected thereto is an acute angle. Through this, the neighboring process module 130 may be arranged to approach. It is preferable that the angle (theta) 4 which the line and the side surface of the said longitudinal direction make is 10-90 degree. More preferably, it is 35-60 degrees. When the angle θ4 formed between the longitudinal line and the side surface is smaller than the above range, the first and second process modules 130 overlap each other so that the process module 130 cannot be disposed on the side of the transfer module 110. If larger than the above range, the effect of saving space is inferior. Each setting within the above range may vary in accordance with the shape of the transfer module 110 of the lower. In this case, the load lock chamber 120 is connected to the third side surface of the transfer module 110.

본 발명의 공정 모듈들(130)은 인접하는 양 외주변에 두 공정 모듈(130a 및 130b)이 인접하게 서로 대칭되도록 배치된다. 즉, 인접한 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)은 서로에 대하여 미러(mirror) 대칭 형상으로 제작된다. 예들 들어, 제 1 공정 모듈(130a)의 기판이 로딩되는 입구는 오른쪽에 있는 반면에 제 2 공정 모듈(130b)의 기판이 로딩되는 입구는 왼쪽에 위치되어 있다. 물론 인접한 두 공정 모듈(130)이 인접한 양 외주변이 형성하는 꼭지점 방향으로 밀착되도록 배치할 수도 있다. 또한, 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)은 장축방향으로 동일한 간격으로 이격되어 서로 평행하게 배치되어 있는 것이 바람직하다. The process modules 130 of the present invention are disposed such that two process modules 130a and 130b are adjacent to each other and adjacently symmetric with each other. That is, adjacent first and second process modules 130a and 130b are manufactured in mirror symmetry with respect to each other. For example, the inlet on which the substrate of the first process module 130a is loaded is on the right side, while the inlet on which the substrate of the second process module 130b is loaded is on the left side. Of course, the two adjacent process modules 130 may be arranged to be in close contact with each other in the direction of the vertex formed by the adjacent outer periphery. In addition, the first and second process modules 130a and 130b are preferably spaced apart at equal intervals in the major axis direction and arranged in parallel with each other.

한편, 인접한 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)의 너비(즉, 도면의 횡방향 폭)가 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)의 하부에 배치된 트랜스퍼 모듈(110)의 너비보다 크거나 같게 형성한다. 이를 통해, 공정 모듈(130a 및 130b) 내에 안착되는 기판 사이즈를 크게 할 수 있고, 다수의 기판이 일 챔버 내에 안착될 수 있다. 하지만, 트랜스퍼 모듈(110)이 클 경우는 본 발명의 효과인 면적 이득을 얻을 수 없게 된다. Meanwhile, the widths of the adjacent first and second process modules 130a and 130b (ie, the transverse widths in the drawing) of the transfer module 110 are disposed below the first and second process modules 130a and 130b. Form greater than or equal to width. Through this, the size of the substrate seated in the process modules 130a and 130b may be increased, and a plurality of substrates may be seated in one chamber. However, when the transfer module 110 is large, the area gain, which is an effect of the present invention, cannot be obtained.

또한, 인접한 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b) 각각에 접속되어 서로 인접해 있는 슬랏 밸브들 간은 소정의 각을 이루고 있다. 즉, 접근된 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b) 각각에 접속된 슬랏 밸브 간이 60 내지 170도의 내각을 갖도록 배치한다. 바람직하게는 두 슬랏 밸브들 간에 110 내지 150도의 내각을 갖도 록 접속하는 것이 바람직하다. 이로써, 평행으로 배치하였을 때보다 기판의 이송이 용이할 수 있다. 이를 위해 앞서 언급한 바와 같이 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)을 접근시켜야 한다. In addition, slot valves connected to each of the adjacent first and second process modules 130a and 130b and adjacent to each other form a predetermined angle. That is, the slot valves connected to each of the accessed first and second process modules 130a and 130b are arranged to have an internal angle of 60 to 170 degrees. Preferably, the connection between the two slot valves has an internal angle of 110 to 150 degrees. Thereby, the transfer of the substrate can be easier than when arranged in parallel. To this end, as described above, the first and second process modules 130a and 130b should be approached.

또한, 앞서 언급한 바와 같이 종래의 공정 모듈의 일면과 트랜스퍼 모듈간의 각(θ1)은 약 90도를 유지하였다. 하지만, 본 발명에서는 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)의 접근면과 트랜스퍼 모듈의 외주변과의 내각(θ2)이 90도보다 큰 각을 갖도록 한다. 한편, 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)이 접근해 있기 때문에, 접근면과 외주변이 이루는 내각(θ)을 무한정 넓힐 수는 없다. 따라서, 상기 내각을 90 내지 165도로 할 수 있고, 바람직하게는 100 내지 150도로 하는 것이 효과적이다.In addition, as mentioned above, the angle θ1 between one surface of the conventional process module and the transfer module was maintained at about 90 degrees. However, in the present invention, the inner angle θ2 between the access surfaces of the first and second process modules 130a and 130b and the outer periphery of the transfer module has an angle greater than 90 degrees. On the other hand, since the first and second process modules 130a and 130b are approaching, the internal angle θ formed between the access surface and the outer periphery cannot be widened indefinitely. Therefore, the cabinet can be made 90 to 165 degrees, preferably 100 to 150 degrees.

본 발명에서는 공정 모듈(130)의 단면 형상을 5각형의 형상으로 제작하였고, 종래의 A 및 B 영역에 위치하였던 제어부(도 2의 134)와 소스 공급부(도 2의 136)의 위치를 변경하였다. 이뿐만 아니라 공정 모듈 내부에 위치한 배선과, 배관의 위치 또한 변경하였다. 그리고 기판이 안착되는 기판 지지수단의 위치 또한 변경하여 트랜스퍼 모듈의 로봇암과 이루는 각도를 조절하였다.In the present invention, the cross-sectional shape of the process module 130 is manufactured in the shape of a pentagon, and the positions of the control unit 134 of FIG. 2 and the source supply unit 136 of FIG. . In addition, the location of wiring and piping located inside the process module was also changed. The position of the substrate support means on which the substrate is seated is also changed to adjust the angle formed with the robot arm of the transfer module.

이와 같이 꼭짓점 방향 즉, 접근면 방향으로 두 공정 모듈(130a 및 130b)을 접근시켜 배치함으로 인해 도 3의 A 영역과 B영역과 같은 공간을 절약할 수 있다. 또한, 종래 반도체 제조 장치의 면적(도 1의 T1×H1)을 1로 하였을 경우, 본 발명의 반도체 제조 장치의 면적(도 2의 T2×H2)은 0.4 내지 0.8이 되어, 종전에 대비하여 약 40 내지 80%에 해당하는 면적에서 종래와 동일한 생산 효율을 창출할 수 있다. 구체적으로, 종래의 반도체 제조 장치는 T1=3600mm이고, H1=2700mm인 반면에, 본 발명의 반도체 제조 장치의 면적은 T2=2000mm 이고, H2=2800mm이다. 상기와 같이 종래의 면적을 100%로 하였을 경우, 본 발명의 면적은 약 58% 정도가 되어 종래보다 더 작은 면적에서 동일한 생산 효율을 얻을 수 있다. 뿐만 아니라, 도 3에서 보이는 바와 같이 반응 챔버(132)의 위치는 변동을 가하지 않아 트랜스퍼용 로봇 암(145)의 변화를 최소화할 수 있다. 또한, 공정 모듈(130)의 단면 형상으로 다각형으로 형성할 수도 있다. As such, by placing the two process modules 130a and 130b closer to each other in the vertex direction, that is, the approach surface direction, spaces such as areas A and B of FIG. 3 may be saved. When the area (T1 x H1 in FIG. 1) of the conventional semiconductor manufacturing apparatus is 1, the area (T2 x H2 in FIG. 2) of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is 0.4 to 0.8, which is about In the area corresponding to 40 to 80% can produce the same production efficiency as in the prior art. Specifically, the conventional semiconductor manufacturing apparatus is T1 = 3600mm and H1 = 2700mm, while the area of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is T2 = 2000mm and H2 = 2800mm. When the conventional area is 100% as described above, the area of the present invention is about 58% to obtain the same production efficiency in a smaller area than the conventional one. In addition, as shown in FIG. 3, the position of the reaction chamber 132 may not be changed to minimize the change of the transfer robot arm 145. In addition, the cross-sectional shape of the process module 130 may be formed in a polygon.

도 4a 및 도 4b에서와 같이 제어부(134)를 구성하는 구동 제어부(135)와, 가스 공급 제어부(133)는 반응 챔버(132)의 주변영역에 다양한 형태와 구조로 위치할 수 있다. 즉, 구동 제어부(135)는 다양한 전기적 회로와 감지 센서를 포함하고, 가스 공급 제어부(133)는 다양한 밸브와 배관을 포함하고 있기 때문에 구동 제어부(135)와 가스 공급 제어부(133)의 배열 형태는 한정되지 않고, 그 특성 및 목적에 따라 다양하게 배열 가능하다. 앞서 설명하였던 바와 같이 구동 제어부(135)와 가스 공급 제어부(133)는 접근된 두 공정 모듈(130a 및 130b) 내에서 서로 미러(mirror) 대칭되도록 배치하고, 이에 따라 내부의 밸브, 배관, 배선 등의 다양한 구성요소들도 서로 대칭되도록 배치하는 것이 바람직하다.As shown in FIGS. 4A and 4B, the driving controller 135 constituting the controller 134 and the gas supply controller 133 may be positioned in various shapes and structures in the peripheral region of the reaction chamber 132. That is, since the driving control unit 135 includes various electrical circuits and detection sensors, and the gas supply control unit 133 includes various valves and piping, the arrangement of the driving control unit 135 and the gas supply control unit 133 is It is not limited, It can arrange | position variously according to the characteristic and the objective. As described above, the driving control unit 135 and the gas supply control unit 133 are arranged to be mirror symmetric with each other in the two process modules 130a and 130b which are accessed, and accordingly, there are internal valves, piping, wiring, and the like. It is desirable to arrange the various components of symmetrical to each other.

또한, 본 발명에서는 접근면 방향으로 소스 공급부(136)를 확장할 수 있어 반도체 소자 형성을 위한 다양한 소스 물질을 제조 장치에 효과적으로 제공할 수 있다. 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)의 가장 자리 영역에 각기 위치한 소스 공급부(136)를 접근면 영역으로 배치시킬 수 있고, 접근면 영역에서 떨어지도록 배 치시킬 수도 있다. 이러한 소스 공급부(136)의 확장성을 극대화함으로 인해 하나의 공정 모듈(130)에서 다양한 공정을 수행할 수 있다. In addition, in the present invention, the source supply unit 136 may be extended in the direction of the access surface, so that various source materials for forming a semiconductor device may be effectively provided to the manufacturing apparatus. The source supply unit 136 located in the edge regions of the first and second process modules 130a and 130b may be disposed in the access surface region, and may be disposed away from the access surface region. By maximizing the expandability of the source supply unit 136 may be performed a variety of processes in one process module 130.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 5 to 7 are schematic views for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 5 내지 도 7에서와 같이 본 실시예의 반도체 제조 장치는 오각형 및 팔각형 형상의 트랜스퍼 모듈(110)과 트랜스퍼 모듈(110)의 제 1 측면과 제 2 측면에 연결되며, 서로 평행하게 배치되는 제 1 공정 모듈 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)과 상기 트랜스퍼 모듈(110)의 제 3 측면에 연결된 로드락 챔버(120)를 포함한다. As shown in FIGS. 5 to 7, the semiconductor manufacturing apparatus of the present embodiment is connected to first and second sides of the pentagonal and octagonal transfer module 110 and the transfer module 110 and is disposed in parallel with each other. And a load lock chamber 120 connected to the process module and the second process module 130a and 130b and the third side surface of the transfer module 110.

도 5에 도시된 바와 같이 팔각형 형상의 트랜스퍼 모듈(110)의 제 1 측면과, 상기 제 1 측면과 인접한 제 2 측면 사이에서 서로 인접하게 대향하도록 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)을 배치한다. 이때, 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)의 인접하는 면들은 서로 밀착해 있다. 또한, 도 6에 도시된 바와 같이 오각형 형상의 트랜스퍼 모듈(110)의 인접한 두 외주변에 서로 평행하게 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a, 130b)을 배치한다. 또한, 도 7에 도시된 바와 같이 팔각형 형상의 트랜스퍼 모듈(110)의 두 외주변에 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a 및 130b)을 배치하되, 상호 평행으로 대향하도록 형성한다. 이때 평행으로 대향하는 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a 및 130b)의 간격은 1m이하인 것이 바람직하다. 이때, 간격은 30㎝이하인 것이 더욱 바람직하다.As shown in FIG. 5, the first and second process modules 130a and 130b are disposed to face each other between the first side of the octagonal transfer module 110 and the second side adjacent to the first side. To place. In this case, adjacent surfaces of the first and second process modules 130a and 130b are in close contact with each other. In addition, as shown in FIG. 6, the first and second process modules 130a and 130b are disposed in parallel to two adjacent outer peripheries of the pentagonal transfer module 110. In addition, as shown in FIG. 7, the first and second process modules 130a and 130b are disposed at two outer peripheries of the octagonal transfer module 110, and are formed to face each other in parallel. In this case, it is preferable that the interval between the first and second process modules 130a and 130b facing in parallel is 1 m or less. At this time, it is more preferable that the space | interval is 30 cm or less.

이하 기타 구성요소는 도 3에서 설명한 실시예와 동일함으로 생략한다.Hereinafter, other components are the same as in the embodiment described with reference to FIG.

이와 같이 본 발명의 반도체 제조 장치를 트랜스퍼 모듈의 형상에 한정되지 않을 뿐만 아니라, 공정 챔버의 종류와 기능에 한정되지 않는다. 또한, 종전 대비 60%의 면적만으로도 종전과 동일한 생산성을 유지할 수 있고, 하나의 공정 챔버에서 다양한 공정이 가능할 수 있다.Thus, the semiconductor manufacturing apparatus of this invention is not only limited to the shape of a transfer module, but is not limited to the kind and function of a process chamber. In addition, it is possible to maintain the same productivity as before with only 60% of the area as before, and various processes may be possible in one process chamber.

또한, 본 발명은 복수의 공정 모듈과 트랜스퍼 모듈이 하나의 라인상에서 복수개 배치하여 동일 면적 상에 더 많은 공정 모듈을 배치할 수 있다. 이에 관해 도면을 참조하여 설명하되 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 설명은 생략한다. In addition, according to the present invention, a plurality of process modules and a transfer module may be arranged on a single line to place more process modules on the same area. This will be described with reference to the drawings, but descriptions overlapping with the above-described embodiments will be omitted.

도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 또 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 8 and 9 are cross-sectional views illustrating a semiconductor manufacturing apparatus in accordance with still another embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

도 8 및 도 9를 참조하면, 적어도 2개의 공정 모듈(130a-1 내지 130a-n)(130b-1 내지 130b-n)이 접속되어 있는 복수의 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n)을 일 선상에 배치한다. 즉, 본 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 서로 이격되어 있는 복수의 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n)과, 복수의 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n) 각각의 제 1 측면과, 상기 제 1 측면과 인접한 제 2 측면 사이에서 상기 제 1 측면과 상기 제 2 측면과 각각 예각을 이루며 배치되는 제 1 공정 모듈(130a-1 내지 130a-n)과 제 2 공정 모듈(130b-1 내지 130b-n) 및 상기 복수의 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n) 각각의 제 3 측면에 연결되는 로드락 챔버(120-1 내지 120-n)를 포함한다. 8 and 9, a plurality of transfer modules 110-1 to 110-n to which at least two process modules 130a-1 to 130a-n (130b-1 to 130b-n) are connected. Place on one line. That is, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment may include a plurality of transfer modules 110-1 to 110-n spaced apart from each other, a first side surface of each of the transfer modules 110-1 to 110-n, and A first process module 130a-1 to 130a-n and a second process module 130b-1 to an acute angle disposed between the first side and the second side, respectively, between the first side and the adjacent second side; 130b-n) and load lock chambers 120-1 to 120-n connected to third sides of the plurality of transfer modules 110-1 to 110-n, respectively.

이때, 복수의 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n) 각각의 제 1 측면과 제 2 측면에 제 1 공정 모듈(130a-1 내지 130a-n) 및 제 2 공정 모듈(130b-1 내지 130b-n) 각각이 서로 평행하게 배치되는 것이 바람직하다. In this case, the first process module 130a-1 to 130a-n and the second process module 130b-1 to 130b-are respectively disposed on the first side and the second side of each of the transfer modules 110-1 to 110-n. n) each of which is preferably arranged parallel to each other.

여기서, 복수의 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n)을 순차적으로 배치하되, 하나의 트랜스퍼 모듈(110-1)에 접속된 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a-1, 130b-1)과, 이와 인접한 트랜스퍼 모듈(110-2)에 접속된 공정 모듈(130a-2, 130b-2)이 근접 또는 밀착되도록 배치하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 서로 평행하게 배치되는 것이 효과적이다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이 제 1 공정 모듈(130a-1 내지 130b-n)과 제 2 공정 모듈(130b-1 내지 130b-n)이 인접하여 접속된 제 1 내지 제 n 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n)을 연속적으로 배치하되, 제 1 트랜스퍼 모듈(110-1)의 제 2 공정 모듈(130b-1)과 제 2 트랜스퍼 모듈(110-2)의 제 1 공정 모듈(130a-2)을 평행하게 배치한다. Here, the plurality of transfer modules (110-1 to 110-n) are arranged in sequence, and the first and second process modules (130a-1, 130b-1) connected to one transfer module (110-1) In this case, the process modules 130a-2 and 130b-2 connected to the transfer module 110-2 adjacent to the transfer module 110-2 may be disposed close to or in close contact with each other. More preferably, they are arranged parallel to each other. That is, as illustrated in FIG. 8, the first to nth transfer modules 110 in which the first process modules 130a-1 to 130b-n and the second process modules 130b-1 to 130b-n are adjacently connected to each other. -1 to 110-n are disposed continuously, and the first process module 130a- of the second process module 130b-1 and the second transfer module 110-2 of the first transfer module 110-1 is disposed. 2) in parallel.

또한, 유지보수 관리의 편이를 위해 소스 공급부(136-1 내지 136-n)를 하나의 트랜스퍼 모듈(110-1)에 접속된 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a-1, 130b-1)의 양끝단에 배치시킬 수도 있다. 물론, 제 1 트랜스퍼 모듈(110-1)의 제 2 공정 모듈(130b-1)과 제 2 트랜스퍼 모듈(110-2)의 제 2 공정 모듈(130b-2)을 밀착 배치한 다음, 서로의 소스 공급부(136-1, 136-2)를 공유하도록 할 수 있다. In addition, for ease of maintenance management, the first and second process modules 130a-1 and 130b-1 connected to the source supply units 136-1 to 136-n to one transfer module 110-1 may be used. It may be placed at both ends. Of course, the second process module 130b-1 of the first transfer module 110-1 and the second process module 130b-2 of the second transfer module 110-2 are closely arranged, and then the source of each other It is possible to share the supply unit (136-1, 136-2).

이를 통해 다수의 모듈이 배치될 경우 배치 공간을 획기적으로 줄일 수 있고, 동일 면적 내에 더 많은 장비를 배치할 수 있다. 즉, 종래 장비의 폭이 1이라고 하였을 경우, 본 발명에 의한 장비의 폭은 0.6 내지 0.95가 될 수 있다. 따라서 예를 들어, 만일 종래의 공정 모듈이 접속된 트랜스퍼 모듈을 5대를 연속적으로 배치하였을 때 길이가 10m가 필요하고, 본 발명의 장비폭이 종래 장비에 비하여 약 20%정도 줄어들었을 경우를 생각하면, 본 발명의 장비는 5대의 장비를 연속적으로 배치하기 위해서는 8m의 공간만으로도 충분하다. 또한, 10m의 길이에 배치할 수 있는 장비의 수가 6대까지 가능하여 복수 모듈의 배치 공간을 획기적으로 줄일 수 있고, 동일 면적 내에 더 많은 수의 장비를 배치할 수 있다. This can dramatically reduce the layout space when multiple modules are deployed, allowing more equipment to be placed in the same area. That is, when the width of the conventional equipment is 1, the width of the equipment according to the present invention may be 0.6 to 0.95. Thus, for example, if 5 transfer modules connected to a conventional process module are continuously arranged, a length of 10 m is required, and the width of the equipment of the present invention is reduced by about 20% compared to conventional equipment. In the case of the equipment of the present invention, a space of 8 m is sufficient to continuously arrange five equipment. In addition, the number of equipment that can be arranged in a length of 10m is possible up to six, it is possible to significantly reduce the layout space of a plurality of modules, it is possible to place a larger number of equipment in the same area.

또한, 도면에서는 복수의 로드락 챔버(120-1 내지 120-n)가 각기 분리되도록 도시되었지만, 이에 한정되지 않고, 서로 인접한 로드락 챔버(120-1 내지 120-n) 간이 근접 및/또는 밀착될 수 있다. In addition, although the plurality of load lock chambers 120-1 to 120-n are shown to be separated from each other in the drawings, the present invention is not limited thereto, and the load lock chambers 120-1 to 120-n adjacent to each other are in close proximity and / or close contact with each other. Can be.

이뿐만 아니라 본 발명에서는 공정 모듈과 트랜스퍼 모듈의 다양한 배치가 가능하다. 앞서 설명한 도 8에서는 공정 모듈(130a-1 내지 130a-n)(130b-1 내지 130b-n)과 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n)이 수직 방향에 대해 대칭되도록 인접 배치된다. 즉, 트랜스퍼 모듈(110-1)의 위쪽 방향으로 복수의 공정 모듈이 연속적으로 배치되도록 하였다. 이와 달리, 도 9에서는 제 1 공정 모듈(130a-1 내지 130a-n) 및 제 2 공정 모듈(130b-1 내지 130b-n)과 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n)이 수평 방향에 대해 대칭되도록 할 수 있다. In addition to this, various arrangements of the process module and the transfer module are possible in the present invention. In FIG. 8, the process modules 130a-1 to 130a-n (130b-1 to 130b-n) and the transfer modules 110-1 to 110-n are disposed adjacent to each other in a vertical direction. That is, the plurality of process modules are arranged continuously in the upward direction of the transfer module 110-1. In contrast, in FIG. 9, the first process modules 130a-1 to 130a-n, the second process modules 130b-1 to 130b-n, and the transfer modules 110-1 to 110-n have a horizontal direction. It can be symmetrical.

제 1 공정 모듈(130a-1 내지 130a-n) 및 제 2 공정 모듈(130b-1 내지 130b-n)이 인접하여 접속된 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n)을 순차적으로 배치하되, 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a-1 내지 130a-n)(130b-1 내지 130b-n)의 설치 방향이 상하로 서로 엇갈리도록 배치한다. 즉, 제 1 트랜스퍼 모듈(110-1)의 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a-1, 130b-1)을 위쪽 방향으로 배치하고, 제 2 트랜스퍼 모듈(110-2)의 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a-2, 130b-2)은 아래쪽으로 배치하며, 제 3 트랜스퍼 모듈(110-3)의 제 1 및 제 2 공정 모듈(130a-3, 130b-3)은 다시 위쪽으로 배치 하는 식으로 복수개가 연속하여 배치된다. The first and second process modules 130a-1 to 130a-n and the second process modules 130b-1 to 130b-n are sequentially disposed, and the transfer modules 110-1 to 110-n are sequentially arranged. The installation directions of the first and second process modules 130a-1 to 130a-n (130b-1 to 130b-n) are alternately arranged up and down. That is, the first and second process modules 130a-1 and 130b-1 of the first transfer module 110-1 are disposed in the upward direction, and the first and second of the second transfer module 110-2 are disposed. The process modules 130a-2 and 130b-2 are disposed downward, and the first and second process modules 130a-3 and 130b-3 of the third transfer module 110-3 are disposed upward again. Are arranged in succession.

이때, 트랜스퍼 모듈(110-1 내지 110-n)에 접속된 제 1 공정 모듈(130a-1 내지 130a-n) 및 제 2 공정 모듈(130b-1 내지 130b-n) 양측으로 장비의 유지보수를 위한 충분한 공간을 둘 수 있다. At this time, maintenance of the equipment is performed to both the first process module 130a-1 to 130a-n and the second process module 130b-1 to 130b-n connected to the transfer modules 110-1 to 110-n. You can leave enough space for it.

상술한 바와 같이, 본 발명은 트랜스퍼 모듈의 외주변에 배치되어, 각기 인접한 공정 모듈을 접근 또는 밀착시켜 생산 효율의 변화 없이 반도체 제조 장비의 면적을 줄일 수 있다. As described above, the present invention may be disposed on the outer periphery of the transfer module, thereby approaching or in close contact with adjacent process modules, thereby reducing the area of semiconductor manufacturing equipment without changing production efficiency.

또한, 인접한 공정 모듈이 접근된 접근면 방향으로 소스 공급부를 확장할 수 있어 반도체 소자 형성을 위한 다양한 소스 물질을 제조 장치에 효과적으로 제공할 수 있다. In addition, adjacent process modules can extend the source supply in the direction of approached access surfaces, thereby effectively providing various source materials for the fabrication of semiconductor devices to the manufacturing apparatus.

또한, 한 공정 모듈에서 다양한 공정을 수행할 수 있다. In addition, various processes may be performed in one process module.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although described with reference to the embodiments, it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. .

Claims (13)

트랜스퍼 모듈과; A transfer module; 상기 트랜스퍼 모듈의 제 1 측면에 배치되는 제 1 공정 모듈; 및A first process module disposed on the first side of the transfer module; And 상기 제 1 측면과 인접한 제 2 측면에 배치되는 제 2 공정 모듈;을 포함하는 반도체 제조 장치로서,A semiconductor manufacturing apparatus comprising; a second process module disposed on a second side adjacent to the first side; 상기 제 1 공정 모듈은 길이 방향의 선을 가지고, 상기 선이 상기 제 1 측면과 예각을 이루고,The first process module has a line in a longitudinal direction, the line making an acute angle with the first side surface, 상기 제 2 공정 모듈은 길이 방향의 선을 가지고, 상기 선이 상기 제 2 측면과 예각을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And the second process module has a line in a longitudinal direction, and the line forms an acute angle with the second side surface. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제 1 공정 모듈과 상기 제 2 공정 모듈은 이격되어 서로 평행하게 배치되는 반도체 제조 장치.The first process module and the second process module is spaced apart and disposed in parallel to each other. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제 1 공정 모듈과 상기 제 2 공정 모듈은 서로 대칭되도록 배치되는 반도체 제조 장치.And the first process module and the second process module are disposed to be symmetrical with each other. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 공정 모듈과 상기 제 2 공정 모듈은 각각 가스 공급 제어부를 포함하고, 상기 각각의 가스 공급 제어부는 서로 대칭되도록 배치되는 반도체 제조 장치.Each of the first process module and the second process module includes a gas supply controller, and each of the gas supply controllers is disposed to be symmetrical to each other. 트랜스퍼 모듈과;A transfer module; 상기 트랜스퍼 모듈의 서로 인접한 제 1 측면과 제 2 측면에 연결되며, 길이 방향으로 서로 평행하게 배치되는 제 1 공정 모듈 및 제 2 공정 모듈; 및A first process module and a second process module connected to first and second side surfaces adjacent to each other of the transfer module and disposed parallel to each other in a longitudinal direction; And 상기 트랜스퍼 모듈의 제 3 측면에 연결되는 로드락 챔버;를 포함하는 반도체 제조 장치.And a load lock chamber connected to the third side of the transfer module. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 제 1 공정 모듈과 상기 제 2 공정 모듈은 장축 방향으로 동일한 간격으로 이격되어 평행한 반도체 제조 장치.And the first process module and the second process module are parallel and spaced apart at equal intervals in the major axis direction. 청구항 5에 있어서, The method according to claim 5, 상기 트랜스퍼 모듈은 원형 또는 다각형 형상인 반도체 제조 장치.The transfer module is a semiconductor manufacturing apparatus having a circular or polygonal shape. 청구항 5에 있어서, The method according to claim 5, 상기 제 1 공정 모듈과 상기 제 2 공정 모듈의 너비의 합이 상기 트랜스퍼 모듈의 너비와 같거나 큰 반도체 제조 장치.And a sum of the widths of the first process module and the second process module is equal to or larger than the width of the transfer module. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 서로 평행하게 배치되는 복수의 트랜스퍼 모듈과;A plurality of transfer modules disposed in parallel to each other; 상기 복수의 트랜스퍼 모듈 각각의 제 1 측면과 상기 제 1 측면과 인접하는 제 2 측면에 각각 연결되며, 길이 방향으로 서로 평행하게 배치되는 제 1 공정 모듈과 제 2 공정 모듈; 및A first process module and a second process module connected to a first side of each of the plurality of transfer modules and a second side adjacent to the first side and disposed in parallel to each other in a longitudinal direction; And 상기 복수의 트랜스퍼 모듈 각각의 제 3 측면에 연결되는 로드락 챔버;A load lock chamber connected to a third side of each of the plurality of transfer modules; 를 포함하는 반도체 제조 장치.Semiconductor manufacturing apparatus comprising a. 청구항 12에 있어서, The method according to claim 12, 상기 복수의 트랜스퍼 모듈에 연결되는 복수의 상기 제 1 공정 모듈과 상기 제 2 공정 모듈은 서로 평행하게 배치되는 반도체 제조 장치.And a plurality of the first process module and the second process module connected to the plurality of transfer modules are arranged in parallel with each other.
KR1020050053297A 2004-07-15 2005-06-21 Semiconductor manufacturing apparatus KR101123624B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094123829A TW200618099A (en) 2004-07-15 2005-07-14 Semiconductor manufacturing apparatus
US11/181,526 US20060011297A1 (en) 2004-07-15 2005-07-14 Semiconductor manufacturing apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040055209 2004-07-15
KR1020040055209 2004-07-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060048449A KR20060048449A (en) 2006-05-18
KR101123624B1 true KR101123624B1 (en) 2012-03-20

Family

ID=35912538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050053297A KR101123624B1 (en) 2004-07-15 2005-06-21 Semiconductor manufacturing apparatus

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101123624B1 (en)
CN (1) CN1722362A (en)
TW (1) TW200618099A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102068186B1 (en) * 2012-02-29 2020-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Abatement and strip process chamber in a load lock configuration

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127044A (en) * 1999-10-29 2001-05-11 Hitachi Ltd Vacuum processor, and vacuum processing system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127044A (en) * 1999-10-29 2001-05-11 Hitachi Ltd Vacuum processor, and vacuum processing system
KR20010051271A (en) * 1999-10-29 2001-06-25 가나이 쓰도무 Vacuum processing apparatus and vacuum processing system

Also Published As

Publication number Publication date
TW200618099A (en) 2006-06-01
CN1722362A (en) 2006-01-18
KR20060048449A (en) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101248188B1 (en) Multi-single wafer processing apparatus
KR101526505B1 (en) Unit and method for cooling, and apparatus and method for treating substrate
KR100584818B1 (en) Method of manufacturing semiconductor device and manufacturing line thereof
JP2019501291A (en) Gas diffuser with grooved hollow cathode
US10559483B2 (en) Platform architecture to improve system productivity
KR20200087267A (en) Integrated showerhead with improved hole pattern to deliver radical and precursor gases to the downstream chamber to enable remote plasma film deposition
JP2000294538A (en) Vacuum treatment apparatus
US20160293459A1 (en) Apparatus for processing sustrate and semiconductor fabrication line including the same
KR101123624B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
US20020108565A1 (en) Apparatus and method for selectively restricting process fluid flow in semiconductor processing
CN101770932A (en) Plasma process equipment
KR100781816B1 (en) Substrate transfer equipment and substrate processing system using the same
JPH10135302A (en) Semiconductor device manufacturing line
US20060011297A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
JP4143596B2 (en) Plasma reaction chamber and substrate processing system
US20210319981A1 (en) Faceplate with localized flow control
KR20090024598A (en) High speed substrate processing system
KR20080062220A (en) Multi-chamber system for etching equipment for manufacturing semiconductor device
CN218867052U (en) Temperature control structure of etching slide holder and semiconductor equipment with same
WO2023097193A1 (en) Apparatuses and techniques for cleaning a multi-station semiconductor processing chamber
CN214099612U (en) Electrostatic chuck and semiconductor device using the same
US20230307228A1 (en) Pixelated showerhead for rf sensitive processes
US20220210871A1 (en) Heater array and apparatus for processing a substrate including an heater array
US20230085987A1 (en) Linear arrangement for substrate processing tools
KR102576532B1 (en) Susceptor and substrate disposition apparatus including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
J204 Request for invalidation trial [patent]
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20120620

Effective date: 20121226

EXTG Extinguishment