KR101094041B1 - 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

Abstract

본 발명은 PDP의 성능을 개선하기 위해, PDP의 앞면 유리 기판의 내면측에 형성된 행 전극쌍을 피복하는 유전체층을 비유전률이 9 이하인 유전 재료에 의해 형성하며, 이 유전체층을 피복하는 보호층이, 전자선에 의해 여기되어 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하고, 또한, 방전 공간 내에 봉입된 방전 가스가 크세논을 10 체적% 이상 포함하고 있다.

Description

면방전형 플라즈마 디스플레이 패널{SURFACE DISCHARGE TYPE PLASMA DISPLAY PANEL}

도 1은 본 발명의 실시형태의 일 실시예를 도시하는 정면도.

도 2는 도 1의 V-V 선에 있어서의 단면도.

도 3은 도 1의 W-W 선에 있어서의 단면도.

도 4는 동일 실시예에 있어서 박막 마그네슘층 상에 결정 마그네슘층이 형성되어 있는 상태를 도시하는 단면도.

도 5는 동일 실시예에 있어서 결정 마그네슘층 상에 박막 마그네슘층이 형성되어 있는 상태를 도시하는 단면도.

도 6은 입방체의 단결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체의 SEM 사진상(像)을 도시한 도면.

도 7은 입방체의 다중 결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체의 SEM 사진상을 도시한 도면.

도 8은 종래의 PDP의 잔상 특성과의 비교를 도시하는 그래프.

도 9는 동일 실시예의 PDP의 잔상 특성을 도시하는 그래프.

도 10은 동일 실시예의 PDP의 방전 지연 특성과 종래의 PDP의 방전 지연 특성의 비교를 도시한 도면.

도 11은 동일 실시예의 PDP의 방전 지연 특성과 종래의 PDP의 방전 지연 특성의 비교를 도시한 도면.

도 12는 동일 실시예의 PDP의 발광 효율과 종래의 PDP의 발광 효율의 비교를 도시한 도면.

도 13은 동일 실시예에 있어서 산화마그네슘 단결정체의 입자 직경과 CL 발광의 파장과의 관계를 도시하는 그래프.

도 14는 동일 실시예에 있어서 산화마그네슘 단결정체의 입자 직경과 235 ㎚의 CL 발광의 강도와의 관계를 도시하는 그래프.

도 15는 증착법에 의한 산화마그네슘층으로부터의 CL 발광의 파장의 상태를 도시하는 그래프.

도 16은 산화마그네슘 단결정체로부터의 235 ㎚의 CL 발광의 피크 강도와 방전 지연의 관계를 도시하는 그래프.

도 17은 보호층이 증착법에 의한 산화마그네슘층에 의해서만 구성되는 경우와 결정 마그네슘층과 증착법에 의한 박막 마그네슘층의 이층 구조로 되는 경우의 방전 지연 특성의 비교를 도시한 도면.

본 발명은 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 구성에 관한 것이다.

일반적으로, 면방전 방식 교류형 플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라고 함)은 방전 공간을 사이에 두고 서로 대향하는 두 장의 유리 기판 중 한쪽의 유리 기판에, 행 방향으로 연장되는 복수의 행 전극 쌍이 열 방향으로 병설되어 유전체층에 의해 피복되고, 또한, 이 유전체층의 면 위에, 유전체층의 보호 기능과 방전 공간 내에의 2차 전자 방출 기능을 갖는 산화마그네슘층이 증착법에 의해 형성되고, 다른 쪽의 유리 기판에, 열 방향으로 연장되는 복수의 열 전극이 행 방향으로 병설되어, 행 전극 쌍과 열 전극이 각각 교차하는 부분의 방전 공간에, 패널면을 따라 매트릭스형으로 배열되는 단위 발광 영역(방전 셀)이 형성된다.

각 방전 셀 내에는, 적, 녹, 청의 삼원색으로 색구분된 형광체층이 형성되어있다.

그리고, 이 PDP의 방전 공간 내에, 네온과 크세논의 혼합 가스로 이루어지는 방전 가스가 봉입된다.

이러한 구성의 PDP에 있어서는, 이하와 같은 구동 방법에 의해 화상 표시가 행해진다.

즉, 쌍을 이루고 있는 행 전극 사이에 있어서 일제히 리셋 방전이 행해지고, 다음으로, 행 전극 쌍의 한쪽의 행 전극과 열 전극의 사이에서 선택적으로 어드레스방전이 발생되며, 방전 셀에 대향하는 유전체층에 벽전하가 형성되는 발광 셀과 유전체층의 벽전하가 소거된 소등 셀이 패널면에 분포되고, 그리고, 이 후, 발광 셀 내에 있어서 쌍을 이루고 있는 행 전극 사이에서 서스테인 방전이 행해지며, 방전 공간 내의 방전 가스에 혼합되는 크세논으로부터 진공 자외선이 방사되고, 이 진공 자외선에 의해 적, 녹, 청의 형광체층이 각각 여기되어 발광함으로써, 영상 신호의 화상 데이터에 대응한 화상이 패널면에 형성된다.

이러한 PDP의 구동에 있어서, 중간조의 화상의 휘도 표시를 행하기 위해, 서브 필터법이라고 불리는 계조 구동 방법이 채용되고 있다.

이 서브 필터법에 의한 계조 구동 방법은, 1 프레임의 표시 기간에 각각 어드레스 기간과 서스테인 기간이 제공되고 휘도의 상대비가 서로 1: 2: 4: 8: 16: 32: 64: 128이 되도록 설정되는 8개의 서브 필터에 의해 구성하며, 이 서브 필터를 임의로 선택하여 조합하고 발광을 행하게 함으로써, 256단계의 휘도가 표시되도록 한 것이다.

종래, 상기와 같은 구성의 PDP는 구동 시의 서스테인 기간에 다수의 방전 셀이 발광 셀로 설정되어 점등 상태로 됨으로써, 서스테인 펄스의 인가에 의해 이 모든 발광 셀에 있어서 동시에 방전이 생겨, 순간적으로 큰 전류가 흐르게 되고, 이에 따라, 방전 강도가 증대함에 의해 휘도 잔상이 발생하여 화상의 표시 품질이 악화해 버린다는 문제를 갖고 있다.

특히, 전술한 바와 같은 서브 필터법에 의한 계조 표시를 행하기 위해 1 프레임의 표시 기간 내에 몇 번이나 방전을 반복하는 PDP에 있어서는 이 휘도 잔상의 발생이 큰 문제가 된다.

또한, 종래, 상기와 같은 구성의 PDP에 있어서는, 서스테인 방전 등의 방전확률의 저하(방전 지연)를 방지하면서 패널의 발광 효율을 향상시키는 것이 매우 어렵고, 이들을 양립시키는 것이 오랫동안의 과제가 된다.

예컨대, 발광 효율을 향상시키는 수단으로서, 종래, 방전 가스 중 크세논 농도를 증가시킨 예컨대 일본 특허 공개 제2002-93327호 공보에 기재되는 바와 같은 PDP가 제안되고 있지만, 이 크세논 농도를 단순히 증가시키는 것만으로는 방전 지연이 악화하고, 특히, 상기한 바와 같은 서브 필터법에 의해 PDP의 구동을 행하는 경우에, 이 서브 필터법의 실시에 필요한 서브 필터의 수를 확보할 수 없어지므로, 원하는 휘도의 계조 표시를 행하는 수 없어진다고 하는 문제가 발생한다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 PDP에 있어서의 기술적 과제를 해결하는 것을 그 과제의 하나로 하고 있다.

제1 발명에 의한 면방전형 PDP는 상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판과, 이 한 쌍의 기판 사이에 배치되어 서로 이격되는 위치에서 교차하는 방향으로 연장되어 교차 부분의 방전 공간에 단위 발광 영역을 형성하는 행 전극 쌍 및 열 전극과, 행 전극 쌍을 피복하는 유전체층과, 이 유전체층을 피복하고 단위 발광 영역에 대향하는 보호층을 가지며, 방전 공간 내에 방전 가스가 봉입되어, 상기 유전체층이, 비유전률이 9 이하인 유전 재료에 의해 형성되며, 상기 보호층이 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하는 PDP를 그 최량의 실시형태로 하고 있다.

상기 실시형태의 PDP는, 유전체층을 비유전률이 9 이하인 저비유전률 유전 재료에 의해 형성함으로써, 패널의 휘도 잔상의 발생이 억제되고, 또한, 이 유전체 층을 저비유전률 유전 재료에 의해 형성함으로써, 유전체층을 피복하는 보호층이 전자선에 의해 여기되어 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하여 방전 개시 전압의 상승이나 방전 지연의 발생이 억제되며, 패널의 잔상 특성의 개선과 방전 지연 특성의 개선, 방전 개시 전압의 상승의 방지를 동시에 실현할 수 있다.

그리고, 이 패널의 잔상 특성의 개선 효과는, 특히, 서브 필터법에 의해 계조 표시를 행하기 위해 1 프레임의 표시 기간 내에 몇 번이고 방전을 반복하는 PDP에서 발휘된다.

상기 제1 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 유전체층을 형성하는 유전 재료를 비유전률이 8 이하인 무연계 유리 재료로 하는 것이 바람직하며, 예컨대, 비유전률이 7 이하인 Zn-B-Si계 알칼리 함유 유리 재료나 비유전률이 6.8인 Zn-B-Si계 알칼리 함유 유리 재료로 하는 것이 바람직하고, 이에 따라, 패널의 잔상 특성의 개선과, 방전 지연 특성의 개선이 더 도모된다.

또한, 상기 제1 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 보호층이, 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 박막 산화마그네슘층과, 이 박막 산화마그네슘층에 적층하여 형성된 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층에 의해 구성되도록 하는 것이 바람직하며, 이에 따라, 패널의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.

또한, 상기 제1 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 산화마그네슘 결정체가 기상 산화법에 의해 생성된 산화마그네슘 단결정체인 것이 바람직하며, 이에 따라, 패널의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.

또한, 상기 제1 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 산화마그네슘 결정체가 230∼250 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 결정체인 것이 바람직하며, 이에 따라, 패널의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.

또한, 상기 제1 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 산화마그네슘 결정체가 2000 Å 이상의 입자 직경을 갖고 있는 것이 바람직하며, 이에 따라, 패널의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.

제2 발명에 의한 면방전형 PDP는 상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판과, 이 한 쌍의 기판 사이에 배치되어 서로 이격되는 위치에서 교차하는 방향으로 연장되어 교차 부분의 방전 공간에 단위 발광 영역을 형성하는 행 전극 쌍 및 열 전극과, 행 전극 쌍을 피복하는 유전체층과, 이 유전체층을 피복하고 단위 발광 영역에 대향하는 보호층을 가지며, 방전 공간 내에 방전 가스가 봉입되며, 상기 유전체층을 비유전률이 9 이하인 유전 재료에 의해 형성하고, 상기 보호층이 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하며, 상기 방전 가스가 크세논을 10 체적% 이상 포함하는 PDP를 그 최상의 실시형태로 하고 있다.

상기 실시형태의 PDP는 방전 공간 내에 봉입되는 방전 가스가 10 체적% 이상의 크세논을 포함하는 고크세논 가스인 것에 더하여, 유전체층을 비유전률이 9 이하인 저비유전률 유전 재료에 의해 형성함으로써, 종래의 PDP에 비해 매우 높은 발 광 효율을 달성할 수 있고, 또한, 유전체층을 피복하는 보호층이 산화마그네슘 결정체를 포함함으로써, 방전 가스의 고크세논화와 유전체층의 저비유전률화에 따른 방전 지연 발생의 문제를 해소할 수 있는 동시에, 종래의 PDP보다도 방전 지연 특성의 개선을 더 도모할 수 있다.

상기 제2 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 유전체층을 형성하는 유전 재료를 비유전률이 8 이하인 무연계 유리 재료로 하는 것이 바람직하며, 예컨대, 비유전률이 7 이하인 Zn-B-Si계 알칼리 함유 유리 재료나 비유전률이 6.8인 Zn-B-Si계 알칼리 함유 유리 재료로 하는 것이 바람직하고, 이에 따라, 패널의 발광 효율의 개선과 방전 지연 특성의 개선이 더 도모된다.

또한, 상기 제2 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 방전 가스가 15 체적%의 크세논을 포함하고 있도록 하는 것이 바람직하며, 이에 따라, 발광 효율의 개선이 한층 더 도모된다.

또한, 상기 제2 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 보호층이, 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 박막 산화마그네슘층과, 이 박막 산화마그네슘층에 적층하여 형성된 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층에 의해 구성되도록 하는 것이 바람직하며, 이에 따라, 패널의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.

또한, 상기 제2 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 산화마그네슘 결정체가 기상 산화법에 의해 생성된 산화마그네슘 단결정체인 것이 바람직하며, 이에 따라, 패널의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.

또한, 상기 제2 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 산화마그네슘 결정체가 230∼250 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 결정체인 것이 바람직하며, 이에 따라, 패널의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.

또한, 상기 제2 발명의 실시형태의 PDP에 있어서, 산화마그네슘 결정체가 2000 Å 이상의 입자 직경을 갖고 있는 것이 바람직하며, 이에 따라, 패널의 방전 지연 특성의 개선이 한층 더 도모된다.

[실시예]

도 1 내지 도 3은 본 발명에 의한 PDP의 실시형태의 일 실시예를 나타내며, 도 1은 이 실시예에 있어서의 PDP를 모식적으로 도시하는 정면도, 도 2는 도 1의 V-V 선에 있어서의 단면도, 도 3은 도 1의 W-W 선에 있어서의 단면도이다.

이 도 1 내지 3에 도시되는 PDP는 표시면인 앞면 유리 기판(1)의 배면에, 복수의 행 전극 쌍(X, Y)이 앞면 유리 기판(1)의 행 방향(도 1의 좌우 방향)으로 연장되도록 평행하게 배열된다.

행 전극(X)은 T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어지는 투명 전극(Xa)과, 앞면 유리 기판(1)의 행 방향으로 연장되어 투명 전극(Xa)의 협소한 기단부에 접속된 금속막으로 이루어지는 버스 전극(Xb)에 의해 구성된다.

행 전극(Y)도 동일하게, T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어지는 투명 전극(Ya)과, 앞면 유리 기판(1)의 행 방향으로 연장되어 투명 전극(Ya)의 협소한 기단부에 접속된 금속막으로 이루어지는 버스 전극(Yb)에 의해 구성된다.

이 행 전극(X와 Y)은 앞면 유리 기판(1)의 열 방향(도 1의 상하 방향)에 교대로 배열되고, 버스 전극(Xb와 Yb)을 따라 병렬된 각각의 투명 전극(Xa와 Ya)이 서로 쌍을 이루는 상대의 행 전극측으로 연장되고, 투명 전극(Xa와 Ya)의 광폭부의 정상변이, 각각 소요되는 폭의 방전 갭(g)을 사이에 두고 서로 대향된다.

앞면 유리 기판(1)의 배면에는, 열 방향에 있어서 인접하는 행 전극 쌍(X, Y)의, 서로 등을 맞대고 있는 버스 전극(Xb)과 버스 전극(Yb)의 사이에, 이 버스 전극(Xb, Yb)을 따라 행 방향으로 연장되는 흑색 또는 어두운 색의 광 흡수층(차광층)(2)이 형성된다.

또한, 앞면 유리 기판(1)의 배면에는, 행 전극쌍(X, Y)을 피복하도록 유전체층(3)이 형성되고, 이 유전체층(3)의 배면에는, 서로 인접하는 행 전극쌍(X, Y)의, 서로 등을 맞대고 인접하는 버스 전극(Xb 및 Yb)에 대향하는 위치 및 이 인접하는 버스 전극(Xb와 Yb) 사이의 영역 부분에 대향하는 위치에, 유전체층(3)의 배면측에 돌출하여 추가의 유전체층(3A)이 버스 전극(Xb, Yb)과 평행하게 연장되도록 형성된다.

이 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)는 후에 상술하는 바와 같은 비유전률(ε)이 9 이하인, 예컨대, 알칼리를 함유하는 무연계 유리 재료 등의 저ε 유전 재료에 의해 형성된다.

이 유전체층(3)과 추가의 유전체층(3A)의 배면측에는, 증착법 또는 스퍼터링에 의해 형성된 박막의 산화마그네슘층(이하, 박막 산화마그네슘층이라고 함)(4)이 형성되고, 유전체층(3)과 추가의 유전체층(3A)의 배면의 전면을 피복하고 있다.

이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면측에는, 후에 상술하는 바와 같은, 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광(CL 발광)을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하는 산화마그네슘층(이하, 결정 산화마그네슘층이라고 함)(5)이 형성된다.

이 결정 산화마그네슘층(5)은 박막 산화마그네슘층(4)의 배면의 전면 또는 일부, 예컨대, 후술하는 방전 셀에 면하는 부분에 형성된다[도시의 예에서는, 결정 산화마그네슘층(5)이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면의 전면에 형성되는 예가 도시되고 있다].

한편, 앞면 유리 기판(1)과 평행하게 배치된 배면 유리 기판(6)의 표시측의 면 위에는, 열 전극(D)이 각 행 전극쌍(X, Y)의 서로 쌍을 이룬 투명 전극(Xa 및 Ya)에 대향하는 위치에서 행 전극쌍(X, Y)과 직교하는 방향(열 방향)으로 연장되도록, 서로 소정의 간격을 두고 평행하게 배열된다.

배면 유리 기판(6)의 표시측의 면 위에는, 또한, 열 전극(D)을 피복하는 백색의 열 전극 보호층(유전체층)(7)이 형성되고, 이 열 전극 보호층(7) 상에, 격벽(8)이 형성된다.

이 격벽(8)은 각 행 전극쌍(X, Y)의 버스 전극(Xb와 Yb)에 대향하는 위치에서 각각 행 방향으로 연장되는 한 쌍의 가로벽(8A)과, 인접하는 열 전극(D) 사이의 중간 위치에서 한 쌍의 가로벽(8A) 사이에 열 방향으로 연장되는 세로벽(8B)에 의 해 거의 사다리꼴 형상으로 형성되고, 각 격벽(8)이 인접하는 다른 격벽(8)과 서로 등을 맞대고 대향하는 가로벽(8A) 사이에서 행 방향으로 연장되는 간극(SL)을 사이에 두고, 열 방향으로 병설된다.

그리고, 이 사다리형의 격벽(8)에 의해, 앞면 유리 기판(1)과 배면 유리 기판(6) 사이의 방전 공간(S)이, 각 행 전극쌍(X, Y)에 있어서 서로 쌍을 이루고 있는 투명 전극(Xa와 Ya)에 대향하는 부분에 형성되는 방전 셀(C)마다 각각 사각형으로 구획된다.

방전 공간(S)에 면하는 격벽(8)의 가로벽(8A) 및 세로벽(8B)의 측면과 열 전극 보호층(7)의 표면에는, 이들의 다섯개의 면을 전부 덮도록 형광체층(9)이 형성되고, 이 형광체층(9)의 색은 각 방전 셀(C)마다 적, 녹, 청의 삼원색이 행 방향으로 순서대로 나란하게 배열된다.

추가의 유전체층(3A)은 이 추가의 유전체층(3A)을 피복하고 있는 결정 산화마그네슘층(5)[또는, 결정 산화마그네슘층(5)이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면의 방전 셀(C)에 대향하는 부분에만 형성되는 경우에는, 박막 산화마그네슘층(4)]이 격벽(8)의 가로벽(8A)의 표시측의 면에 접촉됨(도 2 참조)으로써, 방전 셀(C)과 간극(SL) 사이를 각각 폐쇄하고 있지만, 세로벽(8B)의 표시측의 면에는 접촉되지 않고(도 3 참조), 그 사이에 간극(r)이 형성되며, 행 방향에 있어서 인접하는 방전 셀(C) 사이가 이 간극(r)을 사이에 두고 서로 연통되어 있다.

방전 공간(S) 내에는, 후에 상술하는 바와 같이, 크세논을 10 체적% 이상 포함하는 Ne-Xe계 방전 가스가 봉입된다.

상기 PDP의 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)은 전술한 바와 같이, 비유전률이 9 이하인 유전 재료에 의해 형성되고, 이러한 유전 재료로서는, 예컨대, 일본 전기 유리(주)사 제조의 제품 번호「TS-1000C」(비유전률: 6.8) 등의 Zn-B-Si계 알칼리 유리 재료나, 오쿠노 제약 공업(주)사 제조의 제품 번호「G3-4156」(비유전률이 7.5) 등의 SiO₂-B₂O₃-ZnO계 알칼리 유리 재료, 아사히 유리(주)사 제조의 제품 번호「YFT506」(비유전률이 8.9) 등의 SiO₂-B₂O₃-ZnO-BaO계 유리 재료 등의 무연계 알칼리 유리 재료를 들 수 있다.

상기 PDP의 결정 산화마그네슘층(5)은 전술한 바와 같은 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)을 피복하고 있는 박막 산화마그네슘층(4)의 배면측의 표면에 부착됨으로써 형성된다.

또한, 이 실시예에 있어서는, 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)의 배면에 박막 산화마그네슘층(4)이 형성되며, 이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면에 결정 산화마그네슘층(5)이 형성되는 예에 대해 설명되어 있지만, 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)의 배면에 결정 산화마그네슘층(5)이 형성된 후, 이 결정 산화마그네슘층(5)의 배면에 박막 산화마그네슘층(4)이 형성되도록 하여도 좋다.

도 4는 유전체층(3)의 배면에 박막 산화마그네슘층(4)이 형성되며, 이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면에, 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착되어 결정 산화마그네슘층(5)이 형성되어 있는 상태를 나타 낸다.

또한, 도 5는 유전체층(3)의 배면에 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착되어 결정 산화마그네슘층(5)이 형성된 후, 박막 산화마그네슘층(4)이 형성되어 있는 상태를 나타낸다.

상기 PDP의 결정 산화마그네슘층(5)은 하기의 재료 및 방법에 의해 형성된다.

즉, 결정 산화마그네슘층(5)의 형성 재료로 되는 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체란, 예컨대, 마그네슘을 가열하여 발생하는 마그네슘 증기를 기상 산화하어 얻어지는 마그네슘의 단결정체(이하, 이 마그네슘의 단결정체를 기상법 산화마그네슘 단결정체라고 함)를 포함하고, 이 기상법 산화마그네슘 단결정체에는, 예컨대, 도 6의 SEM 사진상(像)에 나타내는 바와 같이, 입방체의 단결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체와, 도 7의 SEM 사진상에 나타내는 바와 같이, 입방체의 결정체가 서로 끼워 넣어진 구조(즉, 입방체의 다중 결정 구조)를 갖는 산화마그네슘 단결정체가 포함된다.

이 기상법 산화마그네슘 단결정체는, 후술하는 바와 같이, 방전 지연 감소 등의 방전 특성의 개선에 기여한다.

그리고, 이 기상법 산화마그네슘 단결정체는 다른 방법에 의해 얻어지는 산화마그네슘과 비교하면, 고순도인 동시에 미립자를 얻을 수 있고, 또한, 입자의 응집이 적다는 등의 특징을 갖고 있다.

이 실시예에 있어서는, BET법에 의해 측정한 평균 입자 직경이 500 Å 이상(바람직하게는, 2000 Å 이상)의 기상법 산화마그네슘 단결정체가 이용된다.

또, 기상법 산화마그네슘 단결정체의 합성에 대해서는, 『재료』(1987년) 11월호, 제36권 제410호의 제1157∼1161 페이지의 『기상법에 의한 마그네시아 분말의 합성과 그 성질』 등에 기재되어 있다.

이 결정 산화마그네슘층(5)은 전술한 바와 같이, 기상법 산화마그네슘 단결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착됨으로써 형성된다.

이 PDP는 화상 형성을 위한 리셋 방전 및 어드레스 방전, 서스테인 방전이 방전 셀(C) 내에서 행해진다.

도 8, 도 9는 종래의 유전체층을 구비한 PDP의 화상 형성 시에 발생하는 휘도 잔상과 상기 구성의 PDP의 화상 형성 시에 발생하는 휘도 잔상의 발생 상태를 비교한 그래프이다.

도 8의 그래프는 유전체층이, 비유전률(ε)이 10.5인 일본 전기 유리(주) 제조의 제품 번호 LS-3232F의 유연(有鉛)의 Pb-B-Si계 비알칼리 유리 재료에 의해 형성되며, 이 유전체층을 피복하는 보호층이 박막 산화마그네슘층과 결정 산화마그네슘층을 가지며, 15 체적%의 크세논을 포함하는 Ne-Xe계의 방전 가스가 봉입되는 종래의 PDP에 있어서의 휘도 잔상의 발생 상태(화면의 잔상 발생 부분과 그 주위의 부분의 휘도비)를 나타낸다.

도 9의 그래프는 유전체층(3)이, 비유전률(ε)이 6.8인 일본 전기 유리(주)제조의 제품 번호 TS-1000C의 무연(無鉛)의 Zn-B-Si계 알칼리 유리 재료에 의해 형성되며, 이 유전체층(3)을 피복하는 보호층이 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네슘층(5)을 가지며, 15 체적%의 크세논을 포함하는 Ne-Xe계의 방전 가스가 봉입되는 상기 구성의 PDP에 있어서의 휘도 잔상의 발생 상태를 나타낸다.

이 도 8과 도 9의 그래프의 비교에서, 상기 구성의 PDP는 화상 형성 시에 발생하는 휘도 잔상(도 9의 종축에 의해 도시되는 휘도비)이 종래의 PDP에서 발생하는 휘도 잔상(도 8의 종축에 의해 도시되는 휘도비)보다도 작고, 비유전률(ε)이 9 이하인 저ε 유전 재료에 의해 유전체층(3)이 형성됨으로써, 화상 형성 시에 발생하는 휘도 잔상이 적어지고 있는 것을 알 수 있다.

즉, 종래와 같이 비유전률(ε)이 9 보다도 높은 고ε 유전 재료에 의해 유전체층이 형성되는 PDP에 있어서는, 구동 펄스(서스테인 펄스)가 인가될 때에 다수의 발광 셀에 있어서 거의 동시에 방전이 발생하며, 순간적으로 큰 전류가 흐름으로써 휘도 잔상이 발생해버려, 특히, 서브 필터법에 의해 계조 표시를 행하기 위한 1 프레임의 표시 기간 내에 몇 번이고 방전을 반복하는 PDP에 있어서는, 이 휘도 잔상의 발생에 의해 화상의 표시 품질이 악화할 우려가 있지만, 상기 구성의 PDP는 비유전률(ε)이 9 이하인 저ε 유전 재료에 의해 유전체층(3)이 형성됨으로써, 휘도 잔상의 발생이 억제된다.

또한, 이 저ε 유전 재료에 의한 유전체층(3)의 형성에 의해, 패널의 발광 효율도 향상된다.

그리고, 이 유전체층(3)이 저ε 유전 재료에 의해서만 형성된 것에서는, 방전 개시 전압의 상승이나 방전 지연을 발생시키게 되지만, 이 방전 개시 전압의 상 승과 방전 지연의 발생은 유전체층(3)을 피복하는 보호층이 기상법 산화마그네슘 단결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층(5)을 가짐으로써 억제되며, 이 저비유전률의 유전체층(3)과 결정 산화마그네슘층(5)의 조합에 의해, 상기 구성의 PDP는 패널의 잔상 특성의 개선과 방전 지연 특성의 개선, 방전 개시 전압의 상승의 방지를 동시에 실현할 수 있다.

상기 구성의 PDP에 있어서의 잔상 특성의 개선은 이하와 같은 이유에 의해 행해질 수 있는 것으로 추측된다.

즉, 비유전률이 높은 유전 재료에 의해 유전체층이 형성된 PDP에 있어서는, 방전 시에 강전계가 발생하여, 보호층이 산화마그네슘 결정체를 포함하고 있을 경우 전자가 이 산화마그네슘 결정체 중에 존재하는 전자 트랩 사이트에 트랩되어 산화마그네슘 결정체의 내부가 마이너스로 대전되며, 이 산화마그네슘 결정체의 표면이 방전에 의해 발생하는 양이온으로 덮여짐으로써, 통상의 방전의 성장이 방해되게 되며, 패널면에 부분적으로 표시 휘도차가 생겨, 이것이 잔상으로서 인식되는 것으로 예상하고 있다.

이에 비해, 상기 구성의 PDP와 같이, 유전체층(3)이 저ε 유전 재료에 의해 형성되는 경우에는, 유전체층(3)이 유지할 수 있는 전하량이 작아져서, 발생하는 전계 강도가 약해지고, 전자가 산화마그네슘 결정체의 내부 깊숙한 전자 트랩 사이트가 아닌, 비교적 표면측의 전자 트랩 사이트에 트랩되어진다고 생각된다.

그리고, 이 산화마그네슘 결정체의 표면측의 전자 트랩 사이트에 트랩된 전자는 방전에 의해 비교적 용이하게 그 트랩 상태가 해제되므로, 패널의 γ 특성에 미치는 영향도 작아지고, 패널면에 있어서 표시 휘도차가 생기기 어려워지므로, 종래와 비교하여 휘도 잔상의 발생이 억제되어진다고 생각된다.

상기 구성의 PDP는, 또한, 유전체층(3)이 저ε 유전 재료에 의해 형성됨으로써, 방전 전류의 밀도가 낮게 되고, 이에 의해 보호층을 형성하는 산화마그네슘층에 대한 스퍼터링이 억제되는 것에 의해서도, 잔상 특성의 대폭적인 개선이 도모되며, 또한, 패널 수명의 향상도 도모된다.

또한, 상기 PDP는 방전 공간(S) 내에 봉입되는 방전 가스가 10 체적% 이상의 크세논을 포함하는 고크세논 가스이며, 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)이 비유전률(ε)이 9 이하인 저ε 유전 재료에 의해 형성됨으로써, 종래의 PDP보다도 높은 발광 효율을 달성할 수 있고, 또한, 이 방전 가스의 고크세논화와 유전체층(3)의 저비유전률화에 따른 방전 지연 특성의 악화의 문제는 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)을 피복하는 보호층이 기상법 산화마그네슘 단결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층(5)을 가짐으로써 해소할 수 있는 동시에, 종래의 PDP보다도 방전 지연 특성의 개선을 더 도모할 수 있다.

도 10과 도 11은 종래의 유전체층을 구비한 PDP에 있어서의 방전 지연 시간과 상기 구성의 PDP에서의 방전 지연 시간을 비교한 그래프이며, 도 10은 프라이밍 2발일 때의 방전 지연 시간의 비교를 나타내며, 도 11은 프라이밍 16발일 때의 방전 지연 시간의 비교를 나타내고, 어느 쪽도, 좌측 부분이 서스테인 방전 시의 방전 지연 시간을, 우측 부분이 어드레스 방전 시의 방전 지연 시간을 각각 나타낸다.

이 도 10 및 도 11에 있어서, 그래프 a1, a2, a3, a4는 유전체층(3)이, 비유전률(ε)이 6.8인 일본 전기 유리(주) 제조의 제품 번호 TS-1000C의 무연의 Zn-B-Si계 알칼리 유리 재료에 의해 형성되고, 이 유전체층을 피복하는 보호층이 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네슘층(5)을 가지며, 15 체적%의 크세논을 포함하는 Ne-Xe계의 방전 가스가 봉입되는 상기 구성의 PDP의 방전 지연 시간을 나타낸다.

그리고, 그래프 b1, b2, b3, b4는 유전체층이, 비유전률(ε)이 10.5인 일본 전기 유리(주) 제조의 제품 번호 LS-3232F의 유연의 Pb-B-Si계 비알칼리 유리 재료에 의해 형성되며, 이 유전체층을 피복하는 보호층이 박막 산화마그네슘층과 결정 산화마그네슘층을 가지며, 15 체적%의 크세논을 포함하는 Ne-Xe계의 방전 가스가 봉입되는 종래의 PDP의 방전 지연 시간을 나타낸다.

이 도 10 및 도 11에서, 상기 구성의 PDP가 방전 공간(S) 내에 10 체적% 이상의 크세논을 포함하는 고크세논 가스가 방전 가스로서 봉입되고 비유전률(ε)이 9 이하인 저ε 유전 재료에 의해 유전체층(3)이 형성되는 PDP에 있어서, 보호층이 기상법 산화마그네슘 단결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층(5)을 가짐으로써, 어드레스 방전 및 서스테인 방전 등의 방전 지연 시간이 종래의 PDP와 비교하여, 거의 동일하거나 개선되는 것을 알 수 있다.

도 12는 종래의 유전체층을 구비한 PDP에 있어서의 발광 효율과 상기 구성의 PDP에 있어서의 발광 효율을 비교한 그래프이며, 도면 중 그래프(a)는 비유전률ε= 10.5인 유연의 Pb-B-Si계 비알칼리 유리 재료에 의해 유전체층이 형성되며, 15 체 적%의 크세논을 포함하는 Ne-Xe계의 방전 가스가 봉입되는 종래의 PDP의 발광 효율을 나타내고, 그래프(b)는 상기 구성의 PDP에 있어서, 비유전률 ε= 8.9인 무연의 Zn-B-Si계 알칼리 유리 재료에 의해 유전체층(3)이 형성되고, 15 체적%의 크세논을 포함하는 Ne-Xe계의 방전 가스가 봉입되는 경우의 발광 효율을 나타내고, 그래프(c)는 상기 구성의 PDP에 있어서, 비유전률 ε= 7.5인 무연의 Zn-B-Si계 알칼리 유리 재료에 의해 유전체층(3)이 형성되며, 15 체적%의 크세논을 포함하는 Ne-Xe계의 방전 가스가 봉입되는 경우의 발광 효율을 나타내고, 그래프(d)는 상기 구성의 PDP에 있어서, 비유전률 ε= 6.8인 무연의 Zn-B-Si계 알칼리 유리 재료에 의해 유전체층(3)이 형성되고, 15 체적%의 크세논을 포함하는 Ne-Xe계의 방전 가스가 봉입되는 경우의 발광 효율을 나타내고, 그래프(e)는 상기 구성의 PDP에 있어서, 비유전률 ε= 6.8인 무연의 Zn-B-Si계 알칼리 유리 재료에 의해 유전체층(3)이 형성되어, 크세논을 20 체적% 포함하는 Ne-Xe계의 방전 가스가 봉입되는 경우의 발광 효율을 나타내며, 어느 경우에도, 유전체층을 피복하는 보호층이 박막 산화마그네슘층과 결정 산화마그네슘층을 갖고 있다.

이 도 12에서, 방전 공간(S) 내에 10 체적% 이상의 크세논을 포함하는 고크세논 가스가 방전 가스로서 봉입되는 PDP의 발광 효율이 높으며, 이 방전 가스 중 크세논 농도가 높을수록 발광 효율이 높고, 그리고, 비유전률(ε)이 9 이하인 저ε 유전 재료에 의해 유전체층(3)이 형성됨으로써, 종래의 PDP와 비교하여, 높은 발광 효율이 실현되는 것을 알 수 있다.

이상의 도 10 내지 도 12의 결과로부터 이하의 것을 알 수 있다.

즉, PDP에 있어서, 발광 효율을 향상시키기 위해 방전 가스 중 크세논 농도를 증가시키거나, 유전체층을 저ε 유전 재료에 의해서만 형성했을 때에는, 방전 지연 특성이 악화하여, 특히 서브 필터법에 의해 PDP의 구동을 행하는 경우에 원하는 휘도의 계조 표시를 행할 수 없게 된다고 하는 문제가 발생하지만, 상기 구성의 PDP는 유전체층(3)을 피복하는 보호층이 결정 산화마그네슘층(5)을 가짐으로써, 방전 가스의 고크세논화와 유전체층(3)의 저비유전률화에 의한 높은 발광 효율의 실현과, 이에 따른 방전 지연 특성의 악화의 방지 및 개선의 문제의 쌍방을 동시에 해결하고 있다.

또한, 상기 구성의 PDP는 어드레스 방전 전에 행해지는 리셋 방전이 방전 셀(C) 내에서 발생될 때에, 이 방전 셀(C) 내에 결정 산화마그네슘층(5)이 형성됨으로써 리셋 방전에 의한 프라이밍 효과가 길게 지속하여, 이에 따라 어드레스 방전이 고속화된다고 하는 효과도 함께 포함하고 있다.

이하, 상기 구성의 PDP의 방전 지연 특성이 기상법 산화마그네슘 단결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층(5)을 구비함으로써 개선된 이유에 대해 설명한다.

즉, 상기 구성의 PDP는 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 결정 산화마그네슘층(5)이 전술한 바와 같은 기상법 산화마그네슘 단결정체에 의해 형성됨으로써, 방전에 의해 발생하는 전자선의 조사에 의해, 결정 산화마그네슘층(5)에 포함되는 입자 직경이 큰 기상법 산화마그네슘 단결정체로부터, 300∼400 ㎚에 피크를 갖는 CL 발광에 더하여, 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광이 여기된다.

이 235 ㎚에 피크를 갖는 CL 발광은 도 15에 도시된 바와 같이, 통상의 증착법에 의해 형성되는 산화마그네슘층[이 실시예에 있어서의 박막 산화마그네슘층(4)]에서는 여기되지 않고, 300∼400 ㎚에 피크를 갖는 CL 발광만이 여기된다.

또한, 도 13 및 도 14로부터 알 수 있는 바와 같이, 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광은 기상법 산화마그네슘 단결정체의 입자 직경이 커질수록 그 피크 강도가 커진다.

이 파장 영역 200∼300 ㎚에 피크를 갖는 CL 발광의 존재에 의해, 방전 특성의 개선(방전 지연의 감소, 방전 확률의 향상)이 더 도모되는 것으로 추측된다.

즉, 이 결정 산화마그네슘층(5)에 의한 방전 특성의 개선은 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 기상법 산화마그네슘 단결정체가, 그 피크 파장에 대응한 에너지 준위를 가지며, 그 에너지 준위에 의해 전자를 장시간(수 msec 이상) 트랩할 수 있고, 이 전자가 전계에 의해 취출됨으로써 방전 개시에 필요한 초기 전자가 얻어져 이루어질 수 있는 것으로 추측된다.

그리고, 이 기상법 산화마그네슘 단결정체에 의한 방전 특성의 개선 효과가 파장 영역 200∼300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광의 강도가 커질수록 커지는 것은 CL 발광 강도와 기상법 산화마그네슘 단결정체의 입자 직경과의 사이에도 상관 관계가 있기 때문이다.

즉, 큰 입자 직경의 기상법 산화마그네슘 단결정체를 형성하고자 하는 경우에는, 마그네슘 증기를 발생시킬 때의 가열 온도를 높게 해야 하므로, 마그네슘과 산소가 반응하는 화염의 길이가 길게 되며, 이 화염과 주위의 온도차가 커짐으로써, 입자 직경이 큰 기상법 산화마그네슘 단결정체만큼 전술한 바와 같은 CL 발광의 피크 파장(예컨대, 235 ㎚ 부근, 230∼250 ㎚ 내)에 대응한 에너지 준위가 다수 형성되는 것으로 생각된다.

또한, 입방체의 다중 결정 구조의 기상법 산화마그네슘 단결정체에 대해서는, 결정면 결함을 많이 포함하고 있어, 그 면결함 에너지 준위의 존재가 방전 확률의 개선에 기여하고 있다고 추측된다.

또한, 결정 산화마그네슘층(5)을 형성하는 기상법 산화마그네슘 단결정체의 입자 직경(D_BET)은 질소 흡착법에 의해 BET 비표면적(s)이 측정되며, 이 값으로부터 다음 식에 의해 산출된다.

[수학식 1]

D_BET= A/s×ρ

A: 형상 계수(A=6)

ρ: 마그네슘의 실제 밀도

도 16은 CL 발광 강도와 방전 지연의 상관 관계를 도시하는 그래프이다.

이 도 16으로부터, 결정 산화마그네슘층(5)에서 여기되는 235 ㎚의 CL 발광에 의해, PDP에서의 방전 지연이 단축되는 것을 알 수 있고, 또한, 이 235 ㎚의 CL 발광 강도가 강할수록 이 방전 지연이 단축되는 것을 알 수 있다.

도 17은 상기한 바와 같이 PDP가 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네 슘층(5)의 이층 구조를 구비하고 있는 경우(그래프 α)와, 종래의 PDP와 같이 증착법에 의해 형성된 산화마그네슘층만이 형성되는 경우(그래프 β)의 방전 지연 특성을 비교한 것이다.

이 도 17로부터 알 수 있는 바와 같이, PDP가 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네슘층(5)의 이층 구조를 구비함으로써, 방전 지연 특성이 종래의 증착법에 의해 형성된 박막 산화마그네슘층만을 구비하고 있는 PDP에 비해, 현저하게 개선되는 것을 알 수 있다.

이상과 같이, 상기 구성의 PDP는 증착법 등에 의해 형성된 종래의 박막 산화마그네슘층(4)에 더하여, 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층(5)이 적층되어 형성됨으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어, 양호한 방전 특성을 가질 수 있다.

이 결정 산화마그네슘층(5)을 형성하는 산화마그네슘 결정체에는, BET법에 의해 측정한 그 평균 입자 직경이 500 Å 이상인 것이 사용되고, 바람직하게는, 2000∼4000 Å인 것이 사용된다.

결정 산화마그네슘층(5)은 전술한 바와 같이, 반드시 박막 산화마그네슘층(4)의 전면을 덮도록 형성할 필요는 없고, 예컨대 행 전극 X, Y의 투명 전극(Xa, Ya)에 대향하는 부분이나 반대로 투명 전극(Xa, Ya)에 대향하는 부분 이외의 부분등과 같이, 부분적으로 패턴화하여 형성하도록 하여도 좋다.

이 결정 산화마그네슘층(5)을 부분적으로 형성하는 경우에는, 결정 산화마그 네슘층(5)의 박막 산화마그네슘층(4)에 대한 면적비는, 예컨대, 0.1∼85%로 설정된다.

또한, 상기에 있어서는, 본 발명을 앞면 유리 기판에 행 전극쌍을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고 배면 유리 기판측에 형광체층과 열 전극을 형성한 반사형 교류 PDP에 적용한 예에 대해 설명하였지만, 본 발명은 앞면 유리 기판측에 행 전극쌍과 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고, 배면 유리 기판측에 형광체층을 형성한 반사형 교류 PDP나, 앞면 유리 기판측에 형광체층을 형성하며 배면 유리 기판측에 행 전극쌍 및 열 전극을 형성하고 유전체층에 의해 피복한 투과형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극쌍과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 3전극형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 2전극형 교류 PDP 등의 여러 가지의 형식의 PDP에 적용할 수 있다.

또한, 상기에 있어서는, 결정 산화마그네슘층(5)을 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착시킴으로써 형성하는 예에 대해 설명하였지만, 결정 산화마그네슘층(5)은 산화마그네슘 결정체의 분말을 함유하는 페이스트를 스크린 인쇄법 또는 오프셋 인쇄법, 디스펜서법, 잉크젯법, 롤코트법 등의 방법에 의해 도포함으로써 형성하도록 하여도 좋고, 또는, 산화마그네슘 결정체를 함유하는 페이스트를 지지 필름 상에 도포한 후에 건조시킴으로써 필름형으로 하며 이것을 박막 산화마그네슘층 상에 라미네이트하도록 하여도 좋다.

또한, 상기에 있어서는, 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층(5)이 형성되는 예에 대해 설명되어 있지만, 산화마그네슘 결정체가 유전체층 상에만 분포되어 있을 뿐이며, 층을 형성하지 않는 경우이더라도 동일한 효과를 얻을 수 있다.

상기 실시예의 PDP는 기판의 내면측에 형성된 행 전극쌍을 피복하는 유전체층이, 비유전률이 9 이하인 유전 재료에 의해 형성되며, 이 유전체층을 피복하는 보호층이 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하는 실시형태의 PDP를 그 제1 상위 개념을 구성하는 실시형태로 하고 있다.

이 제1 상위 개념을 구성하는 PDP는 유전체층을 비유전률이 9 이하인 저비유전률 유전 재료에 의해 형성함으로써, 패널의 휘도 잔상의 발생이 억제되고, 또한, 이 유전체층을 저비유전률 유전 재료에 의해 형성함으로써, 유전체층을 피복하는 보호층이 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함함으로써 방전 개시 전압의 상승이나 방전 지연의 발생이 억제되며, 패널의 잔상 특성의 개선과 방전 지연 특성의 개선, 방전 개시 전압의 상승의 방지를 동시에 실현할 수 있다.

상기 실시예의 PDP는 기판의 내면측에 형성된 행 전극쌍을 피복하는 유전체층이, 비유전률이 9 이하인 유전 재료에 의해 형성되며, 이 유전체층을 피복하는 보호층이 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하며, 또한, 방전 공간 내에 봉입된 방전 가스가 10 체적% 이상의 크세논을 포함하는 PDP를 그 제2 상위 개념을 구성하는 실시형태로 하고 있다.

이 제2 상위 개념을 구성하는 PDP는 방전 공간 내에 봉입되는 방전 가스가 10% 이상의 크세논을 포함하는 고크세논 가스인 것에 더하여, 유전체층을 비유전률이 9 이하인 저비유전률 유전 재료에 의해 형성함으로써, 종래의 PDP에 비해 매우 높은 발광 효율을 달성할 수 있고, 또한, 유전체층을 피복하는 보호층이 산화마그네슘 결정체를 포함함으로써, 방전 가스의 고크세논화와 유전체층의 저비유전률화에 따른 방전 지연 발생의 문제를 해소할 수 있는 동시에, 종래의 PDP보다도 방전 지연 특성의 개선을 더 도모할 수 있다.

Claims (17)

1. 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판과, 이 한 쌍의 기판 사이에 배치되어 서로 이격되는 위치에서 교차하는 방향으로 연장되어 교차 부분의 방전 공간에 단위 발광 영역을 형성하는 행 전극쌍 및 열 전극과, 행 전극쌍을 피복하는 유전체층과, 이 유전체층을 피복하고 단위 발광 영역에 대향하는 보호층을 가지며,

   상기 방전 공간 내에는 방전 가스가 봉입되어 있고,

   상기 유전체층은 비유전률이 9 이하인 유전 재료에 의해 형성되고,

   상기 보호층은 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하고,

   상기 산화마그네슘 결정체는 산화마그네슘 결정층으로 되어 있고, 이 산화마그네슘 결정층은 박막 산화마그네슘층을 부분적으로 피복하며, 결정 산화마그네슘층의 박막 산화마그네슘층에 대한 면적비가 0.1∼85%인 것을 특징으로 하는 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
2. 제1항에 있어서, 상기 유전체층은 비유전률이 8 이하인 무연(無鉛)계 유리 재료에 의해 형성되는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
3. 제1항에 있어서, 상기 유전체층은 비유전률이 7 이하인 Zn-B-Si계 알칼리 함유 유리 재료에 의해 형성되는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
4. 제3항에 있어서, 상기 유전체층을 형성하는 유전 재료의 비유전률이 6.8인 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
5. 제1항에 있어서, 상기 보호층은 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 박막 산화마그네슘층과, 이 박막 산화마그네슘층에 적층되어 형성된 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층에 의해 구성되는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
6. 제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 기상 산화법에 의해 생성된 산화마그네슘 단결정체인 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
7. 제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 230∼250 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
8. 제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 2000 Å 이상 4000 Å 이하의 입자 직경을 갖고 있는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
9. 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판과, 이 한 쌍의 기판 사이에 배치되어 서로 이격되는 위치에서 교차하는 방향으로 연장되어 교차 부분의 방전 공간에 단위 발광 영역을 형성하는 행 전극쌍 및 열 전극과, 행 전극쌍을 피복하는 유전체층과, 이 유전체층을 피복하고 단위 발광 영역에 대향하는 보호층을 가지며,

   상기 방전 공간 내에는 방전 가스가 봉입되어 있고,

   상기 유전체층은 비유전률이 9 이하인 유전 재료에 의해 형성되고,

   상기 보호층은 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200∼300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 포함하고,

   상기 방전 가스는 10 체적% 이상의 크세논을 포함하고,

   상기 산화마그네슘 결정체는 산화마그네슘 결정층으로 되어 있고, 이 산화마그네슘 결정층은 박막 산화마그네슘층을 부분적으로 피복하며, 결정 산화마그네슘층의 박막 산화마그네슘층에 대한 면적비가 0.1∼85%인 것을 특징으로 하는 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
10. 제9항에 있어서, 상기 유전체층은 비유전률이 8 이하인 무연계 유리 재료에 의해 형성되는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
11. 제9항에 있어서, 상기 유전체층은 비유전률이 7 이하인 Zn-B-Si계 알칼리 함유 유리 재료에 의해 형성되는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
12. 제11항에 있어서, 상기 유전체층을 형성하는 유전 재료의 비유전률이 6.8인 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
13. 제9항에 있어서, 상기 방전 가스는 15 체적%의 크세논을 포함하는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
14. 제9항에 있어서, 상기 보호층은 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 박막 산화마그네슘층과, 이 박막 산화마그네슘층에 적층되어 형성된 산화마그네슘 결정체를 포함하는 결정 산화마그네슘층에 의해 구성되는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
15. 제9항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 기상 산화법에 의해 생성된 산화마그네슘 단결정체인 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
16. 제9항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 230∼250 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네센스 발광을 행하는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.
17. 제9항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 2000 Å 이상 4000 Å 이하의 입자 직경을 갖고 있는 것인 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널.

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