KR101115125B1 - 전기 서지 보호기능을 제공하는 탑재 구조물 - Google Patents
전기 서지 보호기능을 제공하는 탑재 구조물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101115125B1 KR101115125B1 KR1020087018076A KR20087018076A KR101115125B1 KR 101115125 B1 KR101115125 B1 KR 101115125B1 KR 1020087018076 A KR1020087018076 A KR 1020087018076A KR 20087018076 A KR20087018076 A KR 20087018076A KR 101115125 B1 KR101115125 B1 KR 101115125B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electronic device
- mounting structure
- electrical
- conductive semiconductor
- semiconductor material
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims 2
- -1 group III-nitride Chemical compound 0.000 claims 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 25
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49169—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
- Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
- Y10T29/53174—Means to fasten electrical component to wiring board, base, or substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
Description
Claims (23)
- 전자 장치와 탑재 구조물을 포함하는 전기 회로에 있어서,상기 탑재 구조물은 상기 전자 장치에 대한 동작 전압 범위와, 전기 서지로 인한 전자 장치 간에 존재하는 전압을 포함하는 전압 범위에 대해 일정 저항을 갖고,상기 탑재 구조물은, 상기 전압 범위에 대해 일정 저항을 갖는 벌크 전도성 반도체 물질과, 상기 전자 장치에 대한 전기적 연결부를 포함하며,상기 벌크 전도성 반도체 물질은 상기 전기적 연결부와는 구분된 개별적인 벌크 물질이고,상기 탑재 구조물이 상기 전기 서지로부터 전자 장치를 보호하고, 상기 전기적 연결부는 상기 전자 장치, 또는 전자 장치용 패드 중 적어도 하나에 상기 탑재 구조물을 직접 연결하는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 전기 회로는 전원을 더 포함하며,상기 탑재 구조물은 상기 전자 장치와 병렬로 상기 전원에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자 장치에 순방향 동작 전류가 흐를 때, 상기 탑재 구조물의 옴 저항이 상기 전자 장치의 옴 저항보다 크고,상기 전자 장치에 역방향 전류가 흐를 때, 상기 탑재 구조물의 옴 저항이 상기 전자 장치의 최소 역방향 옴 저항보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자 장치에 최대 역방향 전압이 인가될 때, 상기 전자 장치의 커패시턴스가 상기 탑재 구조물의 커패시턴스보다 작은 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 벌크 전도성 반도체 물질이 고온 전도 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 탑재 구조물의 절연파괴 전압이 상기 전자 장치 내 능동형 소자층들의 절연 파괴 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 탑재 구조물이 상기 전자 장치로부터 열 에너지를 소모시키는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자 장치는, 반도체 다이오드, 발광 다이오드, 레이저, 쇼트키 다이오드 및 스위칭 트랜지스터로 구성된 그룹 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 벌크 전도성 반도체 물질은, 세미-절연 실리콘 카바이드, III-족 나이트라이드, 산화 아연(Zinc Oxide)로 구성된 그룹 중 어느 하나를 포함하는 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 벌크 전도성 반도체 물질이 도핑된 물질인 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 벌크 전도성 반도체 물질은 전기전도도가 보정된 물질인 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 탑재 구조물이 반사형 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
- 전자 장치용 탑재 구조물에 있어서,상기 탑재 구조물은 상기 전자 장치의 동작 전압 범위와, 전기 서지로 인해 전자 장치 간에 존재하는 전압을 포함하는 전압 범위에 대해 일정 저항을 갖는 서브마운트와, 상기 서브마운트를 전자 장치에 전기적으로 연결하기 위한 전기적 연결 수단을 포함하되,상기 서브마운트는 상기 전압 범위에 대해 일정 저항을 갖는 벌크 전도성 반도체 물질을 포함하며,전자 장치에 순방향 동작 전류가 흐를 때, 상기 벌크 전도성 반도체 물질의 저항, 임피던스, 또는 커패시턴스는 상기 전자 장치의 저항, 임피던스, 또는 커패시턴스보다 크고,전자 장치에 역방향 전류가 흐를 때, 상기 벌크 전도성 반도체 물질의 저항, 임피던스, 또는 커패시턴스는 상기 전자 장치의 저항, 임피던스, 또는 커패시턴스보다 작으며,상기 벌크 전도성 반도체 물질은 상기 전기적 연결 수단과는 구분된 개별적인 벌크 물질이고,상기 서브마운트가 상기 전기 서지로부터 전자 장치를 보호하고, 상기 전기적 연결 수단은 상기 전자 장치, 또는 전자 장치용 패드 중 적어도 하나에 상기 탑재 구조물을 직접 연결하는 것을 특징으로 하는 탑재 구조물.
- 제 13 항에 있어서,상기 서브마운트를 전원에 전기적으로 연결하는 수단을 더 포함하되,상기 서브마운트는 상기 전자 장치와 병렬로 상기 전원에 연결되는 것을 특징으로 하는 탑재 구조물.
- 제 13 항에 있어서,상기 벌크 전도성 반도체 물질은, 세미-절연 실리콘 카바이드, III-족 나이트라이드 및 산화 아연으로 구성된 그룹 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 탑재 구조물.
- 제 13 항에 있어서,상기 벌크 전도성 반도체 물질이 도핑된 물질인 것을 특징으로 하는 탑재 구조물.
- 제 13 항에 있어서,상기 벌크 전도성 반도체 물질은 전기전도도가 보정된 물질인 것을 특징으로 하는 탑재 구조물.
- 제 13 항에 있어서,상기 서브마운트는 상기 전자 장치로부터 열 에너지를 소모시키는 것을 특징으로 하는 탑재 구조물.
- 제 13 항에 있어서,상기 서브마운트의 표면이 반사형인 것을 특징으로 하는 탑재 구조물.
- 전기 회로를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은,전자 장치의 동작 전압 범위와, 전기 서지로 인한 전자 장치 간에 존재하는 전압을 포함하는 전압 범위에 대해 일정 저항을 갖는 탑재 구조물을 획득하는 단계로서, 이때, 상기 탑재 구조물은 상기 전압 범위에 대해 일정 저항을 갖는 벌크 전도성 반도체 물질을 포함하는, 단계와,패드를 이용하여 상기 전자 장치를 상기 탑재 구조물에 전기적으로 연결하는 단계를 포함하되,상기 탑재 구조물이 전기 서지로부터 전자 장치를 보호하고, 전기적 연결부가 상기 전자 장치, 또는 전자 장치용 패드 중 적어도 하나에 상기 탑재 구조물을 직접 연결하는 것을 특징으로 하는 전기 회로 제조 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 탑재 구조물 및 상기 전자 장치를 전원에 연결하는 단계를 더 포함하되,상기 탑재 구조물은 상기 전자 장치와 병렬로 상기 전원에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기 회로 제조 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 탑재 구조물은 상기 전자 장치로부터 열 에너지를 소모시키는 것을 특징으로 하는 전기 회로 제조 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 탑재 구조물은 반사형 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 회로 제조 방법.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US75499205P | 2005-12-29 | 2005-12-29 | |
US60/754,992 | 2005-12-29 | ||
US11/465,241 US8030575B2 (en) | 2005-12-29 | 2006-08-17 | Mounting structure providing electrical surge protection |
US11/465,241 | 2006-08-17 | ||
PCT/US2006/034935 WO2007078349A2 (en) | 2005-12-29 | 2006-09-07 | Mounting structure providing electrical surge protection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080083333A KR20080083333A (ko) | 2008-09-17 |
KR101115125B1 true KR101115125B1 (ko) | 2012-02-27 |
Family
ID=38223194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087018076A KR101115125B1 (ko) | 2005-12-29 | 2006-09-07 | 전기 서지 보호기능을 제공하는 탑재 구조물 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8030575B2 (ko) |
EP (1) | EP1974591A4 (ko) |
JP (1) | JP4902670B2 (ko) |
KR (1) | KR101115125B1 (ko) |
TW (1) | TWI350041B (ko) |
WO (1) | WO2007078349A2 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100926262B1 (ko) * | 2009-06-09 | 2009-11-12 | (주)동일캔바스엔지니어링 | 전기탈수기의 누설전류 차단장치 |
US8907322B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-12-09 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Deep ultraviolet light emitting diode |
US9806226B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-10-31 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Deep ultraviolet light emitting diode |
US8927959B2 (en) | 2010-06-18 | 2015-01-06 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Deep ultraviolet light emitting diode |
KR102085897B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2020-03-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
US10126347B2 (en) * | 2016-12-29 | 2018-11-13 | Infineon Technologies Ag | Passive bridge circuit with oxide windows as leakage sink |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0569902A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルム用パツク装置 |
JPH0898401A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nissin Electric Co Ltd | サージ保護回路 |
JPH11155232A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-08 | Soc Kk | サージ保護装置 |
JP2000049293A (ja) | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サージ保護回路装置 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE545324A (ko) * | 1955-02-18 | |||
US5345134A (en) * | 1988-06-29 | 1994-09-06 | Raytheon Company | Saw device and method of manufacture |
US5476714A (en) * | 1988-11-18 | 1995-12-19 | G & H Technology, Inc. | Electrical overstress pulse protection |
US5260848A (en) * | 1990-07-27 | 1993-11-09 | Electromer Corporation | Foldback switching material and devices |
GB9021222D0 (en) * | 1990-09-28 | 1990-11-14 | Raychem Ltd | Circuit protection device |
US5278535A (en) * | 1992-08-11 | 1994-01-11 | G&H Technology, Inc. | Electrical overstress pulse protection |
FR2717308B1 (fr) * | 1994-03-14 | 1996-07-26 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif de protection contre des surtensions dans des circuits intégrés. |
BR9508407A (pt) * | 1994-07-14 | 1997-12-23 | Surgx Corp | Dispositivo e componente de proteção de voltagem variável processo de produção de um material de proteção de voltagem variável e material de proteção de voltagem variável |
KR100219080B1 (ko) * | 1996-08-09 | 1999-09-01 | 김영환 | 반도체 장치의 패키지용 리드프레임 및 반도체 장치 |
US7301748B2 (en) * | 1997-04-08 | 2007-11-27 | Anthony Anthony A | Universal energy conditioning interposer with circuit architecture |
US6549114B2 (en) * | 1998-08-20 | 2003-04-15 | Littelfuse, Inc. | Protection of electrical devices with voltage variable materials |
JP2000208822A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
AU6531600A (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-26 | Lex Kosowsky | Current carrying structure using voltage switchable dielectric material |
US6486499B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
JP3686569B2 (ja) | 2000-03-02 | 2005-08-24 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置及びそれを用いた表示装置 |
DE10392524B4 (de) * | 2002-04-08 | 2008-08-07 | OTC Littelfuse, Inc., Des Plaines | Vorrichtungen mit spannungsvariablem Material zur direkten Anwendung |
JP3509809B2 (ja) | 2002-04-30 | 2004-03-22 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
JP2004127988A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 白色発光装置 |
TW577184B (en) * | 2002-12-26 | 2004-02-21 | Epistar Corp | Light emitting layer having voltage/resistance interdependent layer |
US6981319B2 (en) * | 2003-02-13 | 2006-01-03 | Shrier Karen P | Method of manufacturing devices to protect election components |
TW587346B (en) | 2003-03-28 | 2004-05-11 | United Epitaxy Co Ltd | Optoelectronic device made by semiconductor compound |
US6876008B2 (en) * | 2003-07-31 | 2005-04-05 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Mount for semiconductor light emitting device |
TWI223900B (en) * | 2003-07-31 | 2004-11-11 | United Epitaxy Co Ltd | ESD protection configuration and method for light emitting diodes |
US7296913B2 (en) * | 2004-07-16 | 2007-11-20 | Technology Assessment Group | Light emitting diode replacement lamp |
TWI239626B (en) | 2004-01-13 | 2005-09-11 | Concord Semiconductor Corp | Structure of electrostatic discharge suppressor and method of stacking package with semiconductor devices |
US7279724B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-10-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Ceramic substrate for a light emitting diode where the substrate incorporates ESD protection |
US20050247944A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Haque Ashim S | Semiconductor light emitting device with flexible substrate |
TWI239666B (en) * | 2004-09-16 | 2005-09-11 | Chen-Lun Hsingchen | LED package with diode protection circuit |
JP4384019B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2009-12-16 | 住友電気工業株式会社 | ヘッドランプ |
-
2006
- 2006-08-17 US US11/465,241 patent/US8030575B2/en active Active
- 2006-09-07 KR KR1020087018076A patent/KR101115125B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-07 EP EP06803152.5A patent/EP1974591A4/en not_active Withdrawn
- 2006-09-07 JP JP2008548501A patent/JP4902670B2/ja active Active
- 2006-09-07 WO PCT/US2006/034935 patent/WO2007078349A2/en active Application Filing
- 2006-12-27 TW TW095149295A patent/TWI350041B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0569902A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルム用パツク装置 |
JPH0898401A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Nissin Electric Co Ltd | サージ保護回路 |
JPH11155232A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-08 | Soc Kk | サージ保護装置 |
JP2000049293A (ja) | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サージ保護回路装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI350041B (en) | 2011-10-01 |
WO2007078349A2 (en) | 2007-07-12 |
US8030575B2 (en) | 2011-10-04 |
EP1974591A2 (en) | 2008-10-01 |
JP4902670B2 (ja) | 2012-03-21 |
US20070151755A1 (en) | 2007-07-05 |
EP1974591A4 (en) | 2014-01-15 |
TW200737641A (en) | 2007-10-01 |
WO2007078349A3 (en) | 2009-04-23 |
KR20080083333A (ko) | 2008-09-17 |
JP2009525713A (ja) | 2009-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI519068B (zh) | 用於高頻切換的功率半導體器件之主動箝位保護電路 | |
KR100497121B1 (ko) | 반도체 led 소자 | |
KR101115125B1 (ko) | 전기 서지 보호기능을 제공하는 탑재 구조물 | |
KR100635321B1 (ko) | 정전기 손상이 방지되는 발광 다이오드 | |
US20060267040A1 (en) | High-brightness LED with protective function of electrostatic discharge damage | |
US10002862B2 (en) | Solid-state lighting structure with integrated short-circuit protection | |
US9337408B2 (en) | Light-emitting diode device | |
KR100609968B1 (ko) | 정전기 보호 기능을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
US20060208340A1 (en) | Protection device for handling energy transients | |
US10121775B2 (en) | Optoelectronic semiconductor chip with built-in ESD protection | |
JP3613328B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US10062530B2 (en) | Surge protection device | |
US20090015978A1 (en) | Non-inductive silicon transient voltage suppressor | |
US5990499A (en) | Integrated semiconductor circuit | |
US10601307B1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US7586720B1 (en) | Electrostatic discharge protection device | |
JP2000216442A (ja) | 半導体発光装置 | |
US7071514B1 (en) | Electrostatic discharge protection device | |
CN112821740A (zh) | 一种碳化硅mosfet内驱动保护装置 | |
US20120003762A1 (en) | Method to Protect Compound Semiconductor from Electrostatic Discharge Damage | |
KR101312267B1 (ko) | 3 단자 써미스터, 써미스터-트랜지스터, 그 써미스터-트랜지스터를 이용한 전력 트랜지스터 발열 제어회로 및 그 발열 제어회로를 포함한 전력 시스템 | |
US20230418319A1 (en) | Semiconductor transistors having minimum gate-to-source voltage clamp circuits | |
KR102710485B1 (ko) | 무선주파수 전력 증폭기 | |
KR100995795B1 (ko) | 질화물 발광소자 | |
KR100554454B1 (ko) | 발광 다이오드 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160122 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170125 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180125 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190123 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200123 Year of fee payment: 9 |