KR101092879B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 예비 전극 구조체, 측정 전극 구조체, 및 공정 전극 구조체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 예비 전극 구조체, 측정 전극 구조체, 및 공정 전극 구조체를 제공한다. 상기 기판 처리 방법은 위치에 따라 다른 홀의 형태를 가진 예비 전극 구조체를 이용하여 홀의 형태에 따른 플라즈마 특성 및 공정 결과 중에서 적어도 하나를 확인하여 홀의 형태를 선택하는 단계, 홀의 밀도가 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계, 최적 공정 위치에 대응하는 측정 전극 구조체의 홀의 밀도를 전사하여 공정 전극 구조체를 제공하는 단계, 및 공정 전극 구조체를 이용하여 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하는 단계를 포함할 수 있다.
할로우 케소드 방전, 홀, 전기장, 공정 균일성, 공정 불균일성

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 예비 전극 구조체, 측정 전극 구조체, 및 공정 전극 구조체{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, SUBSTRATE TREATMENT METHOD, PRELIMINARY ELECTRODE STRUCTURE, MEASURING ELECTRODE STRUCTURE, AND PROCESS ELECTRODE STRUCTURE}
본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것이다. 더 구체적으로 홀을 포함하는 전극을 가지는 기판 처리 장치의 최적 공정 조건을 빨리 찾을 수 있는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
플라즈마 기판 처리 장치는 식각, 증착, 이온 주입, 물질 표면 처리 등의 다양한 공정에 이용되고 있다. 플라즈마 기판 처리 장치는 반도체 기판, 평판 표시 기판, 태양 전지 기판 등의 공정에 사용되고 있다. 기판의 대면적화 및 기판의 섬세한 처리가 요구됨에 따라, 플라즈마 기판 처리 장치의 균일한 최적 공정 조건을 찾는 것은 많은 비용과 시간을 요구하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 할로우 케소드 방전 전극을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 할로우 케소드 방전 전극을 포함하는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 할로우 케소드 방전 전극의 형상을 결정하기 위한 예비 전극 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 할로우 케소드 방전 전극의 홀의 밀도 배열을 결정하기 위한 측정 전극 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 할로우 케소드 방전을 위한 공정 전극 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 위치에 따라 다른 홀의 형태를 가진 예비 전극 구조체를 이용하여 홀의 형태에 따른 플라즈마 특성 및 공정 결과 중에서 적어도 하나를 확인하여 상기 홀의 형태를 선택하는 단계, 상기 홀의 밀도가 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계, 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 측정 전극 구조체의 홀의 밀도를 전사하여 공정 전극 구조체를 제공하는 단계, 및 상기 공정 전극 구조체를 이용하여 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 측정 전극 구조체는 적어도 하나 이상의 단위 측정 전극 패턴을 포함하되, 상기 단위 측정 전극 패턴은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 가지는 복수의 스플릿 영역들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴 별로 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 공정 전극 구조체는 적어도 하나 이상의 단위 공정 전극 패턴을 포함하되, 상기 단위 공정 전극 패턴은 상기 단위 측정 전극 패턴 별로 선택된 위치에 대응하는 홀의 밀도를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 공정 전극 구조체는 물리적으로 서로 분리된 상기 단위 공정 전극 패턴들을 서로 조합하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 공정 전극 구조체는 모판 전극에 상기 단위 공정 전극 패턴들을 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 최적 공정 위치는 상기 기판에 최대로 균일한 공정을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 예비 전극 구조체의 홀들은 위치에 따라 홀의 깊이, 지름(diameter), 및 테이퍼 각도 중에서 적어도 하나는 다를 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 홀의 밀도가 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계, 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 측정 전극 구조체의 홀의 밀도를 전사 하여 공정 전극 구조체를 제공하는 단계, 및 상기 공정 전극 구조체를 이용하여 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 측정 전극 구조체는 적어도 하나 이상의 단위 측정 전극 패턴을 포함하되, 상기 단위 측정 전극 패턴은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 가지는 복수의 스플릿 영역들을 포함하고, 상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴 상의 스플릿 단위로 선택되거나, 상기 단위 측정 전극 패턴 상의 위치에 따라 스플릿 영역으로 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 처리 용기, 상기 처리 용기의 벽 또는 처리 용기의 내부에 배치된 공정 전극 구조체, 상기 공정 전극 구조체에 전력을 인가하여 상기 처리 용기 내에 플라즈마를 발생시키는 전원, 및 상기 공정 전극 구조체와 마주 보도록 배치되고 기판을 지지하는 기판 홀더를 포함하되, 상기 공정 전극 구조체는 위치에 따라 다른 홀의 밀도를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 예비 전극 구조체는 제1 예비 전극, 및상기 제1 예비 전극의 일면 상에 배치된 제2 예비 전극을 포함하되, 상기 제1 예비 전극은 위치에 따라 다른 형태의 홀들을 포함하고, 상기 제1 예비 전극 및 상기 제2 예비 전극은 서로 전기적으로 연결되고, 상기 제2 예비 전극에 전력이 인가되어 상기 제1 예비 전극의 하부에 플라즈마를 발생시키고, 공정 조건에서 상기 제1 예비 전극의 홀의 형태에 따라 다른 플라즈마 밀도를 생성하여, 최적의 홀의 형태의 선택을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 측정 전극 구조체는 복수의 홀들을 포함하는 단위 측정 전극 패턴들을 포함하고, 상기 단위 측정 전극 패턴은 위치에 따라 상기 홀들의 밀도가 서로 다른 스플릿 영역들을 포함하고, 상기 스플릿 영역들은 위치에 따른 홀의 밀도에 따라 서로 다른 플라즈마 밀도를 발생시키어, 홀의 밀도에 따라 불균일한 공정을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 단위 측정 전극 패턴들은 분리 결합할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 공정 전극 구조체는 복수의 홀들을 포함하는 적어도 하나의 단위 공정 전극 패턴을 포함하고, 상기 단위 공정 전극 패턴은 위치에 따른 홀의 밀도에 따라 균일한 플라즈마 밀도를 발생시키어, 홀의 밀도에 따라 균일한 공정을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 단위 공정 전극 패턴들은 분리 결합할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 유체를 분사하는 노즐을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 할로우 케소드 방전 전극을 이용하여 최적의 공정 조건을 빠른 시간 내에 찾는 것을 제공할 수 있다.
챔버에 배치된 전극에 전력이 인가될 수 있다. 상기 전극은 플라즈마를 생성 할 수 있다. 전력이 인가되는 상기 전극에 복수의 홀들이 배치된 경우, 공정을 수행하는 압력 및 인가 전압에 따라 상기 홀 주위에 형성되는 전기장의 크기 및 방향이 달라지질 수 있다. 적정한 범위의 지름 및 깊이를 갖는 홀이 존재할 경우, 상기 홀 근방에서 전자밀도(플라즈마 밀도)는 증가할 수 있다. 상기 홀은 할로우 케소드 방전을 유발할 수 있다.
이러한 현상을 이용하여, 전극 또는 전력이 인가되는 챔버 벽에 적정한 지름 및 깊이의 홀을 만들어 홀 주위의 전자 밀도를 향상하거나 플라즈마 변수를 조절할 수 있다.
적정한 홀(Hole)의 크기는 쉬스(Sheath)의 길이 및/또는 전자 온도 등의 정보로부터 이론적으로 계산될 수 있다. 그러나, 공정 가스 종류 등에 따라 이론적으로 플라즈마 변수를 계산하고, 상기 플라즈마 변수를 이용하여 홀의 형태를 결정하는 것은 한계가 있다.
예비 전극 구조체는 다양한 형태(지름, 깊이, 테이퍼 각도)의 홀들을 포함할 수 있다. 상기 홀들의 단면은 원형, 사각형, 다각형, 별모양 또는 타원형일 수 있다. 또는 상기 홀은 트렌치 형태일 수 있다. 상기 홀들을 포함하는 예비 전극 구조체는 챔버에 장착될 수 있다. 이미 결정된 공정 압력 범위와 전력 범위, 및 공정 가스 범위에서 예비 전극 구조체를 이용하여 기판에 공정을 수행할 수 있다. 이 경우, 소정의 공정 범위에서 상기 예비 전극 구조체의 상기 홀들 중에 일부만이 발광하거나 및/또는 플라즈마 밀도를 향상시킬 수 있다. 가장 강하게 발광하는 홀의 형태 또는 최적 공정 결과를 보이는 홀의 형태는 선택될 수 있다. 상기 발광하는 홀 의 형태는 OES(optical emission spectroscopy) 또는 육안으로 판단될 수 있다. 상기 최적 공정 결과는 상기 기판을 분석 장비를 통하여 확인될 수 있다.
이러한 현상을 이용하여, 균일한 플라즈마 방전 및/또는 균일한 공정이 일어나지 않는 플라즈마 발생 장치에서, 플라즈마 밀도가 낮은 구역에 홀의 밀도를 증가 또는 감소시키어 전체적으로 플라즈마 밀도를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 상기 플라즈마 발생 장치에서 플라즈마 균일도 및/또는 공정 균일도는 향상될 수 있다.
기판 처리 장치를 설계하여 제작한 경우, 실제 양산에 적용되기 위하여는 기판 처리 장치는 튜닝 과정을 거칠 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 향상 화학 기상 장치(PECVD)를 이용하여 기판에 실리콘을 증착하는 경우, 특정한 레시피(recipe)에서 소정의 균일성을 벗어나는 공정이 진행될 수 있다. 이 경우, 기판이 대면적화됨에 따라, 상기 실리콘 증착 균일성은 상기 레시피의 미세 튜닝으로 확보하기 어렵다. 이 경우, 상기 예비 전극 구조체를 이용하여 상기 레시피의 조건 하에서 실리콘 증착 공정이 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 예비 전극 구조체의 최적의 홀의 형태를 선택할 수 있다. 이어서, 상기 선택된 홀의 형태를 이용하여 위치에 따라 다른 홀의 밀도를 가진 측정 전극 구조체를 이용하여 상기 레시피의 조건 하에서 실리콘 증착 공정이 수행될 수 있다. 이에 따라, 위치에 따른 홀의 밀도를 선택할 수 있다. 상기 위치에 따른 홀의 밀도를 반영한 공정 전극 구조체는 상기 실리콘 증착의 균일성을 제공할 수 있다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기 로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층(또는 막) 및 영역들의 두께, 홀의 크기 및 개수는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층(또는 막)이 다른 층(또는 막) 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층(또는 막) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층(또는 막)이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 기판 처리 방법은 위치에 따라 다른 형태의 홀들을 가진 예비 전극 구조체를 이용하여 홀의 형태에 따른 플라즈마 특성 및 공정 결과 중에서 적어도 하나를 확인하여 홀의 형태를 선택하는 단계(S100), 선택된 홀의 형태를 가지고 상기 홀의 밀도가 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계(S200), 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 측정 전극 구조체의 홀의 밀도를 전사하여 공정 전극 구조체를 제공하는 단계(S300), 및 상기 공정 전극 구조체를 이용하여 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하는 단계(S400)를 포함한다.
상기 기판은 반도체 기판, 유전체 기판, 폴리머, 옷감, 및 금속을 포함할 수 있다. 상기 기판은 플라즈마 처리가 가능한 어떤 물질도 가능하다. 상기 기판은 유연성을 가진 물질일 수 있다. 상기 방전은 주파수에 따라 DC 방전, AC 방전, RF 방전, 또는 초고주파 방전일 수 있다. 상기 방전은 축전 결합 방전일 수 있다. 상기 방전의 압력은 대기압, 진공, 또는 대기압 이상의 고압일 수 있다. 상기 방전은 진공 용기를 가진 경우에 한하지 않을 수 있다. 상기 플라즈마 처리는 식각, 증착, 이온 주입, 표면 처리, 또는 살균 등을 포함할 수 있다. 방전은 상기 예비 전극 구조체, 상기 측정 전극 구조체, 및 상기 공정 전극 구조체에 직접 전력이 인가되는 경우에 한하지 않는다. 상기 예비 전극 구조체, 상기 측정 전극 구조체, 및 상기 공정 전극 구조체는 접지 전극으로 사용되고, 전력이 인가되는 별도의 전극이 배치될 수 있다.
상기 예비 전극 구조체는 위치에 따라 다른 홀의 형태를 가질 수 있다. 상기 예비 전극 구조체의 홀들은 위치에 따라 홀의 깊이, 지름(diameter), 및 테이퍼 각도 중에서 적어도 하나는 다를 수 있다. 상기 홀은 할로우 케소드 방전(hollow cathode discharge)을 유발할 수 있다. 상기 예비 전극 구조체를 이용하여 방전하여, 전자 밀도(플라즈마 밀도) 및/또는 공정 결과가 향상된 홀의 형태가 선택될 수 있다. 상기 방전은 실제의 공정이 수행될 기판의 온도, 공정 가스, 예비 전극 구조체에 인가되는 전력의 범위에 실시될 수 있다.
상기 예비 전극 구조체를 이용하여 선택된 홀의 형태는 상기 측정 전극 구조체에 반영될 수 있다. 상기 측정 전극 구조체는 위치에 따라 다른 밀도로 배열된 홀을 포함할 수 있다(S210). 상기 측정 전극 구조체는 적어도 하나 이상의 단위 측정 전극 패턴을 포함할 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 가지는 복수의 스플릿 영역들을 포함할 수 있다.
상기 측정 전극 구조체의 제조 방법(S210)은 챔버 혹은 공정 별로 홀의 형태를 결정한 후, 이미 제작된 단위 측정 전극 패턴을 조합하여 제작하는 것이 가능하다. 또는 상기 측정 전극 구조체는 모판 전극에 상기 단위 공정 전극 패턴들을 직접 형성하여 제작될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면 홀의 밀도의 배열은 위치별로 점진적으로 변화시키며 배열하는 연속적인 배열 방법이 사용될 수 있다.
상기 측정 전극 구조체를 이용하여 상기 기판을 처리하여 시험공정을 진행할 수 있다(S220). 상기 홀의 밀도에 따른 상기 기판의 공정 결과는 확인될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판에서 최적 공정 위치는 선택될 수 있다. 상기 기판에서 최적 공정 위치는 상기 측정 전극 구조체의 최적 공정 위치와 동일한 의미로 사용될 수 있다. 상기 측정 전극 구조체는 하나 이상의 단위 측정 전극 패턴을 포함할 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴들은 서로 동일한 형태일 수 있다. 위치 별 공정 격차가 예상되는 경우, 상기 단위 측정 전극 패턴은 서로 다른 스플릿 조합을 포함할 수 있다. 즉, 예상 공정 정도에 따라 위치 별로 상기 단위 측정 전극 패턴은 서로 다르게 구성될 수 있다.
상기 단위 측정 패턴은 복수의 스플릿 영역들을 포함할 수 있다. 상기 스플 릿 영역들은 서로 다른 홀의 밀도를 가질 수 있다. 상기 스플릿 영역들은 국소적 위치에 따라 다른 플라즈마 특성 및/또는 공정 특성을 유도할 수 있다. 상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴 별로 선택될 수 있다(S230).
상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴 별로 공정 결과가 균일한 위치들일 수 있다. 즉, 상기 단위 측정 패턴들 마다 소정의 스플릿 영역이 상기 최적 공정 위치로 선택될 수 있다. 따라서, 선택된 상기 스플릿 영역들은 서로 동일한 공정 결과를 제공할 수 있다.
또는, 상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴의 스플릿 영역 별로 선택될 수 있다(S230). 상기 최적 공정 위치는 각각의 스플릿 영역에서 선택적으로 지정된 영역일 수 있다.
소정의 조건을 충족하는 공정이 이루어진 위치가 모든 상기 단위 측정 패턴들에서 부재하는 경우(S230), 상기 측정 전극 구조체의 전체적인 홀의 밀도를 증가 또는 감소시킬 수 있다(S240). 모든 상기 단위 측정 패턴들이 아닌 일부 상기 단위 측정 패턴들에만 원하는 정도의 공정이 이루어진 경우, 상기 측정 전극 구조체는 상기 원하는 공정이 이루어지지 않은 위치에 대응하는 상기 단위 측정 패턴들의 스플릿 간의 홀의 밀도 차이를 증가 또는 감소시킬 수 있다(S240).
상기 공정 전극 구조체는 적어도 하나 이상의 단위 공정 전극 패턴을 포함할 수 있다. 상기 단위 공정 전극 패턴은 상기 단위 측정 전극 패턴 별로 선택된 위치에 대응하는 홀의 밀도를 가질 수 있다. 즉, 상기 최적 공정 위치의 홀의 밀도는 상기 단위 공정 전극 패턴에 전사될 수 있다(S300). 결국, 상기 공정 전극 구조 체는 전 영역에서 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 측정 전극 구조체의 홀 밀도의 배열을 가질 수 있다. 상기 공정 전극 구조체는 물리적으로 서로 분리된 상기 단위 공정 전극 패턴들을 서로 조합하여 형성될 수 있다. 또는, 상기 공정 전극 구조체는 모판 전극에 상기 단위 공정 전극 패턴들을 형성될 수 있다.
상기 최적 공정 위치는 각각의 스플릿 영역에서 선택적으로 지정된 영역일 수 있다. 즉, 공정 전극 구조체 전사 시, 상기 단위 측정 전극 패턴 상에서도 위치에 따라 다른 스플릿 상에서 최적 공정 구역이 선택될 수 있다. 이 경우, 상기 단위 공정 전극 패턴의 영역의 위치 및 넓이는 임의로 지정할 수 있다.
상기 공정 전극 구조체를 이용하여 공정을 수행하는 경우, 인접한 구역의 간섭 효과로 원하는 정도의 공정이 이루어지지 않을 수 있다. 이 같은 경우, 상기 공정 전극 구조체의 공정 결과를 피드백하여, 상기 측정 전극 구조체 및/또는 상기 공정 전극 구조체를 다시 제작할 수 있다(S310). 상기 공정 전극 구조체는 위치에 따른 공정 불균일성을 보상할 수 있다(S400).
도 3 내지 도 6는 본 발명의 실시예들에 따른 예비 전극 구조체를 포함하는 기판 처리 장치를 설명하는 도면이다.
도 3을 참조하면, 상기 기판 처리 장치(100)는 예비 전극 구조체(110), 기판 홀더(130)를 포함할 수 있다. 상기 기판 홀더(130) 상에 기판(140)이 배치될 수 있다. 상기 예비 전극 구조체(110)는 제1 예비 전극(114), 및 상기 제1 예비 전극(114)의 일면 상에 배치된 제2 예비 전극(116)을 포함할 수 있다. 상기 제1 예비 전극은 위치에 따라 다른 형태의 홀들을 포함할 수 있다. 상기 제1 예비 전극(114) 및 상기 제2 예비 전극(116)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 예비 전극(116)에 RF 전력이 인가되어 상기 제1 예비 전극(114)의 하부에 플라즈마(150)를 발생시킬 수 있다. 소정의 공정 조건에서 상기 제1 예비 전극(114)의 홀의 형태는 플라즈마 밀도 및/또는 공정 결과를 변경할 수 있다. 이에 따라, 상기 플라즈마 밀도 및/또는 상기 공정 결과를 조사하여, 최적의 홀의 형태는 선택될 수 있다.
상기 제1 예비 전극(114)은 지름이 다른 복수의 홀들(112a~112d)을 포함할 수 있다. 상기 홀들(112a~112d)의 지름(d1,d2,d3,d4)은 차례로 증가할 수 있다. 상기 홀들(112a~112d)의 깊이(t)는 동일할 수 있다. 상기 홀들의 깊이(t)는 상기 제1 예비 전극의 두께보다 작을 수 있다.
상기 예비 전극 구조체(110)에 의하여 형성된 플라즈마(150)는 공정 압력, 공정 가스, 및 인가되는 전력(power)에 의존할 수 있다. 상기 홀들(112a~112d)은 할로우 케소드 방전(hollow cathode discharge)을 제공할 수 있다. 상기 홀들(112a)은 지름(d1,d2,d3,d4)에 따라 다른 플라즈마 밀도를 제공할 수 있다. 따라서, 소정의 공정 조건에 대응하는 최적의 상기 홀의 지름은 선택될 수 있다. 상기 홀의 지름의 선택은 플라즈마 밀도 및/또는 상기 기판의 공정 결과에 의존할 수 있다. 상기 기판의 공정 결과는 SEM, 또는 TEM 등의 분석 장비를 이용하여 확인할 수 있다. 상기 플라즈마 밀도는 전기 탐침법, OES, 및 육안으로 조사될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 예비 전극 구조체(110)의 홀들은 위치에 따라 홀의 깊이, 지름(diameter), 및 테이퍼 각도 중에서 적어도 하나는 다를 수 있다. 상기 홀들의 형태는 다양하게 변형될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 예비 전극 구조체(110)는 제1 예비 전극(114) 및 상기 제2 예비 전극(116)으로 분리되지 않을 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 예비 전극 구조체(110)는 다양한 홀의 형태를 포함하는 한 다양하게 변형될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 예비 전극 구조체(110)는 플라즈마에 의한 스퍼터링을 방지하는 스퍼터링 보호막을 포함할 수 있다. 상기 스퍼터링 보호막은 절연막, 도전막, 및 반도체막 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 플라즈마를 발생시키는 전원은 상기 예비 전극 구조체가 직접 연결되는 것에 한하지 않고, 상기 예비 전극 구조체의 편 전극 또는 예비 전극 구조체와 별도로 장착된 전극에 인가될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 기판 처리 장치(100)는 예비 전극 구조체(110), 기판 홀더(130)를 포함할 수 있다. 상기 기판 홀더(130) 상에 기판(140)이 배치될 수 있다. 상기 예비 전극 구조체(110)는 제1 예비 전극(114), 및 상기 제1 예비 전극(114)의 일면 상에 배치된 제2 예비 전극(116)을 포함할 수 있다. 상기 제1 예비 전극(114)은 위치에 따라 다른 형태의 홀들(212a,212b,212c,212d)을 포함할 수 있다. 상기 제1 예비 전극(114) 및 상기 제2 예비 전극(116)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 예비 전극(116)에 RF 전력이 인가되어 상기 제1 예비 전극(114)의 하부에 플라즈마(150)를 발생시킬 수 있다. 소정의 공정 조건에서 상기 제1 예비 전극(114)의 홀들(212a,212b,212c,212d)의 형태에 따라 다른 플라즈마 밀도를 생성하여, 최적의 홀의 형태의 선택을 제공할 수 있다. 상기 예비 전극 구조 체(110)의 홀들(212a,212b,212c,212d)은 위치에 따라 다른 깊이(t1~t4)를 가질 수 있다. 상기 홀들(212a,212b,212c,212d)의 지름(d)은 동일할 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 기판 처리 장치(100)는 예비 전극 구조체(110), 기판 홀더(130)를 포함할 수 있다. 상기 기판 홀더(130) 상에 기판(140)이 배치될 수 있다. 상기 예비 전극 구조체(110)는 제1 예비 전극(114), 및 상기 제1 예비 전극(114)의 일면 상에 배치된 제2 예비 전극(116)을 포함할 수 있다. 상기 제1 예비 전극(114)은 위치에 따라 다른 형태의 홀들(312a,312b,312c,312d)을 포함할 수 있다. 상기 제1 예비 전극(114) 및 상기 제2 예비 전극(116)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 예비 전극(116)에 RF 전력이 인가되어 상기 제1 예비 전극(114)의 하부에 플라즈마(150)를 발생시키고, 소정의 공정 조건에서 상기 제1 예비 전극(114)의 홀들(312a,312b,312c,312d)의 형태에 따라 다른 플라즈마 밀도를 생성하여, 최적의 홀의 형태의 선택을 제공할 수 있다.
상기 예비 전극 구조체(110)의 홀들(312a,312b,312c,312d)은 위치에 따라 다른 테이퍼 각( θ1,θ2,θ3,θ4)을 가질 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 기판 처리 장치(100)는 예비 전극 구조체(110), 기판 홀더(130)를 포함할 수 있다. 상기 기판 홀더(130) 상에 기판(140)이 배치될 수 있다. 상기 예비 전극 구조체(110)는 제1 예비 전극(114), 및 상기 제1 예비 전극(114)의 일면 상에 배치된 제2 예비 전극(116)을 포함할 수 있다. 상기 제1 예비 전극(114)은 위치에 따라 다른 형태의 홀들(412a,412b,412c)을 포함할 수 있다. 상 기 제1 예비 전극(114) 및 상기 제2 예비 전극(116)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 예비 전극(116)에 RF 전력이 인가되어 상기 제1 예비 전극(114)의 하부에 플라즈마(150)를 발생시키고, 소정의 공정 조건에서 상기 제1 예비 전극(114)의 홀들(412a,412b,412c)의 형태에 따라 다른 플라즈마 밀도를 생성하여, 최적의 홀의 형태의 선택을 제공할 수 있다. 상기 홀들(412a,412b,412c)은 깊이에 따라 반경이 변할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 전극 구조체를 설명하는 평면도이다. 도 8은 도 7의 I-I'선을 따라 자른 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 측정 전극 구조체(120)는 제1 측정 전극(124), 및 상기 제1 측정 전극(124)의 일면 상에 배치된 제2 측정 전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제1 측정 전극(124)은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 제1 측정 전극(124) 및 상기 제2 측정 전극(126)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 측정 전극(126)에 RF 전력이 인가되어 상기 제1 측정 전극(124)의 하부에 플라즈마(150)를 발생시킬 수 있다. 상기 제1 측정 전극(124)의 홀의 밀도에 따라 불균일한 공정 및/또는 불균일한 플라즈마 밀도를 제공할 수 있다.
상기 측정 전극 구조체(110)와 마주보도록 기판 홀더(130)가 배치될 수 있다. 상기 기판 홀더(130)의 상부 표면에는 기판(140)이 장착될 수 있다. 상기 측정 전극 구조체(110)는 복수의 단위 측정 전극 패턴들(124a,124b,124c)을 포함할 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴(124a)은 복수의 스플릿 영역들(122a,122b,122c)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(122a,122b,122c)은 서로 다른 홀 밀도를 가질 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴들(124a,124b,124c)은 서로 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴들(124a,124b,124c)은 서로 분리되도록 제작될 수 있다. 상기 홀의 밀도는 상기 스플릿 영역 별로 설명의 편의상 2,3,4개를 가진 것으로 표시되었으나, 상기 홀의 밀도는 스플릿 영역에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 또는, 홀의 개수도 스플릿 영역 별로 수 내지 수 천 개로 개수로 형성될 수 있다. 상기 스플릿 영역들(122a,122b,122c)의 하부에 형성된 플라즈마 밀도 및/또는 상기 기판의 공정결과는 구역에 따라 서로 다를 수 있다. 단위 측정 전극 패턴들 각각은 동일한 조합 또는 위치 별 불균일도를 예상하여 위치 별로 조합을 다르게 선택한 복수의 스플릿을 포함할 수 있다.
상기 측정 전극 구조체의 홀의 형태는 도 3 내지 도 6에서 설명한 예비 측정 전극 구조체를 이용하여 선택될 수 있다.
본 발명의 변형의 변형된 실시예에 따르면, 상기 스플릿 영역들(122a,122b,122c)은 서로 물리적으로 분리될 수 있다.
본 발명의 변형의 변형된 실시예에 따르면, 측정 전극 구조체(120)는 제1 측정 전극(124), 및 상기 제2 측정 전극(126)으로 분리되지 않을 수 있다.
본 발명의 변형의 변형된 실시예에 따르면, 상기 측정 전극 구조체는 위치에 따라 다른 밀도를 가지는 한 다양하게 변형될 수 있다.
본 발명의 변형의 변형된 실시예에 따르면, 위치 별 공정 격차가 예상되는 경우, 단위 측정 전극 패턴 별 스플릿 조합은 예상 공정 정도에 따라 위치 별로 서 로 다르게 구성한 형태일 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 플라즈마를 발생시키는 전원은 상기 측정 전극 구조체가 직접 연결되는 것에 한하지 않고, 상기 측정 전극 구조체의 맞은편 전극 또는 측정 전극 구조체와 별도로 장착된 전극에 인가될 수 있다.
도 9은 도 7의 측정 전극 구조체를 이용하여 기판에 공정을 수행 경우, 가상의 증착률을 나타내는 평면도이다. 도 9의 숫자는 증착률을 나타낸다.
도 7 및 도 9을 참조하면, 기판(140)의 증착률은 위치에 따라 다를 수 있다. 상기 기판(140)은 상기 측정 전극 구조체(120)의 단위 측정 전극 패턴들에 대응하여 가상의 기판 측정 영역들(144a,144b,144c)로 구분될 수 있다. 또한, 상기 기판 측정 영역들(144a,144b,144c)은 상기 스플릿 영역들에 대응하여 기판 스플릿 영역들(142a,142b,142c)로 구분될 수 있다. 상기 기판 측정 영역들(144a,144b,144c) 별로 "3"의 증착률을 가지는 기판 스플릿 영역들이 선택될 수 있다. 상기 기판(140)의 모든 영역이 "3"의 증착률을 가지도록 공정 전극 구조체가 형성될 수 있다.
도 10 및 도 11는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 전극 구조체를 설명하는 평면도 및 단면도이다. 도 11은 도 10의 II-II'선을 따라 자른 단면도이다.
도 7 내지 도 11를 참조하면, 공정 전극 구조체(160)는 제1 공정 전극(164), 및 상기 제1 공정 전극(164)의 일면 상에 배치된 제2 공정 전극(166)을 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)은 위치에 따라 서로 다른 홀(161)의 밀 도를 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164) 및 상기 제2 공정 전극(166)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 공정 전극(166)에 RF 전원이 인가되어 상기 제1 공정 전극(164)의 하부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)의 홀의 위치에 따른 밀도 배열은 공정 불균일성을 보상할 수 있다.
상기 공정 전극 구조체(160)는 복수의 단위 공정 전극 패턴(164a,164b,164c)을 포함할 수 있다. 상기 단위 공정 전극 패턴(164a)의 크기는 단위 측정 전극 패턴(124a)의 크기와 같을 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴(124a)의 최적 위치에 대응하는 홀 밀도는 상기 단위 공정 전극 패턴(164a)에 전사될 수 있다. 상기 단위 공정 전극 패턴(164a,164b,164c)은 물리적으로 서로 분리될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 단위 공정 전극 패턴 각각은 일정한 크기의 스플릿 영역들의 결합에 의하여 제공될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 단위 공정 전극 패턴(164a,164b,164c)은 물리적으로 서로 분리되지 않을 수 있다. 즉, 상기 공정 전극 구조체(160)는 모판에 직접 제작될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 플라즈마를 발생시키는 전원은 상기 공정 전극 구조체가 직접 연결되는 것에 한하지 않고, 상기 공정 전극 구조체의 맞은편 전극 또는 공정 전극 구조체와 별도로 장착된 전극에 인가될 수 있다.
도 12 내지 도 14은 본 발명의 실시예들에 따른 공정 전극 구조체를 설명하 는 사시도들이다.
도 11 및 도 12을 참조하면, 공정 전극 구조체(160)는 제1 공정 전극(164), 및 상기 제1 공정 전극(164)의 일면 상에 배치된 제2 공정 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)는 복수의 홀들(161)을 포함할 수 있다. 상기 홀들(161)은 할로우 케소드 방전을 유발할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164) 및 상기 제2 공정 전극(166)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 공정 전극(166)에 RF 전원이 인가되어 상기 제1 공정 전극(164)의 하부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)의 홀의 위치에 따른 밀도 배열은 공정 불균일성을 보상할 수 있다.
상기 제1 공전 전극(164)은 복수의 단위 공정 전극 패턴들(164a,164b,164c)을 포함할 수 있다. 상기 공정 스플릿 영역들(162a,162b,162c)은 물리적으로 서로 분리될 수 있다. 상기 단위 공정 전극 패턴들(164a,164b,164c)은 상기 제2 공정 전극(166)에 고정 결합할 수 있다.
도 10 및 도 12을 참조하면, 공정 전극 구조체(160)는 제1 공정 전극(164), 및 상기 제1 공정 전극(164)의 일면 상에 배치된 제2 공정 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)는 복수의 홀들(161)을 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164) 및 상기 제2 공정 전극(166)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 공정 전극(166)에 RF 전원이 인가되어 상기 제1 공정 전극(164)의 하부에 플라즈마 를 발생시킬 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)의 홀의 위치에 따른 밀도 배열은 공정 불균일성을 보상할 수 있다.
상기 제1 공전 전극(164)은 복수의 단위 공정 전극 패턴들(164a,164b,164c)을 포함할 수 있다. 상기 단위 공정 전극 패턴(164a)은 복수의 공정 스플릿 영역들(162a,162b,162c)을 포함할 수 있다. 상기 공정 스플릿 영역들(162a,162b,162c)은 물리적으로 서로 분리될 수 있다. 상기 단위 공정 전극 패턴들(164a,164b,164c)은 상기 제2 공정 전극(166)에 고정 결합할 수 있다.
도 14를 참조하면, 공정 전극 구조체(260)는 복수의 홀들(261)을 포함할 수 있다. 상기 홀들은 할로우 케소드 방전을 유발할 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(260)에 RF 전원이 인가되어 상기 공정 전극 구조체(260)의 하부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(260)의 홀의 위치에 따른 밀도 배열은 공정 불균일성을 보상할 수 있다.
공정 전극 구조체(260)는 복수의 단위 공정 전극 패턴들(264a,264b,264c)을 포함할 수 있다. 상기 단위 공정 전극 패턴들(264a,264b,264c)은 하나의 모판에 형성될 수 있다.
도 15 및 도 16는 본 발명의 실시예들에 따른 측정 전극 구조체를 설명하는 평면도들이다.
도 15를 참조하면, 측정 전극 구조체(220)은 복수의 단위 측정 전극 패턴들(224a)을 포함할 수 있다. 상기 측정 전극 구조체(220)는 4각형일 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴(224a)은 복수의 스플릿 영역들(222a~222d)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역(222a~222d)들은 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴(224a)은 물리적으로 서로 분리되거나, 하나의 모판에 직접 형성될 수 있다.
도 16를 참조하면, 측정 전극 구조체(320)은 복수의 단위 측정 전극 패턴들(324a)을 포함할 수 있다. 상기 측정 전극 구조체(320)는 원형일 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴(324a)은 복수의 스플릿 영역들(322a~322d)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역(322a~322d)들은 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴(324a)은 물리적으로 서로 분리되거나, 하나의 모판에 직접 형성될 수 있다.
도 17 및 도 18는 본 발명의 실시예들에 따른 공정 전극 구조체를 설명하는 사시도들이다.
도 17을 참조하면, 측정 전극 구조체(320)는 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 측정 전극 구조체(320)에 전력이 인가되어 상기 측정 전극 구조체(320)의 하부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 측정 전극 구조체(320)의 홀의 밀도에 따라 불균일한 공정 및/또는 불균일한 플라즈마 밀도를 제공할 수 있다.
상기 측정 전극 구조체(320)는 적어도 하나의 단위 측정 전극 패턴(322)을 포함할 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴(322)은 복수의 스플릿 영역들(322a,322b,322c)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(322a,322b,322c)은 서로 다른 홀 밀도를 가질 수 있다. 상기 스플릿 영역들(322a,322b,322c)은 서로 분 리될 수 있다. 상기 스플릿 영역들(322a,322b,322c)은 가드 레일(323)에 장착될 수 있다.
도 18을 참조하면, 측정 전극 구조체(420)는 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 측정 전극 구조체(420)에 전력이 인가되어 상기 측정 전극 구조체(420)의 하부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 측정 전극 구조체(420)의 홀의 밀도에 따라 불균일한 공정 및/또는 불균일한 플라즈마 밀도를 제공할 수 있다.
상기 측정 전극 구조체(420)는 적어도 하나의 단위 측정 전극 패턴들(424a~424d)을 포함할 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴(424a) 각각은 복수의 스플릿 영역들(422a,422b,422c)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(422a,422b,422c)은 서로 다른 홀 밀도를 가질 수 있다. 상기 스플릿 영역들(422a,422b,422c)은 서로 분리될 수 있다. 상기 스플릿 영역들(422a,422b,422c)은 가드 레일(423)에 장착될 수 있다.
도 19 내지 도 22은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 단면도들이다.
도 19을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 처리 용기(10), 상기 처리 용기(10)의 내부에 배치된 공정 전극 구조체(160), 상기 공정 전극 구조체(160)에 전력을 인가하여 상기 공정 전극 구조체(160)의 하부에 플라즈마를 발생시키는 전원(22), 및 상기 공정 전극 구조체(160)와 마주 보도록 배치되고 기판(140)을 지지 하는 기판 홀더(130)를 포함하되, 상기 공정 전극 구조체(160)는 위치에 따라 다른 홀의 밀도를 포함하고, 상기 공정 전극 구조체(160)를 이용하여 위치에 따른 공정 불균일성을 보상할 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(160)의 상기 홀은 할로우 케소드 방전(hollow cathode discharge)을 유발할 수 있다.
상기 기판 처리 장치(10)는 세정 공정, 증착 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 열처리 공정, 또는 표면 처리 공정 등을 수행할 수 있다. 상기 처리 용기(10)는 진공 용기에 한정되지 않는다. 상기 기판 처리 장치(10)는 대기압에서 롤투롤(roll to roll) 공정에 응용될 수 있다.
상기 기판 홀더(130)는 히터 및/또는 바이어스 전극 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판 홀더(130)는 상기 기판을 지지하는 수단 또는 상기 기판(140)에 에너지를 인가하는 수단일 수 있다. 상기 히터는 냉각부를 포함할 수 있다. 상기 히터는 상기 기판(140)에 열 에너지를 공급할 수 있다. 상기 바이어스 전극은 AC 전원, RF 전원, 또는 초고주파 전원에 연결될 수 있다. 상기 기판 홀더(130)는 초음파 에너지, 광 에너지, 열 에너지, 자기 에너지, 전기 에너지 및 이온 에너지 중에서 적어도 하나를 상기 기판(130)에 공급할 수 있다.
증착 공정의 경우, 상기 공정 결과는 스텝 커버리지(step coverage), 증착률, 막질, 공정 프로파일, 또는 막의 조성비일 수 있다. 식각 공정의 경우, 상기 공정 결과는 식각률, 선택비, 공정 프로파일, 기판의 전기적/물리적 손상 정도, 이온 입사에 의한 불순물 정도, 어닐등(Annealing) 등의 열적 효과, 또는 식각 이방성(etch anisotropy)일 수 있다.
상기 공정 전극 구조체(160)는 제1 공정 전극(164), 및 상기 제1 공정 전극(164)의 일면 상에 배치된 제2 공정 전극(166)을 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164) 및 상기 제2 공정 전극(166)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 공정 전극(166)에 RF 전원(22)이 인가되어 상기 제1 공정 전극(164)의 하부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 RF 전원(22)과 상기 공정 전극 구조체(160) 사이에 정합회로(24)가 배치될 수 있다. 상기 정합회로(24)는 상기 RF 전원의 전력을 최대로 부하에 전달하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)의 홀의 위치에 따른 밀도 배열은 공정 불균일성을 보상할 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(160)는 상기 처리 용기(10)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(160)의 일부는 상기 처리 용기 등과 불필요한 방전을 제거하기 위하여 절연체 및/또는 도전체로 둘러싸일 수 있다.
도 20을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 처리 용기(10), 상기 처리 용기(100)의 벽에 배치된 공정 전극 구조체(160), 상기 공정 전극 구조체(160)에 전력을 인가하여 상기 공정 전극 구조체(160)의 하부에 플라즈마를 발생시키는 전원(22), 및 상기 공정 전극 구조체(160)와 마주 보도록 배치되고 기판(140)을 지지하는 기판 홀더(130)를 포함할 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(160)는 위치에 따라 다른 홀의 밀도를 포함하고, 상기 공정 전극 구조체(160)는 위치에 따른 공정 불균일성을 보상할 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(160)는 상기 처리 용기의 일부를 구성할 수 있다. 상기 처리용기(10)는 절연판(12)을 포함할 수 있다. 상기 절연 판(12)은 상기 처리 용기(10)의 투껑일 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(160)는 상기 절연판(12)에 배치될 수 있다. 상기 절연판(12)은 상기 공정 전극 구조체(160)와 상기 처리 용기(10)를 서로 절연시킬 수 있다.
상기 공정 전극 구조체(160)는 제1 공정 전극(164), 및 상기 제1 공정 전극(164)의 일면 상에 배치된 제2 공정 전극(166)을 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164) 및 상기 제2 공정 전극(166)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 공정 전극(166)에 전원(22)이 인가되어 상기 제1 공정 전극(164)의 하부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 전원(22)과 상기 공정 전극 구조체(160) 사이에 정합회로(24)가 배치될 수 있다. 상기 정합회로(24)는 상기 RF 전원의 전력을 최대로 부하에 전달하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 공정 전극(164)의 홀의 위치에 따른 밀도 배열은 공정 불균일성을 보상할 수 있다.
도 21을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 처리 용기(10), 상기 처리 용기(10)의 내부에 배치된 분할 공정 전극 구조체(360), 상기 분할 공정 전극 구조체(360)에 전력을 인가하여 상기 분할 공정 전극 구조체(360)의 하부에 플라즈마를 발생시키는 전원(20), 및 상기 분할 공정 전극 구조체(360)와 마주 보도록 배치되고 기판(140)을 지지하는 기판 홀더(130)를 포함할 수 있다. 상기 분할 공정 전극 구조체(360)는 위치에 따라 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 분할 공정 전극 구조체(360)는 위치에 따른 공정 불균일성을 보상할 수 있다. 상기 분할 공정 전극 구조체(360)는 절연판(14)에 배치될 수 있다. 상기 절연판(14)은 상기 분할 공정 전극 구조체들(360)을 서로 절연시킬 수 있다.
상기 분할 공정 전극 구조체(360)는 제1 분할 공정 전극(364), 및 상기 제1 분할 공정 전극(364)의 일면 상에 배치된 제2 분할 공정 전극(366)을 포함할 수 있다. 상기 제1 분할 공정 전극(364)은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 제1 분할 공정 전극(364) 및 상기 제2 분할 공정 전극(366)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 분할 공정 전극(366)에 전원(20)이 인가되어 상기 제1 분할 공정 전극(364)의 하부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 제1 분할 공정 전극(364)의 홀의 위치에 따른 밀도 배열은 공정 불균일성을 보상할 수 있다.
도 22을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 처리 용기(10), 상기 처리 용기(100)의 내부에 배치된 공정 전극 구조체(560), 상기 공정 전극 구조체(560)에 전력을 인가하여 상기 공정 전극 구조체(560)의 하부에 플라즈마를 발생시키는 전원(22), 및 상기 공정 전극 구조체(560)와 마주 보도록 배치되고 기판(140)을 지지하는 기판 홀더(130)를 포함할 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(560)는 위치에 따라 다른 홀의 밀도를 포함하고, 상기 공정 전극 구조체(560)는 위치에 따른 공정 불균일성을 보상할 수 있다.
상기 공정 전극 구조체(560)는 유체를 분사하는 노즐(563)을 포함할 수 있다. 유체 분배부(562)는 상기 공정 전극 구조체(560)와 결합하여 유체가 흐를 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 상기 유체 분배부(562)와 상기 공정 전극 구조체(560)는 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 유체 분배부(562)에 인가된 전력은 상기 공정 전극 구조체(560)에 전달될 수 있다. 상기 유체 분배부(562)는 상기 공정 전극 구조체(560)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 상기 유체 분배부(562)와 상기 처리용기(10)는 서로 절연을 위하여 절연 스페이서(34)가 배치될 수 있다. 유체 공급부(32)는 상기 유체 분배부(562)에 유체를 공급할 수 있다. 상기 유체 분배부(562)에 제공된 상기 유체는 상기 공정 전극 구조체(560)의 상기 노즐(563)을 통하여 상기 기판(140)에 제공할 수 있다.
상기 공정 전극 구조체(560)는 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함할 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(560)는 상기 공정 전극 구조체(560)의 하부에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 전원(22)과 상기 공정 전극 구조체(160) 사이에 정합회로(24)가 배치될 수 있다. 상기 정합회로(24)는 상기 RF 전원의 전력을 최대로 부하에 전달하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 공정 전극 구조체(560)의 홀(561)의 위치에 따른 밀도 배열은 공정 불균일성을 보상할 수 있다.
도 23a 내지 도 23c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하는 도면들이다. 도 1 및 도 2에서 설명한 것과 중복되는 설명은 생략한다.
도 23a 내지 도 23c를 참조하면, 상기 기판 처리 방법은 홀의 밀도가 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계, 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 측정 전극 구조체의 홀의 밀도를 전사하여 공정 전극 구조체를 제공하는 단계, 및 상기 공정 전극 구조체를 이용하여 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 측정 전극 구조체(720)는 하나 이상의 단위 측정 전극 패턴(720a)을 포함할 수 있다. 상기 단위 측정 패턴(720a)은 복수의 스플릿 영역들(722a,722b,722c)을 포함할 수 있다. 상기 스플릿 영역들(722a,722b,722c)은 서로 다른 홀의 밀도를 가질 수 있다. 상기 스플릿 영역들(722a,722b,722c)은 위치에 따라 다른 플라즈마 특성 및/또는 공정 특성을 유도할 수 있다. 또는 상기 스플릿 영역(722a) 상의 플라즈마 특성 및/또는 공정 특성은 상기 스플릿 영역(722a) 내에서 균일하지 않을 수 있다.
상기 측정 전극 구조체(720)를 이용하여 상기 기판(740)을 처리하여 시험공정을 진행할 수 있다. 상기 홀의 밀도에 따른 상기 기판(740)의 공정 결과는 확인될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(740)에서 최적 공정 위치는 선택될 수 있다. 상기 기판(740)은 단위 기판 영역(740a)을 포함할 수 있다. 상기 단위 기판 영역(740a)은 상기 단위 측정 전극 패턴(720a)에 대응할 수 있다. 상기 단위 기판 영역(740a)은 복수의 기판 스플릿 영역들(742a,742b,742c)을 포함할 수 있다. 상기 기판 스플릿 영역(742a,742b,742c)들 각각은 상기 측정 전극 구조체(720)의 스플릿 영역들(722a,722b,722c)에 대응할 수 있다.
상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴의 스플릿 단위로 선택될 수 있다. 또는, 상기 최적 공정 위치(743a,743b,743c)는 스플릿 상에서 위치 별로, 스플릿 일부 영역이 선택될 수 있다. 상기 최적 공정 위치는 각각의 기판 스플릿 영역 내에서 지정된 영역일 수 있다.
상기 공정 전극 구조체(760)는 적어도 하나 이상의 단위 공정 전극 패턴(760a)을 포함할 수 있다. 상기 단위 공정 전극 패턴(760a)은 상기 단위 측정 전 극 패턴 별로 선택된 최적 공정 위치들에 응하는 홀의 밀도를 가질 수 있다.
상기 단위 공정 전극 패턴(760a)는 상기 단위 측정 전극 패턴 상 위치 별로 각각 최적의 공정이 이루어진 스플릿에 대응하는 홀의 밀도 배열을 가질 수 있다. 상기 단위 측정 전극 패턴처럼 방위각에 따라 스플릿이 나누어진 경우, 중심으로부터의 거리에 따라 최적의 공정이 이루어진 스플릿(743a, 743b, 743c)을 선택할 수 있으며, 사각형의 단위 측정 전극 패턴의 경우 x방향에 따라 스플릿이 나누어진 경우, y방향에 따라 최적 공정이 이루어진 스플릿을 선택하는 것이 가능하다.
즉, 상기 최적 공정 위치의 홀의 밀도 전사 시, 전사하는 홀의 밀도는 상기 단위 측정 전극 패턴 상 한 스플릿에 해당하는 홀의 밀도이거나, 각각의 위치 별로 대응하는 스플릿에 해당하는 홀의 밀도일 수 있다. 상기 공정 전극 구조체는 전극 전 영역 혹은 일부 영역에서 상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 측정 구조체에 대응하는 홀을 가질 수 있다.
상기 공정 전극 구조체는 물리적으로 서로 분리된 상기 단위 공정 전극 패턴들을 서로 조합하여 형성될 수 있다. 또는, 상기 공정 전극 구조체는 모판 전극에 상기 단위 공정 전극 패턴들을 직접 형성하여 제작될 수 있다.
상기 공정 전극 구조체를 이용하여 공정을 수행하는 경우, 인접한 구역의 간섭 효과로 원하는 정도의 공정이 이루어지지 않을 수 있다. 이 같은 경우, 상기 공정 전극 구조체의 공정 결과를 피드백하여, 상기 측정 전극 구조체 및/또는 상기 공정 전극 구조체를 다시 제작할 수 있다. 상기 공정 전극 구조체는 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하며 최적의 공정 조건을 만족하도록 할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 3 내지 도 6는 본 발명의 실시예들에 따른 예비 전극 구조체를 포함하는 기판 처리 장치를 설명하는 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 전극 구조체를 설명하는 평면도이다.
도 9은 도 7의 측정 전극 구조체를 이용하여 기판에 공정을 수행 경우, 가상의 증착률을 나타내는 평면도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 전극 구조체를 설명하는 평면도 및 단면도이다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 공정 전극 구조체를 설명하는 사시도들이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 측정 전극 구조체를 설명하는 평면도들이다.
도 17 및 도 18은 본 발명의 실시예들에 따른 공정 전극 구조체를 설명하는 사시도들이다.
도 19 내지 도 22은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 단면도들이다.
도 23a 내지 도 23c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하는 도면들이다.

Claims (19)

  1. 위치에 따라 다른 홀의 형태를 가진 예비 전극 구조체를 이용하여 홀의 형태에 따른 플라즈마 특성 및 공정 결과 중에서 적어도 하나를 확인하여 상기 홀의 형태를 선택하는 단계;
    선택된 상기 홀의 형태를 가지고, 상기 홀의 밀도가 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계;
    상기 측정 전극 구조체는 복수의 단위 측정 전극 패턴을 포함하고, 상기 단위 측정 전극 패턴은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 가지는 복수의 스플릿 영역들을 포함하고, 상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴 별로 공정 결과가 동일한 스플릿 영역들이고, 기판에 대한 공정 균일성을 충족하도록 상기 최적 공정 위치에 대응하는 스플릿 영역에서의 홀 밀도를 상기 단위 측정 전극 패턴의 전 영역에 변경 배치하고, 상기 변경된 홀 밀도를 가지는 측정 전극 구조체와 동일한 구조를 갖는 공정 전극 구조체를 제공하는 단계; 및
    상기 공정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 공정 전극 구조체는 복수의 단위 공정 전극 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 공정 전극 구조체는 모판 전극에 상기 단위 공정 전극 패턴들을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 예비 전극 구조체의 홀들은 위치에 따라 홀의 깊이, 지름(diameter), 및 테이퍼 각도 중에서 적어도 하나는 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 선택된 홀의 형태는 플라즈마 밀도가 최대가 되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 홀의 밀도가 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계;
    상기 측정 전극 구조체는 복수의 단위 측정 전극 패턴을 포함하고, 상기 단위 측정 전극 패턴은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 가지는 복수의 스플릿 영역들을 포함하고, 상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴 별로 공정 결과가 동일한 스플릿 영역들이고, 기판에 대한 공정 균일성을 충족하도록 상기 최적 공정 위치에 대응하는 스플릿 영역에서의 홀 밀도를 상기 단위 측정 전극 패턴의 전 영역에 변경 배치하고, 상기 변경된 홀 밀도를 가지는 측정 전극 구조체와 동일한 구조를 갖는 공정 전극 구조체를 제공하는 단계; 및
    상기 공정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 처리 용기;
    상기 처리 용기의 벽 또는 처리 용기의 내부에 배치되고 도전체로 형성된 공정 전극 구조체;
    상기 공정 전극 구조체에 전력을 인가하여 상기 처리 용기 내에 플라즈마를 발생시키는 전원; 및
    상기 공정 전극 구조체와 마주 보도록 배치되고 기판을 지지하는 기판 홀더를 포함하되,
    홀의 밀도가 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치가 선택되고, 상기 측정 전극 구조체는 복수의 단위 측정 전극 패턴을 포함하고, 상기 단위 측정 전극 패턴은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 가지는 복수의 스플릿 영역들을 포함하고, 상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴 별로 공정 결과가 동일한 스플릿 영역들이고,
    상기 공정 전극 구조체는, 기판에 대한 공정 균일성을 충족하도록 상기 최적 공정 위치에 대응하는 스플릿 영역에서의 홀 밀도를 상기 단위 측정 전극 패턴의 전 영역에 변경 배치하고, 상기 변경된 홀 밀도를 가지는 측정 전극 구조체와 동일한 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 공정 전극 구조체는 유체를 분사하는 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 공정 전극 구조체는
    제1 공정 전극; 및
    상기 제1 공정 전극의 일면 상에 배치된 제2 공정 전극을 포함하고,
    상기 제1 공정 전극은 위치에 따라 서로 다른 홀의 밀도를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1 예비 전극; 및
    상기 제1 예비 전극의 일면 상에 배치된 제2 예비 전극을 포함하되,
    상기 제1 예비 전극은 위치에 따라 다른 형태의 홀들을 포함하고,
    상기 제1 예비 전극 및 상기 제2 예비 전극은 서로 전기적으로 연결되고, 상기 제2 예비 전극에 전력이 인가되어 상기 제1 예비 전극의 하부에 플라즈마를 발생시키고, 공정 조건에서 상기 제1 예비 전극의 홀의 형태에 따라 다른 플라즈마 밀도를 생성시키는 것을 특징으로 하는 예비 전극 구조체.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 예비 전극 구조체의 홀들은 위치에 따라 홀의 깊이, 지름(diameter), 및 테이퍼 각도 중에서 적어도 하나는 다른 것을 특징으로 하는 예비 전극 구조체.
  12. 복수의 홀들을 포함하는 단위 측정 전극 패턴들을 포함하고,
    상기 단위 측정 전극 패턴은 위치에 따라 상기 홀들의 밀도가 서로 다른 스플릿 영역들을 포함하고,
    상기 스플릿 영역들은 위치에 따른 홀의 밀도에 따라 서로 다른 플라즈마 밀도를 발생시키는 것을 특징으로 하는 측정 전극 구조체.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 단위 측정 전극 패턴들은 분리 결합할 수 있는 것을 특징으로 하는 측정 전극 구조체.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102207607B1 (ko) * 2018-11-30 2021-01-26 한국과학기술연구원 다음극 직류전원 플라즈마 cvd 다이아몬드 성장 장치
JP2023115472A (ja) * 2022-02-08 2023-08-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068716A (ja) 2001-08-28 2003-03-07 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS644481A (en) * 1987-06-24 1989-01-09 Minoru Sugawara Parallel-plate discharge electrode
JP3107971B2 (ja) * 1994-05-17 2000-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 気相反応装置
JP2001135626A (ja) * 1999-11-02 2001-05-18 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ膜形成方法
JP4212215B2 (ja) * 2000-03-24 2009-01-21 株式会社小松製作所 表面処理装置
JP4578694B2 (ja) * 2001-02-09 2010-11-10 株式会社カネカ プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ装置を用いたシリコン系膜の製造方法
US8083853B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068716A (ja) 2001-08-28 2003-03-07 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および処理方法

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