KR101100433B1 - 후펌핑 수직외부공진형 표면발광 레이저 장치 - Google Patents

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Abstract

펌핑빔의 입사손실을 줄일 수 있도록 그 구조가 개선된 VECSEL 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 VECSEL 장치는, 그 일면에 펌핑빔이 입사되는 비반사코팅층, 상기 비반사 코팅층의 타면에 형성되는 것으로 로우 헤르핀 인덱스(Low Herpin index) 적층구조를 갖는 분산 브래그 반사기(LHI-DBR) 및 상기 LHI-DBR 위에 형성되는 것으로 상기 펌핑빔에 의해 여기되어 레이저광을 발생시키는 주기적이득층을 포함하는 레이저칩과, 상기 주기적이득층과 마주하도록 상기 레이저칩의 외부에 설치되는 것으로 상기 LHI-DBR과 함께 레이저 공진기를 구성하는 외부공진미러를 구비한다.

Description

후펌핑 수직외부공진형 표면발광 레이저 장치{End pumping vertical external cavity surface emitting laser apparatus}
도 1은 종래 후펌핑 VECSEL 소자의 개략적 단면도이다.
도 2는 도 1의 VECSEL 소자에서 펌핑빔의 파장에 따른 분산브래그반사기층(DBR)의 반사도를 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 VECSEL 장치의 개략적 단면도이다.
도 4는 도 3의 VECSEL 장치에서 로우 헤르핀 인덱스 분산 브래그 반사기(LHI-DBR)의 상세도이다.
도 5는 로우 헤르핀 인덱스 분산 브래그 반사기(LHI-DBR)와 하이 헤르핀 인덱스 분산 브래그 반사기(High Herpin Index Distributed Bragg Reflector; HHI-DBR)의 반사율 특성을 상호 비교하여 나타내보인 그래프이다.
도 6은 도 3의 VECSEL 장치에서 펌핑빔의 파장에 따른 LHI-DBR의 반사도를 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 VECSEL 장치의 개략적 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 VECSEL 장치의 개략적 단면도이다.
도 9는 도 8의 VECSEL 장치에서 펌핑빔의 파장에 따른 LHI-DBR의 반사도를 보여주는 그래프이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10:비반사코팅층 20:LHI-DBR
20a, 20c:저굴절률층 20b:고굴절률층
30:주기적이득층 30a:양자우물층
30b:배리어층 100:레이저칩
200:외부공진미러 300:광학펌프
본 발명은 VECSEL 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 VECSEL 소자의 구동시에 펌핑빔의 입사손실을 줄일 수 있도록 그 구조가 개선된 VECSEL 소자에 관한 것이다.
수직 공진기형 면발광 레이저(VCSEL; Vertical Cavity Surface Emitting Laser)는 매우 좁은 스펙트럼의 단일 종모드(Single Longitudinal) 발진을 할 뿐 아니라 빔의 방사각(divergence Angle)이 작아 접속효율(Coupling Efficiency)이 높고 면발광의 구조상 다른 장치의 집적(Monolithic Intergration)이 용이한 특징이 있다.
그러나, 종래의 VCSEL에서 통상의 단일 횡모드 동작을 위해서는 발진 영역의 면적이 10㎛ 이하로 되어야 하며, 이러한 경우조차 광출력의 증가에 따른 열적 렌즈 효과(Thermal Lens Effect) 등의 영향으로 인해 다중 모드 상태로 바뀌게 되 기 때문에, 단일 횡모드로써 최대출력은 일반적으로 5mW 이상을 넘지 못한다.
상술한 VCSEL의 장점을 살리고 동시에 고출력 동작을 구현하기 위하여 제시된 새로운 장치가 VECSEL(Vertical External Cavity Surface Emitting Laser)이다. 상기 VECSEL은 상부 반사층(Upper DBR)을 외부반사장치(External Mirror)로 대체함으로써 이득(Gain)영역을 증가시킬 수 있기 때문에, 수 W급 이상의 출력을 얻을 수 있다. 근래에는, 표면 발광 레이저(Surface Emitting Laser)가 측면 발광(Edge Emitting Laser)에 비해 이득체적(gain volume)이 작아서 충분한 이득(gain)을 얻기가 어렵다는 단점을 최대한 보완하기 위해, 주기적으로 QW(quantum well)이 배치되는 주기적 이득(Periodic gain) 구조의 VECSEL 소자가 개발되었다. 또한, 전기적 펌핑(Electric pumping)으로는 큰 면적에 균일한 캐리어 주입(carrier injection)을 하는데 한계가 있기 때문에, 고출력을 얻기 위해서 광학적 펌핑(Optical pumping)을 통하여 넓은 면적을 균일하게 펌핑하는 구조의 VECSEL 소자가 개발되었다.
도 1은 종래 후펌핑 VECSEL 소자의 개략적 단면도이고, 도 2는 도 1의 VECSEL 소자에서 펌핑빔의 파장에 따른 분산브래그반사기층(DBR)의 반사도를 보여주는 그래프이다.
도 1을 참조하면, 종래의 VECSEL은 투명기판(2), 상기 투명기판(2) 위에 순차적으로 적층된 분산브래그반사기층(DBR; distributed bragg reflector layer, 4)과 주기적이득층(periodic gain layer, 6), 상기 투명기판(2)에 펌핑빔(pumping beam)을 조사하도록 설치되는 광학펌프(optical pump, 9) 및 상기 주기적이득층(6) 에 대향하여 설치되는 외부공진미러(external cavity mirror, 8)를 구비한다. 여기에서, 상기 DBR(4)은 H,L,H,L,H,L,.... 또는 L,H,L,H,L,H,....의 적층구조를 갖는다. 여기에서, L은 λ/4 두께의 저굴절률층이고, H는 λ/4 두께의 고굴절률층이며, λ는 주기적이득층(6)로부터 발생되는 레이저광의 파장이다.
이와 같은 구조의 종래 VECSEL 소자에 의하면, DBR(4)의 계면/표면에서 입사되는 펌핑빔의 30% 이상이 반사되어, 이득(gain)영역으로 입사되는 펌핑효율이 70% 정도로 비교적 낮다. 도 2를 참조하면, 808㎚ 파장의 펌핑빔의 경우, DBR 계면에서 30% 정도의 반사가 있음을 보여준다. 이와 같이 DBR 계면에서, 입사되는 펌핑빔의 반사는 이득효율을 감소시켜 레이징효율을 떨어뜨릴 수 있다. 따라서, 펌핑빔의 입사손실을 줄여 펌핑효율을 증대시킬 수 있는 구조를 갖는 VECSEL 소자의 개발이 요구되었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로, VECSEL 소자의 구동시에 펌핑빔의 입사손실을 줄일 수 있도록 그 구조가 개선된 VECSEL 소자를 제공함에 있다.
본 발명에 따른 VECSEL 장치는,
그 일면에 펌핑빔이 입사되는 비반사코팅층, 상기 비반사 코팅층의 타면에 형성되는 것으로 로우 헤르핀 인덱스(Low Herpin Index;LHI) 적층구조를 갖는 분산 브래그 반사기(LHI-DBR) 및 상기 LHI-DBR 위에 형성되는 것으로 상기 펌핑빔에 의 해 여기되어 레이저광을 발생시키는 주기적이득층을 포함하는 레이저칩;과
상기 주기적이득층과 마주하도록 상기 레이저칩의 외부에 설치되는 것으로 상기 LHI-DBR과 함께 레이저 공진기를 구성하는 외부공진미러;를 구비한다.
여기에서, 상기 로우 헤르핀 인덱스 적층구조는
Figure 112005075922712-pat00001
으로 표현되는 적층순서를 가지며, 여기에서 λ는 상기 레이저광의 파장이고, L은 λ/4 두께의 저굴절률층이고, H는 λ/4 두께의 고굴절률층이며, N은 반복적층수로서 0보다 큰 정수이다. 그리고, 상기 저굴절률층과 고굴절률층은 각각 AlGaAs 및 AlAs으로 형성될 수 있다.
상기 주기적이득층은 다수의 양자우물층과 배리어층을 포함한다. 그리고, 상기 비반사코팅층은 SiO2, TiO2 또는 Al2O3 등과 같은 광투과성 절연물질로 형성될 수 있으며, 상기 펌핑빔 파장(λ0)의 1/4 두께로 형성된다. 이러한 비반사코팅층은 단층(single layer) 또는 다층(multi layer) 구조로 형성될 수 있다.
바람직하게, 본 발명의 VECSEL 장치는 상기 비반사 코팅층에 펌핑빔을 조사하도록 설치되는 광학펌프를 더 구비할 수 있다. 여기에서, 상기 펌핑빔의 파장(λ0)은 700㎚ 내지 900㎚ 범위에 있으며, 상기 LHI-DBR은 상기 펌핑빔에 대하여 저반사 특성를 갖는다.
또한, 본 발명의 VECSEL 장치는 상기 레이저칩으로부터 발생하는 열을 흡수하여 레이저칩의 외부로 방출시키는 히트스프레더를 더 구비할 수 있다. 상기 히트 스프레더는 상기 주기적이득층의 상부에 설치되거나 또는 상기 LHI-DBR과 비반사코팅층 사이에 설치될 수 있으며, 이러한 히트스프레더는 다이아몬드, 실리콘 카바이드(SiC) 또는 Al2O3으로 형성된다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 이득영역에서 광추출 및 레이징 효율이 크게 향상된 VECSEL 장치를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 VECSEL 장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 VECSEL 장치의 개략적 단면도이며, 도 4는 도 3의 VECSEL 장치에서 로우 헤르핀 인덱스 분산 브래그 반사기(LHI-DBR)의 상세도이다.
도 3 및 도 4를 함께 참조하면, 제1 실시예에 따른 VECSEL 장치는 순차로 적층된 비반사코팅층(10, Anti-Reflection Coating layer; ARC)과 로우 헤르핀 인덱스 분산 브래그 반사기(20, Low Herpin Index Distributed Bragg Reflector; LHI-DBR) 및 주기적이득층(30, periodic gain layer)을 포함하는 레이저칩(100), 상기 레이저칩(100)의 비반사코팅층(10)에 펌핑빔을 조사하는 광학펌프(300, optical pump), 그리고 상기 주기적이득층(30)과 마주하도록 설치되어 상기 LHI-DBR과 함께 레이저 공진기를 구성하는 외부공진미러(200, external cavity mirror)를 구비한다.
상기 주기적이득층(30)은 상기 광학펌프(300)로부터 입사되는 펌핑빔에 의해 여기되어 레이저광을 발생시키며, 다수의 양자우물층(30a)과 배리어층(30b)을 포함하는 다중 양자우물(MQW; multi-quantum well) 구조를 가진다. 이러한 주기적이득층(30)의 구조, 형성물질, 형성방법은 널리 알려져 있으므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 여기에서, 상기 펌핑빔의 파장(λ0)은 700㎚ 내지 900㎚ 범위에 있다.
상기 LHI-DBR(20)은 상기 외부공진미러(200)와 함께 공진기를 구성하는 고반사율의 미러층으로서, 상기 주기적이득층(30)으로부터 발생한 레이저광은 상기 외부공진미러(200)와 LHI-DBR(20) 사이에서 공진되어 증폭될 수 있다.
본 발명의 VECSEL 장치에서, 분산 브래그 반사기는
Figure 112005075922712-pat00002
으로 표현되는 로우 헤르핀 인덱스(LHI) 적층구조를 가지는 LHI-DBR(20)로 형성되는 것을 특징으로 한다. 여기에서 λ는 상기 레이저광의 파장이고, L은 λ/4 두께의 저굴절률층이고, H는 λ/4 두께의 고굴절률층이며, N은 반복적층수로서 0보다 큰 정수이다. 도 4를 참조하면, 상기 구조식으로 표현된 LHI-DBR(20)은 최하층과 최상층에 각각 λ/8 두께의 저굴절률층(L/2, 20a)이 배치되고, 이들 사이에 λ/4 두께의 고굴절률층(20b, H)과 저굴절률층(20c, L)이 교번하여 적층된 구조를 가진다. 여기에서 일례로, 상기 저굴절률층과 고굴절률층은 각각 AlGaAs 및 AlAs으로 형성될 수 있다.
상기 LHI-DBR(20)은 H,L,H,L,H,L,.... 또는 L,H,L,H,L,H,....의 적층구조를 가지는 종래의 일반적인 DBR 구조와는 그 구조가 엄격히 구분될 수 있다.
특히, 이와 같은 로우 헤르핀 인덱스(LHI) 적층구조로 형성된 LHI-DBR(20)은 700㎚ 내지 900㎚ 파장의 펌핑빔에 대하여 2% 이내의 저반사 특성을 가지기 때문에, 이득(gain)영역으로 입사되는 펌핑효율이 종래 70%로부터 98% 이상으로 증대될 수 있다. 따라서, 상기 펌핑빔의 입사손실이 종래 보다 줄어들어, 이득영역에서 광추출 및 레이징 효율이 크게 향상될 수 있으며, 상기 VECSEL 장치의 광출력이 더욱 높아질 수 있다.
상기 비반사코팅층(10)은 SiO2, TiO2 또는 Al2O3 등과 같은 광투과성 절연물질로 형성될 수 있으며, 상기 펌핑빔 파장(λ0)의 1/4 두께로 형성되어 상기 LHI-DBR(20) 표면에서의 펌핑빔 반사를 억제하는 기능을 한다. 이러한 비반사코팅층은 단층(single layer) 또는 다층(multi layer) 구조로 형성될 수 있다.
상기와 같은 구조의 VECSEL 장치에서, 상기 광학펌프(300)에서 방출된 펌핑빔은 상기 비반사코팅층(10)과 LHI-DBR(20)을 투과하여 주기적이득층(30), 구체적으로 양자우물층(30a)에 흡수되며, 이에 따라 상기 양자우물층(30a) 내에서 여기된 전자들과 정공들이 재결합하면서 레이저광이 방출될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 방출된 레이저광은 상기 LHI-DBR(20)과 외부공진미러(30) 사이에서 정상파(standing wave)를 형성한다. 여기에서, 상기 레이저광의 이득효율을 최대화하기 위해, 상기 양자우물층(30a)은 상기 정상파의 안티노드(anit-node)(즉, 변위의 크기가 최대가 되는 점)에 위치되는 것이 바람직하다.
상기 주기적이득층(30)에서 발생되는 레이저광의 파장(λ)은 양자우물층 (30a)을 이루는 원소의 조성비 또는 양자우물층(30a)의 두께에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 이들 두 요소(조성비, 두께)를 적절히 제어함으로써, 상기 주기적이득층(30)으로부터 원하는 파장의 레이저광을 얻을 수 있다. 일반적으로 원소의 조성비가 동일한 경우, 양자우물층(30a)의 두께가 두꺼울수록 장파장의 레이저광이 생성된다.
상기와 같은 구조의 VECSEL 장치에서 레이저칩을 제조하는 방법은 다음과 같다. 먼저, 베이스-기판(미도시)을 준비한 후, 상기 베이스-기판 위에 순차적으로 비반사코팅층(10), LHI-DBR(20) 및 주기적이득층(30)을 형성한다. 여기에서, 각각의 층들은 반도체 공정에서 일반적으로 이용되는 박막증착 방법, 예를 들어 CVD(chemical vapor deposition) 또는 PVD(physical vapor deposition) 등과 같은 공정에 의해 형성될 수 있다. 이들 공정은 널리 알려져 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 그리고나서, CMP(chemical mechanical polishing)와 같은 공정으로 상기 베이스-기판을 제거한다. 경우에 따라, CMP 공정의 실시후에, 습식에칭 공정이 더 수행될 수 있다.
도 5는 로우 헤르핀 인덱스 분산 브래그 반사기(LHI-DBR)와 하이 헤르핀 인덱스 분산 브래그 반사기(High Herpin Index Distributed Bragg Reflector; HHI-DBR)의 반사율 특성을 상호 비교하여 나타내보인 그래프이다. 여기에서, 상기 HHI-DBR은
Figure 112005075922712-pat00003
으로 표현되는 적층구조를 가진다.
도 5를 참조하면, 단파장 영역, 즉 700㎚ 내지 900㎚ 범위에서는 LHI-DBR의 반사율 특성이 HHI-DBR의 반사율 특성 보다 우수한 것으로 나타난다. 그리고, 장파장 영역, 즉 1400㎚ 내지 2000㎚ 범위에서는 HHI-DBR의 반사율 특성이 LHI-DBR의 반사율 특성 보다 우수한 것으로 나타난다.
도 6은 도 3의 VECSEL 장치에서 펌핑빔의 파장에 따른 LHI-DBR의 반사도를 보여주는 그래프이다. 여기에서, 종래 H,L,H,L,H,L,.... 또는 L,H,L,H,L,H,....의 적층구조를 갖는 DBR의 반사도가 함께 도시되어 비교되었다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 VECSEL 장치의 개략적 단면도이다. 그리고, 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 VECSEL 장치의 개략적 단면도이며, 도 9는 도 8의 VECSEL 장치에서 펌핑빔의 파장에 따른 LHI-DBR의 반사도를 보여주는 그래프이다.
여기에서, 제1 실시예와 동일한 구성요소에 대하여는 중복되는 설명을 생략하고, 동일한 참조번호를 그대로 사용하기로 한다. 제2, 제3 실시예에 따른 VECSEL 장치는, 상기 제1 실시예의 구성과 거의 유사하나, 상기 레이저칩(100)으로부터 발생하는 열을 흡수하여 레이저칩(100)의 외부로 방출시키는 히트스프레더(40, Heat Spreader; HS)를 더 구비한다는 점에 차이가 있다. 이와 같은 히트스프레더(40)는 다이아몬드, 실리콘 카바이드(SiC) 또는 Al2O3으로 형성된 열흡수체(heat sink)이다.
상기 제2 실시예에 따르면, 상기 히트스프레더(40)는 상기 주기적이득층(30)의 상부에 설치되었으며, 이들(30, 40)은 반데르발스힘에 의해 상호 본딩되었다.
제3 실시예에 따르며, 상기 히트스프레더(40)는 상기 LHI-DBR(20)과 비반사코팅층(10) 사이에 설치되었다. 상기 제3 실시예에 따른 VECSEL 장치에서 레이저칩은 다음과 같은 제조공정에 의해 얻을 수 있다. 먼저, 베이스-기판(미도시)을 준비한 후, 상기 베이스-기판 위에 순차적으로 LHI-DBR(20) 및 주기적이득층(30)을 형성한다. 그리고나서, CMP(chemical mechanical polishing) 공정에 의해 상기 베이스-기판을 제거한다. 한편, 히트스프레더를 제조한 후, 상기 히트스프레더의 일면상에 비반사코팅층을 형성한다. 그 다음에, 상기 히트스프레더의 타면을 LHI-DBR(20) 표면에 본딩시킨다. 이와 같은 공정으로 제3 실시예의 레이저칩이 제조될 수 있다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, VECSEL 장치의 구동시에 DBR 에서의 입사빔(펌핑빔) 반사율이 2% 이내로 줄어들며, 특히 입사빔 파장영역 즉, 700㎚ 내지 900㎚ 범위에서 리플(ripple)이 종래 VECSEL 보다 대폭 감소될 수 있다. 따라서, 펌핑빔의 투과도가 최대화되어 이득(gain)영역으로 입사되는 펌핑효율이 종래 70%로부터 98% 이상으로 증대될 수 있다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 펌핑빔의 입사손실이 줄고, 펌핑효율이 증대될 수 있기 때문에, 이득영역에서 광추출 및 레이징 효율이 크게 향상될 수 있으며, 상기 VECSEL 장치의 광출력이 더욱 높아질 수 있다. 또한, 본 발명의 VECSEL 장치는 그 구조가 간단하고 제조방법이 용이하기 때문에, 제조비용이 절감되는 효과도 아울러 얻을 수 있다.
이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 단지 넓은 발명을 예시하고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 배열에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 이는 다양한 다른 수정이 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.

Claims (14)

  1. 그 일면에 펌핑빔이 입사되는 비반사코팅층, 상기 비반사 코팅층의 타면에 형성되는 것으로 로우 헤르핀 인덱스(Low Herpin Index;LHI) 적층구조를 갖는 분산 브래그 반사기(LHI-DBR) 및 상기 LHI-DBR 위에 형성되는 것으로 상기 펌핑빔에 의해 여기되어 레이저광을 발생시키는 주기적이득층을 포함하는 레이저칩;과
    상기 주기적이득층과 마주하도록 상기 레이저칩의 외부에 설치되는 것으로 상기 LHI-DBR과 함께 레이저 공진기를 구성하는 외부공진미러;를 구비하는 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 로우 헤르핀 인덱스 적층구조는
    Figure 112005075922712-pat00004
    으로 표현되는 적층순서를 가지며, 여기에서 λ는 상기 레이저광의 파장이고, L은 λ/4 두께의 저굴절률층이고, H는 λ/4 두께의 고굴절률층이며, N은 반복적층수로서 0보다 큰 정수인 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 저굴절률층과 고굴절률층은 각각 AlGaAs 및 AlAs으로 형성된 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 비반사 코팅층에 펌핑빔을 조사하도록 설치되는 광학펌프를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 펌핑빔의 파장(λ0)은 700㎚ 내지 900㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 LHI-DBR은 상기 펌핑빔에 대하여 저반사 특성를 갖는 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 주기적이득층은 다수의 양자우물층과 배리어층을 포함하는 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 비반사코팅층은 광투과성 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 비반사코팅층은 상기 펌핑빔 파장(λ0)의 1/4 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 비반사코팅층은 단층(single layer) 또는 다층(multi layer) 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 광투과성 절연물질은 SiO2, TiO2 및 Al2O3으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 한 물질인 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저칩으로부터 발생하는 열을 흡수하여 레이저칩의 외부로 방출시키는 히트스프레더를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 히트스프레더는 다이아몬드, 실리콘 카바이드(SiC) 및 Al2O3으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 히트스프레더는 상기 주기적이득층의 상부에 설치되거나 또는 상기 LHI-DBR과 비반사코팅층 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 VECSEL 장치.
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