KR101106921B1 - Photosensitive paste composition and pattern forming method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 저렴하고, 고정밀 미세한 패턴을 형성할 수 있고, 세라믹, 실리콘 및 유리 기판에 대하여 박막이고 접착 강도가 높은 감광성 페이스트 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다. An object of the present invention is to provide a photosensitive paste composition which is inexpensive, can form a high precision fine pattern, and has a thin film and high adhesive strength for ceramic, silicon and glass substrates.

본 발명은 50 중량% 입경(D50)이 2.0 내지 20.0 ㎛인 알루미늄 분말 (A), 알칼리 가용성 수지 (C), 다관능 (메트)아크릴레이트 (D), 및 광중합 개시제 (E)를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물에 관한 것이다.The present invention contains an aluminum powder (A), alkali-soluble resin (C), polyfunctional (meth) acrylate (D), and a photopolymerization initiator (E) having a 50 wt% particle size (D50) of 2.0 to 20.0 µm. The present invention relates to a photosensitive paste composition.

감광성 페이스트 조성물, 알루미늄 분말, 알칼리 가용성 수지, 다관능 (메트)아크릴레이트, 광중합 개시제, 유리 분말 Photosensitive paste composition, aluminum powder, alkali-soluble resin, polyfunctional (meth) acrylate, photoinitiator, glass powder

Description

감광성 페이스트 조성물 및 패턴 형성 방법{PHOTOSENSITIVE PASTE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD}Photosensitive paste composition and pattern formation method {PHOTOSENSITIVE PASTE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD}

본 발명은 감광성 페이스트 조성물 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 평판 디스플레이 등의 디스플레이 패널, 전자 부품의 고도 실장 재료 및 태양 전지 재료 등에 이용되는 전극을 갖는 회로 기판의 제조에 있어서, 고감도이면서 고정밀도의 패턴을 형성하는 경우에 바람직하게 사용할 수 있는 감광성 페이스트 조성물 및 상기 조성물을 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a photosensitive paste composition and a pattern forming method. More specifically, in the production of circuit boards having electrodes used for display panels such as flat panel displays, high-mount materials for electronic components, solar cell materials, and the like, it can be preferably used for forming highly sensitive and high-precision patterns. It relates to a photosensitive paste composition and a pattern forming method using the composition.

최근 들어, 회로 기판이나 디스플레이 패널에 있어서의 패턴 가공에 대하여, 고밀도화 및 고정밀 미세화의 요구가 높아지고 있다. 이러한 요구가 높아지고 있는 디스플레이 패널 중에서도, 특히 플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「PDP」라고도 함)이나 전계 방출 디스플레이(이하, 「FED」라고도 함) 등의 평판 디스플레이(이하, 「FPD」라고도 함)가 주목받고 있다. In recent years, the demand for high-density and high-precision refinement is increasing about the pattern processing in a circuit board and a display panel. Among the display panels that are increasing in demand, flat panel displays (hereinafter, also referred to as "FPD") such as plasma display panels (hereinafter referred to as "PDP") and field emission displays (hereinafter referred to as "FED") are especially noteworthy. I am getting it.

도 1은 교류형의 PDP의 단면 형상을 도시하는 모식도이다. 도 1에서 101 및 102는 대항 배치된 유리 기판, 103 및 111은 격벽이고, 유리 기판 (101), 유리 기판 (102), 배면 격벽 (103) 및 전방면 격벽 (111)에 의해 셀이 구획 형성되어 있 다. 104는 유리 기판 (101)에 고정된 투명 전극이고, 105는 투명 전극 (104)의 저항을 낮출 목적으로 상기 투명 전극 (104) 상에 형성된 버스 전극이고, 106은 유리 기판 (102)에 고정된 어드레스 전극이다. 107은 셀 내에 보유된 형광 물질이고, 108은 투명 전극 (104) 및 버스 전극 (105)을 피복하도록 유리 기판 (101)의 표면에 형성된 유전체층이고, 109는 어드레스 전극 (106)을 피복하도록 유리 기판 (102)의 표면에 형성된 유전체층이고, 110은 예를 들면 산화 마그네슘을 포함하는 보호층이다. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC PDP. In FIG. 1, 101 and 102 are opposed glass substrates, 103 and 111 are partition walls, and cells are partitioned by the glass substrate 101, the glass substrate 102, the rear partition 103, and the front partition 111. It is. 104 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 101, 105 is a bus electrode formed on the transparent electrode 104 for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode 104, 106 is fixed to the glass substrate 102 It is an address electrode. 107 is a fluorescent material retained in the cell, 108 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 101 to cover the transparent electrode 104 and the bus electrode 105, and 109 is a glass substrate to cover the address electrode 106. It is a dielectric layer formed on the surface of 102, and 110 is a protective layer containing magnesium oxide, for example.

또한, 컬러 FPD에서는 콘트라스트가 높은 화상을 얻기 위해서, 유리 기판과 유전체층 사이에 컬러 필터(적색·녹색·청색)나 블랙매트릭스 등을 설치하는 경우가 있다. Moreover, in color FPD, in order to obtain a high contrast image, a color filter (red, green, blue), a black matrix, etc. may be provided between a glass substrate and a dielectric layer.

최근 들어, FPD에서 대형화 및 고정밀 미세화가 진행되고 있고, 그에 따라 패턴 가공 기술의 향상이 요망되고 있다. 그러나, 패널의 대형화 및 고정밀 미세화에 따른 패턴 정밀도의 요구가 매우 엄격해져서, 종래의 공법인 스크린 인쇄법으로는 대응할 수 없다는 문제가 있다. 따라서, 포토 리소그래피법에 의한 패턴 형성이 이용되고 있다. In recent years, larger size and high precision refinement are progressing in FPD, and accordingly, the improvement of the pattern processing technique is desired. However, there is a problem that the demand for pattern precision due to the enlargement of the panel and the refinement of the high precision becomes very strict, and that the screen printing method, which is a conventional method, cannot cope. Therefore, pattern formation by the photolithography method is used.

상기 포토 리소그래피법에 의한 전극의 제조에서는, 감광성 은페이스트법을 이용함으로써, 스크린 인쇄법으로는 대응할 수 없었던 문제인 대형 및 고정밀 미세한 패턴 형성이 가능해졌다.In the production of the electrode by the photolithography method, by using the photosensitive silver paste method, it becomes possible to form large and high-precision fine patterns, a problem which cannot be coped with by the screen printing method.

그러나, 은은 귀금속이기 때문에 비싸고, 감광성 은페이스트도 비싼 도전성페이스트로 이루어져 있다. 또한, 감광성 은페이스트의 결함으로서, 고온다습 환경 하에서 마이그레이션을 일으키기 쉽고, 은 표면에서 황화가 발생한다는 성질을 들 수 있다. However, silver is expensive because it is a noble metal, and photosensitive silver paste is also composed of expensive conductive paste. Moreover, as a defect of the photosensitive silver paste, it is easy to produce migration in a high temperature and high humidity environment, and the property that sulfidation generate | occur | produces on the silver surface is mentioned.

또한 최근의 비용에 대한 요구로부터, 저렴한 무기 입자 함유 감광성 수지 재료이면서 고정밀 미세한 패턴 가공이 가능한 재료가 요구되고 있다.In addition, from the recent demand for cost, there is a demand for a material capable of high-precision fine pattern processing while being a cheap inorganic particle-containing photosensitive resin material.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술에 수반하는 문제를 해결하고자 하는 것으로서, 저렴하고, 고정밀도의 패턴을 형성할 수 있고, 또한 세라믹, 실리콘 및 유리 기판에 대하여 박막이고 밀착 강도가 높은 감광성 페이스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 상기 감광성 페이스트 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is intended to solve the problems associated with the prior art as described above, and is inexpensive, can form a high precision pattern, and is a thin film and high adhesive strength for ceramic, silicon and glass substrates. The purpose is to provide. Moreover, an object of this invention is to provide the pattern formation method using the said photosensitive paste composition.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 행한 결과 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은 이하의 [1] 내지 [4]에 관한 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors came to complete this invention, as a result of earnestly examining in order to solve the said subject. That is, this invention relates to the following [1]-[4].

[1] 50 중량% 입경(D50)이 2.0 내지 20.0 ㎛인 알루미늄 분말 (A), 알칼리 가용성 수지 (C), 다관능 (메트)아크릴레이트 (D), 및 광중합 개시제 (E)를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물. [1] What contains an aluminum powder (A), alkali-soluble resin (C), polyfunctional (meth) acrylate (D), and photopolymerization initiator (E) having a 50 wt% particle size (D50) of 2.0 to 20.0 μm The photosensitive paste composition characterized by the above-mentioned.

[2] 추가로 50 중량% 입경(D50)이 0.2 내지 4.0 ㎛인 유리 분말 (B)를 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 [1]에 기재된 감광성 페이스트 조성물. [2] The photosensitive paste composition according to the above [1], further comprising a glass powder (B) having a 50 wt% particle size (D50) of 0.2 to 4.0 µm.

[3] 상기 유리 분말 (B)로서, 연화점이 350 내지 700℃인 유리 분말을, 감광성 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.5 내지 15 중량%의 비율로 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 [2]에 기재된 감광성 페이스트 조성물.[3] The photosensitive paste according to the above [2], wherein the glass powder (B) contains a glass powder having a softening point of 350 to 700 ° C. in a proportion of 0.5 to 15% by weight based on the entire photosensitive paste composition. Composition.

[4] 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 감광성 페이스트 조성물을 포함하는 감광성 페이스트층을 기판 상에 형성하는 공정, 상기 페이스트층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하는 공정, 상기 페이스트층을 현상 처리하여 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.[4] A step of forming a photosensitive paste layer comprising the photosensitive paste composition according to any one of the above [1] to [3] on a substrate, a step of exposing the paste layer to form a latent image of a pattern, and the paste. Developing a layer to form a pattern, and firing the pattern.

본 발명의 감광성 페이스트 조성물은 저렴하면서 고정밀 미세한 패턴을 형성할 수 있어, FPD의 배선을 구성하는 부재의 형성, 전자 부품의 고도 실장 재료의 부재의 형성 및 태양 전지의 부재의 형성에 바람직하게 사용할 수 있다.The photosensitive paste composition of the present invention can form an inexpensive and high precision fine pattern, and can be suitably used for the formation of the members constituting the wiring of the FPD, the formation of the member of the high-mounting material of the electronic component, and the formation of the member of the solar cell. have.

이하, 본 발명의 감광성 페이스트 조성물 및 패턴 형성 방법에 관해서 상세히 설명한다. 한편, 이하에서는 상기 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 형성되는, 노광 전의 층을 「감광성 페이스트층」이라고도 한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the photosensitive paste composition and pattern formation method of this invention are demonstrated in detail. In addition, below, the layer before exposure formed using the said photosensitive paste composition is also called "photosensitive paste layer."

[감광성 페이스트 조성물][Photosensitive Paste Composition]

본 발명의 감광성 페이스트 조성물은, 이하에 설명하는 알루미늄 분말 (A), 알칼리 가용성 수지 (C), 다관능 (메트)아크릴레이트 (D) 및 광중합 개시제 (E)를 함유한다. 또한, 상기 감광성 페이스트 조성물에는 유리 분말 (B)나 기타 첨가제를 배합할 수도 있다.The photosensitive paste composition of this invention contains the aluminum powder (A), alkali-soluble resin (C), polyfunctional (meth) acrylate (D), and photoinitiator (E) which are demonstrated below. Moreover, glass powder (B) and other additives can also be mix | blended with the said photosensitive paste composition.

<알루미늄 분말 (A)> <Aluminum Powder (A)>

본 발명에서 이용되는 알루미늄 분말 (A)는 50 중량% 입경(D50)이 2.0 내지 20.0 ㎛이다. 또한, 50 중량% 입경이 5.0 내지 15.0 ㎛인 것이 바람직하다. 알루미늄 분말 (A)의 50 중량% 입경이 상기 범위에 있으면, 자외선 조사 시의 광이 도막의 바닥부까지 충분히 도달하여, 고정밀 미세한 패턴을 얻을 수 있다.The aluminum powder (A) used in the present invention has a 50 wt% particle size (D50) of 2.0 to 20.0 µm. Moreover, it is preferable that 50 weight% particle diameter is 5.0-15.0 micrometers. When 50 weight% particle diameter of an aluminum powder (A) exists in the said range, the light at the time of ultraviolet irradiation reaches to the bottom part of a coating film sufficiently, and a high precision fine pattern can be obtained.

알루미늄 분말 (A)로서는, 예를 들면 FPD를 구성하는 「전극」을 형성하는 경우에는, 알루미늄 분말 및 그 화합물로부터 선택되는 1종 이상의 금속 분말을 들 수 있다. 보다 바람직하게는, 지방산이 포접되어 있는 알루미늄 분말 및 그 화합물로부터 선택되는 1종 이상의 금속 분말을 들 수 있다. 또한, 알루미늄 분말 (A)의 형상에 관해서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 구형상 또는 플레이크 형상의 것을 사용할 수 있다.As an aluminum powder (A), when forming the "electrode" which comprises FPD, for example, 1 or more types of metal powder selected from an aluminum powder and its compound are mentioned. More preferably, at least 1 type of metal powder selected from the aluminum powder in which fatty acid is contained and its compound is mentioned. In addition, the shape of the aluminum powder (A) is not particularly limited. For example, a spherical shape or a flake shape can be used.

상기 지방산으로서는, 예를 들면 부티르산, 발레르산, 카프로산, 에난트산, 카프릴산, 펠라르곤산, 라우르산, 미리스트산, 펜타데실산, 팔미트산, 팔미토일산, 마르가르산, 스테아르산, 올레산, 바센산, 리놀레산, 리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 아라키돈산, 베헨산, 리그노셀렌산, 네르본산, 세로트산, 몬탄산, 멜리스 산 등을 들 수 있다.As said fatty acid, For example, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, caprylic acid, pelagonic acid, lauric acid, myristic acid, pentadecyl acid, palmitic acid, palmitoyl acid, margaric acid, Stearic acid, oleic acid, basenic acid, linoleic acid, linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, arachidonic acid, behenic acid, lignocelenic acid, nerbonic acid, serotic acid, montanic acid, melisic acid and the like.

본 발명에 있어서 알루미늄 분말 (A)의 함유량은, 감광성 페이스트 조성물 전체에 대하여, 통상적으로는 15 내지 70 중량%, 바람직하게는 30 내지 70 중량%, 보다 바람직하게는 35 내지 65 중량%이다. 알루미늄 분말 (A)의 함유량이 상기 범위에 있으면, 도전성이 우수하다.In this invention, content of aluminum powder (A) is 15-70 weight% normally with respect to the whole photosensitive paste composition, Preferably it is 30-70 weight%, More preferably, it is 35-65 weight%. If content of an aluminum powder (A) exists in the said range, it is excellent in electroconductivity.

또한, 본 발명에 있어서 알루미늄 분말 (A)는, 다른 금속(예를 들면, Pt, Au, Ag, Cu, Sn, Ni, Fe, Zn, W, Mo 및 이들의 화합물)을 20 중량% 이내로 함유할 수도 있다.In addition, in this invention, an aluminum powder (A) contains another metal (for example, Pt, Au, Ag, Cu, Sn, Ni, Fe, Zn, W, Mo, and these compounds) within 20 weight%. You may.

<유리 분말 (B)> <Glass Powder (B)>

본 발명에서 바람직하게 이용되는 유리 분말 (B)는, 본 발명의 감광성 페이스트 조성물에 의해 형성되는 소결체의 용도(FPD 부재, 전자 부품의 종류)에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.The glass powder (B) used preferably by this invention can be suitably selected according to the use (FPD member, a kind of electronic component) of the sintered compact formed with the photosensitive paste composition of this invention.

여기서, FPD를 구성하는 「전극」을 형성하기 위한 상기 조성물에 함유되는 유리 분말로서는, 연화점이 바람직하게는 350 내지 700℃, 보다 바람직하게는 400 내지 620℃의 범위 내에 있는 유리 분말을 들 수 있다. 유리 분말의 연화점이 350℃ 미만인 경우에는, 감광성 페이스트층을 노광·현상하여 얻어지는 패턴의 소성 공정에서, 결착 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 분말이 용융되기 때문에, 형성되는 전극 내에 유기 물질의 일부가 잔류하는 경우가 있다. 그 결과, 상기 전극이 착색되어, 그 광투과율이 저하되는 경향이 있다. 한편, 유리 분말의 연화점이 700℃를 초과하는 경우에는, 700℃보다 고온으로 소성할 필요가 있기 때문에, 유리 기판에 변형 등이 발생하기 쉽다.Here, as a glass powder contained in the said composition for forming the "electrode" which comprises FPD, a softening point becomes like this. Preferably, the glass powder exists in the range of 350-700 degreeC, More preferably, 400-620 degreeC. . In the case where the softening point of the glass powder is less than 350 ° C., the electrode is formed because the glass powder is melted in a step in which an organic substance such as a binder resin is not completely decomposed and removed in a baking step of a pattern obtained by exposing and developing the photosensitive paste layer. A part of organic substance may remain in the inside. As a result, the said electrode is colored and its light transmittance tends to fall. On the other hand, when the softening point of glass powder exceeds 700 degreeC, since baking needs to be carried out at higher temperature than 700 degreeC, deformation | transformation etc. are easy to generate | occur | produce in a glass substrate.

바람직한 유리 분말 (B)의 구체예로서는, As a specific example of preferable glass powder (B),

1. 산화연, 산화붕소, 산화규소(PbO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, 1. a mixture of lead oxide, boron oxide, and silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 type ),

2. 산화아연, 산화붕소, 산화규소(ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, 2. a mixture of zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 type ),

3. 산화연, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3계)의 혼합물,3. a mixture of lead oxide, boron oxide, silicon oxide, and aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 system),

4. 산화연, 산화아연, 산화붕소, 산화규소(PbO-ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물,4. a mixture of lead oxide, zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 type ),

5. 산화비스무트, 산화붕소, 산화규소(Bi2O3-B2O3-SiO2계)의 혼합물,5. A mixture of bismuth oxide, boron oxide and silicon oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 system),

6. 산화아연, 산화인, 산화규소(ZnO-P2O5-SiO2계)의 혼합물,6. A mixture of zinc oxide, phosphorus oxide and silicon oxide (ZnO-P 2 O 5 -SiO 2 type ),

7. 산화아연, 산화붕소, 산화칼륨(ZnO-B2O3-K2O계)의 혼합물,7. a mixture of zinc oxide, boron oxide, potassium oxide (ZnO-B 2 O 3 -K 2 O system),

8. 산화인, 산화붕소, 산화알루미늄(P2O5-B2O3-Al2O3계)의 혼합물,8. a mixture of phosphorus oxide, boron oxide and aluminum oxide (P 2 O 5 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 system),

9. 산화아연, 산화인, 산화규소, 산화알루미늄(ZnO-P2O5-SiO2-Al2O3계)의 혼합물,9. a mixture of zinc oxide, phosphorus oxide, silicon oxide, and aluminum oxide (ZnO-P 2 O 5 -SiO 2 -Al 2 O 3 system),

10. 산화아연, 산화인, 산화티탄(ZnO-P2O5-TiO2계)의 혼합물,10. a mixture of zinc oxide, phosphorus oxide and titanium oxide (ZnO-P 2 O 5 -TiO 2 system),

11. 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화칼륨(ZnO-B2O3-SiO2-K2O계)의 혼합물,11.A mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, potassium oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -K 2 O type),

12. 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화칼륨, 산화칼슘(ZnO-B2O3-SiO2-K2O-CaO계)의 혼합물,12. a mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, potassium oxide, calcium oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -K 2 O-CaO system),

13. 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화칼륨, 산화칼슘, 산화알루미늄(ZnO-B2O3-SiO2-K2O-CaO-Al2O3계)의 혼합물,13. A mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, potassium oxide, calcium oxide, aluminum oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -K 2 O-CaO-Al 2 O 3 system),

14. 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄(B2O3-SiO2-Al2O3계)의 혼합물,14. A mixture of boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 system),

15. 산화붕소, 산화규소, 산화나트륨(B2O3-SiO2-Na2O계)의 혼합물 등을 들 수 있다. 이 중에서는, 특히 환경을 배려한 무연 유리가 바람직하다.15. A mixture of boron oxide, silicon oxide, sodium oxide (B 2 O 3 -SiO 2 -Na 2 O system), and the like. Among these, the lead-free glass which considered the environment especially is preferable.

유리 분말 (B)의 함유량은, 예를 들면 전극 부재를 형성하는 경우에는, 감광성 페이스트 조성물 전체에 대하여, 통상적으로는 0.5 내지 35 중량%이다. 바람직하게는 0.5 내지 25 중량%이다. 보다 바람직하게는 1.0 내지 20 중량%이다. 특히 연화점이 350 내지 700℃인 유리 분말을 감광성 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.5 내지 15 중량%의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 1.0 내지 10 중량%의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하다.Content of a glass powder (B) is 0.5-35 weight% normally with respect to the whole photosensitive paste composition, for example when forming an electrode member. Preferably it is 0.5-25 weight%. More preferably, it is 1.0-20 weight%. It is especially preferable to contain the glass powder whose softening point is 350-700 degreeC in the ratio of 0.5-15 weight% with respect to the whole photosensitive paste composition, and it is more preferable to contain it in the ratio of 1.0-10 weight%.

또한, 유리 분말 (B)의 평균 입경은 제조하고자 하는 패턴의 형상을 고려하여 적절하게 선택되는데, 유리 분말 (B)의 50 중량% 입경(D50)이 0.2 내지 4.0 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 50 중량% 입경(D50)이 0.5 내지 3.8 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 또한, 10 중량% 입경(D10)이 0.05 내지 0.5 ㎛, 90 중량% 입경(D90)이 10 내지 20 ㎛인 것이 바람직하다. 유리 분말 (B)의 평균 입경이 상기 범위에 있으면, 자외선 조사 시의 광이 도막의 바닥부까지 충분히 도달하여, 고정 밀 미세한 패턴을 얻을 수 있다.In addition, although the average particle diameter of glass powder (B) is suitably selected in consideration of the shape of the pattern to manufacture, it is preferable that 50 weight% particle size (D50) of glass powder (B) is 0.2-4.0 micrometer. Moreover, it is more preferable that 50 weight% particle diameter (D50) is 0.5-3.8 micrometers. Moreover, it is preferable that 10 weight% particle size (D10) is 0.05-0.5 micrometer, and 90 weight% particle size (D90) is 10-20 micrometer. When the average particle diameter of a glass powder (B) exists in the said range, the light at the time of ultraviolet irradiation reaches to the bottom part of a coating film sufficiently, and a high precision fine pattern can be obtained.

<알칼리 가용성 수지 (C)> <Alkali-soluble resin (C)>

본 발명에서 이용되는 알칼리 가용성 수지 (C)는, 알칼리 가용성이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 본 발명에 있어서 「알칼리 가용성」이란 목적으로 하는 현상 처리가 가능할 정도로 알칼리성의 현상액에 용해되는 성질을 말한다.The alkali-soluble resin (C) used in the present invention is not particularly limited as long as it is alkali-soluble. In addition, in this invention, "alkali solubility" means the property melt | dissolved in an alkaline developing solution to the extent that the target image development process is possible.

알칼리 가용성 수지 (C)로서는 이하의 알칼리 가용성 관능기 함유 단량체 (C1)과 (메트)아크릴산 유도체 (C2)의 공중합체가 바람직하다.As alkali-soluble resin (C), the copolymer of the following alkali-soluble functional group containing monomer (C1) and (meth) acrylic-acid derivative (C2) is preferable.

≪알칼리 가용성 관능기 함유 단량체 (C1)≫`` Alkali-soluble functional group-containing monomer (C1) ''

알칼리 가용성 관능기 함유 단량체 (C1)로서는, (메트)아크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), 2-메타크릴로일옥시에틸프탈산, 2-아크릴로일옥시에틸하이드로겐프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필하이드로겐프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필헥사히드로하이드로겐프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필테트라히드로하이드로겐프탈레이트, ω-카르복시-폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트 등의 카르복실기 함유 단량체류;As the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1), (meth) acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl) , 2-methacryloyloxyethyl phthalate, 2-acryloyloxyethyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropylhydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hexahydrohydrogen phthalate, 2-acrylo Carboxyl group-containing monomers such as yloxypropyltetrahydrohydrophthalphthalate and ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate;

(메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산3-히드록시프로필, (α-히드록시메틸)아크릴레이트 등의 수산기 함유 단량체류; Hydroxyl group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, and (α-hydroxymethyl) acrylate;

o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등의 알칼리 가용성 관능기와 불포화 결합을 갖는 단량체를 들 수 있다.The monomer which has alkali-soluble functional groups and unsaturated bonds, such as phenolic hydroxyl group containing monomers, such as o-hydroxy styrene, m-hydroxy styrene, and p-hydroxy styrene, is mentioned.

이들 단량체중, (메트)아크릴산, 2-메타크릴로일옥시에틸프탈산, 2-아크릴로일옥시에틸하이드로겐프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필하이드로겐프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필헥사히드로하이드로겐프탈레이트, 2-아크릴로일옥시프로필테트라히드로하이드로겐프탈레이트, (메트)아크릴산2-히드록시에틸이 바람직하다.Among these monomers, (meth) acrylic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid, 2-acryloyloxyethylhydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropylhydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hexahydro Hydrogenphthalate, 2-acryloyloxypropyltetrahydrohydrogenphthalate, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylic acid are preferable.

알칼리 가용성 관능기 함유 단량체 (C1)을 공중합함으로써, 수지에 알칼리 가용성을 부여할 수 있다. 이 알칼리 가용성 관능기 함유 단량체 (C1) 유래의 구성 단위의 함유량은, 알칼리 가용성 수지 (C)의 전체 구성 단위 중, 통상적으로는 5 내지 90 중량%, 바람직하게는 10 내지 80 중량%, 특히 바람직하게는 15 내지 70 중량%이다.By copolymerizing an alkali-soluble functional group containing monomer (C1), alkali solubility can be provided to resin. Content of the structural unit derived from this alkali-soluble functional group containing monomer (C1) is 5 to 90 weight% normally in all the structural units of alkali-soluble resin (C), Preferably it is 10 to 80 weight%, Especially preferably, Is 15 to 70% by weight.

≪(메트)아크릴산 유도체 (C2)≫`` (Meth) acrylic acid derivative (C2) ''

(메트)아크릴산 유도체 (C2)로서는, 알칼리 가용성 관능기 함유 단량체 (C1)과 공중합 가능한 (메트)아크릴산 유도체이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 트리틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보로닐(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등의, 상기 단량체 (C1) 이외의 (메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다.The (meth) acrylic acid derivative (C2) is not particularly limited as long as it is a (meth) acrylic acid derivative copolymerizable with an alkali-soluble functional group-containing monomer (C1). For example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n -Butyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl ( Meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, trityl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isoboroyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dish (Meth) acrylates other than the said monomer (C1), such as clofentanyl (meth) acrylate, etc. are mentioned.

또한, 본 발명에서는 (메트)아크릴산 유도체 (C2) 대신에, 또는 (메트)아크릴산 유도체 (C2)에 추가로, 예를 들면 스티렌, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트 등으로부터 얻어지는 중합체의 한쪽의 쇄말단에, (메트)아크릴로일기, 알릴기, 비닐기 등의 중합성 불포화기를 갖는 거대 단량체 등을 이용할 수도 있다.In the present invention, instead of the (meth) acrylic acid derivative (C2) or in addition to the (meth) acrylic acid derivative (C2), for example, styrene, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, benzyl ( The macromonomer etc. which have polymerizable unsaturated groups, such as a (meth) acryloyl group, an allyl group, and a vinyl group, can also be used for one chain end of the polymer obtained from a meth) acrylate.

≪라디칼 중합 개시제≫<< radical polymerization initiator >>

상기 공중합 시에, 라디칼 중합 개시제를 사용하는 것이 바람직하다. 라디칼 중합 개시제로서는, 비닐 단량체의 중합에 이용되는 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-메틸부틸니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 1,1'-아조비스(1-시클로헥산카르보니트릴), 디메틸-2,2'-아조비스이소부티레이트, 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산) 등의 아조 화합물; t-부틸퍼옥시피발레이트, t-부틸퍼옥시2-에틸헥사노에이트, 쿠밀퍼옥시2-에틸헥사노에이트 등의 퍼옥시에스테르류의 유기 과산화물 등을 들 수 있다. 이들 라디칼 중합 개시제는, 1종 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이들 라디칼 중합 개시제의 사용량은 상기 공중합에 사용하는 전체 단량체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부 정도이다.At the time of the said copolymerization, it is preferable to use a radical polymerization initiator. As a radical polymerization initiator, the radical polymerization initiator used for superposition | polymerization of a vinyl monomer can be used. For example, 2,2'- azobisisobutyronitrile, 2,2'- azobis (2-methylbutyl nitrile), 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile), 1 Azo compounds such as 1'-azobis (1-cyclohexanecarbonitrile), dimethyl-2,2'-azobisisobutyrate, and 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid); Organic peroxides, such as peroxy esters, such as t-butyl peroxy pivalate, t-butyl peroxy 2-ethylhexanoate, and cumyl peroxy 2-ethylhexanoate, etc. are mentioned. These radical polymerization initiators may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. The usage-amount of these radical polymerization initiators is about 0.1-10 weight part with respect to 100 weight part of all monomers used for the said copolymerization.

≪연쇄 이동제≫≪Chain Transfer Agent≫

상기 공중합 시에 연쇄 이동제를 사용할 수도 있다. 연쇄 이동제로서는, 예를 들면 α-메틸렌스티렌 이량체, t-도데실머캅탄, 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토프로피온산), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 1,4-비스(3-머 캅토부티릴옥시)부탄 등을 들 수 있다.A chain transfer agent can also be used at the time of the said copolymerization. Examples of the chain transfer agent include α-methylene styrene dimer, t-dodecyl mercaptan, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionic acid), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), 1,4- Bis (3-mer capto butyryloxy) butane etc. are mentioned.

상기 연쇄 이동제의 사용량은, 상기 공중합에 사용하는 전체 단량체 100 중량부에 대하여, 통상적으로는 0.1 내지 10 중량부 정도이다. The usage-amount of the said chain transfer agent is about 0.1-10 weight part normally with respect to 100 weight part of all monomers used for the said copolymerization.

알칼리 가용성 수지 (C)의 중량 평균 분자량(이하 「Mw」라고도 함)은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산치로, 바람직하게는 5000 내지 100000, 보다 바람직하게는 10000 내지 80000이다. Mw는 상기 단량체의 공중합 비율, 연쇄 이동제, 중합 온도 등의 조건을 적절하게 선택함으로써 제어할 수 있다. Mw가 상기 범위보다 낮으면, 현상 후의 막 거칠어짐이 발생하기 쉬워지고, 또한 Mw가 상기 범위를 초과하면, 미노광부의 현상액에 대한 용해성이 저하되어 해상도가 저하되는 경우가 있다.The weight average molecular weight (also called "Mw") of alkali-soluble resin (C) is polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC), Preferably it is 5000-100000, More preferably, it is 10000-80000. . Mw can be controlled by appropriately selecting conditions such as a copolymerization ratio of the monomer, a chain transfer agent, and a polymerization temperature. When Mw is lower than the said range, film | membrane roughness after image development will become easy to occur, and when Mw exceeds the said range, the solubility to the developing solution of an unexposed part may fall and the resolution may fall.

알칼리 가용성 수지 (C)의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 0 내지 120℃, 보다 바람직하게는 10 내지 100℃이다. 유리 전이 온도가 상기 범위보다 낮으면, 도막에 태크를 발생시키기 쉬워, 핸들링하기 어려운 경향이 있다. 또한, 유리 전이 온도가 상기 범위를 초과하면, 감광성 페이스트층과 지지체인 유리 기판 등의 밀착성이 나빠져서, 후술하는 전사 필름을 이용하는 경우에는, 상기 페이스트층을 전사할 수 없는 경우가 있다. 또한, 유리 전이 온도는, 알칼리 가용성 관능기 함유 단량체 (C1) 및 (메트)아크릴산 유도체 (C2)의 양을 변경함으로써 적절하게 조절할 수 있다.The glass transition temperature (Tg) of alkali-soluble resin (C) becomes like this. Preferably it is 0-120 degreeC, More preferably, it is 10-100 degreeC. When the glass transition temperature is lower than the above range, it is easy to generate a tag in the coating film and tends to be difficult to handle. Moreover, when glass transition temperature exceeds the said range, adhesiveness of the photosensitive paste layer and the glass substrate which is a support body worsens, and when using the transfer film mentioned later, the said paste layer may not be able to be transferred. In addition, glass transition temperature can be suitably adjusted by changing the quantity of alkali-soluble functional group containing monomer (C1) and (meth) acrylic-acid derivative (C2).

알칼리 가용성 수지 (C)의 산가는, 바람직하게는 20 내지 200 mgKOH/g, 보다 바람직하게는 30 내지 160 mgKOH/g이다. 산가가 20 mgKOH/g 미만이면 노광 후의 미노광 부분이 빠르게 알칼리 현상액으로 제거되기 어려워, 고정밀 미세한 패턴 형성이 곤란해지는 경향이 있다. 또한, 산가가 200 mgKOH/g을 초과하면, 노광광에 의해서 경화된 부분도 알칼리 현상액에 침식되기 쉬워져서, 고정밀 미세한 패턴 형성이 곤란해지는 경향이 있다.The acid value of alkali-soluble resin (C) becomes like this. Preferably it is 20-200 mgKOH / g, More preferably, it is 30-160 mgKOH / g. If the acid value is less than 20 mgKOH / g, the unexposed portion after the exposure is difficult to be quickly removed by the alkaline developer, and there is a tendency that high-precision fine pattern formation becomes difficult. Moreover, when the acid value exceeds 200 mgKOH / g, the part hardened by exposure light also becomes easy to erode by alkaline developing solution, and it exists in the tendency which high precision fine pattern formation becomes difficult.

본 발명의 감광성 페이스트 조성물에 있어서, 감광성 수지 성분이란, 상기 조성물로부터 무기 입자를 제외한 부분, 즉 감광성 기능을 갖는 유기 성분 전체를 말한다. 여기서, 상기 무기 입자란 알루미늄 분말 (A)나 유리 분말 (B) 등을 가리킨다.In the photosensitive paste composition of this invention, the photosensitive resin component means the part except the inorganic particle from the said composition, ie, the whole organic component which has a photosensitive function. Here, the said inorganic particle refers to aluminum powder (A), glass powder (B), etc.

상기 감광성 수지 성분에는, 알칼리 가용성 수지 (C), 다관능 (메트)아크릴레이트 (D), 광중합 개시제 (E)가 포함되고, 또한 증감제, 증감 보조제, 유기계의 자외선 흡수제, 중합 금지제, 산화 방지제, 가소제, 증점제, 유기 용매, 밀착 보조제, 용해 촉진제, 분산제, 각 성분의 침강 방지제, 레벨링제 등의 첨가제 성분을 첨가할 수 있다.Alkali-soluble resin (C), polyfunctional (meth) acrylate (D), a photoinitiator (E) are contained in the said photosensitive resin component, Furthermore, a sensitizer, a sensitizer, an organic ultraviolet absorber, a polymerization inhibitor, and oxidation Additive components, such as an inhibitor, a plasticizer, a thickener, an organic solvent, an adhesion | attachment adjuvant, a dissolution promoter, a dispersing agent, an antisettling agent of each component, a leveling agent, can be added.

본 발명의 감광성 페이스트 조성물은, 5 내지 90 중량%의 감광성 수지 성분과 95 내지 10 중량%의 무기 입자를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive paste composition of this invention contains 5 to 90 weight% of the photosensitive resin component and 95 to 10 weight% of inorganic particle.

<다관능 (메트)아크릴레이트 (D)> <Multifunctional (meth) acrylate (D)>

본 발명의 감광성 페이스트 조성물에는 감광성 성분이 포함된다. 상기 감광성 성분으로서는 일반적으로 광불용화형인 것과 광가용화형인 것이 있다.The photosensitive paste composition of this invention contains a photosensitive component. As said photosensitive component, there exist generally a photoinsoluble type and a photo-solubilization type.

광불용화형인 것으로서는 (i) 분자 내에 불포화기 등을 1개 이상 갖는 감광성 단량체 또는 올리고머를 함유하는 것, (ii) 방향족 디아조 화합물, 방향족 아지 드 화합물, 유기 할로겐 화합물 등의 감광성 화합물을 함유하는 것, (iii) 디아조계 아민과 포름알데히드의 축합물 등의 소위 디아조 수지라고 불리는 것 등이 있다.As a photoinsoluble type, (i) a photosensitive monomer or oligomer containing at least one unsaturated group or the like in a molecule thereof, and (ii) a photosensitive compound such as an aromatic diazo compound, an aromatic azide compound or an organic halogen compound And (iii) so-called diazo resins such as condensates of diazo amines and formaldehydes.

광가용화형인 것으로서는 (iv) 디아조 화합물의 무기산이나 유기산의 착체, 퀴논디아조류를 함유하는 것, (v) 퀴논디아조류를 적당한 중합체 결합제와 결합시킨 것, 예를 들면 페놀 수지의 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-술폰산에스테르 등이 있다.As photo-solubilizable, (iv) complexes of inorganic or organic acids of diazo compounds, containing quinone diazos, (v) quinone diazos combined with a suitable polymeric binder, e.g. naphthoquinones of phenol resins -1,2-diazide-5-sulfonic acid ester, and the like.

본 발명에서는 상기한 모든 것을 사용할 수 있지만, 상기 무기 입자와 혼합하여 간편하게 사용할 수 있는 점에서, 상기 (i)로 분류되는 다관능 (메트)아크릴레이트가 필수 성분으로서 이용된다. In the present invention, all of the above-mentioned materials can be used, but since it can be conveniently used by mixing with the said inorganic particle, the polyfunctional (meth) acrylate classified into said (i) is used as an essential component.

본 발명에서 이용되는 다관능 (메트)아크릴레이트 (D)로서는, 구체적으로는 알릴화 시클로헥실디(메트)아크릴레이트, 2,5-헥산디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, 메톡시화시클로헥실디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리글리세롤디(메트)아크릴레이트 등의 디(메트)아크릴레이트류;Specific examples of the polyfunctional (meth) acrylate (D) used in the present invention include allylated cyclohexyldi (meth) acrylate, 2,5-hexanedi (meth) acrylate, and 1,4-butanedioldi ( Meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol Di (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, methoxylated cyclohexyldi (meth) acrylate, neopentyl glycoldi (meth) acrylate, propylene glycoldi (meth) acrylate, polypropylene glycol di ( Di (meth) acrylates such as meth) acrylate and triglycerol di (meth) acrylate;

펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 PO 변성 트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 EO 변성 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 벤질머캅탄(메트)아크릴레이트 등의 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트류;Pentaerythritol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane (meth) acrylate, trimethylolpropane PO modified tri (meth) acrylate, trimethylolpropane EO modified tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth 3) such as acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and benzyl mercaptan (meth) acrylate Functional or more (meth) acrylates;

상기 화합물 중의 방향환의 수소 원자 중, 1 내지 5개를 염소 또는 브롬 원자로 치환한 단량체 등을 들 수 있다. 이들 다관능 (메트)아크릴레이트 (D)는 1종 단독으로 이용하거나, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.The monomer etc. which substituted 1-5 with the chlorine or bromine atom among the hydrogen atoms of the aromatic ring in the said compound are mentioned. These polyfunctional (meth) acrylates (D) may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

본 발명의 감광성 페이스트 조성물에 있어서, 다관능 (메트)아크릴레이트 (D)는, 광에 대한 감도 면에서, 상기 감광성 수지 성분 전체에 대하여, 바람직하게는 10 중량% 이상, 보다 바람직하게는 15 내지 60 중량%가 되는 양으로 이용된다. 다관능 (메트)아크릴레이트 (D)의 함유량이 상기 범위를 초과하면, 소성 후의 디스플레이 패널용 부재의 형상이 열화되는 경우가 있다.In the photosensitive paste composition of the present invention, in terms of sensitivity to light, the polyfunctional (meth) acrylate (D) is preferably 10% by weight or more, more preferably 15 to 15, based on the entire photosensitive resin component. It is used in the quantity used as 60 weight%. When content of a polyfunctional (meth) acrylate (D) exceeds the said range, the shape of the member for display panels after baking may deteriorate.

또한, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 다관능 (메트)아크릴레이트 (D)와 함께, 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, 염소화스티렌, 브롬화스티렌, α-메틸스티렌, 염소화 α-메틸스티렌, 브롬화 α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌, 카르복시메틸스티렌, 비닐나프탈렌, 비닐안트라센, 비닐카르바졸, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈 등을 이용할 수도 있다.In addition, in the range which does not impair the objective of this invention, with polyfunctional (meth) acrylate (D), styrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, chlorinated styrene, styrene bromide, (alpha) -Methylstyrene, chlorinated α-methylstyrene, brominated α-methylstyrene, chloromethylstyrene, hydroxymethylstyrene, carboxymethylstyrene, vinylnaphthalene, vinylanthracene, vinylcarbazole, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 1-vinyl-2-pyrrolidone, etc. can also be used.

<광중합 개시제 (E)> <Photoinitiator (E)>

본 발명에서 이용되는 광중합 개시제 (E)로서는, 예를 들면 벤조페논, o-벤 조일벤조산메틸, 4,4-비스(디메틸아민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 4-이소프로필티오크산톤, 1-클로로-4-프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탄올, 벤질메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조수베론, 메틸렌안트론, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥사논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논, 2-페닐-1,2-부타디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(o-벤조일)옥심, 미힐러 케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부타논-1, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2'-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 나프탈렌술포닐클로라이드, 퀴놀린 술포닐클로라이드, N-페닐티오아크리돈, 4,4-아조비스이소부티로니트릴, 디페닐디술피드, 벤즈티아졸디술피드, 트리페닐호르핀, 캄포퀴논, 사브롬화탄소, 트리브로모페닐술폰, 과산화벤조인 및 에오신이나 메틸렌블루 등의 광환원성의 색소와 아스 코르브산이나 트리에탄올아민 등의 환원제와의 조합 등을 들 수 있다. 광중합 개시제 (E)는 1종 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.As a photoinitiator (E) used by this invention, a benzophenone, methyl o-benzyl benzoate, 4, 4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4, 4-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl-4-methyldiphenylketone, dibenzylketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylaceto Phenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, 2-isopropyl thioxanthone, 4-iso Propyl thioxanthone, 1-chloro-4-propyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, benzyldimethyl ketanol, benzylmethoxyethyl acetal, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin butyl ether, Anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzosuberon, methyleneanthrone, 4-azidebenzalacetophenone , 2,6-bis (p-azidebenzylidene) cyclohexanone, 2,6-bis (p-azidebenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-1,2-butadione- 2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycar Bonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propanetrione-2- (o-benzoyl) oxime, Michler's ketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholine No-1-propane-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1 -One, 2,2'-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphineoxide, 2,4 , 6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphineoxide, naphthalenesulfonylchloride, quinoline sulfonylchloride, N-phenylthioacridone, 4,4 -Azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide And photoreducing pigments such as benzthiazol disulfide, triphenylhorphine, camphorquinone, carbon tetrabromide, tribromophenylsulfone, benzoin peroxide and eosin and methylene blue, and reducing agents such as ascorbic acid and triethanolamine; And combinations thereof. A photoinitiator (E) may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

광중합 개시제 (E)의 함유량은, 다관능 (메트)아크릴레이트 (D) 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 1 내지 50 중량부, 보다 바람직하게는 2 내지 40 중량부이다. 광중합 개시제 (E)의 함유량이 상기 범위를 초과하면, 소성 후의 디스플레이 패널용 부재의 형상이 열화하는 경우가 있다.Content of a photoinitiator (E) becomes like this. Preferably it is 1-50 weight part, More preferably, it is 2-40 weight part with respect to 100 weight part of polyfunctional (meth) acrylates (D). When content of a photoinitiator (E) exceeds the said range, the shape of the member for display panels after baking may deteriorate.

<자외선 흡수제> <Ultraviolet absorber>

본 발명에 있어서, 감광성 페이스트 조성물 내에 자외선 흡수제를 첨가하는 것도 유효하다. 자외선 흡수 효과가 높은 화합물을 첨가함으로써, 고종횡비, 고정밀 미세, 고해상도의 패턴이 얻어진다. 자외선 흡수제로서는, 유기계 염료 또는 무기계 안료를 사용할 수 있고, 그 중에서도 350 내지 450 nm의 파장 범위에서 고 UV 흡수계수를 갖는 유기계 염료 또는 무기계 안료가 바람직하게 이용된다.In this invention, it is also effective to add a ultraviolet absorber in the photosensitive paste composition. By adding a compound with a high ultraviolet absorption effect, a high aspect ratio, high precision fine, and a high resolution pattern are obtained. As the ultraviolet absorber, an organic dye or an inorganic pigment can be used, and among these, an organic dye or an inorganic pigment having a high UV absorption coefficient in the wavelength range of 350 to 450 nm is preferably used.

구체적으로는, 아조계 염료, 아미노케톤계 염료, 크산텐계 염료, 퀴놀린계 염료, 아미노케톤계 염료, 안트라퀴논계 염료, 벤조페논계 염료, 디페닐시아노아크릴레이트계 염료, 트리아진계 염료, p-아미노벤조산계 염료 등의 유기계 염료; 산화아연, 산화티탄, 산화세륨 등의 무기계 안료를 사용할 수 있다. 이 중에서는, 예를 들면 본 발명의 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 절연막을 형성하는 경우, 유기계 염료는 소성 후의 절연막 내에 잔존하지 않기 때문에, 절연막 특성의 저하를 적게 할 수 있기 때문에 바람직하지만, FPD의 신뢰성 측면에서, 산화아연, 산화티탄, 산화세륨 등의 무기계 안료가 보다 바람직하다.Specifically, azo dyes, amino ketone dyes, xanthene dyes, quinoline dyes, amino ketone dyes, anthraquinone dyes, benzophenone dyes, diphenylcyanoacrylate dyes, triazine dyes, p Organic dyes such as aminobenzoic acid dyes; Inorganic pigments, such as zinc oxide, titanium oxide, and cerium oxide, can be used. Among these, for example, when the insulating film is formed using the photosensitive paste composition of the present invention, since organic dyes do not remain in the insulating film after firing, since the deterioration of the insulating film properties can be reduced, the reliability of the FPD is preferable. In view of the above, inorganic pigments such as zinc oxide, titanium oxide and cerium oxide are more preferable.

무기계 안료는, 유리 분말 (B) 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.001 내지 5 중량부, 보다 바람직하게는 0.01 내지 1 중량부의 범위가 되는 양으로 첨가할 수 있다. 0.001 중량부 미만이면 자외선 흡수제의 첨가 효과가 감소하고, 5 중량부를 초과하면 자외선 흡수제의 효과가 커서 막의 하부까지 광이 닿지 않게 되어, 패턴을 형성할 수 없게 되는 경우나 성막 강도가 유지되지 않는 경우가 있다.The inorganic pigment may be added in an amount of preferably 0.001 to 5 parts by weight, more preferably 0.01 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the glass powder (B). If the amount is less than 0.001 part by weight, the effect of adding the ultraviolet absorber is decreased. If the amount is more than 5 parts by weight, the effect of the ultraviolet absorber is so great that light does not reach the lower part of the film. There is.

<증감제> <Sensitizer>

본 발명의 감광성 페이스트 조성물에는 노광 감도를 향상시키기 위해서 증감제를 첨가할 수도 있다. 증감제로서는, 예를 들면 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 4-이소프로필티오크산톤, 1-클로로-4-프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜타논, 2,6-비스(4-디메틸아미니벤잘)시클로헥사논, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 미힐러 케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)-벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)-이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐-비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐-비스(7-디에틸아미노쿠마린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, N-페닐에탄올아민, 디메틸아미노벤조산이소아밀, 디에틸아미노벤조산이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오테트라졸, 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오테트라졸 등을 들 수 있다.A sensitizer can also be added to the photosensitive paste composition of this invention in order to improve exposure sensitivity. As a sensitizer, 2-methyl thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, 2-isopropyl thioxanthone, 4-isopropyl thioxanthone, 1-chloro-4- propyl thioxanthone, 2, 4-diethyl thioxanthone, 2,3-bis (4-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis (4-dimethylaminibenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4- Dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4-bis (diethylamino) -benzophenone, 4,4-bis (dimethylamino) chalcone, 4,4-bis (diethylamino ) Calcon, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) -isonnaphthothiazole, 1,3-bis (4-dimethylaminobenzal Acetone, 1,3-carbonyl-bis (4-diethylaminobenzal) acetone, 3,3-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), N-phenyl-N-ethylethanolamine, N- Phenylethanolamine, N-tolyl diethanolamine, N-phenylethanolamine, dimethylamino This premature birth and the like can be mentioned isoamyl, diethylamino benzoic acid isoamyl, 3-phenyl-5-benzoyl-thio-tetrazole, 1-phenyl-5-ethoxycarbonyl-thio-tetrazole.

상기 증감제는, 1종 단독으로 이용하거나, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. 또한, 증감제 중에는 광중합 개시제로서도 사용할 수 있는 것이 있다. 상기 증감제는, 상기 무기 입자에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 5 중량%, 보다 바람직하게는 0.05 내지 3 중량%의 범위가 되는 양으로 첨가할 수 있다. 증감제의 양이 너무 적으면, 광 감도를 향상시키는 효과가 발휘되지 않는 경우가 있고, 증감제의 양이 너무 많으면, 노광부의 잔존율이 너무 작아지는 경우가 있다.The said sensitizer may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. In addition, some sensitizers can be used also as a photoinitiator. The sensitizer can be added to the inorganic particles in an amount of preferably 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.05 to 3% by weight. If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the light sensitivity may not be exhibited. If the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.

<중합 금지제> <Polymerization inhibitor>

본 발명의 감광성 페이스트 조성물에는, 보존시의 열 안정성을 향상시키기 위해서, 중합 금지제를 첨가할 수도 있다. 중합 금지제로서는, 예를 들면 히드로퀴논, 히드로퀴논의 모노에스테르화물, N-니트로소디페닐아민, 페노티아진, p-t-부틸카테콜, N-페닐나프틸아민, 2,6-디-t-부틸-p-메틸페놀, 클로라닐, 피로갈롤 등을 들 수 있다. 중합 금지제는, 감광성 페이스트 조성물 내에, 바람직하게는 0.001 내지 1 중량%의 범위가 되는 양으로 첨가할 수 있다.In order to improve the thermal stability at the time of storage, you may add a polymerization inhibitor to the photosensitive paste composition of this invention. As the polymerization inhibitor, for example, hydroquinone, monoester of hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, phenothiazine, pt-butylcatechol, N-phenylnaphthylamine, 2,6-di-t-butyl- p-methylphenol, chloranyl, pyrogallol and the like. The polymerization inhibitor can be added to the photosensitive paste composition in an amount preferably in the range of 0.001 to 1% by weight.

<산화 방지제> Antioxidant

본 발명의 감광성 페이스트 조성물에는, 보존 시에서의 알칼리 가용성 수지 (C)의 산화를 막기 위해서, 산화 방지제를 첨가할 수도 있다. 산화 방지제로서는, 예를 들면 2,6-디-t-부틸-p-크레졸, 부틸화 히드록시아니솔, 2,6-디-t-4-에틸페놀, 2,2-메틸렌-비스-(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2-메틸렌-비스-(4-에틸-6-t-부틸페놀), 4,4-비스-(3-메틸-6-t-부틸페놀), 1,1,3-트리스-(2-메틸-6-t-부틸페놀), 1,1,3-트리스-(2-메틸-4-히드록시-t-부틸페닐)부탄, 비스[3,3-비스-(4-히드록시-3-t-부틸페닐)부티르산]글리콜에스테르, 디라우릴티오디프로피오네이트, 트리페닐포스파이트 등을 들 수 있다. 산화 방지제는 감광성 페이스트 조성물 내에 바람직하게는 0.001 내지 1 중량%의 범위가 되는 양으로 첨가할 수 있다.In order to prevent the oxidation of alkali-soluble resin (C) at the time of storage, you may add antioxidant to the photosensitive paste composition of this invention. As antioxidant, a 2, 6- di-t- butyl- p-cresol, a butylated hydroxyanisole, 2, 6- di-t- 4-ethylphenol, 2, 2-methylene-bis- ( 4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2-methylene-bis- (4-ethyl-6-t-butylphenol), 4,4-bis- (3-methyl-6-t-butylphenol ), 1,1,3-tris- (2-methyl-6-t-butylphenol), 1,1,3-tris- (2-methyl-4-hydroxy-t-butylphenyl) butane, bis [ 3,3-bis- (4-hydroxy-3-t-butylphenyl) butyric acid] glycol ester, dilauryl thiodipropionate, triphenyl phosphite, etc. are mentioned. The antioxidant can be added to the photosensitive paste composition in an amount preferably in the range of 0.001 to 1% by weight.

<유기 용매> <Organic solvent>

본 발명의 감광성 페이스트 조성물에는, 용액의 점도를 조정하기 위해서, 유기 용매를 가할 수도 있다. 유기 용매로서는, 예를 들면 테르피네올, 디히드로테르피네올, 디히드로타피네닐아세테이트, 리모넨, 카르베올, 카르비닐아세테이트, 시트로넬롤, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메톡시프로필아세테이트, 메틸에틸케톤, 디옥산, 아세톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 이소부틸알코올, 이소프로필알코올, 테트라히드로푸란, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 브로모벤젠, 클로로벤젠, 디브로모벤젠, 디클로로벤젠, 브로모벤조산, 클로로벤조산 등을 들 수 있다. 상기 유기 용매는 1종 단독으로 이용하거나 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다.In order to adjust the viscosity of a solution, you may add an organic solvent to the photosensitive paste composition of this invention. Examples of the organic solvent include terpineol, dihydroterpineol, dihydrotapinenyl acetate, limonene, carveol, carvinylacetate, citronellol, diethylene glycol monoethyl ether acetate, and diethylene glycol monobutyl Ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methoxypropyl acetate, methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclo Pentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, bromobenzene, chlorobenzene, dibromobenzene, dichlorobenzene, bromobenzoic acid, chlorobenzoic acid and the like. have. The said organic solvent may be used individually by 1 type, or may mix and use 2 or more types.

<밀착 보조제> <Adhesion aid>

본 발명의 감광성 페이스트 조성물에는 감광성 페이스트층과 지지체의 밀착성을 향상시키기 위해서 밀착 보조제를 추가할 수도 있다. 밀착 보조제로서는 실란 화합물이 바람직하게 이용된다. 실란 화합물의 구체예로서는 n-프로필디메틸메톡시실란, n-부틸디메틸메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-이코산디메틸메톡시실란, n-프로필디에틸메톡시실란, n-부틸디에틸메 톡시실란, n-데실디에틸메톡시실란, n-헥사데실디에틸메톡시실란, n-이코산디에틸메톡시실란, n-부틸디프로필메톡시실란, n-데실디프로필메톡시실란, n-헥사데실디프로필메톡시실란, n-이코산디프로필메톡시실란, n-프로필디메틸에톡시실란, n-부틸디메틸에톡시실란, n-데실디메틸에톡시실란, n-헥사데실디메틸에톡시실란, n-이코산디메틸에톡시실란, n-프로필디에틸에톡시실란, n-부틸디에틸에톡시실란, n-데실디에틸에톡시실란, n-헥사데실디에틸에톡시실란, n-이코산디에틸에톡시실란, n-부틸디프로필에톡시실란, n-데실디프로필에톡시실란, n-헥사데실디프로필에톡시실란, n-이코산디프로필에톡시실란, n-프로필디메틸프로폭시실란, n-부틸디메틸프로폭시실란, n-데실디메틸프로폭시실란, n-헥사데실디메틸프로폭시실란, n-이코산디메틸프로폭시실란, n-프로필디에틸프로폭시실란, n-부틸디에틸프로폭시실란, n-데실디에틸프로폭시실란, n-헥사데실디에틸프로폭시실란, n-이코산디에틸프로폭시실란, n-부틸디프로필 프로폭시실란, n-데실디프로필 프로폭시실란, n-헥사데실디프로필 프로폭시실란, n-이코산디프로필 프로폭시실란, n-프로필메틸디메톡시실란, n-부틸메틸디메톡시실란, n-데실메틸디메톡시실란, n-헥사데실메틸디메톡시실란, n-이코산메틸디메톡시실란, n-프로필에틸디메톡시실란, n-부틸에틸디메톡시실란, n-데실에틸디메톡시실란, n-헥사데실에틸디메톡시실란, n-이코산에틸디메톡시실란, n-부틸프로필디메톡시실란, n-데실프로필디메톡시실란, n-헥사데실프로필디메톡시실란, n-이코산프로필디메톡시실란, n-프로필메틸디에톡시실란, n-부틸메틸디에톡시실란, n-데실메틸디에톡시실란, n-헥사데실메틸디에톡시실란, n-이코산메틸디에톡시실란, n-프로필에틸디에톡시실란, n-부틸에틸디에톡시실란, n-데실에틸디에톡 시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-이코산에틸디에톡시실란, n-부틸프로필디에톡시실란, n-데실프로필디에톡시실란, n-헥사데실프로필디에톡시실란, n-이코산프로필디에톡시실란, n-프로필메틸디프로폭시실란, n-부틸메틸디프로폭시실란, n-데실메틸디프로폭시실란, n-헥사데실메틸디프로폭시실란, n-이코산메틸디프로폭시실란, n-프로필에틸디프로폭시실란, n-부틸에틸디프로폭시실란, n-데실에틸디프로폭시실란, n-헥사데실에틸디프로폭시실란, n-이코산에틸디프로폭시실란, n-부틸프로필디프로폭시실란, n-데실프로필디프로폭시실란, n-헥사데실프로필디프로폭시실란, n-이코산프로필디프로폭시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란, n-이코산트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-이코산트리에톡시실란, n-프로필트리프로폭시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란, n-이코산트리프로폭시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, N-(1,3-디메틸부틸리덴)-3-(트리에톡시실릴)-1-프로판아민, N,N'-비스-[3-(트리메톡시실릴)프로필]에틸렌디아민 등을 들 수 있다.In order to improve the adhesiveness of the photosensitive paste layer and a support body, you may add an adhesion | attachment adjuvant to the photosensitive paste composition of this invention. As the adhesion aid, a silane compound is preferably used. Specific examples of the silane compound include n-propyldimethylmethoxysilane, n-butyldimethylmethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n-hexadecyldimethylmethoxysilane, n-icosane dimethylmethoxysilane, n-propyl Diethyl methoxysilane, n-butyldiethyl methoxysilane, n-decyldiethylmethoxysilane, n-hexadecyldiethylmethoxysilane, n- icosane diethylmethoxysilane, n-butyldipropylmethoxy Silane, n-decyldipropylmethoxysilane, n-hexadecyldipropylmethoxysilane, n-icosane dipropylmethoxysilane, n-propyldimethylethoxysilane, n-butyldimethylethoxysilane, n-decyldimethyl Ethoxysilane, n-hexadecyldimethylethoxysilane, n-diacid diethylethoxysilane, n-propyldiethylethoxysilane, n-butyldiethylethoxysilane, n-decyldiethylethoxysilane, n Hexadecyldiethylethoxysilane, n-diethyl ethoxysilane, n-butyldipropylethoxysilane, n-decyldipropylethoxysilane, n Hexadecyldipropylethoxysilane, n-icosane dipropylethoxysilane, n-propyldimethylpropoxysilane, n-butyldimethylpropoxysilane, n-decyldimethylpropoxysilane, n-hexadecyldimethylpropoxysilane , n-dimethyl dipropoxysilane, n-propyldiethylpropoxysilane, n-butyldiethylpropoxysilane, n-decyldiethylpropoxysilane, n-hexadecyldiethylpropoxysilane, n-ico Acid diethyl propoxysilane, n-butyldipropyl propoxysilane, n-decyldipropyl propoxysilane, n-hexadecyldipropyl propoxysilane, n-icosane dipropyl propoxysilane, n-propylmethyldimethoxysilane , n-butylmethyldimethoxysilane, n-decylmethyldimethoxysilane, n-hexadecylmethyldimethoxysilane, n-icosane methyldimethoxysilane, n-propylethyldimethoxysilane, n-butylethyldimethoxysilane , n-decylethyldimethoxysilane, n-hexadecylethyldimethoxysilane, n-ethyl diethyl ethane Cysilane, n-butylpropyldimethoxysilane, n-decylpropyldimethoxysilane, n-hexadecylpropyldimethoxysilane, n-icosanepropyldimethoxysilane, n-propylmethyldiethoxysilane, n-butylmethyldiethoxy Silane, n-decylmethyldiethoxysilane, n-hexadecylmethyldiethoxysilane, n-diethyl acid diethoxysilane, n-propylethyl diethoxysilane, n-butylethyl diethoxysilane, n-decylethyl diethoxy Cysilane, n-hexadecylethyl diethoxysilane, n-diethyl ethyl diethoxysilane, n-butylpropyl diethoxysilane, n-decylpropyl diethoxysilane, n-hexadecylpropyl diethoxysilane, n- isopropyl acid Diethoxysilane, n-propylmethyldipropoxysilane, n-butylmethyldipropoxysilane, n-decylmethyldipropoxysilane, n-hexadecylmethyldipropoxysilane, n-icosane methyldipropoxysilane , n-propylethyldipropoxysilane, n-butylethyldipropoxysilane, n-decylethyldipropoxysilane , n-hexadecylethyldipropoxysilane, n-hexaethyl dipropoxysilane, n-butylpropyldipropoxysilane, n-decylpropyldipropoxysilane, n-hexadecylpropyldipropoxysilane, n -Icosanepropyldipropoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, n-isoacid trimethoxysilane , n-propyltriethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-hexadecyltriethoxysilane, n-icosane triethoxysilane, n-propyltripropoxysilane , n-butyltripropoxysilane, n-decyltripropoxysilane, n-hexadecyltripropoxysilane, n-icosane tripropoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, N- ( 2-aminoethyl) 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysil , 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3 -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, N- (1,3-dimethylbutylidene) -3- (triethoxysilyl) -1-propanamine, N, N '-Bis- [3- (trimethoxysilyl) propyl] ethylenediamine and the like.

이들은 1종 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

감광성 페이스트 조성물에 있어서의 상기 밀착 보조제의 함유량은, 알칼리 가용성 수지 (C) 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.05 내지 15 중량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부이다.Content of the said adhesion | attachment adjuvant in the photosensitive paste composition becomes like this. Preferably it is 0.05-15 weight part, More preferably, it is 0.1-10 weight part with respect to 100 weight part of alkali-soluble resin (C).

<용해 촉진제> Dissolution accelerator

본 발명의 감광성 페이스트 조성물은, 후술하는 현상액에 대한 충분한 용해성을 발현시킬 목적으로 용해 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다. 용해 촉진제로서는 계면활성제가 바람직하게 이용된다. 이러한 계면활성제로서는, 예를 들면 불소계 계면활성제, 규소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 지방산 등을 들 수 있다.It is preferable that the photosensitive paste composition of this invention contains a dissolution promoter for the purpose of expressing sufficient solubility to the developing solution mentioned later. As a dissolution promoter, surfactant is used preferably. Examples of such surfactants include fluorine-based surfactants, silicon-based surfactants, nonionic surfactants, fatty acids, and the like.

상기 불소계 계면활성제로서는, 예를 들면 BM CHIMIE사 제조 「BM-1000」, 「BM-1100」, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주)사 제조 「메가팩 F142D」, 「동 F172」, 「동 F173」, 「동 F183」, 스미또모 쓰리엠(주)사 제조 「플루오라드 FC-135」, 「동 FC-170C」, 「동 FC-430」, 「동 FC-431」, 아사히 글래스(주)사 제조 「서플론 S-112」, 「동 S-113」, 「동 S-131」, 「동 S-141」, 「동 S-145」, 「동 S-382」, 「동 SC-101」, 「동 SC-102」, 「동 SC-103」, 「동 SC-104」, 「동 SC-105」, 「동 SC-106」 등의 시판품을 들 수 있다.As said fluorine-type surfactant, "BM-1000" by the BM CHIMIE company, "BM-1100", "Megapack F142D" by Dainippon Ink & Chemicals Co., Ltd., "Megapack F142D", "Copper F172", "Copper F173" , "F18," Sumitomo 3M Co., Ltd. "Fluorard FC-135", "East FC-170C", "East FC-430", "East FC-431", Asahi Glass Co., Ltd. Manufacture "Suplon S-112", "the copper S-113", "the copper S-131", "the copper S-141", "the copper S-145", "the copper S-382", "the copper SC-101" And commercially available products such as "SC-102", "SC-103", "SC-104", "SC-105", and "SC-106".

상기 규소계 계면활성제로서는, 예를 들면 도레이·다우코닝·실리콘(주)사 제조 「SH-28PA」, 「SH-190」, 「SH-193」, 「SZ-6032」, 「SF-8428」, 「DC-57」, 「DC-190」, 신에쯔 가가꾸 고교(주)사 제조 「KP341」, 신아키타 가세이(주)사 제조 「에프톱 EF301」, 「동 EF303」, 「동 EF352」 등의 시판품을 들 수 있 다.As said silicon type surfactant, For example, Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd. "SH-28PA", "SH-190", "SH-193", "SZ-6032", "SF-8428" , "DC-57", "DC-190", Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KP341", Shin-Akita Kasei Co., Ltd. "F-top EF301", "EF303", "EF352" And commercially available products.

상기 비이온계 계면활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류; 폴리옥시에틸렌디스티렌화 페닐에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류; 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류 등을 들 수 있다.As said nonionic surfactant, For example, polyoxyethylene alkyl ether, such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene distylated phenyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether; Polyoxyethylene dialkyl ester, such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate, etc. are mentioned.

상기 비이온계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 카오(주)사 제조 「에멀겐 A-60」, 「A-90」, 「A-550」, 「B-66」, 「PP-99」, 교에이샤 가가꾸(주)사 제조 「(메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No. 57」, 「동 No. 90」 등을 들 수 있다.As a commercial item of the said nonionic surfactant, Kao Corporation make "emulsion A-60", "A-90", "A-550", "B-66", "PP-99", for example. "(Meth) acrylic-acid copolymer polyflow No. by Kyogisha Co., Ltd. make. 57, `` No. 90 "and the like.

상기 계면활성제 중에서는, 현상 시에 미노광부의 감광성 페이스트층의 제거가 용이하기 때문에, 비이온계 계면활성제가 바람직하고, 폴리옥시에틸렌아릴에테르류가 보다 바람직하고, 특히 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이 바람직하다.In the said surfactant, since the removal of the photosensitive paste layer of an unexposed part at the time of image development is easy, nonionic surfactant is preferable, polyoxyethylene aryl ether is more preferable, and the compound represented by following General formula (1) This is preferred.

Figure 112008049114764-pat00001
Figure 112008049114764-pat00001

상기 화학식 1에서, R1은 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 바람직하게는 메틸기이 고, p는 1 내지 5의 정수이고, s는 1 내지 5의 정수, 바람직하게는 2이고, t는 1 내지 100의 정수, 바람직하게는 10 내지 20의 정수이다.In Formula 1, R 1 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methyl group, p is an integer of 1 to 5, s is an integer of 1 to 5, preferably 2, t is 1 to 100 Integer, Preferably it is an integer of 10-20.

상기 지방산으로서는, 예를 들면 부티르산, 발레르산, 카프로산, 에난트산, 카프릴산, 펠라르곤산, 라우르산, 미리스트산, 펜타데실산, 팔미트산, 팔미토일산, 마르가르산, 스테아르산, 올레산, 바센산, 리놀산, 리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 아라키돈산, 베헨산, 리그노셀렌산, 네르본산, 세로트산, 몬탄산, 멜리스산 등을 들 수 있다.As said fatty acid, For example, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, caprylic acid, pelagonic acid, lauric acid, myristic acid, pentadecyl acid, palmitic acid, palmitoyl acid, margaric acid, Stearic acid, oleic acid, basenic acid, linoleic acid, linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, arachidonic acid, behenic acid, lignocelenic acid, nerbonic acid, serotic acid, montanic acid, melisic acid and the like.

본 발명의 감광성 페이스트 조성물에 있어서의 용해 촉진제의 함유량은, 알칼리 가용성 수지 (C) 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.001 내지 20 중량부, 보다 바람직하게는 0.01 내지 15 중량부, 특히 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부이다. 용해 촉진제의 함유량이 상기 범위에 있는 것에 의해, 현상액에의 용해성이 우수한 조성물이 얻어진다.The content of the dissolution accelerator in the photosensitive paste composition of the present invention is preferably 0.001 to 20 parts by weight, more preferably 0.01 to 15 parts by weight, particularly preferably based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin (C). 0.1 to 10 parts by weight. When content of a dissolution promoter exists in the said range, the composition excellent in the solubility to a developing solution is obtained.

<감광성 페이스트 조성물의 제조> <Production of Photosensitive Paste Composition>

본 발명의 감광성 페이스트 조성물은, 알루미늄 분말 (A), 알칼리 가용성 수지 (C), 다관능 (메트)아크릴레이트 (D), 및 광중합 개시제 (E)와, 필요에 따라서 이용되는 유리 분말 (B)나 유기 용매 등의 상기 각종 성분을 소정의 조성비가 되도록 조합한 후, 3축 롤이나 혼련기로 균질하게 혼합 분산시켜서 제조된다. The photosensitive paste composition of this invention is an aluminum powder (A), alkali-soluble resin (C), a polyfunctional (meth) acrylate (D), and a photoinitiator (E), and the glass powder (B) used as needed. The above-mentioned various components, such as an organic solvent, are combined so that it may become a predetermined composition ratio, and it manufactures by mixing and disperse | distributing uniformly with a triaxial roll or a kneader.

본 발명의 감광성 페이스트 조성물의 점도는, 무기 입자, 증점제, 유기 용매, 가소제 및 침전 방지제 등의 첨가량에 의해서 적절하게 조정할 수가 있는데, 그 범위는 바람직하게는 100 내지 500000 cps(센티·포아즈)이다.Although the viscosity of the photosensitive paste composition of this invention can be suitably adjusted with the addition amount of an inorganic particle, a thickener, an organic solvent, a plasticizer, and a precipitation inhibitor, the range is preferably 100-500000 cps (centi poise). .

[패턴 형성 방법][Pattern Forming Method]

본 발명의 패턴 형성 방법은, 상기 감광성 페이스트 조성물을 포함하는 감광성 페이스트층을 기판 상에 형성하는 공정(감광성 페이스트층 형성 공정), 상기 감광성 페이스트층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하는 공정(노광 공정), 상기 감광성 페이스트층을 현상 처리하여 패턴을 형성하는 공정(현상 공정), 및 상기 패턴을 소성 처리하는 공정(소성 공정)을 포함하는 것을 특징으로 한다.The pattern formation method of this invention is the process of forming the photosensitive paste layer containing the said photosensitive paste composition on a board | substrate (photosensitive paste layer formation process), and the process of exposing the said photosensitive paste layer to form the latent image of a pattern (exposure). Process), a process of developing the photosensitive paste layer to form a pattern (development process), and a process of baking the pattern (firing process).

<감광성 페이스트층 형성 공정> <Photosensitive Paste Layer Forming Step>

이 공정에서는, 상기 감광성 페이스트 조성물을 포함하는 감광성 페이스트층을 기판 상에 형성한다. 감광성 페이스트층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 상기 감광성 페이스트 조성물을 기판 상에 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 건조시켜 형성하는 방법 등을 들 수 있다.In this step, a photosensitive paste layer containing the photosensitive paste composition is formed on a substrate. As a formation method of the photosensitive paste layer, the method of apply | coating the said photosensitive paste composition on a board | substrate to form a coating film, and drying the said coating film, etc. are mentioned, for example.

상기 감광성 페이스트 조성물을 기판 상에 도포하는 방법으로서는, 막 두께가 크고(예를 들면, 2O ㎛ 이상), 또한 균일성이 우수한 도막을 효율적으로 형성할 수가 있는 방법이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 나이프코터에 의한 도포 방법, 롤코터에 의한 도포 방법, 닥터블레이드에 의한 도포 방법, 커튼코터에 의한 도포 방법, 다이코터에 의한 도포 방법, 와이어코터에 의한 도포 방법, 스크린 인쇄 장치에 의한 스크린 인쇄법 등을 들 수 있다.As a method of apply | coating the said photosensitive paste composition on a board | substrate, it will not specifically limit, if it is a method which can form a coating film with a large film thickness (for example, 20 micrometers or more) and excellent in uniformity efficiently. For example, a coating method using a knife coater, a coating method using a roll coater, a coating method using a doctor blade, a coating method using a curtain coater, a coating method using a die coater, a coating method using a wire coater, and a screen printing apparatus. The screen printing method, and the like.

도막의 건조 조건은, 건조 후에서의 유기 용매의 잔존 비율이 2 중량% 이내가 되도록 적절하게 조정하면 되고, 예를 들면 50 내지 150℃의 건조 온도에서 0.5 내지 60분간 정도이다.The drying conditions of a coating film may be adjusted suitably so that the residual ratio of the organic solvent after drying may be less than 2 weight%, for example, it is about 0.5 to 60 minutes at the drying temperature of 50-150 degreeC.

상기한 바와 같이 하여 형성된 감광성 페이스트층의 두께는, 바람직하게는 3 내지 300 ㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 200 ㎛이다. 또한, 감광성 페이스트 조성물의 도포를 n회 반복함으로써, n층(n은 2 이상의 정수를 나타낸다)의 감광성 페이스트층을 갖는 적층체를 형성할 수도 있다.The thickness of the photosensitive paste layer formed as mentioned above becomes like this. Preferably it is 3-300 micrometers, More preferably, it is 5-200 micrometers. Moreover, the application | coating of the photosensitive paste composition is repeated n times, and the laminated body which has an n layer (n represents the integer of 2 or more) photosensitive paste layer can also be formed.

<노광 공정> Exposure process

상기 감광성 페이스트층 형성 공정에 의해 기판 상에 감광성 페이스트층을 형성한 후, 노광 장치를 이용하여 노광을 행한다. 노광은 통상의 포토 리소그래피로 행해지는 바와 같이, 포토마스크를 이용하여 마스크 노광하는 방법을 채용할 수 있다. 노광용 마스크의 노광 패턴은, 목적에 따라서 서로 다르지만, 예를 들면 10 내지 500 ㎛ 폭의 스트라이프 또는 격자이다.After forming a photosensitive paste layer on a board | substrate by the said photosensitive paste layer forming process, it exposes using an exposure apparatus. As exposure is performed by normal photolithography, the method of mask exposure using a photomask can be employ | adopted. Although the exposure pattern of an exposure mask differs according to the objective, it is a stripe or grating of 10-500 micrometers width, for example.

또한, 포토마스크를 이용하지 않고서, 적색이나 청색의 가시광 레이저광, Ar 이온 레이저 등으로 직접 묘화하는 방법을 이용할 수도 있다.Moreover, the method of drawing directly with a red or blue visible light laser beam, an Ar ion laser, etc. can also be used, without using a photomask.

감광성 페이스트층의 표면에, 노광용 마스크를 통해, 자외선 등의 방사선을 선택적으로 조사(노광)하여 상기 페이스트층에 패턴의 잠상을 형성한다. 노광 장치로서는, 평행광 노광기, 산란광 노광기, 스테퍼-노광기, 프록시미티 노광기 등을 사용할 수 있다. 또한, 대면적의 노광를 행하는 경우에는, 유리 기판 등의 기판 상에 감광성 페이스트 조성물을 도포한 후에 반송하면서 노광을 행함으로써 작은 노광 면적의 노광기로 큰 면적을 노광할 수 있다.The surface of the photosensitive paste layer is selectively irradiated (exposured) to radiation such as ultraviolet rays through a mask for exposure to form a latent image of a pattern on the paste layer. As an exposure apparatus, a parallel light exposure machine, a scattered light exposure machine, a stepper exposure machine, a proximity exposure machine, etc. can be used. Moreover, when exposing large area, a large area can be exposed by the exposure machine of a small exposure area by performing exposure, after conveying after apply | coating the photosensitive paste composition on board | substrates, such as a glass substrate.

노광 시에 사용되는 활성 광원은, 예를 들면 가시광선, 근자외선, 자외선, 전자선, X선, 레이저광 등을 들 수 있는데, 이 중에서는 자외선이 바람직하고, 그 광원으로서는, 예를 들면 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프 등을 사용할 수 있다. 이 중에서는 초고압 수은등이 바람직하다.Examples of the active light source used at the time of exposure include visible light, near ultraviolet light, ultraviolet light, electron beam, X-ray, laser light, and the like. Among these, ultraviolet light is preferable, and as the light source, for example, low pressure mercury lamp , High pressure mercury lamps, ultra high pressure mercury lamps, halogen lamps and the like can be used. Among these, an ultrahigh pressure mercury lamp is preferable.

노광 조건은, 도포 두께에 따라서 다르지만, 예를 들면 1 내지 100 mW/㎠ 출력의 초고압 수은등을 이용하고 0.05 내지 1분간 노광을 행한다. 이 경우, 파장 필터를 이용하여 노광광의 파장 영역을 좁게 함으로써, 광의 산란을 억제하여, 패턴 형성성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, i선(365 nm)의 광을 컷트하는 필터, 또는, i선 및 h선(405 nm)의 광을 컷트하는 필터를 이용하여, 패턴 형성성을 향상시킬 수 있다.Although exposure conditions change with application | coating thickness, it exposes for 0.05 to 1 minute using the ultrahigh pressure mercury lamp of 1-100 mW / cm <2> output, for example. In this case, by narrowing the wavelength region of exposure light using a wavelength filter, light scattering can be suppressed and pattern formation property can be improved. Specifically, pattern formation property can be improved using the filter which cuts the light of i line | wire (365 nm), or the filter which cuts the light of i line | wire and h line (405 nm).

<현상 공정> Development Process

상기 노광 후, 감광 부분과 비감광 부분의 현상액에 대한 용해도차를 이용하여 감광성 페이스트층을 현상하여 패턴을 형성한다. 현상 방법(예를 들면, 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 퍼들법, 브러시법 등) 및 현상 처리 조건(예를 들면, 현상액의 종류·조성·농도, 현상 시간, 현상 온도 등) 등은 감광성 페이스트층의 종류에 따라서 적절하게 선택 및 설정하면 된다.After the exposure, the photosensitive paste layer is developed by using the solubility difference with respect to the developer of the photosensitive portion and the non-photosensitive portion to form a pattern. Developing methods (e.g., immersion method, rocking method, shower method, spray method, puddle method, brush method, etc.) and developing process conditions (e.g., type, composition, concentration, developing time, developing temperature, etc. of developer) What is necessary is just to select and set suitably according to the kind of silver photosensitive paste layer.

현상 공정에서 이용되는 현상액으로서는 감광성 페이스트층 내의 유기 성분을 용해시키는 것이 가능한 유기 용매를 사용할 수 있다. 또한, 상기 유기 용매에 그 용해력이 사라지지 않는 범위에서 물을 첨가할 수도 있다. 감광성 페이스트층내에 카르복실기 등의 산성기를 갖는 화합물이 개재되는 경우 알칼리 수용액으로 현상할 수 있다.As the developing solution used in the developing step, an organic solvent capable of dissolving an organic component in the photosensitive paste layer can be used. Moreover, water can also be added to the said organic solvent in the range in which the solvent power does not disappear. When the compound which has acidic groups, such as a carboxyl group, is interposed in the photosensitive paste layer, it can develop with aqueous alkali solution.

상기 감광성 페이스트층에는 알루미늄 분말 (A)나 바람직하게는 유리 분말 (B) 등의 무기 입자가 포함되어 있고, 상기 무기 입자는 알칼리 가용성 수지 (C)에 의해 균일하게 분산되어 있기 때문에, 이 수지 (C)를 현상액으로 용해시켜 세정함으로써 상기 무기 입자도 동시에 제거된다.The photosensitive paste layer contains inorganic particles such as aluminum powder (A) and preferably glass powder (B), and since the inorganic particles are uniformly dispersed by alkali-soluble resin (C), this resin ( The inorganic particles are also removed simultaneously by dissolving and washing C) with a developer.

상기 알칼리 수용액으로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산수소리튬, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 수용액, 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등을 들 수 있다.Examples of the alkali aqueous solution include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, and lithium silicate. , Sodium silicate, potassium silicate, lithium bicarbonate, sodium bicarbonate, potassium bicarbonate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate, ammonia aqueous solution, tetramethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethyl Ammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, and the like. have.

상기 알칼리 수용액의 농도는, 통상적으로는 0.01 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량%이다. 알칼리 농도가 너무 낮으면 가용부가 제거되지 않고, 알칼리 농도가 너무 높으면, 패턴부를 박리시키고, 또한 비가용부를 부식시킬 우려가 있다. 또한, 현상 시의 현상 온도는, 20 내지 50℃에서 행하는 것이 공정관리 상 바람직하다.The concentration of the alkali aqueous solution is usually 0.01 to 10% by weight, preferably 0.1 to 5% by weight. If the alkali concentration is too low, the soluble portion is not removed. If the alkali concentration is too high, the pattern portion may be peeled off and the insoluble portion may be corroded. Moreover, it is preferable in process control that image development temperature at the time of image development is performed at 20-50 degreeC.

상기 알칼리 수용액에는 비이온계 계면활성제나 유기 용매 등의 첨가제가 함유되어 있을 수도 있다. 또한, 알칼리 현상액에 의한 현상 처리가 이루어진 후에는, 통상적으로 수세 처리가 실시된다.The said alkali aqueous solution may contain additives, such as a nonionic surfactant and an organic solvent. In addition, after the image development process by alkaline developing solution is performed, the water washing process is performed normally.

<소성 공정> <Firing process>

소성 분위기는, 감광성 페이스트 조성물이나 기판의 종류에 따라서 다르지만, 공기, 오존, 질소, 수소 등의 분위기 속에서 소성한다. 소성로로서는, 배치식의 소성로나 벨트식의 연속형 소성로를 사용할 수 있다.The firing atmosphere varies depending on the photosensitive paste composition and the type of substrate, but the firing atmosphere is baked in an atmosphere such as air, ozone, nitrogen, or hydrogen. As a kiln, a batch type kiln and a belt type continuous kiln can be used.

소성 처리 조건은, 감광성 페이스트층 잔류부 내의 유기 물질이 소실될 필요가 있기 때문에, 통상적으로 소성 온도가 300 내지 1000℃, 소성 시간이 10 내지 90분간이다. 예를 들면, 유리 기판 상에 패턴 형성하는 경우에는, 350 내지 600℃의 온도로 10 내지 60분간 유지하여 소성을 행한다.In the firing treatment conditions, since the organic material in the photosensitive paste layer remaining portion needs to be lost, the firing temperature is usually 300 to 1000 ° C and the firing time is 10 to 90 minutes. For example, when pattern-forming on a glass substrate, it bakes by hold | maintaining for 10 to 60 minutes at the temperature of 350-600 degreeC.

이들 공정을 포함하는 본 발명의 패턴 형성 방법에 의해, 전극 등의 디스플레이 패널용 부재, 전자 부품의 회로 패턴 및 태양 전지 부재의 배선 패턴 등을 형성할 수 있다. 또한, 상기 감광성 페이스트층 형성, 노광, 현상, 소성의 각 공정중에, 건조 또는 예비 반응의 목적으로, 50 내지 300℃ 가열 공정을 도입할 수도 있다.By the pattern formation method of this invention including these processes, members for display panels, such as an electrode, the circuit pattern of an electronic component, the wiring pattern of a solar cell member, etc. can be formed. In addition, a 50-300 degreeC heating process can also be introduce | transduced in the said process of photosensitive paste layer formation, exposure, image development, and baking for the purpose of drying or preliminary reaction.

[FPD용 부재 등의 제조 방법][Manufacturing methods, such as members for FPDs]

상기 공정을 포함하는 본 발명의 패턴 형성 방법에 의해, 전극 등의 FPD용 부재, 전자 부품의 회로 패턴 및 태양 전지 부재의 배선 패턴 등을 형성할 수 있다. 이러한 본 발명의 FPD용 부재의 제조 방법은 PDP의 제조 방법에 적합하다.By the pattern formation method of this invention including the said process, FPD members, such as an electrode, the circuit pattern of an electronic component, the wiring pattern of a solar cell member, etc. can be formed. Such a method for producing the FPD member of the present invention is suitable for a method for producing a PDP.

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되지 않는다. 또한, 실시예 및 비교예에 있어서의 「부」 및 「%」는, 특별한 언급이 없는 한, 각각 「중량부」 및 「중량%」를 나 타낸다.Hereinafter, although this invention is demonstrated further more concretely based on an Example, this invention is not limited at all by these Examples. In addition, "part" and "%" in an Example and a comparative example represent "weight part" and "weight%", respectively, unless there is particular notice.

우선, 물성의 측정 방법 및 평가 방법에 관해서 설명한다.First, the measuring method and evaluation method of a physical property are demonstrated.

[중량 평균 분자량(Mw) 및 중량 평균 분자량(Mw)/수평균 분자량(Mn) (이하, Mw/Mn이라 호칭함)의 측정 방법][Measurement method of weight average molecular weight (Mw) and weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn) (hereinafter referred to as Mw / Mn)]

Mw 및 Mw/Mn은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC) (도소(주) 제조의 「HLC-8220GPC」)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 값이다. 또한, GPC 측정은 GPC 칼럼으로서 도소(주) 제조의 「TSKguardcolumn SuperHZM-M」을 이용하여, 테트라히드로푸란(THF) 용매, 측정 온도 40℃의 조건으로 행하였다.Mw and Mw / Mn are values of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography (GPC) ("HLC-8220GPC" manufactured by Tosoh Corporation). In addition, GPC measurement was performed on the conditions of the tetrahydrofuran (THF) solvent and the measurement temperature of 40 degreeC using "TSKguardcolumn SuperHZM-M" by Toso Corporation as a GPC column.

[전기 저항 측정의 평가 방법][Evaluation Method of Electrical Resistance Measurement]

체적 저항[μΩ·cm]은, 유리 기판 상에 감광성 페이스트 조성물을 도포하고 소성함으로써, 상기 유리 기판 상에 막 두께 10 ㎛의 막을 형성하고, NPS사 제조의 「Resistivity Proccessor ModelΣ-5」를 이용하여 평가하였다.The volume resistance [μΩ · cm] is formed by coating and baking the photosensitive paste composition on the glass substrate to form a film having a thickness of 10 μm on the glass substrate, and using “Resistivity Proccessor ModelΣ-5” manufactured by NPS Corporation. Evaluated.

[현상 후 및 소성 후의 패턴의 평가 방법][Evaluation Method of Pattern After Development and After Firing]

현상 후 및 소성 후의 시험편을 절단하고, 패턴 절단면을 주사형 전자현미경(히따찌 세이사꾸쇼 제조 「S4200」)으로 관찰하여 패턴의 폭 및 높이를 계측하고, 각각을 하기 기준으로 평가하였다. 또한, 원하는 규격은 패턴의 폭이 50 ㎛, 높이가 10 ㎛, 간격이 100 ㎛이다.The test piece after image development and the baking was cut | disconnected, and the pattern cut surface was observed with the scanning electron microscope ("S4200" by Hitachi Seisakusho), the width and height of the pattern were measured, and each evaluated by the following reference | standard. In addition, a desired standard is 50 micrometers in width of a pattern, 10 micrometers in height, and 100 micrometers in space | intervals.

A: 원하는 규격의 것A: of desired specification

B: 원하는 규격으로부터 ±5% 이내의 것B: Within ± 5% of the desired specification

C: 원하는 규격으로부터 ±5%를 초과하여 ±10% 이내의 것C: exceeding ± 5% from the desired specification within ± 10%

D: 원하는 규격으로부터 ±10%를 초과하는 것 D: exceeding ± 10% from the desired specification

-: 패턴 벗겨짐 때문에, 평가 불능인 것-: Unable to evaluate because of pattern peeling off

[소성 후의 패턴 밀착성 평가][Evaluation of Pattern Adhesion After Firing]

소성 후의 시험편에 대하여, 패턴과 지지체인 유리 기판과의 밀착성 평가를, 이하와 같이 하여 행하였다. 또한, 원하는 규격은 패턴의 폭이 50 ㎛, 높이가 10 ㎛, 간격 100 ㎛이다.About the test piece after baking, adhesive evaluation of the pattern and the glass substrate which is a support body was performed as follows. In addition, the desired standard is 50 micrometers in width of a pattern, 10 micrometers in height, and 100 micrometers in spacing.

셀로판 테이프(등록상표: 니치반사 제조)를, 시험편을 구성하는 지지체 표면에 가열 롤러에 의해 열압착하였다. 압착 조건은 가열 롤러의 표면 온도를 23℃, 롤압을 4 kg/㎠, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 지지체의 표면에 셀로판 테이프(등록상표: 니치반사 제조)가 전사되어 밀착한 상태가 되었다. 이 셀로판 테이프(등록상표: 니치반사 제조)를 지지체로부터 박리함으로써 패턴의 밀착성을 평가하였다.The cellophane tape (trademark: Nichiban Co., Ltd.) was thermocompression-bonded to the support surface constituting the test piece by a heating roller. In the crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 23 ° C, the roll pressure was 4 kg / cm 2, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. As a result, the cellophane tape (registered trademark: Nichiban Co., Ltd.) was transferred to and adhered to the surface of the support. The adhesiveness of the pattern was evaluated by peeling this cellophane tape (trademark: Nichiban Co., Ltd. product) from a support body.

○: 패턴 벗겨짐 없음 ○: no pattern peeling

×: 패턴 벗겨짐 있음×: There is a pattern peeling

[합성예 1]Synthesis Example 1

2-메타크릴로일옥시에틸프탈산 45부, 벤질메타크릴레이트 55부, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 1부, 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토프로피온산)(사카이가가꾸 고교(주) 제조) 5부를 교반기가 있는 오토클레이브에 투입하고, 질소 분위기 하에서, 테르피네올 150부 속에서 균일해질 때까지 교반하였다.45 parts of 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid, 55 parts of benzyl methacrylate, 1 part of azobisisobutyronitrile (AIBN), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionic acid) (Sakai Chemical Co., Ltd. 5 parts) was put into the autoclave with a stirrer, and it stirred under nitrogen atmosphere until it became uniform in 150 parts of terpineol.

이어서, 80℃에서 4시간 중합시키고, 또한 100℃에서 1시간 중합 반응을 계 속시킨 후, 실온까지 냉각하여 SH기를 갖는 알칼리 가용성 수지 (1)을 얻었다. 이 알칼리 가용성 수지 (1)의 중합율은 98%이고, 중량 평균 분자량은 20000(Mw/Mn 1.8)이었다.Subsequently, it superposed | polymerized at 80 degreeC for 4 hours, and after continuing a polymerization reaction at 100 degreeC for 1 hour, it cooled to room temperature and obtained alkali-soluble resin (1) which has SH group. The polymerization rate of this alkali-soluble resin (1) was 98%, and the weight average molecular weight was 20000 (Mw / Mn 1.8).

[합성예 2]Synthesis Example 2

펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토프로피온산) 5부 대신에 노프마NSD(닛본 유시(주) 제조) 5부를 사용한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 하여, 알칼리 가용성 수지 (2)를 얻었다. 이 알칼리 가용성 수지 (2)의 중합율은 98%이고, 중량 평균 분자량은 25000(Mw/Mn 2.2)이었다.An alkali-soluble resin (2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 5 parts of Novima NSD (manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd.) was used instead of 5 parts of pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionic acid). The polymerization rate of the alkali-soluble resin (2) was € 98%, and the weight average molecular weight was 25000 (Mw / Mn 2.2).

[합성예 3]Synthesis Example 3

메타크릴산 25부, 벤질메타크릴레이트 75부, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 1부, 노프마NSD(닛본 유시(주) 제조) 5부를 교반기가 있는 오토클레이브에 투입하고, 질소 분위기 하에서, 테르피네올 150부 속에서 균일해질 때까지 교반하였다.25 parts of methacrylic acid, 75 parts of benzyl methacrylate, 1 part of azobisisobutyronitrile (AIBN) and 5 parts of novma NSD (manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd.) were placed in an autoclave with a stirrer and under a nitrogen atmosphere. It stirred until it became uniform in 150 parts of terpineol.

이어서, 80℃에서 4시간 중합시키고, 또한 100℃에서 1시간 중합 반응을 계속시킨 후, 실온까지 냉각하여 알칼리 가용성 수지 (3)을 얻었다. 이 알칼리 가용성 수지 (3)의 중합율은 98%이고, 중량 평균 분자량은 25000(Mw/Mn 2.3)이었다.Then, it superposed | polymerized at 80 degreeC for 4 hours, and after continuing a polymerization reaction at 100 degreeC for 1 hour, it cooled to room temperature and obtained alkali-soluble resin (3). The polymerization rate of this alkali-soluble resin (3) was 98%, and the weight average molecular weight was 25000 (Mw / Mn 2.3).

[합성예 4]Synthesis Example 4

메타크릴산 25부, 벤질메타크릴레이트 75부, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 1부, 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토프로피온산)(사카이 가가꾸 고교(주) 제조) 5부를 교반기가 있는 오토클레이브에 투입하고, 질소 분위기 하에서, 테르피네올 150부 속에서 균일해질 때까지 교반하였다.25 parts of methacrylic acid, benzyl methacrylate 75 parts, azobisisobutyronitrile (AIBN) 1 part, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionic acid) (manufactured by Sakai Chemical Industries, Ltd.) 5 parts It was put into an autoclave with and stirred under nitrogen atmosphere until it became uniform in 150 parts of terpineol.

이어서, 80℃에서 4시간 중합시키고, 또한 100℃에서 1시간 중합 반응을 계속시킨 후, 실온까지 냉각하여 알칼리 가용성 수지 (4)를 얻었다. 이 알칼리 가용성 수지 (4)의 중합율은 98%이고, 중량 평균 분자량은 25000(Mw/Mn 2.3)이었다.Then, it superposed | polymerized at 80 degreeC for 4 hours, and after continuing a polymerization reaction at 100 degreeC for 1 hour, it cooled to room temperature and obtained alkali-soluble resin (4). The polymerization rate of this alkali-soluble resin (4) was 98%, and the weight average molecular weight was 25000 (Mw / Mn 2.3).

[합성예 5]Synthesis Example 5

메타크릴산 25부, 벤질메타크릴레이트 75부, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 1부, 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토프로피온산) (사카이가가꾸 고교(주) 제조) 5부를 교반기가 있는 오토클레이브에 투입하고, 질소 분위기 하에서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 150부 속에서 균일해질 때까지 교반하였다.25 parts of methacrylic acid, 75 parts of benzyl methacrylate, 1 part of azobisisobutyronitrile (AIBN), 5 parts of pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionic acid) (manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.) It was put into an autoclave with and stirred in a nitrogen atmosphere until it became uniform in 150 parts of propylene glycol monomethyl ether.

이어서, 80℃에서 4시간 중합시키고, 또한 100℃에서 1시간 중합 반응을 계속시킨 후, 실온까지 냉각하여 알칼리 가용성 수지 (5)를 얻었다. 이 알칼리 가용성 수지 (5)의 중합율은 98%이고, 중량 평균 분자량은 20000(Mw/Mn 2.0)이었다.Next, it superposed | polymerized at 80 degreeC for 4 hours, and after continuing a polymerization reaction at 100 degreeC for 1 hour, it cooled to room temperature and obtained alkali-soluble resin (5). The polymerization rate of this alkali-soluble resin (5) was 98%, and the weight average molecular weight was 20000 (Mw / Mn 2.0).

[감광성 수지 성분의 제조][Production of Photosensitive Resin Component]

하기 표 3에 나타내는 조성의 감광성 수지 성분 (1) 내지 (6)을 제조하였다.Photosensitive resin components (1)-(6) of the composition shown in following Table 3 were manufactured.

[실시예 1]Example 1

하기 표 1에 나타내는 알루미늄 분말 A1(16 g), 하기 표 2에 나타내는 유리 분말 B1(2 g) 및 표 3에 나타내는 감광성 수지 성분 (1)(40 g)을 혼련기로 혼련하여, 감광성 페이스트 조성물(이하 「감광성 페이스트」라고도 함)을 제조하였다.The aluminum powder A1 (16 g) shown in following Table 1, the glass powder B1 (2 g) shown in following Table 2, and the photosensitive resin component (1) (40 g) shown in Table 3 are knead | mixed with a kneading machine, and the photosensitive paste composition ( Hereinafter also referred to as "photosensitive paste").

상기 감광성 페이스트를 325 망상의 스크린을 이용하여, 시험편(150 mm×150 mm×2.8 mm)인 유리 기판 상에 100 ㎟의 크기로 빈틈없이 인쇄하고, 100℃에서 10 분간 유지하고 건조시켜서, 감광성 페이스트층을 형성하였다.The photosensitive paste was printed to a test piece (150 mm x 150 mm x 2.8 mm) on a glass substrate with a size of 100 mm2 using a 325 reticulated screen, maintained at 100 ° C for 10 minutes, dried, and then photosensitive paste. A layer was formed.

다음으로, 네가티브형 크롬 마스크(패턴폭 50 ㎛, 패턴 간격 100 ㎛)를 이용하고, 25 mW/㎠ 출력의 초고압 수은등에 의해, 상면으로부터 감광성 페이스트층을 자외선 노광하였다. 노광량은 1000 mJ/㎠였다.Next, using the negative chrome mask (pattern width 50 micrometers, pattern space | interval 100 micrometers), the photosensitive paste layer was ultraviolet-ray-exposed from the upper surface by the ultrahigh pressure mercury lamp of 25 mW / cm <2> output. The exposure amount was 1000 mJ / cm 2.

다음으로, 노광 후의 감광성 페이스트층에, 23℃로 유지한 탄산나트륨의 0.5% 수용액을, 샤워로 60초간 가함으로서 현상하였다. 그 후, 샤워 스프레이를 이용하여 물세정하여, 광경화되지 않은 부분을 제거하여 유리 기판 상에 격자상의 경화 패턴을 형성하였다. 이 현상 후의 경화 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 하기 표 4에 나타내었다.Next, it developed by adding the 0.5% aqueous solution of sodium carbonate hold | maintained at 23 degreeC to the photosensitive paste layer after exposure for 60 second by shower. Thereafter, water was washed with a shower spray to remove the uncured portion to form a lattice-shaped cured pattern on the glass substrate. The hardening pattern after this image development was evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 4 below.

다음으로, 얻어진 경화 패턴을 580℃에서 30분간 소성하여 전극 패턴을 형성하였다. 이 소성 후의 전극 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.Next, the obtained hardening pattern was baked at 580 degreeC for 30 minutes, and the electrode pattern was formed. The electrode pattern after this baking was evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 4.

[실시예 2 내지 15] [Examples 2 to 15]

표 4에 나타내는 알루미늄 분말, 유리 분말 및 감광성 수지 성분을 이용하여 감광성 페이스트를 제조한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 유리 기판 상에 감광성 페이스트층, 경화 패턴, 전극 패턴을 순차 형성하였다. 이어서, 경화 패턴 및 전극 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 표 4에 나타내었다. 또한, 실시예 1 내지 15 중의 어디에도 감광성 페이스트층의 막 두께는 10 ㎛±1 ㎛의 범위에 있었다.Except having manufactured the photosensitive paste using the aluminum powder, glass powder, and photosensitive resin component shown in Table 4, it carried out similarly to Example 1, and formed the photosensitive paste layer, the hardening pattern, and the electrode pattern on the glass substrate one by one. Next, the hardening pattern and the electrode pattern were evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 4. In addition, the film thickness of the photosensitive paste layer was in the range of 10 micrometer +/- 1micrometer anywhere in Examples 1-15.

[실시예 16] Example 16

표 4에 나타내는 알루미늄 분말, 유리 분말 및 감광성 수지 성분을 이용하여 감광성 페이스트를 제조한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 유리 기판 상에 감광성 페이스트층, 경화 패턴, 전극 패턴을 순차 형성하였다. 이어서, 경화 패턴 및 전극 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 하기 표 5에 나타내었다. 또한, 감광성 페이스트층의 막 두께는, 10 ㎛±1 ㎛의 범위에 있었다.Except having manufactured the photosensitive paste using the aluminum powder, glass powder, and photosensitive resin component shown in Table 4, it carried out similarly to Example 1, and formed the photosensitive paste layer, the hardening pattern, and the electrode pattern on the glass substrate one by one. Next, the hardening pattern and the electrode pattern were evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 5 below. In addition, the film thickness of the photosensitive paste layer existed in the range of 10 micrometer +/- 1micrometer.

[실시예 17]Example 17

표 1에 나타내는 알루미늄 분말 A1(16 g), 표 2에 나타내는 유리 분말 B1(2 g) 및 표 3에 나타내는 감광성 수지 성분 (6)(82 g)을 혼련기로 혼련하여 감광성 페이스트 조성물(이하 「감광성 페이스트」라고도 함)을 제조하였다.Aluminum powder A1 (16 g) shown in Table 1, glass powder B1 (2 g) shown in Table 2, and photosensitive resin component (6) (82 g) shown in Table 3 were kneaded with a kneading machine to form a photosensitive paste composition (hereinafter referred to as "photosensitive Paste ".

지지 필름으로서, 미리 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 50 ㎛)를 2매 준비하였다.As a support film, two polyethylene terephthalate (PET) films (200 mm in width, 30 m in length, 50 micrometers in thickness) which carried out the mold release process were prepared previously.

다음으로, 한쪽의 지지 필름 상에, 상기 감광성 페이스트를 롤코터에 의해 도포하여 도막을 형성하고, 형성된 도막을 100℃에서 5분간 건조하여 용매를 제거함으로써, 두께 10 ㎛의 감광성 페이스트층을 형성하였다.Next, on one support film, the said photosensitive paste was apply | coated with a roll coater, a coating film was formed, the formed coating film was dried at 100 degreeC for 5 minutes, and the solvent was removed, and the photosensitive paste layer of thickness 10micrometer was formed. .

다음으로, 또 다른 한쪽의 지지 필름을 상기 감광성 페이스트층과 접합하고, 가열 롤러에 의해 열압착하였다. 압착 조건은, 가열 롤러의 표면 온도를 90℃, 롤압을 4 kg/㎠, 가열 롤러의 이동 속도를 속도 0.5 m/분으로 하였다. 이와 같이 하여, 감광성 페이스트층(두께 10 ㎛)을 갖는 전사 필름을 제조하였다.Next, the other support film was bonded with the said photosensitive paste layer, and was thermocompressed with the heating roller. The crimping conditions made the surface temperature of a heating roller 90 degreeC, the roll pressure 4 kg / cm <2>, and the moving speed of a heating roller the speed | rate 0.5 m / min. In this way, a transfer film having a photosensitive paste layer (thickness 10 μm) was produced.

다음으로, 한쪽의 지지 필름을 박리하고, 시험편(150×150×2.8 mm)인 유리 기판의 표면에 상기 감광성 페이스트층을 중첩시키고, 남은 지지 필름을 박리한 후, 감광성 페이스트층을 가열 롤러에 의해 열압착하였다. 압착 조건은, 가열 롤러의 표면 온도를 90℃, 롤압을 4 kg/㎠, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다.Next, one support film is peeled off, the said photosensitive paste layer is superposed on the surface of the glass substrate which is a test piece (150 * 150 * 2.8mm), and the remaining support film is peeled off, and then the photosensitive paste layer is heated by a heating roller. Thermocompression bonding. In the crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 90 ° C, the roll pressure was 4 kg / cm 2, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

이에 따라, 유리 기판의 표면에 감광성 페이스트층이 전사되어 밀착된 상태가 되었다. 전사된 감광성 페이스트층의 두께를 측정한 바, 10 ㎛±1 ㎛의 범위에 있었다.Thereby, the photosensitive paste layer was transferred and adhered to the surface of the glass substrate. When the thickness of the transferred photosensitive paste layer was measured, it was in the range of 10 µm ± 1 µm.

다음으로, 네가티브형 크롬 마스크(패턴폭 50 ㎛, 패턴 간격 100 ㎛)를 이용하고, 25 mW/㎠ 출력의 초고압 수은등에 의해, 상면으로부터 감광성 페이스트층을 자외선 노광하였다. 노광량은 500 mJ/㎠였다.Next, using the negative chrome mask (pattern width 50 micrometers, pattern space | interval 100 micrometers), the photosensitive paste layer was ultraviolet-ray-exposed from the upper surface by the ultrahigh pressure mercury lamp of 25 mW / cm <2> output. The exposure amount was 500 mJ / cm 2.

다음으로, 노광 후의 감광성 페이스트층에, 23℃로 유지한 탄산나트륨의 0.5% 수용액을, 샤워로 60초간 가함으로써 현상하였다. 그 후, 샤워 스프레이를 이용하여 물세정하고, 광경화되지 않은 부분을 제거하여 유리 기판 상에 격자상의 노광 패턴을 형성하였다. 이 현상 후의 노광 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.Next, it developed by adding the 0.5% aqueous solution of sodium carbonate maintained at 23 degreeC to the photosensitive paste layer after exposure for 60 second with a shower. Thereafter, water washing was performed using a shower spray, and the uncured portion was removed to form a lattice-shaped exposure pattern on the glass substrate. The exposure pattern after this image development was evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 4.

다음으로, 얻어진 노광 패턴을 580℃에서 30분간 소성하고 전극 패턴을 형성하였다. 이 소성 후의 전극 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.Next, the obtained exposure pattern was baked at 580 degreeC for 30 minutes, and the electrode pattern was formed. The electrode pattern after this baking was evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 4.

[실시예 18]Example 18

표 1에 나타내는 알루미늄 분말 A1(45 g), 표 2에 나타내는 유리 분말 B1(5 g) 및 표 3에 나타내는 감광성 수지 성분 (5)(50 g)를 이용하여 감광성 페이스트를 제조한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 유리 기판 상에 감광성 페이스트층, 경화 패턴, 전극 패턴을 순차 형성하였다. 이어서, 경화 패턴 및 전극 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.Except having manufactured the photosensitive paste using the aluminum powder A1 (45g) shown in Table 1, the glass powder B1 (5g) shown in Table 2, and the photosensitive resin component (5) (50g) shown in Table 3, In the same manner as in 1, a photosensitive paste layer, a cured pattern, and an electrode pattern were sequentially formed on the glass substrate. Next, the hardening pattern and the electrode pattern were evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 4.

[실시예 19]Example 19

표 1에 나타내는 알루미늄 분말 A1(35 g), 표 2에 나타내는 유리 분말 B1(20 g) 및 표 3에 나타내는 감광성 수지 성분 (5)(45 g)를 이용하여 감광성 페이스트를 제조한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 유리 기판 상에 감광성 페이스트층, 경화 패턴, 전극 패턴을 순차 형성하였다. 이어서, 경화 패턴 및 전극 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.Except having manufactured the photosensitive paste using the aluminum powder A1 (35g) shown in Table 1, the glass powder B1 (20g) shown in Table 2, and the photosensitive resin component (5) (45g) shown in Table 3, In the same manner as in 1, a photosensitive paste layer, a cured pattern, and an electrode pattern were sequentially formed on the glass substrate. Next, the hardening pattern and the electrode pattern were evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 4.

[실시예 20]Example 20

표 1에 나타내는 알루미늄 분말 A1(20 g), 표 2에 나타내는 유리 분말 B1(30 g) 및 표 3에 나타내는 감광성 수지 성분 (5)(50 g)를 이용하여 감광성 페이스트를 제조한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 유리 기판 상에 감광성 페이스트층, 경화 패턴, 전극 패턴을 순차 형성하였다. 이어서, 경화 패턴 및 전극 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.Except having manufactured the photosensitive paste using the aluminum powder A1 (20g) shown in Table 1, the glass powder B1 (30g) shown in Table 2, and the photosensitive resin component (5) (50g) shown in Table 3, In the same manner as in 1, a photosensitive paste layer, a cured pattern, and an electrode pattern were sequentially formed on the glass substrate. Next, the hardening pattern and the electrode pattern were evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 4.

Figure 112008049114764-pat00002
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Figure 112008049114764-pat00003
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Figure 112008049114764-pat00004
Figure 112008049114764-pat00004

TMP: 트리메틸올프로판(프로피온옥사이드 변성)트리아크릴레이트 TMP: trimethylolpropane (propion oxide modified) triacrylate

MTPMP: 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판-1-온 MTPMP: 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propan-1-one

DETX: 2,4-디에틸티오크산톤 DETX: 2,4-diethyl thioxanthone

BHHD: 1,7-비스(4-히드록시페놀)-1,6-헵타디엔-3,5-디온 BHHD: 1,7-bis (4-hydroxyphenol) -1,6-heptadiene-3,5-dione

TNOL: 테르피네올TNOL: Terpineol

PGME: 프로필렌글리콜모노메틸에테르 PGME: Propylene Glycol Monomethyl Ether

Figure 112008049114764-pat00005
Figure 112008049114764-pat00005

표 4에 나타낸 바와 같이, 현상 후 및 소성 후의 패턴 평가로서는, 실시예 1 내지 6, 10 내지 12, 17 내지 20이 특히 우수하였다. 실시예 7 내지 9, 13, 14 및 16은 양호하였다. 실시예 15는 약간 양호하였다. 또한, 부피 저항의 평가로서는, 실시예 1 내지 15, 17 내지 20은 50 내지 200μΩ·cm의 범위에 들었다. 실시예 16은 400 내지 600μΩ·cm의 범위에 들었다.As shown in Table 4, Examples 1-6, 10-12, 17-20 were especially excellent as pattern evaluation after image development and after baking. Examples 7 to 9, 13, 14 and 16 were good. Example 15 was slightly good. In addition, as evaluation of a volume resistance, Examples 1-15 and 17-20 were in the range of 50-200 microohm * cm. Example 16 was in the range of 400-600 micrometer * cm.

[비교예 1] Comparative Example 1

표 5에 나타내는 알루미늄 분말, 유리 분말 및 감광성 수지 성분을 이용하여 감광성 페이스트를 제조한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 유리 기판 상에 감광성 페이스트층, 경화 패턴, 전극 패턴을 순차 형성하였다. 이어서, 경화 패턴 및 전극 패턴을 상기 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과를 표 5에 나타내었다.Except having manufactured the photosensitive paste using the aluminum powder, glass powder, and photosensitive resin component shown in Table 5, it carried out similarly to Example 1, and formed the photosensitive paste layer, the hardening pattern, and the electrode pattern on the glass substrate one by one. Next, the hardening pattern and the electrode pattern were evaluated by the said evaluation method. The results are shown in Table 5.

Figure 112008049114764-pat00006
Figure 112008049114764-pat00006

표 5에 나타낸 바와 같이, 현상 후 및 소성 후의 패턴 평가로서는, 비교예 1은 응집 또는 겔화가 발현되어 평가할 수 없었다. 또한, 전극 패턴의 박리가 관찰되었다. 부피 저항의 평가로서는, 비교예 1은 400 내지 600μΩ·cm의 범위에 들었다.As shown in Table 5, in the evaluation of the pattern after development and after firing, in Comparative Example 1, aggregation or gelation was expressed and could not be evaluated. In addition, peeling of the electrode pattern was observed. As evaluation of volume resistance, the comparative example 1 was in the range of 400-600 micrometer * cm.

도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 형상을 도시하는 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel.

도 2는 일반적인 전계 방출 디스플레이의 단면 형상을 도시하는 모식도이다.2 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of a typical field emission display.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

101: 유리 기판101: glass substrate

102: 유리 기판102: glass substrate

103: 배면 격벽103: rear bulkhead

104: 투명 전극104: transparent electrode

105: 버스 전극105: bus electrode

106: 어드레스 전극106: address electrode

107: 형광 물질107: fluorescent material

108: 유전체층108: dielectric layer

109: 유전체층109: dielectric layer

110: 보호층110: protective layer

111: 전방면 격벽111: front bulkhead

201: 유리 기판201: glass substrate

202: 유리 기판202: glass substrate

203: 절연층203: insulating layer

204: 투명 전극204: transparent electrode

205: 이미터205 emitter

206: 캐소드 전극206: cathode electrode

207: 형광체207: phosphor

208: 게이트208: gate

209: 스페이서209: spacer

Claims (8)

50 중량% 입경(D50)이 2.0 내지 20.0 ㎛인 알루미늄 분말 (A) (단, 금속-코팅 알루미늄 분말을 제외함),Aluminum powder (A) having a 50 wt% particle size (D50) of 2.0 to 20.0 μm, except for the metal-coated aluminum powder, 알칼리 가용성 수지 (C),Alkali soluble resin (C), 다관능 (메트)아크릴레이트 (D), 및Polyfunctional (meth) acrylates (D), and 광중합 개시제 (E)Photopolymerization Initiator (E) 를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.A photosensitive paste composition comprising a. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄 분말 (A)의 함유량이, 감광성 페이스트 조성물 전체에 대하여, 15 내지 70 중량%인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.Content of the said aluminum powder (A) is 15 to 70 weight% with respect to the whole photosensitive paste composition, The photosensitive paste composition of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지 (C)가 그의 전체 구성 단위 중, 카르복실기 함유 단량체류, 수산기 함유 단량체류 및 페놀성 수산기 함유 단량체류 중에서 선택되는 적어도 1종의 알칼리 가용성 관능기 함유 단량체 (C1) 유래의 구성 단위를 5 내지 90 중량% 함유하는 수지인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.The said alkali-soluble resin (C) is an at least 1 sort (s) of alkali-soluble functional group chosen from carboxyl group-containing monomers, hydroxyl-containing monomers, and phenolic hydroxyl-containing monomers in the whole structural unit. It is resin containing 5 to 90 weight% of structural units derived from a containing monomer (C1), The photosensitive paste composition characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지 (C)의 산가가 20 내지 200 mgKOH/g인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물.The acid value of the said alkali-soluble resin (C) is 20-200 mgKOH / g, The photosensitive paste composition of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 추가로 50 중량% 입경(D50)이 0.2 내지 4.0 ㎛인 유리 분말 (B)를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물. The photosensitive paste composition according to claim 1 or 2, further comprising a glass powder (B) having a 50 wt% particle size (D50) of 0.2 to 4.0 µm. 제5항에 있어서, 상기 유리 분말 (B)로서 연화점이 350 내지 700℃인 유리 분말을, 감광성 페이스트 조성물 전체에 대하여 0.5 내지 15 중량%의 비율로 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물. The photosensitive paste composition according to claim 5, wherein the glass powder (B) contains a glass powder having a softening point of 350 to 700 ° C in a proportion of 0.5 to 15% by weight based on the entire photosensitive paste composition. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 알루미늄 분말 (A)가 지방산이 포접되어 있는 알루미늄 분말인 것을 특징으로 하는 감광성 페이스트 조성물. The said aluminum powder (A) is aluminum powder in which fatty acid is contained, The photosensitive paste composition of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 페이스트 조성물을 포함하는 감광성 페이스트층을 기판 상에 형성하는 공정, The process of forming the photosensitive paste layer containing the photosensitive paste composition of Claim 1 or 2 on a board | substrate, 상기 페이스트층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하는 공정, Exposing the paste layer to form a latent image of the pattern; 상기 페이스트층을 현상 처리하여 패턴을 형성하는 공정, 및 Developing the paste layer to form a pattern, and 상기 패턴을 소성 처리하는 공정Firing the pattern 을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. Pattern forming method comprising a.
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