KR101099502B1 - 내마모성이 우수한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법 - Google Patents

내마모성이 우수한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101099502B1
KR101099502B1 KR1020080133737A KR20080133737A KR101099502B1 KR 101099502 B1 KR101099502 B1 KR 101099502B1 KR 1020080133737 A KR1020080133737 A KR 1020080133737A KR 20080133737 A KR20080133737 A KR 20080133737A KR 101099502 B1 KR101099502 B1 KR 101099502B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coating layer
contact
conductor
contact portion
terminal
Prior art date
Application number
KR1020080133737A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090071461A (ko
Inventor
정영석
Original Assignee
주식회사 아이에스시테크놀러지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이에스시테크놀러지 filed Critical 주식회사 아이에스시테크놀러지
Publication of KR20090071461A publication Critical patent/KR20090071461A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101099502B1 publication Critical patent/KR101099502B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Contacts (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 내마모성이 우수한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법에 대한 것으로서, 도체들과의 빈번한 접촉으로 인하여 접촉 단자의 표면이 손상되는 것을 방지할 수 있는 성분들로 이루어진 층을 코팅한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 도체 접촉부는, 접촉 단자; 상기 접촉 단자 위에 형성되는 금속소재로 이루어진 제1 코팅층; 및 상기 제1 코팅층 위에 형성되는 탄소 나노 튜브와 도금가능한 금속물질로 구성된 제2코팅층을 포함한다.
이로 인해, 반복적인 도체들과의 접촉으로 인한 단자의 마모로 인해 박리 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
탄소 나노 튜브, 도체 접촉부, 접촉 단자

Description

내마모성이 우수한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법{Electric contact having excellent wear resistivity and manufacture method thereof}
본 발명은 내마모성이 우수한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 도체와의 빈번한 접촉으로 인하여 접촉 단자의 표면박리 현상을 방지할 수 있는 성분들로 이루어진 층을 코팅한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 인쇄회로기판(PCB)이나 플렉시블 PCB(FPC)의 접촉패드에 납땜 부착된다. PCB 등의 접촉패드는 포토리소그라피 기법에 의해 동박면으로 형성되는데, 동박면을 그대로 접촉부로 사용하기도 하고 신뢰성 향상을 위하여 동박면에 금도금을 하여 사용하기도 한다.
반도체소자를 테스트하기 위해서는, 테스트할 반도체소자(device under test, DUT)를 테스트소켓(test socket)에 삽입하여야 한다. 이때 테스트 소켓으로는 포고핀, 핀 스프링, 스프링, 실리콘 콘택터 등이 사용될 수 있다. 이러한 테스트 소켓의 접촉터미널에는 DUT의 리드(lead)가 빈번하게 삽입/분리된다. 한편, 테스트 소켓의 접촉터미널에는 거의 필수적으로 금도금을 하여 접촉저항을 줄이도록 하고 있다.
그러나, 접촉 부위의 잦은 마찰로 인해 금도금층에 박리 현상이 쉽게 일어나 결국 접촉 저항이 다시 증가하는 문제점이 있었다. 또한, 이때 발생하는 마찰 및 마모로 인해 테스트 소켓의 상부에 반도체 소자의 리드 단자에서 발생한 오염 물질이 쌓이기도 하는데, 이를 제거하기 위해서 기계적, 화학적 세정 방법을 사용하면 오히려 테스트 소켓이 손상될 수 있는 문제점이 있었다.
상기 문제점을 해결하기 위해서, 본 출원인이 출원한 대한민국 등록특허 10-0362145호에는 접촉 패드에 니켈과 다이아몬드로 이루어진 혼합 분말을 도포하고, 그 위에 니켈과 금으로 이루어진 층을 순차적으로 형성한 방법이 개시되어 있다. 그러나, 상기 발명 또한 접촉 패드에 위에 경도가 낮은 금 코팅층을 형성한다는 점에서 박리 현상을 효과적으로 제거하기에는 한계가 있는 문제점이 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 도체가 빈번하게 접촉되는 접촉 단자의 표면에 마찰 및 마모에 대한 내구성이 강한 물질을 코팅함으로써, 반복적인 접촉을 하여도 그 표면의 박리 현상이 생기는 것을 방지할 수 있는 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 도체 접촉부는, 접촉 단자; 상기 접촉 단자 위에 형성되는 금속소재로 이루어진 제1 코팅층; 및 상기 제1 코팅층 위에 형성되는 탄소 나노 튜브와 도금가능한 금속물질로 구성된 제2코팅층을 포함한다.
상기 도체 접촉부에서,
상기 도금가능한 금속물질은 금, 은, 구리, 팔라듐, 류듐 중에 어느 하나인 것이 바람직하다.
상기 도체 접촉부에서,
상기 제1 코팅층의 금속소재는 니켈인 것이 바람직하다.
상기 도체 접촉부에서, 상기 접촉단자의 표면에는 니켈분말이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 도체 접촉부에서,
상기 접촉단자의 표면에는 다이아몬드 분말이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 도체 접촉부에서, 상기 접촉단자의 표면에는 니켈과 다이아몬드의 혼합분말이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 도체 접촉부의 상기 제2 코팅층에서,
상기 탄소 나노 튜브는 200nm 이하의 길이를 갖는 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 도체 접촉부의 제조방법은, 접촉 단자에 위에 금속소재로 이루어진 제1 코팅층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 코팅층 위에 탄소 나노 튜브와 금이 혼합된 혼합물질로 이루어진 제2 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 도체 접촉부의 제조방법에서, 상기 금속소재는 니켈인 것이 바람직하다.
상기 도체 접촉부의 제조방법에서, 니켈과 다이아몬드로 이루어진 혼합분말을 상기 접촉단자 위에 형성시키는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 도체 접촉부의 제조방법에서, 상기 제2 코팅층을 형성하는 단계는,
탄소 나노 튜브를 생성하는 단계;
상기 생성한 탄소 나노 튜브를 탄소 나노 튜브 절편으로 분할하는 단계; 및
상기 탄소 나노 튜브 절편에 금을 첨가하여 상기 혼합물질을 생성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 도체 접촉부의 제조방법에서, 상기 탄소 나노 튜브를 생성하는 단계는,
전기 방전 방법 또는 레이저 증착 방법을 이용하여 생성하는 단계인 것이 바람직하다.
상기 도체 접촉부의 제조방법에서, 상기 탄소 나노 튜브 절편으로 분할하는 단계는, 질산 처리법 또는 볼 밀링법을 이용하여 분할하는 단계인 것이 바람직하다.
상기와 같은 본 발명에 따른 도체 접촉부는 종래에 사용되던 금으로 이루어진 코팅층을 탄소 나노 튜브와 금이 혼합된 혼합물질로 형성함으로써, 반복적인 단자와의 접촉으로 인하여 접촉 단자의 표면에 박리 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는, 본 발명의 일 실시예를 나타내는 첨부 도면 및 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 종래 기술에 따른 도체 접촉부를 이용한 중간 접촉소켓을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 도체 접촉부는 접촉 패드(120), 혼합 분말(130), 및 코팅층(140)을 포함한다. 한편, 코팅층(140)은 제1 코팅층(142)과 제2 코팅층(144)으로 구성된다. 이하, 이들 구성요소들에 대해서 상세히 설명한다.
도체 접촉부는, 테스트 장비의 접촉 패드와 반도체 소자의 리드 단자 사이를 상호 접촉시키는 역할을 수행한다. 특히, 도체 접촉부(100)는 반도체 소자의 리드 단자로부터 도전성 가루가 떨어져 테스트 장비에 쌓이는 것을 방지하며, 접촉 면적을 넓게 하여 접촉 저항을 줄이며, 저온 환경에서의 반도체 소자를 테스트할 때 형성되는 얼음층 또는 반도체 소자들의 리드단자의 표면에 뭍은 산화막 등의 이물질을 제거하면서 그 리드단자와 접촉할 수 있게 하는 역할을 수행한다.
상기 접촉 패드(120)는 인쇄 회로 기판(110)의 상부와 하부에 각각 형성되는 것으로서, 반도체 소자의 리드 단자 및 테스트 장비의 접촉 단자에 대응하는 위치에 형성된다. 그 접촉 패드(120) 상부에 혼합 분말(130)을 도포하여 반도체 소자의 리드단자 표면에 뭍어있는 얼음막 또는 산화막 등의 이물질을 깨뜨릴 수 있다. 한편, 상기 인쇄 회로 기판(110)은, 테스트 장비의 접촉 단자와 반도체 소자의 리드 단자를 전기적으로 연결하는 중간 매개체인 것을 감안하면, 얇은 두께로 이루어지는 것이 바람직하다. 특히, 중간 접촉 소켓(110)의 유연성을 극대화하기 위해서, 인쇄 회로 기판(110)은 플렉서블 인쇄 회로 기판이 사용되는 것이 바람직하다.
상기 혼합분말(130)은 니켈과 다이아몬드의 혼합분말을 사용하고 있다. 상기 니켈분말은 상기 중간 매개체로 사용되어 이물질을 깨뜨림과 동시에 그 단자 내부로 파고 들면서 전기적인 전도성을 좋게 하는 기능을 수행하고, 상기 다이아몬드 분말은 상기 니켈분말과 함께 이물질을 깨뜨림과 동시에 그 니켈분말의 수명을 증진시키는 기능을 수행하게 되는 것이다.
상기 코팅층(140)은 제1 코팅층(142)과 제2 코팅층(144)으로 이루어지는데, 제1 코팅층(142)에는 니켈 코팅층이 사용되고, 제2 코팅층(144)에는 금 코팅층이 사용된다. 제1 코팅층(142)은 접촉 패드(120)와 혼합 분말(130)에 직접 접촉되며, 제2 코팅층(144)은 제1 코팅층(142)에 접촉된다. 이로 인해, 접촉 패드(120), 혼합 분말(130), 및 코팅층(140)은 전기적으로 연결되어 테스트 장비에서 반도체 소자로 테스트 신호가 전달될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 도체 접촉부는, 접촉 패드(220), 혼합 분 말(230), 및 코팅층(240)을 포함한다. 한편, 코팅층(240)은 제1 코팅층(242)과 제2 코팅층(244)으로 구성된다. 이하, 도 1에 도시된 구성요소들과의 차이점을 위주로 설명한다.
본 발명에 따른 도체 접촉부는, 제2 코팅층(244)에 탄소 나노 튜브(244-1)와 금(244-2)이 혼합된 코팅층을 사용하는 것을 특징으로 한다. 종래에는 제1 코팅층(244)에 니켈을 사용하였고, 제2 코팅층(244)에 금을 사용하였다. 그러나, 금은 전기 전도성이 뛰어난 대신 경도가 낮아 반복적인 마찰로 인해 마모가 발생하고, 이로 인해 금 코팅층의 박리 현상을 완전히 제거하지 못한다. 이때, 상기 제2코팅층에는 금 이외에 다양한 도금가능한 금속물질이 사용될 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 은, 구리, 팔라듐, 로듐 등이 사용가능하며, 기타 다양한 물질이 사용될 수 있다.
한편, 탄소 나노 튜브는, 6각형 고리로 연결된 탄소들이 긴 대롱 모양으로 이루는 지름 1nm 크기의 미세한 분자로서, 인장력이 강철에 비해 100배 이상 강하면서도 유연성이 뛰어나고 속이 비어있어 가벼우며 전기 전도도가 구리와 비슷하며 열전도율은 자연계에서 가장 뛰어난 다이아몬드와 같으며, 탄소 섬유는 1%만 변형되어도 끊어지나 이 소재는 15%가 변형되어도 견딜 수 있는 특징이 있다.
본 발명에 따른 반도체 테스트용 중간 접촉 소켓(200)은, 상기와 같은 특성을 갖는 탄소 나노 튜브(244-1)와 금(244-2)을 혼합하여 형성한 제2 코팅층(244)에 사용함으로써, 종래에 마찰로 인한 코팅층의 박리현상을 상당부분 제거할 수 있는 효과가 있다. 제2 코팅층(244)은 종래 기술과 마찬가지로 제1 코팅층(242) 위에 형 성되고, 반도체 소자의 리드 단자와 직접 접촉되는 부분이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도체 접촉부를 나타내는 도면이다. 도 3를 참조하면, 본 발명에 따른 도체 접촉부는, 접촉 패드(320) 및 코팅층(340)을 포함한다. 한편, 코팅층(340)은 제1 코팅층(242)과 제2 코팅층(244)으로 구성된다. 상술한 실시예와 비교하면 혼합분말이 없이 접촉 패드의 위에 제1코팅층과 제2코팅층을 형성시키는 것이 가능하다. 이때, 상기 제1코팅층을 구성하는 재료로는 니켈 이외에 구리 등이 사용가능하며 기타 도금특성이 우수한 금속이라면 무엇이나 사용가능하다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부의 사용 태양을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부를 사용한 테스트 소켓은, 인쇄 회로 기판(430), 접촉 단자(440), 혼합 분말(450), 및 코팅층(460)을 포함한다. 상기 도체 접촉부는 테스트 보드(410), 접촉 패드(415), 반도체 소자(420), 및 리드 단자(425)에 전기적으로 연결된다. 이하, 이들 구성요소들에 대해 상세히 설명한다.
테스트 보드(410)는, 반도체 소자(420)의 테스트를 수행하기 위한 장비로서, 인쇄 회로 기판으로 구성된다. 테스트 보드(410) 위에 형성된 접촉 패드(415)는 도체 접촉부(430~460)를 통해 반도체 소자(420)의 리드 단자(425)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 테스트 보드(410)로부터 입력된 테스트 신호는, 접촉 패드(415)와 도체 접촉부를 통해 리드 단자(425)로 입력된다.
한편, 본 발명에 따른 도체 접촉부는, 반복적인 테스트로 인해 발생하는 접촉 패드(415)와 리드 단자(425)의 저항 증가를 완화하며, 특히 접촉 단자(440)의 상부에 형성된 코팅층(460)에는 내구성과 내마모성이 강한 탄소 나노 튜브와 금의 혼합 물질이 있어, 빈번한 접촉이 이루어져도 박리 현상이 생길 염려가 없으므로 도체 접촉부의 수명이 향상될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부의 사용 태양을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부를 사용한 테스트 소켓은, 인쇄 회로 기판(530), 접촉 단자(540), 혼합 분말(550), 및 코팅층(560)을 포함하고, 도체 접촉부(530~560)은, 테스트 보드(510), 접촉 패드(515), 반도체 소자(520), 리드 단자(525), 실리콘 시트(570)에 전기적으로 연결된다. 이하, 이들 구성요소들에 대해 상세히 설명한다.
실리콘 시트(570)는, 접촉 패드(515)와 도체 접촉부(530~560) 사이에 위치하며, 도전성 실리콘 부분(572)과 절연성 실리콘 부분(574)으로 구성된다. 도전성 실리콘 부분(572)은, 탄성력을 갖는 실리콘에 도전성 파우더를 혼합하여 굳힌 것으로 전기가 흐르는 도체로 작용한다. 절연성 실리콘 부분(574)은, 탄성력을 갖는 실리콘으로서 실리콘 부재(570)의 수평 유지를 위해 사용된다.
한편, 본 발명에 따른 도체 접촉부(530~560)는, 테스트 보드(510)의 전극 패드(515)로부터 입력된 테스트 신호를 도전성 실리콘 부재(572)로부터 전달받아 리드 단자(525)로 전달한다. 그 경우, 중간 접촉 소켓(530~560)의 코팅층(560)의 일 부를 구성하는 탄소 나노 튜브와 금의 혼합 코팅층은 접촉 단자(540)의 내마모성을 향상시키는 기능을 수행한다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부의 사용 태양을 나타내는 도면이다.
도 6를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부를 사용한 테스트 소켓은, 인쇄 회로 기판(630), 접촉 단자(640), 코팅층(660)을 포함하고, 도체 접촉부(630~660)은, 테스트 보드(610), 접촉 패드(615), 반도체 소자(620), 리드 단자(625)에 전기적으로 연결된다. 도 6에 따른 테스트 소켓은 도 4에 도시한 테스트 소켓에서, 도체 접촉부에 혼합분말이 제거된 상태이므로 구체적인 설명은 생략하겠다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부의 사용 태양을 나타내는 도면이다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부를 사용한 테스트 소켓은, 하우징(731,732), 접촉 단자(740), 코팅층(760), 스프링(750), 하부 단자(745)를 포함하고, 도체 접촉부는, 테스트 보드(710), 접촉 패드(715), 반도체 소자(720), 리드 단자(725)에 전기적으로 연결된다. 도 7에 따른 테스트 소켓에서 도체 접촉부는 스프링(750)에 의하여 탄력배치되는 접촉 단자(740)를 포함하며, 그 접촉 단자(740)의 상단은 산형의 단면형상을 가지고 그 상단 표면에는 코팅층(760)이 형성되어 있다. 이러한 접촉 단자(740)의 상단은 산형 단면을 이루고 있기 때문에 리드 단자(725)의 빈번한 접촉에 의하여 코팅층이 쉽게 벗겨질 수 있는데, 본 실시예에서는 그 접촉 단자(740)의 표면의 코팅층에 금과 함께 탄소 나노 튜브를 포함시켰기 때문에 내마모성이 증가하게 되어 전체적인 도체 접촉부의 수명을 향상시킬 수 있게 된다.
도 8a 내지 8c는 본 발명에 따른 중간 접촉 소켓의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 이하, 도 8a 내지 8c를 참조하여 설명하기로 한다.
우선, 중간 접촉 소켓의 접촉 단자(810)에 혼합 분말(820)을 도포한다. 혼합 분말(820)을 도포하는 방법으로는 접촉 단자(810)를 도금액 속에 담가 놓은 상태에서 혼합 분말(820)을 도금액에 투입하여 도포할 수 있다. 이때, 혼합 분말(820)은 니켈과 다이아몬드이고, 그 혼합비는 70중량% : 30중량%인 것이 바람직하다. 그 후, 혼합 분말(820)이 형성된 중간 접촉 단자(810)에 니켈로 이루어진 제1 코팅층(820)을 형성한다.
마지막으로, 혼합 분말(820) 및 제1 코팅층(830)이 형성된 중간 접촉 단자(810)에 탄소 나노 튜브와 금이 소정의 비율로 혼합된 제2 코팅층(830)을 형성한다. 전기 방전 방법과 레이저 증착 방법 등을 이용하여 탄소 나노 튜브를 생성하고, 탄소 나노 튜브에 금을 첨가하여 혼합 물질을 생성한 후, 상기 혼합 물질을 제1 코팅층(810)에 도포하는 방식으로 제2 코팅층(820)을 생성한다.
한편, 탄소 나노 튜브는 표면 인장력이 강해 일정한 크기의 타래 모양을 가지고 있는데, 이로 인해 기계적 강도와 전기 전도성을 향상시킬 수 있는 3차원 네트워크 구조형성이 방해될 수 있다. 따라서, 이와 같은 문제점을 해결하기 위해, 5 내지 3000nm의 다양한 크기를 갖는 탄소 나노 튜브를 200nm 이하의 절편으로 분할한 후, 금을 첨가하여 상기 혼합 물질을 생성하는 것이 바람직하다. 이때, 탄소 나 노 튜브 절편은 질산 처리법 또는 볼 밀링법을 이용하여 생성할 수 있다.
이상 도면과 명세서에서 최적 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적으로 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.
특히, 상술한 실시예에서의 단자와 접촉하는 접촉패드는 포고핀, 핀 스프링, 스프링, 실리콘 콘택터 등의 콘택터 종류와, 인쇄회로기판의 패드, 유연성 인쇄회로기판의 패드 등의 물리적, 전기적 접속이 이루어지는 분야에 적용가능한 것으로서, 상술한 실시예들에 한정되지 않음은 물론이다. 즉, 각종 단자와의 빈번한 접촉이 이루어지고 표면에 금도금이 되어 있었던 패드의 표면이라면 어디에나 본 발명에 따른 기술이 사용될 수 있다.
본 기술 분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 도체 접촉부를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도체 접촉부를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 도체 접촉부를 나타내는 도면.의 사용 태양을 나타내는 도면.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 따른 도체 접촉부의 사용 태양을 나타내는 도면이다.
도 8a 내지 8c는 본 발명에 따른 도체 접촉부의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (14)

  1. 접촉 단자;
    상기 접촉 단자 위에 형성되는 금속소재로 이루어진 제1 코팅층; 및
    상기 제1 코팅층 위에 형성되는 탄소 나노 튜브와 도금가능한 금속물질로 구성된 제2코팅층을 포함하는 내마모성이 우수한 도체 접촉부.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도금가능한 금속물질은, 금, 은, 구리, 팔라듐, 로듐 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 내마모성이 우수한 도체 접촉부.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 코팅층의 금속소재는 니켈인 것을 특징으로 하는 내마모성이 우수한 도체 접촉부.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접촉 단자의 표면에는 니켈분말이 형성되되, 상기 니켈분말은 상기 접촉 단자와 상기 제1 코팅층 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 내마모성이 우수한 도체 접촉부.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 접촉 단자의 표면에는 다이아몬드 분말이 형성되되, 상기 다이아몬드 분말은 상기 접촉 단자와 상기 제1 코팅층 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 내마모성이 우수한 도체 접촉부.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 접촉 단자의 표면에는 니켈과 다이아몬드의 혼합분말이 형성되되, 상기 혼합분말은 상기 접촉 단자와 상기 제1 코팅층 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 내마모성이 우수한 도체 접촉부.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2 코팅층에서,
    상기 탄소 나노 튜브는 200nm 이하의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 내마모성이 우수한 도체 접촉부.
  8. 도체 접촉부의 제조방법으로서,
    접촉 단자의 위에 금속소재로 이루어진 제1 코팅층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 코팅층 위에 탄소 나노 튜브와 금이 혼합된 혼합물질로 이루어진 제2 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도체 접촉부의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금속소재는 니켈인 것을 특징으로 하는 도체 접촉부의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 코팅층을 형성하는 단계 이전에는,
    니켈과 다이아몬드로 이루어진 혼합분말을 상기 접촉 단자 위에 형성시키는 단계;가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 도체 접촉부의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제2 코팅층을 형성하는 단계는,
    탄소 나노 튜브를 생성하는 단계;
    상기 생성한 탄소 나노 튜브를 탄소 나노 튜브 절편으로 분할하는 단계; 및
    상기 탄소 나노 튜브 절편에 금을 첨가하여 상기 혼합물질을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도체 접촉부의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브를 생성하는 단계는,
    전기 방전 방법 또는 레이저 증착 방법을 이용하여 생성하는 단계인 것을 특징으로 하는 도체 접촉부의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 절편으로 분할하는 단계는,
    질산 처리법 또는 볼 밀링법을 이용하여 분할하는 단계인 것을 특징으로 하는 도체 접촉부의 제조방법.
  14. 제11항 또는 제13항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 절편은,
    200nm 이하의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 도체 접촉부의 제조방법.
KR1020080133737A 2007-12-27 2008-12-24 내마모성이 우수한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법 KR101099502B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070138580 2007-12-27
KR20070138580 2007-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090071461A KR20090071461A (ko) 2009-07-01
KR101099502B1 true KR101099502B1 (ko) 2011-12-27

Family

ID=41322890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080133737A KR101099502B1 (ko) 2007-12-27 2008-12-24 내마모성이 우수한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101099502B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018043986A1 (ko) * 2016-08-30 2018-03-08 삼성전자 주식회사 금속 패드가 부착된 금속 케이스를 구비한 전자기기

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115397103A (zh) * 2021-05-24 2022-11-25 庆鼎精密电子(淮安)有限公司 具散热功能的线路板的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018043986A1 (ko) * 2016-08-30 2018-03-08 삼성전자 주식회사 금속 패드가 부착된 금속 케이스를 구비한 전자기기
US11374306B2 (en) 2016-08-30 2022-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device comprising metal case having metal pad attached thereto

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090071461A (ko) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10056707B2 (en) Electrical contact including corrosion-resistant coating
KR101573450B1 (ko) 테스트용 소켓
US5527591A (en) Electrical contact having a particulate surface
KR101206226B1 (ko) 프로브
KR101366171B1 (ko) 고밀도 도전부를 가지는 테스트용 소켓
KR101059961B1 (ko) 도전성 접속체
KR101353481B1 (ko) 고밀도 도전부를 가지는 테스트용 소켓
KR101471116B1 (ko) 고밀도 도전부를 가지는 테스트용 소켓
KR101606866B1 (ko) 검사용 커넥터
US6674297B1 (en) Micro compliant interconnect apparatus for integrated circuit devices
JP7263060B2 (ja) 電気的接続装置
KR101173191B1 (ko) 테스트 소켓
KR101099502B1 (ko) 내마모성이 우수한 도체 접촉부 및 그 도체 접촉부의 제조방법
KR101391799B1 (ko) 반도체 테스트용 도전성 콘택터
KR100643842B1 (ko) 마이크로핀이 인터페이스 보드에 삽입되는 프로브 장치
CN118501508A (zh) 触针以及包含其的弹簧触头
KR200444773Y1 (ko) 실리콘 콘택터
JP4611367B2 (ja) 半導体集積回路用ソケット
KR101420170B1 (ko) 외팔보 구조물을 이용한 반도체소자 테스트 소켓용 컨택터 및 그 제조 방법
KR101580549B1 (ko) 이방 도전성 커넥터, 그의 제조 방법 및 장치
KR101043351B1 (ko) Pcr 소켓 및 pcr 소켓의 표면처리 기법
JP6454811B1 (ja) 異方性導電シート
JP7296716B2 (ja) 異方性導電シート
US7384270B2 (en) Electrical connector
JP4838658B2 (ja) 基板検査用治具及び基板検査用治具の電極部構造

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141202

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151201

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171128

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181126

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191127

Year of fee payment: 9