KR20090009510A - 나노선의 제조방법 - Google Patents

나노선의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 펄스레이저 증착법에 의하여 갈륨이 도핑된 산화아연 타겟을 이용하여 갈륨이 도핑된 산화아연 나노선을 형성함으로써 나노선 내의 갈륨원자의 아연 치환을 이용하여 n형의 반도체를 구성하도록 하는, 도핑된 산화아연 나노선의 제조방법에 관한 것으로, (1) 기판 상에 촉매금속을 증착시키는 촉매금속증착단계; 및 (2) 도펀트가 도핑된 산화아연을 타겟으로 하여 산화아연을 도펀트와 함께 기화시키고, 이를 상기 촉매금속이 증착된 기판 상에 증착시켜 산화아연의 나노선을 형성시키는 나노선형성단계;들을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
본 발명을 적용하면, 갈륨이 도핑된 산화아연 타겟을 사용함으로써 갈륨이 도핑된 스택모양의 산화아연 나노선을 효과적으로 합성할 수 있는 있으며, 조성과 도핑이 제어된 산화아연 나노선은 여러 가지 새로운 소자기술에 있어 다기능 부품으로서의 다양한 가능성을 갖는다.
나노선, 갈륨, 도핑, 산화아연, 펄스레이저 증착

Description

나노선의 제조방법 {Manufacturing method of nano sized wire}
본 발명은 나노선의 제조방법에 관한 것으로 특히, 펄스레이저 증착법에 의하여 갈륨이 도핑된 산화아연 타겟을 이용하여 갈륨이 도핑된 산화아연 나노선을 형성함으로써 나노선 내의 갈륨원자의 아연 치환을 이용하여 n형의 반도체를 구성하도록 하는, 도핑된 산화아연 나노선의 제조방법에 관한 것이다.
물리적, 화학적, 광학적, 역학적 특성은 입자의 크기와 형태에 따라 매우 민감하게 변한다. 최근 방대하게 이루어지고 있는 나노기술을 적용하여 만든 나노물질 및 나노구조체(nano sized structure)들은 촉매, 광전자, 전자 재료, 신소재, 의학을 포함한 정보 통신공학, 전기전자공학, 생명공학 등의 광범위한 분야에서 응용이 진행되고 있으며, 응용 가능한 여러 기술 개발에 많은 연구가 이루어지고 있다. 나노기술이 사용되는 여러 분야 중 에서 반도체 산업 분야는 점점 더 좁은 영역에 더 많은 전자소자를 집적하는 방향으로 진행되어 와서 현재 나노기술이 나노구조체를 합성하여 적용되기 시작하는 상황에 이르렀다. 여기에서 나노구조체란 나노크기 즉, 나노미터(㎚) 단위인 10-9 정도의 크기를 갖는 구조체를 의미하며, 여 기에서의 구조체는 주로 서브스트레이트 상에 형성되는 나노위스커, 나노선, 나노막대, 나노쉬트, 나노튜브 등으로 알려져 있는 본질적으로 1차원의 나노요소를 의미하는 것으로 정의될 수 있다. 이러한 나노구조체를 합성하여 응용하는 나노기술이 적용되면 반도체 산업 분야의 소자를 제작할 수 있다.
밴드갭이 3.35eV이고, n형 반도체인 산화아연은 다양한 분야에의 응용 가능성이 확인되면서 많은 연구가 이루어지고 있다. 특히 넓은 밴드갭과 더불어 높은 60meV의 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지고 있어, 단파장 영역에서의 광전자 소자로서의 응용 연구가 많이 이루어지고 있다. 산화아연은 질화갈륨(GaN)에 비해 고품질의 단결정 성장이 용이하고, 전기 전도도의 제어가 가능하여 발광소자 및 전하수송 소자로의 응용 가능성이 매우 크다. 산화아연의 응용 분야로는 전계효과트랜지스터(FET) 소자, 단일전자트랜지스터(SET) 소자, 표면탄성파(SAW) 소자, 자외선발광소자, 태양전지, 압전소자, 센서, 광도파로, 자외선(UV) 센서, 광스위치, 스핀소자 등을 들 수 있다. 특히 산화아연 나노선에서는, 산화아연 물성들을 규명하고 활용하려는 시도가 최근 활발하게 이루어지고 있다. 산화아연 나노선은 발광소자 또는 레이저 다이오드 등과 같은 저전압 단파장 나노 광전소자를 만들 수 있는 중요한 나노 빌딩 블럭이 될 수 있기 때문에 특히 집중적인 관심이 쏠리고 있다. 1차원의 산화아연 나노선은 양자 효과를 이용한 더 낮은 문턱 레이저 에너지를 갖게 되고, 이는 캐리어 제한으로 인한 방사성 결합(radiative recombination)을 향상시킬 수 있다.
반도체 나노선을 성장하는데 이용될 수 있고 성장 동안에 그러한 나노선을 도핑하는 데에는 이용될 수 있는 많은 기술들이 있다. 주로 이용되고 있는 방법으로는 열적으로 파우더를 날려 증기상태로 만들고, 기판위에 증착시키는 기상증착(VS ; vapor-solid) 방법과, 촉매 물질과 나노선 물질이 공융점(eutectic point)에서 공융 합금(eutectic alloy)을 형성하도록 한 다음, 이 적하방울(droplet)에서 나노선이 성장하게 하는 방법인 기상액화증착(VLS ; vapor-liquid-solid) 방법이 있다. 또한, 연속적으로 크기를 결정하고, 결정 나노선의 성장 방향을 지향하는 액체 나노클러스터를 생성하는 레이저 절제(laser ablation)와, 레이저 증발로부터의 증기 소스와는 반대로 반응성 분자를 증기상태로 만들어 기판에 나노선을 증착시키는 화학적 증착법(CVD), 유기금속의 화학반응을 이용하여 증착하는 유기 금속 화학적 증착법(MOCVD), 가열된 기판위에 열적으로 증발하는 분자나 또는 원자빔들을 직접적으로 에피텍셜(epitaxial)하게 성장시키는 분자빔 증착법(MBE) 등이 있다.
치수 및 크기가 물리적 특성에 얼마나 영향을 미치는가에 대한 기본적인 개념을 테스트하고 부각되는 나노기술에 대한 중요한 구축 블록으로서 기능하는 그 잠재력으로 인해 나노선 및 나노튜브와 같은 1차원 나노구조체에 관심이 집중되고 있다. 예측가능하고, 제어가능한 도전성이 다수의 나노단위의 전자장치 응용에 핵심적이므로 1차원 나노구조체에서 특히 중요한 것은 선을 통한 전기적 전송이다. 이와 관련된 연구들은 수백 나노미터에 걸쳐 조성과 도핑이 제어된 반도체 나노선은 여러 가지 새로운 소자기술에 있어 다기능 부품으로서 큰 유망성을 보여주고 있다.
단일 도펀트 원자 하나에 의한 작은 조성 변화도 소자 성능에 영향을 미칠 수 있기 때문에, 이들 나노 소자의 지속적인 발전은 원자 수준의 구조에 대한 이해에 크게 좌우된다고 할 수 있다. 나노선은 직경에 관계없이 반도전 상태를 유지할 것이고, 더구나 나노선을 도핑하는 반도체 산업으로부터의 방대한 지식을 활용할 수 있다.
본 발명은 기존의 산화아연 나노선의 합성에서 더 나아가 갈륨(Ga) 원소를 통한 도핑으로 도핑된 나노선을 합성하는 방법에 관한 것으로, 로와 펄스 레이저 증착법을 동시에 이용하여 갈륨이 도핑된 스택모양의 산화아연 나노선의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다. 보다 효과적인 도핑된 물질의 합성을 위해, 순수한 산화아연 타겟이 아닌 갈륨이 도핑된 타겟을 제작하고, 그 타겟을 이용하여 갈륨 도핑된 산화아연 막대를 형성함으로써 소자를 제작할 수 있도록 한 나노선에 관한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 나노선의 제조방법은, (1) 기판 상에 촉매금속을 증착시키는 촉매금속증착단계; 및 (2) 도펀트가 도핑된 산화아연을 타겟으로 하여 산화아연을 도펀트와 함께 기화시키고, 이를 상기 촉매금속이 증착된 기판 상에 증착시켜 산화아연의 나노선을 형성시키는 나노선형성단계;들을 포함하여 이루어진다.
상기 촉매금속은 바람직하게는 금이 될 수 있다.
상기 기판은 바람직하게는 사파이어 기판이 될 수 있다.
상기 도펀트는 갈륨이 될 수 있다.
상기 산화아연의 증착은 바람직하게는 펄스레이저 증착방법에 의해 수행될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 나노선의 제조방법은, (1) 기판 상에 촉매금속을 증착시키는 촉매금속증착단계; 및 (2) 도펀트가 도핑된 산화아연을 타겟으로 하여 산화아연을 도펀트와 함께 기화시키고, 이를 상기 촉매금속이 증착된 기판 상에 증착시켜 산화아연의 나노선을 형성시키는 나노선형성단계;들을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 촉매금속은 바람직하게는 금이 될 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면, 기판 상에 나노선을 형성시키기 전에 촉매금속을 증착시키고, 그 후에 그 위에 나노선을 형성시키되, 도펀트가 도핑된 산화아연으로 나노선을 형성시켜서 나노선의 형성을 촉진하고, 용이하게 하도록 하는 점에 특징이 있는 것이다.
상기 (1)의 촉매금속증착단계는 기판 상에 촉매금속을 증착시키는 것으로 이루어진다. 촉매금속의 증착은 통상의 금속증착에 의해 달성될 수 있다. 달리 증착이 아닌 도금 등에 의해서도 달성될 수 있음은 당업자에게는 용이하게 이해될 수 있는 것이다.
상기 촉매금속으로는 바람직하게는 금(Au)이 될 수 있다. 금은 주기율표 1B족에 속하는 구리족 원소의 하나이다. 원소기호 Au, 원자번호 79, 원자량 196.9665인 원소이다. 홑원소 물질은 황금색 광택이 있는 금속이며, 대표적인 귀금속이다. 전성, 연성이 아주 크며, 덩어리 상태는 황금색이고, 분말이나 콜로이드 상태에서는 빨강 내지 보라, 녹으면 녹색, 증착막(蒸着幕)에서는 빨강으로 보인다. 또 얇은 박은 투과광선에 의해 녹색에서 파랑까지의 색을 나타낸다. 전기, 열의 도체로서 은, 구리 다음으로 전도율이 좋으며, 전기전도율은 은의 67％, 비저항은 2.2× 10-6Ω*㎝(18℃), 또 열전도율은 0.708cal/㎝*sec*deg(20℃)로서 은의 70％이다. 녹는점 1,064℃, 끓는점 2,808℃이고, 융해열 12.8kJ/mol, 증발열 343kJ/mol이며 굳기는 2.5 내지 3이다. 영률은 7.95× 1010N/㎡이다. 공기나 물속에서 대단히 안정하며, 색조가 변하지 않고, 또한 산화제에 의해서도 산화하지 않고, 산이나 알칼리에도 녹지 않는다.
상기 기판은 바람직하게는 사파이어 기판이 될 수 있다. 사파이어는 보석의 일종으로서, 청옥(靑玉)이라고도 한다. 화학성분은 Al2O3이며, 굳기 9(모스 경도로)로서 다이아몬드 다음으로 굳고, 비중은 4.02로서 비금속광물로서는 예외적으로 무겁다. 청색 투명한 강옥(코런덤)이다. 인공으로 합성된 사파이어 기판들이 상용적으로 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지되어 있으며, 이러한 사파이어 기판은 뛰어난 광학특성을 가져, 빛의 투과성이 가장 뛰어난 재료이고, 우수한 열전달 특성을 가져, 세라믹 재료 중에서 금속과 맞먹는 열전도도를 갖는 재료이고, 저온 및 고온안정성을 가져, 극저온에서 초고온까지 상변태 없이 매우 안정적인 재료이며, 경도가 모스 9로서 다이아몬드 다음으로 높아 우수한 기계적 성질을 갖는다.
상기 도펀트는 갈륨이 될 수 있다. 갈륨은 3족 원소로서, 화학적 성질은 알루미늄과 비슷하며, 산, 알칼리에 용해하여 수소를 발생한다. 녹는점이 낮기 때문에 기온이 높아지면 액체가 되기 쉽다. 공기 중에서는 비교적 안정하며, 물에도 침식되지 않는다. 지구상에 비교적 널리 분포하지만, 아연 등의 광석에 적은 양이 함유되어 있을 뿐, 산출량은 많지 않다. 또한, 석탄회 속에서도 발견되며, 게르마늄을 추출할 때 부산물로 얻기도 한다. 홑원소물질 또는 녹는점이 낮은 합금으로서 온도계의 충전제로 쓰는 외에, 합금으로서 수은의 대용으로 사용되며, 또 반도체의 재료로도 쓰인다. 특히 반도체 재료로서는 3족원소로서 n형 반도체의 제조를 위한 도펀트로서 주로 사용된다. 도펀트의 도핑량 등은 수득하고자 하는 센서 등 최종제품에서의 반도체 특성 등에 따라 적의 조절될 수 있음은 당업자에게는 용이하게 이해될 수 있는 것이다.
본 발명에서는 갈륨은 산화아연에 1중량%, 3중량% 및 5중량%의 양으로 도핑되어 n-형 반도체의 성질을 갖는 나노선을 형성한다.
상기 산화아연의 증착은 바람직하게는 펄스레이저 증착방법에 의해 수행될 수 있다. 펄스레이저 증착은 산화아연 조성을 기반으로 하는 다양한 화합물 합성 및 도핑 등을 위해 그 중요성은 더욱 증진될 것으로 예상되는 합성방법이다. 그 근거로서는 (1)합성장치의 구성이 간단하고, (2) 복잡한 조성비의 물질도 쉽게 증 착할 수 있으며, (3) 높은 녹는점을 가진 물질도 증착이 가능하기 때문이다. 상기 펄스레이저 증착법은 스퍼터링(sputtering) 등과 함께 박막(얇은 막)을 만드는 물리적 진공증착(physical vapor deposition)의 한 방식이며, 만들고자 하는 물질의 세라믹 타겟을 진공챔버에 위치시키고, 렌즈로 집중시킨 펄스 레이저를 쏘아 튀어나오는 플라즈마가 타겟에 인접하는 고온의 기판에 묻어 결정화되는 것을 이용한다. 상기 펄스레이저 증착법을 수행하기 위한 펄스레이저 증착장치는 기본적으로 타겟과 기판이 위치되며, 진공상태를 유지할 수 있는 진공챔버, 상기 진공챔버 내의 타겟으로 조사되는 레이저, 증착하고자 하는 물질로 이루어지는 타겟 및 상기 타겟에 인접하게 위치되어 타겟으로부터 나오는 물질이 증착되는 기판을 포함하여 이루어진다. 상기 진공챔버는 보통 구형 혹은 원기둥 형의 챔버(chamber)에 진공펌프와 연결될 펌핑 포트와, 타겟 회전을 위한 포트에는 회전운동 피드쓰로우(rotational motion feedthrough ; 움직이는 축에 대해 밀봉역할을 하면서 회전운동이 가능하도록 하는 연결부로, 주로 진공챔버 외부에 모터를 구비하고, 모터의 회전력을 내부로 전달하는 데 사용됨)와, 기판의 가열을 위해 전기적 피드쓰로우(electrical feedthrough)와, 레이저가 입사되는 포트에는 레이저가 잘 통과하는 유리와, 내부의 진공도 측정을 위한 포트들 및 내부를 들여다볼 수 있는 윈도우(window ; 창)들을 포함하여 이루어진다. 상기 레이저로는 엑시머레이저들로서 주로 불화크립톤(KrF)레이저(248㎚), 불화아르곤(ArF)레이저(193㎚), 염화크세논(XeCl)레이저(308㎚) 등이 사용된다. 실험적으로 볼 때, 파장이 짧은 레이저를 쓸 때 박막의 표면이 균일하다고 알려져 있다. 펄스레이저에서의 펄스는 1 내지 20Hz로 입사하고, 펄스 당 단위 면적당 에너지가 수 J/㎠ 정도가 되도록 렌즈로 포커싱(focusing) 한다. 타겟(target)과 기판(substrate)은 제조하고자 하는 나노구조체의 종류에 따라 달라진다. 펄스레이저 증착의 장점으로는 (1) 타겟 물질의 복잡한 조성을 옮기기에 편하고, 빠르고, 유독성의 가스를 사용하지 않아 상대적으로 안정하나, 넓은 박막을 만들기 힘들고, 표면에 덩어리가 가끔 생긴다는 단점이 있다. 이를 회피하기 위하여 일반적으로 짧은 파장 레이저를 쓰거나, 엄폐(eclipse) 방법으로 직접적인 덩어리를 막아내거나, 기판을 타겟과 이축(off-axis)으로 위치시켜서 덩어리를 회피하는 방법 등이 알려져 있다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 베이스 기판인 사파이어 기판을 도시한 도면이고, 도 2는 금의 박막을 기판에 증착한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 갈륨 도핑된 타겟을 이용한 펄스레이저 증착장치와 반응로에 의해 갈륨이 도핑된 산화아연 나노선의 합성예를 도시한 펄스레이저 증착장치의 구성도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 펄스레이저 증착장치에 의한 펄스레이저 증착의 과정으로 이루어진 갈륨 도핑된 스택모양의 n형 산화아연 나노선의 전자현미경 사진이다.
이를 참조하면, 본 발명은 산화아연 나노선에서 n형 도펀트(dopant) 물질의 증착을 위해 갈륨이 도핑된 산화아연 타겟을 이용하고, 상기 산화아연 타겟을 사용하여 갈륨의 분해 및 확산을 통해 효과적인 n형 나노구조체인 나노선을 제조함으로 써 갈륨이 도핑된 스택모양의 n형 산화아연 나노선을 형성시킴을 확인할 수 있다.
따라서 본 발명에 따른 산화아연 내의 갈륨의 도입(도핑)은 상기 산화아연 나노선 상에서 n형 반도체의 확산용 소스로서 작용한다. 상기 기판 상에 증착된 촉매금속으로서의 금은 나노선의 성장을 촉진시킨다. 원래의 사파이어 웨이퍼 상에서 보다 촉매금속으로서의 금박막 상에서의 나노선이 더 잘 성장함은 실험적으로 입증되었으며, 이를 도 8에 나타내었다.
레이저의 에너지는 상기 갈륨이 도핑된 타겟(30)에 전달되고, 기판온도에서 전달받은 에너지로 상기 사파이어 기판(10)에 갈륨이 도핑된 산화아연 나노선에서 갈륨이 아연의 치환물로 작용됨으로 인해 갈륨이 도핑된 산화아연 나노선막을 n형으로 형성되게 하는 n형 도펀트(Dopant)로서 사용된다.
도 5는 도 4의 산화아연 나노선을 확대한 상태를 도시한 전자현미경 사진이고, 도 6은 산화아연 나노선의 X선회절분석기(XRD)의 분석결과를 나타낸 그래프이고, 도 7은 산화아연 나노선의 광루미네선스(PL ; Photoluminescence)의 분석결과를 나타낸 그래프이다. 이 그래프에서 400㎚에서의 피크는 산화아연결정성과 관련된 피크이며, 800㎚ 부근에서의 피크는 결함과 관련된 피크이다.
상기한 바와 같이 형성된 산화아연 나노선은 스택모양의 형태를 가지고 있으며 갈륨이 도핑되어 있음을 확인할 수 있었다.
이를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노선 제작에서 갈륨이 도핑된 나노선 만을 제작할 수 있는 것이 아니고, 다양한 도펀트가 들어 있는 타겟을 이용함으로써 도핑된 나노선을 제작할 수 있음을 확인할 수 있었다.
즉, 도 3에 도시된 바와 같이 사파이어 기판 상에 갈륨이 도핑된 산화아연 타겟(30)을 이용하여 증착함으로써, n형 산화아연 나노선을 형성하며, 은이나 구리나 비소 등이 도핑된 산화아연 타겟을 이용하여 증착할 경우 p형 산화아연 나노선을 형성할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 산화아연 나노선의 형성방법은 단지 상기한 실시예에 한정되는 것이 아니라 그 기술적 요지를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다.
또한 상기 펄스레이저 증착은, 도 3에 도시한 바와 같은 펄스레이저 증착장치에 의해 수행될 수 있으며, 이는 진공챔버를 포함하는 반응로; 상기 반응로 내부에 놓여지는 타겟홀더와 기판홀더; 상기 반응로 내부로 레이저를 공급하기 위한 레이저 및 레이저 집광렌즈; 상기 반응로에 연결되는 가스주입구 및 배출구;들을 포함하여 이루어지는 합성장치에 있어서, 상기 반응로가 상기 진공챔버를 외부에서 가열시키는 가열수단을 포함하여 이루어지며, 상기 타겟홀더가 상기 반응로에 회전가능하게 고정되어 이루어진다. 본 발명에서는 진공챔버 외부에 설치된 가열수단에 의해 진공챔버 내부의 온도를 500 내지 1,400℃의 온도의 조건하에서 높은 에너지를 갖는 Nd:YAG 레이저빔(λ= 355㎚)을 성장시키고자 하는 나노구조체와 동일한 조성으로 구성된 타겟 표면에 조사하면, 레이저빔과 타겟의 상호작용으로 인하여 타겟 조성을 열적, 비열적 분해 현상이 발생하게 되고, 이에 의해 타겟 조성이 기판 위로 이동하여 증착되게 하는 장치를 제공하며, 이때, 상기 타겟홀더를 0 내지 16.4rpm의 속도로 회전시켜 동일한 위치의 타겟에 높은 에너지를 갖는 레이저빔이 지속적으로 조사되는 것을 방지하여 타겟을 균일하게 소모할 수 있으며, 또한 부분적인 열산화나 온도차의 형성 등을 방지하여 기판에서의 증착에서 덩어리 등 이상 증착이 일어나지 않도록 한다.
본 발명은 나노선 등과 같은 다양한 나노구조체 등의 제조에 사용될 수 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도 1은 일반적인 베이스 기판인 사파이어 기판을 도시한 도면이다.
도 2는 촉매로 쓰인 금(Au)이 박막으로 사파이어 기판에 형성된 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 갈륨이 도핑된 타겟을 이용한 펄스레이저 증착과 반응로에 의해 갈륨이 도핑된 산화아연 나노선의 증착에 사용된 펄스레이저 증착장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 4는 본 발명에 따라 제조된 갈륨이 도핑된 스택모양의 산화아연 나노선을 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 5는 도 4의 나노선을 확대하여 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 6은 본 발명에 따라 제조된 산화아연 나노선의 X선회절분석기에 의해 분석한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명에 따라 제조된 산화아연 나노선의 PL에 의해 분석한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명에 따라 나노선을 제조함에 있어서 촉매금속으로서의 금박막 상에서의 나노선의 형성정도와 원래의 사파이어 기판 상에서의 나노선의 형성정도를 비교하여 촬영한 사진이다.

Claims (5)

  1. (1) 기판 상에 촉매금속을 증착시키는 촉매금속증착단계; 및
    (2) 도펀트가 도핑된 산화아연을 타겟으로 하여 산화아연을 도펀트와 함께 기화시키고, 이를 상기 촉매금속이 증착된 기판 상에 증착시켜 산화아연의 나노선을 형성시키는 나노선형성단계;
    들을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 나노선의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 촉매금속이 금(Au)인 것을 특징으로 하는 나노선의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판이 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 나노선의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 도펀트가 갈륨인 것을 특징으로 하는 나노선의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화아연의 증착이 펄스레이저 증착방법에 의해 수행됨을 특징으로 하는 나노선의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105839055A (zh) * 2016-03-21 2016-08-10 王烨 利用薄膜沉积制备一维纳米结构氧化锌的方法

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