KR101112597B1 - 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치 - Google Patents
단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치에 관한 것으로, 아크 방전법을 이용하여 단일벽 탄소나노튜브 합성시 챔버 내부의 온도를 조절하여 단일벽 탄소나노튜브의 결정성 및 순도를 제어할 수 있도록 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치에 관한 것이다.
본 발명은 반응 챔버; 반응 챔버 내부에서 아크 방전을 일으키는 흑연전극; 방전되는 아크를 보호하고, 흑연전극으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 포집관; 포집관 내부를 가열 및 보온하여 상기 탄소나노튜브의 성장시간을 지연시키는 히터; 를 포함하여 이루어진다.
이에 따라 본 발명은 탄소기체가 냉각되어 탄소나노튜브로 합성 과정 중 탄소나노튜브의 성장 및 결정화 온도영역으로 유지시켜줄 수 있는 발열체 및 흡열체를 사용하여 탄소나노튜브 합성 물들이 합성 시간 동안 성장 및 결정화 온도로 유지될 수 있도록 하여, 비정질 탄소, 나노 파티클(particle)과 같은 불순물의 생성을 억제할 수 있으며, 탄소나노튜브의 합성 수율과 순도를 높일 수 있고, 합성된 탄소나노튜브의 결정성을 향상시킬 수 있게 된다.
단일벽, 탄소나노튜브, 합성, 아크 방전장치, 온도 제어
Description
본 발명은 흑연 및 흑연과 촉매금속 화합물 전극 사이에 아크 방전을 발생시켜 탄소 및 촉매 금속이 기화되며, 기화된 탄소와 촉매 금속의 냉각과정의 속도 조절 및 탄소나노튜브 성장 및 재결정 온도에서의 유지시간을 길게 제어하여 우수한 결정성 및 순도를 갖는 탄소나노튜브를 효율적으로 제조하는 것이 가능한 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치에 관한 것이다.
탄소나노튜브는 탄소원자가 3개의 다른 탄소원자와 sp2 결합되어 육각형 구조를 이루어 2차원적인 규칙적인 배열을 갖으며, 이러한 육각 판상 구조가 원통형상으로 둥글게 만 형태를 가진다.
이러한 탄소나노튜브의 제조방법으로는 아크 방전법, 레이저 증발법, 화학 기상 성장법(CVD) 등이 있다.
이 중에서 결함이 적고 고품질의 탄소나노튜브를 제조할 수 있는 방법으로는 레이져 증발법이 있으나, 고온의 레이져 장치와 낮은 생산성으로 인해 비교적 레이 져 증발법과 유사한 결정성을 갖는 아크 방전법이 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법으로 널리 사용되고 있다.
종래의 탄소나노튜브 제조를 위한 아크 플라즈마 방전장치를 도 1에 도시하였다.
챔버(120) 내부에 이격설치되는 흑연전극(110) 사이에 발생되는 고온의 아크 플라즈마로 인해 발생된 열에 의해 전극 표면에서 기화된 탄소 기체는 촉매 금속과 혼합되나, 촉매 금속의 냉각과정에서 탄소원자의 고용한계에 도달하게 되어 빠른 속도로 석출되어 탄소나노튜브가 생성되게 된다.
이러한 탄소기체 및 촉매 금속의 냉각 및 응축과정에서 단일벽 탄소나노튜브가 합성되나, 아크 플라즈마 온도에 도달한 전극 표면에서 기화된 탄소기체가 챔버 내부에서 상온으로 냉각되어 있는 분위기 가스와의 충돌로 인해 급격하게 냉각되는 과정이 진행되기 때문에 단일벽 탄소나노튜브의 합성시간이 매우 짧은 문제점이 있다. 이로 인해, 탄소기체가 탄소나노튜브로 합성되지 못하고 비정질 탄소, 나노 파티클(particle)과 같은 불순물의 생성을 가져오게 되어 탄소나노튜브의 합성 수율이 낮게 되며, 탄소나노튜브의 순도가 낮게 되고, 합성된 탄소나노튜브의 결정성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 아크 플라즈마 온도에서 상온으로 합성물의 온도가 급격하게 냉각과정이 진행되는 것을 방지하도록, 분위기 가스의 온도를 단일벽 탄소나노튜브 성장 온도로 유지하여, 합성물의 온도를 단일벽 탄소나노튜브의 합성 및 결정화 시간을 단일 합성 공정 시간 동안 유지하여 높은 수율 및 고품질의 탄소나노튜브 합성이 가능하도록 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치는 반응 챔버(10); 상기 반응 챔버(10) 내부에 이격되어 일렬로 설치되어 아크 방전을 일으켜 탄소를 기화시키는 흑연전극(20); 상기 흑연전극(20)과 이격되어 상기 흑연전극(20)들의 일부를 감싸도록 설치되며, 방전되는 아크를 보호하고, 상기 흑연전극(20)으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 포집관(30); 상기 포집관(30) 외부에 구비되며 상기 포집관(30) 내부를 가열 및 보온하여 상기 탄소나노튜브의 성장시간을 지연시키는 히터(40); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반응 챔버(10)의 내측에는 단열재(50)가 구비된 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 히터(40)는 상기 포집관(30) 내부의 기화된 탄소기체가 탄소나노튜브 성장 및 재결정 온도 범위인 1200℃에서 700℃로 냉각되는 시간을 0.1 내지 5 sec가 되도록 가열 및 보온하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 다른 형태의 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치는 이격되어 일렬로 설치되어 아크 방전을 일으켜 탄소를 기화시키는 흑연전극(20); 상기 흑연전극(20)을 감싸며 상기 흑연전극(20)으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 반응 챔버(10); 상기 반응 챔버(10) 외부에 구비되며 상기 반응 챔버(10) 내부를 가열 및 보온하는 히터(40); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 히터(40)는 상기 반응 챔버(10) 내부의 기화된 탄소기체가 탄소나노튜브 성장 및 재결정 온도 범위인 1200℃에서 700℃로 냉각되는 시간을 0.1 내지 5 sec가 되도록 가열 및 보온하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 흑연전극(20)은 탄소나노튜브 합성을 촉진시키며 Fe, Ni, Co, Mo, Y, Pd, Pt, Au, Cu, Ag로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 된 금속촉매를 함유하는 것을 특징으로 한다.
또, 상기 반응 챔버(10) 내부에는 불활성가스가 충전된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전 장치는 기화된 탄소기체가 아크 플라즈마 온도에서 상온 또는 아크 방전 챔버의 벽면의 온도가 급격하게 냉각과정이 진행되는 것을 방지하여 탄소기체가 탄소나노튜브로 합성되는 시간이 길게 제어함으로써 비정질 탄소, 나노 파티클(particle)과 같은 불순물의 생성을 억제할 수 있으며, 탄소나노튜브의 합성 수율과 순도를 높일 수 있고, 합성된 탄소나노튜브의 결정성을 향상시킬 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 의한 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치를 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이 본 발명에 의한 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치는 반응 챔버(10); 상기 반응 챔버(10) 내부에서 아크 방전을 일으키는 흑연전극(20); 방전되는 아크를 보호하고, 상기 흑연전극(20)으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 포집관(30); 상기 포집관(30) 내부를 가열 및 보온하여 상기 탄소나노튜브의 성장시간을 지연시키는 히터(40); 를 포함하여 이루어진다.
상기 반응 챔버(10) 내부에는 흑연전극(20)이 구비되며, 불활성 가스가 충전된다. 아울러, 상기 반응 챔버(10) 내측에는 열에 의한 반응 챔버(10)의 보호를 위하여 단열재(50)가 구비되는 것이 바람직하다.
상기 흑연전극(20)은 상기 반응 챔버(10) 내부에 이격되어 일렬로 설치되어 아크 방전을 일으키게 된다. 상기 흑연전극(20)은 탄소나노튜브 합성을 촉진시키며 Fe, Ni, Co, Mo, Y, Pd, Pt, Au, Cu, Ag로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 된 금속촉매를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 포집관(30)은 상기 흑연전극(20)과 이격되어 상기 흑연전극(20)들의 일부를 감싸도록 설치되며, 방전되는 아크를 보호하고, 상기 흑연전극(20)으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 역할을 한다.
상기 흑연전극(20)에 의해 아크 방전을 일으키게 되면 상기 흑연전극(20) 표면의 온도가 탄소 및 금속촉매의 기화온도보다 높은 약 4000K 온도에 달하게 된다. 이에 따라 탄소 및 금속촉매는 기화되게 되고 기화과정에서 상기 반응 챔버(10) 내부에 높은 압력이 발생되게 되며 기화된 탄소 및 금속촉매 혼합기체들이 상기 반응 챔버(10) 내부에 충전된 불활성 가스와 충돌하게 된다. 분출된 탄소 및 금속촉매 혼합기체들이 불활성 가스와 충돌하는 과정에서 탄소기체는 응축 및 냉각과정을 거쳐 단일벽 탄소나노튜브가 성장되게 된다. 이러한 탄노나노튜브의 성장은 열처리 공정 시 재결정 온도에서 결정화된 합성물질의 생성이 되는 것으로 공지된 것이다.
이때, 혼합기체의 냉각은 매우 빠른 시간(수 msec 내지 ㎲)에 진행되게 되며 불활성 가스의 온도가 전극에 비해 매우 낮은 상태이기 때문에 전극으로부터 기화된 혼합기체는 급격한 냉각과정을 거치게 된다. 이렇게 되면 실제 단일 탄소나노튜브가 성장될 수 있는 온도구간에 있는 성장 시간이 짧게 되고, 결정화되지 못한 비 정질 탄소의 생성을 높이게 되며, 촉매 금속의 활성화도를 낮춰 단일벽 탄소나노튜브의 수율 및 순도를 낮추게 된다.
따라서, 본 발명은 혼합기체의 급격한 냉각시간을 늦추도록 길게 제어하여 탄소나노튜브의 성장시간을 길게 하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 단일벽 탄소나노튜브의 성장시간을 길도록 하기 위하여 포집관(30)의 외부에 히터(40)를 설치한다.
상기 히터(40)는 상기 포집관(30) 외부에 구비되며 상기 포집관(30) 내부를 가열 및 보온하여 단일벽 탄소나노튜브의 성장시간을 길도록 하는 역할을 한다.
이때, 상기 히터(40)는 상기 포집관(30) 내부의 기화된 탄소기체가 탄소나노튜브 성장 및 재결정 온도 범위인 1200℃에서 700℃로 냉각되는 시간을 0.1 내지 5 sec가 되도록 가열 및 보온하는 것이 바람직하다. 상기 히터(40)는 열선의 저항에 의한 주울열로 가열하는 것으로 공지된 것을 사용한다.
도 3은 본 발명에 의한 다른 형태의 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치를 나타낸 단면도이다.
본 발명에 의한 다른 형태의 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치는 아크 방전을 일으켜 탄소를 기화시키는 흑연전극(20); 상기 흑연전극(20)으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 반응 챔버(10); 상기 반응 챔버(10) 내부를 가열 및 보온하는 히터(40); 를 포함하여 이루어진다.
상기 흑연전극(20)은 전술한 본 발명에 의한 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하 이브리드 아크 플라즈마 방전장치와 동일하다.
상기 흑연전극(20)은 전술한 본 발명에 의한 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치와 마찬가지로 탄소나노튜브 합성을 촉진시키며 Fe, Ni, Co, Mo, Y, Pd, Pt, Au, Cu, Ag로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 된 금속촉매를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 반응 챔버(10)는 상기 흑연전극(20)을 감싸며 상기 흑연전극(20)으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 역할을 한다. 상기 반응 챔버(10) 내부에는 불활성 가스가 충전된다.
전술한 본 발명에 의한 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치에 구비된 상기 히터(40)는 상기 포집관(30)의 외부에 구비되어 있는 반면에, 본 발명에 의한 다른 형태의 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치에 구비된 상기 히터(40)는 상기 반응 챔버(10) 외부에 구비되며 상기 반응 챔버(10) 내부를 가열 및 보온하여 상기 탄소나노튜브의 성장시간을 지연시키는 역할을 하는 것으로 동일한 역할을 한다.
상기 히터(40)는 상기 반응 챔버(10) 내부의 기화된 탄소기체가 탄소나노튜브 성장 및 재결정 온도 범위인 1200℃에서 700℃로 냉각되는 시간을 0.1 내지 5 sec가 되도록 가열 및 보온하는 것이 바람직하다.
이와 같이 본 발명은 탄소기체가 탄소나노튜브로 합성되는 시간이 길게 되도록 함으로써 비정질 탄소, 나노 파티클(particle)과 같은 불순물의 생성을 억제할 수 있으며, 탄소나노튜브의 합성 수율과 순도를 높일 수 있고, 합성된 탄소나노튜 브의 결정성을 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명의 상기한 실시예에 한정하여 기술적 사상을 해석해서는 안된다. 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당업자의 수준에서 다양한 변형 실시가 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 당업자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 된다.
도 1은 종래의 탄소나노튜브 제조를 위한 아크 플라즈마 방전장치를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명에 의한 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 다른 형태의 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치를 나타낸 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 반응 챔버
20: 흑연전극
30: 포집관
40: 히터
50: 단열재
Claims (7)
- 아크 방전에 의해 흑연전극 표면의 탄소를 기화시키고 기화된 탄소기체가 응축 및 냉각 과정을 거치며 단일벽 탄소나노튜브가 생성되는 아크방전법으로 탄소나노튜브를 제조하기위한 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치에 있어서,반응 챔버(10);상기 반응 챔버(10) 내부에 이격되어 일렬로 설치되어 아크 방전을 일으켜 탄소를 기화시키는 흑연전극(20);상기 흑연전극(20)과 이격되어 상기 흑연전극(20)들의 일부를 감싸도록 설치되며, 방전되는 아크를 보호하고, 상기 흑연전극(20)으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 포집관(30);상기 포집관(30) 외부에 구비되며, 상기 포집관(30) 내부의 기화된 탄소기체가 탄소나노튜브 성장 및 재결정 온도 범위인 1200℃에서 700℃로 냉각되는 시간이 0.1 sec 내지 5 sec가 되도록 상기 포집관(30) 내부를 가열 및 보온하여 상기 탄소나노튜브의 성장시간을 지연시키는 히터(40);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반응 챔버(10)의 내측에는 단열재(50)가 구비된 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치.
- 삭제
- 이격되어 일렬로 설치되어 아크 방전을 일으켜 탄소를 기화시키는 흑연전극(20);상기 흑연전극(20)을 감싸며 상기 흑연전극(20)으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 반응 챔버(10);상기 반응 챔버(10) 외부에 구비되며, 상기 반응 챔버(10) 내부의 기화된 탄소기체가 탄소나노튜브 성장 및 재결정 온도 범위인 1200℃에서 700℃로 냉각되는 시간이 0.1 sec 내지 5 sec가 되도록 상기 반응 챔버(10) 내부를 가열 및 보온하여 상기 탄소나노튜브의 성장시간을 지연시키는 히터(40);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치.
- 삭제
- 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 흑연전극(20)은 탄소나노튜브 합성을 촉진시키며 Fe, Ni, Co, Mo, Y, Pd, Pt, Au, Cu, Ag로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 된 금속촉매를 함유하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치.
- 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반응 챔버(10) 내부에는 불활성가스가 충전된 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치.
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