KR101119259B1 - Hybrid heat-radiating substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하이브리드형 방열기판에 관련된 것으로, 캐비티가 형성된 금속코어층과 상기 캐비티에 위치하는 수지코어층이 하나의 코어층을 형성하며, 금속코어층 상에 발열소자를 실장하고, 수지코어층 상에 열 취약소자를 실장하여, 방열성은 유지하되 열 취약소자를 발열소자에서 발생한 열로부터 보호할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 하이브리드형 방열기판의 제조방법에 관련된다.
The present invention relates to a hybrid heat dissipation substrate, wherein the metal core layer in which the cavity is formed and the resin core layer located in the cavity form one core layer, and a heating element is mounted on the metal core layer, and the resin core layer is formed on the resin core layer. By mounting a heat-vulnerable element in the heat dissipation, it is possible to protect the heat-vulnerable element from the heat generated by the heat generating element.
In addition, the present invention relates to a method for manufacturing the hybrid heat dissipation substrate.

Description

하이브리드형 방열기판 및 그 제조방법{HYBRID HEAT-RADIATING SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}HYBRID HEAT-RADIATING SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

본 발명은 하이브리드형 방열기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a hybrid heat sink and a method of manufacturing the same.

최근 복잡한 기능을 요구하는 전자기기의 사용이 증대되고 있는 추세이다. 이러한 제품의 특성상 다양한 전자부품이 하나의 기판에 실장된다. 최근 기판에 실장되는 발열소자의 방열문제가 이슈로 떠오르고 있다. 이러한 발열소자의 방열문제를 해결하기 위해 열전도특성이 좋은 금속재료를 이용하여 여러 가지 형태의 방열기판이 제작되고 있다.
Recently, the use of electronic devices requiring complex functions is increasing. Due to the nature of these products, various electronic components are mounted on a single substrate. Recently, the heat dissipation problem of the heating element mounted on the substrate has emerged as an issue. In order to solve the heat dissipation problem of the heating element, various types of heat dissipation substrates are manufactured by using a metal material having good thermal conductivity.

종래에는 금속코어층 상에 절연층을 형성하고 그 형성된 절연층 위에 회로층을 구비하는 방열기판이 실시되고 있었다. 이러한 방열기판은 일반적인 유기 PCB에 비해 방열성은 우수하나 고밀도/고집적 구현에는 취약한 단점이 있다.
In the related art, a heat dissipation substrate was formed on a metal core layer and provided with a circuit layer on the formed insulation layer. Such a heat dissipation board has excellent heat dissipation as compared to a general organic PCB, but has a disadvantage in that high density / high density is implemented.

또한, LED와 같은 발열소자와 열에 취약한 전자소자가 하나의 기판에 동시에 실장되는 경우, 상술한 방열기판은 열전도 특성이 높기 때문에 발열소자에서 발생한 열이 방열기판 전체로 전달되고(특히 금속코어층을 통해), 열이 전달되지 않아야 하는 영역에도 전달되어 열에 취약한 전자소자의 성능을 저하시키는 문제가 발생한다.
In addition, when a heat generating element such as an LED and an electronic device vulnerable to heat are simultaneously mounted on a single substrate, since the above-described heat dissipation substrate has high thermal conductivity, heat generated from the heat generating element is transferred to the entire heat dissipation substrate (especially the metal core layer). Through this), a problem occurs that is transmitted to an area where heat should not be transmitted, thereby degrading the performance of the heat-sensitive electronic device.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 발열소자의 방열성을 유지하기 위해 금속코어층을 포함하면서, 열전도 특성이 낮은 이종 절연재료를 사용하여 열에 취약한 전자소자를 실장하는 수지코어층을 동시에 구성하여, 발열소자와 열 취약소자를 하나의 기판에 동시에 실장할 수 있는 하이브리드형 방열기판을 제안한다.The present invention has been made to solve the above problems, including a metal core layer to maintain the heat dissipation of the heating element, a resin core layer for mounting an electronic device susceptible to heat by using a heterogeneous insulating material with low thermal conductivity characteristics By constructing the same time, we propose a hybrid heat dissipation substrate that can be mounted on the heating element and the heat-vulnerable element on one substrate at the same time.

또한, 상기 하이브리드형 방열기판의 제조방법을 제안한다. In addition, a method of manufacturing the hybrid heat sink is proposed.

본 발명은 하이브리드형 방열기판에 관련되며, 외면에서 두께방향으로 형성된 캐비티를 갖는 금속코어층, 상기 캐비티에 형성된 수지코어층, 상기 금속코어층의 외면에 형성된 절연층, 및 상기 절연층에 형성된 제1 회로패턴 및 상기 수지코어층에 형성된 제2 회로패턴을 포함하는 회로층을 포함한다.The present invention relates to a hybrid heat dissipation substrate, the metal core layer having a cavity formed in the thickness direction from the outer surface, a resin core layer formed in the cavity, an insulating layer formed on the outer surface of the metal core layer, and the first formed on the insulating layer A circuit layer comprising a first circuit pattern and a second circuit pattern formed on the resin core layer.

또한, 본 발명의 상기 회로층에 형성된 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, it characterized in that it further comprises a protective layer formed on the circuit layer of the present invention.

또한, 본 발명의 상기 제1 회로패턴은 상기 금속코어층의 양면에 형성되며, 비아를 통해 연결된 것을 특징으로 한다.In addition, the first circuit pattern of the present invention is formed on both surfaces of the metal core layer, characterized in that connected via a via.

또한, 본 발명의 상기 수지코어층은 상기 절연층과 외면이 평탄화되도록 상기 캐비티에 위치하는 것을 특징으로 한다.In addition, the resin core layer of the present invention is located in the cavity so that the insulating layer and the outer surface is flattened.

또한, 본 발명의 상기 절연층은 상기 금속코어층을 양극산화하여 형성된 산화절연층인 것을 특징으로 한다.In addition, the insulating layer of the present invention is characterized in that the oxide insulating layer formed by anodizing the metal core layer.

또한, 본 발명의 상기 캐비티는 하나 또는 인접한 두 측면이 외부에 노출되도록 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the cavity of the present invention is characterized in that one or two adjacent sides are formed to be exposed to the outside.

또한, 본 발명의 상기 방열기판은 상기 캐비티와 상기 수지코어층이 접촉하는 측면과 밑면에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the heat dissipation substrate of the present invention is characterized in that it further comprises an insulating layer formed on the side and the bottom surface in contact with the cavity and the resin core layer.

또한, 본 발명은 상기 절연층에 형성된 상기 제1 회로패턴에 발열소자가 실장된 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the heating element is mounted on the first circuit pattern formed on the insulating layer.

또한, 본 발명은 상기 수지코어층에 형성된 상기 제2 회로패턴에 열 취약소자가 실장된 것을 특징으로 한다.
In addition, the present invention is characterized in that a heat-vulnerable element is mounted on the second circuit pattern formed on the resin core layer.

그리고, 본 발명은 상기 방열기판의 제조방법에 관련되며, (A) 금속코어층을 제공하는 단계, (B) 상기 금속코어층의 외면에 절연층을 형성하는 단계, (C) 상기 절연층이 형성된 금속코어층에 캐비티를 형성하는 단계, (D) 상기 캐비티에 수지코어층을 형성하는 단계, 및 (E) 상기 절연층에 위치하는 제1 회로패턴 및 상기 수지코어층에 위치하는 제2 회로패턴을 포함하는 회로층을 형성하는 단계를 포함한다.And, the present invention relates to a method for manufacturing the heat dissipation substrate, (A) providing a metal core layer, (B) forming an insulating layer on the outer surface of the metal core layer, (C) the insulating layer Forming a cavity in the formed metal core layer, (D) forming a resin core layer in the cavity, and (E) a first circuit pattern located in the insulating layer and a second circuit located in the resin core layer Forming a circuit layer comprising the pattern.

또한, 본 발명은 상기 (B) 단계에서 상기 절연층은, 상기 금속코어층을 양극산화하여 형성된 산화절연층인 것을 특징으로 하는 한다.In addition, the present invention is characterized in that in the step (B), the insulating layer is an oxide insulating layer formed by anodizing the metal core layer.

또한, 본 발명은 상기 (C) 단계에서, 상기 캐비티는 하나 또는 인접한 두 측면이 외부에 노출되도록 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that in the step (C), the cavity is formed so that one or two adjacent sides are exposed to the outside.

또한, 본 발명은 상기 (D) 단계에서, 상기 수지코어층의 두께는 상기 캐비티의 깊이에 대응하게 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that in the step (D), the thickness of the resin core layer is formed corresponding to the depth of the cavity.

또한, 본 발명은 상기 (E)단계 이후에, (F-1) 상기 절연층에 형성된 상기 제1 회로패턴에 발열소자를 실장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that after the step (E), (F-1) further comprises the step of mounting a heating element on the first circuit pattern formed on the insulating layer.

또한, 본 발명은 상기 (E)단계 이후에, (F-2) 상기 수지코어층에 형성된 상기 제2 회로패턴에 열 취약소자를 실장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
In addition, the present invention is characterized in that after the step (E), (F-2) further comprises the step of mounting a heat-sensitive device on the second circuit pattern formed on the resin core layer.

그리고, 본 발명의 또 다른 방열기판의 제조방법은 (A) 금속코어층을 제공하는 단계, (B) 상기 금속코어층에 캐비티를 형성하는 단계, (C) 상기 캐비티의 내면과 상기 금속코어층의 외면에 절연층을 형성하는 단계, (D) 내면에 상기 절연층이 형성된 상기 캐비티에 수지코어층을 형성하는 단계, 및 (E) 외부에 노출된 상기 절연층에 위치하는 제1 회로패턴 및 상기 수지코어층에 위치하는 제2 회로패턴을 포함하는 회로층을 형성하는 단계를 포함한다.In another embodiment, a method of manufacturing a heat dissipation substrate may include (A) providing a metal core layer, (B) forming a cavity in the metal core layer, and (C) an inner surface of the cavity and the metal core layer. Forming an insulating layer on an outer surface of the substrate, (D) forming a resin core layer in the cavity in which the insulating layer is formed, and (E) a first circuit pattern positioned on the insulating layer exposed to the outside; And forming a circuit layer including a second circuit pattern positioned on the resin core layer.

또한, 본 발명은 상기 (B) 단계에서, 상기 캐비티는 하나 또는 인접한 두 측면이 외부에 노출되도록 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that in the step (B), the cavity is formed so that one or two adjacent sides are exposed to the outside.

또한, 본 발명은 상기 (C) 단계에서 상기 절연층은, 상기 금속코어층을 양극산화하여 형성된 산화절연층인 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that in the step (C) the insulating layer is an oxide insulating layer formed by anodizing the metal core layer.

또한, 본 발명은 상기 (D)단계에서 상기 수지코어층은, 상기 절연층과 외면이 평탄화되도록 상기 캐비티에 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that in the step (D), the resin core layer is formed in the cavity to planarize the insulating layer and the outer surface.

또한, 본 발명은 상기 (E)단계 이후에, (F-1) 상기 절연층에 형성된 상기 제1 회로패턴에 발열소자를 실장하는 단계 및 (F-2) 상기 수지코어층에 형성된 상기 제2 회로패턴에 열 취약소자를 실장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
In addition, the present invention after the step (E), (F-1) mounting the heating element on the first circuit pattern formed on the insulating layer and (F-2) the second formed on the resin core layer It further comprises the step of mounting a heat-vulnerable element in the circuit pattern.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
Prior to this, the terms or words used in this specification and claims are not to be interpreted in a conventional and dictionary sense, and the inventors may appropriately define the concept of terms in order to best describe their own invention. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle that the present invention.

본 발명에 따른 하이브리드형 방열기판은 금속코어층 채용하여 발열소자에서 발생하는 열을 용이하게 방출하여 발열소자의 성능을 최적화된 상태로 유지할 수 있다.The hybrid type heat dissipation substrate according to the present invention employs a metal core layer to easily dissipate heat generated from the heat generating device, thereby maintaining the performance of the heat generating device in an optimized state.

또한, 본 발명에 따른 하이브리드형 방열기판은 방열성을 유지하면서 발열소자에서 발생한 열이 동일한 기판에 실장된 열 취약소자에 전달되지 않도록 열 취약소자를 발열소자로부터 열적으로 분리한다.
In addition, the hybrid heat dissipation substrate according to the present invention thermally separates the heat-vulnerable element from the heat-generating element while maintaining heat dissipation so that heat generated from the heat-generating element is not transferred to the heat-vulnerable element mounted on the same substrate.

도 1은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 하이브리드형 방열기판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 하이브리드형 방열기판의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 하이브리드형 방열기판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 하이브리드형 방열기판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5 내지 도 10은 도 1에 도시된 하이브리드형 방열기판의 제조공정을 간략히 도시한 단면도이다.
도 11 내지 도 13은 도 2에 도시된 하이브리드형 방열기판의 제조공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14는 도 3에 도시된 하이브리드형 방열기판의 제조공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 15 내지 도 20은 도 4에 도시된 하이브리드형 방열기판의 제조공정을 간략히 도시한 단면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a hybrid heat sink according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a modified example of the hybrid heat sink shown in FIG. 1.
3 is a cross-sectional view schematically showing a hybrid heat sink according to a second embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of a hybrid heat sink according to a third exemplary embodiment of the present invention.
5 to 10 are cross-sectional views briefly illustrating a manufacturing process of the hybrid heat sink shown in FIG. 1.
11 to 13 are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the hybrid heat sink shown in FIG. 2.
FIG. 14 is a cross-sectional view for describing a manufacturing process of the hybrid heat sink shown in FIG. 3.
15 to 20 are cross-sectional views briefly illustrating a manufacturing process of the hybrid heat sink shown in FIG. 4.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the preferred embodiments associated with the accompanying drawings. In the present specification, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components as possible, even if displayed on different drawings have the same number as possible. In addition, in describing the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 하이브리드형 방열기판(이하, 방열기판)을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 방열기판의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 방열기판을 설명하기로 한다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a hybrid heat dissipation substrate (hereinafter, a heat dissipation substrate) according to a first preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the heat dissipation substrate shown in FIG. 1. to be. Hereinafter, the heat radiation board according to the present embodiment will be described with reference to this.

도 1에 도시된 것과 같이, 방열기판(100)은 방열성을 갖고 캐비티(115)가 형성된 금속코어층(110), 절연층(120), 열전도성이 낮은 수지코어층(130), 회로층(140)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the heat dissipation substrate 100 has heat dissipation and has a metal core layer 110 having a cavity 115, an insulating layer 120, a resin core layer 130 having a low thermal conductivity, and a circuit layer ( 140).

여기서, 금속코어층(110)은 금속으로 구성되며, 일반적인 수지코어층에 비해 강도가 크기 때문에 휨(warpage)에 대한 저항을 크게 하고, 방열기판(100)에 실장되는 발열소자(미도시)에 의해 발생하는 열을 외부로 방출하는 역할을 한다. 금속코어층(110)은 일반적으로 평면상 사각형의 형상을 갖지만, 이에 국한되는 것은 아니며 금속코어층(110)의 형상은 변형되어 실시될 수 있다. 이러한 금속코어층(110)은 예를 들면 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 탄탈륨(Ta), 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있다.
Here, the metal core layer 110 is made of a metal, and because the strength is greater than that of the general resin core layer, the metal core layer 110 increases resistance to warpage, and is applied to a heating element (not shown) mounted on the heat dissipation substrate 100. It serves to release heat generated by the outside. The metal core layer 110 generally has a planar quadrangular shape, but is not limited thereto. The shape of the metal core layer 110 may be modified. The metal core layer 110 may be formed of, for example, aluminum (Al), nickel (Ni), magnesium (Mg), titanium (Ti), zinc (Zn), tantalum (Ta), or an alloy thereof. .

그리고, 캐비티(115)는 금속코어층(110)의 외면에서 두께방향으로 형성된다. 캐비티(115)의 형상은 평면상 사각형의 형상을 가질 수 있고, 금속코어층(110)의 두께보다 짧은 깊이로 형성되는 것이 바람직하다. 도 1에는 캐비티(115)의 측면이 금속코어층(110)의 외면에 수직으로 형성되어 있으나, 소정의 각도를 갖도록 비스듬히 형성될 수도 있다.The cavity 115 is formed in the thickness direction on the outer surface of the metal core layer 110. The cavity 115 may have a planar quadrangular shape and is formed to have a depth shorter than the thickness of the metal core layer 110. In FIG. 1, the side surface of the cavity 115 is formed perpendicular to the outer surface of the metal core layer 110, but may be formed obliquely to have a predetermined angle.

또한, 도 1에 도시된 것과 같이, 금속코어층(110)의 외면에 절연층(120)이 형성되는데, 이때 캐비티(115)의 깊이는 절연층(120)의 두께만큼 더 연장된다.
In addition, as shown in FIG. 1, the insulating layer 120 is formed on the outer surface of the metal core layer 110, where the depth of the cavity 115 is further extended by the thickness of the insulating layer 120.

절연층(120)은 금속코어층(110)의 외면에 형성된다. 이러한 절연층(120)은 통상의 절연층을 적층하거나, 접착성 절연시트를 부착하여 형성될 수 있다.The insulating layer 120 is formed on the outer surface of the metal core layer 110. The insulating layer 120 may be formed by stacking a conventional insulating layer or by attaching an adhesive insulating sheet.

이때, 절연층(120)은 금속코어층(110)을 양극산화하여 형성된 산화절연층으로 구성되는 것이 바람직하다. 산화절연층은 방열성 및 절연성이 뛰어나며 두께가 얇은 박막의 형상을 갖도록 형성할 수 있어 방열기판(100)의 두께를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 예를 들어, 금속코어층(110)이 알루미늄으로 구성된 경우 절연층(120)은 Al2O3로 구성된다.In this case, the insulating layer 120 is preferably composed of an oxide insulating layer formed by anodizing the metal core layer 110. The oxide insulating layer may have an excellent heat dissipation and insulation property and may be formed to have a shape of a thin film, thereby reducing the thickness of the heat dissipation substrate 100. For example, when the metal core layer 110 is made of aluminum, the insulating layer 120 is made of Al 2 O 3 .

한편, 도 1에는 절연층(120)이 금속코어층(110)의 양면에 형성되어 있으나, 이는 하나의 예시에 불과하며 금속코어층(110)의 일면에만 형성될 수 있다.
Meanwhile, although the insulating layer 120 is formed on both sides of the metal core layer 110 in FIG. 1, this is only one example and may be formed only on one surface of the metal core layer 110.

수지코어층(130)은 상기 캐비티(115)에 위치하여 상기 금속코어층(110)과 함께 방열기판(100)의 코어층을 이루며, 열전도성이 낮은 플라스틱 수지 또는 세라믹으로 구성된다.The resin core layer 130 is located in the cavity 115 to form a core layer of the heat dissipation substrate 100 together with the metal core layer 110, and is made of a plastic resin or ceramic having low thermal conductivity.

이러한, 수지코어층(130)에는 열 취약소자를 실장하여 발열소자(미도시)에 의해 발생하는 열로부터 열 취약소자를 보호한다. 따라서, 상술한 금속코어층(110)은 열을 방출하는 역할을 하고, 수지코어층(130)은 열의 전달을 방지하는 역할을 하여, 하나의 기판에 열적으로 분리된 영역을 형성한다.The resin core layer 130 is mounted with a heat vulnerable element to protect the heat vulnerable element from heat generated by a heat generating element (not shown). Therefore, the above-described metal core layer 110 serves to release heat, and the resin core layer 130 serves to prevent heat transfer, thereby forming a thermally separated region on one substrate.

이때, 수지코어층(130)의 형상은 금속코어층(110)에 형성된 캐비티(115)와 일치하는 형상을 갖는다.At this time, the shape of the resin core layer 130 has a shape corresponding to the cavity 115 formed in the metal core layer 110.

특히, 수지코어층(130)은 금속코어층(110)의 외면에 형성된 절연층(120)과 평탄화되도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 수지코어층(130)의 두께는 캐비티(115)의 깊이와 동일하게 형성된다. 그에 따라, 코어층은 평탄한 외면을 갖게 되어 회로층(140) 형성(코어층의 외면에 형성됨.)의 신뢰성이 향상되고, 디자인적 제한에서 벗어날 수 있다.
In particular, the resin core layer 130 may be formed to be planarized with the insulating layer 120 formed on the outer surface of the metal core layer 110. That is, the thickness of the resin core layer 130 is formed to be equal to the depth of the cavity 115. As a result, the core layer has a flat outer surface, thereby improving the reliability of the circuit layer 140 formation (formed on the outer surface of the core layer), and deviating from design limitations.

회로층(140)은 절연층(120)에 형성된 제1 회로패턴(141)과 수지코어층(130)에 형성된 제2 회로패턴(142)을 포함한다. 이러한 제1 회로패턴(141)과 제2 회로패턴(142)은 동시에 형성되는 것이 일반적이며, 전기적 신호를 전달할 수 있도록 서로 연결된다.The circuit layer 140 includes a first circuit pattern 141 formed on the insulating layer 120 and a second circuit pattern 142 formed on the resin core layer 130. The first circuit pattern 141 and the second circuit pattern 142 are generally formed at the same time, and are connected to each other to transmit an electrical signal.

발열소자(미도시)는 절연층(120)에 형성된 제1 회로패턴(141)에 실장되며, 열 취약소자(미도시)는 수지코어층(130)에 형성된 제2 회로패턴(142)에 실장된다. 각각의 회로패턴은 전자소자를 실장하기 위한 패드부를 포함할 수 있다.
The heating element (not shown) is mounted on the first circuit pattern 141 formed on the insulating layer 120, and the heat-vulnerable element (not shown) is mounted on the second circuit pattern 142 formed on the resin core layer 130. do. Each circuit pattern may include a pad unit for mounting an electronic device.

또한, 방열기판(100)은 회로층(140)을 보호하는 보호층(150)을 더 포함할 수 있다. 이러한 보호층(150)은 솔더레지스트가 될 수 있다. 솔더레지스트는 내열성 피복 재료로 솔더링(soldering)시 회로패턴에 땜납이 도포되지 않고, 회로층(140)이 산화되지 않게 보호하는 역할을 한다. 또한, 회로층(140)이 패드부를 포함하는 경우 전자소자와의 전기적 연결을 위해서 솔더레지스트에 개구부를 가공하여 패드부를 노출시키는 것이 바람직하다.In addition, the heat dissipation substrate 100 may further include a protective layer 150 that protects the circuit layer 140. The protective layer 150 may be a solder resist. The solder resist serves to protect the circuit layer 140 from being oxidized without solder being applied to the circuit pattern during soldering with a heat resistant coating material. In addition, when the circuit layer 140 includes the pad part, it is preferable to expose the pad part by processing an opening in the solder resist for electrical connection with the electronic device.

그리고, 패드부 상에 패드보호층(미도시)을 형성할 수 있다. 패드보호층은 외부에 노출된 패드부를 산화로부터 보호하고, 부품의 납땜성을 향상시키며, 전도성을 향상시킨다. 패드보호층은 예를 들면 주석이나 은, 금과 같이 부식성은 낮고, 전도성은 높은 금속을 포함한다.In addition, a pad protection layer (not shown) may be formed on the pad part. The pad protection layer protects the pad portion exposed to the outside from oxidation, improves solderability of the part, and improves conductivity. The pad protective layer contains a metal with low corrosiveness and high conductivity, such as tin, silver, and gold.

도 2에 도시된 것과 같이 방열기판(100)은 절연층(120)이 금속코어층(110)의 양면에 형성되며, 절연층(110)에 형성되는 제1 회로패턴(141) 또한 양면에 형성되고 비아(145)를 통해 연결된다.As shown in FIG. 2, in the heat dissipation substrate 100, the insulating layer 120 is formed on both surfaces of the metal core layer 110, and the first circuit pattern 141 formed on the insulating layer 110 is also formed on both surfaces. And connected via via 145.

방열기판(100)의 상면에 형성된 제1 회로패턴은(141-1) 도 1을 참조하여 설명한 제1 회로패턴(141)과 동일한 기능을 하며, 하면에 형성된 제1 회로패턴(141-2) 역시 패드부 및 패드부 상에 형성된 패드보호층을 더 포함할 수 있다. 이때 하면에 형성된 제1 회로패턴(141-2)의 패드부 상에 솔더볼 등을 결합하여 본 실시예에 따른 방열기판(100)을 마더보드와 같은 또 다른 회로기판에 실장할 수 있다.The first circuit pattern 141-1 formed on the top surface of the heat dissipation substrate 100 has the same function as the first circuit pattern 141 described with reference to FIG. 1, and the first circuit pattern 141-2 formed on the bottom surface thereof. Also may further include a pad protective layer formed on the pad portion and the pad portion. In this case, the heat dissipation substrate 100 according to the present embodiment may be mounted on another circuit board such as a motherboard by bonding solder balls or the like on the pad portion of the first circuit pattern 141-2 formed on the bottom surface.

그리고, 비아(145)는 상면에 형성된 제1 회로패턴(141-1)과 하면에 형성된 제1 회로패턴(141-2)을 전기적으로 연결한다. 한편, 비아(145)는 방열기판(100)의 상면에 형성된 제2 회로패턴(142)과 하면에 형성된 제1 회로패턴(141-2)을 연결할 수 있다.
The via 145 electrically connects the first circuit pattern 141-1 formed on the top surface and the first circuit pattern 141-2 formed on the bottom surface. The via 145 may connect the second circuit pattern 142 formed on the top surface of the heat dissipation substrate 100 and the first circuit pattern 141-2 formed on the bottom surface of the via 145.

도 3은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 하이브리드형 방열기판(이하, 방열기판)을 개략적으로 도시한 단면도이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 방열기판을 설명하기로 한다. 다만, 도 1에서 참조한 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략한다.3 is a cross-sectional view schematically showing a hybrid heat sink (hereinafter, referred to as a heat sink) according to a second embodiment of the present invention. Hereinafter, the heat radiation board according to the present embodiment will be described with reference to this. However, detailed descriptions of the same components referred to in FIG. 1 will be omitted.

본 실시예에 따른 방열기판(200)은 금속코어층(210)에 형성된 캐비티(215)의 하나 또는 인접하는 두 측면이 외부에 노출된 것을 특징으로 한다. 평면상으로 방열기판의 모서리에 형성되면 하나의 측면이 외부에 노출되고, 꼭지점에 형성되면 연속하는 두 측면이 외부에 노출된다.The heat dissipation substrate 200 according to the present embodiment is characterized in that one or two adjacent side surfaces of the cavity 215 formed in the metal core layer 210 are exposed to the outside. One side is exposed to the outside when formed at the edge of the heat sink in a plane, and two consecutive sides are exposed to the outside when formed at the vertex.

이러한 형상의 캐비티(215)는 캐비티(215)에 위치하는 수지코어층(230)이 세 측면 또는 두 측면에서 금속코어층(210)과 접촉하게 되므로, 금속코어층(210)에서 수지코어층(230)으로 전달되는 열의 양이 감소한다.
In the cavity 215 of this shape, since the resin core layer 230 positioned in the cavity 215 is in contact with the metal core layer 210 on three sides or two sides, the resin core layer (in the metal core layer 210) The amount of heat transferred to 230 is reduced.

도 4는 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 하이브리드형 방열기판(이하, 방열기판)을 개략적으로 도시한 단면도이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 방열기판(300)을 설명하기로 한다. 다만, 도 1에서 참조한 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략한다.4 is a schematic cross-sectional view of a hybrid heat sink (hereinafter, referred to as a heat sink) according to a third embodiment of the present invention. Hereinafter, the heat dissipation substrate 300 according to the present embodiment will be described with reference to this. However, detailed descriptions of the same components referred to in FIG. 1 will be omitted.

본 실시예에 따른 방열기판(300)은 금속코어층(310)에 형성된 캐비티(315)와 수지코어층(330)의 접촉면(측면 및 밑면) 사이에 형성된 절연층(325)을 더 포함한다.The heat dissipation substrate 300 according to the present exemplary embodiment further includes an insulating layer 325 formed between the cavity 315 formed on the metal core layer 310 and the contact surfaces (side and bottom) of the resin core layer 330.

이러한, 절연층(325)은 캐비티(315)의 측면 및 밑면에 형성되며, 금속코어층(310)을 양극산화하여 형성된 산화절연층으로 구성될 수 있고, 이 경우 절연층(325)은 금속코어층(310)의 외면에 형성되는 절연층(320)과 동시에 형성될 수 있다.The insulating layer 325 is formed on the side and bottom of the cavity 315, and may be composed of an oxide insulating layer formed by anodizing the metal core layer 310, and in this case, the insulating layer 325 is a metal core. It may be formed simultaneously with the insulating layer 320 formed on the outer surface of the layer 310.

이때, 캐비티(315)에 수지코어층(330)을 형성함에 있어서, 실질적으로 수지코어층(330)은 캐비티(315)에 형성된 절연층(325) 상에 형성되는데, 이는 금속재질의 금속코어층(310)과 직접 접착하는 것보다 접착이 더욱 강하게 이루어져 결합신뢰성이 향상된다.
In this case, in forming the resin core layer 330 in the cavity 315, the resin core layer 330 is substantially formed on the insulating layer 325 formed in the cavity 315, which is a metal core layer made of metal. Bonding is stronger than the direct bonding with 310, thereby improving the bonding reliability.

도 5 내지 도 10을 참조하여 도 1에 도시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 방열기판의 제조방법을 설명하기로 한다. 또한, 도 11 내지 도 13을 부가하여 도 2에 도시된 방열기판을 설명하기로 한다.A method of manufacturing the heat dissipation substrate according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 5 to 10. In addition, the heat radiation substrate shown in FIG. 2 will be described with reference to FIGS. 11 to 13.

먼저, 도 5에 도시된 것과 같이 금속코어층(110)을 제공한다. 이러한 금속코어층(110)은 예를 들면 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 탄탈륨(Ta), 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있다.First, as shown in FIG. 5, a metal core layer 110 is provided. The metal core layer 110 may be formed of, for example, aluminum (Al), nickel (Ni), magnesium (Mg), titanium (Ti), zinc (Zn), tantalum (Ta), or an alloy thereof. .

다음, 금속코어층(110)의 외면에 절연층(120)을 형성한다. 통상의 절연층을 적층하거나, 절연시트를 부착할 수 있고, 절연재를 도포하여 형성할 수 있다.Next, an insulating layer 120 is formed on the outer surface of the metal core layer 110. Ordinary insulating layers may be laminated, or an insulating sheet may be attached, and an insulating material may be applied to form the coating.

특히, 도 6에 도시된 것과 같이 금속코어층(110)의 외면에 양극산화 공정을 수행하는 경우 산화절연층이 형성된다. 양극산화는 금속코어층(110)을 직류 전원의 양극에 접속하여 산성 용액(전해액) 중에 침지하여, 상기 금속코어층(110)의 표면을 산화하는 것을 말한다. 이러한 양극산화 공정은 공지된바 상세한 설명은 생략하기로 한다.In particular, when anodizing is performed on the outer surface of the metal core layer 110 as shown in FIG. 6, an oxide insulating layer is formed. Anodization refers to oxidizing the surface of the metal core layer 110 by immersing it in an acid solution (electrolyte solution) by connecting the metal core layer 110 to an anode of a direct current power source. This anodization process is well known and detailed description thereof will be omitted.

그리고, 도 7에 도시된 것과 같이 절연층(120)이 형성된 금속코어층(110)에 캐비티(115)를 형성한다. 캐비티(115)의 형상에 대응하도록 절연층(120)을 제거하고, 소정을 깊이를 갖도록 금속코어층(110)을 제거한다. 에칭공정에 의해 제거되며, 이러한 에칭공정은 공지된바 상세한 설명은 생략한다.As shown in FIG. 7, the cavity 115 is formed in the metal core layer 110 on which the insulating layer 120 is formed. The insulating layer 120 is removed to correspond to the shape of the cavity 115, and the metal core layer 110 is removed to have a predetermined depth. It is removed by an etching process, and this etching process is well known and detailed description thereof will be omitted.

또한, 도 8에 도시된 것과 같이 캐비티(115)에 수지코어층(130)을 형성한다. 수지코어층(130)은 플라스틱 수지 또는 세라믹으로 구성되며, 상기 재료를 캐비티(115)에 충진하여 형성하거나, 별도로 제조된 캐비티(115) 형상의 코어를 캐비티(115)에 삽입하여 형성할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 8, the resin core layer 130 is formed in the cavity 115. The resin core layer 130 may be formed of a plastic resin or ceramic, and may be formed by filling the material in the cavity 115 or may be formed by inserting a separately manufactured cavity 115 shaped core into the cavity 115. .

특히, 수지코어층(130)은 캐비티(115)의 깊이와 동일한 두께를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 그에 따라, 코어층(금속코어층과 수지코어층)은 평탄한 외면을 갖게 되어 회로층(140)의 형성이 용이해진다.In particular, the resin core layer 130 is preferably formed to have the same thickness as the depth of the cavity 115. As a result, the core layers (metal core layer and resin core layer) have a flat outer surface, thereby facilitating formation of the circuit layer 140.

그 후, 도 9에 도시된 것과 같이 절연층(120)에 위치하는 제1 회로패턴(141)과 수지코어층(130)에 위치하는 제2 회로패턴(142)을 포함하는 회로층(140)을 형성한다. 이러한 제1 회로패턴(141)과 제2 회로패턴(142)은 하나의 공정에 의해 동시에 형성될 수 있고, 통상적인 SAP(Semi-Additive Process), MSAP(Modified Semi-Additive Process) 또는 서브트랙티브법(Subtractive) 등을 이용하여 형성할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 9, the circuit layer 140 including the first circuit pattern 141 located in the insulating layer 120 and the second circuit pattern 142 located in the resin core layer 130. To form. The first circuit pattern 141 and the second circuit pattern 142 may be simultaneously formed by one process, and may be a conventional semi-additive process (SAP), a modified semi-additive process (MSAP), or a subtractive. It can be formed using a method (Subtractive) and the like.

그리고, 도 9에 도시된 방열기판(100)에 곧 바로 발열소자(미도시) 및 열 취약소자(미도시)를 실장할 수 있다. 솔더볼 방식 또는 와이어 본딩 방식에 의해 실장할 수 있고, 발열소자는 제1 회로패턴(141)과 연결되게 열 취약소자는 제2 회로패턴(142)과 연결되게 실장한다.In addition, a heat generating element (not shown) and a heat-vulnerable element (not shown) may be immediately mounted on the heat dissipation substrate 100 illustrated in FIG. 9. The solder ball method or the wire bonding method may be mounted, and the heat generating element may be mounted to be connected to the first circuit pattern 141 to be connected to the second circuit pattern 142.

이때, 도 10에 도시한 것과 같이 외부에 노출된 회로층이 손상(예를 들면, 산화되지 않도록)되지 않도록 회로층(140) 상에 보호층(150)을 더 형성할 수 있다. 이러한 보호층(150)은 솔더레지스트로 구성될 수 있다. 스크린 인쇄법, 롤러 코팅법, 커튼 코팅법, 스프레이 코팅법에 의해 형성될 수 있고, 이때 회로층(140)에 포함되는 패드부가 노출되도록 형성하는 것이 바람직하다.
In this case, as shown in FIG. 10, the protective layer 150 may be further formed on the circuit layer 140 so that the circuit layer exposed to the outside may not be damaged (for example, not oxidized). The protective layer 150 may be made of a solder resist. It may be formed by a screen printing method, a roller coating method, a curtain coating method, a spray coating method, and at this time, it is preferable to form the pad part included in the circuit layer 140 to be exposed.

또한, 도 2에 도시된 방열기판(100)을 제조하기 위해 먼저, 도 5 내지 도 8에 도시된 것과 같이 금속코어층(110)에 절연층(120) 및 캐비티(115)를 형성한다In addition, in order to manufacture the heat dissipation substrate 100 shown in FIG. 2, first, an insulating layer 120 and a cavity 115 are formed in the metal core layer 110 as shown in FIGS. 5 to 8.

다음, 도 11에 도시된 것과 같이 절연층(120) 및 금속코어층(110)을 관통하도록 비아홀(117)을 형성한다. 비아홀(117)은 드릴 비트를 이용한 기계적 드릴 방식과 YAG 레이저, CO 2 레이저 등에 의해 레이저가공 방식이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 11, a via hole 117 is formed to penetrate through the insulating layer 120 and the metal core layer 110. The via hole 117 may be a mechanical drilling method using a drill bit and a laser processing method by a YAG laser, a CO 2 laser, or the like.

그 후, 도 12에 도시된 것과 같이 비아(145), 제1 회로패턴(141-1, 141-2), 및 제2 회로패턴(142)을 형성한다. 비아홀(117)과 절연층(120), 수지코어층(130)에 도금층을 형성한 후 화상현상공정과 에칭공정으로 수행하여 회로패턴을 형성할 수 있다(패널도금법).Thereafter, as illustrated in FIG. 12, the via 145, the first circuit patterns 141-1 and 141-2, and the second circuit pattern 142 are formed. After the plating layer is formed in the via hole 117, the insulating layer 120, and the resin core layer 130, a circuit pattern may be formed by performing an image development process and an etching process (panel plating method).

또한, 패턴도금법을 사용하여 회로패턴을 형성할 수 있는데, 무전해 동 도금으로 시드층을 형성하고, 무전해 도금을 통해서 무전해 도금층(시드층)을 형성한다. 무전해 도금층은 구리를 포함하는 도전성 금속을 이용하여 박막 형성법(스퍼터링법 또는 CVD법)으로 형성한다. 그 후, 도금 레지스트(드라이 필름, 액상 감광재)를 무전해 도금층에 적층하고, 도금 레지스트를 노광 및 현상을 통해 개구를 형성하는 패터닝한다. 그 다음에, 구리 등이 개구 내의 무전해 도금층 위에 석출되도록 무전해 도금층에 전기를 공급하여 전해 도금을 수행한다.In addition, a circuit pattern can be formed using a pattern plating method. A seed layer is formed by electroless copper plating, and an electroless plating layer (seed layer) is formed through electroless plating. The electroless plating layer is formed by a thin film formation method (sputtering method or CVD method) using a conductive metal containing copper. Thereafter, a plating resist (dry film, liquid photosensitive material) is laminated on the electroless plating layer, and the plating resist is patterned to form an opening through exposure and development. Then, electroplating is performed by supplying electricity to the electroless plating layer so that copper or the like precipitates on the electroless plating layer in the opening.

그리고, 도 13에 도시된 것과 같이, 외부에 노출된 제1 회로패턴(141-1, 141-2), 및 제2 회로패턴(142)이 손상(예를 들면, 산화되지 않도록)되지 않도록 상기 회로층 상에 보호층(150)을 더 형성할 수 있다.
As illustrated in FIG. 13, the first circuit patterns 141-1 and 141-2 and the second circuit pattern 142 exposed to the outside are not damaged (for example, not oxidized). The protective layer 150 may be further formed on the circuit layer.

그리고, 도 3에 도시된 본 발명의 제2 실시예에 따른 방열기판(200)은 도 5 내지 도 10을 참조하여 설명한 도 1에 도시한 방열기판(100)과 매우 유사한 공정에 의해 제조된다.The heat dissipation substrate 200 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 3 is manufactured by a process very similar to the heat dissipation substrate 100 shown in FIG. 1 described with reference to FIGS. 5 to 10.

도 7를 참조하여 설명한 것과 같이, 금속코어층(110)에 캐비티(115)를 형성함에 있어서 캐비티(115)의 형상이 하나 또는 인접하는 두 측면이 외부에 노출되게 형성된 경우(도 14 참조) 도 3에 도시된 방열기판(200)이 제조된다.As described with reference to FIG. 7, in the case of forming the cavity 115 in the metal core layer 110, one or more adjacent shapes of the cavity 115 are exposed to the outside (see FIG. 14). The heat radiation substrate 200 shown in 3 is manufactured.

즉 도 3에서 도시하고 있는 캐비티(215)를 형성한 후 상기 캐비티(215)에 수지코어층(230)을 형성하고, 회로층(240)을 형성한 후 보호층(250)을 형성하면 방열기판(200)의 제조가 가능하다.That is, after forming the cavity 215 illustrated in FIG. 3, the resin core layer 230 is formed in the cavity 215, the circuit layer 240 is formed, and then the protective layer 250 is formed. Production of 200 is possible.

또한 상기 수지코어층(230)을 형성한 후 도 11 내지 13을 참조하여 설명한 공정을 거치면, 양면에 회로층이 형성된 방열기판(200)을 제조할 수 있게 된다.
In addition, after the resin core layer 230 is formed, the process described with reference to FIGS. 11 to 13 may be performed to manufacture the heat dissipation substrate 200 having the circuit layers formed on both surfaces thereof.

도 15 내지 도 20을 참조하여 도 4에 도시된 본 발명의 제3 실시예에 따른 방열기판의 제조방법을 설명하기로 한다.A method of manufacturing the heat dissipation substrate according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 4 will be described with reference to FIGS. 15 to 20.

먼저, 도 15에 도시된 것과 같이 금속코어층(310)을 제공한다. 이러한, 금속코어층(310)은 도 5를 참조하여 설명한 것과 동일한바 상세한 설명은 생략하기로 한다.First, as shown in FIG. 15, a metal core layer 310 is provided. Since the metal core layer 310 is the same as that described with reference to FIG. 5, a detailed description thereof will be omitted.

다음, 도 16에 도시된 것과 같이 금속코어층(310)에 캐비티(315)를 형성한다. 에칭공정 또는 연마공정에 따라 소정을 깊이를 갖도록 금속코어층(310)을 제거한다.Next, as shown in FIG. 16, a cavity 315 is formed in the metal core layer 310. The metal core layer 310 is removed to have a predetermined depth according to the etching process or the polishing process.

그리고, 도 17에 도시된 것과 같이, 금속코어층(310) 외면에 절연층(320)을 형성한다. 특히, 금속코어층(310)을 양극산화하면 캐비티(315)의 내면(측면과 밑면)에도 금속코어층(310)의 외면과 동시에 산화절연층이 형성된다. 캐비티(315)의 내면에 절연층(325)이 형성되면, 캐비티(315)의 부피는 다소 감소하게 된다. 캐비티(315)의 내면에 절연층(325)을 형성하면 금속재질의 금속코어층(310)에 직접 접착하는 것보다 수지코어층(330)을 더욱 강하게 접착시킬 수 있다.17, the insulating layer 320 is formed on the outer surface of the metal core layer 310. In particular, when the metal core layer 310 is anodized, an oxide insulating layer is formed on the inner surfaces (side and bottom) of the cavity 315 simultaneously with the outer surface of the metal core layer 310. When the insulating layer 325 is formed on the inner surface of the cavity 315, the volume of the cavity 315 is somewhat reduced. If the insulating layer 325 is formed on the inner surface of the cavity 315, the resin core layer 330 may be more strongly bonded than the metal core layer 310 directly bonded to the metal material.

또한, 도 18 내지 도 20에 도시한 것과 같이, 캐비티(315)에 수지코어층(330)을 형성하고, 절연층(320)과 수지코어층(330) 상에 회로층(340)을 형성하며, 회로층(340) 상에 보호층(350)을 형성한다.18 to 20, the resin core layer 330 is formed in the cavity 315, and the circuit layer 340 is formed on the insulating layer 320 and the resin core layer 330. The protective layer 350 is formed on the circuit layer 340.

이때, 도 18에 도시된 것과 같이, 수지코어층(330)은 절연층(320)과 동일한 평면을 이루는 소정의 두께를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.
In this case, as shown in FIG. 18, the resin core layer 330 may be formed to have a predetermined thickness that forms the same plane as the insulating layer 320.

한편 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다. 따라서, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 해야 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention. It is therefore intended that such variations and modifications fall within the scope of the appended claims.

100, 200, 300 : 하이브리드형 방열기판
110, 210, 310 : 금속코어층
115, 215, 315 : 캐비티 120, 220, 320,325 : 절연층
130, 230, 330 : 수지코어층 140, 240, 340 : 회로층
150, 250, 350 : 보호층 117 : 비아홀
145 : 비아
100, 200, 300: Hybrid heat sink
110, 210, 310: metal core layer
115, 215, 315: cavity 120, 220, 320, 325: insulation layer
130, 230, 330: resin core layer 140, 240, 340: circuit layer
150, 250, 350: Protective layer 117: Via hole
145: Via

Claims (20)

외면에서 두께방향으로 형성된 캐비티를 갖는 금속코어층;
상기 캐비티에 형성된 수지코어층;
상기 금속코어층의 외면에 형성된 절연층; 및
상기 절연층에 형성된 제1 회로패턴 및 상기 수지코어층에 형성된 제2 회로패턴을 포함하는 회로층;
을 포함하는 하이브리드형 방열기판.
A metal core layer having a cavity formed in the thickness direction on the outer surface;
A resin core layer formed in the cavity;
An insulation layer formed on an outer surface of the metal core layer; And
A circuit layer including a first circuit pattern formed on the insulating layer and a second circuit pattern formed on the resin core layer;
Hybrid heat sink comprising a.
청구항 1에 있어서,
상기 회로층에 형성된 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판.
The method according to claim 1,
And a protective layer formed on the circuit layer.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 회로패턴은 상기 금속코어층의 양면에 형성되며, 비아를 통해 연결된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판.
The method according to claim 1,
The first circuit pattern is formed on both sides of the metal core layer, characterized in that connected via a via via hybrid type heat sink.
청구항 1에 있어서,
상기 수지코어층은 상기 절연층과 외면이 평탄화되도록 상기 캐비티에 위치하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판.
The method according to claim 1,
And the resin core layer is positioned in the cavity such that the insulating layer and the outer surface are flattened.
청구항 1에 있어서,
상기 절연층은 상기 금속코어층을 양극산화하여 형성된 산화절연층인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판.
The method according to claim 1,
And said insulating layer is an oxide insulating layer formed by anodizing said metal core layer.
청구항 1에 있어서,
상기 캐비티는 하나 또는 인접한 두 측면이 외부에 노출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판.
The method according to claim 1,
The cavity is a hybrid heat sink, characterized in that one or two adjacent sides are formed to be exposed to the outside.
청구항 1에 있어서,
상기 방열기판은 상기 캐비티와 상기 수지코어층이 접촉하는 측면과 밑면에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판.
The method according to claim 1,
The heat dissipation substrate further comprises an insulating layer formed on the side and the bottom contact with the cavity and the resin core layer.
청구항 1에 있어서,
상기 절연층에 형성된 상기 제1 회로패턴에 발열소자가 실장된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판.
The method according to claim 1,
And a heat generating element is mounted on the first circuit pattern formed on the insulating layer.
청구항 1에 있어서,
상기 수지코어층에 형성된 상기 제2 회로패턴에 열 취약소자가 실장된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판.
The method according to claim 1,
And a heat-vulnerable element is mounted on the second circuit pattern formed on the resin core layer.
(A) 금속코어층을 제공하는 단계;
(B) 상기 금속코어층의 외면에 절연층을 형성하는 단계;
(C) 상기 절연층이 형성된 금속코어층에 캐비티를 형성하는 단계;
(D) 상기 캐비티에 수지코어층을 형성하는 단계; 및
(E) 상기 절연층에 위치하는 제1 회로패턴 및 상기 수지코어층에 위치하는 제2 회로패턴을 포함하는 회로층을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
(A) providing a metal core layer;
(B) forming an insulating layer on an outer surface of the metal core layer;
(C) forming a cavity in the metal core layer on which the insulating layer is formed;
(D) forming a resin core layer in the cavity; And
(E) forming a circuit layer including a first circuit pattern positioned in the insulating layer and a second circuit pattern positioned in the resin core layer;
Method of manufacturing a hybrid heat-radiating substrate comprising a.
청구항 10에 있어서,
상기 (B) 단계에서 상기 절연층은,
상기 금속코어층을 양극산화하여 형성된 산화절연층인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
The method according to claim 10,
In the (B) step, the insulating layer,
And a oxidizing insulating layer formed by anodizing the metal core layer.
청구항 10에 있어서,
상기 (C) 단계에서,
상기 캐비티는 하나 또는 인접한 두 측면이 외부에 노출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
The method according to claim 10,
In the step (C),
The cavity is a method of manufacturing a hybrid heat sink, characterized in that the one or two adjacent sides are formed to be exposed to the outside.
청구항 10에 있어서,
상기 (D) 단계에서,
상기 수지코어층의 두께는 상기 캐비티의 깊이에 대응하게 형성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
The method according to claim 10,
In the step (D),
And a thickness of the resin core layer is formed to correspond to the depth of the cavity.
청구항 10에 있어서,
상기 (E)단계 이후에,
(F-1) 상기 절연층에 형성된 상기 제1 회로패턴에 발열소자를 실장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
The method according to claim 10,
After the step (E),
(F-1) The method of manufacturing a hybrid heat sink further comprising the step of mounting a heating element on the first circuit pattern formed on the insulating layer.
청구항 10에 있어서,
상기 (E)단계 이후에,
(F-2) 상기 수지코어층에 형성된 상기 제2 회로패턴에 열 취약소자를 실장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
The method according to claim 10,
After the step (E),
(F-2) The method of manufacturing a hybrid heat-radiating substrate further comprising the step of mounting a heat-vulnerable element on the second circuit pattern formed on the resin core layer.
(A) 금속코어층을 제공하는 단계;
(B) 상기 금속코어층에 캐비티를 형성하는 단계;
(C) 상기 캐비티의 내면과 상기 금속코어층의 외면에 절연층을 형성하는 단계;
(D) 내면에 상기 절연층이 형성된 상기 캐비티에 수지코어층을 형성하는 단계; 및
(E) 외부에 노출된 상기 절연층에 위치하는 제1 회로패턴 및 상기 수지코어층에 위치하는 제2 회로패턴을 포함하는 회로층을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
(A) providing a metal core layer;
(B) forming a cavity in the metal core layer;
(C) forming an insulating layer on an inner surface of the cavity and an outer surface of the metal core layer;
(D) forming a resin core layer in the cavity in which the insulating layer is formed on an inner surface thereof; And
(E) forming a circuit layer including a first circuit pattern located in the insulating layer exposed to the outside and a second circuit pattern located in the resin core layer;
Method of manufacturing a hybrid heat-radiating substrate comprising a.
청구항 16에 있어서,
상기 (B) 단계에서,
상기 캐비티는 하나 또는 인접한 두 측면이 외부에 노출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
The method according to claim 16,
In the step (B)
The cavity is a method of manufacturing a hybrid heat sink, characterized in that the one or two adjacent sides are formed to be exposed to the outside.
청구항 16에 있어서,
상기 (C) 단계에서 상기 절연층은,
상기 금속코어층을 양극산화하여 형성된 산화절연층인 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
The method according to claim 16,
In the (C) step, the insulating layer,
And a oxidizing insulating layer formed by anodizing the metal core layer.
청구항 16에 있어서,
상기 (D)단계에서 상기 수지코어층은,
상기 절연층과 외면이 평탄화되도록 상기 캐비티에 형성된 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.
The method according to claim 16,
In the step (D), the resin core layer,
The method of claim 1, wherein the insulating layer and the outer surface are flattened in the cavity.
청구항 16에 있어서,
상기 (E)단계 이후에,
(F-1) 상기 절연층에 형성된 상기 제1 회로패턴에 발열소자를 실장하는 단계; 및
(F-2) 상기 수지코어층에 형성된 상기 제2 회로패턴에 열 취약소자를 실장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 방열기판의 제조방법.

The method according to claim 16,
After the step (E),
(F-1) mounting a heating element on the first circuit pattern formed on the insulating layer; And
(F-2) The method of manufacturing a hybrid heat-radiating substrate further comprising the step of mounting a heat-vulnerable element on the second circuit pattern formed on the resin core layer.

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