KR101107706B1 - 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR101107706B1 KR1020050034054A KR20050034054A KR101107706B1 KR 101107706 B1 KR101107706 B1 KR 101107706B1 KR 1020050034054 A KR1020050034054 A KR 1020050034054A KR 20050034054 A KR20050034054 A KR 20050034054A KR 101107706 B1 KR101107706 B1 KR 101107706B1
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Abstract

본 발명은 반사요철을 가지는 유기절연층 상부에 반사전극으로 AlNd를 형성함에 있어서, 유기절연층과 AlNd 사이에 유기절연층과의 접착특성이 우수한 도전층을 더 구비하여 AlNd의 필링(peeling)을 방지하고자 하는 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자는 반사부와 투과부로 이루어지는 각 화소를 정의하기 위해 기판 상에 교차 배치되는 복수개의 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 부위에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 반사부에 형성되는 유기절연층과, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 접속되고 상기 유기절연층 상부에 형성되는 제 1 반사전극과, 상기 제 1 반사전극 상에 형성되는 제 2 반사전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Figure R1020050034054
반사전극, AlNd, 필링

Description

반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법{Transflective Type Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same}
도 1은 종래 기술에 의한 반투과형 액정표시소자의 단면도.
도 2는 종래 기술의 문제점을 설명하기 위한 반투과형 액정표시소자의 단면도.
도 3은 종래 기술에 의한 반투과형 액정표시소자의 평면사진도.
도 4는 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 단면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도.
도 6은 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 평면사진도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
211 : 절연기판 212 : 게이트 전극
213 : 게이트 절연막 219 : 커패시터 전극
215a, 215b : 소스/드레인 영역 215c, 215d : 소스/드레인 전극
216 : 유기절연층 217 : 투과전극
223 : 층간절연막 229, 230 : 제 1 ,제 2 반사전극
253 : 버퍼층 281 : 콘택홀
290 : 반사요철
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로 특히, 유기절연층과 반사전극 AlNd 사이에 유기절연층과의 접착특성이 우수한 도전층을 더 구비하여 AlNd의 필링(peeling)을 방지하고자 하는 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근들어, 평판표시장치에 대한 연구가 활발한데, 그 중에서 각광받고 있는 것으로 LCD(Liquid Crystal Displays), FED(Feild Emission Displays), ELD(Electroluminescence Device), PDP(Plasma Display Panels) 등이 있다.
이중, 상기 액정표시소자는 콘트라스트(contrast) 비가 크고, 계조 표시나 동화상 표시에 적합하며 전력소비가 적다는 특징 때문에 평판 디스플레이 중에서도 그 비중이 증대되고 있다.
이러한 액정표시소자는 백라이트를 광원으로 이용하는 투과형 액정표시소자와 백라이트를 광원으로 이용하지 않고 외부 자연광을 이용하는 반사형 액정표시소자의 두 종류로 분류할 수 있는데, 상기 투과형 액정표시소자는 어두운 외부환경에서도 밝은 화상 구현이 가능하지만, 전력소모가 크다는 문제점이 있고, 반사형 액정표시소자는 백라이트를 사용하지 않기 때문에 소비전력이 감소하지만, 외부 자연광이 어두울 때에는 사용이 불가능하다는 한계가 있다.
따라서, 시계나 계산기와 같이 전력 소모를 최소화해야 하는 전자 기기에서는 반사형 액정표시소자를 많이 사용하고, 대화면 고품위의 화상표시를 요구하는 노트북 컴퓨터에는 투과형 액정표시소자를 많이 사용하는 것이 일반적이다.
최근에는 상기 반사형 액정표시소자와 투과형 액정표시소자의 단점을 보완한 반투과형 액정표시소자에 대한 연구가 활발한데, 이는 단위 화소영역 내에 반사부와 투과부를 동시에 가지므로 필요에 따라 반사형 및 투과형의 양용이 가능하다.
즉, 백라이트를 사용하지 않고도 표시기능이 가능할 만큼 외부 자연광이 밝을 때에는 상부기판을 통해 입사하는 외부 광을 반사 전극에 의해 반사시켜 반사형 액정표시소자로서 동작하고, 외부 광이 밝지 않을 때에는 백라이트를 사용하며 반사전극의 개방부를 통해 백라이트의 빛이 액정층으로 입사하여 투과형 액정표시소자로서 동작한다.
이때, 반사전극은 반사율 특성이 우수한 도전층으로 형성하는데, 일반적으로 알루미늄 합금(AlNd)을 사용하여 형성한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술의 반투과형 액정표시소자를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 의한 반투과형 액정표시소자의 단면도이고, 도 2는 종래 기술의 문제점을 설명하기 위한 반투과형 액정표시소자의 단면도이며, 도 3은 종래 기술에 의한 반투과형 액정표시소자의 평면사진도이다.
일반적으로, 반투과형 액정표시소자는 각 화소내에 반사부와 투과부가 공존하는 박막트랜지스터 어레이 기판과, 컬러필터층이 형성된 컬러필터 어레이 기판 과, 상기 두 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된다.
소정의 박막트랜지스터 어레이 기판(11)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 투명기판 상에 매트릭스 형태로 형성되어 단위 화소영역을 구분짓는 게이트 배선(도 3의 12) 및 데이터 배선(도 3의 15)과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 부위에 형성된 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(15b)에 전기적으로 연결되어 상기 단위 화소영역의 대부분을 차지하는 투과전극(17)과, 반사부 상에 형성되어 표면이 엠보싱 처리된 유기절연층(16)과, 상기 유기절연층(16) 상에 형성되고 상기 투과전극(17)의 일부에 콘택되어 신호를 인가받는 반사전극(30)으로 구성된다.
이 때, 상기 박막트랜지스터는, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, "??"자형으로 형성되는 반도체층(14)과, 상기 반도체층의 양 끝단에 각각 형성되는 소스/드레인 전극(15a,15b)과, 상기 반도체층이 가로지르는 게이트 배선의 소정영역인 게이트 전극으로 구성된다.
그리고, 상기 투과전극(17) 하부에 커패시터 전극(19)이 더 구비되어, 상기 커패시터 전극(19)과 상기 투과전극(17)의 소정부분과 그 사이에 개재되는 층간절연막(23)이 스토리지 커패시터(Cst)를 구성한다. 상기 커패시터 전극(19)은 상기 게이트 전극(12)과 동일층에 구비된다.
한편, 상기 투과전극은 백라이트광을 투과시키기 위해서 ITO와 같은 투명한 도전물질을 사용하여 형성하고, 상기 반사전극은 외부 자연반사광을 반사시키기 위해 반사율이 높은 알루미늄 합금(AlNd)을 사용하여 형성한다.
그러나, 상기 AlNd는 유기절연층과의 접착특성이 떨어져 반사전극 패터닝시, 도 2에 도시된 바와 같이, 반사전극(30)이 유기절연층(16)으로 쉽게 박리되는 문제점이 있었다.
도 3에 도시된 바와 같이, 사진도에서도 화소 가장자리에 형성되어야 할 반사전극이 필링되어 하부의 드레인 전극(15b)이 유기절연층(투명층)을 통과하여 투시되는 것을 확인할 수 있다.
전술한 바와 같이, 종래 기술에 의한 반투과형 액정표시소자 및 제조방법은 다음과 문제점이 있었다.
즉, 알루미늄 합금(AlNd, Aluminum Neodymium)은 반사율이 높아 반사전극 물질로 적합한 반면, 유기절연층과의 접촉 특성이 떨어져 쉽게 필링되었다.
이러한 필링 현상은 기판 전면에서 발생되었고, 박리된 반사전극용 물질에 의해 장비가 오염되거나 불량에 의해 생산수율이 저하되었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 유기절연층 상부에 반사전극으로 AlNd를 형성함에 있어서, 유기절연층과 AlNd 사이에 유기절연층과의 접착특성이 우수한 도전층을 더 구비하여 AlNd의 필링(peeling)을 방지하고자 하는 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반투과형 액정표시소자는 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자는 반사부와 투과부로 이루어지는 각 화소를 정 의하기 위해 기판 상에 교차 배치되는 복수개의 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 부위에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 반사부에 형성되는 유기절연층과, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 접속되고 상기 유기절연층 상부에 형성되는 제 1 반사전극과, 상기 제 1 반사전극 상에 형성되는 제 2 반사전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반투과형 액정표시소자의 제조방법은 기판 상에 게이트 배선 및 데이터 배선을 수직 교차시켜 반사부와 투과부로 구분되는 화소영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터에 콘택되는 투과전극을 형성하는 단계와, 상기 반사부에 유기절연층을 형성하는 단계와, 상기 유기절연층 상에 유기절연층과의 접착 특성이 우수한 제 1 반사전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 반사전극 상에 반사율이 우수한 제 2 반사전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 단면도이고, 도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이며, 도 6은 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 평면사진도이다.
이하 서술될 내용은 주로 박막트랜지스터 어레이 기판에 관한 것이며, 각 단위 화소가 반사부와 투과부로 구성되어 반사형과 투과형의 기능을 겸한다.
본 발명에 의한 박막트랜지스터 어레이 기판은, 도 4에 도시된 바와 같이, 반사부와 투과부로 이루어지는 각 화소를 정의하기 위해 기판(211) 상에 교차 배치되는 복수개의 게이트 배선(도 6의 212) 및 데이터 배선(도 6의 215)과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 부위에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 반사부에 형성되고 표면이 엠보싱 처리된 유기절연층(216)과, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(215d)에 접속되고 투과부에 형성되는 투과전극(217)과, 상기 유기절연층(216) 상부의 반사부에 형성되고 상기 유기절연층과의 접착 특성이 우수한 제 1 반사전극(229)과, 상기 제 1 반사전극(229) 상에 형성되고 상기 제 1 반사전극과 동일한 패턴으로 형성되는 제 2 반사전극(230)을 포함하여 구성된다. 상기 제 1 ,제 2 반사전극은 상기 유기절연층의 엠보싱 표면처리에 의해 반사요철을 가지게 된다.
이와같이, 유기절연층과의 접착특성이 떨어지는 제 2 반사전극(230)을 유기절연층(216) 상에 바로 형성하지 않고, 그 사이에 유기절연층과의 접착특성이 우수한 제 1 반사전극(229)을 더 구비함으로써, AlNd의 필링 현상을 방지한다. 상기 제 2 반사전극인 AlNd는 반사율이 우수한 도전층이므로 반사전극용 물질로 많이 사용된다.
구체적으로, 상기 제 1 반사전극(229)은 유기절연층과의 접착 특성이 우수한 ITO, Cr, Mo 중 어느 하나로 형성하고, 상기 제 2 반사전극(230)은 반사율이 우수한 AlNd를 사용하여 형성하며, 상기 유기절연층(216)은 포토아크릴(photo-acryl)과 같은 유기절연물질로 형성한다.
따라서, 반사율이 우수한 AlNd가 패터닝 공정시 유기절연층(216)으로부터 박리되는 현상을 방지할 수 있다. 이는 반사전극이 거의 필링되어 하부의 드레인 전 극(15b)이 투시되는 도 3과 반사전극이 필링되지 않아 원형 반사요철이 선명하게 표시되는 도 6으로부터도 그 차이가 확연히 드러난다.
한편, 상기 제 1 ,제 2 반사전극도 박막트랜지스터로부터 신호를 인가받기 위해 박막트랜지스터의 드레인 전극에 콘택되어야 하는데, 도면에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터의 드레인 전극과 반사전극이 상기 투과전극에 의해 연결되어 간접콘택될 수 있다. 상기 투과전극은 각 화소영역 전체에 형성될 수도 있고, 투과부에 한정하여 형성될 수 있다.
그리고, 상기 투과전극에 오버랩되도록 커패시터 전극을 더 구비하여 스토리지 커패시터(Cst)를 구성할 수 있는데, 상기 커패시터 전극은 게이트 전극과 동일층에 구비한다.
상기 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조과정을 살펴보면 다음과 같다.
우선, 도 5a에 도시된 바와 같이, 절연기판(211) 상에 실리콘 산화물(SiOx)과 같은 절연물질을 화학기상증착법 등으로 증착하여 3000Å의 버퍼층(253)을 형성한다. 상기 버퍼층(253)은 후속 공정에서 이물질이 반도체층(244)으로 침투하는 것을 방지하고, 절연기판(211)에 대한 반도체층(244)의 접촉특성을 개선시키는 역할을 한다.
계속하여, 상기 버퍼층(253) 상에 폴리실리콘을 증착하여 반도체층(244)형성한다. 상기 반도체층을 형성하는 방법에는 폴리실리콘을 직접 증착하는 방법과, 비정질 실리콘(Amorphous Silicon)을 증착한 후 다결정으로 결정화하는 방법이 있다.
전자의 방법으로는 550℃이상의 고온상태에서 증착하여야 하는 저압화학기상 증착법(LPCVD법 : Low Pressure Chemical Vapor Deposition)과, 400℃이하에서 SiF4/SiH4/H2 혼합가스를 사용하여 증착하는 플라즈마 화학기상증착(PECVD법 : Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등이 있으며, 후자의 방법으로는 고온에서 장시간 열처리하여 결정화하는 고상결정화법(SPC법 : Solid Phase Crystallization), 250℃ 정도로 가열하면서 엑시머 레이저를 가하여 결정화하는 엑시머 레이저 어닐링법(ELA법 : Eximer Lazer Annealing), 비정질 실리콘층 상부에 금속을 증착하여 결정화를 유도하는 금속유도결정화법(Metal Induced Crystallization) 등이 있다.
다음, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체층(244)을 포함한 전면에 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)등의 무기 절연물질을 PECVD 방법으로 증착하여 게이트 절연막(213)을 형성한다.
그 후, 상기 게이트 절연막(213) 상부에 저저항 금속층 일예로, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등을 증착한 후, 포토식각기술로 패터닝하여 게이트 전극(212) 및 커패시터 전극(219)을 형성한다. 이 때, 상기 게이트 전극(212)은 도시하지는 않았으나, 주사신호를 전달하는 게이트 배선과 동시에 형성한다.
계속하여, 상기 게이트 전극(212)을 마스크로 하여 상기 반도체층(244)에 고농도의 N+ 불순물을 이온주입하고, 이온 주입한 영역을 활성화시킨다. 즉, 인(P) 이온 또는 비소(As) 이온을 상기 반도체층(244)에 도핑함으로써, N+ 도핑층인 소스 /드레인 영역(215a, 215b)을 형성한다. 이 때, N형 이온이 주입되지 않은 반도체층(254)은 채널층(214)이 된다.
그리고, 게이트 전극(212)에 인접한 n+도핑층인 제 1 ,제 2 소스/드레인 영역(215a,215b) 내측에 LDD도핑층을 형성하여, 접합부위에 걸리는 전기장을 감소시켜 오프 전류를 줄일 수도 있다.
다음, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(212)을 포함한 전면에 3000Å 두께의 층간절연막(223)을 형성하고, 포토식각기술로 상기 게이트 절연막(213) 및 층간절연막(223)의 소정 부위를 제거하여 소스/드레인 영역(215a,215b)이 노출되는 콘택홀(281)을 형성한다.
이후, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 콘택홀(281)이 매립되도록 상기 층간절연막(223)을 포함한 전면에 저저항 금속층 일예로, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등을 증착한 후, 포토식각기술로 패터닝하여 소스/드레인 전극(215c,215d)을 형성한다.
이 때, 상기 소스/드레인 전극(215c,215d)은 상기 콘택홀을 통해 상기 소스/드레인 영역(215a,215b)과 접속하며, 상기 소스/드레인 전극(215c,215d)은 도시하지는 않았으나, 데이터 신호를 전달하는 데이터 배선과 동시에 형성된다.
상기 데이터 배선은 상기 게이트 배선과 직교하여 단위 화소영역을 정의하며, 상기 게이트 전극(212), 폴리실리콘 재질의 반도체층(244), 소스/드레인 전극(215c,215d)은 폴리실리콘 박막트랜지스터를 이룬다.
상기 박막트랜지스터를 포함한 전면에 투명한 도전 물질인 ITO( Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 500Å의 두께로 증착한 후, 포토식각기술로 패터닝하여 상기 드레인 전극(215d)과 전기적으로 연결되도록 화소 영역에 투과전극(217)을 형성한다.
상기 투과전극(217)은 투과부에만 형성하거나 또는 화소부 전역에 형성하여도 무방하다. 그리고, 상기 커패시터 전극(219)에 오버랩되도록 형성하여, 상기 커패시터 전극과 투과전극 사이의 층간절연막(217)과 함께 스토리지 커패시터를 구성한다.
이후, 상기 투과전극(217)을 포함한 전면에 포토 아크릴과 같은 유기절연물질을 스핀-코팅 방법으로 도포하여 소정 두께의 유기절연층(216)을 형성한 뒤, 마스크를 이용한 포토식각기술로 일정한 간격의 포토 아크릴 수지 패턴을 복수개 형성하고, 상기 포토아크릴 수지 패턴을 리플로우(reflow)시켜 유기절연층(216) 표면에 반사요철(290)을 형성한다. 상기 유기절연층 패터닝시 유기절연층이 반사부에 한하여 남도록 형성한다.
이어서, 반사요철을 가지는 유기절연층(216)을 포함한 전면에 유기절연층과의 접촉 특성이 우수한 도전물질인 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), ITO 중 어느 하나를 스퍼터링 방법으로 증착하고 패터닝하여 상기 투과전극 일부에 콘택되고 반사부에 한정하여 배치되는 제 1 반사전극(229)을 형성한다.
그리고, 상기 제 1 반사전극(229)을 포함한 전면에 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium)을 증착하고 제 1 반사전극(229)과 동일한 패턴으로 패터닝하여 제 2 반사전극(230)을 형성한다. 즉, 유기절연층과의 접촉 특성이 나쁜 알루미늄 합금을 유기절연층(216) 상부에 바로 형성하지 않고 그 사이에 제 1 반사전극(229)을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 반사전극 및 제 2 반사전극을 형성하는 단계는, 구체적으로, 상기 제 1 ,제 2 반사전극을 차례로 증착하는 단계와, 상기 제 2 반사전극 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 제 2 반사전극 및 제 1 반사전극을 식각하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 스트립하는 단계로 이루어지며, 특히, 상기 제 2 반사전극 및 제 1 반사전극을 식각하는 단계은 동일한 에천트를 사용하여 동시에 식각하거나 또는 서로 다른 에천트를 사용하여 차례대로 식각한다.
상기와 같이 형서된 제 1 ,제 2 반사전극은 유기절연층의 표면을 따라 형성되므로 반사요철을 가지게 되는데, 반사요철은 외부 자연광을 광원으로 사용할 경우, 외부 자연광의 반사각을 국부적으로 변화시켜 시야각을 넓혀주는 역할을 한다.
즉, 각 단위 화소의 반사부에는 고반사율의 금속을 사용하여 반사전극을 형성하고, 투과부에는 투명한 도전물질을 사용하여 투과전극을 형성함으로써 반사형과 투과형의 기능을 겸한다.
이 때, 상기 반사전극 또는 투과전극 중 어느 하나는 폴리실리콘 박막트랜지스터에 접속되어야 하고, 상기 반사전극과 투과전극은 어느 한 지점에서 콘택되어야 한다. 이로써, 반사전극 및 투과전극에 박막트랜지스터의 신호를 동시에 전달할 수 있게 된다.
한편, 상기 반사부와 투과부를 화소영역의 상,하부에 각각 배치하거나 또는, 반사부를 화소영역의 외곽부에 배치하고 투과부를 화소영역의 가운데 부분에 배치할 수도 있다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
즉, 반사요철을 가지는 반사전극을 형성하는 본 발명의 특징은 반투과형 액정표시소자 이외에도, 반사형 액정표시소자에도 적용가능할 것이다.
상기와 같은 본 발명에 따른 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 유기절연층과 반사율이 우수한 반사전극(AlNd) 사이에 유기절연물질과의 접착 특성이 우수한 도전층을 더 구성함으로써 반사율이 우수한 반사전극이 필링되는 현상을 방지할 수 있다.
따라서, 반사전극 필링에 의한 장비 오염을 방지하고, 생산수율을 향상시키게 된다.
그리고, 유기절연층과 반사전극 사이에 더 구비되는 도전층을 상기 반사전극과 동시에 패터닝할 수 있으므로 패터닝 공정의 추가없이 공정을 수행할 수 있다.

Claims (22)

  1. 반사부와 투과부로 이루어지는 각 화소를 정의하기 위해 기판 상에 교차 배치되는 복수개의 게이트 배선 및 데이터 배선과,
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 부위에 형성된 박막트랜지스터와,
    상기 반사부에 형성되는 유기절연층과,
    상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 접속되고 상기 유기절연층 상부에 형성되는 제 1 반사전극과,
    상기 제 1 반사전극 상에 형성되는 제 2 반사전극을 포함하여 구성되며,
    상기 유기절연층 표면이 엠보싱 처리되고,
    상기 제 1 반사전극이 상기 유기절연층의 엠보싱 표면 처리에 의해 반사요철을 가지며 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성되며,
    상기 제 2 반사전극은 AlNd인 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 ,제 2 반사전극은 동일한 패턴인 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기절연층은 포토아크릴인 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 투과부에 상기 드레인 전극에 연결되는 투과전극이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 또는 제 2 반사전극이 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 투과 전극을 통해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 투과전극은 각 화소영역 전체에 형성되거나 투과부에 한정하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.
  11. 기판 상에 게이트 배선 및 데이터 배선을 수직 교차시켜 반사부와 투과부로 구분되는 화소영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와,
    상기 박막트랜지스터에 콘택되는 투과전극을 형성하는 단계와,
    상기 반사부에 유기절연층을 형성하는 단계와,
    상기 유기절연층 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 제 1 반사전극을 형성하는 단계와,
    상기 제 1 반사전극 상에 AlNd로 제 2 반사전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    상기 유기절연층을 형성하는 단계에서,
    상기 유기절연층 표면을 엠보싱 처리하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제 1 반사전극은 상기 유기절연층의 엠보싱 표면 처리에 의해 반사요철을 가지는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 유기절연층은 포토아크릴로 형성하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 ,제 2 반사전극이 상기 박막트랜지스터 또는 투과전극에 콘택되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 게이트 배선 형성시, 상기 투과전극 하부에 오버랩되는 커패시터 전극을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 유기절연층은 상기 박막트랜지스터 및 커패시터 전극에 오버랩되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 반사전극 및 제 2 반사전극을 형성하는 단계는,
    상기 제 1 ,제 2 반사전극을 차례로 증착하는 단계와,
    상기 제 2 반사전극 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 제 2 반사전극 및 제 1 반사전극을 식각하는 단계와,
    상기 포토레지스트 패턴을 스트립하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 제 2 반사전극 및 제 1 반사전극을 식각하는 단계에서,
    동일한 에천트를 사용하여 동시에 식각하거나 또는 서로 다른 에천트를 사용 하여 차례대로 식각하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.
  22. 제 11 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계와,
    상기 반도체층을 포함한 전면에 제 1 절연층을 형성하는 단계와,
    상기 반도체층 상부의 제 1 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와,
    상기 게이트 전극을 마스크로 이용한 불순물 이온주입으로 상기 반도체층에 소스/드레인 영역을 형성하는 단계와,
    상기 게이트 전극을 포함한 전면에 제 2 절연층을 형성하는 단계와,
    상기 제 2 절연층 상에 소스/드레인 영역에 연결되도록 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.
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