KR101091609B1 - 은 및 ⅲ족 원소에 의해 코-도핑된 나노선, 그 제조 장치 및 방법 - Google Patents
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- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 15
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 62
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 9
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical group [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 2
- HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N xenon monochloride Chemical compound [Xe]Cl HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- -1 optoelectronics Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02603—Nanowires
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
실시예들은 나노선, 그 제조 장치 및 방법에 관한 것이다. 나노선은 은 및 III족 원소에 의하여 도핑된 산화아연으로 이루어질 수 있다. 나노선 제조 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 기판; 상기 챔버 내에 상기 기판과 인접하여 위치하며 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질; 상기 챔버를 가열하는 가열기; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하는 레이저 발생기를 포함할 수 있다. 나노선 제조 방법은, 챔버 내에 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질 및 기판을 서로 인접하여 위치시키는 단계; 상기 챔버를 가열하는 단계; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
나노선, 은, 알루미늄, III족, 코도핑, 산화아연
Description
본 발명의 실시예들은 은 및 III족 원소에 의하여 코도핑(co-doping)된 나노선, 상기 나노선의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.
나노구조체(nanostructure)들은 나노 단위의 크기(nanoscale dimension), 양자구속효과, 탁월한 결정성 및 체적 대비 높은 표면적 등 기존의 벌크(bulk) 소재에서는 발견할 수 없는 다양한 물리적 및 화학적 특성들을 나타낼 수 있다. 따라서, 나노구조체를 이용하여 상대적으로 고도화되고 소형화된 전기 화학적 또는 광학적 소자들을 구현할 수 있으며, 기존에는 불가능했던 새로운 특성 또는 구조를 구현할 수도 있다. 여기서 나노구조체란, 나노미터(nm) 수준의 크기를 갖는 구조체를 의미한다.
물리적, 화학적, 광학적, 역학적 특성은 입자의 크기와 형태에 따라 매우 민감하게 변할 수 있다. 나노기술을 적용하여 만든 나노물질 및 나노구조체들은 촉매, 광전자, 전자 재료, 신소재, 의학을 포함한 정보통신공학, 전기전자공학 및 생 명공학 등 광범위한 분야에서 응용이 진행되고 있으며, 응용 가능한 기술 개발에 많은 연구가 이루어지고 있다.
나노기술이 사용되는 분야 중에서 반도체 산업 분야는 점점 더 좁은 영역에 더 많은 전자소자를 집적하는 방향으로 진행되어, 나노기술이 나노구조체를 합성하여 적용되기에 이르렀다. 이러한 나노구조체를 합성하여 응용하는 나노기술을 적용하여 반도체 산업 분야의 소자를 제작할 수 있다.
최근, 산화아연이 자외선 발광장치 등의 청색 재료로 큰 주목을 받고 있다. 이는 산화아연이 약 3.37 전자볼트(eV)의 밴드갭 에너지 및 상대적으로 큰 약 60 meV의 엑시톤(exciton) 바인딩 에너지를 가지고 있기 때문이다. 광전자소자 등을 제조하기 위해서는 n형 및 p형의 에피택셜(epitaxial) 구조를 구현하는 것이 필수적이므로, 안정적인 반도체 특성을 보이는 산화아연을 제조하기 위한 연구가 진행되고 있다.
또한 산화아연의 응용 분야로는 전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor) 소자, 단일전자트랜지스터(Single Electron Transistor) 소자, 표면탄성파(Surface Acoustic Wave) 소자, 자외선발광소자, 태양전지, 압전소자, 센서, 광도파로, 자외선(UV) 센서, 광스위치, 스핀소자 등을 들 수 있다.
특히 산화아연 나노선에 관련하여, 산화아연 물성들을 규명하고 활용하려는 시도가 최근 활발하게 이루어지고 있다. 산화아연 나노선은 발광소자 또는 레이저 다이오드 등과 같은 저전압 단파장 나노 광전소자를 만들 수 있는 중요한 나노 빌딩 블럭이 될 수 있기 때문에 특히 집중적인 관심이 쏠리고 있다. 1차원의 산화아 연 나노선은 양자 효과를 이용한 상대적으로 낮은 문턱 레이저 에너지를 갖게 되고, 이는 캐리어 제한으로 인한 방사성 결합(radiative recombination)을 향상시킬 수 있다.
이러한 산화아연 나노구조체의 합성은 탄소열환원법(carbothermal reduction method), 화학기상증착법(chemical vapor deposition) 또는 습식합성법(wet chemical method) 등의 공정 방법을 이용할 수 있다. 이를 이용하여 나노선, 나노막대 및 나노시트 등 다양한 형태의 1차원 나노구조체들을 합성할 수 있으며, 광전자소자 또는 레이저 화학센서 등에 응용할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 은과 III족 원소에 의해 코도핑(co-doping)된 나노선과, 상기 나노선을 물리적 합성 방식으로 제조할 수 있는 나노선 제조 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
일 실시예에 따른 나노선은, 은 및 III족 원소에 의하여 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어질 수 있다.
일 실시예에 따른 나노선 제조 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 기판; 상기 챔버 내에 상기 기판과 인접하여 위치하며 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질; 상기 챔버를 가열하는 가열기; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하는 레이저 발생기를 포함하여 구성될 수 있다.
일 실시예에 따른 나노선 제조 방법은, 챔버 내에 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질 및 기판을 서로 인접하여 위치시키는 단계; 상기 챔버를 가열하는 단계; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따라 은과 알루미늄 등의 III족 원소가 코도핑(co-doping)된 산화아연으로 이루어진 나노선을 제조할 수 있다. 또한, 실시예들에 따른 나노선 제조 장치 및 방법을 이용하면, 온벽(hot-wall) 펄스 레이저 증착을 이 용하여 물리적 합성 방식으로 상기 나노선을 제조할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예들에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 나노선 제조 장치의 구성을 도시한 개략도이다.
도 1을 참조하면, 나노선 제조 장치는 챔버(10), 기판(20), 타겟 물질(30), 가열기(40) 및 레이저 발생기(50)를 포함할 수 있다. 챔버(10)는 구, 원기둥, 또는 다른 적당한 형상으로 되어 있을 수 있다.
챔버(10) 안의 압력은 적절히 조절될 수 있으며, 챔버(10) 안은 진공 상태일 수도 있다. 예를 들어, 챔버(10) 안의 압력은 약 10-3 토르(torr)일 수도 있다. 챔버(10)는 펌프 등을 사용하여 챔버(10) 내의 기체를 외부로 배출하기 위한 배출구(100) 및 챔버(10) 내에 기체를 주입하기 위한 주입구(110)를 포함할 수도 있다. 주입구(110)를 통하여 챔버(10) 내로 아르곤(Ar) 등의 비활성 기체를 유입하면서 챔버(10) 내의 압력을 조절할 수 있다. 일 실시예에서, 챔버(10) 내에서 아르곤(Ar) 기체의 압력은 약 0.5 토르 내지 약 1.5 토르일 수도 있다.
챔버(10)는 부분적으로 레이저를 통과시키기 위한 투과창(140)을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 투과창(140)은 유리로 이루어질 수도 있다. 또한, 챔버(10)는 기판(20)과 타겟 물질(30) 각각을 지지하기 위한 지지부(120, 130)를 포함할 수도 있다. 각 지지부(120, 130)는 상대적으로 고온에서도 안정한 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대 몰리브덴(Mo) 또는 다른 적당한 물질로 이루어질 수도 있다.
기판(20)은 지지부(120)에 의해 지지되어 챔버(10) 내에 위치할 수 있다. 기판(20)은 사파이어(Al2O3) 또는 다른 적당한 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 기판(20)은 기판(20)상의 촉매 물질(200)을 포함할 수도 있다. 촉매 물질(200)은 증착, 도금, 스퍼터링(sputtering), 또는 다른 적당한 방법에 의하여 기판(20)상에 형성될 수 있다. 기판(20)상에 형성된 촉매 물질(200)은 추후 형성될 나노선(210)의 성장을 촉진시키는 역할을 할 수 있다. 촉매 물질(200)은 금(Au) 또는 다른 적당한 물질로 이루어질 수 있다. 기판(10)상에 나노선(210)을 형성하는 경우에 비해 촉매 물질(200)상에 나노선(210)을 성장시키는 경우 나노선(210)의 성장이 더욱 원활하게 이루어질 수 있다.
챔버(10) 내에는 기판(20)과 인접하여 타겟 물질(30)이 위치할 수 있다. 추후 타겟 물질(30)이 레이저에 의하여 기화됨으로써 기판(20)상에 나노선(210)이 형성될 수 있다. 타겟 물질(30)은 은(Ag) 및 III족 원소에 의해 코도핑(co-doping)된 물질로서, 가루 또는 덩어리 등 다양한 형태일 수도 있다. 도펀트에 의해 도핑된 타겟 물질(30)을 형성하는 방법에 대해서는 종래의 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition; PLD) 등을 통하여 당업자들에게 널리 알려져 있으므로, 본 명세서에서는 자세한 설명을 생략한다.
일 실시예에서, 타겟 물질(30)은 은(Ag)과 III족 원소가 코도핑된 산화아연(ZnO)으로 이루어질 수도 있다. 이때 은(Ag)과 코도핑되는 III족 원소로서 알루 미늄(Al)이 사용될 수도 있다. 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 코도핑된 산화아연(ZnO)으로 이루어진 타겟 물질(30)을 이용함으로써, 기판(20)상에 p형 반도체인 나노선(210)을 형성할 수 있다.
타겟 물질(30)에 포함된 은(Ag)은 나노선(210)에서 아연(Zn)을 치환하면서 p형 반도체의 확산용 소스로서 작용할 수 있다. 이때, 은(Ag)과 함께 코도핑된 알루미늄(Al)은 나노선(210)의 활성화 에너지(activation energy)를 낮춤으로써, 은(Ag)에 의한 아연(Zn)의 치환을 더욱 용이하게 하는 역할을 할 수 있다. 결과적으로, p형 반도체인 나노선(210)을 안정적으로 형성할 수 있다.
타겟 물질(30)에 도핑되는 도펀트들의 양은 나노선(210)에서 구현하고자 하는 반도체 특성에 따라 적절하게 조절될 수 있다. 예를 들어, 타겟 물질(30)은 1 원자%[at(atomic)%] 내지 5 at%의 양으로 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 코도핑된 산화아연(ZnO)으로 이루어질 수도 있다. 본 명세서에서 원자%란, 타겟 물질(30)에 포함되어 있는 전체 원자의 개수 중 도펀트의 원자 개수가 차지하는 백분율을 의미할 수 있다.
다른 실시예에서, 타겟 물질(30)에 은(Ag)과 함께 코도핑되는 III족 원소로는, 알루미늄(Al) 원소 외에도 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 또는 탈륨(Tl) 원소 등이 사용될 수도 있다.
가열기(40)는 챔버(10)를 소정의 온도로 가열할 수 있다. 예를 들어, 가열기(40)는 챔버(10) 내의 온도가 약 500℃ 내지 약 1400℃의 온도가 되도록 챔버(10)를 가열할 수 있다. 가열기(40)는 챔버(10)의 외부에 챔버(40)와 접촉하여 위치할 수 있다. 가열기(40)가 챔버(10) 외부에 위치함으로써 챔버(10)가 온벽(hot-wall)을 갖도록 하여 나노선(210) 형성에 적합한 환경을 조성할 수 있다.
레이저 발생기(50)는 챔버(10) 내의 타겟 물질(30)에 레이저를 조사할 수 있다. 레이저 발생기(50)에 의해 조사된 레이저는 챔버(10)의 투과창(140)을 통하여 챔버(10) 내로 조사될 수 있다. 가열기(40)에 의하여 가열된 챔버(10) 내에서 타겟 물질(30)에 레이저가 조사되면, 레이저와 타겟 물질(30)의 상호 작용으로 인하여 타겟 물질(30)의 열적 및/또는 비열적 분해 현상이 발생할 수 있다. 분해되어 기화된 물질이 타겟 물질(30)에 인접하여 위치하는 기판(20)에 증착되어, 기판(20) 상에 나노선(210)이 형성될 수 있다.
따라서, 기판(20)상에 형성되는 나노선(210)은 타겟 물질(30)과 동일한 조성을 갖게 된다. 은(Ag)과 III족 원소(예컨대, 알루미늄(Al))이 코도핑된 산화아연(ZnO)으로 이루어진 타겟 물질(30)을 이용하여 기판(20)상에 나노선(210)을 형성할 경우, 타겟 물질(30)과 마찬가지로 나노선(210)도 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 코도핑된 산화아연(ZnO)으로 이루어지며, 따라서 안정적인 p형 반도체 특성을 갖게 된다.
일 실시예에서, 레이저 발생기(50)는 약 248 nm의 파장을 갖는 불화크립톤(KrF) 레이저, 약 193 nm의 파장을 갖는 불화아르곤(ArF) 레이저, 또는 약 308nm 의 파장을 갖는 염화크세논(XeCl) 레이저 등의 엑시머(excimer) 레이저 발생기를 포함할 수 있다. 또한, 레이저 발생기(50)는 약 355 nm의 파장을 갖는 네오디뮴(neodymium)-이트륨(yttrium)·알루미늄(aluminum)·가닛(garnet) 레이저(Nd:YAG laser) 발생기를 포함할 수도 있다.
일 실시예에서, 레이저 발생기(50)는 펄스 레이저를 조사할 수도 있다. 이때 펄스 레이저의 주파수는 약 1 내지 약 20 Hz일 수도 있다. 또한 레이저 발생기(50)는 레이저 발생기(50)와 챔버(10) 사이에 위치하는 렌즈(500)를 포함하며, 렌즈(500)를 이용하여 타겟 물질(30)의 단위 면적에 전달되는 에너지가 펄스 당 수 J/cm2 정도가 되도록 레이저 빔을 집속할 수도 있다.
한편, 타겟 물질(30)을 고정하는 지지부(130)는 타겟 물질(30)을 탑재한 채로 소정의 속도로 회전할 수 있다. 예를 들어, 지지부(130)는 챔버(10) 외부의 모터(300) 등에 연결되어 회전할 수 있다. 일 실시예에서, 지지부(130)는 0 내지 약 20 rpm의 분당 회전수로 회전할 수도 있다. 지지부(130)가 회전함에 따라 타겟 물질(30)에 레이저가 조사되는 위치가 이동하게 된다. 따라서, 타겟 물질(30)의 동일한 영역에 레이저가 지속적으로 조사되는 것을 방지할 수 있으며, 결과적으로 타겟 물질(30)의 각 영역을 상대적으로 균일하게 소모할 수 있다. 또한, 타겟 물질(30)의 부분적인 열산화나 온도차의 형성을 방지하여, 기판(20)상에 덩어리 등의 이상 증착이 일어나는 방지할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 온벽을 갖는 챔버(10) 및 레이저 발생기(50)를 이용하여 기판(20)상에 물리적 증착 방식으로 나노선(210)을 형성할 수 있다. 이때, 기판(20) 상에는 나노선(210)의 성장을 촉진하기 위한 촉매 물질(200)이 형성되어 있을 수도 있다. 타겟 물질(30)은 은(Ag)과 III족 원소가 코도핑된 물질로 이 루어지며, 기판(20)상에 형성되는 나노선(210)은 타겟 물질(30)과 동일한 조성을 가지므로, 결과적으로 은(Ag)과 III족 원소가 코도핑된 나노선(210)을 형성할 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 일 실시예에 따른 나노선 제조 방법의 각 단계를 도시한 개략도이다.
도 2a를 참조하면, 기판(20) 및 기판(20)과 인접하여 위치하는 타겟 물질(30)을 준비할 수 있다. 기판(20) 및 타겟 물질(30)은 챔버(10; 도 1 참조) 내에 위치할 수도 있다. 기판(20)은 사파이어 또는 다른 적당한 물질로 이루어질 수 있다. 타겟 물질(30)은 은(Ag)과 III족 원소에 의하여 코도핑된 물질로 이루어질 수 있다.
일 실시예에서, 타겟 물질(30)은 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 코도핑된 산화아연(ZnO)으로 이루어질 수도 있다. 예컨대, 타겟 물질(30)은 1 at% 내지 5 at%의 은(Ag) 및 알루미늄(Al)이 코도핑된 산화아연(ZnO)으로 이루어질 수도 있다. 또한, 다른 실시예에서, 타겟 물질(30) 내의 III족 원소로는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 또는 탈륨(Tl) 원소 등이 사용될 수도 있다.
도 2b를 참조하면, 기판(20) 상에 촉매 물질(200)을 형성할 수도 있다. 촉매 물질(200)은 금(Au) 또는 다른 적당한 물질로서, 촉매 물질(200)상의 나노선의 형성을 촉진할 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 촉매 물질(200)은 증착, 스퍼터링, 또는 다른 적당한 방법에 의하여 기판(20)상에 형성될 수 있다.
도 2c를 참조하면, 다음으로 기판(20)과 타겟 물질(30)이 위치한 챔버(10; 도 1 참조)를 가열하고, 타겟 물질(30)에 레이저를 조사함으로써 기판(20)상에 나노선(210)을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 챔버의 가열 온도는 약 500℃ 내지 약 1400℃일 수도 있다.
타겟 물질(30)의 소정의 영역(A)에 레이저가 조사되면, 레이저와 타겟 물질(30)의 상호 작용으로 인하여 타겟 물질(30)의 열적 및/또는 비열적 분해 현상이 일어날 수 있다. 그 결과, 레이저가 조사된 영역(A)의 타겟 물질(30)은 분해되어 기화되며, 기화된 물질들은 타겟 물질(30)과 인접하여 위치하는 기판(20)상에 나노선(210)의 형상으로 증착될 수 있다.
이때 타겟 물질(30)에 조사되는 레이저는 불화크립톤(KrF) 레이저, 불화아르곤(ArF) 레이저, 염화크세논(XeCl) 레이저 등의 엑시머 레이저일 수 있으며, 또는 Nd:YAG 레이저일 수도 있다. 또한, 타겟 물질(30)에 조사되는 레이저는 펄스 레이저일 수도 있다. 이때 펄스 레이저의 주파수는 1 내지 20 Hz일 수도 있다. 또한, 펄스 레이저는 타겟 물질(30)의 단위 면적에 전달되는 에너지가 펄스 당 수 J/cm2 정도가 되는 세기일 수도 있다.
도 3a 내지 도 3c는 실시예들에 따른 나노선을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 3a 내지 도 3c는 각각 약 1 at%, 3 at% 및 5 at%의 은(Ag) 및 알루미늄(Al)이 코도핑된 산화아연(ZnO)을 타겟 물질로 이용하여 제조된 나노선의 사진이다. 도 3a 내지 도 3c에 도시된 나노선은 모두 약 800℃의 챔버 내에서 성장되었다. 도시되는 바와 같이, 직선, 곡선 또는 꺾은 선 등 다양한 형상의 나노선이 제 조되었음을 확인할 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따라 3 at%의 은(Ag) 및 알루미늄(Al)이 코도핑된 산화아연(ZnO)을 이용하여 성장된 나노선을 광루미네선스(Photoluminescence; PL)를 이용하여 분석한 결과를 나타낸 그래프이다. 도 4는 PL 분석 결과 중 특히 가시광 영역을 제외한 자외선 부분을 확대하여 도시한 것이다.
도 4의 각 그래프(400, 410, 420)는 각각 약 13K, 50K 및 300K의 온도에서 측정한 파장에 따른 PL 강도(PL intensity)를 나타낸다. PL은 가전자대(valence band)의 자유 전자들이 조사된 빛에 의해 전도대(conduction band)로 이동하여 전자-정공의 쌍(electron-hole pair)이 형성되었다가, 전자가 정공과 재결합됨에 따라 일어나는 현상을 지칭한다.
도 4의 그래프(400)로부터 두 개의 피크(peak)를 확인할 수 있는데, 상기 두 개의 피크는 각각 가전자대의 전자와 억셉터 준위(acceptor level)의 정공의 결합(acceptor-bound exciton)에 의해 나타나는 피크(A0X)와, 전도대의 정공과 도너 준위(donor level)의 전자의 결합(donor-bound exciton)에 의해 나타나는 피크(D0X)이다. 이때 전자와 억셉터 준위의 정공의 결합에 의한 피크(A0X)는 p형 반도체 물질의 광특성으로서, 나노선이 은(Ag) 및 알루미늄(Al)에 의하여 도핑되어 p형 반도체 특성을 갖는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 일 실시예에 따른 나노선의 PL 분석 결과의 온도에 따른 피크의 이동으로부터 아레니우스 플롯(Arrhenius plot)을 이용하여 활성화 에너 지를 구한 그래프이다. 도 5에서 가로축은 온도를 나타내며, 세로축은, 각 온도별 PL 피크의 강도 I를 최저 실험 온도에서의 PL 피크의 강도 I0로 나눈 값을 나타낸다. 도 5를 참조하면, 은(Ag)과 알루미늄(Al)의 코도핑된 산화아연(ZnO) 나노선의 경우 활성화 에너지는 약 18.14 meV로서, 은(Ag)에 의해서만 도핑된 산화아연(ZnO) 나노선의 활성화 에너지인 약 25.91 meV에 비하여 작다. 따라서, 은(Ag)과 함께 코도핑된 알루미늄(Al)으로 인하여 은(Ag)이 아연(ZnO)을 치환하는 것이 용이해진다는 점을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러나, 이와 같은 변형은 본 발명의 기술적 보호범위 내에 있다고 보아야 한다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 나노선 제조 장치의 개략도이다.
도 2a 내지 도 2c는 일 실시예에 따른 나노선 제조 방법의 각 단계를 도시한 개략도이다.
도 3a 내지 도 3c는 실시예들에 따른 나노선을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 4는 일 실시예에 따른 나노선의 광루미네선스(photoluminescence)에 의한 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5는 일 실시예에 따른 나노선의 아레니우스 플롯(Arrhenius plot)을 이용한 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
Claims (5)
- 은 및 알루미늄에 의하여 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 나노선으로서,상기 산화아연에 대한, 상기 은 및 상기 알루미늄의 비율은 3 원자% 또는 5 원자%인 것을 특징으로 하는 나노선.
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- 제 1항의 나노선을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자
- 챔버 내에 은 및 알루미늄에 의해 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질 및 기판을 서로 인접하여 위치시키는 단계;상기 챔버를 가열하는 단계; 및상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함하되,상기 타겟 물질에서, 상기 산화아연에 대한 상기 은 및 상기 알루미늄의 비율은 3 원자% 또는 5 원자%인 것을 특징으로 하는 나노선 제조 방법.
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| KR1020090050410A KR101091609B1 (ko) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 은 및 ⅲ족 원소에 의해 코-도핑된 나노선, 그 제조 장치 및 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101489733B1 (ko) | 2013-01-02 | 2015-02-06 | 인하대학교 산학협력단 | 은-알루미늄 복합 나노입자 및 이의 제조방법 |
-
2009
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